TWI475290B - A light emitting device and a display device - Google Patents

Description

發光裝置及顯示裝置

本發明係關於一種設置於對顯示面板之背面照射光之背光源單元之發光裝置、包含該發光裝置之顯示裝置。

顯示面板係於2塊透明基板之間封入液晶，藉由施加電壓改變液晶分子之方向而使透光率變化，藉此光學顯示預先規定之影像等。於該顯示面板，由於液晶本身並非發光體，故而設有例如對穿透式顯示面板之背面側照射將冷陰極管(CCFL，Cold Cathode Fluorescent Lamp，冷陰極螢光燈管)、發光二極體(LED：Light Emitting Diode)等作為光源之光的背光源單元。

背光源單元中，存在將冷陰極管或LED等光源排列於底面而發出光之直下型、及將冷陰極管或LED等光源配置於稱作為導光板之透明板之邊緣部，自導光板邊緣通過光而根據設置於背面之網點印刷或圖案形狀向正面發出光之邊緣照明型。

LED具有低消耗電力、長壽命、由於不使用水銀而降低環境負載等優異之特性，但由於價格昂貴、於發明藍色發光LED之前不存在白色發光LED、及進而具有較強之指向性，故用作背光源單元之光源較遲。然而，近年來，因照明用途，而高顯色高亮度白色LED迅速普及，相伴於此LED變得廉價，因此作為背光源單元之光源，自冷陰極管向LED進行轉移。

LED因具有較強之指向性，故而就於顯示面板之背面沿面方向使亮度均勻化而照射光之觀點而言，邊緣照明型相較直下型更有效。然而，邊緣照明型背光源單元產生因光源集中配置於導光板之邊緣部而由光源產生之熱量集中之問題，並且產生顯示面板之鑲框部變大之問題。進而，有如下之問題：邊緣照明型背光源單元係對於作為可實現顯示圖像之高品質化及省電力化之控制方法而所注視之部分之調光控制(局部調光)之制約亦大，而無法進行可達成顯示圖像之高品質化及省電力化之小分割區域之控制。

因此，推進如下方法之研究：即便於在對部分之調光控制有利之直下型之背光源單元中，將具有較強之指向性之LED用作光源之情形時，亦可以被照射體之亮度於上述被照射體之面方向上變得均勻之方式，對顯示面板照射光。

例如，於專利文獻1中，揭示有包含發光元件、具有以覆蓋上述發光元件之方式設置之倒圓錐形狀之凹陷之樹脂透鏡、及設置於樹脂透鏡之周圍之反射板的倒圓錐型發光元件燈。又，於專利文獻2中，揭示有包含發光元件、及一面使自發光元件出射之光向與光軸正交之方向反射一面導光之導光反射體的光源單元。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開昭61-127186號公報

[專利文獻2]日本專利特開2010-238420號公報

於專利文獻1及2揭示之技術中，可使自發光元件出射之具有較強之指向性之光向與發光元件之光軸交叉之方向漫射，而於面方向上對顯示面板照射光。

近年來，對顯示裝置之薄型化之要求提高，於設於如此般之經薄型化之顯示裝置之直下型之發光裝置中，要求使自發光元件出射之光向與發光元件之光軸交叉之方向高精度地漫射。然而，於專利文獻1及2揭示之技術中，無法充分滿足上述要求。

例如，於專利文獻2揭示之技術中，將發光元件設置於反射板之底部之中心，反射板之外部形狀為四邊形狀，反射板之側壁係相對於反射板之底部而垂直設置。若如此般反射板之外部形狀為多邊形狀，則自發光元件直至多邊形狀之角部為止之距離長於直至邊部為止之距離，其結果，照射至顯示面板中臨近角部之部分之光量少於照射至臨近邊部之部分之光量，而對於顯示面板之照射光量變得不均勻。

本發明之目的在於提供一種在用於包含顯示面板之顯示裝置之背光源單元之發光裝置中，可以顯示面板之亮度於上述顯示面板之面方向上變得均勻之方式，對顯示面板照射光，且可實現薄型化之發光裝置及包含該發光裝置之顯示裝置。

本發明係一種發光裝置，其特徵在於其係對被照射體進 行照射者，其包含：發光部，其對被照射體照射光；及反射構件，其設置於上述發光部之周圍；上述反射構件係自上述被照射體側俯視時之外部形狀為多邊形狀，自上述被照射體側俯視時之、上述反射構件之角部與上述角部及上述發光部之間之區域即第1反射區域中的平均全反射率，大於上述反射構件之邊部與上述邊部及上述發光部之間之區域即第2反射區域中的平均全反射率，上述發光部係於自上述被照射體側俯視時，配置於上述反射構件之中央部。

又，於本發明中，較佳為，上述反射構件係於上述第1反射區域內，包含具有特定之全反射率之第1基準反射部、及具有高於上述特定之全反射率之全反射率之高反射部，上述角部、上述邊部及上述第2反射區域之全反射率與上述特定之全反射率相等。

又，於本發明中，較佳為，上述反射構件係於上述第2反射區域內，包含具有特定之全反射率之第2基準反射部、及具有低於上述特定之全反射率之全反射率之第1低反射部，上述角部、上述邊部及上述第1反射區域之全反射率與上述特定之全反射率相等。

又，於本發明中，較佳為上述反射構件係 於上述邊部內，包含具有特定之全反射率之第3基準反射部、及具有低於上述特定之全反射率之全反射率之第2低反射部，上述角部、上述第1反射區域及上述第2反射區域之全反射率與上述特定之全反射率相等。

又，於本發明中，較佳為，上述反射構件係於上述第1反射區域內，包含具有特定之全反射率之第1基準反射部、及具有高於上述特定之全反射率之全反射率之高反射部，於上述第2反射區域內，包含具有上述特定之全反射率之第2基準反射部、及具有低於上述特定之全反射率之全反射率之第1低反射部，上述角部及上述邊部之全反射率與上述特定之全反射率相等。

又，於本發明中，較佳為，上述高反射部之漫反射範圍窄於上述第2反射區域之漫反射範圍。

又，於本發明中，較佳為，上述第1低反射部之漫反射範圍寬於上述第1反射區域之漫反射範圍。

又，於本發明中，較佳為，上述第2低反射部之漫反射範圍寬於上述第1反射區域之漫反射範圍。

又，於本發明中，較佳為，上述高反射部之漫反射範圍窄於上述第1基準反射部之漫反射範圍，上述第1低反射部之漫反射範圍寬於上述第1基準反射部之漫反射範圍， 上述第2基準反射部之漫反射範圍與上述第1基準反射部之漫反射範圍相等。

