TW201324898A - 包含多層電洞傳輸層之有機發光二極體及包含該有機發光二極體之平面顯示裝置 - Google Patents

包含多層電洞傳輸層之有機發光二極體及包含該有機發光二極體之平面顯示裝置 Download PDF

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Abstract

一種有機發光二極體包含：介於發光層與第一電極之間且包含第一及第二化合物之第一混合層；介於發光層與第一混合層之間且包含第三及第四化合物之第二混合層；介於第一混合層與第一電極之間且包含第一及第二化合物以及第一電荷產生材料之第一電荷產生層；介於第一混合層與第二混合層之間且包含第三及第四化合物以及第二電荷產生材料之第二電荷產生層；以及介於發光層及第二混合層之間之緩衝層，其中，第一及第三化合物係分別獨立地為下列化學式1表示之化合物，而第二化合物及第四化合物係分別獨立地為下列化學式2表示之化合物：化學式1□□□

Description

包含多層電洞傳輸層之有機發光二極體及包含該有 機發光二極體之平面顯示裝置 相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年12月2日向韓國智慧財產局提出之申請案之優先權效益，該申請案號為10-2011-0128526，本申請案之揭露藉此併入其全部內文以作為參考。
下列描述係有關於一種包含多層電洞傳輸層之有機發光二極體及包含有機發光二極體之平面顯示裝置。
有機發光二極體為自發光裝置，且能產生多色光之圖像。此外，有機發光二極體具有廣視角、高對比、短反應時間以及絕佳之亮度、驅動電壓及反應速度之特性。
在傳統有機發光二極體中，陽極形成於基材上，且電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及陰極依序形成於陽極上。就這一點而言，電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層為包含有機化合物之有機層。當一電壓施加於陽極及陰極之間時，自陽極注入之電洞穿過電洞傳輸層且朝發光層移動，而自陰極注入之電子穿過電子傳輸層且朝發光層移動。電洞及電子，其為載子，在發光層中結合以產生激子，接著激子自激發態改變至基態，因而產生光線。
用作電洞傳輸層之電洞傳輸材料通常具有絕佳之電 洞注入功能或電洞傳輸功能，因而形成具低驅動電壓之裝置。意即，若具有高電洞移動性之電洞傳輸材料用以作為電洞傳輸層，可實質上地降低所形成裝置之驅動電壓。然而，由於電荷過度地注入，使得所形成裝置可能具有低效率及短壽命。為解決這些問題，很多努力已被施行。
本發明之一實施例之一態樣係一種有機發光二極體，其包含兩種不同之電洞傳輸化合物之多層電洞傳輸層，以增進所形成裝置之效率及壽命。
本發明之一實施例之一態樣係一種包含有機發光二極體之平面顯示裝置。
本發明之實施例之態樣為有機發光二極體，其包含具有不同電洞注入特性、電子穩定特性及/或電荷產生特性之材料組合之複數層之電洞傳輸層；以及包含有機發光二極體之平面顯示裝置。在此，由於改善電荷平衡，有機發光二極體具有高度穩定性。
根據本發明之一實施例，在此提供一種有機發光二極體，包含：第一電極；面對第一電極之第二電極；介於第一電極與第二電極之間之發光層；介於發光層與第一電極之間之第一混合層，且第一混合層包含第一化合物及第二化合物；介於發光層與第一混合層之間之第二混合層，且第二混合層包含第三化合物及第四化合物； 介於第一混合層與第一電極之間之第一電荷產生層，且第一電荷產生層包含第一化合物、第二化合物及第一電荷產生材料；介於第一混合層與第二混合層之間之第二電荷產生層，且第二電荷產生層包含第三化合物、第四化合物及第二電荷產生材料；以及介於發光層及第二混合層之間之緩衝層，其中，第一化合物及第三化合物係分別獨立地為下列化學式1表示之化合物，而第二化合物及第四化合物係分別獨立地為下列化學式2表示之化合物：
其中，在化學式1中，Ar11及Ar12係分別獨立地為經取代或未經取代之C5-C60之伸芳基；e及f係分別獨立地為0至5之整數；R51至R58以及R61至R69係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基(amidino group)、聯氨(hydrazine)、腙(hydrazone)、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸 根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基；以及R59為苯基、萘基、蒽基(anthryl group)、聯苯基或吡啶基(pyridyl group)，或者為至少一氫原子以至少一氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C20之烷基、經取代或未經取代之C1-C20之烷氧基取代之苯基、萘基、蒽基、聯苯基或吡啶基；以及
其中，在化學式2中，Ar1及Ar3係分別獨立地為經取代或未經取代之C5-C60之伸芳基；a及b係分別獨立 地為0至5之整數；c為1至5之整數；R1至R5係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基、-Si(R31)(R32)(R33)、-N(R34)(R35)或含氮原子基，且R1至R5中至少一者為一含氮原子基；d為0至5之整數；R11至R23係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基、-Si(R36)(R37)(R38)或-N(R39)(R40)；以及R31至R40係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之 C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基或經取代或未經取代之C2-C60之雜芳基，其中，含氮原子基為包含以氮原子作為環原子之5-員芳香環基(5-membered aromatic ring group)、包含以氮原子作為環原子之6-員芳香環基或包含以氮原子作為環原子並藉由融合一5-員芳香基及一6-員芳香基以形成之9-員芳香環基。
第二化合物之最高填滿分子軌域(HOMO)能階可低於第一化合物之最高填滿分子軌域能階0.1eV至0.2eV，且第二化合物之最低未填滿分子軌域(LUMO)能階可低於第一化合物之最低未填滿分子軌域能階0.1eV至0.2eV。
第一化合物之電洞移動性可較高於第二化合物之電洞移動率。
第一化合物對第二化合物之混合重量比係可介於6：4至8：2之範圍。
第三化合物對第四化合物之混合重量比係可介於6：4至8：2之範圍。
第一混合層及第二混合層之厚度係可分別獨立地介於40nm至60nm之範圍。
基於100重量份之第一電荷產生層，第一電荷產生材料之總量係可為1至3重量份之範圍。
基於100重量份之第二電荷產生層，第二電荷產生材料之總量係可為1至3重量份之範圍。
第一電荷產生層及第二電荷產生層之厚度係可介於10nm至20nm之範圍。
緩衝層可包含化學式1表示之化合物。
緩衝層之厚度係可介於0.1nm至30nm之範圍。
第一混合層與第一電荷產生層彼此可電性接觸。
第二混合層與第二電荷產生層彼此可電性接觸。
有機發光二極體可包含電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層以及具有電子傳輸功能及電子注入功能之功能層中之至少一層，其中至少一層係介於發光層及第二電極之間。
根據本發明之另一實施例，在此提供一種平面顯示裝置，包含：包含源極、汲極、閘極及主動層之電晶體；以及上述之有機發光二極體，其中有機發光二極體之第一電極係電性連接源極或汲極。
在元件清單先前之文字“中之至少一者”修改元件之整體清單，但不修改清單中之特定元件。
根據本發明之一實施例，在此提供一種有機發光二極體，包含：第一電極；面對第一電極之第二電極；介於第一電極與第二電極之間之發光層；介於發光層與第 一電極之間之第一混合層，且第一混合層包含第一化合物及第二化合物；介於發光層與第一混合層之間之第二混合層，且第二混合層包含第三化合物及第四化合物；介於第一混合層與第一電極之間之第一電荷產生層，且第一電荷產生層包含第一化合物、第二化合物及第一電荷產生材料；介於第一混合層與第二混合層之間之第二電荷產生層，且第二電荷產生層包含第三化合物、第四化合物及第二電荷產生材料；以及介於發光層及第二混合層之間之緩衝層，其中，第一化合物及第三化合物係分別獨立地為下列化學式1表示之化合物，而第二化合物及第四化合物係分別獨立地為下列化學式2表示之化合物。
