TW201308436A - 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201308436A
TW201308436A TW101123387A TW101123387A TW201308436A TW 201308436 A TW201308436 A TW 201308436A TW 101123387 A TW101123387 A TW 101123387A TW 101123387 A TW101123387 A TW 101123387A TW 201308436 A TW201308436 A TW 201308436A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
lamp
sealing portion
lamp tube
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW101123387A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI492307B (zh
Inventor
Yukinori Aburatani
Toshiya Shimada
Kenji Shinozaki
Tomihiro Amano
Hiroshi Ashihara
Hidehiro Yanai
Masahiro Miyake
Shin Hiyama
Original Assignee
Hitachi Int Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Int Electric Inc filed Critical Hitachi Int Electric Inc
Publication of TW201308436A publication Critical patent/TW201308436A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI492307B publication Critical patent/TWI492307B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B5/14—Arrangements of heating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
    • H05B3/08—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders having electric connections specially adapted for high temperatures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D9/00—Cooling of furnaces or of charges therein
    • F27D2009/0002—Cooling of furnaces
    • F27D2009/0056—Use of high thermoconductive elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明之課題在於延長加熱基板用燈管的壽命。本發明之解決手段係構成一種基板處理裝置，其具備：受光室，其用以處理基板；基板支持部，其設於上述受光室內，用以支持基板；燈管，其具有燈管電氣配線以及密封部，該密封部係內包該燈管電氣配線且氣密地密封該燈管內之氣體，該燈管係對上述基板支持部所支持之基板照射光；燈管收容部，其設於上述受光室外，具有：上述燈管；燈管連結構件，其與上述燈管連結，對上述燈管電氣配線供給電流；吸熱構件，其由熱傳導率較上述密封部高之材料所構成，覆蓋上述密封部之周圍並接觸於上述密封部；以及基礎構件，其接觸於上述吸熱構件，用以固定上述吸熱構件；以及外部電氣配線，其連接於上述燈管連結構件，對上述燈管連結構件供給電流。

Description

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係有關例如半導體積體電路裝置(以下，稱為IC)等半導體裝置之製造裝置即基板處理裝置，特別是對製作有半導體積體電路之半導體基板(例如半導體晶圓)加熱並進行處理之基板處理裝置、以及使用該基板處理裝置之半導體裝置之製造方法。
於製造半導體裝置時，藉由將加熱至所期望溫度之半導體基板(晶圓)等置於充滿氣體之狀態下，進行各種處理。每次處理1片基板之單片式基板處理裝置係使用內包於支持基板之基板支持部之加熱器或配置成與基板支持部之基板支持面對向之燈管加熱機構等，對基板進行加熱。作為加熱及處理基板之基板處理裝置，已知有例如專利文獻1之裝置。
[習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-88347號公報
然而，在使用習知之燈管加熱機構對基板加熱時，存在有由來自燈管的光加熱燈管的密封部，而使燈管的壽命變短的情形。
因此，本發明之目的在於提供可延長加熱基板用之燈管的壽命之基板處理裝置、或使用該基板處理裝置之半導體裝置之製造方法。
為解決上述問題，本發明具代表性之基板處理裝置之構造係如下所示。亦即，一種基板處理裝置，其具備：受光室，其用以處理基板；基板支持部，其設於上述受光室內，用以支持基板；燈管，其具有燈管電氣配線以及密封部，該密封部係內包該燈管電氣配線且氣密地密封該燈管內之氣體，該燈管係對上述基板支持部所支持之基板照射光；燈管收容部，其設於上述受光室外，具有：上述燈管；燈管連結構件，其與上述燈管連結，對上述燈管電氣配線供給電流；吸熱構件，其由熱傳導率較上述密封部高之材料所構成，覆蓋上述密封部之周圍並接觸於上述密封部；以及基礎構件，其接觸於上述吸熱構件，用以固定上述吸熱構件；以及外部電氣配線，其連接於上述燈管連結構件，對上述燈管連結構件供給電流。
