TW201306653A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

有機發光顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201306653A
TW201306653A TW100149304A TW100149304A TW201306653A TW 201306653 A TW201306653 A TW 201306653A TW 100149304 A TW100149304 A TW 100149304A TW 100149304 A TW100149304 A TW 100149304A TW 201306653 A TW201306653 A TW 201306653A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
organic light
display device
emitting display
insulating layer
Prior art date
Application number
TW100149304A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI565359B (zh
Inventor
Sun Park
Do-Hyung Ryu
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201306653A publication Critical patent/TW201306653A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI565359B publication Critical patent/TWI565359B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一種有機發光顯示裝置，其包含顯示區域及非顯示區域界定於其上之基板、位於基板上之第一電極、位於第一電極上且包含有機發射層之中介層、位於中介層上之第二電極、位於非顯示區域之複數個墊單元、以及位於墊單元上之絕緣層。絕緣層包含與墊單元之上表面重疊的接觸孔、以及與接觸孔相鄰之溝槽。

Description

有機發光顯示裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年7月28日向韓國智慧財產局所提出之申請案，申請案號為10-2011-0075216之優先權效益，其全部內容將併入本文中作為參考。
顯示裝置以可攜式的薄型平板顯示裝置而形成。在平板顯示裝置中，有機發光顯示裝置係一種自發光顯示裝置，因其寬廣視角、高對比度、以及快速的反應速度而被視為下一代的顯示裝置。
實施例可藉由提供一種有機發光顯示裝置而實現，該有機發光顯示裝置包含顯示區域及非顯示區域界定於其上之基板、設置於基板上之第一電極、設置於第一電極上且包含有機發射層之中介層、設置於中介層上之第二電極、設置於非顯示區域之複數個墊單元、以及設置於墊單元上之絕緣層。絕緣層包含形成以與墊單元之上表面重疊之多個接觸孔、以及與接觸孔相鄰之溝槽。
有機發光顯示裝置可更包含設置於絕緣層上且透過接觸孔電性連接墊單元之驅動電路單元、以及設置於絕緣層與驅動電路單元之間之異向性導電膜(anisotropic conductive film)。複數個接觸孔可形成，且溝槽可設置於兩相鄰之接觸孔之間。
異向性導電膜可包含絕緣膜以及多個導電球，且溝槽之最上部分之尺寸可大於各導電球之尺寸。異向性導電膜可包含絕緣膜以及多個導電球，且至少一導電球可於各溝槽中接收。溝槽可穿透絕緣層形成。溝槽可以絕緣層之一預定厚度而形成於絕緣層中。溝槽之側表面可由絕緣層包圍。
絕緣層可形成以覆蓋墊單元之邊緣。異向性導電膜可包含絕緣層與多個導電球。驅動電路單元可包含凸塊(bump)，且導電球可設置於凸塊與墊單元之上表面之間。複數個接觸孔可形成且複數個溝槽可形成，而複數個溝槽可設置於兩相鄰接觸孔之間。絕緣層可更包含與第一電極之上表面重疊之開口，且中介層可設置以對應開口。
有機發光顯示裝置可更包含設置於基板上且電性連接第一電極之薄膜電晶體，薄膜電晶體可包含主動層、源極電極、汲極電極、以及閘極電極。
墊單元可由與形成源極電極或汲極電極之相同材料所形成，且可形成自源極電極及汲極電極之相同層。第一電極與閘極電極可形成於相同層。閘極電極可包含第一導電層、以及形成於第一導電層上之第二導電層，且第一電極可由與形成第一導電層相同之材料所形成。第一電極可包含透明導電材料。
現將參閱附圖於後文中充分的描述例示性實施例。然而，其可以不同形式而實施且不應被視為限制於此處之實施例。相反地，此些實施例係提供以使本揭露更加透徹且完整，且將充分的傳達本發明之範疇予所屬領域之技術人士。
在圖式中，層及區域之尺寸可為清楚的說明而誇大。亦可理解的是，當層或元件被稱為於另一層或基板“上(on)”時，其可直接地位於另一層或基板上，或亦可存在中間層。再者，其將理解的是，當一層被稱為於另一層“下(under)”時，其可直接地位於另一層下，或亦可存在一個或更多個中間層。除此之外，同時可理解的是，當一層被稱為介於另兩層“之間(between)”時，其可為兩層之間的唯一層，或可存在一個或更多個中間層。在整篇說明書中，相同的參考符號表示相同的元件。
下文中，將參閱附圖而詳細描述實施例。
第1圖係根據例示性實施例之有機發光顯示裝置100之平面示意圖，第2圖係沿著第1圖之線段II-II所截取之有機發光顯示裝置100之剖面圖，第3圖係第1圖中X區域之放大圖，而第4圖係沿著第1圖之線段IV-IV所截取之有機發光顯示裝置100之剖面圖。
參閱第1圖至第4圖，有機發光顯示裝置100可包含基板101、第一電極110、中介層112、第二電極116、墊單元120、絕緣層115、驅動電路單元150、以及異向性導電膜(anisotropic conductive film, ACF)160。
