TW201250908A - A method of processing substrate holder material as well as a substrate holder processed by such a method - Google Patents

Description

201250908 六、發明說明： 【發明所屬之技術領威】 [0001] 本發明是有關於〆種加工基板座材料的方法，藉此將一 半導體基板配置在一基板座之一第一側，並利用感應加 熱的方式，形成各種半導體材料層在該半導體基板上。 [0002] 本發明也是有關於一種透過此方法加工的基板座。 【先前技術】 [0003] 長久以來，當製做半導體元件例如積體電路及發光二極 0 體時’會利用化學氣相沉積及磊晶製程在高溫條件下沉 積各種材料在基板上，作為製作半導體元件過程的—部 分。在高溫下，基板座例如接受器（susceptor)可支推 基板，以利用熟知的化學氣相沉積及磊晶製程沉積材料 在基板上。這些加熱台通常是利用作為基板座材料@$ 墨之電納特性，藉以使用感應的方式加熱接受器。 [0004] 用於半導體製程的加熱台可舉出例如美國專利案號 3,980,854及4,047,496所揭露之加熱台接受器。 ❹ [0005] 在半導體製程_，接受器可用於擴散、氧化及化學氣相 沉積製程’藉以沉積多晶矽、介電層如二氧化矽（Si()) 、氮化石夕（Si3N4)或氮氧化石夕（Si〇xNy)及導電層如發化 鎢（WSix)、氮化鈦（TiN)、氮化钽（TaN)或氧化鈕（Ta()) 。有機金屬化學氣相沉積法（M0CVD)是另一種使用接受器 之半導體製程，由於利用有機金屬化學氣相沉積法是形 成具有熱力學亞穩合金（thermodynamical ly metastable alloys)之元件的較佳選擇，因此有機金 屬化學氣相沉積法已成為製作發光二極體及太陽能電池 1013178191-0 1Q11Q344i^單編號A0101 第3頁/共25頁 201250908 之主要製程。 [0006] 在有機金屬化學氣相沉積製程及磊晶製程中，晶圓承載 器或接受器（亦稱為基板座）可支撐基板，其中這些支 撐元件係以感應的方式加熱。利用材質為石墨之接受器 基材之電納特性，藉此以感應的方式加熱接受器，並透 過熱接觸或熱輻射的方式加熱基板。 [0007] 現今大部分基板座係使用於垂直或水平的系統，其中垂 直形式之基板座係為桶狀樣式之接受器。接受器可用於 支撐多種較小的基板，並同時沉積材料在這些基板上。 就同時沉積材料而言，利用這種形式之單一基板座係難 以形成具有穩定之南品質的半導體元件。 [0008] 特別是就有機金屬化學氣相沉積製程及磊晶製程而言， 形成高品質之半導體元件具有許多技術難題。影響品質 之主要因素在於穩定的製程參數。在具有高品質及低容 許誤差之半導體元件的需求逐漸增加及高良率製程需求 逐漸增加的情形下，需要更穩定的製程參數。 [0009] 產生不穩定製程參數的主因係在於溫度的控制，因沉積 所需而升高溫度的過程中，溫度的控制甚為關鍵。在反 應室内所有想要的位置上將溫度控制在容許誤差内是很 困難的，由於接受器及例如感應線圈之加熱裝置之配置 的關係，接受器在不同位置會具有不同溫度。並且，晶 圓的溫度會受到與接受器接觸的面積及到接受器之距離 的影響。溫度不同會導致沉積厚度不同，而就有機金屬 化學氣相沉積而言，亦會導致基板間各層之組成分不同 10110344^^ A〇101 第4頁/共25頁 1013178191-0 201250908 ，或是會導致形成不均勻的各別基板。因此，厚度差異 會導致最終產品之品質下降及生產良率下降。 [0010] ο [0011] [0012] ο 藉由不同5又计及形狀的接受器可以一定程度地補償溫度 的差異。