CN101419770A - 显示装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置和使用该显示装置的电子设备。在采用由属于多行的相邻的多个子像素构成单位像素，同时使驱动晶体管具有控制发光期间/非发光期间的功能的像素结构的情况下，可实现显示面板的高精度化和窄画框化。在由属于上下2行的相互相邻的4个子像素(20W、20R、20G、20B)构成单位像素(20b)，同时使驱动晶体管具有控制有机EL元件(21)的发光期间/非发光期间的功能的像素结构的有源矩阵型有机EL显示装置(10B)中，对每多行布线1条电源供给线(32(32－1～32－m))，从而对构成相同的单位像素(20b)的属于上下2行的4个子像素(20W、20R、20G、20B)共用该1条电源供给线。

Description

显示装置和电子设备

技术领域

本发明涉及显示装置和电子设备，特别是涉及包含电光元件的像素以行列状(矩阵状)配置而成的平面型(flat panel型)的显示装置和具有该显示装置的电子设备。

背景技术

近年来，在进行图像显示的显示装置的领域，迅速普及包含发光元件的像素(像素电路)以行列状配置而成的平面型的显示装置。作为平面型的显示装置，开发使用了根据流过设备的电流值而发光亮度变化的所谓的电流驱动型的电光元件、例如利用了对有机薄膜施加电场则发光的现象的有机EL(电致发光：Electro Luminescence)元件作为像素的发光元件的有机EL显示装置，并发展其商品化。

有机EL显示装置具有以下的特点。即，由于有机EL元件能够以10V以下的施加电压来驱动因此低耗电，此外由于是自发光元件，因此与通过对包含液晶单元的每个像素由该液晶单元来控制来自光源(背光灯)的光强度从而显示图像的液晶显示装置相比，图像的可见度高，而且由于无需液晶显示装置所必需的背光灯等照明部件，因此容易实现轻量化和薄型化。另外，由于有机EL元件的响应速度为数μsec左右，非常快，因此不发生运动图像显示时的余像。

在有机EL显示装置中，与液晶显示装置相同地，作为其驱动方法，能够采用单纯(无源：passive)矩阵方式和有源矩阵(active matrix)方式。其中，单纯矩阵方式的显示装置虽然结构简单，但电光元件的发光期间根据扫描线(即、像素数)的增加而减少，因此存在难以实现大型且高精度的显示装置的问题。

因此，近年来，盛行通过设置在与电光元件同一像素电路内的有源元件，例如绝缘栅极型场效应晶体管(一般为TFT(薄膜晶体管：Thin FilmTransistor))，从而控制流过该电光元件的电流的有源矩阵方式的显示装置的开发。有源矩阵方式的显示装置由于电光元件经过1帧的期间持续发光，因此容易实现大型且高精度的显示装置。

但是，一般，已知有机EL元件的I—V特性(电流—电压特性)随着时间的经过而劣化(即，经时劣化)。在使用N沟道型的TFT作为用于电流驱动有机EL元件的晶体管(以下，称为“驱动晶体管”)的像素电路中，由于在驱动晶体管的源极侧连接有机EL元件，因此若有机EL元件的I—V特性经时劣化，则驱动晶体管的栅极—源极间电压Vgs变化，其结果，有机EL元件的发光亮度也变化。

对此更具体地进行说明。驱动晶体管的源极电位由该驱动晶体管和有机EL元件的动作点来决定。且，若有机EL元件的I—V特性劣化，则导致驱动晶体管和有机EL元件的动作点变动，因此即使对驱动晶体管的栅极施加相同的电压，驱动晶体管的源极电位也变化。由此，由于驱动晶体管的源极—栅极间电压Vgs变化，因此流过该驱动晶体管的电流值变化。其结果，流过有机EL元件的电流值也变化，因此，有机EL元件的发光亮度变化。

此外，在使用了多晶硅(poly silicon)TFT的像素电路中，除了有机EL元件的I—V特性的经时劣化以外，驱动晶体管的阈值电压Vth和构成驱动晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移率(以下、称为“驱动晶体管的迁移率”)μ随着时间而变化，或者由于制造工艺的偏差而阈值电压Vth和迁移率μ对每个像素而不同(每个晶体管特性具有偏差)。

由于若驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ对每个像素不同，则在每个像素中流过驱动晶体管的电流值产生偏差，因此即使在驱动晶体管的栅极施加在像素之间相同的电压，对有机EL元件的发光亮度在像素之间产生偏差，其结果，画面的一致性(uniformity)受到破坏。

因此，为了即使有机EL元件的I—V特性经时劣化，或者驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ经时变化，也不受其影响地将有机EL元件的发光亮度保持一定，采用以下结构：即使每个像素电路具有对于有机EL元件的特性变动的补偿功能，而且具有对于驱动晶体管的阈值电压Vth的变动的校正(以下，称为“阈值校正”)、和对于驱动晶体管的迁移率μ的变动的校正(以下，称为“迁移率校正”)的各个校正功能(例如参照专利文献1)。

专利文献1：(日本)特开2006-215213号公报

在专利文献1所述的以往技术中，使每个像素电路具有对于有机EL元件的特性变动的补偿功能和对于驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率μ的变动的校正功能，从而即使有机EL元件的I—V特性经时变化，或驱动晶体管的阈值Vth和迁移率μ经时变化，不受其影响，能够使有机EL元件的发光亮度保持为一定，但相反，构成像素电路的元件数量多，成为像素尺寸的微小化的障碍。

与此相反，为了实现构成像素电路的元件数量和布线数量的减小，可考虑以下方法：例如，设为可切换提供给像素电路的驱动晶体管的电源电位的结构，使驱动晶体管具有通过该电源电位的切换而控制有机EL元件的发光期间/非发光期间的功能，省略控制发光/非发光的专用的晶体管。

通过采用此方法，可由对视频信号进行采样从而写入像素内的写入晶体管、和基于通过该写入晶体管被写入的视频信号驱动有机EL元件的驱动晶体管的需要最小限的两个晶体管(除了电容元件)来构成像素电路(将在后面叙述其细节)。

但是，如图20所示，在彩色方式的显示装置中，单位像素(一个像素)300a一般由属于相同行的相邻的R(红)G(绿)B(蓝)三原色的子像素301R、301G、301B构成。

于此相反，如图21所示，为了实现高亮度和低耗功率等，有时除了RGB的子像素301R、301G、301B之外，还利用使用频率高的白色(W)的子像素301w，由WRGB的4种子像素301W、301R、301G、301B构成单位像素300b。

这样，在由4种子像素301W、301R、301G、301B构成单位像素300b的情况下，如图21所示，一般将正方形的子像素301W、301R、301G、301B通过多行、例如2行上下左右均等地布局。此时，每个单位像素的信号线的条数，能够从RGB时的3条减少为2条。

