JP2002517081A - 半導体処理反応器のクリーニングの間のウエハスループットを増加させるための方法及び装置 - Google Patents

半導体処理反応器のクリーニングの間のウエハスループットを増加させるための方法及び装置

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JP2002517081A JP2000551054A JP2000551054A JP2002517081A JP 2002517081 A JP2002517081 A JP 2002517081A JP 2000551054 A JP2000551054 A JP 2000551054A JP 2000551054 A JP2000551054 A JP 2000551054A JP 2002517081 A JP2002517081 A JP 2002517081A
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スティーブン ピー デオーネラス
アルフレッド コッファー
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 反応チャンバ(24)を大気圧に開く必要なしに、よって、反応チャンバ(24)を概略動作圧力又は真空に維持しつつ、電極(32)、発散ヘッド(42)、及び関連したチャンバ壁(22)及び絶縁体及び/又は他の収集表面又は要素のいずれかひとつ又は組合わせを、取替え要素と交換するための機構(58)を含んだ、半導体処理反応器(20)のクリーニングの間のウエハスループットを増加させるための方法及び装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハの処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
生産プラントの半導体ウエハ処理機器における主たる運転費のひとつは、ツー
ルのクリーニングのためのダウンタイムである。このダウンタイムは、ときどき
、反応器のクリーニングの間に実際に処理されたウエハの数によって測定される
。主としてクリーニングは、例えば上電極、ガス発散ヘッド、及び関連する絶縁
体及び壁及び他の表面に堆積した材料を、付加的なプロセス動作の開始に先だっ
て除去するために要求される。そうした堆積に起因した、生産中のウエハ又は回
路を損傷し得る粒子及び他の望まない材料で、処理されたウエハが汚染されない
ために、適切なクリーニングが要求される。通常、ツールをクリーニングしなけ
ればならないと決定したときには、ツールないし反応器のダウンタイムは6〜1
2時間のオーダーになる。
【0003】 新たな300mmないし12インチのウエハとそのようなウエハを取扱うことが
できる半導体ツールの導入にともない、例えばエッチングプロセスの間に、20
0mmないし8インチのウエハ処理ツールによって除去された量と比較して、何倍
かの量の材料がウエハ上の膜からエッチングできることが理解できる。そういう
事情で、上電極、シャワーないし発散ヘッド、及び関連する絶縁体及び壁及び他
の表面に、さらにいっそうの材料がずっと高い速度で堆積し得る。それ故に、も
しかすると、クリーニングの間のウエハの平均数が猛烈に減少して、300mmウ
エハの処理ツールを用いることによる潜在的なより大きな生産性を打消すかも知
れない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従って、クリーニングの間のウエハの平均数を増加させたないし高めた半導体
処理ツールを提供するニーズが存在する。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、従来技術の不都合を解消することを目的とする。
【0006】 本発明は、ツール反応器のデザインについて新たな模範を提供し、これはウエ
ハスループットを増加させることができ、従ってクリーニングの間で処理される
ウエハの平均数を増加させる。
【0007】 よって、本発明は、ツールないし反応器の圧力又は真空を実質的に損なうこと
なしに、例えばツールないし反応器のメイン電極発散ヘッドや壁、絶縁体又は他
の収集表面の交換を提供することによって、ウエハスループットを増加させるた
めの方法及び装置を提供する。このような装置によって、目的とするのはダウン
タイムを約2時間以下の上限に減少させることであり、これは効率的な生産プラ
ントの動作に対して妥当な時間長さである。
【0008】 従って、本発明が含む半導体ウエハ処理ツールは、反応チャンバを備え、第1
の電極発散ヘッド、壁、絶縁体及び/又は他の収集表面(これらのすべて又はい
ずれかを、以下、収集表面と称する)の少なくともひとつが取去り可能に且つ操
作可能に前記反応チャンバの内部に配置される。処理ツールは、ウエハをチャン
バ内に保持する装置と、反応チャンバの外側に配置された電極チャンバとを含む
。処理ツールはさらに、第2の電極、発散ヘッド、壁、絶縁体及び/又は他の収
集表面(再び、これらのすべて又はいずれかを、以下、収集表面と称する)を含