基板101可由例如主要包含二氧化矽(SiO2)之透明玻璃材料所形成。然而，實施例並不限於此，例如基板101可由透明塑膠材料所形成。塑膠基板可由有機絕緣材料所形成，例如聚醚碸(polyethersulphone, PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate, PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide, PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene napthalate, PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide, PPS)、聚丙烯酯(polyallylate)、聚亞醯胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、纖維素三醋酸酯(cellulose triacetate, TAC)、以及醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate, CAP)至少其中之一。另一方面，基板101可由金屬所形成，例如可由金屬箔所形成。
顯示區域A1及非顯示區域A2可界定於基板101上。第1圖顯示非顯示區域A2係設置於顯示區域A1之一側邊上。然而，實施例並不以此為限，例如非顯示區域A2可設置於顯示區域A1之彼此相對之側邊上，或可設置以圍繞顯示區域A1。
顯示區域A1可包含複數個次像素(圖未示)，其可產生使用者可辨識之可見光。在各個次像素中，可形成第一電極110、中介層112、以及第二電極116，例如參閱如下列第4圖所描述。
複數個墊單元120可配置於非顯示區域A2上。墊單元120可傳輸電性訊號或電力至顯示區域A1。舉例而言，藉由驅動電路單元150所產生之電性訊號可透過墊單元120而傳輸至顯示區域A1。墊單元120可由各種導電材料所形成。
墊單元120可透過異向性導電膜160而電性連接至驅動電路單元150。異向性導電膜160可包含絕緣膜161，例如第2圖所繪示。舉例而言，導電球162可散佈於整個絕緣膜161中。
絕緣層115可形成於墊單元120上。絕緣層115可包含開口115a、接觸孔115c、以及溝槽115g。絕緣層115之接觸孔115c可形成以與墊單元120之上表面重疊，例如各個接觸孔115c可與相對應的墊單元120重疊。絕緣層115可形成以覆蓋墊單元120之邊緣。因此，可降低或避免墊單元120之邊緣損壞的可能性。舉例而言，可降低及/或避免由於在有機發光顯示裝置100之製造過程中所產生的電流腐蝕(galvanic corrosion)或在製造有機發光顯示裝置100後所產生之各種腐蝕所導致之墊單元120之側表面損害的可能性。
位於絕緣層115中之各個溝槽115g可設置於兩相鄰接觸孔115c之間。參閱第2圖，溝槽115g可藉由移除部分絕緣層115而形成，例如藉由移除絕緣層115之厚度、藉由穿透絕緣層115。然而，實施例並不以此為限，例如，溝槽115g可藉由移除絕緣層115之一部分厚度而形成。
如第3圖所示，溝槽115g之側表面可不暴露於絕緣層115中。舉例而言，溝槽115g之側表面可由絕緣層115所包圍。因此，絕緣層115與基板101之間的耦合力可改善以例如降低及/或避免絕緣層115自基板101分離的可能性。雖然未示於圖，若其他構件係形成於絕緣層115與基板101之間時，則絕緣層115與設置於絕緣層115下之構件之間的耦合力可為了例如降低及/或避免絕緣層115的分離之可能性而補強。
驅動電路單元150可設置於墊單元120上。驅動電路單元150可為例如晶片。驅動電路單元150可包含主體151與複數個凸塊152。複數個凸塊152可貼附至主體151之下表面以接觸異向性導電膜160。
異向性導電膜160可設置於形成於基板101上之墊單元120以及驅動電路單元150之間。參閱第2圖，異向性導電膜160可形成於具有接觸孔115c與溝槽115g之絕緣層115上。異向性導電膜160可形成於驅動電路單元150之凸塊152下。異向性導電膜160可包含絕緣膜161與複數個導電球162。
一些導電球162可設置於凸塊152與墊單元120之間。舉例而言，凸塊152可延伸至接觸孔115c以使其中一導電球162可配置於墊單元120上之接觸孔115c內並圍繞凸塊152。當壓力透過例如熱壓接合製程(thermocompression bonding process)施加於凸塊152與墊單元120時，導電球162可破裂且墊單元120及驅動電路單元150可彼此電性連接。
除此之外，驅動電路單元150可藉由異向性導電膜160固定於基板101上。舉例而言，絕緣膜161可接合絕緣層115與驅動電路單元150因而使驅動電路單元150可固定於基板101上。
根據一例示性實施例，一些導電球162可接收於溝槽115g中。為此，溝槽115g之尺寸可大於導電球162。舉例而言，溝槽115g之最上部分之尺寸可大於導電球162之尺寸，例如大於導電球162之直徑的尺寸。當導電球162接收於溝槽115g中時，至少一部分的導電球162，例如導電球162之下部分可接收於溝槽115g中。溝槽115g可大於一預定尺寸因而使導電球162的整個部分可接收於溝槽115g中。各個溝槽115g可接收複數個導電球162。
如上所述，當介於墊單元120與凸塊152之間的導電球162由於例如熱壓接合製程而破裂時，墊單元120及驅動電路單元150可彼此電性連接。設置於其他區域而非墊單元120與凸塊152之間之導電球162因其尺寸與體積可干擾驅動電路單元150與基板101之間的接合。舉例而言，當導電球162而非絕緣膜161係僅設置於驅動電路單元150與絕緣層115之間的部分區域時(例如當導電球162係集結在一起時)，可能降低驅動電路單元150與基板101之間之耦合力。
相較之下，根據一例示性實施例，溝槽115g可形成於接觸孔115c之間因而使導電球162可接收於溝槽115g中。舉例而言，溝槽115g中的導電球162可與驅動電路單元150相間隔。因此，可降低及/或有效地避免導電球162對於驅動電路單元150與基板101之間耦合的干擾之可能性。
