TW201417894A - 塗布裝置及塗布液充塡方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種塗布裝置及塗布液充填方法，使對噴嘴之塗布液的充填作業效率化。實施形態之塗布裝置，具備：噴嘴、移動機構、壓力調整部、及壓力控制部。噴嘴，具有儲存塗布液之儲存室、以及與儲存室連通之狹縫狀的流路，並自流路之前端所形成的噴吐口噴吐塗布液。移動機構，使噴嘴與基板沿著基板的表面相對地移動。壓力調整部，調整儲存室之內部的壓力。壓力控制部，控制壓力調整部而調整儲存室之內部的壓力。壓力控制部，控制壓力調整部，使儲存室之內部為負壓，進一步，使成為負壓的儲存室之內部的壓力緩緩降低，並對儲存室之內部充填塗布液。

Description

塗布裝置及塗布液充填方法

本發明揭露之實施形態，係關於一種塗布裝置及塗布液充填方法。

過去，作為將塗布液塗布於半導體晶圓或玻璃基板等基板之方法，已知有旋轉塗布法。旋轉塗布法，在使基板旋轉之狀態於基板的中心部自噴嘴滴下塗布液，以離心力在基板上使塗布液擴散藉以於基板上使塗布液塗布擴展而形成塗布膜之方法。

此一旋轉塗布法，因滴下的塗布液其大部分往基板外飛散，故塗布液的使用效率低。因而，近年作為替代旋轉塗布法之塗布方法，提議有狹縫塗布法。

狹縫塗布法為，使用具有狹縫狀之噴吐口的噴嘴施行塗布的方法。具體而言，狹縫塗布法，使自噴嘴之噴吐口起略露出的塗布液與基板接觸，在此一狀態，將噴嘴與基板相對地移動藉以於基板上將塗布液塗布擴展而形成塗布膜。若依此一狹縫塗布法，則可對基板僅塗布必要的量之塗布液，故可提高塗布液的使用效率(參考專利文獻1)。

另，專利文獻1所記載之噴嘴，具備儲存塗布液之儲存空間，將充填於此一儲存空間之塗布液經由狹縫狀的通路自噴吐口噴吐。儲存空間，與 塗布液供給系統連接，藉由自此一塗布液供給系統供給塗布液而於儲存空間充填塗布液。

【習知技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開平8-173875號公報

然而，上述之習知技術，在使對噴嘴之塗布液的充填作業效率化的點尚有進一步改善的空間。

實施形態之一態樣之目的為，提供一種可使對噴嘴之塗布液的充填作業效率化之塗布裝置及塗布液充填方法。

實施形態之一態樣的塗布裝置，具備：噴嘴、移動機構、壓力調整部、及壓力控制部。噴嘴，具有儲存塗布液之儲存室、以及與儲存室連通之狹縫狀的流路，並自流路之前端所形成的噴吐口噴吐塗布液。移動機構，使噴嘴與基板沿著基板的表面相對地移動。壓力調整部，調整儲存室之內部的壓力。壓力控制部，控制壓力調整部而調整儲存室之內部的壓力。壓力控制部，控制壓力調整部，使儲存室之內部為負壓，進一步，使成為負壓的儲存室之內部的壓力緩緩降低，並對儲存室之內部充填塗布液。

此外，實施形態之一態樣的塗布液充填方法，包含準備步驟、以及充填步驟。準備步驟，將具有儲存塗布液之儲存室、及與儲存室連通之狹縫狀的流路，並自流路之前端所形成的噴吐口噴吐塗布液之噴嘴所具備的儲存室之內部調整為負壓。充填步驟，使準備步驟中成為負壓的儲存室之內部的壓力緩緩降低，並對儲存室之內部充填塗布液。

依實施形態之一態樣，可使對噴嘴之塗布液的充填作業效率化。

1‧‧‧塗布裝置

10‧‧‧載置台

20‧‧‧第1移動機構

21‧‧‧基板保持部

22、42‧‧‧驅動部

30、30_1~30_3‧‧‧噴嘴

31‧‧‧第1本體部

32‧‧‧第2本體部

32a、32a_2‧‧‧透明構件

33‧‧‧蓋部

34‧‧‧接合部

35‧‧‧暫時儲存部

35a‧‧‧暫時儲存室

35b‧‧‧通路

35c、35c_1~35c_6‧‧‧塗布液供給口

36a~36c、36_2、36_3‧‧‧壓力測定部

37a~37c、37_2、37_3、39a~39c‧‧‧壓力調整管

38a、38b‧‧‧分隔板

40‧‧‧升降機構

41‧‧‧固定部

50a‧‧‧厚度測定部

50b‧‧‧噴嘴高度測定部

60‧‧‧噴嘴洗淨部

61a、61b‧‧‧稀釋劑噴吐部

62a、62b‧‧‧襯墊部

63a、63b‧‧‧N2噴出部

64、91‧‧‧載置部

65、93、161‧‧‧驅動部

80‧‧‧噴嘴待機部

81‧‧‧收納空間

82‧‧‧抵接構件

90‧‧‧第2移動機構

92‧‧‧支持部

100‧‧‧控制裝置

110a~110c、110_2、110_3、170a~170c‧‧‧壓力調整部

111a~111c、111_2、111_3‧‧‧排氣部

112a~112c、112_2、112_3、151‧‧‧氣體供給源

113a~113c、113_2、113_3‧‧‧切換閥

120、120_2、120_3‧‧‧塗布液供給部

121、121_2、121_3‧‧‧塗布液供給源

122、122_2a~122_2c、122_3、152‧‧‧閥

130‧‧‧中間儲存槽

131‧‧‧儲存槽部

132‧‧‧第1供給管

133‧‧‧第2供給管

134‧‧‧第3供給管

135‧‧‧液面感測器

140‧‧‧供給泵

150‧‧‧加壓部

160、160a~160d、160_3‧‧‧液面偵測部

162、162_2‧‧‧稜鏡

171a~171c‧‧‧外筒

172a~172c‧‧‧活塞

C‧‧‧流路

D、D_2‧‧‧噴吐口

G‧‧‧寬度

R‧‧‧塗布液

S、S_2、S_3‧‧‧儲存室

Sa~Sc‧‧‧小腔室

S101~S109‧‧‧步驟

W‧‧‧基板

圖1 第1實施形態之塗布裝置的構成之示意側視圖。

圖2A 塗布處理之概略說明圖。

圖2B 自掃描方向觀察塗布處理後之基板的情況之示意圖。

圖3A 噴嘴的構成之示意正剖面圖。

圖3B 圖3A中的AA箭視剖面圖。

圖4 顯示壓力控制的一例之圖。

圖5 顯示塗布處理中的各機器之狀態變化的時序圖。

圖6A 塗布處理的樣子之示意圖。

圖6B 塗布處理的樣子之示意圖。

圖6C 塗布處理的樣子之示意圖。

圖7 顯示塗布裝置實行之基板處理的處理順序之流程圖。

圖8 關於塗布液充填處理之機器與噴嘴的連接關係之示意圖。

圖9 噴嘴之示意正視圖。

圖10A 塗布液供給口的構成之示意正剖面圖。

圖10B 塗布液供給口的其他構成之示意正剖面圖。

圖11 顯示塗布液充填處理時的壓力控制之內容的圖。

圖12 噴嘴洗淨部的構成之示意立體圖。

圖13A 液面偵測方法之其他例的示意圖。

圖13B 液面偵測方法之其他例的示意圖。

圖14A 液面偵測方法之其他例的示意圖。

圖14B 液面偵測方法之其他例的示意圖。

圖15 顯示小腔室的壓力控制方法之其他例的圖。

圖16 第3實施形態之噴嘴的構成之示意正剖面圖。

圖17 關於塗布液充填處理之機器與第3實施形態之噴嘴的連接關係之示意圖。

圖18 關於塗布液充填處理之機器與第4實施形態之噴嘴的連接關係之示意圖。

圖19 圖18中的壓力調整管周邊之示意放大圖。

【實施本發明之最佳形態】

以下，參考附圖，將本發明揭露之塗布裝置及噴嘴的實施形態詳細地加以說明。另，並不藉由以下所示之實施形態限定本發明。

(第1實施形態)