又，於本發明中，較佳為，上述反射構件包含：基部，其包圍上述發光元件；及傾斜部，其包圍上述基部，且以隨著遠離上述發光元件而接近上述被照射體之方式傾斜。

又，本發明係一種顯示裝置，其特徵在於包含：顯示面板；及照明裝置，其包含對上述顯示面板之背面照射光之上述發光裝置。

根據本發明，反射構件係因角部與第1反射區域中之平均全反射率大於邊部與第2反射區域中之平均全反射率，故而在第1反射區域及角部進行反射而到達被照射體之光之量相對於在第2反射區域及邊部進行反射而到達被照射體之光之量之比相較先前增加。即，到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量相對於到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量之比相較先前增加。其結果，可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，藉由形成於第1反射區域，且具有高於第1基準反射部、角部、邊部及第2反射區域之全反射率之全反射率之高反射部，可增加到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量。因此，可相較先前使到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量相對於到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量之比增加，而 可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，藉由形成於第2反射區域，且具有低於第2基準反射部、角部、邊部及第1反射區域之全反射率之全反射率之第1低反射部，可減少到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量。因此，可相較先前使到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量相對於到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量之比增加，而可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，藉由形成於反射構件之邊部，且具有低於第3基準反射部、角部、第1反射區域及第2反射區域之全反射率之全反射率之第2低反射部，可減少到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量。因此，可相較先前使到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量相對於到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量之比增加，而可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，藉由形成於第1反射區域，且具有高於第1基準反射部、角部、邊部及第2反射區域之全反射率之全反射率之高反射部，可增加到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量，並且藉由形成於反射構件之第2反射區域，且具有低於第1基準反射部、第2基準反射部、高反射部、角部及邊部之全反射率之全反射率之第1低反射部，可減少到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量。因此，可相較先前使到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量相對於到達被照射體中臨近反 射構件之邊部之部分之光之量之比增加，而可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，高反射部之漫反射範圍窄於第2反射區域之漫反射範圍。即，於高反射部進行反射之光相較於第2反射區域進行反射之光而漫射於更窄之範圍內。藉此，可相較先前使到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量相對於到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量之比進一步增加，而可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，第1低反射部之漫反射範圍寬於第1反射區域之漫反射範圍。即，於第1低反射部進行反射之光相較於第1反射區域進行反射之光而漫射於更寬之範圍內。藉此，可相較先前使到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量相對於到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量之比進一步增加，而可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，第2低反射部之漫反射範圍寬於第1反射區域之漫反射範圍。即，於第2低反射部進行反射之光相較於第1反射區域進行反射之光而漫射於更寬之範圍內。藉此，可相較先前使到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量相對於到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量之比進一步增加，而可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，高反射部之漫反射範圍窄於第1基準反射 部之漫反射範圍，第1低反射部之漫反射範圍寬於第1基準反射部之漫反射範圍，第2基準反射部之漫反射範圍與第1基準反射部之漫反射範圍相等。即，於第1低反射部進行反射之光相較於高反射部進行反射之光而漫射於更寬之範圍內。藉此，可相較先前使到達被照射體中臨近反射構件之角部之部分之光之量相對於到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分之光之量之比進一步增加，而可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，由於傾斜部係以隨著遠離發光元件而接近被照射體之方式傾斜，故而自發光元件出射之光容易到達被照射體中臨近反射構件之邊部之部分及臨近角部之部分。因此，可使照射至被照射體之光均勻化。

根據本發明，由於顯示裝置係藉由包含上述發光裝置之照明裝置而對顯示面板之背面照射光，故而可顯示更高畫質之圖像。

以下，參考圖式對本發明之較佳之實施形態進行詳細說明。

圖1係表示本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置100之構成之分解立體圖。圖2A係模式性地表示沿圖1中之切斷面線A-A切斷時之液晶顯示裝置100之剖面之圖。圖2B係模式性地表示沿圖1中之切斷面線B-B切斷時之液晶顯示裝置100之剖面之圖。本發明之顯示裝置即液晶顯示裝置100係在電視接收器或個人電腦等中，藉由輸出圖像資訊而將 圖像顯示於顯示畫面之裝置。顯示畫面係藉由具有液晶元件之穿透式顯示面板即液晶面板2而形成，且液晶面板2形成為矩形平板狀。於液晶面板2中，將厚度方向之2個面設為正面21及背面22。液晶顯示裝置100係沿自正面21朝向背面22之方向觀察時可視認地顯示圖像。

液晶顯示裝置100包括液晶面板2、與包含本發明之發光裝置之背光源單元1。液晶面板2係與背光源單元1所具備之框架構件13之底部131之底面131a平行地由側壁部132支撐。液晶面板2包含2塊基板，自厚度方向觀察時形成為長方形之板狀。液晶面板2包含TFT(thin film transistor，薄膜電晶體)等開關元件，於2塊基板之間隙中注入有液晶。液晶面板2係藉由將來自配置於背面22側之背光源單元1之光作為背光源進行照射，而發揮顯示功能。於上述2塊基板上，設置有液晶面板2中之像素之驅動控制用之驅動器(源極驅動器)、各種元件及配線。

又，於液晶顯示裝置100中，於液晶面板2與背光源單元1之間，擴散板3與液晶面板2平行地配置。再者，亦可於液晶面板2與擴散板3之間配置稜鏡片。

擴散板3係藉由使自背光源單元1照射之光沿面方向漫射，而防止亮度局部地偏倚。稜鏡片使經由擴散板3而自背面22側到達之光之前進方向朝向正面21側。為了防止於擴散板3中，亮度於面方向上偏倚，而光之前進方向包含較多之面方向之成分作為矢量成分。與此相對，稜鏡片將包含較多之面方向之矢量成分之光之前進方向轉換成包含 較多之厚度方向之成分之光之前進方向。具體而言，稜鏡片係將透鏡或形成為稜狀之部分沿面方向排列多數而形成，藉此，使向厚度方向前進之光之漫射度變小。因此，可於利用液晶顯示裝置100進行之顯示中使亮度提昇。

背光源單元1係自背面22側對液晶面板2照射光之直下型之背光源裝置。背光源單元1包含對液晶面板2照射光之複數個發光裝置11、複數個印刷基板12及框架構件13。

框架構件13為背光源單元1之基本結構體，其包含與液晶面板2隔開預先規定之間隔而對向之平板狀之底部131、及連接於底部131並自底部131立起之側壁部132。底部131係自厚度方向觀察時形成為長方形，其大小略大於液晶面板2。側壁部132係自底部131中構成短邊之2個端部與構成長邊之2個端部向液晶面板2之正面21側立起而形成。藉此，於底部131之周圍形成有4個平板狀之側壁部132。

印刷基板12固定於框架構件13之底部131。於該印刷基板12上，設置有複數個發光裝置11。印刷基板12係例如於兩面形成有導電層之含有環氧玻璃之基板。

複數個發光裝置11係對液晶面板2照射光者。於本實施形態中，將複數個發光裝置11作為1個群，以經由擴散板3遍及整個液晶面板2之背面22而對向之方式，並排排列複數個設置有複數個發光裝置11之印刷基板12，藉此將發光裝置11設置成矩陣狀。各發光裝置11係於沿與框架構件13之底部131垂直之X方向俯視時形成為正方形，擴散板3之液晶面板2側之面之亮度規定為6000 cd/m² ，一邊之長度例 如為40 mm。

複數個發光裝置11分別包含發光部111、及於印刷基板12上設置於發光部111之周圍之反射構件113。發光部111包含作為發光元件之發光二極體(LED)晶片111a、支撐LED晶片111a之基台111b及作為光學構件之透鏡112。