顯示區域A1將參閱第4圖做更詳細的描述。薄膜電晶體(TFT)可設置於基板101上。薄膜電晶體TFT可包含主動層103、閘極電極105、源極電極107、以及汲極電極108。薄膜電晶體TFT可電性連接至第一電極110。
緩衝層102可形成於基板101上。緩衝層102可提供平坦表面於基板101之上部分。緩衝層102可降低及/或避免濕氣及雜質滲入基板101之可能性。
預定圖樣之主動層103可形成於緩衝層102上。主動層103可由例如非晶矽或多晶矽之無機半導體或有機半導體所形成，且包含源極區域、汲極區域、以及通道區域。源極區域與汲極區域可藉由將由非晶矽或多晶矽所形成之主動層103摻雜雜質而形成。當摻雜如硼(B)之第3族元素時，可形成p-型半導體，而當摻雜如氮(N)之第5族元素時，可形成n-型半導體。
閘極絕緣層104可形成於主動層103上，且閘極電極105可形成於閘極絕緣層104之一預定區域上。閘極絕緣層104可由有機材料或例如矽氮化物(SiNx)或矽氧化物(SiO2)之無機材料所形成，例如為了將主動層103與閘極電極105絕緣。
閘極電極105可由金屬而形成，例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鉬(Mo)、或其合金例如鋁：釹(Al:Nd)、以及鉬：鎢(Mo:W)。然而，實施例並不以此為限，例如各種材料(金屬或金屬合金)可用於加工的考慮。
層間介電質106可形成於閘極電極105上。層間介電質106與閘極絕緣層104可形成以暴露主動層103之源極區域與汲極區域，且源極電極107與汲極電極108可分別地接觸所暴露之主動層103的源極區域與汲極區域。
源極電極107與汲極電極108可由金屬所形成，例如金、鉑、鈀、鎳、銠(Rh)，釕(Ru），銥(Ir），鋨(Os)、鋁、鉬、釹、鎢、或鈦或此些金屬之合金。然而，實施例並不以此為限，例如可使用各種金屬及/或金屬合金。
鈍化層109可形成以覆蓋源極電極107與汲極電極108。鈍化層109可為無機絕緣層及/或有機絕緣層。無機絕緣層可包含例如二氧化矽或矽氮氧化物(SiON)之矽氧化物、矽氮化物、例如三氧化二鋁(Al2O3)之氧化鋁、例如二氧化鈦(TiO2)之氧化鈦、例如五氧化二鉭(Ta2O5)之氧化鉭、例如二氧化鉿(HfO2)之氧化鉿、例如二氧化鋯(ZrO2)之氧化鋯、鈦酸鋇鍶(barium strontium titanate, BST)、以及鈦酸鉛鋯(lead zirconate titanate, PZT)至少其中之一。有機絕緣層可包含一般通用聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲脂(poly(methyl methacrylate), PMMA)或聚苯乙烯(polystyrene, PS)、具有酚基之聚合物衍生物、丙烯醯基聚合物(acryl-based polymer),亞醯胺基聚合物(imide-based polymer)、芳醚基聚合物(aryl ether-based polymer)、醯胺基聚合物(amide-based polymer)、氟基聚合物(fluoro-based polymer)、對二甲苯基聚合物(p-xylene-based polymer)、乙烯乙醇基聚合物(vinyl alcohol-based polymer)、以及其混合物。鈍化層109可形成為無機絕緣層及有機絕緣層之綜合堆疊層。
鈍化層109可形成以暴露汲極電極108，且第一電極110可連接暴露的汲極電極108。
絕緣層115可設置於第一電極110上。絕緣層115之開口115a可形成以與第一電極110之上表面重疊。絕緣層115可形成以覆蓋第一電極110之邊緣。
顯示於第4圖中之緩衝層102、閘極絕緣層104、層間介電質106、以及鈍化層109可標記於第2圖中。亦即，參閱第2圖，絕緣層115可形成以接觸基板101。然而，實施例並不以此為限，例如所有的緩衝層102、閘極絕緣層104、層間介電質106、以及鈍化層109可形成於絕緣層115之下部分上，要不然此些層的至少其中之一可形成於其上。
中介層112可形成以對應開口115a。中介層112可接觸第一電極110之上表面。第二電極116可設置於中介層112上。
中介層112可包含有機發射層(圖未示)，且可於電壓透過第一電極110以及第二電極116施加於其中時發射可見光。
密封件(圖未示)可設置以面對基板101之表面。密封件(圖未示)可形成以例如保護中介層112免於外部濕氣或氧氣，且可由玻璃、塑膠、或其他有機及無機材料所形成。
在有機發光顯示裝置100中，絕緣層115可設置於墊單元120上且可包含介於接觸孔115c之間的溝槽115g。導電球162可接收於溝槽115g中。因此，可降低及/或有效地避免導電球162對於驅動電路單元150與基板101之間耦合的干擾之可能性。因此，可輕易地實現基板101與驅動電路單元150之間的穩固耦合以改善有機發光顯示裝置100之持久性。
絕緣層115可覆蓋墊單元120之邊緣以例如降低及/或避免墊單元120之邊緣的損壞之可能性。溝槽115g之側表面可藉由絕緣層115包圍以改善絕緣層115與下方各層之耦合力。因此，可改善有機發光顯示裝置100之持久性。
第5圖係根據另一例示性實施例之有機發光顯示裝置200之平面示意圖，第6圖係沿著第5圖之線段VI-VI所截取之有機發光顯示裝置200之剖面圖，而第7圖係第5圖中X區域之放大圖。
參閱第5圖至第7圖，有機發光顯示裝置200可包含基板201、第一電極(圖未示)、中介層(圖未示)、第二電極(圖未示)、墊單元220、絕緣層215、驅動電路單元250、以及異向性導電膜260。下文中，為方便起見將主要描述與先前實施例不同之元件。
顯示區域A1及非顯示區域A2係界定於基板201上。參閱第5圖，非顯示區域A2係設置於顯示區域A1之側邊上。然而，實施例並不以此為限，例如非顯示區域A2可設置於顯示區域A1之彼此相對之側邊上，或可設置以圍繞顯示區域A1。
顯示區域A1可包含複數個次像素(圖未示)，其可產生使用者可辨識之可見光。各個次像素可包含形成於其中之第一電極(圖未示)、中介層(圖未示)、以及第二電極(圖未示)。於此不提供其詳細描述。
