TW201305670A - 發光裝置、照明裝置、及顯示裝置 - Google Patents

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Kenzo Ohkubo
Nobuhiro Shirai
Tetsushi Ito
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Abstract

本發明係關於為對被照射體照射強度均一化之光,而可抑制對被照射體的被照射區域周緣部之距離發光部較近之部分的照射光量之發光裝置、照明裝置、及顯示裝置。於背光單元(1)中設置:印刷基板(12);具有基台(111b)、LED晶片(111a)、及透鏡(112)之複數個發光部(111);及包圍發光部(111),且具有第1壁部(11511)及第2壁部(11512)之反射構件(113)。

Description

發光裝置、照明裝置、及顯示裝置
本發明係關於一種發光裝置、照明裝置、及顯示裝置。
顯示裝置具有顯示面板。顯示面板在2片透明基板之間封入有液晶,藉由施加電壓改變液晶分子的方向使光透射率發生變化,光學性地顯示預先設定之影像等。液晶自身並不是發光體,故顯示裝置中,例如於透過型顯示面板之背面側具有背光單元,其係將冷陰極管(CCFL)、發光二極體(LED:Light Emitting Diode)等作為光源,向顯示面板照射光之照明裝置。
背光單元有:將冷陰極管或LED等之光源排列於底面而出射光之直下型;與將冷陰極管或LED等光源配置在被稱為導光板之透明之板的邊緣部,從導光板邊緣通過光而設置在背面之藉由點印刷或圖案形狀而向正面出射光之側光型。
LED雖具有低電力消耗、壽命長、不使用水銀之降低環境負荷等之優良特性,但其價格高昂,直到發明出藍色發光LED為止無白色發光LED,且具有較強的定向性,故延遲了作為背光單元之光源的利用。但近年來,在照明用途方面高顯色高亮度白色LED已快速普及,隨之LED價格亦逐步降低,故作為背光單元之光源,正從冷陰極管向LED過渡。
由於LED具有較強的定向性,故以使顯示面板之表面的 亮度在面方向為均一之方式照射光的觀點上,較之直下型,側光型更為有效。然而,側光型之背光單元會產生因在導光板的邊緣部集中配置光源而使光源所產生的熱集中之問題及顯示面板之鑲框部增大之問題。再者,側光型之背光單元,作為可令顯示圖像高品質化及省電化之控制方法而備受矚目之局部調光控制(局部調光)亦受到較大制約,存在無法對可達成顯示圖像之高品質化及省電化之小比例區域進行控制的問題。
且,對局部調光控制有利的直下型背光單元,即便是將具有較強定向性的LED作為光源使用之情形,為使顯示面板的亮度在面方向均一,而正進行可將光照射至顯示面板的方法之探討。作為將亮度均一化者,例如專利文獻1中記載有一種照明裝置,其包含:在被照射體上劃分一個被照射區域之箱狀的框架構件;設置於框架構件之底面上之印刷基板;及由框架構件包圍之發光裝置。該發光裝置包含:設置於印刷基板上之發光元件;從發光元件出射的光之一部分從上面穿透而出射,另一部分從側面穿透而出射之透鏡;及框架構件上設置於設有印刷基板之部分以外之部分之擴散反射板。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-238420號公報
專利文獻1中記載的照明裝置並非是將自發光元件出射之光直接照射至顯示面板上,而是利用透鏡,使自發光元件出射之光向垂直於透鏡的光軸之方向擴展,且在反射板之表面反射,將反射光照射至顯示面板,藉此謀求顯示面板之面方向之照射光之強度的均一化。
但,專利文獻1中記載的照明裝置,箱狀之框架構件在俯視透鏡之光軸方向時之形狀為正方形狀,由於透鏡係配置於該正方形狀的中央,故自該正方形狀的邊部至透鏡的距離比自該正方形狀的角部至透鏡的距離更近。因此,到達該正方形狀之邊部上配置之框架構件之壁部上之反射板的光量,比到達該正方形狀之角部上配置之框架構件之壁部上之反射板的光量更多,顯示面板中照射至面臨該正方形狀之邊部之部分的光量,比照射至面臨角部之部分的光量更多。亦即,顯示面板之被照射區域的周緣部距透鏡較近之部分,要比距透鏡較遠之部分的照射光量多,導致對顯示面板之照射光量不均一。
本發明之目的係為解決如此問題而提供一種對被照射體照射強度均一化之光,從而可抑制對被照射體的被照射區域周緣部中距發光部較近之部分的照射光量之發光裝置、照明裝置、及顯示裝置。
本發明之發光裝置之特徵為,其係用以對被照射體照射光者,且包含:發光部,其出射光;及 反射構件,其係設置於上述發光部之周圍,且具有:朝垂直於上述發光部之光軸之方向延伸之基部;及傾斜部,其係自該基部傾斜延伸,且包含第1壁部、及與該第1壁部相比自上述基部之高度較低且距離上述發光部較近之第2壁部。
又,本發明之發光裝置,其特徵為其係用以對被照射體照射光者,且包含:發光部,其出射光;及反射構件,其係設置於上述發光部之周圍,且具有:朝垂直於上述發光部之光軸之方向延伸之基部;及傾斜部,其係自該基部傾斜延伸,且包含第1壁部、及與該第1壁部相比相對於上述基部之傾斜角度較小且距離上述發光部較近之第2壁部。
又,本發明之發光裝置之特徵為,其係用以對被照射體照射光者,且包含:發光部,其出射光;及反射構件,其係設置於上述發光部之周圍,且具有:朝垂直於上述發光部之光軸之方向延伸之基部;及傾斜部,其係自該基部傾斜延伸,且包含第1壁部、及與該第1壁部相比自上述基部起之高度較低且相對於上述基部之傾斜角度較小、距離上述發光部較近之第2壁部。
又,本發明之發光裝置中,較好的是,上述第1壁部設置於上述反射構件之角部。
又,本發明之發光裝置中,較好的是,從平行於上述光 軸之方向觀察上述反射構件,上述第1壁部之上端與第2壁部之上端係在同一直線上。
又,本發明之發光裝置中,較好的是,上述第1壁部與上述第2壁部係連續性連接。
又,本發明之照明裝置之特徵在於具備複數個上述發光裝置,且複數個發光裝置係排列配置。
又,本發明之顯示裝置之特徵為包含:顯示面板;及用以從背面側向上述顯示面板照射光之具備上述發光裝置之照明裝置。
根據本發明,由於第2壁部之自基部之高度比第1壁部低,故被照射體之被照射區域周緣部中照射至面臨第2壁部之部分之光量較少。由於該第2壁部設置在比第1壁部更接近發光部的位置,故能夠抑制被照射體之被照射區域周緣部中對距發光部較近之部分之照射光量。
