TW201335231A - 單體、聚合物及有機電子器件 - Google Patents

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露絲 佩京頓
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Abstract

本發明提供一種有機電子器件，其包含陽極、陰極、位於該陽極與該陰極之間之半導電層及位於該陽極與該半導電層之間之電洞傳輸層，該電洞傳輸層包含含有式(I)之重複單元及一或多個共重複單元之共聚物：□其中：Ar1在每次出現時獨立地代表可未經取代或經一或多個取代基取代之稠合芳基或稠合雜芳基；Ar2代表可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基；R在每次出現時獨立地代表取代基；且m係1或2，較佳係1；且每一Ar1係直接結合至共重複單元之芳族或雜芳族基團。

Description

單體、聚合物及有機電子器件
含有活性有機材料之電子器件在諸如以下等器件中之用途正吸引越來越多的關注：有機發光二極體(OLED)、有機光響應器件(具體而言有機光伏打器件及有機光感測器)、有機電晶體及記憶體陣列器件。含有活性有機材料之器件提供多種益處，例如低重量、低電力消耗及撓性。此外，使用可溶性有機材料允許在器件製造中使用溶液處理，例如噴墨印刷或旋塗。
OLED可包含基板，其攜載陽極、陰極及一或多個位於陽極與陰極之間之有機發光層。
在器件之操作期間，電洞經由陽極注入器件且電子經由陰極注入。發光材料之最高佔據分子軌域(HOMO)中之電洞與最低未佔據分子軌域(LUMO)中之電子組合以形成以光形式釋放能量之激子。
適宜發光材料包括小分子、聚合及樹枝狀材料。適宜發光聚合物包括聚(伸芳基伸乙烯基)(例如聚(對-伸苯基伸乙烯基))及聚伸芳基(例如聚茀)。
發光層可包含半導電主體材料及發光摻雜劑，其中能量自該主體材料轉移至該發光摻雜劑。舉例而言，J.Appl.Phys.65,3610,1989揭示摻雜有螢光發光摻雜劑之主體材料(即，經由單重態激發之衰減來發射光之發光材料)。
人們亦已知磷光摻雜劑(即，經由三重態激發之衰減來發射光之發光摻雜劑)。
可在OLED之陽極與發光層之間提供電洞傳輸層。
WO 2009/067419揭示具有式I、式II或式III之化合物：(Ar2)2N-(Ar1)a-[T1-T2]-(Ar1)a-N(Ar2)2 (I)
T1及T2係以非平面組態連接之共軛部分。
WO 2009/084548揭示包含重複單元A及重複單元B之聚合物，其中A係選自衍生自由式(1)代表之化合物之二價基團：
其中Ar1至Ar4各自獨立地係經取代或未經取代之具有6至40個成環碳原子之芳基、經取代或未經取代之具有3至40個成環原子之雜環基或經取代或未經取代之具有1至50個碳原子之烷基；X係經取代或未經取代之具有6至40個成環碳原子之芳基、經取代或未經取代之具有3至40個成環原子之雜環基或經取代或未經取代之苯乙烯衍生之基團；且s係0至3之整數。
EP 2233508揭示包含重複單元A及重複單元B之聚合物，其中A包括衍生自由式(1)至(4)代表之化合物之二價基團：
EP 2272894揭示藉由聚合以下單體形成之聚合物：
在第一態樣中，本發明提供有機電子器件，其包含陽極、陰極、位於該陽極與該陰極之間之半導電層及位於該陽極與該半導電層之間之電洞傳輸層，該電洞傳輸層包含含有式(I)之重複單元及一或多個共重複單元之共聚物：
其中： Ar1在每次出現時獨立地代表可未經取代或經一或多個取代基取代之稠合芳基或稠合雜芳基；Ar2代表可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基；R在每次出現時獨立地代表取代基；且m係1或2，較佳係1；且每一Ar1係直接結合至共重複單元之芳族或雜芳族基團。
視情況，R係可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基。
視情況，每一Ar1係稠合芳基。
視情況，每一Ar1包含至少6個sp2雜化原子，視情況至少8個sp2雜化原子，將結合至每一Ar1之N原子與毗鄰重複單元間隔開。
視情況，Ar2係稠合芳基。
視情況，Ar1及Ar2中之至少一者具有式(II)：
其中R6在每次出現時獨立地係H或取代基；R7在每次出現時獨立地係取代基；且x在每次出現時獨立地係0、1、2或3。
視情況，每一R6及若存在每一R7獨立地係烴基，較佳係C1-40烴基。
視情況，該聚合物包含至少兩個不同共重複單元。
視情況，至少一個共重複單元係可未經取代或經一或多個取代基取代之芳族基團。
視情況，該等共重複單元中之至少一者係式(III)之重複單元：
其中p在每次出現時獨立地係0、1、2、3或4，視情況1或2；n係1、2或3；且R1在每次出現時獨立地係取代基。
視情況，該等共重複單元中之至少一者係式(IV)之重複單元：
其中R3在每次出現時相同或不同且係H或取代基，且其中該兩個R3基團可連接以形成環；R8係取代基；且d係0、1、2或3。
視情況，使該共聚物交聯。
視情況，該共聚物係經由該聚合物之重複單元之交聯取代基交聯。
視情況，該器件係有機發光器件，且該半導電層係有機發光層。
視情況，該發光層包含螢光藍色發光材料。
視情況，該發光層包含磷光發光材料。
視情況，該發光層包含綠色磷光發光材料。
視情況，Ar1不為菲。
在第二態樣中，本發明提供形成第一態樣之有機電子器件之方法，該方法包含以下步驟：在該陽極上形成該電洞傳輸層；在該電洞傳輸層上形成該半導電層；及在該半導電層上形成該陰極。
視情況，根據第二態樣，藉由沈積包含該包含式(I)之重複單元 之聚合物及一或多種溶劑之調配物並蒸發該一或多種溶劑來形成電洞傳輸層。
視情況，根據第二態樣，在形成半導電層之前使電洞傳輸層交聯。
在第三態樣中，本發明提供包含式(VII)之重複單元及一或多個共重複單元之共聚物
其中：Ar2代表可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基；R在每次出現時獨立地代表取代基；R6在每次出現時獨立地代表取代基；R7在每次出現時獨立地係取代基；x在每次出現時獨立地係0、1、2或3；t至少係1，視情況1或2；且*代表式(VII)之重複單元與毗鄰重複單元之附接點；且式(VII)之重複單元係藉助每一附接點直接結合至共重複單元之芳族或雜芳族基團。
視情況，根據第三態樣，式(VII)之重複單元具有式(VIIa)：