但是，在采用使驱动晶体管具有通过是单位像素300b以2行为单位，从而控制有机EL元件的发光期间/非发光期间的功能的像素结构时，作为对驱动晶体管提供电源电位的电源供给线，需要RGB时的2倍的条数。

若电源供给线的条数变成2倍，则该电源供给线在像素面积中所占的比率大，因此像素的高精度下降。此外，若电源供给线的条数变成2倍，则用于驱动该电源供给线的电源供给扫描电路的级数也变成2倍，因此该电源供给扫描电路的电路规模增大，显示面板上的所谓的画框的像素阵列单元的周边部分的窄画框化变得困难。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种，在采用由属于多行的相邻的多个子像素构成单位像素，同时使驱动晶体管具有控制发光期间/非发光期间的功能的像素结构的情况下，可实现显示面板的高精度化和窄画框化的显示装置和具有该显示装置的电子设备。

为了达到上述目的，本发明采用以下结构：即包括：像素阵列单元，子像素以行列状配置，根据属于多行的多个所述子像素而构成单位像素，所述子像素包括：电光元件；写入视频信号的写入晶体管；保持根据所述写入晶体管而被写入的所述视频信号的保持电容；以及基于保持在所述保持电容中的所述视频信号，驱动所述电光元件的驱动晶体管；以及电源供给线，对所述驱动晶体管选择性地提供电位不同的电源电位，对每个所述多行布线1条所述电源供给线。

在上述结构的显示装置和使用了该显示装置的电子设备中，对构成相同单位像素的属于多行的子像素，共用1条电源供给线，从而在将多行设为例如2行的情况下、即以2行为单位构成单位像素的情况下，电源供给线的条数应增加为2倍但不用增加，驱动电源供给线的电源供给扫描电路的电路结构也原样即可，因此可实现显示面板的窄画框化。此外，能够实现每个子像素的尺寸的缩小化，因此能够实现显示面板的高精度化。

根据本发明，在采用由属于多行的相邻的多个子像素构成单位像素，同时使驱动晶体管具有控制发光期间/非发光期间的功能的像素结构的情况下，通过每个所述多行(每个单位像素)布线1条电源供给线，从而显示面板的高精度化和窄画框化变得可能。

附图说明

图1是表示本发明的参考例的有机EL显示装置的结构的概要的系统结构图。

图2是表示像素(像素电路)的电路结构的一例的电路图。

图3是表示像素的截面结构的一例的截面图。

图4是用于本发明的参考例的有机EL显示装置的动作说明的定时波形图。

图5(A)至图5(D)是本发明的参考例的有机EL显示装置的电路动作的说明图(之一)。

图6(A)至图6(D)是本发明的参考例的有机EL显示装置的电路动作的说明图(之二)。

图7是用于说明起因于驱动晶体管的阈值电压Vth的偏差的课题的特性图。

图8是用于说明起因于驱动晶体管的迁移率μ的偏差的课题的特性图。

图9(A)～(C)是用于说明基于阈值校正、迁移率校正的有无的视频信号的信号电压Vsig和驱动晶体管的漏极/源极间电流Ids的关系的特性图。

图10是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的结构的概要的系统结构图。

图11是表示对每一行布线1条电源供给线的情况下的单位像素的各个子像素的结构元件和扫描线以及电源供给线的配置关系的布线图。

图12是表示对每2行布线1条电源供给线的情况下的单位像素的各个子像素的结构元件和扫描线以及电源供给线的配置关系的第1例布线图。

图13是表示对每2行布线1条电源供给线的情况下的单位像素的各个子像素的结构元件和扫描线以及电源供给线的配置关系的第2例的布线图。

图14是用于说明本实施方式的有机EL显示装置的动作的定时波形图。

图15是表示采用了本发明的电视机的外观的斜视图。

图16是表示采用了本发明的数字照相机的外观的斜视图，图16(A)是从前方看的斜视图，图16(B)是从后方看的斜视图。

图17是表示采用了本发明的笔记本型个人计算机的外观的斜视图。

图18是表示采用了本发明的摄像机的外观的斜视图。

图19是表示采用了本发明的移动电视机的外观图，图19(A)是打开的状态下的主视图，图19(B)是其侧视图，图19(C)是关闭状态下的主视图，图19(D)是左侧视图，图19(E)是右侧视图，图19(F)是俯视图，图19(G)是仰视图。

图20是表示具有通过属于同一行的相邻的RGB三原色的子像素而构成的单位像素的彩色显示装置的系统结构图。

图21是表示具有通过属于上下2行的相邻的WRGB4种子像素而构成的单位像素的彩色显示装置的系统结构图。

标号说明

10A、10B...有机EL显示装置、20...单位像素、20W、20R、20G、20B...子像素、21...有机EL元件、22...驱动晶体管、23...写入晶体管、24...保持电容、25...辅助电容、30...像素阵列单元、31...(31-1～31-j、31-1～31-m)...扫描线、32(32-1～32-m)...电源供给线、33(33-1～33-k、33-1～33-n)...信号线、34...公共电源供给线、40...写入扫描线、50...电源供给扫描电路、60...水平驱动电路、70...显示面板

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。

[参考例的有机EL显示装置]

首先为了便于理解本发明，作为参考例说明成为本发明的前提的有源矩阵型显示装置。该参考例的有源矩阵型显示装置是本申请人在(日本)专利申请2006-141836号说明书中提出的显示装置。

图1是表示参考例的有源矩阵型显示装置的结构的概要的系统结构图。这里，作为一例，举例说明以下情况，即使用根据流过设备的电流值而发光亮度变化的电流驱动型的电光元件、例如有机EL元件(有机电场发光元件)作为子像素(子像素)的发光元件的有源阵列型有机EL显示装置的情况。

如图1所示，参考例的有机EL显示装置10A具有像素阵列单元30和配置在该像素阵列单元30的周边部分(画框)的、用于驱动各个单位像素(1个像素)20a的驱动单元，所述像素阵列单元30构成为：由属于相同行的相邻的RGB的子像素20R、20G、20B构成的单位像素20a以行列状(矩阵状)2元配置而成。作为驱动像素20的驱动单元，例如，设置有写入扫描电路40、电源供给扫描电路50以及水平驱动电路60。

在像素阵列单元30中，对m行n列的子像素排列，对每个行布线扫描线31-1～31-m和电源供给线32-1～32-m，对每个列布线信号线33-1～33-n。

像素阵列单元30通常形成在玻璃基板等透明绝缘基板上，成为平面型(flat型)的面板结构。像素阵列单元30的各个子像素20R、20G、20B能够使用非晶硅TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)或者低温多晶硅TFT来形成。在使用了低温多晶硅TFT的情况下，写入扫描电路40、电源供给扫描电路50以及水平驱动电路60也能够安装在形成像素阵列单元30的显示面板(基板)70上。

