JP3996663B2

JP3996663B2 - ランプ加熱型熱処理装置

Info

Publication number: JP3996663B2
Application number: JP31715096A
Authority: JP
Inventors: 亘大加瀬; 一二青木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1996-02-28
Filing date: 1996-11-13
Publication date: 2007-10-24
Anticipated expiration: 2016-11-13
Also published as: JPH10144619A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ランプ加熱型熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、被処理体である半導体ウエハに酸化、拡散、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、アニールなどの処理を行うために、各種の熱処理装置が使用されている。この種の熱処理装置の一つとして、熱源に加熱ランプを使用したランプ加熱型熱処理装置が知られている。このランプ加熱型熱処理装置は、半導体ウエハを収容する処理室に透過窓を介して複数の加熱ランプを配置し、こられ加熱ランプにより上記半導体ウエハを加熱するようになっている。
【０００３】
このようなランプ加熱型熱処理装置においては、上記加熱ランプの過熱による耐久性の低下を防止するために、加熱ランプ群の全体に冷却エアを吹き付けて冷却することが行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記ランプ加熱型熱処理装置においては、加熱ランプ群全体に冷却エアを吹き付けて冷却する構造上、全ての加熱ランプを均一に冷却することが困難であった。
【０００５】
加熱ランプとしては、通常、ハロゲンランプが使用され、このハロゲンランプにおいては、フィラメントの成分（タングステン）が蒸発してハロゲン化合物となり、このハロゲン化合物が分解して上記成分がフィラメントに戻るというハロゲンサイクルを繰り返す。ところが、ランプ本体（バルブともいう）の表面に温度むらが生じると、温度の低い部分にハロゲン化合物が付着生成して上記ハロゲンサイクルの円滑な継続が困難となり、上記フィラメントが断線しやすくなり、加熱ランプの耐久性が低下（ランプ寿命の短縮化）する。
【０００６】
また、加熱ランプの封止部は、通常、導電材（モリブデン箔）にランプ本体の石英ガラスを密着させて封止した構造を有している。このため、上記封止部が過熱すると、導電材と石英ガラスの熱膨張差により両者間に隙間が発生して、ハロゲンガスが漏れやすくなり、加熱ランプの耐久性が低下する。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、加熱ランプの耐久性の向上が図れるランプ加熱型熱処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のうち請求項１に係る発明は、処理室に透過窓を介して基台に複数の加熱ランプおよび反射体を配設してなる加熱部を設け、この加熱部により上記処理室内の被処理体を加熱するランプ加熱型熱処理装置において、上記加熱部の基台を冷却構造とし、この基台に各加熱ランプの封止部側からランプ本体側へ冷却気体を通風させる通風口を設けると共に、この通風口に冷却気体を整流する整流体を設け、上記整流体が上記加熱ランプの封止部から上記通風口の出口側へ向って末広がり状に形成されかつ上記基台側から上記加熱ランプの封止部の側部に圧接された熱伝導性を有する板バネからなることを特徴とする。
【０００９】
請求項２に係る発明は、処理室に透過窓を介して基台に複数の加熱ランプおよび反射体を配設してなる加熱部を設け、この加熱部により上記処理室内の被処理体を加熱するランプ加熱型熱処理装置において、上記加熱部の基台に各加熱ランプの封止部側からランプ本体側へ冷却気体を通風させる通風口を設けると共に、この通風口に冷却気体を整流する整流体を設け、この整流体に上記封止部の温度を管理するための温度センサを設けたことを特徴とする。
【００１０】
