201221550 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關適於封裝安裝有電 电于零件之印刷基板 等裝置（或電子裝置）之薄膜狀封裝劍、# m 农刻、使用該薄膜狀封 裝劑之封裝方法。 【先前技術】 為保護半導體元件、印刷基板、太陽電池單元等精 密零件(或電子裝置)免於水分、塵埃等，—般係將i等 以樹脂封裝。就該封裝方法而言，已知有將精密零;配 置於模具腔室内並注入流動性樹脂來封裝之方法。於該 方法中，大多係使用黏度低、流動性高的熱@㈣脂二 然而’熱固性樹脂中因添加有交聯劑等添加劑，不 僅保存期間短，且注人模具腔室内後至硬化為止需要較 長的時間，而無法提高生產性。此外，根據樹脂種類， 於成形後需進行硬化處理，亦無法提高生產性。 將熱塑性樹脂射出成形來封裝精密零件亦廣為人知 。惟’熱塑性樹脂大多係以較高之溫度、壓力來進行成 型（molding，塑模）’容易損傷基板、安裝於基板上之電子 零件而損及可信度。日本特開20004 33665號公報（專利 文獻1)中揭露有一種方法’其係將安裝有電子零件的印 刷基板配置於模具腔室内，並將加熱至160〜230。(：而熔融 之聚酿胺樹脂以2.5〜25kg/cm2之壓力範圍注入前述模具 腔室内來封襞安裝有電子零件的印刷基板。該文獻之實 施例中記載，將Trl公司（法國）之聚醯胺樹脂（商品編號 817)以炫融溫度190°C、壓力20kg/cm2注入模具内來封裝 201221550 印刷基板。惟，該方法亦對電子零件作用較高之溫度、 壓力，有時會損傷電子零件。 使用薄膜來包裝（pack)裝置同樣廣為人知。日本特 開2001-284779號公報（專利文獻2)中揭露有一種製造電 子電路形成品之方法，其係透過以下方法：將具備電子 零件（2、2A)的電路基板（1)插入筒狀薄膜（3)内，並封堵 上述靖狀薄膜之兩側開口部來包裝上述電路基板之方法 ;以片狀薄膜（3 A、3B)被覆具備前述電子零件之區域之 方法；以兩片片狀薄膜（3A、3B)被覆電路基板（1)之表背 兩面，同時以上述片狀薄膜來包裝上述電路基板之方法 ，亦記載：以預先加熱而軟化之薄膜進行被覆；於上述 薄膜與上述基板之間減壓，並使上述薄膜合於上述零件 或上述基板。日本特開平n_259〇21號公報（專利文獻3) 中揭露有-種以薄膜包覆包含多個液晶顯示面板構件的 液晶顯示面板構件類，並進行積層的液晶顯示 一 1八〜日日 不面板構件，其亦例示聚醯胺作為塑膠薄膜。 緊密接著、封裝電子零件等 包覆裝置之形態下防濕或防 中一面，亦無法有效保護裝 然而’此等方法並無法 裝置°特別是此等方法係於 水’因此僅應用於裝置的其 置。 ' 更且，使用薄膜狀封裝劑來封裝裝置也為人所知 開聰.期06號公報（專利文獻4)係有關—種 ::薄膜之間以樹脂封裝太陽電池單元之太陽電池 元造方法’其揭露：在前述基板與前述太陽電池 3配置被覆前述基板之實質上整面的第一封裝樹 201221550 片，在前述薄膜與前述太陽電池單元之間配置被覆前述 基板之實質上整面的第二封裝樹脂片而製作積層體，並 將該積層體層疊成多層，同時於最上層之積層體的前述 4膜的外側配置蓋板，將前述基板與前述薄膜之間的空 氣排出，進行加熱使樹脂熔融，再予以冷卻來進行封裝 :亦記載前述封裝樹脂為選自包含乙烯/乙酸乙烯酯共聚 物、聚乙烯丁醛（P〇lyvinyl 及聚胺基甲酸酯之群 組的一種樹脂。 « 令符開 2009-99417 種包含供封裝形成於前述基板上之有機電子裝置的阻隔 膜（barrier fUm)，且前述有機電子裝置與前述阻隔膜之 間^置有熱溶型構件的有機電子裝置封裝面板；亦記載 :前述熱溶型構件含有水分去除劑及蠘；其呈前述熱炫 型構件之厚度為1〇〇叫以下的薄膜狀。X曰本特開 2贈號公報(專利文獻6)中揭露一種含有水分去除 劑及蠛的有機薄胺； 膜太陽電池用熱熔型構件；亦記載熱熔 型構件的形狀可為褚^ ^ 為4臈狀、板狀、不規則形狀等。 " 11薄膜狀封裝劑對裝置之凹凸咅P的迎合性差， 從而不易緊密封裝梦 係以蠟為w 更且，前述熱熔型構件 穿。 、刀，因此難以提高對裝置之密接性而封 曰本特開20〇ΐ·2341 ^八 一種埶t Μ > t 5唬A報（專利文獻7)中揭露有 暴露於高溫火焰下㈣f r 4 了防止在塗布過程中 ,R| 良色，係相對熱塑性樹脂1 〇〇重量& ’而分別以0.05〜2 θ 、 里里物 •篁伤之比例含有受阻酚系抗氧化劑 201221550 及亞磷酸酯系抗氧化劑，且中位數粒徑為5〇〜300μιη、容 積比重為0.30g/ml以上，安息角為35度以下。該文獻中 ’作為熱塑性樹脂係例示聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、尼 龍-1 1樹脂、尼龍-1 2樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂 、乙烯-丙烯酸共聚物樹脂、乙烯-曱基丙烯酸共聚物樹 脂、改性聚乙烯樹脂、改性聚丙烯樹脂，亦記載有使用 尼龍（聚醯胺）樹脂（EMS-CHEMIE AG公司之商品名「 Grilamid」）之實例。 惟’上述粉體塗料係於高溫下熔融而進行熱喷射， 當利用於電子零件的封裝時會有容易損傷電子零件而損 及裝置之可信度之虞。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2000-1 33665號公報（申請專利 範圍、實施例） [專利文獻2]日本特開2001_284779號公報（中請專利 範圍） [專利文獻3]曰本特開平n_259〇21號公報（申請專利 範圍、[0022]) [專利文獻4]日本特開2〇〇8_2829〇6號公報（中請專利 範圍） [專利文獻5]曰本特開2〇〇9 99417號公報（申請專利 範圍、[0024]) [專利文獻6]日本特開2009-99805號公報（申請專利 範圍） 201221550 2001-234125號公報（申 請專利 [專利文獻7]日本特開 範圍、[0008]、實施例6) 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] 種有用於在低溫下 使用該封裝劑之封 因此，本發明之目的在於提供一 緊密封裝電子裝置之薄膜狀封裝劑、 裝方法。 其中一月之二他=的在於提供一種雖僅於電子裝置的 使用㈣&仍能以高密接力緊密封裝之薄膜狀封裝劑、 使用該封裝劑之封裴方法。 子穿Π一其他目的在於提供-種可有效保護電 今❹a &水^ '塵埃或衝擊等之薄膜狀封裝劑、使用 該封裝劑之封裝方法。 便用 本發月之另外的目的在於提供一種可提高電子 =裝性以外，還可提高耐熱性'耐化學藥品 ^ 薄膜、使用該積層薄獏之封裝方法。 積層 本發明之另—的目的在於提供—種由前述薄膜 裝劑或積層薄膜封裝的電子裝置。 、、 [解決課題之手段] 本發明人等為達前述課 現.若採用含共聚合聚醯胺 脂’則相較於熱固性樹脂可 低溫低壓被覆、封裴裝置的 其中一面，仍能以高密接性 明即臻完成。 題而戮力進行研討的結果發 系樹脂之薄膜作為熱塑性樹 縮短封裝、成形週期；能以 規定部分；雖應用於裴置的 及封裝性來保護裝置，本發 201221550 即，本發明封裝劑乃為含共聚合聚醯胺系樹脂之薄 膜狀封裝劑，係供被覆、封裝裝置（或將其成型）。