TW201214607A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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TW201214607A
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TW
Taiwan
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lid
cover
chamber
substrate
processing apparatus
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TW100121409A
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Inventor
Yositugu Tanaka
Kazunari Hatori
Toshihiro Kasahara
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Description

201214607 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在真空搬運室連接多數用以對基板進行 處理之處理室的基板處理裝置。 【先前技術】 就以對平面顯示裝置(FPD : Flat Panel Display )所 使用之玻璃基板或形成半導體裝置之半導體基板(半導體 晶圓)等之被處理體,進行蝕刻處理、灰化處理、CVD ( Chemical Vapor Deposition)等之成膜處理的基板處理裝 置,所知的有在共通之真空搬運室連接多數台處理室的所 謂多腔室方式之基板處理裝置。 該處理室係藉由在內部收納基板並且上方側爲開口之 容器本體,和氣密地封閉該容器本體之開口部的蓋體所構 成,於進行處理室之內部或被設置在蓋體之氣體噴嘴頭之 維修時等,蓋體從容器本體拆下。 如此一來,以對容器本體開關(拆裝)蓋體而言,所 知的有如專利文獻1所記載般,使蓋體從容器本體上升而 在該容器本體之側方側滑動,並且在每處理室設置有在該 側方側使蓋體反轉之開關機構的技術。 但是,爲了在每處理室設置開關機構,因在各每處理 室除了開關機構外也必須確保滑動之空間,故裝置之覆蓋 區(設置面積)變大。尤其,因FPD基板爲數m平方左右 之大小,故即使針對使處理室之蓋體滑動之空間,必須要 -5- 201214607 有例如各3.0m x3.5m左右之寬廣區域。再者,在該裝置中 ,因必須設置僅處理室之數量份的開關機構,故牽扯gj胃 升成本6 〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本特開2007-67218號公報(參照第1 、19 圖) 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 本發明係鑒於上述情形而硏究出,其目的係在真空搬 運室連接多數用以對基板進行處理之處理室的基板處理裝 置中,提供抑制隨著處理室之蓋體的拆裝使得裝置大型化 而可以抑制覆蓋區之增大的技術。 〔用以解決課題之手段〕 本發明之基板檢查裝置係在內部設置有基板搬運機構 的真空搬運室之周圍’連接預備真空室,和在各個容器本 體上設置蓋體而構成,用以對基板進行處理的多數處理室 ,該基板處理裝置之特徵爲具備: 旋轉台,其係以上述真空搬運室之中心部爲旋轉中心 而繞著垂直軸旋轉自如地被設置在形成在上述真空搬運室 之上的支撐面上; 旋轉臂’其係被設置在該旋轉台上;及 -6- 201214607 蓋體保持機構,其係被設置在該旋轉臂之前端部,爲 了對上述容器本體拆裝蓋體,被構成保持蓋體而予以升降 ,並且在保持蓋體之狀態下通過上述處理室之上方。 就以上述基板處理裝置之具體態樣而言,即使構成下 述亦可。 具備:齒條齒輪,其係爲了使上述旋轉台旋轉,被設 置在上述支撐面及上述旋轉台之一方,沿著旋轉台之周方 向被設置; 小齒輪,其係被設置在上述支撐面及上述旋轉台之另 一方,一面與上述齒條齒輪咬合一面旋轉;及 驅動部,其係用以旋轉驅動上述小齒輪》 上述預備真空室係在容器本體之上設置蓋體而被構成 ,該蓋體係藉由上述蓋體保持機構而對該容器本體拆裝。 在上述蓋體之上面,設置前端部從該上面延伸至上方 側,並且於橫方向彎曲構成卡止部之被保持部, 在上述蓋體保持機構設置有保持部,該保持部係藉由 上述旋轉臂之旋轉一面在水平方向移動一面進入至上述卡 止部之下方側,之後經上述卡止部而抬起上述蓋體, 上述真空搬運室係平面形狀被形成多角形, 上述真空搬運室之側面中,在一個側面之外方側設置 用以維修蓋體之維修區域,在剩下之側面各連接有上述預 備真空室和處理室。 在上述維修區域,設置有保持從上述蓋體保持機構所 收授之蓋體而使反轉之蓋體反轉機構。 201214607 上述真空搬運室具有六個側面’在該側面連接有一個 上述預備真空室和四個處理室。 〔發明效果〕 若藉由本發明時,在沿著真空搬運室之周圍而被配置 之多數處理室中,使用以保持蓋體而拆裝(開關)之蓋體 保持機構共通化。