TW201416177A

TW201416177A - 玻璃基板之製造方法

Info

Publication number: TW201416177A
Application number: TW102137963A
Authority: TW
Inventors: Masayuki Ogawa
Original assignee: Avanstrate Inc
Priority date: 2012-10-30
Filing date: 2013-10-21
Publication date: 2014-05-01
Also published as: TWI586489B; JP6050086B2; JP2014087879A

Abstract

本發明之目的在於提供一種可於較小之空間內且精度較佳地進行玻璃基板之端面加工之玻璃基板之製造方法。玻璃基板之製造方法包括位置資訊取得步驟、加工位置算出步驟、及端面加工步驟。位置資訊取得步驟係取得經固定之玻璃基板10之端面11之位置資訊。加工位置算出步驟係算出用於將端面11進行倒角加工之倒角磨石40之加工開始位置及加工結束位置。倒角磨石40可沿X軸及Y軸移動。於位置資訊取得步驟中，藉由第1感測器50與第2感測器60取得端面11之位置資訊。第1感測器50可與倒角磨石40一併移動。第2感測器60可沿Y軸移動。於加工位置算出步驟中，算出為了使倒角磨石40沿Y軸移動至加工開始位置所需之距離即加工修正值D。

Description

玻璃基板之製造方法

本發明係關於一種玻璃基板之製造方法。

用於液晶顯示器及電漿顯示器等平板顯示器(FPD)之玻璃基板例如係藉由溢流下拉法而製造。於溢流下拉法中，流入至成形體並溢流之熔融玻璃沿成形體之表面流下，並於成形體之下端之附近合流，從而成形為玻璃片。已成形之玻璃片被一面向下方拉伸一面冷卻，並被切斷為特定之大小從而製造玻璃基板。玻璃基板係經過端面加工步驟、表面清洗步驟及檢查步驟等而捆包並出貨。

於將已成形之玻璃片切斷為特定之大小之步驟中，一般而言，使用藉由切割器或雷射之切斷方法。於藉由切割器之玻璃片之切斷方法中，由於將縫隙機械地添加至玻璃片中而切斷，因此於已切斷之玻璃基板之端面形成有數μm~100μm左右之深度之裂縫。該裂縫會引起玻璃基板之機械強度之劣化。又，於藉由雷射之玻璃片之切斷方法中，由於利用熱應力將縫隙添加至玻璃片中而將玻璃片切斷，因此已切斷之玻璃基板之端面成為鋒利並易損壞之狀態。形成於已切斷之玻璃基板之端面之裂縫或鋒利之部分藉由磨削及研磨端面而除去。即，為了提高玻璃基板之機械強度，抑制玻璃基板之缺陷之產生，並使後續步驟中之操作變得容易，而進行玻璃基板之端面加工步驟。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-110648號公報

作為玻璃基板之端面加工步驟之例，於專利文獻1(日本專利特開2011-110648號公報)中，揭示有使磨石沿已切斷之玻璃基板之端面追隨而對玻璃基板進行倒角加工之方法。於該方法中，藉由雷射位移計測定固定於平台之玻璃基板之端面之位置，並算出磨石之端面之加工開始位置及加工結束位置。具體而言，自藉由雷射位移計之測定值，藉由外插內插法算出端面之加工開始位置及加工結束位置之座標，並基於該等座標與成為基準之座標之差異、及所需之磨削裕度，對端面之加工開始位置及加工結束位置進行修正。

然而，於為了實現玻璃基板之生產線之省空間化，而於端面加工步驟中在同一平台上進行玻璃基板之端面之位置測定及端面之加工之情形時，為了測定玻璃基板之端面之位置而使用雷射位移計並不適合。例如，於對玻璃基板之端面進行倒角加工之前，存在於向倒角磨石與玻璃基板之端面之接觸部供給磨削液時，磨削液附著於雷射位移計之檢測部，從而雷射位移計之檢測精度降低之虞。因此，於在同一平台上進行玻璃基板之端面之位置測定及端面之加工之情形時，使用雷射位移計測定玻璃基板之位置之專利文獻1所揭示之方法不易以較高之精度對玻璃基板之端面進行加工。

本發明之目的在於提供一種可於較小之空間內、且精度較佳地進行玻璃基板之端面加工之玻璃基板之製造方法。

本發明之玻璃基板之製造方法包括基板固定步驟、位置資訊取得步驟、加工位置算出步驟、及端面加工步驟。基板固定步驟係將載置於平台之玻璃基板固定於平台。位置資訊取得步驟係取得固定於平台之玻璃基板之端面之位置資訊。加工位置算出步驟係基於玻璃基板之端面之位置資訊，算出用於將玻璃基板之端面進行倒角加工之倒角磨石之加工開始位置及加工結束位置。端面加工步驟係藉由向倒角磨石與端面之接觸部供給磨削液，並使倒角磨石自加工開始位置向加工結束位置移動，而將玻璃基板之端面進行倒角加工。倒角磨石以其至玻璃基板之端面為止之距離可變更之方式可沿第1軸移動。倒角磨石以與玻璃基板之端面相對向之方式可沿與第1軸正交之第2軸移動。於位置資訊取得步驟中，藉由第1感測器與第2感測器，取得玻璃基板之端面之複數個點之位置資訊。第1感測器連結於倒角磨石且可與倒角磨石一併移動。第2感測器可沿第1軸移動。於加工位置算出步驟中，算出為了使倒角磨石沿第1軸移動至加工開始位置所需之距離即加工修正值。

