CN102290327A - 基板处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板处理装置，在真空输送室连接用于对基板进行处理的多个处理室的基板处理装置中，能够抑制装卸处理室的盖体的装置的大型化且抑制占地面积增大。使用于保持盖体(52)并进行装卸(开闭)的盖体保持机构(741)共通化。并且构成为，在从真空输送室(4)上的旋转台(721)延伸的回旋臂(7)设置盖体保持机构(741)，在保持处理室(5)或者加载互锁真空室(3)的盖体(52)的状态下，盖体保持机构(741)能够沿着真空输送室(4)的周向通过并回旋于处理室(5)的上方区域。
Description
技术领域
本发明涉及一种在真空输送室连接用于对基板进行处理的多个处理室的基板处理装置。
背景技术
作为对形成有在平板显示器(FPD；Flat Panel Display)中被使用的玻璃基板、半导体器件的半导体基板(半导体晶圆)等被处理体进行蚀刻处理、灰化(ashing)处理、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积法)等成膜处理的基板处理装置，公知有在共用的真空输送室连接多个处理室的多室(multi chamber)方式的基板处理装置。
该处理室由在内部收纳有基板并且上方侧开口的容器主体、以及气密地堵住该容器主体的开口部的盖体构成，在进行处理室的内部或设置于盖体的气体喷头的维护时等，盖体从容器主体被取下。
每当相对于容器主体开闭(装卸)盖体时，如在专利文献1中所记载的那样，公知有如下技术：在每个处理室设置使盖体从容器主体上升并向该容器主体的侧方侧滑动，使盖体在该侧方向侧反转的开闭机构。
然而，由于为了在每个处理室设置开闭机构，除了开闭机构之外，还必须在每个处理室中确保使盖体滑动的空间，因此装置的占地面积(设置面积)变大。特别是，由于FPD基板的大小是数米见方程度，因此即使是用于使处理室的盖体滑动的空间也必须要有例如分别为3.0m×3.5m左右的宽阔区域。另外，在该装置中，由于需要按照处理室的个数来设置开闭机构，故会引起成本提高。
专利文献1：日本特开2007-67218号公报(参照图1、图19)
发明内容
本发明是鉴于上述的事情而形成的，其目的在于提供一种在真空输送室连接用于对基板进行处理的多个处理室的基板处理装置中，能够抑制装卸处理室的盖体的装置的大型化且抑制占地面积增大的技术。
本发明的基板处理装置，其将预备真空室、以及用于对基板进行处理的多个处理室连接于在内部设置有基板输送机构的真空输送室的周围，所述多个处理室构成为在各个容器主体之上设置盖体，
该基板处理装置的特征在于，具备：
旋转台，其在形成于所述真空输送室之上的支承面上，以所述真空输送室的中心部为旋转中心绕铅直轴可自由旋转地被设置；
回旋臂，其设置于该旋转台；以及
盖体保持机构，其设置于该回旋臂的前端部，且构成为为了相对于所述容器主体装卸盖体而保持盖体进行升降，并且以保持盖体的状态通过所述处理室的上方。
作为所述基板处理装置的具体的方式，也可以是以下的结构。
构成为具备：
齿条，其为了使所述旋转台旋转而设置于所述支承面以及所述旋转台的一方，且沿着旋转台的周向设置；
小齿轮，其设置于所述支承面以及所述旋转台的另一方，且在与所述齿条啮合的同时进行旋转；以及
驱动部，其旋转驱动所述小齿轮。
构成为：所述预备真空室构成为在容器主体之上设置盖体，该盖体通过所述盖体保持机构相对于该容器主体进行装卸。
构成为：在所述盖体的上表面，设置有前端部从该上表面朝上方侧延伸、并且沿横向弯曲而形成卡止部的被保持部，
在所述盖体保持机构设置有保持部，该保持部一边通过所述回旋臂的旋转沿水平方向移动一边进入到所述卡止部的下方侧，之后上升，经由所述卡止部举起所述盖体。
构成为：所述真空输送室的俯视形状形成为多边形，
在所述真空输送室的侧面中的一个侧面的外侧设置有用于维护盖体的维护区域，在其余的侧面分别与所述预备真空室和处理室连接。
构成为：在所述维护区域，设置有保持从所述盖体保持机构交接的盖体并使该盖体反转的盖体反转机构。
构成为：所述真空输送室具有六个侧面，在所述侧面连接一个所述预备真空室与四个处理室。