因此，在一實施例中，第一化合物及第三化合物係分別獨立地為化學式1表示之化合物：
其中，在化學式1中，Ar11及Ar12係可分別獨立地 為經取代或未經取代之C5-C60之伸芳基。
舉例來說，Ar11及Ar12係可分別獨立地為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸並環戊二烯基(pentalenylene group)、經取代或未經取代之伸茚基(indenylene group)、經取代或未經取代之伸萘基(naphthylene group)、經取代或未經取代之伸薁基(azulenylene group)、經取代或未經取代之伸並環庚三烯基(heptalenylene group)、經取代或未經取代之伸二環戊二烯並苯基(indacenylene group)、經取代或未經取代之乙烯合萘(acenaphthylene group)、經取代或未經取代之伸茀基(fluorenylene group)、經取代或未經取代之伸萉基(phenalenylene group)、經取代或未經取代之伸菲基(phenanthrenylene group)、經取代或未經取代之伸蒽基(anthrylene group)、經取代或未經取代之伸丙[二]烯合茀基(fluoranthenylene group)、經取代或未經取代之伸聯三苯基(triphenylenylene group)、經取代或未經取代之伸芘基(pyrenylene group)、經取代或未經取代之伸蒯基(chrysenylene group)、經取代或未經取代之伸稠四苯基(naphthacenylene group)、經取代或未經取代之伸苉基(picenylene group)、經取代或未經取代之伸苝基(perylenylene group)、經取代或未經取代之伸五苯基(pentaphenylene group)或經取代或未經取代之伸稠六苯基(hexacenylene)。
在化學式1中，e及f係可分別獨立地為0至5之整數。
若e及/或f為0，化學式1中之咔唑環及/或氟環可直接連結位於化學式1所示化學結構之中心之氮原子。舉例來說，e及f可分別為0、1或2，但不限於此。若e為二個以上，二個以上之Ar11可彼此相同或不同。並且，若f為二個以上，二個以上之Ar12可彼此相同或不同。
在化學式1中，R51至R58以及R61至R69係可分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基(amidino group)、聯氨(hydrazine)、腙(hydrazone)、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基。
在化學式1中，R59可為苯基；萘基；蒽基；聯苯基；或吡啶基中之至少一者，或者為至少一氫原子以至少一氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C20之烷基、經取代或未經取代之C1-C20之烷氧基取代之苯基、萘基、蒽基、聯苯基或吡啶基。
根據本發明之一實施例，第一化合物及第三化合物可分別獨立地以下列化學式1A表示：
其中，在化學式1A中，R51、R59、R61及R62係如同參閱化學式1所述。
舉例來說，第一化合物及第三化合物可分別為下列化合物301，但不限於此：
在一實施例中，第二化合物及第四化合物係分別獨立地為下列化學式2表示之化合物：化學式2
其中，在化學式2中，Ar1至Ar3係可分別獨立地為經取代或未經取代之C5-C60之伸芳基。
舉例來說，Ar1至Ar3係可分別獨立地為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸並環戊二烯基、經取代或未經取代之伸茚基、經取代或未經取代之伸萘基、經取代或未經取代之伸薁基、經取代或未經取代之伸並環庚三烯基基、經取代或未經取代之伸二環戊二烯並苯基、經取代或未經取代之乙烯合萘、經取代或未經取代之伸茀基、經取代或未經取代之伸萉基、經取代或未經取代之伸菲基、經取代或未經取代之伸蒽基、經取代或未經取代之伸丙[二]烯合茀基、經取代或未經取代之伸聯三苯基、經取代或未經取代之伸芘基、經取代或未經取代之伸蒯基、經取代或未經取代之伸稠四苯基、經取代或未經取代之伸苉基、經取代或未經取代之伸苝基、經取代或未經取代之伸五苯基或經取代或未經取代之伸稠六苯基。
在化學式2中，a及b係可分別獨立地為0至5之整數。若a及/或b為0，化學式2中之咔唑環(carbazol ring)及/或氟環可直接連結位於化學式2所示化學結構之中心之氮原子。舉例來說，a及b可分別為0、1或2，但不限於此。若a為二個以上，二個以上之Ar1可彼此相同或不同。並且，若b為二個以上，二個以上之Ar2可彼此相同或不同。
在化學式2中，c為1至5之整數。因為c為1至5之整數，Ar3必定存在於化學式2中。舉例來說，c可為1或2，但不限於此。若c為二個以上，二個以上之Ar3可彼此相同或不同。
在化學式2中，R1至R5係可分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基、-Si(R31)(R32)(R33)、-N(R34)(R35)或含氮原子基，其中R1至R5中至少一者為一含氮原子基(R31至R35於下列表示)。
舉例來說，R1至R5係可分別獨立地為氫原子、氘原 子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C10之烷基、經取代或未經取代之C1-C10之烷氧基、經取代或未經取代之C5-C20之芳香基或含氮原子基，且R1至R5中至少一者可為一含氮原子基。
在此，含氮原子基為包含以氮原子作為環原子之5-員芳香環基、包含以氮原子作為環原子之6-員芳香環基或包含以氮原子作為環原子並藉由融合一5-員芳香基及一6-員芳香基以形成之9-員芳香環基。舉例來說，含氮原子基可以下列化學式4A至4P表示：
在化學式4A至4P中，Z12、Z13、Z14及Z15可為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、甲基、乙基、丙基或丁基。舉例來說， 在化學式4A至4P中，Z12、Z13、Z14及Z15可皆為氫原子。在化學式4A至4P中，p為1至6之整數。在此，p可在此範圍內依據化學式4A至4P之結構適當地決定。或p為二個以上，二個以上之Z12可彼此相同或不同。
在化學式2中，d可為0至5之整數。舉例來說，d可為0、1或2，但不限於此。D可在此範圍內依據Ar3之結構適當地決定。若d為二個以上，二個以上之R1可彼此相同或不同。
在化學式2中，R11至R23可分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C10之烯基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基、-Si(R36)(R37)(R38)或-N(R39)(R40)。
舉例來說，R12至R18及R21至R23可分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類，且R11、R19及R20可分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、萘基、蒽基、茀基或芘基，但不限於此。
至於-Si(R31)(R32)(R33)、-N(R34)(R35)、 -Si(R36)(R37)(R38)及-N(R39)(R40)、R31至R40係可分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基或經取代或未經取代之C2-C60之雜芳基。舉例來說，R31至R40係可分別獨立地為氫原子；氘原子；鹵素原子；氫氧基；氰基；硝基；胺基；甲脒基；聯氨；腙；羧基及其鹽類；磺酸根及其鹽類；磷酸根及其鹽類；C1-C10之烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基)；C1-C10之烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基)；C1-C10之烷基；或者為至少一氫原子以至少一氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類取代之C1-C10之烷氧基；苯基；萘基；蒽基；茀基；芘基；或者為至少一氫原子以至少一氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、C1-C10之烷基、C1-C10之烷氧基取代之苯基、萘基、蒽基、茀基或芘基，但不限於此。