然後,在從真空搬運室上之旋轉台延伸 之旋轉臂之前端側設置蓋體保持機構,構成在較處理室之 列上方側從處理室拆下之蓋體可以通過。因此,因不需要 在每處理室確保載置蓋體之空間,故抑制裝置之大型化, 可以抑制設置面積(覆蓋區)之增大。 【實施方式】 就以與本發明之實施形態有關之多腔室型之基板處理 裝置之一例而言,針對FPD ( Flat Panel Display )用之玻 璃基板(以下,單稱爲基板)S,進行處理(在該例中爲 蝕刻處理)之裝置之全體構成,參照第1圖及第2圖予以說 明。第1圖爲表示基板處理裝置之槪觀的斜視圖,第2圖爲 表示其內部之橫斷俯視圖。在第1圖中,將左手下(後述 之大氣裝載器部2)側稱爲前側,將右手上(維修區域6) 側稱爲後側時’則在該基板處理裝置從前側往後側依照大 氣裝載器部2、裝載鎖定室3、真空搬運室4及維修區域6之 順序設置。在該真空搬運室4之周圍,各氣密連接有多數 例如四個處理室5。 201214607 大氣裝載器部2係在收容多片之基板S之載體C和裝載 鎖定室3之間用以在大氣氛圍中進行基板S之搬入搬出的區 域,具備有載置載體C之載體載置部2 00,和在該載體載置 部200和預備真空室之裝載鎖定室3之間搬運基板S之大氣 側基板搬運機構23。在該例中,載體載置部200係以從前 側觀看互相左右間隔開之方式被設置在兩處,在該些載體 載置部200、200間設置大氣側基板搬運機構23。大氣側基 板搬運機構23具備有連設成上下兩段之搬運臂23 1,和使 該些搬運臂231進退自如、升降自如及繞垂直軸旋轉自如 地予以支撐的基台部232。第1圖中之21係爲了使載體C升 降,被設置在各載體載置部2 00之升降機構,22係從下方 側支撐大氣側基板搬運機構的支撐台》 被設置在大氣裝載器部2之後側的裝載鎖定室3,係被 構成可在常壓(大氣)氛圍和真空氛圍之間切換置放基板 S之氛圍,在此例中疊層成上下兩段。該些裝載鎖定室3係 如第2圖之俯視圖所示般,分別具備從下方側支撐基板S之 緩衝齒條32,和引導基板S之載置位置的定位器31。該裝 載鎖定室3具備有上面側開口之槪略箱型之容器本體(裝 載鎖定室3之下部分)51a,和氣密地封閉該容器本體51a 之開口部的蓋體(上部分)52a,在該蓋體52a之上面設置 有使該蓋體52a升降(拆裝)之被保持部53。針對該些蓋 體52a或被保持部53,與處理室5同時說明。並且,在第2 圖中,係拆下裝載鎖定室3之蓋體52a及真空搬運室4之天 板而表示該些裝載鎖定室3及真空搬運室4之內部區域。 -9- 201214607 如第2圖所示般,真空搬運室4係被構成平面形狀爲多 角形狀,例如正六角形狀,在該真空搬運室4之六個側面 之中設置有裝載鎖定室3及維修區域6之側面以外之側面’ 以對裝載鎖定室3及維修區域6在周方向離開,並且互相在 周方向間隔開之方式,氣密地連接多數處理室5。在本實 施例中,氣密地連接有四個處理室5。在該真空搬運室4內 ,爲了於裝載鎖定室3及各處理室5之間搬運基板S,設置 有構成升降自如及繞垂直軸旋轉自如之基板搬運機構41。 在該基板搬運機構41,進退自如地構成從下方側保持基板 S之拾取部4 1 2。 處理室5係用以在內部對基板S進行真空處理在該例中 爲蝕刻處理的長方體之處理容器,爲了收納一邊爲2.2m, 另一邊爲2.5m左右之大小的方形基板S,構成例如橫斷平 面之一邊爲3.0m,另一邊爲3.5m左右之大小。 該處理室5係如先前所述之第1圖般,具備上面側開口 之槪略箱型之容器本體(處理室5之下部分)51b,和氣密 地封閉該容器本體51b之開口部的蓋體52 (上部分)b。然 後,當減壓處理室5之內部區域時,則如第3圖所示般,經 由被設置在容器本體51b之上面之周緣部的樹脂等所構成 之密封構件501,蓋體52b被氣密地被吸在容器本體51b側 。再者,當處理室5之內部區域返回至大氣氛圍時,或是 當被加壓至僅成爲陽壓時,蓋體52b則自容器本體51b拆裝 自如。 在該蓋體5 2b之上面中之中央部爲了使該蓋體5 2b對容 -10- 201214607 器本體51b升降(拆裝),如第1至第4圖所示般,在兩處 設置前端部伸出至上方側且朝向橫方向水平彎曲而構成卡 止部5 02的被保持部53。該些被保持部53、53係被配置成 卡止部502、502互相背對背。各個被保持部53、53係以各 沿著在第2圖中以一點鏈線表示之旋轉臂7 (詳細而言,蓋 體保持機構741、741)之旋轉臂LI、L2之方式,形成圓弧 狀。從該卡止部502之上端位置至蓋體52b之下端位置的高 度尺寸,成爲250〜350mm左右。即使針對先前所述之裝 載鎖定室3之蓋體52a,也設置與該處理室5相同之構成的 被保持部5 3、5 3。 在蓋體52b及容器本體51b之外壁面,如第3圖及第4圖 所示般,各設置有對容器本體51b安裝蓋體52b之時所使用 之定位機構510、510。在該例中’定位機構510係在從真 空搬運室4觀看處理室5之時之左右兩側’被設置成各兩組 在前後方向互相間隔開。在容器本體51b之定位機構510 ’ 爲了引導蓋體52b之升降動作設置有延伸於垂直方向之引 導軸(定位軸)511,在蓋體5 2b之定位機構510’設置有 用以將該引導軸5 1 1收納於內部而垂直升降之環狀構件( 定位塊)512。然後,於蓋體52b從容器本體51b之上方側 下降而被安裝於該容器本體51b之時’以在水平方向環狀 構件512和引導軸511互相重疊之方式’定位蓋體52b,接 著在內部收納引導軸511之狀態下環狀構件512沿著該引導 軸511而下降。