TW201406990A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Hitoshi Kato
Katsuyuki Hishiya
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Abstract

本發明之基板處理裝置係包含：真空容器；迴轉台，係設置於該真空容器內，可載置圓形基板並進行迴轉，其表面設置有直徑較該基板更大的圓形凹部，該凹部內設置有直徑較該凹部及該基板更小且位在較該凹部底部更高位置處的圓形基板載置部，該基板載置部中心相對於該凹部中心朝該迴轉台之外周緣部側偏心；處理氣體供給部，係用以對該基板供給處理氣體；以及真空排氣機構，係用以將該真空容器內進行真空排氣。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板使用處理氣體進行處理的基板處理裝置。
於半導體晶圓等基板(以下稱為「晶圓」)進行例如二氧化矽膜(SiO2)等薄膜成膜之方法，已知有例如專利文獻1中使用所記載之裝置的Atomic Layer Deposition(ALD)法。在該裝置中，於迴轉台上將5個晶圓沿圓周方向排列，並將複數個氣體噴嘴配置於該迴轉台之上方側，對迴轉之各個晶圓依序供給會相互產生反應的複數種類反應氣體。於迴轉台上，配置有能陷入各個晶圓而加以保持用的凹部。為了使凹部在載置晶圓時，於晶圓外緣處設置有間距而拆裝自如地保持晶圓，凹部係較晶圓稍大(以俯視觀察時)。
專利文獻2中，記載有為防止晶圓與晶圓基台之間產生磨擦，而使晶圓基台之晶圓載置面外周緣較接觸晶圓載置面的半導體晶圓內面之外周緣更位於內側來形成。
專利文獻1：日本專利特開第2010-239102號。
專利文獻2：日本專利特開第2009-253115號。
本發明有鑑於該問題，其目的為提供一種基板處理裝置，於基板處理裝置中使用處理氣體對基板進行處理之際，可抑制生產量降低，又確保面內的處理均勻性，且抑制微粒附著於基板。
根據本發明之第1態樣，基板處理裝置，係包含：真空容器；迴轉台，係設置於該真空容器內，可載置圓形基板並進行迴轉，其表面設置有直徑較該基板更大的圓形凹部，該凹部內設置有直徑較該凹部及該基 板更小且位在較該凹部底部更高位置處的圓形基板載置部，該基板載置部中心相對於該凹部中心朝該迴轉台之外周緣部側偏心；處理氣體供給部，係用以對該基板供給處理氣體；以及真空排氣機構，係用以將該真空容器內進行真空排氣。
1‧‧‧真空容器
2‧‧‧迴轉台
4‧‧‧凸狀部
5‧‧‧突出部
7‧‧‧加熱單元
7a‧‧‧覆蓋組件
11‧‧‧頂板
11a‧‧‧密封組件
12‧‧‧容器本體
12a‧‧‧突出部
13‧‧‧密封組件
14‧‧‧底面部
15‧‧‧搬送口
20‧‧‧殼體
21‧‧‧芯部
22‧‧‧迴轉軸
23‧‧‧驅動部
24‧‧‧凹部
24a‧‧‧貫通孔
25‧‧‧載置台
26‧‧‧溝槽
31‧‧‧第1處理氣體噴嘴
32‧‧‧第2處理氣體噴嘴
34‧‧‧電漿產生用氣體噴嘴
41、42‧‧‧分離氣體噴嘴
51‧‧‧分離氣體供給管
61‧‧‧第1排氣口
62‧‧‧第2排氣口
63‧‧‧排氣管
64‧‧‧真空幫浦
65‧‧‧壓力調整部
71a‧‧‧蓋組件
72、73‧‧‧沖洗氣體供給管
80‧‧‧電漿產生部
83‧‧‧天線
84‧‧‧匹配器
85‧‧‧高頻電源
86‧‧‧連接電極
90‧‧‧基座
91‧‧‧抵壓組件
92‧‧‧突起部
94‧‧‧絕緣板
95‧‧‧法拉第屏蔽
97‧‧‧細縫
100‧‧‧側環
101‧‧‧氣體流路
111‧‧‧第1壁部
112‧‧‧第2壁部
120‧‧‧控制部
121‧‧‧記憶部
A‧‧‧箭頭
C‧‧‧中心部區域
cl‧‧‧間距
D1‧‧‧分離區域
D2‧‧‧分離區域
G‧‧‧閘閥
L1‧‧‧寬度尺寸
L2‧‧‧寬度尺寸
O‧‧‧外周緣部側
O1‧‧‧凹部的中心位置
O2‧‧‧載置台的中心位置
P1‧‧‧第1處理區域
P2‧‧‧第2處理區域
R‧‧‧凹部之直徑
r‧‧‧晶圓之直徑
tc1、tc2‧‧‧突出量
tO1、tO2‧‧‧突出量
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示本實施形態之基板處理裝置一例的縱剖面。
圖2係圖1所示之基板處理裝置的橫剖俯視圖。
圖3係圖1所示之基板處理裝置的橫剖俯視圖。
圖4係顯示圖1所示之基板處理裝置之內部一部份的立體圖。
圖5係顯示圖1所示之基板處理裝置之內部一部份的縱剖面圖。
圖6係顯示圖1所示之基板處理裝置之迴轉台一部份的俯視圖。
圖7係顯示迴轉台之問題點的縱剖面圖。
圖8係顯示迴轉台之問題點的縱剖面圖。
圖9係顯示迴轉台之問題點的縱剖面圖。
圖10係顯示迴轉台之問題點的縱剖面圖。
圖11係顯示迴轉台之問題點的縱剖面圖。
圖12係顯示迴轉台之問題點的立體圖。
圖13係顯示本實施形態之迴轉台之作用的縱剖面圖。
圖14係顯示本實施形態之迴轉台之作用的縱剖面圖。
圖15係顯示本實施形態之迴轉台之作用的俯視圖。
圖16係顯示本實施形態之迴轉台之作用的縱剖面圖。
圖17係顯示本實施形態之迴轉台之作用的縱剖面圖。
圖18係顯示本實施形態之迴轉台之作用的縱剖面圖。
圖19係顯示本實施形態之基板處理裝置之其它例一部份的縱剖面圖。
圖20係顯示本實施形態之基板處理裝置之其它例一部份的縱剖面圖。
圖21係顯示本實施形態之基板處理裝置之其它例一部份的俯視圖。
