201243072 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於形成蒸鍍膜的裝置，尤其係關於有效於 用以使蒸發材在熔融狀態下蒸發而在基板上形成薄膜的蒸 鍍裝置。 【先前技術】 目前盛行開發有機EL元件。有機EL顯示器（有機 EL顯示裝置）作爲取代液晶或電漿顯示器等的次世代薄 膜顯示器而備受期待。目前亦在行動電話等攜帶型機器或 汽車音響使用有機EL顯示器。此外，有機EL照明係不 斷在開發，俾以追隨業已製品化的LED照明之後。尤其 ，LED照明幾乎爲點發光，因此即使適於小型化，亦在發 熱的限制或光的擴散方面圖求改進。另一方面，有機EL 照明係具有在面發光、形狀沒有限制，且爲透明等特色， 而被認爲會有在今後分別存在，或者甚至超越LED而更 加普及的可能性。 有機EL顯示裝置或照明裝置所使用的有機EL元件 係以陰極及陽極包夾有機層而成的三明治狀構造被形成在 玻璃板或塑膠板等基板上者。對該陰極及陽極施加電壓， 藉此由各個對有機層注入電子及電洞，藉由該等再結合所 產生的激子（exciton)而發光。 該有機層係形成爲包含：電子注入層、電子輸送層、 發光層、電洞輸送層、電洞注入層的多層膜構造。在該有 -5- 201243072 機層所使用的有機材料係有高分子及低分子。其中，低分 子材料係使用蒸鍍裝置來予以成膜。 一般而言，在電極係使用金屬材料作爲陰極，使用透 明導電材料作爲陽極。陰極係以工作函數較小者較爲有利 ，俾以將電子注入至有機層，陽極係必須工作函數較大， 俾以對電洞注入層或電洞輸送層等有機層注入電洞之故。 具體而言，在陽極係使用銦錫氧化物（ITO )、氧化錫（ Sn02 )等。在陰極係使用M gAg (比率爲9: 1)合金、A1 等。該等陰極材料係大部分使用蒸鍍裝置來進行成膜。 使用簡化「專利文獻1」之圖示的圖18，來說明習知 之蒸鍍裝置所使用之蒸發源之例。在由坩堝本體1與噴嘴 (構造物）2所構成之坩堝之中收容有蒸發材5，將該坩 堝藉由加熱器3進行加熱，使藉由反射器4所逸逃的熱返 回至坩堝、加熱器3而提升熱效率來將蒸發材5進行加熱 。經加熱的蒸發材5係藉由昇華或氣化而蒸發，由噴嘴（ 構造物）2的開口部9噴出而在未圖示的基板上蒸鍍蒸發 材5。 尤其若爲蒸發材5爲A1的情形，A1由於爲熔點以下 且蒸氣壓低，因此將溫度設定爲熔點（660 °C)以上而在 熔融狀態下進行蒸鍍。此時，已知會發生熔融的A1沿著 坩堝的內壁面上升而由坩堝溢出之所謂的潛伸現象。熔融 的A1係在圖17的坩堝（本體）1的內壁潛伸，藉由溫度 等條件，由噴嘴2的開口部9在噴嘴（構造物）2上面潛 伸，而會有繞入至以配置有加熱器3的坩堝（本體）1與 -6 - 201243072 噴嘴2與反射器4所包圍的加熱器室1 〇的情形。即使在 不會潛伸至噴嘴2上面的情形下，亦大部分爲熔融Α1在 坩堝（本體）1與噴嘴2的間隙潛伸、或由坩堝（本體） 1與噴嘴2的間隙形成爲Α1蒸氣而繞入至加熱器室10。 若Α1進入至加熱器室10時，會有附著在加熱器3、反射 器4而起反應’使加熱器3劣化，而形成爲斷線的原因， 或堆積在支持加熱器3之未圖示的絕緣子而使其具有導電 性，堆積在反射器4，透過具有表面導電性的絕緣子而使 加熱器3與反射器4 (此時設爲接地）係呈電性短路等造 成蒸鍍裝置之蒸發源故障原因的問題。 此外，在「專利文獻2」係揭示一種使用坩堝本體與 噴嘴爲一體構造的坩堝的蒸鑛裝置。但是，如上所示之開 口部小於坩堝底面的構造係會有不易製作，且即使可製作 亦導致高成本的問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2008-024998號公報 [專利文獻2]日本特開2007-046 1 00號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 已知蒸發源的A1熔融時，熔融的Α1沿著坩堝的內壁 面上升’而會發生由坩堝溢出的潛伸現象。因該A1潛伸 201243072 、或A1蒸氣侵入，A1附著在加熱用加熱器、或支持加熱 器且應具有電性絕緣性的絕緣子而發生電性短路，而有造 成蒸發源故障、破損原因的問題。