201233275 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關例於於電路基板上等形成之抗焊光阻之 形成方法。 【先前技術】 一般於電子機器等中使用之印刷配線板中，於將電子 零件安裝於印刷配線板上時，爲防止焊料附著於不必要之 部分同時爲防止電路導體露出並因氧化或濕度而腐蝕，係 在電路基板上之除通孔以外之區域形成有抗焊光阻。 作爲以往之抗焊光阻，係選擇感光性樹脂組成物，透 過光罩使通孔形成部分以外予以曝光並進行交聯反應後， 以鹼性水溶液等將未曝光部分顯像剝離，而進行通孔/圖 型化。此時，經曝光部分係發揮作爲永久保護膜（抗焊光 阻）之角色。然而伴隨著印刷配線板之薄化/微細配線化/ 通孔之小直徑化，而會發生以感光性樹脂組成物無法充分 對應圖型化之問題。因此，作爲通孔之形成方法之一，揭 示有於配線圖型上形成作爲抗焊光阻之硬化性樹脂層並硬 化後’藉由例如二氧化碳氣體雷射等之雷射光照射予以開 口而形成之方法。 以該工法，以雷射照射使通孔開口後之孔底上會殘留 硬化性樹脂塗膜之殘渣之膠渣。該膠渣若就此殘留而進行 至表面整飾步驟之鍍敷步驟時會產生鍍敷未附著而引起焊 接連接不良’故而有必要進行用以去除膠渣之去膠渣步驟 -5- 201233275 。然而，由於藉由雷射光照射，於通孔附近會遭受雷射損 傷，故會有於去膠渣處理時使抗焊光阻表層部被蝕刻’或 有使通孔開口徑變大之問題。 於表層部之蝕刻（粗化），若於內層，由於可提高與 上層之密著性，雖爲梢佳，但對於外層中作爲永久保護膜 之抗焊光組織損傷則會導致可靠性降低。因此，爲抑制照 射損傷，提出有於硬化性樹脂層上設有保護薄膜，並自其 上照射雷射光（例如參考專利文獻1等）。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]特開20 1.0-62478號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 藉由設有此種保護薄膜雖可抑制雷射光之照射損傷， 但於之後之去膠渣處理時’藉由使用ΚΜη〇4等藥液，會有 藥液浸透至保護薄膜與硬化塗膜之介面，而遭受損傷之問 題。 本發明係鑒於該等情況而完成者，其目的係提供一種 可抑制雷射光之照射或去膠渣處理之損傷、提高可靠性之 抗焊光阻之形成方法。 [用以解決課題之手段] 本發明之一樣態之抗焊光阻之形成方法，其特徵在於 -6 - 201233275 :於電路基板上形成表面黏著有保護薄膜的半硬化狀態之 硬化性樹脂層，自保護薄膜上照射雷射光，以於半硬化狀 態之硬化性樹脂層形成通孔，將通孔內的膠渣（smear ) 藉由使用電漿的去膠渣（desmear )處理而去除，剝離保 護薄膜，使半硬化狀態之硬化性樹脂層硬化。 藉由該種構成，可抑制雷射光之照射或去膠渣處理之 損傷、提高可靠性。再者，由於以半硬化狀態進行雷射照 射，故可藉低能量使所需直徑之通孔開口，同時可不需要 爲了在硬化前除去保護薄膜而進行保護薄膜之脫模處理。 本發明之一樣態之抗焊光阻之形成方法中，較佳爲半 硬化狀態之硬化性樹脂層係藉由在電路基板上層合硬化性 樹脂的乾膜，或藉由在前述電路基板上將硬化性樹脂組成 物塗佈乾燥，形成硬化性樹脂層而形成。藉由此種構成， 可簡易地形成硬化性樹脂層。 於如此抗焊光阻之形成方法中，作爲電漿較好使用氧 電漿。藉由此種構成，可以更短時間進行膠渣之去除。 本發明之一樣態之抗焊光阻之形成方法，其特徵在於 :使形成於電路基板上且表面黏著有保護薄膜的硬化性樹 脂層硬化，且自前述保護薄膜上照射雷射光，以於前述硬 化性樹脂層形成通孔，將前述通孔內的膠渣藉由使用氧電 漿的去膠渣處理而去除，剝離前述保護薄膜。 藉由此種構成，可以更短時間進行膠渣之去除，同時 可抑制雷射光之照射或去膠渣處理之損傷並提高可靠性。 本發明之抗焊光阻之形成方法中，較好於去膠渣處理 201233275 後，進行超音波洗淨。