KR20130118265A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는, 진공 용기와, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 원형의 기판이 적재되는 동시에 회전되는 회전 테이블이며, 표면에 상기 기판보다도 직경이 큰 원형의 오목부가 설치되고, 당해 오목부 내에는 당해 오목부 및 상기 기판보다도 직경이 작고, 상기 오목부의 저부보다도 높은 위치에 설치된 원형의 기판 적재부가 설치되고, 당해 기판 적재부의 중심이, 상기 오목부의 중심보다도 상기 회전 테이블의 외주부측에 편심되어 있는 회전 테이블과, 상기 기판에 대하여 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급부와, 상기 진공 용기 내를 진공 배기하기 위한 진공 배기 기구를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판에 대하여 처리 가스를 사용하여 처리를 행하기 위한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 2012년 4월 19일자로 출원된 일본 특허 출원 제2002-095779에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 참조에 의해 여기에 원용한다.
반도체 웨이퍼 등의 기판(이하 「웨이퍼」라 함)에 예를 들어 실리콘 산화막(SiO2) 등의 박막을 성막하는 방법으로서, 예를 들어 특허문헌 1에 기재된 장치를 사용한 Atomic Layer Deposition(ALD)법이 알려져 있다. 이 장치에서는, 회전 테이블 상에 5매의 웨이퍼를 둘레 방향으로 배열하는 동시에, 이 회전 테이블의 상방측에 복수의 가스 노즐을 배치하여, 회전하고 있는 각각의 웨이퍼에 대하여 서로 반응하는 복수 종류의 반응 가스를 순서대로 공급하고 있다. 회전 테이블 상에는, 각각의 웨이퍼를 떨어뜨려 보유 지지하기 위한 오목부가 배치되어 있다. 오목부는, 웨이퍼를 적재하였을 때에 웨이퍼의 외측 테두리에 클리어런스를 형성하여 웨이퍼를 착탈 가능하게 보유 지지하기 위해, 평면에서 보았을 때에 웨이퍼보다도 한층 더 커지도록 형성되어 있다.
특허문헌 2에는, 웨이퍼와 웨이퍼 스테이지 사이의 마찰의 발생을 방지하기 위해, 웨이퍼 스테이지의 웨이퍼 적재면의 외주연이 웨이퍼 적재면에 접하는 반도체 웨이퍼 이면의 외주연보다 내측에 위치하도록 형성된 구성이 기재되어 있다.
일본 특허 출원 공개 제2010-239102호 공보 일본 특허 출원 공개 제2009-253115호 공보
본 발명은 이러한 사정에 비추어 이루어진 것이며, 그 목적은, 기판 처리 장치에 있어서 기판에 처리 가스를 적용하여 처리를 행하는 데 있어서, 처리량의 저하를 억제하면서, 또한 면내에 있어서의 처리의 균일성을 확보하면서, 기판으로의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1 형태에 따르면, 기판 처리 장치는, 진공 용기와, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 원형의 기판이 적재되는 동시에 회전되는 회전 테이블이며, 표면에 상기 기판보다도 직경이 큰 원형의 오목부가 설치되고, 당해 오목부 내에는 당해 오목부 및 상기 기판보다도 직경이 작고, 상기 오목부의 저부보다도 높은 위치에 설치된 원형의 기판 적재부가 설치되고, 당해 기판 적재부의 중심이, 상기 오목부의 중심보다도 상기 회전 테이블의 외주부측에 편심되어 있는 회전 테이블과, 상기 기판에 대하여 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급부와, 상기 진공 용기 내를 진공 배기하기 위한 진공 배기 기구를 포함한다.
도 1은 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 종단면도.
도 2는 도 1에 도시한 기판 처리 장치의 횡단 평면도.
도 3은 도 1에 도시한 기판 처리 장치의 횡단 평면도.
도 4는 도 1에 도시한 기판 처리 장치의 내부의 일부를 도시하는 사시도.
도 5는 도 1에 도시한 기판 처리 장치의 내부의 일부를 도시하는 종단면도.
도 6은 도 1에 도시한 기판 처리 장치의 회전 테이블의 일부를 도시하는 평면도.
도 7은 회전 테이블의 문제점을 나타내는 종단면도.
도 8은 회전 테이블의 문제점을 나타내는 종단면도.
도 9는 회전 테이블의 문제점을 나타내는 종단면도.
도 10은 회전 테이블의 문제점을 나타내는 종단면도.
도 11은 회전 테이블의 문제점을 나타내는 종단면도.
도 12는 회전 테이블의 문제점을 나타내는 사시도.
도 13은 본 실시 형태의 회전 테이블의 작용을 나타내는 종단면도.
도 14는 본 실시 형태의 회전 테이블의 작용을 나타내는 종단면도.
도 15는 본 실시 형태의 회전 테이블의 작용을 나타내는 평면도.
도 16은 본 실시 형태의 회전 테이블의 작용을 나타내는 종단면도.
도 17은 본 실시 형태의 회전 테이블의 작용을 나타내는 종단면도.
도 18은 본 실시 형태의 회전 테이블의 작용을 나타내는 종단면도.
도 19는 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 다른 예의 일부를 나타내는 종단면도.
도 20은 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 다른 예의 일부를 나타내는 종단면도.
도 21은 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 다른 예의 일부를 나타내는 평면도.
도 22는 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 다른 예를 나타내는 횡단 평면도.
도 23은 본 실시 형태의 실시예에 있어서 얻어진 특성을 나타내는 특성도.
도 24는 비교예에 있어서 얻어진 특성을 나타내는 특성도.
도 25는 비교예에 있어서 얻어진 특성을 나타내는 특성도.
도 26은 실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 특성을 나타내는 특성도.
이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 발명의 한정적이 아닌 예시의 실시 형태에 대해 설명한다. 첨부의 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다. 또한, 도면은, 부재 혹은 부품간의 상대비를 나타내는 것을 목적으로 하지 않고, 따라서, 구체적인 치수는, 이하의 한정적이 아닌 실시 형태에 비추어, 당업자에 의해 결정되어야 하는 것이다.
우선, 종래의 기판 처리 장치의 문제점에 대해 설명한다.
상술한 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 기판 처리 장치에 있어서, 다수매의 웨이퍼에 대하여 순차적으로 처리를 행할 때에는, 예를 들어 회전 테이블을 어느 온도(성막 온도)로 유지한 채, 5매의 웨이퍼에 대하여 성막 처리를 행한 후, 이들 웨이퍼를 취출하고, 이어서 후속의 미처리의 5매의 웨이퍼를 회전 테이블에 적재하여 처리를 개시하게 된다. 따라서, 미처리의 웨이퍼가 예를 들어 상온인 경우에는, 회전 테이블에 적재된 각각의 웨이퍼는, 먼저 면내에 있어서 온도 편차가 발생하고, 그 후 성막 온도를 향해 점차 균열화(가열)되어 간다. 또한, 미처리의 웨이퍼에 대해, 예를 들어 성막 처리와는 다른 열처리가 미리 실시되어 있는 경우도 있지만, 그러한 경우에, 냉각을 위한 장치나 시간을 별도 마련하면 처리량의 저하나 비용 상승에 연결되어 버린다. 따라서, 회전 테이블에 적재될 때까지의 반송 경로에 있어서, 예를 들어 주위의 분위기나 부재를 통한 자연 방열에 의해 웨이퍼를 강온하고, 그 후 어느 온도에서 회전 테이블에 적재되는 경우가 있다. 이때, 웨이퍼의 외측 단부측에서는 중앙부측보다도 주위의 분위기에 접촉하기 쉽다. 또한 웨이퍼의 이면측의 일부가 당해 웨이퍼보다도 저온의 피크(아암)에 의해 지지된다. 그로 인해, 열처리가 미리 실시되어 있는 웨이퍼에 대해서는, 회전 테이블에 적재될 때에, 면내에 있어서 온도 편차가 이미 발생되어 있고, 그 후 회전 테이블로부터의 입열에 의해 점차 균열화된다.
여기서, 웨이퍼의 면내에 있어서 온도 편차가 발생되어 있으면, 웨이퍼가 위로 볼록하게(산형으로) 휘는 경우가 있다. 이와 같이 웨이퍼가 휘어져 있으면, 당해 웨이퍼는 중앙부가 회전 테이블로부터 뜬 상태로 되도록, 외측 단부 테두리에서 회전 테이블과 접촉한다. 그리고 휜 웨이퍼는, 회전 테이블에 의해 균열화되어 감에 따라, 점차 평탄해져 간다. 이때, 웨이퍼가 평탄화되는 데 있어서, 당해 웨이퍼의 외측 단부 테두리가 회전 테이블의 표면에 대하여 마찰되면서 외측 테두리측으로 넓혀져 가므로, 웨이퍼의 엣지(외측 단부 테두리)나 회전 테이블의 표층이 깎아져 파티클이 발생해 버린다. 이 파티클은, 예를 들어 웨이퍼가 수평으로 완전히 신장되었을 때에, 당해 웨이퍼의 외측 단부 테두리측을 돌아 들어가 웨이퍼의 표면에 부착될 우려가 있다. 또한, 웨이퍼가 산형으로 휜 채 회전 테이블을 회전시키면, 이 회전 테이블의 원심력에 의해 웨이퍼가 상기 클리어런스의 분만큼 당해 회전 테이블의 외측 테두리측으로 이동하므로, 마찬가지로 파티클이 발생해 버린다.