圖1為，第1實施形態之塗布裝置的構成之示意側視圖。另，以下，為了使位置關係明確，規定互相垂直之X軸、Y軸及Z軸，使Z軸正方向為鉛直朝上的方向。

如圖1所示，第1實施形態之塗布裝置1，具備：載置台10、第1移動機構20、噴嘴30、及升降機構40。

第1移動機構20為，使基板W於水平方向移動之機構部，具備基板保持部21、及驅動部22。基板保持部21，具備形成有抽吸口之水平的頂面，藉由自抽吸口的抽吸將基板W吸附保持於水平的頂面。驅動部22，載置於載置台10，使基板保持部21於水平方向(此處為X軸方向)移動。第1移動機構20，藉由利用驅動部22使基板保持部21移動，而使保持在基板保持部21之基板W於水平方向移動。

噴嘴30為，往與基板W之移動方向(X軸方向)垂直的方向(Y軸方向)延伸之長條狀噴嘴，配置於藉由基板保持部21保持之基板W其上方。關於此一噴嘴30的構成，將於後描述。

升降機構40為，使噴嘴30升降之機構部，具備固定部41、及驅動部42。固定部41為，固定噴嘴30之構件。此外，驅動部42，使固定部41於鉛直方向移動。升降機構40，藉由利用驅動部42使固定部41於鉛直方向移動，而使固定於固定部41之噴嘴30升降。

此外，塗布裝置1，具備：厚度測定部50a、噴嘴高度測定部50b、噴嘴洗淨部60、噴嘴待機部80、第2移動機構90、以及控制裝置100。

厚度測定部50a為，配置於基板W之上方(此處為升降機構40)，測定至基板W之頂面為止的距離之測定部。此外，噴嘴高度測定部50b，配置於基板W之下方(此處為載置台10)，測定至噴嘴30之下端面為止的距離。

將厚度測定部50a及噴嘴高度測定部50b產生之測定結果，發送往後述之控制裝置100，供決定塗布處理時之噴嘴30高度的而使用。另，作為厚度測定部50a及噴嘴高度測定部50b，可使用例如雷射位移計。

噴嘴洗淨部60為，將附著噴嘴30之前端部的塗布液去除之處理部。關於此一噴嘴洗淨部60的構成，將於後描述。

噴嘴待機部80，具有可收納噴嘴30之收納空間。收納空間內，保持為稀釋劑氣體環境，藉由在此一收納空間內使噴嘴30預先待機，而防止噴嘴30內之塗布液的乾燥。關於此一噴嘴待機部80的構成，亦於後描述。

第2移動機構90為，使噴嘴洗淨部60及噴嘴待機部80於水平方向移動之機構部，具備載置部91、支持部92、及驅動部93。

載置部91為，將噴嘴洗淨部60及噴嘴待機部80略水平地載置之板狀構件。此一載置部91，藉由支持部92在既定的高度加以支持，具體而言， 在基板保持部21所保持之基板W可通過載置部91下方的高度加以支持。驅動部93，使支持部92於水平方向移動。

此一第2移動機構90，藉由利用驅動部93使支持部92往水平方向移動，而使載置於載置部91之噴嘴洗淨部60及噴嘴待機部80往水平方向移動。

控制裝置100為，控制塗布裝置1的動作之裝置。此一控制裝置100，例如為電腦，具備未圖示之控制部與記憶部。於記憶部，收納控制塗布處理等之各種處理的程式。控制部讀取記憶部所記憶之程式而實行程式，藉以控制塗布裝置1的動作。

另，此一程式，儲存於電腦可讀取之記憶媒體，亦可自此一記憶媒體安裝於控制裝置100之記憶部。作為電腦可讀取之記憶媒體，具有例如硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

其次，對噴嘴30的構成及塗布裝置1實行之塗布處理的內容具體地加以說明。首先，使用圖2A及圖2B對塗布處理的概略加以說明。圖2A為，塗布處理之概略說明圖；圖2B為，自掃描方向觀察塗布處理後之基板W的情況之示意圖。

塗布裝置1實行之塗布處理為，藉由使自長條狀之噴嘴30露出的塗布液與基板W接觸之狀態下使基板W往水平方向移動，於基板W上將塗布液塗布擴展而形成塗布膜之處理。

如圖2A所示，噴嘴30為，往對基板W之移動方向(X軸方向)垂直的方向(Y軸方向)延伸之長條狀構件，自形成於下端部之長條狀的噴吐口D噴吐塗布液R。

塗布裝置1，首先，自噴嘴30之噴吐口D使塗布液R露出。此時，塗布裝置1，藉由控制噴嘴30內的壓力，可維持自噴吐口D露出塗布液R的狀態，而關於此點，將於後描述。

接著，塗布裝置1，利用升降機構40(參考圖1)使噴嘴30往下方移動，使自噴吐口D露出的塗布液R接觸基板W的頂面。而後，塗布裝置1，利用第1移動機構20(參考圖1)使基板W水平地移動。藉此，於基板W的頂面將塗布液R塗布擴展而形成塗布膜。另，以塗布裝置1形成於基板W之塗布膜，為10μm以上之厚膜。

而使用習知噴嘴施行對基板之塗布液的塗布之情況，有在噴嘴之長邊方向產生膜厚均一性的惡化之疑慮。具體而言，如圖2B所示，有噴嘴的長邊方向兩端部之膜厚T1，較噴嘴的長邊方向中央部之膜厚T2變得更薄的疑慮。作為其理由之一，列舉有：塗布於基板W上之塗布液R受到表面張力而往中央凝集。

因而，第1實施形態之塗布裝置1，將噴嘴30之內部沿著噴嘴30的長邊方向分割為複數個小腔室，個別地控制各小腔室內的壓力。藉此，可使來自噴吐口D的噴吐量，於各個小腔室，即沿著噴嘴30的長邊方向調整，故可抑制噴嘴30的長邊方向之膜厚均一性的惡化，提高膜厚均一性。

以下，對此一噴嘴30的構成及於各個小腔室施行壓力控制之內容具體地加以說明。圖3A為，噴嘴30的構成之示意正剖面圖；圖3B為，圖3A中的AA箭視剖面圖。此外，圖4為，顯示壓力控制的一例之圖。

如圖3A及圖3B所示，噴嘴30，具備：儲存室S，儲存塗布液R；以及狹縫狀的流路C，配置於此一儲存室S之下部，與儲存室S連通；自流路C之前端(亦即，噴嘴30之下端面)所形成的噴吐口D噴吐塗布液R。

更具體而言，噴嘴30具備：第1本體部31，形成噴嘴30之背面部及兩側面部；第2本體部32，形成前面部；蓋部33，形成頂棚部；以及長條狀之接合部34，配置於第1本體部31之與第2本體部32的對向面。而於藉由第1本體部31、第2本體部32及蓋部33形成之噴嘴30內部的空間中，以第1本體部31與第2本體部32包夾之寬度K的空間成為儲存室S，以接合部34與第2本體部32包夾之較寬度K寬度更窄的寬度G之空間成為流路C。另，流路C的寬度，固定為寬度G，流路C之前端所形成的噴吐口D之寬度亦為寬度G。

此一寬度G，設定為如在使儲存室S內部的壓力等於儲存室S外部的壓力之狀態，塗布液R之表面張力較作用於塗布液R之重力變得更小，以既定流量使塗布液R自噴吐口D滴下的值。具體而言，寬度G，於預先施行之測試中，改變寬度G、塗布液R的黏度、噴嘴30的材質，評價此一情況之塗布液R的狀態而藉以求出。

第1實施形態之噴嘴30，於儲存室S內具備分隔板38a、38b。分隔板38a、38b，皆為略平板狀之構件，在寬幅面朝向噴嘴30的長邊方向之狀態，沿著噴嘴30的長邊方向隔著既定間隔排列配置。藉由分隔板38a、38b，將儲存室S，沿著流路C的長邊方向(Y軸方向)分隔為複數個小腔室Sa、Sb、Sc。

另，此處，雖例示噴嘴30具備2片分隔板38a、38b之情況的例子，但噴嘴所具備之分隔板的個數，亦可為2個以上。

分隔板38a、38b之兩側面分別與第1本體部31及第2本體部32接觸，頂面與蓋部33接觸。因此，若塗布液R儲存於各小腔室Sa~Sc，則在各小腔室Sa~Sc，於各個小腔室Sa~Sc形成藉由塗布液R之液面與各小腔室Sa~Sc之內壁包圍的密閉空間。