藉由此種構成’可抑制殘渣的無機 成分之殘留。 [發明效果] 藉由本發明之一樣態之抗焊光阻之形成方法，可抑制 雷射光之照射或去膠渣處理之損傷並提高可靠性。 【實施方式】 本發明之發明人等針對上述課題進行積極檢討之結果 ，發現在抗焊光阻之形成方法中，藉由於電路基板上形成 表面黏著有保護薄膜的半硬化狀態之硬化性樹脂層，且自 保護薄膜上照射雷射光，以於半硬化狀態之硬化性樹脂層 形成通孔，將通孔內的膠渣藉由使用電漿的去膠渣處理而 去除，剝離保護薄膜，使半硬化狀態之硬化性樹脂層硬化 ，可抑制雷射光之照射或去膠渣處理之損傷並提高可靠性 ，因而完成本發明。 依據上述方法，由於對形成於基板上之半硬化狀態之 硬化性樹脂層照射雷射光，故能夠比硬化狀態之樹脂層更 降低照射能量，且該雷射光由於係透過保護薄膜照射於樹 脂層，故可抑制通孔附近之照射損傷。再者，藉由將去膠 渣處理設爲電漿處理，可在不會產生藥液處理時浸透至保 護薄膜與硬化性樹脂層之介面所致之損傷之下，來進行去 膠渣處理。 因此’利用由本實施形態所形成之抗焊光阻，可提高 -8- 201233275 .· 作爲印刷配線板等使用時之可靠性。 以下，基於本發明實施形態參考圖式加以詳細說明。 (實施形態1 ) 圖1爲表示本實施形態之抗焊光阻之形成步驟圖。 如圖1 (a)所示，針對於基材11a上形成有電路圖型 等之導電層lib之電路基板11進行脫脂、軟蝕刻等之前處 理。接著，使用真空層合機等層合硬化性樹脂之乾膜12a 。乾膜係形成於載膜上，且依據需要層合上覆膜（COver film )者，以於表面上黏著有任何薄膜的保護薄膜13之狀 態，使露出面側黏著於電路基板上。 此處關於層合條件並無特別限制，但例如可在溫度 60~ 140°C、真空度20mmHg以下，壓力1〜15kgf/cm2進行。 更好進行使層合後之硬化性樹脂層藉壓製而平滑化之步驟 。平滑化步驟可於常壓下進行，加熱、加壓條件可使用與 上述層合步驟相同條件。至於該等步驟中所用之真空層合 機，可列舉有例如C VP-3 00 ( NICHIGO MORTON公司製） 或MVLP-5〇〇 (名機製作所公司製）等。 又，亦可於電路基板上塗佈乾燥硬化性樹脂組成物， 形成硬化性樹脂層l2a後，層合保護薄膜13，來代替於電 路基板上層合乾膜。 此處，作爲電路基板，並無特別限定，但可使用利用 預浸片等之絕緣性芯材，設有銅等導電層之單面或雙面印 刷基板、增層（build-up )基板等多層印刷配線板、或軟 201233275 性印刷基板等之公知電路基板。 硬化性樹脂層之形成中所使用之硬化性樹脂組成物， 可使用熱硬化性樹脂組成物、光硬化性樹脂組成物及感光 性樹脂組成物。例如，可較好地使用含有環氧樹脂、無機 塡充劑及硬化劑之熱硬化性樹脂組成物。 作爲環氧樹脂，可使用例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F 型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧 樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚性酚醛清漆型環氧樹脂、甲 酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A之酚醛清漆型環氧樹脂、 聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、二環 戊二烯型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂、脂環式環氧 樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、含磷環氧樹脂、蒽型環氧樹 脂、降冰片烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、莽型環氧 樹脂等。