請求項３に係る発明は、上記処理室内には上記被処理体を支持する支持体が上記処理室の底部開口を内側から塞ぐように設けられ、上記処理室の底部には上記透過窓が上記底部開口を外側から塞ぐように気密に設けられ、上記処理室の底部側外側には上記加熱部を収容する加熱室が上記透過窓を介して連設され、上記処理室の側部には上記支持体と上記透過窓との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給口が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
請求項４に係る発明は、上記整流体には、通気孔が穿設されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項５に係る発明は、上記整流体には、上記通気孔の近傍に整流効果を上げるためのガイドが設けられていることを特徴とする。
【００１３】
【実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００１４】
先ず、本発明が適用されるランプ加熱型熱処理装置を含む複数の処理室を備えたマルチチャンバ型処理装置の概略的平面構成を示す図２において、１は搬送機能を備えたロードロック型の移載室であり、この移載室１の前部にはゲートバルブＧ１，Ｇ２を介して第１のカセット室２Ａおよび第２のカセット室２Ｂが接続されている。これらカセット室２Ａ，２Ｂは、複数枚（例えば２５枚）の被処理体例えば半導体ウエハＷを所定の間隔（例えば５ｍｍ間隔）で収容する容器たるカセット３を収容するチャンバとして形成されている。
【００１５】
例えば、第１のカセット室２Ａ内には、未処理ウエハ用のカセットが収容され、第２のカセット室２Ｂ内には、処理済みウエハ用のカセットが収容される。上記カセット室２Ａ，２Ｂには、外部との間を開閉するゲートバルブＧ３，Ｇ４が設けられ、カセット室２Ａ，２Ｂ内には、上記カセット３をウエハＷが水平な状態で支持するアームを有してカセット３を外部との間で上記ゲートバルブＧ３，Ｇ４を介して搬入搬出するカセット搬入搬出機構（図示省略）と、搬入されたカセット３を上記アームから受け取って高さ調整可能に支持する昇降可能なカセットステージ４を備えている。
【００１６】
上記移載室１内には、移載機構５と、ウエハＷの中心およびオリエンテーションフラット（オリフラともいう）の位置合せを行うための回転ステージ６とが配設されている。この回転ステージ６は、ウエハＷの周縁位置を検知する図示しない光センサおよび移載機構５とともにウエハＷの位置合せ機構を構成している。例えばウエハＷの中心が回転ステージ６の中心からずれていることが検出された場合には、移載機構５によりウエハＷの位置を修正する。
【００１７】
上記移載機構５は、水平方向に回転および伸縮可能なアーム、例えば多関節アームからなり、先端には支持したウエハＷを真空吸着により保持する吸引孔７を有していることが好ましい。移載機構５は、上記第１ないし第２のカセット室２Ａ，２Ｂ内のカセット３と、上記回転ステージ６と、後述の処理室１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃとの間でウエハＷの移載を行うように構成されている。
【００１８】
上記移載室７の前部を除く周囲には、ゲートバルブＧ９〜Ｇ１１を介して第１〜第３の処理室１０Ａ〜１０Ｃが接続され、これら処理室１０Ａ〜１０Ｃは減圧ポンプにより所定の圧力例えば１０^-3〜１０^-8Ｔｏｒｒに減圧されるようになっている。上記処理室１０Ａ〜１０Ｃは、同一の処理を行なうように構成されていてもよく、あるいは異なる処理を行なうように構成されていてもよい。
【００１９】
上記移載室１は、ゲートバルブＧ１，Ｇ２を開いてカセット室２Ａ，２Ｂと連通するに際してカセット室２Ａ，２Ｂ内と同じ圧力、例えば大気圧とされ、ゲートバルブＧ１，Ｇ２を閉じ、ゲートバルブＧ５，Ｇ６，Ｇ７を開いて第１〜第３の何れかの処理室１０Ａ〜１０Ｃと連通するに際して処理室１０Ａ〜１０Ｃ内とほぼ同じ圧力とされるように圧力制御されるように構成されている。カセット室２Ａ，２Ｂ内および移載室１内は、カセット室２Ａ，２Ｂと移載室１とを連通するに際して不活性ガス例えば窒素ガスを導入して大気圧の不活性ガス雰囲気にすることが好ましい。
【００２０】