在化學式2中，R1可為含氮原子基，而c及d可分 別獨立地為1或2。在一些實施例中，在化學式2中，R2至R5中至少一者可為含氮原子基。
根據本發明之一實施例，第二化合物及第四化合物可分別獨立地為化學式2A至2K表示之化合物：
<化學式2E> <化學式2F>
<化學式2K>
在化學式2A至2K中，Ar1、Ar2、a及b係如同參閱化學式2所述，而R1a、R1b及R3係可分別獨立地為含氮原子基。含氮原子基已於上描述。
在化學式2A至2K中，R11、R19及R20係可分別獨立地為經取代或未經取代之C1-C60之烷基，或者為經取代或未經取代之C5-C60之芳香基。
在化學式2A至2K中，Z1至Z4係可分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)或-N(Q4)(Q5)，且若x或y為2以上，複數個Z1或Z2係可相同或彼此不同。並且，x可為1至8之整數，且y可為1至3之整數。
在此，Q1至Q5係可分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基或經取代或未經取代之C2-C60之雜芳基。
舉例來說，第二化合物及第四化合物可分別獨立地為下列化合物2、8、14、15、16、20、31及35中之至少一者，但不限於此：
第一化合物具有高度電洞移動率，且由於其高度電洞移動率而促進電洞之傳輸。相較於第一化合物，第二化合物為一種材料，其具有較佳之電子捕捉功能。
若第一化合物與具有低於第一化合物0.1eV至 0.2eV之最低未填滿分子軌域(LUMO)能階之第二化合物混合，可提升第一化合物之電子捕捉功能。因此，可減低激子之淬熄，且所形成之裝置可具有較長時間之壽命。
舉例來說，第二化合物之最高填滿分子軌域(HOMO)能階可低於第一化合物之最高填滿分子軌域能階0.1eV至0.2eV，且第二化合物之最低未填滿分子軌域能階可低於第一化合物之最低未填滿分子軌域能階0.1eV至0.2eV。若第一及第二化合物間之最高填滿分子軌域及最低未填滿分子軌域之能階介於這些範圍內，電子可實質上不隨驅動電壓增加而被捕捉，因此，注入之電荷可輕易地移動，且能源變遷可輕易地發生，而所形成之裝置可具有改良壽命之特性。
基於第一及第二化合物之總數量，第二化合物之數量可介於20至40wt%之間。若第二化合物之數量在此範圍內，電子捕捉特性及添加第二化合物造成之防止驅動電壓增加特性可到達令人滿意之程度。
第一化合物之電洞移動率可較高於第二化合物之電洞移動率。亦即，第二化合物捕捉電子以降低激子之淬熄，而第一化合物提供高度電洞移動率。
第一電荷產生材料及第二電荷產生材料可分別為，舉例來說，具有至少一氰基之化合物。第一電荷產生材料及第二電荷產生材料可分別作用為電荷產生材料。第一電荷產生材料及第二電荷產生材料之非限制性例子為苯醌衍生物，例如四氰二甲基苯醌 (tetracyanoquinonedimethane，TCNQ)及2,3,5,6-四氟-四氰-1,4-苯並二甲基苯醌(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinonedimethane，F4-CTNQ)，但不限於此。
第一電荷產生材料及第二電荷產生材料係可分別獨立地為下列化合物501及502中之至少一者：
在此使用之術語“經取代或未經取代之A(其中A為任意取代基)”中之術語“有取代基之A”係關於A中之至少一氫原子被氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、羧基、矽烷基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、C1-C50之烷基、C2-C50之烯基、C2-C50之炔基、C1-C50之烷氧基、C3-C50之環烷基、C3-C50之環烯基、C5-C60之芳香基、C5-C60之芳氧基、C5-C60之芳硫基、C2-C60之雜芳基、C2-C60之融合多環基、以N(Q101)(Q102)表示之官能基或以Si(Q103)(Q104)(Q105)表示之官能基所取代，其中Q101至Q105可分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、氨基、硝基、硝基、腈基、羧基、矽烷基、C1-C50之烷基、C2-C50之 烯基、C2-C50之炔基、C1-C50之烷氧基、C3-C50之環烷基、C3-C50之環烯基、C5-C60之芳香基、C5-C60之芳氧基、C5-C60之芳硫基、C5-C60之雜芳基或C2-C60之融合多環基。
舉例來說，術語“有取代基之A”係關於A中之至少一氫原子被氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、腈基(nitrile group)、羧基、矽烷基(silyl group)、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、異丁烷、戊烷、苯基、非苯基(non-phenyl group)、並環戊二烯基、茚基、萘基、薁基、並環庚三烯基、二環戊二烯並苯基、乙烯合萘基、茀基、螺茀基(spiro-fluorenyl group)、萉基、菲基、蒽基、丙[二]烯合茀基、聯三苯基、芘基、蒯基、稠四苯基、苉基、苝基、戊苯基、稠六苯基、吡咯基(pyrrolyl group)、咪唑基(imidazolyl group)、苯並咪唑基(benzoimidazolyl group)、苯基苯並咪唑基(phenylbenzoimidazolyl group)、吡唑基(pyrazolyl group)、吡啶基(pyridinyl group)、苯基吡啶基(phenylpyridinyl group)、苯基咪唑吡啶基(phenylimidazopyridinyl group)、吡嗪基(pyrazinyl group)、嘧啶基(pyrimidinyl group)、苯基咪唑並嘧啶基(phenylimidazopyrimidinyl group)、嗒嗪基(pyridazinyl group)、吲哚基(indolyl group)、異吲哚基(isoindolyl group)、吲唑基(indazolyl group)、嘌呤基(purinyl group)、喹啉基(quinolinyl group)、苯並喹啉基(benzoquinolinyl group)、酞嗪基(phthallazinyl group)、菲啶基(naphthyridinyl group)、喹噁啉基(quinoxalinyl group)、喹唑啉基(quinazolinyl group)、噌啉基(cynolinyl group)、咔唑基(carbazolyl group)、啡啶基(phenanthridinyl group)、吖啶基(acridinyl group)、啡啉基(phenanthrolinyl group)、啡嗪基(phenazinyl group)、吡喃基(puranyl group)、苯並吡喃基(benzopuranyl group)、二苯並吡喃基(dibenzopuranyl group)、噻吩基(hiophenyl group)、苯並噻吩基(benzo[b]thiophenyl group)、二苯並噻吩基(dibenzothiophenyl group)、噻唑基(thiazolyl group)、異噻唑基(isothiazolyl group)、苯並噻唑基(benzothiazolyl group)、噁唑基(oxazolyl group)、異噁唑基(isoxazolyl group)、苯並噁唑基(benzooxazolyl group)、異噁唑三唑基(isoxazolyla triazolyl group)、苯基三唑基(phenyltriazolyl group)、四唑基(tetrazolyl group)、噁二唑基(oxadiazolyl group)、苯基噁二唑基(phenyloxadiazolyl group)、三嗪基(triazinyl group)、苯基三嗪基(phenyltriazinyl group)、以N(Q101)(Q102)表示之官能基或以Si(Q103)(Q104)(Q105)表示之官能基。