圖22係顯示本實施形態之基板處理裝置之其它例一部份的橫剖俯視圖。
圖23係顯示於本實施形態之實施例中所獲得之特性的特性圖。
圖24係顯示於比較例中所獲得之特性的特性圖。
圖25係顯示於比較例中所獲得之特性的特性圖。
圖26係顯示於實施例及比較例中所獲得之特性的特性圖。
以下，參考添附之圖式，說明本發明之非限定例示的實施形態。添附之整體圖式中，相同或對應之組件或者部件係賦予相同或對應之元件參考符號，並省略其重複說明。又，圖式並非以顯示組件或部件間之相對比例作為目的，因此，具體之尺寸應參照以下非限定之實施形態而由業者所決定。
首先，說明習知基板處理裝置之問題點。
於上述專利文獻1中所記載之基板處理裝置中，對複數個晶圓依序進行處理時，係例如將迴轉台維持在某個溫度(成膜溫度)，對5個晶圓進行成膜處理之後，將前述晶圓取出，隨後將後續未處理之5個晶圓載置於迴轉台並開始進行處理。因此，在未處理之晶圓例如為常溫的情況中，載置於迴轉台之各個晶圓，初期於面內會產生溫度偏差，其後逐漸朝成膜溫度呈均熱化(加熱)。又，亦會有預先對未處理之晶圓施以例如與成膜處理為不同之熱處理之情況，此情況中，額外設置冷卻用之裝置或時間，將連帶造成生產量降低或成本上升。是以，有時於載置到迴轉台的搬送路徑上，例如經由周圍氣氛或組件以自然放熱使晶圓降溫，其後以某個溫度載置於迴轉台。此時，晶圓之外端部側較中央部側更容易接觸到周圍氣氛。又，晶圓內面側之一部份係由較該晶圓更低溫之夾取器(臂)所支撐。因此，關於預先施有熱處理之晶圓，將其載置於迴轉台時，面內已產生溫度偏差，其後再藉由來自迴轉台之傳入熱量而逐漸呈均熱化。
此處，於晶圓面內產生溫度偏差時，會有晶圓向上翹曲呈凸起(山峰狀)的情況。當晶圓如此翹曲時，外端緣係與迴轉台接觸，使該晶圓之中央部成為從迴轉台處浮起的狀態。接著，隨著翹曲之晶圓藉由迴轉台逐漸均熱化而逐漸變得平坦。此時，當晶圓平坦化時，由於該晶圓外端緣會相對迴轉台表面一邊磨擦而朝外緣側延展，晶圓邊緣(外端緣)或迴轉台表層將會被切削而產生微粒。例如當晶圓沿水平完全攤平時，該微粒恐繞過該晶圓外端緣側而附著於晶圓表面。又，當晶圓翹曲呈山峰狀之 情況下迴轉該迴轉台時，因該迴轉台之離心力會使晶圓往該迴轉台外緣側移動相當於前述間距之距離，故同樣將產生微粒。
另一方面，直到前述常溫晶圓或預先施有熱處理之晶圓的面內整體溫度達一致之前，即直到其呈平坦狀態之前，使其例如待機於迴轉台上方側稍微分離之位置之情況，晶圓待機所耗時間將使生產量降低。又，即使是平坦之晶圓，因離心力而移動時，晶圓內面與迴轉台表面仍會磨擦而產生微粒。
是以，於本實施形態中，關於基板處理裝置，如後詳述般，即使是針對例如呈山峰狀(向上凸起)翹曲之晶圓W進行成膜處理的情況中，可抑制生產量之降低，且可確保面內的成膜處理之均勻性，抑制微粒附著於晶圓W。
參考圖1~圖6說明本實施形態之基板處理裝置一例。如圖1~圖4所示，該基板處理裝置，具備有：真空容器1，平面形狀呈略圓形；以及迴轉台2，係設置於真空容器1內，於真空容器1中心處具有迴轉中心並由例如石英所構成。構成上係作為對晶圓W進行成膜處理的成膜裝置。
以下說明基板處理裝置之各部。
真空容器1係具備頂板11及容器本體12，係頂板11可從容器本體12拆裝之結構。頂板11上表面側之中央部處，連接有作為分離氣體之氮(N2)氣供給用的分離氣體供給管51，用以抑制真空容器1內中心部區域C處相異的處理氣體相互混合。再者，真空容器1處，沿容器本體12上側面之周緣部呈環狀設置有例如O型環之密封組件13。
如圖1所示，真空容器1之底面部14上方側處，設置有加熱機構之加熱單元7，經由迴轉台2將迴轉台2上之晶圓W加熱至成膜溫度(例如300℃)。真空容器1處設置有：設置於加熱單元7側方側的蓋組件71a，以及覆蓋加熱單元7上方側的覆蓋組件7a。又，於底面部14處，在加熱單元7下方側，沿圓周方向之複數個位置處設置有沖洗加熱單元7之配置空間用的沖洗氣體供給管73。
迴轉台2係以中心部固定於略圓筒狀的芯部21，藉由連接至該芯部21下側面並沿鉛直方向延伸之迴轉軸22，而能繞垂直軸(本例係繞順時針)自由迴轉之結構。真空容器1處設置有：使迴轉軸22繞垂直軸 進行迴轉的驅動部(迴轉機構)23，以及收納迴轉軸22及驅動部23的殼體20。殼體20將上表面側之法蘭部份氣密性地安裝於真空容器1之底面部14的下側面。又，殼體20連接有將作為沖洗氣體之氮氣供給至迴轉台2下方區域用的沖洗氣體供給管72。於真空容器1之底面部14處，芯部21之外周側從下方側接近迴轉台2般形成有呈環狀的突出部12a。
如圖2~圖3所示，於迴轉台2之表面部處，設置有作為基板載置區域的圓形凹部24，以讓圓盤狀(圓形)之矽所構成的晶圓W陷入而加以保持。凹部24係沿著該迴轉台2迴轉方向(圓周方向)上形成於複數個位置處(例如5處)。各凹部24係形成為直徑較晶圓W更大(以俯視觀察時)，用以在其與晶圓W外緣之間處形成有間隙區域(間距)。如圖4所示，於凹部24底部處，設置有可讓從下方側突出以昇降晶圓W用之例如3個昇降銷(圖中未顯示)做突出沒入的貫通孔24a。另外，於圖2及圖3中，凹部24之直徑尺寸係僅示意性地進行繪製，又，除圖4外係省略記載貫通孔24a。
