TW201349596A - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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TW201349596A TW102104570A TW102104570A TW201349596A TW 201349596 A TW201349596 A TW 201349596A TW 102104570 A TW102104570 A TW 102104570A TW 102104570 A TW102104570 A TW 102104570A TW 201349596 A TW201349596 A TW 201349596A
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Yosuke Akimoto
Akihiro Kojima
Yoshiaki Sugizaki
Hideto Furuyama
Miyoko Shimada
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Toshiba Kk
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Abstract

本發明係一種發光裝置及其製造方法，其中，有關實施形態之發光裝置係具備發光元件，和透光部，和配光控制部。前述發光元件係具有第1面。前述第1面係放射光線。前述透光部係設置於前述第1面上。前述配光控制部係設置於前述第1面的周緣，具有較前述透光部的折射率為低之折射率。

Description

發光裝置及其製造方法
實施形態係有關發光裝置及其製造方法。
為了謀求小型化，具備晶片狀之半導體發光元件(以下，單稱作發光元件)之發光裝置。
在如此之發光裝置中，從發光元件所放射的光係朝向發光裝置之正面側的廣範圍加以放射。因此，發光裝置之放射強度的配光特性係成為廣的構成。但如此之發光裝置係成為呈使用於照明裝置之光源，畫像顯示裝置之背光光源，顯示器裝置之光源等各種用途。
此情況，當作為具有寬的配光特性之發光裝置時，根據用途係成為照射成為無用的光之情況。
因此，小形化之同時，可改變配光特性之發光裝置的開發則為期望。
本發明之實施形態係提供可改變配光特性之發光裝置 及其製造方法。
有關實施形態之發光裝置係具備發光元件，和透光部，和配光控制部。前述發光元件係具有第1面。前述第1面係放射光線。前述透光部係設置於前述第1面上。前述配光控制部係設置於前述第1面的周緣，具有較前述透光部的折射率為低之折射率。
如根據實施形態，可提供可改變配光特性之發光裝置及其製造方法。
2‧‧‧發光元件
122‧‧‧基板
70‧‧‧基板
3‧‧‧第1半導體層
5‧‧‧第2半導體層
6‧‧‧透光部
7‧‧‧絕緣部
4‧‧‧發光層
8a‧‧‧第1電極部
9a‧‧‧第1晶種部
10a‧‧‧第1配線部
11a‧‧‧第1柱狀部
8b‧‧‧第2電極部
9b‧‧‧第2晶種部
10b‧‧‧第2配線部
11b‧‧‧第2柱狀部
12‧‧‧封閉部
12a‧‧‧第1封閉部
12b‧‧‧第2封閉部
26b‧‧‧凹部
13‧‧‧配光控制部
53a‧‧‧配光控制部
53b‧‧‧配光控制部
63‧‧‧配光控制部
54‧‧‧透光膜
54a‧‧‧膜部
54b‧‧‧突出部
64‧‧‧保護膜
65‧‧‧反射部
71‧‧‧犧牲層
72‧‧‧膜
21‧‧‧發光裝置
51a‧‧‧發光裝置
61‧‧‧發光裝置
121‧‧‧發光裝置
123‧‧‧接合部
126‧‧‧透光部
26a‧‧‧螢光體
126a‧‧‧螢光體
圖1係例示有關第1實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
圖2係例示有關第2實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
圖3係例示有關比較例之發光裝置之模式剖面圖。
圖4係對於配光控制部的高度尺寸所例示之模式剖面圖。
