TW201350878A - 測試裝置 - Google Patents
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Abstract
一種測試裝置，包括一發光二極體、第一及第二開關、第一及第二電阻及第一至第三接觸元件，該第一接觸元件接觸一焊接到電路板上的MOS場效電晶體的汲極，該第二接觸元件接觸該MOS場效電晶體的閘極，該第三接觸元件接觸該MOS場效電晶體的源極，當該MOS場效電晶體為NMOS場效電晶體時，閉合該第一開關，當該MOS場效電晶體為PMOS場效電晶體時，閉合該第二開關，若該發光二極體不發光，則表明該MOS場效電晶體存在虛焊和假焊；若該發光二極體發光，則表明該MOS場效電晶體不存在虛焊和假焊。
Description
本發明涉及一種測試裝置，尤指一種測試DirectEFT封裝的MOS場效電晶體是否虛焊和假焊的測試裝置。
DirectEFT封裝的MOS場效電晶體因具有阻抗小，散熱快等優點而被廣泛應用。但由於DirectEFT封裝的MOS場效電晶體的閘極、汲極及源極的引腳小且均位於MOS場效電晶體的底面，故，當DirectEFT封裝的MOS場效電晶體焊接到電路板上時，易出現虛焊和假焊。目前，業界採用X射線設備來檢測焊接到電路板上的DirectEFT封裝的MOS場效電晶體是否出現虛焊和假焊。然而，X射線設備價格昂貴，從而使得測試成本較高。
鑒於以上內容，有必要提供一種成本低且能準確地檢測出DirectEFT封裝的MOS場效電晶體是否出現虛焊和假焊測試裝置。
一種測試裝置，用於測試一焊接到電路板上的MOS場效電晶體是否存在虛焊和假焊，該測試裝置包括一發光二極體、第一及第二開關、第一及第二電阻及第一至第三接觸元件，該發光二極體的陽極與一電源相連，該發光二極體的陰極透過該第一電阻與該第一接觸元件相連，該第一開關的一端透過該第二電阻與該電源相連，該第一開關的另一端與該第二接觸元件相連，該第二開關的一端與該第一開關的另一端相連，該第二開關的另一端接地，並與該第三接觸元件相連，測試時，該第一接觸元件接觸該MOS場效電晶體的汲極與該電路板上一第一電子元件之間的節點，該第二接觸元件接觸該MOS場效電晶體的閘極與該電路板上一第二電子元件之間的節點，該第三接觸元件接觸該MOS場效電晶體的源極與該電路板上一第三電子元件之間的節點，當該MOS場效電晶體為NMOS場效電晶體時，閉合該第一開關，當該MOS場效電晶體為PMOS場效電晶體時，閉合該第二開關，若該發光二極體不發光，則表明該MOS場效電晶體存在虛焊和假焊；若該發光二極體發光，則表明該MOS場效電晶體不存在虛焊和假焊。
本發明測試裝置透過該第一至第三接觸元件來接觸該MOS場效電晶體的閘極、汲極及源極，並透過觀察該發光二極體是否發光來判斷該MOS場效電晶體閘極、汲極及源極是否存在虛焊和假焊，以使測試結果準確且測試成本低。
請一併參閱圖1至圖3，本發明測試裝置10用於測試一電路板20上DirectEFT封裝的MOS場效電晶體是否出現虛焊和假焊。該測試裝置10的較佳實施方式包括一電路板11、一發光二極體D、兩開關K1、K2、兩電阻R1、R2及三個接觸元件12-14。該發光二極體D、開關K1、K2及電阻R1、R2均設於該電路板11上，該接觸元件12-14透過三根線纜15與該電路板11上的元件相連。
該發光二極體D的陽極與一電源Vcc相連。該發光二極體D的陰極透過該電阻R1及線纜15與該接觸元件12相連。該開關K1的一端透過該電阻R2與該電源Vcc相連。該開關K1的另一端透過該線纜15與該接觸元件13相連。該開關K2的一端與該開關K1的另一端相連。該開關K2的另一端接地，並透過該線纜15與該接觸元件14相連。在本實施方式中，該接觸元件12-14為探針。
測試時，由於DirectEFT封裝的MOS場效電晶體的閘極、汲極及源極的引腳小且均位於MOS場效電晶體Q的底面，該接觸元件12-14無法直接與該MOS場效電晶體的引腳相連。因此，需先在電路板20上找出與該MOS場效電晶體的閘極、汲極及源極相連的三個電子元件22、26、28，再將該接觸元件12接觸該MOS場效電晶體的汲極與該電子元件26之間的節點B，將該接觸元件13接觸該MOS場效電晶體的閘極與該電子元件22之間的節點A，將該接觸元件14接觸該MOS場效電晶體的源極與該電子元件28之間的節點C。
