KR20140049624A - 태양전지 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
태양전지 및 그의 제조방법이 개시된다.
태양전지는 실리콘 기판, 기판의 전면에 형성된 도핑층, 도핑층 상의 전극영역에 형성된 전면 전극층, 기판 후면의 전체면에 형성된 후면 전극층, 및 후면 전극층을 덮는 버스바 전극층을 포함한다. 후면 전극층은 기판 후면의 전체면에 알루미늄(Al) 페이스트를 도포 및 소성하여 형성할 수 있으며, 버스바 전극층은 여기에 주석(Sn) 또는 은(Ag)을 전해도금하여 면 형태로 얇게 형성할 수 있다.
이에 따라, 은(Ag) 사용량을 줄여 원가절감을 이루고, 후면 전극층의 면적에 상응하는 후면전계층의 형성영역을 보다 넓게 확보하여 캐리어 재결합율을 줄일 수 있으며, 그에 따라 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
태양전지는 실리콘 기판, 기판의 전면에 형성된 도핑층, 도핑층 상의 전극영역에 형성된 전면 전극층, 기판 후면의 전체면에 형성된 후면 전극층, 및 후면 전극층을 덮는 버스바 전극층을 포함한다. 후면 전극층은 기판 후면의 전체면에 알루미늄(Al) 페이스트를 도포 및 소성하여 형성할 수 있으며, 버스바 전극층은 여기에 주석(Sn) 또는 은(Ag)을 전해도금하여 면 형태로 얇게 형성할 수 있다.
이에 따라, 은(Ag) 사용량을 줄여 원가절감을 이루고, 후면 전극층의 면적에 상응하는 후면전계층의 형성영역을 보다 넓게 확보하여 캐리어 재결합율을 줄일 수 있으며, 그에 따라 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 은(Ag) 사용량을 줄여 원가절감을 이루고, 후면전계층의 형성영역을 보다 넓게 확보하여 캐리어 재결합율을 줄일 수 있는, 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양광을 직접 전기로 광전 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(diode)라 할 수 있다. 태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 실리콘 재질의 태양전지 기판 내부에 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생된다. 이때, 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다.
일반적인 태양전지의 구조를 살펴보면, 기판 전면의 상층부에 일정 깊이의 도핑층이 형성되고, 전극영역을 제외한 도핑층의 영역을 덮도록 반사방지막이 구비되며, 기판 전면의 전극영역과 기판 후면 상에 전면전극 및 후면전극이 각각 구비되는 구조를 갖는다.
이 중, 태양전지의 후면전극(20)은 도 1에 도시한 바와 같이, 실리콘 기판(10) 후면의 전체영역 중 버스바 영역을 제외한 영역에 형성되며, 버스바 영역에는 라인 형태의 버스바 전극(30)이 구비된다.
복수 개의 태양전지들을 접속시켜 배치하는 차후의 모듈 공정에서, 버스바 전극(30) 상에는 인접 배치되는 다른 태양전지와의 전기적 연결을 위한 도전성의 인터커넥터, 즉, 리본(ribbon)이 솔더링된다.
태양전지에서 p형의 결정질 실리콘 기판(10)을 이용하는 경우, 버스바 영역을 제외한 기판(10) 후면 상의 영역에 알루미늄(Al) 페이스트를 도포, 소성함으로써, 후면전극(20)과, 후면전극(20)에 접하는 기판(10) 내부의 p형 후면전계층(도시하지 않음)을 동시에 형성할 수 있다.
한편, 기판(10) 후면의 버스바 전극(30)은 은(Ag) 페이스트를 도포, 소성하여 형성할 수 있으나, 이러한 경우, 고가의 금속인 은(Ag)의 사용량이 늘어나 제조원가를 상승시키게 되는 문제점이 있다.