根據本發明,由於第2壁部相對基部之傾斜角度比第1壁部更小,故被照射體之被照射區域周緣部中照射至面臨第2壁部之部分之光量較少。由於該第2壁部設置於比第1壁部更接近發光部之位置,故能夠抑制被照射體之被照射區域周緣部中對距發光部較近之部分之照射光量。
根據本發明,由於第2壁部之自基部之高度比第1壁部低,且相對基部之傾斜角度比第1壁部小,因此被照射體之被照射區域周緣部中照射至面臨第2壁部之部分之光量 較少。由於該第2壁部設置在比第1壁部更接近發光部之位置,故能夠抑制被照射體之被照射區域周緣部中對距發光部較近之部分之照射光量。
根據本發明,藉由具備上述發光裝置之照明裝置,能夠將光照射至顯示面板,故可顯示更高畫質之圖像。
本發明之目的、特色、及優點可由下述之詳細說明與圖式更加明確。
以下參考圖面詳細說明本發明之較佳之實施形態。
圖1係顯示本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置100之構成之分解立體圖。圖2A係模式性顯示以圖1之切斷面線A-A切斷時之液晶顯示裝置100之剖面的一部分之圖。圖2B係模式性顯示以圖1之切斷面線B-B切斷時之液晶顯示裝置100之剖面的一部分之圖。本發明之顯示裝置即液晶顯示裝置100,係於電視接收機或個人電腦等中藉由輸出圖像資訊而將圖像顯示於顯示畫面之裝置。顯示畫面係由具有液晶元件之透射型之顯示面板即液晶面板2形成,液晶面板2係形成為矩形平板狀。液晶面板2中,將厚度方向之2個面作為正面21及背面22。液晶顯示裝置100係以在從正面21向背面22之方向上觀看可視認圖像之方式進行顯示。
液晶顯示裝置100具備液晶面板2、與背光單元1。液晶面板2係與背光單元1所具備之框架構件13之底部13a之底面13aa平行地由側壁部13b所支持。液晶面板2包含2片基 板,從厚度方向看形成為長方形板狀。液晶面板2包含TFT(thin film transistor:薄膜電晶體)等之開關元件,在2片基板的空隙間注入有液晶。液晶面板2藉由以來自配置於背面22側之背光單元1之光作為背光進行照射,而發揮顯示功能。於上述2片基板上設置有液晶面板2之像素之驅動控制用之驅動器(源極驅動器)、各種元件及配線。
又,液晶顯示裝置100中,於液晶面板2與背光單元1之間,以使其兩面平行於液晶面板2之面臨擴散板3之面之方式,配置有擴散板3。再者,亦可於液晶面板2與擴散板3之間配置稜鏡片。
擴散板3藉由使從背光單元1照射之光於面方向擴散,而防止亮度偏向局部。稜鏡片係使介隔擴散板3從背面22側到達之光之行進方向朝向正面21側。擴散板3為防止亮度偏向面方向,光之行進方向作為矢量成份,包含較多面方向成份。對此,稜鏡片將包含較多面方向之矢量成份之光的行進方向轉變為包含較多厚度方向之成份之光之行進方向。具體而言,稜鏡片係使形成透鏡或稜狀之部分多數排列於面方向而形成,藉此,減小向厚度方向行進之光之擴散度。因此,利用液晶顯示裝置100之顯示可提高亮度。
背光單元1係從背面22側將光照射至液晶面板2之直下型背光裝置。背光單元1包含對液晶面板2照射光之複數之發光裝置11、複數之印刷基板12、及框架構件13。
框架構件13係背光單元1之基本構造體,其包含:平板狀之底部13a,其係與液晶面板2隔以預先設定之間隔而對 向;及側壁部13b,其連接於底部13a並從底部13a立起。底部13a從厚度方向看係形成為長方形,其大小比液晶面板2略大。側壁部13b係自底部13a中形成短邊之2個端部與形成長邊之2個端部向液晶面板2之正面21側立起而形成。藉此,平板狀之側壁部13b在底部13a的周圍形成有4個。
印刷基板12固定於框架構件13之底部13a之底面13aa。該印刷基板12之安裝面12a上設置有後述之複數個發光部111。印刷基板12係長形狀構件,正交於長度方向,寬度方向的長度例如設定為10 mm,厚度方向的長度例如設定為0.8 mm。複數之印刷基板12排列於寬度方向,例如係間隔30 mm而設置。印刷基板12例如係有導電層形成於兩面之包含有環氧玻璃之基板。
印刷基板12係於其長度方向,延伸設置至框架構件13之側壁部13b。該側壁部13b上設置有用以對印刷基板12供電之連接器,印刷基板12連接於該連接器,經由印刷基板12上之導電層向各發光裝置11供電。
複數之發光裝置11係用以對液晶面板2照射光之裝置。本實施形態係將複數個發光裝置11作為一個群,以介隔擴散板3而與液晶面板2的背面22整體對向之方式複數排列而設置設置有複數個發光裝置11之印刷基板12,將發光裝置11設置成矩陣狀。即序列配置複數個發光裝置11。各發光裝置11,於垂直於印刷基板12之安裝面12a之方向、且從印刷基板12朝向框架構件13之底部13a之底面13aa之方向(以下稱之為「X方向」)俯視時,外形狀係以成為正方形 之方式設置,且,以使被各發光裝置11劃分之被照射體上之被照射區域之光量為6000 cd/m2之方式設置。該正方形之一邊的長度例如為40 mm。
複數之發光裝置11分別具有發光部111、與設置於發光部111之周圍且反射自發光部111出射之光之反射構件113。圖3模式性顯示發光裝置11之外觀。圖3中以切斷面線C-C切斷時之發光裝置11之剖面與圖2A對應,圖3中以切斷面線D-D切斷時之發光裝置11之剖面與圖2B對應。
發光部111包含作為發光元件之發光二極體(LED)晶片111a、支持LED晶片111a之基台111b、及透鏡112。
圖4係顯示支持於基台111b之LED晶片111a與透鏡112之圖。基台111b係用以支持LED晶片111a之構件,含樹脂。該基台111b之支持LED晶片111a之支持面,於X方向俯視時係形成為正方形狀,該正方形狀之一邊的長度L1例如為3 mm。又,基台111b之X方向的高度例如為1 mm。
LED晶片111a係介隔基台111b而安裝在印刷基板12上,且向從印刷基板12離開之方向出射光。LED晶片111a之光軸S方向平行於X方向。於X方向俯視發光裝置11時,LED晶片111a係位於基台111b之中央部。複數之發光裝置11中,利用各個LED晶片111a之對光之出射之控制,可相互獨自地控制。由此,背光單元1可進行局部之調光控制(局部調光)。