無取代基之C1-C50之烷基係指烷類之直鏈或支鏈飽和羥基，且缺少烷類中之其中一個氫原子。無取代基之C1-C50之烷基之例子為甲基、乙基、丙基、丁基、二級丁基、戊基、異戊基、己基等。有取代基之C1-C50之烷基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C2-C50之烯基係指一末端官能基，其在經取代或未經取代之C2-C50之烷基的中間或 末端具有至少一碳-碳雙鍵。無取代基之C2-C50之烯基之非限制性例子為乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、丙二烯基(propadienyl group)、異平基(isoprenyl group)及烯丙基(allyl group)。有取代基之C2-C50之烯基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C2-C50之炔基係指一末端官能基，其在經取代或未經取代之C2-C50之烷基的中間或末端具有至少一碳-碳三鍵。無取代基之C2-C50之炔基之非限制性例子為乙炔基等。有取代基之C2-C50之炔基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C1-C50之烷氧基具有-OY表示之化學式，其中Y為上列定義之無取代基之C1-C50之烷基。無取代基之C1-C50之烷氧基之非限制性例子為甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丁氧基、戊氧基等。有取代基之C1-C50之烷氧基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C3-C50之環氧基係指一環狀飽和羥基。無取代基之C3-C50之環氧基之非限制性例子為環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基等。有取代基之C3-C50之環氧基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C3-C50之環烯基係指一環狀 未飽和羥基，其具有至少一非芳香環之碳雙鍵。無取代基之C3-C50之環烯基之非限制性例子為環丙烯基、環丁烯基、環戊烯基、環己烯基、環庚烯基、1,3-環己二烯基、1,4-環己二烯基、2,4-環庚二烯基、1,5-環辛二烯基等。有取代基之C3-C50之環烯基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C5-C60之芳香基係指一價之官能基，其具有碳原子數量為5至60之環碳芳香系統，且可為單環官能基或多環官能基。若無取代基之C5-C60之芳香基為多環官能基，在無取代基之C5-C60之芳香基中二個以上之環可融合。無取代基之C5-C60之芳香基之非限制性例子為苯基、並環戊二烯基、茚基、萘基、薁基、並環庚三烯基、二環戊二烯並苯基、乙烯合萘基、茀基、螺茀基、萉基、菲基、蒽基、丙[二]烯合茀基、聯三苯基、芘基、蒯基、稠四苯基、苉基、苝基、五苯基、稠六苯基。有取代基之C5-C60之芳香基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C5-C60之芳氧基係指一價之官能基，其C5-C60之芳香基中之碳原子係藉由氧連結(-O-)。有取代基之C5-C60之芳氧基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C5-C60之芳硫基係指一價之官能基，其C5-C60之芳香基中之碳原子係藉由硫連結 (-S-)。無取代基之C5-C60之芳硫基之例子為苯硫基(phenyl thio group)、萘硫基(naphthyl thio group)、二氫茚硫基(indanylthio group)及茚硫基(indenyl thio group)。有取代基之C5-C60之芳硫基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C2-C60之雜芳基係指具有至少一環之一價官能基，其具有選自於氮、氧、磷及硫之族群中至少一雜原子，以及具有2至60個碳原子，且可為單環或多環官能基。若無取代基之C2-C60之雜芳基為多環官能基，包含兩個以上之環之無取代基之C2-C60之雜芳基可被融合。無取代基之C2-C60之雜芳基之例子為吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、苯並喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹噁啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯並噁唑基、苯並咪唑基、呋喃基(furanyl group)、苯並呋喃基(benzofuranyl group)、噻吩基、苯並噻吩基、噻唑基、異噻唑基、苯並噻唑基、異噁唑基、噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、苯並噁唑基等。有取代基之C2-C60之雜芳基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C2-C60之融合多環基係指一價之官能基，其包含二個以上之融合環及2至60個碳原子。無取代基之C2-C60之融合多環基可為多環取代基，或其他類似物。有取代基之C2-C60之融合多環基中之取 代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C1-C50之伸烷基係指直鏈或支鏈之二價官能基，其中兩個氫原子是有缺陷的。無取代基之C1-C50之伸烷基之例子可藉由參閱上述無取代基之C1-C50之烷基而被了解。有取代基之C1-C50之伸烷基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C5-C60之伸芳基係指具有碳環芳香系統之二價官能基，其具有5至60個碳原子，且二價官能基可為單環或多環官能基。無取代基之C5-C60之伸芳基之例子可藉由參閱上述無取代基之C5-C60之芳香基而被了解。有取代基之C5-C60之伸芳基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C5-C60之伸芳氧基係指二價之官能基，其C5-C60之伸芳基中之碳原子係藉由氧連結(-O-)。有取代基之C5-C60之伸芳基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C5-C60之伸芳硫基係指二價之官能基，其C5-C60之伸芳基中之碳原子係藉由硫連結(-S-)。有取代基之C5-C60之伸芳硫基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
在此使用之無取代基之C2-C60之雜伸芳基係指具有 至少一環之二價官能基，其具有選自於氮、氧、磷及硫之族群中至少一雜原子，以及具有2至60個碳原子，且可為單環或多環官能基。若無取代基之C2-C60之雜芳基為多環官能基，包含兩個以上之環之無取代基之C2-C60之雜芳基可被融合。無取代基之C2-C60之雜伸芳基之例子可藉由參閱無取代基之C2-C60之雜芳基而被了解。有取代基之C2-C60之雜伸芳基中之取代基可為上列詳細描述之術語“有取代基之A”中取代基之一者。
包含多層電洞傳輸層之有機發光二極體可依下列順序包含一結構：第一電荷產生層，其中具有不同能階之第一及第二化合物與具有電荷產生能力之第一電荷產生材料摻雜/具有第一及第二化合物之第一混合層/第二電荷產生層，其中具有不同能階之第三及第四化合物與具有電荷產生能力之第二電荷產生材料摻雜/具有第三及第四化合物之第二混合層/緩衝層/發光層。
就這一點而言，第一化合物(或第三化合物)及第二化合物(或第四化合物)可分別獨立地具有三芳胺基結構、咔唑結構及茀結構，且由於包含上述結構，這些化合物具有高玻璃轉換溫度及/或熔點且對於電子注入具有穩定度。因此，當有機發光二極體被驅動且當包含第一化合物(或第三化合物)及第二化合物(或第四化合物)之電洞相關層介於有機發光二極體之電極對之間，電洞相關層可顯示對於設置在電極對之間之有機層發生之焦耳熱之強大的熱阻抗。並且，第一化合物(或第三化合物)及第二化合物(或第四化合物)實質上係分別具有氟環， 因此，包含化合物之層可具有高度平坦化之特性，且包含該層之有機發光二極體可具有極佳之電子特性。舉例來說，若包含第一化合物(或第三化合物)及第二化合物(或第四化合物)之混合物介於發光層與陽極之間，由於電子移動穿過發光層，有機發光二極體之劣化實質上地可能不會發生。