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。 作爲無機塡充劑，可使用例如硫酸鋇、硫酸鉀、二氧 化矽、黏土、滑石、氫氧化鋁等。該等由於在後述之二氧 化碳氣體波長帶的波數90 0~ 1300 cnT1之範圍內具有吸收峰 而於雷射加工時昇華或分解，故可抑制雷射加工後之殘渣 。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。 作爲硬化劑，可使用例如咪唑類、咪唑之嗪化合物、 咪唑之異三聚氰酸鹽、咪唑羥基甲基體、二氰化二醯胺及 其衍生物、三聚氰胺及其衍生物、二胺基順丁烯二腈及其 衍生物、二伸乙三胺、三伸乙四胺、四伸乙五胺、雙（六 亞甲基）三胺、三乙醇胺、二胺基二苯基甲烷、有機酸二 -10- 201233275 醯肼等胺類、1，8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳烯-7、3,9_雙（ 3-胺基丙基）-2,4,8，10-四氧雜螺[5,5]十一碳烷、三苯基膦 、三環己基膦、三丁基膦、甲基二苯基膦等之有機膦化合 物等。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。 此外，爲提高硬化樹脂之造膜性、提高硬化塗膜之機 械強度，可單獨或組合兩種以上添加苯氧樹脂、聚乙烯縮 醛樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等，爲調整濃度、提高 塗佈性，亦可含有溶劑等。 保護薄膜1 3係爲了抑制通孔周邊之雷射照射損傷使其 不會到達硬化性樹脂層所設。具體而言，可較好地使用聚 對苯二甲酸乙二酯（PET)，此外，可使用聚萘二甲酸乙 二酯等之聚酯、聚丙烯（PP )、聚乙烯（PE)、聚碳酸酯 、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )、環狀聚烯烴、三乙醯基 纖維素、聚醚硫化物、聚醚酮、聚醯亞胺等。 保護薄膜13較好其厚度爲8-60μιη。雖然越薄越能提高 後述雷射加工性，但厚度若未達8 μιη，則難以抑制通孔周 邊之雷射照射損傷。另一方面，超過60μιη時，雷射光之透 射率降低，使開口徑變小。更好爲10-50μιη，再更好爲IS-SS μιη 0 如此’藉由將乾膜層合於電路基板上，或於電路基板 上塗佈硬化性樹脂組成物並使其揮發乾燥，於電路基板上 會形成半硬化狀態之硬化性樹脂層。 所謂半硬化狀態意指未完全硬化之狀態，較好爲硬化 率爲20-8 0%左右。硬化率若未達20%，則容易於室溫引起 -11 - 201233275 熔著使作業性惡化。另一方面若超過8 0%，則雷射加工性 降低、損及層合時對電路之埋入性、平坦性。較好硬化率 爲3 0-75%，更好硬化率爲40-70%。 此處，硬化率係以硬化性樹脂組成物之溶液（乾膜製 作前，塗佈於電路基板上之前的溶液狀態）之凝膠化時間 設爲（GT1)、以及乾膜及於電路基板上塗佈、乾燥後狀 態之凝膠化時間設爲（GT2 )時，由下述式算出： (GT 1 -GT2)/GT 1 X 1 00 凝膠化時間（硬化時間）係依據ns C 652 1「多層印 刷配線板用預浸片試驗方法」之項目5.7「硬化時間試驗 」，分別針對硬化性樹脂組成物之溶液、乾膜，於電路基 板上塗佈、乾燥後之狀態，取樣約〇.3g (溶液約0.3ml)， 於1 7 (TC之熱盤上測定之値。 接著，如圖1 ( b )所示，在所得半硬化狀態之硬化性 樹脂層12a之特定位置上，透過保護薄膜13，照射二氧化 碳氣體雷射等之雷射光，形成例如上端直徑Φ 40-200μπι之 通孔14。