TW201239971A - Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, manufacturing apparatus of display device and manufacturing method of display device - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 316
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 274
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 225
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 12
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 6
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 17
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum or copper Chemical compound 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000002801 charged material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/20—Cleaning of moving articles, e.g. of moving webs or of objects on a conveyor
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A46—BRUSHWARE
- A46B—BRUSHES
- A46B13/00—Brushes with driven brush bodies or carriers
- A46B13/001—Cylindrical or annular brush bodies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/12—Brushes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
- B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
201239971 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於洗淨液晶用的玻璃製之基板或半導體晶 圓等基板之基板洗淨裝置、基板洗淨方法,顯示裝置之製 造裝置及顯示裝置之製造方法。 【先前技術】 於液晶顯示裝置或半導體裝置之製造步驟,要求以高 的洗淨度洗淨液晶用玻璃製之基板或半導體晶圓等基板。 作爲洗淨基板之洗淨裝置,例如已知有記載於下列專 利文獻1者。記載於專利文獻1的洗淨裝置,具備:搬送 基板之搬送機構、對被搬送的基板供給洗淨液的噴嘴體, 以及接觸於被供給洗淨液的基板進行旋轉之洗淨刷。 [專利文獻1]日本特開2002-23 948 5號公報 物體間,摩擦2個物體的場合,有容易帶正電者與容 易帶負電者,如圖5所示,存在「摩擦帶電列」的關係存 在,玻璃或尼龍或金屬等容易帶正電。但是,摩擦原本容 易帶正電的2個物體,例如玻璃與尼龍的場合,更容易帶 正電的玻璃帶正電,而尼龍帶負電。 亦即,旋轉刷的刷毛爲尼龍材質的場合,此旋轉刷接 觸於玻璃製的基板而旋轉時’基板帶正電’而旋轉刷帶負 電。 藉由洗淨而由基板上除去的對象物之污染粒子,爲鋁 或銅等金屬或矽,金屬容易帶正電,而矽則容易帶負電。 -5- 201239971 因此,爲了除去玻璃製的基板上的污染粒子而使尼龍 製的旋轉刷接觸於基板而使其旋轉的話,會發生旋轉刷帶 負電,基板帶正電,而帶正電的污染粒子被靜電吸附於旋 轉刷的問題。 【發明內容】 本發明係有鑑於前述問題而完成之發明,目的在於提 供對洗淨基板的旋轉刷,可以防止污染粒子被靜電吸附之 基板洗淨裝置、基板洗淨方法,顯示裝置之製造裝置及顯 示裝置之製造方法。 相關於本發明的實施形態之第1特徵,係於基板洗淨 裝置,具備:搬送基板的搬送機構、以藉由與前述基板之 摩擦而帶負電的材料所形成,藉由接觸前述基板而旋轉除 去附著於前述基板的污染粒子的旋轉刷,以及將包含帶負 電的微小氣泡之洗淨液朝向前述旋轉刷供給之第1洗淨液 供給部。 