み、これは電極チャンバの内部に取去り可能に配置され、前記反応チャンバを前
記電極チャンバと連通させる連通機構を含んでいる。処理ツールはさらに、第1
の電極又は他の第1の収集表面を前記反応チャンバから前記連通機構を通じて前
記電極チャンバへと移動させることができる搬送機構を含んでいる。搬送機構は
また、前記第2の電極又は他の第2の収集表面を電極チャンバから連通機構を通
じて前記反応チャンバの内側の操作可能な配置へと移動させることができる。従
って、搬送機構は、第2の電極又は他の収集表面を第1の電極又は他の収集表面
と交換することができる。
【0009】 本発明はまた、永久的な及び/又は取去り可能な電極となり及びこれを保護す
る、取去り可能な収集表面を含む。
【0010】 本発明はまた、メインハウジングと第1の電極ハウジングとを含んだ反応チャ
ンバを備えた半導体ウエハ処理ツールをも含む。第1の電極又は他の収集表面は
第1の電極ハウジング内に配置される。処理ツールはウエハを保持するように適
合する装置を含み、この装置は前記メインハウジング内に配置される。処理ツー
ルは、前記反応チャンバの外側に配置された第2の電極ハウジングと、第2の電
極ハウジング内に配置された第2の電極又は他の収集表面とを含む。ツールは、
第2の電極ハウジングと関連した第1の電極ハウジングを有し、第1及び第2の
電極ハウジングの動きと共に、前記第2の電極を前記反応チャンバ内の第1の電
極又は他の収集表面と取替えることができる。
【0011】 さらに本発明は、半導体処理反応器ないしツールのクリーニングの間のウエハ
スループットを増加させるための方法を含んでいて、クリーニングの間のウエハ
の平均数を増加させるために、反応器を概略適切な圧力又は真空に維持しつつ、
第1の電極又は他の収集表面を反応器の外へ搬送すると共に第2の電極又は他の
収集表面を反応器の内へ搬送する。
【0012】 従って、本発明の目的は、半導体処理反応器のクリーニングの間のウエハスル
ープットを増加させることにある。
【0013】 本発明の他の目的は、エッチング反応器が発明の特徴を効果的に利用できるこ
とにある。
【0014】 さらなる目的として、本発明は、時間の経過とともにウエハの処理に関連した
材料で被覆された第1の電極又は他の収集表面を、ダウンタイムを最小にするや
り方で清潔な電極又は他の収集表面へと切換える反応器を提供する。
【0015】 本発明のさらなる目的は、ダウンタイムを最小にするために反応器内の圧力な
いし真空のレベルを実質的に維持しつつ、汚染された電極又は他の収集表面を清
潔な電極又は他の収集表面へと取替えるための方法及び装置を提供することにあ
る。
【0016】 従って、本発明の目的は、反応器を大気状態に開いてそのために反応器を湿気
やガス、粒子及び/又は他の材料で汚染させることなくして、収集表面を交換す
ることができる反応器を提供することにある。
【0017】 本発明のさらなる目的、特徴及び効果については、詳細な説明、特許請求の範
囲、及び図面を検討することで得ることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の第1の実施形態の模式的側面図を示している。模式的側面図
はエッチング反応器についてのものである。しかしながら、他のタイプの反応器
(それには他のエッチング反応器を含むがそれに限定されるものではない)を使
用することができ、発明の範囲および精神の中にあることを理解すべきである。
【0019】 図1において、エッチング反応器は符号20で示されており、これは例として
だけの、多周波数反応器として構成されている。エッチング装置20はハウジン
グ22とエッチングチャンバ24とを含む。ウエハ26は底電極28上に配置さ
れる。チャンバ24はさらに、側周辺電極30と上電極32とを含む。好ましい
実施形態においては、側周辺電極30は接地されているか、または、チャンバ2
4内に発生したプラズマの結果として浮遊電位に到達できるようになっている。
上電極32は一般的には接地されるが、これも浮遊電位に到達できるようにして
もよく、また、他の構成では電力源へ連結される。代表的な動作においては、側
周辺電極30と上電極32とは共に図1に示す如く接地される。しかしながら、
再言すれば、これらの電極はいずれも浮遊電位をもち得るようにしても良く、ま
た、他の構成では電力源と連結できる。
【0020】 好ましくは、2つのAC電源34が、整合ネットワーク及びコンバイナーを含
む適切な回路を介して底電極28に結合されている。さらに、第1及び第2のA
C電源34のシーケンシングをコントローラ40が制御する。代表的には、第1
の電源はキロヘルツのレンジで動作して、最適には約450kHzで提供され、
代表的には約4MHz以下のレンジである。第2の電源はメガヘルツのレンジで
動作して、代表的には約13.56MHzで動作するけれども、本発明では約1
MHzより高い他の周波数や13.56MHzの倍数も使用することができる。
この例では、第1の電源は200ワットで作動して、第2の電源は500ワット
で作動する。さらに、キロヘルツレンジに向かうとイオンエネルギーが増加する
