TW201218898A - Wiring substrate manufacturing method - Google Patents

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201218898 六、發明說明： [相關申請案之對照參考資料] 本申請案主張2010年8月25曰所提出之曰本專利 申請案第2010-1 88464號之優先權，在此以提及方式併 入該日本專利申請案之整個揭露。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種配線基板製造方法。 【先前技術】 近年來，製造業者已渴望生產一種使用一配線基板 之半導體封裝體（在此亦稱為一配線基板組合件），其中 分別在一核心層之至少一主表面上交替地疊合一導體層 及一樹脂絕緣層成為至少一層（亦即，一組合該交替疊合 導體層及樹脂絕緣層之疊合層），以及然後，在其最外表 面上形成一防焊阻劑層，亦即，一所謂樹脂製配線基板 。接著，在其上安裝一半導體裝置。 該半導體裝置經由在該配線基板之一主表面上的一 半導體裝置安裝部中的墊上所形成之個別焊料凸塊 (solder bumps)電連接至該配線基板。相較下，在該配線 基板之背面側上形成電連接至一基座基板或插入插槽而 電連接用之外部端子。在此，依據該等外部端子之封農 模式，將配線基板分類成球形柵格陣列（BOA)、針形桃 格陣列（PGA)等。 藉由將針腳插入在該配線基板組合件之一防焊阻劑 層中所形成之個別開口部中，以及接著，使該等針腳分 別電連接至從開口部所暴露之最外導體層，可獲得— pGA型配線基板。 -4- 201218898 藉由如需要的話，對從該配線基板組合件之該防焊 阻劑層令所形成之開口部暴露的最外導體層之部分實施 一助炫製程（fluxing process)，以移除氧化膜，然後安裝 焊料球於該導體層之個別暴露部分上，以及接著對該等 焊料球實施一回流焊接製程（reflow soldering process)， 可獲得一 BGA型配線基板。 然而，在該BGA型配線基板之情況中，當將該等焊 料球直接安裝在該導體層之部分上時，無法藉由回流焊 接製程來改善該等焊料球對該導體層之部分的附著，以 及因此’該等焊料球分別脫離（亦即，移出）它們的原始 安裝位置。例如’在一些情況中，無法充分維持該配線 基板與該基座基板間之電性及機械連接。 為了處理這樣的問題’已提出一種方法，其中如需 要的法’對從該配線基板組合件上之該防焊阻劑層中所 形成之開口部暴露之該導體層的部分實施該助熔製程， 以及然後，在該導體層之部分上印刷一預定焊料膏。接 著藉由回流該焊料膏’形成位於該等焊料球下方之一 了·層的個別部分。然後，在該下層之個別部分上安裝該 等焊料球，以及接著，藉由實施該回流焊接製程，使該 等焊料球連接至它們（見JP-A-2006-173 143官·方公報 ^ ' ’使S玄等焊料球經由該下層之部分連接5 4 導體層之個別邱八 哀 〈個別部分，以及因此，可改善該等焊料 導體層之部八Μ ω # Τ ^ 刀的附考，而不是使該等焊料球直接與哕 體層之部分相互連接的情況。 違導 201218898 然而’藉由該回流焊接製程使該焊料膏形成像一半 球形狀°因此’減少由這樣的焊料膏所形成之下層與其 上所安裝之焊料球間之接觸面積，而無法充分維持或改 善它們之間的附著。結果，像上述，在一些情況中，該 等焊料球脫離（亦即’移出）它們的原始安裝位置，以及 因此’無法充分維持該配線基板與該基座基板間之電性 及機械連接。 當減少該開口部之深度及/或增加該下層之厚度（特 別是在中心部分之厚度）時，增加從該開口部暴露該焊料 球之程度。因此’增加在橫向上對該焊料球所作用之剪 力因此/、有下面之傾向：當減少該開口部之深度及/ 或增加該下層之厚度時，上述現象變得更明顯。 在此it況下當藉由一預定平坦化機器加壓由一半 球狀焊料膏所形成之# a 之或下層時’可使這樣的下層有某種 程度之平坦化’然而， 而要複雜且額外的製程（亦即，該 平坦化機器之使用）。m . . ^ η^因此，會有這樣的問題：該製造方 法之總製程變得複雜 卩。冰# & # « 雖。即使當使該下層平坦及增加該整