於本實施形態中，如圖4~圖6所示，於各凹部24之底面處，從下方側支撐晶圓W之中央部用的載置台25(基板載置部)，係設置成凸設部。各載置台25係扁平圓筒狀之結構，且頂部表面係形成為水平面。前述載置台25為了使得晶圓W之周緣部沿圓周方向會從凹部24之底面浮起、即晶圓W之周緣部不會接觸到載置台25(超出載置台25)，係形成為較晶圓W更小的圓形(以俯視圖觀察時)。因此，凹部24內壁面與載置台25外壁面之間處形成有環狀之溝槽26。換言之，當晶圓W載置於載置台25上時，載置台25係使該晶圓W之外端緣(周緣部)內面沿著圓周方向而面向凹部24之底面(溝槽26)來形成。
如圖6所示，於本實施形態中，以俯視觀察時，載置台25係相對凹部24而朝迴轉台2之外周緣部側O偏心般配置。具體而言，以俯視觀察時，若以凹部24之中心位置為O1、以載置台25之中心位置為O2，則載置台25之中心位置O2可相對凹部24之中心位置O1朝迴轉台2之外周緣部側O分隔例如距離d1。因此，如圖6所示，此例中，中心位置O1及O2係於迴轉台2之半徑方向上相互分離般，排列於沿該半徑方向延伸之直線10上。
關於凹部24處之溝槽26沿(以俯視圖觀察時)直線10上之寬度尺寸(凹部24內壁面與載置台25外壁面之間的尺寸)，迴轉台2之中央部側C處之寬度尺寸L1係較外周緣部側O之寬度尺寸L2更大。具體而言，迴轉台2之迴轉方向上之寬度尺寸L係前述寬度尺寸L1與寬度尺寸L2之間的尺寸，隨著從中央部側C朝外周緣部側O而逐漸變小。所以寬度尺寸L可為沿圓周方向上的L2~L1之長度。
圖5係圖6之剖面圖，顯示因迴轉台2之離心力使晶圓W之外端緣以點E2接觸到凹部24之內周面的狀態。
此處，迴轉台2之直徑尺寸可例如約1000mm，晶圓W之直徑尺寸r可例如為300mm。於此結構中，凹部24之直徑尺寸R可例如為302mm。
作為一例，例如寬度尺寸L1及寬度尺寸L2可各自為3mm及2mm。該情況中，載置台25之直徑尺寸d可為302-(3+2)=297mm。又，此時，圖6之載置台25的中心位置O2與凹部24的中心位置O1之間的距離d1可為0.5mm。
於此結構中，在例如迴轉台2不進行迴轉時，將晶圓W配置於凹部24內之載置台25上，晶圓W周圍與凹部24內壁之間的間距cl係繞晶圓W周圍整體皆為1mm的狀態下，關於晶圓W外端緣從載置台25上端緣突出的長度尺寸(突出量)t，中央部側C處的tc1=約2mm，外周緣部側O處的tO1=約1mm。
另一方面，因迴轉台2之離心力使晶圓W之外端緣以點E2接觸凹部24之內周面時，關於晶圓W之外端緣從載置台25之上端緣突出的長度尺寸(突出量)t，中央部側C處的tc2=約1mm，外周緣部側O處的tO2=約2mm。於本實施形態中，藉由載置台25相對凹部24呈偏心之結構，迴轉該迴轉台2時的突出量可為1mm~2mm之範圍。該結構係於以下詳述。另外，圖6等圖中，寬度尺寸L係誇大繪製。又，載置台25之高度尺寸h係約0.03mm~0.2mm，此例中可為0.03mm。載置台25之高度尺寸h係設定為：當晶圓W載置於載置台25上時，使該晶圓W表面與迴轉台2表面呈等高，換言之係設定為晶圓W之下側面較迴轉台2表面更低。
首先，參考圖7至圖9說明當不設置載置台25，將晶圓W直接載置於凹部24之底面的情況。如以上詳述，在載置於迴轉台2前之未處理晶圓W為常溫的情況中，將晶圓W載置於迴轉台2時，面內會產生溫度偏差，其後朝成膜溫度進行升溫而溫度偏差變小。另一方面，在基板處理裝置之外的其它熱處理裝置已對晶圓W進行其它熱處理的情況中，於朝該基板處理裝置之搬送途中，晶圓W會自然放熱，此時晶圓W面內之降溫速度會呈不均勻。因此，在對晶圓W已預先熱處理的情況中，載置於迴轉台2時，晶圓W已產生溫度偏差，其後藉由來自迴轉台2之傳入熱量，而逐漸使溫度偏差變小。
因此，關於未處理之晶圓W，不論是在常溫的情況，或已進行熱處理的情況，載置於迴轉台2時，面內會產生溫度偏差。此時，由於晶圓W之溫度偏差，會發生該晶圓W呈山峰狀(向上凸起)翹曲的情況，當該晶圓W呈山峰狀翹曲時，晶圓W之中央部會從迴轉台2表面分離，且外端緣處與迴轉台2接觸。接著，如圖7所示，當前述山峰狀翹曲之晶圓W直接載置於凹部24之底面，隨著晶圓W之均熱化而使該晶圓W逐漸平坦延伸時，晶圓W之外端緣與迴轉台2之表面(詳細而言係凹部24之底面)係相互磨擦，而產生微粒。如圖8所示，例如當晶圓沿水平完全攤平時，該微粒會繞過該晶圓W之外端緣側而附著於晶圓W表面。因此，為了能使晶圓W表面處的微粒附著數量越少越好，故將晶圓W直接載置於凹部24之底面並非較佳態樣。
另一方面，如圖9所示，高度尺寸係指將例如約30μm或者150μm的銷狀突起部27設置於凹部24之底面的複數個位置處，在經由前述突起部27使晶圓W以可說是浮起之狀態般支撐的情況中，晶圓W之外端緣離凹部24之底面朝上方側分離。因此，即使是晶圓W呈山峰狀翹曲的情況，由於可抑制前述微粒之產生，亦可抑制微粒附著於晶圓W表面。然而，在此一使晶圓W浮起並支撐的情況中，如後述實施例所示，面內之處理(例如薄膜之膜厚)將變得不均勻。即，由於例如供給至晶圓W外周緣部的處理氣體之一部份會繞到晶圓W之內面側，使該外周緣部的處理氣體之供給量較中央部更少，處理效果於面內將產生差異。又，接觸到突起部27之部位，於相鄰之突起部27間從凹部24底面浮起的部位處，因晶圓 W之加熱溫度略有差異，使得晶圓W之面內的處理效果將產生差異。另外，在處理氣體係成膜氣體(吸附氣體)的情況中，該處理氣體繞到晶圓W之內面側的部份將使得微粒將附著於該內面側。因此，在使晶圓W以可說是浮起之狀態而支撐的情況中，雖可抑制微粒附著於晶圓W表面側，但關於處理之均勻性及內面微粒的問題，並非較佳態樣。