此外，在將坩堝本體與 噴嘴形成爲一體的坩堝中，會有製作困難且成爲高成本的 問題。 本發明之目的在以低成本提供一種具有防止A1潛伸 、或A1蒸氣侵入而不易發生破損之蒸發源的蒸鍍裝置。 (解決課題之手段） 在本說明書中所揭示的發明中，若槪要說明具代表性 的內容，如以下所述。發明人係藉由實驗及其反覆進行所 得的經驗，而得有關鋁潛伸、或A1蒸氣侵入的以下知見 。圖17係與圖18同樣地，爲熔融A1在由具有坩堝凸緣 8的坩堝本體1與噴嘴2、及圓筒狀固定具7所包圍的路 徑（間隙）潛伸、或由坩堝本體1與噴嘴2的間隙形成爲 A1蒸氣而進入至加熱器室的情形。 實際上，在短期亦以1 400°C以上在A1蒸鍍後進行觀 察時，A1係侵入至坩堝凸緣8與噴嘴2的間隙，且繞入 至加熱器室。此外，在1 40 0 °C以下未明顯發現潛伸時，亦 在長時間使用後，發現加熱器3變質、A1附著在反射器4 上部、反射器物質變質、變形。此係基於坩堝本體1內的 A1蒸氣藉由坩堝凸緣8與噴嘴2、及圓筒狀的固定具7形 成有如箭號與虛線所示之路徑1 1，A1蒸氣沿著該路徑而 侵入至加熱器室10之故。 -8 - 201243072 若在如上所示之狀態下直接加熱成高溫，俾以進行 A1蒸鍍時，加熱器室10內的A1會蒸發而堆積在坩堝凸 緣背側、或A1堆積在支持加熱器3且與反射器相接之未 圖示的絕緣子表面，加熱器3變得容易短路。此外，加熱 器線變得容易變質而斷線。如以上所示，在圖1 7所示之 構造中，由於形成A1潛伸、A1蒸氣易於侵入至加熱器室 的路徑11，因此蒸發源容易故障、破壞。 另一方面，在圖17的噴嘴2上面並未發現A1潛伸， A1上面與圓筒狀固定具7的間隙亦遠離噴嘴2的開口部9 ，因此不易發生A1蒸氣侵入至加熱器室10的情形。之所 以未發現A1朝向噴嘴2上面潛伸，係基於A1上面呈真空 開放且熱輻射大，與開口部9相比，溫度降低較大之故。 由以上，若形成爲不會形成來自坩堝1內的A1蒸氣 容易侵入至加熱器室3的路徑的構造，則A1不易潛伸、 而且A1蒸氣不易進入至加熱器室，蒸發源即不易故障、 破壞。因此，設計出圖1所示構造的蒸發源。與圖17不 同之處在於噴嘴2與坩堝本體1的關係。在圖1中，噴嘴 2係配置在坩堝本體1的內側，因此對圖1 7所示之路徑 11設置缺口 12。在此，缺口 12係指在噴嘴的開口部附近 ，不會存在將蒸氣導至加熱器室般的路徑的構成。基於該 缺口 12的存在，即使藉由坩堝凸緣8與噴嘴2、及圓筒 狀的固定具7，亦不會形成A1蒸氣侵入路徑。 此外，A1由於會以高溫與金屬起反應而形成合金， 因此坩堝係以陶瓷等絕緣體來製作。例如PBN ( Pyrolytic 201243072
Boron Nitride)係藉由氣相成長法（CVD法）所製作的氮 化硼（BN)。因此，坩堝本體1與噴嘴2形成爲一體的 懸伸構造係製造耗費時間而導致高成本。坩堝本體並非爲 懸伸構造，亦即形成爲開口部由底部擴展的構造。因此， 分別個別製作而加以組合者成爲低成本，而且可依條件來 改變噴嘴的開口徑，使用方便性亦較佳。 此外，如圖5所示，使噴嘴（構造物）2從坩堝本體 1突出。藉此，噴嘴開口部的溫度會降低而可防止A1潛 伸。彙總以上，具體的主要手段如以下所示。 (1) 一種蒸鍍裝置，其特徵爲：至少由固定具、噴 嘴構造物、坩堝、及加熱部（加熱器）所構成，噴嘴構造 物係被設在前述坩堝開口部，以前述噴嘴構造物及除此之 外的蒸發源零件所形成的路徑不會與存在加熱部的空間（ 加熱器室）相連的構造。 或者，一種蒸鍍裝置，其特徵爲：至少由固定具、噴 嘴構造物、坩堝、及加熱部（加熱器）所構成，噴嘴構造 物係被設在前述坩堝開口部，以前述噴嘴構造物及除此之 外的蒸發源零件所形成的路徑在與存在加熱部的空間（加 熱器室）之間的路徑具有缺口的構造。 (2) 此外，一種蒸鍍裝置，其特徵爲··前述噴嘴構 造物係朝坩堝外部突出而成的構造。 果 效 之 明 發 由於爲在以噴嘴構造物及除此以外的蒸發源零件所形 -10- .201243072 成的路徑在與存在加熱部的空間（加熱器室）之 口的構造，因此A1蒸氣不易進入至加熱器室， 生A1繞入潛伸至加熱器室。 此外，前述噴嘴構造物係由固定具朝坩渦外 成的構造，因此溫度比坩堝更爲降低，不易發生 。此外，開口部由底部擴展的構造的坩堝較易於 此成本低。