個下層之厚度時，牿a木外卩q A 研別疋當該開口部之深度小時，該焊 料球與該下層間之附基θ x奶认 町考疋不夠的’以及因此，該等焊料 球脫離（亦即，移ψ、& ,於 ° 出）匕們的原始安裝位置。結果，無法 充分維持及無法充公& — μ & w ^ 乃改善s玄配線基板與該基座基板間之 電性及機械連接。 【發明内容】 本發月t目的提供一種新的配線基板製造方法， 其能在-所謂BGa型配線基板中改善―導體層與焊料 201218898 球間之附著，在該配線基板中之一核心層的至少一主表 面上分別交替地疊合一導體層及一樹脂絕緣層成為至少 一層（亦即，一組合該交替疊合之導體層及樹脂絕緣層之 疊合層），以及然後，在其最外表面上形成一防焊阻劑層 0 為了達成上述目的，本發明係有關於一種配線基板 製造方法，該方法包括： 製備一配線基板，該配線基板包括：一核心層，其 具有一主表面；一樹脂絕緣層及一導體層，其在該核心 層之該主表面上交替地疊合成至少一疊合層；一防焊阻 劑層，其包括開口部且形成於該至少一疊合層之一最外 表面上，以致於從該等開口部暴露一最外導體層之個別 部分； 藉由一鍍敷製程形成一含錫（Sn)之下層於該最外導 體層之個別部分上；以及 藉由一加熱處理熔解該含錫之下層，然後直接安裝 焊料球於該熔解的含錫之下層之個別部分上，以及接著 連接該等浑料球至該含錫之下層之個別部分。 依據本發明，藉由鍍敷，在從該防焊阻劑層中所形 成之開口暴露之該導體層（具體的是從該配線基板中之 該等開口部暴露之該導體層的部分）上，不是形成該傳統 焊料膏而是形成該含錫之下層，在該配線基板中之該核 心基板的至少一主表面上分別交替地疊合該導體層及該 樹脂絕緣層成為至少一層，以及然後，在最外表面上形 成該防焊阻劑層。因此，該下層之形狀係扁平的，以及 201218898 該下層包 加熱炼解 可使該等 另外 形成條件 即使當在 況中將該 小時，可 充分地使 ，可進一 結果 可以良好 機械連接 含做為 這樣的 焊料球 ，藉由 ’可調 維持該 防焊阻 充分地 從該開 步減少 ，該等 狀態保 该焊料之主要成分的錫。 下層及然後在其上安裝該 牢固地連接至該下層。 控制對該下層所施加之像 整該下層之厚度至—期望 下層之厚度以提高該焊料 劑層中所形成之該開口部 保持該下層有小的厚度， 口部暴露該焊料球之程度 在橫向上對該焊料球所作 焊料球絕不會脫離原始安 持該配線基板與該基座基 於是，當藉 等焊料球時 形成時間等 位準。於是 球之附著的 的深度設定 以及因此， 係小的。因 用之剪力。 裝位置，以 板間之電性 由 在本發明之—範例中，最好是，對應於該開口部 深度（亦即，到達該最外導體層之深度）的該防焊阻劑 之厚度應该设定成10μπι至4〇μη^在此情況下，可更 效地達成本發明之優點，亦即，可防止該等焊料球自 始安裝位置之移位’以及並且，可以良好狀況保持該 線基板與該基座基板間之電性及機械連接。 在本發明之一範例中，最好是，該含錫之下層之 度應该設疋在1 μηι至5 μιη之範圍内。在此情況下，即 當在非常充分保持對該焊料球之附著的情況中，如上 述’該開口部之深度設定至1〇μιη至4〇μιη時，可充分 減少從該開口部暴露該焊料球之程度，以及可減少在 向上對該焊料球所作用之剪力。於是，可更有效地達 的 9 情 成 可 此 及 及 之 層 有 原 配 厚 使 所 地 橫 成 本發 位， 之電 0.1 Ί 當該 該下 接觸 況下 述晶 能在 球間 至少 至少 〇 【實 示範 示範 只是 疊成 表面 201218898 月之優點·可防止該等焊料球自原始安裝位 以及可以良好狀況保持該配線基板與該基座 性及機械連接。 另外在本發明之一範例中，最好是，該下 f量百分比i 1質量百分比的數量之銀(Ag)。 