根据本发明，在沿着真空输送室的周围配置的多个处理室中，使用于保持盖体来进行装卸(开闭)的盖体保持机构共同化。并且，构成为在从真空输送室上的旋转台延伸的回旋臂的前端侧设置盖体保持机构，从处理室取下的盖体能够在比处理室的排列靠上方侧通过。因此，由于不需要在每个处理室确保载置盖体的空间，故能够抑制装置的大型化，抑制设置面积(占地面积)的增大。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的外观结构的立体图。
图2是所述基板处理装置的俯视图。
图3是表示所述基板处理装置的处理室的一例的纵剖面图。
图4是表示所述处理室的立体图。
图5是表示所述基板处理装置的盖体反转夹具的一例立体图。
图6是表示所述基板处理装置的盖体输送机构的一例的立体图。
图7是表示所述盖体输送机构的纵剖面。
图8是表示所述盖体输送机构旋转的样子的俯视图。
图9是表示所述盖体输送机构的盖体保持机构的一例的立体图。
图10是表示所述处理室的盖体通过盖体保持机构而被支承的样子的立体图。
图11是将所述基板处理装置横向展开从而表示多个处理室的展开图。
图12是示意性地表示通过所述盖体输送机构取下盖体的样子的侧视图。
图13是示意性地表示通过所述盖体输送机构取下盖体的样子的侧视图。
图14是示意性地表示通过所述盖体输送机构将盖体输送到盖体反转夹具的样子的侧视图。
图15是示意性地表示通过所述盖体输送机构取下盖体的样子的侧视图。
图16是示意性地表示搬出真空输送室的基板输送机构的样子的侧视图。
图17是示意性地表示搬出真空输送室的基板输送机构的样子的俯视图。
图18是表示所述基板处理装置的其他例的俯视图。
图19是表示所述基板处理装置的其他例的剖视图。
图20是表示所述基板处理装置的其他例的剖视图。
图21是表示所述基板处理装置的其他例的剖视图。
图22是表示所述基板处理装置的其他例的剖视图。
图23是表示所述基板处理装置的其他例的剖视图。
附图标记：
S…基板；4…真空输送室；5…处理室；7…回旋臂；51…容器主体；52…盖体；53…被保持部；721…旋转台；722…齿条部；730…旋转轴；733…小齿轮部；741…盖体保持机构
具体实施方式
参照图1及图2，对作为本发明的实施方式所涉及的多室型的基板处理装置的一例的、对FPD用的玻璃基板(以下，仅称基板)S进行处理(在该例中，为蚀刻处理)的装置的整体结构进行说明。图1表示基板处理装置的概观的立体图，图2是表示基板处理装置的内部的横截俯视图。将在图1中左手下(后述的大气装载部2)侧称为近前侧，将右手上(维护区域6)侧称为里侧，该基板处理装置从近前侧向里侧依次设置有大气装载部2、加载互锁真空室(load lock chamber)3、真空输送室4以及维护区域6。在该真空输送室4的周围分别气密地连接有多个例如4个处理室5。
大气装载部2是在收纳有多个基板S的运载器C与加载互锁真空室3之间，在大气环境气中用于进行基板S的搬入搬出的区域，具备载置运载器C的运载器载置部200、以及在该运载器载置部200与作为预备真空室的加载互锁真空室3之间输送基板S的大气侧基板输送机构23。在该例中，运载器载置部200以从近前侧观察相互朝左右分离的方式被设置于2个位置，在这些运载器载置部200、200之间设置有大气侧基板输送机构23。大气侧基板输送机构23具备：分上下2段连续设置的输送臂231、以及能够进退自由、升降自由以及绕铅直轴旋转自由地支承这些输送臂231的基台部232。图1中21是为了使运载器C升降而设置于各运载器载置部200的升降机构，22是从下方侧支承大气侧基板输送机构的支承台。
设置于大气装载部2的里侧的加载互锁真空室3构成为，供基板S放置的环境可以在常压(大气)环境与真空环境之间切换，在该例中，分上下2段层叠。如图2的俯视图所示，这些加载互锁真空室3分别具备：从下方侧支承基板S的缓冲器架32、以及引导基板S的载置位置的定位器(positioner)31。该加载互锁真空室3具备：上表面侧开口的大致箱型的容器主体(加载互锁真空室3的下部分)51a、以及气密地堵住该容器主体51a的开口部的盖体(上部分)52a，在该盖体52a的上表面，设置有使该盖体52a升降(装卸)的被保持部53。关于这些的盖体52a、被保持部53，与处理室5一并进行说明。此外，在图2中，取下加载互锁真空室3的盖体52a以及真空输送室4的顶板来表示这些加载互锁真空室3以及真空输送室4的内部区域。