視情況，根據第三態樣，R係可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基。
視情況，根據第三態樣，Ar2係稠合芳基。
視情況，根據第三態樣，Ar2具有式(II)：
其中R6在每次出現時獨立地係H或取代基。
視情況，根據第三態樣，每一R6獨立地係烴基，較佳係C1-40烴基。
視情況，根據第三態樣，其中該聚合物包含式(VII)之重複單元及至少兩個不同共重複單元。
視情況，根據第三態樣，該聚合物包含式(III)之共重複單元：
其中p在每次出現時獨立地係0、1、2、3或4，視情況1或2；n係1、2或3；且R1在每次出現時獨立地係取代基。
視情況，根據第三態樣，該聚合物包含式(IV)之重複單元：
其中R3在每次出現時相同或不同且係H或取代基，且其中該兩個R3基團可連接以形成環；R8係取代基；且d係0、1、2或3。
視情況，根據第三態樣，該聚合物包含可交聯取代基。
視情況，根據第三態樣，該共聚物係經由該共聚物之重複單元 之交聯取代基交聯。
在第四態樣中，本發明提供式(VIIm)之單體：
其中Ar2、R、R6、R7、t及x係如上文所述，且每一LG獨立地代表脫離基。
視情況，根據第四態樣，每一LG獨立地選自鹵素、酸、酸酯、磺酸及磺酸酯。
在第五態樣中，本發明提供形成聚合物之方法，其包含在金屬觸媒存在下使第四態樣之單體聚合之步驟。
視情況，根據第五態樣，在一或多種共聚單體存在下使該單體聚合以形成第三態樣之共聚物。
在第六態樣中，本發明提供包含第三態樣之聚合物之有機電子器件。
視情況，根據第六態樣，該器件係有機發光器件。
視情況，根據第六態樣，該器件之發光層或電洞傳輸層包含第三態樣之聚合物。
視情況，根據第六態樣，該器件之發光層包含第三態樣之聚合物及與該聚合物摻和或結合之磷光摻雜劑。
含有式(VII)之重複單元之聚合物可含有一或多個如本發明第一態樣中所述之其他共重複單元。式(VII)之重複單元之Ar2可如針對式(I)之重複單元之Ar2基團所述連接。式(VII)之重複單元可如針對式(I)之重複單元所述連接至毗鄰重複單元。式(VII)之重複單元之Ar2、 R、m、R6、R7及x可選自如針對式(I)之重複單元所述之個別Ar2、R、m、R6、R7及x。
本文所用「芳基」及「雜芳基」意指非稠合芳基或雜芳基環或稠合芳基或雜芳基環系統。
100‧‧‧有機發光二極體
101‧‧‧陽極
103‧‧‧電洞傳輸層
105‧‧‧發光層
107‧‧‧陰極
109‧‧‧基板
現將參照附圖更詳細地闡述本發明，其中：圖1說明本發明實施例之OLED。
下文將參照式(I)之重複單元闡述本發明，然而，應瞭解，在式(I)之每一Ar1係茀之情形下，對式(I)之重複單元及含有式(I)之重複單元之聚合物之說明亦適用於式(VII)之重複單元及含有式(VII)之重複單元之聚合物。此適用說明包括(不限於)：式(I)之重複單元之連接位置、式(I)之重複單元之取代基、處理包含式(I)之重複單元之聚合物之方法、包含式(I)之重複單元之聚合物之用途及含有式(I)之重複單元之聚合物之共重複單元。
參照圖1，本發明實施例之OLED 100具有陽極101、陰極107、位於該陽極與該陰極之間之發光層105及位於該陽極101與該發光層105之間之電洞傳輸層103。該器件係支撐於基板109上，該基板可為玻璃基板或塑膠基板。
可在陽極與陰極之間提供一或多個其他層，例如電洞注入層、電子阻擋層、電子傳輸層或電子阻擋層。在較佳實施例中，在陽極與電洞傳輸層之間提供電洞注入層。若存在，則電洞注入層較佳地毗鄰電洞傳輸層。較佳地，電洞傳輸層毗鄰發光層。
該OLED可含有一個以上發光層，例如一起產生白色光之複數個發光層。
含有式(I)之重複單元之聚合物可用於OLED之發光層或電荷傳輸 層。較佳地，該聚合物用於OLED之電洞傳輸層。若含有式(I)之重複單元之聚合物用於發光層，則該器件可或可不在陽極與發光層之間具有電洞傳輸層。
含有包含式之重複單元之聚合物之層可基本上由該聚合物組成或可含有一或多種其他組份。
在磷光OLED之情形下，包含式(I)之重複單元之聚合物可提供於含有一或多種磷光摻雜劑之發光層中，或可提供於毗鄰發光層之層(例如電洞傳輸層)中。
在磷光發光層中或毗鄰其之具有低三重態能階之材料可能會引起磷光之猝滅，且因此該聚合物可具有至少2.25 eV之三重態能階。此三重態能階可避免由三重態能階為約2.4 eV之綠色磷光材料所發射之磷光之猝滅或由三重態能階為約2.7 eV之藍色磷光材料所發射之光之猝滅。
可藉由低溫磷光光譜來量測三重態能階[參考Y.V.Romaovskii等人，Physical Review Letters,2000,85(5)，第1027頁，A.van Dijken等人，Journal of the American Chemical Society,2004,126，第7718頁]。
包含式(I)之重複單元之聚合物可用作毗鄰螢光發光層之電洞傳輸層。在此情形下，該聚合物之單重態能階較佳低於螢光發光材料之單重態能階不超過0.1 eV，較佳與螢光發光材料之單重態能階至少相同或比其更高，以避免由螢光發光材料所發射之螢光之猝滅。對於含有藍色螢光發光材料之發光層而言，該聚合物之單重態能階較佳為至少2.5 eV。
可藉由量測該材料之螢光光譜峰之能量來量測單重態能量。
式(I)之重複單元之Ar1基團將該重複單元之N原子與毗鄰重複單元間隔開。
Ar1可為至少兩個芳族或雜芳族環共用環鍵之基團。例示性稠合芳族基團包括萘及蒽。
Ar1可為包含由直接鍵連接之兩個選自芳族及雜芳族環之環的稠合基團。該稠合基團可含有一或多個非芳族環。實例係茀。
Ar1可包括由直接鍵連接之芳族或雜芳族環及共用環鍵之芳族或雜芳族環，例如苯并茀。
Ar2可為稠合或非稠合芳基或雜芳基。Ar2可與Ar1中之一者或二者相同或不同。
較佳Ar1及Ar2基團包括以下：
其中R7在每次出現時獨立地係取代基，視情況C1-40烴基，例如C1-20烷基；未經取代之苯基；及經一或多個C1-20烷基取代之苯基；x在每次出現時獨立地係0、1、2或3；y係0、1或2；z係0、1、2、3或4；且a係0或1。
式(I)之重複單元之Ar1基團可相同或不同。
式(I)之重複單元之R基團可相同或不同。較佳R基團係C1-40烴基，例如C1-20烷基；未經取代之苯基；及經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
