CN112967680B - 像素结构及其驱动方法、显示基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素结构及其驱动方法、显示基板，属于显示技术领域。本发明的像素结构，其包括N个像素电路和电源写入控制电路，N≥2，且所述N为整数；所述N个像素电路中的每个包括像素驱动子电路和发光器件；其中，所述电源写入控制电路，被配置为在第三扫描信号的控制下，在发光阶段根据所写入的调压控制信号为各所述像素电路提供第一电源电压；对于每个所述像素电路，其中的所述像素驱动子电路被配置为在第一扫描信号的控制下，根据所写入的数据电压信号为所述发光器件提供驱动电流；第1个至第N个所述像素电路中的所述发光器件依次串接，且第1个所述像素电路中的所述发光器件的第一电极连接所述电源写入控制电路，第N个所述像素电路中的所述发光器件的第二电极连接第二电源端。

Description

像素结构及其驱动方法、显示基板
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种像素结构及其驱动方法、显示基板。
背景技术
OLED(有机电致发光器件：Organic Light-Emitting Device，简称OLED)是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度范围广等优点，使其具有广阔的应用前景。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种像素结构及其驱动方法、显示基板。
第一方面，本公开实施例了一种像素结构，其包括N个像素电路和电源写入控制电路，N≥2，且所述N为整数；所述N个像素电路中的每个包括像素驱动子电路和发光器件；其中，
所述电源写入控制电路，被配置为在第三扫描信号的控制下，在发光阶段根据所写入的调压控制信号为各所述像素电路提供第一电源电压；
对于每个所述像素电路，其中的所述像素驱动子电路被配置为在第一扫描信号的控制下，根据所写入的数据电压信号为所述发光器件提供驱动电流；
第1个至第N个所述像素电路中的所述发光器件依次串接，且第1个所述像素电路中的所述发光器件的第一电极连接所述电源写入控制电路，第N个所述像素电路中的所述发光器件的第二电极连接第二电源端。
其中，每个所述像素电路中均设置一个所述发光器件；第1个至第N个所述像素电路中的所述发光器件依次叠层设置。
其中，除第N个所述像素电路中的所述发光器件外，第M个所述像素电路中的所述发光器件的第二电极，与第M+1个所述像素电路中的所述发光器件的第一电极共用；1≤M＜N，且所述M为整数。
其中，所述电源写入控制电路与第1个所述的像素电路中的所述发光器件的第一电极之间的连接节点为第一节点；所述像素结构还包括感测电路；
所述感测电路，被配置为在第二扫描信号的控制下，对所述第一节点的电位进行感测。
其中，所述感测电路包括感测晶体管；所述感测晶体管的第一极连接感测信号线，第二极连接所述第一节点，控制极连接第二扫描线。
其中，所述电源写入控制电路包括第一控制晶体管、第二控制晶体管和第二存储电容；
所述第一控制晶体管的第一极连接调压信号线，第二极连接所述第二控制晶体管的控制极和所述第二存储电容的第一极板，控制极第三扫描线；
所述第二控制晶体管的的第一极连接第一电源端，第二极连接第1个所述像素电路中的所述发光器件的第一电极和所述第二存储电容的第二极板。
其中，所述像素驱动子电路至少包括开关晶体管、驱动晶体管和第一存储电容；
所述开关晶体管的第一极连接数据线，第二极连接所述第一存储电容的第一极板和所述驱动晶体管的控制极，控制极连接第一扫描线；
所述驱动晶体管的第一极连接所述发光器件的第一电极，第一极连接所述发光器件的第二电极；
所述第一存储电容的第二极板连接第三电源端。
第二方面，本公开实施例提供一种像素结构的驱动方法，所述像素结构为上述的像素结构；所述方法包括：