大部份接受器例如具有凹陷部分用以配置基板 ，然而接受器在凹陷部分具有不同的厚度會導致不需要 的溫度波動。世界專利WO 2〇〇3 〇69〇29 Α1提出設有凹 痕之接受器，用以克服及補償這些因厚度不同而導致之 溫度差異，然而這僅限於用在位於特定感應反應器系統 内之特定接受器上。 接文器之溫度差異並不是只因不均勻之厚度而導致，在 裝載及抑載時’會因沉積不具電納特性之材料到接受器 及/或基板上而導致之汙染，亦會產生缺陷及不需要的溫 度差異。大部分為石墨之接受器基材具有不均勻的特性 ，亦會導致溫度差異。 為了補償這些溫度差異，通常是利用旋轉位在感應場内 的接受器’藉此部分地補償感應:場之差異。然而，因為 不均勻之接受器基材及不均勻之接受器厚度所導致之溫 度差異並沒有被補償。此外，一般也會利用小型基板承 載器’亦稱為行星盤（planetenscheibe) ’以使晶圓相 對於接受器旋轉。小型基板承載器位在接受器之凹陷部 分内，並可遠離接受器旋轉，其中晶圓是設置在小型基 板承載器上。藉由小型基板承載器之第二次旋轉，溫度 差異亦可獲得補償。然而，這些補償並不能達到最理想 之溫度均勻，因此晶圓之沉積材料會發現有不均勻沉積 的現象。 10110344^^^^ A〇101 第5頁/共25頁 1013178191-0 201250908 [0013] 在尚品質半導體元件及高良率製程需求逐漸增加的情形 下，改良溫度控制之需求亦隨之增加。 【發明内容】 [0014] 本發明之目的就是在提供一種加工基板座材料的方法， 用以增加基板座材料之溫度均勻性。 [0015] 本發明之另一目的就是在提供一種溫度均勻性增加之基 板。 [0016] 為達到上述目的，該加工基板座材料的方法之步驟包括 測定該基板座材料之至少一測量位置之一第一電阻；比 較該第一電阻及一第二參考電阻；根據一電阻比較結果 修正該基板座材料。 [0017] 根據本發明之第一部分，本發明之方法可以使基板座增 加溫度均勻性，藉以減少不穩定的製程參數，使各別基 板間具有均勻的沉積層厚度或組成。透過量測不同位置 之電阻，這些差異可藉由局部地修正該基板座而減少。 因此，本發明可以提供具有更均勻電阻分布之基板座， 使得基板座材料具有更均勻之電流感應及產生更均勻的 熱。因此，藉由此方法，可以製造高品質及均勻沉積層 厚度的基板。 [0018] 習知方法只是理論上地從基板座材料調整基板座之製造 方法。然而在製程上，理論知識並不能配合基板座之實 際參數。基板座材料整體上具有一定程度之汙染及不均 勻性，因此會導致基板座之水平面上各位置具有溫度差 異，而在該基板座上製造之基板或晶圓亦具有不均勻的 034#單編號删1 第6頁/共25頁 1013178191-0 201250908 溫度分布。根據本發明之第一部分的方法，本發明以基 板座之測量參數及參考參數之比較結果修正基板座材料 ，藉以極小化在該水平面上的這些溫度差異，其中這些 參數包括電阻。 [0019] Ο [0020] [0021] 另一方面，該第一電阻包括在該基板座材料上至少兩個 測量位置所量測之第一組電阻值，其中該第二參考電阻 係由该第—組電阻值所決定。在比較該第一組電阻值與 該第二參考電阻之後，可以根據該比較結果修正該基板 座材料^ 在製程中不同階段均可執行上述量測及修正的步驟。例 如’當提供整塊之基板座材料（經常為大圓柱塊狀之基板 座材料）時，該第一電阻或該第一組電阻值係由量測整塊 之基板座材料所得，或是亦可由量測其所製成之切片所 得，或是亦可由量測其切片所製成之各基板座所得。從 這些數值可以決定一參考電阻。在接下來的步驟中，兮 參考電阻亦即該第二電阻’係做為比較之用。在相同階 段或不同階段，亦即在整塊之基板座材料、其切片或各 別基板座之階段，均可執行該比較及修正之步驟。 例如’ 一組電阻值可以由量測基板座材料之切片所得。 從該組數據可決定一參考值，該參考值可以是最高或最 低之電阻值。