下層只由錫所形成時，在-些情況中，會隨 層產生晶鬚（whisker)，以及此晶鬚與該基座 及在與該配線基板電接觸時產生不良影響。 ，當該下層包含如上所述之微量的銀時，可 鬚的產生。於是，可抑制上述不良電性影響 如上所述’依據本發明，該新的配線基板製 該所謂B A G型配線基板中改善該導體層與 之附著，其中·在該BAG型配線基板中之該核 一主表面上分別堆疊該導體層及該樹脂絕緣 一疊合層’以及在該最外表面上形成該防焊 將參考下面圖式來描述本發明之說明性態樣 施方式】 性配線基板 以下，將參考圖式來說明本發明之一實施例 首先，下文將說明要藉由本發明之方法所製 性配線基板之配置。在此，下文所示之該配 為了說明而提供。該示範性配線基板包括： 一層之至少一導體層及—樹脂絕緣層；一在 上所形成之防焊阻劑層；從該防焊阻劑層中 置之移 基板間 層包含 例如， 時間從 基板等 在此情 抑制上 〇 造方法 該焊料 心層的 層成為 阻劑層 造之一 線基板 分別堆 一最外 所形成 201218898 之開口 之製造 的個別 第 別平面 態，以 線基板 圖所示 第4圖 基板時 係以放 開口部 4暴露之一最外導體層的部 ，以及根據本發明 方法的特徵，在從該等開口 - 丨所暴露之該導體居 部分上形成之一含錫（Sn) 7 ^卜層及焊料球。 1圖及第2圖係依據本實施 固铱 之配線基板的個 圖。第1圖顯示當從上側觀砉 a 〇 規耆時之配線基板的狀 及弟2圖顯示當從下側觀看 τ <弟1圖所不之配 的狀心。第3圖係顯示在沿著線ΚΙ切割第】及2 之配線基板時之放大形式的剖面之一部分的圖。 係顯示在沿著線Π_Π切割第】及2圖所示之配線 之放大形式的剖面之一部分的圖。另外第5圖 大形式顯示第3圖及第4圖所示之配線基板的一 1 8a及其鄰域（附近）的圖，該開口部丨8a係形成 於下側之一防焊阻劑層1 8中。在此，在第5圖中，顛倒 顯示此開口部及其鄰域（附近），以使本發明之特徵清楚 在第1至4圖所示之配線基板1中，藉由鍛銅（cu) 在一板狀核心2之兩個表面上分別形成核心導體層M丄 、Ml 1(以下，亦簡單分別稱為一導體層），使該等核心導 體層Ml、Mil之每一者成形為一預定圖案，以構成一金 屬配線7 a。此板狀核心2係由一耐熱樹脂板（例如，一雙 馬來醯亞胺三钟（13丨81111116丨111丨06-1；1432丨116)樹脂板）、一纖維 強化樹脂板（例如，一玻璃纖維強化環氧樹脂）等所構成 。使這些核心導體層Ml、Ml 1分別形成為一覆蓋該板狀 核心2之大部分表面的表面導體圖案，以及用以做為— 電源層或一接地層。 -10- 201218898 同時，在該板狀核心2中形成以一鑽頭鑽出之通孔 1 2 ’以及在該等通孔i 2之内壁表面上分別形成一使該等 核心導體層Ml、Ml 1相互導電之通孔導體3〇。 脂填孔材料3 1 (例如，環氧樹脂等）填充該等通孔12。 在该等核心導體層Ml、M11之上層上分別形成第 中介層（即’增層、絕緣層、或樹脂絕緣層）V 1、V 1 1，每 一中介層係由一熱固性樹脂複合材料6所形成。藉由今 鍍銅在該等第一中介層VI、VII之表面上分別形成第二 導體層M2、M12’使該等第一導體層M2、M12之每— 者成形為一預定圖案’以構成一金屬配線7b。在此，M 由介層34在該等核心導體層Ml 'Mil與該等一導體層 M2、Μ 1 2間分別提供一層間連接。同樣地，在該等第— 導體層M2、Μ12之上層上分別形成第二中介層（即，增 層、絕緣層、或樹脂絕緣層）V2、V 1 2，每一中介層係由 該熱固性樹脂複合材料6所形成。 在該等第二中介層V2、V12上分別形成具有金屬端 子墊10' 17之第二導體層M3、M13。藉由介層34在該 等第一導體層M2、M12與該等第二導體層M3、M13間 提供一層間連接。該等介層34包括介層孔34h、介層導 體34s(每一者被提供於該介層孔34h之内周圍表面上） 、介層墊34p(每一者被提供用以連接至該介層導體34s 之底表面側）、及介層地帶341(每一者在該介層塾3 4p之 相對側上從該介層孔3 4 h之開口周圍向外突出）。 