数据写入阶段：第一扫描信号为工作电平信号，控制N个像素电路中的像素驱动子电路同时工作，并为各所述像素驱动子电路写入数据电压信号；
发光阶段：第三扫描信号为工作电平信号，控制电源写入电路工作，通过控制调压控制线所写入的调压控制信号，控制第一电源端所写入至所述像素电路的第一电源电压的大小，根据第一电源电压和每个所述像素电路所写入的数据电压的大小，控制每个所述像素电路中的发光器件的发光亮度。
第三方面，本公开实施例提供一种显示基板，其包括多个上述的像素结构。
其中，所述多个像素结构呈阵列排布；
位于同一行的所述像素结构中各个所述电源写入控制电路连接同一条第三扫描线；位于同一列的所述像素结构中各个所述电源写入控制电路连接同一条调压控制线；
位于同一行的所述像素结构中各所述像素驱动子电路连接同一条第一扫描线；位于同一列的所述像素结构中位于同一列的所述像素驱动子电路连接同一条数据线。
附图说明
图1为有机发光二极管显示面板内的一个像素电路结构示意图；
图2为本公开实施例的一种像素结构的示意图；
图3为本公开实施例的另一种像素结构的示意图；
图4为本公开实施例的一种像素结构的电路图；
图5为图4的像素结构在调压控制信号为4V时的仿真图；
图6为图4的像素结构在调压控制信号为6V时的仿真图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在此需要说明的是，本公开实施例中的所采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性的相同器件，由于采用的晶体管的源极和漏极是对称的，所以其源极、漏极是没有区别的。在本公开实施例中，为区分晶体管的源极和漏极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极，栅极称为控制极。此外按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型，以下实施例中是以N型晶体管进行说明的，当采用N型晶体管时，第一极为N型晶体管的源极，第二极为N型晶体管的漏极，栅极输入高电平时，源漏极导通，P型相反。可以想到的是采用P型晶体管实现是本领域技术人员可以在没有付出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本公开实施例的保护范围内的。
其中，由于在本公开实施例中以所采用晶体管为N型晶体管，故在本公开实施例中的工作电平信号则是指高电平信号，非工作电平信号为低电平信号；相应的工作电平端为高电平信号端，非工作电平端为低电平信号端。第一电源压端被写入的第一电源电压高于第二电源电压端被写入的第二电源电压，在本公开实施例中以第一电源电压为高电源电压，第二电源电压为低电源电压为例。另外，本公开实施例中的第三电源端所输入的第三电源同样为低电源电压。
对于具有外部补偿功能的有机发光二极管显示面板而言，其包括呈阵列排布的多个像素结构，每个像素结构中包括N个子像素，N≥2，且N为整数(另外，本公开实施例中M则取1和2)。每个子像素中均设置有像素电路；也即，每个像素结构包括N个像素电路。每个像素电路均包括像素驱动子电路和发光器件。对于每个像素结构中的N各像素电路的发光器件的发光颜色可以相同，也可以不同。为了描述方便，在本公开实施例中，以每个像素结构包括3个像素电路为例，在该种情况下，3个像素电路中的发光器件分别为红色发光器件、绿色发光器件、蓝色发光器件。其中，在本公开实施例中发光器件包括但不限于有机电致发光二极管，以下均以发光器件为有机电致发光二极管为例进行描述。有机电致发光二极管的第一电极和第二电极中的一者为阳极，另一者则为阴极。在本公开实施例中，以第一电极为阳极，第二电极为阴极为例进行描述。