較佳Ar2基團包括茀及伸苯基，其每一者可經一或多個取代基取代，視情況一或多個C1-40烴基，視情況C1-20烷基；未經取代之苯基；及經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
其中Ar1及/或Ar2係式(II)之茀單元，例示性R6取代基包括C1-40烴基，例如C1-20烷基；未經取代之苯基；及經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
Ar1及/或Ar2之選擇可用於提供期望單重態及/或三重態能階。舉例而言，若Ar1及/或Ar2係茀單元，則1個、2個或全部3個茀單元可藉助其3-位及6-位連接，以與茀單元係藉助其2-位及7-位連接之式(I)之重複單元相比限制整個式(I)之重複單元之共軛程度。
例示性式(I)之重複單元包括以下，其每一者可未經取代或經一或多個取代基取代：
其中R'係C1-40烴基。
共重複單元
本發明共聚物可為含有式(I)之重複單元及一或多個共重複單元之嵌段、規則或無規共聚物。
式(I)之重複單元較佳佔該聚合物之重複單元1莫耳%至75莫耳%、更佳10莫耳%至50莫耳%。
共重複單元包括直接毗鄰式(I)之重複單元之重複單元及與式(I)之重複單元間隔開之重複單元。該共聚物可僅含有式(I)之重複單元及毗鄰共重複單元，或其可含有式(I)之重複單元、毗鄰式(I)之重複單元之共重複單元及一或多個其他共重複單元。
例示性共重複單元包括伸芳基重複單元(例如1,2-、1,3-及1,4-伸苯基重複單元)、3,6-及2,7-連接之茀重複單元、茚並茀、萘、蒽及菲重複單元，其每一者可未經取代或經一或多個取代基(例如一或多個C1-30烴基取代基)取代。
包含式(I)之重複單元之聚合物較佳至少部分地共軛，且式(I)之重複單元較佳係直接連接至毗鄰共重複單元之芳族或雜芳族基團。
若在同一層中或在毗鄰層中使用具有高單重態或三重態能階之發光材料，則沿聚合物主鏈之共軛程度可能受限於共重複單元之選 擇。可限制共軛程度之例示性共重複單元包括：(i)向毗鄰重複單元之平面外扭轉從而限制毗鄰重複單元之間之p-軌域重疊程度的重複單元；(ii)在毗鄰共軛斷裂重複單元之重複單元之間不提供共軛路徑的共軛-斷裂重複單元；及(iii)藉助限制毗鄰該重複單元之重複單元之間之共軛程度的位置連接至毗鄰重複單元的重複單元。
一類較佳伸芳基重複單元係伸苯基重複單元，例如式(III)之伸苯基重複單元：
其中p在每次出現時獨立地係0、1、2、3或4，視情況1或2；n係1、2或3；且R1在每次出現時獨立地係取代基。
若存在，則每一R1可獨立地選自由下列組成之群：- 烷基，視情況C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子可經視情況經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-替代，且一或多個H原子可經F替代；- 可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基及雜芳基，較佳經一或多個C1-20烷基取代之苯基；- 直鏈或具支鏈芳基或雜芳基鏈，該等基團中之每一者可獨立地經取代，例如式-(Ar3)r之基團，其中每一Ar3獨立地係芳基或雜芳基且r至少係2，較佳地具支鏈或直鏈苯基鏈，其每一者可未經取代或經一或多個C1-20烷基取代；及- 可交聯基團，例如包含雙鍵之基團(例如乙烯基或丙烯酸酯 基)或苯并環丁烷基。
經取代之N若存在則可為-NR2-，其中R2係C1-20烷基；未經取代之苯基；或經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
較佳地，每一R1獨立地選自C1-40烴基，且更佳選自C1-20烷基；未經取代之苯基；及經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
若n係1，則式(III)之例示性重複單元包括以下：
若式(III)之重複單元係1,4-連接且若p係0，則式(III)之重複單元與一個或兩個毗鄰重複單元之共軛程度可能相對較高。
若p至少係1及/或重複單元係1,2-或1,3連接，則式(III)之重複單元與一個或兩個毗鄰重複單元之共軛程度可能相對較低。在一較佳佈置中，式(III)之重複單元係1,3-連接且p係0、1、2或3。在另一較佳佈置中，式(III)之重複單元具有式(IIIa)：
式(IIIa)之取代基R1毗鄰重複單元之連接位置，其可能在式(IIIa)之重複單元與毗鄰重複單元之間產生位阻，從而使得式(IIIa)之重複單元相對一個或兩個毗鄰重複單元向平面外扭轉。
n係2或3之例示性重複單元包括以下：
較佳重複單元具有式(IIIb)：
式(IIIb)之兩個R1基團可在其所結合之苯基環之間產生位阻，從而使得該兩個苯基環相對於彼此扭轉。
另一類伸芳基重複單元係視情況經取代之茀重複單元，例如式(IV)之重複單元：
其中R3在每次出現時相同或不同且係H或取代基，且其中該兩個R3基團可連接以形成環；R8係取代基；且d係0、1、2或3。
每一R3較佳係取代基，且每一R3可獨立地選自由下列組成之群：- 烷基，視情況C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子可經視情況經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-替代，且一或多個H原子可經F替代；- 可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基；- 直鏈或具支鏈芳基或雜芳基鏈，該等基團中之每一者可獨立地經取代，例如如下文參照式(III)所述之式-(Ar3)r之基團；及- 可交聯基團，例如包含雙鍵之基團(例如乙烯基或丙烯酸酯基)或苯并環丁烷基。
在R3包含芳基或雜芳基、或直鏈或具支鏈芳基或雜芳基鏈之情形 下，該芳基或雜芳基或每一芳基或雜芳基可經一或多個選自由下列組成之群之取代基R4取代：烷基，例如C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子可經O、S、經取代之N、C=O及-COO-替代且該烷基之一或多個H原子可經F替代；NR5 2、OR5、SR5，及氟、硝基及氰基；其中每一R5獨立地選自由下列組成之群：烷基，較佳C1-20烷基；及芳基或雜芳基，較佳苯基，其視情況經一或多個C1-20烷基取代。