於該玻璃基板之製造方法中，首先，測定固定於平台上之玻璃基板之端面之位置，其次，在不使玻璃基板移動之情況下藉由倒角磨石加工玻璃基板之端面。玻璃基板之端面加工係藉由向端面與倒角磨石之接觸部供給磨削液，於濕潤(wet)之環境下進行。測定玻璃基板之端面之位置之第1感測器及第2感測器係即便附著有磨削液檢測精度亦不會降低之接觸式感測器。藉由第1感測器及第2感測器，算出玻璃基板之端面之加工開始位置及加工結束位置。於玻璃基板之端面之加工前，藉由將倒角磨石之位置僅變更加工修正值，使倒角磨石移動至加工開始位置。並且，藉由使倒角磨石自加工開始位置移動至加工結束位置，利用倒角磨石加工玻璃基板之端面。

因此，該玻璃基板之製造方法係於在濕潤之環境下進行玻璃基板之端面加工之情形時，可於同一平台上進行玻璃基板之端面之位置之測定及玻璃基板之端面之加工，因此可於較少之空間內進行玻璃基板之端面加工。又，藉由於玻璃基板之端面之加工前，基於端面之位置資訊對倒角磨石之位置進行修正，可精度較佳地進行玻璃基板之端面加工。

又，於位置資訊取得步驟中，較佳為將藉由第1感測器取得之第1軸方向之端面之位置資訊與藉由第2感測器取得之第1軸方向之端面之位置資訊關聯。於該情形時，位置資訊取得步驟係於取得位置資訊之前，使第1感測器沿第2軸移動至與第2感測器於第2軸方向上相同之位置，進而，使用第1感測器取得第1軸方向上之第2感測器之位置。

又，於加工位置算出步驟中，較佳為基於第1距離、第2距離及第3距離，算出加工修正值。第1距離係第1感測器與第2感測器之間之第2軸方向之距離。第2距離係第1感測器與倒角磨石之間之第2軸方向之距離。第3距離係藉由第2感測器測定之、預先設定之端面之基準位置與端面之位置之間之第1軸方向的距離。

又，於加工位置算出步驟中，加工修正值較佳為藉由對第2距離乘以第3距離所得之值除以第1距離而算出。

於該玻璃基板之製造方法中，在測定玻璃基板之端面之位置之前，藉由預先將第1感測器之位置與第2感測器之位置關聯，正確地測定第1感測器與第2感測器之間之距離。又，由於第1感測器連結於倒角磨石，因此已預先確定第1感測器與倒角磨石之間之距離。因此，基於第1感測器、第2感測器及倒角磨石之間之位置關係、及藉由第2感測器測定之玻璃基板之端面之位置，可算出倒角磨石之加工修正值。

又，第1感測器較佳為設置於與倒角磨石之高度位置不同之高度位置，且可與倒角磨石一併於鉛垂方向上移動。又，於位置資訊取得步驟中，較佳為以第1感測器之高度位置成為與端面之高度位置相同之方式，調整第1感測器之高度位置。又，於端面加工步驟中，較佳為以倒角磨石之高度位置成為與端面之高度位置相同之方式，調整倒角磨石之高度位置。

於該玻璃基板之製造方法中，在以第1感測器測定玻璃基板之端面之位置時，由於倒角磨石位於與玻璃基板不同之高度位置，因此倒角磨石不會妨礙藉由第1感測器之端面之測定。反之，於倒角磨石加工玻璃基板之端面時，由於第1感測器位於與玻璃基板不同之高度位置，因此第1感測器不會妨礙藉由倒角磨石之端面之加工。

本發明之玻璃基板之製造方法可於較小之空間內、且精度較佳地進行玻璃基板之端面加工。

10‧‧‧玻璃基板

11‧‧‧端面

11a‧‧‧延長線

12‧‧‧端面

13‧‧‧端面

14‧‧‧端面

19‧‧‧底板

20‧‧‧玻璃基板搬送裝置

22‧‧‧機械手

30‧‧‧吸附平台(平台)