圖3A係表示支撐於基台111b之LED晶片111a與透鏡112之位置關係之圖。

基台111b係用以支撐LED晶片111a之構件。該基台111b之支撐LED晶片111a之支撐面係於沿X方向俯視時形成為正方形，正方形之一邊之長度L1例如為3 mm。又，基台111b之高度例如為1 mm。

圖3B~圖3D係表示基台111b與LED晶片111a之圖，圖3B為平面圖，圖3C為前視圖，圖3D為仰視圖。如圖3B~圖3D所示，基台111b包含含有陶瓷之基台本體111g及設置於基台本體111g之2個電極111c，LED晶片111a係利用黏著構件111f而固定於成為基台111b之支撐面之基台本體111g之上表面中央部。2個電極111c相互分開，分別遍及基台本體111g之上表面、側面及底面而設置。

LED晶片111a之未圖示之2個端子與2個電極111c係藉由2根接線111d而分別連接。而且，LED晶片111a及接線111d係藉由矽樹脂等透明樹脂111e而密封。

於圖3E中，表示安裝於印刷基板12之LED晶片111a及基台111b。LED晶片111a係介隔基台111b而安裝於印刷基板12，沿自印刷基板12離開之方向出射光。LED晶片111a係 於沿X方向俯視發光裝置11時，位於基台111b之中央部。於複數個發光裝置11中，利用各個LED晶片111a進行之光之出射之控制可相互獨立地控制。藉此，背光源單元1可進行部分之調光控制(局部調光)。

於向印刷基板12安裝LED晶片111a及基台111b時，首先，分別於印刷基板12所包含之導電層圖案之2個連接端子部121上進行焊錫，以設置於基台本體111g之底面之2個電極111c分別與上述焊錫吻合之方式，藉由例如未圖示之自動機，而將基台111b及固定於基台111b之LED晶片111a載置於印刷基板12。將載置有基台111b及固定於基台111b之LED晶片111a之印刷基板12送至照射紅外線之回焊槽，將焊錫加熱至約260℃，而將基台111b與印刷基板12焊接。

透鏡112係以覆蓋支撐LED晶片111a之基台111b之方式，藉由嵌入成形抵接於LED晶片111a而設置，使自LED晶片111a出射之光向複數個方向反射或折射。即，使光漫射。透鏡112為透明之透鏡，含有例如矽樹脂或丙烯酸樹脂等。

透鏡112係與液晶面板2對向之面即上表面112a於中央部具有凹處而彎曲，側面112b形成為與LED晶片111a之光軸S平行之大致圓柱狀，與光軸S正交之剖面中之直徑L2例如為10 mm，該透鏡112相對於基台111b向外側延伸而設置。即，透鏡112係於與LED晶片111a之光軸S正交之方向上大於基台111b(透鏡112之直徑L2大於基台111b之支撐面之一 邊之長度L1)。如此般，藉由透鏡112相對於基台111b向外側延伸而設置，可藉由透鏡112而使自LED晶片111a出射之光於廣範圍漫射。

又，透鏡112之高度H1例如為4.5 mm，小於直徑L2。換言之，透鏡112之與LED晶片111a之光軸S正交之方向之長度(直徑L2)大於高度H1。入射至該透鏡112之光係於透鏡112之內部沿與光軸S交叉之方向漫射。

如上所述，將直徑L2設定為大於高度H1係為了背光源單元1之薄型化與對於液晶面板2之光之均勻照射。為了使背光源單元1薄型化，必需使透鏡112之高度H1變小，即必需極力使透鏡112變薄。然而，若使透鏡112變薄，則容易於液晶面板2之背面22產生照度不均，其結果，容易於液晶面板2之正面21產生亮斑。尤其，於鄰接之LED晶片111a之間之距離較長之情形時，於液晶面板2之背面22鄰接之LED晶片111a之間之區域因距離LED晶片111a較遠，而照射光量變少，故而容易於上述區域與接近LED晶片111a之區域之間，產生照度不均(亮斑)。為了使自LED晶片111a照射之光經由透鏡112而照射至距離LED晶片111a較遠之區域，必需以某程度增大透鏡112之直徑L2，於本實施形態中，藉由使透鏡112之直徑L2大於高度H1，可實現背光源單元1之薄型化與對於液晶面板2之光之均勻照射。

再者，於假設使透鏡112之直徑L2小於透鏡112之高度H1之情形時，不僅薄型化及均勻照射變得困難，亦產生於相應於LED晶片111a而成形透鏡112之嵌入成形中，平衡容易 變差之問題。又，於將包含LED晶片111a及基台111b與所嵌入成形之透鏡112之發光部111焊接於印刷基板12時，容易失去平衡，而組裝上亦產生問題。

透鏡112之上表面112a係包含中央部分1121、第1彎曲部分1122及第2彎曲部分1123而構成。於透鏡112中，於中央部具有凹處而彎曲之上表面112a具有使已到達之光反射而使其自側面112b出射之第1區域、及使已到達之光向外側折射而使其自上表面112a出射之第2區域。第1區域形成於第1彎曲部分1122，第2區域形成於第2彎曲部分1123。

中央部分1121形成於與液晶面板2對向之上表面112a之中央部，中央部分1121之中心(即透鏡112之光軸)位於LED晶片111a之光軸S上。中央部分1121形成為與LED晶片111a之發光面平行之圓形狀，其直徑L3例如為1 mm。再者，作為本發明之其他實施形態，亦可代替上述圓形狀，而將中央部分1121之形狀設為以上述圓形狀為假想之底面，自該底面朝向LED晶片111a突出之圓錐之側面形狀。

中央部分1121係為了對在作為被照射體之擴散板3中，與中央部分1121對向之區域照射光而形成。其中，由於中央部分1121為與LED晶片111a對向之部分，故而自LED晶片111a出射之光之大部分到達中央部分1121，於上述大部分之光直接穿透之情形時，與中央部分1121對向之區域之照度顯著變大。因此，較佳為將中央部分1121之形狀設為上述圓錐之側面形狀。於設為上述圓錐之側面形狀之情形時，大部分之光於中央部分1121反射，而穿透中央部分 1121之光變少，因此可抑制與中央部分1121對向之區域之照度。

第1彎曲部分1122係連接於中央部分1121之外周緣端部，隨著朝向外側而向LED晶片111a之光軸S方向之一側(朝向液晶面板2之方向)延伸，且以向內側及光軸S方向之一側凸出之方式彎曲之環狀之曲面。該曲面之形狀係以自LED晶片111a出射之光進行全反射方式而設計。

更詳細而言，自LED晶片111a出射之光中到達第1彎曲部分1122之光係於第1彎曲部分1122全反射之後，穿透透鏡之側面112b，而朝向反射構件113。到達反射構件113之光係於反射構件113漫射，而照射至在作為被照射體之擴散板3中不與LED晶片111a對向之區域。藉此，可使對於不與LED晶片111a對向之區域之照射光量增加。