또한, 이와 같은 구조에서는, 버스바 전극(30)이 형성되는 기판(10) 후면의 버스바 영역에 캐리어의 수집률을 높이는 p형 후면전계층을 형성할 수 없기 때문에, 캐리어의 재결합 손실이 심해져 광전 변환 효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 기판 후면에 구비되는 후면전극 및 버스바 전극의 구조를 개선함으로써, 은(Ag) 사용량을 줄여 원가절감을 이루고, 후면전계층의 형성영역을 보다 넓게 확보하여 캐리어 재결합율을 줄이며, 그에 따라 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있는, 태양전지 및 그의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 태양전지는, 실리콘 기판; 상기 기판의 전면에 형성된 도핑층; 상기 도핑층 상의 전극영역에 형성된 전면 전극층; 상기 기판 후면의 전체면에 형성된 후면 전극층; 및 상기 후면 전극층 상에 형성되어 상기 후면 전극층을 덮는 버스바 전극층을 포함한다. 여기서, 상기 후면 전극층은 알루미늄(Al)을 포함하고, 상기 버스바 전극층은 주석(Sn) 또는 은(Ag)을 포함한다.
상기 태양전지에서, 상기 후면 전극층은 알루미늄(Al) 페이스트를 도포 및 소성하여 형성할 수 있다.
상기 태양전지에서, 상기 버스바 전극층은 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 등의 금속 또는 그 합금을 전해도금하여 형성할 수 있다.
상기 태양전지에서, 상기 버스바 전극층은 상기 후면 전극층의 표면을 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 등의 금속 또는 그 합금으로 도금하여 형성한 전도층과, 상기 전도층의 표면을 주석(Sn) 또는 은(Ag)으로 도금하여 형성한 외곽층을 포함하도록 구성할 수 있다.
상기 태양전지는 상기 후면 전극층과 접하는 상기 기판의 내부에 전체적으로 형성된 후면전계층을 더 포함할 수 있다.
혹은, 상기 태양전지는 상기 후면 전극층과 접하는 상기 기판의 내부에 국부적으로 형성된 후면전계층; 및 상기 기판 후면에 상기 후면전계층을 제외한 영역을 덮도록 패터닝된 후면 패시베이션층을 더 포함하여, 국부 후면전계 구조를 이룰 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은, 실리콘 기판의 전면에 도핑층을 형성하는 단계; 상기 기판 후면의 전체면에 알루미늄(Al) 페이스트를 도포하는 단계; 상기 도핑층 상의 전극영역에 은(Ag) 페이스트를 도포하는 단계; 상기 도포된 은(Ag) 페이스트 및 알루미늄(Al) 페이스트를 소성하여 전면 전극층과 후면 전극층을 형성하는 단계; 소성 공정에서 생성된 상기 기판 후면의 산화 알루미늄층을 제거하는 단계; 및 주석(Sn) 또는 은(Ag)을 이용해 상기 후면 전극층을 덮는 버스바 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 방법에서, 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 등의 금속 또는 그 합금을 전해도금하여 상기 후면 전극층 상에 상기 버스바 전극층을 형성할 수 있다.
상기 방법에서, 상기 후면 전극층의 표면을 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 등의 금속 또는 합금으로 도금하여 형성한 전도층과, 상기 전도층의 표면을 주석(Sn) 또는 은(Ag)으로 도금하여 형성한 외곽층을 포함하도록 상기 버스바 전극층을 구성할 수 있다.
본 발명의 태양전지 및 그의 제조방법에 따르면, 기판 후면에 구비되는 후면전극 및 버스바 전극의 구조를 개선함으로써, 은(Ag) 사용량을 줄여 원가절감을 이루고, 후면전계층의 형성영역을 보다 넓게 확보하여 캐리어 재결합율을 줄일 수 있으며, 그에 따라 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 태양전지 기판 후면의 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타낸 흐름도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타낸 흐름도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타낸 흐름도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타낸 흐름도.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 태양전지 및 그의 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지는 먼저 p형의 결정질 실리콘 기판(100)을 구비한다.
도시되어 있지는 않으나, 실리콘 기판(100)의 표면은 빛의 반사를 최소화하기 위해 요철 형태로 가공되어 있으며, 기판(100) 표면을 따라 일정 깊이로 n형의 도핑층(110)이 형성되어 있다.