茀重複單元之芳族碳原子可未經取代，或可經一或多個取代基R8取代。例示性取代基R8係烷基(例如C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子可經O、S、NH或經取代之N、C=O及-COO-替代)、視情況經取代之芳基、視情況經取代之雜芳基、烷氧基、烷硫基、氟、氰基及芳基烷基。尤佳取代基包括C1-20烷基及經取代或未經取代之芳基，例如苯基。芳基之可選取代基包括一或多個C1-20烷基。
經取代之N若存在則可為-NR2-，其中R2係C1-20烷基；未經取代之苯基；或經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
較佳地，每一R3獨立地選自C1-40烴基，且更佳選自C1-20烷基；未經取代之苯基；經一或多個C1-20烷基取代之苯基；直鏈或具支鏈苯基鏈，其中每一苯基可未經取代或經一或多個取代基取代；及可交聯基團。
式(IV)之重複單元可為視情況經取代之2,7-連接之式(IVa)之重複單元：
視情況，式(IVa)之重複單元在毗鄰2-位或7-位之位置不經取代。
式(IV)之重複單元之共軛程度可藉由以下來限制：(a)藉助3-位及/或6-位連接重複單元以限制整個重複單元之共軛程度，及/或(b)在毗鄰連接位置之一或多個位置用一或多個其他取代基R1取代重複單元以與一或多個毗鄰重複單元產生扭轉，例如在3-位及6-位中之一者或兩者攜載C1-20烷基取代基之2,7-連接之茀。
另一例示性伸芳基重複單元具有式(V)：
其中R3係如上文參照式(IV)所述。任一R3基團可連接至任一其他R3基團以形成環。式(V)之重複單元之芳族碳原子可未經取代或可經一或多個取代基取代。例示性取代基係烷基(例如C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子可經O、S、NH或經取代之N、C=O及-COO-替代)、視情況經取代之芳基、視情況經取代之雜芳基、烷氧基、烷硫基、氟、氰基及芳基烷基。尤佳取代基包括C1-20烷基及經取代或未經取代之芳基，例如苯基。芳基之可選取代基包括一或多個C1-20烷基。其他伸芳基共重複單元包括：菲重複單元；萘重複單元；蒽重複單元；及苝重複單元。該等伸芳基重複單元中之每一者可藉助該等單元之任兩個芳族碳原子連接至毗鄰重複單元。特定例示性鍵聯包括9,10-蒽；2,6-蒽；1,4-萘；2,6-萘；2,7-菲；及2,5-苝。該等重複單元 中之每一者可經取代或未經取代，例如經一或多個C1-40烴基取代。共重複單元可在重複單元主鏈中僅含有芳族或雜芳族基團，例如如上文針對式(III)、(IV)及(V)所述，或可在重複單元主鏈中含有非芳族或雜芳族基團，例如式(XII)之重複單元：-(Ar11-Sp1-Ar11)- (XII)
Ar11在每次出現時獨立地代表經取代或未經取代之芳基或雜芳基；且Sp1代表在該兩個Ar11基團之間不提供任一共軛路徑之間隔基團。
Sp1可在該兩個Ar11基團之間僅含有單一非共軛原子，或Sp1可含有至少2個分隔該兩個Ar11基團之原子之非共軛鏈。
非共軛原子可為(例如)-O-、-S-、-CR10 2-或-SiR10 2-，其中R10在每次出現時係H或取代基，視情況C1-20烷基。
間隔鏈Sp1可含有兩個或更多個分隔該兩個Ar11基團之原子，例如C1-20烷基鏈，其中該鏈之一或多個非毗鄰C原子可經O或S替代。較佳地，間隔鏈Sp1含有至少一個分隔該兩個Ar11基團之sp3-雜化碳原子。
較佳基團Sp1係選自C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子經O替代。
例示性非共軛重複單元包括以下，其每一者可未經取代或經一或多個取代基(視情況C1-40烴基，例如C1-20烷基；未經取代之苯基；及經一或多個C1-20烷基取代之苯基)取代：
非共軛重複單元可佔該聚合物之重複單元20莫耳%，視情況至多10莫耳%或至多5莫耳%。
聚合物合成
用於製備至少部分地共軛之聚合物(例如包含如上文所述式(I)之重複單元之均聚物或共聚物)之較佳方法包含「金屬插入」，其中金屬錯合物觸媒之金屬原子係在單體之芳基或雜芳基與脫離基之間插入。例示性金屬插入方法係如(例如)WO 00/53656中所述之Suzuki聚合及如(例如)T.Yamamoto,「Electrically Conducting And Thermally Stable pi-Conjugated Poly(arylene)s Prepared by Organometallic Processes」,Progress in Polymer Science 1993,17,1153-1205中所述之Yamamoto聚合。在Yamamoto聚合之情形下，使用鎳錯合物觸媒； 在Suzuki聚合之情形下，使用鈀錯合物觸媒。
舉例而言，在藉助Yamamoto聚合之直鏈聚合物之合成中，使用具有兩個反應性鹵素基團之單體。同樣，根據Suzuki聚合之方法，至少一個反應基團係硼衍生基團，例如酸或酸酯，且另一反應基團係鹵素。較佳鹵素係氯、溴及碘，最佳係溴。
因此，應瞭解，貫穿本申請案說明之重複單元可衍生自攜載適宜脫離基之單體。同樣，僅攜載一個反應性脫離基之封端基團或側基可藉由使脫離基分別在聚合物鏈末端或一側反應結合至聚合物，且可使用含有兩個以上反應性基團之單體在聚合物中形成支化點。
Suzuki聚合可用於製備立體規則、嵌段及無規共聚物。具體而言，當一個反應基團係鹵素且另一反應基團係硼衍生基團時，可製備均聚物或無規共聚物。或者，當第一單體之兩個反應基團均係硼且第二單體之兩個反應基團均係鹵素時，可製備嵌段或立體規則共聚物。可使用Suzuki聚合來控制重複單元相對於彼此之位置。舉例而言，若用於形成伸芳基重複單元之聚合混合物之至少50莫耳%單體由酸單體組成且若式(I)之重複單元係自鹵化單體形成，則所得聚合物中之所有式(I)之重複單元均將具有毗鄰伸芳基重複單元。
作為鹵化物之替代物，能夠參與金屬插入之其他脫離基包括磺酸及磺酸酯，例如甲苯磺酸酯、甲磺酸酯及三氟甲磺酸酯。
發光層
OLED可含有一或多個發光層。發光層可含有包含式(I)之重複單元之聚合物。
適用於發光層之發光材料包括聚合、小分子及樹枝狀發光材料，每一者可為螢光或磷光。
OLED之發光層可未經圖案化，或可經圖案化以形成離散像素。每一像素可進一步劃分成子像素。該發光層可含有單一發光材料(例 如對於單色顯示器或其他單色器件而言)，或可含有發射不同色彩之材料，具體而言用於全彩顯示器之紅色、綠色及藍色發光材料。
發光層可含有一種以上發光材料之混合物，例如一起提供白色發光射之發光材料之混合物。