32‧‧‧支持接腳

40、42‧‧‧倒角磨石

50、52‧‧‧第1感測器

60、62‧‧‧第2感測器

64‧‧‧氣缸

70‧‧‧移動機構

72‧‧‧移動機構

80‧‧‧磨削液供給裝置

90‧‧‧水供給裝置

100‧‧‧玻璃基板端面加工裝置

140‧‧‧倒角磨石

140a‧‧‧金剛石磨輪

140b‧‧‧樹脂結合研磨輪

150‧‧‧旋轉軸

D‧‧‧加工修正值

L1‧‧‧第1距離

L2‧‧‧第2距離

L3‧‧‧第3距離

P1‧‧‧第1點

P2‧‧‧第2點

P3‧‧‧第3點

P4‧‧‧第4點

P5‧‧‧第5點

T1‧‧‧三角形

T2‧‧‧三角形

Y軸‧‧‧第1軸

X軸‧‧‧第2軸

ZL‧‧‧零基準線

θ‧‧‧角度

圖1係實施形態之玻璃基板之製造步驟之流程圖。

圖2係實施形態之玻璃基板端面加工裝置之俯視圖。

圖3係實施形態之玻璃基板端面加工裝置之側視圖。

圖4係表示玻璃基板搬送裝置將玻璃基板載置於吸附平台之上之狀態之圖。

圖5係玻璃基板之端面之加工步驟之流程圖。

圖6係表示玻璃基板之端面、倒角磨石、第1感測器及第2感測器之位置關係之概略圖。

圖7係表示玻璃基板之端面、倒角磨石、第1感測器及第2感測器之位置關係之概略圖。

圖8係變化例之倒角磨石之外觀圖。

(1)玻璃基板之製造步驟之概略

一面參照圖式，一面對本發明之玻璃基板之製造方法之實施形態進行說明。首先，對藉由本實施形態所使用之玻璃基板端面加工裝置100加工之玻璃基板10之製造步驟進行說明。玻璃基板10係用於液晶顯示器、電漿顯示器及有機EL(ElectroLuminescence，電致發光)顯示器等平板顯示器(FPD)之製造。玻璃基板10例如具有0.2mm~0.8mm之厚度，且具有縱680mm~2200mm及橫880mm~2500mm之尺寸。

作為玻璃基板10之一例，可列舉具有以下之組成之玻璃。

(a)SiO₂：50質量%~70質量%，(b)Al₂O₃：10質量%~25質量%，(c)B₂O₃：5質量%~18質量%，(d)MgO：O質量%~10質量%，(e)CaO：O質量%~20質量%，(f)SrO：0質量%~20質量%，(g)BaO：0質量%~10質量%，(h)RO：5質量%~20質量%(R係選自Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種)，(i)R'₂O：0質量%~2.0質量%(R'係選自Li、Na及K中之至少1種)，(j)選自SnO₂、Fe₂O₃及CeO₂中之至少1種金屬氧化物。

再者，具有上述組成之玻璃容許其他微量成分於未達0.1質量%之範圍內存在。

圖1係表示玻璃基板10之製造步驟之流程圖之一例。玻璃基板10之製造步驟主要包括：成形步驟(步驟S1)、板狀裁切步驟(步驟S2)、切斷步驟(步驟S3)、表面粗化步驟(步驟S4)、端面加工步驟(步驟S5)、清洗步驟(步驟S6)、檢查步驟(步驟S7)、及捆包步驟(步驟S8)。

於成形步驟S1中，自加熱玻璃原料而獲得之熔融玻璃，藉由下拉法或浮式法，使玻璃片連續地成形。對於已成形之玻璃片，一面以不產生變形及翹曲之方式予以溫度控制，一面冷卻至玻璃徐冷點以下。

於板狀裁切步驟S2中，將於成形步驟S1中成形之玻璃片切斷，而獲得具有特定尺寸之素板玻璃。

於切斷步驟S3中，將於板狀裁切步驟S2中獲得之素板玻璃切斷，而獲得製品尺寸之玻璃基板10。一般而言，素板玻璃係使用切割器或雷射而切斷。

於表面粗化步驟S4中，進行使於切斷步驟S3中獲得之玻璃基板10之表面粗糙度增加之表面粗化處理。玻璃基板10之表面粗化處理例如係使用含有氟化氫之蝕刻劑之濕式蝕刻。

於端面加工步驟S5中，進行已於表面粗化步驟S4中進行表面粗化處理之玻璃基板10之端面加工。端面加工例如係玻璃基板10之端面之倒角加工、及玻璃基板10之切角。

於清洗步驟S6中，清洗已於端面加工步驟S5中進行端面加工處理之玻璃基板10。於玻璃基板10中，附著有因素板玻璃之切斷、及玻璃基板10之端面加工而產生之微小之玻璃片、或存在於環境中之有機物等異物。藉由清洗玻璃基板10，去除該等異物。

於檢查步驟S7中，檢查已於清洗步驟S6中清洗之玻璃基板10。具體而言，測定玻璃基板10之形狀，並光學地檢測玻璃基板10之缺陷。玻璃基板10之缺陷例如係存在於玻璃基板10之表面之劃傷及裂縫、附著於玻璃基板10之表面之異物、及存在於玻璃基板10之內部之微小之氣泡等。