又，本發明具代表性之半導體裝置之製造方法之構成係如下所示。亦即，一種半導體裝置之製造方法，其使用具備以下構件之基板處理裝置：受光室，其用以處理基板； 基板支持部，其設於上述受光室內，用以支持基板；燈管，其具有燈管電氣配線以及密封部，該密封部係內包該燈管電氣配線且氣密地密封該燈管內之氣體，該燈管係對上述基板支持部所支持之基板照射光；燈管收容部，其設於上述受光室外，具有：上述燈管；燈管連結構件，其與上述燈管連結，對上述燈管電氣配線供給電流；吸熱構件，其由熱傳導率較上述密封部高之材料所構成，覆蓋上述密封部之周圍並接觸於上述密封部；以及基礎構件，其接觸於上述吸熱構件，用以固定上述吸熱構件；以及外部電氣配線，其連接於上述燈管連結構件，對上述燈管連結構件供給電流；該半導體之製造方法具有：將基板搬入上述受光室內，並將基板支持於上述基板支持部之步驟；將來自上述燈管的光照射於上述基板支持部所支持之基板之光照射步驟；以及自上述受光室內搬出基板之步驟。
根據上述構成，可延長加熱基板用之燈管的壽命。
於本實施形態中，作為一個例子，基板處理裝置構成為實施半導體裝置(IC)之處理步驟之半導體製造裝置。以下，使用圖式說明本發明一實施形態。
(1)基板處理裝置之構造
圖1係本發明實施形態之基板處理裝置10之整體構成圖，且為自上方觀察基板處理裝置10之示意圖。
圖2係表示圖1所示之基板處理裝置10之自負載鎖定室(load lock chamber)至處理室之概要的側視圖。
如圖1及圖2所示，基板處理裝置10具備有例如搬送室12、以搬送室12為中心所配置之負載鎖定室14a、14b、以及2個處理室16a、16b。於負載鎖定室14a、14b之上游側配置有於卡匣等之晶圓搬運盒(載架)與負載鎖定室14a、14b之間搬送基板之大氣搬送室(EFEM：Equipment Front End Module)20。於大氣搬送室20中配置有3台晶圓搬運盒(未圖示)，該晶圓搬運盒可在縱向上隔著一定間隔收容例如25片基板22。又，於大氣搬送室20內配置有未圖示之大氣機器人，該大氣機器人係於大氣搬送室20與負載鎖定室14a、14b之間例如每次搬送5片基板22。搬送室12、負載鎖定室14a、14b及處理室16a、16b係構成於以例如鋁(A 5052)等材料一體形成之容器(亦稱為裝置本體)的內部。
再者，負載鎖定室14a、14b係配置於與自負載鎖定室14a、14b側向處理室16a、16b側之軸成線對稱之位置，且具有彼此相同之構造。又，處理室16a、16b亦配置在與上述相同軸成線對稱之位置，且具有彼此相同之構造。以下，以負載鎖定室14a及處理室16a為中心進行說明。
如圖2所示，於負載鎖定室14a內，設置有於縱向上隔一定間隔收容例如25片晶圓等之基板22之基板支持體(晶舟)24。基板支持體24例如由碳化矽所構成，其具有上部板24c、下部板24d、以及連接上部板24c與下部板24d之例如3根支柱24a。於支柱24a之長度方向內側，沿長度方向排列例如25個為了以平行姿勢支持基板22之載置部(水平溝)24b。又，基板支持體24係構成為於負載鎖定室14a內沿垂直方向移動(朝上下方向移動)，同時以沿垂直方向延伸之旋轉軸為軸進行旋轉。藉由基板支持體24沿垂直方向移動，在分別設於基板支持體24之3根支柱24a的載置部24b之上表面，自後述指部對38每次同時移載2片基板22。又，藉由基板支持體24沿垂直方向移動，亦自基板支持體24對指部對38每次同時移載2片基板22。
如圖2所示，於搬送室12內設置有於負載鎖定室14a與處理室16a間搬送基板22之真空機器人36。真空機器人36具有設置由上指部38a及下指部38b所構成之指部對38之臂37。上指部38a及下指部38b例如為相同形狀，在上下方向以既定之間隔分離，分別自臂37大致水平地沿相同方向延伸，可各自同時支持基板22。臂37係以沿垂直方向延伸之旋轉軸為軸進行旋轉，並且沿水平方向移動，可同時搬送2片基板22。
如圖2所示，於處理室16a內設置有後述受光室50。於 受光室50內設置有基板支持部44a、44b。基板支持部44a與基板支持部44b間之空間係藉由隔間構件48分隔水平方向之一部分。經由真空機器人36搬入處理室16a內之2片基板22係構成為在分別載置於基板支持部44a、44b上之後，於受光室50內同時進行熱處理。關於包含熱處理之基板處理程序於後述。
於圖3至圖5中表示處理室16a之概要。如圖3所示，處理室16a之下部側(底部及側部)係由下側容器47所形成。下側容器47係構成由鋁等一體成型之上述裝置本體之一部分。處理室16a之上部開口係藉由設於下側容器47上部之蓋體46所閉塞。在蓋體46中對應於基板支持部44a、44b之位置係分別開口。於該等開口係分別設置作為加熱部之燈箱80a、80b。關於燈箱80a、80b之構造係於後述。如此，處理室16a之外殼係由下側容器47、蓋體46及燈箱80a、80b所形成。又，於蓋體46及燈箱80a、80b之下方，在基板支持部44a、44b之上方形成有受光室50(亦稱為處理空間)。如後述，支持於受光室50之基板支持部之基板係進行所期望之處理。
在蓋體46中對應於基板支持部44a、44b之位置，且於燈箱80a、80b之附近設置有氣體供給部51a、51b。於氣體供給部51a、51b之上游端(圖中上端)分別連接有未圖示之氣體供給管之下游端。於氣體供給管，自上游側依序設置有： 供給例如氮氣(N2)或稀有氣體(氬氣(Ar)或氦氣(He)等)等惰性氣體、或其他處理氣體之未圖示氣體供給源；作為流量控制裝置之氣體流量控制器；及開閉閥。藉此，構成可自氣體供給部51a、51b分別將氣體供給至受光室50內。再者，受光室50內係構成可藉由未圖示之泵，經由後述第1排氣口56、第2排氣口60、及第3排氣口62，形成達0.1Pa左右之真空。