圖5係顯示有關第3實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
圖6係顯示有關第4實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
圖7係例示從發光元件的形成工程至封閉部之形成工程為止的模式工程剖面圖。
圖8係例示從凹凸部的形成工程至配光控制部之形成 工程為止的模式工程剖面圖。
圖9係例示透光部之形成工程的模式工程剖面圖。
圖10係例示配光控制部形成工程的模式工程剖面圖。
圖11係例示配光控制部形成工程的模式工程剖面圖。
圖12係例示保護膜，反射部之形成工程的模式工程剖面圖。
圖13係例示發光裝置之個片化的模式工程剖面圖。
以下，參照圖面同時，對於實施形態加以例示。然而，各圖面中，對於同樣的構成要素係附上同一符號，詳細的說明係作適宜省略。
[第1實施形態]
圖1係例示有關第1實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
如圖1所示，對於發光裝置1係設置有發光元件2，透光部6，絕緣部7，第1電極部8a，第2電極部8b，封閉部12，配光控制部13。
發光元件2係例如，可作為發光二極體。
此情況，發光元件2係例如，具有第1半導體層3，設置於第1半導體層3上之發光層4，和設置於發光層4 上之第2半導體層5。
第1半導體層3係例如，從呈成為p形地加以摻雜之半導體(p形半導體)所形成的層。
發光層4係例如，具有經由電洞及電子再結合而產生光的井層，和具有較井層為大之能帶隙之阻障層加以構成之量子井構造。第2半導體層5係例如從呈成為n形地加以摻雜之半導體(n形半導體)所形成的層。
發光元件2則為放射成藍色光的藍色發光二極體之情況，半導體係例如為氮化物半導體。
此情況，氮化物半導體係例如為GaN(氮化鎵)、AlN(氮化鋁)、AlGaN(氮化鋁鎵)、InGaN(氮化銦鎵)等。
對於放射發光元件2的光的面2a(相當於第1面之一例)，係設置有凹凸部2a1。
凹凸部2a1係使從發光元件2所放射的光散射。因此，可提昇在發光元件2所產生的光之取出效率。
透光部6係設置於發光元件2的面2a上。
透光部6係自具有透光性之材料所形成。
具有透光性之材料係例如為具有透光性之樹脂等。具有透光性之樹脂係例如，環氧樹脂，聚矽氧樹脂，異丁稀樹脂(PMMA)，聚碳酸酯樹脂(PC)，環狀聚烯烴樹脂(COP)，脂環型丙烯酸樹脂(OZ)，碳酸烯丙基二甘醇酯樹脂(ADC)，丙烯酸樹脂，氟素樹脂，聚矽氧樹脂和環氧樹脂之混合樹脂，胺甲酸乙酯樹脂等。
絕緣部7係呈被覆與放射發光元件2的光側相反側的面2b地加以設置。
絕緣部7係例如，可自SiO2(氧化矽)等而形成。
第1電極部8a係例如具有第1晶種部9a，第1配線部10a，第1柱狀部11a。
第2電極部8b係例如具有第2晶種部9b，第2配線部10b，第2柱狀部11b。
設置於第1半導體層3之表面的未圖示之電極係藉由第1晶種部9a，第1配線部10a而與第1柱狀部11a加以連接。設置於第2半導體層5之表面的未圖示之電極係藉由第2晶種部9b，第2配線部10b而與第2柱狀部11b加以連接。
即，第1電極部8a係與設置於第1半導體層3之未圖示的電極加以連接之導引電極。第2電極部8b係與設置於第2半導體層5之未圖示的電極加以連接之導引電極。
第1晶種部9a，第1配線部10a，第1柱狀部11a，第2晶種部9b，第2配線部10b，第2柱狀部11b係例如，可自銅，金，鎳，銀等之金屬形成者。此情況，如考慮熱傳導性，位移耐性，與封閉部12之密著性等，由銅形成此等者為佳。
封閉部12係具有第1封閉部12a，第2封閉部12b。
第1封閉部12a係呈被覆發光元件2的面2b側，及側面2c(相當於第2面的一例)側地加以設置。
第2封閉部12b係呈被覆第1配線部10a，第1柱狀部11a，第2配線部10b，第2柱狀部11b地加以設置。然而，第1柱狀部11a之端面11a1，和第2柱狀部11b之端面11b1係從第2封閉部12b露出。