另一方面，於本實施形態中，藉由將前述載置台25設置於凹部24之底面，使晶圓W之外端緣不接觸到凹部24之底面，此外亦可抑制處理氣體繞入晶圓W之內面側，因此晶圓W表面側之微粒、晶圓W內面側之微粒及處理之均勻性均可獲得良好結果。即，以載置台25支撐晶圓W的情況中，可獲得將晶圓W直接載置於凹部24之底面的情況(圖7或圖8)、以及使晶圓W以從凹部24之底面浮起之狀態所支撐的情況(圖9)這兩者之優點。
然而，使凹部24形成為較晶圓W大一圈，且晶圓W於處理中係藉由迴轉台2而迴轉。因此，因迴轉台2之離心力，處理中之晶圓W會於凹部24內朝靠近該迴轉台2之外周緣部側的位置移動達晶圓W外緣與凹部24內緣之間的間距量。因此，僅將載置台25設置於凹部24中央，即在先前技術段落所述之專利文獻2的技術中，晶圓W表面側之微粒或者處理之均勻性並沒有獲得良好結果。
以下，說明將載置台25設置於凹部24中央的結構。
例如，將載置台25配置於凹部24中央的情況(將參考圖5及圖6且說明之寬度尺寸L1、L2均設定為2.5mm的情況)中，藉由迴轉台2之離心力使晶圓W在凹部24內移動至該迴轉台2之外周緣部側O時，如圖10所示，迴轉台之中央側C處，從載置台25上端緣算起之晶圓W外端緣的突出量t’c例如約0.5mm，係較外周側(t’O=2.5mm)更小。因此，迴轉台2之中央部側C處，於晶圓W內面側產生有微粒的情況中，該微粒恐繞過晶圓W之外端緣側而附著於晶圓W表面側。
另一方面，如圖11所示，因迴轉台2之離心力使晶圓W朝該迴轉台2之外周緣部側偏移時，為確保迴轉台2之中央部側有例如約1mm左右之充份突出量t’c，例如縮短載置台25之直徑尺寸d的情況中，可抑制該中央部側C微粒繞入晶圓W表面側。具體而言，將直徑尺寸d設定為例 如296mm，並將寬度尺寸L1、L2均設定為3.0mm的情況中，藉由迴轉台2之離心力使晶圓W於凹部24內朝該迴轉台2之外周緣部側O移動時的中央部側及外周緣部側之突出量t’c及t’O分別成為1mm及3mm。該情況中，由於迴轉台2之外周緣部側處的突出量t’O變得過大，於晶圓W之外端緣的下方側處形成寬闊空間S，故亦如圖12所示，處理氣體將繞入該空間S。因此，不但晶圓W之面內的處理效果不均勻，且微粒將容易附著於該外端緣之內面側。換言之，於晶圓W之內面側形成此寬闊空間S時，該內面側係如前述圖9般由突起部27所支撐時產生相同的性質劣化狀況。
是以，於本實施形態中，參考圖5及圖6等並如上所述，載置台25係相對凹部24而形成在朝迴轉台2之外周緣部側偏心的位置。以下說明載置台25的形成方法之一例。
例如，如圖5所示，因迴轉台2之離心力使晶圓W之外端緣以點E2接觸到凹部24之內周面的狀態中，將晶圓W之外周緣部側O外端緣的突出量設定為指定範圍內之尺寸tO2時，於外周緣部側O，關於載置台25之外周端，係於迴轉台2外周緣部側形成於相對迴轉台2之中央部側C離開相當於從凹部24內緣算起之突出量tO2的位置處。換言之，圖5中之寬度尺寸L2=tO2。又，於中央部側C，關於載置台25之外周端係設定在離開外周緣部側O之距離為從迴轉台2之中央部側C的凹部24內緣起突出比突出量tc2多出相當於凹部24之直徑R與晶圓W之直徑r的差值(2cl)的位置。換言之，圖5中寬度尺寸L1=tc2+2cl。載置台25可形成為圓形。藉由此結構，如圖6所示，載置台25之中心位置O2與凹部24之中心位置O1係於迴轉台2半徑方向上相互分離而並排般設置。換言之，載置台25之中心位置O2係於迴轉台2半徑方向上，相對凹部24之中心位置O1而朝迴轉台2之外周緣部側偏心的位置(偏移位置)處形成。
該例中，因迴轉台2之離心力使晶圓W之外端緣以點E2接觸到凹部24之內周面的狀態中，迴轉台2之中央部側C及外周緣部側O的突出量tc2及tO2各自設定為1mm及2mm，所以載置台25之直徑尺寸d為297mm(=302mm(凹部24之直徑尺寸R)-1mm(中央部側之突出量tc2)-2mm(外周緣部側之突出量tO2)-2mm(2cl))。又，寬度尺寸L1為中央部側C之突出量tc2增加2cl的尺寸(=3mm)，外周緣部側O之寬 度尺寸L2與外周緣部側O之突出量tO2為相同尺寸(=2mm)。此外，如上所述，於此例中，在迴轉台2不迴轉、晶圓W周圍與凹部24內壁之間的間距在晶圓W周圍整體呈均等狀態下，迴轉台2之中央部側C及外周緣部側O的突出量tc1及tO1各自為2mm及1mm。換言之，於此例中，載置台25之構成方式為：在迴轉台2迴轉之前，以凹部24與晶圓W之間的間距cl於迴轉台2之中央部側C及外周緣部側O處會成為相等的方式將該晶圓W載置於載置台25時，迴轉台2之中央部側C之晶圓W周緣部相對於載置台25之突出量tc1，會和伴隨迴轉台2之迴轉而因離心力使晶圓W接觸到凹部24之內壁面時，迴轉台2之外周緣部側O處晶圓W周緣部相對於載置台25的突出量tO2成為相同。
接著，回頭說明基板處理裝置之各部，如圖2及圖3所示，於和以上說明之凹部24的通過區域分別對向之位置處，各個由例如石英所構成之5個噴嘴31、32、34、41、42係於真空容器1圓周方向上相互保有間隔般呈放射狀配置。前述各噴嘴31、32、34、41、42係例如從真空容器1外周壁朝中心部區域C並對向於晶圓W呈水平延伸般各自進行安裝。此例中，從後述之搬送口15觀察繞順時針(迴轉台2迴轉方向)依序配置：電漿產生用氣體噴嘴34、分離氣體噴嘴41、第1處理氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42、及第2處理氣體噴嘴32。如圖1所示，於電漿產生用氣體噴嘴34之上方側，設置有使從電漿產生用氣體噴嘴34所噴出之氣體電漿化用的後述之電漿產生部80。