如上所述，在該板狀核心2之一第一主表面MP 1上 依序堆疊該核心導體層Ml、該第一中介層VI、該第一 -11- 201218898 導體層M2、該第二中介層V2、及該第二導體層M3(亦 即，一最外導體層），以構成一第一配線堆疊部L 1 (亦即 ’一疊合層）。在該板狀核心2之一第二主表面MP2上 依序堆疊該核心導體層Mil、該第一中介層vil、該第 一導體層M12、該第二中介層V12、及該第二導體層m13( 亦即’ 一最外導體層），以構成一第二配線堆疊部L2(亦 即，一疊合層）。然後，在一第一主表面CP1上形成複數 個金屬端子墊1〇’以及在一第二主表面CP2上形成複數 個金屬端子墊17。 在此’該等金屬端子塾10用以做為一半導體裝置（ 未顯示）經由稍後形成之焊料凸塊所要覆晶連接之塾（FC 墊）’以及分別構成一半導體裝置安裝區域。如第1圖所 示’使該等金屬端子墊10形成於該配線基板1之一幾乎 中心部分中，以及排列成像一矩形形狀。 利用該等金屬端子墊17做為用以連接該配線基板！ 至一母板之背面地帶（LGA墊）。使該等金屬端子墊1 7形 成於該配線基板1之除了大致中心區域之外的外周圍區 域中，以及排列成像一矩形形狀，以包圍該大致中心區 域。 另外’在該第一主表面CP1上形成一具有開口部8a 之防焊阻劑層8，以及然後，在從該等開口部8a所暴露 之金屬端子墊10上分別形成一藉由無電解錄敷法所形 成之含錫之下層10a。在該下層l〇a之個別部分上形成藉 由印刷一焊料膏及然後對該焊料膏實施一回流焊接（亦 即’回流焊接製程）所獲得之焊料凸塊1 i。 -12- 201218898 在该第一主表.面CP2上形成一具有開口部1 8a之防焊 阻劑層18，然後，在從該等開口部l8a所暴露之金屬端 子塾17上分別形成一含錫之下層i7a，以及接著，在該 等下層17a之個別部分上形成（或安裝）焊料球μ，以便這 些焊料球1 9連接至下層1 7a之個別部分（見第5圖）。 在此’該焊料球19可由例如錫-鉛（Sn_pb)、錫·銀 (Sn-Ag)、錫-銀-銅（Sn-Ag-Cu)等所形成。它的尺寸（直徑 )可設定在例如300μιη至1300μηι之範圍内。 在本實施例之配線基板1中’藉由鍍敷，在從該等 開口部18a所暴露之金屬端子墊17上不是形成傳統焊料 膏’而是形成該含錫之下層17a。可藉由鍍敷法（例如， 電解鍍敷法、無電解鍍敷法等）簡單地形成該下層1 7a。 因此’如第5圖所示，它的形狀係扁平的，以及它亦包 含錫做為主要成分。於是’在本實施例之配線基板1中 ’當藉由加熱熔解該下層17a及然後在該下層17a之個 別部分上安裝該等焊料球19時，可使該等焊料球19牢 固地連接至該等下層1 7a之個別部分。 另外’能藉由控制對該下層1 7a所實施之形成條件（ 例如’形成時間等）來調整該下層17a之厚度。於是，即 使當在維持該下層丨7a之厚度以提高對該焊料球之附著 的情況中將該防焊阻劑層1 8中所形成之開口部1 8 a的深 度（離該開口部1 8 a中之金屬端子墊1 7的距離）設定成小 時’仍可充分地保持該下層1 7a有小的厚度，以及因此 ’可充分地使從該開口部i 8a暴露該等焊料球1 9之程度 係小的。 -13- 201218898 因此’可減少在橫向上對該焊料球1 9所作用之剪力 。結果’如第5圖所示（藉由只有單—焊料球之範例）， 該等焊料球1 9絕不會脫離原始安裝位置，以及可以_好 狀態保持該配線基板丨與該基座基板（未顯示）間之^性 及機械連接^ 同時’如第6圖所示，當像習知技藝使用焊料膏 來取代該含錫之下層17a時，藉由該回流焊接製程形成 此焊料膏17b像半球狀。因而，減少該焊料膏i7b與其 上所安裝之該焊㈣19間之接觸面積，以及因此，^ 充分地改善它們之間的附著。特別地，當設㈣開口部 18a之深度成小的及/或增加該焊料膏m之厚度（特別是 中心部分之厚度）時’增加從該開口#⑻暴露該焊料球 19之程度，以及增加在橫向上對該焊料球19所作 囚此’如第6圖所示（同 球之範 法充分 電性及 設定成 發明之 i夂移 與該基 至 5 μπι 該焊料 列）’該等焊料球19脫離原始安裝位置，以及無 :保持該配線基板i與該基座基板（未顯示）間^ 機械連接。 