一方、メガヘルツレンジに向かうとイオン密度が増加することが理解される。
【0021】 ガス発散ヘッド42は電極32の下に配置される。電極と発散ヘッドとは2つ
の独立したユニットでも単一の一体的なユニットでもよいことを理解すべきであ
る。さらなる例としてだけ言えば、ガス発散ヘッドは発散ポートを備えたリング
を含むことができ、このリングは上電極のまわりに配置される。
【0022】 さらに、反応器20は第1及び第2の外側電極(及び/又は他の収集表面)ハ
ウジング50及び52を含む。ハウジング50と52とは、それぞれロードロッ
ク54と56とを通じて反応チャンバ24に結合される。この好ましい実施形態
では、第1及び第2の電極ハウジングはそれぞれロボットアーム58と60とを
含む。第1の電極ハウジング50内には、取替え発散ヘッド64に沿って取替え
上電極62が配置されている。他の取替え収集表面をハウジング内に収容して、
反応器の汚染された収集表面と取替えるのに使用してもよい。
【0023】 電極32と発散ヘッド42とを電極62と発散ヘッド64又は他の収集表面へ
と取替える目的のための反応器20の動作は以下の通りである:反応器20内で
多数のウエハが処理された後には、電極32及び発散ヘッド42は、満足できる
ウエハのスループットないし清潔さを継続して提供することができないレベルに
までプロセス材料で被覆されていることだろう。従って、反応器20内でのウエ
ハ処理は中断される。その時に、反応チャンバ24を大気に開いて前記チャンバ
を大気圧にすることなしに、電極32及び発散ヘッド42又は他の収集表面と係
合し、これをチャンバ24内の適当な位置決め及び保持機構から引離すために、
ロードロック56が開かれてロボットアーム60がチャンバ24内へ挿入される
。その後、ロボットアーム60は、電極32及び発散ヘッド42又は他の収集表
面を、ロードロック56を通じて電極ハウジング52へと取去る。この時に、ロ
ードロック56が再び閉じられた後で、電極32及びヘッド42又は他の収集表
面は、適切なクリーニングのために電極ハウジング52から取去ることができる
。いったん電極32及び発散ヘッド42又は他の収集表面が取去られたなら、ロ
ードロック54を開くことができて、電極62が発散ヘッド64と共に、又は他
の取替え収集表面が、ロボットアーム58を使用してチャンバ24内へと挿入で
きる。ロボットアーム58は電極62及び発散ヘッド64又は他の収集表面をチ
ャンバ24内に適切に配置して、位置決め及び保持機構が電極62及び発散ヘッ
ド64又は他の収集表面と係合できる。ひとたびこれが完了すれば、ロードロッ
ク54は閉じられる。従って、上述の動作は効率的且つ迅速に完了することがで
きて、反応チャンバを大気圧にすることがなく、よって反応チャンバを交換処理
の間にわたって概略所望の圧力(大気圧又はそれ以上)及び/又は真空に維持す
ることが分かる。
【0024】 また、電極はシールド又は他の収集表面43によって保護することができ、そ
れを上述のやり方でハウジング50内に収容された取替えシールドと取替えるこ
とができることも理解すべきである。シールドは取去り可能に反応器に固定され
、及び/又は、電極及び/又は発散ヘッドとウエハを保持するチャックとの間に
取去り可能に配置される。
【0025】 そのような収集表面43を図1では想像線にて示している。表面43は、プラ
ズマがウエハ及びチャックへ向かってチャンバ内を貫通できるようなポートを備
えたシールドで構成することができる。収集表面43は導体又は絶縁体で構成す
ることができる。導体の収集表面43としては、少数の例を挙げれば、アルミニ
ウム、陽極処理アルミニウム、カーボン、及び様々なカーボンベースの化合物で
構成できる。絶縁体の表面43としては、石英、シリコン、テフロン、デルリン
("Delrin")、ナイロン、ポリアミド、及び様々な他の有機化合物で構成すること
ができる。
【0026】 このような状況においては、取替えられるのは電極及び/又はガス発散ヘッド
ではなくてシールド又は他の収集表面43である。一般的に、取替えるのは、電
極及び/又はガス発散ヘッドの組立体全体ではなくてシールドとするのが好まし
い。シールドの取替えだけを必要とするのならば、動作はより安価且つより迅速
になる。入力プロセスガス発散ヘッドがシールドの一部である場合には、これも
取替えられる。
【0027】 従って、少なくとも以下の組合わせが可能であって発明の精神及び範囲内にあ
ることが理解されるべきである。
【0028】 1. 電極と発散ヘッドとは別個のユニットであって、それらの一方又は両方
を取替えることができる。
【0029】 2. 電極と発散ヘッドとが単一のユニット(すなわち電極がガス発散ポート
を有していて、ユニット全体を取替えることができる。) 3. 電極は第1のユニットで、発散ヘッドとシールドとが第2のユニットで
あって、第2のユニットを取替えることができる。
【0030】 4. 電極と発散ヘッドとはそれぞれ別個のユニットであって、取替え可能な
シールドによって保護される。
【0031】 5. 電極と発散ヘッドとは単一のユニットであって、取替え可能なシールド