藍色發光材料可具有在400 nm至490 nm範圍內具有峰之光致發光光譜。
綠色發光材料可具有在490 nm以上直至580 nm之範圍內具有峰之光致發光光譜。
紅色發光材料可視情況在其光致發光光譜(580 nm以上直至650 nm、較佳600 nm至630 nm)中具有峰。
例示性螢光聚合發光材料包括包含伸芳基重複單元、伸芳基伸乙烯基重複單元及芳基胺重複單元中之一或多者之聚合物。
例示性伸芳基重複單元係如上文所述，例如式(III)、(IV)及(V)之單元。例示性芳基胺重複單元具有式(VI)：
其中Ar8及Ar9在每次出現時獨立地選自經取代或未經取代之芳基或雜芳基，g大於或等於1，較佳係1或2，R13係H或取代基，較佳係取代基，且c及d各自獨立地係1、2或3。
R13在g>1時在每次出現時可相同或不同，較佳選自由下列組成之群：烷基，例如C1-20烷基；Ar10，具支鏈或直鏈Ar10基團鏈；或直接結合至式(VI)之N原子之可交聯單元或由間隔基團與其間隔開之可交聯單元，其中Ar10在每次出現時獨立地係視情況經取代之芳基或雜 芳基。例示性間隔基團係C1-20烷基、苯基及苯基-C1-20烷基。
式(VI)之重複單元中之Ar8、Ar9及(若存在)Ar10中之任一者可由直接鍵或二價連接原子或基團連接至Ar8、Ar9及Ar10中之另一者。較佳二價連接原子及基團包括O、S；經取代之N；及經取代之C。
Ar8、Ar9及(若存在)Ar10中之任一者可經一或多個取代基取代。例示性取代基係取代基R5，其中每一R5可獨立地選自由下列組成之群：- 經取代或未經取代之烷基，視情況C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子可經視情況經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-替代且一或多個H原子可經F替代；及- 直接附接至茀單元之可交聯基團或由間隔基團與其間隔開之可交聯基團，例如包含雙鍵之基團(例如乙烯基或丙烯酸酯基)或苯并環丁烷基。
式(VI)之較佳重複單元具有式1至3：
在一較佳佈置中，R13係Ar10，且Ar8、Ar9及Ar10中之每一者獨立地且視情況經一或多個C1-20烷基取代。Ar8、Ar9及Ar10較佳係苯基。
在另一較佳佈置中，Ar8及Ar9係苯基，其每一者可經一或多個C1-20烷基取代，且R13係-(Ar10)r，其中r至少係2且其中-(Ar10)r基團形成直鏈或具支鏈芳族或雜芳族基團鏈，例如3,5-二苯基苯，其中每一苯基可經一或多個C1-20烷基取代。
在另一較佳佈置中，c、d及g各自係1且Ar8及Ar9係由氧原子連接之苯基以形成吩噁嗪環。
胺重複單元可以在約0.5莫耳%直至約50莫耳%、視情況約1莫耳%至25莫耳%、視情況約1莫耳%至10莫耳%範圍內之莫耳量提供。
胺重複單元可提供電洞傳輸及/或發光功能。
較佳發光聚合物係包含一或多個選自式(III)、(IV)及(V)之伸芳基重複單元及一或多個式(VI)之胺重複單元之共聚物。
例示性磷光發光材料包括金屬錯合物，其包含經取代或未經取代之式(IX)之錯合物：ML1 qL2 rL3 s (IX)
其中M係金屬；L1、L2及L3中之每一者係配位基團；q係整數；r及s各自獨立地係0或整數；且(a. q)+(b. r)+(c. s)之和等於M上可用之配位位點數，其中a係L1上之配位位點數，b係L2上之配位位點數且c係L3上之配位位點數。
重元素M誘導強自旋軌域偶合以允許快速系統間跨越及自三重態或更高態之發射。適宜重金屬M包括d區金屬，具體而言彼等在第2列及第3列中者，即元素39至48及72至80，具體而言釕、銠、鈀、錸、鋨、銥、鉑及金。銥尤佳。
例示性配體L1、L2及L3包括碳或氮供體，例如卟啉或式(X)之二齒配體：
其中Ar5及Ar6可相同或不同且獨立地選自經取代或未經取代之芳 基或雜芳基；X1及Y1可相同或不同且獨立地選自碳或氮；且Ar5及Ar6可稠和在一起。X1係碳且Y1係氮之配體較佳，尤其Ar5係單環或僅N與C原子之稠合雜芳族(例如吡啶基或異喹啉)且Ar6係單環或稠合芳族(例如苯基或萘基)之配體。
下文說明二齒配體之實例：
Ar5及Ar6中之每一者可攜載一或多個取代基。該等取代基中之兩者或更多者可連接以形成環，例如芳族環。
適用於d區元素之其他配體包括二酮酸鹽，具體而言乙醯丙酮酸鹽(acac)；三芳基膦及吡啶，其每一者可經取代。
例示性取代基包括如上文參照式(VI)所述之R13基團。尤佳取代基包括氟或三氟甲基，其可用於使錯合物之發射藍移，例如如在WO 02/45466、WO 02/44189、US 2002-117662及US 2002-182441中所揭示；烷基或烷氧基，例如C1-20烷基或烷氧基，其可如在JP 2002-324679中所揭示；咔唑，其在使用錯合物作為發射材料時可用於幫助電洞傳輸至該錯合物，例如如在WO 02/81448中所揭示；溴、氯或碘，其可用於官能化配體以便附接其他基團，例如如在WO 02/68435及EP 1245659中所揭示；及樹枝狀基團(dendron)，其可用於獲得或增強金屬錯合物之溶液可處理性，例如如在WO 02/66552中所揭示。
發光樹枝狀聚合物通常包含結合至一或多個樹枝狀基團之發光核心，其中每一樹枝狀基團包含分支點及兩個或更多個樹枝狀分支。 較佳地，樹枝狀基團至少部分地共軛，且分支點及樹枝狀分支中之至少一者包含芳基或雜芳基，例如苯基。在一個佈置中，分支點基團及分支基團均係苯基，且每一苯基可獨立地經一或多個取代基(例如烷基或烷氧基)取代。
樹枝狀基團可具有視情況經取代之式(XI)
其中BP代表附接至核心之分支點，且G1代表第一代分支基團。
樹枝狀基團可係第一代、第二代、第三代或更高代樹枝狀基團。G1可經兩個或更多個第二代分支基團G2取代，依此類推，如在視情況經取代之式(XIa)中：
其中u係0或1；若u係0，則v係0，或若u係1，則v可係0或1；BP代表附接至核心之分支點，且G1、G2及G3代表第一代、第二代及第三代樹枝狀基團分支基團。在一較佳實施例中，BP及G1、G2...Gn中 之每一者係苯基，且每一苯基BP、G1、G2...Gn-1係3,5-連接之苯基。
較佳樹枝狀基團係經取代或未經取代之式(XIb)之樹枝狀基團：
其中*代表樹枝狀基團與核心之附接點。
BP及/或任一基團G可經一或多個取代基(例如一或多個C1-20烷基或烷氧基)取代。
磷光發光材料可提供於具有主體材料之發光層中。主體較佳具有低於磷光發光材料之三重態能階不超過0.1 eV之三重態能階，更佳具有與磷光發光材料之三重態能階相同或比其更高之三重態能階。