相關於本發明的實施形態之第2特徵,係於基板洗淨 裝置,具備:搬送玻璃製的基板之搬送機構、以藉由與前 述基板之摩擦而帶負電的尼龍所形成,藉由接觸前述基板 而旋轉除去附著於前述基板的污染粒子的旋轉刷,以及將 包含帶負電的微小氣泡之洗淨液朝向前述旋轉刷供給之第 1洗淨液供給部。 相關於本發明的實施形態之第3特徵,係於基板洗淨 方法,具備:搬送基板的步驟、以藉由與前述基板之摩擦 -6- 201239971 而帶負電的材料所形成,朝向藉由接觸前述基板而旋轉除 去附著於前述基板的污染粒子的旋轉刷,供給包含帶負電 的微小氣泡之洗淨液的步驟。 相關於本發明的實施形態之第4特徵,係於基板洗淨 方法,具備:搬送玻璃製的基板的步驟、以藉由與前述基 板之摩擦而帶負電的尼龍所形成,朝向藉由接觸前述基板 而旋轉除去附著於前述基板的污染粒子的旋轉刷,供給包 含帶負電的微小氣泡之洗淨液的步驟。 相關於本發明的實施形態之第5特徵,係於具備洗淨 被搬送的顯示裝置用的基板之基板洗淨裝置的顯示裝置之 製造裝置,前述基板洗淨裝置,係相關於前述第1或第2 特徵之基板洗淨裝置。 相關於本發明的實施形態之第6特徵,係於具有洗淨 被搬送的顯示裝置用的基板之基板洗淨步驟的顯示裝置之 製造方法,前述基板洗淨步驟,具有以藉由與前述基板之 摩擦而帶負電的材料所形成,朝向藉由接觸前述基板而旋 轉以除去附著於前述基板的污染粒子的旋轉刷,供給包含 帶負電的微小氣泡之洗淨液的步驟。 相關於本發明的實施形態之第7特徵,係於具有洗淨 被搬送的顯示裝置用的玻璃製的基板之基板洗淨步驟的顯 示裝置之製造方法,前述基板洗淨步驟,具有以藉由與前 述基板之摩擦而帶負電的尼龍所形成,朝向藉由接觸前述 基板而旋轉以除去附著於前述基板的污染粒子的旋轉刷, 供給包含帶負電的微小氣泡之洗淨液的步驟。 201239971 根據前述第1至第7之任一特徵,在使用旋轉刷洗淨 基板的場合,可以防止污染粒子往旋轉刷之附著。 【實施方式】 (第1實施形態) 根據圖1至圖5說明本發明之第1實施形態。如圖1 及圖2所示,相關於第1實施形態之基板洗淨裝置1,具 備:搬送機構2、旋轉刷3、洗淨液槽4、微小氣泡產生部 5、第1洗淨液供給部6、第2洗淨液供給部7、控制基板 洗淨裝置1的全體之微電腦構成的控制部8。 搬送機構2,係把液晶顯示裝置或半導體裝置之製造 步驟使用的基板,例如玻璃製的基板9搬送於箭頭A方向 的機構,係由沿著箭頭A方向排列的複數搬送輥1 0,及 旋轉驅動這些搬送輥10的搬送馬達11所構成。搬送馬達 1 1被連接於控制部8,藉由控制部8被控制開關(ON/OFF) 〇 旋轉刷3,在沿著基板9的搬送方向上於特定位置設 置一對,以由表背雙面來夾住被搬送的基板9的方式被配 置爲平行。旋轉刷3,係由旋轉軸3a、及被植毛於旋轉軸 3a的外周部的刷毛3b所構成,刷毛3b是由尼龍所形成。 於旋轉軸3 a,被連接著使旋轉刷3繞著旋轉軸3 a的中心 線周圍旋轉驅動的旋轉馬達1 2。旋轉馬達1 2被連接於控 制部8,藉由控制部8被控制開_ (ΟΝ/OFF)。 於洗淨液槽4,貯留洗淨基板9時使用的純水或鹼性 -8- 201239971 水溶液所構成的洗淨液。 微小氣泡發生部5,係於洗淨液中產生微小氣泡的裝 置,設於連接吸起洗淨液槽4內的洗淨液的泵13與第1 洗淨液供給部6、第2洗淨液供給部7之配管15的途中。 泵1 3的上游側且係洗淨液槽4內的洗淨液到泵1 3爲止的 配管16的途中,被連接著供給氣體(空氣)的氣體供給管 17。於微小氣泡產生部5內,設有藉由加壓以泵13吸起 的洗淨液與經由氣體供給管17供給的氣體,而使氣體溶 解於洗淨液中的加壓溶解手段、以及藉由減壓溶解有氣體 的洗淨液而在洗淨液中產生微小氣泡的減壓手段。由微小 氣泡產生部5送出包含微小氣泡的洗淨液,包含被送出的 微小氣泡的洗淨液經由配管15內由第1洗淨液供給部6、 第2洗淨液供給部7被供給至旋轉刷3或基板9。又,藉 由微小氣泡產生部5內的減壓手段減壓而產生微小氣泡的 場合,此時引起的空泡化導致微小氣泡被摩擦帶有負電。 作爲微小氣泡產生部的其他形態,亦可以是藉由設在 泵1 3與第1洗淨液供給部6、第2洗淨液供給部7之間而 加壓洗淨液與氣體的加壓部,以及設在第1洗淨液供給部 6、第2洗淨液供給部7的出口側而減壓被加壓的洗淨液 之減壓部所構成。 此外,作爲微小氣泡的產生方式,不限於前述之加壓 溶解方式,例如,採用藉由微小氣泡產生部等預先產生包 含微小氣泡的洗淨液的旋轉方式之氣泡產生方式,通過配 管1 5內由第1洗淨液供給部6、第2洗淨液供給部7對旋 -9- 201239971 轉刷3或基板9供給該洗淨液亦可。或者是,在第1洗淨 液供給部6、第2洗淨液供給部7的內部等,於洗淨液的 渦流中捲入氣體產生微小氣泡,而將包含該微小氣泡的洗 淨液往旋轉刷3或基板9噴射的方式亦可採用。 微小氣泡產生部5被連接於控制部8,藉由控制部8 被控制開關(ΟΝ/OFF)。