具有 溥膜狀形態之本發明封裝劑中，前述共聚合聚醯胺系樹 脂之熔點或軟化點可為75〜160°C左右，例如熔點為 90〜140°C左右。共聚合聚醯胺系樹脂亦可具結晶性。共 聚合聚醯胺系樹脂可為多元共聚物，例如二元共聚物〜 四το共聚物（例如二元或三元共聚物更且，共聚合聚 酿胺系樹脂可包含具有Cs-16伸烷基（例如c1Q-14伸烷基）之 長鏈成分，例如選自（：9-17内醯胺及胺基c9_17烷羧酸的至 少一種成分所衍生的單位。舉例而言，共聚合聚酼胺系 樹脂可包含選自聚醯胺11、聚醯胺12、聚醯胺610、聚醯 胺6 12及聚醯胺1〇1〇之醯胺形成成分所衍生的單位，亦可 為選自共聚醯胺6/11、共聚醯胺6/12、共聚醯胺66/11、 共聚醯胺6 6/12、共聚醯胺61 0/11、共聚醯胺61 2/11、共 聚醯胺610/12、共聚醯胺612/12、共聚醯胺1010/12、共 聚醯胺6/11/610、共聚醯胺6/11/612、共聚醯胺6/12/610 及共聚醯胺6/12/612的至少一種。此外，共聚合聚醯胺 系樹脂只要以選自聚醯胺1 1、聚醯胺1 2、聚醢胺6 1 0、聚 醯胺612及聚醯胺ΐ(π〇之醯胺形成成分所衍生的單位為 必需者，亦可為作為硬鏈段（hard segment)而包含的聚醯 胺彈性體（聚醯胺嵌段共聚物）。更且，共聚合聚醯胺系 樹脂又可包含選自十二碳内醯胺（laurolactam)、胺基十 一酸及胺基十二酸的至少一種成分所衍生的單位。本發 明薄膜狀封裝劑可被覆裝置之兩面，惟係有用於被覆裝 置之其中一面。
S 201221550 本發明亦包含一種積届@ ^ _ M m ^ Μ ^ m, 4骐，其3有前述薄膜狀封 ::及積層於該薄膜狀封裝劑之其中—面且包含耐熱 # 寻膜可為例如薄膜狀封裝劑之 其中-面上直接形成有保護層的積層 狀封裝劑之其中一面卜γ戈4A + 力』马涛膜 ^ w接著層（中間層）而形成有保 護層的積層薄膜。耐熱性樹脂之熔點或軟化點可為⑽ 以上。，熱性樹脂可為選自聚I系樹脂、聚醢胺系樹脂 及氟树脂的至少一#。積層薄膜之整體厚度可為 1 0〜1 0 0 0 μ m左右。 f發明之方法中，可藉由以前述薄臈狀封裝劑被覆（ 或覆蓋)裝置的至少一部分’並將薄膜狀封裝劑加熱熔融 、冷卻來製造以共聚合聚醯胺系樹脂被覆或成型的裝置 。本發明之方法中，亦可被覆裝置的至少一面。由此， 本發明亦包含利用將薄膜狀封裝劑熱熔接（焊接）而形成 的共聚合聚醯胺系樹脂被膜將至少一部分被覆或成型的 裝置。 再者，本發明之方法中，亦可使積層薄膜的薄膜狀 封裝劑側面向裝置，而以積層薄膜被覆裝置的至少一部 分。因此，本發明亦包含以共聚合聚醯胺系樹脂被膜將 至少一部分被覆或成型的裝置’其中該共聚合聚醯胺系 樹脂被膜係將構成積層薄膜的薄膜狀封裝劑熱炫：接而％ 成。 此外，本說明書中「共聚合聚醯胺系樹脂」係以包 含「由多種醯胺形成成分形成’且種類相異之多種共聚 物（共聚酿胺）的混合物」之思義使用，而非僅指「各自 -10- 201221550 心成均聚聽胺之多種酿脸形士，> \ 夕不里®胺形成成分的共聚物（共聚醯胺） J ° [發明之效果] 於本發明中，因薄膜狀封裝劑含有共聚合聚醯胺系 樹脂，故能在低溫下緊密封裝電子裝置，而不會損及裝 置之可*度。又，對裝置而言，能在低溫下將薄膜狀封 裝劑熱熔接，因此雖僅於電子裝置的其中一面，仍能以 高密接力進行封裝。更可有效保護電子裝置免於水分、 塵埃或衝擊等。若將包含耐熱性樹脂的保護層積層於上 述薄膜狀封裝劑的單面並予以多層化，除可提高電子裝 置之封裝性以外，還可提高耐熱性、耐化學藥品性。 【實施方式】 [用以實施發明之形態] 本發明薄膜狀封裝劑（或片狀封裝劑）係含有共聚合 聚酿胺系樹脂。共聚合聚醯胺系樹脂中則含有共聚合聚 酿胺（熱塑性共聚合聚醯胺）與聚醯胺彈性體。 熱塑性共聚合聚醯胺可為脂環族共聚合聚醯胺，惟 一般多為脂肪族共聚合聚醯胺。共聚合聚醯胺可組合二 胺成分、二繞酸成分、内醯胺成分、胺基羧酸成分而形 成°此外’二胺成分及二羧酸成分此兩成分可形成共聚 θ g胺之it胺鍵，内醯胺成分及胺基羧酸成分則可各 自單獨形成共聚合聚醯胺之醯胺鍵。由此觀點，共聚合 聚酿胺可透過選自一對成分（組合二胺成分及二羧酸成 分之兩成分）、内醯胺成分及胺基羧酸成分之多種醯胺形 成成分的共聚合來製得。又，共聚合聚醯胺可透過選自 -11- 201221550 一對成分（組合二胺成分及二羧酸成分之兩成分）、内醯 胺成分及胺基羧酸成分的至少一種醯胺形成成分、及與 該醯胺形成成分種類相異（或種類相同而碳數相異）之醯 胺形成成分的共聚合來製得。内醯胺成分與胺基羧酸成 分只要碳數及支鏈構造相同，亦可視為相等成分來處理 。因此，若以組合二胺成分及二羧酸成分的一對成分為 第一醯胺形成成分、以内醯胺成分及胺基羧酸成分為第 二醯胺形成成分，則例如共聚合聚醯胺可為：由第一醯 胺形成成分（一胺成分及一叛酸成分）所得之共聚合聚酿 胺，即二胺成分及二缓酸成分當中的至少一成分包含碳 數相異之多種成分的共聚合聚醯胺；第一醯胺形成成分（ 二胺成分及二羧酸成分）、與第二醢胺形成成分（選自内 醯胺成分及胺基羧酸成分的至少一種成分）之共聚合聚 醯胺；包含第二酿胺形成成分（選自内醯胺成分及胺基羧 酸成分的至少一種成分）之共聚合聚醯胺，即内醯胺成分 及胺基羧酸成分當中的一成分包含碳數相異之多種成分 的共聚合聚醯胺；碳數相同或彼此相異之内酿胺成分與 胺基羧酸成分之共聚合聚醯胺等。 就二胺成分而言，可例示脂肪族二胺或伸烷基二胺 成分（例如丁二胺、己二胺、三甲基己二胺、辛二胺、十 二烷二胺等CU-w伸烷基二胺等）等。此等二胺成分可單獨 或二種以上組合使用。較佳之二胺成分係至少包含伸烷 基二胺（較佳為Clm伸烷基二胺，更佳為c6_12伸烷基二胺 )° 此外’需要時可併用脂環族二胺成分（二胺基環己烷 -12- 201221550 專二胺基環烧（：胺基C5_1Q環燒等）；雙（4_胺基環己基） 曱：、雙(4-胺基·3_曱基環己基)甲烷、2,2雙(4,胺基環 己基)丙烧等雙(胺基環炫基汰[雙(胺基Ch環院基 -烷等];氫化苯二甲基二胺等）、芳香族二胺成分(間 一甲本_胺等)作為二胺成分。二胺成分(例如脂環族二 胺成分）可具有烷基（甲基、乙基等Cm燒基）等取代基。 相對二胺成分整體，伸烷基二胺成分之比例係為 50〜100莫耳％，較佳為6〇〜1〇〇莫耳％(例如7〇〜97莫耳％) ，更佳為75〜1〇〇莫耳％(例如80〜95莫耳％)左右。 就二羧酸成分而言可例舉脂肪族二羧酸或烷二羧酸 成分（例如己二酸、庚二酸、壬二酸、癸二酸、十二烷二 酸、二聚酸或其氫化物等碳數4〜36左右之二羧酸或I 36 烷二羧酸等）等。此等二羧酸成分可單獨或二種以上組合 使用較佳之二羧酸成分包含G Μ烷二羧酸（例如“ Μ 烷二羧酸，較佳為c^4烷二羧酸等）。更且，需要時可併 用月曰¥族一羧酸成分（環己烷-1,4-二羧酸、環己烷-丨，3· 凌等C5-I()環院-一缓酸專）、芳香族二叛酸（對苯二甲 酸、間苯二甲酸等）。此外，作為二胺成分及二羧酸成分 可與脂環族二胺成分及/或脂環族二羧酸成分共同併用 f述例示之脂肪族二胺成分及/或脂肪族二羧酸成分所 得之脂環族聚醯胺樹脂係已知為所謂透明聚醯胺，其透 明性高。 