複數個墊單元220可設置於非顯示區域A2上。墊單元220可傳輸電性訊號或電力至顯示區域A1。舉例而言，藉由驅動電路單元250所產生之電性訊號可透過墊單元220而傳輸至顯示區域A1。
墊單元220可透過異向性導電膜260而電性連接至驅動電路單元250。異向性導電膜260可包含絕緣膜261與導電球262。
絕緣層215可設置於墊單元220上。絕緣層215可包含開口(圖未示)、接觸孔215c、以及溝槽215g。開口(圖未示)可形成以與第一電極(圖未示)重疊。
絕緣層215之接觸孔215c可與墊單元220之上表面重疊。絕緣層215可形成以覆蓋墊單元220之邊緣。因此，可降低及/或避免墊單元220之邊緣損壞的可能性。
絕緣層215之複數個溝槽215g可設置於兩相鄰之接觸孔215c之間。第6圖中，兩溝槽215g係設置於兩相鄰接觸孔215c之間。然而，實施例並不限於此，三個或更多個溝槽215g可設置於兩相鄰之接觸孔215c之間。
參閱第6圖，溝槽215g可藉由移除絕緣層215之整個厚度而形成，例如藉由穿透絕緣層215。然而，實施例並不以此為限，例如溝槽215g可藉由移除絕緣層215之一部分厚度而形成。
如第7圖所示，溝槽215g之側表面可不暴露於絕緣層215中。舉例而言，溝槽215g之側表面可由絕緣層215包圍。因此，可改善絕緣層215與下方各層之間的耦合力。
驅動電路單元250可設置於墊單元220上。驅動電路單元250可包含主體251及複數個凸塊252。複數個凸塊252可貼附主體251之下表面。
異向性導電膜260可設置於墊單元220及驅動電路單元250之間。參閱第6圖，異向性導電膜260可形成於絕緣層215上。異向性導電膜260可包含絕緣膜261及散佈於整個絕緣膜261中之複數個導電球262。
一些導電球262可設置於凸塊252與墊單元220之間。一些其他的導電球262可接收於溝槽215g中。溝槽215g之尺寸可大於導電球262。具體來說，溝槽215g之最上部分之尺寸可大於導電球262，例如大於導電球262之直徑的尺寸。當導電球262接收於溝槽215g中時，至少一部分的導電球262，例如導電球262之下部分可接收於溝槽215g中。然而，溝槽215g可形成為大於一預定尺寸因而使導電球262可整個接收於溝槽215g中。
複數個溝槽215g可形成於接觸孔215c之間因而使導電球262可有效地接收於溝槽215g中。因此，可降低及/或有效地避免導電球262對於驅動電路單元250與基板201之間耦合的干擾之可能性。
第8圖係根據另一例示性實施例之有機發光顯示裝置300之平面示意圖，第9圖係沿著第8圖之線段IX-IX與線段IX’-IX’所截取之有機發光顯示裝置300之剖面圖，以及第10圖係第8圖中X區域之放大圖。為便於描述，現將主要闡述與先前實施例之差異。
參閱第8圖至第10圖，有機發光顯示裝置300可包含基板301、第一電極310、中介層312、第二電極316、墊單元320、絕緣層315、驅動電路單元350、以及異向性導電膜360。
顯示區域A1及非顯示區域A2可界定於基板301上。參閱第8圖，非顯示區域A2可設置於顯示區域A1之側邊上。然而，實施例並不以此為限，例如非顯示區域A2可設置於顯示區域A1之彼此相對之側邊上，或可設置以圍繞顯示區域A1。
顯示區域A1可包含複數個次像素(圖未示)，其可產生使用者可辨識之可見光。各個次像素可包含第一電極310、中介層312、以及第二電極316。電性連接至第一電極310之薄膜電晶體TFT可設置於顯示區域A1上。薄膜電晶體TFT可包含主動層303、閘極電極305、源極電極307、以及汲極電極308。電容314可設置於顯示區域A1上，且電容314可包含第一電容電極311以及第二電容電極313，如下述之詳細說明。
非顯示區域A2可包含墊單元320。墊單元320可傳輸電性訊號或電力至顯示區域A1。舉例而言，藉由驅動電路單元350所產生之電性訊號可透過墊單元320而傳輸至顯示區域A1。
墊單元320可透過異向性導電膜360而電性連接至驅動電路單元350。異向性導電膜360可包含絕緣膜361與導電球362，此將於後更詳細的描述。
緩衝層302可形成於基板301上。緩衝層302可形成於整個顯示區域A1及非顯示區域A2上。
主動層303可形成於緩衝層302上。第一電容電極311可形成於緩衝層302上。第一電容電極311可由與形成主動層303之相同材料所形成。
閘極絕緣層304可形成於緩衝層302上以覆蓋主動層303以及第一電容電極311。閘極絕緣層304可形成於整個顯示區域A1及非顯示區域A2上。
閘極電極305、第一電極310、以及第二電容電極313可形成於閘極絕緣層304上。
閘極電極305可包含第一導電層305a及第二導電層305b。第一導電層305a可包含透明導電材料，例如銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、氧化銦(indium oxide, In2O3)、銦鎵氧化物(indium gallium oxide, IGO)、以及鋁鋅氧化物(aluminum zinc oxide, AZO)。第二導電層305b可形成於第一導電層305b上，且包含例如鉬、鉬鎢、或鋁基化合物之金屬或金屬化合物。然而，實施例並不以此為限。
第一電極310可包含透明導電材料，例如可由與形成閘極電極305之第一導電層305a之相同材料所形成。第一電極310及第一導電層305a可同時形成。導電單元310a可設置於第一電極310之一預定上部分上。導電單元310a可由與形成閘極電極305之第二導電層305b之相同材料所形成。導電單元310a與第二導電層305b可同時形成。
第二電容電極313可包含第一層313a及第二層313b。第二電容電極313之第一層313a可由與形成閘極電極305之第一導電層305a之相同材料所形成，且可同時形成。第二電容電極313之第二層313b可由與形成閘極電極305之第二導電層305b之相同材料所形成，且可同時形成。
層間介電質306可形成於第一電極310、閘極電極305、以及第二電容電極313上。層間介電質306可包含例如有機及/或無機材料之各種絕緣材料。層間介電質306可形成於整個顯示區域A1與非顯示區域A2中。