によって保護される。
【0032】 6. 電極、発散ヘッド、及びシールドはそれぞれ別個のユニットであって、
これらのいずれかひとつ又はこれらのあらゆる組合わせを取替えることができる
【0033】 さらに、収集表面は理想的には、堆積に対してシールドする、電極、発散ヘッ
ド、又は他の要素に匹敵する膨張係数を有する。
【0034】 図2は、本発明の実施形態による反応器70を示している。反応器70の要素
のうち図1の反応器20の要素と同一のものには同一の符号を付している。加え
て、反応器70はロードロック74によってチャンバ24に結合された電極ハウ
ジング72を含む。電極ハウジング72の内部には、取替え発散ヘッド78を備
えた第1の取替え上電極76又は他の収集表面がある。電極ハウジング72には
ロボットアーム80も収容されている。
【0035】 図2の反応器70の実施形態の動作は以下の通りである:いったん電極32及
び発散ヘッド又は他の収集表面のクリーニングが必要であると判断されて、最後
のウエハのためのプロセスが終了すると、チャンバ24を大気圧に暴露すること
なしにロードロック74が開かれる。ロボットアーム80がロードロック74を
通じて挿入されて、電極32及び発散ヘッド42に係合する。ロボットアーム8
0はその後、電極及び発散ヘッド又は他の収集表面を取去って、それらをハウジ
ング72内の位置82に配置する。このあとで、ロボットアーム80は取替え電
極76及び取替え発散ヘッド78又は他の取替え収集表面を、ハウジング72か
らチャンバ24内の位置へと搬送する。これが行なわれた後で、ロードロックは
閉じられる。
【0036】 上記すべての実施形態では上電極と発散ヘッドとの取替えに関して説明したけ
れども、他の電極及び/又は収集要素ないし表面を取替えることによって、他の
実施形態も同様に良好に実施することができることを理解すべきである。そして
さらに、本発明は、電極、発散ヘッド、及び反応器の上表面部分であって電極及
び発散ヘッドと関連してこれを取囲むもの、及び他の収集表面及び要素のあらゆ
る組合わせを取替えることによっても実施できる。
【0037】 図3及び図4には本発明の他の実施形態を示していて、反応器90が含まれて
いる。反応器90の要素のうち図1及び図2と同一のものには同一の符号を付し
ている。
【0038】 反応器90は追加的に、回転式ハウジング92を含んでいて、これが回転式機
構94を収容している。回転式機構94はキャリッジ96を含んでいて、これは
ピボット点98を中心としてピボット可能であると共に、反応器の上表面を形成
できる。キャリッジ96には、電極32及び発散ヘッド42及び/又は収集表面
が取付けられている。加えて、第2、第3、及び第4の電極100、102、及
び104と、第2、第3、及び第4の発散ヘッド106、108、及び110と
がキャリッジ96に取付けられている。これらの電極と発散ヘッドとの対は反応
器の上表面をも形成し、好ましくは、この特定の実施形態においてキャリッジ9
6の四分円に等しく間隔を隔てて取付けられている。
【0039】 もちろん、これらの対よりも多くをキャリッジ96の複数の位置に取付けるこ
ともでき、本発明の精神及び範囲に含まれる。反応器90はさらにロードロック
ドア112及び114を含む。
【0040】 動作に際しては、いったん反応器の上表面(これには電極32及び発散ヘッド
42を含むがそれに限定する必要はない)がプロセス材料で被覆されて、最後の
ウエハが反応器から取去られたならば、反応チャンバ24を大気圧に開くことな
しに、両方のロードロックドア112と114とを開く。これにより、キャリッ
ジ96はピボット点98を中心として反時計まわり方向へピボットすることがで
きて、電極100と発散ヘッド106とを反応チャンバ24内に配置すると同時
に、電極32と発散ヘッド42とを含む被覆された上表面を取去る。ひとたびこ
れが起こると、ロードロックドア112、114は再び反応チャンバ24を密閉
して、追加のウエハ処理を開始することができる。これに代えて、回転装置は、
固定された電極及び発散ヘッドを回転して通り過ぎるシールドを備えることもで
きる。いったんシールドの部分の上に堆積が集まったら、回転装置を回転させて
、回転装置の新たな清潔なシールド部分が静止した電極と発散ヘッドとを保護す
る。上記実施形態に関しては、キャリッジ機構のまわりをシールできるようなや
り方でロードロックドアをデザインできると適当だろう。
【0041】 これに代えて、図4aに示すように、キャリッジ機構97を静止させて、シー
ルド、電極及び/又は発散ヘッドがその上を搬送されるようなトラック機構を含
むようにすることができる。この実施形態でだけ、シールドは反応チャンバ内の
固定された電極とガス発散ヘッドとを保護する関係へと搬送される。これらのシ
ールドは符号101、103、105、及び107によって示される。トラック
機構97は、例えばシールドがキャリッジ機構を一巡できるようにシールドが取
付けられているトラック又はホイール機構を含むことができる。図4aにおいて
は、図4における要素と類似した要素には、符号に“a”を付加している。ロー