透鏡112係以覆蓋支持LED晶片111a及LED晶片111a之基台111b之方式,抵接於基台111b而設置,使自LED晶片 111a出射之光於交叉於LED晶片111a之光軸S之複數個方向反射或折射。透鏡112為透明透鏡,含例如丙烯酸樹脂等。
透鏡112中,與液晶面板2對向之面即上表面112a係於中央部有凹槽而彎曲形成。此外,側面112b係以將LED晶片111a之光軸S之方向作為軸線方向之圓柱之側面狀形成。
透鏡112係於光軸S周圍旋轉對稱地形成。透鏡112中,正交於光軸S之剖面之直徑L2,例如為10 mm。透鏡112係相對基台111b向外方延伸而設置。即,透鏡112,關於LED晶片111a之正交於光軸S之方向比基台111b大(透鏡112之直徑L2比基台111b之支持面之一邊的長度L1大)。如此,藉由相對基台111b向外方延伸設置透鏡112,可利用透鏡112使自LED晶片111a出射之光廣範圍地擴散。又,透鏡112之高度H1例如為4.5 mm,比直徑L2小。即,透鏡112正交於LED晶片111a之光軸S的方向之最大長度比高度H1大。
透鏡112之上表面112a與LED晶片111a對向,且包含平行於擴散板3之兩面之中央部分1121、包圍中央部分1121之第1彎曲部分1122、及包圍第1彎曲部分之第2彎曲部分1123。透鏡112之表面中,上表面112a之中央部分1121、第2彎曲部分1123及側面112b成為透射自LED晶片111a出射且通過透鏡112之內部所到達之光的透射區域。又,上表面112a之第1彎曲部分1122成為將自LED晶片111a出射且通過透鏡112之內部所到達之光向側面112b反射之反射 區域。另,本實施形態中,透鏡112係以其底面抵接於反射構件113之基部114,不使光從底面出射之方式構成。
上表面112a之中央部分1121形成於對向於液晶面板2之上表面112a之中央,中央部分1121之中心(即,透鏡112之光軸)位於LED晶片111a之光軸S上。上表面112a之中央部分1121平行於LED晶片111a之發光面,形成圓形狀,其圓形狀之直徑L3例如為1 mm。
上表面112a之第1彎曲部分1122係連接於中央部分1121之外周緣端部,以隨著朝向外方而於LED晶片111a之光軸S方向之一方(朝向液晶面板2之方向)延伸,於內方及光軸S方向之一方凸起之方式彎曲之環狀曲面。為使上表面112a之第1彎曲部分1122成為反射區域,曲面之形狀係以使自LED晶片111a出射之光全反射之方式設計。
上表面112a之第2彎曲部分1123係連接於第1彎曲部分1122之外周緣端部,以隨著朝向外方而於LED晶片111a之光軸S方向之另一方(自液晶面板2分離之方向)延伸,於外方及光軸S方向之一方凸起之方式彎曲之環狀曲面。
本實施形態中,LED晶片111a與透鏡112,係以透鏡112之中心(即,透鏡112之光軸)位於LED晶片111a之光軸S上,透鏡112抵接於LED晶片111a之方式,預先高精度對位而形成。如此,作為將LED晶片111a與透鏡112預先對位而形成之方法,可舉出插入成形,在以特定形狀成形之透鏡112上嵌合被支持於基台111b之LED晶片111a之方法等。本實施形態中,LED晶片111a與透鏡112,係藉由插 入成形使其預先對位而形成。
插入成形時大體分為上表面模具與下表面模具來使用。於組合上表面模具與下表面模具時所形成之空間,以保持LED晶片111a之狀態,藉由從樹脂注入口注入作為透鏡112之原料之樹脂而使其成形。另,於組合上表面模具與下表面模具時所形成之空間,亦可以保持被支持於基台111b之LED晶片111a之狀態,藉由從樹脂注入口注入作為透鏡112之原料之樹脂而使其成形。如此,藉由利用插入成形而形成LED晶片111a與透鏡112,可以使透鏡112抵接於LED晶片111a之方式高精度對位。因此,背光單元1可利用透鏡112使自LED晶片111a出射之光高精度地反射及折射,故從擴散板3至印刷基板12之距離較小之經薄型化之液晶顯示裝置100,亦可於面方向將強度均一化之光照射至液晶面板2。
圖5係用以說明從LED晶片111a出射之光之光路之圖。從LED晶片111a出射之光入射至透鏡112,並經該透鏡112擴散。具體而言,向透鏡112入射之光中,與作為被照射體之擴散板3對向之上表面112a中到達中央部分1121之光,向擴散板3箭頭A1等方向出射。穿透中央部分1121之光直接照射至擴散板3。
又,如圖5所示,到達第1彎曲部分1122之光在第1彎曲部分1122全部反射而朝向側面112b,再從側面112b向箭頭A2等方向出射。向箭頭A2等方向出射之光到達設置於透鏡112之周圍之反射構件113,經反射構件113反射,照射 至被照射體擴散板3。到達第2彎曲部分1123之光折射而向擴散板3箭頭A3等方向出射。
其次,用圖2A、圖2B、圖3、及圖6說明反射構件113。圖6係於X方向俯視反射構件113時之圖。反射構件113於X方向俯視時之外形為正方形。該正方形之各邊與配置成矩陣狀之複數個LED晶片111a之列方向或行方向平行。本實施形態中,反射構件113就該正方形之對角線而線對稱構成。又,就正方形之中央點係90°旋轉對稱地構成。另,作為本發明之另一實施形態,反射構件113於X方向俯視時之外形亦可呈長方形。
反射構件113具有設置於印刷基板12之安裝面12a上之基部114、及包圍基部114之外周緣部且連接於該外周緣部之傾斜部115。基部114係在中央設置有開口部1141之20角形平板狀構件,具有垂直於X方向之平面,且面臨擴散板3之平面之第1反射面114a。傾斜部115係包圍發光部111之框狀構件,具有第2反射面115a、第3反射面115b、及第4反射面115c。第2反射面115a、第3反射面115b、及第4反射面115c分別係面臨發光部111,並以隨著於垂直於X方向之方向離開發光部111而於X方向之反方向離開印刷基板12之方式傾斜之平面。
基部114將第1反射面114a作為主面,在於X方向俯視時之中央部設置有正方形之開口部1141。該正方形之開口部1141之1邊的長度與支持LED晶片111a之基台111b之1邊的長度L1相同,經由該開口部1141而使基台111b通過。基部 114之第1反射面114a之外形係於正方形之各邊之中央部連接等邊梯形而形成之20角形狀。本實施形態中,該正方形之1邊的長度為38.2 mm,等邊梯形之平行之2邊中之長邊完全重合於該正方形之各邊之中央部。該等邊梯形之平行之2邊中長邊之長度例如為22.2 mm,短邊之長度例如為16 mm,長邊與短邊之間的距離例如為0.37 mm。又,在本實施形態中,上述正方形之各邊,相對於X方向俯視時作為反射構件113之外形為正方形之各邊,垂直或平行。