如上述，基板支持部44a、44b係獨立地配置於受光室50內的相同空間內，分別設在受光室50內燈箱80a、80b的下方側。基板支持部44a、44b係形成圓盤狀。於基板支持部44a、44b之主面之內側、及下方側的面，分別設置有凸緣53a、53b。於凸緣53a、53b之下方連接有立設於下側容器47之支柱49。基板支持部44a、44b自下方由支柱49所支持，並且自側面由固定構件52所固定。
於基板支持部44a、44b之主面之內側、上方側的面(即對向於燈箱80a、80b之面)，分別設置有以水平姿勢支持基板22之基板支持面55a、55b。基板支持面55a、55b各自之高度較受光室50內之高度低。又，於基板支持部44a、44b內，設置有作為加熱部之加熱器45a、45b，且構成為可將載置於基板支持面55a、55b上之基板22昇溫至例如300℃。基板支持部44a、44b係分別由例如鋁(A 5052或A 5056等)等材料所形成。利用由如鋁般熱傳導率高之材質形成基 板支持部44a、44b，可有效率地將熱傳導至基板22。再者，基板支持部44a、44b亦可由例如石英或氧化鋁等非金屬耐熱材料所形成。於該情況下，可避免基板22受到金屬污染。
於基板支持部44a與基板支持部44b之間，配置有上述隔間構件48。隔間構件48係例如鋁(A 5052或A 5056等)、石英、及氧化鋁等所形成，構成為相對於下側容器47裝卸自如設置之例如角柱狀構件。
於基板支持部44a、44b之周圍，以圍繞各自之外周的方式配置排氣擋環54a、54b(參照圖4)。於排氣擋環54a、54b，沿周向設置有複數個孔部(第1排氣口)56(參照圖5)。於基板支持部44a、44b及排氣擋環54a、54b之下方，形成有第1排氣空間58(參照圖3)。第1排氣空間58係經由設於基板支持部44a、44b下方之第2排氣口60連通於受光室50下方側之空間。受光室50之下方側之空間係構成為可藉由未圖示之真空泵，經由設於下側容器47之第3排氣口62排氣。
因此，在排放自上述氣體供給部51a、51b所供給至受光室50內之氣體時，氣體係於供給至支持於基板支持部44a、44b之基板22之後，經由設於排氣擋環54a、54b之孔部56向第1排氣空間58排放。其次，排氣空間58之氣體在經由設於基板支持部44a、44b下方之第2排氣口60排放至受光室50之下方側之後，經由設於下側容器47之第3排氣口 62朝處理室16a之外部排放。
如圖4及圖5所示，於隔間構件48之一端側，配置有可搬送基板22之機器臂70。機器臂70向基板支持部44b搬送上述臂37所搬送之2片基板22中的1片，同時自基板支持部44b進行回收。機器臂70具有例如由氧化鋁陶瓷(純度99.6%以上)所構成之指部72(為了位置及水平的對位，指部72之基部係由金屬所構成)、及軸部71，於軸部71設置有進行旋轉及昇降之2軸之驅動單元(未圖示)。指部72具有較基板22更大之弧狀部72a，自此弧狀部72a向中心延伸之3個突起部72b係以既定之間隔設置。軸部71係構成為藉由水冷之磁氣密封，遮斷使受光室50成為真空之情形時的大氣。再者，隔間構件48及機器臂70係以不會完全分離受光室50內之空間之方式配置於受光室50內。
於基板支持部44a、44b，如圖6所示之基板保持銷74至少各3根沿垂直方向貫通。自搬送室12內經由真空機器人36所搬送至處理室16a內之基板22係構成為暫時載置在此等基板保持銷74上。基板保持銷74係沿上下方向昇降。又，如圖4及圖5所示，於基板支持部44a、44b之外周，分別設置3個縱向(上下方向)之溝部76，使指部72所具備之上述突起部72b可相對於基板支持部44a、44b之上表面自上方朝下方移動。
(2)燈箱之構造
接著，使用圖7至圖10說明關於本實施形態之作為加熱器之燈箱80a、80b之構造。
圖7係自側面觀察燈箱80及基板支持部44之圖。圖8係自上方面觀察燈箱80之圖。圖9係圖7之局部放大圖。圖10係表示燈管81之安裝構造的分解立體圖。燈管81係對支持在基板支持部44之基板22照射光。
作為燈管收容部之燈箱80a、80b主要係分別由複數個燈管81(81A至81L)、對應於各燈管81而分別固定燈管81之插座82、覆蓋各插座82之塊組83、燈座84、窗87、及側壁86所構成。插座82係與燈管81連結，構成將電流供給至燈管81之燈管連結構件。塊組83覆蓋並接觸插座82或後述密封部81s之周圍，並構成自密封部81s吸收熱之吸熱構件。燈座84構成用以使塊組83接觸而加以固定之基礎構件。插座82係由絕緣材料，例如陶瓷所形成，塊組83、燈座84、及側壁86係由熱傳導率較插座82高之金屬，例如鋁所形成。
由於燈箱80a、80b係相同之構造，因此，此處就以燈箱80進行說明。
如圖7所示，燈座84係由側壁86所支持。於燈座84與處理空間110之間，設置有窗87，用以隔開處理空間110之環境氣體與配設有燈管81之燈箱80內之空間之環境氣體。窗87係經由O形環94固定於側壁86。窗87較佳為由 不會使照射自燈管81之光之能階衰減的材質，例如石英所構成。
藉由成為此一構造，於燈管更換等之維修作業中，可不影響處理空間110之環境氣體，安全地且快速地更換燈管81。
假設，在卸下窗87而更換燈管81之情況時，存在有以下問題。例如，必須等待內裝於基板支持部44之加熱器45冷卻。而且，由於為了更換燈管而使受光室50內之處理空間110恢復為大氣壓力，因此必須再次將受光室50內抽成真空。
藉由成為上述構造，由於不需等待加熱器冷卻、及再次抽成真空，因此可實現維修時間的縮短。