於捆包步驟S8中，將檢查步驟S7中之檢查合格之玻璃基板10與用於保護玻璃基板10之間隔紙交替地層疊於托板上而捆包。將已捆包之玻璃基板10向FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)之製造業者等出貨。

(2)玻璃基板端面加工裝置之構成

圖2係玻璃基板端面加工裝置100之俯視圖。圖3係自圖2所示之箭頭III之方向觀察所得之玻璃基板端面加工裝置100之側視圖。玻璃基板端面加工裝置100係於端面加工步驟S5中，用於對水平狀態之玻璃基板10之端面進行倒角加工之裝置。玻璃基板端面加工裝置100主要包含：玻璃基板搬送裝置20；吸附平台30；一對倒角磨石40、42；一對第1感測器50、52；一對第2感測器60、62；一對移動機構70、72；磨削液供給裝置80；水供給裝置90；及控制裝置(未圖示)。

藉由玻璃基板端面加工裝置100加工之玻璃基板10具有長方形之形狀。玻璃基板10具有平行於其長邊之端面11、12，及平行於其短邊之端面13、14。

如圖2所示，於與玻璃基板10之表面平行之平面上設定包含X軸及Y軸之二維正交座標系統。設定與含有X軸及Y軸之平面正交、且朝向鉛垂方向上之Z軸。X軸之朝向係自一對第1感測器50、52朝向一對第2感測器60、62之方向，Y軸之朝向係自第1感測器50朝向第1感測器52之方向。

以下，對玻璃基板端面加工裝置100對玻璃基板10之平行於長邊之端面11、12進行倒角加工之步驟進行說明。然而，以下之說明亦可應用於玻璃基板端面加工裝置100對玻璃基板10之平行於短邊之端面13、14進行倒角加工之步驟。

(2-1)玻璃基板搬送裝置

玻璃基板搬送裝置20係搬送玻璃基板10之機器人。玻璃基板搬送裝置20搬送玻璃基板10並將玻璃基板10載置於吸附平台30之上，或將載置於吸附平台30之上之玻璃基板10提昇而搬送玻璃基板10。

圖4係表示玻璃基板搬送裝置20將玻璃基板10載置於吸附平台30之上之狀態之圖。玻璃基板搬送裝置20包含具有複數個齒之梳齒狀機械手22。機械手22可吸附並保持玻璃基板10之下表面。玻璃基板搬送裝置20可變更保持玻璃基板10之機械手22之位置，或使之於平行於水平面之面內旋轉。玻璃基板搬送裝置20係如圖4所示，可將機械手22之齒插入至吸附平台30之支持接腳32之間。

(2-2)吸附平台

吸附平台30係如圖4所示，具有複數個支持接腳32。支持接腳32係沿X軸方向及Y軸方向空出特定之間隔而安裝於吸附平台30之上表面。於吸附平台30之上表面形成有用於將載置於吸附平台30之上之玻璃基板10之下表面吸附之多個抽吸孔(未圖示)。吸附平台30藉由抽吸孔之吸引之吸附力，將載置之玻璃基板10固定。吸附平台30之上表面具有長方形之形狀。吸附平台30之上表面之長邊與X軸平行，吸附平台30之上表面之短邊與Y軸平行。吸附平台30之上表面之長邊及短邊之長度分別比玻璃基板10之表面之平行於X軸之邊、及平行於Y軸之邊之長度短5mm~8mm。

對玻璃基板搬送裝置20將玻璃基板10載置於吸附平台30之上之過程進行說明。首先，以機械手22之齒位於支持接腳32之間之方式，使保持玻璃基板10之機械手22下降。機械手22下降至支持接腳32與玻璃基板10之下表面相接之高度位置為止。其次，解除藉由機械手22之玻璃基板10之吸附。藉此，玻璃基板10成為僅由支持接腳32支持之狀態。其次，使機械手22水平地移動，而將機械手22自支持接腳32之間抽出。其次，使支持接腳32下降，而將玻璃基板10載置於吸附平台30之上。其次，藉由抽吸孔之吸引，將玻璃基板10固定於吸附平台30之上。

對玻璃基板搬送裝置20將載置於吸附平台30之上之玻璃基板10取出之過程進行說明。首先，解除抽吸孔之吸引，並使支持接腳32上升，而僅由支持接腳32支持玻璃基板10。其次，使機械手22於水平方向上移動，並插入至吸附平台30之支持接腳32之間。其次，開始藉由機械手22之玻璃基板10之吸附，使機械手22上升，而將玻璃基板10提昇。其次，藉由機械手22之動作，將玻璃基板10搬送至後續步驟。

(2-3)倒角磨石

一對倒角磨石40、42分別為用於對玻璃基板10之端面11、12進行倒角之磨削輪。倒角磨石40、42分別安裝於移動機構70、72。

倒角磨石40、42可沿X軸方向、Y軸方向及Z軸方向移動。倒角磨石40、42之X軸方向及Y軸方向之位置分別藉由移動機構70、72調節。倒角磨石40、42之Z軸方向之位置可分別藉由設置於移動機構70、72之伺服致動器(未圖示)任意地調節。