處理氣體噴嘴31及32係各自形成第1處理氣體供給部及第2處理氣體供給部，分離氣體噴嘴41及42係各自形成分離氣體供給部。另外，圖2及圖4係可見電漿產生用氣體噴嘴34而將電漿產生部80及後述之基座90移除的狀態，圖3係表示將前述電漿產生部80及基座90安裝好的狀態。
各噴嘴31、32、34、41、42係經由流量調整閥而各自連接至以下各氣體供給源(圖中未顯示)。即，第1處理氣體噴嘴31係連接至含有Si(矽)之第1處理氣體例如BTBAS(雙四丁基胺基矽烷、SiH2(NH-C(CH3)3)2)氣體等供給源。第2處理氣體噴嘴32係連接至第2處理氣體例如臭氧(O3)氣體與氧(O2)氣之混合氣體供給源(詳細而言，係 設置有臭氧產生器的氧氣供給源)。電漿產生用氣體噴嘴34係連接至例如由氬(Ar)氣與氧氣之混合氣體所組成之電漿產生用氣體供給源。分離氣體噴嘴41及42係各自連接至分離氣體之氮(N2)氣的氣體供給源。前述氣體噴嘴31、32、34、41、42的例如下表面側處，在迴轉台2半徑方向上之複數個位置處例如等間隔般地形成有氣體排出孔33。
處理氣體噴嘴31及32之下方區域分別為：將第1處理氣體吸附於晶圓W用的第1處理區域P1，以及使吸附於晶圓W之第1處理氣體成分與第2處理氣體產生反應用的第2處理區域P2。分離氣體噴嘴41及42係形成將第1處理區域P1與第2處理區域P2分離的分離區域D1和D2。如圖2及圖3所示，分離區域D1和D2中，真空容器1之頂板11處設置有略呈扇形的凸狀部4，分離氣體噴嘴41及42係收納於該凸狀部4內。因此，於分離氣體噴嘴41及42之迴轉台2圓周方向兩側，配置有凸狀部4之下側面亦即低頂面，用以阻止各處理氣體之間的混合，於該頂面之該圓周方向兩側，配置有較該頂面更高之頂面。為阻止各處理氣體間的混合，係使得凸狀部4之周緣部(真空容器1外緣側之部位)對向迴轉台2外端面且相對容器本體12稍微隔開般彎曲成L字形。
然後，說明電漿產生部80。電漿產生部80係將由金屬線所組成之天線83捲繞呈線圈狀的結構，從迴轉台2之中央部側到外周緣部側並跨過晶圓W之通過區域般進行配置。又，該天線83係經由匹配器84連接至頻率為例如13.56MHz且輸出功率為例如5000W的高頻電源85，並從真空容器1之內部區域被氣密性地區隔出般進行配置。即，前述電漿產生用氣體噴嘴34上方側的頂板11具有略呈扇形的開口(以俯視觀察時)，由例如石英等所構成之基座90而氣密性地封閉。該基座90係以周緣部沿圓周方向水平延伸而呈法蘭狀、並使中央部朝真空容器1之內部區域成為凹陷的方式來形成，將該天線83收納於該基座90之內側。圖1中元件符號11a係設置於基座90與頂板11之間的密封組件，元件符號91係使基座90之周緣部朝下方側進行抵壓用的抵壓組件。又，圖1中元件符號86係將電漿產生部80與匹配器84及高頻電源85加以電性連接用的連接電極。
為阻止N2氣體或O3氣體等朝該基座90之下方區域侵入，如圖1所示，基座90之下側面係使外緣部沿圓周方向朝下方側(迴轉台2 側)垂直延伸而出，以形成限制氣體用的突起部92。接著，在由該突起部92之內周面、基座90之下側面及迴轉台2之上側面所包圍的區域中，收納有前述電漿產生用氣體噴嘴34。
在基座90與天線83之間，如圖1及圖3所示，配置有上表面側具開口之略呈箱型的法拉第屏蔽95，該法拉第屏蔽95係接地且由導電性板狀體之金屬板所構成。於該法拉第屏蔽95之底面處，為了阻止天線83處所產生之電場及磁場(電磁場)中的電場分量朝下方之晶圓W移動，並為了使磁場到達晶圓W處，乃使得相對於天線83捲繞方向呈正交方向延伸所形成細縫97沿圓周方向設置於天線83之下方位置。為了使前述法拉第屏蔽95與天線83呈絕緣狀態，法拉第屏蔽95與天線83之間處介設有例如石英所構成之絕緣板94。
於迴轉台2外周側之較該迴轉台2稍微下方的位置處，配置有環狀之側環100，於該側環100之上側面處，沿圓周方向上相互分離之2個位置處形成有排氣口61、62。換言之，於真空容器1之底面部14處形成有2個排氣口，於對應前述排氣口之位置的側環100處，形成有排氣口61、62。前述2個排氣口61、62中的一個及另一個各自稱為第1排氣口61及第2排氣口62，在第1處理氣體噴嘴31與相對於該第1處理氣體噴嘴31位於迴轉台迴轉方向下游側的分離區域D之間處，第1排氣口61係形成於靠近該分離區域D側的位置處。在電漿產生用氣體噴嘴34與相對於該電漿產生用氣體噴嘴34位於迴轉台迴轉方向下游側的分離區域D之間處，第2排氣口62係形成於靠近該分離區域D側的位置處。
第1排氣口61係用於排出第1處理氣體及分離氣體，第2排氣口62除了排出第2處理氣體及分離氣體之外，係用於排出電漿產生用氣體。此外，於基座90外緣側之側環100上側面處，形成有避開該基座90並使氣體於第2排氣口62流動用的溝槽狀之氣體流路101。如圖1所示，前述第1排氣口61及第2排氣口62係藉由介設有各蝶型閥等壓力調整部65之排氣管63，而連接至真空排氣機構之例如真空幫浦64。
如圖2所示，於頂板11下側面之中央部處設置有突出部5，係與凸狀部4之中心部區域C側的部位相連接並沿圓周方向形成略環狀，且其下側面與凸狀部4之下側面等高。相對於該突出部5在迴轉台2迴轉 中心側的芯部21上方側處，配置有用以抑制第1處理氣體與第2處理氣體於中心部區域C處相互混合的曲徑結構部110。該曲徑結構部110係將從迴轉台2側朝頂板11側沿圓周方向垂直延伸的第1壁部111、與從頂板11側朝迴轉台2沿圓周方向垂直延伸的第2壁部112，沿迴轉台2半徑方向上交互般進行配置的結構。