在一个示例中，图1为有机发光二极管显示面板内的一个像素电路结构示意图；如图1所示，该像素电路包括像素驱动子电路和有机电致发光二极管D；其中，像素驱动子电路包括开关晶体管M1、感测晶体管M3、驱动晶体管、存储电容Cst。其中，开关晶体管M1的源极连接数据线，开关晶体管M1的漏极连接存储电容Cst的第一极板和驱动晶体管M2的栅极，开关晶体管M1的栅极连接第一扫描线；感测晶体管M3的源极连接感测信号线，感测晶体管M3的漏极连接驱动晶体管M2的漏极和有机电致发光二极管D的阳极，感测晶体管M3的栅极第二扫描线；驱动晶体管M2的源极连接第一电源端，驱动晶体管M2的漏极连接存储电容的第二极板和有机电致发光二极管D的阳极，有机电致发光二极管D的阴极连接低电源端VSS。
一帧画面可划分为两个阶段：显示驱动阶段和感测阶段；在显示驱动阶段中，显示面板中的各行像素单元完成显示驱动；在感测阶段，显示面板中的某些行像素单元完成电流抽取(即感测)。
显示阶段：给第一扫描线写入高电平信号，开关晶体管M1打开，将数据线中的数据电压Vdata写入至驱动晶体管M2的栅极，并给存储电容Cst充电，通过驱动晶体管M2驱动有机电致发光二极管D发光。
感测阶段：给第一扫描线和第二扫描线写入高电平信号，感测晶体管M3和驱动晶体管M2打开，通过数据线Data将一个测试电压Vsense写入至驱动晶体管M2的栅极，并通过感测晶体管M3将驱动晶体管M2的漏极处的电信号读取，并通过感测信号线输出，以使外界补偿电路通过输出的电信号对驱动晶体管M2的迁移率进行补偿。
需要说明的是，对显示面板中的子像素电路进行外部补偿，其过程属于本领域的常规技术，具体补偿过程和原理，此处不再赘述。
发明人发现，在现有的像素结构中，驱动电路结构的晶体管较多，且各个发光器件并排设置导致显示面板像素开口率受限，为解决前述至少一个技术问题，本公开实施例提供如下技术方案。
第一方面，本公开实施例提供一种像素结构，图2为本公开实施例的一种像素结构的示意图；如图2所示，该像素结构包括3个像素电路(11、12、13)和1个电源写入控制电路30。其中，每个像素电路均包括像素驱动子电路111和有机电致发光二极管。三个像素电路中的有机电致发光二极管分别为红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg、蓝色发光二极管Db。在以下描述中第1个像素电路11中的有机电致发光二极管为红色发光二极管Dr、第2个像素电路12中的有机电致发光二极管为绿色发光二极管Dg、第3个像素电路13中的有机电致发光二极管为蓝色发光二极管Db为例。
继续参照图3，电源写入控制电路30被配置为在第三扫描信号的控制下，在发光阶段根据所写入的调压控制信号为各像素电路提供高电源电压；对于每个像素电路11，其中的像素驱动子电路111被配置为在第一扫描信号的控制下，根据所写入的数据电压信号为有机电致发光二极管提供驱动电流；例如：第1个像素电路11中的像素驱动子电路111根据写入的数据电压为红色发光二极管Dr提供驱动电路；第2个像素电路12中的像素驱动子电路111根据写入的数据电压为绿色发光二极管Dg提供驱动电路；第3个像素电路13中的像素驱动子电路111根据写入的数据电压为蓝色发光二极管Db提供驱动电路。红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg和蓝色发光二极管Db依次串接，且红色发光二极管Dr的阳极连接电源写入控制电路30，蓝色发光二极管Db的阴极连接低电源端VSS。
在本公开实施例的像素结构中，各个像素电路中的像素驱动子电路111由同一条第一扫描线G1控制，且有机电致发光二极管依次串接，也即将多个像素电路合并，在该种情况下，像素结构中的三个发光二极管可以同时发光。这样一来，在对各个像素电路进行感测时，可以采用同一个感测电路20进行感测，也即在一个像素结构中仅设置一个感测电路20，以此有助于简化像素结构，从而有助于应用本公开实施例的像素结构的显示面板实现高像素开口率。
在一些示例中，图3为本公开实施例的另一种像素结构的示意图；如图3所示，该像素结构不仅包括图2所示的像素结构的中全部结构，与图2所示的像素结构不同的是，在该像素结构中还设置有感测电路20。继续参照图3，电源写入控制电路30与红色发光二极管Dr的阳极之间的连接节点为第一节点，感测电路20则与第一节点连接。该感测电路20被配置为在第二扫描信号的控制下，对第一节点的电位进行感测，以便于通过外部补偿电路对驱动晶体管M2的迁移率等进行补偿。当然，该感测电路20还可以在复位阶段，在第二扫描信号的控制下，给第一节点写入初始化电压，对于各有机电致发光二极管进行初始化。