写入扫描电路40由与时钟脉冲ck同步地依次移位(传送)开始脉冲sp的移位寄存器(shift register)等而构成，对像素阵列单元30的各个子像素20R、20G、20B写入视频信号时，通过对扫描线31-1～31-m依次提供扫描信号WS1～WSm，从而以行为单位依次扫描(线依次扫描)像素阵列单元30的各个子像素20R、20G、20B。

电源供给扫描电路50由与时钟脉冲ck同步地依次移位开始脉冲sp的移位寄存器(shift register)等而构成，通过与写入扫描电路40的线依次扫描同步地、对电源供给线32-1～32-m提供由第1电位Vccp和比该第1电位Vccp低的第2电位Vini来切换的电源供给线电位DS1～DSm，从而进行子像素20R、20G、20B的发光/非发光的控制。

即，电源供给线32-1～32-m的电位DS1～DSm具有作为进行子像素20R、20G、20B的发光/非发光的控制的发光控制信号的功能。此外，电源供给扫描电路50具有作为进行子像素20R、20G、20B的发光驱动的控制的发光驱动扫描电路的功能。

水平驱动电路60适当选择与从信号供给源(未图示)提供的亮度信息相应的视频信号的信号电压(以下，有时仅称为“信号电压”)Vsig和偏移(offset)电压Vofs的任一个，并经由信号线33-1～33-n对像素阵列单元30的各个子像素20R、20G、20B例如以行为单位写入。即，水平驱动电路60是采用以行(line)为单位写入视频信号的信号电压Vsig的线依次写入的驱动方式的信号供给单元。

这里，偏移电压Vofs是成为视频信号的信号电压Vsig的基准的基准电压(例如，相当于黑电平的电压)。此外，第2电位Vini被设定为，比偏移电压Vofs低的电位，例如将驱动晶体管22的阈值电压设为Vth时比Vofs-Vth低的电位，优选比Vofs-Vth充分低的电位。

(子像素的像素电路)

图2是表示参考例的有机EL显示装置10A的子像素20R、20G、20B的像素电路的具体的结构例的电路图。

如图2所示，子像素20R、20G、20B成为以下像素结构：即包含根据流过设备的电流值而发光亮度变化的电流驱动型的电光元件、例如有机EL元件21作为发光元件，除了包括该有机EL元件21以外，还包括驱动晶体管22、写入晶体管23以及保持电容24。

这里，使用N沟道型的TFT作为驱动晶体管22和写入晶体管23，其中，这里的驱动晶体管22和写入晶体管23的导电型的组合只是一例，并不限定于这些组合。

有机EL元件21，其阴极连接在对所有的子像素20R、20G、20B公用布线的公共电源供给线34。驱动晶体管22，其源极连接在有机EL元件21的阳极，漏极连接在电源供给线32(32-1～32-m)。

写入晶体管23，其栅极电极连接在扫描线31(31-1～31-m)，其余电极中的一个电极(源极/漏极)连接在信号线33(33-1～33-n)，另一个电极(漏极/源极)连接在驱动晶体管22的栅极。

保持电容24的一个电极连接在驱动晶体管22的栅极，另一个电极连接在驱动晶体管22的源极(有机EL元件21的阳极)。另外，有时也采用在有机EL元件21的阳极和固定电位之间连接辅助电容，从而补充有机EL元件21的电容不足量的结构。

在上述结构的子像素20R、20G、20B中，写入晶体管23响应于从写入扫描电路40通过扫描线31而施加到栅极的写入扫描信号WS而成为导通状态，从而对与通过信号线33从水平驱动电路60提供的亮度信息对应的视频信号的信号电压Vsig或偏移电压Vofs进行采样从而写入子像素20R、20G、20B内。

该被写入的信号电压Vsig或者偏移电压Vofs，被施加到驱动晶体管22的栅极并保持在保持电容24中，驱动晶体管22在电源供给线32(32-1～32-m)的电位DS为第1电位Vccp时，从电源供给线32接受电流的供给，从而对有机EL元件21提供与保持在保持电容24中的信号电压Vsig的电压值对应的电流值的驱动电流，并对该有机EL元件21进行电流驱动，从而使其发光。

(子像素的结构)

图3是表示子像素20R、20G、20B的截面结构的一例的截面图。如图3所示，子像素20R、20G、20B成为以下结构：即在驱动晶体管22、写入晶体管23等像素电路形成的玻璃基板201上依次形成绝缘膜202、绝缘平坦膜203以及围绕(wind)绝缘膜204，并在该围绕绝缘膜204的凹部分204A设置有机EL元件21。

有机EL元件21包括：由在上述围绕绝缘膜204的凹部分204A的底部形成的金属等构成的阳极205、在该阳极205上形成的有机层(电子输送层、发光层、孔输送层/孔注入层)206、以及在该有机层206上对全部像素公共地形成的由透明导电膜等构成的阴极207。

在该有机EL元件21中，有机层206在阳极205上依次堆积孔输送层/孔注入层2061、发光层2062、电子输送层2063以及电子注入层(未图示)而形成。而且，在图2的驱动晶体管22的电流驱动下，从驱动晶体管22通过阳极205对有机层206流过电流，从而在该有机层206内的发光层2062中电子和空穴再结合时发光。

如图3所示，在像素电路被形成的玻璃基板201上，经由绝缘膜202、绝缘平坦膜203以及围绕绝缘膜204，以子像素为单位形成有机EL元件21后，经由钝化(passivation)膜208，密封基板209通过粘接剂210被连接，通过该密封基板209有机EL元件21被密封，从而形成显示面板70。

(参考例的有机EL显示装置的电路动作)

接着，基于图4的定时波形图，利用图5和图6的动作说明图，说明参考例的有机EL显示装置10A的基本电路动作。另外，在图5和图6的动作说明图中，为了简化图面，以开关符号表示写入晶体管23。还图示了有机EL元件21的电容分量(EL电容25)。

在图4的定时波形图中，表示1H(H为水平期间)内的扫描线31(31-1～31-m)的电位(写入扫描信号)WS的变化、电源供给线32(32-1～32-m)的电位DS的变化、信号线33(33-1～33-n)的电位(Vofs/Vsig)的变化、驱动晶体管22的栅极电位Vg以及源极电位Vs的变化。

<发光期间>

在图4的定时图中，在时刻t1之前有机EL元件21为发光状态(发光期间)。在该发光期间，电源供给线32的电位DS为第1电位Vccp，此外，写入晶体管23为非导通状态。此时，由于驱动晶体管22被设定为在饱和区域动作，因此如图5(A)所示，从电源供给线32通过驱动晶体管22对有机EL元件21提供与该驱动晶体管22的栅极—源极间电压Vgs对应的驱动电流(漏极—源极间电流)Ids。从而，有机EL元件21以与驱动电流Ids的电流值对应的亮度进行发光。

<阈值校正准备期间>

此后，成为时刻t1时，进入线依次扫描的新的场(field)，如图5(B)所示，电源供给线32的电位DS从第1电位(以下，称为“高电位”)Vccp切换为比信号线33的偏移电压Vofs-Vth还要充分低的第2电位(以下，称为“低电位”)Vini。