如图2所示，真空输送室4的俯视形状构成为多边形，例如形成为正六边形，多个处理室5相对于这些加载互锁真空室3以及维护区域6在周向上分离并且以相互沿周向分离的方式气密地与该真空输送室4的6个侧面中的、设置有加载互锁真空室3以及维护区域6的侧面以外的侧面连接。在本实施例中，气密地连接有4个处理室5。在该真空输送室4内，设置有为了在加载互锁真空室3与各处理室5之间输送基板S而被构成为可升降自由以及绕铅直轴旋转自由的基板输送机构41。构成为，在该基板输送机构41上，从下方侧保持基板S的拾取(pick)部412可进退自由。
处理室5是在内部用于对基板S进行真空处理、在该例中进行蚀刻处理的立方体形状的处理容器，为了收纳一边为2.2m、另一边为2.5m左右大小的方形基板S，构成为例如横截平面的一边为3.0m、另一边为3.5m左右大小。
如所述的图1所示，该处理室5具有：上表面侧开口的大致箱型的容器主体(处理室5的下部分)51b、以及气密地堵住该容器主体51b的开口部的盖体(上部分)52b。并且，当处理室5的内部区域减压时，如图3所示，盖体52b经由设置于容器主体51b的上表面的周缘部的由树脂等构成的密封部件501，被气密地拉向容器主体51b侧。另外，当处理室5的内部区域回到大气环境时、或以稍变为正压的方式被加压时，盖体52b可自由从容器主体51b装卸。
在该盖体52b的上表面的中央部，为了使该盖体52b相对于容器主体51b升降(装卸)，如图1～图4所示，前端部朝上方侧伸出，并且沿横向水平地弯曲而形成卡止部502的被保持部53被设置在2处。这些被保持部53、53以卡止部502、502彼此背向的方式被配置。各被保持部53、53分别以沿着以图2的单点划线所示的后述的回旋臂7(详细地，盖体保持机构741，741)的回旋线L1、L2的方式形成为圆弧状。从该卡止部502的上端位置到盖体52b的下端位置的高度尺寸形成为250～350mm左右。对于所述的加载互锁真空室3的盖体52a，也设置有与该处理室5相同结构的被保持部53、53。
如图3以及图4所示，在盖体52b以及容器主体51b的外壁面，分别设置有对容器主体51b安装盖体52b时所使用的定位机构510、510。在该例中，定位机构510在从真空输送室4观察处理室5时的左右两侧，以每2组在前后方向相互分离的方式被设置。在容器主体51b的定位机构510，设置为了引导盖体52b的升降动作而沿铅直方向延伸的引导轴(定位轴)511，在盖体52b的定位机构510，设置有用于将该引导轴511在内部收纳且垂直地升降的环部件(定位块)512。并且，在盖体52b从容器主体51b的上方侧下降而安装于该容器主体51b时，以在水平方向环部件512与引导轴511相互重合的方式定位盖体52b，接着，环部件512以在内部收纳引导轴511的状态沿着该引导轴511下降。此外，关于图3右侧的定位机构510、510，为了描述引导轴511而切掉了一部分来进行表示。另外，在图4中省略了密封部件501以及处理室5内的各部件等的记载。在所述的加载互锁真空室3的盖体52a以及容器主体51a都设置有这些定位机构510、510。此处，在以后的说明中，存在将这些容器主体51a、51b以及盖体52a、52b分别统一用附图标记“51”、“52”进行说明的情况。
接着，参照图3，对该处理室5的内部结构进行简单的说明。处理室5形成为俯视形状为四边形，具有：为了载置基板S而设置于容器主体51b的下方侧的形成为下部电极的载置台81、以及用于向该载置台81上的基板S供给处理气体(蚀刻气体)的形成为上部电极的气体喷头82。在载置台81，设置有用于静电吸附基板S的未图示的静电卡盘。气体喷头82经由绝缘部件83与盖体52b的内周壁连接。在图3中，85为经由真空排气管84对处理室5的内部环境进行真空排气用的真空泵，86为从气体供给管87经由形成于气体喷头82的下表面的气体排出孔88，向处理室5的内部供给处理气体用的处理气体源。此外，89为高频电源，90为绝缘部件，91为基板S的输送口。另外，在该处理室5，为了在载置台81与所述的基板输送机构41之间经由输送口91进行基板S的交接，设置有对该载置台81上的基板S从背面侧升降自由地出没的未图示的升降销。
并且，将高频电压从高频电源89经由匹配器89a向气体喷头82施加从而使氯气等处理气体等离子体化，通过该等离子体，进行对形成于该基板S上的氧化铝膜等的蚀刻处理。另外，在进行容器主体51b的内部区域、气体喷头82的维护时，盖体52b被取下。此外，在图1、图2中，为了图示方便，示意性地表示处理室5。图1中G是气密地设置于在大气装载部2与加载互锁真空室3之间、加载互锁真空室3与真空输送室4之间以及真空输送室4与各处理室5之间的可开闭的闸阀。
