JP2024090049A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板支持部の上で基板が滑ることを抑制できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による成膜装置は、処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を載置する凹部を有する基板支持部と、を備え、前記凹部は、底面に突起を有し、前記突起は、前記凹部に載置される前記基板の外周に沿って設けられる。【選択図】図６

Description

本開示は、成膜装置に関する。

処理容器内にて回転テーブルの上に載置した円形の基板を公転させながら基板に処理ガスを供給して処理を行う装置が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。

特開２０１０－０５６４７０号公報 特開２０１３－２２２９４８号公報

本開示は、基板支持部の上で基板が滑ることを抑制できる技術を提供する。

本開示の一態様による成膜装置は、処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を載置する凹部を有する基板支持部と、を備え、前記凹部は、底面に突起を有し、前記突起は、前記凹部に載置される前記基板の外周に沿って設けられる。

本開示によれば、基板支持部の上で基板が滑ることを抑制できる。

実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図である。 実施形態に係る成膜装置の内部を示す平面図である。 実施形態に係る成膜装置の内部を示す平面図である。 実施形態に係る成膜装置の内部を示す斜視図である。 第１例に係る回転テーブルの一部を示す平面図である。 図５のＡ－Ａ線矢視断面図である。 第２例に係る回転テーブルの一部を示す平面図である。 図７のＢ－Ｂ線矢視断面図である。 第３例に係る回転テーブルの一部を示す平面図である。 図９のＣ－Ｃ線矢視断面図である。 図９のＤ－Ｄ線矢視断面図である。 第４例に係る回転テーブルの一部を示す平面図である。 基板滑り発生割合を示す図である。 パーティクル発生割合を示す図である。

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

〔成膜装置〕
図１から図４を参照し、実施形態に係る成膜装置について説明する。図１は、実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図である。図２は、実施形態に係る成膜装置の内部を示す平面図である。図３は、実施形態に係る成膜装置の内部を示す平面図である。図４は、実施形態に係る成膜装置の内部を示す斜視図である。

実施形態に係る成膜装置は、処理容器１と、回転テーブル２とを備える。

処理容器１は、平面視において円形状を有する。処理容器１は、天板１１と、容器本体１２とを有する。天板１１は、容器本体１２の上面の開口を塞ぐ。天板１１は、容器本体１２に着脱可能に設けられる。天板１１の中央には、分離ガス供給管５１が接続される。分離ガス供給管５１は、処理容器１内の中心領域Ｃに分離ガスを供給する。これにより、処理容器１内の中心領域Ｃにおいて異なる処理ガス同士が混合することが抑制される。分離ガスは、例えば窒素（Ｎ_２）ガスであってよい。容器本体１２の上面の周縁には、シール部材１３が設けられる。シール部材１３は、リング状を有する。

処理容器１の底部１４の上方には、加熱部であるヒータユニット７が設けられる。ヒータユニット７は、回転テーブル２上の基板Ｗを加熱する。基板Ｗは、例えば半導体ウエハであってよい。ヒータユニット７の側方には、カバー部材７ａが設けられる。ヒータユニット７の上方には、覆い部材７ｂが設けられる。覆い部材７ｂは、ヒータユニット７を覆う。底部１４には、複数のパージガス供給管７３が設けられる。複数のパージガス供給管７３は、処理容器１の周方向に沿って設けられる。各パージガス供給管７３は、ヒータユニット７の下方に設けられる。各パージガス供給管７３は、ヒータユニット７が配置される空間にパージガスを供給する。パージガスは、例えばＮ_２ガスであってよい。