倒角磨石40、42例如為金剛石磨輪、及樹脂結合研磨輪。金剛石磨輪例如係以含鐵之金屬系結合劑將金剛石研磨粒凝固而成之磨削輪。金剛石研磨粒例如係粒度為#400之金剛石研磨粒。樹脂結合研磨輪例如係以具有柔軟性及彈性之樹脂系結合劑將通常所使用之研磨粒凝固而成之磨削輪。研磨粒之粒度例如係JIS R6001-1987所規定之#300~#500左右。

(2-4)第1感測器

一對第1感測器50、52分別係測定玻璃基板10之端面11、12之位置之感測器。以下，端面11、12之位置以位於端面11、12中之測定點之X軸方向之位置及Y軸方向之位置表示。第1感測器50、52分別安裝於移動機構70、72。

第1感測器50、52可沿X軸方向、Y軸方向及Z軸方向移動。第1感測器50、52之X軸方向及Y軸方向之位置分別藉由移動機構70、72調節。第1感測器50、52之Z軸方向之位置可分別藉由設置於移動機構70、72之伺服致動器(未圖示)任意地調節。

第1感測器50、52係接觸型感測器。為了測定端面11、12之位置，首先，將第1感測器50、52之高度位置(即，Z軸方向之位置)調節為玻璃基板10之端面11、12之高度位置。其次，以第1感測器50、52之前端部與玻璃基板10之端面11、12接觸之方式，調節第1感測器50、52之Y軸方向之位置。其次，測定與玻璃基板10之端面11接觸之第1感測器50、52之前端部之座標。「座標」包括X軸方向之位置及Y軸方向之位置。

第1感測器50、52係如圖2所示，於玻璃基板10之端面11、12之一端部之附近，測定端面11、12之位置。另一方面，第2感測器60、62係如圖2所示，於玻璃基板10之端面11、12之另一端部之附近，測定端面11、12之位置。

(2-5)第2感測器

一對第2感測器60、62分別係測定玻璃基板10之端面11、12之位置之感測器。第2感測器60、62可分別自移動機構70、72獨立而移動。第2感測器60、62係如圖3所示，安裝於設置於底板19上之氣缸64。再者，氣缸64亦可由安裝於吸附平台30之基部之支持部材支持。

第2感測器60、62可於Y軸方向及Z軸方向上移動。第2感測器60、62之Y軸方向之位置係藉由連接於第2感測器60、62之伺服致動器(未圖示)，於高速模式或低速模式下調節。第2感測器60、62之Z軸方向之位置係藉由氣缸64而調節。

第2感測器60、62係接觸型感測器。為了測定端面11、12之位置，首先，將第2感測器60、62之高度位置調節為玻璃基板10之端面11、12之高度位置。其次，以第2感測器60、62之前端部與玻璃基板10之端面11、12接觸之方式，調整第2感測器60、62之Y軸方向之位置。其次，測定與玻璃基板10之端面11接觸之第2感測器60、62之前端部之座標。

(2-6)移動機構

一對移動機構70、72係可沿X軸方向及Y軸方向移動之單元。移動機構70係安裝倒角磨石40及第1感測器50之單元。移動機構72係安裝倒角磨石42及第1感測器52之單元。於移動機構70中，第1感測器50之高度位置與倒角磨石40之高度位置不同。於移動機構72中，第1感測器52之高度位置與倒角磨石42之高度位置不同。

移動機構70、72可分別藉由上述伺服致動器，獨立地調節倒角磨石40、42之Z軸方向之位置、及第1感測器50、52之Z軸方向之位置。移動機構70、72分別將第1感測器50、52相對於倒角磨石40、42之X軸方向及Y軸方向之相對位置固定。因此，倒角磨石40與第1感測器50之間之X軸方向及Y軸方向之距離、及倒角磨石42與第1感測器52之間之X軸方向及Y軸方向之距離不變，並被預先設定。

(2-7)磨削液供給裝置

磨削液供給裝置80係如圖2所示，設置於玻璃基板10之側方、且於倒角磨石40、42之附近，並向玻璃基板10之端面11、12吹送磨削液之裝置。磨削液例如為水、添加有界面活性劑之水、添加有其他藥劑之水。再者，作為磨削液，不使用清洗步驟S6之後會有殘留於玻璃基板10之虞之液體、及會有促進基板端面加工裝置100之劣化之虞之液體。雖於圖2及圖3中未表示，但於玻璃基板10之上方設置有用於防止磨削液附著於玻璃基板10之表面之保護層。

磨削液由於表面張力較小，因此易於進入玻璃基板10之端面11、12與倒角磨石40、42之接觸部即磨削點。因此，磨削液具有將因玻璃基板10之磨削而產生之玻璃微粒子等異物沖洗之效果。又，磨削液具有將易於因摩擦而變成高溫之磨削點冷卻之效果。再者，於將清洗步驟S6中使用之界面活性劑作為磨削液使用之情形時，即便磨削液附著於玻璃基板10之表面而產生氣泡殘留，作為接觸式感測器之第1感測器50、52及第2感測器60、62亦可精度較佳地測定玻璃基板10之端面11、12之位置。