在真空输送室4的侧面中的与加载互锁真空室3对置的侧面，配置用于维护从处理室5、加载互锁真空室3取下的所述盖体52的维护区域6，该维护区域6作为对加载互锁真空室3以及4个处理室5共用的区域被设置。如图5所示，在维护区域6，设置有用于保持盖体52从而使盖体52反转的盖体反转夹具61。该盖体反转夹具61具备盖体反转机构，该盖体反转机构由保持盖体52的外周侧底面部的框体部611、以及从真空输送室4侧观察，绕水平轴可旋转地支承框体部611的左右两侧的二边各自长度方向的中央部的旋转支承部613构成，经由旋转支承部613而由支柱部件612支承。盖体反转夹具61构成为，通过设置于支柱部件612的下端的后述的台车部614而能够行驶。
图5中，621为使旋转支承部绕水平轴旋转的马达等旋转机构，622为进入盖体52的定位机构510的环部件512的内部区域且引导盖体52的升降动作的引导轴。在设置有该引导轴622的定位机构623上设置有螺栓孔624，该螺栓孔624用于在定位机构623与盖体52的定位机构510之间通过螺栓紧固来固定框体部611与盖体52。此外，对盖体反转夹具61以及处理室5的定位机构510，在图3、图4以及图5之外省略描述。
另外，维护区域6兼作从真空输送室4取出基板输送机构41的区域，在该维护区域6侧的真空输送室4的侧壁，形成有用于从作为该真空输送室4的内部区域的输送空间401取出基板输送机构41的开口部431。该开口部431通过未图示的开闭部件，开闭自由地、气密地被关闭。
在该例中，加载互锁真空室3、4个处理室5以及维护区域6，以从真空输送室4的中央部观察时利用后述的回旋臂7进行盖体52的交接的各个位置排列于一个圆周上的方式，从真空输送室4呈放射状配置。
另外，如图6所示，该基板处理装置具备盖体输送机构，该盖体输送机构构成为包含：设置于真空输送室4的上方的旋转台721；基端侧固定于该旋转台721，另一端侧(前端部)延伸到真空输送室4的外侧的回旋臂7；以及设置于该回旋臂7的前端部，用于装卸处理室5的盖体52且输送盖体52的盖体保持机构741。若对这些各部分进行说明，则在真空输送室4之上形成有支承面。该支承面也可以兼作真空输送室4的顶板面的上表面，或也可以构成为经由从地面延伸的支承部件在真空输送室4的上方设置支承板，通过该支承板的上表面构成该支承面。在本实施方式中，以将真空输送室4的顶板部的上表面(详细地，设置于真空输送室4之上的板状体)作为支承面为例，对使用所述支承板的例子在后面进行说明。
在构成真空输送室4的顶板面的顶板701的上表面(支承面)，设置有作为沿着以真空输送室4的中心部为中心的圆形成为环状的引导部件的导轨702。此外，该顶板701包括层叠多个板构成的结构。在该导轨702上设置有与所述圆为同心圆的旋转台721。如图7所示，该旋转台721在嵌合于导轨702的状态下，通过螺丝705被固定于在该导轨702被引导的被引导部件703之上。被引导部件703在导轨702的周向等间隔地设置多个，其设置个数没有限定，例如优选为12个以上。
在旋转台721的外周侧的顶板701上，设置有与所述圆为同心圆状的、遍及整周在外侧面形成有齿轮部723的环状的齿条部722。另外，在旋转台721的齿条部722的外侧部位，与齿条部722啮合的、可绕铅直轴旋转自由的小齿轮部(行星齿轮)733朝旋转台721的下方侧突出地设置。该小齿轮部733的旋转轴730构成为，通过形成旋转台721上的驱动部的马达736经由减速机735旋转。因此，如果通过马达736使小齿轮部733旋转，则旋转台721旋转。马达736构成为，安装未图示的编码器，能够通过该编码器的编码器值来控制真空输送室4上的旋转台721的旋转位置，即，盖体保持机构741的位置。此外，在图6中，切掉了基板处理装置的一部分进行描述。
回旋臂7具备沿长度方向相互分离的2块梁板712、712，以及在这些梁板712、712之间在多个位置将这些梁板712、712连结起来的连结部件711。此外，这些梁板712、712以形成为在前端部保持的盖体52的配重(counter weight)的方式，形成为基端侧(真空输送室4侧)较粗、前端侧较细。