如圖2及圖3所示，於真空容器1之側壁處，形成有在圖中未顯示之外部搬送臂與迴轉台2之間進行晶圓W傳遞用的搬送口15，該搬送口15係透過閘閥G可氣密性地自由開關。又，於面向該搬送口15之位置處的迴轉台2下方側，設置有通過迴轉台2之貫通口24a而從內面側抬起晶圓W用的圖中未顯示之昇降銷。
又，於該基板處理裝置處，設置有由控制裝置全體動作用之電腦所組成的控制部120，該控制部120之記憶體內儲存有進行後述成膜處理及改質處理用的程式。該程式由可執行後述之裝置動作的步驟群組所組成，並從硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡、軟碟等記憶媒體之記憶部121安裝到控制部120內。
其次，說明上述實施形態的作用。
此時，迴轉台2已藉由加熱單元7進行加熱，使載置於迴轉台2上之晶圓W達到成膜溫度例如約300℃左右。首先，開啟閘閥G，使迴轉台2間歇性地進行迴轉，藉由圖中未顯示之搬送臂並經由搬送口15，將例如5個晶圓W載置於迴轉台2上。前述晶圓W係各別載置於凹部24之中央位置處，即從該凹部24之內周面沿圓周方向分離(沒有接觸)配置。此時，各晶圓W為常溫，或者已施以其它熱處理，當載置於迴轉台2上時，如圖13所示，該晶圓W面內因溫度偏差而有呈山峰狀翹曲的情況。
隨後，關閉閘閥G，藉由真空幫浦64使真空容器1內呈真空狀態，並讓迴轉台2以例如2rpm~240rpm繞順時針(圖中箭頭A所示之方向)迴轉。如圖14所示，各晶圓W因迴轉台2之離心力而於凹部24內朝該迴轉台2之外周緣部側O移動。此時，由於並未耗時等待晶圓W達成膜溫度便使迴轉台2迴轉，晶圓W在呈山峰狀翹曲之情況會於平坦化之前(仍呈翹曲狀態)朝外周緣部側O移動。但是，晶圓W移動時，由於晶圓W之外端緣係從迴轉台2表面或載置台25表面分離，可抑制因該外端 緣與載置台25之滑動而產生之微粒。
此處，當迴轉台2從靜止狀態開始迴轉時，由於各晶圓W會有欲保持靜止狀態之慣性，而會朝該迴轉台2之迴轉方向後方側(迴轉台2進行方向的相反方向)移動。但是，晶圓W之外端緣接觸到迴轉台2外周緣部側的凹部24內周面，晶圓W可說是被該離心力而推動，而藉由凹部24及離心力限制迴轉台2迴轉方向上的晶圓W位置。其結果，如圖15所示，該迴轉方向A兩側的突出量t係一致。因此，當晶圓W藉由迴轉台2進行迴轉時，沿圓周方向上之突出量t為1mm~2mm。
接著，以下說明進行成膜處理期間，或者開始各處理氣體之供給前，藉由從迴轉台2傳入之熱量，使晶圓W逐漸朝成膜溫度升溫，其後，面內整體溫度均勻地達到該成膜溫度。因此，晶圓W的山峰狀翹曲將如圖16所示般平坦化。此時，當晶圓W平坦化之際，該晶圓W之外端緣會朝外側延伸而移動，由於該晶圓W之外端緣從載置台25分離，同樣地可抑制微粒之產生。
此時，因迴轉台2之離心力使晶圓W朝迴轉台2之外周緣部側O移動時，晶圓W內面與載置台25表面的相互磨擦會產生微粒。但是，如圖17所示，觀察晶圓W之內面側的微粒，晶圓W之外端緣係沿圓周方向呈水平延伸而突出1mm~2mm長度。因此，使微粒難以繞過晶圓W之外端緣，因此可抑制晶圓W表面側之附著。
接著，處理氣體噴嘴31及32各自噴出第1處理氣體及第2處理氣體，並從電漿產生用氣體噴嘴34噴出電漿產生用氣體。又，從分離氣體噴嘴41及42以指定流量噴出分離氣體，亦從分離氣體供給管51及沖洗氣體供給管72以指定流量噴出氮氣。接著，藉由壓力調整部65調整真空容器1內預先設定的處理壓力，對電漿產生部80供給高頻功率。
此時，對晶圓W供給之各處理氣體雖會試圖經由晶圓W外端緣與凹部24內周面之間的間隙而繞到晶圓W之內面側區域，由於如前述般設定突出量t而使該區域中沒有讓氣體容易進入的大型空間，所以可抑制氣體之繞回。因此，可抑制微粒附著於晶圓W之內面側，並使各處理氣體均勻地供給至晶圓W表面。又，因為如前述般設定突出量t，載置台25上方側之區域中的晶圓W之溫度可達均勻，又，經由該區域快速地導熱至 外周緣部側，因而使各晶圓W面內之溫度呈一致。
接著，晶圓W表面中，因迴轉台2之迴轉而於第1處理區域P1吸附第1處理氣體，隨後，於第2處理區域P2處使得吸附於晶圓W上之第1處理氣體與第2處理氣體產生反應，形成1層或複數層的薄膜成分之二氧化矽膜(SiO2)之分子層而形成反應產物。此時，反應產物中，由於例如包含於第1處理氣體之殘留基，會有含有水分(OH基)或有機物等雜質的情況。
另一方面，於電漿產生部80之下方側，藉由自高頻電源85供給之高頻功率而產生之電場及磁場中的電場，係藉由法拉第屏蔽95進行反射或者吸收(衰減)，阻礙(遮斷)其到達真空容器1內。磁場則會通過法拉第屏蔽95之細縫97，經由基座90之底面而到達真空容器1內。因此，自電漿產生用氣體噴嘴34所噴出之電漿產生用氣體係藉由通過細縫97之磁場而加以活性化，產生例如離子或自由基等電漿。
接著，當磁場所產生之電漿(活性種)接觸到晶圓W表面時，係進行反應產物之改質處理。具體而言，例如電漿於晶圓W表面產生碰撞衝突，藉以從例如該反應產物釋出前述雜質，以使得反應產物內元素重排並達到緻密化(高密度化)之目的。如此，藉由持續使迴轉台2迴轉，依照朝晶圓W表面進行第1處理氣體之吸附、與對吸附於晶圓W表面的第1處理氣體成分之反應及反應產物之電漿改質之順序實施複數次，可層積反應產物並形成薄膜。此時，如前述般對各晶圓W將各氣體均勻地供給至面內，又，因為晶圓W面內之溫度呈一致，故面內的薄膜之膜厚呈均勻狀態。