第1封閉部12a，第2封閉部12b係可自具有絕緣性之有機材料或無機材料等而形成。此情況，亦可將第1封閉部12a，第2封閉部12b，絕緣部7一體地形成。
另外，如加厚第1柱狀部11a，第2柱狀部11b，第2封閉部12b之厚度，即使發光元件2的厚度為薄的情況，亦可補足發光元件2之機械強度的下降。
配光控制部13係設置於發光元件2的面2a之周緣。配光控制部13係亦可呈圍著發光元件2的面2a地設置，而設置於面2a之周圍的一部分亦可。
配光控制部13係如做成圖1所例示地，其一面則呈放入於較面2a之輪廓為內側地設置亦可，而較面2a的輪廓為外側，或者配光控制部13之輪廓與面2a之輪廓呈重疊地設置亦可。
配光控制部13之折射率係變為較透光部6之折射率為低。
因此，入射於配光控制部13的光L1係呈朝向於發光裝置1之正面側地折射。
配光控制部13之材料係無特別加以限定，而可適宜地選擇配光控制部13之折射率則如較透光部6之折射率為低之無機材料或有機材料等。
另外，配光控制部13係可作為具有透光性的構成者。例如，配光控制部13係可自透明或半透明等之透光性材料而形成。此情況，配光控制部13係可如白色樹脂等，自反射率高的材料而形成。
配光控制部13係具有配光控制部13之前端則自面2a之中心側遠離之方向傾斜之傾斜面13a。
然而，透光部6係呈被覆傾斜面13a地加以設置。
配光控制部13則如作為具有傾斜面13a之構成，可加大入射於配光控制部13的光L2之入射角。因此，因容易使光L2進行全反射之故，容易使光L2朝向發光裝置1的正面側加以放射。
然而，雖例示傾斜面13a為曲面之情況，但傾斜面13a係亦可為平面。
另外，如加大配光控制部13之折射率，與透光部6之折射率的差，即使入射至配光控制部13的光之入射角為小之情況，亦可容易使其全反射。
對於配光控制部13之高度尺寸H係無特別加以限定，如加高配光控制部13之高度尺寸H，可容易朝向發光裝置1之正面側而使光放射。然而，關於配光控制部13之高度尺寸H之詳細係後述之(例如，參照圖4)。
然而，從發光元件2朝向發光裝置1之正面側加以放射的光L3與L4係未入射至配光控制部13而朝向發光裝置1之正面側加以放射。
如以上所例示地，如根據本實施形態，因設置具有較 透光部6之折射率為低折射率之配光控制部13之故，可增加放射至發光裝置1之正面側的光。即，因設置具有較透光部6之折射率為低折射率之配光控制部13之故，配光特性則可呈變窄地改變。
另外，可作為由改變配光控制部13之折射率，傾斜面13a的角度，配光控制部13之高度尺寸H者，得到所期望之配光特性。
[第2實施形態]
圖2係顯示有關第2實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
如圖2所示，對於發光裝置21係設置有發光元件2，透光部26，絕緣部7，第1電極部8a，第2電極部8b，封閉部12，配光控制部13。
透光部26係設置於發光元件2的面2a上。
透光部26係包含具有透光性的材料，和螢光體26a。然而，具有透光性之材料係可作為與前述透光部6同樣者。
此情況，配光控制部13之折射率係變為較透光部26之折射率為低。
螢光體26a係在透光部26之內部，偏在於發光元件2的面2a側。即，螢光體26a係在透光部26之內部，設置於發光元件2的面2a的近旁。
此情況，螢光體26a係亦可作為呈與發光元件2的面 2a接觸者。
另外，螢光體26a係僅在於較發光元件2的面2a之周緣為內側。
如此作為，將發光裝置21安裝於基板等時，可減少朝向發光裝置21之背面側之基板等加以放射的光者。
螢光體26a係呈粒狀，吸收從發光元件2所放射的光之一部分，發光成具有特定波長之螢光。
例如，螢光體26a係可作為吸收從發光元件2所射出之藍色的光之一部分，發光成黃色的螢光之構成者。此情況，從透光部26係例如，放射未由螢光體26a所吸收之藍色的光L3，L4，和從螢光體26a發射之黃色的螢光L1a，L2a。
然而，亦可使用1種類的螢光體，而組合複數種類之螢光體而使用亦可。
例如，可對於從發光元件2所放射的藍色光而言，僅使用發光成黃色的螢光之螢光體者。另外，可對於從發光元件2所放射的藍色光而言，組合發光成紅色的螢光之螢光體，和發光成綠色的螢光之螢光體而使用。此情況，從透光部26係成為放射藍色的光與紅色的光與綠色的光者。