於燈座84內部，設置有冷媒流動之冷卻流路92。於燈座84上，設置有用以閉塞冷卻流路92之蓋體85，以作為冷媒不會洩漏之構造。於冷卻流路92連接有冷媒供給管91及冷媒排出管93。自未圖示之冷媒源所流出之冷媒，自冷媒供給管91供給至冷卻流路92，自冷媒排出管93排出。
藉由成為此一構造，經由燈座84冷卻塊組83。藉由冷卻塊組83，可冷卻後述之密封部81s、插座82、及安裝於插座82之配線82c，可延長燈管81之壽命。配線82c係自燈箱80之外部將電流供給至插座82之外部電氣配線(參照圖9)。
如圖8所示，燈管81係配設為圓周狀。各燈管81係以可 個別獨立控制之方式連接於基板處理裝置10之控制器120。燈管81係以群組為單位進行管理。例如，81A、81D、81G、81J為第一群組，燈管81B、81E、81H、81K為第二群組，燈管81C、81F、81I、81L為第三群組。
各個群組的燈管係緊鄰地構成，藉由以群組為單位調整照度，調整照射於基板22之照度量。藉由調整各群組間的照度量，可均勻地加熱基板22。
從均勻地加熱基板22的觀點而言，設置燈管81之圓周之直徑，較佳為設為處理基板直徑>燈管設置之直徑>處理基板半徑之關係。此處，所謂燈管設置之直徑係指連結燈管81A~81L之中心所成之圓之直徑。
其次，說明關於燈管81之安裝構造。
如圖9所示，燈管81例如為鹵素燈泡，例如將鹵素氣體封入內裝有燈絲81f之例如石英製之燈泡81b內。燈管81為了以鹵素氣體不會漏出之方式密封，具有自石英製之燈泡81b連續形成之石英製之密封部81s。為了提高密封部81s之機械強度，可以例如陶瓷覆蓋密封部81s之石英表面。密封部81s係內包電氣連接於燈絲81f之鉬箔81m(燈管電氣配線)。鉬箔81m係電氣連接於以突出密封部81s外之方式所設置之插頭81p。
於插座82設置有用以插入插頭81p之插座孔82h，又，配線82c係電氣連接於插座孔82h。如此，構成為藉由燈管 81之插頭81p插入插座孔82h，使燈管81與插座82電氣連接。而且，藉由自外部電源(未圖示)將電流供給至配線82c(外部電氣配線)，使電流經由插座82(燈管連結構件)供給至燈管81之燈管電氣配線。
再者，於本實施形態中，雖然藉由插座孔82h及插頭81p進行燈管81與插座82之電氣連接，但亦可如家庭用之白熾燈泡，構成為將燈管81螺入插座82。
若使電流流至燈絲81f而點亮燈管81，則燈絲81f的溫度就會因燈絲81f之發熱而上昇。為了使密封部81s之石英不會因密封部81s之石英與鉬之熱膨脹率的差而損壞，鉬係以薄膜形成，使其容易隨石英之熱膨脹變形。藉由鉬箔81m隨密封部81s之石英之熱膨脹而變形，防止密封部81s之石英之損壞。
然而，由於鉬若達到350℃以上的高溫就非常容易氧化，因此有密封部81s因氧化導致體積膨脹而損壞之虞。因熱所導致密封部81s之損壞與鎢燈絲之熔斷，同為鹵素燈泡壽命較短的重要因素。因此，為了延長燈管81之壽命，就必須抑制密封部81s之溫度上昇。
以下，說明關於用以抑制密封部81s之溫度上昇之構造。
石英製密封部81s、陶瓷製插座82、及安裝於插座82之配線82c係由熱傳導率較陶瓷或石英高之鋁製之塊組83所覆蓋，塊組83係自上方埋入鋁製燈座84。換言之，塊組83 係自與處理基板之處理空間110不同的方向嵌入而固定於燈座84。
藉由此構造，由於可使密封部81s、插座82、及配線82c之熱容易移動至塊組83，因此可抑制密封部81s、插座82、及配線82c之溫度上昇。藉由抑制插座82及配線82c之溫度上昇，可抑制密封部81s之溫度上昇。
又，藉由上述構造，塊組83可衰減或遮斷自燈管81朝密封部81s、插座82、配線82c所照射的光。藉由設置塊組83，可衰減或遮斷自燈管81朝密封部81s、插座82、及配線82c所照射的光，藉此抑制密封部81s、插座82、及配線82c之溫度上昇。
如圖9所示，塊組83係由分割塊組83a及分割塊組83b所構成。藉由成為以塊組83a與塊組83b包夾插座82之構造，可使塊組83容易包覆密封部81s、插座82、及配線82c，又，可容易實現遮蔽自燈管81朝密封部81s、插座82、及配線82c所照射之光的構造。
詳細而言，於分割塊組83a及分割塊組83b，在其上下方向之中央附近，分別形成有水平方向之凹部。如圖9所示，藉由組合分割塊組83a及分割塊組83b，利用兩者之凹部於塊組83內部形成第1空間。構成為使插座82嵌入此第1空間。因此，覆蓋插座82之塊組83之內部形狀係形成與插座82之外部形狀大致相同。
又，在組合分割塊組83a及分割塊組83b的狀態下，於第1空間下方，在塊組83內部形成有第2空間。構成為使密 封部81嵌入此第2空間。因此，覆蓋密封部81s之內部形狀係形成與密封部81s之外部形狀大致相同。
於插座82之周圍設置有用來進行插座82與塊組83間之熱傳導之傳熱構件96(參照圖10)。藉由將傳熱構件96包夾於密封部82與塊組83之間，可提高插座82與塊組83間之熱傳導性。
於密封部81s之周圍設置有用來進行密封部81s與塊組83間之熱傳導之傳熱構件95(參照圖10)。藉由將傳熱構件95包夾於密封部81s與塊組83之間，可提高密封部81s與塊組83間之熱傳導性。
作為傳熱構件95及傳熱構件96，可使用具有容易變形之性質，熱傳導率較插座82及密封部81s高之材質，例如鋁製之帶(tape)。若使用鋁製之帶作為傳熱構件95及傳熱構件96，就可藉由將鋁製之帶捲繞於密封部81s及插座82之側面周圍，而容易形成傳熱構件95及傳熱構件96。
其次，進一步詳細地說明在本實施形態中燈管81之安裝構造。
如圖10所示，在燈管81之密封部81s之插頭81p(未圖示)插入插座82之狀態下，使鋁製之帶95捲繞於密封部81s之側面周圍，使鋁製之帶96捲繞於插座82之側面周圍。鋁製之帶95、96只要均勻地傳導熱即可，視情況，既可捲繞複數圈，亦可捲繞一圈。