上記処理室１０Ａ〜１０Ｃの少なくとも一つは、ランプ加熱型熱処理装置、例えばランプ加熱型枚葉式減圧ＣＶＤ装置の処理室１０として構成されている。この処理室１０は、図１に示すように例えばアルミニウム合金により円筒状に形成されており、処理室１０内にはウエハＷを支持する支持体としてのサセプタ１１が処理室１０の底部開口を内側から塞ぐように水平に設けられている。
【００２１】
上記サセプタ１１は、ウエハＷを載置し、後述する加熱部１２からの光エネルギー（熱線）を吸収して熱伝導により所定の温度例えば５００〜７００℃に加熱するために、例えばカーボン（Ｃ）、あるいはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）により円盤状に形成されていることが好ましい。また、上記サセプタ１１には、その温度管理を行なうために底面部等に温度センサが設けられていることが好ましい。
【００２２】
処理室１０の上部は、蓋体１３で気密に塞がれ、この蓋体１３には処理ガス、クリーニングガス、不活性ガス等を処理室内に導入するためにガス源に通じるガス供給口１４ａ，１４ｂが設けられている。また、上記蓋体１３には、ウエハＷの被処理面に処理ガスをシャワー状に均一に供給するガス供給部として多孔構造のシャワーヘッド１５が上記サセプタ１１と対向して設けられている。上記処理ガスの供給を更に均一にするために、上記ガス供給口１４ａ，１４ｂとシャワーヘッド１５との間には多孔板１６ａ，１６ｂが適宜段数配置されていることが好ましい。
【００２３】
上記処理室１０の側部には、ウエハＷを搬入搬出する出入口１７およびこの出入口１７を開閉するゲートバルブＧが設けられている。また、処理室１０の側部には、減圧ポンプ等に通じる排気口１８が設けられている。
【００２４】
上記処理室１０の底部には、透過窓１９が底部開口を外側から塞ぐように図示しない気密材例えばＯリングを介して気密に設けられている。上記透過窓１９は、加熱部１２からの光エネルギーを効率よく透過する材質、例えば石英ガラスにより形成されている。また、透過窓１９は、耐圧性や薄肉化を図るために外側に膨らんだ曲面状に形成されていることが好ましい。
【００２５】
上記サセプタ１１の裏側に処理ガスが回り込んで透過窓１９等に付着生成して温度むらの発生原因となるのを防止するために、処理室１０の側部には不活性ガス（例えば窒素ガス）あるいはエアなどを上記サセプタ１１と透過窓１９との間の空間に供給するガス供給口２０が設けられている。また、上記サセプタ１１と透過窓１９との間には、上記不活性ガスをサセプタ１１の裏面に温度むらを生じさせないように均一に供給するための多孔を有する石英製のバッファープレート２１が設けられている。上記サセプタ１１の裏面に供給された不活性ガスが、サセプタ１１と処理室１０との間の隙間を通って減圧側の処理室１０内へと流れることにより、サセプタ１１の裏側への上記処理ガスの回り込みが防止される。
【００２６】
上記処理室１０の底部側外側には、上記透過窓１９を介して加熱室２２が連設され、この加熱室２２内に上記加熱部１２が水平に回転可能に収容されている。上記加熱部１２は、ターンテーブルを構成する基台２３を有し、この基台２３に熱源としての複数の加熱ランプ２４および反射体２５が配設されている。
【００２７】
上記基台２３は、例えばアルミニウム合金により円盤状に形成され、内部に冷媒通路２６を有する冷却構造、例えば冷媒として常温の冷却水を用いる水冷構造とされている。上記反射体２５は、図３にも示すように各加熱ランプ２４のランプ本体２４ａの周囲を囲んで上方へ拡開された形状に形成され、例えばアルミニウム合金からなる母材の表面に金メッキを施してなる。
【００２８】
上記加熱室２２は、円筒状に形成され、その内部が上記基台２３により上下に仕切られている。上記加熱室２の側部には、基台２３を境として上記基台２３の裏面側（下方）に冷却気体、例えば常温の空気（冷却エアともいう）を供給する給気口２７が、反対側（上方）に排気口２８が設けられ、上記給気口２７には冷却エアを供給する図示しないブロワが接続されている。
【００２９】
上記加熱ランプ２４は、例えばハロゲンランプからなり、図５に示すように石英ガラス製のランプ本体（バルブ）２４ａを有している。このランプ本体２４ａは、両端にモリブデン箔からなる導電材２９を有するタングステン製のフィラメント３０を挿入してハロゲンガスを封入し、その導電材２９に石英ガラスを密着させて封止されている。ランプ本体２４ａの封止部分には、上記導電部２９に電気的に接続された端子３１を有する例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）製のほぼ直方体状の封止部２４ｂが設けられている。