回転テーブル２は、処理容器１内に回転可能に設けられる。回転テーブル２は、処理容器１の中心に回転中心を有する。回転テーブル２は、例えば石英により形成される。回転テーブル２は、中央部にて概略円筒形状のコア部２１に固定される。回転テーブル２は、コア部２１の下面に接続されると共に鉛直方向に伸びる回転軸２２により鉛直軸周り（例えば時計周り）に回転自在に構成される。回転軸２２は、下端が駆動部２３に接続される。駆動部２３は、回転軸２２を鉛直軸周りに回転させる。回転軸２２及び駆動部２３は、ケース体２０に収納される。ケース体２０は、上端が処理容器１の底部１４の下面に気密に取り付けられる。ケース体２０には、パージガス供給管７２が設けられる。パージガス供給管７２は、回転テーブル２の下方領域にパージガスを供給する。パージガスは、例えばＮ_２ガスであってよい。底部１４におけるコア部２１の外周は、回転テーブル２に下方から近接するようにリング状に形成された突出部１２ａを形成する。

回転テーブル２の表面には、凹部２４が設けられる。凹部２４は、平面視において円形状を有する。凹部２４には、基板Ｗが載置される。凹部２４は、回転テーブル２の回転方向（図２及び図３中の矢印Ａで示される方向）に沿って複数（例え５個）設けられる。各凹部２４は、基板Ｗよりも僅かに大きいサイズを有する。凹部２４には、複数の貫通孔２４ａが設けられる。複数の貫通孔２４ａには、基板Ｗを下方から持ち上げて昇降させるための昇降ピン（図示せず）が挿通される。凹部２４の詳細については後述する。

凹部２４の通過領域と対向する位置には、ガスノズル３１、３２、３４、４１、４２が設けられる。ガスノズル３１、３２、３４、４１、４２は、処理容器１の周方向に互いに間隔をおいて放射状に配置される。各ガスノズル３１、３２、３４、４１、４２は、例えば石英により形成される。各ガスノズル３１、３２、３４、４１、４２は、処理容器１の側壁から中心領域Ｃに向かって基板Ｗに対向して水平に伸びるように取り付けられる。例えば、後述の搬送口１５から見て時計周り（回転テーブル２の回転方向）にガスノズル３４、ガスノズル４１、ガスノズル３１、ガスノズル４２及びガスノズル３２がこの順番で配列される。

ガスノズル３１は、第１処理ガスの供給源に接続される。第１処理ガスは、例えばシリコン含有ガスであってよい。ガスノズル３２は、第２処理ガスの供給源に接続される。第２処理ガスは、第１処理ガスを反応して反応生成物を生成するガスであってよい。第２処理ガスは、例えば窒化ガスであってよい。第２処理ガスは、酸化ガスであってもよい。ガスノズル３４は、プラズマ発生用ガスの供給源に接続される。プラズマ発生用ガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ_２）ガスとの混合ガスであってよい。ガスノズル４１、４２は、分離ガスの供給源に接続される。分離ガスは、例えばＮ_２ガスであってよい。ガスノズル３１、３２、３４、４１、４２の下面には、回転テーブル２の半径方向に沿って複数のガス吐出孔が設けられる。

ガスノズル３１の下方領域は、第１処理ガスを基板Ｗに吸着させるための第１処理領域Ｐ１となる。ガスノズル３２の下方領域は、基板Ｗに吸着した第１処理ガスと第２処理ガスとを反応させるための第２処理領域Ｐ２となる。ガスノズル４１、４２の下方領域は、それぞれ第１処理領域Ｐ１と第２処理領域Ｐ２とを分離する分離領域Ｄとなる。

分離領域Ｄにおける処理容器１の天板１１には、図２及び図３に示されるように、概略扇形の凸状部４が設けられる。ガスノズル４１、４２は、凸状部４内に収納される。ガスノズル４１、４２における回転テーブル２の周方向両側には、各処理ガス同士の混合を阻止するために、凸状部４の下面である第１天井面が配置される。第１天井面の周方向両側には、第１天井面よりも高い第２天井面が配置される。凸状部４の周縁部は、各処理ガス同士の混合を阻止するために、回転テーブル２の外端面に対向すると共に容器本体１２に対して僅かに離間するようにＬ字型に屈曲する。