另，各小腔室Sa~Sc，並非完全獨立，而在流路C側中互相連通。因此，例如於儲存室S充填塗布液R之情況，可防止因小腔室Sa~Sc而使塗布液R的量產生差異之情形。

於噴嘴30的蓋部33，將壓力測定部36a、36b、36c，與壓力調整管37a、37b、37c，分別貫通蓋部33而設置。壓力測定部36a~36c為，測定各小腔室Sa~Sc內之密閉空間的壓力之測定部。各壓力測定部36a~36c，與控制裝置100電性連接，將測定結果輸入控制裝置100。

另，壓力測定部36a~36c，若與各小腔室Sa~Sc內之密閉空間連通則為何種配置皆可，例如亦可貫通第1本體部31而設置。

壓力調整管37a~37c，分別與調整各密閉空間內的壓力之壓力調整部110a、110b、110c連接。

壓力調整部110a~110c為，將真空泵等之排氣部111a~111c、與供給N2等氣體之氣體供給源112a~112c，經由切換閥113a~113c與壓力調整管37a~37c相連接的構成。

各壓力調整部110a~110c，各自與控制裝置100電性連接，藉由來自控制裝置100的指令調整切換閥113a~113c的開度。藉此，將排氣部111a~111c或氣體供給源112a~112c之任一與壓力調整管37a~37c連接，可調整自各小腔室Sa~Sc內部的排氣量、調整對各小腔室Sa~Sc內供給之氣體的量。如此地，塗布裝置1，可將壓力測定部36a~36c的測定結果，亦即各小腔室Sa~Sc內的壓力，調整成為既定值。

此一情況，藉由將小腔室Sa~Sc之內部排氣使小腔室Sa~Sc內的壓力較噴嘴30之外部的壓力更低，而將小腔室Sa~Sc內之塗布液R往上方拉抬，可防止塗布液R自噴吐口D滴下。此外，藉由對小腔室Sa~Sc內供 給氣體，而可將塗布液R之塗布後殘留於小腔室Sa~Sc內的塗布液R加壓而推出、沖洗。

另，關於壓力調整部110a~110c的構成，不限於本實施形態，若可控制各小腔室Sa~Sc內的壓力，則可任意設定其構成。例如，亦可於排氣部111a~111c與氣體供給源112a~112c分別設置壓力調整管37a~37c與壓力調整閥，使其個別地與蓋部33連接。

如此地，噴嘴30，藉由分隔板38a、38b將儲存室S分割為複數個小腔室Sa~Sc。藉由使用壓力調整部110a~110c將此等小腔室Sa~Sc內的壓力個別地控制，而可防止噴嘴30的長邊方向之膜厚均一性的惡化。此處，對塗布處理中之小腔室Sa~Sc的壓力控制之內容加以說明。

另，以下，將較儲存室S外部的壓力更低之壓力狀態稱作「負壓」。此外，在改變負壓的值之情況中，例如如同自「-400Pa」更改為「-450Pa」之情況地往絕對值變大的方向改變之情況，表現為「降低壓力」或「提高真空度」。

施行塗布處理之情況，塗布裝置1，將各小腔室Sa~Sc的壓力調整為負壓。藉此，於塗布液R，使對抗重力而將塗布液R往上方推升的力作用。藉由使此力即各小腔室Sa~Sc的壓力改變，塗布裝置1，可改變塗布液R的噴吐量。

而第1實施形態之塗布裝置1，如圖4所示，控制壓力調整部110a~110c，以使位於流路C的長邊方向中央部之小腔室Sb的壓力，與位於流路C的長邊方向兩端部之小腔室Sa、Sc的壓力相比相對變得較低。

藉由使位於長邊方向中央部之小腔室Sb的壓力減低，亦即，提高將塗布液R往上方推升的力，而使儲存於小腔室Sb之塗布液R，難以自噴吐口 D噴吐。此一結果，自噴吐口D的長邊方向中央部起噴吐之塗布液R的量，變得較噴吐口D的長邊方向兩端部起噴吐之塗布液R的量更少。

如此地，藉由使自長邊方向中央部起噴吐之塗布液R的量相對地減少，而可減輕噴嘴的長邊方向兩端部之膜厚T1，較噴嘴的長邊方向中央部之膜厚T2變得更薄的現象(參考圖2B)。因此，依第1實施形態之噴嘴30，可提高膜厚均一性。

各小腔室Sa~Sc的壓力，係依據使用流路阻力(流路抵抗)橫跨長邊方向地均一之習知噴嘴所獲得的膜厚分布，具體而言，依據使用不具備分隔板的噴嘴施行對基板W之塗布的情況其塗布液的厚度分布而加以決定。亦即，藉由分別決定位於長邊方向中央部之小腔室Sb的壓力及位於長邊方向兩端部之小腔室Sa、Sc的壓力，以使長邊方向兩端部之膜厚T1與長邊方向中央部之膜厚T2不具差異，而可確實地抑制噴嘴30的長邊方向之膜厚均一性的惡化。

其次，使用圖5及圖6A~圖6C對塗布處理時的動作加以說明。圖5為，顯示塗布處理中的各機器之狀態變化的時序圖。此外，圖6A~圖6C為，塗布處理的樣子之示意圖。

另，使噴嘴30內，為充填塗布液R的狀態。充填於噴嘴30內之塗布液R的量，為可在基板W之全面至少塗布1次以上塗布液R的量以上即可。

此外，於後述之塗布液充填處理(參考圖7之步驟S101)中在對噴嘴30內充填塗布液R後至下一次的塗布處理(參考圖7之步驟S101)開始之間，將各小腔室Sa~Sc內的壓力，調整為既定值P0(參考圖5)。藉此，塗布液R，在至塗布處理開始為止之間，不自噴吐口D滴下地保持於噴嘴30內。另，既定值P0，為較儲存室S外部的壓力(大氣壓)更低之負壓(例如-450Pa)。

塗布裝置1，在塗布處理開始時，首先，使用壓力調整部110a~110c將各小腔室Sa~Sc內的壓力調整為較P0更高的P1(例如-440Pa)(參考圖5之時間t1)。藉此，使作用於塗布液R之重力，略超過塗布液R之表面張力及各小腔室Sa~Sc內之負壓，自噴吐口D露出保持在噴嘴30內之塗布液R。另，伴隨於此，儲存於儲存室S內之塗布液R的液面高度自H0往H1降低。

接著，塗布裝置1，利用升降機構40(參考圖1)使噴嘴30下降，如圖5所示，使噴吐口D與基板W的距離(以下記為「噴嘴間距」)為既定距離Z1(參考圖5之時間t2)。藉此，於基板W的頂面承接自噴吐口D露出之塗布液R。

另，噴嘴間距Z0，係依據以後述之厚度測定處理(參考圖8之步驟S107)獲得的至基板W之頂面為止的距離加以計算出。此外，噴嘴間距Z1，為依測試等預先設定的值。

接著，塗布裝置1，使噴嘴30上升，使噴嘴間距為Z2(>Z1)(參考圖5之時間t3)。藉此，自噴吐口D露出之塗布液R，如圖6B所示，在基板W的頂面接觸塗布液之狀態成為往上方拉伸的狀態。此外，伴隨於此，儲存於儲存室S內之塗布液R的液面高度自H1往H2降低。另，噴嘴間距Z2，係因應應於基板W形成之塗布膜的膜厚而設定。

之後，塗布裝置1，利用第1移動機構20(參考圖1)，以既定的速度移動基板W，至使基板W之X軸負方向側的端部配置於噴嘴30之正下方位置為止。藉此，如圖6C所示，使儲存室S之塗布液R自噴吐口D流出，將塗布液R塗布於基板W的頂面。

此處，塗布裝置1，因應基板W之移動距離而調整各小腔室Sa~Sc內的壓力。藉此，塗布裝置1，不僅可抑制噴嘴30的長邊方向之膜厚均一性的惡化，亦可抑制基板W的移動方向(掃描方向)之膜厚均一性的惡化。

例如，塗布裝置1，配合位於長邊方向兩端部之小腔室Sa、Sc內的塗布液R其液面之降低，藉由壓力調整部110a、110c，使小腔室Sa、Sc內的壓力自P2(例如-430Pa)起階段性地上升至P5(例如-400Pa)為止(參考圖5之時間t5~t8)。此外，塗布裝置1，藉由壓力調整部110b，以分別較P2~P5更低的壓力(例如-440~-410Pa)使小腔室Sb內的壓力階段性地上升。

