TW201242049A - Solar cell and method of making same, solar cell module - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 138
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 42
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 10
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 7
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 244000144730 Amygdalus persica Species 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000000275 Persicaria hydropiper Species 0.000 description 1
- 235000017337 Persicaria hydropiper Nutrition 0.000 description 1
- 235000006040 Prunus persica var persica Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 210000000941 bile Anatomy 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N phosphane silicic acid Chemical compound P.[Si](O)(O)(O)O OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
- H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
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201242049 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種太陽電池及其製造方法、太陽電池 模組，尤其關於經由貝穿孔（through-ho 1 e )將受光面電 極導出至背面側而配置之構造之太陽電池及其製造方法、 太陽電池模組。 【先前技術】 習知，結晶系矽（sil icon ’簡稱Si )太陽電池之構 造’ 一般為採用下述構造：反射防止膜’成膜在形成pn 接合之光電轉換部之上、樹形之表面電極’形成在光電轉 換部之受光面側、及背面電極，形成在光電轉換部之整面 背面。照射光因在受光面側被表面電極所遮住，故被表面 電極所覆蓋之區域不會貢獻發電。亦即’產生了所謂之陰 影損失（shadow 1 oss )。此種之陰影損失之比率為接近 10%。 能夠藉由減少電極面積來減少陰影損失。但，由於電 極之截面積之減少會增力υ電極之電阻’所以會增加表面電 極之電阻損失。電阻損來之增加會造成填充因子（Fill factor，簡稱fF)之下降，故無法單純只靠減少電極面積 來提升轉換效率。如減少電極面積的話，則必需有相對減 少面積之量來增厚電極、戒降低電極材質其本身之電阻率 等之減低電阻損失之措施。 作為解決如前述相反之要求的一個方法，有已被檢討 的經由貫穿孔而配置表面電極（或者擴散層）於背面之構 4 323446 201242049 造之太陽電池’而被稱為金屬貫穿式背電極（此如酐 Though’簡稱MWT)電池（cell)(擴散層時，稱為射極 穿透式背電極（Emitter Wrap Through)電池）（例如參 照專利文獻1、專利文獻2)。 > 在前述習知之構造之太陽電池中，當減少表面電極之 電極面積時會有增加電阻損失之問題，而在如前述構造之 太陽能電池中可採用配置匯流（bus)電極（在膽電池中 2部表面電極）於電極面積之限制寬鬆之背面來減少陰 办才貝失，並且以增加電極面積來降低串聯電阻之手法。在 利用如前述貫穿孔之太陽能電池中，在受光面侧所收集之 電流會通過貫穿孔。因此，貫穿孔之數量與在貫穿孔内之 電阻會對太陽能電池之特性造成影響。 例如’在受光面之面積為面積s之太陽電池中，針對 開一個貫穿孔之情形與開四個貫穿孔之情形進行檢討。令 光電⑺I· 4度為〗、貫穿孔之電阻為R時，以下述之數式（1) 表示在開一個貫穿孔之情形時之貫穿孔之電阻損失 另方面，以下述之數式（2)表示在開四個貫穿 孔之情形時之貫穿孔之電阻損失piQss4。而，從數式⑴ 及數式（2)可瞭解到，貫穿孔之數量越多，可減少電阻損 失。 [數式1] P1〇ss1=J2s2r ......⑴ [數式2] 323446 5 201242049
Ploss4 = J x |s) x R χ 4 = !· j2s2r r -(2) 此外，貫穿孔之電阻係取決於貫穿孔之直徑。彙集在 文光面側中之電流，於MWT電池之情形時係流過充填在貫 穿孔之金屬；於EWT電池之情形時係流過貫穿孔之測面之 擴散層。又，以下述之數式（3)表示半徑為r，高度為d 之圓柱之體積V。此外，以下述之數式（4)表示，半徑為 r’高度為d之圓柱之側面積A。因此，貫穿孔之直徑越大， 即可越減小貫穿孔之電阻。亦即，對於而電池、EWT電 池之高光f轉換效㈣言，宜為大直徑之貫穿孔 ，並且多 數量之貫穿孔。 [數式3] V= π r2d...... (3) [數式4] Α=2 π ....... ( 4) 曰接者，針對MWT電池之製造製程（pr〇cess) 予以說 月另外，在EWT電池與MWT電池中只有電極之位置不相 同’在製程無太A差異。在此雖然假設使用p形之石夕基板 (、下稱為基板），但只要將擴散材料予以變更成適切 者’即使利用n型之梦基板亦可製作同樣的電池。 ，首先，藉由雷射（laser)在ρ型之Si基板（以下， 有％之基板之情形）來形成貫穿孔。接著，在基板之表面 323446 6 201242049 形成稱為紋樣（texture)之微小凹凸。藉由紋樣來減低太 陽電池之表面反射率，即可獲得高轉換效率。 接著，藉由將基板在填醯氣（phosphorus oxychloride，POCI3)氣體環境中加熱，在基板之表面形 成η型不純物擴散層，來形成半導體pn接合。接著，藉由 電毁化學氣相沈積（plasma_enhanced Chemical Vapor