한편, 상술한 상온의 웨이퍼나 열처리가 미리 실시되어 있는 웨이퍼에 대해, 면내에 걸쳐 온도가 고르게 될 때까지, 즉 평탄해질 때까지, 예를 들어 회전 테이블의 상방측에 근소하게 이격된 위치에서 대기시키려고 하면, 웨이퍼를 대기시켜 두는 시간의 분만큼 처리량이 저하되어 버린다. 또한, 평탄한 웨이퍼라도, 원심력에 의해 이동할 때에 웨이퍼의 이면과 회전 테이블의 표면이 서로 마찰됨으로써 파티클이 발생해 버린다.
따라서, 본 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치는, 이후에 상세하게 서술하는 바와 같이, 예를 들어 산형으로(위로 볼록하게) 휘어져 있는 웨이퍼(W)에 대하여 성막 처리를 행하는 경우라도, 처리량의 저하를 억제하면서, 또한 면내에 있어서의 성막 처리의 균일성을 확보하면서, 웨이퍼(W)로의 파티클의 부착을 억제할 수 있도록 구성된다.
본 실시 형태의 기판 처리 장치의 일례에 대해, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 이 기판 처리 장치는, 도 1 내지 도 4에 도시하는 바와 같이, 평면 형상이 대략 원형인 진공 용기(1)와, 진공 용기(1) 내에 설치되고, 진공 용기(1)의 중심에 회전 중심을 갖는 동시에 예를 들어 석영에 의해 구성된 회전 테이블(2)을 구비하고 있고, 웨이퍼(W)에 대하여 성막 처리를 행하는 성막 장치로서 구성되어 있다.
기판 처리 장치의 각 부에 대해 이하에 설명한다.
진공 용기(1)는, 천장판(11) 및 용기 본체(12)를 구비하고 있고, 천장판(11)이 용기 본체(12)로부터 착탈할 수 있도록 구성되어 있다. 천장판(11)의 상면측에 있어서의 중앙부에는, 진공 용기(1) 내의 중심부 영역 C에 있어서 서로 다른 처리 가스끼리가 혼합되는 것을 억제하기 위해, 질소(N2) 가스를 분리 가스로서 공급하기 위한 분리 가스 공급관(51)이 접속되어 있다. 또한, 진공 용기(1)에는, 용기 본체(12)의 상면의 주연부에 링 형상으로 설치된 예를 들어 O링인 시일 부재(13)가 설치된다.
진공 용기(1)의 저면부(14)의 상방측에는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 가열 기구인 히터 유닛(7)이 설치되어 있고, 회전 테이블(2)을 통해 회전 테이블(2) 상의 웨이퍼(W)를 성막 온도, 예를 들어 300℃로 가열하도록 되어 있다. 진공 용기(1)에는, 히터 유닛(7)의 측방측에 설치된 커버 부재(71a), 히터 유닛(7)의 상방측을 덮는 덮개 부재(7a)가 설치된다. 또한, 저면부(14)에는, 히터 유닛(7)의 하방측에 있어서, 히터 유닛(7)의 배치 공간을 퍼지하기 위한 퍼지 가스 공급관(73)이 둘레 방향에 걸쳐 복수 개소에 설치되어 있다.
회전 테이블(2)은, 중심부에서 대략 원통 형상의 코어부(21)에 고정되어 있고, 이 코어부(21)의 하면에 접속되는 동시에 연직 방향으로 신장되는 회전축(22)에 의해, 연직축 주위, 이 예에서는 시계 방향으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 진공 용기(1)에는, 회전축(22)을 연직축 주위로 회전시키는 구동부(회전 기구)(23) 및 회전축(22) 및 구동부(23)를 수납하는 케이스체(20)가 설치된다. 케이스체(20)는, 상면측의 플랜지 부분이 진공 용기(1)의 저면부(14)의 하면에 기밀하게 장착되어 있다. 또한, 케이스체(20)에는, 회전 테이블(2)의 하방 영역에 질소 가스를 퍼지 가스로서 공급하기 위한 퍼지 가스 공급관(72)이 접속되어 있다. 진공 용기(1)의 저면부(14)에 있어서의 코어부(21)의 외주측은, 회전 테이블(2)에 하방측으로부터 근접하도록 링 형상으로 형성되어 돌출부(12a)를 이루고 있다.
도 2 내지 도 3에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블(2)의 표면부에는, 원판 형상(원형)의 실리콘에 의해 구성된 웨이퍼(W)를 떨어뜨려 보유 지지하기 위해, 원형의 오목부(24)가 기판 적재 영역으로서 설치되어 있다. 오목부(24)는, 당해 회전 테이블(2)의 회전 방향(둘레 방향)을 따라 복수 개소, 예를 들어 5개소에 형성되어 있다. 각각의 오목부(24)는, 웨이퍼(W)의 외측 테두리와의 사이에 간극 영역(클리어런스)을 형성하기 위해, 평면에서 보았을 때에 웨이퍼(W)보다도 직경이 커지도록 형성되어 있다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 오목부(24) 저부에는, 웨이퍼(W)를 하방측으로부터 밀어 올려 승강시키기 위한, 예를 들어 3개의 승강 핀(도시하지 않음)이 돌출 함몰하는 관통 구멍(24a)이 형성되어 있다. 또한, 도 2 및 도 3에서는, 오목부(24)의 직경 치수에 대해 간략화하여 모식적으로 묘화하고 있고, 또한 관통 구멍(24a)에 대해서는 도 4 이외에서는 기재를 생략하고 있다.
본 실시 형태에 있어서, 도 4 내지 도 6에 도시하는 바와 같이, 각 오목부(24)의 저면에는, 웨이퍼(W)의 중앙부를 하방측으로부터 지지하기 위한 적재대(25)(기판 적재부)가 볼록 설치부로서 설치되어 있다. 각 적재대(25)는, 편평한 원통 형상으로 되도록 구성되는 동시에, 상단부면이 수평면으로서 형성되어 있다. 이들 적재대(25)는, 웨이퍼(W)의 주연부를 둘레 방향에 걸쳐 오목부(24)의 저면으로부터 뜨게 하기 위해, 즉 웨이퍼(W)의 주연부가 적재대(25)에 접촉하지 않도록[적재대(25)로부터 밀려 나오도록], 평면에서 보았을 때에 웨이퍼(W)보다도 작은 원 형상으로 되도록 형성되어 있다. 그로 인해, 오목부(24)의 내벽면과 적재대(25)의 외벽면 사이에는, 링 형상의 홈(26)이 형성되어 있다. 즉, 적재대(25)는, 적재대(25) 상에 웨이퍼(W)가 적재되면, 이 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리(주연부)의 이면이 둘레 방향에 걸쳐 오목부(24)의 저면[홈(26)]에 면하도록 형성되어 있다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서, 적재대(25)는, 평면에서 보았을 때에 오목부(24)에 대하여 회전 테이블(2)의 외주부측 O에 편심되도록 배치되어 있다. 구체적으로는, 평면에서 보았을 때에 있어서의 오목부(24)의 중심 위치를 O1, 적재대(25)의 중심 위치를 O2로 하면, 적재대(25)의 중심 위치 O2는, 오목부(24)의 중심 위치 O1에 대하여 회전 테이블(2)의 외주부측 O에, 예를 들어 거리 d1 이격된 구성으로 할 수 있다. 따라서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 이 예에서는, 중심 위치 O1 및 O2는, 회전 테이블(2)의 반경 방향으로 서로 이격되도록, 당해 반경 방향을 따라 신장되는 라인(10) 상에 배열되어 있다.
오목부(24)에 있어서의 홈(26)을 평면에서 보았을 때의 라인(10) 상의 폭 치수[오목부(24)의 내벽면과 적재대(25)의 외벽면 사이의 치수]는, 회전 테이블(2)의 중앙부측 C에 있어서의 폭 치수 L1이 외주부측 O에 있어서의 폭 치수 L2보다도 크다. 구체적으로는, 회전 테이블(2)의 회전 방향에 있어서의 폭 치수 L은, 이들 폭 치수 L1과 폭 치수 L2 사이의 치수로 되어 있고, 중앙부측 C로부터 외주부측 O를 향함에 따라 작아지고 있다. 이와 같이 하여 폭 치수 L은, 둘레 방향에 걸쳐 L2 내지 L1의 길이로 할 수 있다.
도 5는 도 6의 단면도에 해당하고, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 오목부(24)의 내주면에 점 E2에서 접촉한 상태를 나타낸다.
여기서, 회전 테이블(2)의 직경 치수는 예를 들어 1000㎜ 정도, 웨이퍼(W)의 직경 치수 r은 예를 들어 300㎜로 할 수 있다. 이러한 구성에 있어서, 오목부(24)의 직경 치수 R은 예를 들어 302㎜로 할 수 있다.
일례로서, 예를 들어 폭 치수 L1 및 폭 치수 L2는, 각각 3㎜ 및 2㎜로 할 수 있다. 이 경우, 적재대(25)의 직경 치수 d는, 302－(3＋2)＝297㎜로 할 수 있다. 또한, 이때, 도 6의 적재대(25)의 중심 위치 O2와 오목부(24)의 중심 위치 O1 사이의 거리 d1은 0.5㎜로 할 수 있다.