第1彎曲部分1122係為了使自LED晶片111a出射之光全反射，而以自LED晶片111a出射之光之入射角度成為臨界角以上之方式而形成。例如，於使透鏡112之材質為丙烯酸樹脂時，由於丙烯酸樹脂之折射率為1.49，空氣之折射率為1，故而成為sin=1/1.49。根據該式，臨界角成為42.1°，第1彎曲部分1122形成為入射角度成為42.1°以上之形狀。

第2彎曲部分1123係連接於第1彎曲部分1122之外周緣端部，隨著朝向外側而向LED晶片111a之光軸S方向之另一側(自液晶面板2分離之方向)延伸，且以向外側及光軸S方向之一側凸出之方式彎曲之環狀之曲面。於本實施形態 中，透鏡112係以其底面抵接於下述之反射構件113之基部1131而設置。

自LED晶片111a出射之光中到達第2彎曲部分1123之光係於穿透第2彎曲部分1123時，向朝向發光部111之方向折射，而朝向擴散板3及反射構件113。到達反射構件113之光漫射而朝向擴散板3。如此般藉由第2彎曲部分1123而朝向擴散板3之光主要照射至在擴散板3中與藉由中央部分1121及第1彎曲部分1122而照射有光之區域不同之區域，藉此進行光量之補充。再者，第2彎曲部分1123係因必需使光穿透，故而形成為入射角度未達42.1°之形狀以不使自LED晶片111a出射之光全反射。

如此般，透鏡112係於中央部分1121之外周緣端部，形成有使自LED晶片111a出射之光朝向透鏡112之側面112b而全反射之第1彎曲部分1122，於上述第1彎曲部分1122之外周緣端部，形成有使自LED晶片111a出射之光折射之第2彎曲部分1123。通常LED晶片111a指向性較強，光軸S附近之光量極大，而光相對於光軸S之出射角度越大則光量越小。因此，為了使對於距離LED晶片111a之光軸S(即透鏡112之光軸)相對較遠之區域之照射光量變大，並非使相對於光軸S之出射角度較大之光朝向該區域，而必需使出射角度較小之光朝向該區域。於本實施形態中，如上所述，於光軸S通過之中央部分1121之周圍，鄰接地形成有使光朝向上述區域全反射之第1彎曲部分1122，因此可使對於該區域之照射光量變大。與此相對，於假設使第2彎 曲部分1123鄰接地形成於中央部分1121之周圍，於上述第2彎曲部分1123之周圍，鄰接地形成有第1彎曲部分1122之情形時，朝向第1彎曲部分1122之光相對於光軸S之出射角度變大，其結果，於第1彎曲部分1122全反射而照射至上述區域之光之量變少。

圖4係用以說明自LED晶片111a出射之光之光程之圖。自LED晶片111a出射之光入射至透鏡112，於該透鏡112漫射。具體而言，入射至透鏡112之光中到達與液晶面板2對向之上表面112a中之中央部分1121之光朝向液晶面板2沿箭頭A1方向出射，到達第1彎曲部分1122之光全反射而自側面112b沿箭頭A2方向出射，到達第2彎曲部分1123之光向外側(遠離LED晶片111a之方向)折射而朝向液晶面板2沿箭頭A3方向出射。

又，於本實施形態中，LED晶片111a與透鏡112係以透鏡112之中心(即透鏡112之光軸)位於LED晶片111a之光軸S上，且透鏡112抵接於LED晶片111a之方式，預先高精度地對準位置而形成。如此般，作為使LED晶片111a與透鏡112預先對準位置而形成之方法，可列舉嵌入成形、使支撐於基台111b之LED晶片111a嵌合於成形為特定之形狀之透鏡112之方法等。於本實施形態中，LED晶片111a與透鏡112係藉由嵌入成形，預先對準位置而形成。

於嵌入成形時，大致分成使用上表面模具與下表面模具。藉由於在當對合上表面模具與下表面模具時所形成之空間內保持有LED晶片111a之狀態下，自樹脂流入口注入 成為透鏡112之原料之樹脂而成形。再者，亦可藉由於在當對合上表面模具與下表面模具時所形成之空間內，保持有支撐於基台111b之LED晶片111a之狀態下，自樹脂注入口注入成為透鏡112之原料之樹脂而成形。如此般，藉由嵌入成形而形成LED晶片111a與透鏡112，藉此可以使透鏡112抵接於LED晶片111a之方式，高精度地對準位置。藉此，背光源單元1可藉由抵接於LED晶片111a之透鏡112，高精度地使自LED晶片111a出射之光反射及折射，因此於自擴散板3直至印刷基板12為止之距離H3較小之經薄型化之液晶顯示裝置100中，亦可以使液晶面板2之亮度於其面方向上變得均勻之方式，對液晶面板2照射光。

使用圖5及圖6對反射構件113進行說明。圖5係反射構件113及透鏡112之立體圖，圖6係沿X方向俯視反射構件113及透鏡112時之圖。反射構件113係朝向液晶面板2反射入射之光之構件。反射構件113之沿X方向俯視時之外部形狀為多邊形狀，例如為正方形狀。反射構件113具有：基部1131，其於中心設置有開口部且為1邊之長度為38.8 mm之正方形平板狀；及傾斜部1132，其包圍基部1131，且以隨著遠離LED晶片111a而遠離印刷基板12之方式傾斜地形成。包含基部1131與傾斜部1132之反射構件113設置為以設置於透鏡112內之LED晶片111a(圖5及圖6中未圖示)為中心之倒弓形。

於本實施形態中，反射構件113係沿X方向俯視時之外部形狀為正方形狀，且關於上述正方形狀之對角線而構成為 線對稱。又，關於正方形狀之中心點而構成為90°旋轉對稱。

基部1131係以沿X方向俯視時之正方形狀之各邊與配置成矩陣狀之複數個LED晶片111a之列方向或行方向平行之方式而形成。又，基部1131係沿著印刷基板12而形成，於沿X方向俯視時，於中央部設置有正方形狀之開口部。該正方形狀之開口部之1邊之長度係與支撐LED晶片111a之基台111b之1邊之長度L1相等，於該開口部插入有基台111b。

傾斜部1132係主表面為梯形狀之4個梯形狀平板1132a之總稱。於各梯形狀平板1132a中，梯形狀之較短之底邊1132aa分別連接於正方形狀之基部1131之各邊，較長之底邊1132ab設置於在X方向上，相較基部1131而更與印刷基板12分開之位置。鄰接之梯形狀平板1132a彼此係側邊1132ac彼此連接。

圖2A所示之梯形狀平板1132a與印刷基板12之間之傾斜角度θ1例如為80°。又，X方向上之傾斜部1132之高度H2例如為3.5 mm。

基部1131及傾斜部1132含有高亮度性PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、鋁等。所謂高亮度性PET，係指含有螢光劑之發泡性PET，可列舉例如Torayca股份公司製造之E60V(商品名)等。基部1131及傾斜部1132之厚度例如為0.1~0.5 mm。