Deposition，簡稱PECVD)法來形成例如氮化矽（SiN)膜 (PECVD-SiN膜），來作為在基板之受光面側之反射防止 膜。 在此雖然在η型不純物擴散層之形成使用磷醯氣 (P0C13)來進行氣相擴散，且使用藉由PECVD之氮化矽 (SiN)膜（PECVD-SiN膜）來作為反射防止膜’但亦可使 用旋塗式摻雜（Spin on Dopant，S0D)來形成η型不純物 擴散層。此外’如使用的基板為單結晶Si基板，亦有使用 二氧化夕薄膜（si〇2)來作為反射防止膜之選擇項。此外， 如使用磷（P)摻雜（dope)之二氧化鈦（Ti〇2)來作為 SOD (SpinonDopant) ’亦能夠與η型不純物擴散層之形 成同時地形成反射防止膜之製程。 之後’在包含貫穿孔内之基板之表背面進行電極之印 刷、燒成’經過藉由雷射之隔離（is〇lation)，即完成 MWT電池。 雖然可推想出藉由如前述之擴散層及反射防止膜之 形成方法之幾種製程，但貫穿孔之擴散層、反射防止膜之 有無由於會對電極形成造成很大的影響，故必需注意。一 7 323446 201242049 般而言，於太陽電池之表面電極之形成係採取藉由印刷、 燒成導電性膏（paste)所造成咬破導電性膏之反射防止 膜，來取付與其下之擴散層之接觸（c〇ntact),之所謂燒 透（fire through)之手法。 例如在貝穿孔僅存在有擴散層之情形，當在貫穿孔之 充填使用燒透用之膏時，在燒成時會發生因膏破壞了貫穿 孔内部之擴散層而形成洩漏路徑（leakpath)以致得不到 良好特性之問題。因此，在非專利文獻丨中，記述有在背 面η型電極與表面η型電極中必需改變使用之膏。此外， 在專利文獻3中’採用在形成屬於異質（he tero)接面之 pn接合後形成貫穿孔，但在貫穿孔内充填導電性材料前， 在貫穿孔之侧面形成絕緣膜之對策。 (先前技術文獻） (專利文獻） 專利文獻1 :日本特開平04-223378號公報。 專利文獻2 :日本特開平02-051282號公報。 專利文獻3:日本特開2008-294080號公報。 專利文獻4 :日本特開2009-88406號公報。 非專利文獻 1 : A. van der Heide, D. Gribenski，J. Szlufcik, Photovoltech, “INDUSTRIAL FABRICATION OF MULTI CRYSTALLINE MWT CELL WITH INTERCONNECTION FLEXIBILITY OF 16.5% EFFICIENCY” 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 21-25 September 2009, Hamburg, Germany, p942-p945 8 323446 201242049 ' 【發明内容】 (發明所欲解決的課題） 、 基於前述之製程當考量前述之「開設大直獲之貫 =，並且多>數量之貫穿孔」之方針時，瞭解到該方針缺乏 用性。这是因為貫穿孔之形成係為使用雷射之枚葉 理，所以貫穿孔之數量越多生產性則越低。因此，與其 =多數之小貫穿孔，倒不如開設少量之大孔的貫穿孔為： 實用性，但此方式仍會產生問題。 MWT電池之情形’雖然藉由充填導電性膏於貫穿孔來 配置表面電極於背面侧，但必須將充填之膏保持於貫穿孔 内’且在該狀態下使之硬化，或者燒成。然而，於導電性 =之黏度過高時’從㈣印刷之導電性膏與從表面印刷之 導電性膏難以在貫穿孔内接觸。再者，於導電性膏之黏度 過低時，因無法在貫穿孔内保持導電性膏，故增加貫穿孔 之電阻。更且，在低導電性膏之黏度低之情形中，提高了 =辦印刷平台（Stage)之可能性，亦對生產性造成不良影 警。 為了解決前述問題，在專利文獻4令，在 =性膏之際’藉由配置在基板之背面之支持體，覆蓋貫 穿孔之背，且藉由印刷、乾燥之步驟來使膏保持在貫穿孔 春依據專利文獻4之方法’能夠在貫穿孔内保持導電性 貧’且能減少在貫穿孔之電阻損失。然而，導電性膏之電 =較同類之金屬，電阻率大於一位數以上，因此會有即 全體貫穿孔充填導電性膏，亦無法充分降低電阻而降 323446 9 201242049 低光電轉換效率之問題。 另外’於EWT電池之情形由於在貫穿孔内之導電利用 擴散層，故不會發生前述之問題。但是，當比較擴散層之 電阻率與導電性膏之電阻率時，因為後者為壓倒性地小， 故可推想MWT電池可獲得高轉換效率，在目前MWT電池之 研究為蓬勃。 本發明為有鑑於前述之問題所研發成者，目的係為獲 得卓越光電轉換效率、且高生產性之太陽電池及其製造方 法、太陽電池模組。 (解決課題的手段） 為了解決前述之課題並達成目的，本發明之太陽電池 係具備有：第1導電型之半導體基板，形成有貫穿孔；第 2導電型之不純物擴散層，設置在前述半導體基板之一面 側，受光面電極，没置在前述半導體基板之一面側中用以 與前述不純物擴散層t性連接；導出電極，設置成經由前 述貫穿孔導出至前述半導體基板之另—面側而與前述受光 面電極電性連接；以及背面電極，用以在前述半導體基板 之另-面側與前述半導體基㈣性連接並且與前述導 極電性隔離；前料出電極係構成為在前述貫穿孔之 充填由單齡屬所形成之金屬構件，且㈣導電性 前述受光面電極電性連接， 〃 (發明的效果） 依據本發明，可達到獲得卓越光電轉換效率，且 產性之太陽電池之效果。 201242049 【實施方式】 以下根據圖式詳細說明本發明之太陽電池及其製造 方法、太陽電池模組之實施形態。另外，本發明係為不受 下述所限定，在不脫離本發明之要旨之範圍内能夠適當變 更。此外，在下述所示之圖式中，會有為了容易理解，而 使各構件之縮尺與實際不相同之情形。在各圖式間中亦同 樣。此外，即使是平面圖亦會有為了易於理解圖式而標示 陰影部之情形。 (第一實施形態） 第1-1團係為從受光面觀看本發明之第一實施形態之 太陽電池單元（cell)l之平面圖。第1-2圖係為從受光面 之相反側之面（背面）觀看太陽電池單元之平面圖。第1-3 圖係為於第1-1圖之線段A-A之主要部分之剖面圖。第一 實施形態之太陽電池單元1係為具有經由貫穿孔 (through-hole)將表面電極導出至背面而配置之構造之 MWT電池。 太陽電池單元1係在設置有複數個貫穿孔 (through-hole) Η之矽基板10之受光面上具有反射防止 膜14與受光面電極21。矽基板10係具有：ρ型之矽基板 11、設置在石夕基板10之受光面側之表面而擴散有η型不純 物之η型之不純物擴散層12、以及設置在矽基板10之背 面侧之表面之含有高濃度不純物之Ρ+層（背面電場，Back Surface Field : BSF層）13。η型之不純物擴散層12係形 成為其之一部分繞進貫穿孔Η之内面以及矽基板10背面之 11 323446 201242049 至貫穿孔之周圍之區域為止。 受光面電極21係為在石夕基板1 〇之受光面側中與η型 不純物擴散層12電性連接之表面η電極，且為所謂栅極 (grid)電極。因使用燒透來形成受光面電極12，故反射 防止膜14係在石夕基板1 〇之受光面侧中幾乎不存在於受光 面電極21之下部，而存在於受光面電極21之下部以外之 區域。在第1-3圖中，為了顯示與石夕基板1〇之位置關係而 參考性圖示。 在石夕基板10之貫穿孔Η，埋設有屬於背面η電極之導 出電極22。導出電極22係與受光面電極21電性連接，經 由貫穿孔Η而導出至矽基板1 〇之背面侧。另外，在第1 -1 圖中係穿透反射防止膜14而顯示導出電極22。 第2-1圖係為表示構成導出電極22之屬於金屬構件 之金屬插塞（plug)之外觀之立體圖。亦即，導出電極22 係在貫穿孔Η之内部充填構由單體金屬所成之金屬插塞而 構成。金屬插塞係在平坦部221之一面上設置有圓柱狀之 複數個突起部222而構成。突起部222係在矽基板10之面 内於與第1-1圖之線段Α-Α正交方向中，以與鄰接之貫穿 孔Η彼此之間隔為相同之預定間隔設置在平坦部221之一 面上。而且’突起部222充填在貫穿孔Η，平坦部221之 一面側抵接配置在之矽基板1〇之背面（η型不純物擴散層 12)。 其中，單體金屬係指不含有非導電性之不純物之金 屬，亦包含合金。此外，金屬插塞的突起部之上表面222a 12 323446 201242049