ドロックドア112a及び114aの領域では、キャリッジ機構は終端していて
、ロボットアーム118がそのため反応チャンバ24aから被覆されたシールド
を取去るのに使用されて、キャリッジ機構のトラック上に配置する。その後、ロ
ボットアーム116がキャリッジ機構から新たなシールド又は他の収集表面に係
合できて、これを反応器90aのチャンバ24a内へ挿入する。
【0042】 図5及び図6には、本発明の他の実施形態を示している。図5は、2つのエッ
チングモジュールを有するクラスター式ツールを示している。図5は本発明によ
る好ましい実施形態の装置120を例示している。装置120は、真空ロードロ
ックチャンバ122と、アライメントモジュール124と、2つのエッチングモ
ジュール126及び128と、ストリップモジュール130とを含んでおり、こ
れらのすべては、閉鎖可能な開口を通じて中央真空チャンバ132へ結合されて
いて、コンピュータプロセスコントロール装置(図示せず)によって動作させら
れる。ロードロックチャンバ122は、ウエハカセット(入場カセット)を保持
するための内部カセット昇降機を収容している。真空チャンバ132は、1のチ
ャンバないしモジュールから他へとウエハを搬送するためのロボットウエハ取扱
い装置134を有している。ストリップモジュール130は閉鎖可能な開口を通
じて大気中のロボットウエハ取扱い装置136へ結合されており、この装置13
6はリンスモジュール138へ結合されている。第2のロボットウエハ取扱い装
置136はストリップモジュール130とリンスモジュール138との間にてウ
エハを搬送する。大気中のロボットウエハ取扱い装置は、プロセスを完了した後
のウエハを保持した大気中のカセットモジュールのために働く。
【0043】 ストリップモジュール130の上には、取替え電極ハウジング140があり、
これは図6に示している。ハウジング140は、第1及び第2の取替え電極及び
発散ヘッドの対142、144、または、好ましくは永久的に配置された電極及
び/又は発散ヘッドを保護できる取替え収集表面又はシールド又は要素を収容す
るのに十分な空間を有している。加えて、元の電極及び発散ヘッドの対146、
148、または、最初にエッチングモジュール126、128に取付けられてい
た収集表面又はシールドを収容するための十分な空間が存在する。本実施形態は
さらに、電極ハウジング140にアクセスできるためのロードロック150と、
第1及び第2のエッチングモジュール126、128にアクセスできるためのロ
ードロック152、154とを含んでいる。
【0044】 動作に際しては、いったんウエハの処理が中断すると、ロボットアーム134
が使用されて、第1のエッチングモジュール126から電極及び発散ヘッドの対
、または、収集表面又は要素を取去って、それを電極ハウジング140内の対1
48の位置に配置する。その後、ロボットアーム134はハウジング140から
電極及び発散ヘッドの対144を取去って、それをエッチングモジュール126
内へ配置する。同様にして、第2のエッチングモジュール128から電極が取去
られて図6の146の位置に配置され、取替え電極及び発散ヘッドの対142が
ハウジング140からロボットアーム134によって移動させられて、第2のエ
ッチングモジュール128内に配置される。本実施形態及び他の実施形態におい
ては、電極と発散ヘッドの対をユニットとして取替えるように想定したけれども
、他の実施形態においては、電極と発散ヘッドとのいずれかを独立して望むよう
に取替えることができることを理解すべきである。
【0045】 図7及び図8には本発明のさらに他の実施形態を示しており、ツール160が
含まれている。ツール160は、ロボット搬送機構164を含んだ中央真空チャ
ンバ162を含む。ツール160は第1及び第2の反応チャンバ166、168
を含み、これらはメインハウジング170、172で取囲まれている。本実施形
態はまた、外側電極ハウジング174及び176を含む。外側電極ハウジング1
74及び176は、元の電極及び発散ヘッドの対182、184、または、他の
元の収集表面又は要素と取替えて使用される、取替え電極及び発散ヘッドの対1
78、180、または、他の収集表面又は要素を収容する。
【0046】 外側電極ハウジング174、176はさらに、電極及び発散ヘッドの対と共に
外側電極ハウジング174、176に出入りする、内側ハウジング186、18
8を含む。これらの内側ハウジング186、188は本質的には、この特定の実
施形態では、垂直な壁であって、反応チャンバ166、168の垂直壁と結びつ
く。従って、元の電極及び発散ヘッドの対182を図7に示すように取替え対1
78に交換するためには、取替え対178と垂直側壁186との両方が、外側ハ
ウジング174から反応チャンバ166内へと移動して、これと共に、同様な壁
と電極及び発散ヘッドの対182が反応チャンバ166の外へ移動する。いった
んこれが起こったら、適当なシールが使用されて内側ハウジング186に係合し
、チャンバを密閉して、ウエハの処理を開始することができる。従って、本実施