ガスノズル３４の上方には、プラズマ発生部８０が設けられる。プラズマ発生部８０は、ガスノズル３４から吐出されるプラズマ発生用ガスからプラズマを生成する。プラズマ発生部８０は、回転テーブル２の中央部から外周部にわたって基板Ｗの通過領域をまたぐように配置される。プラズマ発生部８０は、アンテナ８３を有する。アンテナ８３は、金属線をコイル状に巻回して構成される。アンテナ８３は、処理容器１の内部領域から気密に区画されるように配置される。アンテナ８３は、整合器８４を介して高周波電源８５と電気的に接続される。高周波電源８５は、例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を出力する。

ガスノズル３４の上方における天板１１は、平面視において概略扇形に開口する。該開口は、筐体９０により気密に塞がれる。筐体９０は、例えば石英により形成される。筐体９０は、周縁部が周方向にわたってフランジ状に水平に伸び出すと共に、中央部が処理容器１の内部領域に向かって窪むように形成される。筐体９０は、内側にアンテナ８３を収納する。筐体９０と天板１１との間には、シール部材１１ａが設けられる。筐体９０の周縁部には、筐体９０の周縁部を下方に向かって押圧するための押圧部材９１が設けられる。プラズマ発生部８０と整合器８４及び高周波電源８５とは、接続電極８６により電気的に接続される。

筐体９０の下面は、筐体９０の下方領域へのＮ_２ガスやオゾン（Ｏ_３）ガス等の侵入を阻止するために、図１に示されるように、周縁部が周方向にわたって下方（回転テーブル２側）に垂直に伸び出して、ガス規制用の突起部９２をなす。突起部９２の内周面、筐体９０の下面及び回転テーブル２の上面に囲まれた領域には、ガスノズル３４が収納される。

筐体９０とアンテナ８３との間には、図１及び図３に示されるように、ファラデーシールド９５が設けられる。ファラデーシールド９５は、上方が開口する概略箱型を有する。ファラデーシールド９５は、導電性の板状体により形成される。ファラデーシールド９５は、接地される。ファラデーシールド９５の底面には、スリット９７が設けられる。スリット９７は、周方向にわたってアンテナ８３の下方に設けられる。スリット９７は、アンテナ８３の巻回方向に対して直交する方向に伸びるように形成される。スリット９７は、アンテナ８３において発生する電界及び磁界のうち、電界が下方の基板Ｗに向かうことを阻止し、磁界を基板Ｗに到達させる。ファラデーシールド９５とアンテナ８３との間には、絶縁板９４が設けられる。絶縁板９４は、ファラデーシールド９５とアンテナ８３とを電気的に絶縁する。絶縁板９４は、例えば石英により形成される。

回転テーブル２よりも外側であり、回転テーブル２よりも僅かに下方には、リング状のサイドリング１００が配置される。サイドリング１００の上面には、互いに周方向に離間するように第１排気口６１及び第２排気口６２が設けられる。第１排気口６１は、ガスノズル３１と、ガスノズル３１よりも回転テーブルの回転方向下流側における分離領域Ｄとの間において、分離領域Ｄ側に寄った位置に形成される。第２排気口６２は、ガスノズル３４と、ガスノズル３４よりも回転テーブルの回転方向下流側における分離領域Ｄとの間において、分離領域Ｄ側に寄った位置に形成される。

第１排気口６１は、第１処理ガス及び分離ガスを排気する。第２排気口６２は、第２処理ガス及び分離ガスに加えて、プラズマ発生用ガスを排気する。筐体９０の外縁側におけるサイドリング１００の上面には、筐体９０を避けてガスを第２排気口６２に通流させるための溝状のガス流路１０１が形成される。第１排気口６１及び第２排気口６２は、図１に示されるように、各々バタフライバルブ等の圧力調整部６５の介設された排気管６３により、真空ポンプ６４に接続される。

天板１１の下面における中央部には、突出部５が設けられる。突出部５は、図２に示されるように、凸状部４における中心領域Ｃ側の部位と連続して周方向にわたって概略リング状に形成される。突出部５の下面は、例えば凸状部４の下面と同じ高さであってよい。突出部５よりも回転テーブル２の回転中心に近いコア部２１の上方には、ラビリンス構造１１０が形成される。ラビリンス構造１１０は、中心領域Ｃにおいて第１処理ガスと第２処理ガスとが互いに混ざり合うことを抑制する。ラビリンス構造１１０は、第１壁部１１１と、第２壁部１１２とを有する。第１壁部１１１は、回転テーブル２側から天板１１側に向かって周方向にわたって垂直に伸びる。第２壁部１１２は、天板１１側から回転テーブル２に向かって周方向にわたって垂直に伸びる。第１壁部１１１と第２壁部１１２とは、回転テーブル２の半径方向に交互に配置される。