傾斜部115係藉由將4個同一形狀之壁構件1151之兩端部相互連接而構成之框狀構件。各壁構件1151包含:第1壁部11511,其配置在壁構件1151上之兩端部上;第2壁部11512,其配置在壁構件1151上之中央部;及連接部11513,其將第1壁部11511與第2壁部11512連接。
第1壁部11511係將第2反射面115a作為主面之平板狀構件,對應於X方向俯視時之反射構件113之外形即正方形之角部。第2反射面115a係具有互相平行之2邊、垂直於該2邊之1邊、及與該1邊對向之斜邊115aa之梯形。第1壁部11511之斜邊115aa完全重合於與具有該第1壁部11511之壁構件1151不同之另一壁構件1151之第1壁部11511之斜邊115aa。
梯形之第2反射面115a之平行之2邊中之短邊115ab與20角形狀之第1反射面114a之1邊完全重合。該短邊115ab之長度例如為8 mm。又,梯形之第2反射面115a之平行之2邊中之長邊115ac之長度例如為8.9 mm。該長邊115ac上之點 中,LED晶片111a之光軸S至最遠點之距光軸S之距離L4例如為27 mm。
如圖2B所示,以第1反射面114a為基準之第2反射面115a之高度H2,更為詳細而言,即第1反射面114a與第2反射面115a之上端之間之X方向的距離H2例如為5 mm。又,如圖2B所示,第2反射面115a相對於第1反射面114a之傾斜角度θ1例如為100°。
第2壁部11512係以第3反射面115b為主面之平板狀構件,其對應於除去於X方向俯視時之反射構件113之外形即正方形角部之邊部。第3反射面115b為矩形,其1邊115ba與20角形之第1反射面114a之1邊完全重合。第3反射面115b之與第1反射面114a之1邊重合之1邊115ba之長度,例如為16 mm。矩形之第3反射面115b之與該1邊115ba對向之邊上之點中,自光軸S至LED晶片111a之光軸S最近之點的距離L5例如為19.1 mm,比距離L4更小。
如圖2A所示,以第1反射面114a為基準之第3反射面115b之高度H3例如為3 mm,比高度H2更低。又,如圖2A所示,第3反射面115b相對於第1反射面114a之傾斜角度θ2例如為100°,與傾斜角度θ1相同。
連接部11513係以第4反射面115c為主面之平板狀構件。第4反射面115c為4角形狀,4邊中的3邊分別與20角形之第1反射面114a之1邊、梯形之第2反射面115a之1邊、及矩形之第3反射面115b之1邊重合。以第1反射面114a為基準之第4反射面115c之高度隨著從第2反射面115a側朝向第3反 射面115b側而連續減小。本實施形態中,以第1反射面114a為基準之第4反射面115c之高度隨著從第2反射面115a側朝向第3反射面115b側,而從5 mm向3 mm連續性減小。如圖6所示,平行於光軸S之方向,即從X方向觀察反射構件113,第1壁部11511之上端、第2壁部11512之上端與連接部11513之上端係在同一直線上。亦即,從平行於光軸S之方向、即從X方向觀察反射構件113,第1壁部11511之上端與第2壁部11512之上端係在同一直線上。
基部114及傾斜部115包含高亮性PET(Polyethylene Terephthalate:聚對苯二甲酸乙二醇酯)、氧化鋁等。所謂高亮性PET是指含有螢光劑之發泡性PET,例如可舉出日本Toray股份有限公司製之E60V(商品名稱)。基部114及傾斜部115之厚度例如為0.1~0.5 mm。
本實施形態中,基部114之第1反射面114a、與傾斜部115之第2反射面115a、第3反射面115b、及第4反射面115c之全反射率為94%。該等面之全反射率為90%以上,較佳為100%。全反射率如以JIS H 0201:1998所規定般,為鏡面反射率與擴散反射率之和,可以JIS K 7375為標準進行測定。
構成反射構件113之基部114及傾斜部115較好為一體成形,再者,複數個發光裝置11各自具備之各反射構件113較好為相互一體成形。作為將複數個反射構件113一體成形之方法,在反射構件113係利用發泡性PET構成之情形下可舉出押出成型加工,在反射構件113係利用氧化鋁構成 之情形下可舉出衡壓加工。如此,藉由將複數個發光裝置11各自具備之反射構件113一體成形,可提高複數個發光裝置11相對印刷基板12之配置位置之精度,且在背光單元1之組裝作業時,可降低安裝反射構件113之作業次數,故可提高組裝作業之效率。
如上構成之背光單元1,如上所述,距離L5比距離L4小。即,第2壁部11512設置於比第1壁部11511更接近發光部111之位置。且,第3反射面115b之高度H3比第2反射面115a之高度H2小。即,第2壁部11512比第1壁部11511設置得更低。用圖7及圖8來說明藉由較低形成第2壁部11512而發揮之本發明之效果。
圖7顯示本發明,對應圖2A。圖8顯示代替第2壁部11512,而設置將第2壁部11512之高度變更為與第1壁部11511之高度相同而構成之第2壁部11514之情形。如圖7及圖8顯示,從發光部111出射之光之一部分,射向反射構件113之基部114,在基部114之第1反射面114a擴散反射。此時,根據擴散反射之反射光,例如如反射光B1~B4般向複數個方向出射。
圖8所示之例中,反射光B1、B2在第2壁部11514發生反射,並在被照射體之擴散板3上入射至由反射構件113劃分之區域即被照射區域Z1之周緣部Z2。反射光B3過度通過第2壁部11514之上方而射向被照射區域Z1之外側,相對之,反射光B5從鄰接之另一發光裝置11入射至被照射區域Z1之周緣部Z2。反射光B4保持原狀行進而入射至被照射 區域Z1之周緣部Z2。
如圖7所示之例中,反射光B1與圖8所示之例相同,係入射至被照射區域Z1之周緣部Z2。反射光B2與圖8所示之例不同,由於第2壁部11512之高度較低,使得其過度通過第2壁部11512之上方而射向被照射區域Z1之外側,相對之,反射光B6從鄰接之另一發光裝置11入射至被照射區域Z1之中央部Z3。反射光B3過度通過第2壁部11512之上方而射向被照射區域Z1之外側,相對之,反射光B7從鄰接之另一發光裝置11入射至被照射區域Z1之周緣部Z2。反射光B4保持原狀行進而入射至被照射區域Z1之周緣部Z2。