適宜主體材料包括小分子、樹枝狀及聚合主體材料。聚合主體材料包括具有懸垂電荷傳輸基團之非共軛聚合物(例如聚乙烯基咔唑)及至少部分地共軛之聚合物(例如包含伸芳基重複單元及胺重複單元(例如式(III)、(IV)及(V)之伸芳基重複單元及式(VI)之胺重複單元)中之一者或兩者之聚合物)。
磷光發光材料可佔主體/磷光發光材料組成的約0.05莫耳%直至約20莫耳%，視情況約0.1莫耳%至10莫耳%。
磷光發光材料可與主體材料以物理方式混合或可與其以共價方式結合。在聚合主體之情形下，磷光發光材料可提供於該聚合物之側鏈、主鏈或端基中。若磷光材料係提供於聚合物側鏈中，則磷光材料可直接結合至該聚合物之主鏈或由間隔基團(例如C1-20烷基間隔基團) 與其間隔開，其中一或多個非毗鄰C原子可經O或S替代。
電洞注入層
可在OLED之陽極與一或多個發光層之間提供可自導電有機或無機材料形成之導電電洞注入層以改良電洞自陽極注入該一或多個半導體聚合物層。摻雜有機電洞注入材料之實例包括視情況經取代之摻雜聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)，具體而言摻雜有電荷平衡多元酸(例如如EP 0901176及EP 0947123中所揭示之聚苯乙烯磺酸酯(PSS)、聚丙烯酸或氟化磺酸，例如Nafion ®)之PEDT；如US 5723873及US 5798170中所揭示之聚苯胺；及視情況經取代之聚噻吩或聚(噻吩并噻吩)。導電無機材料之實例包括過渡金屬氧化物，例如VOx、MoOx及RuOx，如Journal of Physics D：Applied Physics(1996),29(11),2750-2753中所揭示。
若存在電洞傳輸層，則電洞注入層可提供於陽極與電洞傳輸層之間。
電荷傳輸層及電荷阻擋層
如上文所述，可在陽極與一或多個發光層之間提供電洞傳輸層。同樣，可在陰極與一或多個發光層之間提供電子傳輸層。
同樣，可在陽極與發光層之間提供電子阻擋層且可在陰極與發光層之間提供電洞阻擋層。傳輸層及阻擋層可組合使用。端視單一層之HOMO及LUMO能階，其可既傳輸電洞及電子中之一者，亦可阻擋電洞及電子中之另一者。
若存在，則位於陽極與發光層之間之電洞傳輸層較佳具有小於或等於5.5 eV、更佳約4.8 eV至5.5 eV之HOMO能階，如藉由循環伏安法所量測。可選擇電洞傳輸層之HOMO能階以便在毗鄰層(例如發光層)之0.2 eV內，視情況0.1 eV內，以提供該等層之間之電洞傳輸之較小障壁。電洞傳輸層可為如上文所述包含式(I)之重複單元之聚合 物。
若存在，則位於發光層與陰極之間之電子傳輸層較佳具有如由方波循環伏安法量測之約2.5 eV至3.5 eV之LUMO能階。舉例而言，可在最接近陰極之發光層與陰極之間提供厚度在0.2 nm至2 nm範圍內之一氧化矽或二氧化矽之層或其他薄介電層。可使用循環伏安法量測HOMO及LUMO能階。
電子傳輸層可含有包含視情況經取代之伸芳基重複單元之鏈(例如茀重複單元之鏈)的聚合物。
陰極
陰極係選自具有允許電子注入發光層之功函數的材料。其他因素影響陰極之選擇，例如陰極與發光材料之間之不利相互作用的可能性。陰極可由諸如鋁層等單一材料組成。或者，其可包含複數種導電材料，例如複數種導電金屬，例如低功函數材料與高功函數材料(例如鈣與鋁)之雙層，如WO 98/10621中所揭示。陰極可包含元素鋇之層，例如如WO 98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634及WO 02/84759中所揭示。陰極可在有機半導電層與一或多個導電陰極層之間包含薄(例如小於5 nm)金屬化合物(具體而言鹼或鹼土金屬之氧化物或氟化物)層以幫助電子注入(例如)氟化鋰，例如如WO 00/48258中所揭示；氟化鋇，例如如Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中所揭示；及氧化鋇。為將電子有效注入器件中，陰極之功函數較佳低於3.5 eV，更佳低於3.2 eV，最佳低於3 eV。金屬之功函數可參見(例如)Michaelson,J.Appl.Phys.48(11),4729,1977。
陰極可係不透明的或透明的。透明陰極對於主動式矩陣器件尤其有利，此乃因該等器件中穿過透明陽極之發射至少部分地受到位於發射像素下方之驅動電路的阻擋。透明陰極包含足夠薄以致透明之電子注入材料層。通常，此層之橫向導電率將因其較薄而較低。在此情 形下，電子注入材料層與較厚透明導電材料層(例如氧化銦錫)組合使用。
應瞭解，透明陰極器件無需具有透明陽極(當然，除非期望完全透明之器件)，且因此可用諸如鋁層等反射材料層替代或補充用於底部發射器件之透明陽極。透明陰極器件之實例揭示於(例如)GB 2348316中。
囊封
有機光電子器件往往對水分及氧敏感。因此，基板較佳具有防止水分及氧侵入器件之良好障壁性質。基板一般係玻璃，然而，可使用替代基板，具體而言在器件之撓性係合意的時。舉例而言，基板可包含一或多個塑膠層，例如交替之塑膠與介電障壁層之基板或薄玻璃與塑膠之壓層。
器件可經囊封物(未顯示)囊封以防止水分及氧侵入。適宜囊封物包括玻璃片材、具有適宜障壁性質之膜(例如二氧化矽、一氧化矽、氮化矽或聚合物與電介質之交替堆疊)或密封容器。在透明陰極器件之情形下，可將透明囊封層(例如一氧化矽或二氧化矽)沈積至微米級厚度，但在一較佳實施例中，此層之厚度係在20 nm至300 nm範圍內。可在基板與囊封物之間佈置吸收劑材料用於吸收可滲透穿過基板或囊封物之任何大氣水分及/或氧。
調配物處理
可將包含式(I)之重複單元之聚合物分散或溶解於溶劑或兩種或更多種溶劑之混合物中以形成調配物，該調配物可用於形成含有該化合物之層，此藉由沈積該調配物並蒸發一或多種溶劑來達成。該調配物除該聚合物外亦可含有一或多種其他材料。可將該調配物之所有組份溶解於該溶劑或溶劑混合物中，在該情形下，該調配物係溶液，或可將一或多種組份分散於該溶劑或溶劑混合物中。較佳地，該調配物 係溶液。用於包含式(I)之重複單元之聚合物之例示性溶劑係單-及多-烷基化苯，例如甲苯及二甲苯。
用於自調配物形成層之技術包括印刷及塗佈技術，例如旋塗、浸塗、滾動印刷、絲網印刷及噴墨印刷。
OLED之多個有機層可藉由對每一層沈積含有活性材料之調配物來形成。
在OLED形成期間，該器件之層可經交聯以防止其部分地或完全溶解於用於沈積覆蓋層之一或多種溶劑或溶劑中。若用作電洞傳輸層，則包含式(I)之重複單元之聚合物可在沈積後在沈積覆蓋層之前交聯。