又，由於在第1處理區域P1與第2處理區域P2之間供給氮氣，使第1處理氣體與第2處理氣體及電漿產生用氣體不會相互混合般，將各氣體進行排氣。另外，由於在迴轉台2下方側供給沖洗氣體，故試圖擴散至迴轉台2下方側之氣體會藉由該沖洗氣體而推回排氣口61及62側。
根據上述實施形態，用以陷入晶圓W以收納的凹部24係形成為較晶圓W更大，且於該凹部24內形成有較晶圓W更小的載置台25。接著，該載置台25在晶圓W因迴轉台2之離心力而該迴轉台2外周緣部側移動時，使晶圓W之外端緣沿圓周方向而從載置台25上端緣突出(超出)般，相對凹部24之中心位置而使載置台25之中心位置朝外周緣部側偏心。 因此，關於突出量t，確保其尺寸可抑制於晶圓W內面側所產生之微粒在晶圓W之圓周方向上飛至表面側，並可抑制形成使處理氣體足以繞到晶圓W之內面側的大型空間。因此，可進行面內整體膜厚之高均勻性的處理，並可抑制微粒附著於晶圓W。因此，即使晶圓W呈山峰狀翹曲，由於可在其載置於迴轉台2後立即開始進行處理(迴轉台2之迴轉)，所以可抑制生產量之降低。
此處，關於因迴轉台2之離心力使晶圓W之外端緣接觸到凹部24之內周面時的突出量t，如前述般，過小時容易使微粒繞回晶圓W表面側，另一方面，過大時將使面內之膜厚均勻性惡化，而使微粒容易附著於晶圓W內面，所以沿晶圓W之圓周方向較佳地為1mm以上~未達3mm，更佳地為1mm以上~2mm以下。
參考圖5及圖6所說明之例，關於突出量t，因迴轉台2之離心力使晶圓W之外端緣以點E2接觸到凹部24之內周面的狀態中，迴轉台2之外周緣部側O及中央部側C各自設定為tO2=2mm及tc2=1mm。但是，在其它例中，載置台25亦可設置成為：伴隨迴轉台2之迴轉而因離心力使晶圓W接觸到凹部24之內壁面時，從載置台25算起之晶圓W周緣部的突出量在迴轉台2之中央部側C及外周緣部側O為均等。
例如，可縮短載置台25之直徑尺寸d，將載置台25之直徑尺寸d、寬度尺寸L1及寬度尺寸L2各自設定為296mm、4mm及2mm。前述結構之情況中，從載置台25算起之晶圓W周緣部的突出量於迴轉台2之中央部側C及外周緣部側O均為2mm，即，沿圓周方向上可均等般地為2mm。此外，前述結構之情況中，在迴轉該迴轉台2之前，中央部側之突出量tc1為3mm(=302mm(凹部24之直徑尺寸R)-296mm(載置台25之直徑尺寸d2)-2mm(外周緣部側之凹部24與載置台25的距離)-1mm(中央部側之間距cl))。但是，在迴轉台2迴轉前，即使突出量tc1較大，亦不會產生處理氣體繞回或微粒附著於外端緣之內面側等缺陷的問題。
又，其它例中，載置台25之直徑尺寸d維持297mm，圖6中載置台25之中心位置O2相對凹部24更往外周緣部側O移動，藉由載置台25中心位置O2與凹部24中心位置O1之間的距離d1設為例如1mm，則伴隨迴轉台2之迴轉因離心力使晶圓W接觸到凹部24之內壁面時，從 載置台25算起之晶圓W周緣部的突出量於迴轉台2之中央部側C及外周緣部側O均為1.5mm，即，沿圓周方向可均等般地為1.5mm。考慮以上所述，可將圖6中載置台25中心位置O2與凹部24中心位置O1之間的距離d1設為例如約0.5mm以上~1mm以下。
此處，列舉以上說明之基板處理裝置的其它例。圖19中係顯示於載置台25中，從頂部表面朝下方側逐漸增大直徑尺寸d般形成之例。又，圖20中係顯示從頂部表面朝下方側逐漸縮小載置台25之直徑尺寸d般形成之例。無論是圖19或圖20的情況，晶圓W之突出量t係與前述之例設定相同。
又，圖21係顯示將載置台25與晶圓W呈同心圓狀形成的狀態(以俯視觀察時)取代成於外周面設置有凹凸部之例。即使是在該情況中，突出量t亦沿晶圓W圓周方向上設定為與前述之例相同的範圍內。又，凹部24之直徑尺寸R係以較晶圓W大一圈的方式來形成、具體而言係形成為較晶圓W之直徑尺寸r大約1mm~2mm的尺寸，故載置台25之直徑尺寸d或寬度尺寸L1、L2係使得突出量t保持於前述範圍內，對應凹部24之直徑尺寸R適當地進行設定。另外，以上各例中，凹部24及載置台25之中心位置O1、O2雖沿迴轉台2半徑方向上並排配置，但亦可例如相對於中心位置O1，使中心位置O2朝迴轉台2之外周緣部側偏移，並沿該迴轉台2圓周方向上稍微遠離。即使是此種情況，當因迴轉台2之離心力使晶圓W之外端緣接觸到凹部24之內壁面時，突出量t亦設定為前述範圍內。
另外，以上說明之基板處理裝置的成膜處理，除前述二氧化矽膜以外，可形成以下表1中左欄所示之反應產物。該表1中反應產物之右側處，亦併列有用於各個成膜處理的各處理氣體之一例，又，用於形成二氧化矽膜時的氣體物種亦顯示與已說明過之各氣體為不同之例。
因此，電漿產生用氣體亦可對應反應產物之種類進行適當地變更。
又，以上說明之基板處理裝置雖列舉了在進行成膜處理時一併進行電漿改質處理之例，但亦可為例如對成膜處理後之晶圓W進行電漿處理的構成。於該情況中，如圖22所示，藉由使迴轉台2繞垂直軸迴轉，並使電漿產生用氣體噴嘴34所噴出之處理氣體(電漿產生用氣體)電漿化，對形成於晶圓W上之薄膜進行改質處理。在前述基板處理裝置之情況中，由於可抑制微粒附著於晶圓W，並抑制電漿產生用氣體繞到晶圓W之內面側，因此可於整個面內進行高均勻性之電漿處理。