一旦小腔室Sa~Sc內之塗布液R的液面降低，則作用於噴吐口D之塗布液R所產生的水頭壓力減少。在此期間，若使小腔室Sa~Sc內的壓力、與小腔室Sa~Sc之外部的壓力無變化地為一定，則將塗布液R自噴吐口D推出的力降低水頭壓力所減少的分，故塗布液R的噴吐量減少。

因此，本實施形態中，藉由配合小腔室Sa~Sc內之塗布液R其液面高度的降低以壓力調整部110a~110c使小腔室Sa~Sc的壓力階段性地上升，而補充液面降低產生之噴吐口D的水頭壓力減少。此一結果，將來自噴吐口D之塗布液R的噴吐量保持為一定，可在基板W之面內形成均一膜厚的塗布膜。

如此地，塗布裝置1，藉由控制裝置100產生之控制，將塗布液R於基板W塗布時，以使塗布液R的噴吐量成為一定的方式，控制壓力調整部110a~110c而調整各小腔室Sa~Sc內部的壓力。藉此，塗布裝置1，不僅可對噴嘴30的長邊方向，亦可抑制掃描方向之膜厚均一性的惡化。

小腔室Sa~Sc內的壓力之調整，例如可因應噴嘴30與基板W之相對的移動距離加以施行。此一情況，預先求算噴嘴30之移動距離與小腔室Sa~Sc內之壓力設定值的相關關係，依據此相關關係個別地調整小腔室Sa~Sc內的壓力即可。藉由預先求出此等相關關係，自噴嘴30之基板W的既定位置之塗布液R的消耗量求算水頭壓力的減少分，藉此可調整各小腔室Sa~Sc內的壓力。

此外，小腔室Sa~Sc內的壓力之調整，亦可因應小腔室Sa~Sc內之塗布液R的液面高度加以施行。此一情況，應以壓力調整部110a~110c上升之小腔室Sa~Sc內的壓力之值，例如係依據以後述之液面偵測部160(參考圖8)偵測到之塗布液R的液面高度求出。

具體而言，求算塗布開始前之狀態的塗布液R之液面高度、與塗布開始後的塗布液R之液面高度的差分。而後，藉由對此一差分乘上塗布液R之密度，而可求出施加於噴吐口D之水頭壓力的減少分。因此，藉由以壓力調整部110a~110c，使小腔室Sa~Sc內的壓力上升此一水頭壓力之減少分的量，而使施加於噴吐口之水頭壓力D成為一定。藉此，使來自噴吐口D之塗布液R的噴吐量成為一定，可於基板W之面內形成均一膜厚的塗布膜。

此外，亦考慮例如於流路C設置其他壓力測定機構，直接求算作用於流路C的塗布液R之水頭壓力，藉壓力調整部110a~110c調整小腔室Sa~Sc內的壓力以使此一水頭壓力成為一定。

任一情況中，皆以藉由壓力調整部110a~110c，使來自噴吐口D之塗布液R的噴吐量成為一定之方式，換而言之，以使作用於噴吐口D的塗布液R之水頭壓力成為一定的方式調整小腔室Sa~Sc內的壓力，故不僅可對噴嘴30的長邊方向，亦可抑制掃描方向之膜厚均一性的惡化。

此外，塗布裝置1，藉由調整小腔室Sa~Sc內的壓力，可對抗作用於塗布液R之重力而保持塗布液R、控制對於基板W之塗布液R的噴吐量。因此，例如即便在為了處理黏度為數1000cP程度之高黏度的塗布液而將噴吐口的寬度加寬之情況，仍可防止來自噴吐口之液滴、或塗布時之膜厚不良。亦即，可將高黏度之塗布液，不浪費而均一地塗布於基板W上。

使基板W之X軸負方向側的端部移動至噴嘴30之正下方為止時，塗布裝置1，將噴嘴30下降而使噴吐口D與基板W接近至距離Z1為止(圖5之時間t9)。與此同時，塗布裝置1，藉由以壓力調整部110a~110c使小腔室Sa~Sc內的壓力上升至P6(例如-390Pa)為止，將先塗布於基板W之塗布液R導入儲存室S側，防止塗布缺陷的產生。

其後，塗布裝置1，使噴嘴30上升至噴嘴間距Z0為止(圖5之時間t10)。藉此，停止自噴吐口D對基板W之塗布液R的供給，結束塗布處理。

而塗布裝置1，可對掃描方向及噴嘴30的長邊方向雙方施行膜厚控制，故可對基板W的頂面施行二維的膜厚控制。亦即，例如因事前施行之測試塗布，而局部性地存在膜厚薄的部分或厚的部分之情況，亦可對此一部分將塗布液R局部地塗厚或塗薄。

回到圖3A及圖3B，對噴嘴30之剩下的構成加以說明。第2本體部32，一部分以透明構件32a形成。藉此，可經由透明構件32a視認儲存於儲存室S之塗布液R。塗布裝置1，自噴嘴30之外部經由透明構件32a偵測儲存室S內部之塗布液R的液面位置。關於此點將於後描述。

此外，噴嘴30，於第1本體部31之內部，具備暫時性地儲存往儲存室S內充填之塗布液R的暫時儲存部35。

暫時儲存部35，具備：暫時儲存室35a，儲存塗布液R；以及通路35b，將暫時儲存室35a與儲存室S連通。暫時儲存室35a，為具有與儲存室S同程度長度之長條狀的空間。此外，通路35b，為自暫時儲存室35a之上部起朝向儲存室S往斜上方延伸的通路，具有沿著流路C的長邊方向延伸之狹縫形狀。另，噴嘴30，亦可不具備此一暫時儲存部35。

接著，對包含上述塗布處理之基板處理的處理順序加以說明。圖7為，顯示塗布裝置1實行之處理順序的流程圖。另，圖7所示之各處理順序， 為塗布裝置1依據控制裝置100的控制而實行。控制裝置100所具備之控制部，相當於本發明之壓力控制部及塗布處理控制部的一例。

此處，圖7所示之步驟S101~S109的處理，重複至對1批所含有之複數枚基板全部的結束處理為止。另，1批基板處理結束時，使次一批基板處理開始，但於其之前，施行將噴嘴30之前端部洗淨的噴嘴洗淨處理。關於此一噴嘴洗淨處理，將於後描述。

如圖7所示，塗布裝置1，將步驟S101~S104的處理與步驟S105~S107的處理平行施行，在步驟S104的處理及步驟S107的處理結束後，實行上述之塗布處理(步驟S108)。首先，對步驟S101~S104的處理加以說明。

步驟S101~S104的處理中，塗布裝置1，首先，施行塗布液充填處理(步驟S101)。步驟S101之塗布液充填處理中，塗布裝置1，首先，將噴嘴待機部80移動往噴嘴30之正下方後，使噴嘴30下降而配置於噴嘴待機部80內。之後，在將噴嘴30配置於噴嘴待機部80內之狀態，施行對噴嘴30內之塗布液的充填。

此處，對塗布液充填處理的內容加以說明。圖8為，關於塗布液充填處理之機器與噴嘴30的連接關係之示意圖；圖9為，噴嘴30之示意正視圖。此外，圖10A為，塗布液供給口的構成之示意正剖面圖；圖10B為，塗布液供給口的其他構成之示意正剖面圖。

如圖8所示，噴嘴待機部80，具有可收納噴嘴30之收納空間81。於此一收納空間81儲存稀釋劑，藉由使稀釋劑揮發，將收納空間81之內部保持為稀釋劑氣體環境。

此外，於收納空間81，設置往噴嘴30之噴吐口D的長邊方向(Y軸方向)延伸之略平板狀的抵接構件82。此一抵接構件82，係以例如橡膠等具有耐藥品性之樹脂素材形成。

塗布裝置1，藉由使噴嘴30朝噴嘴待機部80之收納空間81下降，而使噴嘴30之前端面與抵接構件82抵接。藉此，成為以抵接構件82將噴吐口D閉塞的狀態。塗布裝置1，藉由在此一狀態於噴嘴30內充填塗布液R，而可防止在塗布液R之充填中自噴吐口D漏出塗布液R的情形。特別是，對噴嘴30由空的狀態充填塗布液R之情況，可有效地防止來自噴吐口D之塗布液R的漏洩。