相對二幾酸成分，烷二羧酸成分之比例係為50〜1 00 莫耳％’較佳為60〜100莫耳。/。（例如7〇〜97莫耳％)，更佳為 75〜100莫耳％(例如8〇〜95莫耳。/。）左右。 -13- 201221550 第 莫耳， 内使用 醯胺形成成分中’ 一胺成分相對二叛酸成分] 可於0_8〜1.2莫耳’較佳為〇·9〜莫耳左右之範圍 就内酿胺成分而言’可例示如戊内醯胺、ε_己内 酿胺、ω-庚内醯胺、ω-辛内醯胺、ω_癸内酿胺、ω_十一 碳内酿胺、ω-十二碳内酿胺（或ω_月桂精内醯胺）等（：4 2〇 内醯胺等，就胺基羧酸成分而言，可例示如^胺基癸酸 、胺基十一酸、ω-胺基十二酸等Q心胺基羧酸等。此 等内酿胺成分及胺基叛酸成分亦可單獨或二種以上組合 使用。 較佳之内醯胺成分係包含内醜胺，較佳為匚8_17 内醯胺’更佳為匚^·!5内醯胺（十二碳内醯胺等）。較佳之 胺基緩酸則包含胺基C6_i 9院叛酸’較佳為胺基7烷羧 酸’更佳為胺基（：1()-15烷羧酸（胺基十—酸、胺基十二酸 等）》 此外’共聚合聚酿胺亦可為使用少量聚叛酸成分及/ 或多元胺成分，且導入有支鏈構造之聚醯胺等改性聚醯 胺。 第一醯胺形成成分（組合二胺成分與二羧酸成分之 兩成分）、第二醯胺形成成分（選自内酿胺成分、及胺基 叛酸成分的至少一種醯胺形成成分）之比例（莫耳比）可選 自刖者/後者=100/0〜0/1〇〇之範圍，例如可為9〇/1〇〜〇/1〇〇( 例如 80/20〜5/95)，較佳為 75/25〜10/90(例如 70/30〜15/85) ，更佳為60/40〜20/80左右。 更且，共聚合聚醯胺係以包含具有長鏈脂肪鏈（長鏈 -14- 201221550 伸烷基或伸烯基）的長鏈成分作為構成單位（或包含長鏈 成刀所衍生之單位）為佳。就此種長鏈成分而言，係含具 有碳數8〜36左右之長鏈脂肪鏈或伸烷基（較佳為〇:8_16伸 烧基更佳為烧基）的成分。就長鏈成分而言， 可例示如選自CS18烷二羧酸（較佳為CiG_b烷二羧酸，更 佳為4燒二羧酸等）、c^7内醯胺（較佳為十二碳内醯 胺等cn-ls内醯胺）及胺基C9-,7烧羧酸（較佳為胺基十一酸 、胺基十二酸等胺基Cn-u烧緩酸）的至少一種成分β此 等長鏈成分可單獨或二種以上組合使用。此等長鏈成分 當中’係大多使用選自内醯胺成分及/或胺基烷羧酸成分 ，例如十二碳内醯胺、胺基十一酸及胺基十二酸的至少 一種成分。含有此種成分所衍生之單位的共聚合聚醯胺 不僅财水性高，且對電子裝置之密接性、耐磨性及耐衝 擊性亦優良’而能夠有效保護電子裝置。 相對形成共聚合聚醯胺的單體成分整體，長鏈成分 之比例係為10〜100莫耳％(例如25〜95莫耳％)，較佳為 3 0〜90莫耳％(例如40〜85莫耳％)，更佳為50〜80莫耳％(例 如55〜75莫耳％)左右。 更且，共聚合聚醯胺可為前述醯胺形成成分的多元 共聚物，例如二元共聚物至五元共聚物等，惟一般大多 為二元共聚物至四元共聚物，特別是二元共聚物或三元 共聚物。 共聚合聚醯胺大多含有選自例如聚醯胺1 1、聚醯胺 12、聚醯胺610、聚醯胺612及聚醯胺ι〇10的醯胺形成成 分作為構成單位（或包含上述醯胺形成成分所衍生之單 -15- 201221550 位）。共聚合聚醯胺既可為此等多種醯胺形成成分之共聚 物，亦可為上述一種或多種酿胺形成成分、與其他酿胺 形成成分（選自聚醯胺6及聚醯胺66的至少一種酿胺形成 成分等）之共聚物。具體而言，就共聚合聚醯胺而言，可 例舉如共聚醯胺6/1 1、共聚醯胺6/12、共聚醯胺66/11、 共聚醯胺66/12、共聚醢胺610/11、共聚醯胺61 2/11、共 聚醯胺610/12、共聚醯胺612/12、共聚醯胺1010/12、共 聚醯胺6/11/610、共聚醯胺6/11/612、共聚醯胺6/12/610 、共聚醯胺6/12/6 12等。此外，此等共聚合聚醯胺中， 以斜線「/」分隔的成分係表示醯胺形成成分。 就聚醯胺彈性體（聚醯胺嵌段共聚物）而言，可例舉 包含作為硬鏈段（或硬嵌段）之聚醯胺與軟鏈段（或軟嵌段 )的聚醯胺嵌段共聚物，例如聚醯胺-聚醚嵌段共聚物、 聚酿胺-聚酯嵌段共聚物、聚醯胺-聚碳酸酯嵌段共聚物 等。 就構成硬鏈段的聚醯胺而言，可為一種或多種前述 酿胺形成成分之單獨聚合物或共聚物（均聚醯胺、共聚醯 胺）。作為硬鏈段之均聚醯胺可包含前述例示之長鏈成分 作為構成單位，較佳之長鏈成分係與前述相同。代表性 均聚酿胺可例舉聚醯胺13[、聚醯胺12、聚醯胺61〇、聚醯 胺612、聚醯胺1〇1〇、聚醯胺1〇12等。又，作為硬鏈段之 共聚醯胺係與前述例示之共聚醯胺相同。此等聚醯胺當 中，較佳為聚醯胺U、聚醯胺12、聚醯胺1010:聚醯胺 1012等均聚醯胺。 代表性聚醯胺彈性體乃為聚醯胺-聚醚嵌段共聚物 -16- 201221550 。聚醯胺-聚醚嵌段共聚物中，就聚醚（聚醚嵌段）而言， 可例舉如聚烯烴二醇（例如聚乙二醇、聚丙二酵、聚四亞 曱基二醇等聚C2-6烯烴二醇，較佳為聚C2.4烯烴二酵）等 〇 就此種聚醯胺-聚醚嵌段共聚物而言，可例舉如具有 反應性末端基團之聚醯胺嵌段與具有反應性末端基團之 聚醚嵌段共聚合縮合所得之嵌段共聚物，例如聚醚醯胺[ 例如具有二胺末端之聚醢胺嵌段與具有二羧基末端之聚 烯烴二醇嵌段（或聚氧伸烷基嵌段）的嵌段共聚物、具有 二羧基末端之聚醯胺嵌段與具有二胺末端之聚烯烴二醇 嵌段（或聚氧伸烷基嵌段）的嵌段共聚物等]、聚醚酯醯胺[ 具有二羧基末端之聚醯胺嵌段與具有二羥基末端之聚烯 烴二酵嵌段（或聚氧伸烷基嵌段）的嵌段共聚物等]等。此 外’聚醯胺彈性體可具酯鍵’惟，為提高耐酸性則未具 酯鍵亦可。又’市售聚醯胺彈性體一般大多幾乎不具有 胺基。 聚醯胺彈性體（聚醯胺嵌段共聚物）中，軟鏈段（聚趟 嵌段、聚酯嵌段、聚碳酸酯嵌段等）之數量平均分子量可 選自例如1〇〇~ 10000左右之範圍，較佳為300〜6000(例如 300〜5000) ’更佳為500〜4000(例如5〇〇〜3〇〇〇)，特別為 1000〜2000左右。 且，聚醯胺彈性體（聚醯胺嵌段共聚物）中，聚醯鞍 嵌段（聚醯胺鏈段）與軟鏈段嵌段之比例（重量比）例如為 前者/後者=7 5/25〜1 0/90 ’較佳為70/30〜1 5/85，更佳為 60/40〜20/80(例如 50/50〜25/75)左右。 -17- 201221550 此等共聚合聚醯胺系樹脂可單獨或二種以上組合。 此等共聚合聚醯胺系樹脂當中，由電子裝置之封裝性觀 點言之’較佳為共聚合聚醯胺（非聚醯胺彈性體或聚酿胺 隨機共聚物），特佳為包含聚醯胺12所衍生之醯胺形成成 分作為構成單位的共聚合聚醯胺。 共聚合5^酿胺系樹脂之胺基濃度並未特別限制，例 如可為10〜300mmol/kg，較佳為15〜280mm〇l/kg，更佳為 20〜250mmol/kg左右。若共聚合聚醯胺系樹脂之胺基濃度 較高’則將其他層（後述之保護層等）積層於薄膜狀封裝 劑上時可提升接著性而有利。 共聚合聚醯胺系樹脂之羧基濃度並未特別限制，例 如可為10〜300mmol/kg ’較佳為15〜28〇mmo丨/kg，更佳為 20〜250mmol/kg左右。若共聚合聚醯胺系樹脂之羧基濃度 較高，則以熱穩定性高、長期穩定性（連續加工性）觀點 言之係屬有利。 