因此,與第2壁部11514之高度係與第1壁部11511為同一高度之圖8之例比較,第2壁部11512之高度比第1壁部11511更低之圖7之例中,入射至被照射區域Z1之周緣部Z2之面臨第2壁部11512之部分(接近第2壁部11512之部分)之光量減少。即,可抑制被照射區域Z1之周緣部Z2之面臨第2壁部11512之部分(接近發光部111之部分)之照射光量,可在與被照射區域Z1之周緣部Z2之面臨第1壁部11511之部分(遠離發光部111之部分)之照射光量之間謀求均一化。
另,該第1實施形態中,係設於X方向俯視反射構件113時之外形為1邊為40 mm之正方形,然而該正方形之1邊的長度可在25 mm~60 mm之範圍內適宜設定。又,第1壁部11511之傾斜角度θ1與第2壁部11512之傾斜角度θ2為相同之100°,然而只要為同一角度,可在大於90°小於120°之範圍內適宜設定。又,第1壁部11511之高度H2係5 mm, 第2壁部11512之高度H3係3 mm,故高度之差為2 mm,然而該高度差可在1 mm~4 mm之範圍內適宜設定。再者,為產生該高度差,第1壁部11511之高度H2及第2壁部11512之高度H3可在1 mm~5 mm之範圍內適宜設定。又,本實施形態中,距離L4為27 mm,距離L5為19.1 mm,因此距離L5比距離L4小,然而只要距離L5為距離L4以下,距離L4及距離L5可在12.5 mm~30 mm之範圍內分別適宜設定。
圖13顯示第1實施形態之變化例。該變化例中,第1壁部11511及第2壁部11512之高度,其每一部分係與距光軸S之距離成比例而連續性變化,第1壁部11511之高度之最小值與第2壁部11512之高度之最大值一致。因此,該變化例中未設置連接部11513,而係將第1壁部11511與第2壁部11512直接連接。但,於X方向俯視反射構件113時之外形保持正方形狀。另外,該變化例中,第1壁部11511及第2壁部11512之各部分距光軸S之距離,係各部分之基部114之與第1反射面114a之接點與光軸S之間之距離,各部分之高度係從該接點以傾斜角度θ1、θ2延伸之直線與第1、2壁部11511、11512之上端面之接點、與基部114之第1反射面114a之間之X方向之距離。
該變化例中,例如可將第1壁部11511之高度之最小值設為4 mm,最大值設為5 mm,以隨著接近光軸S使高度連續降低之方式設置第1壁部11511,可將第2壁部11512之高度之最小值設為3 mm,最大值設為4 mm,以隨著接近光軸S使高度連續降低之方式設置第2壁部11512。如此,藉由使 第1壁部11511及第2壁部11512之各部分之高度連續性變化,可提高照射光量之均一性。
其次說明本發明之第2實施形態。第2實施形態,除代替反射構件113而設置反射構件130以外,與第1實施形態相同,故省略反射構件130以外之說明。圖9係模式性顯示包含反射構件130及發光部111之發光裝置11之外觀。圖10A及圖10B係包含反射構件130及發光部111之發光裝置11之剖面圖,圖10A係模式性顯示以圖9之切斷面線I-I切斷時之發光裝置11之剖面,圖10B係模式性顯示以圖9之切斷面線J-J切斷時之發光裝置11之剖面。
圖11係於X方向俯視反射構件130時之圖。反射構件130於X方向俯視時之外形係1邊為40 mm之正方形。該正方形之各邊與配置成矩陣狀之複數個LED晶片111a之列方向或行方向平行。本實施形態中,反射構件130就該正方形之對角線線對稱地構成。又,就正方形之中央點係90°旋轉對稱地構成。另,作為本發明之另一實施形態,反射構件130於X方向俯視時之外形亦可呈長方形。
反射構件130具有設置於印刷基板12之安裝面12a上之基部131、及包圍基部131之外周緣部且連接於該外周緣部之傾斜部132。基部131係在中央設置有開口部1311之20角形平板狀構件,具有垂直於X方向之平面且面臨擴散板3之平面之第1反射面131a。傾斜部132係包圍發光部111之框狀構件,具有第2反射面132a、第3反射面132b、及第4反射面132c。第2反射面132a、第3反射面132b、及第4反射面 132c分別係面臨發光部111,並以隨著於垂直於X方向之方向離開發光部111而於X方向之反方向離開印刷基板12之方式傾斜之面。
基部131將第1反射面131a作為主面,在於X方向俯視時之中央部設置有正方形之開口部1311。該正方形之開口部1311之1邊的長度與支持LED晶片111a之基台111b之1邊的長度L1相同,於該開口部1311有基台111b插通。
基部131之第1反射面131a之外形係於正方形之各邊的中央部連接等邊梯形而形成之20角形。本實施形態中,該正方形之1邊之長度為38.2 mm,等邊梯形之平行之2邊中之長邊完全重合於該正方形之各邊之中央部。該等邊梯形之平行之2邊之中長邊的長度例如為22.2 mm,短邊之長度例如為16 mm,長邊與短邊之間的距離例如為0.46 mm。又,本實施形態中,上述正方形之各邊,相對於X方向俯視時作為反射構件130之外形為正方形之各邊,垂直或平行。
傾斜部132係藉由將4個相同形狀之壁構件1321之兩端部相互連接而構成之框狀構件。各壁構件1321包含:第1壁部13211,其配置在壁構件1321之兩端部;第2壁部13212,其配置在壁構件1321之中央部;及連接部13213,其將第1壁部13211與第2壁部13212連接。
第1壁部13211係將平面之第2反射面132a作為主面之平板狀構件,對應於X方向俯視時之反射構件130之外形即正方形之角部。第2反射面132a係具有相互平行之2邊、垂直 於該2邊之1邊、及與該1邊對向之斜邊132aa之梯形。第1壁部13211之斜邊132aa完全重合於與具有該第1壁部13211之壁構件1321不同之另一壁構件1321之第1壁部13211之斜邊132aa。
梯形狀之第2反射面132a之平行的2邊中之短邊132ab與20角形狀之第1反射面131a之1邊完全重合。該短邊132ab之長度例如為8 mm。又,梯形狀之第2反射面132a之平行的2邊中之長邊132ac之長度例如為8.9 mm。該長邊132ac上之點中,從LED晶片111a之光軸S到最遠點之距光軸S之距離L11例如為27 mm。