材料價格低廉， 作為主體之鎳系材料。其中尤以，銅系 而宜作為金屬插塞之材料。
部之上表面222a以外之全表面。亦即，突起部之上表面 222a以及連接區域221&係未被覆絕緣膜。連接區域“Η 係為供太陽電池單元等之外部構件與導出電極22電性相 互連接之區域。在連接區域221a係透過焊材或導電性接著 劑來連接導電性之接頭（tab)等。另外，連接區域22^ 之位置係為依據與外部構件之電性相互連接之方法而靈活 地對應者，並非限定設置位置。此外，絕緣膜係至少被覆 於平坦部221之與石夕基板10背面側抵接之面即可。 在第2-1圖所示之金屬插塞中，在平坦部221之一面 上形成有複數個突起部222,在金屬插塞之長度方向之平 坦部221端部側之另一面中央部設置有連接區域221a。此 係為金屬插塞之一形態，金屬插塞亦可例如第2-2圖所示 在平坦部221之一面上形成有一個突起部222之形態。第 2-2圖係為顯示構成導出電極22之另一金屬插塞之外觀之 13 323446 201242049 立體圖。如第2-2圖所示之金屬插塞時，充填在各貫穿孔 Η之各金屬插塞之連接區域221a彼此係透過焊材或導電性 接著劑與導電性之接頭電性相互連接。 在矽基板10之背面上係具備有：與矽基板1〇之中具 有P型之導電型之BSF層13電性連接之背面p電極24、 及設置在背面p電極24之表面上之預定區域之連接用背面 P電極25。彦面p電極24係為將以銘（aluminium)作為 主體之電極材料膏予以印刷、燒成所形成之鋁電極。連接 用背面p電極25係為將以銀作為主體之電極材料膏予以印 刷、燒成所形成之銀電極。藉由背面p電極24與連接用背 面P電極25來構成p電極23。此外，背面p電極24與導 出電極22係被從繞進碎基板1G之背面之n型不純物擴散 層12之表面到達至矽基板n之内部為止之卯隔離溝51， 來電性隔離。 另外，在第卜1圖中顯示為容易理解而設置有5根受 光面電極21之例，但在實際上設置有更多數量之受光面電 極2卜此外，在第η圖中雖然對於各受光面電極Μ嗖 置有2個導出電極22，但受光面電極21之數量與導出電 極22之數量之對應係依據受光面電極21之數量而靈活地 對應:並非限定設置數量。亦即，例如亦可設成對於ι〇 艮之文光面電極21設置一個導出電極22等之形能。 眘接著’參照第至第w圖、及第4圖i說明第 一實㈣態之太陽電池單幻之製造方法。第Η圖至第 3-7圖係為顯示第-實施行態之太陽電池單元t之製造方 323446 201242049 •法之主要部分之剖面圖。第4圖係為顯示第一實施形態之 ‘太陽電池單元1之製造方法之流程圖。另外，在此雖然假 、設使用p形之石夕基板，但只要將擴散材料予以變更成適切 、 者’利帛n型之石夕基«可製作同樣的太陽電池單元。 首先，在p型之破基板η (以下，會有稱之為基板 11之清开/)之預定之位置，形成圓筒狀之貫穿孔Η(第Η 圖，步驟S1〇)。另外，無特別限定貫穿孔Η之形成方法， 例如此夠使用雷射來形成。此外，亦無特別限定貫穿孔Η 使用雷射來形成貫穿孔Η時，從生產性之觀點來 其開設多數則、錄之貫穿孔H，财如開設少量但 大直控之貫穿孔Η來得有利。 ，著’在基板U之表面形成稱為紋樣之微小凹凸， 再將貝穿孔Η之周邊部之損壞（d 驟S20)。藉由钕媒办#从L 各^日丁 乂陈云（步 卿-丄• 減低太陽電池之表面反射率，即可 獲传兩光電轉換效率。一般 樣之形成係採用濕式_ (wetpf h.4夕场电池之紋 刻之紋樣之卿）。於藉由濕式蝕 之周邊^成時藉由雷射所導人之貫穿孔Η 成紋樣時亦有於紋樣⑹果形 切片損壞之去除步驟，别猎由驗性物質（alkaii)之 壞層。 *步驟，在該步驟去除貫穿孔之周邊部之損 接著，藉由將基板u在鱗 加熱，在基板η之表面mi (;乱體％《境尹 乂成擴政有磷（P)之n型不純物 323446 15 201242049 - 擴散層12 (以下，會有稱之為擴散層12之情形），來形 成半導體pn接合。然後’在剛形成之擴散層12之表面會 • 形成有在擴散處理中堆積在表面之玻質（磷矽玻璃；PSG : 4 Phosphor-Silicate Glass)層。因此，將基板 11 予以浸 潰在氫氟酸水溶液等來將PSG層予以餘刻去除（第3-2圖， 步驟S30)。另外，使用S0D來形成擴散層12亦可。 接著’例如藉由電漿CVD ( PECVD)法形成氮化石夕（s i N ) 膜（PECVD-SiN膜）在基板11之受光面側來作為反射防止 膜14 (第3-3圖，步驟S40)。另外，基板u若為單結晶 之si基板，亦有使用二氧化矽薄膜（Si〇2)來作為反射防 止膜14之選擇項。此外，如使用摻雜碟（p)之：氧化鈦 = 02)來作為_ ’亦能夠與擴散層12之形成㈣地形 成反射防止膜14之處理。 接著，印刷p電極23。例如藉由 如ntlng)，在基板n之背面 H ( %議 24a予以⑽^ 萄於電極材料膏之紹膏 •^佈成月面P電極24之形狀來作為 將屬於電極材料膏之銀膏予以塗佈成連接乍用為^電極沈復 =，並使之乾燥(第“圖，步驟S50) =:5 中顯示銘膏24a。 另外’在 接著’以突起部222不超出貫穿^ 導出電極22之金屬插塞予以從基板u =方式，將形成 置（第3~5圖，步驟S60)。接著 面側指入並設 之受光面側將屬於電極材料膏之銀膏：：印，在基 屬於表一受光面電極21之形心=: 323446 16 201242049 3-6圖’步驟S70)。銀膏21a係以接觸在貫穿孔jj内之金 屬插塞之方式，埋設塗佈在貫穿孔Η之上部。 其中’由於貫穿孔Η係被金屬插塞堵塞，故不會有在 印刷時銀膏21a從貫穿孔Η漏出而弄髒印刷平台。此外， 設置於金屬插塞之平坦部221，由於相當於以往藉由印刷 所形成之背面η電極’故可省略迄今所必需之背面η電極 之印刷步驟。 接著’以例如在600°C至900°C左右之溫度同時燒成 基板11之表面及背面之電極膏，而在基板n之表面側因 包含在銀膏21a中之玻璃材料在反射防止膜π融溶之期 間，銀材料與矽接觸再凝固。藉此，可獲得受光面電極21， 且確保受光面電極21與基板π之矽之導通。此外，在貫 穿孔Η内中，包含在銀膏2ia中之銀材料與金屬插塞接觸 再凝固。藉此，受光面電極21係與導出電極22電性、機 械性地相連接（步驟S80)。 由於藉由如前述之導電性膏來得到受光面電極21與 金屬插塞之電性連接，故經粗面化之金屬插塞之突起部 222之上表面’將使導電性膏之對突起部222之連接變得 良好。使用在平坦部221形成有復數個突起部222之金屬 插塞時，推測於燒成時會由於基板U與金屬插塞之熱膨漲 係數之差而會在平坦部221 (鄰接之突起部222間）施加 熱應力，使金屬插塞撓曲。因此，如第5圖所示藉由於平 坦部221 (鄰接之突起部222間）設置應力釋放（stress release)部223，亦即設置減緩作用在平坦部221 (鄰接 323446 17 201242049 之突起部222間）之應力之應力減缓構造，即可消解金屬 插塞之撓曲。