源極電極307及汲極電極308可形成於位於顯示區域A1之層間介電質306上。源極電極307及汲極電極308可連接至主動層303。
源極電極307及汲極電極308其中之一可電性連接至第一電極310，且第9圖顯示汲極電極308可電性連接至第一電極310。汲極電極308可接觸導電單元310a。
墊單元320可設置於位於非顯示區域A2之層間介電質306上。墊單元320可由各種導電材料所形成，例如可由形成源極電極307或汲極電極308之相同材料所形成。墊單元320可與源極電極307及/或汲極電極308同時被圖樣化。
絕緣層315可形成於層間介電質306上以覆蓋薄膜電晶體TFT。絕緣層315可包含開口315a，其係重疊於第一電極310之上表面之一預定區域。
中介層312可形成以對應開口315a。第二電極316可形成於中介層312上。
絕緣層315亦可形成於墊單元320上。絕緣層315可包含接觸孔315c與溝槽315g。
位於絕緣層315中之接觸孔315c可形成以與墊單元320之上表面重疊。絕緣層315可覆蓋墊單元320之邊緣。因此，可降低及/或避免墊單元320之邊緣之損壞的可能性。舉例而言，可降低及/或避免由於在有機發光顯示裝置300之製造過程中所產生的電流腐蝕或在製造有機發光顯示裝置300後所產生之各種腐蝕所導致之墊單元320之側表面損害的可能性。
絕緣層315之溝槽315g可設置於兩相鄰接觸孔315c之間。參閱第9圖，溝槽315g可藉由移除絕緣層315之整個厚度而形成，例如藉由穿透絕緣層315。然而，實施例並不以此為限，例如溝槽315g可藉由移除絕緣層315之一部分厚度而形成。如第9圖所示，複數個溝槽315g可設置於兩相鄰接觸孔315c之間。
如第9圖所示，溝槽315g之側表面可不暴露於絕緣層315中。舉例而言，溝槽315g之側表面可由絕緣層315包圍。因此，可改善絕緣層315與基板301之間的接合力以降低及/或避免絕緣層315與基板301之分離的可能性。雖然未示於圖，當其他構件係形成於絕緣層315與基板301之間時，則絕緣層315與下層之間的耦合力可為了例如降低及/或避免絕緣層315的分離之可能性而補強。
驅動電路單元350可設置於墊單元320上。驅動電路單元350可為晶片，且可包含主體351與複數個凸塊352。複數個凸塊352可貼附至主體351之下表面。
異向性導電膜360可設置於墊單元320與驅動電路單元350之間。異向性導電膜360可形成絕緣層315上。異向性導電膜360可包含絕緣膜361與導電球362。
一些導電球362可設置於凸塊352與墊單元320之間。根據例示性實施例，當壓力透過例如熱壓接合製程施加於凸塊352與墊單元320時，導電球362可破裂而使墊單元320及驅動電路單元350可彼此電性連接。
驅動電路單元350可藉由異向性導電膜360固定於基板301上。絕緣膜361可接合絕緣層315與驅動電路單元350因而使驅動電路單元350可固定於基板301上。
一些導電球362可接收於溝槽315g中。為此，溝槽315g之尺寸可大於導電球362。各個溝槽315g可接收複數個導電球362於其中。
雖然未示於圖，密封件(圖未示)可設置於第二電極316之上部分以面對基板301之表面。密封件(圖未示)可形成以例如保護中介層312免於外部濕氣或氧氣。密封件可由玻璃或塑膠所形成，或可具有包含有機材料及無機材料之堆疊結構。
在有機發光顯示裝置300中，絕緣層315可設置於墊單元320上且可包含介於接觸孔315c之間的溝槽315g。溝槽315g可接收導電球362。因此，可有效地降低及/或避免導電球362對於驅動電路單元350與基板301之間耦合的干擾之可能性。因此，基板301與驅動電路單元350可彼此牢固的耦接且因此改善有機發光顯示裝置300之持久性。
絕緣層315可形成以覆蓋墊單元320之邊緣以例如降低及/或避免墊單元320之邊緣的損壞之可能性。
溝槽315g之側表面可由絕緣層315包圍以改善絕緣層315與下方各層之耦合力。因此，可改善有機發光顯示裝置300之持久性。
墊單元320可與源極電極307或汲極電極308同時形成，且因此可簡化有機發光顯示裝置300之製造過程且可降低有機發光顯示裝置300之厚度。
第一電極310可由與形成閘極電極305之第一導電層305a之相同材料所形成，且與第一導電層305a形成於同一層。因此，可簡化有機發光顯示裝置300之製造過程且可降低於形成第一電極310與閘極電極305期間所產生之缺陷。除此之外可輕易地降低有機發光顯示裝置300之厚度。
總結與回顧，有機發光顯示裝置可包含中介層、第一電極、以及第二電極。中介層可包含有機發射層，且當電壓施加至第一電極及第二電極時，有機發射層可發射可見光。有機發光顯示裝置可包含驅動電路單元以產生電性訊號、以及墊單元以傳輸由驅動電路單元所產生之訊號。然而，驅動電路單元與墊單元可能不能輕易的彼此接合。因此，有機發光顯示裝置之驅動電路單元與墊單元之間的耦合特性以及/或驅動電路單元與基板之間的耦合特性可能劣化，且於改善有機發光顯示裝置之持久性上係有限制。
相較之下，實施例，例如上述之例示性實施例，係有關於一種有機發光顯示裝置，其中該有機發光顯示裝置之持久性可改善，例如輕易地改善。
例示性實施例已於內文中所揭示，且雖然使用特殊術語，其係使用並僅解釋為通用及描述性意義且不為限制之目的。在一些例子中，如同所屬領域之技術人士對於本申請案所能理解的是，除非特別標示，在連結與描述具體實施例之特徵、特色、及/或元件可以單一使用或結合其他實施例之特徵、特色、及/或元件。因此，其將為所屬領域之技術人士所理解的是，各種形式與細節之改變可在不脫離本發明下列申請專利範圍所定義之精神與範疇下而執行。
100、200、300．．．有機發光顯示裝置
101、201、301．．．基板
102、302．．．緩衝層
103、303．．．主動層
104、304．．．閘極絕緣層
105、305．．．閘極電極
106、306．．．層間介電質
107、307．．．源極電極
108、308．．．汲極電極
109．．．鈍化層
110、310．．．第一電極
310a．．．導電單元
112、312．．．中介層
115、215、315．．．絕緣層
115a、315a．．．開口