如圖6所示，將沿X方向俯視時於傾斜部1132中成為正方 形狀之反射構件113之角之區域稱作角部113b。又，將沿X方向俯視時於傾斜部1132中成為正方形狀之反射構件113之邊之區域且將角部113b除外之區域稱作邊部113a。又，將沿X方向俯視時於基部1131中與透鏡112重疊之區域稱作中央部113c。又，將沿X方向俯視時於基部1131中角部113b與中央部113c之間之區域稱作第1反射區域113d。第1反射區域113d之寬度L4為10 mm~25 mm。又，將沿X方向俯視時於基部1131中邊部113a與中央部113c之間之區域稱作第2反射區域113e。第2反射區域113e之寬度L5為15 mm~35 mm。

於第1反射區域113d，設置有第1基準反射部113f與高反射部113g。第1基準反射部113f係於第1反射區域113d中，相對於自LED晶片111a出射之可見光之全反射率成為特定值例如90%~99%之部分。高反射部113g係於第1反射區域113d中，全反射率高於第1基準反射部113f之全反射率之部分。

高反射部113g係藉由於基部1131上，貼附高亮度性PET薄片而形成。又，亦可藉由使用一部分被鏡面拋光之模具，成形加工高亮度性PET等，而形成具有高反射部113g之反射構件113。於此情形時，基部1131之一部分成為高反射部113g。

於本實施形態中，高反射部113g之全反射率為97%。又，第1基準反射部113f之全反射率為94%。進而，第2反射區域113e、邊部113a、角部113b及中央部113c之全反射 率亦為94%。全反射率係如JIS H 0201：1998中規定般，為鏡面反射率與漫反射率之和，可依據JIS K 7375而測定。

於本實施形態中，高反射部113g之漫反射範圍窄於第2反射區域113e之漫反射範圍。此處，所謂漫反射範圍，係指表示於某面中產生漫反射時之光之傳播之數值。更詳細而言，定義為於對某面以成為特定之照度之方式，使特定點徑之光以特定之入射角度入射之情形時，於藉由檢測器，檢測到特定之照度閾值以上之照度之所有位置，形成使上述檢測器移動時之檢測面之軌跡之上述假想之球面之一部分曲面之面積，該檢測器自上述面之圖心位置分開遠大於點徑之固定距離而設置，且具有面積遠小於將該固定距離設為半徑之假想之球面之面積之檢測面。於該曲面之面積較大時，表示利用漫反射之光之傳播較大，於該曲面之面積較小時，表示利用漫反射之光之傳播較小。

高反射部113g之漫反射範圍例如為第2反射區域113e之漫反射範圍之1/3倍~1/8倍。再者，於本實施形態中，第1基準反射部113f、邊部113a、角部113b及中央部113c之漫反射範圍與第2反射區域113e之漫反射範圍相等。

於本實施形態中，高反射部113g係於1個第1反射區域113d內設置有1個。高反射部113g係於第1反射區域113d之中央部形成為正方形狀，正方形狀之1邊之長度例如為5 mm。又，於第1反射區域113d中，高反射部113g以外之區域成為第1基準反射部113f。再者，高反射部113g之數量或形狀、大小並不限定於上述者。

於圖7中，表示第1實施形態之變形例。於該變形例中，2等邊三角形狀之高反射部113g係於在各第1反射區域113d中由角部113b包圍之部分，分別形成有1個。2等邊三角形狀之高反射部113g之斜邊之長度例如為8 mm。

以上述之方式構成，且分別設於複數個發光裝置11之反射構件113較佳為相互一體地成形。作為一體成形複數個反射構件113之方法，於反射構件113由發泡性PET構成之情形時可列舉擠出成形加工，於反射構件113由鋁構成之情形時可列舉壓製加工。如此般，藉由一體成形分別設於複數個發光部111之反射構件113，可提高複數個發光部111相對於印刷基板12之配置位置之精度，並且可於背光源單元1之組裝作業時，減少安裝反射構件113之作業數，故而可提高組裝作業之效率。

使用圖4及圖8對包含以上述之方式構成之背光源單元1之液晶顯示裝置100中之自LED晶片111a出射之光之光程進行說明。圖8為發光部111及圖6所示之反射構件113之立體圖，省略透鏡112。

如上所述，於背光源單元1中，自LED晶片111a出射而入射至透鏡112之光中到達與液晶面板2對向之上表面112a中之中央部分1121之光朝向液晶面板2沿箭頭A1方向出射，到達第1彎曲部分1122之光反射而自側面112b沿箭頭A2方向出射，到達第2彎曲部分1123之光向外側折射而朝向液晶面板2沿箭頭A3方向出射。如此般出射之光係於與X方向正交之面方向上，各向同性地擴展。

於與X方向正交之面方向上自反射構件113之中央部113c朝向角部113b之光之一部分係如圖8所示之光程A4般前進，於第1反射區域113d之高反射部113g鏡面反射及漫反射，而到達角部113b。當光到達角部113b時，於角部113b產生鏡面反射及漫反射，而光到達液晶面板2中臨近角部113b之部分。

又，於與X方向正交之面方向上自反射構件113之中央部113c朝向邊部113a之光之一部分係如圖8所示之光程A5般前進，於第2反射區域113e鏡面反射及漫反射，而到達邊部113a。當光到達邊部113a時，於邊部113a產生鏡面反射及漫反射，而到達液晶面板2中臨近邊部113a之部分。

如此般，自LED晶片111a出射之光係由反射構件113反射而照射至液晶面板2。反射構件113係於第1反射區域113d，包含具有高於第1基準反射部113f、邊部113a、角部113b及第2反射區域113e之全反射率之全反射率之高反射部113g，因此角部113b與第1反射區域113d中之平均全反射率高於邊部113a與第2反射區域113e中之平均全反射率。此處，所謂平均全反射率，係指相對於全反射率，對具有上述反射率之面之面積進行加權所得之全反射率之平均值。

角部113b與第1反射區域113d中之平均全反射率高於反射構件113之邊部113a與第2反射區域113e中之平均全反射率，其結果，於第1反射區域113d及角部113b反射而到達液晶面板2之光之量相對於在第2反射區域113e及邊部113a 反射而到達液晶面板2之光之量之比相較先前增加。即，到達液晶面板2中臨近角部113b之部分之光之量相對於到達液晶面板2中臨近邊部113a之部分之光之量之比相較先前增加。藉此，背光源單元1可使照射至液晶面板2之光均勻化，具備背光源單元1之液晶顯示裝置100可顯示更高畫質之圖像。

又，於本實施形態中，高反射部113g之漫反射範圍窄於第2反射區域113e之漫反射範圍。即，於高反射部113g反射之光相較於第2反射區域113e反射之光而漫射於更窄之範圍內。藉此，可相較先前使到達液晶面板2中臨近反射構件113之角部113b之部分之光之量相對於到達液晶面板2中臨近反射構件113之邊部113a之部分之光之量之比進一步增加，而背光源單元1可使照射至液晶面板2之光更均勻化。

又，於本實施形態中，反射構件113包含基部1131及傾斜部1132。由於傾斜部1132以隨著遠離LED晶片111a而接近液晶面板2之方式傾斜，故而自LED晶片111a出射之光容易到達液晶面板2中臨近反射構件113之邊部113a之部分及臨近角部113b之部分。因此，背光源單元1可使照射至液晶面板2之光更均勻化。