作為發光成黃色的螢光之螢光體材料，係例如可例示以下之構成者。但，並非限定於此等而可做適宜變更者。
Li(Eu，Sm)W2O8、(Y，Gd)3(Al，Ga)5O12：Ce3+、 Li2SrSiO4：Eu2+、(Sr(Ca，Ba))3SiO5：Eu2+、SrSi2ON2.7：Eu2+
作為發光成紅色的螢光之螢光體材料，係例如可例示以下之構成者。但，並非限定於此等而可做適宜變更者。
La2O2S：Eu，Sm、LaSi3N5：Eu2+、α-sialon：Eu2+、CaAlSiN3：Eu2+、(SrCa)AlSiN3：EuX+、Srx(SiyAl3)z(OxN)：EuX+
作為發光成綠色的螢光之螢光體材料，係例如可例示以下之構成者。但，並非限定於此等而可做適宜變更者。
(Ba，Sr，Mg)O‧aAl2O3：Mn、(BrSr)SiO4：Eu、α-sialon：Yb2+、β-sialon：Eu2+、(CaSr)Si2O4N7：Eu2+、Sr(SiAl)(ON)：Ce
然而，螢光體所發光之螢光的顏色種類或組合係並非限定於作為例示之構成，而可因應發光裝置21之用途等而作適宜變更者。
圖3係顯示有關比較例之發光裝置之模式剖面圖。
圖3係表示將有關比較例之發光裝置121安裝於基板 122之狀態的圖。然而，圖3中的接合部123係例如，經由焊錫所形成。
如圖3所示，對於透光部126內部係分散有螢光體126a。
在此，經由從發光元件2所放射的光之方向而光線透過透光部126內部時之透過長度則成為不同之構成。因此，當螢光體126a分散於透光部126內部時，經由從發光元件2所放射的光之方向，含於其間的螢光體的量則成為不同之構成。例如，光線透過透光部126內部時之透過長度變長時，含於其間的螢光體126a的量則變多。因此，從螢光體126a所發射的螢光量則變多。其結果，經由從發光元件2所放射的光之方向而色調成為不同之構成。
對此，在前述之發光裝置21中，螢光體26a係在透光部26之內部，偏在於發光元件2的面2a側。因此，光線透過透光部26內部時之透過長度即使成為不同之構成，亦可抑制含於其間的螢光體26a的量之變化。其結果，可抑制經由從發光元件2所放射的光之方向而色調成為不同之構成。
另外，在有關比較例之發光裝置121中，因螢光體126a分散於透光部126之內部之故，從螢光體126a所發射的螢光L101則朝向發光裝置121之正面側或側面側的廣範圍加以放射。另外，從螢光體126a所發射的螢光L102則朝向發光裝置121之背面側的基板122而加以放 射。
此情況，朝向基板122所放射的螢光L102係經由基板122所反射，損失則變大。
另外，發光裝置121係成為具有廣的配光特性之構成，但有著經由發光裝置121的用途而無法成為適切的構成情況。
對此，在前述之發光裝置21中，配光控制部13的折射率係成為較透光部26之折射率為低。因此，可增加放射於發光裝置21的正面側的光。即，因設置具有較透光部26之折射率為低折射率之配光控制部13之故，配光特性則可呈變窄地改變。
另外，可作為由改變配光控制部13之折射率，傾斜面13a的角度，配光控制部13之高度尺寸H者，得到所期望之配光特性。
在此，對於配光控制部13之高度尺寸，更作為例示。
圖4係對於配光控制部13的高度尺寸所例示之模式剖面圖。
如圖4A所示，如降低配光控制部13之高度尺寸Ha，從螢光體26a所發射的螢光L2a1則未入射於配光控制部13而容易從發光裝置21a的側面側所放射。因此，可作為配光特性呈變寬者。
此情況，配光控制部13之高度尺寸Ha係例如，可作為較螢光體26a之平均直徑尺寸為大者。
如圖4B所示，如加高配光控制部13之高度尺寸Hb，從螢光體26a所發射的螢光L2a則容易入射至配光控制部13。因此，因從發光裝置21b的正面側容易放射光之故，可作為配光特性呈變窄者。
此情況，配光控制部13之高度尺寸Hb係可作為透光部26之厚度尺寸以下者。
[第3實施形態]