藉此，可廉價地提供具有可防止A1 、鋁潛伸且不易發生故障、破損之蒸發源的蒸鍍 【實施方式】 以下使用實施例，詳加說明本發明之實施形 ’在用以說明實施形態的所有圖示中，具有同一 標註同一元件符號，且省略其反覆說明。 [實施例1] 圖1至圖4、及圖1 7係說明本實施例的圖 本實施例之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖。圖 與實施例1作比較之用之蒸鍍裝置之蒸發源的槪 。圖2係實施例1之蒸鍍裝置之坩堝的說明圖。 用實施例1 1之蒸鍍源的蒸鍍裝置的槪略構成圖。 示有機EL·顯示器生產工程之一例的工程圖。 首先’爲與實施例1作比較，說明圖1 7之 之蒸發源°圖17的蒸發源係由具有坩堝凸緣8 本體）1、加熱器（heater) 3、反射器4'蒸發材 間具有缺 亦不易發 部突出而 A1潛伸 製作，因 蒸氣繞入 裝置。 態。其中 功能者係 。圖1係 17係供 略剖面圖 圖3係使 圖4係顯 蒸鍍裝置 的坩堝（ 5、外筒 -11 - 201243072 6、具有開口部9的噴嘴（構造物）2、及固定具7所構成 。將被外筒6與坩堝1所包圍且存在加熱器3的領域稱爲 加熱器室10。在圖17中，藉由利用來自未圖示的電源的 電力而形成爲高溫的加熱器3而進入至坩堝本體1之作爲 蒸發材5的A1被加熱至熔點660°C以上而形成爲熔融狀態 〇 藉由反射器4而使來自加熱器3的輻射熱反射而返回 至加熱器3或坩堝1所發生的熱儘可能不會浪費地被使用 在A1的加熱。該等係收納在外筒6之中，坩堝1係以坩 堝凸緣8被支持在外筒6。在坩堝凸緣8上配置具有開口 部9的噴嘴（構造體）2，坩堝1與噴嘴（構造體）2係 藉由固定具7而被固定在外筒6。 該等被設置在維持爲高真空之未圖示的真空腔室之中 。外筒6係藉由未圖示的水冷等冷卻機構予以冷卻，抑制 對真空腔室內的多餘的放出氣體，或抑制真空腔室本身的 高溫化。由熔融狀態的A1發生A1蒸氣而充滿在坩堝1內 ，由噴嘴2的開口部9噴出A1蒸氣。該所噴出的A1蒸氣 係被噴吹在與未圖示的噴嘴2的開口部9相對應配置的基 板而予以蒸鍍。 該蒸發源的A1熔融時，經熔融的A1沿著坩堝1的內 壁面上升，發生由坩堝溢出之潛伸現象已爲人所知。在圖 17中，熔融A1在以具有坩堝凸緣8的坩堝本體1與噴嘴 2、及圓筒狀的固定具7所包圍的路徑（間隙）潛伸、或 由坩堝本體1與噴嘴2的間隙形成爲A1蒸氣而進入至加 -12- 201243072 熱器室。 實際上，在短期間以1400°C以上在A1蒸鍍後進行觀 察時，A1係侵入至坩堝凸緣8與噴嘴2的間隙，且繞入 至加熱器室。此外，在14〇〇°C以下未明顯發現潛伸時，亦 在長時間使用後，發現加熱器3變質、A1附著在反射器4 上部、反射器物質變質、變形。 此係由坩堝本體1內所發生的A1蒸氣沿著藉由坩渦 凸緣8與噴嘴2、及圓筒狀的固定具7所形成之以箭號與 虛線所示之路徑11，侵入至加熱器室1 〇之故。在如上所 示之狀態下，若爲了進行A1蒸鍍而將加熱器加熱時，藉 由加熱器室10內的前述路徑11進入而堆積的A1會再次 蒸發而堆積在坩堝凸緣背側，A1堆積在支持加熱器3且 與反射器4相接之未圖示的絕緣子表面，加熱器3變得容 易短路。此外，加熱器線變得容易變質而斷線。如以上所 示，在如圖17所示之構造中，由於可形成A1潛伸、A1 蒸氣易於侵入至加熱器室的路徑11，因此蒸發源容易破 壞、故障。 但是，在圖17的噴嘴2上面並未發現A1潛伸’A1 上面與圓筒狀固定具7的間隙亦遠離噴嘴2開口部9’ S 此A1蒸氣不易侵入至加熱器室10。之所以未發現A1對 噴嘴2上面潛伸，係基於A1上面呈真空開放且熱輻射大 ，與開口部9相比，溫度降低較大之故。