이러한 구성에 있어서, 예를 들어 회전 테이블(2)이 회전하고 있지 않을 때에, 웨이퍼(W)를 오목부(24) 내의 적재대(25) 상에 배치하고, 웨이퍼(W) 주위와 오목부(24)의 내벽 사이의 클리어런스 cl이 웨이퍼(W) 주위 전체에 걸쳐 각각 1㎜의 상태라고 하면, 적재대(25)의 상단부 테두리로부터 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 돌출되어 있는 길이 치수(돌출량) t는, 중앙부측 C에서는 tc1＝약 2㎜, 외주부측 O에서는 tO1＝약 1㎜로 된다.
한편, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 오목부(24)의 내주면에 점 E2에서 접촉하였을 때, 적재대(25)의 상단부 테두리로부터 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 돌출되어 있는 길이 치수(돌출량) t는, 중앙부측 C에서는 tc2＝약 1㎜, 외주부측 O에서는 tO2＝약 2㎜로 된다. 본 실시 형태에 있어서, 적재대(25)를 오목부(24)에 대하여 편심시킴으로써, 회전 테이블(2)이 회전하고 있을 때의 돌출량을 1㎜ 내지 2㎜의 범위로 할 수 있다. 이 구성에 대해, 이하에 상세하게 서술한다. 또한, 도 6 등에서는, 폭 치수 L에 대해 과장하여 크게 묘화하고 있다. 또한, 적재대(25)의 높이 치수 h는, 0.03㎜ 내지 0.2㎜ 정도, 이 예에서는 0.03㎜로 할 수 있다. 적재대(25)의 높이 치수 h는, 적재대(25) 상에 웨이퍼(W)를 적재하면, 당해 웨이퍼(W)의 표면과 회전 테이블(2)의 표면이 고르게 되도록, 바꾸어 말하면 회전 테이블(2)의 표면보다도 웨이퍼(W)의 하면이 낮아지도록 설정되어 있다.
우선, 적재대(25)를 설치하지 않고, 오목부(24)의 저면에 웨이퍼(W)를 직접 적재한 경우에 대해, 도 7 내지 도 9를 참조하여 설명한다. 이미 상세하게 서술한 바와 같이, 회전 테이블(2)에 적재하기 전의 미처리의 웨이퍼(W)가 상온인 경우에는, 회전 테이블(2)에 웨이퍼(W)를 적재하면, 면내에 있어서 온도 편차가 발생하고, 그 후 성막 온도를 향해 승온하는 동시에, 온도 편차가 작아져 간다. 한편, 기판 처리 장치와는 다른 열처리 장치에서 웨이퍼(W)에 대하여 이미 다른 열처리가 행해져 있는 경우에는, 당해 기판 처리 장치로의 반송 도중에 있어서 웨이퍼(W)의 자연 방열이 행해지게 되고, 이때의 강온 속도는, 웨이퍼(W)의 면내에 있어서 불균일해진다. 따라서, 웨이퍼(W)에 대하여 미리 열처리가 행해져 있는 경우에는, 회전 테이블(2)에 적재되었을 때, 웨이퍼(W)는 이미 온도 편차가 발생되어 있고, 그 후 회전 테이블(2)로부터의 입열에 의해 점차 온도 편차가 작아져 간다.
그로 인해, 미처리의 웨이퍼(W)에 대해, 상온의 경우라도, 이미 열처리가 행해져 있는 경우라도, 회전 테이블(2)에 적재되었을 때에, 면내에 있어서 온도 편차가 발생한다. 이때, 웨이퍼(W)의 온도 편차에 기초하여, 당해 웨이퍼(W)가 산형으로(위로 볼록하게) 휘는 경우가 있고, 이와 같이 웨이퍼(W)가 산형으로 휘어져 있으면, 웨이퍼(W)는, 중앙부가 회전 테이블(2)의 표면으로부터 이격되는 동시에, 외측 단부 테두리에서 회전 테이블(2)과 접촉하게 된다. 그리고 도 7에 도시하는 바와 같이, 이 산형으로 휜 웨이퍼(W)가 오목부(24)의 저면에 직접 적재되어 있으면, 웨이퍼(W)의 균열화에 수반하여 당해 웨이퍼(W)가 평탄하게 신장되어 갈 때에, 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리와 회전 테이블(2)의 표면[상세하게는 오목부(24)의 저면]이 서로 마찰되어, 파티클이 발생한다. 이 파티클은, 도 8에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 웨이퍼(W)가 수평으로 완전히 신장되었을 때에, 당해 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리측을 돌아 들어가 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 버린다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서의 파티클의 부착수를 가능한 한 적게 하기 위해서는, 오목부(24)의 저면에 웨이퍼(W)를 직접 적재하는 것은 바람직하지 않다.
한편, 도 9에 도시하는 바와 같이, 높이 치수가 예를 들어 30㎛ 혹은 150㎛ 정도인 핀 형상의 돌기부(27)를 오목부(24)의 저면에 복수 개소에 설치하여, 이들 돌기부(27)를 통해 웨이퍼(W)를 말하자면 뜨게 한 상태에서 지지한 경우에는, 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 오목부(24)의 저면으로부터 상방측으로 이격된다. 그로 인해, 웨이퍼(W)가 산형으로 휘어져 있는 경우라도, 상술한 파티클의 발생에 대해서는 억제되므로, 웨이퍼(W)의 표면으로의 파티클의 부착에 대해서도 억제된다. 그러나 이와 같이 웨이퍼(W)를 뜨게 하여 지지한 경우에는, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 면내에 있어서의 처리(예를 들어 박막의 막 두께)가 불균일해져 버린다. 즉, 예를 들어 웨이퍼(W)의 외주부에 공급되는 처리 가스의 일부가 웨이퍼(W)의 이면측에 돌아 들어가므로, 당해 외주부에서는 중앙부보다도 처리 가스의 공급량이 적어져, 처리가 면내에 있어서 변동되어 버린다. 또한, 돌기부(27)에 접촉하고 있는 부위와, 서로 인접하는 돌기부(27) 사이에 있어서 오목부(24)의 저면으로부터 뜬 부위에서는, 웨이퍼(W)의 가열 온도가 근소하게 다른 것으로부터도, 웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 처리가 변동되어 버린다. 또한, 처리 가스가 성막 가스(흡착 가스)인 경우에는, 이 처리 가스가 웨이퍼(W)의 이면측으로 돌아 들어간 분만큼 당해 이면측에 파티클이 부착되어 버린다. 따라서, 이와 같이 웨이퍼(W)를 말하자면 뜬 상태에서 지지하는 경우에는, 웨이퍼(W)의 표면측에 대해서는 파티클의 부착이 억제되지만, 처리의 균일성 및 이면 파티클에 대해서는 바람직하지 않다.
한편, 본 실시 형태에 있어서, 오목부(24)의 저면에 상술한 적재대(25)를 설치함으로써, 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 오목부(24)의 저면에 접촉하지 않고, 또한 웨이퍼(W)의 이면측으로의 처리 가스의 유입이 억제되므로, 웨이퍼(W)의 표면측의 파티클, 웨이퍼(W)의 이면측의 파티클 및 처리의 균일성에 대해, 모두 양호한 결과가 얻어진다고 생각된다. 즉, 적재대(25)에 의해 웨이퍼(W)를 지지하는 경우에는, 오목부(24)의 저면에 웨이퍼(W)를 직접 적재하였을 때(도 7이나 도 8)와, 웨이퍼(W)를 오목부(24)의 저면으로부터 뜬 상태에서 지지하였을 때(도 9)의 양자의 이점이 얻어진다고 생각된다.
그러나 웨이퍼(W)에 대하여 오목부(24)가 한층 더 크게 형성되어 있고, 또한 웨이퍼(W)는 처리 중에는 회전 테이블(2)에 의해 회전한다. 그로 인해, 처리 중의 웨이퍼(W)는, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 외측 테두리와 오목부(24)의 내측 테두리 사이의 클리어런스의 분만큼, 오목부(24) 내에 있어서 당해 회전 테이블(2)의 외주부측에 접근한 위치로 이동한다. 따라서, 적재대(25)를 오목부(24)의 중앙에 설치한 것만으로는, 즉, 배경의 항에서 서술한 특허문헌 2의 기술에서는, 웨이퍼(W)의 표면측의 파티클 혹은 처리의 균일성에 대해 양호한 결과가 얻어지지 않는다.
이하에, 적재대(25)를 오목부(24)의 중앙에 설치한 구성에 대해 설명한다.
예를 들어, 오목부(24)의 중앙에 적재대(25)를 배치한 경우(도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 폭 치수 L1, L2를 모두 2.5㎜로 설정한 경우)에는, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)가 오목부(24) 내에 있어서 당해 회전 테이블(2)의 외주부측 O로 이동하면, 도 10에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블의 중앙측 C에서는, 적재대(25)의 상단부 테두리로부터의 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리의 돌출량 t'c가 예를 들어 0.5㎜ 정도로 외주측(t'O＝2.5㎜)보다도 작아진다. 그로 인해, 회전 테이블(2)의 중앙부측 C에 있어서, 웨이퍼(W)의 이면측에 파티클이 발생한 경우에는, 이 파티클이 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리측을 돌아 들어가 웨이퍼(W)의 표면측에 부착되어 버릴 우려가 있다.