並且,針對第3圖之右側之定位機構510、 510,爲了描劃引導軸511 ’將使一部分缺口而予以表示。 -11 - 201214607 再者’在第4圖中,省略密封構件5〇1及處理室5內之各構 成等之記載。即使針對先前所述之裝載鎖定室3之蓋體5 2a 及容器本體5la,也設置有該些定位機構510、510。在此 ’在以後說明中,有匯集該些容器本體51a、51b及蓋體 52a、52b各賦予「51」、r 52」之符號而予以說明之情形 〇 接著’針對該處理室5之內部構成,參照第3圖予以簡 單說明。處理室5係被形成平面形狀爲四角形狀,具備爲 了載置基板S構成在容器本體51b之下方側之下部電極的載 置台81,和構成對用以對該載置台81上之基板S供給處理 氣體(蝕刻氣體)之上部電極的氣體噴淋頭82。在載置台 81設置有用以靜電吸附基板S之未圖示的靜電吸盤。氣體 噴淋頭82係經絕緣構件83而連接於蓋體52b之內周壁。第3 圖中,85爲用以經真空排氣管84而使處理室5之內部氛圍 予以真空排氣之真空泵,86爲用以經從氣體供給管87被形 成在氣體噴淋頭82之下面的氣體吐出孔88而對處理室5之 內部供給處理氣體之處理氣體源。並且,89爲高頻電源, 90爲絕緣構件,91爲基板S之搬運口。再者,在該處理室5 爲了在載置台81和先前所述之基板搬運機構41之間經搬運 口 91進行基板S之收授,設置有對該載置台81上之基板S從 背面側升降自如地伸縮的無圖示之升降銷。 然後,從高頻電源89經整合器89a對氣體噴淋頭82施 加高頻電壓而使氯氣等之處理氣體予以電漿化’藉由該電 漿,進行形成在該基板S上之鋁膜等之蝕刻處理。再者’ -12- 201214607 於進行容器本體51b之內部區域或氣體噴淋頭82之維修時 ’拆下蓋體52b。並且,在第1圖、第2圖中,爲了圖示方 便,模式性表示處理室5。第1圖中G爲被氣密設置在大氣 裝載器部2和裝載鎖定室3之間、裝載鎖定室3和真空搬運 室4之間及真空搬運室4和各處理室5之間的可開關之閘閥 〇 在真空搬運室4之側面中與裝載鎖定室3相向之側面, 配置有用以維修從處理室5或裝載鎖定室3拆下之先前所述 之蓋體52的維修區域6,該維修區域6係以共通之區域被設 置在四個處理室5及裝載定室3。在維修區域6,也如第5圖 所示般,設置有用以保持蓋體52而予以反轉之蓋體反轉治 具61。該蓋體反轉治具61具備蓋體反轉機構,該蓋體反轉 機構係由下述構件所構成:框體部6 1 1,其係用以保持蓋 體52之外周側底面部;和旋轉支撐部613,其係由從真空 搬運室4側觀看可繞水平軸旋轉地支撐框體部611之左右兩 側的兩邊之各個的長度方向之中央部,經旋轉支撐部613 而藉由支柱構件612而被支撐。蓋體反轉治具61係被構成 藉由被設置在支柱構件612之下端的後述之台車部614而可 以行走。 第5圖中之621爲使旋轉支撐部繞水平軸旋轉之馬達等 之旋轉機構,622爲進入蓋體52之定位機構510中之環狀構 件512之內部區域而引導蓋體52之升降動作的引導軸。在 設置有該引導軸6U之定位機構62 3,設置有用以在蓋體52 之定位機構510之間藉由設置螺栓固定來固定框體部611和 -13- 201214607 蓋體52之螺栓孔624。並且,針對蓋體反轉治具61及處理 室5之定位機構510,在第3圖、第4圖及第5圖以外省略描 劃。 再者,維修區域6係兼用用以從真空搬運室4取出基板 搬運機構41之區域,在該維修區域6側中之真空搬運室4之 側壁,形成有用以從爲該真空搬運室4之內部區域的搬運 空間401取出基板搬運機構41之開口部431 »該開口部431 係藉由無圖示之開關構件,氣密地被封閉成開關自如。 在該例中,裝載鎖定室3、四個處理室5及維修區域6 係以藉由後述之旋轉臂7被進行蓋體52之收授的各個位置 從真空搬運室4之中央部觀看排列在一個圓周上之方式, 從真空搬運室4被配置成放射狀。 再者,如第6圖所示般,該基板處理裝置具備蓋體搬 運機構,該蓋體搬運機構係由下述構件所構成:旋轉台 721,其係被設置在真空搬運室4之上方;旋轉臂7,其係 基端側被固定在該旋轉台72 1,另一端側(前端部)伸出 至真空搬運室4之外方:蓋體保持機構741,其係被設置在 該旋轉臂7之前端部,用以拆裝處理室5之蓋體52而予以搬 運。當針對該些各部予以說明時,則在真空搬運室4之上 形成有支撐面。該支撐面即使兼用真空搬運室4之天井面 之上面亦可,或是即使經從底面延伸之支撐構件而在真空 搬運室4之上方設置支撐板,藉由該支撐板之上面構成者 亦可。在本實施形態中,係以將真空搬運室4之天井部之 上面(詳細而言,設置在真空搬運室4之上的板狀板)當 -14- 201214607 作支撐面的例,針對使用上述支撐板之例予以後述。 在構成真空搬運室4之天井面的天板701之上面(支撐 面),設置有沿著以真空搬運室4之中心部爲中心的圓而 形成環狀之引導構件的導軌702。並且,該天板701也包含 有疊層多片之平板。在該導軌702上設置有與上述圓同心 圓之旋轉台721。在該旋轉台721係如第7圖所示般,藉由 螺栓705被固定於在嵌合於導軌7 02之狀態下被該導軌702 引導之被引導構件703之上。被引導構件703係在涵蓋導軌 7 02之周方向以等間隔設置多個,其設置數量並不限定, 以例如12個以上爲佳。 