又，作爲雷射光，除了二氧化碳氣體雷射以外， 可使用UV-YAG雷射（第三高次諧波=3 55nm，第四高次諧 波=2 6 6nm)、準分子雷射等。就通孔之加工處理速度、成 本面而言，較好爲二氧化碳氣體雷射。 接著，如圖1(c)所示，進行爲了去除殘留於通孔14 底部之硬化性樹脂殘渣之膠渣1 5的去膠渣處理。此時，並 非使用ΚΜη04等之藥液處理，而係使用電漿處理。 於如此去膠渣處理中，可使用例如真空電漿裝置或常 -12- 201233275 壓電漿裝置等。而且，作爲電漿，可使用利用氧電漿等之 反應性氣體之電漿、使用氬電漿、氦電漿等之惰性氣體之 電漿、該等之混合氣體之電漿等之公知電漿。 其中，最好使用氧電漿。通常，於抗焊光阻中形成通 孔之際，由於於內層通孔之形成時使用之反應性高之氧電 漿會使表面粗糙化故而無法使用。然而，由於設有保護薄 膜，故而不會產生表面粗化，可更有效地去除通孔內之膠 渣。 又，於如此去膠渣處理中之氧電漿處理，於黏著有保 護薄膜之硬化性樹脂硬化後，進行雷射照射時亦有效。此 時，較好預先對保護薄膜施以脫模處理。 如此進行藉由電漿之去膠渣處理後，較好進而進行超 音波洗淨。藉由電漿處理，雖可去除有機成分，但對於塡 充劑等之無機成分，無法獲得充分反應性，故有殘存之虞 ，但藉由進行超音波洗淨，可去除無機成分》 如此進行去膠渣處理、依據需要之超音波洗淨後，剝 離保護薄膜13，如圖1 ( d )所示，藉由例如於130〜18 0°C 加熱1 5〜90分鐘，使半硬化狀態之硬化性樹脂硬化，形成 抗焊光阻1 2 b。 至於硬化方法，可使用利用熱風循環式乾燥爐、IR爐 、加熱板、對流式烘箱等、具備利用蒸氣之空氣加熱方式 之熱源者，使乾燥機內之熱風逆向對流接觸之方法以及利 用噴嘴對支撐體吹附之方法。 如此，形成於電路基板上具有通孔之抗焊光阻。 -13- 201233275 [實施例] 以下顯示實施例及比較例加以具體說明，但本發明不 限定於該等實施例者。且以下中引用「份」及「％」，若 未特別限定，則均爲質量基準。 (硬化性樹脂組成物之調製） 以成爲表1所示之組成、調配比予以調配，以攪拌機 預先混合後，使用3輥硏磨機予以混練，調製處方之熱硬 化性樹脂組成物作爲硬化性樹脂組成物。 [表1] 處方1 處方2 82811 15 15 HP-4032+2 40 40 N-665 H6013 75 75 YX-8100 Η3014 33 33 HF-1M Η60+5 47 47 SO-C2 16 100 80 Β-30 17 20 1Β2ΡΖ18 1 1 卡必醇乙酸酯19 30 30 Σ (清漆） 341 341 Σ (固體） 239 239 塡充劑量（wt%) 41.8 41.8 -14 - 1 1 :環氧當量184-194雙酚A型液狀環氧樹脂（三菱化 學公司製） *2:環氧當量135-165之萘酚型環氧樹脂（DIC公司製 201233275 *3:環氧當量200-230甲酚酚醛清漆型環氧樹脂（DIC 公司製）之固體成分6〇D/❶之環己酮溶液 *4·•苯氧基樹脂（三菱化學公司製）之固體成分30% 之環己酮溶液 *5:環氧當量1〇5之酚型酚醛清漆型環氧樹脂（環氧 基：OH4 1: 〇.5)(住友電木粉公司製）之固體成分60 % 之環己酮溶液 *6:球狀二氧化矽（ADMATECHS公司製） * 7 :硫酸鋇（堺化學公司製） *8:咪唑（四國化成公司製） * 9 :溶劑 (評價基板之製作1 ··電路基板+乾膜） 使用塗佈機’於經脫模劑（醇酸系）處理之厚度38// m之PET薄膜（AL-5，LINTEC公司製）上，以乾燥後膜厚 於電路上成爲20μηι之方式以逆轉輥均勻塗佈所得之熱硬化 性樹脂組成物。 接著，於設定溫度爲Π5 °C之乾燥爐中，乾燥5分鐘， 形成半硬化狀態之硬化性樹脂層。所得硬化性樹脂層之殘 留溶劑量爲1 %，於1 7 0 °C之膠凝化時間爲6 0秒。 接著，邊貼合厚度l5!·1111之聚丙稀薄膜，邊捲取成輕狀 。