【００３０】
上記基台２３には、図３ないし図４に示すように加熱ランプ２４の封止部２４ｂを挿入する挿入口３２が設けられ、基台２３の下部（裏面）における上記封止部２４ｂと対応する位置には封止部２４ｂの端子３１を挿入するソケット３３が取付けられている。このソケット３３は、その長手方向両端部に有する図示しないブラケットを介して基台２３にネジ止めにより取付けられている（図示省略）。
【００３１】
上記基台２３には、上記加熱ランプ２４の封止部２４ｂ側からランプ本体２４ａ側へ冷却気体である冷却エアを通風させる通風口３４が設けられ、その通風口３４には冷却エアを整流する整流体３５が設けられている。図示例の通風口３４は、上記封止部２４ｂの両長辺側に配設され、封止部２４ｂの挿入口３２と連続して形成されている。
【００３２】
上記整流体３５は、上記加熱ランプ２４の封止部２４ｂから上記通風口３４の出口側へ向って末広がり状に形成され、かつ上記基台２３側から上記加熱ランプ２４の封止部２４ｂの側部に圧接された板バネからなっている。この板バネの材質としては、熱伝導性等に優れた例えばリン青銅が好ましい。
【００３３】
上記板バネは方形に形成され、その一端が基台２３の上面部に反射体２５との間で挟持されるように固定され、他端が通風口３４内下方へ湾曲されて封止部２４ｂの長辺側側面部に面接触で圧接されて、封止部２４ｂの両側に対称に配設されている。また、上記板バネには、ランプ本体２４ａの側面よりも外側に位置させて通気孔３６が穿設されている。上記整流体３５によって、封止部２４ｂ側からランプ本体２４ａ側へ流れる冷却エアの流速が１〜３ｍ／ｓ程度に制御されることが好ましい。
【００３４】
冷却エアが通風口３４を通過する際に、先ず封止部２４ｂの側部を通ってこれを冷却し、次いで整流体３５により径方向外方へ導かれて通気孔３６からランプ本体２４ａと反射体２５との間の空間（環状空間）３７に流れ、ランプ本体２４ａを冷却するようになっている。また、上記整流体３５が熱伝導性を有する板バネにより形成され、冷却構造（水冷構造）の基台２３から封止部２４ｂの側面部に圧設されていることにより、接触不良を生じることなく封止部２４ｂを熱伝導で確実に冷却し、冷却効率の向上が図れるように構成されている。
【００３５】
このような冷却構造により上記ランプ本体２４ａを、過熱させず、かつハロゲンサイクルを円滑に継続し得る所定の温度、例えば２５０〜８００℃、好ましくは５００〜６００℃に冷却するようになっている。また、封止部２４ｂを、導電部２９と石英ガラスとの間に熱膨張差により微少リークを発生させない所定の温度、例えば３５０℃以下、好ましくは２００〜３００℃に冷却するようになっている。
【００３６】
上記整流体３５には、封止部２４ｂの温度管理を行なうために、例えば熱電対からなる温度センサ３８が設けられていることが好ましい。この場合、上記温度センサ３８の温度検出に基づくフィードバック制御により、例えば上記基台２３に供給する冷却水の流量等を制御し、上記封止部２４ｂの温度管理を行なうようにするとよい。
【００３７】
上記基台２３は、図１に示すように上記加熱室２２の底部に貫通する状態で軸受３９を介して回転可能に支持された回転体４０の上端部に複数の支持腕４０ａを介して周縁部が支持されており、その回転体４０には回転駆動部である電動モータ４１がプーリ４２ａ，４２ｂおよびベルト４３を介して連結されている。また、上記回転体４０には、電源側の給電端子４４から電力を上記加熱ランプ２４のソケット３３に給電するためのスリップリング４５が設けられると共に、回転体４０の軸芯部を通って上記基台２３の冷媒通路２６に冷媒例えば冷却水を給排するための冷媒給排ヘッダ４６が設けられている。
【００３８】
次に、以上のように構成されたランプ加熱型熱処理装置の作用について述べる。先ず、給電端子４４からスリップリング４５を介して加熱部１２の加熱ランプ２４に給電し、加熱ランプ２４を点灯させると共に、電動モータ４１の駆動で加熱部１２を回転させる。また、冷媒給排ヘッダ４６から冷媒である例えば冷却水を上記加熱部１２の基台２３の冷媒通路２６に供給循環させて基台２３および反射体２５を冷却すると共に、加熱室２２内に給気口２７から冷却気体である例えば冷却エアを供給して加熱部１２を後述するように冷却（空冷）する。
【００３９】