这里，在将有机EL元件21的阈值电压设为Vel，将公共电源供给线34的电位设为Vcath时，若将低电位Vini设为Vini<Vel+Vcath，则驱动晶体管22的源极电位Vs几乎等于低电位Vini，因此有机EL元件21成为反偏置状态，从而熄灭。

接着，在时刻t2扫描线31的电位WS从低电位侧转移至高电位侧，从而如图5(C)所示，写入晶体管23成为导通状态。此时，从水平驱动电路60对信号线33提供偏移电压Vofs，因此驱动晶体管22的栅极电位Vg成为偏移电压Vofs。此外，驱动晶体管22的源极电位Vs为比偏移电压Vofs还要充分低的电位Vini。

此时，驱动晶体管22的栅极—源极间电压Vgs成为Vofs-Vini。这里，若Vofs-Vini不比驱动晶体管22的阈值电压Vth大，则由于不能进行后述的阈值校正动作，因此需要设定为Vofs-Vini>Vth的电位关系。由此，阈值校正准备的动作为：分别将驱动晶体管22的栅极电位Vg固定为偏移电压Vofs，将源极电位Vs固定为低电位Vini(使其确定)，从而进行初始化的动作。

<阈值校正期间>

接着，在时刻t3，如图5(D)所示，电源供给线32的电位DS从低电位Vini切换为高电位Vccp时，驱动晶体管22的源极电位Vs开始上升。立刻，驱动晶体管22的栅极—源极间电压Vgs收敛为该驱动晶体管22的阈值电压Vth，相当于该阈值电压Vth的电压保持在保持电容24中。

这里，为了便于说明，将对收敛为驱动晶体管22的阈值电压Vth的栅极—源极间电压Vgs进行检测从而将相当于该阈值电压Vth的电压保持在保持电容24中的期间称为阈值校正期间。另外，在该阈值校正期间，为了使电流全部流过保持电容24侧，而不流过有机EL元件21侧，设预先设定公共电源供给线34的电位Vcath，以使有机EL元件21成为截止状态。

接着，如图6(A)所示，通过在时刻t4扫描线31的电位WS转移到低电位侧，从而写入晶体管23成为非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅极成为浮动状态，但由于栅极—源极间电压Vgs等于驱动晶体管22的阈值电压Vth，因此该驱动晶体管22成为截止状态。从而，驱动晶体管22中不流过漏极—源极间电流Ids。

<写入期间/迁移率校正期间>

接着，如图6(B)所示，在时刻t5，信号线33的电位从偏移电压Vofs切换为视频信号的信号电压Vsig。接着，在时刻t6，扫描线31的电位WS转移到高电位侧，从而如图6(C)所示，写入晶体管23成为导通状态，从而对视频信号的信号电压Vsig进行采样，将其写入。

通过该写入晶体管23的信号电压Vsig的写入，驱动晶体管22的栅极电位Vg成为信号电压Vsig。然后，在根据视频信号的信号电压Vsig而驱动晶体管22被驱动时，该驱动晶体管22的阈值电压Vth与保持在保持电容24中的相当于阈值电压Vth的电压相抵，从而进行阈值校正。对于阈值校正的原理，将在后面叙述。

此时，有机EL元件21通过开始处于反偏置状态，从而处于截止状态(高阻抗状态)。有机EL元件21在处于反偏置状态时显示电容性。从而，根据视频信号的信号电压Vsig，从电源供给线32流过驱动晶体管22的电流(漏极—源极间电流Ids)流进有机EL元件21的EL电容25中，且该EL电容25开始充电。

根据该EL电容25的充电，驱动晶体管22的源极电位Vs随着时间的经过而上升。此时，驱动晶体管22的阈值电压Vth的偏差已被校正，驱动晶体管22的漏极—源极间电流Ids依赖于该驱动晶体管22的迁移率μ。

这里，若假设写入增益(对于视频信号的信号电压Vsig的保持电容24的保持电压Vgs的比率)为1(理想值)，则驱动晶体管22的源极电位Vs上升至Vofs-Vth+ΔV的电位，从而驱动晶体管22的栅极—源极间电压Vgs成为Vsig-Vofs+Vth-ΔV。

即，驱动晶体管22的源极电位Vs的上升量ΔV从保持在保持电容24的电压(Vsig-Vofs+Vth)被减去，换言之，起到对保持电容24的充电电荷进行放电的作用，其结果等于施加负反馈。从而，源极电位Vs的上升量ΔV成为负反馈的反馈量。

由此，通过将流过驱动晶体管22的漏极—源极间电流Ids输入到该驱动晶体管22的栅极，即负反馈至栅极—源极间电压Vgs，从而消除对驱动晶体管22的漏极—源极间电流Ids的迁移率μ的依赖性，即进行校正迁移率μ的每个像素的偏差的迁移率校正。

更具体地说，由于视频信号的信号电压Vsig越高漏极—源极间电流Ids越大，因此负反馈的反馈量(校正量)ΔV的绝对值也变大。由此，进行基于发光亮度电平的迁移率校正。此外，在将视频信号的信号电压Vsig设为一定时，驱动晶体管22的迁移率μ越大负反馈的反馈量ΔV的绝对值也越大，因此能够去除每个像素(子像素)的迁移率μ的偏差。对于迁移率校正的原理，将在后面叙述。

<发光期间>

接着，如图6(D)所示，在时刻t7，扫描线31的电位WS转移至低电位侧，从而写入晶体管23成为非导通状态。由此，驱动晶体管22的栅极从信号线33切断而成为浮动状态。

这里，在驱动晶体管22的栅极处于浮动状态时，通过在驱动晶体管22的栅极—源极间连接保持电容24，从而若驱动晶体管22的源极电位Vs变动，则联动(跟随)于该源极电位Vs的变动而驱动晶体管22的栅极电位Vg也变动。这就是基于保持电容24的自举(bootstrap)动作。

驱动晶体管22的栅极成为浮动状态，与此同时，驱动晶体管22的漏极—源极间电流Ids开始流过有机EL元件21，从而有机EL元件21的阳极电位根据驱动晶体管22的漏极—源极间电流Ids而上升。

有机EL元件21的阳极电位的上升即是驱动晶体管22的源极电位Vs的上升。若驱动晶体管22的源极电位Vs上升，则由于保持电容24的自举动作，驱动晶体管22的栅极电位Vg也联动地上升。

此时，假设自举增益为1(理想值)时，栅极电位Vg的上升量等于源极电位Vs的上升量。因此，发光期间驱动晶体管22的栅极—源极间电压Vgs固定保持在Vsig-vofs+Vth-ΔV。

而且，随着驱动晶体管22的源极电位Vs的上升，有机EL元件21的反偏置状态消除，成为正偏置状态，则由于从驱动晶体管22对有机EL元件21提供驱动电流，因此有机EL元件21开始实际发光。然后，在时刻t8信号线33的电位从视频信号的信号电压Vsig切换为偏移电压Vofs。