在此，最好是，該開口部18a之深度d應該 倦_至4〇_。在此情況下’可更有效地達成本 :點，亦即，可防止該等焊料球19自原始安= 座=並且’可以良好狀況保持該配線基板1 主巷·扳間之電性及機械連接。 =是^ 17a之厚^該設定在 之範圍内。在此情況下’當在非常充分地保持對 -14- 201218898 球1 9之附著的情況中，如上所述，該開口部1 8 a之深度 d設定至ΐ0μιη至4〇μιη，可充分減少從該開口部暴露該 焊料球1 9之程度，以及可減少在橫向上對該焊料球1 9 所作用之剪力。於是，可更有效地達成本發明之優點： 可防止該等焊料球1 9自原始安裝位置之移位，以及可以 良好狀況保持該配線基板1與該基座基板間之電性及機 械連接。 另外’最好是’當假設該整個下層為丨〇〇質量百分 比時’該下層17a應該包含〇1質量百分比至1質量百 刀比的銀（Ag)。例如，當該下層〖7a只由錫所形成時， 在一些情況中，會隨著時間從該下層丨7a產生晶鬚 (whisker)，以及此晶鬚與該基座基板等接觸及在與該配 線基板1電接觸時產生不良影響。纟此情況下，當該下 曰7 & i 3如上所述之微量的銀時，可抑制上述晶鬚之 心生。於疋，可抑制上述不良電性影響。 在此情況下，隨著時間造成上述缺點，α及當然絕 曰k成上述缺點。因此，沒有經常排除1 〇〇%錫之下層 1 7 a的形成製程。 在此，根據第1至4圖可明顯易知，本實施例之配 線基板1顯示—板狀矩形形狀，以及它的尺寸可設定為 例如約 35mmx 約 35mm>^ lmm。 示範性配線基板製造方法 纟了面將說明帛1至4圖所示之示範性配線 =一示範性配線基板製造方法。第…7圖係顯示 在本實施例中之配線基板製造方法的製程之圖。在此， Ί5- 201218898 下文所逑之製程圖主要分別描述對當沿著線imi切割該 配線基板時之第4圖的對應剖面所實施之連續製程。 首先，如第7圖所示，製備一成形為板狀之耐熱樹 脂板（例如，一雙馬來醯亞胺三汫（bismuleimide 樹脂板）或一纖維強化樹脂板（例如，一破璃纖維強化環 氧樹脂）做為該核心2，以及以像鑽孔之方法鑽出該等通 孔12。然後，如第8圖所示，以圖案鍍敷形成該等核心 導體層Mi、M11及該等通孔導體3〇，以及在該等通孔 12中分別填充該樹脂填孔材料3 1。 然後’對該等核心導體層Μ 1、Μ 1 1實施粗化製程。 接著，如第9圖所示，藉由疊合該樹脂膜6來覆蓋該等 核心導體層Μ 1、Μ 1 1及然後硬化該膜，以獲得該等絕緣 層V 1、V 1 1。當場合需要時，該樹脂膜可以包含該等填 充物。 接著，如第1 0圖所示’藉由照射雷射光束至該等絕 緣層V 1、V 1 1 (中介層）之主表面’以分別形成該等介層 孔3 4h成一預定圖案。然後，對包含該等介層孔34h之 該等絕緣層V 1、V1 1實施粗化製程。在此，當在該等絕 緣層V 1、V 1 1包含該等填充物之情況中，如上所述，對 該等絕緣層V 1、V 1 1實施粗化製程時，造成該等填充物 之游離及該等填充物仍然留在該等絕緣層V 1、V 1 1上。 因此，藉由適當地實施水清洗來移除該等游離的填充物 〇 然後，實施除造製程（d e s m e a r p r 〇 c e s s)及外形触刻 (outline etching)，以清洗該等介層孔34h之内部。在此 -16- 201218898 ，在本實施例中，因為已實施該水清洗，所以可抑制在 該除渣製程中之水清洗的過程中所造成之該等填充物的 凝集（flocculation)。 在本實施例中’可以在上述使用高水壓之水清洗與 該除 >查製程間貫施吹氣（airblowing)。於是，縱使上述水 清洗沒有完全移除該等游離的填充物，仍能藉由該吹氣 補充該等填充物之移除。 然後’如第1 1圖所示，藉由圖案錄敷形成該等第一 導體層M2、M12及該等介層導體34s。