在旋轉台721之外周側的天板701上,設置有與上述圓 同心狀,在涵蓋全周於外側面形成有齒輪部723之環狀的 齒條部722 »另外,在旋轉台721中之齒條部722之外方側 部位,突出於旋轉台721之下方側設置有與齒條部722咬合 之繞垂直軸旋轉自如之小齒輪部(行星齒輪)73 3。該小 齒輪部733之旋轉軸730係被構成藉由成爲旋轉台721上之 驅動部的馬達73 6經減速機73 5而旋轉。因此,當藉由馬達 73 6而使小齒輪部73 3旋轉時,旋轉台721則旋轉。在馬達 736安裝有無圖示之編碼器,構成藉由該編碼器之編碼値 ’可以控制真空搬運室4上之旋轉台721之旋轉位置,即是 蓋體保持機構741之位置。並且,第6圖係使基板處理裝置 之一部分缺少而予以描劃。 旋轉臂7具備沿著長度方向而互相間隔開之兩片之樑 板712、712,和在多處連結該些樑板712、712間的連結構 -15- 201214607 件711。並且,該些樑板712、712係以被前端部保持之蓋 體52之平衡錘之方式,形成基端側(真空搬運室4側)粗 ,前端側細。 在此,如第6圖及第8圖(a)所示般,在真空搬運室4 之天板701,設置有封閉用以搬入搬出基板搬運機構41之 開口部的矩形之蓋體710。另外,在旋轉台721設置有大於 蓋體710之矩形之缺口部700,並且在藉由旋轉臂7中之樑 板712、712及連結構件711所包圍之底板之區域,大於蓋 710之矩形之缺口部720對應於上述缺口部70 0而形成。若 構成如此,藉由使旋轉台721停止於在缺口部700、720中 收納蓋710之旋轉位置,可以進行用以拆下蓋710而搬入搬 出基板搬運機構41等之作業。並且,在該第8圖(a)中’ 針對兩片之樑板7 1 2、7 1 2間之間隔尺寸予以模式性表示。 蓋體保持機構741係如第1及9圖所示般’具備保持先 前所述之蓋體52之被保持部53的保持部743’和升降自如 地支撐該保持部743之升降機構"742。在該例中’以互相相 向於旋轉臂7之長度方向之方式’設置有一對保持部743、 743。該些保持部7“係彎曲成各垂直延伸於下方側之垂直 片744之前端互相相向而形成L字狀’從真空搬運室4之中 心觀看內側之垂直片744及外側之垂直片744係以各沿著第 2圖所示之一點鏈線所示之線L 1、L2之方式形成圓弧狀。 然後,該些垂直片744、744係位置設定成與蓋體52上之卡 止部502、502卡止,並且以沿著該些卡止部502、502之前 端部之方式,該垂直片744、744之下端部形成圓弧狀。 -16- 201214607 保持部743、743係藉由屬於升降機構742之起重機構 751升降自如。該起重機構751係藉由升降馬達754使與保 持部743螺合之垂直的螺絲軸752旋轉,構成保持部743 — 面被引導構件753引導一面可以升降。 因此,藉由該蓋體保持機構741於抬起蓋體52之時, 如第10圖(a)所示般,以垂直片74 4之上端面成爲較卡止 部502之下端面更下面之方式,使起重機構751驅動,以該 垂直片744進入至卡止部5 02之下側之區域之方式使旋轉台 721旋轉。接著,如同圖(b)所示般,藉由驅動起重機構 751而使蓋體保持機構741上升,蓋體52則從容器本體51被 拆下。蓋體52之拆下係被設定成處理室5或裝載鎖定室3之 內部氛圍爲大氣氛圍或者些許加壓氛圍而進行。並且,在 第10圖中,使蓋體5 2缺少而予以表示。 另外,於容器本體51或蓋體反轉治具61安裝蓋體52之 時,以與抬起蓋體52之時相反之順序使蓋體保持機構741 動作。即是,以保持蓋體52之蓋體保持機構741位於容器 本體51或蓋體反轉治具61之上方位置之方式,使旋轉台 72 1旋轉,接著,驅動起重機構751而使蓋體52下降。此時 ’如先前所述般藉由定位機構510,蓋體52被引導成朝向 安裝位置垂直下降。然後,於容器本體51或蓋體轉治具61 載置蓋體52之後’以卡止部502和垂直片744之卡止偏離之 方式’使蓋體保持機構741更下降,接著使旋轉台721旋轉 而使蓋體保持機構74 1從該蓋體52退避至偏離側方側之區 域。如此一來,在處理室5或裝載鎖定室3中,藉由減壓內 -17- 201214607 部之氛圍,蓋體52對容器本體51氣密連接。再者,在蓋體 反轉治具61中,經螺栓孔624而固定框體部611和蓋體52, 接著使蓋體52反轉。 在此,蓋體保持機構741藉由起重機構75 1升降之升降 衝程Z係如第11圖所示般,保持部743係被設定成使從一個 處理室5或裝載定室3拆下之蓋體52不干擾於其他之處理室 5或裝載鎖定室3之蓋體52而可以旋轉之尺寸例如1 000mm 左右。並且,第11圖爲模式性表示沿著旋轉台721之旋轉 方向而切斷真空搬運室4,沿著該切斷面使裝載鎖定室3、 四個處理室5及維修區域6左右展開的展開圖。在該第11圖 中,針對蓋體保持機構74 1及被保持部53之方向,模式性 地改變90°方向而予以描劃。再者,在先前所述之蓋體反 轉治具61中,載置蓋體52之高度位置係被設定成與處理室 5或裝載定室3中安裝蓋體52之高度位置相同之高度。 再者,基板處理裝置係如第2圖所示般,具備有控制 部8。