適宜可交聯基團包括包含反應性雙鍵之基團(例如乙烯基或丙烯酸酯基)或苯并環丁烷基。
塗佈方法(例如旋塗)尤其適於無需對發光層實施圖案化之器件，例如適於照明應用或簡單單色分段顯示器。
諸如噴墨印刷等印刷方法尤其適於高資訊含量顯示器，具體而言全彩顯示器。可藉由在第一電極上提供圖案化層並界定用於印刷一種顏色(在單色器件之情形下)或多種顏色(在多色、具體而言全彩器件之情形下)之孔來對器件實施噴墨印刷。每一孔可界定像素區，且每一像素可細分為子像素。圖案化層可為經圖案化以界定孔之光阻劑層，如(例如)EP 0880303中所述。
作為孔之替代物，可將調配物印刷至圖案化層內所界定之通道中。具體而言，可將光阻劑圖案化以形成通道，其與孔不同，在複數個像素上延伸，且通道末端可封閉或開放。
實例 單體實例1
單體實例1係根據以下反應反應圖製備：
階段1：將2,7-二溴-9-二辛基茀(115 g,210 mmol)及三甲基苯胺(62.4 g,461 mmol)裝填至配備有機械攪拌器、冷凝器及氮氣入口之5 L燒瓶中。對混合物噴灑氮氣90分鐘。添加叁(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(0.96 g,1.05 mmol)及三-第三丁基-鏻四氟硼酸鹽(0.46 g,1.5 mmol)並再噴灑混合物15分鐘。逐份添加第三丁醇鈉(60.49 g,629 mmol)並再噴灑混合物5分鐘。將反應混合物加熱至回流，保持24小時。在冷卻至室溫後，用水(400 ml)使混合物中止反應。用甲苯進一步萃取水相並將合併之有機相減壓至乾燥，得到深褐色油狀物。將此油狀物溶解於甲苯(500 ml)中，通過Celite®帶蓋二氧化矽塞，用甲苯徹底沖洗。藉由旋轉蒸發將甲苯洗脫液減壓至乾燥。用甲醇研磨殘餘物，得到固體。自異丙醇進一步重結晶，從而分離出高純度產物(113 g，產率83%)。
階段2：用階段1物質(3.0 g,4.6 mmol)、9-二-正辛基茀(15 g,27.4 mmol)、無水二甲苯(36 ml)及無水四氫呋喃(24 ml)裝填配備有磁攪拌器、冷凝器及氮氣入口之250 ml圓底燒瓶。將混合物用氮氣噴灑15分鐘，然後添加叁(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(0.083 g,0.092 mmol)及1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵(0.202 g,0.36 mmol)。將混合物用氮氣噴灑10分鐘，然後添加第三丁醇鈉(1.76 g,18.3 mmol)。將反應混合物加熱至回流，保持3小時。
在冷卻至室溫後，添加水(100 ml)以中止反應並用甲苯萃取產 物。在旋轉蒸發下去除有機萃取物。自二氯甲烷及丙酮(2：5)沈澱殘餘物，得到淺黃色粉末。藉由重複管柱層析來進一步純化此淺黃色粉末，得到目標化合物(1.1 g，產率16%)。
聚合物實例1
聚合物實例1係如WO 00/53656中所述藉由以下單體之Suzuki聚合來製備：
聚合物之重量平均分子量為382,000，峰值分子量為275,000，數量平均分子量為60,000且多分散性為6.32。
聚合物實例2
聚合物係如聚合物實例1中所述製備，只是使用30莫耳%單體實例1及10莫耳% 2,7-二溴-9,9-二(正辛基)茀代替40莫耳%單體實例1進行聚合，並用50莫耳%以下單體替代聚合物實例1之酸酯單體：
聚合物之重量平均分子量為1,572,000，峰值分子量為1,065,000，數量平均分子量為125,000且多分散性為12.59。
比較聚合物1
出於比較目的，比較聚合物1係如針對聚合物實例1所述製備，只是用下文所說明之比較單體1替代單體實例1。
比較單體1
聚合物之重量平均分子量為164,000，峰值分子量為143,000，數量平均分子量為32,000且多分散性為5.19。
器件實例 一般器件製程
製備具有以下結構之有機發光器件：ITO/HIL/HTL/LE/陰極
其中ITO係氧化銦錫陽極；HIL係電洞注入層，HTL係電洞傳輸層且LE係發光層。
使用UV/臭氧來攜載ITO之基板。藉由旋塗購自Plextronics公司之電洞注入材料之水性調配物來形成電洞注入層。藉由旋塗電洞傳輸聚合物並藉由加熱使該聚合物交聯來形成厚度為22 nm之電洞傳輸層。藉由旋塗來形成厚度為65 nm之發光層。藉由蒸發以下來形成陰 極：厚度為約2 nm之金屬氟化物之第一層、厚度為約200 nm之鋁之第二層及可選銀之第三層。
藍色器件實例1
根據一般器件製程來製備器件，其中電洞傳輸層係藉由自混合二甲苯溶液旋塗聚合物實例1來形成，且藍色螢光發光層係藉由自混合二甲苯以9：1莫耳比旋塗藍色聚合物1及添加劑聚合物1來形成。
藍色聚合物1係如WO 00/53656中所述藉由以下單體之Suzuki聚合來形成：
添加聚合物1係如WO 00/53656中所述藉由以下單體之Suzuki聚合來形成：
比較藍色器件
藍色發光OLED係如藍色器件實例1中所述製備，只是藉由旋塗比較聚合物1來形成電洞傳輸層。
該兩個器件之數據係提供於下文表1中，其中CIE y係自器件發射之光在CIE 1931色空間上之y座標，且T60及T50係在恆定電流下器件之亮度自5,000 cd/m2之開始亮度衰減至初始亮度之60%及50%所耗費的時間。
可看到，藍色器件實例1之T60值及T50值二者均遠大於比較藍色器件。
藍色器件實例2
根據一般器件製程製備器件，其中電洞傳輸層係藉由旋塗聚合物實例1來形成，且藍色螢光發光層係藉由自混合二甲苯以9：1莫耳比旋塗藍色聚合物1：添加劑聚合物1來形成。
藍色器件實例3
根據藍色器件實例2製備器件，只是藉由旋塗聚合物實例2來形成電洞傳輸層。
藍色器件實例2及3之數據係提供於表2中。
磷光器件實例
根據一般器件製程製備器件，其中電洞傳輸層係藉由旋塗聚合物實例1來形成，且發光層係藉由旋塗主體聚合物系統及磷光發射體1來形成：
比較磷光器件
如針對磷光器件實例所述製備器件，只是使用比較聚合物1代替聚合物實例1。
磷光器件之數據係提供於表3中。
磷光器件實例之T60遠大於比較磷光器件。
不欲受任一理論限制，據信壽命增加可歸因於胺重複單元之氮原子周圍共軛增加，共軛增加可具有穩定化作用。
儘管已根據特定例示性實施例闡述本發明，但應瞭解，熟習此項技術者將顯而易知本文中所揭示特徵之各種修改、改變及/或組合，此不背離如以下申請專利範圍中所述之本發明範圍。