共聚合聚酿胺系樹脂之數量平均分子量可選自例如 5000〜200000左右之範圍，例如可為6〇〇〇〜1〇〇〇〇〇，較佳 為 7000〜70000(例如 7000〜15000)，更佳為 8〇〇〇〜4〇〇〇〇(例 如8000〜12000)左右，一般為8〇〇〇〜3〇〇〇〇左右。共聚合聚 醢胺系樹脂之分子量能以HFIP(六氟異丙醇）為溶劑，利 用膠透層析法換算成聚甲基丙烯酸甲酯來測定。 按共聚合聚醯胺系樹脂每1分子，共聚合聚醯胺系樹 脂之醯胺鍵含量可選自例如1〇〇單位以下之範圍；而由裝 置之封裝性觀點言之，可為30〜9〇單位，較佳為4〇〜8〇單 位，更佳為50〜70單位（例如55〜60單位）左右。此外，上 • 18 - 201221550 述醯胺鍵含量可由例如數量平均分子 單位）之分子量來算出。 複单位（1 共聚合聚醯胺系樹脂可呈非晶性，亦可具結晶性。 共聚合聚酿胺系樹脂之結晶度例如可為2〇%以 為ίο/。以下。此外，結晶度可由慣用方法，例如基於密 ，、熔解熱之測定法、X光繞射法、紅外線吸收法等來測 定0 ^曰曰丨生共聚合聚酿胺系樹脂之熱熔融性可利 用示差掃描妖詈公把., . 聚合聚醯料樹r之： 測定，結晶性共 (DSC)來測定之_可利用示差掃描熱量分析儀 ”聚α聚醯胺系樹脂（或共聚合聚醯胺或聚醯胺彈 性體）之溶點或軟化點可為75〜1601 (例如80〜1501 )，較 佳為90 140 C (例如95〜135。。），更佳為1〇〇〜;i30〇c左右， 一般為90〜16(rc (例如刚〜15〇。〇左右。由於共聚合聚酿 胺系樹脂具低熔點或軟化點，係有用於熔融後合於裝置 表面之凹凸部（咼低差之角（c〇rner)部等）等的表面形狀 。此外’共聚合聚醯胺系樹脂之熔點係指各 =中t生單一峰時1 -峰所對應之溫度，亦指各 "刀處互’合而於DSC中產生多根峰時’多根峰當中高溫 側之峰所對應的溫度。 共聚合聚醯胺系樹脂係以具高熔融流動性為佳，以 便可合於裝置表面之凹巴部等的表面形狀，並可流入或 滲入間隙等中。共聚合聚酿胺系樹脂之熔融流動率 (MFR)於溫度16(rc及荷重2 l6kg下可為^0^0分鐘 •19- 201221550 ’較佳為3〜300g/10分鐘，更佳為5〜250g/l〇分鐘左右β 在不損及密接性等特性之範圍内，共聚合聚醯胺系 樹脂中可添加均聚醯胺（例如形成前述共聚合聚醯胺之 成分所形成的均聚醯胺等）。相對共聚合聚醢胺系樹脂 100重量份，均聚醯胺之比例可為30重量份以下（例如 1〜25重量份）’較佳為2〜20重量份，更佳為3〜15重量份左 右。此外，在混合物形態的共聚合聚醯胺系樹脂中，各 聚醯胺可彼此具有互溶性。 薄膜狀封裝劑（或片狀封裝劑）只要含有共聚合聚醯 胺系樹脂即可，需要時亦可含有其他熱塑性樹脂，例如 乙烯·乙酸乙烯酯共聚物等。例如相對共聚合聚醯胺系樹 脂100重量份，其他樹脂之比例可為1〇〇重量份以下（例如 1、〜80重量份左右），較佳為2〜7〇重量份，更佳為2〜5〇重量 份，特別為30重量份以下（例如3〜2〇重量份左右）。 共聚合聚醯胺系樹脂可視需求含有各種添加劑，例 真料安疋劑（耐熱安定劑、而才候安定劑等）、著色 、塑化劑、潤滑劑、阻燃劑、抗靜電劑、導熱劑 加劑可單獨或2種以上組合。此等添加 安 定劑、導熱劑等。 竹贋用女 酿胺二本發，薄膜狀封裝劑可為包含共聚合聚 有it繁人J #共聚合聚醯胺系樹脂之混合物、或含 Γ之酿胺系樹脂與其他成分(均聚酿胺、添加劑等 )之混合物（共聚合聚酿胺系樹脂組成物）的薄膜。 薄膜狀封裝劑（或片狀封裝劑）既可為未延伸 延伸薄膜（單軸或雙軸延 '或 溥膜）也可透過延伸或配向 -20- 201221550 來賦予熱收縮性。就薄膜之延伸倍率而言，例如在一 向上可為1.2〜10倍（較佳為丨5〜7倍，更佳為2〜5倍）左右。 ^薄膜狀封裝劑之厚度可選自例如1〜1000μηι左右之 範圍，一般為5〜500μιη(例如5〜300μηι)，較佳為 1〇〜250μιη(例如25_2〇〇μιη)，更佳為5〇〜㈣（例如 15Ομπι)左右。厚度若過小，大多無法充分被覆角部等 ，厚度若過大，則不易順沿著裝置表面的凹凸。 从對於薄膜狀封裝劑之水蒸氣穿透度（4Gt、9〇%RH) ，若換算成厚度lmm例如可為l〇〇g/fn2/天以下，較佳為 5,天以下(例如〇_〇1〜離2/天左朴 聚、曰聚醯胺的薄膜狀封裝劑其水蒸氣阻隔性優異，對於 欠蒸氣穿透度’若換算成厚度例如為〇 〇1 / 二/天’較佳為。抓天’更佳為〇 ι〜_2/天左 右°此外’水蒸氣穿透度可由慣用方法，例如日本 規格Z0208之圓筒平板法（cup則加句來測定。 、 薄膜狀封裝劑可利用慣用之薄膜成膜 法、擠製忐形、A L 例如流延 齊氟成形法、吹塑成形法等來製造。又 使用單軸或雙軸拉幅機延伸成規定的倍率。 :外’薄膜狀封裝劑可為單片之片狀 包爽^的彎曲片狀、能夠收納裝置的袋狀等形^夠 屬膜狀封裝劑可構成（形成）積層 …膜(多層M。積層薄膜只要至少具備薄(積膜層= 包含共聚合聚醯胺系樹脂之封、:封裝劑（ 如具備薄膜㈣“， 发划層）貝!未特別限制，例
srjgi . '封裝劑、與積層於該薄膜狀封裝劑之A 一面（與裝置之接荽再中 之接者面相反的面)並包含耐熱性 -21- 201221550 水性樹脂）的保護層埶 i 了…性树知層或疏水性樹脂層）。此 卜 在薄膜狀封裳劑之立中_ -r 八中面上可積層有多層保護層 〇保濩層係利用於保鳟护罟 叫W保”隻裝置免於熱、濕氣等外在不良因 子’例如耐熱性樹脂層可防 , m 1万止伴隨加熱熔融而生之薄膜 的破裂’疏水性樹脂層可卩方I 士、a # & τ月曰增』丨万止由濕軋所致之裝置的腐蝕 ’而能夠提升裝置的耐久性。 就耐熱性樹脂而言，只要具有可耐受薄膜狀封裝劑 之加熱熔融溫度的程度的耐熱性則未特別限制可例示 如氟樹脂、烯烴系樹脂（含環狀烯烴系樹脂）、苯乙烯系 樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚胺基曱酸酯系 樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂（聚醯胺醯亞胺、 聚醚醯亞胺等）、聚縮醛系樹脂、聚苯醚系樹脂、聚醚_ 系樹脂（例如聚醚酮（PEK)、聚6| _酮（peek)等）、聚苯硫 系樹脂、聚醚砜系樹脂、纖維素衍生物、芳香族環氧樹 脂等。 就代表性耐熱性樹脂而言，可例舉聚酯系樹脂、聚 醯胺系樹脂、氟樹脂等。聚酯系樹脂可例示如聚亞烴基 芳基化合物系樹脂[均聚酯（例如聚對苯二曱酸乙二醋、 聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚C2_4亞烴基 芳基化合物）、共聚酯（例如含有C2·4亞烴基芳基化合物單 位為主成分的共聚酯等）等]、聚芳基化合物系樹脂、液 晶聚酯等。 聚酯系樹脂亦包含聚酯彈性體。就聚酯彈性體（聚酯 嵌段共聚物）而言，可例舉包含作為硬鏈段（或硬嵌段）之 芳香族聚酯與軟鏈段（或軟嵌段）的聚酯嵌段共聚物，例 -22- 201221550 如芳香族聚酯-聚鍵嵌段共聚物、芳香族聚醋-脂肪族聚 酯嵌段共聚物等。 就構成硬鏈段的芳香族聚酯而言，可例示前述聚亞 烴基芳基化合物系樹脂（例如聚對苯二甲酸丁二酯等聚 〇2·4對本·一曱酸烧一 s旨）荨。