(阈值校正的原理)

这里，说明驱动晶体管22的阈值校正的原理。驱动晶体管22被设计为在饱和区域动作，因此作为恒流源而工作。由此，从驱动晶体管22对有机EL元件21提供由下式(1)提供的固定的漏极—源极间电流(驱动电流)Ids。

Ids＝(1/2)·μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)²           ......(1)

这里，W是驱动晶体管22的沟道宽度，L是沟道长度，Cox是单位面积的栅极电容。

图7表示驱动晶体管22的漏极—源极间电流Ids对栅极—源极间电压Vgs的特性。

如该特性图所示，若不进行对于驱动晶体管22的阈值电压Vth的每个像素的偏差的校正，则在阈值电压Vth为Vth1时，与栅极—源极间电压Vgs对应的漏极—源极间电流Ids成为Ids1。

与此相反，在阈值电压Vth为Vth2(Vth2>Vth1)时，与相同栅极—源极间电压Vgs对应的漏极—源极间电流Ids成为Ids2(Ids2<Ids)。即，若驱动晶体管22的阈值电压Vth变动，则即使栅极—源极间电压Vgs固定，漏极—源极间电流Ids也变动。

另一方面，在上述结构的像素电路中，如先前所述，由于发光时的驱动晶体管22的栅极—源极间电压Vgs为Vsig-Vofs+Vth-ΔV，因此若将其代入式(1)，则漏极—源极间电流Ids表示为

Ids＝(1/2)·μ(W/L)Cox(Vsig-Vofs-ΔV)²          ......(2)

即，驱动晶体管22的阈值电压Vth的项被取消，从驱动晶体管22提供给有机EL元件21的漏极—源极间电流Ids不依赖于驱动晶体管22的阈值电压Vth。其结果，即使由于驱动晶体管22的制造工艺的偏差和经时变化而驱动晶体管22的阈值电压Vth对每个像素变动，由于漏极—源极间电流Ids不变动，因此能够将有机EL元件21的发光亮度保持为一定。

(迁移率校正的原理)

接着，说明驱动晶体管22的迁移率校正的原理。这里，为了便于说明，有时将“子像素”称为像素。

图8以对驱动晶体管22的迁移率μ相对较大的像素A、和驱动晶体管22的迁移率μ相对较小的像素B进行比较的状态表示特性曲线。在由多晶硅薄膜晶体管等构成驱动晶体管22的情况下，如像素A和像素B那样，不能避免在像素间迁移率μ偏差。

在像素A和像素B中对迁移率μ存在偏差的状态下，例如对两个像素A、B写入相同电平的视频信号的信号电压Vsig的情况下，若不进行这些迁移率μ的校正，则导致在流过迁移率μ较大的像素A的漏极—源极间电流Ids1’和流过迁移率μ较小的像素B的漏极—源极间电流Ids2’之间存在较大的差异。这样，若起因于迁移率μ的每个像素的偏差而在像素之间漏极—源极间电流Ids产生较大的差异，则画面的均匀性受损。

这里，从先前所述的式(1)的晶体管特性式可知，迁移率μ越大漏极—源极间电流Ids越大。从而，迁移率μ越大负反馈的反馈量ΔV越大。如图8所示，迁移率μ较大的像素A的反馈量ΔV1，比迁移率μ较小的像素B的反馈量ΔV2大。

因此，由于通过迁移率校正动作将驱动晶体管22的漏极—源极间电流Ids负反馈至视频信号的信号电压Vsig侧，从而迁移率μ越大负反馈量越大，因此能够抑制迁移率μ的每个像素的偏差。

具体地说，在迁移率μ较大的像素A施加反馈量ΔV1的校正，则漏极—源极间电流Ids从Ids1’大幅下降至Ids1。另一方面，由于迁移率μ较小的像素B的反馈量ΔV2较小，因此漏极—源极间电流Ids从Ids2’下降至Ida2，并不下降很大程度。其结果，像素A的漏极—源极间电流Ids1和像素B的漏极—源极间电流Ids2变得几乎相等，因此迁移率μ的每个像素的偏差被校正。

总结以上内容，在存在迁移率μ不同的像素A和像素B的情况下，迁移率μ较大的像素A的反馈量ΔV1，比迁移率μ较小的像素B的反馈量ΔV2大。即，迁移率μ越大的像素反馈量ΔV越大，漏极—源极间电流Ids的减小量越大。

从而，通过将驱动晶体管22的漏极—源极间电流Ids负反馈至视频信号的信号电压Vsig侧，从而迁移率μ不同的像素的漏极—源极间电流Ids的电流值被均匀化。其结果，能够校正迁移率μ的每个像素的偏差。

这里，使用图9说明，在图2所示的像素电路中，基于阈值校正、迁移率校正的有无的视频信号的信号电位(采样电位)Vsig、和驱动晶体管22的漏极/源极间电流Ids之间的关系。

在图9中，(A)表示阈值校正和迁移率校正都不进行的情况，(B)表示不进行迁移率校正，仅进行阈值校正的情况，(C)表示阈值校正和迁移率校正同时进行的情况。如图9(A)表示，在阈值校正和迁移率校正都不进行的情况下，起因于阈值电压Vth和迁移率μ的像素A、B每个像素的偏差，在像素A、B间漏极—源极间电流Ids产生较大的差异。

与此相反，在仅进行阈值校正的情况下，如图9(B)所示，虽然根据该阈值校正能够一定程度上减小漏极—源极间电流Ids的偏差，但还残留起因于迁移率μ的像素A、B每个像素的偏差的、在像素A、B之间的漏极—源极间电流Ids的差异。

而且，如图9(C)所示，由于通过同时进行阈值校正和迁移率校正，从而能够几乎消除阈值电压Vth和迁移率μ的每个像素A、B的偏差所引起的像素A、B之间的漏极—源极间电流Ids的差异，因此，无论哪个色阶，都不发生有机EL元件21的亮度偏差，能够得到画质良好的显示图像。

此外，图2所示的像素20除了阈值校正和迁移率校正的各校正功能之外，还具有先前所述的自举功能，从而能够得到以下的作用效果。

即，即使有机EL元件21的I—V特性经时变化，与此同时驱动晶体管22的源极电位Vs变化，根据保持电容24的自举动作，驱动晶体管22的栅极—源极间电位Vg维持为固定，因此流过有机EL元件21的电流不变化。从而，由于有机EL元件21的发光亮度也保持为一定，因此即使有机EL元件21的I—V特性经时变化，也能够实现没有与其伴随的亮度劣化的图像显示。

