TW201414013A - 發光二極體及其製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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Abstract
一種發光二極體,包括基板、貼設於該基板上的電極組、設置於該基板上的並與電極組電性連接的發光二極體晶片,該電極組包括相互隔開的第一電極及第二電極,第一電極及第二電極均從基板的上表面經由側面延伸至下表面。
Description
本發明涉及一種發光二極體及其製造方法。
LED(發光二極體,Light-emitting diode)產業是近幾年最受矚目的產業之一,發展至今,LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命週期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點,因此被認為是新世代綠色節能照明的最佳光源。一般的發光二極體由於其只有底面具有電極,故只能從底面安裝發光二極體,導致安裝後的發光二極體只有從頂面出光,無法適應不同發光需求。
有鑒於此,有必要提供一種可適應多種出光需求的發光二極體及其製造方法。
一種發光二極體製造方法,其包括如下步驟:提供一形成有多個電極組的基板,基板開設多個通孔,每相鄰二通孔之間定義出一區域,每一區域內形成一電極組,每一電極組包括第一電極及與第一電極隔開的第二電極,第一電極及第二電極均從基板的上表面經由通孔延伸至基板的下表面;在每一區域內形成一反射杯,每一反射杯覆蓋相應區域內的部分第一電極及第二電極而使第一電極及第二電極靠近通孔的端部外露;設置發光二極體晶片於各反射杯內,並與相應的電極組電性連接;設置封裝層覆蓋該發光二極體晶片;沿著相鄰區域的邊界或靠近邊界的位置處切割基板,形成多個獨立的發光二極體。
一種發光二極體,包括基板、貼設於該基板上的電極組、設置於該基板上的並與電極組電性連接的發光二極體晶片,該電極組包括相互隔開的第一電極及第二電極,第一電極及第二電極均從基板的上表面經由側面延伸至下表面。
由於該發光二極體的第一電極、第二電極延伸至其上表面、下表面以及側面,則該發光二極體可通過其上表面、下表面以及側面與外界電源達成電性連接。也即是,安裝該發光二極體的安裝靈活度得到提高,可以頂發光或側發光的方式進行安裝。
下面結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。
請參閱圖1-13,本發明發光二極體100的製造方法主要包括如下各步驟:
步驟一:如圖1所示,提供一基板10。該基板10由氧化鋁或含氧化鋁的陶瓷材料製成。該基板10呈一長方板型狀,其具有相互平行的上下二表面。
步驟二:如圖2-3所示,於基板10上開設多個貫穿其上下表面的通孔11。該多個通孔11分別分佈於該基板10的周邊位置及中部位置,並且等距分佈。每四相鄰的通孔11共同將該基板10分成多個相同的區域200。在本實施例中,該多個通孔11的橫截面為矩形。該基板10的中部開設有三個通孔11,並且該三個通孔11的孔徑小於相鄰二通孔11的距離。
步驟三:如圖4-5所示,形成多個電極組20於該基板10的上下表面及通孔11內。每一電極組20包括第一電極21以及第二電極22。第一電極21與第二電極22相隔設置。每一區域200具有一個電極組20。其中就任意一個區域200而言,該第一電極21覆蓋基板10的該區域200的超過一半的上表面以及超過一半的下表面。並且該第一電極21還覆蓋定義出該區域200的四相鄰通孔11的部分內周面(也即是該區域200的側面),由此,第一電極21從基板10該區域200的上表面經由通孔11延伸至下表面。該第二電極22覆蓋該區域200的另外的少於一半的上表面以及另外的少於一半的下表面,並且於該上下表面與該第一電極21相隔設置。該第二電極22與該第一電極21相似,也均覆蓋定義該區域200的四通孔11的的部分內周面。
形成該電極組20可利用直接鍍銅基板法(Direct Plate Chopper, DPC)。此外,電極組20也可與基板10同時通過低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC)或高溫共燒陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramic, HTCC)等方法形成。優選地,該電極組20是通過直接鍍銅基板法(DPC)形成的。利用此方法的高精度,可滿足微型化產品的製作。
步驟四:如圖6-7所示,形成反射層30於基板10上。基板10的每一區域200對應一反射層30。該反射層30是以環氧樹脂(EMC)成型技術形成於該基板10的上表面。每一反射層30形成一反射杯31。該反射杯31底部外露有部分第一電極21以及部分第二電極22。由於反射層30的環氧樹脂材料與基板10的陶瓷材料的良好結合,故增強了反射層30與基板10之間的機械強度以及密合度。
步驟五:如圖8-9所示,在反射杯31內設置發光二極體晶片40,並與反射杯31內的部分第一電極21以及部分第二電極22達成電性連接。在本實施例中,該發光二極體晶片40是以導線41與該部分第一電極21及部分第二電極22實現電性連接。
步驟六:如圖10-11所示,形成封裝層50覆蓋該發光二極體晶片40。每一反射杯31內均對應一封裝層50,並且該封裝層50填滿該反射杯31。該封裝層50內可包含螢光粉。
步驟七:如圖12-13所示,切割該基板10,分離各個部分形成多個元件。
可以理解地,該基板10也可以只包括步驟二中的其中一個區域200,則基板10可以直接利用步驟三的步驟形成電極層20。同時,也可以減少步驟七中的切割工序。
請再參閱圖14,示出了通過上述方法製造的發光二極體100的示意圖。該發光二極體100包括基板10,彼此絕緣的第一電極21、第二電極22,反射層30,發光二極體晶片40以及封裝層50。該基板10呈四個角落分別具有一方形缺口的矩形板體狀。該第一電極21與該第二電極22分別從該基板10的上表面對應地經過該基板10的四個方形缺口延伸至基板10的下表面。也即是該基板10位於四個角落的方形缺口處的側面對應被該第一電極21、第二電極22覆蓋。該反射層30設置於該基板10的上表面,並形成一反射杯31。該發光二極體晶片40設置於該反射杯31內。該封裝層50覆蓋該發光二極體晶片40並填滿該反射杯31。本實施例中的發光二極體100還包括導線41。該發光二極體晶片40通過該導線41與該第一電極21、第二電極22實現電性連接。
由於該發光二極體100的第一電極21、第二電極22延伸至其上表面、下表面以及側面,則該發光二極體100可通過其上表面、下表面以及側面與外界電源達成電性連接。也即是,安裝該發光二極體100的安裝靈活度得到提高,可以頂發光或側發光的方式進行安裝。
10...基板
11...通孔
20...電極組
21...第一電極
22...第二電極
30...反射層
31...反射杯
40...發光二極體晶片
41...導線
50...封裝層
100...發光二極體
200...區域
圖1是本發明的發光二極體製造方法的步驟一的剖視示意圖。
圖2是本發明的發光二極體製造方法的步驟二的剖視示意圖。
圖3是本發明的發光二極體製造方法的步驟二的俯視示意圖。
圖4是本發明的發光二極體製造方法的步驟三的剖視示意圖。
圖5是本發明的發光二極體製造方法的步驟三的俯視示意圖。