(2-8)水供給裝置

水供給裝置90係如圖3所示，設置於玻璃基板10之上方，並向玻璃基板10之端面11、12吹送水之裝置。藉由利用倒角磨石40、42加工玻璃基板10之端面11、12，作為玻璃之微小片之玻璃屑自端面11、12飛散。水供給裝置90將水自玻璃基板10之表面之內側向端面11、12噴出，形成水膜。藉此，水供給裝置90可減少向玻璃基板10之表面之內側飛散之玻璃屑之量。因此，水供給裝置90可抑制附著於玻璃基板10之表面之玻璃屑之量。

(2-9)控制裝置

控制裝置例如係控制玻璃基板端面加工裝置100之動作之電腦。控制裝置個別地控制玻璃基板搬送裝置20，吸附平台30，一對倒角磨石40、42，一對第1感測器50、52，一對第2感測器60、62，一對移動機構70、72及磨削液供給裝置80之動作。其次，對玻璃基板端面加工裝置100藉由控制裝置對玻璃基板10之端面11、12進行倒角加工之步驟進行說明。

(3)玻璃基板端面加工裝置之動作

圖5係表示玻璃基板端面加工裝置100對玻璃基板10之端面11、12進行倒角加工之步驟之流程圖。圖6及圖7係表示玻璃基板10之端面11、倒角磨石40、第1感測器50及第2感測器60之位置關係之概略圖。以下，一面參照圖6及圖7，一面對第1感測器50及第2感測器60測定玻璃基板10之端面11之位置、及倒角磨石40對端面11進行倒角之一連串之步驟進行說明。以下之說明亦可應用於第1感測器52及第2感測器62測定玻璃基板10之端面12之位置、及倒角磨石42對端面12進行倒角之一連串之步驟。

首先，於步驟S11中，玻璃基板搬送裝置20將玻璃基板10移送至吸附平台30之上。載置於吸附平台30之上之玻璃基板10係在不進行位置調整之情況下，藉由形成於吸附平台30之上表面之多個抽吸孔之吸附力，固定於吸附平台30。

其次，於步驟S12中，藉由第1感測器50及第2感測器60，測定玻璃基板10之端面11之位置。具體而言，首先，將第1感測器50及第2感測器60之高度位置(Z軸方向之位置)調節為玻璃基板10之高度位置，且以倒角磨石40不與玻璃基板10接觸之方式，將倒角磨石40之高度位置調節為較玻璃基板10為上方或下方之高度位置。其次，藉由使第1感測器50及第2感測器60與Y軸方向上移動並與端面11接觸，測定第1感測器50之前端部與端面11接觸之第1點P1之座標、及第2感測器60之前端部與端面11接觸之第2點P2之座標。

其次，於步驟S13中，判斷步驟S12中測定之玻璃基板10是否為玻璃基板10之各製造批次之最初之玻璃基板10。於玻璃基板10為各製造批次之最初之玻璃基板10之情形時，前進至步驟S14。於玻璃基板10並非各製造批次之最初之玻璃基板10之情形時，前進至步驟S15。

其次，於步驟S14中，將第1感測器50之位置資訊與第2感測器60之位置資訊關聯。步驟S14係於玻璃基板10之各製造批次之開始時，僅進行1次之步驟。於步驟S14中，首先，將第2感測器60之高度位置降低，使第1感測器50於X軸方向上移動，並使第1感測器50移動至與第2感測器60之X軸方向之位置相同之位置。其次，使第1感測器50於Y軸方向上移動，並使第1感測器50移動至與第2感測器60之Y軸方向之位置相同之位置。於該狀態下，測定第1感測器50之前端部之座標，並將第1感測器50之位置資訊與第2感測器60之位置資訊關聯。此時，第1感測器50之座標、即X軸方向之位置及Y軸方向之位置與第2感測器60之座標相同。因此，以後即便使第1感測器50及第2感測器60移動，亦可始終取得第1感測器50與第2感測器60之間之相對位置、即距離。再者，不僅於步驟S14中在各製造批次之開始時進行第1感測器 50與第2感測器60之關聯，於對特定數量之玻璃基板10進行加工後之時間點、或自製造批次之開始經過特定時間後之時間點，亦可進行第1感測器50與第2感測器60之關聯。

其次，於步驟S15中，算出加工修正值D，而算出為了以倒角磨石40對玻璃基板10之端面11進行倒角加工所需之加工開始位置及加工結束位置。加工修正值D係為了使倒角磨石40沿Y軸方向移動至加工開始位置所需之距離。