並且，在第二化合物(或第四化合物)中，R1至R5中之至少一者係實質上地為含氮原子基，且由於含氮原子基，電洞之移動率可輕易地被控制。因此，在包含第二化合物(或第四化合物)之有機發光二極體中，由於含氮原子基，電子及電洞間之平衡被增加且最大化，因而可增加發光層之發光效率。典型地，電洞移動速度相對快於電子移動速度。因此，相較於穿過陰極到達發光層之電子，穿過陽極到達發光層之電洞太多，且由於過多的電洞，在發光層中之激子形成區域無法偏壓於陰極，或者是有機層，例如發光層，可能劣化，因而減低有機發光二極體之壽命。然而，第二化合物(或第四化合物)具有R1至R5中之至少一者係為含氮原子基，且由於包含含氮原子基，電洞之移動率可被控制。因此，到達發光層之電洞及電子間之平衡可被增加且最大化，因而所形成之有機發光二極體可具有長壽命。並且，由於在第二化合物(或第四化合物)中之含氮原子基，自發光層擴散之電子係穩定地，所形成之有機發光二極體可具有長壽命。
並且，第二化合物(或第四化合物)中之含氮原子基 不直接連接位於化學式2所示之化學結構中心之氮，而是藉由氟環或Ar3連接於位於化學式2所示之化學結構中心之氮。藉由如此，可為R1至R5中之至少一者之含氮原子基可不直接連接氮，而改變電洞相關特性，例如電洞移動特性，可被減低或避免，且因而改善所形成之有機發光二極體之效率。
因此，第一混合層(或第二混合層)包含一包含第二化合物(或第四化合物)及第一化合物(或第三化合物)之混合物具有極佳之電子特性，且也在第一混合層(或第二混合層)中，由於第二化合物(或第四化合物)，電洞移動性可被控制且降低發生於接近發光層與相鄰層間之介面至發光層之非發光淬熄，而增加所形成之有機發光二極體之效率及壽命。
舉例來說，有機發光二極體可具有下列順序之結構：第一電極/第一電荷產生層/第一混合層/第二電荷產生層/第二混合層/緩衝層/發光層/電子傳輸層/第二電極。
第一化合物之最高填滿分子軌域能階可高於第二化合物之最高填滿分子軌域能階0.1eV至0.2eV，且第一化合物之最低未填滿分子軌域能階可低於第二化合物之最低未填滿分子軌域能階0.1eV至0.2Ev。若第一化合物與第二化合物間之最高填滿分子軌域及最低未填滿分子軌域之能階介於這些範圍內，電子可在實質上不增加驅動電壓下而被捕捉，注入電荷可輕易地移動且能源變遷可輕易地發生，且所形成之裝置可具有改善之壽命特性。
舉例來說，第一化合物之最高填滿分子軌域能階及最低未填滿分子軌域能階可分別為-4.7至-4.8eV以及-0.9至-1.0eV，而第二化合物之最高填滿分子軌域能階及最低未填滿分子軌域能階可分別為-4.8至-4.9eV以及-1.0至-1.1eV。
第一化合物之電洞移動率可高於第二化合物之電動移動率。由於具有相對較高電洞移動率之第一化合物與具有相對較低電洞移動率之第二化合物的混合，電洞移動率可被控制且可降低或避免過多電荷注入，因而所形成之裝置可具有較長之壽命。
第一化合物對第二化合物之混合重量比係可介於6：4至8：2之範圍。若第一化合物對第二化合物之混合重量比在此範圍內，電洞移動率可被控制而增加所形成之裝置的效率及壽命。第三化合物對第四化合物之混合重量比係可介於6：4至8：2之範圍。若第三化合物對第四化合物之混合重量比在此範圍內，電洞移動率可被控制而增加所形成之裝置的效率及壽命。
每一第一混合層及第二混合層之厚度係可介於40nm至60nm之範圍。若第一混合層及第二混合層之厚度在此範圍內，電洞移動率可在實質上不增加驅動電壓下而被適當地控制。
基於100重量份之第一電荷產生層，第一電荷產生材料之總量係可為1至3重量份之範圍。第一電荷產生材料為用以產生電荷之材料，且可在第一電荷產生層中 均勻地分布或不均勻地分布。然而，在第一電荷產生層中第一電荷產生材料之分布可不限於上列之揭露。若第一電荷產生材料之總量在此範圍內，適當之電荷的總量可在第一電荷產生層中被產生。
基於100重量份之第二電荷產生層，第二電荷產生材料之總量係可為1至3重量份之範圍。第二電荷產生層可中均勻地分布或不均勻地分布於第二電荷產生層中。然而，在第二電荷產生層中第二電荷產生材料之分布可不限於上列之揭露。若第二電荷產生材料之總量在此範圍內，適當之電荷的總量可在第二電荷產生層中被產生。
每一第一電荷產生層及第二電荷產生層之厚度係可介於10nm至20nm之範圍。若第一電荷產生層及第二電荷產生層之厚度在此範圍內，電洞移動率可在實質上不增加驅動電壓下而被適當地控制。
緩衝層可設置於發光層與第二混合層之間。若發光層直接接觸第二混合層，第二混合層可吸引電子，因而降低發光層之壽命。因此，介於發光層與第二混合層間之緩衝層可避免或降低電子的吸引，而造成改善壽命。並且，緩衝層可依據發光層發光之波長補償光學共振距離，因而改善所形成之有機發光二極體的效率。
緩衝層可包含具有極佳電洞移動率之化學式1所示之化合物，但不限於此。舉例來說，作為用以形成緩衝層之材料，包含第一化合物及發光主體材料之混合材料 可被使用。在這個例子中，緩衝層之最高填滿分子軌域能階可存在於第二混合層之最高填滿分子軌域能階以及發光層之最高填滿分子軌域能階之間，而使得電洞可被輕易地傳輸。
緩衝層之厚度係可介於0.1nm至30nm之範圍。若緩衝層之厚度在此範圍內，由於依據發光層發光之波長在實質上不增加驅動電壓下補償光學共振距離，可增加所形成之有機發光二極體的效率。
第一混合層可接觸第一電荷產生層。若第一混合層接觸第一電荷產生層，電荷的平衡可被改善。
第二混合層可接觸第二電荷產生層。若第二混合層接觸第二電荷產生層，電荷的平衡可被改善。
根據本發明之一實施例，有機發光二極體可包含電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層以及具有電子傳輸功能及電子注入功能之功能層中之至少一層，且此至少一層係介於發光層及第二電極之間。
舉例來說，有機發光二極體可具有下列順序之結構：第一電極/具有不同能階之第一及第二化合物摻雜第一電荷產生材料之第一電荷產生層/包含第一及第二化合物之第一混合層/具有不同能階之第三及第四化合物摻雜第二電荷產生材料之第二電荷產生層/包含第三及第四化合物之第二混合層/緩衝層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極。
第1圖係根據本發明之一實施例之有機發光二極體 100之示意圖。在此，請參閱第1圖，根據本發明之一實施例之有機發光二極體之結構，以及根據本發明之一實施例之有機發光二極體之製造方法，將被詳細地描述。
有機發光二極體100依此順序相繼包含基材110、第一電極120、電洞注入層130、第一電荷產生層141、第一混合層142、第二電荷產生層143、第二混合層144、緩衝層150、發光層160、電子傳輸層170、電子注入層180以及第二電極190。
基材110可為用於有機發光二極體之不同適當基材中之一者，且可為玻璃基材或具有極佳機械強度、熱穩定性、穿透度、表面平滑度、處理容易及防水性之透明塑膠基材。
第一電極120可藉由以沉積或濺鍍提供第一電極材料於基材以形成。若第一電極120為陽極，為了使電洞容易地被注入，第一電極材料可選自於具有高功函數之材料。並且，第一電極120可為反射電極或穿透電極。第一電極材料可為透明且高導電材料，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)等。或者，若鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等被使用作為第一電極材料，第一電極120可形成為反射電極。第一電極120可包含兩種不同材料。舉例來說，第一電極120可具有包含兩種不同材料之雙層結構。然而，第一電極120之結構不限於此。
電洞注入層130形成於第一電極120上。然而，依據目的，電洞注入層130可不形成。
電洞注入層130可藉由不同之適當方法形成於第一電極120上，例如真空沉積、濕製程、雷射轉印等，如上列描述。
當電洞注入層130藉由真空沉積而形成，沉積條件可依據用以形成電洞注入層130之材料以及電洞注入層130之結構及熱特性而改變。舉例來說，沉積條件可包含沉積溫度約100℃至500℃，真空壓力大約10-8至大約10-3torr，以及沉積速度約0.01埃/秒至大約100埃/秒。然而，沉積條件不限於此。
當電洞注入層130藉由使用旋轉塗布以濕式法而形成，塗布條件可依據用以形成電洞注入層130之材料而改變，且依據電洞注入層130之結構及熱特性。舉例來說，塗布速度可為約2000rpm至約5000rpm，而塗布後實行熱處理以移除溶劑之溫度可為約80℃至約200℃。然而，塗布條件不限於此。
電洞注入層之材料可為習知電洞注入材料中之一者。電洞注入層之材料之非限制性例子為酞菁化合物，例如銅酞菁、m-MTDATA(其結構於下列描述)、TDATA(其結構於下列描述)、2-TNATA(其結構於下列描述)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(Pani/PSS) 等。
電洞注入層130可具有約100埃至約10000埃之厚度，舉例來說，約100埃至約1000埃之厚度。當電洞注入層130之厚度在此範圍內，電洞注入層130可在不增加驅動電壓下具有令人滿意之電洞注入特性。