就構成軟鍵段的聚謎（聚鍵嵌 段）而言，可例示例舉為前述聚醯胺彈性體之聚醚（例如 聚四亞曱基二醇等聚C2_6烯烴二醇）等。 聚酯彈性體中相對於全鏈段，芳香族聚酯嵌段（硬鏈 段）之比例例如為25〜95重量。/。，較佳為30〜90重量％(例如 50〜85重量％)左右。 就聚醯胺系樹脂而言，可例示前述均聚醯胺（例如聚 醯胺11、聚醯胺12、聚醯胺610、聚醯胺612、聚醯胺1010 、聚醯胺1012等）、與薄臈狀封裝劑所含之共聚合聚醯胺 系樹脂種類相異的共聚合聚醯胺系樹脂（聚醯胺彈性體 等）等。聚醯胺系樹脂一般為共聚合聚醯胺以外的聚醯胺 系樹脂。 作為氟樹脂可例示如聚氟乙烯（PVF)、聚偏二氟乙烯 (PVDF)、聚三氟乙烯（PTrFE)、聚氯三氟乙烯、聚四氟乙 稀（PTFE)等單獨聚合物、乙烯-四氟乙烯共聚物（etfe) 、乙稀·氣三氟乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物 、四氟乙稀-全氟丙基乙稀基驗共聚物等。 此外’耐熱性樹脂可為疏水性高之樹脂，例如烯烴 系樹脂、苯乙烯系樹脂、氟樹脂等。 此等耐熱性樹脂可單獨或二種以上組合。此等耐熱 性樹脂當中較佳為聚酯系樹脂（芳香族聚酯等）、聚碳酸 -23- 201221550 T系樹月曰、聚醯胺系樹脂（芳香族聚醯胺等）、聚苯醚系 树月曰&苯硫系樹脂、聚醯亞胺系樹脂等。特別是廣用 選自聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、及氟樹脂的至少_種 作為对熱性樹脂。 財熱性樹脂之溶點或軟化點例如可為1 60。(：以上（例 如165〜25〇<t ) ’較佳為17〇t以上（例如175〜220°C左右） 。此外，熔點或軟化點係利用慣用方法，例如示差掃描 熱量分析儀（DSC)來測定。 财熱性樹脂之熱變形溫度可依據IS〇75_卜在高荷重 (1.82MPa)之條件下選自例如i6〇〇c以下之範圍，可為 40〜155C ’較佳為5〇~l5(rc左右。 就保護層之厚度（當形成有多層保護層時為各保護 層厚度之總和）而言’只要積層薄膜可沿表面之凹凸而緊 密地封裝裝置則未特別限定，例如可為1〜800μιη(例如 700μηι)，較佳為1〇〜6〇〇gm(例如2〇〜5〇〇μπι)，更佳為 3〇 400μιη(例如5〇〜3〇〇pm)左右。若保護層之厚度過小則 容易破裂’而使得作為保護層的功能降低。此外，當形 成有多層保護層時，各保護層之厚度例如可為1〜ΙΟΟμπι 較佳為5〜50μπι左右。 薄膜狀封裂劑與保護層之間、形成有多層的保護層 彼此之間可分別存在中間層（接著層）。接著層可包含慣 用之接著劑或黏著劑，例如氣乙烯系接著劑、乙酸乙烯 酯系接著劑、烯烴系接著劑、丙烯酸系接著劑、聚酯系 接著劑、胺基甲酸酯系接著劑、環氧系接著劑、橡膠系 接著劑等。 -24- 201221550 接著層之厚度並未特別阳 佳為5〜30μιη左右。 限制，例如可為1〜5〇μΐη，較 當以Α表示薄膜狀封梦 、幻、以8或Bn(n為整數i以上， 、B2、…Bn為第i、第2、 、，...第n號之保濩層）表示保護層 、以C表示接著層，並以 又予列（例如AB)將積層形態（例 如A與B之積層形態）簡化時 ^ u & a β ’作為具有一保護層的代表性 積層薄膜係可例舉AB、ACB等，就具有多層保護層的代 表性積層薄膜而言，則可例舉AB[(c)mBh(惟， ，Γ為整數工以上)等。此外，後者之積層薄膜中包含例如 ABlB2(m = 0，Γ = 1)等 3 層薄膜、ABiCB2(m=i，叫）、 ABlB2B3(m = 〇, r = 2)等4層薄膜等。又，形成各保護層^ 的耐熱性樹脂一般而言種類不同，可為選自例如聚骑系 樹脂、聚醯胺系樹脂、及氟樹脂的至少一種。以聚醯胺 系樹脂形成保護層時，聚醯胺系樹脂的末端胺基可提高 層間接著性、末端羧基其熱穩定性高，而能夠提升長期 穩定性（連續加工性）。 積層薄膜整體之厚度例如可為丨〇〜丨〇〇〇μιη，較佳為 30〜800μηι，更佳為50〜500μιη左右。 薄膜狀封裝劑與保護層（當具有多層保護層及/或接 著層時為各層厚度之總和）的厚度比可選自前者/後者 = 95/5〜5/95(例如90/10〜10/90)左右之範圍，例如可為 10/90〜90/10(例如 10/90〜80/20)，較佳為 15/85〜70/30(例 如 15/85〜60/40) ’ 更佳為 20/80-50/50(例如 20/80〜40/60) 左右。 積層薄膜與單層薄膜相比，可提高耐熱性、耐化學 -25- 201221550 藥品性。舉例而言，積層薄膜之熱變形溫度（最高 度）例如為160〜3〇〇。〇，較佳為17〇〜28〇。〇， 180〜250 C左右。又設單層薄膜之熱變形溫度為 ’積層薄膜之熱變形溫度例如為12〇。〇〜2〇〇它， 125°C〜18(TC，更佳為13(rc〜16〇t左右。此外，熱 度係指經1 5秒之熱處理，薄膜發生變形的最低溫 積層薄膜對有機成分（例如脂肪烴、芳香烴、 酮類等）及無機成分（例如鹽酸等無機酸）皆可提高 藥品性，特可提高對甲醇等醇類的耐化學藥品性 積層薄膜可利用慣用方法積層薄膜狀封裝劑 層來製備。且就積層方法而言，可例示慣用方法 積層法（熱積層、乾式積層等）、廣用之使用附有 流套管（feed block)的模具、多歧管型模具 manif0lddie)等進行共擠製之方法、塗布等。八 若採用薄膜狀封裝劑（或片狀封裝劑），則相 固性樹脂可縮短封裝、成形週期。又，若為射丨 特別疋低壓射出成形）、採用熱熔樹脂之成形時， 之關係乃受限於裝置或基板的大小；相對於僅可 J l〇x 10cm2左右的大小的裝置或基板薄膜狀封 在未受限於裝置的大小之下進行封裝，且與前述 )知用熱熔樹脂之成形不同的A，薄膜狀封裝 薄膜並成型’可達輕量、小型化。X，雖僅於 。仁仍此以间岔接性及封裝性來被覆裝置並將 更且’右使用薄膜狀封裝劑上積層有包含耐埶 之保護層的積層薄膜時，可防止伴隨加熱熔融： r使用溫 更佳為 100°c 時 較佳為 ;變形溫 度。 醇類、 耐化學 〇 與保護 ，例如 進料分 (multi- 較於熱 ϋ成形（ 與模具 封裝至 裝劑可 射出成 劑可形 特定部 其成型 性樹脂 生之薄 -26- 201221550 ==置Π提高褒置的密封性。因此，將其熱熔接 、電子裂置等並被覆裝置（或將其成型），對電子裝置即 可：水：防濕，並可保護其免於塵埃附著所致之汗染等 晉別^薄膜狀封I劑含共聚合聚醯㈣樹脂，雖為 _ 一仍了棱同對裝置之密接性，可賦予 :置：耐衝擊性及耐磨性，且能夠提高對裝置之保護效 此’本發明薄獏狀封裝劑可被覆或覆蓋裝置之兩 :份= 覆:覆:;…少其I面的既定 、 面’亦此以尚密接力來保護裝置。 置二'之方法中’經由以前述薄膜狀封裝劑覆蓋裝 = 的至少一部分之步驟(覆蓋步驟)、將薄膜 狀封裝劑加敎炫融夕斗 聚合聚酿胺;及冷卻步驟’即可製造以共 乐樹知破覆或成型的裝置。 機二==半的各種有 發太陽發:(τ件、 子零件或m黎 4 裝配有各種電 的電子愛&凡牛等零件之配線電路基板（印刷基板）等 電子零件（特別是精密電子零件或電子裝置等）。. 