CN103472321A - 测试装置 - Google Patents

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CN103472321A CN 201210187285 CN201210187285A CN103472321A CN 103472321 A CN103472321 A CN 103472321A CN 201210187285 CN201210187285 CN 201210187285 CN 201210187285 A CN201210187285 A CN 201210187285A CN 103472321 A CN103472321 A CN 103472321A
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周海清
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Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
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Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
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Abstract

一种测试装置，用于测试一焊接到电路板上的MOS管是否存在虚焊和假焊，所述测试装置包括一发光二极管、第一及第二开关、第一及第二电阻及第一至第三接触元件，测试时，所述第一接触元件接触所述MOS管的漏极，所述第二接触元件接触所述MOS管的栅极，所述第三接触元件接触所述MOS管的源极，当所述MOS管为NMOS管时，闭合所述第一开关，当所述MOS管为PMOS管时，闭合所述第二开关，若所述发光二极管不发光，则表明所述MOS管存在虚焊和假焊；若所述发光二极管发光，则表明所述MOS管不存在虚焊和假焊。上述测试装置的测试结果准确且测试成本较低。

Description

测试装置
技术领域
本发明涉及一种测试装置，特别涉及一种测试DirectEFT封装的MOS管是否虚焊和假焊的测试装置。
背景技术
DirectEFT封装的MOS管因具有阻抗小，散热快等优点而被广泛应用。但由于DirectEFT封装的MOS管的栅极、漏极及源极的引脚小且均位于MOS管的底面，故，当DirectEFT封装的MOS管焊接到电路板上时，易出现虚焊和假焊。目前，业界采用X射线设备来检测焊接到电路板上的DirectEFT封装的MOS管是否出现虚焊和假焊。然而，X射线设备价格昂贵，从而使得测试成本较高。
发明内容
鉴于上述内容，有必要提供一种成本低且能准确地检测出DirectEFT封装的MOS管是否出现虚焊和假焊的测试装置。
一种测试装置，用于测试一焊接到电路板上的MOS管是否存在虚焊和假焊，所述测试装置包括一发光二极管、第一及第二开关、第一及第二电阻及第一至第三接触元件，所述发光二极管的阳极与一电源相连，所述发光二极管的阴极通过所述第一电阻与所述第一接触元件相连，所述第一开关的一端通过所述第二电阻与所述电源相连，所述第一开关的另一端与所述第二接触元件相连，所述第二开关的一端与所述第一开关的另一端相连，所述第二开关的另一端接地，并与所述第三接触元件相连，测试时，所述第一接触元件接触所述MOS管的漏极与所述电路板上一第一电子元件之间的节点，所述第二接触元件接触所述MOS管的栅极与所述电路板上一第二电子元件之间的节点，所述第三接触元件接触所述MOS管的源极与所述电路板上一第三电子元件之间的节点，当所述MOS管为NMOS管时，闭合所述第一开关，当所述MOS管为PMOS管时，闭合所述第二开关，若所述发光二极管不发光，则表明所述MOS管存在虚焊和假焊；若所述发光二极管发光，则表明所述MOS管不存在虚焊和假焊。
本发明测试装置通过所述第一至第三接触元件来接触所述MOS管的栅极、漏极及源极，并通过观察所述发光二极管是否发光来判断所述MOS管栅极、漏极及源极是否存在虚焊和假焊，以使测试结果准确且测试成本低。
附图说明
下面参照附图结合较佳实施方式对本发明作进一步详细描述：
图1为本发明测试装置较佳实施方式的电路图。
图2为本发明测试装置对NMOS管进行测试的电路图。
图3为本发明测试装置对PMOS管进行测试的电路图。
主要元件符号说明
测试装置 10
电路板 11、20
接触元件12-14 12-14
线缆 15
电子元件 22、26、28
发光二极管 D
开关 K1、K2
电阻 R1、R2
NMOS管 Q1
PMOS管 Q2
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参考图1至图3，本发明测试装置10用于测试一电路板20上DirectEFT封装的MOS管是否出现虚焊和假焊。所述测试装置10的较佳实施方式包括一电路板11、一发光二极管D、两开关K1、K2、两电阻R1、R2及三个接触元件12-14。所述发光二极管D、开关K1、K2及电阻R1、R2均设于所述电路板11上，所述接触元件12-14通过三根线缆15与所述电路板11上的元件相连。
所述发光二极管D的阳极与一电源Vcc相连。所述发光二极管D的阴极通过所述电阻R1及线缆15与所述接触元件12相连。所述开关K1的一端通过所述电阻R2与所述电源Vcc相连。所述开关K1的另一端通过所述线缆15与所述接触元件13相连。所述开关K2的一端与所述开关K1的另一端相连。所述开关K2的另一端接地，并通过所述线缆15与所述接触元件14相连。在本实施方式中，所述接触元件12-14为探针。
测试时，由于DirectEFT封装的MOS管的栅极、漏极及源极的引脚小且均位于MOS管Q的底面，所述接触元件12-14无法直接与所述MOS管的引脚相连。因此，需先在电路板20上找出与所述MOS管的栅极、漏极及源极相连的三个电子元件22、26、28，再将所述接触元件12接触所述MOS管的漏极与所述电子元件26之间的节点B，将所述接触元件13接触所述MOS管的栅极与所述电子元件22之间的节点A，将所述接触元件14接触所述MOS管的源极与所述电子元件28之间的节点C。
请继续参考图2，当所述MOS管为NMOS管Q1时，闭合所述开关K1，若所述NMOS管Q1存在虚焊和假焊，则节点B和C将不导通，此时，所述发光二极管D将不发光；若所述NMOS管Q1不存在虚焊和假焊，则节点B和C将导通，此时，所述发光二极管D将发光。
请继续参考图3，当所述MOS管为PMOS管Q2时，闭合所述开关K2，若所述PMOS管Q2存在虚焊和假焊，则节点B和C将不导通，此时，所述发光二极管D将不发光；若所述PMOS管Q2不存在虚焊和假焊，则节点B和C将导通，此时，所述发光二极管D将发光。
本发明测试装置10通过所述接触元件12-14来接触所述MOS管的栅极、漏极及源极，并通过观察所述发光二极管D是否发光来判断所述MOS管栅极、漏极及源极是否存在虚焊和假焊，以使测试结果准确且测试成本较低。