繼而，使用圖9對本發明之第2實施形態進行說明。第2實施形態包含反射構件120代替反射構件113，除此以外以與第1實施形態相同之方式構成，因此僅對反射構件120進行說明。又，由於反射構件120以與反射構件113大致相同 之方式構成，故而主要對與反射構件113之間之不同點進行說明。

圖9係沿X方向俯視反射構件120及透鏡112時之圖。反射構件120係於沿X方向俯視時，包含邊部120a、角部120b、中央部120c、第1反射區域120d及第2反射區域120e。邊部120a、角部120b、中央部120c、第1反射區域120d及第2反射區域120e分別對應於第1實施形態中之邊部113a、角部113b、中央部113c、第1反射區域113d及第2反射區域113e。

於第2反射區域120e，設置有第2基準反射部120f與第1低反射部120g。第2基準反射部120f係於第2反射區域120e中，相對於自LED晶片111a出射之可見光之全反射率成為特定值例如90%~99%之部分。第1低反射部120g係於第2反射區域120e中，全反射率低於第2基準反射部120f之全反射率之部分。

第1低反射部120g係藉由利用黑色或灰色之著色劑對反射構件120之一部分進行著色而形成。再者，亦可利用噴砂處理等使所著色之部分之表面粗糙。

第1低反射部120g之全反射率例如為40%~80%，於本實施形態中為75%。又，第2基準反射部120f之全反射率為94%。進而，第1反射區域120d、邊部120a、角部120b及中央部120c之全反射率亦為94%。

於本實施形態中，第1低反射部120g之漫反射範圍寬於第1反射區域120d之漫反射範圍。第1低反射部120g之漫反 射範圍例如為第1反射區域120d之漫反射範圍之1.2倍~5倍。再者，於本實施形態中，第2基準反射部120f、邊部120a、角部120b及中央部120c之漫反射範圍與第1反射區域120d之漫反射範圍相等。

於本實施形態中，第1低反射部120g係於1個第2反射區域120e內設置有1個。第1低反射部120g係於第2反射區域120e之中央部，形成為自反射構件120之中央部120c朝向邊部120a延伸之長方形狀，長方形狀之長邊之長度例如為15 mm，短邊之長度例如為3 mm。又，於第2反射區域120e中，第1低反射部120g以外之區域成為第2基準反射部120f。再者，第1低反射部120g之數量或形狀、大小並不限定於上述者。

於圖10中，表示第2實施形態之變形例。於該變形例中，正三角形狀之第1低反射部120g係於各第2反射區域120e中，以自邊部120a向朝向中央部120c之方向凸出之方式，分別形成有1個。正三角形狀之第1低反射部120g之1邊之長度例如為3 mm。

於包含如此般構成之反射構件120之背光源單元1中，自LED晶片111a出射之光係由反射構件120反射而照射至液晶面板2。反射構件120係於第2反射區域120e，包含具有低於第2基準反射部120f、邊部120a、角部120b及第1反射區域120d之全反射率之全反射率之第1低反射部120g，因此角部120b與第1反射區域120d中之平均全反射率高於邊部120a與第2反射區域120e中之平均全反射率。

角部120b與第1反射區域120d中之平均全反射率高於反射構件120之邊部120a與第2反射區域120e中之平均全反射率，其結果，於第1反射區域120d及角部120b反射而到達液晶面板2之光之量相對於在第2反射區域120e及邊部120a反射而到達液晶面板2之光之量之比相較先前增加。即，到達液晶面板2中臨近角部120b之部分之光之量相對於到達液晶面板2中臨近邊部120a之部分之光之量之比相較先前增加。藉此，背光源單元1可使照射至液晶面板2之光均勻化，而包含背光源單元1之液晶顯示裝置100可顯示更高畫質之圖像。

又，於本實施形態中，第1低反射部120g之漫反射範圍寬於第1反射區域120d之漫反射範圍。即，於第1低反射部120g反射之光相較於第1反射區域120d反射之光而漫射於更寬之範圍內。藉此，可相較先前使到達液晶面板2中臨近反射構件120之角部120b之部分中光之量相對於到達液晶面板2中臨近反射構件120之邊部120a之部分之光之量之比進一步增加，而背光源單元1可使照射至液晶面板2之光更均勻化。

繼而，使用圖11對本發明之第3實施形態進行說明。第3實施形態包含反射構件130代替反射構件113，除此以外以與第1實施形態相同之方式構成，因此僅對反射構件130進行說明。又，由於反射構件130以與反射構件113大致相同之方式構成，故而主要對與反射構件113之間之不同點進行說明。

圖11係沿X方向俯視反射構件130及透鏡112時之圖。反射構件130係於沿X方向俯視時，包含邊部130a、角部130b、中央部130c、第1反射區域130d及第2反射區域130e。邊部130a、角部130b、中央部130c、第1反射區域130d及第2反射區域130e分別對應於第1實施形態中之邊部113a、角部113b、中央部113c、第1反射區域113d及第2反射區域113e。

於邊部130a，設置有第3基準反射部130f與第2低反射部130g。第3基準反射部130f係於邊部130a中，相對於自LED晶片111a出射之可見光之全反射率成為特定值例如90%~99%之部分。第2低反射部130g係於邊部130a中，全反射率低於第3基準反射部130f之全反射率之部分。

第2低反射部130g係藉由利用黑色或灰色之著色劑對反射構件130之一部分進行著色而形成。再者，亦可利用噴砂處理等使所著色之部分之表面粗糙。

第2低反射部130g之全反射率例如為40%~80%，於本實施形態中為75%。又，第3基準反射部130f之全反射率為94%。進而，第1反射區域130d、第2反射區域130e、角部130b及中央部130c之全反射率亦為94%。

於本實施形態中，第2低反射部130g之漫反射範圍寬於第1反射區域130d之漫反射範圍。第2低反射部130g之漫反射範圍例如為第1反射區域130d之漫反射範圍之2倍~8倍。再者，於本實施形態中，第3基準反射部130f、第2反射區域130e、角部130b及中央部130c之漫反射範圍與第1反射 區域130d之漫反射範圍相等。

於本實施形態中，第2低反射部130g係於1個邊部130a內設置有1個。第2低反射部130g係於邊部130a之中央部，形成為沿著邊部130a之長度方向延伸之長方形狀，長方形狀之長邊之長度例如為8 mm，短邊之長度例如為1.5 mm。又，於邊部130a中，第2低反射部130g以外之區域成為第3基準反射部130f。再者，第2低反射部130g之數量或形狀、大小並不限定於上述者。

於包含如此般構成之反射構件130之背光源單元1中，自LED晶片111a出射之光係由反射構件130反射而照射至液晶面板2。反射構件130係於邊部130a，包含具有低於第3基準反射部130f、角部130b、第1反射區域130d及第2反射區域130e之全反射率之全反射率之第2低反射部130g，因此角部130b與第1反射區域130d中之平均全反射率高於邊部130a與第2反射區域130e中之平均全反射率。