又,本發明之微小氣泡,是包含微 泡(micro-bubble, MB)或微奈米泡(micro-nano-bubble,MNB) 、奈米泡(nana-bubble,NB)等槪念之細微氣泡。例如,微 泡是具有ΙΟμιη〜數十μηι直徑的氣泡,微奈米泡爲具有數 百nm〜ΙΟμιη直徑之氣泡,奈米泡微具有數百nm以下的 直徑的氣泡,這些尺寸的氣泡帶有負電。 第1洗淨液供給部6,係把洗淨液槽4內的洗淨液被 供給至微小氣泡產生部5而產生的包含微小氣泡的洗淨液 朝向旋轉刷3供給之噴嘴,藉由泵1 3被驅動同時打開電 磁閥14a而供給洗淨液。泵13與電磁閥14a被連接於控 制部8,藉由控制部8被控制開關(ΟΝ/OFF)。 第2洗淨液供給部7,係把洗淨液槽4內的洗淨液被 供給至微小氣泡產生部5而產生的包含微小氣泡的洗淨液 朝向位在與旋轉刷3之接觸位置的基板9供給之噴嘴,於 沿著基板9的搬送方向之旋轉刷3的上游側與下游側對向 於基板9的表背兩側而設置的。藉由泵1 3被驅動同時打 開電磁閥1 4b,供應洗淨液。泵1 3與電磁閥1 4b被連接於 控制部8,藉由控制部8被控制開關(ΟΝ/OFF)。 圖3係說明於使玻璃製的基板9與尼龍製的旋轉刷3 -10- 201239971 接觸同時供給洗淨液洗淨基板9的場合,使由基板9除去 的污染粒子被靜電吸附於基板9或旋轉刷3而再附著的情 形,藉由帶負電的微小氣泡來防止的機制之模式圖。又, 作爲此處產生於洗淨液中的微小氣泡,以微奈米泡爲例來 進行說明,但奈米泡或微泡等也是相同的。 圖3之(a)係顯示於基板9之洗淨時,供給不含微小氣 泡的洗淨液,及基板9與旋轉刷3接觸之前的狀態。基板 9與旋轉刷3 —同帶有正電,由基板9除去而浮游於洗淨 液中的被帶有正電的污染粒子(例如,A1粒子),對於基板 9或旋轉刷3反彈。另一方面,由基板9除去而浮游於洗 淨液中的帶有負電的污染粒子(例如,Si粒子)被靜電吸附 於基板9或旋轉刷3。 圖3(b)顯示由圖3(a)所示的狀態起基板9與旋轉刷3 接觸而被摩擦的狀態。藉由基板9與旋轉刷3接觸而被摩 擦,根據圖5所示之「摩擦帶電列」,使基板9被維持於 帶正電的狀態,而旋轉刷3帶負電。藉此,由基板9除去 而浮游於洗淨液中的帶有正電的污染粒子(例如,A1粒子) 被靜電吸附於旋轉刷3,由基板9除去而浮游於洗淨液中 的帶有負電的污染粒子(例如,Si粒子)被靜電吸附於基板 9 〇 圖3之(c)係顯示於基板9之洗淨時,供給包含帶負電 的微小氣泡之微奈米泡的洗淨液,而基板9與旋轉刷3接 觸被摩擦的狀態。帶有負電的微小氣泡,附著於帶正電的 基板9的表面,或是由基板9除去而浮游於洗淨液中的被 -11 - 201239971 帶有正電的污染粒子(例如,A1粒子)的表面。藉此,防止 帶有負電的微小氣泡附著於表面的污染粒子(例如,A1粒 子)被靜電吸附而再附著於基板9或旋轉刷3。此外,防止 由基板9除去而浮游於洗淨液中的帶有負電的污染粒子( 例如,Si粒子)被靜電吸附而再附著於表面帶有負電的微 小氣泡附著的基板9或負極性的旋轉刷3。 亦即,使用旋轉刷3之基板9洗淨時,藉由供給包含 帶負電的微小氣泡之洗淨液,可以防止由基板9除去而浮 游於洗淨液中的污染粒子被靜電吸附而再附著於基板9或 旋轉刷3,可以提高基板9的洗淨度。 根據圖4之流程圖說明基板9的洗淨步驟。首先,判 斷洗淨作業是否開始(步驟S 1 ),開始按鈕被打開開始洗淨 作業的場合(步驟S 1之YES),搬送馬達1 1被驅動(步驟 S2),微小氣泡產生部5被驅動(步驟S3),由第1洗淨液 供給部6與第2洗淨液供給部7供給洗淨液(步驟S4)。 藉由搬送馬達11被驅動,搬送輥10被旋轉驅動而可 以進行基板9的搬送。此外,藉由微小氣泡產生部5被驅 動,開始在微小氣泡產生部5內之洗淨液中產生微小氣泡 。包含微小氣泡的洗淨液由第1洗淨液供給部6朝向旋轉 刷3供給,包含微小氣泡的洗淨液由第2洗淨液供給部7 朝向沿著基板9的搬送方向之旋轉刷3的上游側與下游側 供給。此外,這些洗淨液的供給,係在基板9被搬送到與 旋轉刷3之接觸位置之前就開始。 洗淨作業開始後,判斷基板9是否被搬送到與旋轉刷 -12- 201239971 3之接觸位置(步驟S 5),在基板9被搬送到與旋轉刷3之 接觸位置的場合,停止來自第1洗淨液供給部6的洗淨 '液 的供給同時繼續來自第2洗淨液供給部7的洗淨液的供給 (步驟S6) » 此處,基板9被搬送到與旋轉刷3之接觸位置之前開 始由洗淨液供給部6往旋轉刷3之洗淨液的供給,所以在 與基板9接觸而摩擦之前帶有正電的旋轉刷3,會有帶負 電的微小氣泡附著。因此,藉由旋轉刷3接觸於基板9而 使帶負電的污染粒子(例如,Si粒子)由基板9除去的場合 ’可以確實防止該污染粒子再附著於旋轉刷3。 此外,洗淨裝置之處理室或是內部構成零件多半是以 容易帶負電的氯化乙烯形成的。