以上若形成爲未形成來自坩堝1內的A1蒸氣容易侵 入至加熱器室3的路徑的構造、或者在A1蒸氣由噴嘴S -13- 201243072 加熱器室的路徑具有缺口或中斷，則不易發生A1潛伸、 A1蒸氣繞入至加熱器室，蒸發源即不易破壞、故障。 圖1係顯示本發明之實施例1之蒸發源之構成的剖面 圖。與圖17不同之處在於噴嘴2與坩堝本體1的關係。 在圖1中，噴嘴2係被配置在坩堝本體1的內側，因此未 形成有如圖17所示之A1蒸氣等的路徑。亦即，設置對路 徑1 1的缺口 1 2。在此，缺口 1 2係指在噴嘴的開口部附 近未存在如將蒸氣導至加熱器室的路徑的構成。亦即，在 圖1中，缺口 1 2係指如虛線所示，在噴嘴的開口部附近 未形成有在固定具7與噴嘴2或坩堝凸緣8之間將蒸氣導 入至加熱器室1 0的路徑，蒸氣係僅朝向上方、外側被放 出。由於存在該缺口 12，亦不會藉由坩堝凸緣8與噴嘴2 、及圓筒狀的固定具7而形成A1蒸氣侵入的路徑。將圖 1的全體稱爲蒸鍍源單元26。 在圖1、圖17中，坩堝凸緣8與固定具7、坩堝凸緣 8與外筒6、固定具7與外筒6係被描繪成大幅遠離，但 是此係爲了易於說明“路徑”而特意分開描繪者。實際上， 該等係相接觸設置，爲誇大描繪若微觀觀之爲發生圖示之 間隙者。以下同樣的圖亦同。 此外，A1係以高溫與金屬起反應而製作合金，因此 坩堝係以陶瓷等絕緣體所製作。例如PBN ( Pyrolytic Boron Nitride)係藉由氣相成長法（CVD法）所製作的氮 化硼（BN )。此時，若欲減小坩堝的開口部時，坩堝本 體即成爲懸伸構造。但是，坩堝本體1與噴嘴2形成爲一 -14- 201243072 體的懸伸構造會耗費時間而造成高成本 氣相成長來形成坩堝，在模具的周圍堆 伸構造並無法將模具抽出，而必須將模 堝的製作時間及材料成本會變大。 在本發明中，個別作成坩堝本體1 本發明中的坩堝本體1並不需要形成爲 底部與開口部可爲相同直徑，或者可形 擴展的構造。亦即，不需要將用以藉由 堝本體1的模具熔解，而可將模具抽出 堝1的製作費用》亦即，在本發明中， 1各個製作組裝，但是其成本係可比作 被抑制爲較低。此外，噴嘴的開口徑亦 方便性亦較佳。 圖2(A) 、（B)係實施例1之蒸 明圖。在圖2(A) 、（B)中記載在圖
省略之支持噴嘴2的坩堝1的支持構建 使具有支持構造13，亦不會有剖面由句 開口部變窄的情形。在圖2 ( A ) 、( B 部與開口部爲相同直徑，但是開口部的 上所示，本發明之坩堝1並非爲朝向開 ，而爲底部與開口部的直徑相同、或者 的構造。藉由形成爲如上所示之構造， 製作過程較爲簡單，相較於製作懸伸的 其中，在以下實施例之圖示中，只要沒 。亦即，爲了藉由 積PBN，但是以懸 具熔解。因此，坩 與噴嘴2。因此， 懸伸構造。亦即， 成爲開口部由底部 氣相成長來形成坩 。因此，可抑制坩 係將噴嘴2與坩堝 成懸伸構造的坩堝 可輕易改變，使用 鍍裝置的坩堝的說 1中爲簡單起見所 i 13。坩堝1係即 ί渦1的底部朝向 )中，坩堝1的底 直徑大者爲佳。如 口部呈懸伸的構造 剖面朝向開口擴展 藉由CVD所爲之 構造，成本較低。 有特別聲明，爲簡 -15- 13 « 201243072 單起見，省略記入支持噴嘴2的坩堝1的支持構造 如上所示，在實施例1之蒸鍍裝置之蒸鍍源中 1所示，以噴嘴構造物及除此之外的蒸發源零件所 路徑在與存在加熱器（加熱部）3的空間（加熱器 間具有缺口 12的構造，因此A1蒸氣不易進入至加 ，亦不易發生A1繞入或潛伸至加熱器室。 此外，開口部由底部擴展的構造的坩堝係易於 因此成本低。藉此，可廉價地提供具有可防止A1 入、A1潛伸，不易故障、破損之蒸發源的蒸鍍裝攮 圖3係使用實施例1之蒸鍍源的蒸鍍裝置的槪 圖。在維持爲高真空的真空腔室14之中配置有： 、成膜在其上的有機薄膜16、及用以保持基板之 的基板保持部。此外，設有：用以在基板上形成圖 屬遮罩17、排列複數個圖1之蒸發源單元的蒸發: 監視對基板15的成膜率且被固定在蒸發源的膜厚 19、及使蒸發源18移動的水平移動機構20。藉由 移動機構20，蒸發源18係沿著蒸發源導引件21 空腔室14內水平移動。 具備有：接受來自膜厚監視器19的訊號而將 訊反饋至電源23的膜厚控制器22 ;控制蒸發源 度，俾以將蒸發源1 8所具備之未圖示的坩堝加熱 發源18發生蒸發粒子26的電源23;藉由水平驅 20而使蒸發源18水平移動的水平驅動機構控制器 控制前述電源23、前述膜厚控制器22、及水平驅 ，如圖 形成的 室）之 熱器室 製作， 蒸氣繞 〇 略構成 基板15 未圖示 案的金 畐18、 監視器 該水平 而在真 膜厚資 8的溫 而由蒸 動機構 24 ;及 動機構 -16- 201243072 控制器24的控制器25。 