另一方面，塗布裝置1，更具備：塗布液供給部120、中間儲存槽130、供給泵140、加壓部150、及液面偵測部160。

塗布液供給部120，具備塗布液供給源121及閥122。塗布液供給源121，經由閥122與中間儲存槽130相連接，對中間儲存槽130供給塗布液R。此外，塗布液供給部120，與控制裝置100電性連接，藉由此一控制裝置100控制閥122的開閉。

中間儲存槽130為，夾設於塗布液供給部120與噴嘴30之間的儲存槽。此一中間儲存槽130，具備：儲存槽部131、第1供給管132、第2供給管133、第3供給管134、及液面感測器135。

儲存槽部131，儲存塗布液R。於此一儲存槽部131之底部，設置第1供給管132及第2供給管133。第1供給管132，經由閥122與塗布液供給源121連接；第2供給管133，經由供給泵140與噴嘴30之暫時儲存室35a連接。

另，在噴嘴30不具備暫時儲存部35之情況，亦可於噴嘴30設置將儲存室S與外部連通之連通口，對此一連通口連接第2供給管133，將塗布液R直接供給至儲存室S。

於第3供給管134，連接加壓部150。加壓部150，具備供給N2等氣體之氣體供給源151、以及閥152，藉由對儲存槽部131內供給氣體而將儲存槽部131內加壓。此一加壓部150，與控制裝置100電性連接，藉由此一控制裝置100控制閥152的開閉。

此外，液面感測器135為，偵測儲存於儲存槽部131之塗布液R的液面之偵測部。此一液面感測器135，與控制裝置100電性連接，將偵測結果輸入往控制裝置100。

供給泵140，設置於第2供給管133之中途部分，將自中間儲存槽130供給之塗布液R對噴嘴30逐一供給既定量。此一供給泵140，與控制裝置100電性連接，藉由控制裝置100控制塗布液R之對噴嘴30的供給量。

液面偵測部160，配置於噴嘴30之前方，偵測儲存於儲存室S之塗布液R的液面位置(以下記為「液面高度」)。此處，如圖9所示，形成噴嘴30之前面部的第2本體部32，一部分以透明構件32a形成，可經由透明構件32a視認儲存於儲存室S之塗布液R。液面偵測部160，例如為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)相機，自噴嘴30之前方經由透明構件32a拍攝儲存室S之內部藉而偵測塗布液R的液面位置。將液面偵測部160產生之偵測結果，往控制裝置100輸入。藉此，塗布裝置1，可簡單地偵測塗布液R之液面高度。

其次，對塗布液充填處理時之塗布裝置1的動作加以說明。塗布裝置1，依據液面偵測部160之偵測結果，決定應對噴嘴30充填之塗布液R的量(以下記為「目標量」)。而後，塗布裝置1，使供給泵140動作，自中間儲存槽130對噴嘴30之暫時儲存室35a供給目標量分的塗布液R。

此時，塗布裝置1，使用壓力調整部110a~110c(參考圖3A)調整小腔室Sa~Sc內的壓力，並施行對各小腔室Sa~Sc之塗布液R的供給。此 處，使用圖11對塗布液充填處理時之壓力控制的內容加以說明。圖11為，顯示塗布液充填處理時的壓力控制之內容的圖。

塗布液充填處理時，將小腔室Sa~Sc內的壓力調整為負壓。藉此，可防止殘留於小腔室Sa~Sc內之塗布液R自噴吐口D漏出的情形。

接著，如圖11所示，塗布裝置1，將調整至負壓之各小腔室Sa~Sc內的壓力，因應以液面偵測部160偵測之各小腔室Sa~Sc的液面高度而緩緩降低(即提高真空度)，並施行塗布液R的供給。

具體而言，塗布液充填處理開始時之各小腔室Sa~Sc內的壓力，與塗布處理結束時之各小腔室Sa~Sc內的壓力同樣為P6(例如-390Pa)。另一方面，將塗布液充填處理結束時之各小腔室Sa~Sc內的壓力，調整為塗布處理開始前的壓力P0(例如-450Pa)。而後，塗布裝置1，因應各小腔室Sa~Sc之液面高度將壓力自P6~P0地改變。

如此地，塗布裝置1，控制壓力調整部110a~110c，使小腔室Sa~Sc之內部為負壓，進一步，使成為負壓之小腔室Sa~Sc內部的壓力緩緩降低，並對小腔室Sa~Sc之內部供給塗布液R。

對小腔室Sa~Sc充填塗布液R，使小腔室Sa~Sc內之塗布液R的液面上升，則作用於噴吐口D之塗布液R產生的水頭壓力增加。在此期間，若使小腔室Sa~Sc內的壓力、與小腔室Sa~Sc之外部的壓力無變化地為一定，則將塗布液R往上方推抬的力相對地減弱水頭壓力所增加分的量，故塗布液R變得容易自噴吐口D漏出。

與其相對，本實施形態中，藉由配合小腔室Sa~Sc內之塗布液R的液面高度之上升以壓力調整部110a~110c使小腔室Sa~Sc的壓力緩緩降低，而可補充將塗布液R往上方推抬的力。因此，在塗布液充填處理中，可更確實地防止自噴吐口D漏出塗布液R的情形。

此外，塗布裝置1，在結束對小腔室Sa~Sc內之塗布液R的供給後至開始塗布處理為止之間，控制壓力調整部110a~110c，維持對小腔室Sa~Sc內之塗布液R供給結束的時間點之小腔室Sa~Sc內的壓力(即P0)。因此，可有效率地施行一連串的基板處理中之小腔室Sa~Sc內的壓力控制。

另，此處，雖因應液面高度而改變壓力，但並不限於此，例如亦可依照預先決定之時間而改變壓力。

此外，塗布裝置1，將對於噴嘴30之塗布液R的供給，不自塗布液供給源121以直接的方式，而由設置於塗布液供給源121與噴嘴30之間的中間儲存槽130施行。藉此，可縮短至噴嘴30為止之配管距離，故例如即便在塗布液的黏度高，難以自塗布液供給源121供給之情況，仍可自中間儲存槽130對噴嘴30簡單地供給塗布液。

此外，塗布裝置1，在亦難以自中間儲存槽130對噴嘴30供給之情況，藉由使用加壓部150而提高儲存槽部131內的壓力，仍可自中間儲存槽130對噴嘴30供給塗布液R。

塗布液R，自中間儲存槽130對噴嘴30之暫時儲存室35a供給後，通過通路35b對儲存室S供給。此處，於通路35b之前端部，如圖10A所示，形成與儲存室S連通，並沿著流路C的長邊方向延伸之狹縫狀的塗布液供給口35c。藉此，塗布裝置1，可沿著儲存室S的長邊方向均等地供給塗布液R，故可防止在各個小腔室Sa~Sc產生塗布液R的不均。

此外，塗布液供給口35c，設置於接合部34(流路C)與儲存室S之邊界部的附近，具體而言，設置於較接合部34(流路C)更上方，且較分隔板38a、38b更下方。如此地，藉由自儲存室S之盡可能下側供給塗布液R，可防止充填塗布液R時氣泡混入塗布液R。

另，此處，雖僅例示將形成為狹縫狀之1個塗布液供給口35c跨各小腔室Sa~Sc地形成的情況之例子，但塗布液供給口，亦可於各個小腔室Sa~Sc分別設置。

例如，如圖10B所示，分別於小腔室Sa形成塗布液供給口35c_1，於小腔室Sb形成塗布液供給口35c_2，於小腔室Sc形成塗布液供給口35c_3。各塗布液供給口35c_1~35c_3，各自具有狹縫形狀，在通路35b中互相連通。藉由如此地構成，亦可防止小腔室Sa~Sc內之塗布液R的不均。

塗布裝置1，在依據液面感測器135之偵測結果，判定出儲存於儲存槽部131內之塗布液R的量低於既定量之情況，控制塗布液供給部120，自塗布液供給源121對儲存槽部131供給塗布液R。藉此，於儲存槽部131補充塗布液R。

回到圖7，繼續基板處理的說明。步驟S101之塗布液充填處理一結束，則塗布裝置1，依據液面偵測部160之偵測結果，判定充填於儲存室S內之塗布液R的液面是否平坦(步驟S102)。例如，塗布裝置1，求算液面之最高位置與最低位置的差分，若此一差分於既定範圍內，則判定為液面平坦。

