201211291 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關於濺鍍成膜裝置，特別是笮 靶材材料而使用金屬材料者。 【先前技術】 近年來，作爲在大面積之成膜對象物的表恒 融點之金屬薄膜的方法，係一般性地進行有濺鍍 圖9，係對於先前技術之濺鍍成膜裝置1 1 0之 圖作展示。 濺鍍成膜裝置110，係具備有：真空槽111、 濺鍍部12(^- 12 04。各濺鍍部12(h〜12 04之構造 同，若是以符號12(h之濺鍍部爲代表來作說明， 1 20,係具備有金屬材料之靶材121!、和擋板122 石裝置126i。 靶材12h，係被形成爲較擋板1221表面之大 的平板形狀，靶材121!之外周全體係位置在較指 面之外周而更內側處，並以使擋板122 1表面之周 材12h之外周而露出的方式，來重疊貼合在擋β 面上。 磁石裝置126!，係被配置在擋板122 ,之背面 裝置126i，係在與擋板122i相平行之磁石固定板 具備有被配置爲直線狀之中心磁石127N、和從 1 27b,之周緣部而空出有特定距離地來以環狀而 關於作爲 i上形成高 法。 :內部構成 和複數之 ，係爲相 則濺鍍部 1、以及磁 :小而更小 I板122!表 丨緣部從靶 ί 122i之表 丨側。磁石 127c,上， 中心磁石 包圔中心 201211291 磁石127b!之外周磁石127a,。外周磁石127ai和中心磁石 1 2 7b i，係分別在靶材1 2 1 ,之背面處，使互爲相異之極性的 磁極相對向地來作配置。 在磁石裝置1 2 6 ,之背面側處，係被配置有移動裝置 129，磁石裝置126!係被安裝在移動裝置129上。移動裝置 129，係被構成爲使磁石裝置126|在與靶材121!之背面相平 行的方向上移動。 若是對於濺鍍成膜裝置110之全體的構造作說明，則 各濺鍍部1201〜12 04之擋板1221〜1224，係在真空槽111之 內側的壁面上相互分離的而並排爲一列地作配置。各擋板 1221〜1224，係隔著絕緣物而被安裝在真空槽111之壁面上 ，並被與真空槽1 1 1作電性絕緣。 在各擋板122i〜1 224之外周的外側處，係與各擋板 122,- 12 24之外周相分離地而被立起設置有金屬製之防附 著構件1 2 5，並被與真空槽1 1 1作電性連接。防附著構件 125之前端，係以將各擋板122i〜1 224之周緣部作覆蓋的方 式，而被朝向靶材121,〜1214之外周作直角彎折，並以環 狀來包圍靶材之表面。將靶材12h〜1214表面 之中的露出於防附著構件125之環的內周處的部分，稱作 濺鍍面。 在真空槽1Π之排氣口處，連接真空排氣裝置112，而 預先對真空槽111內作真空排氣。將成膜對象物131載置在 成膜對象物保持部132上，並搬入至真空槽111內，而使其 在與各靶材121!〜1214之濺鍍面相分離並相對面的位置處 -6- 201211291 靜止。在真空槽111之導入口處，連接氣體導入系113 ’而 將身爲濺鍍氣體之Ar氣體導入至真空槽111內。 若是在各擋板122!〜1 224處電性連接電源裝置135 ’並 對於相鄰接之2個的靶材施加互爲逆極性之交流電壓，則 當相鄰接之2個的靶材中之其中一方成爲正電位時，另外 一方係成爲負電位的狀態。在相鄰接之靶材間，係產生放 電，各靶材121!〜1214和成膜對象物131之間的Ar氣體係 被電漿化。 或者是，將電源裝置135電性連接於各擋板122!〜1224 和成膜對象物保持部132處，並對於各靶材121 ,〜1214和成 膜對象物131施加互爲相異極性之交流電壓，而在各靶材 121 !〜1214和成膜對象物131之間使放電產生，並使各靶材 121!〜1214和成膜對象物131之間的Ar氣體電漿化。於此 情況，就算是單數之靶材亦可作實施。 電漿中之Ar離子，係被磁石裝置126,〜12 64在靶材 121,-1214上而於與擋板122相反側之表面上所形成的磁場 所捕捉。當各靶材12h〜1214成爲負電位時，Ar離子係與 該靶材1 2 1 !〜1 2 1 4之濺鍍面相碰撞，並將金屬材料之粒子 彈飛。被彈飛的金屬材料之粒子的一部份，係附著於成膜 對象物131之表面上。 在各靶材121 i〜1214上所產生之磁場，由於上述之磁 石裝置126,- 1 264在構造上係成爲不均一，因此，在相對 上磁力密度較高的部分，Ar離子會集中，相較於周圍之相 對上磁力密度較低的部分，靶材121!