圖5係顯示有關第3實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
如圖5A所示，對於發光裝置51a係設置有發光元件2，透光部26，絕緣部7，第1電極部8a，第2電極部8b，封閉部12，配光控制部53a，透光膜54。
對於透光膜54係設置有膜部54a與突出部54b。
膜部54a係呈被覆發光元件2的面2a地加以設置。
突出部54b係設置於發光元件2的面2a之周緣。突出部54b係突出於從面2a遠離之方向。對於突出部54b之內面54b1側係設置有空間。即，於發光元件2的面2a之周緣設置有空間。
對於設置於面2a之周緣的空間係充填有設置發光裝置51a之環境中的氣體。設置發光裝置51a之環境中的氣體係例如為空氣。
一般而言，設置發光裝置51a之環境中的氣體之折射率(例如，空氣的折射率)係成為較形成透光部26之材 料的折射率為低。
因此，可將設置於面2a之周緣的空間作為配光控制部53a者。
此情況，於配光控制部53a之傾斜面，和透光部26之間，設置有透光膜54。
在圖1或圖2中作為例示之配光控制部13係包含無機材料或有機材料等，但配光控制部53a係成為包含設置發光裝置51a之環境中的氣體者。
透光膜54係可自具有透光性之材料所形成。
透光膜54係例如，可自SiO2，SiN(氮化矽)等而形成。
此情況，對於透光膜54之折射率係無特別加以限定，但透光膜54之折射率係作為呈較透光部26之折射率為低者為佳。
透光膜54係並非需要而亦可省略。但，如作為設置透光膜54之構成，配光控制部53a之形成則變為容易。
如圖5B所示，對於發光裝置51b係設置有發光元件2，透光部26，絕緣部7，第1電極部8a，第2電極部8b，封閉部12，配光控制部53b。
對於透光部26之側面係設置有凹部26b。凹部26b係設置於發光元件2的面2a之周緣。即，由設置凹部26b者，於發光元件2的面2a之周緣設置有空間。
對於設置於面2a之周緣的空間係充填有設置發光裝置51b之環境中的氣體。設置發光裝置51b之環境中的氣 體係例如為空氣。
因此，可將設置於面2a之周緣的空間作為配光控制部53b者。
此情況，配光控制部53b係成為含有設置發光裝置51b之環境中的氣體情況。
在圖5A中作為例示之配光控制部53a係經由設置於突出部54b之內面54b1側之空間所構成，但配光控制部53b係經由設置於透光部26之側面側的空間所構成。即，配光控制部53b係未設置前述透光膜54之情況。
在有關本實施形態之發光裝置51a，51b中，可享受與前述發光裝置21同樣的作用，效果者。
[第4實施形態]
圖6係顯示有關第4實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
如圖6所示，對於發光裝置61係設置有發光元件2，透光部26，絕緣部7，第1電極部8a，第2電極部8b，封閉部12，配光控制部63，保護膜64，反射部65。
配光控制部63係可作為與前述之配光控制部53b同樣構成。即，由設置凹部26b於透光部26之側面者所形成之空間則成為配光控制部63。
保護膜64呈被覆發光元件2的面2a地加以設置。
保護膜64係可自具有透光性之材料所形成。保護膜64係例如，可自SiO2等而形成。
反射部65係設置於發光元件2的側面2c側。反射部65係可自反射率高的材料而形成。反射率高的材料係例如為金屬等。此情況，亦考慮腐蝕性等時，反射部65係自鋁等而形成為佳。
對於配光控制部63則經由設置於透光部26之側面側的空間加以構成之情況，係入射至配光控制部63的光則容易放射於發光裝置61之側面側。在本實施形態中，因作為呈設置反射部65於發光元件2之側面2c側之故，可使朝向於發光裝置61之側面側的光L5反射者。
因此，可更增加放射於發光裝置61的正面側的光。
另外，由改變反射部65之高度尺寸者，可改變配光特性。
另外，在有關本實施形態之發光裝置61中，可享受與前述發光裝置21同樣的作用，效果者。
然而，於以上作為例示之發光裝置係成為WLP(Wafer-Level Package：晶圓級封裝)之發光裝置之情況。