从以上说明可知，参考例的有机EL显示装置10A，以子像素20R、20G、20B具有驱动晶体管22和写入晶体管23的两个晶体管的像素结构，就能与除了这些晶体管之外还具有几个晶体管的像素结构的专利文献1所述的有机EL显示装置一样，实现对于有机EL元件21的特性变动的补偿功能、阈值校正和迁移率校正的各校正功能，且像素电路的结构元件少相应地能够实现像素尺寸的微小化、显示面板70的高精度化。

[本实施方式的有机EL显示装置]

图10是表示本发明的一实施方式的有源矩阵型显示装置的结构的概要的系统结构图，在图中，对与图1相同的部分附加相同的标号而表示。

在本实施方式中，作为一例，举例说明使用根据流过设备的电流值而发光亮度变化的电流驱动型的电光元件、例如有机EL元件作为子像素的发光元件的有源矩阵型有机EL显示装置的情况。

如图10所示，本实施方式的有机EL显示装置10B包括：单位像素20b以行列状2元配置的像素阵列单元30、以及配置在该像素阵列单元30的周围部分(画框)的、驱动各个单位像素20b的驱动单元、例如写入扫描电路40、电源供给扫描电路50以及水平驱动电路60，基本上成为与参考例的有机EL显示装置10A相同的系统结构。

此外，本实施方式的有机EL显示装置10B和参考例的有机EL显示装置10A的不同点在于，单位像素20b的结构和与此相伴的驱动系统的结构。具体地说，在参考例的有机EL显示装置10A中，单位像素20a由属于相同行的子像素20R、20G、20B而构成，与此相反，在本实施方式的有机EL显示装置10B中，单位像素20b由属于多行、例如属于上下2行的相邻的多个子像素构成。

而且，本例的单位像素20b，以高精度和低耗能等为目的，通过除了RGB的子像素20R、20G、20B之外，还具有使用频率高的W(白色)的子像素20W的4种子像素20W、20R、20G、20B，以2行2列为单位而构成。

4种子像素20W、20R、20G、20B中，例如子像素20W和20B属于上行，子像素20R和20G属于下行。此外，子像素20W和20R属于左列，子像素20B和20G属于右列。4种子像素20W、20R、20G、20B的各个像素电路，与图2所示的像素电路相同。

这样，单位像素20b以2行2列为单位，与以1行3列为单位的单位像素20a的情况(参考例的有机EL显示装置10A的情况)相比，像素阵列单元30的行数变为2倍，列数变为2/3倍。从而，像素阵列单元30的子像素的排列成为j行(j＝2m)k列(k＝(2/3)×n)。

对该j行k列的子像素排列，对每行布线扫描线31-1～31-j，对每列布线33-1～33-k。即，对以1行3列为单位的单位像素20a的情况，虽然扫描线31-1～31-j的条数增加为2倍，但对信号线33-1～33-k，能够从每个单位像素3条减少为2条。

通常，对电源供给线32也与扫描线31一样，对每行进行布线，但在本实施方式的有机EL显示装置10B中，对每个单位像素20b(4个子像素20W、20R、20G、20B)布线1条、即对2行布线1条电源供给线32-1～32-m。即，在本实施方式的有机EL显示装置10B中采用，在构成相同的单位像素20b的4个子像素20W、20R、20G、20B之间，共用1条电源供给线32(32-1～32-m)的结构。

这样，本实施方式的特征在于，对构成相同的单位像素20b的属于上下2行的4个子像素20W、20R、20G、20B，共用1条电源供给线32(32-1～32-m)。对通过一条电源供给线32(32-1～32-m)由电源供给扫描电路50驱动4个子像素20W、20R、20G、20B的情况的具体电路动作等，将在后面叙述。

对构成单位像素20b的4个子像素20W、20R、20G、20B，共用1条电源供给线32，从而与以1行3列为单位的单位像素20a的情况相比行数增加为2倍，但作为电源供给扫描电路50，还是与以1行3列为单位的单位像素20a的情况相同的m级的电路结构。

对写入扫描电路40，只能是输出行数的j个写入扫描信号的电路结构，但根据后述的理由，作为移位寄存器的级数可以是m级的电路结构。而且，基于从m级的移位寄存器输出的m个写入扫描信号，在移位寄存器的后级的逻辑电路中，生成2倍的j个的写入扫描信号即可(对此将在后面叙述)。

此外，对水平驱动电路60，与以1行3列为单位的单位像素20a的情况相比由于列数减为2/3，因此与此相应地，能够实现水平驱动电路60的电路规模的缩小化。

(单位像素的布局)

这里，说明单位像素20b的各个子像素的结构元件和扫描线31以及电源供给线32的配置关系。这里，举例说明除了保持电容(Cs)24之外，还设置用于补充有机EL元件21的电容不足的辅助电容(Csub)25的情况，另外，辅助电容(Csub)25的尺寸根据发光颜色而不同，这一点基于以下的理由。

即，有机EL元件21根据发光颜色而发光效率不同。因此，对有机EL元件21进行电流驱动的驱动晶体管22的尺寸根据有机EL元件21的发光颜色而不同。若驱动晶体管22的尺寸根据有机EL元件21的发光颜色而不同，则对进行迁移率校正时的校正时间，根据有机EL元件21的发光颜色而产生差异。

迁移率校正时间根据有机EL元件21所具有的电容分量(EL电容)而决定。从而，为了使迁移率校正时间与有机EL元件21的发光颜色无关地设为固定，只要通过根据驱动晶体管22的尺寸改变有机EL元件21的尺寸，从而在有机EL元件21的发光颜色之间使EL元件具有差异即可。但是，由于像素的开口率等的关系，增大有机EL元件21的尺寸也有界限。

因此，使用辅助电容(Csub)25，将其一个电极连接在有机EL元件21的阳极，将另一个电极连接在固定电位、例如公共电源供给线34，通过对有机EL元件21的每个发光颜色改变该辅助电容25的尺寸，从而补充EL电容的电容不足，且将迁移率校正时间与有机EL元件21的发光颜色无关地设为一定。

<参考例>

首先，将对每1行布线1条电源供给线32的情况下的单位像素20a的各个子像素的结构元件和扫描线31以及电源供给线32的配置关系作为参考例，利用图11进行说明。

如图11所示，在WRGB的4种子像素20W、20R、20G、20B中，例如子像素20W和20B属于上行，子像素20R和20G属于下行。此外，子像素20W和20R属于左列，子像素20B和20G属于右列。

这些子像素20W、20R、20G、20B的任何一个，都形成为上侧部分成为布线区域，中央部分至下侧部分包含保持电容(Cs)24和辅助电容(Csub)25的结构元件。

然后，在子像素20W、20B的布线区域，上侧的行的扫描线31U和电源供给线32U相隔规定的间隔d而沿着行方向(行的子像素排列方向)被布线。同样，在子像素20R、20G的布线区域，下侧的行的扫描线31L和电源供给线32L相隔规定的间隔d而沿着行方向被布线。