115c、215c、315c．．．接觸孔
115g、215g、315g．．．溝槽
116、316．．．第二電極
120、220、320．．．墊單元
150、250、350．．．驅動電路單元
151、251、351．．．主體
152、252、352．．．凸塊
160、260、360．．．異向性導電膜
161、261、361．．．絕緣膜
162、262、362．．．導電球
305a．．．第一導電層
305b．．．第二導電層
314．．．電容
311．．．第一電容電極
313．．．第二電容電極
313a．．．第一層
313b．．．第二層
A1．．．顯示區域
A2．．．非顯示區域
TFT．．．薄膜電晶體
藉由參閱附圖以詳細描述例示性實施例可使特徵對於所屬領域之技術人士更為顯而易見，其中：
第1圖係根據例示性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；
第2圖係沿著第1圖之線段II-II所截取之有機發光顯示裝置之剖面圖；
第3圖係第1圖中X區域之放大圖；
第4圖係沿著第1圖之線段IV-IV所截取之有機發光顯示裝置之剖面圖；
第5圖係根據另一例示性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；
第6圖係沿著第5圖之線段VI-VI所截取之有機發光顯示裝置之剖面圖；
第7圖係第5圖中X區域之放大圖；
第8圖係根據另一例示性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；
第9圖係沿著第8圖之線段IX-IX與線段IX’-IX’所截取之有機發光顯示裝置之剖面圖；以及
第10圖係第8圖中X區域之放大圖。
101．．．基板
115．．．絕緣層
115c．．．接觸孔
115g．．．溝槽
120．．．墊單元
150．．．驅動電路單元
151．．．主體
152．．．凸塊
160．．．異向性導電膜
161．．．絕緣膜
162．．．導電球

Claims (17)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
    一基板，一顯示區域及一非顯示區域係界定於其上；
    一第一電極，其係位於該基板上；
    一中介層，其係位於該第一電極上，該中介層包含一有機發射層；
    一第二電極，其係位於該中介層上；
    複數個墊單元，其係位於該非顯示區上；以及
    一絕緣層，其係位於該複數個墊單元上，該絕緣層包含與該複數個墊單元之上表面重疊之多個接觸孔、以及與該些接觸孔相鄰之多個溝槽。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該些溝槽至少其中之一係位於兩相鄰之該接觸孔之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含：
    一驅動電路單元，其係位於該絕緣層上且透過該些接觸孔電性連接該複數個墊單元；以及
    一異向性導電膜(anisotropic conductive film)，其係位於該絕緣層與該驅動電路單元之間。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中該異向性導電膜包含一絕緣膜與多個導電球，且各該溝槽之一最上部分之尺寸係大於該些導電球之尺寸。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中該異向性導電膜包含一絕緣膜與多個導電球，且該些導電球至少其中之一係於該些溝槽的其中之一中接收。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中：
    該驅動電路單元包含多個凸塊，以及
    該異向性導電膜包含一絕緣膜與多個導電球，該些導電球之其中之一係配置於該些凸塊與該複數個墊單元之上表面之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該些溝槽係延長穿過該絕緣層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該些溝槽以該絕緣層之一預定厚度而延伸穿過該絕緣層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該些溝槽之側表面係由該絕緣層包圍。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該絕緣層覆蓋該複數個墊單元之邊緣。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中複數個溝槽係設置於兩相鄰之該些接觸孔之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該絕緣層包含與該第一電極之一上表面重疊之一開口，且該中介層配置以對應該開口。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含位於該基板上且電性連接該第一電極之一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含一主動層、一源極電極、一汲極電極、以及一閘極電極。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個墊單元係由與形成該源極電極或該汲極電極之相同材料所形成，且其係形成自該源極電極或該汲極電極其中之一之相同層。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極與該閘極電極係形成於相同層上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之有機發光顯示裝置，其中該閘極電極包含一第一導電層、以及位於該第一導電層上之一第二導電層，且該第一電極係由與形成該第一導電層之相同材料所形成。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含一透明導電材料。