但，並非限定於成為WLP之發光裝置，而對於設置有透光部於放射發光元件2的光之面2a的發光裝置可廣泛適用。例如，亦可對於覆晶連接發光元件2，和具有配線層之基板的發光裝置等而適用。
接著，對於發光裝置之製造方法加以例示。
[第5實施形態]
圖7係例示在發光裝置之製造方法之中，從發光元件2之形成工程至封閉部12之形成工程為止之模式工程剖面圖。
首先，如圖7A所示，於由藍寶石等所成之基板70的面70a，形成第2半導體層5，發光層4，第1半導體層3。即，形成具有放射光的面2a之發光元件2。並且，各於第2半導體層5及第1半導體層3的表面形成絕緣部7，於第1半導體層3的表面形成第1種晶部9a，於第2半導體層5的表面形成第2種晶部9b。
然而，此等要素係可使用既知之成膜法，光微影法，乾蝕刻法等而形成。
接著，如圖7B所示，於面70a側之全面形成第1封閉部12a，而第1種晶部9a，第2種晶部9b之一部分呈露出地形成開口12a1。
接著，如圖7C所示，使用既知的成膜法而形成成為第1配線部10a，第2配線部10b，第1柱狀部11a，第2柱狀部11b的膜，使用光微影法與乾蝕刻法而依序形成第1配線部10a，第2配線部10b，第1柱狀部11a，第2柱狀部11b。並且，於面70a側的全面，使用旋塗法等而形成成為第2封閉部12b的膜，而由第1柱狀部11a的端面11a1，和第2柱狀部11b之端面11b1成露出地作為平坦化者，形成第2封閉部12b。
更且，使用光微影法等而除去基板70。
圖8係例示在發光裝置之製造方法之中，從凹凸部 2a1之形成工程至配光控制部13之形成工程為止之模式工程剖面圖。
首先，如圖8A所示，於發光元件2之面2a形成凹凸部2a1。
對於第2半導體層5自GaN等所形成之情況，係可使用濕蝕刻法而形成凹凸部2a1者。例如，如使用氫氧化四甲銨((CH3)4NOH)之水溶液(TMH)或氫氧化鉀(KOH)之水溶液等而將面2a進行濕蝕刻，形成依據結晶構造之凹凸部2a1。
另外，亦可使用光微影法與乾蝕刻法而於面2a形成凹凸部2a1者。
接著，如圖8B所示，於面2a之周緣形成配光控制部13。此情況，形成具有較透光部6，26之折射率為低折射率之配光控制部13。
配光控制部13之形成係例如，可使用真空網版印刷法或鑄模法等而進行。
例如，使用真空網版印刷法或鑄模法等，於發光元件2的面2a之周緣，塗佈具有特定折射率之樹脂，由將此硬化者而形成配光控制部13。此情況，可將經由表面張力而塗佈之樹脂的側面作為傾斜面者。因此，由硬化此等者，可形成具有傾斜面13a之配光控制部13。
圖9係在發光裝置之製造方法之中，例示透光部6，26之形成工程的模式工程剖面圖。
如圖9A所示，呈被覆發光元件2的面2a側全面地形 成透光部6。
透光部6之形成係例如，可使用真空網版印刷法或鑄模法等而進行。
例如，使用真空網版印刷法或鑄模法等，於發光元件2的面2a側，塗佈具有透光性之樹脂，由將此硬化者而形成透光部6。
或者，如圖9B所示，呈被覆發光元件2的面2a側全面地形成包含螢光體26a之透光部26。
透光部26之形成係例如，可使用真空網版印刷法或鑄模法等而進行。
例如，使用真空網版印刷法或鑄模法等，於發光元件2的面2a側，塗佈含有螢光體26a具有透光性之樹脂，由將此硬化者而形成透光部26。
另外，在塗佈包含螢光體26a之樹脂之後，由使螢光體26a沉澱於樹脂中者，可作為螢光體26a呈偏在於發光元件2的面2a側者。
另外，在塗佈未包含螢光體26a之樹脂之後，添加螢光體26a，於樹脂中使螢光體26a沉澱亦可。
然而，沉澱係可作為經由重力之構成者。
另外，由調整樹脂的黏度者，可容易使螢光體26a沉澱。調整樹脂的黏度係例如，可由改變添加於樹脂之填充劑的量，以及改變添加於樹脂之溶劑的量而進行者。
圖10，圖11係在發光裝置之製造方法之中，例示配光控制部53a之形成工程的模式工程剖面圖。
首先，如圖10A所示，例如使用真空網版印刷法或鑄模法等，形成犧牲層71於發光元件2的面2a的周緣。此時，經由表面張力而可於犧牲層71形成傾斜面71a者。犧牲層71係例如，可經由使用真空網版印刷法或鑄模法等而塗佈光阻劑之時而形成者。
接著，如圖10B所示，呈被覆發光元件2的面2a側全面地形成成為透光膜54的膜72。