这里，电源供给线32U、32L是对驱动晶体管22提供驱动电流，且控制有机EL元件21的发光/非发光的布线。从而，电源供给线32U、32L的布线宽度w2与传输写入扫描信号的扫描信号线31U、31L的布线宽度w1相比较宽。

如上所述，在采用对1行布线1条电源供给线32(32U、32L)的结构的情况下，从上述可知，该电源供给线32在像素面积中所占的比率大，因此导致像素(子像素)的高精度降低。

<第1例>

图12是表示对每2行布线1条电源供给线32的情况下的单位像素20b的各个子像素的结构元件和扫描线31以及电源供给线32的配置关系的第1例的布局图。图中，对于与图11相同的部分赋予相同的标号来表示。

如图12所示，在WRGB的4种子像素20W、20R、20G、20B中，例如子像素20W和20B属于上行，子像素20R和20G属于下行。此外，子像素20W和20R属于左列，子像素20B和20G属于右列。

此外，从图12可知，属于上行的子像素20W、20B和属于下行的子像素20R、20G，对包含保持电容(Cs)24和辅助电容(Csub)25的结构元件的配置，相对上行和下行的边界线O成为上下对称关系。由此，能够在子像素20W、20B的下端部分和子像素20R、20G的上端部分之间确保较宽的布线区域。

而且，上侧的行的扫描线31U在子像素20W、20B的上端的布线区域沿着行方形被布线，下侧的行的扫描线31L在子像素20R、20G的下端的布线区域沿着行方向被布线。此外，上下2行的共用的电源供给线32在子像素20W、20B的下端的布线区域和子像素20R、20G的上端的布线区域以布线宽度2w2沿着行方向被布线。

这样，属于上行的子像素20W、20B和属于下行的子像素20R、20G的各个结构元件处于相对边界线O上下对称的配置关系，通过在这些上下子像素的各个结构元件之间的布线区域布线电源供给线32，从而该电源供给线32和上下子像素的各个驱动晶体管22的漏极之间的距离变进，因此具有两者之间的电连接变简单的优点。

由此，通过采用对2行布线1条电源供给线32、即对每相同的单位像素20的4个子像素20W、20R、20G、20B布线1条，从而不需要确保图12中的上侧的行的扫描线31U-电源供给线32U之间的间隔d以及下侧的行的扫描线31L-电源供给线32L之间的间隔d，因此能够相应地提高像素(子像素)的高精度化，同时能够提高布局的自由度。

此外，电源供给线32的布线宽度2w2成为，对每1行布线1条电源供给线32的情况下的布线宽度w2的2倍，从而能够减小在单色发光的情况下的、具体地说是子像素20R、20G、20B单独发光的情况下的每1个子像素的布线电阻，因此能够减小从电源供给扫描电路50到较远的子像素和较近的子像素之间的传播延迟的差异。

<第2例>

图13是表示对每2行布线1条电源供给线32的情况下的单位像素20b的各个子像素的结构元件和扫描线31以及电源供给线32的配置关系的第2例的布局图。图中，对与图12相同的部分附加相同的标号而表示。

与在第1例中采用将电源供给线32的布线宽度2w2设为对每1行布线1条电源供给线32的情况下的布线宽度w2的2倍的结构相比，在第2例中，从图13可知，采用将电源供给线32的布线宽度w3设定为比布线宽度2w2窄的结构。

这样，通过将电源供给线32的布线宽度w3设定为比布线宽度2w2窄，从而虽然单色发光的情况下的每1个子像素的布线电阻上升，但能够充分地取每个子像素20W、20R、20G、20B的元件的配置空间，因此可相应地增加像素电路的结构元件数量。此外，由于能够实现每个子像素20W、20R、20G、20B的尺寸的微小化，因此能够实现显示面板70的高精度化。

(电路动作)

接着，利用图14的定时波形图说明本实施方式的有机EL显示装置10B的电路动作。

在图14中，表示1F(F为场/帧期间)的信号线33的电位(Vofs/Vsig)的变化、上下2行的扫描线31U、31L的电位(写入扫描信号)WSU、WSL的变化、电源供给线32的电位DS的变化、驱动晶体管22的栅极电位Vg以及源极电位Vs的变化。

另外，4种的子像素20W、20R、20G、20B的阈值校正准备、阈值校正、信号写入&迁移率校正以及发光的各个具体的动作，与先前所述的参考例的有机EL显示装置10A的电路动作的情况基本相同。

在非发光的状态下，在时刻t11上下2行的扫描线31U、31L的电位WSU、WSL共同从低电位侧转移至高电位侧。时刻t11相当于图4的定时波形图中的时刻t2。此时，信号线33的电位处于偏移电压Vofs的状态，在上下2行的子像素20W、20R、20G、20B中，偏移电压Vofs通过写入晶体管23被写入驱动晶体管22的栅极。

接着，在时刻t12电源供给线32的电位DS从低电位Vini切换为高电位Vccp，从而在上下2行的子像素20W、20R、20G、20B中，开始阈值校正动作。时刻t12相当于图4的定时波形图中的时刻t3。阈值校正动作在从时刻t12至扫描线31U、31L的电位WSU、WSL同时从高电位侧转移至低电位侧的时刻t13为止的期间(阈值校正期间)进行。

接着，在时刻t14从水平驱动电路60对信号线33提供对上行的视频信号的信号电压Vsig，接着，在时刻t15上行的扫描线31U的电位WSU重新从低电位侧转移至高电位侧，从而在上行的子像素20W、20B中，通过写入晶体管23视频信号的信号电压Vsig被写入驱动晶体管22的栅极。时刻t14、t15相当于图4的定时波形图的时刻t5、t6。

接着，在时刻t16上行的扫描线31U的电位WSU从高电位侧转移至低电位侧，同时从水平驱动电路60对信号线33提供对下行的视频信号的信号电压Vsig，接着，在时刻t17下行的扫描线31L的电位WSL再次从低电位侧转移至高电位，从而在下行的子像素20R、20G中，通过写入晶体管23视频信号的信号电压Vsig被写入驱动晶体管22的栅极。然后，在时刻t18下行的扫描线31L的电位WSL从高电位侧转移至低电位侧，从而进入发光期间。

从上述的一连串的动作说明可知，对每2行布线1条电源供给线32，相同的单位像素20b的4个子像素20W、20R、20G、20B共用通过该电源供给线32从电源供给扫描电路50提供的、控制有机EL元件21的发光期间的电源电位DS(Vccp/Vini)的情况下，由电源电位DS的从低电位Vini到高电位Vccp的转移定时决定的阈值校正期间在上行的子像素20W、20B和下行的子像素20R、20G之间相同。对于阈值校正动作，即使在上下2行之间同时执行，在电路动作上无任何问题。

另一方面，对于信号写入&迁移率校正的动作，在包含阈值校正期间的1H期间内，在上行的子像素20W、20B和下行的子像素20R、20G之间具有一定时间(t16-t17)、例如数μsec偏差而执行。根据这些动作，在上行的子像素20W、20B和下行的子像素20R、20G之间产生发光期间的差异，但该差异是数μsec，作为发光亮度差异来说是可忽视的水平，因此不成为任何问题。