實際上，根據該參考值可以修正其他數值 。例如’可調整該組數據中最低電阻值以達到該級數據 的最大值。接著，根據量測之電阻值與參考電阻值之間 的差異，可以修正該基板座材料之切片。 第7頁/共25頁 1011〇344产·單編號顧〇1 1013178191-0 201250908 [0022]然而，在從該切片製作出單一基板座的製程中，可以進 行修正之步驟。一組電阻值亦可以是由整塊之基板座材 料測量而得，接著參考電阻可以是由這些量測數值決定 ，該參考電阻值可以用來比較基板座材料之一切片上各 Ϊ測位置所量測出的電阻，其十該切片係來自該整塊之 基板座材料，或者該參考電阻值亦可以用來比較由該切 片所製成之基板座上各量測位置所量測出的電阻。 [0023] [0024] 藉此便可得知整塊之基板座材料、其切片或基板座上呈 現汙染及不均勻的位置’並可以此決定一參考值。透過 決疋此參考值，可以修正該整塊之基板座材料其切片 或该基板座’使得該第—組之各別量測電阻值可以接近 該參考值。實際上，在所量測之電阻不同於參考電阻之 逆些位置上’可以修正該整塊之基板座材料、其切片或 該基板座。因此，因材料之汗染或不均句性所造成之誤 差可以減少’並可得到更均勻的溫度分布。 藉由該基板座材料之物理特性，可以量測該第―電阻及/ Pi ’其中這㈣理特性包括熱傳性、楊氏模 數、撓曲強度、厚度、導磁性、電導性或電阻性。

〇 [0025] 有許多方法可以測定該基板座材料之電阻 ，例如利用間 接的方式量測電阻，藉由組合這些間接量測方法的相關 陵可=用來測疋該基板座材料之電阻，然而間接量測 方法並/又有限&上述所提及的方法。侧該基板座材料 之其他特性切以提供間接資訊， 料之該電阻。 藉以測定該基板座材 1011034#單編號 A0101 第8頁/共25頁 1013178191-0 201250908 [0026] 在其他實施例中，該基板座材料包括整塊之基板座材料 ’從該整塊之基板座材料可以製造多個基板座。 [0027] 製作基板座之第一步係為提供整塊之基板座材料，大部 分為圓柱狀。該整塊之基板座材料包括高純度之基板座 材料，在製作時’一般為石墨之整塊且均勻的基材係為 其追求目標，然而該整塊之基板座材料並非總是均勻的 。製作基板座之第二步係從該整塊之基板座材料形成一 定量的切片，每一基板座材料之切片可形成單一的基板 〇 座，但是在形成該單一的基板座之前，經常會進行其他 的步驟，包括形成一凹陷部分在該基板座内，用以配置 基板或小型衛星碟盤（satellite disk)，或形成一塗 布層在該基板座上。在第一步驟與第二步驟之間，還可 以進行其他步驟，包括將整塊之圓柱狀基板座材料切割 成多個較小塊之圓柱狀基板座材料，然後再從每一較小 塊之圓柱狀基板座材料形成多個切片。 [0028]藉由量測整塊之圓柱狀基板座材料之量測位置的電阻， 可以得知該整塊之圓柱狀基板座材料係為均勻的或不均 勻的。藉由將不同位置之電阻與一參考電組比較，可以 決定局部差異性，其巾量測該整塊之陳狀基板座材料 得到的數據可以使用在製程上的不㈣段1由量測該 整塊之圓柱狀基板座材料之結果，可以修改由該整塊之 圓柱狀基板座材料所製成之切片，並且在該整塊之圓柱 狀基板座材料之特定部位或特定深度可以得知其平均電 阻之偏差。根朗得知的偏差結果，可⑽改基板座材 料之每。或者m不修改基板歸料之切片 10110344ί^^·^^Α〇1〇1 第9頁/共25頁 1013178191-0 201250908 ，而利用這些量測結果修改最終產品，亦即基板座。 [_]纟另-實施例中’基板座材料包含基板座材料的切片， 以從基板座材料之切片加工成基板座。 _0] _h述量測、比較及修正之步驟亦可以應用在基板座材料 之切片上。在製作基板座時，亦可以量測由該整塊之圓 柱狀基板座材料所製成的切片，此量測結果僅適用在各 別之切片上。