第5圖係為具備有應力釋放部223之金屬插 塞之平面圖。 此外，鋁膏24a亦與基板11之矽進行反應而得到背 面p電極24，且在背面p電極24之正下面形成有BSF層 13。藉此，可獲得具有：p型之矽基板11、η型不純物擴 散層12、及BSF層13之矽基板10。此外，銀膏21a之銀 材料與鋁接觸再凝固可獲得連接用背面p電極25 (第3-7 圖）。另外，在圖中只顯示受光面電極21、導出電極22 及背面P電極24。 接著，進行藉由雷射所做的隔離（第3-7圖，步驟 S90)。亦即，藉由雷射形成從繞到矽基板10之背面之擴 散層12之表面到達矽基板11之内部之pn隔離溝51，來 將背面P電極24與導出電極22予以電性隔離。經由以上 之步驟，來完成第一實施形態之太陽電池單元1。 之後，將復數個太陽電池單元1互相連接成電性串聯 (或者並聯）來製作太陽電池模組。第6圖係為示意性顯 示太陽電池1之互相連接方法之一例之剖面圖。在第6圖 中，顯示在矽基板10之面内中與第1-1圖之線段A-A正交 之方向之剖面。如第6圖所示在導出電極22中以絕緣膜 224包覆除了突起部之上表面222a及連接區域221a以外 之全表面，且藉由焊材膏31與導電性之接頭32等新構件 來進行太陽電池單元1彼此之相互連接時，金屬插塞之連 接區域221a位在平坦部221之另一面（無設置突起部222 18 323446 201242049 —Γ者加工性良好。此外，背面p電極24幾乎可全表 在發基板1G之背面中除貫穿孔H以外。該情形時與 貧二反1G之月面連接之電極係僅為背面p電極24，即可 $地確保BSF層之面積。因此具有，難以導致起因於發 矽基板10之載子（carrer)之再結合的開路電壓之下 ，且獲得高開路電壓之優點。在該形態中不tpn隔離溝。 7 ®係為示意性顯示太陽電池單^ i之相互連接方 内t其他狀剖面®。在第7圖巾，顯示树基板10之面 於與第卜1圖之線段A_A正交之方向之剖面。如第7 2不將金屬插塞之平坦部221向太陽電池外單元1之外 ^長進行相互連接時’連接區域咖以位在平坦部221 :面（設置有突起部222側之面）者加工性良好。此外， 2 P電才亟24幾乎可全表面形成在石夕基板H)之背面中除 Η以外。該情形時與石夕基板1〇之背面連接之電極係 ,、：’、'者面Ρ電極24，可寬廣地確保BSF層之面積。因此， 亦具有難以導致起因於發生在矽基板1〇之載子㈧紅^叶） 之再結合的開路電壓之下降，且獲得高開路電壓之優點。 在該形態中不需ρη隔離溝。 另外’金屬插塞之連接區域221a之配置位置，只要 依據相互連接之方法適宜靈活地對應即可。此外，亦可使 用導電性接著劑來取代焊材膏31。此外’在第6圖及第7 圖中係顯示注目在導出電極22之連接方法，故省略太陽電 池單元1之一部分構件之圖示。 在剞述第一實施形態中，配置由單體金屬所構成之金 323446 201242049 屬插塞於貫穿孔Η，經由該金屬插塞導出受光面電極21來 設置在基板11之背面。一般而言導電性膏由於以金屬粒 子、有機成分、玻璃介質（glass frit)等所構成，故其 電阻率相較於單體金屬大於1位數以上。因此，藉由將習 知充填導電性膏而形成之貫穿孔Η内之電極予以藉由單體 金屬來構成，可減低在貫穿孔Η之電阻損失，並可實現高 光電轉換效率之太陽電池單元。 此外，在第一實施形態中，由於配置金屬插塞於貫穿 孔Η，故在受光面電極21之形成時無需在全體貫穿孔Η充 填導電性膏。藉此，導電性膏之印刷變得容易。更且由於 在金屬插塞配置在貫穿孔Η之狀態來進行導電性膏之印 刷，故在印刷之際不致弄髒印刷平台，可使生產性提升。 因此，依據第一實施形態，可獲得導出電極22之電 阻低之卓越光電轉換效率、且高生產性之太陽電池單元。 另外，在前述中，金屬插塞僅藉由使用於受光面電極 21之形成之導電性膏之接著力被保持，而可能會有因突起 部222之直徑，使發生不能完全支承金屬插塞之自身重量 之問題。該情形時，能夠以在除應力釋放部223以外的平 坦部221之一部分塗佈接著劑，用以將金屬插塞予以固定 在矽基板10來對應。 (第二實施形態） 在第一實施形態中雖然藉由導電性膏來獲得受光面 電極21與金屬插塞之電性連接，但採用焊材膏之印刷及迴 焊（Reflow)亦可獲得該等之電性連接。以下，參照第8-1 20 323446 201242049 圖至第8-8圖、及第9圖說明第二實施形態之太陽電池單 元之製造方法。第8-1圖至第8-8圖係為顯示第二實施形 態之太陽電池單元之製造方法之重要部分剖面圖。第9圖 係為顯示苐一實施形態之太陽電池單元之製造方法之流程 圖。另外’在第8-1圖至第8-8圖中，針對與第3-1圖至 第3-7圖相同之構件標示相同符號。 在第一實施形態之太陽電池單元之製造方法中，在第 8-1圖至第8-4圖及步驟S10至步驟S50所示之至鋁膏24a 之塗佈為止之製程係與顯示於第3-1圖至第3-4圖及第4 圖之製程相同。但在石夕基板1 〇之背面中，除貫穿孔Η以外 幾乎全表面地塗佈形成背面ρ電極24之鋁膏24a。另外， 在此’省略連接用背面p電極25之形成之說明。 鋁膏24a之塗佈後，例如藉由網印，將屬於電極材料 肩之銀膏21a在基板11之受光面側予以塗佈成屬於表面n 電極之受光面電極21之形狀，並使之乾燥（第8_5圖，步 驟S110)。此時，銀膏21a係塗佈於基板u之受光面側 的除貫穿孔Η之周圍之區域以外。 接著，同時地燒成基板11之表面及背面之電極膏（第 8一6圖，步驟S120)。藉此，在基板11之表面側中因包含 在銀膏21 a中之玻璃材料在反射防止膜14融溶之期間，銀 材料與矽接觸再凝固。藉此，可獲得受光面電極21，並確 保受光面電極21與基板n之矽之導通。在該階段，受光 面電極21係在貫穿孔η位置被分割。 此外，銘膏24a亦與基板11之石夕進行反應而得到背 323446 21 201242049 面P電極24 ’且在背面p電極24之正下面形成有Bsf層 13。藉此，可獲得具有：p型之矽基板u、n型不純物^ 散層12、及BSF層13之矽基板1〇。另外，背面ρ電極^ 係在梦基板之背面中幾乎全表面地形成在除貫穿孔Η 之周圍之區域以外。 接著’進行藉由雷射所做的隔離（第8-6圖，步驟 S130)。亦即，藉由雷射形成從繞進矽基板1〇之背面之擴 散層12之表面到達至矽基板u之内部為止之ρη隔離溝 51，來將背面ρ電極24與之後被形成之導出電極22予以 電性隔離。 接著，以突起部222不超出貫穿孔η之方式，將形成 導出電極22之金屬插塞予以從基板u之背面側插入、設 置（第8-7圖，步驟S140)。接著，藉由在基板u之表 面之貝穿孔Η及其周邊（未形成有受光面電極21之區域） 印刷=材膏（步驟S150 )，並進行迴焊’將受光面電極2丄 '"曰由:^材33予以電性地、機械性地連接在金屬插塞（第 ，圖步驟s16〇)。經由前述之步驟，來完成第二實施 形態之太陽電池單元。 在刖述之第二實施形態中，亦藉由由單體金屬構成貫 孔H内之電極，與第一實施形態之情形同樣地可獲得導 電=2之電阻低且卓越光電轉換效率之太陽電池單元。 