基板9被搬送到與旋轉刷 3之接觸位置之前開始由第1洗淨液供給部6往旋轉刷3 之洗淨液的供給而使旋轉刷帶有負電的話,可以防止由洗 淨裝置的處理室或內部構成零件所剝離的氯化乙烯等污染 粒子(帶有負電)被靜電吸附於旋轉刷3。 在本實施形態,基板9被搬送到與旋轉刷3之接觸位 置的場合,由第2洗淨液供給部7之洗淨液的供給會繼續 同時停止由第1洗淨液供給部6供給洗淨液。因此,可以 減少洗淨液的消耗量。如先前所述,旋轉刷3接觸於基板 9的場合帶有負電。亦即,即使停止由第1洗淨液供給部 6供給洗淨液,也防止帶有負電的污染粒子附著於旋轉刷 3。此外,預先設定由第2洗淨液供給部7供給的洗淨液 的流速、流量爲洗淨液沖至基板9後朝向旋轉刷3反彈$ -13- 201239971 程度的話,可得到相同於對旋轉刷3繼續供給洗淨液的狀 能。
/Ill'S 又,基板9被搬送到與旋轉刷3之接觸位置爲止的期 間,不由第2洗淨液供給部7供給洗淨液,僅由第1洗淨 液供給部6進行洗淨液供給,基板9搬送到與旋轉刷3之 接觸位置的話,停止由第1洗淨液供給部6供給洗淨液, 而開始由第2洗淨液供給部7供給洗淨液的方式亦可。 .此外,在根據旋轉刷3的洗淨結束之後使來自第2洗 淨液供給部7之洗淨液暫時停止,直到次一基板9到達旋 轉刷3爲止的期間內再度開始由第1洗淨液供給部6供給 包含帶負電的微小氣泡的洗淨液之供給,在未與基板9接 觸的期間,使帶正電的旋轉刷3繼續帶有負電的方式來控 制亦可。如先前所述,可以防止在此期間內,由洗淨裝置 的處理室或內部構成零件剝離的氯化乙烯等污染粒子(帶 有負電)被靜電吸附於旋轉刷3。 又,來自第1洗淨液供給部6之洗淨液的供給,亦可 在基板9被搬送到與旋轉刷3之接觸位置後繼續進行。藉 此,可以提高洗淨精度。此外,因應於旋轉刷3的旋轉速 度改變洗淨液的供給量,旋轉速度快的場合增多供給量, 旋轉速度慢的場合減少供給量亦可。藉此,可以謀求洗淨 液的供給量之最佳化。 在本實施形態,舉例說明第2洗淨液供給部7設於沿 著基板9的搬送方向之旋轉刷3的上游側與下游側的場合 ,但僅設於任一方亦可。藉此,可以減少洗淨液的消耗量 -14- 201239971 此外,在本實施形態,舉例說明把旋轉刷3、第1洗 淨液供給部6、第2洗淨液供給部7配置於被搬送的基板 9的上下兩側的場合,但因應於處理的必要性而僅設於其 中任一方亦可。 (第2實施形態) 根據圖6及圖7說明本發明之第2實施形態。又,針 對與在第1實施形態說明之構成要素相同的構成要素賦予 相同符號,省略重複的說明。 第2實施形態之基板洗淨裝置21,係作爲製造顯示裝 置之液晶顯示器的製造裝置的一部分而設置的,此顯示裝 置之製造裝置,具備:於基板9上製作液晶驅動用的TFT 電路及電極圖案之製造裝置(未圖示),在被形成TFT電路 及電極圖案等的基板9上形成配向膜之配向膜形成裝置( 未圖示),於被形成配向膜的基板9上形成包圍各胞單位 的顯不區域之框狀的密封之密封形成裝置(未圖示),於被 形成密封的基板9之各胞單位的顯示區域上使液晶材料滴 下的液晶供給裝置(未圖示),使被滴下液晶材料的基板9 與其他基板貼合的基板貼合裝置(未圖示),在貼合基板後 使密封硬化之密封硬化裝置(未圖示)等,以及,於各製造 裝置內及裝置間的基板移動步驟之必要的地點具備進行毛 刷洗淨之基板洗淨裝置2 1。 基板洗淨裝置21,具備搬送機構22,毛刷洗淨部23 -15- 201239971 、純水洗淨部24,與乾燥部25。被洗淨的基板9,如箭頭 B所示,依序被搬送通過毛刷洗淨部23、純水洗淨部24 、乾燥部2 5。 搬送機構22,具備搬送基板9的複數搬送輥26、與 被旋轉驅動這些搬送輥26的搬送馬達(未圖示)。 毛刷洗淨部23,具備旋轉刷3、第1洗淨液供給部27 、第2洗淨液供給部28a、28b、洗淨液槽4、微小氣泡產 生部5、泵1 3、與控制毛刷洗淨部23全體的控制部(未圖 示)等。 在此基板洗淨裝置21,藉由搬送機構22搬送的基板 9被搬往毛刷洗淨部23後,洗淨液,由第2洗淨液供.給部 2 8a往與旋轉刷3之接觸位置搬送的基板9供給。 又,於毛刷洗淨部23由第1洗淨液供給部27及第2 洗淨液供給部2 8a、28b供給的洗淨液,藉由微小氣泡產 生部5成爲包含微小氣泡的洗淨液,此包含微小氣泡的洗 淨液朝向旋轉刷3或基板9供給。 此洗淨液的供給,係在基板9之往毛刷洗淨部23搬 送的同時或在搬送之前進行的,帶正電的旋轉刷3上附著 帶負電的微小氣泡。 於毛刷洗淨部23,帶正電的污染粒子,以包圍該污染 粒子的方式吸引帶負電的微小氣泡,成爲在外觀上以帶負 電的物質表現於外的狀態。因此,防止往藉由帶負電的微 小氣泡的附著而成爲負的極性之旋轉刷3及基板9表面上 之再附著。 -16- 201239971 另一方面,防止帶負電的污染粒子,往負極性之旋轉 刷3或帶負電的微小氣泡附著的基板9表面上之再附著。 