由图3可以看出的，由于本公开实施例中的像素结构中的各个像素电路中的有机电致发光二极管依次串接，因此改像素结构中的多个像素电路可以通过一个感测电路20进行感测以及复位，从而可以有效的减少像素结构中的晶体管的数量，进而可以有效的提升应用该像素结构的显示面板的像素开口率。
在一些示例中，图4为本公开实施例的一种像素结构的电路图；如图4所示，该感测电路20可以包括感测晶体管M3；其中，感测晶体管M3的源极连接第一节点，感测晶体管M3的漏极连接感测信号线Sense，感测晶体管M3的栅极连接第二扫描线G2。
例如：在感测阶段，可以给电源写入控制电路30和像素电路均工作，并通过给数据线Data上写入测试电压，与此同时，当第二扫描线G2被写入高电平信号时，感测晶体管M3工作，将第一节点的电位通过感测信号线Sense进行输出，以便通过外部补偿电路根据该感测信号线Sense所感测的第一节点的电位对像素电路进行补偿。当然，在复位阶段，还可以通过给第二扫描线G2写入高电平信号，控制感测晶体管M3工作，此时通过给感测信号线Sense写入初始化信号，以对红色发光二极管Dr的阳极进行复位，由于红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg和蓝色发光二极管Db依次串接，故可以实现三个发光二极管的初始化。
在一些示例中，继续参照图4，每个像素电路中的像素驱动子电路111均包括开关晶体管M1、驱动晶体管M2和存储电容。其中，在第1个像素电路11中，开关晶体管M11的源极连接数据线Data，开关晶体管M11的漏极连接驱动晶体管M21的栅极和第一存储电容Cst11的第一极板，开关晶体管M11的栅极连接第一扫描线G1。驱动晶体管M21的源极连接电源写入控制电路30和红色发光二极管Dr的阳极，驱动晶体管M21的漏极连接第2个像素电路12中的驱动晶体管M22的源极和红色发光二极管Dr的阴极。第一存储电容Cst11的第二极板连接低电源端VSS。在第2个像素电路12中，开关晶体管M12的源极连接数据线Data，开关晶体管M12的漏极连接驱动晶体管M22的栅极和第一存储电容Cst12的第一极板，开关晶体管M12的栅极连接第一扫描线G1。驱动晶体管M22的源极连接第1个像素电路11中的驱动晶体管M21的漏极、红色发光二极管Dr的阴极和绿色发光二极管Dg的阳极，驱动晶体管M22的漏极连接第3个像素电路13中的驱动晶体管M23的源极和绿色发光二极管Dg的阴极。第一存储电容Cst12的第二极板连接低电源端VSS。在第3个像素电路13中，开关晶体管M13的源极连接数据线Data，开关晶体管M13的漏极连接驱动晶体管M23的栅极和第一存储电容Cst13的第一极板，开关晶体管M13的栅极连接第一扫描线G1。驱动晶体管M23的源极连接第2个像素电路12中的驱动晶体管M22的漏极、绿色发光二极管Dg的阴极和蓝色发光二极管Db的阳极，驱动晶体管M23的漏极连接蓝色发光二极管Db的阴极和低电源端VSS。第一存储电容Cst13的第二极板连接低电源端VSS。需要说明的是，三个像素电路中的开关晶体管M11、M12、M13所连接的第一扫描线G1相同，但开关晶体管M11、M12、M13的源极连接数据线Data不同。