進而進行寬度40Omra之細縫加工，製作3層構造之乾膜 〇 接著使用形成有銅厚18μπι之導電層之400mmx300mmx -15- 201233275 0.8mm厚之雙面貼銅層合板（MCL-E-679FGR，日立化成 工業公司製）作爲電路基板，藉由前處理（CZ-8100 + CL-8300，MEC公司製），形成相當於銅蝕刻量Ιμπι之輪廓。 於施以前處理之貼銅層合板上，將剝離聚丙烯之乾膜 利用2腔室式真空層合機（CVP-300，NICHIGO MORTON 公司製），於層合溫度：100°C，真空度：5mmHg以下， 壓力：5kg/cm2之條件予以層合。再者，於壓製溫度：1〇〇 °C，壓力：5kg/cm2藉由壓製成型，而於貼銅層合板之兩 面上，於各表面上形成黏著有PET薄膜（保護薄膜）之硬 化性樹脂層（於電路上約2 0 μπι厚）之評價基板· (評價基板之製作2:電路基板上之塗佈+保護薄膜） 將所得熱硬化性樹脂組成物（溶液於1 70 °C之膠凝化 時間120秒），以使乾燥後膜厚在電路上爲20μπι之方式， 使用輥塗佈器（FURNAX公司製），均一地塗佈在藉由相 同之前處理（CZ-8100 + CL-8300，MEC公司製）之形成有 相當於電路基板的銅蝕刻量Ιμιη之輪廓之銅厚18μιη之 400mmx300mmx0.8mm厚的兩面貼銅層合板（MCL-E-679FGR，日立化成工業公司製）上。此外亦可使用其他 網版印刷法、模嘴塗佈法等進行塗佈。 接著，於設定溫度爲115 °C之乾燥爐中，乾燥5分鐘， 形成半硬化狀態之硬化性樹脂層。所得硬化性樹脂層之殘 留溶劑量爲1 %，於1 70 °C之膠凝化時間爲60秒。 隨後，於半硬化狀態之硬化樹脂層表面上，藉由輥層 -16- 201233275 合機，層合作爲保護薄膜之PET薄膜（AL-5，LIN TEC公司 製）。此時，可使用上述之2腔室式真空層合機，可利用 壓製步驟進行平坦基板之製作。 » (硬化性樹脂層之雷射加工（通孔形成）） 不剝離保護薄膜（PET薄膜），自保護薄膜上，使用 二氧化碳氣體雷射（LC-2K2，Hitachi Via Mechanics 公司 製）’照射波長9 · 3 μιη之雷射光，於硬化性樹脂層上形成 通孔。照射條件，設爲於無保護膜之狀態之基板使上部開 口徑成爲65μιη時之條件，穿孔：1.9mm，輸出：1.5W，脈 衝寬：20微秒，衝撞模式：3次衝撞。 作爲比較例，則剝離保護膜而進行相同加工。 (硬化性樹脂層之硬化） 於雷射加工（通孔形成）之前或去膠渣之後，以熱風 循環式乾燥爐（〇?61〇，丫八1^八1'0科學公司製），於17〇。(： 加熱60分鐘，使硬化性樹脂層硬化。 (去膠渣處理1 :電漿處理（乾式）） 針對通孔形成後之評價基板’不剝離保護薄膜，使用 電漿處理裝置（AP- 1 000，MARCH公司製），進行電獎處 理。電獎處理條件，設爲電發氣體：氧氣、氬氣，真空度 :200 mtorr，輸出：500W’處理時間：5分鐘。 作爲比較例，則剝離保護薄膜而進行相同處g。 -17- 201233275 (去膠渣處理2 : ΚΜη04處理（濕式）） 作爲比較例，於通孔形成後之評價基板，針對設有保 護膜者與剝離者，進行使用KMn04水溶液之藥液處理。處 理條件設爲膨潤（藥液：MLB-21 1，80°C /10分鐘）4粗化 (藥液：MLB-213，80°C/15 分鐘）今還原（MLB-216，50 °C /5分鐘）。 (超音波洗淨） 對於去膠渣處理後之評價基板，使用超音波洗淨管線 (IUS24，石井表記公司製），以速度1.6m/分鐘、輸出約 8 00 W之條件進行超音波洗淨。 表2中顯示各實施例、比較例之處理內容。且，比較 例1表示一般之內層通孔形成步驟。 [表2] 實施例 比較例 1 2 3 4 5 6 2 3 4 5 6 —〇 〇 〇 〇 11 〇 〇 0 〇 〇 基板上塗佈/半硬化 〇 〇 0 保諷膜層雜 35pm 脫模 PET 16μπι PET 16μηη PET 雷射加工前硬化 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 保護膜剝離 1 〇 〇 雷射加工 〇 〇 〇 〇 0 Ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 電酿理去膠渣 〇2氣體 〇2氣體 〇2氣體 〇2氣體 〇2氣體 〇2氣體 〇2氣體 Ar氣體 Ar氣體 ΚΜη04處理去膠渣 〇 〇 〇 保護膜剝離 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 去膠渣後硬化 〇 〇 〇 超音波洗淨 〇 〇 0 〇 〇 〇 〇 超音波洗淨後硬化 〇 針對進行如此處理之實施例1 -6、比較例1 -6之評價基 -18- 201233275 板進行如下評價。 (利用掃描型電子顯微鏡之觀察） 利用掃描型電子顯微鏡（SEM: JSM-6610V日本電子 公司製）觀察評價基板表面狀態、通孔內狀態，利用SEI (二次電子圖像），進行通孔形狀之確認，同時評價表層 部之損傷有無。評價結果示於表3。又，評價基準如下。 〇：未見到表層部損傷。 X :表層部受到損傷。 XX :通孔周邊部顯著受到損傷。 又，利用BEC圖像（反射電子圖像），評價通孔底部 殘渣之有無。又，通孔底部殘渣，於BEC像中，由於原子 序號越大之原子越可獲得有光澤的圖像，故由通孔底部之 Cu露出程度加以判斷。評價結果示於表3。且評價基準如 下。 ◎:未見到通孔底部殘渣。 〇：見到極少許通孔底部殘渣。 △:見到些許通孔底部殘渣。 X :硬化性樹脂溶出，去膠渣液之浸透亦激烈。 (利用光學顯微鏡之觀察） 利用光學顯微鏡（ECLIPSE LV-100，NIKON公司製） 評價基板之表面狀態，評價通孔形狀及通孔周邊部之損傷 有無，同時測量雷射加工後及去膠渣後之通孔上部直徑。 -19- 201233275 接著，比較雷射加工後及去膠渣後之上部直徑之値，藉由 有無變化，評價通孔形狀。評價結果示於表3。 [表3] 0施例 比較例 1 2 3 4 5 6 2 3 4 5 6 表層部之損傷 〇 Ο Ο Ο 〇 〇 X XX X X 〇 0 通孔底部殘渣 ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ X ◎ Δ Δ 雷射加工後之上部直徑[μπ〇 50 50 60 60 63 63 65 50 _ 50 50 50 去膠渣後之上部直徑[μη] 50 50 60 60 63 63 70 50 —— 50 50 50 通孔開口形狀變化 /frn*. m 無 無 無 無 無1有 無 — 無 無 無 關於實施例1，分別於圖2中顯示雷射加工後之（a ) SEI、 （ b ) ( a )之□部部分放大圖像、（c ) BEC圖像， 於圖3中顯示去膠渣處理+超音波洗淨後之（a) SEI、（b ) (a)之□部部分放大圖像、（c ) BEC圖像。且關於 比較例2，分別於圖4中顯示雷射加工後之（a ) SEI、( b )(a)之□部部分放大圖像、（c) BEC圖像，於圖5中顯 示去膠渣處理+超音波洗淨後之（a) SEI、（b) (a)之 □部部分放大圖像、（c) BEC圖像。 如圖2-圖4所示，利用ΚΜη04進行去膠渣處理者，見 到通孔周邊之較大損傷，表面亦粗糙。再者，通孔徑變大 。另一方面，利用氧電漿進行去膠渣處理者，未見到通孔 周邊之損傷，通孔直徑亦未變化。 再者，關於實施例1，分別於圖6中顯示雷射加工後之 (a ) B EC圖像、（b )光學顯微鏡照片，於圖7中顯示電漿 處理後之（a) BEC圖像、（b )光學顯微鏡照片，於圖8中 顯示超音波洗淨後之BEC圖像。