如下藉由半加成 製程（semi-additive process)等形成該等第一導體層M2 等。首先，在該第二中介層V2、V12上形成例如一無電 解鍍銅膜’接著，在此無電解鍍銅膜上形成一阻劑，以 及然後，藉由對阻劑非形成區域實施電解鍍銅，以形成 邊第一導體層M2等。-在此情況下，可藉由使用K〇H等 剝除/移除該阻劑，以預定圖案形成該第一導體層M2等 〇 接著’對該等第一導體層M2、M12實施粗化製程。 j後，如第12圖所示，藉由疊合/硬化該樹脂膜6來覆 蓋該等第一導體層M2、M12,以獲得該等第二中介層 V2、vi2。當場合需要時，此樹脂膜如上述可包含該等 填充物。 然後，如第1 3圖所示，藉由照射雷射光束至該等絕 緣層V2、VI 2(中介層）之主表面，以一預定圖案形成該 等介層孔34h。接著，對包含該等介層孔34h之該等絕 、、象層V2、V 1 2貫施粗化製程。當在該等絕緣層V2、v i 2 -17- 201218898 包含該等填充物之情況中，如上所述’對該等絕緣層V2 、V 1 2實施粗化製程時，造成該等填充物之游離及該等 填充物仍然留在該等絕緣層V1、V1 1上。因此，像上述 ，適當地實施水清洗或吹氣。然後，對該等介層孔34h 實施除渣製程及輪廓蝕刻（外形蝕刻）’以清洗該等介層 孔34h之内部。 接著，如第14.圖所示’藉由圖案鍵敷形成該等第二 導體層M3、M13及該等介層導體34s。 然後，如第15圖所示，在該等第二導體層M3、M13 上分別形成等防焊阻劑層8及1 8 ’以掩埋該等介層孔34h 之内部。接著，如第16圖及第17圖所示，藉由對該等 防焊阻劑層8及1 8實施阻劑塗佈及曝光/顯影製程，以 形成該等開口部8a及18a。在此，第17圖係顯示對當沿 著該配線基板之線1_1切割該配線基板時之第3圖的對應 剖面所實施之製程的製程圖。 接著’在第1 7圖所示之組合件中，藉由例如像無電 解鍍敷、電解鍍敷等之鍍敷方法在從該等開口部1 8a所 暴露之金屬端子墊17及從該等開口部8a所暴露之金屬 端子墊10上分別形成該含錫之下層17a，接著，藉由實 施該回流焊接製程熔解這樣的下層17a，然後，當場合 需要時’實施供應助熔劑至該等含錫之下層之表面 的助溶製程’以及接著，使該等焊料球1 9直接安裝及連 接至該等金屬端子墊17上之熔解之該含錫之下層17a的 個別部分上。 經由上述步驟獲得第1至4圖所示之配線基板1。 -18 - 201218898 如需要的話，可對該等 處理。執行此電漿處理，以 阻劑層8、18，特別是它們 ’可在封裝製程中改善焊料 及因此，可改善該密封樹脂 例如應將一底部填充樹脂填 置間之窄空隙等時，這樣的 性之改善而在整個該配線基 上容易地散佈。結果，可輕 做到之該底部填充樹脂的注 以上述，詳細說明本發 本發明並非侷限於上述内容 改而不脫離本發明之範圍。 例如’在上述具體實例 配線基板1。但是，本發明 具有該核心基板2之配線基 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示在一實施 第2圖係顯示在該實施 第3圖係顯示在沿著線 線基板時之放大形式的剖面 第4圖係顯示在沿著線 配線基板時之放大形式的剖 防焊阻劑層8、1 8實施電漿 藉由電漿照射活化該等防焊 的表面。依據此處理’例如 對密封樹脂層之潤濕性’以 層之塗佈特性。特別地，當 入該配線基板與該半導體裝 底部填充樹脂因上述該潤濕 板（亦即，該等防焊阻劑層8) 易地執行很難在習知技藝中 入° 明’同時引用具體的實例。 ’以及可實施所有變更及修 中’說明具有該心基板2之 之製造方法當然可應用至不 板1。 