角部130b與第1反射區域130d中之平均全反射率高於反射構件130之邊部130a與第2反射區域130e中之平均全反射率，其結果，於第1反射區域130d及角部130b反射而到達液晶面板2之光之量相對於在第2反射區域130e及邊部130a反射而到達液晶面板2之光之量之比相較先前增加。即，到達液晶面板2中臨近角部130b之部分之光之量相對於到達液晶面板2中臨近邊部130a之部分之光之量之比相較先前增加。藉此，背光源單元1可使照射至液晶面板2之光均勻化，而包含背光源單元1之液晶顯示裝置100可顯示更高 畫質之圖像。

又，於本實施形態中，第2低反射部130g之漫反射範圍寬於第1反射區域130d之漫反射範圍。即，於第2低反射部130g反射之光相較於第1反射區域130d反射之光而漫射於更寬之範圍內。藉此，可相較先前使到達液晶面板2中臨近反射構件130之角部130b之部分之光之量相對於到達液晶面板2中臨近反射構件130之邊部130a之部分之光之量之比進一步增加，而背光源單元1可使照射至液晶面板2之光更均勻化。

繼而，使用圖12對本發明之第4實施形態進行說明。第4實施形態包含反射構件140代替反射構件113，除此以外以與第1實施形態相同之方式構成，因此僅對反射構件140進行說明。又，由於反射構件140以與反射構件113大致相同之方式構成，故而主要對與反射構件113之間之不同點進行說明。

圖12係沿X方向俯視反射構件140及透鏡112時之圖。反射構件140係於沿X方向俯視時，包含邊部140a、角部140b、中央部140c、第1反射區域140d及第2反射區域140e。邊部140a、角部140b、中央部140c、第1反射區域140d及第2反射區域140e分別對應於第1實施形態中之邊部113a、角部113b、中央部113c、第1反射區域113d及第2反射區域113e。

於第1反射區域140d，設置有第1基準反射部140f與高反射部140g。第1基準反射部140f係於第1反射區域140d中， 相對於自LED晶片111a出射之可見光之全反射率成為特定值例如90%~99%之部分。高反射部140g係於第1反射區域140d中，全反射率高於第1基準反射部140f之全反射率之部分。

高反射部140g係藉由於反射構件140上，貼附高亮度性PET薄片而形成。又，亦可藉由使用一部分被鏡面拋光之模具，成形加工高亮度性PET等，而形成具有高反射部140g之反射構件140。

於第2反射區域140e，設置有第2基準反射部140h與第1低反射部140i。第2基準反射部140h係於第2反射區域140e中，全反射率與第1基準反射部140f之全反射率相等之部分。第1低反射部140i係於第2反射區域140e中，全反射率低於第2基準反射部140h之全反射率之部分。

第1低反射部140i係藉由利用黑色或灰色之著色劑對反射構件140之一部分進行著色而形成。再者，亦可利用噴砂處理等使所著色之部分之表面粗糙。

於本實施形態中，高反射部140g之全反射率為97%。又，第1低反射部140i之全反射率例如為40%~80%，於本實施形態中為75%。進而，第1基準反射部140f、第2基準反射部140h、邊部140a、角部140b及中央部140c之全反射率為94%。

於本實施形態中，高反射部140g之漫反射範圍窄於第2反射區域140e之第2基準反射部140h之漫反射範圍。高反射部140g之漫反射範圍例如為第2基準反射部140h之漫反 射範圍之1/3倍~1/8倍。又，於本實施形態中，第1低反射部140i之漫反射範圍寬於第1反射區域140d之第1基準反射部140f之漫反射範圍。第1低反射部140i之漫反射範圍例如為第1基準反射部140f之漫反射範圍之1.2倍~5倍。再者，於本實施形態中，第1基準反射部140f、第2基準反射部120h、邊部120a、角部120b及中央部120c之漫反射範圍相互相等。

於本實施形態中，高反射部140g係於1個第1反射區域140d內設置有1個。高反射部140g係於第1反射區域140d之中央部形成為正方形狀，正方形狀之1邊之長度例如為5 mm。又，於第1反射區域140d中，高反射部140g以外之區域成為第1基準反射部140f。再者，高反射部140g之數量或形狀、大小並不限定於上述者。

又，於本實施形態中，第1低反射部140i係於1個第2反射區域140e內設置有1個。第1低反射部140i係於第2反射區域140e之中央部形成為長方形狀，長方形狀之長邊之長度例如為15 mm，短邊之長度例如為2 mm。又，於第2反射區域140e中，第1低反射部140i以外之區域成為第2基準反射部140h。再者，第1低反射部140i之數量或形狀、大小並不限定於上述者。

於包含如此般構成之反射構件140之背光源單元1中，自LED晶片111a出射之光係由反射構件140反射而照射至液晶面板2。反射構件140係於第1反射區域140d，包含具有高於第1基準反射部140f、邊部140a、角部140b、第2基準 反射部140h及第1低反射部140i之全反射率之全反射率之高反射部140g，且於第2反射區域140e，包含具有低於第2基準反射部140h、邊部140a、角部140b、第1基準反射部140f及高反射部140g之全反射率之全反射率之第1低反射部140i。因此，角部140b與第1反射區域140d中之平均全反射率高於邊部140a與第2反射區域140e中之平均全反射率。

角部140b與第1反射區域140d中之平均全反射率高於反射構件140之邊部140a與第2反射區域140e中之平均全反射率，其結果，於第1反射區域140d及角部140b反射而到達液晶面板2之光之量相對於在第2反射區域140e及邊部140a反射而到達液晶面板2之光之量之比相較先前增加。即，到達液晶面板2中臨近角部140b之部分之光之量相對於到達液晶面板2中臨近邊部140a之部分之光之量之比相較先前增加。藉此，背光源單元1可使照射至液晶面板2之光均勻化，而包含背光源單元1之液晶顯示裝置100可顯示更高畫質之圖像。

又，於本實施形態中，高反射部140g之漫反射範圍窄於第2反射區域140e之漫反射範圍，第1低反射部140i之漫反射範圍寬於第1反射區域140d之漫反射範圍。即，於高反射部140g反射之光相較於第2反射區域140e反射之光而漫射於更窄之範圍內，於第1低反射部140i反射之光相較於第2反射區域140e反射之光而漫射於更寬之範圍內。藉此，可相較先前使到達液晶面板2中臨近反射構件140之角 部140b之部分之光之量相對於到達液晶面板2中臨近反射構件140之邊部140a之部分之光之量之比進一步增加，而背光源單元1可使照射至液晶面板2之光更均勻化。

本發明可在不脫離其精神或主要特徵之狀態下，以其他多種形態實施。因此，上述實施形態係於所有方面僅為例示，本發明之範圍為申請專利範圍所示者，並不受說明書本文任何限制。進而，屬於申請專利範圍之變形或變更均為本發明之範圍內者。