為了算出加工修正值D，首先，於含有X軸及Y軸之面內設定零基準線ZL。零基準線ZL係使倒角磨石40沿Y軸方向僅移動加工修正值D時之基準。零基準線ZL係如圖6及圖7所示，將位於倒角磨石40之外周之第3點P3與第1點P1連結之線。第3點P3係最接近倒角磨石40所加工之端面11之相反側之端面12之點。於圖6及圖7中，零基準線ZL平行於X軸，但亦可不平行於X軸。零基準線ZL之朝向係由安裝於移動機構70之倒角磨石40與第1感測器50之間之位置關係決定。

為了算出加工修正值D，其次，求出圖6及圖7所示之第1距離L1、第2距離L2及第3距離L3。第1距離L1係第1感測器50與第2感測器60之間之X軸方向之距離。具體而言，第1距離L1係第1點P1與第2點P2之間之X軸方向之距離。第1距離L1係由於在步驟S14中第1感測器50之位置資訊已與第2感測器60之位置資訊關聯，因此可藉由計算容易地求出。第2距離L2係第1感測器50與倒角磨石40之間之X軸方向之距離。具體而言，第2距離L2係第1點P1與第3點P3之間之X軸方向之距離。由於在X軸方向及Y軸方向上，第1感測器50與倒角磨石40之間之距離固定，因此第2距離L2可預先獲得。第3距離L3係圖6及圖7所示之第4點P4與第2點P2之間之Y軸方向之距離。第4點P4係第2感測器60之X軸方向之位置上之零基準線ZL上的座標。第3距離L3係由於在步驟S14中第1感測器50之位置資訊已與第2感測器60之位置資訊關聯，因此可藉由計算容易地求出。又，如圖6及圖7所示，對作為倒角磨石40之加工開始位置之第5點P5進行定義。第5點P5係位於端面11之延長線11a上，並具有與第3點P3之X軸方向之位置相同之X軸方向之位置的點。第5點P5可藉由計算容易地求出。

於圖6及圖7中，包含第1點P1、第2點P2及第4點P4之三角形T1與包含第1點P1、第3點P3及第5點P5之三角形T2互為相似。因此，藉由計算，可算出第3點P3與第5點P5之間之距離即加工修正值D。具體而言，加工修正值D係藉由對第2距離L2乘以第3距離L3所得之值除以第1距離L1而算出。再者，亦可於所算出之加工修正值D上進而添加倒角磨石40之磨削加工之磨削裕度。磨削裕度例如為數μm~100μm。

其次，於步驟S16中，基於步驟S15中算出之加工修正值D，修正倒角磨石40之位置。具體而言，首先，將倒角磨石40之高度位置調節為玻璃基板10之高度位置，同時以第1感測器50不與玻璃基板10接觸之方式，將第1感測器50之高度位置調節為較玻璃基板10為上方或下方之高度位置。又，以第2感測器60不與玻璃基板10接觸之方式，將第2感測器60之高度位置調節為較玻璃基板10為上方或下方之高度位置。其次，使倒角磨石40沿Y軸方向僅移動加工修正值D。藉此，倒角磨石40之第3點P3之位置成為作為端面11之加工開始位置之第5點P5。

其次，於步驟S17中，使倒角磨石40自作為加工開始位置之第5點P5移動至作為加工結束位置之第2點P2，而進行端面11之磨削加工。此時，向端面11與倒角磨石40之接觸部，藉由磨削液供給裝置80供給磨削液。

再者，於以倒角磨石42對玻璃基板10之端面11之相反側之端面12進行倒角之一連串之步驟中算出之加工修正值係與於以倒角磨石40對端面11進行倒角之上述步驟中算出之加工修正值D僅符號不同，且絕對值為相等之關係。

(4)特徵

(4-1)

本實施形態之玻璃基板端面加工裝置100係首先不進行位置調整而將玻璃基板10固定於吸附平台30上，其次測定玻璃基板10之端面11、12之位置，其次以倒角磨石40、42將端面11、12磨削並倒角加工。端面11、12之倒角加工係藉由向端面11、12與倒角磨石40、42之接觸部供給磨削液，於濕潤之環境下進行。測定端面11、12之位置之第1感測器50、52及第2感測器60、62係接觸式感測器。因此，即便磨削液附著於第1感測器50、52及第2感測器60、62，其檢測精度亦不會降低。

玻璃基板端面加工裝置100於在濕潤之環境下進行玻璃基板10之端面11、12之倒角加工時，可於同一吸附平台30上進行玻璃基板10之端面11、12之位置之測定、及玻璃基板10之端面11、12之加工。因此，玻璃基板端面加工裝置100可於較少之空間內，進行玻璃基板10之端面11、12之倒角。

(4-2)

本實施形態之玻璃基板端面加工裝置100使用第1感測器50、52及第2感測器60、62，預先算出玻璃基板10之端面11、12之加工開始位置及加工結束位置。此時，算出為了使倒角磨石40、42沿Y軸方向移動至加工開始位置所需之距離即加工修正值。並且，於端面11、12之加工前，藉由使倒角磨石40、42沿Y軸方向僅移動加工修正值，可將倒角磨石40、42設定於加工開始位置。藉此，玻璃基板端面加工裝置100藉由使倒角磨石40、42自加工開始位置移動至加工結束位置，可精度較佳地對玻璃基板10之端面11、12進行加工。