由於是根據單一切片所得之量測結果進行 修正，因此修正上更具效率，因此可增加基板座之電阻 均勻性。藉由量測基板座材料之切片的結果，可以修正 ◎ 該切片或是由該切片所製成之基板座。在上述兩種狀況 中’其量測結果皆特別適用在各別切片上。 [0031]除了使用量測基板座材料之切片的結果，或如前述實施 例量測整塊圓柱以外，量測形成自整塊圓柱，可形成數 片切片的較小圓柱狀基板座材料也是可能的。這些量測 結果可以用來修正基板座材料之切片或作為最終產品之 基板座。相對於量測整塊之圓柱狀基板座材料，量測較 小之圓柱狀基板座材料可以獲得更精確的結果，但是這 Ο 些結果並沒有比量測單一切片的結果來得精確，然而量 測單一切片需要花費較多的時間。根據最終產品之品質 程度的需求及製造過程所允許的時間，可以選擇適當的 步驟進行量測及修正。 [0032]在另一實施例提供的方法中，該基板座材料包括一基板 座。 [0033]在製造過程的最後，基板座係為最終且不需再加工的產 1011034#^ A〇101 第10頁/共25頁 1013178191-0 201250908 [0034] 0 [0035]

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[0037] [0038] 品，因此根據量測結果修正是非常精確的，藉此方法得 到的基板座具有非常高的溫度均勻性。 在另一實施例中，修正該基板座材料之步驟包括機械加 工該基板座，以根據電阻之比較結果修正該基板座材料 靠近至少一量測位置（或在不同位置）之部分厚度。此 加工會部分地去除該基板座材料，包括鑽出孔洞、溝槽 、凹陷部分或凹痕等在該基板座之表面上，藉以局部地 修正厚度。 調整局部電阻的方式可以是局部地修正靠近量測位置之 基板座材料的厚度，藉由減少厚度會導致較高的電阻及 較高的局部熱感應，例如可以在基板座上側修正厚度， 或基板座下侧修正厚度，其中該上側係為基板放置之一 侧，而下側係為感應加熱發生的一側《此外，修正基板 座兩側的厚度也是可行的。 在另一實施例中，在修正基板座的步驟之前，根據基板 座材料之部分量測位置之電阻的比較，可以得知基板座 材料之電阻分布’並且根據此電阻分布，可以修正該基 板座材料。 透過基板座材料上各量測位置之電阻量測結果，可以得 知電阻分布，此分布例如可以圖像表示或以基板座之二 維座標表示，其中不同的顏色代表電阻偏差。此分布的 優點係以圖像表示量測結果，可以易於了解。 在另一實施例中，在修正基板座之步驟前，一參考點係 定義在該基板座材料上，其中根據該參考點定義至少— 101103441^單編號 Α〇101 第11頁/共25頁 1013178191-0 201250908 量測位置。 [0039] 判定是否更容易地利用一參考點將該修正位置對應到一 量測位置，接著根據該參考點可以進行量測及修正的步 驟。使用參考點的其他優點不僅包括精確的位置測定， 且可以分開進行量測和修正步驟。根據該參考點，一第 一元件可以用來量測該基板座之特定位置的電阻，接著 可以將該基板座調整至另一方向或放置在另一元件上。 故透過該參考點可以得知正確的修正位置。 [0040] 在另一實施例中，修正基板座之步驟包括減少該基板座 材料之孔隙，特別是根據該電阻的比較結果注射一可硬 化的樹脂，藉以減少該孔隙。 [0041] 在另一實施例中，該量測之步驟包括依序地或同時地量 測該基板座材料上多個量測位置。 [0042] 在另一實施例中，在進行該量測之步驟時，可以檢測在 該基板座材料内所產生的渦電流。在另一實施例中，亦 可使用頻率變動產生的渦電流。 [0043] 在另一實施例中，可以重複地進行該量測、比較及修正 之步驟。 [0044] 該量測、比較及修正之步驟不但可以在製程中不同階段 進行，亦可以不斷地重複進行，直到達成可靠的電阻均 勻度及品質水準。這些步驟可以重複地進行，例如量測 該基板座之電阻及根據量測結果修正該基板座。