한편, 도 11에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)가 당해 회전 테이블(2)의 외주부측으로 어긋났을 때에, 회전 테이블(2)의 중앙부측에 있어서도 예를 들어 1㎜ 정도의 충분한 돌출량 t'c가 확보되도록, 예를 들어 적재대(25)의 직경 치수 d를 짧게 한 경우에는, 당해 중앙부측 C에서는 웨이퍼(W)의 표면측으로의 파티클의 유입에 대해서는 억제된다. 구체적으로는, 직경 치수 d에 대해서는 예를 들어 296㎜로 설정하는 동시에, 폭 치수 L1, L2에 대해서는 모두 3.0㎜로 설정한 경우에는, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)가 오목부(24) 내에 있어서 당해 회전 테이블(2)의 외주부측 O로 이동하였을 때의 중앙부측 및 외주부측의 돌출량 t'c 및 t'O는 각각 1㎜ 및 3㎜로 된다. 이 경우, 회전 테이블(2)의 외주부측에서는, 돌출량 t'O가 지나치게 커져, 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리의 하방측에는, 넓은 공간 S가 형성되므로, 도 12에도 도시하는 바와 같이, 당해 공간 S에 처리 가스가 돌아 들어와 버린다. 그로 인해, 웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 처리가 불균일해지는 동시에, 이 외측 단부 테두리의 이면측에 파티클이 부착되기 쉬워져 버린다. 바꾸어 말하면, 이와 같이 넓은 공간 S가 웨이퍼(W)의 이면측에 형성되면, 당해 이면측에서는 상술한 도 9와 같이 돌기부(27)에 의해 지지되었을 때와 마찬가지의 특성 열화가 발생한다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 도 5 및 도 6 등을 참조하여 상술한 바와 같이, 적재대(25)를 오목부(24)에 대하여 회전 테이블(2)의 외주부측에 편심된 위치에 형성하고 있다. 적재대(25)의 형성 방법의 일례를 설명한다.
예를 들어, 도 5에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 오목부(24)의 내주면에 점 E2에서 접촉한 상태에 있어서의 웨이퍼(W)의 외주부측 O의 외측 단부 테두리의 돌출량을 소정 범위 내의 치수 tO2로 설정할 때에는, 외주부측 O에서는, 적재대(25)의 외주 단부에 대해, 회전 테이블(2)의 외주부측에 있어서의 오목부(24)의 내측 테두리로부터 돌출량 tO2의 분만큼 회전 테이블(2)의 중앙부측 C에 이격된 위치에 형성한다. 즉, 도 5의 폭 치수 L2＝tO2로 한다. 또한, 중앙부측 C에서는, 적재대(25)의 외주 단부에 대해, 회전 테이블(2)의 중앙부측 C에 있어서의 오목부(24)의 내측 테두리로부터, 오목부(24)의 직경 R과 웨이퍼(W)의 직경 r의 차(2cl)의 분만큼, 돌출량 tc2보다도 여분으로 외주부측 O에 이격된 위치로 설정한다. 즉, 도 5의 폭 치수 L1＝tc2＋2cl로 한다. 적재대(25)는 원형으로 형성할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 도 6에 도시하는 바와 같이, 적재대(25)의 중심 위치 O2와 오목부(24)의 중심 위치 O1은, 회전 테이블(2)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배열되도록 설치된다. 즉, 적재대(25)는, 그 중심 위치 O2가, 회전 테이블(2)의 반경 방향에 있어서, 오목부(24)의 중심 위치 O1에 대하여 회전 테이블(2)의 외주부측에 편심된 위치(어긋난 위치)로 되도록 형성된다.
이 예에서는, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 오목부(24)의 내주면에 점 E2에서 접촉한 상태에 있어서, 회전 테이블(2)의 중앙부측 C 및 외주부측 O의 돌출량 tc2 및 tO2를 각각 1㎜ 및 2㎜로 설정하고 있고, 따라서 적재대(25)의 직경 치수 d는, 297㎜{＝302㎜[오목부(24)의 직경 치수 R]－1㎜(중앙부측의 돌출량 tc2)－2㎜(외주부측의 돌출량 tO2)－2㎜(2cl)}로 되어 있다. 또한, 폭 치수 L1은, 중앙부측 C의 돌출량 tc2에 2cl을 더한 치수(＝3㎜)로 되고, 외주부측 O의 폭 치수 L2는, 외주부측 O의 돌출량 tO2와 동일한 치수(＝2㎜)로 된다. 또한, 상술한 바와 같이, 이 예에 있어서, 회전 테이블(2)이 회전하고 있지 않고, 웨이퍼(W) 주위와 오목부(24)의 내벽 사이의 클리어런스가 웨이퍼(W) 주위 전체에 걸쳐 균등한 상태에 있어서는, 회전 테이블(2)의 중앙부측 C 및 외주부측 O의 돌출량 tc1 및 tO1은 각각 2㎜ 및 1㎜로 된다. 즉, 이 예에 있어서, 적재대(25)는, 회전 테이블(2)이 회전하기 전에, 회전 테이블(2)의 중앙부측 C 및 외주부측 O에서 오목부(24)와 웨이퍼(W) 사이의 클리어런스 cl이 동등해지도록 당 웨이퍼(W)가 적재대(25)에 적재되었을 때의 회전 테이블(2)의 중앙부측 C에 있어서의 적재대(25)로부터의 웨이퍼(W)의 주연부의 돌출량 tc1이, 회전 테이블(2)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)가 오목부(24)의 내벽면에 접촉하였을 때에, 회전 테이블(2)의 외주부측 O에 있어서의 적재대(25)로부터의 웨이퍼(W)의 주연부의 돌출량 tO2와 동등해지도록 구성되어 있다.
계속해서, 기판 처리 장치의 각 부의 설명으로 되돌아가면, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 이상 설명한 오목부(24)의 통과 영역과 각각 대향하는 위치에는, 각각 예를 들어 석영으로 이루어지는 5개의 노즐(31, 32, 34, 41 및 42)이 진공 용기(1)의 둘레 방향으로 서로 간격을 두고 방사상으로 배치되어 있다. 이들 각 노즐(31, 32, 34, 41 및 42)은, 예를 들어 진공 용기(1)의 외주벽으로부터 중심부 영역 C를 향해 웨이퍼(W)에 대향하여 수평으로 신장되도록 각각 장착되어 있다. 이 예에서는, 후술하는 반송구(15)에서 볼 때 시계 방향[회전 테이블(2)의 회전 방향]으로 플라즈마 발생용 가스 노즐(34), 분리 가스 노즐(41), 제1 처리 가스 노즐(31), 분리 가스 노즐(42) 및 제2 처리 가스 노즐(32)이 이 순서로 배열되어 있다. 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)의 상방측에는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)로부터 토출되는 가스를 플라즈마화하기 위해, 후술하는 플라즈마 발생부(80)가 설치되어 있다.
처리 가스 노즐(31 및 32)은, 각각 제1 처리 가스 공급부, 제2 처리 가스 공급부를 이루고, 분리 가스 노즐(41 및 42)은, 각각 분리 가스 공급부를 이루고 있다. 또한, 도 2 및 도 4는 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)이 보이도록 플라즈마 발생부(80) 및 후술하는 하우징(90)을 제거한 상태, 도 3은 이들 플라즈마 발생부(80) 및 하우징(90)을 장착한 상태를 나타내고 있다.
각 노즐(31, 32, 34, 41 및 42)은, 유량 조정 밸브를 통해 각각 이하의 각 가스 공급원(도시하지 않음)에 각각 접속되어 있다. 즉, 제1 처리 가스 노즐(31)은, Si(실리콘)를 포함하는 제1 처리 가스, 예를 들어 BTBAS{비스터셜부틸아미노실란, SiH2[NH―C(CH3)3]2} 가스 등의 공급원에 접속되어 있다. 제2 처리 가스 노즐(32)은, 제2 처리 가스, 예를 들어 오존(O3) 가스와 산소(O2) 가스의 혼합 가스의 공급원(상세하게는 오조나이저가 설치된 산소 가스 공급원)에 접속되어 있다. 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)은, 예를 들어 아르곤(Ar) 가스와 산소 가스의 혼합 가스로 이루어지는 플라즈마 발생용 가스의 공급원에 접속되어 있다. 분리 가스 노즐(41 및 42)은, 분리 가스인 질소(N2) 가스의 가스 공급원에 각각 접속되어 있다. 이들 가스 노즐(31, 32, 34, 41 및 42)의 예를 들어 하면측에는, 회전 테이블(2)의 반경 방향을 따라 복수 개소에 가스 토출 구멍(33)이 예를 들어 등간격으로 형성되어 있다.
처리 가스 노즐(31 및 32)의 하방 영역은, 각각, 제1 처리 가스를 웨이퍼(W)에 흡착시키기 위한 제1 처리 영역 P1 및 웨이퍼(W)에 흡착된 제1 처리 가스의 성분과 제2 처리 가스를 반응시키기 위한 제2 처리 영역 P2로 된다. 분리 가스 노즐(41 및 42)은, 제1 처리 영역 P1과 제2 처리 영역 P2를 분리하는 분리 영역 D1 및 D2를 형성한다. 분리 영역 D1 및 D2에 있어서의 진공 용기(1)의 천장판(11)에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 대략 부채형의 볼록 형상부(4)가 설치되어 있고, 분리 가스 노즐(41 및 42)은, 이 볼록 형상부(4) 내에 수납되어 있다. 따라서, 분리 가스 노즐(41 및 42)에 있어서의 회전 테이블(2)의 둘레 방향 양측에는, 각 처리 가스끼리의 혼합을 저지하기 위해, 볼록 형상부(4)의 하면인 낮은 천장면이 배치되고, 이 천장면의 상기 둘레 방향 양측에는, 당해 천장면보다도 높은 천장면이 배치되어 있다. 볼록 형상부(4)의 주연부[진공 용기(1)의 외측 테두리측의 부위]는, 각 처리 가스끼리의 혼합을 저지하기 위해, 회전 테이블(2)의 외측 단부면에 대향하는 동시에 용기 본체(12)에 대하여 근소하게 이격되도록, L자형으로 굴곡하고 있다.