其次，於用以形成配線用孔101之凹部101a、101b及用以形成配線用孔102之凹部102a、102b，分別配置配線82c。 其後，藉由分割塊組83a及分割塊組83b，從水平方向包夾插座82及密封部81s。
於該狀態下，將螺絲99a貫通設於分割塊組83a之螺孔104a及設於分割塊組83b之螺孔104b，並朝水平方向螺入螺孔104a及螺孔104b。又，將螺絲99b貫通設於分割塊組83a之螺孔105a及設於分割塊組83b之螺孔105b，並朝水平方向螺入螺孔105a及螺孔105b。
藉此，使捲繞有鋁製之帶之插座82及密封部81s，在熱傳導良好之狀態下，固定於塊組83。又，由於配線82c之被覆部壓抵於塊組83，因此，自燈絲81f傳導至配線82c之熱係容易傳導至塊組83。
其次，將螺絲98a貫通設於分割塊組83a之螺孔103a(未圖示)及設於高度調整塊組88之螺孔88a，並朝垂直方向螺入設於燈座84之螺孔84a。又，將螺絲98b貫通設於分割塊組83b之螺孔103b(未圖示)及設於高度調整塊組88之螺孔88b，並朝垂直方向螺入設於燈座84之螺孔84b。藉此，使塊組83經由高度調整塊組88固定於燈座84。
而且，將彈簧柱塞97a固定於沿垂直方向設在分割塊組83a之彈簧柱塞用孔107a，將彈簧柱塞97b固定於沿垂直方向設在分割塊組83b之彈簧柱塞用孔107b。彈簧柱塞97a、97b係內裝有按壓部，其以彈性構件，例如彈簧朝下方賦能。該按壓部係將插座82朝下方按壓。藉由此按壓，由於 在上述塊組83之第1空間之底部，插座82之底部自上方強力地接觸於塊組83(參照圖9)，因此可進一步提高插座82與塊組83間之熱傳導性。
如圖9所示，高度調整塊組88係配置於塊組83上部之凸緣部(水平方向之突出部)83f與燈座84之間。高度調整塊組88係用來調整燈管81相對於基板支持部44之高度之間隔件，例如為鋁製，並根據狀況僅在必要時使用。藉由使用高度調整塊組88，可吸收各燈管間個別燈管之高度差。又，由於高度調整塊組88為鋁製，因此藉由使用高度調整塊組88，可容易將塊組83之熱傳導至燈座84，其結果，可提高燈管之冷卻效率。
(3)基板處理方法
其次，使用圖11至圖13說明關於機器臂70搬送基板22之動作及作為本實施形態中半導體裝置製造方法之一步驟之基板處理方法。
於圖11至圖13中，表示機器臂70搬送基板22之過程。再者，於圖11至圖13中，為使機器臂70等之動作明確，故未圖示基板22。
首先，如圖11所示，真空機器人36之指部對38之上指部38a及下指部38b，各自將基板自搬送室12搬送至受光室50內(同時搬送2片基板22)，停止於基板支持部44a之上方。
此時，機器臂70之指部72係於基板支持部44a之上方，以位於2片基板22間之方式待命。
然後，在指部對38停止之狀態下，貫通基板支持部44a之3個基板保持銷74、及機器臂70移動至上方。在此，載置於下指部38b之基板22係移載至貫通基板支持部44a之3個基板保持銷74。又，載置於上指部38a之基板22係移載至指部72。移載2片基板22之指部對38係返回到搬送室12。
其次，如圖12所示，機器臂70係藉由軸部71旋轉，使指部72移動至基板支持部45b之上方。
然後，如圖13所示，指部72之各個突起部72b沿基板支持部45b之溝部76自上方朝下方移動，對貫通基板支持部44b之3個基板保持銷74移轉基板22。
其後，機器臂70之指部72係移動至較基板支持面55b之更下方。若機器臂70之指部72移動至下方，貫通基板支持部44a之3個基板保持銷74及貫通基板支持部44b之3個基板保持銷74就會移動至下方，下指部38b所搬送之基板22及上指部38a所搬送之基板22係以大致相同之時序分別載置於基板支持面55a、55b上。
又，機器臂70於不妨礙自氣體供給部51a、51b所供給之氣體自上方朝下方流動之狀態下，在基板22之處理中，亦可位於受光室50內。
載置於基板支持面55a、55b之基板22係藉由燈管81照射光，加熱至期望之溫度，例如470℃。
與基板之加熱處理並行地，自氣體供給部51a、51b供給處理氣體。供給例如氮氣(N2)作為處理氣體。於所供給之處理氣體之環境下，對基板22加熱，並進行既定之熱處理。
當既定之熱處理結束，就會從受光室50內將2片基板22搬送至搬送室12。於此情況下，機器臂70及指部對38係以相反之順序進行使用圖11至圖13所說明之動作。
根據以上所說明之實施形態，至少可獲得下述(1)至(8)之效果。
(1)由於燈管密封部或插座或其兩者係以熱傳導率較燈管密封部及插座高之塊組覆蓋，使其接觸於該塊組，因此可抑制燈管密封部之溫度上昇，其結果，可延長燈管壽命。
(2)由於使上述塊組接觸於具有冷卻流路之燈座，因此可進一步抑制燈管密封部之溫度上昇。
(3)由於以上述塊組覆蓋插座之外部電氣配線之方式插座之外部電氣配線接觸於該塊組，因此可進一步抑制燈管密封部之溫度上昇。
(4)由於使變形之傳熱構件(例如鋁箔)介存於燈管密封部或插座或其兩者、與上述塊組之間，因此，可進一步抑制燈管密封部之溫度上昇。
(5)由於藉由彈簧將插座壓抵於上述塊組，因此可進一步 抑制燈管密封部之溫度上昇。
(6)由於經由熱傳導率較燈管密封部及插座高之高度調整塊組將上述塊組安裝於燈座，因此可進一步抑制燈管密封部之溫度上昇。
(7)由於上述塊組係由複數個分割塊組所構成，因此可容易地以塊組覆蓋燈管密封部或插座或其兩者。又，可容易地以上述塊組覆蓋插座之配線。
(8)由於以塊組覆蓋燈管密封部或插座或插座之配線，使來自燈管的光不會照射燈管密封部或插座或插座之配線，因此可抑制燈管密封部之溫度上昇。
再者，本發明不限於上述實施形態，當然可在不悖離其要旨之範圍內進行各種變更。
於上述實施形態中，雖然燈管密封部、插座及插座之配線全都以塊組覆蓋，但亦可構成為以塊組覆蓋燈管密封部、插座及插座之配線中之一者。即便如此，仍可一定程度抑制燈管密封部之溫度上昇。