即，成被覆犧牲層71地形成成為透光膜54的膜72。
成為透光膜54的膜72係例如，可使用濺鍍法等，由將SiO2或SiN所成的膜進行成膜者而形成。
接著，如圖11所示，將到達至犧牲層71頂部等之孔部72a形成於膜72，再由藉由孔部72a除去犧牲層71者，形成具有膜部54a與突出部54b之透光膜54。另外，由除去犧牲層71所形成之空間則成為配光控制部53a。
對於犧牲層71自光阻劑所形成之情況，經由使用丙酮等之濕蝕刻法或使用氧電漿等之乾蝕刻法等而可進行犧牲層71的除去。
然而，對於形成在圖5B中作為例示之配光控制部53b之情況，係例如，如作為使用真空網版印刷法或鑄模法等，於發光元件2的面2a之周緣形成犧牲層71，呈被覆犧牲層71地形成透光部6，26，再將到達至犧牲層71頂部等之孔部形成於透光部6，26，藉由孔部而除去犧牲 層71即可。
並且，在形成配光控制部53a，53b之後，可進行前述透光部6，26的形成。
接著，對於在圖6中作為例示之保護膜64，反射部65之形成加以例示。
圖12係例示保護膜64，反射部65之形成工程的模式工程剖面圖。
首先，如圖12A所示，呈被覆發光元件2的面2a側全面地形成保護膜64。例如，使用旋塗法，由將SOG(Spin on Glass)膜進行成膜而形成保護膜64。保護膜64係在形成反射部65時，為了保護發光元件2的面2a所加以設置。
接著，如圖12B所示，除去位置於第2半導體層5之側面側的保護膜64。另外，使位置於第2半導體層5之側面側的第1封閉部12a之上面12a2後退。此時，上面12a2的位置係可作為呈成為較第2半導體層5之下面5a為上方者。
保護膜64之除去，第1封閉部12a之上面12a2之後退係例如，可使用光微影法與乾蝕刻法而進行者。
接著，如圖12C所示，呈被覆發光元件2的面2a側全面地形成成為反射部65的膜73。成為反射部65的膜73係例如，可使用濺鍍法等，由將鋁所成的膜進行成膜者而形成。
接著，如圖12D所示，在膜73之中，由除去位置於 第2半導體層5之側面側的部分以外而形成反射部65。反射部65的形成係例如，可使用光微影法與RIE(Reactive Ion Etching)法等之異向性蝕刻法而進行。對於膜73自鋁所加以形成之情況，可使用採用含有氯的氣體之RIE法者。
此情況，因由改變保護膜64之厚度而可改變反射部65的高度尺寸之故，可改變配光特性。
在形成反射部65之後，可進行前述配光控制部13，53a，53b之形成，透光部6，26的形成。
如以上作為可一次製造複數之發光裝置者。
接著，因應必要而對於各發光裝置進行個片化。
圖13係例示發光裝置之個片化之模式工程剖面圖。
然而，作為一例，圖13A係例示發光裝置21之個片化，圖13B係例示發光裝置51a之個片化，圖13C係例示發光裝置61之個片化者。
如圖13A~C所示，由切斷發光裝置彼此之間者而個片化成各發光裝置。
作為切斷的方法，可例示使用金剛鑽刀等之機械性切斷，經由雷射照射的切斷，經由高壓水之切斷等。
作為如以上之製造方法時，可有效率地製造可改變配光特性之發光裝置者。
另外，可容易製造接近於發光元件2尺寸之小型的發光裝置。
另外，無需使用打線架或陶瓷基板等之安裝構件，而 可以晶圓位準進行配線或封閉等。另外，成為可以晶圓位準而進行檢查者。因此，可提高製造工程之生產性，作為其結果而價格減低則變為容易。
如根據作為以上例示之實施形態，可實現可改變配光特性之發光裝置及其製造方法者。
以上，雖說明過本發明之幾個實施形態，但此等實施形態係作為例而提示之構成，未意圖限定發明之範圍。此等新穎的實施形態係可以其他種種形態而實施，在不脫離發明之內容範圍，可進行種種省略，置換，變更等。此等實施形態或其變形例係含於發明之範圍或內容同時，含於記載於申請專利範圍之發明與其均等之範圍。另外，前述之各實施形態係可相互組合而實施。
1‧‧‧發光裝置
2‧‧‧發光元件
2a‧‧‧面
2a1‧‧‧凹凸部
2b‧‧‧面
2c‧‧‧側面
3‧‧‧第1半導體層
4‧‧‧發光層
5‧‧‧第2半導體層
6‧‧‧透光部
7‧‧‧絕緣部