措道^外:在受光面電極21之形成時無需在貫穿孔H充 f^ 藉此，導電性膏之印刷變得容易。進一步不 卩刷之際®導電性材料弄髒印刷平台，且可使生產性 22 323446 201242049 提升。 (第三實施形態） 第10-1圖係為從背面觀看習知之MWT電池之平面 圖。第10-2圖係為第10-1圖之線段B-B之重要部分剖面 圖’為不存在有貫穿孔Η之區域之重要部分剖面圖。第11-;ι 圖係為從背面觀看第三實施形態之太陽電池單元之平面 圖。第11-2圖係為第11-1圖之線段c-C之重要部分剖面 圖’為不存在有貫穿孔Η之區域之重要部分剖面圖。在第 三實施形態之太陽電池單元中，以絕緣膜224被覆屬於導 出電極22之金屬插塞之平坦部221。另外，在第u —丨圖 中係透視導出電極22之平坦部221及絕緣膜224而觀之。 如第10-1圖及第10-2圖所示，在習知之MWT電池中 以不產生電極間之短路之方式’在形成背面n電極122之 區域不可形成背面p電極24。 另-方面，在如第圖及第u_2圖所示之第三實 施形態之太陽電池單元中，以絕緣膜224被覆屬於相當於 習知之MT電池之背面n電極122之導出電極以全屬插 =旦：22卜因此，如第丨1-1圖及第11-2圖所示， 電極24上即使配置金屬插塞之平坦部221亦無阻 故二二產生電極間之短路。該情形時，隔離係僅進行在 矽基板10之背面側之貫穿孔Η之 丁在 1 1 1同私_ 门瓊。卩即可。亦即，如第 11-1圖所不，卯隔離溝51係僅形成在 弟 之貫穿孔Η之周邊部。 在夕基板之背面側 此外’在如第丨丨圖及第…_示之習知之腿 323446 23 201242049 電池之電極構Μ，在梦基板1G之背面，因背面n電極與 背面ρ電極之雨方相接，故在無形成有背面Ρ電極24之區 .域之正下面不形成BSF層’BSF層不形成在發基板10之背 4面之全表面。因此，有導致發生在石夕基板10之載子到達至 各個電極為止時再結合之機率高，且一般來說會有相較於 如第12圖所米之一般性太陽電池單元還低之開路電壓之 問題。 第12圖係為示意性顯示習知之一般性太陽電池單元 之構成之立體圖。第12圖所示之太陽電池單元1〇〇係具有 藉由p型之矽基板101、與設置在P型之矽基板101之受 光面側之表面之擴散有η型之不純物之η型不純物擴散層 仞2來形成ρη接合之光電轉換部。此外’太陽電池單元100 係具有：在η塑不純物擴散層1〇2上之反射防止膜103與 櫛形之受光面電極104。受光面電極1〇4係藉由匯流電極 105與柵·極電極所構成。此外，在ρ型之砍基板101 之背面全表面具有背面電極1〇7，在被背面電極所覆 蓋之Ρ型之矽基板1〇1之背面侧之表面，設置有BSF層108。 另一方面，在第三實施形態之太陽電池單元中，相接 於矽基板1〇之背面者係僅為背面ρ電極24，故可寬廣地 確保BSF層之面積。因此，亦會有難以導致起因於發生在 石夕基板10之載子之再結合的開路電壓之下降’且獲得高開 路電壓之優點。 此外，在第1-1圖至第1-3圖所示之第一實施形態之 太陽電池單元中，與第1〇_丨圖及第1〇-2圖之情形同樣地 24 323446 201242049 在導出電極22之周圍存在有未形成有背面p電極24之區 域之線（line)狀。而且，在石夕基板10之背面中，在未形 成有背面P電極24之區域之正下面，未形成BSF層13， 故擔憂在該區域之再結合之影響。因此，抑制起因於載子 之再結合之開路電壓之下降之效果，相較於第一實施形態 之太陽電池單元，第三實施形態之太陽電池單元者較高。 在前述之第三實施形態中，亦藉由由單體金屬構成貫 穿孔Η内之電極，藉此與第一實施形態之情形同樣地可獲 得導出電極22之電阻低且卓越光電轉換效率之太陽電池 早兀。 此外，在第三實施行太之太陽電池單元中，可寬廣地 確保BSF層之面積，且能獲得高開路電壓。 (第四實施形態） 在第一實施形態至第三實施形態中雖然金屬插塞以 一個導體所形成，但金屬插塞以兩個構件構成亦可。第13 圖係為顯示第四實施形態之金屬插塞之形態之剖面圖。第 13所示之金屬插塞係由一對之凸形構件41及凹形構件42 所構成。凸形構件41係具有與第一實施形態至第三實施形 態之金屬插塞同樣之構成，具有平坦部411與突起部412。 凸形構件41係藉由絕緣膜被覆至少於平坦部4 41之與矽基 板10之背面側抵接之面。凹形構件42係具有翼部421與 圓筒形之突起部422。突起部422之外徑係與貫穿孔Η之 直徑大致同等。突起部422之内徑係與突起部412之外徑 大致同等。 25 323446 201242049 凸形:圖所示藉由凹形構件42之翼部421與 夷盥矽其4〗之坦部4u來挾持矽基板ι〇而固定金屬插 塞與石夕基板1G。金屬插塞即可難一蜀 14圖係為顯示第四實施形 板脫洛。第 之金屬插塞與矽基板10之配 置關係之重要部分剖面圖。 a ^ m ^ ^ 卜在第14圖中係顯示注目 構件之圖示。 $略太陽電池早兀1之-部分 使用如前述之金屬插矣夕棒 8 7阁計士蜀播塞之情形’在第二實施形態之第 8-7圖之製程中’從受光面側插 + j播入凹形構件42於貫穿孔H。 ’、、、後’稭由在基板11之表面之貫穿 ^ ^ 01 貝茅孔Η及其周邊（未形成 =先面電極21之區域）印刷焊材膏，並進行迴焊，而將 又光面電極21藉由焊材予以雷枓士 宁以電性地、機械性地連接在凹形 構件42。
接者，從受光面側摘入凸形構件41 =構綱凹形構件42予以電性地、祕J 2其ΓΓ:411之—部分塗佈接著劑，且固定金屬插 塞在基板11亦可。 i 在前述之第四實施形態中， 穿孔Η内之電極，與第—實施由早體金屬構成貫 山兩 貫細*开人^之情形同樣地可择捲道 出電極22之電阻低且卓赭㈣結”豕也J獲传導 轉換效率之太陽電池單元。 此外，在U面電極21之形成時無 填導電性膏。藉此，㈣㈣之印刷變得 :刷之際不會因導電性膏而弄辨印刷平台，可使生= 323446 26 201242049 (產業上之可利用性） 如前述’本發明之太陽電池係為有益於實 電轉換效率，且夺吝！^ a 趣之光 手且生產性向之贿型之太陽電池。 【圖式簡單說明】 太陽光面觀看本發明之第-實施形態之 發明！Γ:係為從與受光面相反侧之面（背面）觀看本 發月之第-實施形態之太陽電池單元之平面圖。 第1-3圖係為於帛η圖之線段η之重要部分之剖 面圖。 第2 1圖係為顯示構成本發明之第一實施形態之導出 電極之金屬插塞之外觀之立體圖。 第2 2圖係為顯示構成本發明之第一實施形態之導出 電極之另-金屬插塞之外觀之立體圖。 第3-1圖係為顯示本發明之第一實施形態之太陽電池 單70之製造方法之重要部分剖面圖。 〇〇第3-2圖係為顯示本發明之第一實施形態之太陽電池 單π之製造方法之重要部分剖面圖。 第3-3圖係為顯示本發明之第一實施形態之太陽電池 單兀之製造方法之重要部分剖面圖。 第3-4圖係為顯示本發明之第一實施形態之太陽電池 單兀之製造方法之重要部分剖面圖。 第3-5圖係為顯示本發明之第一實施形態之太陽電池 單兀》之製造方法之重要部分剖面圖。 27 323446 201242049 $ 3 6圖係為顯示本發明之第—實施形態之太陽電池 早凡之製造方法之重要部分剖面圖。 第3 7圖係為顯示本發明之第一實施形態之太陽電池 举元，製造方法之重要部分剖面圖。 _ $ 4圖係為顯示本發明之第—實施形態之太陽電池翠 兀之製造方法之流程圖。 f 5圖係為具備有應力釋放部之金屬插塞之平面圖。 第6圖係為不意性顯示本發明之第一實施形態之太陽 電池單元之相互連接方法之—例之剖面圖。 第7圖係為不意性顯示本發明之第一實施形態之太陽 電池羊元之相互連接方法之—例之剖面圖。 。…第8 1圖係為顯示本發明之第二實施形態之太陽電池 早疋之製造方法之重要部分剖面圖。 。…第：2圖係為顯示本發明之第二實施形態之太陽電池 早疋之製造方法之重要部分剖面圖。 。…第8 3圖係為顯示本發明之第施形態之太陽電池 早疋之製造方法之重要部分剖面圖。 。…第8 4圖係為顯示本發明之第二實施形態之太陽電池 早疋之製造方法之重要部分剖面圖。 。…第8 5圖係為顯示本發明之第施形態之太陽電池 早疋，製造方法之重要部分剖面圖。 。…第8 6圖係為顯示本發明之第 之太陽電池 早疋之製造方法之重要部分剖面圖。 第8 7圖係為顯示本發明之第二實施形態之太陽電池 28 323446 201242049 單元之製造方法之重要部分剖面圖。 第8-8圖係為顯示本發明之第二實施形態之太陽電池 單元之製造方法之重要部分剖面圖。 第9圖係為顯示本發明之第二實施形態之太陽電池單 元之製造方法之流程圖。 第10-1圖係為從背面觀看習知之MWT電池之平面圖。 第10-2圖係為第10-1圖之線段B-B之重要部分剖面 圖’為不存在有突起部之區域之重要部分剖面圖。 第11-1圖係為從背面觀看本發明之第三實施形態之 太陽電池單元之平面圖。 第11-2圖係為第丨丨―丨圖之線段C-C之重要部分剖面 圖’為不存在有突起部之區域之重要部分剖面圖。 第12圖係為示意性顯示習知之一般性太陽電池單元 之構成之立體圖。 第13圖係為顯示本發明之第四實施形態之金屬插塞 之形態之剖面圖。 第14圖係為顯示本發明之第四實施形態之金屬插塞 與矽基板10之配置關係之重要部分剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 太陽電池單元 10 梦基板 11 石夕基板（基板） 12 η型不純物擴散層 (擴散層） 13 Ρ+層（BSF 層） 14 反射防止膜 21 受光面電極 21a 銀膏 29 323446 201242049 22 導出電極 23 ρ電極 24 背面P電極 24a 紹膏 25 連接用背面P電極 31 焊材膏 32 接頭 33 焊材 41 凸形構件 42 凹形構件 51 Pri隔離溝 100 太陽電池單元 101 矽基板 102 η型不純物擴散層 103 反射防止膜 104 受光面電極 105 匯流電極 106 桃電極 107 背面電極 108 BSF層 122 背面η電極 221 平坦部 221a 連接區域 222a 突起部之上表面 222 突起部 223 應力釋放部 224 絕緣膜 411 平坦部 412 突起部 421 翼部 422 突起部 30 323446
Claims (1)
- 201242049 七、申請專利範圍： 1. 一種太陽電池，其具備有： 第1導電型之半導體基板，形成有貫穿孔； 第2導電型之不純物擴散層，設置在前述半導體 基板之一面側； 受光面電極，在前述半導體基板之一面側設置成 與前述不純物擴散層電性連接； 導出電極，設置成經由前述貫穿孔導出至前述半 導體基板之另一面側而與前述受光面電極電性連接； 以及 背面電極，用以在前述半導體基板之另一面側與 前述半導體基板電性連接並且與前述導出電極電性隔 離， 前述導出電極係構成為在前述貫穿孔之内部充填 由單體金屬所形成之金屬構件，且經由導電性材料與 前述受光面電極電性連接。 2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽電池，其中， 前述金屬構件係構成為在平坦部之一面上設置至 少一個突起部； 前述突起部係充填在前述貫穿孔，且前述平坦部 之一面側抵接配置在前述半導體基板之另一面侧。 3. 如申請專利範圍第2項所述之太陽電池，其中， 前述金屬構件係在前述平坦部之一面上隔以預定 之間隔形成有複數個前述突起部，且具有減緩作用在 1 323446 201242049 刚述突起部間之應力之應力減緩構造。 4·如申請專利範圍第2項或第3項所述之太陽電池，其 中， 前述金屬構件係以絕緣膜被覆至少前述平坦部中 之與則述半導體基板之另一面侧抵接之面。 5.如申請專利範圍第4項所述之太陽電池，其中， 鈿述金屬構件係以絕緣膜被覆除前述突起部之上 表面及前述平坦部之另一面之一部分以外之全表面。 6·如申請專利範圍第5項所述之太陽電池，其中， 前述背面電極係形成在前述半導體基板之另一面 側之全表面。 7. 如申請專利範圍第4項所述之太陽電池，其中， 前述背面電極係形成在除了前述貫穿孔之周邊部 乂外之刖述半導體基板之另一面側之全表面，且在前 述周邊部具備有電性隔離前述導出電極與背面電極之 隔離溝。 8, 如申請專利範圍第2項或第3項所述之太陽電池 中， 、 别述金屬構件係粗面化前述突起部之上表面。 9·如申請專·圍第2項或第3項所述之太陽電池 ψ , 八 前述金屬構件係由一對之凸形構件及凹形構件所 前:凸形構件與前述凹形構件來挾持前述 +導體基板而藉此固定前述金屬構件與前述半導體基 323446 2 201242049 板。 10. 如申請專利範圍第2項或第3項所述之太陽電池，其 中， 前述平坦部之-面側係藉由接著劑來較在前述 半導體基板之另一面側。 11. 如申請專利範圍第1項所述之太陽電池，其中， 刖述單體金屬係以鋼為主體之銅系金屬。 12. —種太陽電池之製造方法，其包含有： 在第1導電型之半導體基板形成貫穿孔之貫穿孔 形成步驟； 在前述半導體基板之一面侧形成第2導電型之不 純物擴散層之不純物擴散層形成步驟； 在前述半導體基板之一面側形成與前述不純物擴 散層電性連接之受光面電極之受光面電極形成步驟； 形成經由前述貫穿孔而導出至前述半導體基板之 另一面側之導出電極之導出電極形成步驟； 透過導電性材料來電性連接前述受光面電極與前 述導出電極之連接步驟；以及 在刖述半導體基板之另一面側形成與前述半導體 基板電性連接之背面電極之背面電極形成步驟， …在前述導出電極形成步驟中，充填由單體金屬所 形成之金屬構件於前述貫穿孔。 13.如申料利範圍第12項所述之太陽電池之製造方 其中， '’ 323446 3 201242049 如述金屬構件係構成為在平坦部之一面上設置至 少一個突起部； 别述突起部係充填在前述貫穿孔，且前述平坦部 之一面側抵接配置在前述半導體基板之另一面側。 14.如申4專鄉圍第13項所述之太陽電池之製造方法， 其中， 前述金屬構件係在前述平坦部之一面上隔以預定 之間隔形成有複數個前述突起部，且具有減緩作用在 前述突起部間之應力之應力減緩構造。 匕如申請專利範圍第13項或第14項所述之太陽電池之 製造方法，其中， 刖述金屬構件係以絕緣膜被覆至少於前述平坦部 之與刖述半導體基板之另一面側抵接之面。 陽電池之製造方法， 16.如申請專利範圍第15項所述之太 其中， 之上 前述金屬構件係以絕緣膜被覆除前述突起部 表面及前述平坦部之另—面之—部分以外之全表面 17·如申請專利範圍第16項所述之太陽電池之製造方法， 其中， 面 將前述背面電極形成於前述半導體基板之另一 侧之全表面。 