此处，如图6以及图8(a)所示，在真空输送室4的顶板701，设置有堵住用于将基板输送机构41搬入搬出的开口部的矩形的盖710。另外，在旋转台721设置有比盖710大的矩形的切口部700，并且在回旋臂7的梁板712、712以及通过连结部件711包围的底板的区域，比盖710大的矩形的切口部720对应于所述切口部700而形成。根据这样的结构，通过在切口部700、720中收纳盖710的旋转位置使旋转台721停止，能够进行取下盖710来搬入搬出基板输送机构41等作业。此外，在该图8(a)中示意性地示出2块梁板712、712间的分离尺寸。
如图1以及图9所示，盖体保持机构741具备：保持所述的盖体52的被保持部53的保持部743、以及升降自由地支承该保持部743的升降机构742。在该例中，在回旋臂7的长度方向相互对置地设置有一对的保持部743、743。这些保持部743将垂直于各自下方侧延伸的垂直片744的前端以相互相向的方式弯曲形成为L字状，从真空输送室4的中心观察，内侧的垂直片744以及外侧的垂直片744以分别沿着以图2中单点划线表示的L1、L2的方式形成为圆弧状。并且，这些垂直片744、744设定为，以与盖体52上的卡止部502、502卡止的方式定位，并且该垂直片744、744的下端部以沿着这些卡止部502、502的前端部的方式形成为圆弧状。
保持部743、743通过作为升降机构742的千斤顶机构751升降自由地被设置。该千斤顶机构751构成为通过利用升降马达754使与保持部743螺合的垂直的螺纹轴752旋转，保持部743能够一边被引导部件753引导一边升降。
因此，当通过该盖体保持机构741来举起盖体52时，如图10(a)所示，以垂直片744的上端面处于卡止部502的下端面之下的方式驱动千斤顶机构751，并以该垂直片744进入到卡止部502的下侧的区域的方式使旋转台721旋转。接着，如同图(b)所示，通过驱动千斤顶机构751而使盖体保持机构741上升，由此将盖体52从容器主体51取下。盖体52的取下在处理室5、加载互锁真空室3的内部环境设定为大气环境或者少许加压环境来进行。此外，在图10中，切掉了盖体52进行表示。
另外，在容器主体51或者盖体反转夹具61安装盖体52时，以与举起盖体52时相反的顺序使盖体保持机构741进行动作。即，以保持盖体52的盖体保持机构741位于容器主体51或者盖体反转夹具61的上方位置的方式使旋转台721旋转，接着驱动千斤顶机构751使盖体52下降。此时，如上述那样，通过定位机构510，盖体52以朝向安装位置垂直下降的方式被引导。并且，在容器主体51或者盖体反转夹具61上载置了盖体52后，使盖体保持机构741进一步下降以使得卡止部502与垂直片744的卡定脱离，接着，使旋转台721旋转从而使盖体保持机构741从该盖体52向侧方侧退避到脱离的区域。这样一来，在处理室5、加载互锁真空室3中，通过对内部的环境进行减压，盖体52相对于容器主体51气密地连接。另外，在盖体反转夹具61中，经由螺栓孔624将框体部611与盖体52固定，然后反转盖体52。
此处，如图11所示，盖体保持机构741通过千斤顶机构751而升降的升降行程Z被设定为：使保持部743从一个处理室5或者加载互锁真空室3取下的盖体52，不与其他的处理室5或者加载互锁真空室3的盖体52干涉地旋转的尺寸、例如1000mm左右。此外，图11是示意性表示沿着旋转台721的旋转方向切断真空输送室4，沿着该切面将加载互锁真空室3、4个处理室5以及维护区域6左右展开的展开图。在该图11中，对盖体保持机构741以及被保持部53的朝向，示意性地改变90°朝向描述。另外，在所述的盖体反转夹具61上载置盖体52后的高度位置被设定为，与在处理室5、加载互锁真空室3上安装了盖体52后的高度位置相同的高度。
另外，如图2所示，基板处理装置具备控制部8。该控制部8由具备未图示的CPU、存储部等的计算机构成，在存储部记录有编写了用于控制在基板处理装置进行基板S的蚀刻处理等工序时的动作，以及输送所述盖体52的动作的步骤(命令)群的程序。该程序被收纳于硬盘、光盘、磁光盘、存储器卡等存储介质中，从该存储介质安装于计算机。