기판(100)의 전면에 형성된 n형 도핑층(110) 상에는 표면 반사를 최소화하기 위한 반사방지막(120)이 구비된다. 보다 구체적으로, 반사방지막(120)은 n형 도핑층(110)의 상부면 중 전면 전극층(130)이 형성될 전극영역을 제외한 나머지 영역을 덮도록 형성된다.
반사방지막(120)이 형성되지 않는 n형 도핑층(110) 상의 전극영역에는 전면 전극층(130)이 구비되며, 전면 전극층(130)은 스크린 인쇄 공정으로 기판(100) 전면의 전극영역에 은(Ag) 페이스트를 도포한 후 이를 소성하여 형성할 수 있다.
여기서, 실리콘 기판(100)의 표면, 즉, n형 도핑층(110)과 그 상부의 전면 전극층(130)은 비교적 높은 접촉 저항을 가지는 바, 일 실시예는 이들 사이의 접촉 저항을 개선하기 위해, n형 도핑층(110)의 영역 중 전면 전극층(130)이 형성될 부위인 전극영역에 국부적으로 고농도의 불순물 이온을 주입하여 고농도로 도핑된 에미터(n++)를 형성하는 이른바, 선택적 에미터(selective emitter) 구조를 적용할 수 있다.
한편, 기판(100) 후면의 하부에는 후면 전극층(140)이 구비되며, 후면 전극층(140)과 접하는 실리콘 기판(100)의 내부에는 p형 후면전계층(150)이 구비된다. p형 후면전계층(150)은 기판(100) 후면에 전계를 유도하여 캐리어의 수집률을 높이고, 광전 변환 효율을 향상시키는 역할을 한다.
그리고, 후면 전극층(140)의 하부에는 후면 전극층(140)을 전체적으로 덮는 버스바 전극층(160)이 구비된다. 후속 모듈 공정에서, 태양전지들 간의 전기적 연결을 위하여, 리본(도시하지 않음)을 버스바 전극층(160) 상에 솔더링하여 사용하게 된다.
본 발명에 있어서, 후면 전극층(140)은 알루미늄(Al)을 포함하며, 알루미늄(Al) 분말, 유리 프릿(glass frit) 등의 혼합물인 알루미늄(Al) 페이스트를 사용하여 형성할 수 있다.
스크린 인쇄 공정으로 기판(100) 후면의 전체면에 걸쳐 알루미늄(Al) 페이스트를 도포한 후 이를 소성하면, 도포된 알루미늄(Al) 페이스트가 경화되면서 후면 전극층(140)의 형성이 완료된다.
이와 함께, 알루미늄(Al) 페이스트의 소성 공정을 거치면서, 기판(100)의 내부면에는 일정 깊이로 침투된 p형 후면전계층(150)이, 기판(100)의 외부면에는 산화 알루미늄층이 형성된다. 기판(100)의 외부에 형성되는 산화 알루미늄층은 버스바 전극층(160)의 형성 전에 제거된다.
후면 전극층(140) 상에 형성되는 버스바 전극층(160)은 주석(Sn) 또는 은(Ag)을 포함하여 기판(100) 후면의 전체면에 형성되며, 후면 전극층(140)이 형성된 상태에서 그 표면에 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 아연(Sn), 은(Ag) 등의 금속 또는 그 합금을 전해도금하여 면 형태로 얇게 형성할 수 있다.
구체적으로, 버스바 전극층(160)은 후면 전극층(140)의 표면을 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 팔라듐(Pd) 등의 금속 또는 합금으로 도금하여 형성한 전도층과, 솔더링 특성 개선을 위하여 전도층의 표면을 주석(Sn) 또는 은(Ag)으로 도금하여 형성한 외곽층을 포함하도록 구성할 수 있다.
통상, 금속 페이스트를 사용하면 10㎛ 이상의 두께로 전극이 형성되므로, 종래와 같이 은(Ag) 페이스트를 이용해 기판(100) 후면의 버스바 전극을 형성하는 경우, 두께로 인한 은(Ag)의 소모량이 상당하여 제조원가의 상승이 불가피하다.