18.如申請專利範圍第15項所述之太陽電池之製造方法， 其中， 將前述背面電極形成在除了前述貫穿孔之周邊部 323446 4 201242049 以外之前述半導體基板之另一面側之全表面，且在前 述周邊部形成電性隔離前述導出電極與背面電極之隔 離溝。 * 19.如申請專利範圍第13項或第14項所述之太陽電池之 製造方法，其中， 前述金屬構件係粗面化前述突起部之上表面。 20. 如申請專利範圍第13項或第14項所述之太陽電池之 製造方法，其中， 前述金屬構件係由一對之凸形構件及凹形構件所 構成，藉由前述凸形構件與前述凹形構件挾持前述半 ‘導體基板而固定前述金屬構件與前述半導體基板。 21. 如申請專利範圍第13項或第14項所述之太陽電池之 製造方法，其中， 藉由接著劑將前述平坦部之一面侧固定在前述半 導體基板之另一面側。 22. 如申請專利範圍第12項所述之太陽電池之製造方法， 其中， 前述單體金屬係以銅為主體之銅系金屬。 23. —種太陽電池模組，其係電性串聯或者並聯連接至少2 個以上之具有如申請專利範圍第1項所述之構造之太 陽電池單元。 5 323446
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2011/058542 WO2012137291A1 (ja) | 2011-04-04 | 2011-04-04 | 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201242049A true TW201242049A (en) | 2012-10-16 |
| TWI489640B TWI489640B (zh) | 2015-06-21 |
Family
ID=46968732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100131890A TWI489640B (zh) | 2011-04-04 | 2011-09-05 | 太陽電池及其製造方法、太陽電池模組 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9490375B2 (zh) |
| JP (1) | JP5596852B2 (zh) |
| KR (1) | KR101563412B1 (zh) |
| CN (1) | CN103460402B (zh) |
| DE (1) | DE112011105125T5 (zh) |
| TW (1) | TWI489640B (zh) |
| WO (1) | WO2012137291A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI563630B (en) * | 2013-01-25 | 2016-12-21 | Epistar Corp | Led packaging structure |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10840400B2 (en) * | 2013-08-29 | 2020-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photovoltaic device with back reflector |
| US20150179847A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Seung Bum Rim | Built-in bypass diode |
| KR20160129053A (ko) * | 2014-03-31 | 2016-11-08 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 신호 재송신 장치 및 방법 및 통신 시스템 |
| US10998140B2 (en) * | 2016-08-02 | 2021-05-04 | Zeon Corporation | Solar cell module |
| CN107946382A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-04-20 | 南京日托光伏科技股份有限公司 | Mwt与hit结合的太阳能电池及其制备方法 |
| CN108649087B (zh) * | 2018-05-09 | 2020-11-13 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种太阳能电池组件及其制备方法 |
| EP3836239A4 (en) * | 2019-10-18 | 2022-06-29 | Enecoat Technologies Co.,Ltd. | Element |
| JP7482708B2 (ja) * | 2020-07-13 | 2024-05-14 | 株式会社カネカ | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56154172U (zh) * | 1980-04-15 | 1981-11-18 | ||
| JPS56154172A (en) | 1980-05-01 | 1981-11-28 | Isao Yamaguchi | Turbine engine utilizing hydraulic pressure produced below bottom of ship |
| JPH0453002Y2 (zh) | 1984-11-13 | 1992-12-14 | ||
| JPH0251282A (ja) | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Sharp Corp | 光電変換装置 |
| JPH04223378A (ja) | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Sharp Corp | 太陽電池 |
| JPH11330518A (ja) | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Canon Inc | 薄膜半導体の分離方法、光電変換装置の製造方法および太陽電池 |
| JP2000091602A (ja) | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池の電極取出し方法 |
| JP2000349318A (ja) | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Tdk Corp | 太陽電池 |
| JP4427843B2 (ja) | 1999-09-29 | 2010-03-10 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