在本實施形態’係於以枚葉式(single wafer processing) 供給的基板9之洗淨方法,於供給洗淨液時,由第1洗淨 液供給部2 7及第2洗淨液供給部2 8 a、2 8 b同時供給洗淨 液的場合來進行說明,但旋轉刷3接觸於基板9的場合, 因爲旋轉刷3帶負電,防止帶負電的污染粒子附著於旋轉 刷3,所以停止由第1洗淨液供給部27供給洗淨液亦可。 藉此停止,可以減少洗淨液的消耗量。 在此場合,在根據旋轉刷3的洗淨結束之後使來自第 2洗淨液供給部28a、28b之洗淨液供給暫時停止,直到次 一基板9到達旋轉刷3爲止的期間內再度開始由第1洗淨 液供給部27供給包含帶負電的微小氣泡的洗淨液之供給 ’在未與基板9接觸的期間,使帶正電的旋轉刷3繼續帶 有負電的方式來控制亦可。藉由如此因應必要而切換對旋 轉刷3之洗淨液的供給與停止供給,可以減少洗淨液的消 耗量。 又,洗淨液的供給計時,可以與第一實施形態同樣, 在基板9之開始搬送的同時開始由所有的噴嘴供給,亦可 在基板9與毛刷3接觸的時間點,控制開始/停止。 此外,構成本實施形態的毛刷洗淨部2 3的第2洗淨 液供給部28a,具有切換洗淨液供給方向爲基板9方向與 旋轉刷3方向的機構,不使用第1洗淨液供給部2 7,而切 換來自第2洗淨液供給部28a的洗淨液供給方向也可以得 -17- 201239971 到同樣的效果。 又,在本實施形態,舉例說明旋轉刷3爲1根的場合 ,但爲了對應基板9的污染狀況及基板搬送速度的高速化 ,亦可設置複數根旋轉刷3» 在連接於毛刷洗淨部23的純水洗淨部24,對於被搬 送來的基板9,由設有純水淋浴、兆頻超音波(megasonic) 淋浴、二流體等之洗淨效果的供給部29供給純水,除去 無法以毛刷洗淨部23除去的污染粒子。此時,以毛刷洗 淨部23由基板9除去,藉由微小氣泡的效果防止再附著 的基板9上的污染粒子可容易的藉由從純水洗淨部24供 給的多量純水而容易洗掉。 於毛刷洗淨部23及純水洗淨部24被除去污染粒子的 基板9,被搬送至乾燥部25,藉著吹出藉由泵30加壓的 空氣等而除去基板9上的水分之氣刀31來除去/乾燥水分 。被除去水份乾燥的基板9,藉由搬送機構22被搬送至供 製造顯示裝置之次一步驟,例如,於基板9上形成電極圖 案的步驟。 又,在本實施形態,舉例說明對形成電極圖案之前的 基板9進行基板9的洗淨的場合,但對於形成電極圖案之 後的基板9也可得到同樣的洗淨效果。 圖7係顯示本發明的效果之一例之圖。 作爲顯示裝置之1例,於液晶顯示器的製造過程,在 驅動液晶顯示器的薄膜電晶體(以下,簡稱爲TFT)之生產 過程的基板洗淨步驟之中,於圖7之(a)及圖7之(b)顯示 -18- 201239971 實驗本發明之適用的基板洗淨效果的結果。 作爲玻璃製的基板使用68〇x88〇x〇.7t(mm),以20枚 爲1批次之洗淨實驗實施了 5批次,進行了本發明之適用 /非適用之洗淨效果的比較。 圖7之(a),係比較TFT步驟之最初的洗淨步驟,在 玻璃基板的收取洗淨步驟(形成電極圖案之前的洗淨步驟) ,使用在第2實施形態詳細說明的基板洗淨裝置,在往旋 轉刷3供給不含帶負電的微小氣泡的洗淨液的場合,與由 第1洗淨液供給部27與第2洗淨液供給部2 8a、2 8b常時 供給包含微小氣泡的洗淨液的場合(洗淨液供給部常時爲 打開),與在旋轉刷3與基板9接觸的場合停止來自第1 洗淨液供給部27之包含微小氣泡的洗淨液的供給僅由第2 洗淨液供給部28a、28b供給包含微小氣泡的洗淨液的場 合(洗淨液供給部ΟΝ/OFF控制)之洗淨後的基板9上所殘 留的污染粒子的個數的平均値之結果。 此外,圖7之(b)係使用收取洗淨後的玻璃基板上以真 空蒸鍍法蒸鍍、濺鍍成膜法等形成成爲閘極電極的金屬膜 ,以黃光製程進行電極的圖案化後之基板,以與前述同樣 的方式進行適用本實施形態之洗淨實驗的場合之殘留污染 粒子個數的平均値之比較結果。又,圖7之(b)的場合,洗 淨液使用純水。 於圖7之(a)於電極圖案形成前洗淨作爲由基板9除去 的污染粒子,應該有基板9操作時所附著的環境或人爲的 有機物及玻璃屑等,附著於旋轉刷3而摩擦基板9的污染 -19- 201239971 粒子或者除去後再附著的污染粒子,藉由帶負電的微小氣 泡之電荷效果等,減低往旋轉刷3之附著以及往基板9的 再附著的結果,確認了殘留於洗淨後的基板9的污染粒子 個數減少。 在圖7之(b),於電極圖案形成後洗淨作爲由基板9除 去的污染粒子,應該有電極金屬粉及光阻殘渣等,與電極 圖案形成前洗淨的實驗結果相比,有污染粒子的殘留個數 可以更爲減低的傾向,應該是具有明確極性的電極金屬粉 的再附著防止效果所致。 此外,可知即使是把洗淨液的供給方法變更爲在藉由 旋轉刷3洗淨基板9時關掉洗淨液供給部27之省能源方 式,也可以得到同等級之改善效果。 