処理容器１の側壁には、搬送口１５が設けられる。搬送口１５は、図２及び図３に示されるように、外部の搬送アーム（図示せず）と回転テーブル２との間において基板Ｗの受け渡しを行うための開口である。搬送口１５は、ゲートバルブＧにより気密に開閉される。搬送口１５と同じ角度位置の回転テーブル２の下方には、回転テーブル２の貫通孔２４ａを介して基板Ｗを持ち上げるための昇降ピン（図示せず）が設けられる。

成膜装置は、制御部１２０を有する。制御部１２０は、例えばコンピュータであってよい。制御部１２０は、装置全体の動作を制御する。制御部１２０のメモリ内には、各種の処理を行うためのプログラムが格納される。プログラムは、成膜装置の動作を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスク等の記憶媒体である記憶部１２１から制御部１２０内にインストールされる。

〔回転テーブル〕
図５及び図６を参照し、回転テーブル２として適用できる第１例に係る回転テーブル２１０について説明する。図５は、第１例に係る回転テーブル２１０の一部を示す平面図である。図６は、図５のＡ－Ａ線矢視断面図である。図５では、基板Ｗの図示を省略する。

回転テーブル２１０は、回転方向に沿って複数設けられる凹部２１１を有する。凹部２１１は、基板Ｗを載置する。凹部２１１の内径は、凹部２１１に載置される基板Ｗの外径よりも大きい。一例では、基板Ｗの外径は３００ｍｍであり、凹部２１１の内径は３０２ｍｍである。凹部２１１は、底面２１１ａと、側面２１１ｂと、上面２１１ｃとを有する。

底面２１１ａには、突起２１２が設けられる。突起２１２は、凹部２１１に載置される基板Ｗの外周に沿って設けられる。この場合、基板Ｗの外周が突起２１２に支持されると共に、基板Ｗの外周と凹部２１１の側面２１１ｂとの隙間から突起２１２の近傍に侵入したガスにより突起２１２の表面に高い摩擦係数を有する膜が形成される。このため、凹部２１１内で基板Ｗが滑ることを抑制できる。突起２１２は、平面視において基板Ｗの外周に沿って延びるリング状を有する。突起２１２の高さは、凹部２１１の上面２１１ｃの高さよりも低くてよい。突起２１２の高さは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下であってよい。突起２１２の高さは、１０μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。この場合、基板Ｗの外周が突起２１２に支持されやすい。突起２１２の幅は、例えば５ｍｍ以下であってよい。突起２１２は、例えば回転テーブル２１０と一体で形成される。突起２１２は、回転テーブル２１０と別体で形成されてもよい。

底面２１１ａには、溝２１３が設けられる。溝２１３は、突起２１２の外側に設けられる。溝２１３は、平面視においてリング状を有する。突起２１２と溝２１３との境界は、例えば基板Ｗの外端よりも内側に位置する。突起２１２と溝２１３との境界は、基板Ｗの外端と同じ位置であってもよく、基板Ｗの外端よりも外側に位置してもよい。溝２１３は、設けられなくてもよい。溝２１３がない場合、突起２１２の近傍へのガスの侵入経路が短くなる。

以上に説明した回転テーブル２１０によれば、回転方向に沿って複数設けられる凹部２１１を有し、各凹部２１１が該凹部２１１に載置される基板Ｗの外周に沿って設けられる突起２１２を有する。この場合、基板Ｗの外周が突起２１２に支持されると共に、基板Ｗの外周と側面２１１ｂとの隙間から突起２１２の近傍に侵入したガスにより突起２１２の表面に高い摩擦係数を有する膜が形成される。このため、凹部２１１内で基板Ｗが滑ることを抑制できる。その結果、基板Ｗが側面２１１ｂに接触して摺動することが抑制されるので、基板Ｗと側面２１１ｂとの摺動に起因するパーティクルの発生を抑制できる。