請繼續參閱圖2，當該MOS場效電晶體為NMOS場效電晶體Q1時，閉合該開關K1，若該NMOS場效電晶體Q1存在虛焊和假焊，則節點B和C將不導通，此時，該發光二極體D將不發光；若該NMOS場效電晶體Q1不存在虛焊和假焊，則節點B和C將導通，此時，該發光二極體D將發光。
請繼續參閱圖3，當該MOS場效電晶體為PMOS場效電晶體Q2時，閉合該開關K2，若該PMOS場效電晶體Q2存在虛焊和假焊，則節點B和C將不導通，此時，該發光二極體D將不發光；若該PMOS場效電晶體Q2不存在虛焊和假焊，則節點B和C將導通，此時，該發光二極體D將發光。
本發明測試裝置10透過該接觸元件12-14來接觸該MOS場效電晶體的閘極、汲極及源極，並透過觀察該發光二極體D是否發光來判斷該MOS場效電晶體閘極、汲極及源極是否存在虛焊和假焊，以使測試結果準確且測試成本較低。
綜上所述，本發明確已符合發明專利的要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明的較佳實施方式，本發明的範圍並不以上述實施方式為限，舉凡熟悉本案技藝的人士援依本發明的精神所作的等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10．．．測試裝置
11、20．．．電路板
12-14．．．接觸元件
15．．．線纜
22、26、28．．．電子元件
D．．．發光二極體
K1、K2．．．開關
R1、R2．．．電阻
Q1．．．NMOS場效電晶體
Q2．．．PMOS場效電晶體
圖1係本發明測試裝置較佳實施方式的電路圖。
圖2係本發明測試裝置對NMOS場效電晶體進行測試的電路圖。
圖3係本發明測試裝置對PMOS場效電晶體進行測試的電路圖。
10．．．測試裝置
11．．．電路板
12-14．．．接觸元件
15．．．線纜
D．．．發光二極體
K1、K2．．．開關
R1、R2．．．電阻
Claims (3)
- 一種測試裝置，用於測試一焊接到電路板上的MOS場效電晶體是否存在虛焊和假焊，該測試裝置包括一發光二極體、第一及第二開關、第一及第二電阻及第一至第三接觸元件，該發光二極體的陽極與一電源相連，該發光二極體的陰極透過該第一電阻與該第一接觸元件相連，該第一開關的一端透過該第二電阻與該電源相連，該第一開關的另一端與該第二接觸元件相連，該第二開關的一端與該第一開關的另一端相連，該第二開關的另一端接地，並與該第三接觸元件相連，測試時，該第一接觸元件接觸該MOS場效電晶體的汲極與該電路板上一第一電子元件之間的節點，該第二接觸元件接觸該MOS場效電晶體的閘極與該電路板上一第二電子元件之間的節點，該第三接觸元件接觸該MOS場效電晶體的源極與該電路板上一第三電子元件之間的節點，當該MOS場效電晶體為NMOS場效電晶體時，閉合該第一開關，當該MOS場效電晶體為PMOS場效電晶體時，閉合該第二開關，若該發光二極體不發光，則表明該MOS場效電晶體存在虛焊和假焊；若該發光二極體發光，則表明該MOS場效電晶體不存在虛焊和假焊。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中該第一至第三接觸元件為探針。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中該第一電阻透過一線纜與該第一接觸元件相連，該第一開關的另一端透過一線纜與該第二接觸元件相連，該第二開關的另一端透過一線纜與該第三接觸元件。
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| TW101121227A TW201350878A (zh) | 2012-06-08 | 2012-06-14 | 測試裝置 |
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2012
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