成膜在基板15之有機薄膜的接下來，係形成鹼金屬 或鹼土類金屬的氧化物或氟化物，例如LiF等極薄膜（〜 0.5nm)來作爲界面層。之後形成A1薄膜（〜150nm)。 有將該A1薄膜全部以蒸鍍形成的情形、或在以蒸鍍形成 更薄的A1薄膜後，由真空腔室18移動至其他真空腔室而 藉由濺鍍來形成剩餘的A1薄膜的情形》 A1之蒸鏟係如以下進行。藉由控制器25來控制膜厚 控制器22、電源23、水平驅動機構控制器24。藉由電源 23分別加熱收容有作爲蒸發材的A1的複數個蒸發源單元 的各加熱器，從由該等蒸發源單元所構成的蒸發源18的 朝上的各噴嘴開口，蒸鍍粒子26，在目前情形下爲A1粒 子（蒸氣）會朝向基板15噴射。 膜厚控制器22係接收來自用以檢測所被噴出的A1粒 子的一部分的膜厚監視器19的訊號而將膜厚資訊反饋至 電源23，控制蒸發源1 8的溫度，俾以將蒸發源1 8所具 備之未圖示的坩堝加熱而由蒸發源18發生蒸發粒子26, 而將對基板的A1蒸鍍速度維持爲一定。在蒸發源18的蒸 發源單元係分別配備有檢測坩堝1的溫度的未圖示的溫度 檢測器，監視各蒸發源單元的坩渦溫度，在被維持在大致 1 40 0 °C之後，使用膜厚監視器1 9而更加正確地控制蒸鍍 膜厚。 在圖3中雖僅描繪1個膜厚監視器19，但是以對蒸 發源18的各蒸發源單元各設置1個而個別控制蒸鍍速度 -17- 201243072 爲宜。蒸鍍源1 8係利用藉由水平驅動機構控制器24進行 控制的水平移動機構20，沿著蒸發源導引件21而在真空 腔室1 4內作水平移動β蒸鍍源1 8係以單程、或往返水平 方向進行掃描，通過金屬遮罩17而被蒸鍍在形成在基板 15上的有機薄膜16、LiF薄膜上而形成Α1薄膜。 圖4係顯示有機EL顯示器生產工程之一例的工程圖 。在圖4中，形成有有機層及控制流至有機層的電流的薄 膜電晶體（TFT )的TFT基板、及保護有機層免於受到外 部濕氣影響的封裝基板係個別形成，在封裝工程中予以組 合。 在圖4的TFT基板製造工程中，對經濕式洗淨的基 板進行乾式洗淨。乾式洗淨係亦有包含藉由紫外線照射所 爲之洗淨的情形。在經乾式洗淨的TFT基板先形成TFT 。在TFT之上形成鈍化膜及平坦化膜，在其上形成有機 EL層的下部電極。下部電極係與TFT的汲極電極相連接 。若將下部電極設爲陽極時，係例如使用ITO ( Indium Tin Oxide )膜。 在下部電極之上形成有機EL層。有機EL層係由複 數層所構成。若下部電極爲陽極，由下依序爲例如電洞注 入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層。 如上所示之有機EL層係藉由蒸鍍來形成。 在有機EL層之上’各像素共通以平塗膜形成有上部 電極。若有機EL顯示裝置爲頂部發射，在上部電極係使 用IZO等透明電極，或者Ag、MgAg等金屬或合金，若 -18- 201243072 有機EL顯示裝置爲底部發射，則使用Ag、Mg、A1等金 屬膜。以上說明的前述A1蒸鍍等之例係相當於本工程中 的上部電極的蒸鍍。 在圖4的封裝基板工程中，對進行濕式洗淨及乾式洗 淨的封裝基板配置乾燥劑（desiccant)。有機EL層係若 含有水分即會劣化，因此爲了去除內部水分而使用乾燥劑 。乾燥劑係可使用各種材料，但是乾燥劑的配置方法依有 機EL顯示裝置爲頂部發射或者底部發射而異。 如上所示，分別所製造的TFT基板與封裝基板係在 封裝工程中予以組合。用以封裝TFT基板與封裝基板的 密封材係形成在封裝基板在將封裝基板與TFT基板組 合後，對密封部照射紫外線而使密封部硬化，使封裝結束 。對如上所示所形成的有機EL顯示裝置進行亮燈檢査。 在亮燈檢査中，即使在發生黑點、白點等缺陷的情形下亦 可修正缺陷者係進行修正而完成有機EL顯示裝置。其中 ，關於不存在封裝基板之所謂固體封裝的有機EL顯示裝 置的製造，亦可使用本發明之蒸鍍裝置，自不待言》 [實施例2] 圖5係實施例2之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖° 圖1所示反射器4係爲簡單起見而予以省略》在以下圖示 中，亦只要非爲說明所需，即予以省略。僅說明與實施例 1之圖1不同的部分。實施例3之後的實施例亦同。