且，關於比較例5，分別 於圖9中顯示雷射加工後之（a) BEC圖像、（b)光學顯微 -20- 201233275 鏡照片’於圖10中顯示電漿處理後之（a) BEC圖像、（b )光學顯微鏡照片’於圖1 1中顯示超音波洗淨後之BEC圖 像。又，電漿處理時間爲相同。 如圖6-11所示’均未見到電漿處理後之通孔直徑擴大 ’但於進行氬氣電漿處理者，於光學顯微鏡照片中雖見到 金屬光澤’但於BEC圖像中，未見到金屬光澤（Cu)，可 知於與氧電漿處理相同之處理時間，殘留有膠渣。如此， 藉由使用氧電漿，可有效地進行去膠渣處理。 且’關於進行去膠渣者，藉由進一步進行超音波洗淨 ，更增加金屬光澤。如此，可知利用超音波洗淨，可去除 電漿處理所殘留之無機成分等殘渣。 又，關於實施例1，於圖12顯示雷射加工後之保護薄 膜上之光學顯微鏡照片，於圖13顯示去膠渣後之保護薄膜 上之光學顯微鏡照片。另外圖1 4顯示比較例2之去膠渣後 之保護薄膜上之光學顯微鏡照片。再者比較例2之雷射加 工後之狀態與實施例1相同。 如圖12-1 4所示，於實施例1中，未見到孔穴周邊部之 損傷，表層爲良好狀態。另一方面，比較例2中，作爲保 護薄膜之PET薄膜本身雖具有去膠渣液.抗性，但由於對水 壓之抗性不足，故保護薄膜上產生缺口。且，可知於保護 薄膜與硬化性樹脂層之介面，由於有藥液浸透，故於通孔 周邊產生較大損傷。 再者，實施例3中，圖15顯示雷射加工後之保護薄膜 上之光學顯微鏡照片，圖1 6顯示去膠渣後之保護薄膜上之 -21 - 201233275 光學顯微鏡照片。另外圖17顯示實施例6之去膠渣後保護 薄膜上之光學顯微鏡照片。又，實施例4、實施例6之雷射 加工後之狀態與實施例1相同，實施例4之去膠渣後之狀態 與圖3相同。 如圖1 5 -1 7所示，由於係未硬化狀態之硬化性樹脂層 經雷射加工者，故通孔直徑與未設有保護薄膜而進行雷射 加工者相近。且，可知通孔周邊雖極少許地見到損傷，但 相較於比較例2可獲得遠爲良好之狀態》且，由於圖1 6及 圖1 7未見到有意義差別，故可知超音波洗淨於硬化樹脂層 硬化前或硬化後進行均可。 又，關於比較例3，圖18顯示雷射加工後之光學顯微 鏡照片，圖1 9顯示利用藥液去膠渣處理後之光學顯微鏡照 片。如該等圖所示，可知以半硬化狀態利用藥液進行去膠 渣處理，硬化性樹脂層會全部溶出。 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明一樣態之抗焊光阻之形成步驟圖。 圖2爲本發明一樣態之雷射加工後之SEI影像及BEC影 像。 圖3爲本發明一樣態之去膠渣處理+超音波洗淨後之 SEI影像及BEC影像。 圖4爲比較例之雷射加工後之SEI影像及BEC影像。 圖5爲比較例之去膠渣處理後之SEI影像及BEC影像。 圖6爲本發明一樣態之雷射加工後之BEC影像及光學 -22- 201233275 顯微鏡照片。 圖7爲本發明一樣態之去膠渣處理後之BEC影像及光 學顯微鏡照片。 圖8爲本發明一樣態之超音波洗淨後之BEC影像。 圖9爲本發明一樣態之雷射加工後之BEC影像及光學 顯微鏡照片。 圖10爲本發明一樣態之去膠渣處理後之BEC影像及光 學顯微鏡照片》 圖11爲本發明一樣態之超音波洗淨後之BEC影像。 圖1 2爲本發明一樣態之雷射加工後之光學顯微鏡照片 〇 圖13爲本發明一樣態之去膠渣處理後之光學顯微鏡照 片。 圖14爲比較例之去膠渣處理後之光學顯微鏡照片。 圖1 5爲本發明一樣態之雷射加工後之光學顯微鏡照片 〇 圖1 6爲本發明一樣態之去膠渣處理後之光學顯微鏡照 片。 圖17爲本發明一樣態之去膠渣處理後之光學顯微鏡照 片。 圖1 8爲比較例之雷射加工後之光學顯微鏡照片。 圖19爲比較例之去膠渣處理後之光學顯微鏡照片。 【主要元件符號說明】 -23- 201233275 1 1 :電路基板 1 1 a :基材 1 1 b :導電層 1 2 a :硬化性樹脂層 1 2 b :抗焊光阻 13 :保護薄膜 1 4 :通孔 1 5 :膠渣 -24