| US20070186971A1 (en) | 2005-01-20 | 2007-08-16 | Nanosolar, Inc. | High-efficiency solar cell with insulated vias |
| JP2007012730A (ja) | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置およびその製造方法 |
| JP2007311425A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
| JP5025184B2 (ja) | 2006-07-28 | 2012-09-12 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール、並びに、これらの製造方法 |
| WO2008078771A1 (ja) | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Kyocera Corporation | 太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法 |
| JP2008294080A (ja) | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法 |
| US20090114261A1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-05-07 | Robert Stancel | Edge Mountable Electrical Connection Assembly |
| JP5078509B2 (ja) | 2007-09-04 | 2012-11-21 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| JP2009088406A (ja) | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP5111063B2 (ja) | 2007-11-12 | 2012-12-26 | シャープ株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
| US20100243028A1 (en) | 2007-11-22 | 2010-09-30 | Yasushi Sainoo | Element interconnection member, photoelectric conversion element and a series of photoelectric conversion elements including the same, and photoelectric conversion module |
| EP2068369A1 (en) | 2007-12-03 | 2009-06-10 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) | Photovoltaic cells having metal wrap through and improved passivation |
| US20100024481A1 (en) | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Centier Bridal Corp. | Method for Producing Layered Rings |
| JP2010050350A (ja) | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池 |
| JP2010080578A (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
| JP2010080576A (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-04-04 US US14/009,132 patent/US9490375B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-04 KR KR1020137026601A patent/KR101563412B1/ko active IP Right Grant
- 2011-04-04 DE DE112011105125.5T patent/DE112011105125T5/de not_active Withdrawn
- 2011-04-04 CN CN201180069639.XA patent/CN103460402B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-04 WO PCT/JP2011/058542 patent/WO2012137291A1/ja active Application Filing
- 2011-04-04 JP JP2013508653A patent/JP5596852B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-05 TW TW100131890A patent/TWI489640B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI563630B (en) * | 2013-01-25 | 2016-12-21 | Epistar Corp | Led packaging structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130143118A (ko) | 2013-12-30 |
| WO2012137291A1 (ja) | 2012-10-11 |
| US20140026955A1 (en) | 2014-01-30 |
| TWI489640B (zh) | 2015-06-21 |
| KR101563412B1 (ko) | 2015-10-26 |
| DE112011105125T5 (de) | 2014-01-02 |
| JPWO2012137291A1 (ja) | 2014-07-28 |
| CN103460402B (zh) | 2016-08-17 |
| JP5596852B2 (ja) | 2014-09-24 |
| CN103460402A (zh) | 2013-12-18 |
| US9490375B2 (en) | 2016-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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