다음으로, 플라즈마 발생부(80)에 대해 설명한다. 플라즈마 발생부(80)는, 금속선으로 이루어지는 안테나(83)를 코일 형상으로 권회하여 구성되어 있고, 회전 테이블(2)의 중앙부측으로부터 외주부측에 걸쳐 웨이퍼(W)의 통과 영역에 걸치도록 배치되어 있다. 또한, 이 안테나(83)는, 정합기(84)를 통해 주파수가 예를 들어 13.56㎒ 및 출력 전력이 예를 들어 5000W인 고주파 전원(85)에 접속되는 동시에, 진공 용기(1)의 내부 영역으로부터 기밀하게 구획되도록 배치되어 있다. 즉, 상술한 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)의 상방측에 있어서의 천장판(11)은, 평면적으로 보았을 때에 대략 부채형으로 개방되어 있고, 예를 들어 석영 등으로 이루어지는 하우징(90)에 의해 기밀하게 막아져 있다. 이 하우징(90)은, 주연부가 둘레 방향에 걸쳐 플랜지 형상으로 수평으로 신장되는 동시에, 중앙부가 진공 용기(1)의 내부 영역을 향해 우묵하게 들어가도록 형성되어 있고, 이 하우징(90)의 내측에 상기 안테나(83)가 수납되어 있다. 도 1 중 부호 11a는, 하우징(90)과 천장판(11) 사이에 설치된 시일 부재이며, 부호 91은, 하우징(90)의 주연부를 하방측을 향해 압박하기 위한 압박 부재이다. 또한 도 1 중 부호 86은, 플라즈마 발생부(80)와 정합기(84) 및 고주파 전원(85)을 전기적으로 접속하기 위한 접속 전극이다.
하우징(90)의 하면은, 당해 하우징(90)의 하방 영역으로의 N2 가스나 O3 가스 등의 침입을 저지하기 위해, 도 1에 도시하는 바와 같이, 외측 테두리부가 둘레 방향에 걸쳐 하방측[회전 테이블(2)측]에 수직으로 신장되어, 가스 규제용 돌기부(92)를 이루고 있다. 그리고 이 돌기부(92)의 내주면, 하우징(90)의 하면 및 회전 테이블(2)의 상면에 의해 둘러싸인 영역에는, 상술한 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)이 수납되어 있다.
하우징(90)과 안테나(83) 사이에는, 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 상면측이 개방되는 대략 상자형의 패러데이 실드(95)가 배치되어 있고, 이 패러데이 실드(95)는, 도전성의 판 형상체인 금속판에 의해 구성되는 동시에 접지되어 있다. 이 패러데이 실드(95)의 저면에는, 안테나(83)에 있어서 발생하는 전계 및 자계(전자계) 중 전계 성분이 하방의 웨이퍼(W)를 향하는 것을 저지하는 동시에, 자계를 웨이퍼(W)에 도달시키기 위해, 안테나(83)의 권회 방향에 대하여 직교하는 방향으로 신장되도록 형성된 슬릿(97)이 둘레 방향에 걸쳐 안테나(83)의 하방 위치에 설치되어 있다. 패러데이 실드(95)와 안테나(83) 사이에는, 이들 패러데이 실드(95)와 안테나(83)의 절연을 취하기 위해, 예를 들어 석영으로 이루어지는 절연판(94)이 개재되어 있다.
회전 테이블(2)의 외주측에 있어서 당해 회전 테이블(2)보다도 근소하게 하방 위치에는, 링 형상의 사이드 링(100)이 배치되어 있고, 이 사이드 링(100)의 상면에는, 서로 둘레 방향으로 이격되도록 2개소에 배기구(61, 62)가 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 진공 용기(1)의 저면부(14)에 2개의 배기구가 형성되고, 이들 배기구에 대응하는 위치에 있어서의 사이드 링(100)에, 배기구(61, 62)가 형성되어 있다. 이들 2개의 배기구(61, 62) 중 한쪽 및 다른 쪽을 각각 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)라 하면, 제1 배기구(61)는, 제1 처리 가스 노즐(31)과, 당해 제1 처리 가스 노즐(31)보다도 회전 테이블의 회전 방향 하류측에 있어서의 분리 영역 D 사이에 있어서, 당해 분리 영역 D측에 접근한 위치에 형성되어 있다. 제2 배기구(62)는, 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)과, 당해 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)보다도 회전 테이블의 회전 방향 하류측에 있어서의 분리 영역 D 사이에 있어서, 당해 분리 영역 D측에 접근한 위치에 형성되어 있다.
제1 배기구(61)는, 제1 처리 가스 및 분리 가스를 배기하기 위한 것이며, 제2 배기구(62)는, 제2 처리 가스 및 분리 가스 외에, 플라즈마 발생용 가스를 배기하기 위한 것이다. 그리고 하우징(90)의 외측 테두리측에 있어서의 사이드 링(100)의 상면에는, 당해 하우징(90)을 피해 가스를 제2 배기구(62)에 통류시키기 위한 홈 형상의 가스 유로(101)가 형성되어 있다. 이들 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 각각 나비 밸브 등의 압력 조정부(65)가 개재 설치된 배기관(63)에 의해, 진공 배기 기구인 예를 들어 진공 펌프(64)에 접속되어 있다.
천장판(11)의 하면에 있어서의 중앙부에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 볼록 형상부(4)에 있어서의 중심부 영역 C측의 부위와 연속하여 둘레 방향에 걸쳐 대략 링 형상으로 형성되는 동시에, 그 하면이 볼록 형상부(4)의 하면과 동일한 높이로 형성된 돌출부(5)가 설치되어 있다. 이 돌출부(5)보다도 회전 테이블(2)의 회전 중심측에 있어서의 코어부(21)의 상방측에는, 중심부 영역 C에 있어서 제1 처리 가스와 제2 처리 가스가 서로 혼합되는 것을 억제하기 위한 래버린스 구조부(110)가 배치되어 있다. 이 래버린스 구조부(110)는, 회전 테이블(2)측으로부터 천장판(11)측을 향해 둘레 방향에 걸쳐 수직으로 신장되는 제1 벽부(111)와, 천장판(11)측으로부터 회전 테이블(2)을 향해 둘레 방향에 걸쳐 수직으로 신장되는 제2 벽부(112)를 회전 테이블(2)의 반경 방향으로 교대로 배치한 구성을 취하고 있다.
진공 용기(1)의 측벽에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 도시하지 않은 외부의 반송 아암과 회전 테이블(2) 사이에 있어서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송구(15)가 형성되어 있고, 이 반송구(15)는 게이트 밸브(G)에 의해 기밀하게 개폐 가능하게 구성되어 있다. 또한, 이 반송구(15)를 면하는 위치에 있어서의 회전 테이블(2)의 하방측에는, 회전 테이블(2)의 관통구(24a)를 통해 웨이퍼(W)를 이면측으로부터 들어올리기 위한 도시하지 않은 승강 핀이 설치되어 있다.
또한, 이 기판 처리 장치에는, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(120)가 설치되어 있고, 이 제어부(120)의 메모리 내에는 후술하는 성막 처리 및 개질 처리를 행하기 위한 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램은, 후술하는 장치의 동작을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있고, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 기억 매체인 기억부(121)로부터 제어부(120) 내에 인스톨된다.
다음으로, 상술한 실시 형태의 작용에 대해 설명한다.
이때, 회전 테이블(2)은, 회전 테이블(2) 상에 적재되는 웨이퍼(W)가 성막 온도, 예를 들어 300℃ 정도로 되도록, 히터 유닛(7)에 의해 이미 가열되어 있다. 우선, 게이트 밸브(G)를 개방하여, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시키면서, 도시하지 않은 반송 아암에 의해 반송구(15)를 통해 회전 테이블(2) 상에 예를 들어 5매의 웨이퍼(W)를 적재한다. 이들 웨이퍼(W)는, 오목부(24)의 중앙 위치에 각각 적재되고, 따라서 당해 오목부(24)의 내주면으로부터 둘레 방향에 걸쳐 이격되도록(접촉하지 않도록) 배치된다. 이때, 각 웨이퍼(W)는, 상온이거나, 혹은 이미 다른 열처리가 이미 실시되어 있어, 회전 테이블(2) 상에 적재되었을 때, 도 13에 도시하는 바와 같이, 당해 웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 온도 편차에 기초하여 산형으로 휘는 경우가 있다.