これに対し、凹部２１１に突起２１２がない場合、処理容器１内の圧力変更等により基板Ｗの上方と下方との間に圧力差が生じると、底面２１１ａと基板Ｗの下面との摩擦力が小さくなる。該摩擦力が小さくなると、回転テーブル２１０が回転することで生じる遠心力により、基板Ｗが底面２１１ａ上を滑り、側面２１１ｂに接触する。この状態で、基板Ｗが熱膨張したり、リフトピンが基板Ｗを昇降させたりすると、基板Ｗと側面２１１ｂとが摺動し、パーティクルが発生する。

図７及び図８を参照し、回転テーブル２として適用できる第２例に係る回転テーブル２２０について説明する。図７は、第２例に係る回転テーブル２２０の一部を示す平面図である。図８は、図７のＢ－Ｂ線矢視断面図である。図７では、基板Ｗの図示を省略する。

回転テーブル２２０は、側面２１１ｂに代えて傾斜面２２１ｂを有する点で、回転テーブル２１０と異なる。その他の構成については、回転テーブル２１０と同じであってよい。以下、回転テーブル２１０と異なる点を中心に説明する。

回転テーブル２２０は、回転方向に沿って複数設けられる凹部２２１を有する。凹部２２１は、底面２２１ａと、傾斜面２２１ｂと、上面２２１ｃとを有する。

底面２２１ａには、突起２２２及び溝２２３が設けられる。突起２２２及び溝２２３は、それぞれ突起２１２及び溝２１３と同じであってよい。

傾斜面２２１ｂは、底面２２１ａから上面２２１ｃに向けて外側に拡がるように傾斜する。この場合、基板Ｗの外周と傾斜面２２１ｂとの隙間のコンダクタンスが大きくなり、該隙間から突起２２２に向けてガスが侵入しやすい。このため、突起２２２の表面に高い摩擦係数を有する膜が早期に形成される。

以上に説明した回転テーブル２２０においても、回転テーブル２１０と同様の効果が奏される。

図９から図１１を参照し、回転テーブル２として適用できる第３例に係る回転テーブル２３０について説明する。図９は、第３例に係る回転テーブル２３０の一部を示す平面図である。図１０は、図９のＣ－Ｃ線矢視断面図である。図１１は、図９のＤ－Ｄ線矢視断面図である。図９では、基板Ｗの図示を省略する。

回転テーブル２３０は、側面２１１ｂに代えて、周方向の一部において拡径された側面２３１ｂを有する点で、回転テーブル２１０と異なる。その他の構成については、回転テーブル２１０と同じであってよい。以下、回転テーブル２１０と異なる点を中心に説明する。

回転テーブル２３０は、回転方向に沿って複数設けられる凹部２３１を有する。凹部２３１は、底面２３１ａと、側面２３１ｂと、上面２３１ｃとを有する。

底面２３１ａには、突起２３２及び溝２３３が設けられる。突起２３２及び溝２３３は、それぞれ突起２１２及び溝２１３と同じであってよい。

側面２３１ｂの内径は、周方向の少なくとも一部において拡大される。側面２３１ｂの内径が拡大された部分での凹部２３１の内径は、例えば３０４ｍｍであってよい。側面２３１ｂは、拡径されていない第１側面２３１ｂ１と、拡径された第２側面２３１ｂ２とが、凹部２３１の周方向に沿って交互に設けられてよい。一例では、４つの第１側面２３１ｂ１と４つの第２側面２３１ｂ２とが交互に設けられる。