形態では、反応器の上表面全体を清潔な上表面に交換することを想定している。
【0047】 図8からわかるように、元の電極及び発散ヘッド184は取替え対178によ
って取替えられた。また、明らかに反応チャンバ172に据付けられた元の電極
及び発散ヘッドの対184は、取替え電極及び発散ヘッドの対182によって取
替えることができる。さらに図8からわかるように、電極及びヘッドの対180
の高さは電極及びヘッドの対184よりも高くなっていて、両方を同時に互いに
干渉することなしに交換することができる。
【0048】 上述のすべての動作は反応チャンバを大気へ通気させることなしに行なわれる
ので、本発明によればダウンタイムは最小になる。
【0049】 (産業上の利用性) 上記実施形態は本発明の効果を実証した。それには1又は複数の電極、発散ヘ
ッド、及び関連した壁及び絶縁体、または、他の収集表面又は要素のあらゆる組
合わせを、ひとたびプロセス材料で被覆されてから、変更するために必要なダウ
ンタイムを減少させる能力を含んでいる。そのような交換は、欠陥を減少させつ
つ、適切なウエハのスループットを提供する。
【0050】 本発明の他の特徴、性質、及び目的は図面と特許請求の範囲とを検討すること
で獲得できる。
【0051】 本発明について、発明と特許請求の範囲との精神及び範囲内において、他の実
施形態を展開することも可能であることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、本発明の第1の実施形態を示す模式的側面図である。
【図2】 図2は、本発明の第2の実施形態を示す模式的側面図である。
【図3】 図3は、本発明の第3の実施形態を示す模式的側面図である。
【図4】 図4は、図3の実施形態の模式的平面図であり、図4aは、本発明の他の実施
形態を示す模式的平面図である。
【図5】 図5は、本発明のさらに他の実施形態を示す模式的平面図である。
【図6】 図6は、図5の断面6−6における図である。
【図7】 図7は、本発明の第4の実施形態を示す模式的平面図である。
【図8】 図8は、図7の実施形態を示す模式的側面図である。

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハ処理ツールであって、 反応チャンバを備え、 取去り可能に且つ操作可能に前記反応チャンバの内部に配置される第1の収集
    要素を備え、 前記反応チャンバの外側に配置された収集要素チャンバを備え、 前記収集要素チャンバの内部に取去り可能に配置された第2の収集要素を備え
    、 前記反応チャンバを前記収集要素チャンバへ連通する連通機構を備え、 前記第1の収集要素を、前記反応チャンバから前記連通機構を通じて前記収集
    要素チャンバへと移動させることができると共に、前記第2の収集要素を、収集
    要素チャンバから前記連通機構を通じて移動させることもできて、第1の収集要
    素を第2の電極と交換するために、前記反応チャンバの内部に前記第2の収集要
    素を操作可能に配置する、搬送機構を備えたことを特徴とする半導体ウエハ処理
    ツール。
  2. 【請求項2】 前記連通機構はロードロックを備えていて、これにより、反
    応チャンバを所望の圧力又は真空に維持しつつ、第1の収集要素と第2の収集要
    素とを交換できることを特徴とする請求項1に記載のツール。
  3. 【請求項3】 半導体ウエハ処理ツールであって、 メインハウジングと第1の収集要素ハウジングとを含む反応チャンバを備え、 前記第1の収集要素ハウジング内に配置された第1の収集要素を備え、 前記反応チャンバの外側に配置された第2の収集要素ハウジングを備え、 前記第2の収集要素ハウジング内に配置された第2の収集要素を備え、 前記第1の収集要素ハウジングは前記第2の収集要素ハウジングと関連して、
    前記第1及び第2の収集要素ハウジングの動きを介して、前記第2の収集要素を
    前記反応チャンバ内の前記第1の収集要素と取替えることができることを特徴と
    する半導体ウエハ処理ツール。
  4. 【請求項4】 反応チャンバを所望の圧力又は真空に維持しつつ、第1の収
    集要素と第2の収集要素とを交換できるためのロードロックを備えていることを
    特徴とする請求項3に記載のツール。
  5. 【請求項5】 前記第2の収集要素ハウジングは、第2の収集要素を支持する内側ハウジング
    と内側ハウジング及び第2の収集要素を包含する外側ハウジングとを含んでいて
    、 第1の収集要素を第2の収集要素に取替えるために、前記第2の収集要素と前
    記内側ハウジングとが動いて反応チャンバと係合することを特徴とする請求項3
    に記載のツール。
  6. 【請求項6】 前記反応チャンバは反応チャンバ壁を有し、 第2の収集要素ハウジングの前記内側ハウジングは、前記反応チャンバ内に操
    作可能に配置された第2の収集要素を備えた、前記反応チャンバ壁の一部を形成
    できることを特徴とする請求項5に記載のツール。
  7. 【請求項7】 前記第1の収集要素は第1の電極を含み、前記第2の収集要素は第2の電極を