이어서, 게이트 밸브(G)를 폐쇄하고, 진공 펌프(64)에 의해 진공 용기(1) 내를 진공의 상태로 하는 동시에, 회전 테이블(2)을 예를 들어 2rpm 내지 240rpm으로 시계 방향(도면 중 화살표 A로 나타내는 방향)으로 회전시킨다. 각 웨이퍼(W)는, 도 14에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해, 오목부(24) 내에 있어서 당해 회전 테이블(2)의 외주부측 O로 이동한다. 이때, 웨이퍼(W)가 성막 온도에 도달할 때까지의 시간을 기다리지 않고 회전 테이블(2)을 회전시키고 있으므로, 웨이퍼(W)가 산형으로 휘어져 있는 경우에는 평탄화되기 전에(휜 채) 외주부측 O로 이동한다. 그러나 웨이퍼(W)가 이동할 때, 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리는 회전 테이블(2)의 표면이나 적재대(25)의 표면으로부터 이격하고 있으므로, 당해 외측 단부 테두리와 적재대(25)의 미끄럼 이동에 의한 파티클의 발생이 억제된다.
여기서, 회전 테이블(2)을 정지 상태로부터 회전시키면, 각 웨이퍼(W)는 정지한 채로 있으려고 하므로, 당해 회전 테이블(2)의 회전 방향 후방측[회전 테이블(2)의 진행 방향과는 반대 방향]으로 이동하려고 한다. 그러나 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 회전 테이블(2)의 외주부측에 있어서의 오목부(24)의 내주면에 접촉하도록, 상기 원심력에 의해 웨이퍼(W)가 말하자면 밀리므로, 오목부(24) 및 원심력에 의해 회전 테이블(2)의 회전 방향에 있어서의 웨이퍼(W)의 위치가 규제된다. 그 결과, 도 15에 도시하는 바와 같이, 당해 회전 방향 A 양측에 있어서의 돌출량 t가 고르게 된다. 따라서, 웨이퍼(W)가 회전 테이블(2)에 의해 회전되고 있을 때, 돌출량 t는 둘레 방향에 걸쳐 1㎜ 내지 2㎜로 된다.
그리고 이하에 설명하는 성막 처리를 행하고 있는 동안에, 혹은 각 처리 가스의 공급을 개시하기 전에, 회전 테이블(2)로부터의 입열에 의해, 웨이퍼(W)는 성막 온도를 향해 점차 승온해 가고, 그 후방면 내에 걸쳐 이 성막 온도에서 온도가 고르게 된다. 따라서, 웨이퍼(W)가 산형으로 휘어져 있어도, 도 16에 도시하는 바와 같이 평탄화된다. 이때, 웨이퍼(W)가 평탄화되는 데 있어서, 당해 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 외측을 향해 신장되도록 이동하지만, 이 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 적재대(25)로부터 이격하고 있으므로, 마찬가지로 파티클의 발생이 억제된다.
이때, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)가 회전 테이블(2)의 외주부측 O로 이동할 때에, 웨이퍼(W)의 이면과 적재대(25)의 표면이 서로 마찰됨으로써 파티클이 발생한다. 그러나 도 17에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면측의 파티클에서 보면, 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 1㎜ 내지 2㎜의 길이에 걸쳐 둘레 방향을 따라 수평으로 신장되어 있다. 그로 인해, 파티클은 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리를 돌아 들어가기 어렵게 되어 있으므로, 웨이퍼(W)의 표면측으로의 부착이 억제된다.
그리고 처리 가스 노즐(31 및 32)로부터 각각 제1 처리 가스 및 제2 처리 가스를 토출하는 동시에, 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)로부터 플라즈마 발생용 가스를 토출한다. 또한, 분리 가스 노즐(41 및 42)로부터 분리 가스를 소정의 유량으로 토출하고, 분리 가스 공급관(51) 및 퍼지 가스 공급관(72)으로부터도 질소 가스를 소정의 유량으로 토출한다. 그리고 압력 조정부(65)에 의해 진공 용기(1) 내를 미리 설정한 처리 압력으로 조정하는 동시에, 플라즈마 발생부(80)에 대하여 고주파 전력을 공급한다.
이때, 웨이퍼(W)에 대하여 공급되는 각 처리 가스는, 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리와 오목부(24)의 내주면 사이의 간극을 통해 웨이퍼(W)의 이면측의 영역에 돌아 들어가려고 하지만, 상술한 바와 같이 돌출량 t를 설정하고 있어 당해 영역에는 가스가 용이하게 돌아 들어갈 수 있을 정도의 큰 스페이스가 없으므로, 가스의 유입이 억제된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 이면측으로의 파티클의 부착이 억제되는 동시에, 웨이퍼(W)의 표면에는 각 처리 가스가 균일하게 공급된다. 또한, 이와 같이 돌출량 t를 설정하고 있으므로, 적재대(25)의 상방측의 영역에서는 웨이퍼(W)의 온도가 균일해지고, 또한 당해 영역을 통해 외주부측에 빠르게 전열하고, 이와 같이 하여 각 웨이퍼(W)는 면내에 있어서 온도가 고르게 된다.
그리고 웨이퍼(W)의 표면에서는, 회전 테이블(2)의 회전에 의해 제1 처리 영역 P1에 있어서 제1 처리 가스가 흡착되고, 이어서 제2 처리 영역 P2에 있어서 웨이퍼(W) 상에 흡착된 제1 처리 가스와 제2 처리 가스의 반응이 일어나고, 박막 성분인 실리콘 산화막(SiO2)의 분자층이 1층 혹은 복수층 형성되어 반응 생성물이 형성된다. 이때, 반응 생성물 중에는, 예를 들어 제1 처리 가스에 포함되는 잔류기로 인해, 수분(OH기)이나 유기물 등의 불순물이 포함되어 있는 경우가 있다.
한편, 플라즈마 발생부(80)의 하방측에서는, 고주파 전원(85)으로부터 공급되는 고주파 전력에 의해 발생한 전계 및 자계 중 전계는, 패러데이 실드(95)에 의해 반사 혹은 흡수(감쇠)되어, 진공 용기(1) 내로의 도달이 저해된다(차단됨). 자계는, 패러데이 실드(95)의 슬릿(97)을 통과하여, 하우징(90)의 저면을 통해 진공 용기(1) 내에 도달한다. 따라서, 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)로부터 토출된 플라즈마 발생용 가스는, 슬릿(97)을 통해 통과해 온 자계에 의해 활성화되어, 예를 들어 이온이나 래디컬 등의 플라즈마가 생성된다.
그리고 자계에 의해 발생한 플라즈마(활성종)가 웨이퍼(W)의 표면에 접촉하면, 반응 생성물의 개질 처리가 행해진다. 구체적으로는, 예를 들어 플라즈마가 웨이퍼(W)의 표면에 충돌함으로써, 예를 들어 이 반응 생성물로부터 상기 불순물이 방출되거나, 반응 생성물 내의 원소가 재배열되어 치밀화(고밀도화)가 도모되게 된다. 이와 같이 하여 회전 테이블(2)의 회전을 계속함으로써, 웨이퍼(W) 표면으로의 제1 처리 가스의 흡착, 웨이퍼(W) 표면에 흡착된 제1 처리 가스의 성분의 반응 및 반응 생성물의 플라즈마 개질이 이 순서로 다수회에 걸쳐 행해져, 반응 생성물이 적층되어 박막이 형성된다. 이때, 상술한 바와 같이 각 웨이퍼(W)에 대하여 각 가스가 면내에 걸쳐 균일하게 공급되고, 또한 웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 온도가 고르게 되어 있으므로, 박막의 막 두께는 면내에 걸쳐 균일해진다.
또한, 제1 처리 영역 P1과 제2 처리 영역 P2 사이에 질소 가스를 공급하고 있으므로, 제1 처리 가스와 제2 처리 가스 및 플라즈마 발생용 가스가 서로 혼합되지 않도록 각 가스가 배기된다. 또한, 회전 테이블(2)의 하방측에 퍼지 가스를 공급하고 있으므로, 회전 테이블(2)의 하방측에 확산하려고 하는 가스는, 상기 퍼지 가스에 의해 배기구(61 및 62)측으로 되돌려진다.
상술한 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)를 떨어뜨려 수납하기 위한 오목부(24)에 대해, 웨이퍼(W)보다도 크게 형성하는 동시에, 웨이퍼(W)보다도 작게 형성한 적재대(25)를 이 오목부(24) 내에 형성하고 있다. 그리고 이 적재대(25)에 대해, 웨이퍼(W)가 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 당해 회전 테이블(2)의 외주부측으로 이동하였을 때, 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 둘레 방향에 걸쳐 적재대(25)의 상단부 테두리로부터 돌출되도록(밀려 나오도록), 오목부(24)의 중심 위치에 대하여 적재대(25)의 중심 위치를 외주부측에 편심시키고 있다. 그로 인해, 돌출량 t에 대해, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 걸쳐, 웨이퍼(W)의 이면측에서 발생한 파티클이 표면측에 날아오르는 것을 억제할 수 있는 치수를 확보하면서, 처리 가스가 웨이퍼(W)의 이면측에 돌아 들어갈 수 있을 정도의 큰 스페이스가 형성되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 면내에 걸쳐 막 두께의 균일성이 높은 처리를 행할 수 있는 동시에, 웨이퍼(W)로의 파티클의 부착을 억제할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)가 산형으로 휘어져 있어도, 회전 테이블(2)에 적재하여 즉시 처리[회전 테이블(2)의 회전]를 개시할 수 있으므로, 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
여기서, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 오목부(24)의 내주면에 접촉하였을 때의 돌출량 t로서는, 상술한 바와 같이, 지나치게 작으면 파티클이 웨이퍼(W)의 표면측에 돌아 들어가기 쉬워지고, 한편 지나치게 크면 면내에 있어서의 막 두께의 균일성이 나빠지거나 웨이퍼(W)의 이면에 파티클이 부착되기 쉬워지므로, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 걸쳐 1㎜ 이상 3㎜ 미만, 보다 바람직하게는 1㎜ 이상 2㎜ 이하인 것이 바람직하다.