於電極圖案形成前及形成後之任一實施結果,都可謀 求藉由對旋轉刷3或基板9供給包含帶負電的微小氣泡的 洗淨液而減低殘留污染粒子,確認了本實施形態的有用性 〇 結果,於液晶顯示器的生產步驟,在前面詳細說明的 顯示裝置之製造裝置群之各製造裝置內及裝置間的基板移 動步驟之必要處所進行毛刷洗淨的基板洗淨步驟後的殘留 污染粒子導致之電極配線的斷線發生、電極間漏電、伴隨 著絕緣膜的絕緣不良等之TFT性能不良以及在基板貼合步 驟產生的異物夾入導致的顯示不良等的發生處所數目可以 大幅減低,所以生產性的提高,及作爲不良對策之修理作 業時間也可以縮短,可以謀求生產效率的改善。 -20- 201239971 又,本實施形態詳細說明液晶顯示器的製造步驟,但 對於電漿顯示器及有機EL顯示器等的基板洗淨步驟,矽 晶圓或薄膜太陽電池等的製造步驟也是有效的》 〔其他實施形態〕 在第1實施形態舉例說明設置旋轉刷3專用的洗淨液 供給部之第1洗淨液供給部6與基板9專用的洗淨液供給 部之第2洗淨液供給部7的場合,以及在第2實施形態舉 例說明設置旋轉刷3專用的洗淨液供給部之第1洗淨液供 給部27與基板9專用的洗淨液供給部之第2洗淨液供給 部28a、28b的場合,但是設置單一之洗淨液供給部,把 此洗淨液供給部的洗淨液供給方向設爲可以切換亦可。藉 由洗淨液供給方向的切換,可以構成爲具有往旋轉刷3之 洗淨液供給與往基板9之洗淨液供給等2個態樣,在基板 9被搬送到與旋轉刷3接觸的位置爲止對旋轉刷3供給洗 淨液,在基板9被搬送到與旋轉刷3接觸的位置的場合, 朝向位在與旋轉刷3接觸的位置之基板9供給洗淨液。 此處,關於洗淨液的消耗量,例如由3系統之洗淨液 供給部(第1實施形態之6、7 ;第2實施形態之27、28a 、28b)之各個,供給10L/分鐘的洗淨液的條件下,藉由在 旋轉刷3與基板9接觸時停止對旋轉刷3供給的洗淨液之 手法,約有10L/分鐘的洗淨液可以省下,在設置單一洗淨 液供給部而切換洗淨液的供給方向的場合,可以省下20L/ 分鐘的洗淨液供給。 -21 - 201239971 此外,關於洗淨液的供給量,例如,亦可使3系統的 洗淨液供給部(第1實施形態之6、7 :第2實施形態之27 、2 8a、2 8b)之各個的液供給量,亦即來自3個噴嘴的液 供給量分別爲不同》 雖然說明了本發明之幾個實施形態,但這些實施形態 ,僅係作爲例子而提示的,並未意圖限定發明的範圍。這 些新穎的實施形態,可以在其他種種形態被實施,在不逸 脫於本發明要旨的範圍,可以進行種種的省略、置換、變 更。這些實施形態或其變形,包含於本發明的範圍或要旨 ,同時也包含與記載於申請專利範圍的發明均等的範圍。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示相關於本發明的第1實施形態之基板洗淨 裝置的槪略構成之側面圖。 圖2係顯示基板洗淨裝置的控制系統的構成之方塊圖 〇 圖3係說明於基板洗淨時,防止帶負電的微小氣泡導 致污染粒子往基板與旋轉刷之附著的機制之模式圖。 圖4係供說明基板洗淨的動作步驟之流程圖。 圖5係顯示物體間的摩擦帶電列的關係之圖。 圖6係顯示相關於本發明的第2實施形態之基板洗淨 裝置的槪略構成之側面圖。 圖7係顯示本發明的效果之一例之圖。 -22- 201239971 【主要元件符號說明】 1 :基板洗淨裝置 2 :搬送機構 3 :旋轉刷 3 a :旋轉軸 3 b :刷毛 4 :洗淨液槽 5 :微小氣泡產生部 6 :第1洗淨液供給部 7 :第2洗淨液供給部 8 :控制部 9 :基板 1 0 :搬送輥 1 1 :搬送馬達 1 2 :旋轉馬達 13 :泵 1 4 a,1 4 b :電磁閥 1 5 :配管 1 6 :配管 1 7 :氣體供給管 -23-
Claims (1)
- 201239971 七、申請專利範圍: 1. —種基板洗淨裝置,其特徵爲具備: 搬送基板的搬送機構、 以藉由與前述基板之摩擦而帶負電的材料所形成,藉 由接觸前述基板而旋轉除去附著於前述基板的污染粒子的 旋轉刷,以及 將包含帶負電的微小氣泡之洗淨液朝向前述旋轉刷供 給之第1洗淨液供給部。 2. —種基板洗淨裝置,其特徵爲具備: 搬送玻璃製的基板之搬送機構、 以藉由與前述基板之摩擦而帶負電的尼龍所形成,藉 由接觸前述基板而旋轉除去附著於前述S板的污染粒子的 旋轉刷,以及 將包含帶負電的微小氣泡之洗淨液朝向前述旋轉刷供 給之第1洗淨液供給部。 3. 如申請專利範圍第1或2項之基板洗淨裝置,其中 前述第1洗淨液供給部,在前述基板被搬送到與前述 旋轉刷之接觸位置之前就對前述旋轉刷供給前述洗淨液。 4. 