又，於上述實施形態中，雖然已說明關於對晶圓等基板實施處理之情形，但處理對象亦可為光罩或印刷配線基板、液晶面板、光碟及磁碟等。
於本說明書之記載中，至少包含以下構造。
第一構造係一種基板處理裝置，其具備：受光室，其用以處理基板； 基板支持部，其設於上述受光室內，用以支持基板；燈管，其具有燈管電氣配線以及密封部，該密封部係內包該燈管電氣配線，且氣密地密封該燈管內之氣體，該燈管係對上述基板支持部所支持之基板照射光；燈管收容部，其設於上述受光室外，具有：上述燈管；燈管連結構件，其與上述燈管連結，對上述燈管電氣配線供給電流；吸熱構件，其由熱傳導率較上述密封部高之材料所構成，覆蓋上述密封部之周圍並接觸於上述密封部；以及基礎構件，其接觸於上述吸熱構件，用以固定上述吸熱構件；以及外部電氣配線，其連接於上述燈管連結構件，對上述燈管連結構件供給電流。
第2構造係如上述第1構造所記載之基板處理裝置，上述吸熱構件係由熱傳導率較上述燈管連結構件高之材料所構成，並構成為覆蓋上述燈管連結構件之周圍且接觸於上述燈管連結構件。
第3構造係如上述第1構造或第2構造所記載之基板處理裝置，上述燈管收容部進一步具有介存在上述密封部與上述吸熱構件間之易變形的傳熱構件，上述傳熱構件係由熱傳導率較上述密封部及上述燈管連結構件高之材料所構成。
第4構造係如上述第1構造至第3構造所記載之基板處理裝置，上述基礎構件係構成為內包流冷媒所流動之冷卻流 路。
第5構造係如上述第1構造至第4構造所記載之基板處理裝置，上述吸熱構件係構成為覆蓋上述外部電氣配線之周圍且接觸於上述外部電氣配線。
第6構造係如上述第1構造至第5構造所記載之基板處理裝置，上述燈管連結構件係構成為藉由彈性構件壓抵於上述吸熱構件。
第7構組係如上述第1構組至第6構組所記載之基板處理裝置，上述吸熱構件係由複數個分割塊組所構成。
第8構造係如上述第1構造至第7構造所記載之基板處理裝置，上述吸熱構件係構成為對上述密封部或上述燈管連結構件或者上述密封部與上述燈管連結構件雙方不照射來自上述燈管的光，並遮蔽來自上述燈管的光。
第9發明係一種半導體裝置之製造方法，其使用具備以下構件之基板處理裝置：受光室，其用以處理基板；基板支持部，其設於上述受光室內，用以支持基板；燈管，其具有燈管電氣配線以及密封部，該密封部係內包該燈管電氣配線且氣密地密封該燈管內之氣體，該燈管係對上述基板支持部所支持之基板照射光；燈管收容部，其設於上述受光室外，具有：上述燈管；燈管連結構件，其與上述燈管連結，對上述燈管電氣配線供給 電流；吸熱構件，其由熱傳導率較上述密封部高之材料所構成，覆蓋上述密封部之周圍並接觸於上述密封部；以及基礎構件，其接觸於上述吸熱構件，用以固定上述吸熱構件；以及外部電氣配線，其連接於上述燈管連結構件，對上述燈管連結構件供給電流；該半導體之製造方法具有：將基板搬入上述受光室內，並將基板支持於上述基板支持部之步驟；將來自上述燈管的光照射於上述基板支持部所支持之基板之光照射步驟；以及自上述受光室內搬出基板之步驟。
10‧‧‧基板處理裝置
12‧‧‧搬送室
14a、14b‧‧‧負載鎖定室
16a、16b‧‧‧處理室
20‧‧‧大氣搬送室
22‧‧‧基板
24‧‧‧基板支持體(晶舟)
24a‧‧‧支柱
24b‧‧‧載置部
24c‧‧‧上部板
24d‧‧‧下部板
36‧‧‧真空機器人
37‧‧‧臂
38‧‧‧指部對
38a‧‧‧上指部
38b‧‧‧下指部
44、44a、44b‧‧‧基板支持部
45、45a、45b‧‧‧加熱器
46‧‧‧蓋體
47‧‧‧下側容器
48‧‧‧隔間構件
49‧‧‧支柱
50‧‧‧受光室
51a、51b‧‧‧氣體供給部
52‧‧‧固定構件
53a、53b‧‧‧凸緣
54a、54b‧‧‧排氣擋環
55a、55b‧‧‧基板支持面
56‧‧‧孔部(第1排氣口)
58‧‧‧第1排氣空間
60‧‧‧第2排氣口
62‧‧‧第3排氣口
70‧‧‧機器臂
71‧‧‧軸部
72‧‧‧指部
72a‧‧‧弧狀部
72b‧‧‧突起部
74‧‧‧基板保持銷
76‧‧‧溝部
80、80a、80b‧‧‧燈箱(燈管收容部)
81(81A~81L)‧‧‧燈管
81b‧‧‧燈泡
81f‧‧‧燈絲
81m‧‧‧鉬箔
81p‧‧‧插頭
81s‧‧‧密封部
82‧‧‧插座(燈管連結構件)
82c‧‧‧配線
82h‧‧‧插座孔
83‧‧‧塊組(吸熱構件)
83a、83b‧‧‧分割塊組
84‧‧‧燈座(基礎構件)
84a、84b‧‧‧螺孔
85‧‧‧蓋體
86‧‧‧側壁
87‧‧‧窗
88‧‧‧高度調整塊組
88a、88b‧‧‧螺孔
91‧‧‧冷媒供給管
92‧‧‧冷卻流路
93‧‧‧冷媒排出管
94‧‧‧O形環
95‧‧‧鋁箔(傳熱裝置)
96‧‧‧鋁箔(傳熱裝置)
97‧‧‧彈簧柱塞
97a、97b‧‧‧彈簧柱塞
98、98a、98b‧‧‧螺絲
99a、99b‧‧‧螺絲
101、102‧‧‧配線用孔
101a、101b‧‧‧凹部
102a、102b‧‧‧凹部
103、104、105‧‧‧螺孔
103a、103b‧‧‧螺孔
104a、104b‧‧‧螺孔
105a、105b‧‧‧螺孔
107‧‧‧彈簧柱塞用孔
107a、107b‧‧‧彈簧柱塞用孔
110‧‧‧處理空間
120‧‧‧控制器
圖1係表示本發明實施形態之基板處理裝置之概要的俯視圖。
圖2係表示本發明實施形態之自負載鎖定室至處理室之概要的側視圖。
圖3係表示本發明實施形態之處理室之概要的垂直剖視圖。
圖4係表示本發明實施形態之處理室之概要的立體圖。
圖5係表示本發明實施形態之處理室之概要的俯視圖。
圖6係表示本發明實施形態之基板保持銷之動作的立體圖。
圖7係表示本發明實施形態之加熱部之概要的垂直剖視圖。
圖8係表示本發明實施形態之加熱部之概要的俯視圖。
圖9係圖7之局部放大圖。
圖10係表示本發明實施形態之加熱部之構造的分解立體圖。