도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 예에서는, 돌출량 t에 대해, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 오목부(24)의 내주면에 점 E2에서 접촉한 상태에 있어서, 회전 테이블(2)의 외주부측 O 및 중앙부측 C에서 각각 tO2＝2㎜ 및 tc2＝1㎜로 되도록 설정하였다. 그러나 다른 예로서, 적재대(25)는, 회전 테이블(2)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)가 오목부(24)의 내벽면에 접촉하였을 때에, 적재대(25)로부터의 웨이퍼(W)의 주연부의 돌출량이, 회전 테이블(2)의 중앙부측 C 및 외주부측 O에서 동등해지도록 설치할 수도 있다.
예를 들어, 적재대(25)의 직경 치수 d를 짧게 하고, 적재대(25)의 직경 치수 d, 폭 치수 L1 및 폭 치수 L2를, 각각 296㎜, 4㎜ 및 2㎜로 되도록 설정할 수 있다. 이러한 구성으로 한 경우, 적재대(25)로부터의 웨이퍼(W)의 주연부의 돌출량이, 회전 테이블(2)의 중앙부측 C 및 외주부측 O 모두 2㎜, 즉 둘레 방향에 걸쳐 동등하게 2㎜로 되도록 할 수 있다. 또한, 이러한 구성으로 한 경우, 회전 테이블(2)을 회전시키기 전에 있어서는, 중앙부측의 돌출량 tc1이 3㎜{＝302㎜[오목부(24)의 직경 치수 R]－296㎜[적재대(25)의 직경 치수 d2]－2㎜[외주부측의 오목부(24)와 적재대(25)의 거리]－1㎜(중앙부측의 클리어런스 cl)}로 된다. 그러나 회전 테이블(2)의 회전 전에 있어서는, 돌출량 tc1이 커도, 처리 가스가 돌아 들어가거나 외측 단부 테두리의 이면측에 파티클이 부착되는 등의 문제가 발생한다고 하는 문제는 없다.
또한, 다른 예로서, 적재대(25)의 직경 치수 d는 297㎜로 한 채, 도 6의 적재대(25)의 중심 위치 O2를 오목부(24)에 대하여 더욱 외주부측 O로 이동시키고, 적재대(25)의 중심 위치 O2와 오목부(24)의 중심 위치 O1 사이의 거리 d1을 예를 들어 1㎜로 함으로써, 회전 테이블(2)의 회전에 수반하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)가 오목부(24)의 내벽면에 접촉하였을 때에, 적재대(25)로부터의 웨이퍼(W)의 주연부의 돌출량이, 회전 테이블(2)의 중앙부측 C 및 외주부측 O 모두 1.5㎜, 즉 둘레 방향에 걸쳐 동등하게 1.5㎜로 되도록 할 수 있다. 이상의 내용을 고려하면, 도 6의 적재대(25)의 중심 위치 O2와 오목부(24)의 중심 위치 O1 사이의 거리 d1은, 예를 들어 0.5㎜ 이상 1㎜ 이하 정도로 할 수 있다.
여기서, 이상 설명한 기판 처리 장치의 다른 예에 대해 열거한다. 도 19는 적재대(25)에 대해, 상단부면으로부터 하방측을 향할수록, 직경 치수 d가 커지도록 형성한 예를 나타내고 있다. 또한, 도 20은 적재대(25)의 직경 치수 d에 대해, 상단부면으로부터 하방측을 향할수록 작아지도록 형성한 예를 나타내고 있다. 도 19나 도 20의 경우라도, 웨이퍼(W)의 돌출량 t는 상술한 예와 마찬가지로 설정된다.
또한, 도 21은 평면에서 보았을 때에 적재대(25)를 웨이퍼(W)와 동심원 형상으로 형성하는 것 대신에, 외주면에 요철을 설치한 예를 나타내고 있다. 이 경우라도, 돌출량 t는, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 걸쳐 상술한 예와 동일한 범위 내로 설정된다. 또한, 오목부(24)의 직경 치수 R에 대해서는, 웨이퍼(W)보다도 한층 더 커지도록, 구체적으로는 웨이퍼(W)의 직경 치수 r보다도 1㎜ 내지 2㎜ 정도 큰 치수로 되도록 형성되고, 따라서 적재대(25)의 직경 치수 d나 폭 치수 L1, L2에 대해서는, 돌출량 t가 상술한 범위로 되도록, 오목부(24)의 직경 치수 R에 따라 적절하게 설정된다. 또한, 이상의 각 예에서는 오목부(24) 및 적재대(25)의 중심 위치 O1, O2에 대해, 회전 테이블(2)의 반경 방향으로 배열하여 배치하였지만, 예를 들어 중심 위치 O1에 대하여, 중심 위치 O2를 회전 테이블(2)의 외주부측으로 어긋나게 하는 동시에, 당해 회전 테이블(2)의 둘레 방향으로 근소하게 이격시켜도 된다. 이러한 경우라도, 회전 테이블(2)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측 단부 테두리가 오목부(24)의 내벽면에 접촉하였을 때, 돌출량 t는 상술한 범위 내로 설정된다.
또한, 이상 설명한 기판 처리 장치에 있어서의 성막 처리로서는, 상술한 실리콘 산화막 이외에도, 이하의 표 1의 좌란에 나타내는 반응 생성물을 성막해도 된다. 이 표 1에 있어서 반응 생성물의 우측에는, 각각의 성막 처리에 사용되는 각 처리 가스의 일례에 대해서도 병기하고 있고, 또한 실리콘 산화막을 성막할 때에 사용되는 가스종에 대해서도 이미 설명한 각 가스와는 다른 예를 나타내고 있다.
[표 1]
Figure pat00001
따라서, 플라즈마 발생용 가스에 대해서도, 반응 생성물의 종별에 따라 적절하게 변경해도 된다.
또한, 이상 설명한 기판 처리 장치로서는, 성막 처리와 함께 플라즈마 개질 처리를 행하는 예를 들었지만, 예를 들어 성막 처리를 행한 후의 웨이퍼(W)에 대하여 플라즈마 처리를 행하도록 구성해도 된다. 이 경우에는, 도 22에 도시하는 바와 같이, 회전 테이블(2)을 연직축 주위로 회전시키는 동시에, 플라즈마 발생용 가스 노즐(34)로부터 토출되는 처리 가스(플라즈마 발생용 가스)를 플라즈마화함으로써, 웨이퍼(W) 상에 형성된 박막의 개질 처리가 행해진다. 이러한 기판 처리 장치의 경우에는, 웨이퍼(W)로의 파티클의 부착이 억제되는 동시에, 웨이퍼(W)의 이면측으로의 플라즈마 발생용 가스의 유입이 억제되므로, 면내에 걸쳐 균일성이 높은 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
이상의 각 예에서는, 회전 테이블(2)을 석영에 의해 구성한 예에 대해 설명하였지만, 석영 대신에, 카본(C), 탄화 실리콘(SiC), 알루미늄(Al) 등에 의해 회전 테이블(2)을 구성해도 된다. 또한, 회전 테이블(2)을 연직축 주위로 회전시키는 데 있어서, 상술한 각 예에서는 시계 방향으로 회전시키는 예에 대해 설명하였지만, 반시계 방향으로 회전시켜 이상 서술한 각 처리를 행하도록 해도 된다.
실시예
상술한 도 1의 기판 처리 장치를 사용하여, 5매의 웨이퍼 1 내지 5에 대하여 성막 처리를 행한 바, 이하의 표 2 및 도 23에 나타내는 바와 같이, 이들 웨이퍼 1 내지 5의 표면에 부착된 파티클은 지극히 적었다.
[표 2 : 실시예]
Figure pat00002
한편, 상술한 도 7 및 도 8에 기재된 회전 테이블(2)을 사용하여 마찬가지의 처리를 행한 바(비교예 1), 표 3 및 도 24에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 1 내지 5의 표면에 있어서의 파티클은 증가하고 있었다.
[표 3 : 비교예 1]
Figure pat00003
또한, 도 9의 회전 테이블(2)의 경우(비교예 2)에 관한 결과를 표 4 및 도 25에 나타내면, 웨이퍼 1 내지 5의 표면에 부착되는 파티클에 대해서는, 실시예보다도 적게 되어 있었다.
[표 4 :비교예 2]
Figure pat00004
그러나 웨이퍼(W)의 이면측에 부착되는 파티클에 대해서는, 표 5 및 도 26에 나타내는 바와 같이, 비교예 2에서는 실시예보다도 많게 되어 있었다.
[표 5]
Figure pat00005
또한, 이상 설명한 웨이퍼 1 내지 5의 표면의 파티클 및 이면의 파티클의 결과를 정리하는 동시에, 각 웨이퍼 1 내지 5에 성막한 박막의 면내에 있어서의 균일성의 결과를 표 6에 나타낸다.