該控制部8係由具備有無圖示之CPU或記憶部等之電 腦所構成,在記憶部記錄編寫有步驟(命令)群之程式, 該步驟係用以進行有關以基板處理裝置進行基板S之蝕刻 處理等之製程之時的動作,以及搬運先前所述之蓋體52之 動作的控制。該程式係被儲存於例如硬碟、CD、光磁性碟 、記憶卡等之記憶媒體,自此記憶媒體被安裝於電腦。 以下,參照第1 2圖〜第1 6圖,針對本實施形態之基板 處理裝置之作用予以說明。首先,在該基板處理裝置中, 針對基板S進行通常之蝕刻處理之時,予以簡單說明。首 -18- 201214607 先,使用大氣側基板搬運機構23從載體載置部200上之載 體C取出基板S,搬入至裝載鎖定室3。從該裝載鎖定室3退 避至大氣側基板搬運機構23之後,使裝載鎖定室3內真空 排氣。接著,藉由基板搬運機構41將基板S搬入至處理室5 ,使基板搬運機構41從處理室5退避。然後,在處理室5, 如先前所述般,在基板S之上方空間形成電漿,藉此對該 基板S進行電漿處理。之後,該基板S以與被搬入至處理室 5之順序相反的順序返回至載體C。於進行如此一連串之處 理時,蓋體保持機構741係在不干擾蓋體52之被保持部53 之位置例如維修區域6之上方區域,在較蓋體52之卡止部 5 02之高度位準上方側待機。 接著,針對進行裝載鎖定室3或處理室5之內部區域或 蓋體52之維修之時予以說明。在該例中,以維修該些裝載 鎖定室3及四個處理室5中,從裝鎖定室3繞逆時鐘方向鄰 接之處理室5的情形爲例予以說明。首先,先拆掉連接於 該處理室5之蓋體52b的配線(來自高頻電源89之供電線) 或氣體供給管87等之用力線。再者,關閉該處理室5和真 空搬運室4之間的閘閥G,將該處理室5之內部氛圍設定成 大氣氛圍或些許加壓氛圍。 然後,如第1 2圖(a )所示般,以蓋體保持機構74 1位 於從進行維修之處理室5之被保持部5 3偏離至側方側之區 域的上方側之方式,使旋轉台72 1 (詳細而言爲馬達73 6 ) 旋轉。即使第12圖及後述之第13圖中,也與先前所述之第 11圖同樣,針對蓋體保持機構741及保持部743,改變方向 -19- 201214607 90°而予以描劃。 接著,如第12圖(b)所示般,驅動起重機構751而使 蓋體保持機構74 1下降。接著,在蓋體保持機構74 1 (垂直 片744 )之上面和卡止部502之下端面之間形成間隙之高度 位置,使旋轉台72 1旋轉而使蓋體保持機構741在水平方向 旋轉。然後,如先前所述之第10圖及第12圖(C)所示般 ,使保持部743位於卡止部502之下方側,並也使蓋體保持 機構741上升,使該些卡止部502和保持部743卡合。接著 ,如第13圖(a)所示般,當使保持部74 3 (蓋體保持機構 741)更上升時,蓋體52b因藉由保持部743保持卡止部502 ,故與蓋體保持機構74 1同時上升。 然後,在藉由蓋體保持機構74 1拆下之蓋體5 2b不干擾 (衝突)其他蓋體52之高度位置,如第13圖(b)之方式 ,經其他蓋體52之上方區域將該蓋體5 2b朝向維修區域6而 予以搬運。之後,如第13圖(c)及第14圖(a)所示般’ 從該維修區域6之上方位置使蓋體52b下降,藉由該蓋體 5 2b之定位機構510和蓋體反轉治具61之定位筆構510之協 動作用,將該蓋體5 2b設置在蓋體反轉治具61上。接著’ 爲了解除卡止部502和垂直片744之卡止,使蓋體保持機構 741些許下降,並且使該蓋體保持機構741從維修區域6退 避至側方側。之後,該蓋體保持機構74 1爲了拆下其他蓋 體52,上升至不干擾(衝突)被保持部53之高度位置’例 如蓋體52之上方側之後,水平旋轉。 在該蓋體反轉治具6 1中,如先前所述般經螺栓孔624 -20- 201214607 而固定該蓋體反轉治具61和蓋體52b,如第14圖(b)所示 般,使蓋體52b反轉而進行先前所述之氣體噴淋頭82之維 修。再者,即使針對拆下該蓋體52b的容器本體51b也進行 維修。該蓋體52b之維修即使如同圖(c )所示般,經台車 部614將蓋體反轉治具61搬運至偏離維修區域6之區域亦可 。於結束維修之後,蓋體52b返回至原來之方向,蓋體52b 以與被搬運至蓋體反轉治具6 1之順序相反之順序被搬運至 容器本體51b。 此時,於將一個蓋體52搬運於蓋體反轉治具61之後, 將拆下其他蓋體52,並且即使在針對該其他之蓋體52藉由 蓋體保持機構741予以保持之狀態下,針對該一個及其他 容器本體51、51予以維修亦可。就以如此之時的具體例而 言,第15圖表示將裝載鎖定室3之繞順時鐘方向鄰接的蓋 體52b搬運至維修區域6之後,即使針對裝載鎖定室3之蓋 體52 a予以拆下,針對進行該些兩個容器本體51a、51b之 維修之情形予以表示。 接著,針對拆下基板搬運機構41之時的動作予以說明 。此時,使蓋體反轉治具61從維修區域6退避,並且將真 空搬運室4設定成大氣氛圍之後,拆下氣密封閉先前所述 之開口部431之開關構件421 (第16圖(a) '第17圖(a) )。然後,切離基板搬運機構41和被設置在此基板搬運機 構4 1之下方側的驅動機構4 1 1,將基板搬運機構4 1從開口 部431搬出至基板處理裝置之外部(第16圖(b)、第17圖 (b))。再者,也與取出驅動機構411之時相同,拆下設 -21 - 201214607 置有驅動機構411之機械室402之覆蓋側方側之開口部432 的開關構件422,從該開口部432搬出驅動機構411 (第16 圖(c))。