圖10B所示之以第1反射面131a為基準之第2反射面132a之高度H8例如為5 mm。又,圖10B所示之第2反射面132a相對第1反射面131a之傾斜角度θ7例如為100°。
第2壁部13212係將平面之第3反射面132b作為主面之平板狀構件,對應於X方向俯視時作為反射構件130之外形呈正方形狀之邊部。第3反射面132b為矩形,其1邊132ba與20角形狀之第1反射面131a之1邊完全重合。第3反射面132b之與第1反射面131a之1邊重合之1邊132ba的長度例如為16 mm。矩形之第3反射面132b之與其1邊132ba對向之邊上的點中,至最接近LED晶片111a之光軸S之點之距光軸S之距離L12例如為19.1 mm,比距離L11小。
圖10A所示之以第1反射面131a為基準之第3反射面132b之高度H9,例如為5 mm,與高度H8相同。又,圖10A所示之第3反射面132b相對第1反射面131a之傾斜角度θ8例如 為95°,比傾斜角度θ7小。
連接部13213係以第4反射面132c為主面之板狀構件。第4反射面132c分別連接於20角形狀之第1反射面131a之1邊、梯形之第2反射面132a之1邊、及矩形之第3反射面132b之1邊。第4反射面132c相對第1反射面131a之傾斜角度隨著從第2反射面132a側朝向第3反射面132b側而連續變小。本實施形態中,第4反射面132c相對第1反射面131a之傾斜角度,隨著從第2反射面132a側朝向第3反射面132b側而從100°向95°連續變小。如圖11所示,平行於光軸S之方向,即從X方向觀察反射構件130,第1壁部13211之上端、第2壁部13212之上端、與連接部13213之上端係在同一直線上。即平行於光軸S之方向,即從X方向觀察反射構件130,第1壁部13211之上端與第2壁部13212之上端係在同一直線上。
基部131及傾斜部132包含高亮性PET、氧化鋁等。基部131及傾斜部132之厚度例如為0.1~0.5 mm。
本實施形態中,基部131之第1反射面131a、以及傾斜部132之第2反射面132a、第3反射面132b、及第4反射面132c之全反射率為94%。該等面之全反射率在90%以上,較好之為100%。
構成反射構件130之基部131及傾斜部132較好為一體成形,再者,複數個發光裝置11各自具備之各反射構件130較好為互相一體成形。作為將複數個反射構件130一體成形之方法,在反射構件130係利用發泡性PET構成之情形下 可舉出押出成型加工,在反射構件130係利用氧化鋁構成之情形下可舉出衡壓加工。
如上構成之反射構件130,如上所述,距離L12比距離L11更小。即,第2壁部13212設置在比第1壁部13211更接近發光部111之位置。且,第2壁部13212之傾斜角度θ8比第1壁部13211之傾斜角度θ7更小。用圖8及圖12說明使第2壁部13212之傾斜角度θ8較小而發揮之本發明之效果。
圖12顯示本發明,對應圖10A。如圖8及圖12所示,從發光部111出射之光之一部分射向反射構件113、130之基部114、131,並在基部114、131之第1反射面114a、131a擴散反射。此時,藉由擴散反射之反射光例如如反射光B1~B4般射向複數個方向。
如圖8所示之例,如第1實施形態說明般,反射光B1、B2入射至被照射區域Z1之周緣部Z2。代替反射光B3,從鄰接之另一發光裝置11,有反射光B5入射至被照射區域Z1之周緣部Z2。反射光B4入射至被照射區域Z1之周緣部Z2。
如圖12所示之例,與圖8所示之例不同,因第2壁部13212之傾斜角度θ8較小,故第2壁部13212相對第3反射面132b之反射光B1、B2之入射角度及反射角度較小,其結果,反射光B1、B2入射至被照射區域Z1之中央部Z3。反射光B3過度通過第2壁部13212之上方而射向被照射區域Z1之外側,相對之,反射光B8從鄰接之另一發光裝置11,入射至被照射區域Z1之周緣部Z2。反射光B4保持原狀行 進,入射至被照射區域Z1之周緣部Z2。
因此,與第2壁部11514之傾斜角度係與第1壁部11511之傾斜角度相同之圖8之例比較,第2壁部13212之傾斜角度θ8比第1壁部13211之傾斜角度θ7更小之圖12之例中,入射至被照射區域Z1之周緣部Z2中面臨第2壁部13212之部分(接近第2壁部13212之部分)的光量有所減少。即,能夠抑制被照射區域Z1之周緣部Z2中面臨第2壁部13212之部分(接近發光部111之部分)之照射光量,能夠在與被照射區域Z1之周緣部Z2中面臨第1壁部13211之部分(遠離發光部111之部分)之照射光量之間謀求均一化。
另,該第2實施形態中,係設於X方向俯視反射構件130時之外形為1邊為40 mm之正方形,然而該正方形之1邊的長度可在20 mm~60 mm之範圍內適宜設定。又,第1壁部13211之高度H8與第2壁部13212之高度H9同為5 mm,然而只要為同一高度,可在2 mm~8 mm之範圍內適宜設定。又,第1壁部13211之傾斜角度θ7為100°,第2壁部13212之傾斜角度θ8為95°,故傾斜角度之差為5°,然而該傾斜角度之差可在大於0°小於45°之範圍內適宜設定。再者,為產生該傾斜角度之差,第1壁部13211之傾斜角度θ7及第2壁部13212之傾斜角度θ8可在大於90°小於120°之範圍內分別適宜設定。又,本實施形態中,距離L11為27 mm,距離L12為19.1 mm,因此距離L12比L11小,然而只要距離L12在距離L11以下,距離L11及距離L12可在15 mm~30 mm之範圍內分別適宜設定。
作為如此之第2實施形態之變化例,其構成可為:第1壁部13211及第2壁部13212之傾斜角度其每一部分係與距光軸S之距離成比例地連續性變化,使第1壁部13211之傾斜角度之最小值與第2壁部13212之傾斜角度之最大值保持一致。因此,該變化例中未設置連接部13213,而係將第1壁部13211與第2壁部13212直接連接。但,於X方向俯視反射構件130時之外形係保持為正方形。另,該變化例中,第1壁部13211及第2壁部13212之各部分距光軸S之距離,為各部分之與基部131之第1反射面131a之接點與光軸S之間的距離。