반면, 도금 공정을 이용하면 전극의 두께를 상대적으로 아주 얇게 형성할 수 있고, 도금 시간 등을 통해 쉽게 도금 두께를 조절할 수 있으므로, 은(Ag)을 사용하지 않거나 그 사용량을 현저히 줄일 수 있어 원가절감에 매우 유리한 장점이 있다.
이러한 구조에서는, 버스바 영역을 제외할 필요없이 기판(100)의 전체면에 걸쳐 후면 전극층(140)을 형성할 수 있다.
한편, p형의 결정질 실리콘 기판(100)의 후면 상에 알루미늄(Al) 페이스트를 도포한 후 일정 온도 하에서 소성함에 따라, 알루미늄(Al)이 기판(100) 내부로 확산되어 확산된 두께만큼의 p형 후면전계층(150)이 형성된다.
그러므로, 본 발명에서와 같이, 버스바 영역 없이 후면 전극층(140)의 면적을 넓히면, 후면 전극층(140)의 면적에 상응하여 p형 후면전계층(150)의 형성영역이 늘어나고, 그에 따라 캐리어 재결합 손실이 감소될 수 있다.
또한, 기판(100)의 전체면에 면 형태의 버스바 전극층(160)이 형성되므로, 라인 형태의 버스바 전극과 달리 리본 솔더링이 가능한 면적이 매우 넓고, 리본의 솔더링 시 버스바 전극과 리본의 정렬을 맞출 필요가 없어 효율적이다.
또한, 버스바 전극층(160)에 주석(Sn), 납(Pb) 등을 사용하는 금속 리본과의 솔더링 특성이 우수한 주석(Sn) 또는 은(Ag) 성분을 채용함으로써, 접착력을 확보할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3에 도시한 바와 같이 먼저, 실리콘 기판(100)의 표면에 요철이 형성되도록 텍스쳐링(texturing) 공정을 진행한다(S110). 일 실시예에서, 실리콘 기판(100)은 p형의 결정질 실리콘 기판일 수 있다.
텍스쳐링 공정은 기판(100) 표면에서의 빛 반사를 줄이기 위한 것이며, 습식식각방법 또는 반응성이온식각(reactive ion etching) 등의 건식식각방법을 이용하여 진행할 수 있다.
이와 같은 상태에서, 확산(diffusion) 공정을 실시하여 실리콘 기판(100)의 전면에 n형 도핑층(110)을 형성한다(S120). 구체적으로, 챔버 내에 p형의 결정질 실리콘 기판(100)을 구비시키고, n형 불순물 이온을 포함하는 가스, 예를 들어, POCl3를 공급하여 인(P) 이온이 확산되도록 한다. 이를 통해, 기판(100) 전면의 상층부에 일정 깊이의 n형 도핑층(110)이 형성된다.
확산 공정에서, 기판(100) 표면에는 인(P) 이온과 기판(100)의 실리콘(Si) 등이 반응하여 PSG(phosphor-silicate glass)막이 형성되므로, 식각을 통해 이를 제거한다.
그런 다음, n형 도핑층(110)의 상부면 중 전면 전극층(130)를 형성할 전극영역을 제외한 나머지 영역을 덮는 반사방지막(120)을 형성한다(S130). 여기서, 반사방지막(120)은 실리콘 질화막(SiNx)일 수 있다.
이어, 스크린 인쇄 공정으로 기판(100) 후면의 전체면 상에 후면 전극층(140)의 형성을 위한 알루미늄(Al) 페이스트를 도포한다(S140).
그리고, 기판(100) 전면에 구성된 n형 도핑층(110) 상의 전극영역에 전면 전극층(130)의 형성을 위한 은(Ag) 페이스트를 도포한다(S150).