並且,第16圖中之44爲氣密區劃搬運空間401 和機械室402的床面,41 3爲氣密地被設置在床面44和基板 搬運機構4 1之間的伸縮體。 在上述之實施形態中,在沿著真空搬運室4之周圍而 被配置之多數處理室5中,使用以保持蓋體52而拆裝(開 關)之蓋體保持機構741共通化。然後,在從真空搬運室4 上之旋轉台721延伸之旋轉臂7設置蓋體保持機構741,構 成在保持處理室5或裝載鎖定室3之蓋體52的狀態下沿著真 空搬運室4之周方向而使蓋體保持機構741可通過處理室5 之上方區域旋轉。因此,因不需要在每處理室5或裝載鎖 定室3確保載置蓋體52之空間,故抑制裝置之大型化,可 以抑制設置面積(覆蓋區)之增大。再者,比起在每處理 室5或裝載鎖定室3設置蓋體52之拆裝機構之構成,可以降 低裝置之成本。並且,針對一個處理室5,即使爲拆下蓋 體5 2b之狀態,亦可以在其他處理室5繼續進行基板S之處 理。然後,在旋轉台721之上設置旋轉臂7,因藉由齒條部 722和小齒輪部73 3,使旋轉台721旋轉,故即使因基板S之 大型化引起旋轉臂7、蓋體52及蓋體保持機構741大重量化 ,亦可以進行安定驅動。 並且,對於拆裝蓋體52,因垂直片744在卡止部5 02之 下方側水平移動,使該些卡止部5 02和垂直片744卡合,故 不需要使相向成夾著卡止部5 02、5 02之保持部743移動的 -22- 201214607 機構,因此可以謀求裝置之簡化及低成本化。並且,因在 蓋體52、容器本體51及蓋體反轉治具61設置定位機構510 ,故可以簡單拆裝蓋體52。 再者,除了拆裝蓋體52之旋轉臂7之外,因進行蓋體 52之維修之維修區域6也在裝載鎖定室3及四個處理室5中 被共通化,故可以更謀求裝置之省空間化及低成本化。並 且,因可以從維修區域6側中之真空搬運室4之側壁取出基 板搬運機構41,故比起使用吊車等經真空搬運室4之天井 面而抬起之時,不需要設置吊車,再者可以簡單搬出基板 搬運機構41。 再者,對於在真空搬運室4之上面設置旋轉臂7,因使 用樑板712、712而不阻塞真空搬運室4之天井面的蓋部710 ,故可以進行基板搬運機構41之取出。並且,於進行備設 置在真空搬運室4和處理室5之間的閘閥G之維修時,藉由 以使蓋體保持機構74 1退避至離開該處理室5之區域之方式 使旋轉臂7旋轉,藉由該旋轉臂7不會妨礙維修作業。 旋轉臂7之構成並不限定於第1圖所示之懸臂樑之旋轉 臂7之例,即使如第18圖所示般,以真空搬運室4之中央部 爲基點而在兩側使旋轉臂7延伸,在該些旋轉臂7、7之前 端部設置蓋體保持機構74 1、741亦可。 再者,針對齒條722及小齒輪73 3之位置關係’並不限 定於先前之實施形態的構成,即使如第1 9圖所示般,在外 周側配置於內周側形成有齒輪部723之齒條部722 ’於內側 配置小齒輪部733之構成亦可。並且’即使如第20圖所示 -23- 201214607 般,在齒條部722之上面形成齒輪部723,在該齒條部722 上以繞水平軸旋轉之方式設置小齒輪部733亦可。並且, 再者即使如第21圖所示般,在旋轉台721之周緣部形成齒 條部722,並且在支撐面上設置小齒輪部73 3亦可。再者, 即使如第22圖所示般,以包圍齒條部722之方式形成環狀 來取代將旋轉台721設成圓形狀亦可。並且,在將齒條部 72 2配置在支撐面之構成中,即使在旋轉臂7設置小齒輪部 73 3亦可。即使此時,亦可以稱爲將小齒輪部73 3經旋轉台 72 1而設置在旋轉臂7之構成,相當於申請專利範圍中之「 設置在旋轉台」之構成。 再者,雖然先前已述即使在真空搬運室4之天井面不 設置旋轉台72 1或旋轉臂7,經從床面延伸之支撐構件而設 置在真空搬運室4之上方區域亦可,但是針對如此之構成 ,參照第23圖予以說明。在該第23圖中,801爲從真空搬 運室4之周圍的床面垂直延伸至較真空搬運室4之天井面之 高度位置更上方側的支撐構件,該支撐構件801係在該真 空搬運室4之周圍以等間隔設置多處。然後,在該些支撐 構件80 1之上端側,以從上方側覆蓋真空搬運室4之方式水 平設置支撐板8 02。在該支撐板8 02上,設置先前已述之旋 轉台72 1、導軌7 02及旋轉臂7。如此一來,於設置支撐板 802之時,因不對真空搬運室4施加旋轉臂7或蓋體52之荷 重,故不需要對基板處理裝置進行改造或工程等。並且, 在第23圖中,簡化基板處理裝置之記載而予以表示。 在上述中,本發明即使在齒條部72 2及支撐面之一方 -24- 201214607 及另一方各設置夾滾輪和被壓接於該夾滾輪之環部上之導 件,藉由夾滾輪之旋轉使旋轉台72 1旋轉亦可。此時之夾 滾輪及導件相當於在本發明中稱爲小齒輪部733及齒條部 722 〇 就以拆裝蓋體52之機構而言,雖然藉由使蓋體保持機 構741在水平滑動(旋轉),保持部743位於卡止部5 02之 下方側,但是即使在蓋體保持機構741設置驅動機構,以 夾著被保持部53、53之方式使保持部743驅動亦可。再者 ,雖然使旋轉台721之旋轉中心位於水平方向中之真空搬 運室4之中央部,但是該真空搬運室4之中央部並不係僅指 該真空搬運室4之中心位置,也包含蓋體保持機構74 1之旋 轉線L對連結裝載鎖定室3、四個處理室5及維修區域6中之 各個中央位置的圓偏心之時。 就以起重機構751而言,即使將各螺栓軸752分割成上 下兩個,抑制該起重機構751之高度尺寸亦可。