其次，一面參照圖6及圖7，一面對以下步驟進行具體說明：玻璃基板端面加工裝置100藉由使倒角磨石40沿Y軸方向僅移動加工修正值D，將倒角磨石40之第3點P3設定於作為加工開始位置之第5點P5。

圖6係表示玻璃基板10之端面11相對於零基準線ZL順時針地僅傾斜角度θ之例之圖。於該情形時，作為端面11之加工開始位置之第5點P5較位置修正前之倒角磨石40之第3點P3朝向Y軸之正方向僅相隔加工修正值D。因此，位置修正前之倒角磨石40由於無法與端面11接觸，因此無法對端面11進行倒角。然而，藉由使倒角磨石40之Y軸方向之位置朝向Y軸之正方向僅移動加工修正值D，倒角磨石40可接觸至作為加工開始位置之第5點P5。藉此，玻璃基板10之端面11可藉由倒角磨石40確實地研磨。

另一方面，圖7係表示玻璃基板10之端面11相對於零基準線ZL逆時針地僅傾斜角度θ之例之圖。於該情形時，作為端面11之加工開始位置之第5點P5較位置修正前之倒角磨石40之第3點P3朝向Y軸之負方向僅相隔加工修正值D。因此，位置修正前之倒角磨石40存在超出必要地磨削端面11，而使玻璃基板10破損之虞。然而，藉由使倒角磨石40之Y軸方向之位置向Y軸之負方向僅移動加工修正值D，倒角磨石40可接觸至作為加工開始位置之第5點P5。藉此，玻璃基板10之端面11可藉由倒角磨石40適當地研磨。

(4-3)

於本實施形態之玻璃基板端面加工裝置100中，磨削玻璃基板10之端面11、12之倒角磨石40、42例如為金剛石磨輪、及樹脂結合研磨輪，尤佳為樹脂結合研磨輪。樹脂結合研磨輪係對於如端面加工步驟S5之玻璃基板10之半精加工尤其有效。

樹脂結合研磨輪可有效地去除玻璃基板10之脆性破壞層及加工變質層。並且，玻璃基板端面加工裝置100為了去除玻璃基板10之脆性破壞層及加工變質層，並且使之不會重新生成，而正確地算出玻璃基板10之端面11、12之加工開始位置及加工結束位置，從而可抑制倒角磨石40、42之磨削量及磨削壓力。

(5)變化例

以上，對本發明之玻璃基板之製造方法進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，亦可於不脫離本發明之主旨之範圍內，施加各種改良及變更。

於本實施形態中，倒角磨石40、42例如為金剛石磨輪、及樹脂結合研磨輪。然而，倒角磨石亦可為如圖8所示般具有如下構成之倒角磨石140：具有共用之旋轉軸150之金剛石磨輪140a及樹脂結合研磨輪140b沿旋轉軸方向連結之兩段構成。

於本變化例中，倒角磨石140進行玻璃基板10之端面11、12之磨削加工之端面加工步驟包括：第1磨削步驟，其係使用以第1結合劑將研磨粒凝固而成之第1磨削輪磨削玻璃基板10之端面11、12；第2磨削步驟，其係於第1磨削步驟之後，使用以硬度及剛性低於第1結合材之第2結合劑將研磨粒凝固而成之第2磨削輪磨削玻璃基板10之端面11、12。再者，玻璃基板10之端面11、12係以JIS B 0601-1994所規定之算術平均粗糙度Ra成為未達0.2μm、較佳為未達0.1μm之方式，進行端面加工。

於藉由圖8所示之兩段構成之倒角磨石140之端面加工步驟中，首先，進行使用金剛石磨輪140a自一端向另一端對玻璃基板10之端面11、12進行加工之第1磨削步驟，其次，進行變更倒角磨石140之高度位置，並使用樹脂結合研磨輪140b自另一端向一端對玻璃基板10之端面11、12進行加工之第2磨削步驟。

於本變化例中，根據所算出之加工修正值D，可於藉由金剛石磨輪140a之玻璃基板10之端面11、12之加工步驟中，使因加工而產生之對端面11、12之負荷變小，並減少加工變質層之形成。又，根據基於加工修正值D算出之被加工之玻璃基板10之端面11、12之位置資訊，可使用樹脂結合研磨輪140b，進而進行玻璃基板10之端面11、12之加工。

於本變化例中，可使玻璃基板10之端面11、12之形狀加工後的加工變質層之深度之偏差變小。即，藉由預先算出因金剛石磨輪140a而形成之加工變質層之深度，可根據應去除之加工變質層之深度，決定樹脂結合研磨輪140b之加工線。因此，藉由使用兩段構成之倒角磨石140，可以最小限度之加工量，將因形狀加工而產生之加工變質層去除。