這些步 驟亦可遞迴地進行，意指該量測步驟可以在不同的階段 逕行，先在該基板座材料為整塊圓柱的階段進行，接著 034#單編號A_ 第12頁/共25頁 1013178191-0 201250908 在基板座材料切片的階段進行，及在最終產品的階段時 進行。在進行完所有的量測步驟之後，可以進行修正步 驟。 [0045] 根據本發明任一實施例加工的基板座可以應用在蟲晶成 長反應器、有機金屬氣相磊晶或有機金屬化學氣相沉積 【實施方式】 [0046]第1圖說明本發明第一較佳實施例之步驟。提供一高純声 〇 的基板座材料’然而基板座材料並非如所需的均勻，使 得該基板座材料具有不盡理想的溫度均勻性。藉由執行 如第1圖所示的步驟，可以增加基板座之溫度均勻性，這 些步驟依序包括提供基板座材料之步驟1〇、量測基板座 材料之電阻的步驟11、根據一參考電阻比較被量測基板 座材料之電阻的步驟12、根據該比較結果修正該基板座 材料的步驟13、最後修正後的基板座具有高的溫度均句 性14。 〇 [0047]該量測步驟11例如是檢測渦電流，利用電磁感應可以檢 測渦電流，藉以偵測物質傳導的缺陷。藉由控制渦電流 檢測的頻率，可以檢測不同深度，頻率愈低，可在材質 愈深處形成電流的感應。利用該渦電流檢測而測得電阻 之方式與感應加熱系統内加熱基板座的方式非常相似。 [0048]利用渦電流檢測的方式’不但可以測得基板座材料之電 阻’亦可以測得基板座材料之表面缺陷及位在基板座上 塗布材料的各度。错由該渴電流檢測，可以得知較小的 表面缺陷及因為基板座材料的不均勻性而導致的溫度缺 1013178191-0 1011034#單編號Α〇1ίΠ 帛13頁/共25頁 201250908 陷。 [0049] [0050] [0051] [0052] 除了利用該渦電流檢測外’其他的量測方式亦可以用來 量測基板座材料的電阻，其中類似渦電流檢測之非破壞 性檢測方法較為理想。類似遙場檢測或交流場檢測之檢 測方法亦可以用來進行該量測基板座材料之電阻的步驟 11 〇 基板座材料上許多位置的電阻會被量測。量測的位置兪 多，便可得知愈豐富的電阻資料，在下一步驟（根據—參 考電阻比較被量測該基板座材料之電阻的步驟12)會利用 ^ 到該電阻資料。該參考電阻可以是被量測基板座材料之 電阻的平均值，或是產業的參考值，例如由大量的量測 結果所得到的平均值。 當由該步驟11所量測之電阻與該步驟12之該參考電阻之 間具有差異存在時’在下一步驟（根據該比較結果修正該 基板座材料的步驟13)利用該盖異可以修正該基板座材料 。在該基板座材料之電阻超過一定規格時，例如在該基 板座的表面上最大電阻變化量僅允許造成2°c之溫度差異 Ο ，會進行修正該基板座材料的步驟，藉以減少差異。因 此，該基板座材料可以具有更均勻的電阻分布及更均勻 的溫度分布’即如圖所示之最終步驟（修正後的基板座具 有高的溫度均勻性14)。 第2圖說明本發明其他較佳實施例之步驟’其中本實施例 之第一步驟20係為提供整塊的圓柱狀基板座材料，整塊 的基板座材料大部分為圓柱狀，並且其份量足以形成多 mi〇34#單編號 A0101 第14頁/共25頁 1013178191-0 201250908 個基板座。本方法不但可以應用在整塊的圓柱狀基板座 材料上，亦可以應用在其他形狀之基板座材料上，例如 酒桶狀之基板座材料。 [0053]第二步驟21為量測整塊的圓柱狀基板座材料之電阻，愈 多的量測位置可以獲得愈多資訊及愈精確之溫度分布差 異。接下來的步驟22為根據一參考電阻比較該整塊的圓 柱狀基板座材料所測得之電阻，藉由步驟22，可以判定 材質為石墨之基材的缺陷，該整塊的基板座材料之特定 〇 區域或特定區段上可能偵測出這些缺陷。故根據步驟21 的量測方法可以判定缺陷的位置，該方法例如使用渦電 流檢測，藉由控制渦電流頻率，可以檢測不同深度之渦 電流。 [0054]接下來步驟23係為利用該整塊的圓柱狀基板座材料形成 其切片。該整塊的基板座材料可以切割成切片，且該整 塊的基板座材料之份量可以形成多個切片。步驟24係為 根據比較結果修正這些切片，藉以修正步驟22中的缺陷 區段。該方法的最終步驟係為步驟25，修正後的基板座 具有高的溫度均勻性。 [0055]第3圖說明本發明之方法，此量測步驟可以在不同階段進 行。在提供一整塊的圓柱狀基板座材料之步驟3〇後，會 進行利用該整塊的圓柱狀基板座材料形成其切片之步驟 31 ’接著進行量測這些切片之電阻的步驟32，藉以量測 基板座材料，此量測結果係針對特定的切片》步驟31及 32可以重複進行，直到由整塊的圓柱狀基板座材料（步驟 30)所形成之切片 10110344产單編號 Α0101 均已進行完成這些步驟。步驟33係為根 第15頁/共25頁 1013178191-0 201250908 據一參考電阻比較被量測切片的電阻，上述之量測結果 可以與一參考電阻進行比較，其差異可以由接下來的步 驟34進行補償，其中步驟34係為根據該比較結果修正這 些切片。該方法的最終步驟係為步驟35，修正後的基板 座具有高的溫度均勻性。 [0056] 第4圖說明本發明之方法，其中基板座在被量測之前就已 形成。在最終產品階段，即為基板座階段，才進行量測 的步驟。量測每一基板座的步驟44係為最精確的方法， 但卻最耗時。根據此量測結果可以進行比較的步驟45及 修正的步驟46。該方法的最終步驟係為步驟47，修正後 的基板座具有南的溫度均勻性。 [0057] 如第1至4圖所示的步驟可以是重複地進行。例如，修正 該基板座材料之後，可以再進行量測電阻步驟、比較步 驟及修正步驟，這些步驟可以重複地進行，直到該基板 座材料達到要求的均勻度及品質。根據本發明之製程， 可以結合在不同階段中這些重複的步驟。例如，在整塊 的圓柱狀基板座材料之階段，可以進行一連串的量測， 並可以使用這些資訊對由該整塊的圓柱狀基板座材料所 形成之切片進行粗略修正。這些切片還可以進行量測， 並利用這些資訊精密地修正該基板座。如上所述，本方 法的這些步驟可以是遞迴的進行。 [0058] 第5圖繪示用於進行本發明之方法的基板座。例如，可以 在 11 個位 151'52 ' 53、54 ' 55、56、57、58、59、 60及61量測基板座，這些位置係位在基板座上靠外部區 域，基板座背部之靠外部區域79亦具有對應位置62、63 1013178191-0 1{)11()3441^單編號 A0101 第 16 頁 / 共 25 頁 201250908 、64、65、66、67 ' 68、68、69、70、71 及72可以進 行量測。分別位在基板座前部及後部之靠外部區域的11 個量測位置之電阻資訊可以與分別位在基板座前部及後 部之靠内部區域7 5及8 0的11個量測位置之電阻資訊結合 。如此，可以收集大量的資料並根據基板座電阻之均勻 性資訊藉以得知精確之缺陷位置資訊。第5圖亦繪示一參 考點78，可以得知相對於該參考點78之這些量測位置。 [0059] Ο [0060] [0061] Ο 本發明之修正步驟可以是修正基板座材料之上表面、下 表面或二者一起，包括利用機械加工或研磨的方式，例 如鑽出孔洞、凹陷部分、溝槽或凹痕等。 【圖式簡單說明】 第1圖為本發明第一較佳實施例之步驟。 第2、3及4圖為本發明其他較佳實施例之步驟。 第5圖為用於進行本發明之方法的基板座。 【主要元件符號說明】 10〜14、20〜25、30〜35、40〜47 :步驟 51〜72 :量測位置 75 :基板座前部之靠内部區域 78 :參考點 79 :靠外部區域 80 :基板座後部之靠内部區域 034#單編號 Α0101 第17頁/共25頁 1013178191-0

Claims (1)