例如，当给第一扫描线G1写入高电平信号时三个像素电路中的开关晶体管M11、M12、M13均打开，此时可以数据线Data1所写入的数据电压信号被写入至第1个像素电路11中的驱动晶体管M21的栅极，此时通过数据电压信号和电源写入电路所写入的调压控制信号，控制红色发光二极管Dr的发光亮度；同时，数据线Data2所写入的数据电压信号被写入至第2个像素电路12中的驱动晶体管M22的栅极，此时通过数据电压信号和电源写入电路所写入的调压控制信号，控制绿色发光二极管Dg的发光亮度；数据线Data3所写入的数据电压信号被写入至第3个像素电路13中的驱动晶体管M23的栅极，此时通过数据电压信号和电源写入电路所写入的调压控制信号，控制蓝色发光二极管Db的发光亮度。可以看出的是，红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg和蓝色发光二极管Db同时发光，此时通过红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg和蓝色发光二极管Db混色决定该像素结构的灰阶值。
在此需要说明的是，以上仅以像素驱动子电路111仅包括2T1C(2个晶体管和1个存储电容)为例进行描述。在实际产品中，根据对产品性能的要求，像素驱动子电路111也可以采用7T1C、6T2C等各种类型的电路，在此不再一一列举。
在一些示例中，继续参照图4，电源写入控制电路30可以包括第一控制晶体管M4、第二控制晶体管M5和第二存储电容。其中，第一控制晶体管M4的源极连接调压信号线A，第一控制晶体管M4的漏极连接第二控制晶体管M5的栅极和第二存储电容第一极板，第一控制晶体管M4的栅极连接第三扫描线G3。第二控制晶体管M5的源极连接高电源端VDD，第二控制晶体管M5的漏极连接红色发光二极管Dr的阳极和第二存储电容的第二极板。
例如，当给第三扫描线G3被写入高电平信号时，第一控制晶体管M4打开，通过控制调压信号线A所写入的电压，调节高电源端VDD所写入至红色发光二极管Dr的阳极的电压，以此可以控制各个发光二极管的发光亮度。
在一些示例中，在本公开实施例的像素结构中，红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg和蓝色发光二极管Db依次第二层设置。例如：当将红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg和蓝色发光二极管Db设置在基底上时，三者沿背离基底方向上依次叠层设置。在该种情况下，可以有效的减小像素结构中的发光二极管的占用空间，有助于应用本公开实施例的像素结构的显示面板实现高开口率。
在一些示例中，由于红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg和蓝色发光二极管Db是依次串接的，且三者沿依次叠层设置，故可以将红色发光二极管Dr的阴极与绿色发光二极管Dg的阳极共用，绿色发光二极管Dg的阴极和蓝色发光二极管Db的阳极共用。在该种情况下，有助于应用本公开实施例的像素结构的显示面板实现轻薄化。
第二方面，本公开实施例提供一种像素结构的驱动方法，该方法可用于驱动上述的像素结构。该方法可以包括：
数据写入阶段：第一扫描信号为工作电平信号，控制N个像素电路中的像素驱动子电路111同时工作，并为各像素驱动子电路111写入数据电压信号。
发光阶段：第三扫描信号为工作电平信号，控制电源写入电路工作，通过控制调压控制线所写入的调压控制信号，控制高电源端VDD所写入至像素电路的第一电源电压的大小，根据第一电源电压和每个所述像素电路所写入的数据电压的大小，控制每述像素电路中的有机电致发光二极管的发光亮度。
为了更清楚本公开实施例中的像素结构的工作原理，以下以图4所示的，每个像素驱动子电路111开关晶体管M11(M12、M13)、驱动晶体管M21(M22、M23)和第一存储电容Cst11(Cst12、Cst13)；电源写入控制电路30包括第一控制晶体管M4、第二控制晶体管M5和第二存储电容；感测电路20包括感测晶体管M3为例进行描述。