上記加熱ランプ２４の点灯により、光エネルギーが透過窓１９およびバッファープレート２１を介してサセプタ１１の裏面に照射され、その光エネルギーを吸収してサセプタ１１が昇温し、熱伝導により、サセプタ１１の上面に載置されたウエハＷを所定の処理温度まで面内均一に加熱する。ウエハＷを収容した処理室１０内は、排気口１８からの減圧排気により所定の減圧状態に維持され、この状態で処理ガス供給口１４ａからシャワーヘッド１５を介して処理ガスを上記加熱状態のウエハＷの被処理面に供給することにより、ウエハＷの被処理面にはＣＶＤ法による成膜処理が面内均一に施される。
【００４０】
上記加熱部１２においては、基台２３の下方に供給された冷却エアが基台２３に設けられた通風口３４を通って各加熱ランプ２４の封止部２４ｂ側からランプ本体２４ａ側へ流れ、封止部２４ｂおよびランプ本体２４ａをそれぞれ冷却（空冷）する。この場合、上記通風口３４に設けられた整流体３５により冷却エアが整流されてランプ本体２４ａと反射体２５との間の空間（環状空間）３７に供給されるため、ランプ本体２４ａの下面部ｄ等を局部的ないし直接的に直接冷却することなくランプ本体２４ａを均一に冷却することが可能となる。なお、冷却エアは、両側の整流体３５の通気孔３６を通って上記ランプ本体２４ａと反射体２５との間の空間３７に吹き出されるが、その際に上記空間（環状空間）３７における通気孔３６のない領域にも回り込んで流れるため、ランプ本体２４ａに冷却むらが生じることはない。
【００４１】
このように上記ランプ加熱型熱処理装置によれば、加熱部１２の各加熱ランプ２４の封止部２４ｂおよびランプ本体２４ａをそれぞれ所定の温度に冷却するように構成されているため、加熱ランプ２４の過熱や冷却むらに起因する不具合を防止することができ、加熱ランプ２４の耐久性の向上が図れる。特に、複数の加熱ランプ２４および反射体２５が配設される基台２３に各加熱ランプ２４の封止部２４ｂ側からランプ本体２４ａ側へ冷却エアを通風させる通風口３４を設けると共に、この通風口３４に冷却エアを整流する整流体３５を設けているため、各加熱ランプ２４の封止部２４ｂおよびランプ本体２４ａをそれぞれ所定の適切な温度に冷却することが可能となる。
【００４２】
また、上記処理室１０には加熱部１２を収容する加熱室２２が連設され、この加熱室２２には上記基台２３を境としてその裏面側に冷却エアを供給する給気口２７と、反対側から排気する排気口２８とが設けられているため、上記基台２３に設けられた各通風口３４に加熱ランプ２４の封止部２４ｂ側からランプ本体２４ａ側へ冷却エアを円滑に通風させることが可能となり、封止部２４ｂおよびランプ本体２４ａを効率よく冷却することができる。更に、上記基台２３が冷却構造とされると共に、整流体３５が加熱ランプ２４の封止部２４ｂから通風口３４の出口側へ向って末広がり状に形成され、かつ基台２３側から加熱ランプ２４の封止部２４ｂの側部に圧接された熱伝導性を有する板バネからなっているため、接触不良を生じることなく基台２３側からの熱伝導により封止部２４ｂを確実に冷却することが可能となり、冷却効率の更なる向上が図れる。
【００４３】
また、上記整流体３５には封止部２４ｂの温度を管理するための温度センサ３８が設けられているため、フィードバック制御により例えば上記基台２３に供給する冷却水の流量を制御するなどして、封止部２４ｂの温度を容易に管理することが可能となり、加熱ランプ２４の耐久性の更なる向上が図れる。
【００４４】
以上、本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。例えば、整流体３５には、図６に示すように通気孔３６の近傍に整流効果を上げるためのガイド４７を設けてもよい。また、整流体３５には、図７に示すようにランプ本体２４ａの下面部ｄに局部的冷却を生じさせることなく微少な冷却エアを供給する補助通気口３６ａを設けてもよく、この場合、図８に示すようにランプ本体２４ａに下面部ｄをカバーするように例えば石英製のフィン４８を設けてもよい。
【００４５】
基板２３に設けられる通風口３４は加熱ランプ２４の封止部２４ｂの周囲に連続的もしくは間欠的に設けられていてもよく、整流体３５も周方向に連続したベルマウス状に形成されていてもよい。冷却気体としては、冷却エア以外に不活性ガス例えば窒素ガス等であってもよい。本発明が適用されるランプ加熱型熱処理装置としては、ＣＶＤ処理以外に例えば酸化、拡散、アニール等の処理を行なうものであってもよい。また、ランプ加熱型熱処理装置としては、サセプタを介さずに半導体ウエハを加熱ランプの光エネルギーにより直接加熱するものであってもよい。被処理体としては、半導体ウエハ以外に例えばＬＣＤ基板等も適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【００４７】