接著，電洞傳輸層140可形成於電洞注入層130上。電洞傳輸層140可包含依序相繼沉積之第一電荷產生層141、第一混合層142、第二電荷產生層143及第二混合層144。
首先，第一電荷產生層141可藉由真空沉積、濕式法、雷射轉印或其他類似製程形成於電洞注入層130上。當第一電荷產生層141藉由真空沉積或旋轉塗布而形成，沉積或塗布之條件可相似於應用以形成電洞注入層130，雖然沉積或塗布之條件可依據用以形成第一電荷產生層141之材料而改變。
作為形成第一電荷產生層141之材料，包含第一化合物及第二化合物之混合物，其摻雜第一電荷產生材料可被使用。就這一點而言，第一化合物對第二化合物之 重量比係可介於6：4至8：2之範圍，且基於100重量份之第一電荷產生層141，第一電荷產生材料之總量係可為1至3重量份之範圍。
第一電荷產生層141之厚度可介於10nm至20nm之範圍。若第一電荷產生層141之厚度在此範圍內，第一電荷產生層141可具有令人滿意的電洞傳輸特性及在實質上不增加驅動電壓下足夠之電荷總量。
第一混合層142可藉由，舉例來說，真空沉積、濕式法或雷射轉印形成於第一電荷產生層141上。當第一混合層142藉由真空沉積或旋轉塗布而形成，沉積或塗布條件可相似於應用以形成電洞注入層130，雖然沉積或塗布之條件可依據用以形成第一混合層142之材料而改變。
作為形成第一混合層142之材料，包含第一化合物及第二化合物之混合物可被使用。就這一點而言，第一化合物對第二化合物之重量比係可介於6：4至8：2之範圍。
第一混合層142之厚度可介於40nm至60nm之範圍。若第一混合層142之厚度在此範圍內，第一混合層142可具有令人滿意的電洞傳輸特性及在實質上不增加驅動電壓下足夠之電洞移動率。
第二電荷產生層143可藉由，舉例來說，真空沉積、濕式法或雷射轉印形成於第一混合層142上。當第二電荷產生層143藉由真空沉積或旋轉塗布而形成，沉積或 塗布條件可相似於應用以形成電洞注入層130，雖然沉積或塗布之條件可依據用以形成第二電荷產生層143之材料而改變。
作為形成第二電荷產生層143之材料，包含第三化合物及第四化合物之混合物，其摻雜第二電荷產生材料可被使用。就這一點而言，第三化合物對第四化合物之重量比係可介於6：4至8：2之範圍，且基於100重量份之第二電荷產生層，第二電荷產生材料之總量係可為1至3重量份之範圍。
第二電荷產生層143之厚度可介於10nm至20nm之範圍。若第二電荷產生層143之厚度在此範圍內，第二電荷產生層143可具有令人滿意的電洞傳輸特性及在實質上不增加驅動電壓下足夠之電荷總量。
第二混合層144可藉由，舉例來說，真空沉積、濕式法或雷射轉印形成於第二電荷產生層143上。當第二混合層144藉由真空沉積或旋轉塗布而形成，沉積或塗布條件可相似於應用以形成電洞注入層130，雖然沉積或塗布之條件可依據用以形成第二混合層144之材料而改變。
作為形成第二混合層144之材料，就這一點而言，第三化合物對第四化合物之重量比係可介於6：4至8：2之範圍。
第二混合層144之厚度可介於40nm至60nm之範圍。若第二混合層144之厚度在此範圍內，第二混合層 144可具有令人滿意的電洞傳輸特性及在實質上不增加驅動電壓下足夠之電洞移動率。
緩衝層150可藉由，舉例來說，真空沉積、濕式法或雷射轉印形成於第二混合層144上。當緩衝層150藉由真空沉積或旋轉塗布而形成，沉積或塗布條件可相似於應用以形成電洞注入層130，雖然沉積或塗布之條件可依據用以形成緩衝層150之材料而改變。
用以形成緩衝層150之材料可為第一化合物。根據本發明之一實施例，包含第一化合物及發光主體材料之混合物可被使用以作為形成緩衝層之材料。
緩衝層150之厚度可介於0.1nm至30nm之範圍。若緩衝層150之厚度在此範圍內，驅動電壓可不過度增加，且由於可依據發光層160發光之波長補償光學共振距離，因而改善所形成之有機發光二極體的效率。
發光層160可藉由，舉例來說，真空沉積、濕式法或雷射轉印形成於緩衝層150上。當發光層160藉由真空沉積或旋轉塗布而形成，沉積或塗布條件可相似於應用以形成電洞注入層130，雖然沉積或塗布之條件可依據用以形成發光層160之材料而改變。
發光層160可包含已知之磷光主體、螢光主體、磷光摻質或螢光摻質。作為已知之主體，可使用4,4'-N,N'-二咔唑-聯苯(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl，CBP)、9,10-二-萘-2-基-蒽(9,10-di-naphthalene-2-yl-anthracene，ADN)(其結構於下列描述)、TPBI(其結構於下列描述)、 TBADN(其結構於下列描述)、E3(其結構於下列描述)，但不限於此。
作為紅色摻質，可使用PtOEP(其結構於下列描述)、Ir(piq)3(其結構於下列描述)、Btp2Ir(acac)等，但不限於此。
並且，作為綠色摻質，可使用Ir(ppy)3(ppy=苯基吡啶，其結構於下列描述)、Ir(ppy)2(acac)(其結構於下列描述)、Ir(mpyp)3(其結構於下列描述)等，但不限於此。
作為藍色摻質，可使用F2Irpic(其結構於下列描述)、(F2ppy)2Ir(tmd)(其結構於下列描述)、Ir(dfppz)3(其結構於下列描述)、DPVBi(其結構於下列描述)、4,4'-雙(4-二對甲苯基胺基乙烯基)聯苯(4,4'-bis(4-diphenyl aminostaryl)biphenyl，DPAVBi，其結構於下列描述)、2,5,8,11-四叔丁基苝(2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene，TBPe，其結構於下列描述)等，但不限於此。
若發光層160包含主體及摻質，基於100重量份之主體，摻質之總量係可為約0.01至約15重量份，但不限於此。
發光層160之厚度可自約100埃至約1000埃，舉例來說，大約200埃至約600埃。若發光層160之厚度在此範圍內，可在實質上不增加驅動電壓下獲得極佳之發光特性。
若發光層160包含磷光主體，為避免三激子或電洞擴散至電子傳輸層170，電洞阻擋層HBL，第1圖中未顯示)可藉由真空沉積、濕式法或雷射轉印形成於電子傳輸層170及發光層160之間。若電洞阻擋層藉由真空沉積或旋轉塗布而形成，沉積或塗布條件可相似於應用以形成電洞注入層130，雖然沉積或塗布之條件可依據用以形成電洞阻擋層之材料而改變。作為電洞阻擋層之材料，可使用已知電洞阻擋層材料中之一者，且其例子為噁二唑衍生物、三唑衍生物、啡啉衍生物等。
電洞阻擋層之厚度可自約50埃至約1000埃，舉例來說，大約100埃至約300埃。若電洞阻擋層之厚度在上述範圍內，可在實質上不增加驅動電壓下獲得極佳之電洞阻擋特性。
接著，電子傳輸層170可藉由不同方法而形成，例如上述之真空沉積、濕式法或雷射轉印。電子傳輸層可包含已知之電子傳輸材料。已知之電子傳輸材料之非限制性例子為喹啉衍生物，例如三(8-喹啉)鋁 (tris(8-quinolinolate)aluminum，Alq3)、TAZ(其結構於下列描述)、BAlq(其結構於下列描述)及雙(10-羥基苯並喹啉)鈹(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate)，Bebq2)。
電子傳輸層170可包含電子傳輸有機化合物。電子傳輸有機化合物之非限制性例子為9,10-二-萘-2-基-蒽(9,10-di-naphthalene-2-yl-anthracene，ADN)及蒽-系化合物，例如下列化合物601及602：
電子傳輸層170之厚度可自約100埃至約1000埃，舉例來說，大約150埃至約500埃。若電子傳輸層170之厚度在上述範圍內，可在實質上不增加驅動電壓下獲得極佳之電子傳輸特性。若電子傳輸層170藉由真空沉積或旋轉塗布而形成，沉積或塗布條件可相似於應用以形成電洞注入層130，雖然沉積或塗布之條件可依據用以形成電子傳輸層170之材料而改變。
電子注入層180可藉由使用允許電子輕易地自陽極注入之材料而沉積於電子傳輸層170上。作為形成電子注入層180之材料，任何已知之電子注入材料，可使用例如氟化鋰、氯化鈉、氟化銫、氧化鋰、氧化鋇或8-羥基喹啉鋰。可選擇地，也可使用化學式1之雜環化合物。電子注入層180之沉積或塗布條件可相似於應用以形成電洞注入層130，雖然沉積或塗布之條件可依據用以形成電子注入層180之材料而改變。
電子注入層180之厚度可為約1埃至約100埃之範圍，舉例來說，大約3埃至約90埃。若電子注入層180之厚度在上述範圍內，可在實質上不增加驅動電壓下獲得極佳之電子注入特性。