以薄=覆(或覆蓋)步驟巾，只要將裝置的至少-部分 4膜狀封裝劑（每#彳 覆)裝置整體，亦可HT)覆蓋即可，可覆蓋(或包 少i 蓋裝置的其中一面整面、裝置的至 、配^面的—部分或既定部分（電子零件之裝配區域 膜狀封ί域等）。右將裝置的其中一面（含震配部分）以薄 面狀封襄劑覆蓋並加熱溶融，便可將裝置的其十一面整 以共聚合聚醢胺系樹脂緊密地被覆或成型，而能夠有 -27- 201221550 效地保護裝置。又可使薄犋加熱軟化而覆蓋裝置；還可 將裝置以薄膜狀封裝劑（例如加熱軟化之薄膜狀封裝 覆蓋後，在減壓下排出震置與薄膜之間的氣體來使盆密 接。 八 加熱步驟中，可依據裝置的耐熱性將封裝劑加轨、 熔融而將前述共聚合聚酿㈣樹脂溶接於裝置上。加、轨 溫度可依據共聚合聚酿胺系樹脂之熔點、軟化點而例如 為75〜200C，較佳為8Π〜工 。敉佳為80〜uoc，更佳為100〜175〇c(例如 110〜150。〇左右。尚且’積層薄膜其加熱溫度係為丘聚 合聚醯胺系樹脂之熔點以上(例如熔點+代以上，較佳 為熔點以上）’纟以形成保護層之对熱性樹脂之溶 點+ 1 0 C以下（例如、2¾赴~L_ ^ cy^ (例如熔點+ 5 C以下，較佳為低於熔點）為佳 。又’加熱溫度—般為形成保護層之耐熱性樹脂的玻璃 轉移溫度以上(較佳為熱變形溫度以上）。加熱可於空氣 中、鈍軋環境中進行。加熱可於烘箱 亦:利用超音波加熱、高頻加熱（電磁感應加 熔融步驟可於常壓、加壓下或減壓條件下進行。此外， 當使用熱收縮性薄膜作為封裝劑時，係可於緊密地捆紫 裝置整體的狀態下予以熔接而緊密地封裝之。 、 更且，需要時可重複進行前述被覆（或覆蓋）步驟與 加熱步驟。如上述，可於裝置的其中一面(例如上面)形 成共聚合聚醯胺系樹脂被膜後，將裝置的另一面（例如底 面）以薄膜狀封裝劑覆蓋並進行加熱熔接，而將兩面（亦 含裝置之端面）以共聚合聚醯胺系樹脂被膜成型並封裳 °此外’於裝置的其中—面應用本發明薄膜狀封裝劑時 -28- 201221550 ’裝置的另一面可由其他樹脂’例如聚烯烴系樹脂、聚 乙烯二丁氧基甲烷系樹脂、含氟樹脂等吸水性低之樹脂 :芳香族環氧樹脂、芳香族聚酯、聚醯亞胺等耐熱性高 之樹脂等封裝。此等其他樹脂之形態可為液狀、粉粒狀 '薄膜狀等。 冷卻步驟中’可將經熔接之共聚合聚醯胺系樹脂自 然冷卻、階段性或連續冷卻、驟冷。 經由如此步驟便可製得以薄膜狀封裝劑經熱熔接而 形成的共聚合聚醯胺系樹脂被膜將其至少一部分被覆或 成型的裝置。裝置之成型部位一般多為易損傷之部位， 例如裝配有電子元件之部位、配線部位。 本發明中係能以較低溫來熔接薄膜狀封裝劑，因此 對裝置造成熱損傷較少，而能夠提高裝置之可信度。又 與射出成形等不同的是其未對裝置作用高壓力，不會 :壓力而損傷裝置。因此，能以高可信度將裝置成型及 十裝又可於短時間内加熱、冷卻，從而能夠大幅提高 成型或封裝裝置的生產性。 [實施例] 乂下基於貫施例對本發明更詳細地進行說明，惟本 :明並非由此等實施例所限定。此外，實施例中的各評 定項目的評定方法如下： [密封性] 有、，別依以下基準評定平坦基板面上的密封性、及具 、’一基板面垂直立起之側面（高度2mm或i〇mm)的凸 部的密封性。 •29- 201221550 5 :完全被覆 4 :大致完全被覆，惟可見一部分空氣進入 3 : —半浮起 2 :與一部分被塗物接著，然大部分浮起 1 :塗膜完全浮起。 [剝離試驗] 利用形成有實施例及比較例之薄膜的玻璃環氧製基 板，透過棋盤式切割剝離試驗（cross cut adhesion test) 來評定接著性。 [耐水試驗] 將形成有實施例及比較例之薄膜的玻璃環氧製基板 浸潰於2 3 °C的’I·亙溫槽1 〇 〇小時後’透過棋盤式切割剝離試 驗來評定耐水性。 [水蒸氣穿透度] 針對實施例及比較例之薄膜’依據日本工業規格 Z0208之圓筒平板法來測定水蒸氣穿透度（40°C、90%RH ’換算成厚度1mm)。 [耐化學藥品性] 对化學藥品性係於實施例及參考例之薄棋的上面塗 布各藥品並放置1小時後，進行棋盤式切割剝離試驗，以 其接著強度來評定。又，藉由目測依以下基準來評定塗 膜之狀態。 〇：無變化 △:經確認一部分變化 X :經確認明顯變化 -30- 201221550 [耐熱性] 耐熱性係將實施例及參考例之薄膜置入各種溫度的 烘箱中1 5秒，以塗膜產生變形的溫度（最高使用溫度）來 評定。 (1)單層薄膜 [實施例1] 將包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1 038pl，含有 C10-14伸烷基，熔點125°C(DSC)，EVONIK公司製）的薄膜 (厚度ΙΟΟμπι，大小200mmx200mm)置於玻璃環氧樹脂製 電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度1 70°C的氣體環境 中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板。 [實施例2 ] 將包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1051，含有 Cm4伸烷基，熔點130°C (DSC)，EVONIK公司製）的薄膜 (厚度1 ΟΟμιη，大小200mmx200mm)置於玻璃環氧樹脂製 電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度170°C的氣體環境 中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板。 [實施例3] 將包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1333pl，含有 C10」4伸烷基，熔點105°C (DSC)，EVONIK公司製）的薄膜 (厚度1 ΟΟμιη，大小200mmx200mm)置於玻璃環氧樹脂製 電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度170°C的氣體環境 中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板。 [實施例4] 將包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT 46 80,含有C10_14 -31- 201221550 伸烷基，熔點l〇5°C(DSC)，EVONIK公司製）的薄膜（厚度 ΙΟΟμιη，大小200mmx200mm)置於玻璃環氧樹脂製電子基 板（20Ommx20Omm)上，並於溫度170°C的氣體環境中加熱 ，即製得以透明樹脂塗布之基板。 [實施例5] 將包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X7079，含有 C10_14伸烷基，熔點130°C (DSC)，EVONIK公司製）的薄膜 (厚度1 ΟΟμιη，大小200mmx200mm)置於玻璃環氧樹脂製 電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度170°C的氣體環境 中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板。 [實施例6 ] 將包含經雙軸擠製機複合化之Zl〇38/Z2131 = l/l的 共聚合聚醯胺（DAIAMID Z1117，含有C1()-14伸烷基，炫 點 130°C(DSC)，Daicel-Evonik公司製）的薄膜（厚度 1〇〇μιη ’大小200mm X 200mm)置於玻璃環氧樹脂製電子基板 (20〇11111(1父20〇111111)上’並於溫度17〇°(：的氣體環境中加熱， 即製得以透明樹脂塗布之基板。 [實施例7 ] 將安裝有電子零件（高20mm)的玻璃環氧樹脂製電子 基板（200mmx200mm)以170°C加熱2分鐘後，於其上載置 共聚合聚醯胺（VESTAMELT XI 038pl，含有Ci() 14伸炫> 基 ’熔點125°C(DSC)，EVONIK公司製）薄膜，並於溫度i7〇〇c 的氣體環境中加熱2分鐘，即製得包含電子零件並以透明 樹脂塗布之安裝基板。 [比較例1 ] -32- 201221550 將包含聚醯胺 12(DAIAMID L1840，熔點 178°C(DSC) ，Daicel-Evonik公司製）的薄膜（厚度ΙΟΟμηι，大小200mm x20 0mm)置於玻璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm) 上，並於溫度220°C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹 脂塗布之基板。 [比較例2] 將包含聚乙烯（Novatec HD，熔點，三菱 化學（股）製）的薄膜（厚度ΙΟΟμηι，大小200mmx200mm)置 於玻璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫 度1 6 0 °C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基 板。 [比較例3 ] 將包含聚酯彈性體（Hytrel 5557，熔點208°C (DSC)， DuPont-Toray公司製）的薄膜（厚度100μπι，大小200mmx 200mm)置於玻璃環氧樹脂製電子基板（2〇〇mm X 20 0mm) 上’並於溫度2 3 0 °C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹 脂塗布之基板。 [比較例4] 將安裝有電子零件（高20mm)的玻璃環氧樹脂製電子 基板（200mmx200mm)以170°C加熱2分鐘後，於其上載置 聚酿胺 12(DAIAMID L1840 ，溶點 178°C(DSC)，
Daicel-Evonik公司製）薄膜，並於溫度22(rc的氣體環境 中加熱2分鐘’惟無法形成均勻的塗布膜。 對於實施例及比較例之封裝劑評定密封性、剝離性 及耐水性。結果係示於表1 ^此外，表中剝離試驗及耐水 -33- 201221550 試驗中的各數値係表示棋盤式切割剝離試驗中，1 〇〇個棋 盤網格當中發生剝離的棋盤網格數。 [表1] 實施例 比較例 1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 平坦 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 1 凸部2mm 5 5 5 5 5 5 5 3 2 4 1 凸部10mm 5 5 5 5 5 5 5 1 1 1 1 剝離試驗 0 0 0 1 2 0 0 100 100 98 - 耐水試驗 0 0 0 1 2 0 0 100 100 100 - 水蒸氣穿透度 (g/m2/天） 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 2.2 - - 由表1可明瞭’相較於比較例，實施例中，於平坦部 及凸部顯示高密封性，密接性及耐水性優良’且水蒸氣 阻隔性亦優異。 (2)積層薄膜 [實施例8 ] 將積層薄膜（大小2〇〇mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度 1 7 0 °C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板 ;其中該積層薄膜在包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X 1 03 8 ’ 含有 C1(K14伸烷基，熔點 125°C(DSC)，EVONIK 公司製）的第一層（厚度1〇〇 μιτ1)的其中一面上積層有包含 聚醯胺 12(DAIAMID L1940 ，熔點 178t：(DSC)， 〇&卜61-丑乂〇1^1<:公司製）的第二層（厚度2 0(^111)。 [實施例9] 將積層薄膜（大小200mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度 -34- 201221550
1 7 0 °C的氣體環境中加熱’即製得以透明樹脂塗布之基板 ;其中該積層薄膜在包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1051，含有 C丨〇_14伸烧基，熔點 i3〇°c(DSC)，EVONIK 公司製）的第一層（厚度100 μιη)的其中一面上積層有包含 聚醯胺 12(DAIAMID L1940)的第二層（厚度2〇〇μιη)。 [實施例10]
將積層薄膜（大小200mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度 17 0 °C的氣體環境中加熱’即製得以透明樹脂塗布之基板 :其中該積層薄膜在包含共聚合聚醞胺（VESTAMELT
X1331，含有 C丨〇_14伸烷基，熔點 i〇5°c(DSC)，EVONIK 公司製）的第一層（厚度1 00 μιη)的其中一面上積層有包含 聚酿胺 12(DAIAMID L1940)的第二層（厚度 200μιη)。 [實施例1 1 ] 將積層薄膜（大小200mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度 12 1 0 °C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基 板；其中該積層薄膜在包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1051)的第一層（厚度ι〇〇μπι)的其申一面上積層有包含