圖11係說明處理室16a之基板搬送方法之圖。
圖12係說明處理室16a之基板搬送方法之圖。
圖13係說明處理室16a之基板搬送方法之圖。
22‧‧‧基板
44‧‧‧基板支持部
80‧‧‧燈箱(燈管收容部)
81‧‧‧燈管
82‧‧‧插座(燈管連結構件)
83‧‧‧塊組(吸熱構件)
83a、83b‧‧‧分割塊組
84‧‧‧燈座(基礎構件)
85‧‧‧蓋體
86‧‧‧側壁
87‧‧‧窗
88‧‧‧高度調整塊組
91‧‧‧冷媒供給管
92‧‧‧冷卻流路
93‧‧‧冷媒排出管
94‧‧‧O形環
110‧‧‧處理空間

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：受光室，其用以處理基板；基板支持部，其設於上述受光室內，用以支持基板；燈管，其具有燈管電氣配線以及密封部，該密封部係內包該燈管電氣配線且氣密地密封該燈管內之氣體，該燈管係對上述基板支持部所支持之基板照射光；燈管收容部，其設於上述受光室外，具有：上述燈管；燈管連結構件，其與上述燈管連結，對上述燈管電氣配線供給電流；吸熱構件，其由熱傳導率較上述密封部高之材料所構成，覆蓋上述密封部之周圍並接觸於上述密封部；以及基礎構件，其接觸於上述吸熱構件，用以固定上述吸熱構件；以及外部電氣配線，其連接於上述燈管連結構件，對上述燈管連結構件供給電流。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述吸熱構件係由熱傳導率較上述燈管連結構件高之材料所構成，並構成為覆蓋上述燈管連結構件之周圍且接觸於上述燈管連結構件。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述燈管收容部進一步具有介存在上述密封部與上述吸熱構件間之易變形的傳熱構件，上述傳熱構件係由熱傳導率較上述密封部及上述燈管連結構件高之材料所構成。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述吸熱構件係構成為覆蓋上述外部電氣配線之周圍且接觸於上述外部電氣配線。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述燈管連結構件係構成為藉由彈性構件壓抵於上述吸熱構件。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述吸熱構件係構成為對上述密封部或上述燈管連結構件或者上述密封部與上述燈管連結構件雙方不照射來自上述燈管的光，並遮蔽來自上述燈管的光。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，其使用具備以下構件之基板處理裝置：受光室，其用以處理基板；基板支持部，其設於上述受光室內，用以支持基板；燈管，其具有燈管電氣配線以及密封部，該密封部係內包該燈管電氣配線且氣密地密封該燈管內之氣體，該燈管係對上述基板支持部所支持之基板照射光；燈管收容部，其設於上述受光室外，具有：上述燈管；燈管連結構件，其與上述燈管連結，對上述燈管電氣配線供給電流；吸熱構件，其由熱傳導率較上述密封部高之材料所構成，覆蓋上述密封部之周圍並接觸於上述密封部；以及基礎構件，其接觸於上述吸熱構件，用以固定上述吸熱構件；以及 外部電氣配線，其連接於上述燈管連結構件，對上述燈管連結構件供給電流；該半導體之製造方法具有：將基板搬入上述受光室內，並將基板支持於上述基板支持部之步驟；將來自上述燈管的光照射於上述基板支持部所支持之基板之光照射步驟；以及自上述受光室內搬出基板之步驟。
TW101123387A 2011-07-01 2012-06-29 The method of manufacturing a substrate processing apparatus and a semiconductor device TWI492307B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011147105 2011-07-01
JP2012141686A JP6038503B2 (ja) 2011-07-01 2012-06-25 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201308436A true TW201308436A (zh) 2013-02-16
TWI492307B TWI492307B (zh) 2015-07-11

Family

ID=47438919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101123387A TWI492307B (zh) 2011-07-01 2012-06-29 The method of manufacturing a substrate processing apparatus and a semiconductor device

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9082797B2 (zh)
JP (1) JP6038503B2 (zh)
KR (1) KR101391301B1 (zh)
TW (1) TWI492307B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2014625B1 (en) * 2015-04-13 2017-01-06 Suss Microtec Lithography Gmbh Wafer treating device and sealing ring for a wafer treating device.