100‧‧‧有機發光二極體
101‧‧‧陽極
103‧‧‧電洞傳輸層
105‧‧‧發光層
107‧‧‧陰極
109‧‧‧基板

Claims (40)

  1. 一種有機電子器件，其包含陽極、陰極、位於該陽極與該陰極之間之半導電層及位於該陽極與該半導電層之間之電洞傳輸層，該電洞傳輸層包含含有式(I)之重複單元及一或多個共重複單元之共聚物： 其中：Ar1在每次出現時獨立地代表可未經取代或經一或多個取代基取代之稠合芳基或稠合雜芳基；Ar2代表可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基；R在每次出現時獨立地代表取代基；且m係1或2，較佳係1；且每一Ar1係直接結合至共重複單元之芳族或雜芳族基團。
  2. 如請求項1之有機電子器件，其中R係可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基。
  3. 如請求項1或2之有機電子器件，其中每一Ar1係稠合芳基。
  4. 如請求項1或2之有機電子器件，其中每一Ar1包含至少6個sp2雜化原子，視情況至少8個sp2雜化原子，將結合至每一Ar1之N原子與毗鄰重複單元間隔開。
  5. 如請求項1或2之有機電子器件，其中Ar2係稠合芳基。
  6. 如請求項5之有機電子器件，其中Ar1及Ar2中之至少一者具有式(II)： 其中R6在每次出現時獨立地係H或取代基；R7在每次出現時獨立地係取代基；且x在每次出現時獨立地係0、1、2或3。
  7. 如請求項6之有機電子器件，其中每一R6及若存在每一R7獨立地係烴基，較佳係C1-40烴基。
  8. 如請求項1或2之有機電子器件，其中該聚合物包含至少兩個不同的共重複單元。
  9. 如請求項1或2之有機電子器件，其中至少一個共重複單元係可未經取代或經一或多個取代基取代之芳族基團。
  10. 如請求項9之有機電子器件，其中該等共重複單元中之至少一者係式(III)之重複單元： 其中p在每次出現時獨立地係0、1、2、3或4，視情況1或2；n係1、2或3；且R1在每次出現時獨立地係取代基。
  11. 如請求項9之有機電子器件，其中該等共重複單元中之至少一者係式(IV)之重複單元： 其中R3在每次出現時相同或不同且係H或取代基，且其中該兩 個R3基團可連接以形成環；R8係取代基；且d係0、1、2或3。
  12. 如請求項1或2之有機電子器件，其中該共聚物經交聯。
  13. 如請求項12之有機電子器件，其中該共聚物係經由該聚合物之重複單元之交聯取代基交聯。
  14. 如請求項1或2之有機電子器件，其中該器件係有機發光器件，且該半導電層係有機發光層。
  15. 如請求項14之有機電子器件，其中該發光層包含螢光藍色發光材料。
  16. 如請求項14之有機電子器件，其中該發光層包含磷光發光材料。
  17. 如請求項16之有機電子器件，其中該發光層包含綠色磷光發光材料。
  18. 如請求項1或2之有機電子器件，其中Ar1不為菲。
  19. 一種形成如請求項1至18中任一項之有機電子器件之方法，該方法包含以下步驟：在該陽極上形成該電洞傳輸層；在該電洞傳輸層上形成該半導電層；及在該半導電層上形成該陰極。
  20. 如請求項19之方法，其中該電洞傳輸層係藉由沈積包含該包含式(I)之重複單元之聚合物及一或多種溶劑之調配物並蒸發該一或多種溶劑來形成。
  21. 如請求項19或20之方法，其中該電洞傳輸層係在形成該半導電層之前交聯。
  22. 一種共聚物，其包含式(VII)之重複單元及一或多個共重複單元， (VII)其中：Ar2代表可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基；R在每次出現時獨立地代表取代基；R6在每次出現時獨立地代表取代基；R7在每次出現時獨立地係取代基；x在每次出現時獨立地係0、1、2或3；t至少係1，視情況1或2；且*代表該式(VII)之重複單元與毗鄰重複單元之附接點；且該等式(VII)之重複單元係藉助每一附接點直接結合至共重複單元之芳族或雜芳族基團。
  23. 如請求項22之共聚物，其中該等式(VII)之重複單元具有式(VIIa)：
  24. 如請求項22或23之共聚物，其中R係可未經取代或經一或多個取代基取代之芳基或雜芳基。
  25. 如請求項22或23之共聚物，其中Ar2係稠合芳基。
  26. 如請求項25之共聚物，其中Ar2具有式(II)： 其中R6在每次出現時獨立地係H或取代基。
  27. 如請求項26之共聚物，其中每一R6獨立地係烴基，較佳係C1-40烴基。
  28. 如請求項22或23之共聚物，其中該聚合物包含式(VII)之重複單元及至少兩個不同的共重複單元。
  29. 如請求項22或23之共聚物，其中該聚合物包含式(III)之共重複單元： 其中p在每次出現時獨立地係0、1、2、3或4，視情況1或2；n係1、2或3；且R1在每次出現時獨立地係取代基。
  30. 如請求項22或23之共聚物，其中該聚合物包含式(IV)之重複單元： 其中R3在每次出現時相同或不同且係H或取代基，且其中該兩個R3基團可連接以形成環；R8係取代基；且d係0、1、2或3。
  31. 如請求項22或23之共聚物，其中該聚合物包含可交聯取代基。
  32. 如請求項31之共聚物，其中該共聚物係經由該共聚物之重複單元之交聯取代基交聯。
  33. 一種式(VIIm)之單體， 其中Ar2、R、R6、R7、t及x係如請求項22至27中任一項中所定 義，且每一LG獨立地代表脫離基。
  34. 如請求項33之單體，其中每一LG獨立地選自鹵素、酸、酸酯、磺酸及磺酸酯。
  35. 一種形成聚合物之方法，其包含在金屬觸媒存在下聚合如請求項33或34之單體之步驟。
  36. 如請求項35之方法，其中該單體係在一或多種共聚單體存在下聚合以形成如請求項22至31中任一項之共聚物。
  37. 一種有機電子器件，其包含如請求項22至31中任一項之聚合物。
  38. 如請求項37之有機電子器件，其係有機發光器件。
  39. 如請求項38之有機電子器件，其中該器件之發光層或電洞傳輸層包含如請求項22至31中任一項之聚合物。
  40. 如請求項39之有機電子器件，其中該器件之發光層包含如請求項22至31中任一項之聚合物及摻和有或結合至該聚合物之磷光摻雜劑。
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