그런 다음, 기판(100)의 상, 하부면에 각각 도포된 은(Ag) 페이스트 및 알루미늄(Al) 페이스트를 동시 소성(Co-firing)하여 전면 전극층(130)과 후면 전극층(140)의 형성을 완료한다(S160). 이때, 기판(100) 하부의 내부면과 외부면에는, 알루미늄(Al) 페이스트의 소성으로 인하여 p형 후면전계층(150) 및 산화 알루미늄층이 함께 형성된다.
계속하여, 알루미늄(Al) 페이스트의 소성 공정을 거치면서, 기판(100)의 표면에 형성된 산화 알루미늄층을 제거하기 위한 전처리 공정을 진행한다(S170). 이때, 기판(100)의 후면에 형성된 산화 알루미늄층은 산 또는 알칼리용액으로 제거 할 수 있다.
이와 같이 소성 공정에서 생성된 산화 알루미늄층을 제거하고 난 다음, 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 등의 금속 또는 그 합금으로 표면 도금처리를 진행하여 기판(100) 후면의 전체면에 걸쳐 후면 전극층(140)을 덮는 면 형태의 버스바 전극층(160)을 형성한다(S180).
보다 구체적으로, 알루미늄(Al) 페이스트에 의해 형성된 후면 전극층(140)의 표면을 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 등의 금속 또는 합금으로 전해도금하여 전도층을 형성하고, 솔더링 특성 개선을 위하여 이러한 전도층의 표면을 주석(Sn) 또는 은(Ag)으로 도금하여 외곽층을 형성함으로써, 전도층 및 외곽층을 포함하는 버스바 전극층(160)을 구성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 2에 나타난 태양전지의 후면 구조와 비교하여, 도 4의 태양전지는 PERL(passivated emitter rear locally diffused)과 같은 국부 후면전계 구조를 가진다.
구체적으로, 도 2의 일 실시예는 후면 전극층(140)과 접하는 기판(100)의 내부에 전체적으로 형성된 p형 후면전계층(150)을 포함한다. 이와 비교하여, 도 4의 다른 실시예는 후면 전극층(240)과 접하는 기판(200)의 내부에 국부적으로 형성된 p형 후면전계층(250), 기판(200) 후면에 p형 후면전계층(250)을 제외한 영역을 덮도록 패터닝된 후면 패시베이션층(270)을 포함하여, 국부 후면전계 구조를 이룬다.
여기서, 후면 패시베이션층(270)은 산화 알루미늄(Al2O3)의 제1 패시베이션층(271)과 그 하부의 제2 패시베이션층(272)으로 구성되어 패시베이션 및 반사방지 효과를 극대화하는 역할을 한다. 제2 패시베이션층(272)은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)의 단일층이나 실리콘 질화막(SiNx)/실리콘 산화막(SiOx)의 다층으로 형성할 수 있다.
일 실시예와 마찬가지로, 기판(200) 후면에는 알루미늄(Al) 페이스트를 도포 및 소성하여 형성한 후면 전극층(240)이 전체적으로 구비되며, 후면 전극층(240)의 하부에는 전해도금을 통해 형성되는 면 형태의 얇은 버스바 전극층(260)이 구비된다.
한편, 전면 구조는 도 2의 일 실시예와 마찬가지로, p형의 결정질 실리콘 기판(200) 상의 n형 도핑층(210), 기판(200) 전면의 전극영역 상에 은(Ag) 페이스트를 도포 및 소성하여 형성한 전면 전극층(230)과, 전면 반사방지막(220)을 가진다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
텍스쳐링 공정(S210), n형 도핑층(210)의 형성(S220), 전면 반사방지막(220)의 형성 공정(S230)은 도 3의 S110, S120, S130과 동일하다.
이후, 기판(200) 후면의 전체면에 걸쳐 산화 알루미늄(Al2O3)과 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)을 순차적으로 증착한 후(S250), 이를 레이저로 패터닝하여 도 4와 같이 국부적으로 형성되는 후면 패시베이션층(270)을 구성한다(S260).