圖6是本發明的發光二極體製造方法的步驟四的剖視示意圖。
圖7是本發明的發光二極體製造方法的步驟四的俯視示意圖。
圖8是本發明的發光二極體製造方法的步驟五的剖視示意圖。
圖9是本發明的發光二極體製造方法的步驟五的俯視示意圖。
圖10是本發明的發光二極體製造方法的步驟六的剖視示意圖。
圖11是本發明的發光二極體製造方法的步驟六的俯視示意圖。
圖12是本發明的發光二極體製造方法的步驟七的剖視示意圖。
圖13是本發明的發光二極體製造方法的步驟七的俯視示意圖。
圖14是本發明圖1至圖13所示方法製造得出的發光二極體的示意圖。
10...基板
11...通孔
21...第一電極
22...第二電極
Claims (10)
- 一種發光二極體製造方法,其包括如下步驟:
提供一形成有多個電極組的基板,基板開設多個通孔,每相鄰二通孔之間定義出一區域,每一區域內形成一電極組,每一電極組包括第一電極及與第一電極隔開的第二電極,第一電極及第二電極均從基板的上表面經由通孔延伸至基板的下表面;
在每一區域內形成一反射杯,每一反射杯覆蓋相應區域內的部分第一電極及第二電極而使第一電極及第二電極靠近通孔的端部外露;
設置發光二極體晶片於各反射杯內,並與相應的電極組電性連接;
設置封裝層覆蓋該發光二極體晶片;
沿著相鄰區域的邊界或靠近邊界的位置處切割基板,形成多個獨立的發光二極體。 - 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體製造方法,其中:該電極組通過直接鍍銅基板法形成於基板上。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體製造方法,其中:該基板由氧化鋁或含氧化鋁的陶瓷材料製成。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體製造方法,其中:該基板與電極組通過共燒陶瓷共同形成。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體製造方法,其中:每一通孔為矩形,通孔的孔徑小於相鄰二通孔的距離。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體製造方法,其中:該反射杯是以環氧樹脂成型技術形成於該基板上。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體製造方法,其中:基板是沿著每一區域的第一電極及第二電極靠近通孔的外端進行切割的。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體製造方法,其中:每一區域是由每二相鄰的通孔的中線定義出的。
- 一種發光二極體,包括基板、貼設於該基板上的電極組、設置於該基板上的並與電極組電性連接的發光二極體晶片,其改良在於:該電極組包括相互隔開的第一電極及第二電極,第一電極及第二電極均從基板的上表面經由側面延伸至下表面。
- 如申請專利範圍第9項所述的發光二極體,其中:該基板的四角處分別形成缺口,第一電極及第二電極均經由相應的缺口延伸至基板的下表面,該基板位於缺口處的側面對應被該第一電極、第二電極覆蓋。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210369004.8A CN103700747B (zh) | 2012-09-27 | 2012-09-27 | 发光二极管及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201414013A true TW201414013A (zh) | 2014-04-01 |
TWI479700B TWI479700B (zh) | 2015-04-01 |
Family
ID=50338004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101137555A TWI479700B (zh) | 2012-09-27 | 2012-10-11 | 發光二極體及其製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140084326A1 (zh) |
CN (1) | CN103700747B (zh) |
TW (1) | TWI479700B (zh) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6345903B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-02-12 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same |
US20080043444A1 (en) * | 2004-04-27 | 2008-02-21 | Kyocera Corporation | Wiring Board for Light-Emitting Element |
JP4600668B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-12-15 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置 |
JP5013596B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2012-08-29 | シチズン電子株式会社 | 裏面実装型led |
CN101685783B (zh) * | 2008-09-22 | 2012-06-13 | 探微科技股份有限公司 | 发光二极管芯片封装结构及其制作方法 |
US20100237379A1 (en) * | 2009-03-19 | 2010-09-23 | Wu-Cheng Kuo | Light emitting device |
JP4686643B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置 |
CN102347433A (zh) * | 2010-07-29 | 2012-02-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
-
2012
- 2012-09-27 CN CN201210369004.8A patent/CN103700747B/zh active Active
- 2012-10-11 TW TW101137555A patent/TWI479700B/zh active
-
2013
- 2013-07-23 US US13/948,197 patent/US20140084326A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140084326A1 (en) | 2014-03-27 |
CN103700747B (zh) | 2017-08-22 |
TWI479700B (zh) | 2015-04-01 |
CN103700747A (zh) | 2014-04-02 |
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