並且,即 使不設置蓋體反轉治具61,在藉由蓋體保持機構741而抬 起之狀態下,進行氣體噴淋頭82之維修亦可。再者,就以 固定蓋體反轉治具61和蓋體52之機構而言,即使爲當在蓋 體反轉治具61載置蓋體52時自動被固定之機構亦可。再者 ,就以對基板S進行蝕刻處理之時之蓋體保持機構741之待 機位置而言,即使在維修區域6之上方位置以外,若不干 擾基板S之處理或搬運之位置時,即使在處理室5或裝載鎖 定室3之上方位置等亦可。再者,就以該蓋體保持機構741 待機時之高度位置而言,即使垂直片744位於卡止部502之 -25- 201214607 下方側亦可。並且,藉由使旋轉臂7伸縮,從一個處理室5 經真空搬運室4之上方區域將蓋體5 2搬運至維修區域6亦可 。此時,旋轉臂7係如先前所述般,藉由小齒輪部733及齒 條部722旋轉,並且以蓋體保持機構741可沿著旋轉臂7之 長度方向進退之方式,構成在樑板712、712之長度方向之 途中部位彎曲之多關節的機械臂亦可。 再者,就以處理室5而言,並不限定於基板S之蝕刻處 理,即使爲用以進行 CVD( Chemical Vapor Deposition) 等之成膜處理或灰化處理等之真空處理者亦可。並且,即 使處理室5之數量爲兩個〜三個或五個以上亦可。因此, 從上方側觀看真空搬運室4時之形狀即使爲多角形例如三 角形或四角形或是七角形等亦可,即使爲圓形亦.可。然後 ,就以在基板處理裝置中進行處理之基板S而言,除了角 型之玻璃基板S以外,即使爲半導體晶圓等之圓形基板亦 可。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示與實施型態有關之基板處理裝置之外觀 構成之斜視圖。 第2圖爲上述基板處理裝置之俯視圖。 第3圖爲表示上述基板處理裝置之處理室之一例的縱 剖圖。 第4圖爲表示上述處理室之斜視圖。 第5圖爲表示上述基板處理裝置之蓋體反轉治具之一 -26- 201214607 例的斜視圖。 第6圖爲表示上述基板處理裝置之蓋體搬運機構之一 例的斜視圖。 第7圖爲表示上述蓋體搬運機構的縱剖面。 第8圖爲表示上述蓋體搬運機構旋轉之樣子的俯視圖 〇 第9圖爲表示上述蓋體搬運機構之蓋體保持機構之一 例的斜視圖。 第10圖爲表示上述處理室之蓋體藉由蓋體保持機構而 被支撐之樣子的斜視圖。 第11圖爲表示將上述基板處理裝置橫向展開而表示多 數處理室之展開圖。 第12圖爲模式性表示藉由上述蓋體搬運機構拆下蓋體 之樣子的側面圖。 第13圖爲模式性表示藉由上述蓋體搬運機構拆下蓋體 之樣子的側面圖。 第14圖爲模式性表示藉由上述蓋體搬運機構將蓋體搬 運至蓋體反轉治具之樣子的側面圖。 第15圖爲模式性表示藉由上述蓋體搬運機構拆下蓋體 之樣子的側面圖。 第16圖爲模式性表示搬出真空搬運室之基板搬運機構 之樣子的側面圖。 第17圖爲模式性表示搬出真空搬運室之基板搬運機構 之樣子的俯視圖。 -27- 201214607 第18圖爲表示上述基板處理裝置之其他例的俯視圖》 第19圖爲表示上述基板處理裝置之其他例的剖面圖。 第20圖爲表示上述基板處理裝置之其他例的剖面圖。 第21圖爲表示上述基板處理裝置之其他例的剖面圖。 第22圖爲表示上述基板處理裝置之其他例的剖面圖。 第23圖爲表示上述基板處理裝置之其他例的剖面圖。 【主要元件符號說明】 S :基板 4 :真空搬運室 5 :處理室 7 :旋轉臂 51 :容器本體 52 :蓋體 53 :被保持部 721 :旋轉台 722 :齒條部 73 0 :旋轉軸 7 3 3 :小齒輪部 741 :蓋體保持機構 -28-

Claims (1)

  1. 201214607 七、申請專利範圍: 1·一種基板處理裝置,在內部設置有基板搬運機構的 真空搬運室之周圍,連接預備真空室;和在各個容器本體 上設置蓋體而構成,用以對基板進行處理的多數處理室, 該基板處理裝置之特徵爲具備: 旋轉台,其係以上述真空搬運室之中心部爲旋轉中心 而繞著垂直軸旋轉自如地被設置在形成在上述真空搬運室 之上的支撐面上; 旋轉臂,其係被設置在該旋轉台上;及 蓋體保持機構,其係被設置在該旋轉臂之前端部,爲 了對上述容器本體拆裝蓋體,被構成保持蓋體而予以升降 ,並且在保持蓋體之狀態下通過上述處理室之上方。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置,其 中 具備:齒條齒輪,其係爲了使上述旋轉台旋轉,被設 置在上述支撐面及上述旋轉台之一方,沿著旋轉台之周方 向被設置, 小齒輪,其係被設置在上述支撐面及上述旋轉台之另 一方,一面與上述齒條齒輪咬合一面旋轉;及 驅動部,其係用以旋轉驅動上述小齒輪。 3.如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置, 其中 上述預備真空室係在容器本體上設置蓋體而構成,該 蓋體係藉由上述蓋體保持機構而對該容器本體拆裝。 -29- 201214607 4.