具体的，每个像素电路中的像素驱动子电路111均包括开关晶体管、驱动晶体管和存储电容。其中，在第1个像素电路11中，开关晶体管M11的源极连接数据线Data，开关晶体管M11的漏极连接驱动晶体管M21的栅极和第一存储电容Cst11的第一极板，开关晶体管M11的栅极连接第一扫描线G1。驱动晶体管M21的源极连接第一存储电容Cst11的第二极板和红色发光二极管Dr的阳极，驱动晶体管M21的漏极连接第2个像素电路12中的驱动晶体管M22的源极和红色发光二极管Dr的阴极。第一存储电容Cst12的第二极板连接低电源端VSS。在第2个像素电路12中，开关晶体管M12的源极连接数据线Data，开关晶体管M12的漏极连接驱动晶体管M22的栅极和第一存储电容Cst12的第一极板，开关晶体管M12的栅极连接第一扫描线G1。驱动晶体管M22的源极连接第1个像素电路11中的驱动晶体管M21的漏极、红色发光二极管Dr的阴极和绿色发光二极管Dg的阳极，驱动晶体管M22的漏极连接第3个像素电路13中的驱动晶体管M23的源极和绿色发光二极管Dg的阴极。第一存储电容Cst12的第二极板连接低电源端VSS。在第3个像素电路13中，开关晶体管M13的源极连接数据线Data，开关晶体管M13的漏极连接驱动晶体管M23的栅极和第一存储电容Cst13的第一极板，开关晶体管M13的栅极连接第一扫描线G1。驱动晶体管M23的源极连接第2个像素电路12中的驱动晶体管M22的漏极、绿色发光二极管Dg的阴极和蓝色发光二极管Db的阳极，驱动晶体管M23的漏极连接蓝色发光二极管Db的阴极和低电源端VSS。第一存储电容的第二极板连接低电源端VSS。另外，三个像素电路中的开关晶体管M11、M12、M13的栅极所连接的第一扫描线G1相同，但开关晶体管M11、M12、M13的源极连接数据线Data不同。第一控制晶体管M4的源极连接调压信号线A，第一控制晶体管M4的漏极连接第二控制晶体管M5的栅极和第二存储电容第一极板，第一控制晶体管M4的栅极连接第三扫描线G3。第二控制晶体管M5的源极连接高电源端VDD，第二控制晶体管M5的漏极连接第一节点。感测晶体管M3的源极连接第一节点，感测晶体管M3的漏极连接感测信号线Sense，感测晶体管M3的栅极连接第二扫描线G2。
图4所示的像素结构的驱动方法具体包括：
数据写入阶段：给第一扫描线G1写入高电平信号，三个像素电路中的开关晶体管M11、M12、M13均被打开，第1个像素电路11中的开关晶体管M11的源极所连接数据线Data1所写入的数据电压信号被写入第1个像素电路11中的驱动晶体管M21的栅极，并通过第一存储电容Cst11进行存储；与此同时，第2个像素电路12中的开关晶体管M12的源极所连接数据线Data2所写入的数据电压信号被写入第2个像素电路12中的驱动晶体管M22的栅极，并通过第一存储电容Cst12进行存储；第3个像素电路13中的开关晶体管M13的源极所连接数据线Data3所写入的数据电压信号被写入第3个像素电路13中的驱动晶体管M23的栅极，并通过第一存储电容Cst13进行存储。
发光阶段：第三扫描线G3被写入高电平信号，第一控制晶体管M4打开，根据调压信号线A所写入的调压控制信号，控制高电源端VDD所写入至第一节点的第一电源电压的大小。此时根据数据线Data1所写入的数据电压信号和第一电源电压的大小，决定红色发光二极管Dr的发光亮度；根据数据线Data2所写入的数据电压信号和第一电源电压的大小，决定绿色发光二极管Dg的发光亮度；根据数据线Data3所写入的数据电压信号和第一电源电压的大小，决定蓝色发光二极管Db的发光亮度。由于第一电源电压的大小一定，故可以通过调节数据线Data1、数据线Data2、数据线Data3上所写入的数据电压的大小分别对红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg、蓝色发光二极管Db的发光亮度进行调整，进而实现红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg、蓝色发光二极管Db不同比例的混色。另外，对于有机电致发光二极管而言，其发光亮度取决于流经其上的驱动电流Ioled的大小：
Figure BDA0002983145920000121