以上各例中，雖說明了由石英所構成的迴轉台2之例，但亦可為以碳(C)、碳化矽(SiC)、鋁(Al)等來取代石英而構成迴轉台2。另外，迴轉台2繞垂直軸迴轉之際，前述各例中雖說明了繞順時針迴轉之例，但亦可繞逆時計迴轉並進行上述各處理。
(實施例)
使用前述圖1中之基板處理裝置，對5個晶圓1~5進行成膜處理後，如以下表2及圖23所示，附著於前述晶圓1~5表面之微粒變得極少。
另一方面，使用前述圖7及圖8中所記載之迴轉台2進行相同處理後(比較例1)，如表3及圖24所示，晶圓1~5表面的微粒有增加。
又，圖9中迴轉台2之情況(比較例2)的結果係如表4及圖25所示，附著於晶圓1~5表面的微粒較實施例更少。
但是，如表5及圖26所示，比較例2中附著於晶圓W之內面側的微粒較實施例更多。
又，總結以上說明之晶圓1~5表面的微粒及內面的微粒結果，於各晶圓1~5成膜之薄膜面內的均勻性結果如表6所示。
從該表6中得知，本發明中，可確保薄膜之膜厚有較高均勻性，並可抑制微粒附著。
根據本實施形態，於直徑較基板更大般而形成於迴轉台表面之凹部的底面處，設置有載置基板用的載置台，且該載置台之大小係設計為伴隨迴轉台之迴轉因離心力使基板接觸到凹部之內壁面時，基板之周緣部會沿全圓周而超出載置台。此外，關於該載置台之中心，係相對凹部中心朝迴轉台之外周緣部側偏心。因此，因離心力使基板移動時，關於從載置台算起之基板周緣部的突出量，可確保其尺寸可抑制於基板內面側所產生之微粒沿該基板之圓周方向而飄散至表面側，並可抑制形成使處理氣體足以繞到基板之內面側的大型空間。因此，即使是基板呈山峰狀翹曲的情況，由於可在將該基板載置於迴轉台後立即開始迴轉基板，故可抑制生產量之降低，且確保面內之處理均勻性，抑制微粒附著於基板。
本發明引用2012年4月19日提出申請之日本專利特願第2012-095779號作為優先權基礎案，其整體內容援引於此作為參考資料。
1‧‧‧真空容器
2‧‧‧迴轉台
5‧‧‧突出部
7‧‧‧加熱單元
7a‧‧‧覆蓋組件
11‧‧‧頂板
11a‧‧‧密封組件
12‧‧‧容器本體
12a‧‧‧突出部
13‧‧‧密封組件
14‧‧‧底面部
20‧‧‧殼體
21‧‧‧芯部
22‧‧‧迴轉軸
23‧‧‧驅動部
25‧‧‧載置台
26‧‧‧溝槽
34‧‧‧電漿產生用氣體噴嘴
51‧‧‧分離氣體供給管
62‧‧‧第2排氣口
63‧‧‧排氣管
64‧‧‧真空幫浦
65‧‧‧壓力調整部
71a‧‧‧蓋組件
72、73‧‧‧沖洗氣體供給管
83‧‧‧天線
86‧‧‧連接電極
90‧‧‧基座
91‧‧‧抵壓組件
92‧‧‧突起部
94‧‧‧絕緣板
95‧‧‧法拉第屏蔽
97‧‧‧細縫
100‧‧‧側環
101‧‧‧氣體流路
111‧‧‧第1壁部
112‧‧‧第2壁部
120‧‧‧控制部
121‧‧‧記憶部
C‧‧‧中心部區域
W‧‧‧晶圓

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，係包含：真空容器；迴轉台，係設置於該真空容器內，可載置圓形基板並進行迴轉，其表面設置有直徑較該基板更大的圓形凹部，該凹部內設置有直徑較該凹部及該基板更小且位在較該凹部底部更高位置處的圓形基板載置部，該基板載置部中心相對於該凹部中心朝該迴轉台之外周緣部側偏心；處理氣體供給部，係用以對該基板供給處理氣體；以及真空排氣機構，係用以將該真空容器內進行真空排氣。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，當該基板因該迴轉台迴轉所伴隨之離心力而接觸到該凹部之內壁面時，該基板之周緣部相對於該基板載置部的突出量沿該基板圓周方向在1mm以上~未達3mm之範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該凹部中心及該基板載置部中心係沿該迴轉台半徑方向而相互分離般各自配置。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，係進一步包含對該基板載置部上之該基板進行加熱的加熱機構；該處理氣體係用於在該基板形成薄膜。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該基板載置部係設計成：在迴轉該迴轉台之前，以該凹部與該基板之間的間距於該迴轉台中央部側及外周緣部側成為相同的方式來將該基板載置於該基板載置部時，該迴轉台中央部側之該基板周緣部相對於該基板載置部的突出量，會等於當該基板因該迴轉台迴轉所伴隨之離心力而接觸到該凹部之內壁面時，該迴轉台外周緣部側之該基板周緣部相對於該基板載置部的突出量。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該基板載置部係設計成：當該基板因該迴轉台迴轉所伴隨之離心力而接觸到該凹部之內壁面時，該基板周緣部相對於該基板載置部的突出量在該迴轉台之中央部側及外周緣部側會相等。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該基板載置部之高度係設計成：載置有該基板時，該基板表面與該迴轉台表面等高。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該基板載置部之大小係設計成：當該基板因該迴轉台迴轉所伴隨之離心力而接觸到該凹部之內壁面時，該基板之周緣部在整周上超出該基板載置部。
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