WO2017169032A1 (ja) 2016-03-28 2017-10-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、温度測定ユニット及び半導体装置の製造方法
JP6368743B2 (ja) 2016-06-22 2018-08-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP7433936B2 (ja) 2020-01-31 2024-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4841422A (en) * 1986-10-23 1989-06-20 Lighting Technology, Inc. Heat-dissipating light fixture for use with tungsten-halogen lamps
JP3109271B2 (ja) * 1992-08-26 2000-11-13 村田機械株式会社 双糸の糸継装置
US5263874A (en) * 1993-03-09 1993-11-23 Miller Jack V Thermally controlled bi-pin lamp socket
US5329436A (en) * 1993-10-04 1994-07-12 David Chiu Removable heat sink for xenon arc lamp packages
JP3377577B2 (ja) * 1993-12-20 2003-02-17 オリンパス光学工業株式会社 光源装置
JP3972379B2 (ja) * 1995-12-14 2007-09-05 信越半導体株式会社 加熱炉
JP3996663B2 (ja) * 1996-02-28 2007-10-24 東京エレクトロン株式会社 ランプ加熱型熱処理装置
JPH09237611A (ja) * 1996-02-29 1997-09-09 Iwasaki Electric Co Ltd 放熱体付ハロゲン電球
US6072160A (en) * 1996-06-03 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing the efficiency of radiant energy sources used in rapid thermal processing of substrates by energy reflection
JP3733811B2 (ja) 1999-02-16 2006-01-11 ウシオ電機株式会社 光照射式加熱処理装置
JP3555536B2 (ja) * 2000-01-31 2004-08-18 ウシオ電機株式会社 ランプユニット
US7075037B2 (en) * 2001-03-02 2006-07-11 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus using a lamp for rapidly and uniformly heating a wafer
JP4828031B2 (ja) 2001-03-02 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 ランプ、ランプを用いた熱処理装置
JP2005530344A (ja) * 2002-06-12 2005-10-06 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド プラズマ窒化ゲート誘電層における窒素プロフィルを改善する方法
US6947665B2 (en) * 2003-02-10 2005-09-20 Axcelis Technologies, Inc. Radiant heating source with reflective cavity spanning at least two heating elements
JP2005071689A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Ushio Inc ベース付ランプ
US7522822B2 (en) * 2004-01-06 2009-04-21 Robert Trujillo Halogen lamp assembly with integrated heat sink
US7147359B2 (en) * 2004-06-25 2006-12-12 Applied Materials, Inc. Lamp assembly having flexibly positioned rigid plug
US7509035B2 (en) * 2004-09-27 2009-03-24 Applied Materials, Inc. Lamp array for thermal processing exhibiting improved radial uniformity
US7612491B2 (en) 2007-02-15 2009-11-03 Applied Materials, Inc. Lamp for rapid thermal processing chamber
US9536728B2 (en) * 2007-02-15 2017-01-03 Applied Material, Inc. Lamp for rapid thermal processing chamber
JP2009088347A (ja) 2007-10-01 2009-04-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5077018B2 (ja) 2008-03-31 2012-11-21 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US8294068B2 (en) * 2008-09-10 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing lamphead with improved cooling
JPWO2011021549A1 (ja) * 2009-08-18 2013-01-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI492307B (zh) 2015-07-11
US20130012035A1 (en) 2013-01-10
KR20130007478A (ko) 2013-01-18
KR101391301B1 (ko) 2014-05-02
JP2013033946A (ja) 2013-02-14
US9082797B2 (en) 2015-07-14
JP6038503B2 (ja) 2016-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6467491B1 (en) Processing apparatus and processing method
WO2011021549A1 (ja) 熱処理装置
TWI492307B (zh) The method of manufacturing a substrate processing apparatus and a semiconductor device
JP3966594B2 (ja) 予備真空室およびそれを用いた真空処理装置
KR20010062475A (ko) 이중기판 로드록 프로세스 장비
JP2002505189A (ja) 真空処理チャンバ内側表面の原位置における清浄
TWI646602B (zh) 熱處理方法及熱處理裝置
TWI659473B (zh) 熱處理方法及熱處理裝置
JP6005966B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP2000208589A (ja) 処理装置
KR101877403B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2002261148A (ja) 処理システム及び被処理体の予熱方法
JPH09104982A (ja) 基板処理装置
CN110896030A (zh) 热处理方法及热处理装置
JP2004506310A (ja) 半導体ウェハ加工装置及び半導体ウェハ加工方法
KR20180098448A (ko) 잔류 가스 제거 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비
TWI514446B (zh) Ion implantation method, transfer container and ion implantation device
JP3996663B2 (ja) ランプ加熱型熱処理装置
JP2000323554A (ja) 処理装置
TW201426874A (zh) 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法
TWI757561B (zh) 熱處理方法
CN112599469A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JP2000306851A (ja) 枚葉式の処理装置
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
JP2020136307A (ja) 熱処理方法および熱処理装置