該變化例中,例如,將第1壁部13211之傾斜角度之最小值設為97.5°,將最大值設為100°,以隨著靠近光軸S而使傾斜角度連續減小之方式設置第1壁部13211;將第2壁部13212之傾斜角度之最小值設為95°,將最大值設為97.5°,以隨著靠近光軸S而使傾斜角度連續減小之方式設置第2壁部13212。如此,可藉由使第1壁部13211及第2壁部13212之各部分之傾斜角度連續性變化,而提高照射光量之均一性。
其次說明本發明之第3實施形態。第3實施形態除了代替反射構件113而設置反射構件150以外,與第1實施形態相同,故省略反射構件150以外之說明。圖14係模式性顯示包含反射構件150及發光部111之發光裝置11之外觀之圖。圖15A及圖15B係包含反射構件150及發光部111之發光裝置11之剖面圖,圖15A係模式性顯示以圖14之切斷面線E-E 切斷時之發光裝置11之剖面,圖15B係模式性顯示以圖14之切斷面線F-F切斷時之發光裝置11之剖面。
圖16係在X方向俯視反射構件150時之圖。反射構件150在於X方向俯視時之外形係1邊為40 mm之正方形。該正方形之各邊,與以矩陣狀配置之複數個LED晶片111a之列方向或行方向平行。本實施形態中,反射構件150就該正方形之對角線線對稱地構成。又,就正方形之中央點90°旋轉對稱地構成。另,作為本發明之其他實施形態,於X方向俯視反射構件150時之外形亦可為長方形。
反射構件150具有設置於印刷基板12之安裝面12a上之基部151、及包圍基部151之外周緣部且連接於該外周緣部之傾斜部152。基部151係在中央設置有開口部1511之20角形平板狀構件,具有作為垂直於X方向之平面且面臨擴散板3之平面之第1反射面151a。傾斜部152係包圍發光部111之框狀構件,其具有第2反射面152a、第3反射面152b、及第4反射面152c。第2反射面152a、第3反射面152b、及第4反射面152c分別係面臨發光部111,且以隨著於垂直於X方向之方向遠離發光部111而於X方向之反方向遠離印刷基板12之方式傾斜之面。
基部151以第1反射面151a為主面,於X方向俯視時在中央部設置有正方形之開口部1511。該正方形之開口部1511之1邊的長度,與支持LED晶片111a之基台111b之1邊的長度L1相同,基台111b插通於該開口部1511。
基部131之第1反射面151a之外形係在正方形各邊之中央 部連接等邊梯形而形成之20角形狀。本實施形態中,在該正方形之各邊之中央部,等邊梯形之平行的2邊中之長邊完全重合。此外,在本實施形態中,上述正方形之各邊相對於X方向俯視時之反射構件150之外形之正方形之各邊,垂直或平行。
傾斜部152係藉由將4個相同形狀之壁構件1521之兩端部互相連接而構成之框狀構件。各壁構件1521包含:第1壁部15211,其係配置於壁構件1521上之兩端部;第2壁部15212,其係配置於壁構件1521上之中央部;及連接部15213,其係將第1壁部15211與第2壁部15212連接。
第1壁部15211係以平面之第2反射面152a為主面之平板狀構件,對應於X方向俯視時之反射構件150之外形之正方形之角部。第2反射面152a係具有互相平行之2邊、垂直於該2邊之1邊、及與該1邊對向之斜邊152aa之梯形。第1壁部15211之斜邊152aa,與和具有該第1壁部15211之壁構件1521不同之另一壁構件1521之第1壁部15211之斜邊152aa完全重合。
梯形狀之第2反射面152a之平行之2邊中之短邊152ab係與20角形狀之第1反射面151a之1邊完全重合。又,梯形狀之第2反射面152a之平行之2邊中之長邊152ac上之點中,從LED晶片111a之光軸S到最遠點之距光軸S之距離L7,例如為27 mm。
圖15B所示之以第1反射面151a為基準之第2反射面152a之高度H10,例如為5 mm。又,圖15B所示之第2反射面 132a相對第1反射面151a之傾斜角度θ5例如為100°。
第2壁部15212係以平面之第3反射面152b為主面之平板狀構件,對應於X方向俯視時之反射構件150之外形之正方形之邊部。第3反射面152b係矩形狀,其1邊152ba與20角形狀之第1反射面131a之1邊完全重合。矩形狀之第3反射面132b之與該1邊132ba對向之邊上之點中,至距離LED晶片111a之光軸S最近之點之距光軸S之距離L8例如為19.1 mm,比距離L7小。
圖15A所示之以第1反射面151a為基準之第3反射面152b之高度H11例如為3 mm,比高度H10低。又,圖15A所示之第3反射面152b相對第1反射面151a之傾斜角度θ6例如為95°,比傾斜角度θ5小。
連接部15213係以第4反射面152c為主面之板狀構件。第4反射面152c分別連接於20角形狀之第1反射面151a之1邊、梯形狀之第2反射面152a之1邊、及矩形狀之第3反射面152b之1邊。第4反射面152c相對第1反射面151a之傾斜角度隨著自第2反射面152a側朝向第3反射面152b側而連續減小。本實施形態中,第4反射面152c相對第1反射面151a之傾斜角度,隨著自第2反射面152a側朝向第3反射面152b側而從100°向95°連續減小。如圖16所示,平行於光軸S之方向,即從X方向觀察反射構件150,第1壁部15211之上端與第2壁部15212之上端與連接部15213之上端係在同一直線上。即,平行於光軸S之方向,即從X方向觀察反射構件150,第1壁部15211之上端與第2壁部15212之上端係在同 一直線上。
基部151及傾斜部152包含高亮性PET、氧化鋁等。基部151及傾斜部152之厚度例如為0.1~0.5 mm。
本實施形態中,基部151之第1反射面151a以及傾斜部152之第2反射面152a、第3反射面152b、及第4反射面152c之全反射率為94%。該等面之全反射率為90%以上,較好之為100%。
構成反射構件150之基部151及傾斜部152較好為一體成形,再者,複數個發光裝置11分別具備之各反射構件150較好為互相一體成形。作為將複數個反射構件150一體成形之方法,在反射構件150係利用發泡性PET構成之情形下,可舉出押出成型加工,在反射構件150係利用氧化鋁構成之情形下,可舉出衡壓加工。