其中，为载流子迁移率，为栅氧化层电容，W/L为晶体管宽长比，Vdata为数据电压，也即驱动晶体管的栅极电压Vg，Voled为OLED工作电压，为所有像素驱动子电路共享，也即驱动晶体管的源极电压Vs，Vthn为晶体管的阈值电压，对于增强型TFT，Vthn为正值，对于耗尽型TFT，Vthn为负值。以此来看，有机电致发光二极管的驱动电流的大小取决于Vg和Vs；而在本公开实施例的像素结构中每个驱动晶体管的栅极电压Vg取决于数据电压，驱动晶体管的栅极电压Vs取决于高电源端VDD写入的高电源电压的大小，而高电源电压的大小取决于调压控制信号的大小。图5为调压控制信号为4V时，对应的红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg、蓝色发光二极管Db的栅极电压Vg、源极电压Vs、驱动电流的大小；第1个像素电路11中驱动晶体管M21的栅极电压Vg、源极电压Vs分别为3.175V和5.051V，红色发光二极管Dr对应的驱动电流IDr为701.9nA；第2个像素电路12中驱动晶体管M22的栅极电压Vg、源极电压Vs分别为8.289V和3.364V，绿色发光器件Dg对应的驱动电流IDg为23.29pA；第3个像素电路13中驱动晶体管M23的栅极电压Vg、源极电压Vs分别为4.059V和0V，蓝色发光器件Db对应的驱动电流IDb为101.7nA。图6为调压控制信号为6V时，对应的红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg、蓝色发光二极管Db的栅极电压Vg、源极电压Vs、驱动电流的大小；第1个像素电路11中驱动晶体管M21的栅极电压Vg、源极电压Vs分别为3.226V和14.17V，红色发光二极管Dr对应的驱动电流IDr为1.23μA；第2个像素电路12中驱动晶体管M22的栅极电压Vg、源极电压Vs分别为8.391V和4.598V，绿色发光器件Dg对应的驱动电流IDg为694.9nA；第3个像素电路13中驱动晶体管M23的栅极电压Vg、源极电压Vs分别为4.062V和0V，蓝色发光器件Db对应的驱动电流IDb为610nA。可以看出的是，调压控制信号为6V时红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg、蓝色发光二极管Db的驱动电流的大小相较调压控制信号为4V时明显增加。
感测阶段：可以给第一扫描线G1和第三扫描线G3均写入高电平信号，并通过给各个数据线Data上写入测试电压，与此同时，给第二扫描线G2被写入高电平信号时，感测晶体管M3工作，将第一节点的电位通过感测信号线Sense进行输出，以便通过外部补偿电路根据该感测信号线Sense所感测的第一节点的电位对像素电路进行补偿。
当然，本公开实施例的驱动方法还可以包括复位阶段，在复位阶段，还可以通过给第二扫描线G2写入高电平信号，控制感测晶体管M3工作，此时通过给感测信号线Sense写入初始化信号，以对红色发光二极管Dr的阳极进行复位，由于红色发光二极管Dr、绿色发光二极管Dg和蓝色发光二极管Db依次串接，故可以实现三个发光二极管的初始化。
第三方面，本公开实施例提供一种显示基板，其可以包括上述的任意一种结构。故本公开实施例的显示基板的像素开口率较高。
在一些示例中，多个像素结构呈阵列排布；位于同一行的像素结构中各个电源写入控制电路30连接同一条第三扫描线G3；位于同一列的像素结构中各个电源写入控制电路30连接同一条调压控制线；位于同一行的像素结构中各像素驱动子电路111连接同一条第一扫描线G1；位于同一列的像素结构中位于同一列的像素驱动子电路111连接同一条数据线Data。通过该种方式，可以使得显示基板布线简单。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种像素结构，其包括N个像素电路和电源写入控制电路，N≥2，且所述N为整数；所述N个像素电路中的每个包括像素驱动子电路和发光器件；其中，
所述电源写入控制电路，被配置为在第三扫描信号的控制下，在发光阶段根据所写入的调压控制信号为各所述像素电路提供第一电源电压；