本實 施例之特徵在於：具有噴嘴的構造物2由固定具7對外側 -19- 201243072 ，亦即包含坩堝凸緣8的平面朝向垂直方向外側突出的構 造。此外，具有噴嘴的構造物2的開口係朝上。 由於爲具有噴嘴的構造物2由固定具7對外側’亦即 包含坩堝凸緣8的平面朝垂直方向外側突出的構造’因此 溫度比坩堝1更爲降低，不易發生A1潛伸。由於在A1蒸 氣由噴嘴至加熱器室的路徑具有缺口 12’因此亦不易發 生A1蒸氣繞入至加熱器室。 在圖5中，相對包含堪渦的凸緣8的平面朝垂直方向 外側突出的圓筒狀噴嘴2的下端係被安裝在坩堝1的內壁 。噴嘴的開口部係形成在噴嘴2的前端的平面部。接著， 在包含噴嘴2的開口部的平面的外側並不存在相對向的構 件。因此，並未形成有蒸發源的蒸氣侵入至加熱器室1〇 的路徑》 此外，噴嘴構造物9亦與坩堝1同樣地由PBN所製 作，但是由於不會有以噴嘴構造物2的開口部9爲基準而 使剖面積朝向圖5的下方變窄的情形，因此製作容易而爲 低成本。 圖6係實施例2之蒸鍍裝置的槪略構成圖。由與以水 平躺平的基板15的一邊呈平行配置的複數個蒸鍍源單元 26所構成的蒸鍍源18，對水平配置的基板15，藉由與實 施例1同樣的機構以水平進行掃描，在基板15蒸鍍A1而 形成薄膜。 如以上所示，在本實施例中亦由於不易發生A1潛伸 ，亦不易發生A1蒸氣繞入至加熱器室1〇，製作亦容易， -20- 201243072 因此可廉價地提供不易故障、破損的蒸發源。 [實施例3] 圖7係實施例3之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖。 本實施例之特徵在於：具有噴嘴的構造物2由固定具7朝 坩堝1及坩堝凸緣8外部突出的構造，噴嘴構造物2的開 口 9朝向水平方向。 在本實施例中亦爲噴嘴構造物2爲由固定具7朝坩堝 1及坩堝凸緣8外部突出的構造，因此溫度比坩堝1更爲 降低，不易發生A1潛伸。由於在A1蒸氣由噴嘴至加熱器 室的路徑具有缺口 12,因此亦不易發生A1蒸氣繞入至加 熱器室1〇。 圖8係實施例3之蒸鍍裝置的槪略構成圖。由與垂直 豎立的基板15的一邊呈平行配置的複數個縱向置放的蒸 鍍源單元26所構成的蒸鍍源18，對垂直配置的基板15, 藉由與實施例1同樣的機構以上下方向進行掃描，在基板 1 5蒸鍍A1而形成薄膜。 如以上所示，不易發生A1潛伸，且亦不易發生A1蒸 氣繞入至加熱器室1〇，因此可提供一種不易故障、破損 的蒸發源。此外’對垂直豎立的基板’進行由複數蒸發源 單元所構成的蒸鍍源的上下方向的掃描時’亦具有可將蒸 發源單元以縱向置放而使蒸發粒子朝水平方向噴出的效果 -21 - 201243072 [實施例4] 圖9係實施例4之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖❶ 本實施例之特徵在於：噴嘴構造物2由固定具7朝坩堝1 及坩堝凸緣8外部突出的構造，坩堝呈斜向，但是噴嘴構 造物2的開口 9朝向水平方向。 在本實施例中亦爲噴嘴構造物2由固定具7朝坩堝1 及坩渦凸緣8外部突出的構造，因此溫度比坩堝1更爲降 低’不易發生A1潛伸。由於在A1蒸氣由噴嘴對加熱器室 的路徑具有缺口 12，因此亦不易發生A1蒸氣繞入至加熱 器室10。 此外，噴嘴構造物9亦與坩堝1同樣地以PBN所製 作’但是不會有剖面積以噴嘴構造物2之具有圖9的開口 部9的左上部爲基準朝向圖5的下方變窄的情形，製作容 易且爲低成本。 圖1〇係實施例4之蒸鍍裝置的槪略構成圖。由與垂 直豎立的基板15的一邊呈平行縱向配置的複數個斜向置 放的蒸鍍源單元26所構成的蒸鍍源18，對垂直配置的基 板15，藉由與實施例1同樣的機構以水平方向掃描，在 基板15蒸鍍A1而形成薄膜。蒸發粒子係噴嘴構造物2的 開口朝向水平方向，因此以水平方向爲中心進行噴出。因 此，相較於對垂直配置的基板以斜向噴出蒸鍍粒子來進行 蒸鍍，可進行一致性更佳的蒸鍍。或者可提高蒸發材的利 用效率。蒸發源單元的軸呈斜向，因此可縱向排列、且可 進行水平掃描。相較於開口呈斜向的情形，蒸鍍分布較爲 -22- 201243072 擴展，可以較少的蒸發源形成均一的膜。 如以上所示，由於不易發生A1潛伸，亦不易發生A1 蒸氣繞入至加熱器室1〇，製作亦容易，因此可廉價地提 供不易故障、破損的蒸發源。