此一處理中，在液面不平坦之情況(步驟S102，No)，塗布裝置1，待機一定時間後(步驟S103)，再度施行步驟S102的判定。塗布裝置1，在液面成為平坦之前，重複步驟S102及步驟S103的處理，當判定為液面平坦時(步驟S102，Yes)，將處理移往步驟S104之噴嘴始動處理。

如此地，塗布裝置1，依據液面偵測部160的偵測結果判定液面是否平坦化，在判定為液面平坦化之情況，開始使用噴嘴30之塗布處理，故可防止膜厚均一性的惡化。亦即，液面不平坦之情況，換而言之，儲存室S內之塗布液R具有不均的情況，作用於噴嘴30的噴吐口D之水頭壓力變得不 均一，有膜厚均一性惡化的疑慮。是故，如本實施形態地，藉由在液面平坦化後開始塗布處理，而可防止膜厚均一性的惡化。

接著，對步驟S104之噴嘴始動處理加以說明。噴嘴始動處理為，藉由使用噴嘴洗淨部60(參考圖1)清理噴嘴30之前端，而整頓好噴吐口D之狀態的處理。此一噴嘴始動處理一開始，則塗布裝置1，使基板W回到初期位置(圖1所示之位置)，並利用第2移動機構90使噴嘴洗淨部60往噴嘴30之正下方移動。而後，塗布裝置1，藉由使用噴嘴洗淨部60清除自噴吐口D露出之塗布液R，而整頓好噴吐口D之狀態。

此處，使用圖12對噴嘴洗淨部60的構成及噴嘴始動處理之內容加以說明。圖12為，噴嘴洗淨部60的構成之示意立體圖。

如圖12所示，噴嘴洗淨部60，具備：稀釋劑噴吐部61a與61b、襯墊部62a與62b、N2噴出部63a與63b、載置部64、以及驅動部65。

稀釋劑噴吐部61a、61b，經由未圖示之泵等連接往稀釋劑供給源，將自此一稀釋劑供給源供給的稀釋劑自噴嘴30之短邊方向兩側起朝向噴嘴30之前端部噴吐。藉此，可將附著於噴嘴30之前端部的塗布液溶化。

襯墊部62a、62b，沿著噴嘴30之前端部的形狀形成為略V字形，抵接於噴嘴30之前端部的短邊方向兩面。藉由以後述之驅動部65使襯墊部62a、62b移動，而將附著於噴嘴30之前端部的塗布液以襯墊部62a、62b清除。

N2噴出部63a、63b，經由未圖示之泵等往N2供給源連接，將自此一N2供給源供給的N2由噴嘴30之短邊方向兩側朝向噴嘴30之前端部噴出。藉此，使噴嘴30之前端部乾燥。

將此等稀釋劑噴吐部61a、61b、襯墊部62a、62b及N2噴出部63a、63b，載置於載置部64。具體而言，與噴嘴30之延伸方向(Y軸方向)平行地，分別依稀釋劑噴吐部61a、襯墊部62a、稀釋劑噴吐部61b、襯墊部62b、N2噴出部63a、N2噴出部63b的順序排列載置。

驅動部65，藉由使載置部64往與噴嘴30之延伸方向(Y軸方向)平行的方向移動，而使載置於載置部64之稀釋劑噴吐部61a、61b、襯墊部62a、62b及N2噴出部63a、63b與噴嘴30之延伸方向平行地移動。

塗布裝置1，在施行噴嘴始動處理之情況，於稀釋劑噴吐部61a、61b，襯墊部62a、62b及N2噴出部63a、63b中，僅使用襯墊部62a、62b。

具體而言，塗布裝置1，利用升降機構40使噴嘴30下降，以將噴嘴30配置於噴嘴30之前端部與襯墊部62a、62b抵接的位置之狀態，利用驅動部65使載置部64往Y軸負方向移動。藉此，將自噴吐口D露出之塗布液R或附著於噴嘴30之前端部的塗布液R以襯墊部62a、62b清除，整頓好噴吐口D之狀態。

此一噴嘴始動處理結束後，塗布裝置1，開始塗布處理(步驟S108)。如此地，塗布裝置1，在以噴嘴始動處理整頓好噴吐口D之狀態後開始塗布處理，藉而可提高塗布處理剛開始後的膜厚均一性。且塗布裝置1，因剛在塗布處理開始前施行噴嘴始動處理，故可簡單地先維持整理好噴吐口D之狀態。

另，噴嘴洗淨部60所具備之稀釋劑噴吐部61a、61b及N2噴出部63a、63b，在一批中施行之噴嘴洗淨處理時使用。亦即，噴嘴洗淨處理中，塗布裝置1，以自稀釋劑噴吐部61a、61b噴出稀釋劑，自N2噴出部63a、63b噴出N2之狀態，利用驅動部65使載置部64往Y軸負方向移動。藉此，噴嘴洗淨部60，對噴嘴30之前端部，施行由稀釋劑噴吐部61a進行的稀釋劑供給、由襯墊部62a進行的清除、由稀釋劑噴吐部61b進行的稀釋劑供 給、由襯墊部62b進行之清除、以及由N2噴出部63a與63b進行的N2噴出，而洗淨噴嘴30。

接著，對步驟S105~S107的處理加以說明。塗布裝置1，將載置於基板保持部21之頂面的基板W利用基板保持部21吸附保持後(步驟S105)，施行噴嘴高度測定處理(步驟S106)。此一噴嘴高度測定處理中，塗布裝置1，藉由使用噴嘴高度測定部50b測定至噴嘴30之下端面為止的距離，而確認噴嘴30是否位於規定的高度。此一處理中在噴嘴高度偏離既定的高度之情況，塗布裝置1，亦可使用驅動部42施行噴嘴高度的修正。

另，此一噴嘴高度測定處理，於步驟S105之前施行亦無所謂。此外，噴嘴高度測定處理，僅對於各批重複施行之基板處理中的任1次(例如最初的1次)施行亦可。

接著，塗布裝置1，施行厚度測定處理(步驟S107)。具體而言，塗布裝置1，利用驅動部22使基板保持部21所保持之基板W往厚度測定部50a的下方移動後，使用厚度測定部50a測定至基板W之頂面為止的距離。將厚度測定部50a得到之測定結果，往控制裝置100發送。

另，基板W之外緣部，有因至搬運往塗布裝置1之前的各步驟而使表面變粗糙的可能性。因此，宜使自基板W之外緣起既定距離(例如2mm程度)內側的位置為厚度測定部50a之測定點。

此外，塗布裝置1，具備複數個(例如2個)厚度測定部50a，將依據藉由各厚度測定部50a所獲得之測定結果的值(例如平均值)作為至基板W之頂面為止的距離加以決定。

厚度測定處理結束時，塗布裝置1，使基板W往塗布處理開始位置(基板W之X軸正方向側的端部配置於噴嘴30之正下方的位置)移動。而後，塗布裝置1，若步驟S104之噴嘴始動處理則直接施行塗布處理，若噴嘴始 動處理尚未結束則在噴嘴始動處理結束後直接施行塗布處理(步驟S108)。關於塗布處理之內容已於上記述，故省略此處之說明。

步驟S108之塗布處理結束時，塗布裝置1，將處理回到步驟S101而施行步驟S101~S104的處理。此外，塗布裝置1，於施行基板搬出處理後(步驟S109)，再度與步驟S101~步驟S104的處理平行地施行步驟S105~S107的處理。另，基板搬出處理為，在將由基板保持部21進行的基板W之吸附保持予以解除後，將處理畢之基板W往外部裝置傳遞的處理。

對1批所含之全部基板W結束上述之步驟S101~步驟S109的處理時，塗布裝置1，結束對於1批基板之一連串的基板處理。

如同上述，第1實施形態之塗布裝置，具備：噴嘴、移動機構、壓力調整部、及壓力控制部。噴嘴，具備儲存塗布液之儲存室、以及與儲存室連通之狹縫狀的流路，自流路之前端所形成的噴吐口噴吐塗布液。移動機構，使噴嘴與基板沿著基板的表面相對地移動。壓力調整部，調整儲存室內部的壓力。壓力控制部，控制壓力調整部而調整儲存室內部的壓力。壓力控制部，控制壓力調整部，使儲存室之內部為負壓，進一步，使成為負壓之儲存室內部的壓力緩緩降低，並對儲存室之內部充填塗布液。因此，依第1實施形態之塗布裝置，可使對噴嘴之塗布液的充填作業效率化。