以下，参照图12～图16，对本实施方式的基板处理装置的作用进行说明。首先，对在该基板处理装置中对基板S进行通常的蚀刻处理时的情况进行简单的说明。首先，使用大气侧基板输送机构23从运载器载置部200上的运载器C取下基板S，并将该基板S搬入到加载互锁真空室3。从该加载互锁真空室3使大气侧基板输送机构23退避后，对加载互锁真空室3内进行真空排气。接着，通过基板输送机构41将基板S搬入到处理室5，使基板输送机构41从处理室5退避。并且，如上述那样，在处理室5中，通过在基板S的上方空间形成等离子体，对该基板S进行蚀刻处理。之后，该基板S以与搬入到处理室5的顺序相反的顺序返回到运载器C。在进行这样一系列的处理时，盖体保持机构741在不与盖体52的被保持部53干涉的位置，例如在维护区域6的上方区域，在比盖体52的卡止部502的高度水平靠上方侧待机。
接下来，对进行加载互锁真空室3、处理室5的内部区域、盖体52的维护情况进行说明。在该例中，举例维护这些加载互锁真空室3以及4个处理室5中的从加载互锁真空室3起逆时针方向邻接的处理室5的情况进行说明。首先，预先取下与该处理室5的盖体52b连接的布线(从高频电源89导出的供电线)、气体供给管87等用力线。另外，关闭该处理室5与真空输送室4之间的闸阀G，将该处理室5的内部环境设定为大气环境或者少许加压环境。
并且，如图12(a)所示，以盖体保持机构741位于从进行维护的处理室5的被保持部53向侧方侧偏离的区域的上方侧的方式，使旋转台721(详细地，马达736)旋转。在图12以及后述的图13中，与所述图11相同，对盖体保持机构741以及保持部743将朝向改变90°进行描述。
接着，如图12(b)所示，驱动千斤顶机构751使盖体保持机构741下降。接着，在盖体保持机构741(垂直片744)的上表面与卡止部502的下端面之间形成有缝隙的高度位置，使旋转台721旋转从而使盖体保持机构741沿水平方向回旋。并且，如所述图10以及图12(c)所示，使保持部743位于卡止部502的下方侧，并且使盖体保持机构741上升，使这些卡止部502与保持部743卡合。接着，如图13(a)所示，如果使保持部743(盖体保持机构741)进一步上升，则由于保持部743固定了卡止部502，故盖体52b与盖体保持机构741一同上升。
并且，如图13(b)所示，在由盖体保持机构741取下的盖体52b不与其他的盖体52干涉(碰撞)的高度位置，将该盖体52b经由其他的盖体52的上方区域朝向维护区域6进行输送。之后，如图13(c)以及图14(a)所示，从该维护区域6的上方位置使盖体52b下降，通过该盖体52b的定位机构510与盖体反转夹具61的定位机构510之间的配合作用，将该盖体52b设置于盖体反转夹具61上。接着，为了解除卡止部502与垂直片744的卡止，使盖体保持机构741稍微下降，并且将该盖体保持机构741从维护区域6朝侧方侧退避。之后，该盖体保持机构741为了取下其他的盖体52，上升到不与被保持部53干涉(碰撞)的高度位置例如盖体52的上方侧之后，沿水平进行回旋。
在该盖体反转夹具61中，如所述那样，经由螺栓孔624将该盖体反转夹具61与盖体52b固定，如图14(b)所示，反转盖体52b来对所述气体喷头82进行维护。另外，对取下了该盖体52b的容器主体51b进行维护。如同图(c)所示，该盖体52b的维护也可以经由台车部614将盖体反转夹具61输送到离开维护区域6的区域来进行。维护结束后，盖体52b恢复到原来的朝向，盖体52b以与输送到盖体反转夹具61的顺序相反的顺序被输送到容器主体51b。
此时，也可以在将一个盖体52输送到盖体反转夹具61后，取下其他的盖体52，并且该其他的盖体52通过盖体保持机构741被保持，对该一个以及其他的容器主体51、51进行维护。作为这样的情况的具体例，图15表示将与加载互锁真空室3的顺时针方向邻接的盖体52b输送到维护区域6之后，也取下加载互锁真空室3的盖体52a，对这2个容器主体51a，51b进行维护的情况。
接下来，对取下基板输送机构41时的动作进行说明。此时，将盖体反转夹具61从维护区域6退避，并且将真空输送室4设定为大气环境之后，取下气密地堵住所述的开口部431的开闭部件421(图16(a)，图17(a))。并且，将基板输送机构41与设置于该基板输送机构41的下方侧的驱动机构411分开，将基板输送机构41从开口部431搬出到基板处理装置的外部(图16(b)，图17(b))。另外，取下驱动机构411时也同样地取下覆盖设置有驱动机构411的机械室402的侧方侧的开口部432的开闭部件422，从该开口部432搬出驱动机构411(图16(c))。此外，图16中44为气密地划分输送空间401与机械室402的床面，413为气密地设置于床板44与基板输送机构41之间的波纹管。