第二電極190係形成於電子注入層180上以作為反射電極。第二電極190可作為電子注入電極之陰極，在此例子中，可使用低功函數金屬、合金、導電化合物及其混合物以作為第二電極材料。更詳細地說，可形成鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(A1-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)以作為用作反射電極之薄膜。並且，若有機發光二極體用於頂部發光二極體裝置，可使用ITO或IZO以形成透明電極。
在上文中，有機發光二極體可參閱第1圖而描述。然而，有機發光二極體之結構不限於第1圖所示之結構。
第2圖顯示根據本發明之一實施例之有機發光二極體200之能階。
有機發光二極體可包含第一電荷產生層241、第一混合層242、第二電荷產生層243、第二混合層244、緩衝層250、發光層260、電子傳輸層270及電子注入層280。因為第一電荷產生層241包含第一化合物、第二化合物及第一電荷產生材料，而第二電荷產生層243包含第三化合物、第四化合物及第二電荷產生材料，第一及第二電荷產生層241及243可具有相似之最高填滿分子軌域能階及最低未填滿分子軌域能階。第一及第二電荷產生層241及243分別包含第一電荷產生材料及第二電荷產生材料，且其最高填滿分子軌域能階及最低未填滿分子軌域能階以點線表示。每一第一及第二電荷產生材料之最高填滿分子軌域能階及最低未填滿分子軌域能階係相對較低；第一及第二電荷產生材料可提供降低第一電荷產生層241及第二電荷產生層243之驅動電壓。
第一混合層242包含第一化合物及第二化合物，而第二混合層244包含第三化合物及第四化合物，且第一及第二混合層242及244具有相似之最高填滿分子軌域能階及最低未填滿分子軌域能階。
包含電晶體之平面顯示裝置可包含有機發光二極體。因此，本發明之另一態樣提供一平面顯示裝置包含：包含源極、汲極、閘極及主動層之電晶體；以及有機發光二極體(包含多層電洞傳輸層)，其中有機發光二極體之第一電極電性連接源極或汲極。
根據本發明之實施例，如第4圖所示，平面顯示裝 置包含電性連接位於基材411上之像素單位之驅動電路420。例如載子層及/或緩衝層之絕緣層412可形成於基材411上以平坦化基材之表面並實質上避免雜質擴散及外在污染物及空氣。作為驅動電路420之電晶體形成於絕緣層412上。根據一些實施例，可使用頂部閘極薄膜電晶體。然而，將被理解的是，可使用各種其他形式之電晶體。電晶體之主動層421包含半導體材料且設置於絕緣層412上。閘極絕緣層413覆蓋主動層421。主動層421可包含無機半導體材料(例如非晶矽或多晶矽)或有機半導體材料，且可具有源極區域、汲極區域以及位於源極區域及汲極區域之間之通道區域。閘極電極422設置於閘極絕緣層413上，且中間絕緣層414覆蓋閘極電極422。源極及汲極電極423設置於中間絕緣層414上並藉由接觸孔424接觸主動層。平坦層415覆蓋源極及汲極電極423。將被理解的是，電晶體之堆疊結構不限於此結構，且此電晶體可具有任何適當之結構。有機發光二極體之第一電極431形成於平坦層415上，且藉由孔洞430電性連接源極及汲極電極423。像素定義層(未顯示)為形成於第一電極431之薄的無機層。開口形成於像素定義層上以藉由開口露出第一電極431。
電晶體之主動層可為，舉例來說，非晶矽層、結晶矽層、有機半導體層、半導體氧化物層或其他類似物。
在此，根據本發明之實施例之有機發光二極體將參閱例子以更詳細地描述。然而，本發明不限於下列例子。
例子1
作為陽極，康寧公司製造之15Ω/cm2(1200埃)之ITO玻璃基材切至50 mm×50 mm×0.7 mm的尺寸，並分別以異丙醇及純水超音波震盪5分鐘，接著照射紫外線30分鐘，接以曝曬於臭氧。接著安置所得之ITO玻璃基材於真空沉積裝置。
化合物301、化合物35及化合物502以重量比60：40：1真空共沉積於ITO玻璃基材上以形成具有厚度100埃之第一電荷產生層，接著化合物301及化合物35以重量比60：40真空共沉積於第一電荷產生層上以形成具有厚度400埃之第一混合層。接著，化合物301、化合物35及化合物502以重量比60：40：1真空共沉積於第一混合層上以形成具有厚度100埃之第二電荷產生層，且化合物301及化合物35接著以重量比60：40真空共沉積於第二電荷產生層上以形成具有厚度400埃之第二混合層。
化合物301真空沉積於第二混合層上以形成具有厚度230埃之緩衝層。
ADN及DPVBi以重量比98：2真空共沉積於緩衝層上以形成具有厚度300埃之發光層。
接著，Alq3真空沉積於發光層上以形成具有厚度300埃之電子傳輸層。
氟化鋰，其為鹵素鹼金屬，在真空沉積厚度3000埃之Al(陰極)後，真空沉積於電子緩衝層上以形成具有 厚度10埃之電子注入層，而形成LiF/Al電極，因而完成有機發光二極體之製造。
例子2
有機發光二極體以相同於例子1之方式製造，除了當形成第一電荷產生層及第二電荷產生層時，使用重量比為70：30：1之化合物301、化合物35及化合物502，且當形成第一混合層及第二混合層時，使用重量比為70：30之化合物301及化合物35。
例子3
有機發光二極體以相同於例子1之方式製造，除了當形成第一電荷產生層及第二電荷產生層時，使用重量比為70：30：3之化合物301、化合物35及化合物502，且當形成第一混合層及第二混合層時，使用重量比為70：30之化合物301及化合物35。
例子4
有機發光二極體以相同於例子1之方式製造，除了當形成第一電荷產生層及第二電荷產生層時，使用重量比為80：20：1之化合物301、化合物35及化合物502，且當形成第一混合層及第二混合層時，使用重量比為80：20之化合物301及化合物35。
比較例1
有機發光二極體以相同於例子2之方式製造，除了不形成緩衝層。
比較例2
有機發光二極體以相同於例子1之方式製造，除了取代形成第一電荷產生層、第一混合層、第二電荷產生層及第二混合層，2-TNATA真空沉積於ITO玻璃基材上以形成具有厚度600埃之單電洞注入層。
評估例
根據本發明之例子1至4及比較例1至2製造之有機發光二極體，其驅動電壓、CIE色度圖之y值、發光效率及壽命係藉由使用PR650(光度儀)光源量測單元(PhotoResearch Company公司製造)測得，且其結果顯示於下列表1。
請參閱表1，相較於包含未形成緩衝層或不具有多層結構之電洞傳輸層之有機發光二極體(比較例1至2)，根據本發明之一實施例之有機發光二極體(例子1至4)具有較長壽命。
第3圖係根據例子1至4製得之有機發光二極體以 及根據比較例1及2製得之有機發光二極體的壽命特性圖。請參閱第3圖，被證實的是，相較於包含未形成緩衝層或不具有多層結構之電洞傳輸層之有機發光二極體(比較例1至2)，根據本發明之一實施例之有機發光二極體(例子1至4)具有3至12倍之較佳壽命。
請參閱表1，被證實的是，相較於包含不具有多層結構之電洞傳輸層之有機發光二極體(比較例1至2)，根據本發明之一實施例之有機發光二極體(例子1至4)具有大約30%之較佳發光效率。
由於包含電洞傳輸化合物及具有不同能階之電荷產生材料的組合之多層電洞傳輸層，根據本發明之一實施例之有機發光二極體，具有改善之電荷平衡、高效率及長壽命特性。
儘管本發明已參閱例示性實施例部分顯示及描述，將被本發明所屬技術領域具有通常知識者理解的是，在不脫離本發明下列申請專利範圍之精神及範疇下可以不同形式及細節進行改變。
100、200‧‧‧有機發光二極體
110、411‧‧‧基材
120、431‧‧‧第一電極
130‧‧‧電洞注入層
141、241‧‧‧第一電荷產生層
142、242‧‧‧第一混合層
143、243‧‧‧第二電荷產生層
144、244‧‧‧第二混合層
140‧‧‧電洞傳輸層
150、250‧‧‧緩衝層
160、260‧‧‧發光層
170、270‧‧‧電子傳輸層
180、280‧‧‧電子注入層
190‧‧‧第二電極
412‧‧‧絕緣層
413‧‧‧閘極絕緣層
414‧‧‧中間絕緣層
415‧‧‧平坦層
421‧‧‧主動層
422‧‧‧閘極電極
423‧‧‧源極及汲極電極
424‧‧‧接觸孔
420‧‧‧驅動電路
430‧‧‧孔洞
本發明上列及其他特色及優點將自實施方式結合附圖而顯而易見，其中：第1圖 係根據本發明之一實施例之有機發光二極體之示意圖；第2圖 係顯示根據本發明之一實施例之有機發光二 極體之能階；以及第3圖 係根據例子1至4製得之有機發光二極體以及根據比較例1及2製得之有機發光二極體的壽命特性圖。
第4圖 係根據本發明之平面顯示裝置之一實施例之剖面圖。
100‧‧‧有機發光二極體
120‧‧‧第一電極
130‧‧‧電洞注入層
141‧‧‧第一電荷產生層
142‧‧‧第一混合層
143‧‧‧第二電荷產生層
144‧‧‧第二混合層
140‧‧‧電洞傳輸層
150‧‧‧緩衝層
160‧‧‧發光層
170‧‧‧電子傳輸層
180‧‧‧電子注入層
190‧‧‧第二電極

Claims (20)