[표 6]
Figure pat00006
이 표 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에서는, 박막의 막 두께에 대해 높은 균일성을 확보하면서, 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 기판보다도 직경이 커지도록 회전 테이블의 표면에 형성된 오목부의 저면에, 기판을 적재하기 위한 적재대를 설치하는 동시에, 이 적재대에 대해, 회전 테이블의 회전에 수반하는 원심력에 의해 기판이 오목부의 내벽면에 접촉하였을 때에, 기판의 주연부가 전체 둘레에 걸쳐 적재대로부터 밀려 나오는 크기로 설정하고 있다. 그리고 이 적재대의 중심에 대해, 오목부의 중심에 대하여 회전 테이블의 외주부측에 편심시키고 있다. 그로 인해, 원심력에 의해 기판이 이동하였을 때, 적재대로부터의 기판의 주연부의 돌출량에 대해, 당해 기판의 둘레 방향에 걸쳐, 기판의 이면측에서 발생한 파티클이 표면측에 날아 오르는 것을 억제할 수 있는 치수를 확보하면서, 처리 가스가 기판의 이면측에 돌아 들어갈 수 있을 정도의 큰 스페이스가 형성되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판이 산형으로 휘어져 있는 경우라도, 회전 테이블에 당해 기판을 적재한 후 즉시 기판의 회전을 개시할 수 있으므로, 처리량의 저하를 억제하면서, 또한 면내에 있어서의 처리의 균일성을 확보하면서, 기판으로의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.

Claims (8)

  1. 진공 용기와,
    상기 진공 용기 내에 설치되고, 원형의 기판이 적재되는 동시에 회전되는 회전 테이블이며, 표면에 상기 기판보다도 직경이 큰 원형의 오목부가 설치되고, 당해 오목부 내에는 당해 오목부 및 상기 기판보다도 직경이 작고, 상기 오목부의 저부보다도 높은 위치에 설치된 원형의 기판 적재부가 설치되고, 당해 기판 적재부의 중심이, 상기 오목부의 중심보다도 상기 회전 테이블의 외주부측에 편심되어 있는 회전 테이블과,
    상기 기판에 대하여 처리 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급부와,
    상기 진공 용기 내를 진공 배기하기 위한 진공 배기 기구를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 회전 테이블의 회전에 수반하는 원심력에 의해 상기 기판이 상기 오목부의 내벽면에 접촉하였을 때에, 상기 기판 적재부로부터의 상기 기판의 주연부의 돌출량은, 당해 기판의 둘레 방향에 걸쳐 1㎜ 이상 3㎜ 미만의 범위인, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오목부의 중심 및 상기 기판 적재부의 중심은, 상기 회전 테이블의 반경 방향을 따라 서로 이격되도록 각각 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판 적재부 상의 상기 기판을 가열하기 위한 가열 기구를 더 포함하고,
    상기 처리 가스는, 상기 기판에 박막을 성막하기 위한 것인, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판 적재부는, 상기 회전 테이블이 회전하기 전에, 상기 회전 테이블의 중앙부측 및 외주부측에서 상기 오목부와 상기 기판 사이의 클리어런스가 동등해지도록 당해 기판이 상기 기판 적재부에 적재되었을 때의 상기 회전 테이블의 중앙부측에 있어서의 상기 기판 적재부로부터의 당해 기판의 주연부의 돌출량이, 상기 회전 테이블의 회전에 수반하는 원심력에 의해 기판이 상기 오목부의 내벽면에 접촉하였을 때에, 상기 회전 테이블의 외주부측에 있어서의 상기 기판 적재부로부터의 기판의 주연부의 돌출량과 동등해지도록 설치된, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판 적재부는, 상기 회전 테이블의 회전에 수반하는 원심력에 의해 상기 기판이 상기 오목부의 내벽면에 접촉하였을 때에, 상기 기판 적재부로부터의 상기 기판의 주연부의 돌출량이, 상기 회전 테이블의 중앙부측 및 외주부측에서 동등해지도록 설치된, 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판 적재부의 높이는, 상기 기판이 적재되었을 때에 당해 기판의 표면이 상기 회전 테이블의 표면과 동일한 높이로 되도록 설치된, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판 적재부는, 상기 회전 테이블의 회전에 수반하는 원심력에 의해 상기 기판이 상기 오목부의 내벽면에 접촉하였을 때에, 상기 기판의 주연부가 전체 둘레에 걸쳐 상기 기판 적재부로부터 밀려 나오는 크기로 설정된, 기판 처리 장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150133634A (ko) * 2014-05-16 2015-11-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치
KR20150143303A (ko) * 2014-05-30 2015-12-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치
KR20160076457A (ko) * 2014-12-22 2016-06-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1191097A1 (en) † 2000-09-21 2002-03-27 Leids Universitair Medisch Centrum Induction of exon skipping in eukaryotic cells
JP5107185B2 (ja) * 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
WO2013078098A1 (en) * 2011-11-23 2013-05-30 Lam Research Corporation Multi zone gas injection upper electrode system
JP6115244B2 (ja) * 2013-03-28 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
CN103668119B (zh) * 2013-10-31 2016-06-22 无锡迈纳德微纳技术有限公司 一种硅酸盐类荧光粉及其表面包覆氧化物隔膜薄膜的装置和工艺
KR20160111521A (ko) * 2014-01-27 2016-09-26 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 화학적 기상 증착 시스템을 위한 복합 반경들을 갖는 유지 포켓들을 구비한 웨이퍼 캐리어
JP6303592B2 (ja) * 2014-02-25 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN105632984B (zh) * 2014-11-24 2018-10-16 中微半导体设备(上海)有限公司 一种晶圆载盘
CN104538331B (zh) * 2014-12-12 2018-06-05 通富微电子股份有限公司 一种晶圆翘曲处理的装置及方法
JP6339029B2 (ja) * 2015-01-29 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6447393B2 (ja) * 2015-07-06 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置、成膜処理方法及び記憶媒体
JP6512063B2 (ja) 2015-10-28 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US10522385B2 (en) 2017-09-26 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer table with dynamic support pins
CN107826715B (zh) * 2017-11-10 2024-05-10 王晓杰 供给装置和供给方法
JP6987021B2 (ja) * 2018-05-28 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2020077750A (ja) * 2018-11-07 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び成膜方法
JP2022108645A (ja) * 2021-01-13 2022-07-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
CN115418624B (zh) * 2022-08-04 2023-08-25 拓荆科技股份有限公司 均匀抽气结构、真空腔室、薄膜制备装置及方法
JP2024090049A (ja) 2022-12-22 2024-07-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3993018A (en) * 1975-11-12 1976-11-23 International Business Machines Corporation Centrifugal support for workpieces
US4735701A (en) * 1984-08-21 1988-04-05 Komag, Inc. Disk carrier
US5195729A (en) * 1991-05-17 1993-03-23 National Semiconductor Corporation Wafer carrier
DE4441117C1 (de) * 1994-11-18 1995-10-26 Plasma Applikation Mbh Ges Verfahren zur Beschichtung von Substraten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
JP4354908B2 (ja) * 2002-06-10 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7381276B2 (en) * 2002-07-16 2008-06-03 International Business Machines Corporation Susceptor pocket with beveled projection sidewall
JP2004179519A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板処理装置
DE10261362B8 (de) * 2002-12-30 2008-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Substrat-Halter
KR100817644B1 (ko) * 2004-02-27 2008-03-27 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
TWI334450B (en) * 2004-03-12 2010-12-11 Hitachi Int Electric Inc Wafer treatment device and the manufacturing method of semiconductor device
EP1757371A1 (en) * 2004-04-28 2007-02-28 Ebara Corporation Substrate processing unit and substrate processing apparatus
WO2006078666A2 (en) * 2005-01-18 2006-07-27 Asm America, Inc. Reaction system for growing a thin film
JP2007242848A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Mitsubishi Electric Corp 基板の製造方法及び基板処理装置
JP2008311385A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置
JP5444607B2 (ja) * 2007-10-31 2014-03-19 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2009253115A (ja) 2008-04-08 2009-10-29 Sumco Corp ウェーハステージ
JP5310283B2 (ja) 2008-06-27 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、基板処理装置及び記憶媒体
US20090324826A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Hitoshi Kato Film Deposition Apparatus, Film Deposition Method, and Computer Readable Storage Medium
JP5098873B2 (ja) * 2008-07-30 2012-12-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ 気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置
TWI397113B (zh) * 2008-08-29 2013-05-21 Veeco Instr Inc 具有可變熱阻之晶圓載體
JP5107185B2 (ja) * 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2010087467A (ja) * 2008-09-04 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2010126797A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、半導体製造装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体
JP5301965B2 (ja) 2008-11-28 2013-09-25 シャープ株式会社 気相成長装置
JP2011018772A (ja) 2009-07-09 2011-01-27 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶成膜装置用サセプタ
US20110049779A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Applied Materials, Inc. Substrate carrier design for improved photoluminescence uniformity

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150133634A (ko) * 2014-05-16 2015-11-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치
KR20150143303A (ko) * 2014-05-30 2015-12-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치
KR20160076457A (ko) * 2014-12-22 2016-06-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치
US10847350B2 (en) 2014-12-22 2020-11-24 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW201406990A (zh) 2014-02-16
TWI513853B (zh) 2015-12-21
JP2013222948A (ja) 2013-10-28
CN103374713A (zh) 2013-10-30
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US20130276705A1 (en) 2013-10-24
KR101572309B1 (ko) 2015-11-26
CN103374713B (zh) 2016-08-03
US9702043B2 (en) 2017-07-11

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