另,該第3實施形態中,係將在X方向俯視反射構件150時之外形設為1邊為40 mm之正方形,然而該正方形之1邊之長度可在20 mm~60 mm之範圍內適宜設定。又,由於第1壁部15211之高度H10為5 mm,第2壁部15212之高度H11為3 mm,故高度差為2 mm,然而該高度差可在1 mm~4 mm之範圍內適宜設定。又,由於第1壁部15211之傾斜角度θ5為100°,第2壁部15212之傾斜角度θ6為95°,故傾斜角度之差為5°,然而該傾斜角度之差可在大於0°小於45°之範圍內適宜設定。再者,為產生該傾斜角度之差,第1壁部15211之傾斜角度θ5及第2壁部15212之傾斜角度θ6可在大於9°小於120°之範圍內分別適宜設定。又,本實施形 態中,由於距離L7為27 mm,距離L8為19.1 mm,故距離L8比距離L7小,然而只要距離L8在距離L7以下,距離L7及距離L8可在15 mm~30 mm之範圍內分別適宜設定。
根據如以上之第1~第3實施形態之具備背光單元1之液晶顯示裝置100,可藉由背光單元1,對作為被照射體之擴散板3於其面方向照射強度均一化之光,故可對於平行設置於擴散板3之液晶面板2於其面方向照射強度均一化之光。藉此,液晶顯示裝置100可顯示高畫質之圖像。
本發明在不脫離其精神或主要特徵下,可以其他各種形態實施。因此,上述實施形態僅為用所有點單純例示而已,本發明之範圍即專利請求之範圍所示者,對說明書本文無任何約束。再者,屬於專利請求之範圍之變形與變更全部在本發明之範圍內。
1‧‧‧背光單元
2‧‧‧液晶面板
3‧‧‧擴散板
11‧‧‧發光裝置
12‧‧‧印刷基板
12a‧‧‧安裝面
13a‧‧‧底部
13aa‧‧‧底面
21‧‧‧前面正面
22‧‧‧背面
100‧‧‧液晶顯示裝置
111‧‧‧發光部
111a‧‧‧LED晶片
111b‧‧‧基台
112‧‧‧透鏡
112a‧‧‧上表面
112b‧‧‧側面
113‧‧‧反射構件
114‧‧‧基部
114a‧‧‧第1反射面
115‧‧‧傾斜部
115a‧‧‧第2反射面
115b‧‧‧第3反射面
115c‧‧‧第4反射面
130‧‧‧反射構件
131‧‧‧基部
131a‧‧‧第1反射面
132‧‧‧傾斜部
132a‧‧‧第2反射面
132b‧‧‧第3反射面
132c‧‧‧第4反射面
150‧‧‧反射構件
151‧‧‧基部
151a‧‧‧第1反射面
152‧‧‧傾斜部
152a‧‧‧第2反射面
152b‧‧‧第3反射面
152c‧‧‧第4反射面
1151‧‧‧壁構件
1321‧‧‧壁構件
1521‧‧‧壁構件
11511‧‧‧第1壁部
11512‧‧‧第2壁部
11513‧‧‧連接部
11514‧‧‧第2壁部
13211‧‧‧第1壁部
13212‧‧‧第2壁部
13213‧‧‧連接部
15211‧‧‧第1壁部
15212‧‧‧第2壁部
15213‧‧‧連接部
圖1係顯示液晶顯示裝置之構成之分解立體圖。
圖2A係模式性顯示以圖1之切斷面線A-A切斷時之液晶顯示裝置之剖面之一部分的圖。
圖2B係模式性顯示以圖1之切斷面線B-B切斷時之液晶顯示裝置之剖面之一部分的圖。
圖3係模式性顯示包含反射構件及發光部之發光裝置之外觀之圖。
圖4係顯示被支持於基台之LED晶片與透鏡之圖。
圖5係用以說明自LED晶片出射之光之光路之圖。
圖6係於X方向俯視反射構件時之圖。
圖7係顯示對應圖2A之本發明之效果之圖。
圖8係顯示第2壁部之另一例之圖。
圖9係模式性顯示包含反射構件及發光部之發光裝置之外觀之圖。
圖10A係包含反射構件及發光部之發光裝置之剖面圖。
圖10B係包含反射構件及發光部之發光裝置之剖面圖。
圖11係於X方向俯視反射構件時之圖。
圖12係顯示對應圖10A之本發明之效果之圖。
圖13係顯示第1實施形態之變化例之圖。
圖14係模式性顯示包含反射構件及發光部之發光裝置之外觀之圖。
圖15A係包含反射構件及發光部之發光裝置之剖面圖。
圖15B係包含反射構件及發光部之發光裝置之剖面圖。
圖16係於X方向俯視反射構件時之圖。
1‧‧‧背光單元
2‧‧‧液晶面板
3‧‧‧擴散板
11‧‧‧發光裝置
12‧‧‧印刷基板
12a‧‧‧安裝面
13a‧‧‧底部
13aa‧‧‧底面
21‧‧‧正面
22‧‧‧背面
100‧‧‧液晶顯示裝置
111‧‧‧發光部
111a‧‧‧LED晶片
111b‧‧‧基台
112‧‧‧透鏡
113‧‧‧反射構件
114‧‧‧基部
114a‧‧‧第1反射面
115‧‧‧傾斜部
115b‧‧‧第3反射面

Claims (8)

  1. 一種發光裝置,其特徵為,其係用以對被照射體照射光者,且包含:發光部,其出射光;及反射構件,其係設置於上述發光部之周圍,且具有:朝垂直於上述發光部之光軸之方向延伸之基部;及傾斜部,其係自該基部傾斜延伸,且包含第1壁部、及與該第1壁部相比自上述基部起之高度較低且距離上述發光部較近之第2壁部。
  2. 一種發光裝置,其特徵為,其係用以對被照射體照射光者,且包含:發光部,其出射光;及反射構件,其係設置於上述發光部之周圍,且具有:朝垂直於上述發光部之光軸之方向延伸之基部;及傾斜部,其係自該基部傾斜延伸,且包含第1壁部、及與該第1壁部相比相對於上述基部之傾斜角度較小且距離上述發光部較近之第2壁部。
  3. 一種發光裝置,其特徵為其係用以對被照射體照射光者,且包含:發光部,其出射光;及反射構件,其係設置於上述發光部之周圍,且具有:朝垂直於上述發光部之光軸之方向延伸之基部;及傾斜部,其係自該基部傾斜延伸,且包含第1壁部、及與該第1壁部相比自上述基部起之高度較低且相對於上述基 部之傾斜角度較小、距離上述發光部較近之第2壁部。
  4. 如請求項1至3中任一項之發光裝置,其中上述第1壁部係設置於上述反射構件之角部。
  5. 如請求項1至3中任一項之發光裝置,其中從平行於上述光軸之方向觀察上述反射構件,上述第1壁部之上端與第2壁部之上端係在同一直線上。
  6. 如請求項5之發光裝置,其中上述第1壁部與上述第2壁部係連續性連接。
  7. 一種照明裝置,其特徵在於具備複數個如請求項1至6中任一項之發光裝置,且複數個發光裝置係排列配置。
  8. 一種顯示裝置,其特徵為包含:顯示面板;及用以從背面側向上述顯示面板照射光之、具備如請求項1至6中任一項之發光裝置之照明裝置或如請求項7之照明裝置。
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