  1. 一種有機發光二極體，包含：一第一電極；一第二電極，面對該第一電極；一發光層，介於該第一電極與該第二電極之間；一第一混合層，介於該發光層與該第一電極之間且包含一第一化合物及一第二化合物；一第二混合層，介於該發光層與該第一混合層之間且包含一第三化合物及一第四化合物；一第一電荷產生層，介於該第一混合層與該第一電極之間且包含該第一化合物、該第二化合物及一第一電荷產生材料；一第二電荷產生層，介於該第一混合層與該第二混合層之間且包含該第三化合物、該第四化合物及一第二電荷產生材料；以及一緩衝層，介於該發光層及該第二混合層之間，其中，該第一化合物及該第三化合物係分別獨立地為下列化學式1表示之化合物，而該第二化合物及該第四化合物係分別獨立地為下列化學式2表示之化合物：<化學式1> 其中，在化學式1中，Ar11及Ar12係分別獨立地為經取代或未經取代之C5-C60之伸芳基；e及f係分別獨立地為0至5之整數；R51至R58以及R61至R69係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基；以及R59為苯基、萘基、蒽基、聯苯基或吡啶基，或者為至少一氫原子以至少一氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、 磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C20之烷基、經取代或未經取代之C1-C20之烷氧基取代之苯基、萘基、蒽基、聯苯基或吡啶基；以及 其中，在化學式2中，Ar1及Ar3係分別獨立地為經取代或未經取代之C5-C60之伸芳基；a及b係分別獨立地為0至5之整數；c為1至5之整數；R1至R5係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代 之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基、-Si(R31)(R32)(R33)、-N(R34)(R35)或含氮原子基，且R1至R5中至少一者為一含氮原子基；d為0至5之整數；R11至R23係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基、-Si(R36)(R37)(R38)或-N(R39)(R40)；以及R31至R40係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未 經取代之C5-C60之芳硫基或經取代或未經取代之C2-C60之雜芳基；其中，該含氮原子基為包含以氮原子作為環原子之5-員芳香環基、包含以氮原子作為環原子之6-員芳香環基或包含以氮原子作為環原子並藉由融合一5-員芳香基及一6-員芳香基以形成之9-員芳香環基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第二化合物之最高填滿分子軌域(HOMO)能階低於該第一化合物之最高填滿分子軌域能階0.1eV至0.2eV，且該第二化合物之最低未填滿分子軌域(LUMO)能階低於該第一化合物之最低未填滿分子軌域能階0.1eV至0.2eV。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第一化合物之電洞移動率較高於該第二化合物之電洞移動率。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第一化合物及該第三化合物係分別獨立地以下列化學式1A表示之化合物：<化學式1A> 其中，在化學式1A中，R51、R59、R61及R62係與關於化學式1者相同。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第一化合物及該第三化合物係分別獨立地為下列化合物301：
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第二化合物及該第四化合物係分別獨立地為下列化學式2A至2K表示之化合物中之至少一者：<化學式2A> <化學式2B> <化學式2G> <化學式2H> 其中，在化學式2A至2K中，Ar1及Ar2係分別獨立地為經取代或未經取代之C5-C60之伸芳基；a及b係分別獨立地為0至5之整數；R1a、R1b及R3係分別獨立地為含氮原子基； R11、R19及R20係分別獨立地為經取代或未經取代之C1-C60之烷基及經取代或未經取代之C5-C60之芳香基；Z1至Z4係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)或-N(Q4)(Q5)，且若x或y為2以上，複數個Z1或Z2係相同或彼此不同；Q1至Q5係分別獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、氫氧基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、聯氨、腙、羧基及其鹽類、磺酸根及其鹽類、磷酸根及其鹽類、經取代或未經取代之C1-C60之烷基、經取代或未經取代之C2-C60之烯基、經取代或未經取代之C2-C60之炔基、經取代或未經取代之C1-C60之烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60之環烷基、經取代或未經取代之C5-C60之芳香基、經取代或未經取代之C5-C60之芳氧基、經取代或未經取代之C5-C60之芳硫基或經取代或未經取代之C2-C60之雜芳基； x為1至8之整數；以及y為1至3之整數。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第二化合物及該第四化合物係分別獨立地為下列化合物2、8、14、15、16、20、31及35中之至少一者：
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第一電荷產生材料及該第二電荷產生材料係分別獨立地為下列化合物501及502中之至少一者：
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第一化合物對該第二化合物之混合重量比係介於6：4至8：2之範圍內。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第三化合物對該第四化合物之混合重量比係介於6：4至8：2之範圍內。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其 中每一該第一混合層及該第二混合層之厚度係介於40nm至60nm之範圍內。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中基於100重量份之該第一電荷產生層，該第一電荷產生材料之量係為1至3重量份之範圍內。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中基於100重量份之該第二電荷產生層，該第二電荷產生材料之量係為1至3重量份之範圍內。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中每一該第一電荷產生層及該第二電荷產生層之厚度係介於10nm至20nm之範圍內。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該緩衝層包含化學式1表示之該化合物。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該緩衝層之厚度係介於0.1nm至30nm之範圍內。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第一混合層接觸該第一電荷產生層。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該第二混合層接觸該第二電荷產生層。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體，其中該有機發光二極體包含一電洞阻擋層、一電子傳輸層、一電子注入層以及具有電子傳輸功能及電子注入功能之一功能層中之至少一層，且該至少一層係介於該發光層及該第二電極之間。
  20. 一種平面顯示裝置，包含：包含一源極、一汲極、一閘極及一主動層之一電晶體；以及申請專利範圍第1項所述之該有機發光二極體，其中該有機發光二極體之該第一電極係電性連接該源極或該汲極。
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