此外，對垂直配置的基板， 可進行由複數蒸發源單元所構成的蒸鍍源的水平方向的掃 描，可將蒸發源單元以斜向置放而使蒸發粒子以水平方向 噴出，亦具有可進行一致性佳且蒸發材利用效率佳的成膜 [實施例5] 圖1 1係實施例5之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖 。本實施例之特徵在於：噴嘴構造物2由固定具7朝坩堝 1及坩堝凸緣8外部突出的構造，在噴嘴構造物2附加輔 助加熱器27，前述噴嘴構造物2被維持在熔點以上。在 噴嘴構造物2由固定具7朝坩堝1及坩堝凸緣8外部突出 的構造中，會有溫度過於降低而成爲蒸發材的熔點以下的 情形。此時，在噴嘴構造物2的開口部沈積蒸發材而發生 噴嘴阻塞。係在如上所示之情形下極爲有效的實施例。藉 由輔助加熱器27將噴嘴構造物維持在熔點以上。藉此可 防止噴嘴阻塞。 圖1 2係實施例5之其他蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖 面圖。與圖11不同之處在於前述輔助加熱器被埋入在坩 堝內的構造、埋入加熱器的坩堝2 8。埋入加熱器的坩堝 28的具體例爲例如PBN-PG-PBN。PG爲導電性加熱器。 -23- 201243072 藉由形成爲如上所示之構造，前述噴嘴構造物2 +輔 助加熱器27的構造較爲簡化。此外，加熱器的熱效率變 佳，具有可低消耗電力化的效果。 [實施例6] 圖13係實施例6之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖 。本實施例之特徵在於：具有坩堝1的坩堝凸緣8延伸至 外筒6的側面的外部的坩堝外延部29，而且坩堝外延部 端部3 1由固定具側面端部3 0伸展。此時亦爲由固定具7 在與坩堝外延部29之間具有距離、或具有缺口 12的構造 ，因此因固定具側面端部3 0與坩堝外延部端部31間的坩 堝外延部29而使溫度降低，因此不易發生A1潛伸。此外 ，由於在A1蒸氣由噴嘴至加熱器室10的路徑具有缺口 12，因此亦不易發生A1蒸氣繞入至加熱器室10，因此可 提供不易故障、破損的蒸發源》 圖1 4係實施例6之其他蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖 面圖。與圖13不同之處在於：具有前述坩堝外延部29的 蒸發源單元26係在外筒6的外部具有將外筒6冷卻的冷 卻機構32。或者亦可在外筒6本身之中所持有，亦即冷 卻機構亦可爲外筒的一部分。在圖1 4中亦明示反射器4 〇 藉由形成爲如上所示之構造，外筒6藉由冷卻機構予 以冷卻，因此坩堝外延部29亦被更加冷卻，因此不會發 生鋁的潛伸’而由於在路徑具有缺口 12，A1蒸氣不易繞 -24- 201243072 入至加熱器室1〇，因此具有可提供不易故障、破損的蒸 發源的效果。 [實施例7] 圖1 5係實施例7之蒸鍍裝置之蒸發源的側面圖及剖 面圖。圖16(A)及（B)係實施例7之蒸鍍裝置之蒸發 源之上面圖之例。本實施例之特徵在於：坩堝凸緣8的直 徑大於外筒6的直徑，噴嘴2與坩堝1的坩堝凸緣8藉由 線材狀固定具7而被固定在外筒6。線材狀的固定具7係 在噴嘴2之上與外筒6周圍具有環狀線材且該等以線材進 行連接的構造。藉此，坩渦1與噴嘴2係被固定在外筒6 〇 此時，沿著連結固定具7之環件的線材而形成A1蒸 氣對加熱器室1 〇的路徑，但是非常微小，其其他大半部 分係坩堝凸緣8的直徑大於外筒6的直徑，因此在A1蒸 氣由噴嘴至加熱器室1〇的路徑具有缺口 12，亦即固定具 7與外筒6的間隔，因此不易發生A1蒸氣繞入至加熱器 室10，溫度在坩堝凸緣端部會降低，因此亦不易發生A1 潛伸，因此可提供不易故障、破損的蒸發源。 噴嘴上的固定具7的線材在上述中係形成爲圖16 (A )的環狀，但是亦可如圖16(B)所示形成爲三角形狀而 在3個部位與外筒6周圍的固定具6線材相連接。 本發明並非僅限制爲上述形態’亦包含以上所述之各 種組合。此外，以製造有機EL顯示裝置或照明裝置所使 -25- 201243072 用的有機EL元件的工程爲例加以敘述’但是當然亦可適 用在所有磁帶等包含其他領域的蒸鍍工程者。 