    含み、 前記第1の電極に関連した第1のプロセスガス発散ヘッドを含み、 前記第2の電極に関連した第2のプロセスガス発散ヘッドを含み、 第1の電極と第2の電極との取替えと共に、前記第2のプロセスガス発散ヘッ
    ドを前記第1のプロセスガス発散ヘッドと取替えることを特徴とする請求項3に
    記載のツール。
  8. 【請求項8】 前記第1の収集要素は第1の電極を含み、前記第2の収集要素は第2の電極を
    含み、 前記第1の電極に関連した第1のプロセスガス発散ヘッドを含み、 前記第2の電極に関連した第2のプロセスガス発散ヘッドを含み、 第1の電極と第2の電極との取替えと共に、前記第2のプロセスガス発散ヘッ
    ドを前記第1のプロセスガス発散ヘッドと取替えることを特徴とする請求項1に
    記載のツール。
  9. 【請求項9】 前記第1の収集要素は第1の電極を含み、前記第2の収集要素は第2の電極を
    含み、 前記反応チャンバは反応チャンバ壁を有し、前記反応チャンバ壁の第1の部分
    は前記第1の電極に関連し同電極と共に可動であり、 前記第2の電極は、それと共に関連した前記反応チャンバ壁の第2の部分を有
    し、同部分は前記反応チャンバ壁の前記第1の部分と実質的に同一であり、前記
    第1の電極を前記第2の電極と交換するのと共に、前記反応チャンバ壁の前記第
    1の部分を前記反応チャンバ壁の前記第2の部分と交換することを特徴とする請
    求項1に記載のツール。
  10. 【請求項10】 前記搬送機構はロボットアームを含んでいることを特徴と
    する請求項1に記載のツール。
  11. 【請求項11】 反応チャンバの動作を実質的に変化させることなしに、第
    1の収集要素を前記第1の収集要素ハウジングからクリーニングのために取去る
    ことを可能にする、第1の収集要素ハウジングと関連した他のロードロックを含
    んでいることを特徴とする請求項4に記載のツール。
  12. 【請求項12】 反応チャンバの動作を実質的に変化させることなしに、第
    1の収集要素を前記収集要素チャンバからクリーニングのために取去ることを可
    能にする、収集要素チャンバと関連した他のロードロックを含んでいることを特
    徴とする請求項2に記載のツール。
  13. 【請求項13】 半導体ウエハ処理ツールであって、 反応チャンバを備え、 取去り可能に且つ操作可能に前記反応チャンバの内部に配置される第1の収集
    要素を備え、 前記反応チャンバの外側に配置された第1の収集要素チャンバを備え、 前記第1の収集要素チャンバの内部に取去り可能に配置された第2の収集要素
    を備え、 前記反応チャンバの外側に配置された第2の収集要素チャンバを備え、 前記反応チャンバを前記第1の収集要素チャンバへ連通する第1の連通機構を
    備え、 前記反応チャンバを前記第2の収集要素チャンバへ連通する第2の連通機構を
    備え、 前記第1の収集要素を、前記反応チャンバから前記第2の連通機構を通じて前
    記第2の収集要素チャンバへと移動させることができる第1の搬送機構を備え、 前記第2の収集要素を、前記第1の電極チャンバから前記第1の連通機構を通
    じさせて、第2の収集要素を第1の収集要素と交換するために、前記反応チャン
    バ内の操作可能な配置へと移動させることができる、第2の搬送機構を備えたこ
    とを特徴とする半導体ウエハ処理ツール。
  14. 【請求項14】 前記第1の連通機構は第1のロードロックを備えていて、これにより、反応チ
    ャンバを所望の圧力及び所望の真空のひとつに維持しつつ、第2の収集要素を反
    応チャンバ内に配置できると共に、 前記第2の連通機構は第2のロードロックを備えていて、これにより、反応チ
    ャンバを所望の圧力及び所望の真空のひとつに維持しつつ、第1の収集要素を反
    応チャンバから取去ることができることを特徴とする請求項13に記載のツール
  15. 【請求項15】 半導体処理反応器のクリーニングの間のウエハスループッ
    トを増加させるための方法であって、 プロセス材料で被覆された第1の収集要素を反応チャンバから収集要素ハウジ
    ングへと、前記反応チャンバを大気圧及び環境の汚染に開くことなしに、移動さ
    せる第1の段階と、 第2の収集要素を前記収集要素ハウジング及び他の収集要素ハウジングのひと
    つから前記反応チャンバ内の操作可能な配置へと、前記反応チャンバを大気圧及
    び環境の汚染に開くことなしに、移動させる第2の段階と、から構成されること
    を特徴とする方法。
  16. 【請求項16】 前記第1の移動させる段階が、前記第1の収集要素を前記反応チャンバから前
    記収集要素ハウジングへとロードロックを通じて移動させることを含み、 前記第2の移動させる段階が、前記第2の収集要素を前記収集要素ハウジング
    及び前記他の収集要素ハウジングのひとつから前記反応チャンバへと移動させる
    ために、前記第2の収集要素を前記ロードロック及び他のロードロックのひとつ