如申請專利範圍第1或2項之基板洗淨裝置,其中 除了前述第1洗淨液供給部外,還具備朝向位在與前 述旋轉刷之接觸位置的前述基板供給前述洗淨液的第2洗 淨液供給部; 在前述基板被搬送到與前述旋轉刷之接觸位置的場合 ,前述第1洗淨液供給部停止前述洗淨液的供給,前述第 -24- 201239971 2洗淨液供給部供給前述洗淨液。 5.如申請專利範圍第1或2項之基板洗淨裝置,其中 前述第1洗淨液供給部將洗淨液供給方向設爲可以切 換,在前述基板被搬送到與前述旋轉刷之接觸位置爲止, 對前述旋轉刷供給前述洗淨液,前述基板被搬送到與前述 旋轉刷之接觸位置的場合,切換洗淨液供給方向朝向位在 與前述旋轉刷之接觸位置的前述基板供給前述洗淨液。 6·—種基板洗淨方法,其特徵爲具備: 搬送基板的步驟、 以藉由與前述基板之摩擦而帶負電的材料所形成,朝 向藉由接觸前述基板而旋轉以除去附著於前述基板的污染 粒子的旋轉刷,供給包含帶負電的微小氣泡之洗淨液的步 驟。 7.—種基板洗淨方法,其特徵爲具備: 搬送玻璃製的基板之步驟、 以藉由與前述基板之摩擦而帶負電的尼龍所形成,朝 向藉由接觸前述基板而旋轉以除去附著於前述基板的污染 粒子的旋轉刷,供給包含帶負電的微小氣泡之洗淨液的步 8 _如申請專利範圍第6或7項之基板洗淨方法,其中 對前述旋轉刷之前述洗淨液的供給,是從前述基板被 搬送到與前述旋轉刷之接觸位置之前進行的。 9.如申請專利範圍第6或7項之基板洗淨方法,其中 具備朝向位在與前述旋轉刷之接觸位置的前述基板供 -25- 201239971 給前述洗淨液的步驟,在前述基板被搬送到與前述旋轉刷 之接觸位置的場合停止朝向前述旋轉刷之前述洗淨液的供 給’同時進行朝向前述基板之前述洗淨液的供給。 10. 如申請專利範圍第6或7項之基板洗淨方法,其 中 切換前述洗淨液的供給方向,在前述基板被搬送·到與 前述旋轉刷之接觸位置爲止,對前述旋轉刷供給前述洗淨 液,前述基板被搬送到與前述旋轉刷之接觸位置的場合, 朝向位在與前述旋轉刷之接觸位置的前述基板供給前述洗 淨液。 11. —種顯示裝置之製造裝置,其特徵爲具備洗淨被 搬送的顯示裝置用的基板之基板洗淨裝置, 前述基板洗淨裝置,爲申請專利範圍第1或2項所記 載之基板洗淨裝置。 12. —種顯示裝置之製造方法,係具有洗淨被搬送的 顯示裝置用的基板之基板洗淨步驟,其特徵爲: 前述基板洗淨步驟,具有以藉由與前述基板之摩擦而 帶負電的材料所形成,朝向藉由接觸前述基板而旋轉以除 去附著於前述基板的污染粒子的旋轉刷,供給包含帶負電 的微小氣泡之洗淨液的步驟。 13. —種顯示裝置之製造方法,係具有洗淨被搬送的 顯示裝置用的玻璃製的基板之基板洗淨步驟,其特徵爲: 前述基板洗淨步驟,具有以藉由與前述基板之摩擦而 帶負電的尼龍所形成,朝向藉由接觸前述基板而旋轉以除 -26- 201239971 去附著於前述基板的污染粒子的旋轉刷,供給包含帶負電 的微小氣泡之洗淨液的步驟。 14. 如申請專利範圍第12或13項之顯示裝置之製造 方法,其中 對前述旋轉刷之前述洗淨液的供給,是從前述基板被 搬送到與前述旋轉刷之接觸位置之前進行的。 15. 如申請專利範圍第12或13項之顯示裝置之製造 方法,其中 具備朝向位在與前述旋轉刷之接觸位置的前述基板供 給前述洗淨液的步驟,在前述基板被搬送到與前述旋轉刷 之接觸位置的場合停止朝向前述旋轉刷之前述洗淨液的供 給,同時進行朝向前述基板之前述洗淨液的供給。 16. 如申請專利範圍第12或13項之顯示裝置之製造 方法,其中 藉由切換由朝向位在與前述旋轉刷之接觸位置的前述 基板供給前述洗淨液的第2洗淨液供給部的洗淨液供給方 向,在前述基板被搬送到與前述旋轉刷之接觸位置爲止, 對前述旋轉刷供給前述洗淨液,在前述基板-被搬送到與前 述旋轉刷之接觸位置的場合,切換洗淨液供給方向朝向位 在與前述旋轉刷之接觸位置的前述基板由前述第2洗淨液 供給部供給前述洗淨液。 17. 如申請專利範圍第12或13項之顯·示裝置之製造 方法,其中 前述基板洗淨步驟,是在對形成電極圖案之前的前述 -27- 201239971 基板的場合,以及在對形成電極圖案之後的前述基板的場 合進行的。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011034582A JP2012170872A (ja) | 2011-02-21 | 2011-02-21 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201239971A true TW201239971A (en) | 2012-10-01 |
Family