Claims (3)

1.一种测试装置，用于测试一焊接到电路板上的MOS管是否存在虚焊和假焊，所述测试装置包括一发光二极管、第一及第二开关、第一及第二电阻及第一至第三接触元件，所述发光二极管的阳极与一电源相连，所述发光二极管的阴极通过所述第一电阻与所述第一接触元件相连，所述第一开关的一端通过所述第二电阻与所述电源相连，所述第一开关的另一端与所述第二接触元件相连，所述第二开关的一端与所述第一开关的另一端相连，所述第二开关的另一端接地，并与所述第三接触元件相连，测试时，所述第一接触元件接触所述MOS管的漏极与所述电路板上一第一电子元件之间的节点，所述第二接触元件接触所述MOS管的栅极与所述电路板上一第二电子元件之间的节点，所述第三接触元件接触所述MOS管的源极与所述电路板上一第三电子元件之间的节点，当所述MOS管为NMOS管时，闭合所述第一开关，当所述MOS管为PMOS管时，闭合所述第二开关，若所述发光二极管不发光，则表明所述MOS管存在虚焊和假焊；若所述发光二极管发光，则表明所述MOS管不存在虚焊和假焊。
2.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于：所述第一至第三接触元件为探针。
3.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于：所述第一电阻通过一线缆与所述第一接触元件相连，所述第一开关的另一端通过一线缆与所述第二接触元件相连，所述第二开关的另一端通过一线缆与所述第三接触元件。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106332543A (zh) * 2016-09-08 2017-01-11 深圳市燕麦科技股份有限公司 利用内部二极管测试ic虚焊的方法
CN106405313A (zh) * 2016-11-24 2017-02-15 上海移远通信技术股份有限公司 芯片的虚焊测试装置及测试方法

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