对于每个所述像素电路，其中的所述像素驱动子电路被配置为在第一扫描信号的控制下，根据所写入的数据电压信号为所述发光器件提供驱动电流；
第1个至第N个所述像素电路中的所述发光器件依次串接，且第1个所述像素电路中的所述发光器件的第一电极连接所述电源写入控制电路，第N个所述像素电路中的所述发光器件的第二电极连接第二电源端；
每个所述像素电路中均设置一个所述发光器件；第1个至第N个所述像素电路中的所述发光器件依次叠层设置；
所述电源写入控制电路与第1个所述的像素电路中的所述发光器件的第一电极之间的连接节点为第一节点；所述像素结构还包括感测电路；
所述感测电路，被配置为在第二扫描信号的控制下，对所述第一节点的电位进行感测或者复位；
所述像素驱动子电路至少包括开关晶体管、驱动晶体管和第一存储电容；
所述开关晶体管的第一极连接数据线，第二极连接所述第一存储电容的第一极板和所述驱动晶体管的控制极，控制极连接第一扫描线；
所述驱动晶体管的第一极连接所述发光器件的第一电极，第二极连接所述发光器件的第二电极；
所述第一存储电容的第二极板连接第三电源端。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其中，除第N个所述像素电路中的所述发光器件外，第M个所述像素电路中的所述发光器件的第二电极，与第M+1个所述像素电路中的所述发光器件的第一电极共用；1≤M＜N，且所述M为整数。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述感测电路包括感测晶体管；所述感测晶体管的第一极连接感测信号线，第二极连接所述第一节点，控制极连接第二扫描线。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的像素结构，其中，所述电源写入控制电路包括第一控制晶体管、第二控制晶体管和第二存储电容；
所述第一控制晶体管的第一极连接调压信号线，第二极连接所述第二控制晶体管的控制极和所述第二存储电容的第一极板，控制极连接第三扫描线；
所述第二控制晶体管的第一极连接第一电源端，第二极连接第1个所述像素电路中的所述发光器件的第一电极和所述第二存储电容的第二极板。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的像素结构，其中，所述像素驱动子电路至少包括开关晶体管、驱动晶体管和第一存储电容；
所述开关晶体管的第一极连接数据线，第二极连接所述第一存储电容的第一极板和所述驱动晶体管的控制极，控制极连接第一扫描线；
所述驱动晶体管的第一极连接所述发光器件的第一电极，第一极连接所述发光器件的第二电极；
所述第一存储电容的第二极板连接第三电源端。
6.一种像素结构的驱动方法，所述像素结构为权利要求1-5中任一项所述的像素结构；所述方法包括：
数据写入阶段：第一扫描信号为工作电平信号，控制N个像素电路中的像素驱动子电路同时工作，并为各所述像素驱动子电路写入数据电压信号；
发光阶段：第三扫描信号为工作电平信号，控制电源写入电路工作，通过控制调压控制线所写入的调压控制信号，控制第一电源端所写入至所述像素电路的第一电源电压的大小，根据第一电源电压和每个所述像素电路所写入的数据电压的大小，控制每个所述像素电路中的发光器件的发光亮度。
7.一种显示基板，其包括多个如权利要求1-5中任一项所述的像素结构。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，多个所述像素结构呈阵列排布；
位于同一行的所述像素结构中各个所述电源写入控制电路连接同一条第三扫描线；位于同一列的所述像素结构中各个所述电源写入控制电路连接同一条调压控制线；
位于同一行的所述像素结构中各所述像素驱动子电路连接同一条第一扫描线；位于同一列的所述像素结构中位于同一列的所述像素驱动子电路连接同一条数据线。
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