TW100149304A 2011-07-28 2011-12-28 有機發光顯示裝置 TWI565359B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110075216A KR20130013515A (ko) 2011-07-28 2011-07-28 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201306653A true TW201306653A (zh) 2013-02-01
TWI565359B TWI565359B (zh) 2017-01-01

Family

ID=47576002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100149304A TWI565359B (zh) 2011-07-28 2011-12-28 有機發光顯示裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8674363B2 (zh)
KR (1) KR20130013515A (zh)
CN (1) CN102903856B (zh)
TW (1) TWI565359B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI728033B (zh) * 2016-01-12 2021-05-21 南韓商三星顯示器有限公司 顯示裝置及其製造方法
TWI755085B (zh) * 2015-06-17 2022-02-11 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 附導電膜之基板、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102080009B1 (ko) * 2013-05-29 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US9666814B2 (en) 2014-03-07 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
KR102385229B1 (ko) 2014-10-13 2022-04-12 삼성디스플레이 주식회사 패드 전극 구조물, 이를 포함하는 평판 표시 장치 및 평판 표시 장치의 제조방법
KR102422035B1 (ko) 2015-12-01 2022-07-19 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR101765103B1 (ko) * 2015-12-18 2017-08-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102597464B1 (ko) 2016-06-10 2023-11-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102654925B1 (ko) * 2016-06-21 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102663140B1 (ko) * 2016-06-24 2024-05-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101853032B1 (ko) * 2016-07-21 2018-06-05 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR101951939B1 (ko) * 2016-08-26 2019-02-25 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180061877A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치
KR102370356B1 (ko) * 2017-08-01 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN107946347B (zh) * 2017-11-27 2021-08-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN107910336B (zh) * 2017-11-30 2019-07-02 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法及显示屏
KR102503732B1 (ko) * 2017-11-30 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109860224B (zh) 2017-11-30 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
KR102512724B1 (ko) * 2018-04-19 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20200006952A (ko) * 2018-07-11 2020-01-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20210065580A (ko) * 2019-11-27 2021-06-04 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR20220084811A (ko) * 2020-12-14 2022-06-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자, 그의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105999B2 (en) * 2002-07-05 2006-09-12 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US7026660B2 (en) * 2003-04-25 2006-04-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Interconnection for organic devices