1‧‧‧背光源單元

2‧‧‧液晶面板

3‧‧‧擴散板

11‧‧‧發光裝置

12‧‧‧印刷基板

13‧‧‧框架構件

21‧‧‧正面

22‧‧‧背面

100‧‧‧液晶顯示裝置

111‧‧‧發光部

111a‧‧‧LED晶片

111b‧‧‧基台

111c‧‧‧電極

111d‧‧‧接線

111e‧‧‧透明樹脂

111f‧‧‧黏著構件

111g‧‧‧基台本體

112‧‧‧透鏡

112a‧‧‧上表面

112b‧‧‧側面

113‧‧‧反射構件

113a‧‧‧邊部

113b‧‧‧角部

113c‧‧‧中央部

113d‧‧‧第1反射區域

113e‧‧‧第2反射區域

113f‧‧‧第1基準反射部

113g‧‧‧高反射部

120‧‧‧反射構件

120a‧‧‧邊部

120b‧‧‧角部

120c‧‧‧中央部

120d‧‧‧第1反射區域

120e‧‧‧第2反射區域

120f‧‧‧第2基準反射部

120g‧‧‧第1低反射部

121‧‧‧連接端子部

130‧‧‧反射構件

130a‧‧‧邊部

130b‧‧‧角部

130c‧‧‧中央部

130d‧‧‧第1反射區域

130e‧‧‧第2反射區域

130f‧‧‧第3基準反射部

130g‧‧‧第2低反射部

131‧‧‧底部

131a‧‧‧底面

132‧‧‧側壁部

140‧‧‧反射構件

140a‧‧‧邊部

140b‧‧‧角部

140c‧‧‧中央部

140d‧‧‧第1反射區域

140e‧‧‧第2反射區域

140f‧‧‧第1基準反射部

140g‧‧‧高反射部

140h‧‧‧第2基準反射部

140i‧‧‧第1低反射部

1121‧‧‧中央部分

1122‧‧‧第1彎曲部分

1123‧‧‧第2彎曲部分

1131‧‧‧基部

1132‧‧‧傾斜部

1132a‧‧‧梯形狀平板

1132aa‧‧‧底邊

1132ab‧‧‧底邊

1132ac‧‧‧側邊

A1‧‧‧箭頭

A2‧‧‧箭頭

A3‧‧‧箭頭

A4‧‧‧光程

A5‧‧‧光程

H1‧‧‧高度

H2‧‧‧高度

H3‧‧‧距離

L1‧‧‧長度

L2‧‧‧直徑

L3‧‧‧直徑

L4‧‧‧寬度

L5‧‧‧寬度

S‧‧‧光軸

X‧‧‧方向

θ1‧‧‧傾斜角度

本發明之目的、特點及優點當根據上述之詳細說明與圖式而變得更加明確。

圖1係表示液晶顯示裝置之構成之分解立體圖。

圖2A係模式性地表示沿圖1中之切斷面線A-A切斷時之液晶顯示裝置之剖面之圖。

圖2B係模式性地表示沿圖1中之切斷面線B-B切斷時之液晶顯示裝置之剖面之圖。

圖3A係表示支撐於基台之LED晶片與透鏡之位置關係之圖。

圖3B係表示基台與LED晶片之圖。

圖3C係表示基台與LED晶片之圖。

圖3D係表示基台與LED晶片之圖。

圖3E係表示安裝於印刷基板之LED晶片及基台之圖。

圖4係用以說明自LED晶片出射之光之光程之圖。

圖5係反射構件及透鏡之立體圖。

圖6係沿X方向俯視反射構件及透鏡時之圖。

圖7係表示第1實施形態之變形例之圖。

圖8係發光部及反射構件之立體圖。

圖9係沿X方向俯視反射構件及透鏡時之圖。

圖10係表示第2實施形態之變形例之圖。

圖11係沿X方向俯視反射構件及透鏡時之圖。

圖12係沿X方向俯視反射構件及透鏡時之圖。

112‧‧‧透鏡

113‧‧‧反射構件

1131‧‧‧基部

1132‧‧‧傾斜部

1132a‧‧‧梯形狀平板

1132aa‧‧‧底邊

1132ab‧‧‧底邊

1132ac‧‧‧側邊

X‧‧‧方向

Claims (11)

1. 一種發光裝置，其特徵在於其係對被照射體進行照射者，其包含：發光部，其對被照射體照射光；及反射構件，其設置於上述發光部之周圍；上述反射構件係自上述被照射體側俯視時之外部形狀為多邊形狀，自上述被照射體側俯視時之、上述反射構件之角部與上述角部及上述發光部之間之區域即第1反射區域中的平均全反射率，大於上述反射構件之邊部與上述邊部及上述發光部之間之區域即第2反射區域中的平均全反射率，上述發光部係於自上述被照射體側俯視時，配置於上述反射構件之中央部。
2. 如請求項1之發光裝置，其中上述反射構件係於上述第1反射區域內，包含具有特定之全反射率之第1基準反射部、及具有高於上述特定之全反射率之全反射率之高反射部，上述角部、上述邊部及上述第2反射區域之全反射率與上述特定之全反射率相等。
3. 如請求項1之發光裝置，其中上述反射構件係於上述第2反射區域內，包含具有特定之全反射率 之第2基準反射部、及具有低於上述特定之全反射率之全反射率之第1低反射部，上述角部、上述邊部及上述第1反射區域之全反射率與上述特定之全反射率相等。
4. 如請求項1之發光裝置，其中上述反射構件係於上述邊部內，包含具有特定之全反射率之第3基準反射部、及具有低於上述特定之全反射率之全反射率之第2低反射部，上述角部、上述第1反射區域及上述第2反射區域之全反射率與上述特定之全反射率相等。
5. 如請求項1之發光裝置，其中上述反射構件係於上述第1反射區域內，包含具有特定之全反射率之第1基準反射部、及具有高於上述特定之全反射率之全反射率之高反射部，於上述第2反射區域內，包含具有上述特定之全反射率之第2基準反射部、及具有低於上述特定之全反射率之全反射率之第1低反射部，上述角部及上述邊部之全反射率與上述特定之全反射率相等。
6. 如請求項2之發光裝置，其中上述高反射部之漫反射範圍窄於上述第2反射區域之漫反射範圍。
7. 如請求項3之發光裝置，其中上述第1低反射部之漫反射範圍寬於上述第1反射區域之漫反射範圍。
8. 如請求項4之發光裝置，其中上述第2低反射部之漫反射範圍寬於上述第1反射區域之漫反射範圍。
9. 如請求項5之發光裝置，其中上述高反射部之漫反射範圍窄於上述第1基準反射部之漫反射範圍，上述第1低反射部之漫反射範圍寬於上述第1基準反射部之漫反射範圍，上述第2基準反射部之漫反射範圍與上述第1基準反射部之漫反射範圍相等。
10. 如請求項1至9中任一項之發光裝置，其中上述反射構件包含：基部，其包圍上述發光元件；及傾斜部，其包圍上述基部，且以隨著遠離上述發光元件而接近上述被照射體之方式傾斜。
11. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：顯示面板；及照明裝置，其包含對上述顯示面板之背面照射光之發光裝置；上述發光裝置係如請求項1至10中任一項之發光裝置。