〜1214會更早地被削 201211291 去。如此這般，爲了防止在靶材121,〜1214處產生被局部 性地削去的部分（侵蝕），係設爲一面使磁石裝置1 26 ,〜 1 264移動一面進行濺鑛，但是，被磁場所捕捉之電漿，若 是與被作了電性接地之防附著構件1 2 5相接觸，則電漿中 之離子的電荷會通過防附著構件125而流動至接地電位， 並使電漿消失，因此，係有必要使其在外周磁石127a,〜 127a4之環的外周全體會位置在較濺鍍面之外周而更內側 的位置處之範圍內來作移動。 因此，在靶材121i〜1214之濺鍍面的外緣部處，電漿 係並不會到達，而有著會殘留並未被濺鍍之非侵蝕區域的 問題。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本特開2008-274366號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 本發明，係爲了解決上述先前技術之問題而創作者， 其目的，係在於提供一種能夠將靶材之濺鍍面中的相較先 前技術而爲更廣闊的面積作濺鍍之濺鍍成膜裝置。 〔用以解決課題之手段〕 爲瞭解決上述課題，本發明，係爲一種濺鍍成膜裝置 ’係具備有：真空槽、和將前述真空槽內作真空排氣之真 -8- 201211291 空排氣裝置、和將濺鍍氣體導入至前述真空槽內之氣體導 入系、和具備有在前述真空槽內而露出並被作濺鍍之濺鍍 面的靶材、和被配置在前述靶材之前述濺鍍面的背面側並 構成爲能夠相對於前述靶材來作相對性移動之磁石裝置、 以及對前述靶材施加電壓之電源裝置，前述磁石裝置，係 具備有以在前述濺鍍面處而產生磁場之朝向來作了設置的 中心磁石、和在前述中心磁石之周圍而以連續性之形狀來 作了設置的外周磁石，前述中心磁石和前述外周磁石，係 以相對於前述濺鍍面而將互爲相異之極性的磁極作了朝向 之方式來作配置，該濺鑛成膜裝置，其特徵爲：在前述靶 材之表面中的包含有前述濺鍍面之面爲成爲不連續的前述 靶材端部處，係將由絕緣性之陶瓷所成的防附著構件以包 圍前述濺鍍面之周圍的方式而作了設置，前述磁石裝置， 係構成爲：在前述外周磁石之外周全體爲較包圍前述濺鏟 面之周圍的前述防附著構件之內周而更進入內側的位置、 和前述外周磁石之一部份爲較包圍前述濺鍍面之周圍的防 附著構件之內周而更突出至外周側的位置，其兩者的位置 間作移動。 本發明，係爲一種濺鍍成膜裝置，其中，係具備有複 數之由前述靶材和被設置在前述靶材之前述濺鑛面的背面 側處之前述磁石裝置所成之對，複數之前述靶材，係被相 互分離地並排配置，並將前述濺鍍面朝向被搬入至前述真 空槽內之成膜對象物，前述電源裝置，係構成爲對於複數 之前述靶材的至少一個施加電壓。 -9 - 201211291 本發明，係爲一種濺鍍成膜裝置，其中，前述靶材， 係爲具備有曲面之前述濺鍍面的圓筒形狀，前述磁石裝置 ，係夠成爲與前述靶材之長邊方向相平行地移動。 本發明，係爲一種濺鍍成膜裝置，其中，被設置在至 少1個的前述靶材之濺鍍面的背面側處之前述磁石裝置， 係構成爲：在前述外周磁石之外周全體均爲進入至較包圍 該靶材之前述濺鍍面的周園之前述防附著構件的內周而更 內側之位置、和前述外周磁石之一部份爲突出於較該靶材 之前述防附著構件的內側而更外側處和包圍與該靶材相鄰 接之其他的前述靶材之前述濺鍍面之周圍之前述防附著構 件的內周之間之位置，此兩者之位置間作移動。 〔發明之效果〕 由於係能夠能夠對於靶材之濺鍍面中的較先前技術而 更爲廣泛的面積而進行濺鍍，因此靶材之使用效率係提高 ，而靶材之壽命係延長。 在平板靶材的情況時，由於係能夠將相鄰之靶材的間 隔增廣，因此係能夠將所使用之靶材的量減少’而成爲降 低成本。 【實施方式】 〈本發明之濺鍍成膜裝置的第1例〉 對於本發明之濺鍍成膜裝置的第1例之構造作說明。 圖1，係對於濺鍍成膜裝置10之內部構成作展示’圖2 -10- 201211291 ，係爲其之A-A線切斷剖面圖，圖3，係爲其之B-B線切斷 剖面圖。 濺鍍成膜裝置10，係具備有：真空槽11、和複數之濺 鑛部2〇ι〜2〇4。 各濺鍍部2(^- 204之構造，係爲相同，故以符號2(^之 濺鍍部爲代表來作說明。 濺鍍部20!，係具備有：具有露出於真空槽11內並被 作濺鍍之濺鍍面23!