此外，通过在上行的子像素20W、20B和下行的子像素20R、20G之间在1H期间内错开时间而进行信号写入&迁移率校正的动作，从而作为垂直扫描的扫描周期，与行数为m的情况相同，1H周期即可，因此如前所述，能够将构成用于产生写入扫描信号的写入扫描电路40的移位寄存器的级数设为相当于行数j(j＝2m)的一半的m级。

而且，基于从m级的移位寄存器输出的m个写入扫描信号，在移位寄存器的后级的逻辑电路中，只要生成2倍的j个的写入扫描信号即可。更具体地说，在逻辑电路中，例如使用从移位寄存器输出的写入扫描信号作为上行的写入扫描信号，另一方面，基于相应的上行的写入扫描信号，生成延迟上述的一定时间的写入扫描信号，并使用该写入扫描信号作为下行的写入扫描信号即可。

(本实施方式的作用效果)

如上所述，在采用由属于多行、例如上下2行的相邻的4个子像素20W、20R、20G、20B构成单位像素20b，且使驱动晶体管22具有控制有机EL元件21的发光期间/非发光期间的功能的像素结构的有源矩阵型有机EL显示装置10B中，对构成相同单位像素20b的属于上下2行的4个子像素20W、20R、20G、20B，共用1条电源供给线32(32-1～32-m)，从而作为写入扫描电路40的移位寄存器和电源供给扫描电路50，m级的电路结构即可，对写入扫描电路40能够减少电路规模，因此能够实现显示面板70的窄画框化。

此外，对构成相同单位像素20b的属于上下2行的4个子像素20W、20R、20G、20B，共用1条电源供给线32(32-1～32-m)，从而能够充分取子像素20W、20R、20G、20B的面积，因此相应地可增加像素电路的结构元件数量，此外，能够实现每个子像素20W、20R、20G、20B的尺寸的缩小化，因此能够实现显示面板70的高精度化。

[变形例]

在上述实施方式中，举例说明了作为子像素20W、20R、20G、20B的电光元件，使用有机EL元件而应用于有机EL显示装置的情况，但本发明并不限定于该应用例，可应用于所有由属于多行的多个子像素构成的单位像素以行列状2元配置的平面型(flat面板型)的显示装置。

[应用例]

以上说明的本发明的显示装置，作为一例，可适用于如图15～图19所示的各种各样的电子设备的显示装置，例如将被输入到数字照相机、笔记本型个人计算机、移动电话等的移动终端装置、摄像机等电子设备的视频信号或者在电子设备内生成的视频信号作为图像或视频来显示的所有领域的电子设备的显示装置。

这样，由先前所述的实施方式的说明可知，通过作为所有领域的电子设备的显示装置而使用本发明的显示装置，从而本发明的显示装置能够实现显示面板70的窄画框化以及高精度化，因此在各种各样的电子设备中，能够对设备整体的小型化作贡献，同时能够实现高精度的图像显示。

另外，本发明的显示装置还包括被密封构成的模块形状的装置。例如，相当于在像素阵列单元30上粘贴在透明的玻璃等相对部分而形成的显示模块。该透明的相对部分上还可以设置滤色器、保护膜等、还可以设置上述的遮光膜。另外，在上述显示模块上还可以设置用于输入输出从外部到像素阵列单元的信号等的电路单元和FPC(柔性印刷电路：flexible print circuit)等。

以下，说明应用本发明的电子设备的具体例子。

图15是表示应用了本发明的电视机的外观的斜视图。本应用例的电视机包括由前面板102和过滤玻璃103构成的视频显示画面单元101，作为该视频显示画面单元101而使用本发明的显示装置。

图16是表示应用本发明的数字照相机的外观的斜视图，(A)是从前面看的斜视图，(B)是从后面看的斜视图。本应用例的数字照相机包括闪光用的发光单元111、显示单元112、菜单开关113、以及快门按钮114等，作为其显示单元112而使用本发明的显示装置。

图17是表示应用本发明的笔记本型个人计算机的外观的斜视图。本应用例的笔记本型个人计算机，其本体121包括在输入字符等时被操作的键盘122、以及显示图像的显示单元123等，作为其显示单元123而使用本发明的显示装置。

图18是表示应用本发明的摄像机的外观的斜视图。本应用例的摄像机包括本体单元131、向着前方的侧面的被摄体摄影用的镜头132、摄像时的开始/停止开关133、以及显示单元134等，作为其显示单元134而使用本发明的显示装置。

图19是表示应用本发明的移动终端装置、例如移动电话机的外观图，(A)是打开的状态下的正面图，(B)是其侧面图，(C)是关闭状态下的正面图，(D)是左侧面图，(E)是右侧面图，(F)是上面图，(G)是下面图。本应用例的移动电话机包括：上侧筐体141、下侧筐体142、连接部分(这里为铰链部分)143、显示器144、子显示器145、图像灯(picture light)146、以及照相机147等，且作为该显示器144和子显示器145而使用本发明的显示装置。

Claims (5)

1、一种显示装置，其特征在于，包括：

像素阵列单元，子像素以行列状配置，根据属于多行的相邻的多个所述子像素而构成单位像素，所述子像素包括：电光元件；写入视频信号的写入晶体管；保持由所述写入晶体管写入的所述视频信号的保持电容；以及基于保持在所述保持电容中的所述视频信号，驱动所述电光元件的驱动晶体管；以及

电源供给线，对所述驱动晶体管选择性地提供电位不同的电源电位，

对每个所述多行布线1条所述电源供给线。

2、如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述子像素可进行校正所述驱动晶体管的阈值电压的每个子像素的偏差的阈值校正动作，对构成所述单位像素的属于相同列的子像素，所述阈值校正动作的校正期间相同。

3、如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述子像素可进行校正所述驱动晶体管的迁移率的每个像素的偏差的移动度校正动作，对构成所述单位像素的属于相同列的子像素，在所述阈值校正动作后在1个水平期间内错开时间而进行所述写入晶体管的所述视频信号的写入动作和所述迁移率校正动作。

4、如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述多行为2行，

属于所述2行的上下的子像素中，所述写入晶体管、所述保持电容以及所述驱动晶体管对所述2行的边界线上下对称而配置。

5、一种电子设备，包括：

像素阵列单元，子像素以行列状配置，由属于多行的多个所述子像素而构成单位像素，所述子像素包括：电光元件；写入视频信号的写入晶体管；保持由所述写入晶体管写入的所述视频信号的保持电容；以及基于保持在所述保持电容中的所述视频信号，驱动所述电光元件的驱动晶体管；以及

电源供给线，对所述驱动晶体管选择性地提供电位不同的电源电位，

所述电子设备的特征在于，

对每个所述多行布线1条所述电源供给线。

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