如以上所示，藉由本發明之蒸鍍裝置’由噴嘴構造物 及除此之外的蒸發源零件所形成的路徑在存在加熱器3的 空間，亦即與加熱器室10之間具有缺口的構造’因此A1 蒸氣不易進入至加熱器室’亦不易發生A1繞入潛伸至加 熱器室10。此外’前述噴嘴構造物係由上蓋朝纟甘渦外部 突出而成的構造，因此溫度比坩堝更爲降低’不易發生銘 的潛伸。 此外，本發明之坩堝係開口部由底部擴展的構造，因 此易於製作，故爲低成本。如上所示’藉由本發明’可廉 價地提供具有可防止A1蒸氣繞入、鋁的潛伸且不易發生 故障、破損的蒸發源的蒸鍍裝置。 在以上實施例中，係以A1爲例加以敘述，當然亦可 適用於使用在熔融狀態下蒸發的其他蒸發材的蒸鍍裝置。 在以上說明的構成中，相對基板，蒸發源朝預定方向 移動，而蒸鍍在基板的構成。但是，本發明亦可適用在蒸 發源被固定，基板朝向預定方向移動的構成的蒸鍍裝置。 亦即，在基板形成均一蒸鍍膜時，若使基板與蒸發源作相 對移動即可。此外，當然亦可以前述各實施形態的各組合 ，所有可能的組合均可作爲本發明來實施。 以上根據前述各實施形態而具體說明，惟本發明並非 限定於前述實施形態，在未脫離其要旨的範圍內可爲各種 變更，自不待言。 -26- 201243072 [產業上可利用性] 本發明係關於蒸鍍裝置，尤其係可利用在具有不易發 &故障、破損的蒸發源的蒸鍍裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係實施例1之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖。 圖2係實施例1之蒸鍍裝置的坩堝的說明圖。 圖3係實施例1之使用蒸鍍源之蒸鑛裝置的槪略構成 圖。 圖4係顯示有機EL顯示器生產工程之一例的工程圖 〇 圖5係實施例2之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖。 圖6係實施例2之蒸鍍裝置的槪略構成圖。 圖7係實施例3之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖。 圖8係實施例3之蒸鍍裝置的槪略構成圖。 圖9係實施例4之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖。 圖係實施例4之蒸鍍裝置的槪略構成圖。 圖係實施例5之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖 〇 圖1 2係實施例5之其他蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖 面圖。 圖1 3係實施例6之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面圖 -27- 201243072 圖1 4係實施例6之蒸鍍裝置之其他蒸發源的槪略剖 面圖。 圖15係實施例7之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面（ 側面）圖。 圖1 6係實施例7之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖面（ 上面）圖。 圖17係供與實施例1作比較之用之蒸鍍裝置之蒸發 源的槪略剖面圖。 圖1 8係顯示習知技術之蒸鍍裝置之蒸發源的槪略剖 面圖。 【主要元件符號說明】 1 :坩堝（本體） 2 =噴嘴（構造物） 3:加熱器（heater) 4 :反射器 5 :蒸發材 6 :外筒 7 :固定具 8 :坩堝凸緣 9 :開口部 1 0 :加熱器室 1 1 :路徑 1 2 :缺口 • 28 - 201243072 1 3 :支持構造 14 :真空腔室 15 :基板 16 :有機薄膜 1 7 :金屬遮罩 18 :蒸發源 1 9 :膜厚監視器 2〇 :水平移動機構 21 :蒸發源導引件 22 :膜厚控制器 2 3 :電源 24 =水平驅動機構控制器 2 5 :控制器 26 :蒸鍍源單元 27 :輔助加熱器 2 8 :埋入加熱器的坩堝 29 :坩堝外延部 3 0 :固定具側面端部 3 1 :坩堝外延部端部 3 2 :冷卻機構 -29-