如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之基板 處理裝置,其中 在上述蓋體之上面,設置前端部從該上面延伸至上方 側,並且於橫方向彎曲構成卡止部之被保持部, 在上述蓋體保持機構,設置有保持部,該保持部係藉 由上述旋轉臂之旋轉一面在水平方向移動一面進入至上述 卡止部之下方側,之後上升經上述卡止部而抬起上述蓋體 〇 5 ·如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之基板 處理裝置,其中 上述真空搬運室係平面形狀被形成多角形, 上述真空搬運室之側面中,在一個側面之外方側,設 置有用以維修蓋體之維修區域,在剩下之側面,各連接有 上述預備真空室和處理室。 6 .如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置,其 中 在上述維修區域設置有保持從上述蓋體保持機構所收 授之蓋體而使反轉之蓋體反轉機構。 7.如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置,其 中 上述真空搬運室具有六個側面,在該側面連接有一個 上述預備真空室和四個處理室。 -30-
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI696965B (zh) * 2018-01-18 2020-06-21 日商國際電氣股份有限公司 基板處理系統、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式
TWI773764B (zh) * 2017-06-16 2022-08-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5575558B2 (ja) * 2010-06-30 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR101460578B1 (ko) 2013-05-31 2014-11-13 주식회사 아스타 진공시스템의 시편이송구조
CN103556126A (zh) * 2013-10-14 2014-02-05 中国科学院半导体研究所 优化配置的多腔室mocvd反应系统
JP5960758B2 (ja) * 2014-07-24 2016-08-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理装置
US20170352562A1 (en) * 2016-06-02 2017-12-07 Applied Materials, Inc. Dodecadon transfer chamber and processing system having the same
JP6960830B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置および真空処理装置の運転方法
KR102019377B1 (ko) * 2017-11-24 2019-09-06 한미반도체 주식회사 반도체 자재 절단장치
JP2020141118A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システム及び載置台を位置合わせする方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09164456A (ja) * 1995-12-18 1997-06-24 Nippon Steel Corp 取鍋ターレット兼鋳型アセンブリ交換装置および鋳型アセンブリ交換方法
TW392226B (en) * 1997-11-05 2000-06-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus for processing substrate
JP2000133693A (ja) * 1998-08-19 2000-05-12 Shibaura Mechatronics Corp 真空装置用駆動機構および真空装置
JP4302575B2 (ja) * 2003-05-30 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および真空処理装置
KR100622846B1 (ko) * 2004-10-06 2006-09-19 주식회사 에이디피엔지니어링 평판표시소자 제조장치
KR20090067319A (ko) * 2007-12-21 2009-06-25 주식회사 에이디피엔지니어링 리드 개폐장치
JP4784599B2 (ja) * 2007-12-28 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI773764B (zh) * 2017-06-16 2022-08-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
TWI696965B (zh) * 2018-01-18 2020-06-21 日商國際電氣股份有限公司 基板處理系統、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式

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