8a‧‧‧第1電極部
8b‧‧‧第2電極部
9a‧‧‧第1晶種部
9b‧‧‧第2晶種部
10a‧‧‧第1配線部
10b‧‧‧第2配線部
11a‧‧‧第1柱狀部
11a1‧‧‧端面
11b‧‧‧第2柱狀部
11b1‧‧‧端面
12‧‧‧封閉部
12a‧‧‧第1封閉部
12b‧‧‧第2封閉部
13‧‧‧配光控制部
13a‧‧‧傾斜面
L1、L2、L3、L4‧‧‧光
H‧‧‧高度尺寸

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，其特徵為具備：具有放射光的第1面之發光元件，和設置於前述第1面上之透光部，和設置於前述第1面之周緣，具有較前述透光部之折射率為低折射率之配光控制部者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述配光控制部係呈圍繞前述第1面地加以設置。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述配光控制部係具有前述配光控制部的前端則傾斜於從前述第1面之中心側遠離之方向的傾斜面。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之發光裝置，其中，前述傾斜面係具有曲面。
  5. 如申請專利範圍第3項記載之發光裝置，其中，前述透光部係呈被覆前述傾斜面地加以設置。
  6. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述透光部係包含：具有透光性之材料，和螢光體。
  7. 如申請專利範圍第6項記載之發光裝置，其中，前述螢光體係偏靠於前述透光部之內部的前述第1面側。
  8. 如申請專利範圍第6項記載之發光裝置，其中，前述螢光體係接觸於前述第1面。
  9. 如申請專利範圍第6項記載之發光裝置，其中，前述螢光體係僅在於較前述第1面之周緣為內側。
  10. 如申請專利範圍第6項記載之發光裝置，其中， 前述螢光體係呈粒狀，前述配光控制部之高度尺寸係較前述螢光體之平均直徑尺寸為大。
  11. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述配光控制部之高度尺寸係前述透光部之厚度尺寸以下。
  12. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述配光控制部係具有透光性。
  13. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述配光控制部係包含設置有發光裝置之環境中的氣體。
  14. 如申請專利範圍第5項記載之發光裝置，其中，於前述傾斜面，和前述透光部之間更具備透光膜。
  15. 如申請專利範圍第14項記載之發光裝置，其中，前述透光膜係具有較前述透光部之折射率為低之折射率。
  16. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，更具備設置於前述發光元件之側面側的反射部。
  17. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述第1面係具有凹凸。
  18. 一種發光裝置之製造方法，其特徵為具備：形成具有放射光的第1面之發光元件的工程，和於前述第1面的周緣，形成配光控制部之工程，和於前述第1面上形成透光部之工程，在於前述第1面的周緣，形成配光控制部之工程中，形成具有較前述透光部之折射率為低折射率的前述配光控 制部。
  19. 如申請專利範圍第18項記載之發光裝置之製造方法，其中，在於前述第1面的周緣，形成配光控制部之工程中，於前述第1面的周緣形成犧牲層，呈被覆前述犧牲層地形成透光膜，除去前述犧牲層而形成空間。
  20. 如申請專利範圍第18項記載之發光裝置之製造方法，其中，在於前述第1面上形成透光部的工程中，使螢光體沉澱於樹脂中。
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