另，第1實施形態，雖使用液面偵測部160拍攝儲存室S之內部(參考圖10)，但因儲存室S為長條狀，為了自長邊方向之一端至另一端拍攝儲存室S之內部，必須將液面偵測部160配置於離噴嘴30某程度的位置。因而，使用圖13A、圖13B及圖14A、圖14B對為了將液面偵測部160配置於噴嘴30附近的構成加以說明。圖13A、圖13B及圖14A、圖14B為，液面偵測方法之其他例的示意圖。

例如，亦可如圖13A所示，使塗布裝置1，具備複數個(此處，共液面偵測部160a、160b兩個)自噴嘴30之前方偵測塗布液R的液面之液面 偵測部。如此地，藉由設置複數個液面偵測部，可減小各液面偵測部應偵測之範圍，故可將液面偵測部配置於噴嘴30附近。

此外，亦可如圖13B所示，使塗布裝置1，具備1個液面偵測部160c、以及使此一液面偵測部160c沿著噴嘴30的長邊方向(Y軸方向)移動之驅動部161。藉此，亦可將液面偵測部配置於噴嘴30附近。

此外，在不欲將液面偵測部配置於噴嘴30之前方的情況，例如，亦可如圖14A所示，將液面偵測部160d於噴嘴30之上方朝下地配置，經由反射或折射光線之稜鏡162拍攝塗布液R的液面。

如此，將液面偵測部160d，相對於塗布液R的該液面傾斜既定角度配置，經由稜鏡162拍攝自與塗布液R之液面略平行的方向起觀察之液面的影像亦可。藉此，可將液面偵測部配置於噴嘴30之前方以外的場所。

此外，稜鏡亦可與噴嘴一體化地形成。例如，亦可如圖14B所示，使噴嘴30_2，在前面部具備設置有稜鏡162_2之透明構件32a_2。

另，此處，雖例示液面偵測部係CCD相機等拍攝裝置之情況，但液面偵測部，不限為拍攝裝置，例如亦可為紅外線感測器等之光學式感測器。

(第2實施形態)

而上述之第1實施形態，壓力調整部110a~110c，藉由對各小腔室Sa~Sc供給排放氣體而調整各小腔室Sa~Sc的壓力。然則，小腔室Sa~Sc的壓力控制方法，並不限於此。因而，以下，使用圖15對小腔室Sa~Sc的壓力控制方法之其他例加以說明。圖15為，顯示小腔室Sa~Sc的壓力控制方法之其他例的圖。

如圖15所示，於第2實施形態之噴嘴30_1的各小腔室Sa~Sc，將塗布液R充填至填滿。亦即，噴嘴30_1之內部，成為充滿塗布液R之狀態。

於此一噴嘴30_1之蓋部33，取代壓力調整管37a~37c，而將壓力調整管39a~39c與各小腔室Sa~Sc對應而分別連接。壓力調整管39a~39c，亦成為充滿塗布液R之狀態。另，壓力調整管39a~39c的體積，宜為可對基板W施行至少1次以上塗布之塗布液R的體積以上。

壓力調整管39a~39c，分別與壓力調整部170a~170c連接。壓力調整部170a~170c，例如為注射類型的泵，具備外筒171a~171c、及活塞172a~172c。

外筒171a~171c，與未圖示之塗布液供給源連接，將自此一塗布液供給源供給之塗布液R充填於內部。活塞172a~172c，分別對各外筒171a~171c內插。

各壓力調整部170a~170c各自與控制裝置100電性連接，藉由來自控制裝置100的指令使活塞172a~172c前進後退。藉此，可經由壓力調整管39a~39c將外筒171a~171c內之塗布液R供給至小腔室Sa~Sc內，或經由壓力調整管39a~39c將小腔室Sa~Sc內之塗布液R排出。

藉由對小腔室Sa~Sc供給塗布液R，而使小腔室Sa~Sc內的壓力上升；藉由自小腔室Sa~Sc內將塗布液R排出，而使小腔室Sa~Sc內的壓力降低。藉此，塗布裝置1，可調整小腔室Sa~Sc內的壓力。

如此地，若藉由對小腔室Sa~Sc供給排放塗布液R而調整小腔室Sa~Sc的壓力，則對於壓力變化之噴吐量變化的回應性提高，故可更精密地施行膜厚控制。

此外，第2實施形態，因儲存室S內成為充滿塗布液R之狀態，故無儲存室S內中產生塗布液R的不均之疑慮。因此，塗布液充填處理中或塗 布液充填處理後，不必待機至充填於儲存室S內之塗布液R的不均消失為止。

(第3實施形態)

而上述之各實施形態，對噴嘴具備分隔板，以此分隔板將儲存室分割為複數個小腔室之情況的例子加以說明。然則，噴嘴不必非得具備分隔板。以下，對不具備分隔板之噴嘴的例子加以說明。圖16為，第3實施形態之噴嘴的構成之示意正剖面圖。此外，圖17為，關於塗布液充填處理之機器與第3實施形態之噴嘴的連接關係之示意圖。

如圖16所示，第3實施形態之噴嘴30_2，與上述之噴嘴30、30_1相異，未具備分隔板38a、38b。亦即，噴嘴30_2所具備之儲存室S_2，未分隔為複數個小腔室。

於噴嘴30_2之蓋部33，將1個壓力測定部36_2、與1個壓力調整管37_2，貫通蓋部33而分別設置。壓力測定部36_2及壓力調整管37_2，設置於蓋部33之略中央。

壓力測定部36_2，與控制裝置100電性連接，測定儲存室S_2內部的壓力而將測定結果輸出往控制裝置100。

壓力調整管37_2，與調整儲存室S_2內的壓力之壓力調整部110_2相連接。壓力調整部110_2，具備排氣部111_2、氣體供給源112_2、以及切換閥113_2。此一壓力調整部110_2，為與上述之壓力調整部110a~110c相同的構成，故省略此處之說明。

第3實施形態之噴嘴30_2，如同上述地構成，於塗布液充填處理時，施行與第1實施形態之噴嘴30相同的壓力控制。亦即，塗布液充填處理中，以使噴嘴30_2之儲存室S_2內的壓力因應儲存室S_2內之液面高度而緩緩 降低的方式，藉由控制裝置100控制壓力調整部110_2。藉此，於塗布液充填處理中防止塗布液R自噴吐口D_2漏出。

此外，如圖17所示，於第3實施形態之噴嘴30_2，形成塗布液供給口35c_4、35c_5、35c_6。此等塗布液供給口35c_4、35c_5、35c_6，具有往噴嘴30_2的長邊方向延伸之狹縫形狀，分別將塗布液供給口35c_4及塗布液供給口35c_6設置於噴嘴30_2的長邊方向兩端部，將塗布液供給口35c_5設置於噴嘴30_2的長邊方向中央部。如此地，塗布液供給口35c_4、35c_5、35c_6，沿著噴嘴30_2的長邊方向排列配置。

此外，於塗布液供給口35c_4、35c_5、35c_6，連接塗布液供給部120_2。塗布液供給部120_2，具備塗布液供給源121_2、及閥122_2a~122_2c。如圖17所示，塗布液供給口35c_4~35c_6，分別經由閥122_2a~122_2c與塗布液供給源121_2連接。此外，塗布液供給部120_2，與控制裝置100電性連接，藉由控制裝置100控制閥122_2a~122_2c的開閉。

控制裝置100，藉由個別地控制閥122_2a~122_2c的開閉，而可使充填於儲存室S_2內之塗布液R的液面迅速地平坦化。

具體而言，控制裝置100，使用液面偵測部160偵測塗布液充填處理中之儲存室S_2內的液面高度，因應此一偵測結果個別地控制閥122_2a~122_2c的開度，或開閉時間。

例如，儲存室S_2的長邊方向中央部之塗布液R的液面較長邊方向端部之液面更低的情況，控制裝置100，使閥122_2b的開度較閥122_2a、122_2c增大，或增長開啟時間。藉此，自配置於噴嘴30_2的長邊方向中央部之塗布液供給口35c_5供給更多的塗布液R，解決液面的不均。