凹部２３１の周方向において、基板Ｗの外端と第２側面２３１ｂ２との隙間は、基板Ｗの外端と第１側面２３１ｂ１との隙間よりも大きい。この場合、基板Ｗの外周と側面２３１ｂとの隙間のコンダクタンスが大きくなり、該隙間から突起２３２に向けてガスが侵入しやすい。このため、突起２３２の表面に高い摩擦係数を有する膜が早期に形成される。また、凹部２３１の周方向の一部において拡径されていない第１側面２３１ｂ１が設けられるので、基板Ｗが水平方向に移動した場合に第１側面２３１ｂ１により基板Ｗの移動が制限される。

各第１側面２３１ｂ１の周方向の長さは、例えば各第２側面２３１ｂ２の周方向の長さよりも短くてよい。この場合、基板Ｗの外周と側面２３１ｂとの隙間から突起２３２に向けてガスが侵入しやすい。４つの第１側面２３１ｂ１の周方向の長さは、例えば６ｍｍであってよい。

以上に説明した回転テーブル２３０においても、回転テーブル２１０と同様の効果が奏される。

図１２を参照し、回転テーブル２として適用できる第４例に係る回転テーブル２４０について説明する。図１２は、第４例に係る回転テーブル２４０の一部を示す平面図である。図１２では、基板Ｗの図示を省略する。

回転テーブル２４０は、平面視においてリング状を有する突起２１２に代えて、平面視において円弧状を有する複数の突起２４２を有する点で、回転テーブル２１０と異なる。以下、回転テーブル２１０と異なる点を中心に説明する。

回転テーブル２４０は、回転方向に沿って複数設けられる凹部２４１を有する。凹部２４１は、底面２４１ａと、側面２４１ｂと、上面２４１ｃとを有する。

底面２４１ａには、突起２４２及び溝２４３が設けられる。溝２４３は、溝２１３と同じであってよい。

突起２４２は、基板Ｗの外周に沿って複数設けられる。複数の突起２４２は、凹部２４１の周方向に沿って互いに間隔をあけて設けられる。各突起２４２は、例えば平面視において円弧状を有する。各突起２４２の形状は、特に限定されない。各突起２４２は、平面視において円形状を有してもよい。各突起２４２は、平面視において矩形状を有してもよい。このように、突起２４２は、凹部２４１の周方向の一部に設けられてもよい。

以上に説明した回転テーブル２４０においても、回転テーブル２４０と同様の効果が奏される。

〔実施例〕
実施例１では、図９から図１１に示される凹部２３１を有する成膜装置において、基板にシリコン窒化膜を成膜する成膜処理を繰り返し行った。また、シリコン窒化膜の累積膜厚が所定量になるごとに、凹部２３１の側面２３１ｂに接触した基板と接触していない基板の枚数を確認し、凹部２３１の側面２３１ｂに接触した基板の割合（以下「基板滑り発生割合」という。）を算出した。また、シリコン窒化膜の累積膜厚が２μｍ以上である場合に、基板面内の所定領域に付着したパーティクルの個数を確認し、パーティクルの個数が所定量以上となる基板の割合（以下「パーティクル発生割合」という。）を算出した。

実施例２では、図５及び図６に示される凹部２１１を有する成膜装置において、実施例１と同じ手順で基板滑り発生割合及びパーティクル発生割合を算出した。

比較例１では、図５及び図６に示される凹部２１１に対して突起２１２がない凹部２１１を有する成膜装置において、実施例１と同じ手順で基板滑り発生割合及びパーティクル発生割合を算出した。

図１３は、基板滑り発生割合を示す図である。図１３において、横軸は累積膜厚［μｍ］を示し、縦軸は基板滑り発生割合［％］を示す。図１３において、丸印は実施例１の結果を示し、菱形印は実施例２の結果を示し、三角印は比較例１の結果を示す。

図１３に示されるように、実施例１では、累積膜厚が１μｍ以上になると基板滑り発生割合が２０％よりも小さくなり、累積膜厚が３μｍ以上になると基板滑り発生割合が０％となった。実施例２では、累積膜厚が３μｍ以下では累積膜厚が増加するにつれて基板滑り発生割合が小さくなり、累積膜厚が３μｍ以上になると基板滑り発生割合が０％から２０％の範囲で安定した。比較例１では、累積膜厚が４μｍ以下の場合に基板滑り発生割合が１００％であり、累積膜厚が５μｍの場合に基板滑り発生割合が０％であった。