    を通じて移動させることを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 【請求項17】 半導体ウエハ処理ツールであって、 反応チャンバを備え、 取去り可能に且つ操作可能に前記反応チャンバの内部に配置される第1の収集
    要素を備え、 前記反応チャンバの外側に配置された収集要素回転式チャンバを備え、 前記反応チャンバを前記収集要素回転式チャンバへ連通する連通機構を備え、 前記収集要素回転式チャンバハウジングは回転式機構を収容し、同機構には1
    又は複数の取替え収集要素が取付けられて、 前記回転式機構は、前記反応チャンバを大気圧に暴露させることなしに、前記
    1又は複数の取替え収集要素を前記反応チャンバ内へ移動させることができると
    共に、前記第1の収集要素を前記反応チャンバの外へ移動させることができるこ
    とを特徴とする半導体ウエハ処理ツール。
  18. 【請求項18】 前記回転式機構は、前記取替え収集要素のひとつを前記電
    極回転式チャンバの内部へと搬送できるトラックを含むと共に、前記取替え収集
    要素のひとつを収集要素回転式チャンバから前記反応チャンバへと移動させるこ
    とができるロボットアームを含んでいることを特徴とする請求項17に記載のツ
    ール。
  19. 【請求項19】 前記回転式機構が含む構造の上に少なくとも1の前記取替え収集要素を搬送す
    ることができ、 前記構造は、前記取替え収集要素を搬送するために、前記収集要素回転式チャ
    ンバの内部にピボット可能に取付けられていることを特徴とする請求項17に記
    載のツール。
  20. 【請求項20】 前記連通機構は中央チャンバを含み、 前記搬送機構は前記中央チャンバ内に配置され、前記第1及び第2の収集要素
    は、第2の収集要素を第1の収集要素と交換するために、中央チャンバを通過し
    なければならないことを特徴とする請求項1に記載のツール。
  21. 【請求項21】 前記収集要素は少なくとも電極、発散ヘッド、壁、及び反
    応器の上面のひとつを含み得ることを特徴とする請求項1に記載のツール。
  22. 【請求項22】 前記収集要素は少なくとも電極、発散ヘッド、壁、及び反
    応器の上面のひとつを含み得ることを特徴とする請求項3に記載のツール。
  23. 【請求項23】 前記収集要素は少なくとも電極、発散ヘッド、壁、及び反
    応器の上面のひとつを含み得ることを特徴とする請求項13に記載のツール。
  24. 【請求項24】 前記収集要素は少なくとも電極、発散ヘッド、壁、及び反
    応器の上面のひとつを含み得ることを特徴とする請求項17に記載のツール。
  25. 【請求項25】 前記収集要素は導体及び絶縁体のひとつであることを特徴
    とする請求項1に記載のツール。
  26. 【請求項26】 前記収集要素は導体及び絶縁体のひとつであることを特徴
    とする請求項3に記載のツール。
  27. 【請求項27】 前記収集要素は導体及び絶縁体のひとつであることを特徴
    とする請求項13に記載のツール。
  28. 【請求項28】 前記収集要素は導体及び絶縁体のひとつであることを特徴
    とする請求項17に記載のツール。
  29. 【請求項29】 前記収集要素は、ツールの固定要素をカバーすると共に、
    前記固定要素に匹敵する膨張係数を有していることを特徴とする請求項1に記載
    のツール。
  30. 【請求項30】 前記収集要素は、ツールの固定要素をカバーすると共に、
    前記固定要素に匹敵する膨張係数を有していることを特徴とする請求項3に記載
    のツール。
  31. 【請求項31】 前記収集要素は、ツールの固定要素をカバーすると共に、
    前記固定要素に匹敵する膨張係数を有していることを特徴とする請求項13に記
    載のツール。
  32. 【請求項32】 前記収集要素は、ツールの固定要素をカバーすると共に、
    前記固定要素に匹敵する膨張係数を有していることを特徴とする請求項17に記
    載のツール。
  33. 【請求項33】 反応壁によって形成された反応チャンバを備えた半導体ウ
    エハ処理ツールのための取替えユニットであって、前記取替えユニットは、 プロセス材料を収集することができる、選択的に取去れる収集表面を備え、 前記収集表面と関連した選択的に取去れる反応壁の部分を備えていて、前記収
    集表面と前記反応壁の前記部分とは共に取去ることができることを特徴とする取
    替えユニット。
  34. 【請求項34】 前記収集表面は少なくとも1つの電極及び発散ヘッドを含
    んでいることを特徴とする請求項33に記載の取替えユニット。
JP2000551054A 1998-05-28 1999-05-25 半導体処理反応器のクリーニングの間のウエハスループットを増加させるための方法及び装置 Pending JP2002517081A (ja)

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