1. 201250908 七、申請專利範圍： 1 . 一種加工基板座材料的方法，藉此將一半導體基板配置在 —基板座之一第一側，並利用感應加熱的方式，形成各種 半導體材料層在該半導體基板上，其步驟包括： 測定該基板座材料之至少一測量位置之一第一電阻； 比較該第一電阻及一第二參考電阻；以及 根據該電阻比較結果修正該基板座材料。

   如申請專利範圍第1項所述之加工基板座材料的方法，其 中該第一電阻包括在該基板座材料上至少二測量位置所量 測之該第一組電阻值，其中該第二參考電阻係由該第一組 電阻值所決定，比較該第一組電阻值與該第二參考電阻， 並根據該電阻比較結果修正該基板座材料。 如申請專利範圍第1或2項所述之加工基板座材料的方法， 其中被修正之該基板座材料包括—整塊的基板座材料、該 整塊的基板座材料之一切片及一基板座中之其中之―。" 如申請專利範圍第1項至第3項中任—項所述之加工基板座 材料的方法，其中該第二參考_係由_整塊的基板座材 科、該整塊的基板座材料之-切片及_基㈣巾之其中之 一所決定。 .如申請專利範圍第1項至第4項中住— 項所述之加工基板 材料的方法，其中該第一電阻及該笛 Λ第一電阻中之至少其 之—的測定係藉由量測該基板座材彳 Τ钭之物理特性，其包; 熱傳導性、楊氏模數、撓曲強度、 尽度、導磁性、雷導， 及電阻性中之至少其中之一。 .如申請專利範圍第1項至第5項中任 項所述之加工基板 第18頁/共25頁 1013178191-0 201250908 材料的方法，其中修正該基板座的步驟包括機械加工該基 板座，以根據該電阻比較結果修正該基板座之至少部分的 厚度。 7 .如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之加工基板座 材料的方法，其中在修正該基板座的步驟之前，先產生該 基板座材料之一電阻分布，該電阻分布係根據該基板座材 料之部分量測位置之電阻的比較而得，並且根據該電阻分 布修正該基板座。 8 .如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之加工基板座 v 材料的方法，其中在修正該基板座的步驟之前，一參考點 係定義在該基板座材料上，並根據該參考點定義該至少一 量測位置。 9 .如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之加工基板座 材料的方法，其中修正該基板座的步驟包括根據該電阻比 較結果減少該基板座之孔隙的步驟。 10 .如申請專利範圍第9項所述之加工基板座材料的方法，其 中減少該基板座之孔隙的步驟包括根據該電阻比較結果注 〇 射一可硬化的樹脂。 11 .如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之加工基板 座材料的方法，其中測定該第一電阻的步驟包括依序地或 同時地量測該基板座材料上多個量測位置。 12 .如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之加工基板 座材料的方法，其中測定該第一電阻的步驟包括檢測在該 基板座材料内所產生的一渦電流，特別是一變頻渦電流。 13 .如申請專利範圍第12項所述之加工基板座材料的方法，其 中該渦電流包括一變頻渦電流。 1011034#單編號腿01 第19頁/共25頁 1013178191-0 201250908 14 .如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述之加工基板 座材料的方法，其中該測定、比較及修正的步驟係為重複 的步驟。 15. 種基板座’應用在蟲晶成長反應裔、有機金屬氣相蟲晶 或有機金屬化學氣相沉積，其加工方法係如申請專利範圍 第1項至第14項所述之加工基板座材料的方法。 101腦4产單編號Α_ 第20頁/共25頁 1013178191-0