그런 다음, 기판(200)의 전면에 은(Ag) 페이스트를, 기판(200)의 후면에 알루미늄(Al) 페이스트를 각각 도포한 후(S270, S280), 동시 소성(co-firing)을 진행하여 전면 전극층(230)과 후면 전극층(260)을 완성한다(S290).
이때, 기판(200) 후면에는, 알루미늄(Al) 페이스트의 소성 공정을 거치면서 후면 패시베이션층(270)이 형성되지 않은 기판(200)의 내부면 영역에 일정 깊이로 침투된 p형 후면전계층(250)이 형성되어 국부적인 후면전계 구조를 이루게 된다.
동시에, 소성 공정을 통해 기판(200)의 외부면에는 산화 알루미늄층이 형성된다.
소성 공정의 부산물로 생성된 기판(200) 외부면의 산화 알루미늄층을 제거하기 위한 이후의 전처리 공정(S310), 및 버스바 전극층(260) 형성을 위한 전해도금 공정(S320)은 도 3의 S170, S180과 동일하게 이루어진다.
본 발명에 따른 태양전지 및 그의 제조방법의 구성은 전술한 실시예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.
100, 200: 실리콘 기판
110, 210: 도핑층
120, 220: 반사방지막
130, 230: 전면 전극층
140, 240: 후면 전극층
150, 250: 후면전계층
160, 260: 버스바 전극층
110, 210: 도핑층
120, 220: 반사방지막
130, 230: 전면 전극층
140, 240: 후면 전극층
150, 250: 후면전계층
160, 260: 버스바 전극층
Claims (9)
- 실리콘 기판;
상기 기판의 전면에 형성된 도핑층;
상기 도핑층 상의 전극영역에 형성된 전면 전극층;
상기 기판 후면의 전체면에 형성된 후면 전극층; 및
상기 후면 전극층 상에 형성되어 상기 후면 전극층을 덮는 버스바 전극층을 포함하며,
상기 후면 전극층은 알루미늄(Al)을 포함하고, 상기 버스바 전극층은 주석(Sn) 또는 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,
상기 후면 전극층은 알루미늄(Al) 페이스트를 도포 및 소성하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,
상기 버스바 전극층은 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속 또는 그 합금을 전해도금하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제3항에 있어서,
상기 버스바 전극층은, 상기 후면 전극층의 표면을 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속 또는 그 합금으로 도금하여 형성한 전도층과, 상기 전도층의 표면을 주석(Sn) 또는 은(Ag)으로 도금하여 형성한 외곽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,
상기 후면 전극층과 접하는 상기 기판의 내부에 전체적으로 형성된 후면전계층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,
상기 후면 전극층과 접하는 상기 기판의 내부에 국부적으로 형성된 후면전계층; 및
상기 기판 후면에 상기 후면전계층을 제외한 영역을 덮도록 패터닝된 후면 패시베이션층을 더 포함하여,
국부 후면전계 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 실리콘 기판의 전면에 도핑층을 형성하는 단계;
상기 기판 후면의 전체면에 알루미늄(Al) 페이스트를 도포하는 단계;
상기 도핑층 상의 전극영역에 은(Ag) 페이스트를 도포하는 단계;
상기 도포된 은(Ag) 페이스트 및 알루미늄(Al) 페이스트를 소성하여 전면 전극층과 후면 전극층을 형성하는 단계;
소성 공정에서 생성된 상기 기판 후면의 산화 알루미늄층을 제거하는 단계; 및
주석(Sn) 또는 은(Ag)을 이용해 상기 후면 전극층을 덮는 버스바 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
- 제7항에 있어서,
니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속 또는 그 합금을 전해도금하여 상기 후면 전극층 상에 상기 버스바 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
- 제7항에 있어서,
상기 후면 전극층의 표면을 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 주석(Sn), 은(Ag), 팔라듐(Pd)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속 또는 그 합금으로 도금하여 형성한 전도층과, 상기 전도층의 표면을 주석(Sn) 또는 은(Ag)으로 도금하여 형성한 외곽층을 포함하도록 상기 버스바 전극층을 구성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
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