JP4560682B2 (ja) * 2005-04-28 2010-10-13 澁谷工業株式会社 導電性ボール搭載装置
KR100695013B1 (ko) * 2005-07-25 2007-03-16 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법
KR101134168B1 (ko) * 2005-08-24 2012-04-09 삼성전자주식회사 반도체 칩 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 표시 패널 및그 제조 방법
KR20070031552A (ko) 2005-09-15 2007-03-20 오리온오엘이디 주식회사 유기 발광 소자 패널 및 그 본딩 구조
KR101178909B1 (ko) 2006-03-29 2012-09-03 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
KR20080008704A (ko) * 2006-07-21 2008-01-24 삼성전자주식회사 표시기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
US20080032431A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Tpo Displays Corp. Method for fabricating a system for displaying images
KR20080035905A (ko) * 2006-10-20 2008-04-24 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2009288540A (ja) 2008-05-29 2009-12-10 Tdk Corp 有機ｅｌパネルの製造方法及び有機ｅｌパネル
KR101117642B1 (ko) * 2009-11-16 2012-03-05 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101048987B1 (ko) * 2009-12-10 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20130007053A (ko) * 2011-06-28 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI755085B (zh) * 2015-06-17 2022-02-11 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 附導電膜之基板、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法
TWI728033B (zh) * 2016-01-12 2021-05-21 南韓商三星顯示器有限公司 顯示裝置及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102903856B (zh) 2016-08-03
TWI565359B (zh) 2017-01-01
US20130026476A1 (en) 2013-01-31
US8674363B2 (en) 2014-03-18
CN102903856A (zh) 2013-01-30
KR20130013515A (ko) 2013-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI565359B (zh) 有機發光顯示裝置
US11925055B2 (en) Organic light-emitting diode display
US10748984B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
TWI582976B (zh) 有機發光顯示裝置以及製造該有機發光顯示裝置之方法
US10032835B2 (en) Organic light-emtting display apparatus and method of manufacturing same
TWI671929B (zh) 有機發光顯示設備
TWI629778B (zh) 有機發光顯示裝置
TW201740257A (zh) 顯示設備及其製造方法
US20150201492A1 (en) Display apparatus
TW201640670A (zh) 有機發光顯示設備
US8890151B2 (en) Organic light-emitting display apparatus
KR20150072894A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN111312763B (zh) 显示装置及其制造方法
US20230180556A1 (en) Display panel and display device including the same
KR20130007052A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20170073790A (ko) 표시 장치의 제조 방법