聚醯胺 610(VESTAMID Tera DS16 ’ 熔點 225°C，EVONIK 公司製）的第二層（厚度200μιη)。 [實施例12] 將積層薄膜（大小200mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度 20 0°C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板 -35- 201221550 :其中該積層薄膜在包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1051)的第一層（厚度ι〇〇μη1)的其中一面上積層有包含 聚醯胺 612(DAIAMID D1840，熔點 215°C(DSC)，Daicel-Evonik公司製）的第二層（厚度2〇〇μιη)。 [實施例13] 將積層薄膜（大小200mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度 175 °C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板 :其中該積層薄膜在包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1051)的第一層（厚度ΙΟΟμιη)的其中一面上積層有包含 聚醯胺彈性體（DAIAMID Χ4442，含酯鍵，熔點 175°C(DSC) ’ Daicel-Evonik 公司製）的第二層（厚度 200μπι) ° [實施例14] 將積層薄膜（大小200mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度 1 65°C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板 ;其中該積層薄膜在包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1051)的第一層（厚度ΙΟΟμηι)的其中一面上積層有包含 聚醯胺彈性體（VESTAMID BS0910，不含醋鍵，熔點 166°C(DSC) ’ EVONIK公司製）的第二層（厚度 200μιη)。 [實施例15] 將積層薄膜（大小200mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度 1 70°C的氣體環境中加熱’即製得以透明樹脂塗布之基板 -36- 201221550 :其中該積層薄膜在包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1038)的第一層（厚度ΙΟΟμπι)的其中一面上積層有包含 ETFE(EP7〇〇〇 ’乙烯-四氟乙烯共聚物，Daikin公司製）的 第二層（厚度200μιηρ [實施例16] 將積層薄膜（大小200mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mm><200mm)上，並於溫度 1 70°C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板 ;其中該積層薄膜在包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X1038)的第一層（厚度ΙΟΟμπι)的其中一面上積層有包含 熱塑性聚酯彈性體（Hytrel 5557，熔點208°C(DSC)， DuPont-Toray公司製）的第二層（厚度2〇〇μηι)。 [實施例17] 將積層薄膜（大小200mmx200mm)的第一層側置於玻 璃環氧樹脂製電子基板（200mmx200mm)上，並於溫度 1 7 0 °C的氣體環境中加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板 ;其中該積層薄膜在包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT X103 8)的第一層（厚度1〇〇 μιη)的其中一面上，隔著包含熱 塑性聚酯彈性體（Hytrel 555 7)的第二層積層有包含 ETFE(EP7000)的第三層（厚度 i〇〇pm)。 [參考例1 ] 將包含共聚合聚醯胺（VESTAMELT Χ1038)的薄膜（ 厚度300μπι，大小200mmx200mm)置於玻璃環氧樹脂製電 子基板（200 mmx2 00 mm)上，並於溫度170。(：的氣體環境中 加熱’即製得以透明樹脂塗布之基板。 -37- 201221550 [參考例2] 將包含共聚合聚醢胺（VESTAMELT X1051)的薄膜（ 厚度300μηι，大小200mmx200mm)置於玻璃環氧樹脂製電 子基板（200mmx200mm)上，並於溫度170°C的氣體環境中 加熱，即製得以透明樹脂塗布之基板。 -38- 201221550 參考例 (N »〇 〇 Ο 1—^ ο τ·*·^ Ο ι—Η in X 〇 < 〇 〇 X 150°C in in o Ο ΙΟ ON ο Ο ο X 〇 < 〇 〇 X 150°C 實施例 卜 m o o T—< ο Ο ο Ο ο ι—Η 100 Ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 190°C tn o r~H ο Η ο »—Η Ο Η Ο Ο 〇 〇 〇 〇 〇 < 210°C in o »-H Ο ο τ—Η ο Η Ο »-Η ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 240〇C 寸 *r> i〇 in o ο Η ο ο τ-Η Ο ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 190°C m IT) o ο 1-Η Ο τ—Η Ο r—Η ο Ο 〇 〇 〇 〇 〇 < 200°C <N in »r> o p ·Η Ο ι—Η Ο ^-Η Ο ο 1—Η ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 210°C in o t—H Ο Ο τ·Η Ο Ο Ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 230〇C ο in o ，< Ο ι—Η Ο ^-Η Ο Ο τ—Η ο τ·»Η 〇 〇 〇 〇 〇 〇 235〇C σ\ 们 in in o r-H Ο τ-Η Ο Ο Ο 1—Η Ο ^—Η 〇 〇 〇 〇 〇 〇 200°C οο in »n o t—H Ο ο ϊ—Η Ο ί—Η Ο τ* Ή Ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 200°C 平坦 凸部2mm 凸部10mm 曱醇 甲苯 丙酮 己烷 異辛烷 10%鹽酸 甲醇 曱苯 丙酮 己烧 異辛烷 10%鹽酸 财熱性 密封性 棋盤分割剝離 塗膜狀態 201221550 由表2可明瞭，實施例之積層薄膜相較於參考例之單 層薄膜，对純優異，且最高使用溫度得以提升至 〇 90 C。λ，實施例之積層薄膜相較於t考例之單層薄 膜’耐化學藥品性(例如耐曱醇性、耐丙酮性、耐1〇%鹽 酸性，特別是耐甲醇性）亦得以提升。 [產業上之可利用性] ^發明係有用於將半導體元件、以件 '太陽電池 子元件或電子零件、裝配有各種電子零件或電 牛之印刷基板等在低〉下士、别 【圖式簡單說明】 或封裝。 無。 【主要元件符號說明】 無。 -40-