（１）請求項１に係る発明によれば、加熱部の基台を冷却構造とし、この基台に各加熱ランプの封止部側からランプ本体側へ冷却気体を通風させる通風口を設けると共に、この通風口に冷却気体を整流する整流体を設け、上記整流体が上記加熱ランプの封止部から上記通風口の出口側へ向って末広がり状に形成されかつ上記基台側から上記加熱ランプの封止部の側部に圧接された熱伝導性を有する板バネからなっているため、各加熱ランプの封止部およびランプ本体をそれぞれ所定の適切な温度に冷却することが可能となり、加熱ランプの耐久性の向上が図れると共に、接触不良を生じさせることなく基台側からの熱伝導により封止部を確実に冷却することが可能となり、冷却効率の向上が図れる。
【００４８】
（２）請求項２に係る発明によれば、加熱部の基台に各加熱ランプの封止部側からランプ本体側へ冷却気体を通風させる通風口を設けると共に、この通風口に冷却気体を整流する整流体を設け、この整流体に上記封止部の温度を管理するための温度センサを設けているため、各加熱ランプの封止部およびランプ本体をそれぞれ所定の適切な温度に冷却することが可能となると共に、封止部の温度を容易に管理することが可能となり、加熱ランプの耐久性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示すランプ加熱型熱処理装置の断面図である。
【図２】図１の装置を備えたマルチチャンバ型処理装置を示す概略的平面図である。
【図３】図１の装置における加熱部の要部拡大断面図である。
【図４】整流体の構成を示す概略的平面図である。
【図５】加熱ランプの側面図である。
【図６】加熱部の他の例を示す断面図である。
【図７】加熱部の他の例を示す断面図である。
【図８】加熱部の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
Ｗ半導体ウエハ（被処理体）
１０処理室
１１サセプタ
１２加熱部
１９透過窓
２２加熱室
２３基台
２４加熱ランプ
２４ａランプ本体
２４ｂ封止部
２５反射体
２７給気口
２８排気口
３４通風口
３５整流体
３８温度センサ

Claims

処理室に透過窓を介して基台に複数の加熱ランプおよび反射体を配設してなる加熱部を設け、この加熱部により上記処理室内の被処理体を加熱するランプ加熱型熱処理装置において、上記加熱部の基台を冷却構造とし、この基台に各加熱ランプの封止部側からランプ本体側へ冷却気体を通風させる通風口を設けると共に、この通風口に冷却気体を整流する整流体を設け、上記整流体が上記加熱ランプの封止部から上記通風口の出口側へ向って末広がり状に形成されかつ上記基台側から上記加熱ランプの封止部の側部に圧接された熱伝導性を有する板バネからなることを特徴とするランプ加熱型熱処理装置。
処理室に透過窓を介して基台に複数の加熱ランプおよび反射体を配設してなる加熱部を設け、この加熱部により上記処理室内の被処理体を加熱するランプ加熱型熱処理装置において、上記加熱部の基台に各加熱ランプの封止部側からランプ本体側へ冷却気体を通風させる通風口を設けると共に、この通風口に冷却気体を整流する整流体を設け、この整流体に上記封止部の温度を管理するための温度センサを設けたことを特徴とするランプ加熱型熱処理装置。
上記処理室内には上記被処理体を支持する支持体が上記処理室の底部開口を内側から塞ぐように設けられ、上記処理室の底部には上記透過窓が上記底部開口を外側から塞ぐように気密に設けられ、上記処理室の底部側外側には上記加熱部を収容する加熱室が上記透過窓を介して連設され、上記処理室の側部には上記支持体と上記透過窓との間の空間に不活性ガスを供給するガス供給口が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のランプ加熱型熱処理装置。
上記整流体には、通気孔が穿設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のランプ加熱型熱処理装置。
上記整流体には、上記通気孔の近傍に整流効果を上げるためのガイドが設けられていることを特徴とする請求項４に記載のランプ加熱型熱処理装置。