在上述的实施方式中，在沿着真空输送室4的周围配置的多个处理室5中，使用于保持盖体52来进行装卸(开闭)的盖体保持机构741共同化。并且，构成为：在从真空输送室4上的旋转台721伸出的回旋臂7设置盖体保持机构741，在保持处理室5或者加载互锁真空室3的盖体52的状态下，盖体保持机构741能够沿着真空输送室4的周向通过处理室5的上方区域且进行旋转。因此，由于不需要针对每个处理室5、加载互锁真空室3确保载置盖体52的空间，故能够抑制装置的大型化，抑制设置面积(占地面积)的增大。另外，与在每个处理室5、加载互锁真空室3设置盖体52的装卸机构的结构相比，能够降低装置的成本。另外，即便在一个处理室5取下了盖体52b的状态下，在其他的处理室5中也能够继续基板S的处理。并且，由于在旋转台721之上设置了回旋臂7，通过齿条部722与小齿轮部733使旋转台721旋转，故即便因基板S的大型化而引起回旋臂7、盖体52以及盖体保持机构741的重量变大也能够进行稳定的驱动。
另外，在装卸盖体52时，垂直片744在卡止部502的下方侧水平移动，使这些卡止部502与垂直片744卡合，故不需要用于开动以夹住卡止部502、502的方式对置的保持部743的机构，因此，能够实现装置的简单化以及低成本化。另外，由于在盖体52、容器主体51以及盖体反转夹具61设置定位机构510，故能够简单地装卸盖体52。
另外，由于除装卸盖体52的回旋臂7之外，进行盖体52的维护的维护区域6也在加载互锁真空室3以及4个处理室5中共同化，故能够进一步实现装置的节省空间化以及低成本化。另外，由于能够从维护区域6侧的真空输送室4的侧壁取出基板输送机构41，故与使用起重机等经由真空输送室4的顶板面举起的情况相比，不需要设置起重机，并且能够简单地搬出基板输送机构41。
另外，在真空输送室4的上表面设置回旋臂7时，由于使用梁板712、712使真空输送室4的顶板面的盖710不被塞住，故能够进行基板输送机构41的取出。另外，在进行设置于真空输送室4与处理室5之间的闸阀G的维护时，以使盖体保持机构741退避到离开了该处理室5的区域的方式使回旋臂7旋转，从而利用该回旋臂7不会妨碍维护作业。
回旋臂7的结构并不局限于图1所示的单臂梁式的回旋臂7的例子，如图18所示，也可以将真空输送室4的中央部作为基点向两侧使回旋臂7伸长，在这些回旋臂7、7的前端部设置盖体保持机构741、741。
另外，齿条部722以及小齿轮部733的位置关系并不局限于之前的实施方式的结构，如图19所示，也可以是将在内周侧形成有齿轮部723的齿条部722配置于外周侧，将小齿轮部733配置于内侧的结构。另外，如图20所示，也可以在齿条部722的上表面形成齿轮部723，在该齿条部722上以绕水平轴旋转的方式设置小齿轮部733。另外，如图21所示，也可以将齿条部722形成于旋转台721的周缘部，并且将小齿轮部733设置于支承面上。另外，代替将旋转台721设定为圆形状，如图22所示，也可以以包围齿条部722的方式形成为环状。此外，也可以在将齿条部722配置于支承面的结构中，将小齿轮部733设置于回旋臂7。在该情况下，能够称之为将小齿轮部733经由旋转台721设置于回旋臂7的结构，相当于权利要求书中的“设置于旋转台”结构。
另外，在之前说明了也可以不将旋转台721、回旋臂7设置于真空输送室4的顶板面，而经由从床面延伸的支承部件设置于真空输送室4的上方区域的情况，在此参照图23对这样的结构进行说明。在该图23中，801为在从真空输送室4的周围的地面垂直延伸到比真空输送室4的顶板面的高度位置靠上方侧的支承部件，该支承部件801在该真空输送室4的周围等间隔地设置在多个位置。并且，支承板802以将真空输送室4从上方侧覆盖的方式水平地设置于这些支承部件801的上端侧。在该支承板802上设置有所述的旋转台721、导轨702以及回旋臂7。在这样设置了支承板802的情况下，由于回旋臂7、盖体52的负载不施加于真空输送室4，故不需要对基板处理装置进行改造、施工等。此外，在图23中简化基板处理装置的记载进行表示。
在以上说明中，本发明也可以在齿条部722以及支承面的一方以及另一方分别设置夹送辊与压接于该夹送辊的环上的引导件，通过夹送辊的旋转使旋转台721旋转。该情况的夹送辊以及引导件分别相当于在本发明提到的小齿轮部733以及齿条部722。