如此地，控制裝置100，藉由因應液面偵測部160之偵測結果而個別地控制閥122_2a~122_2c，即便在塗布液充填處理中在塗布液R的液面產生不均之情況，仍可迅速地解決此一不均而使其平坦化。

另，此處，雖例示於噴嘴30_2形成3個塗布液供給口35c_4~35c_6之情況的例子，但形成於噴嘴之塗布液供給口，亦可為4個以上。此一情況，塗布液供給部，準備反應形成於噴嘴之塗布液供給口的個數之個數的閥即可。此外，噴嘴亦可僅具有1個狹縫狀之塗布液供給口。此一情況，對1個塗布液供給口將複數個閥沿著噴嘴的長邊方向連接即可。

此外，此處，雖例示對塗布液供給口35c_4、35c_5、35c_6直接連接塗布液供給部120_2之情況的例子，但亦可與第1實施形態同樣地，夾設中間儲存槽。

(第4實施形態)

儲存室內的壓力控制方法及塗布液充填方法，不限於第1~第3實施形態中說明之方法。以下，使用圖18及圖19對儲存室內的壓力控制方法及塗布液充填方法之其他例加以說明。圖18為，關於塗布液充填處理之機器與第4實施形態之噴嘴的連接關係之示意圖。此外，圖19為，圖18中的壓力調整管周邊之示意放大圖。

如圖18所示，第4實施形態之噴嘴30_3，與第3實施形態之噴嘴30_2相同，未具備分隔板38a、38b。亦即，噴嘴30_3所具備之儲存室S_3，未分隔為複數個小腔室。

此外，於儲存室S_3，將塗布液R充填至填滿。亦即，噴嘴30_3之內部，成為充滿塗布液R之狀態。

於噴嘴30_3之蓋部33，將壓力測定部36_3、與壓力調整管37_3，貫通蓋部33而分別設置。壓力測定部36_3及壓力調整管37_3，設置於蓋部33之略中央。

壓力測定部36_3，與控制裝置100電性連接，測定儲存室S_3內部的壓力而將測定結果輸出往控制裝置100。

壓力調整管37_3，與調整儲存室S_3內的壓力之壓力調整部110_3相連接。壓力調整部110_3，具備排氣部111_3、氣體供給源112_3、以及切換閥113_3。此一壓力調整部110_3的構成，與上述之壓力調整部110a~110c相同，故省略此處之說明。

進一步，壓力調整管37_3，亦與對儲存室S_3供給塗布液R之塗布液供給部120_3連接。塗布液供給部120_3，具備塗布液供給源121_3、及閥122_3。此一塗布液供給部120_3的構成，與上述之塗布液供給部120相同，故省略此處之說明。

第4實施形態中，塗布液R，係自塗布液供給部120_3之塗布液供給源121_3起經由壓力調整管37_3對儲存室S_3供給。如此地，第4實施形態之壓力調整管37_3，亦作為液供給管而作用。

如圖19所示，壓力調整管37_3，成為某程度地充滿塗布液R之狀態。具體而言，壓力調整管37_3，宜使塗布液R充滿至較往塗布液供給部120_3之分叉點更為上方為止。此外，壓力調整管37_3，宜充滿可對基板W至少施行1次以上塗布的量之塗布液R。

此外，壓力調整管37_3，以透明構件形成，可自外部視認存在於壓力調整管37_3之內部的塗布液R。

第4實施形態，液面偵測部160_3，偵測壓力調整管37_3內的塗布液R之液面高度。而後，控制裝置100，因應此一液面偵測部160_3的偵測結果，亦即，因應壓力調整管37_3內的塗布液R之液面高度，以使塗布液R的噴吐量成為一定之方式控制壓力調整部110_3而調整儲存室S_3內部的壓力。

第4實施形態，因偵測壓力調整管37_3內之液面高度，故與偵測儲存室S_3內之液面高度的情形比較，可減小液面偵測部160_3的偵測範圍。因此，依第4實施形態，可使液面監視簡單化。

此外，第4實施形態，因儲存室S_3內成為充滿塗布液R之狀態，故無在儲存室S_3內產生塗布液R的不均之疑慮。因此，於塗布液充填處理中或塗布液充填處理後，不必待機至充填於儲存室S_3內之塗布液R的不均消失為止。

另，此處，雖例示對壓力調整管37_3直接連接塗布液供給部120_3之情況的例子，但亦可於壓力調整管37_3與塗布液供給部120_3之間夾設中間儲存槽。

另，上述之各實施形態，雖例示藉由使基板往水平方向移動，將塗布液於基板之頂面塗布的情況之例子，但並不限於此，亦可藉由使噴嘴往水平方向移動，而將塗布液R於基板之頂面塗布。

此外，上述之各實施形態，雖例示塗布裝置具備1個噴嘴之情況的例子(參考圖1)，但塗布裝置，亦可沿著基板之移動方向，具備複數組噴嘴及升降機構。

進一步的效果與變形例，可由所屬技術領域中具有通常知識者簡單地導出。因此，本發明之更廣泛的態樣，不限定為如同以上地表示並記述之 特定的詳細及代表性之實施形態。因此，可不逸脫添附之專利申請範圍及其均等物所定義的綜合性發明概念之精神或範圍地，進行各種變更。

Claims (11)

1. 一種塗布裝置，具備：噴嘴，具有儲存塗布液之儲存室、及與該儲存室連通之狹縫狀的流路，並自該流路之前端所形成的噴吐口噴吐該塗布液；移動機構，使該噴嘴與基板沿著該基板之表面相對地移動；壓力調整部，調整該儲存室之內部的壓力；以及壓力控制部，控制該壓力調整部而調整該儲存室之內部的壓力；其特徵為：該壓力控制部，控制該壓力調整部，使該儲存室之內部為負壓，進一步，使成為負壓的該儲存室之內部的壓力緩緩降低，並對該儲存室之內部充填該塗布液。
2. 如申請專利範圍第1項之塗布裝置，其中，具備往該噴吐口的長邊方向延伸之抵接構件；該壓力控制部，在使該噴嘴之噴吐口與該抵接構件抵接的狀態，對該儲存室之內部充填該塗布液。
3. 如申請專利範圍第1或2項之塗布裝置，其中，該噴嘴具備塗布液供給口，連通該儲存室之內部與該儲存室之外部，將自外部供給的該塗布液對該儲存室之內部供給；該塗布液供給口，具有往該流路的長邊方向延伸之狹縫形狀。
4. 如申請專利範圍第3項之塗布裝置，其中，該塗布液供給口，配置於該儲存室與該流路之邊界部的附近。
5. 如申請專利範圍第1或2項之塗布裝置，其中，該壓力控制部，將該塗布液之對該儲存室的內部之充填結束之時間點的該儲存室內部之壓力，在該塗布液之對該基板的塗布開始為止之期間維持著。
6. 如申請專利範圍第1或2項之塗布裝置，其中，該壓力控制部，控制該壓力調整部以調整該儲存室之內部的壓力，俾於將該塗布液於該基板塗布時，使該塗布液的噴吐量成為一定。
7. 如申請專利範圍第1或2項之塗布裝置，其中，具備液面偵測部，用以偵測儲存於該儲存室之塗布液的液面。
8. 如申請專利範圍第7項之塗布裝置，其中，具備塗布處理控制部，依據該液面偵測部的偵測結果判定該液面是否平坦化，在判定為平坦化之情況，開始利用該噴嘴進行塗布處理。
9. 如申請專利範圍第7項之塗布裝置，其中，該儲存室的一部分係以透明構件形成；該液面偵測部，自該噴嘴之外部經由該透明構件偵測該液面。
10. 如申請專利範圍第9項之塗布裝置，其中，具備使光線反射或折射之稜鏡；該液面偵測部，相對於該液面傾斜既定角度配置，並經由該稜鏡拍攝自約略平行於該液面方向觀察之該液面的影像。
11. 一種塗布液充填方法，其特徵為包含如下步驟：準備步驟，將具有儲存塗布液之儲存室、及與該儲存室連通之狹縫狀的流路，並自該流路之前端所形成的噴吐口噴吐該塗布液之噴嘴所具備的該儲存室之內部調整為負壓；以及充填步驟，使該準備步驟中成為負壓的該儲存室之內部的壓力緩緩降低，並對該儲存室之內部充填該塗布液。