例中之~配線基板的平面圖 例中之該配線基板的平面圖 I I切割第1及2圖所示之配 之一部分的圖； Π-ΙΙ切割第1及2圖所示之 面之—部分的圖； -19- 201218898 第5圖係以放大形式顯示第3圖及第4圖所示之配 線基板的一開口部1 8 a及其鄰域的圖，該開口部1 8 a係 形成於下側之一防焊阻劑層1 8中； 第6圖係以放大形式顯示第3圖及第4圖所示之配 線基板的該開口部1 8 a及其鄰域的圖，該開口部1 8 a係 形成於下側之該防焊阻劑層1 8中； 第7圖係顯示在該實施例中之一配線基板製造方法 的一製程之圖； 第8圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法 的一製程之圖； 第9圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方法 的一製程之圖； 第1 0圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方 法的一製程之圖； 第1 1圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方 法的一製程之圖； 第1 2圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方 法的一製程之圖； 第1 3圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方 法的一製程之圖； 第1 4圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方 法的一製程之圖； 第1 5圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方 法的一製程之圖； -20- 201218898 第1 6圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方 法的一製程之圖；以及 第1 7圖係顯示在該實施例中之該配線基板製造方 法的一製程之圖。 【主要元件符號說明】 1 配線基板 2 板狀核心 6 熱固性樹脂複合材料 7 a 金屬配線 7b 金屬配線 8 防焊阻劑層 8a 開口部 10 金屬端子墊 10a 含錫之下層 11 焊料凸塊 12 通孔 17 金屬端子墊 17a 含錫之下層 17b 焊料膏 18 防焊阻劑層 18a 開口部 19 焊料球 30 通孔導體 31 樹脂填孔材料 3 4 介層

S -21 - 201218898 34h 介 層 孔 341 介 層 地 帶 34p 介 層 墊 34s 介 層 導 體 CPI 第 一 主 表 面 CP2 第 二 主 表 面 d 深 度 LI 第 一 配 線 堆 疊 部 L2 第 二 配 線 堆 疊 部 Ml 核 心 導 體 層 M2 第 一 導 體 層 M3 第 二 導 體 層 Mil 核 心 導 體 層 M12 第 一 導 體 層 M13 第 二 導 體 層 MP1 第 一 主 表 面 MP2 第 二 主 表 面 VI 第 一 中 介 層 V2 ' 第 二 中 介 層 VI 1 第 一 中 介 層 V12 第 _ — 中 介 層 -22

Claims (1)

1. 201218898 七、申請專利範圍： 1 · 一種配線基板製造方法，該方法包括： 製備一配線基板，該配線基板包括：一核心層， 其具有一主表面；一樹脂絕緣層及一導體層，其在該 核心層之該主表面上交替地疊合成至少一疊合層；一 防焊阻劑層，其包括開口部且形成於該至少一疊合層 之一最外表面上，以致於從該等開口部暴露一最外導 體層之個別部分； 藉由一鍍敷製程形成一含錫（Sn)之下層於該最外 導體層之個別部分上；以及 藉由一加熱處理溶解該含錫之下層，然後直接安 裝焊料球於該熔解的含錫之下層之個別部分上，以及 接著連接該等焊料球至該含錫之下層之個別部分。 2 ·如申請專利範圍第1項之配線基板製造方法，其中對 應於該等開口部之深度的該防焊阻劑層之厚度係1 0 μηι 至 40μηι 〇 3 .如申請專利範圍第1項之配線基板製造方法，其中該 含錫之下層之厚度係1 μιη至5 μιη。 4.如申請專利範圍第1項之配線基板製造方法，其中該 含錫下層包含0.1至1質量百分比之份量的銀（Ag)。 -23-