作为装卸盖体52的机构，通过使盖体保持机构741水平地滑动(回旋)，从而保持部743位于卡止部502的下方侧，也可以在盖体保持机构741设置驱动机构，以夹住被保持部53、53的方式驱动保持部743。另外，使旋转台721的旋转中心位于水平方向的真空输送室4的中央部，但该真空输送室4的中央部并不意味着是该真空输送室4的中心位置，也包含相对于连结加载互锁真空室3、4个处理室5以及维护区域6的各自的中央位置而形成的圆，盖体保持机构741的回旋线L偏心的情况。
作为千斤顶机构751，也可以将各自的螺纹轴752分割为上下2半，抑制该千斤顶机构751的高度尺寸。另外，也可以不设置盖体反转夹具61，在通过盖体保持机构741举起的状态下进行气体喷头82的维护。另外，作为固定盖体反转夹具61与盖体52的机构，也可以是在盖体反转夹具61上载置盖体52时自动地被固定的机构。另外，作为在对基板S进行蚀刻处理时的盖体保持机构741的待机位置，除维护区域6的上方位置以外，只要是不与基板S的处理、输送干涉的位置即可，也可以是处理室5、加载互锁真空室3的上方位置等。另外，作为该盖体保持机构741待机时的高度位置，也可以设定为垂直片744位于卡止部502的下方侧。另外，也可以通过使回旋臂7伸缩，将盖体52从一个处理室5经由真空输送室4的上方区域输送到维护区域6。在该情况下，回旋臂7也可以构成为，如上述那样以通过小齿轮部733以及齿条部722进行旋转，并且以盖体保持机构741沿着回旋臂7的长度方向能够进退的方式在梁板712、712的长度方向的中途部位弯曲的多关节的臂。
另外，作为处理室5，并不局限于基板S的蚀刻处理，也可以是进行CVD等的成膜处理、灰化处理等的真空处理的结构。另外，处理室5的数量也可以是2个～3个或者5个以上。因此，从上方侧观察真空输送室4时的形状为多边形，例如也可以是三角形、四边形或七边形等，也可以为圆形。并且，作为在基板处理装置中进行处理的基板S，除方形的玻璃基板S以外，也可以是半导体晶圆等圆形基板。
Claims (7)
1.一种基板处理装置，其将预备真空室以及用于对基板进行处理的多个处理室连接于在内部设置有基板输送机构的真空输送室的周围，所述多个处理室构成为在各个容器主体之上设置盖体，
该基板处理装置的特征在于，具备：
旋转台，其在形成于所述真空输送室之上的支承面上，以所述真空输送室的中心部为旋转中心绕铅直轴可自由旋转地被设置；
回旋臂，其设置于该旋转台；以及
盖体保持机构，其设置于该回旋臂的前端部，且构成为为了相对于所述容器主体装卸盖体而保持盖体进行升降，并且以保持盖体的状态通过所述处理室的上方。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具备：
齿条，其为了使所述旋转台旋转而设置于所述支承面以及所述旋转台的一方，且沿着旋转台的周向设置；
小齿轮，其设置于所述支承面以及所述旋转台的另一方，且在与所述齿条啮合的同时进行旋转；以及
驱动部，其旋转驱动所述小齿轮。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述预备真空室构成为在容器主体之上设置盖体，该盖体通过所述盖体保持机构相对于该容器主体进行装卸。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述盖体的上表面，设置有前端部从该上表面朝上方侧延伸、并且沿横向弯曲而形成卡止部的被保持部，
在所述盖体保持机构设置有保持部，该保持部一边通过所述回旋臂的旋转沿水平方向移动一边进入到所述卡止部的下方侧，之后上升，经由所述卡止部举起所述盖体。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述真空输送室的俯视形状形成为多边形，
在所述真空输送室的侧面中的一个侧面的外侧设置有用于维护盖体的维护区域，在其余的侧面分别与所述预备真空室和处理室连接。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述维护区域，设置有保持从所述盖体保持机构交接的盖体并使该盖体反转的盖体反转机构。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述真空输送室具有六个侧面，在所述侧面连接一个所述预备真空室与四个处理室。
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