ID=46659368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101104711A TW201239971A (en) | 2011-02-21 | 2012-02-14 | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, manufacturing apparatus of display device and manufacturing method of display device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012170872A (zh) |
KR (1) | KR20120095787A (zh) |
CN (1) | CN102646616A (zh) |
TW (1) | TW201239971A (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI595583B (zh) * | 2015-08-26 | 2017-08-11 | 思可林集團股份有限公司 | 基板處理裝置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101455242B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2014-11-03 | 주식회사 신생테크 | 미세기포를 이용한 세척 방법 및 시스템 |
CN103157629B (zh) * | 2013-03-21 | 2015-03-18 | 贵州开磷(集团)有限责任公司 | 一种磷石膏输送管状皮带清洗方法 |
US9704729B2 (en) * | 2013-06-13 | 2017-07-11 | K.C. Tech Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method and brush assembly used therein |
JP2015112506A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 日東精工株式会社 | 洗浄装置 |
CN103913072B (zh) * | 2014-04-09 | 2016-01-20 | 宝钢工程技术集团有限公司 | 一种自清洁观察窗装置 |
CN114798653A (zh) * | 2014-11-24 | 2022-07-29 | 康宁股份有限公司 | 用于基材表面清洁的方法和设备 |
CN105116574B (zh) * | 2015-09-25 | 2018-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板传送装置及基板清洗设备 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000243735A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Toshiba Corp | 基板及びブラシ洗浄装置及び洗浄方法 |
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- 2011-02-21 JP JP2011034582A patent/JP2012170872A/ja not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-02-14 TW TW101104711A patent/TW201239971A/zh unknown
- 2012-02-14 KR KR1020120014691A patent/KR20120095787A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-02-21 CN CN2012100411936A patent/CN102646616A/zh active Pending
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---|---|---|---|---|
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US10283380B2 (en) | 2015-08-26 | 2019-05-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102646616A (zh) | 2012-08-22 |
JP2012170872A (ja) | 2012-09-10 |
KR20120095787A (ko) | 2012-08-29 |
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