上記の結果から、実施例１及び実施例２では、比較例１に対し、累積膜厚が４μｍ以下の場合に凹部内で基板が滑ることを抑制する効果が高いことが示された。すなわち、凹部に載置される基板の外周に沿って突起を設けることで、累積膜厚が小さい場合に凹部内で基板が滑ることを抑制できることが示された。

上記の結果から、実施例１では、実施例２に対し、累積膜厚が３μｍ以下の場合に凹部内で基板が滑ることを抑制する効果が特に高いことが示された。すなわち、凹部に載置される基板の外周に沿って突起を設けると共に、凹部の内径を周方向の少なくとも一部において拡大することで、累積膜厚が小さい場合に凹部内で基板が滑ることを特に抑制できることが示された。これは、凹部の内径を周方向の少なくとも一部において拡大することで、基板との摩擦係数が突起を構成する材料よりも大きいシリコン窒化膜が突起の表面に成膜されやすくなったことによると考えられる。

図１４は、パーティクル発生割合を示す図である。図１４において、左側から順に比較例１、実施例２及び実施例１の結果を示す。図１４においては、実施例１、実施例２及び比較例１におけるパーティクル発生割合を、比較例１におけるパーティクル発生割合を１とした場合の相対値として示す。

図１４に示されるように、実施例２では、比較例１に対し、パーティクル発生割合が約１４％低下した。この結果から、凹部に載置される基板の外周に沿って突起を設けることで、基板面内の所定領域へのパーティクルの付着を抑制できることが示された。

図１４に示されるように、実施例１では、比較例１に対し、パーティクル発生割合が約４０％低下した。この結果から、凹部に載置される基板の外周に沿って突起を設けると共に、凹部の内径を周方向の少なくとも一部において拡大することで、基板面内の所定領域へのパーティクルの付着を特に抑制できることが示された。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

上記の実施形態では、成膜装置が、処理容器１内の回転テーブル２上に載置された複数の基板Ｗを回転テーブル２により公転させ、複数の領域を順番に通過させて基板Ｗに処理を行う装置である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、成膜装置は、基板Ｗを載置する凹部が表面に１つ設けられた基板支持部を有し、基板支持部に１枚の基板を載置して処理する枚葉式の装置であってもよい。

１ 処理容器
２、２１０、２２０、２３０、２４０ 回転テーブル
２４、２１１、２２１、２３１、２４１ 凹部
２１１ａ、２２１ａ、２３１ａ、２４１ａ 底面
２１２、２２２、２３２、２４２ 突起
Ｗ 基板

Claims (10)

1. 処理容器と、
   前記処理容器内に設けられ、基板を載置する凹部を有する基板支持部と、
   を備え、
   前記凹部は、底面に突起を有し、
   前記突起は、前記凹部に載置される前記基板の外周に沿って設けられる、
   成膜装置。
2. 前記凹部は、底面に溝を有し、
   前記溝は、前記突起の外側に設けられる、
   請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記突起の高さは、前記凹部の上面よりも低い、
   請求項１に記載の成膜装置。
4. 前記突起は、前記基板の外周に沿って延びるリング状を有する、
   請求項１に記載の成膜装置。
5. 前記突起は、前記基板の外周に沿って複数設けられる、
   請求項１に記載の成膜装置。
6. 前記凹部の内径は、前記基板の外径よりも大きい、
   請求項１に記載の成膜装置。
7. 前記凹部の内径は、周方向の少なくとも一部において拡大される、
   請求項１に記載の成膜装置。
8. 前記凹部は、周方向の少なくとも一部において前記底面から前記凹部の上面に向けて拡がるように傾斜する、
   請求項１に記載の成膜装置。
9. 前記凹部に載置される前記基板を加熱する加熱部を備える、
   請求項１に記載の成膜装置。
10. 前記基板支持部は、回転可能であり、
    前記凹部は、前記基板支持部の回転方向に沿って複数設けられる、
    請求項１乃至９のいずれか一項に記載の成膜装置。

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