的金屬材料之靶材21,、和擋板22,、和 在靶材21,之表面中的包含有濺鍍面23!之面爲成爲不連續 的靶材21!端部處，以包圍濺鍍面23i之周圍的方式而作了 設置的防附著構件25 !、以及被配置在靶材2 1 ,之濺鍍面23 , 的背面側，並構成爲可相對於靶材2 1 !來相對性地移動之 磁石裝置2 6 1。 靶材2 1 !，係被形成爲表面之大小爲較擋板22 1表面更 小的平板形狀，靶材21 ,之外周全體係位置在較擋板22 !表 面之外周而更內側處，並以使擋板22 !表面之周緣部從靶 材21!之外周而露出的方式，來重疊貼合在擋板22!之表面 上。 防附著構件25 ,，係爲絕緣性之陶瓷，並被設爲環狀 。於此之所謂「環狀」，係指將靶材2川之濺鍍面23,的周 圍作包圍之形狀，而並非一定指1個的並不具備中繼點之 圓環。亦即是，只要是將靶材濺鍍面23!的周圍作包 圍之形狀即可，而亦可爲由複數之零件所成者，且亦可爲 在某一部份而具有直線性之形狀者= -11 - 201211291 於此，如圖2中所示一般，防附著構件25!之環的外周 ，係較擋板22!之外周更大，環之內周，係被設爲和靶材 21,之外周相同或者是較其更大。 防附著構件25 ,，係在使防附著構件25 1之環的中心與 靶材之中心相重合一般的相對位置處，而被配置在擋 板22!之固定有靶材211的表面上，並將擋板22!之從靶材 2 1 ,的外周所露出之周緣部作覆蓋，而藉由防附著構件2 5 t 之環的內周來包圍靶材21!之外周。 較理想，係以盡量不會使後述之電漿侵入至防附著構 件2 5 !之環的內周和靶材2 1 ,的外周間之間隙處的方式，來 將環的內周盡可能縮小。 若是將靶材21,之兩面中的與擋板密著之面稱作 背面，並將相反側稱作表面，則在防附著構件25 ,之環的 內側處，係露出有靶材2川之表面全體，靶材21,之表面全 體係成爲被作濺鍍之濺鎪面。符號23 1，係代表濺鍍面。 本發明之防附著構件2 5 !，係並不被限定於防附著構 件25!之環的內周爲與靶材21!之外周相同或者是較其更大 的情況’而亦包含有如圖4中所示一般，防附著構件2 5 ,之 環的內周爲較靶材2 1 !之外周更小的情況。於此情況，若 是將防附著構件25!如同上述一般而配置在靶材21l表面上 ’則由於防附著構件25,係覆蓋靶材21 ,之周緣部，因此， 靶材21,表面中之露出於防附著構件25|的環之內側處的部 分，係成爲被作濺鍍之濺鍍面23,。 磁石裝置2 6 , ’係被配置在擋板2 2 ,之背面側，亦即是 -12- 201211291 被配置在靶材2 1 i之背面側。 磁石裝置26,，係具備有以在濺鍍面23!處產生磁場的 朝向而被作設置之中心磁石27b!、和在中心磁石271^之周 圍而被以連續性之形狀來作設置之外周磁石2 7 a,。中心磁 石271m，係在與擋板22!相平行之磁石固定板27(^上，於此 係被配置爲直線狀，外周磁石2 7 a!，係在磁石固定板27Cl 上，從中心磁石271^2周緣部而空出有特定距離地來以環 狀而包圍中心磁石2 7 b i。 亦即是，外周磁石27ai，係被設爲環狀，外周磁石 27&1之環的中心軸線，係以與靶材21,之背面垂直交叉的方 式而被配向，中心磁石271^，係被配置在外周磁石273,之 環的內側處。於此之所謂「環形狀」，係指將中心磁石 27b!之周圍作包圍之形狀，而並非一定指1個的並不具備 中繼點之圓環。亦即是，只要是將中心磁石271^之周圍作 包圍之形狀即可，而亦可爲由複數之零件所成者，且亦可 爲在某一部份而具有直線性之形狀者。又，亦可爲作了閉 鎖的圓環或者是在將圓環維持爲閉鎖的狀態下j#使其作了 變形的形狀。 外周磁石27a!和中心磁石27b!，係分別在靶材21 ,之背 面處，使互爲相異之極性的磁極相對向地來作配置。亦即 是，外周磁石27a!和中心磁石27b!，係以相對於濺鑛面23 , 而使互爲相異之極性的磁極相對向的方式來作配置◊ 若是對於濺鍍成膜裝置10之全體的構造作說明，則各 濺鍍部20,-204之擋板22,〜224，係在真空槽11之內側的 -13- 201211291 壁面上，分別使擋板22!〜224之背面和壁面相對向，並相 互分離的而並排爲一列地作配置。 各濺鍍部之擋板22|〜224，係隔著柱狀絕緣 物14而被安裝在真空槽11之壁面上，各濺鍍部2(^-2 04之 擋板22 !〜224和真空槽1 1，係被作電性絕緣。 在各濺鍍部20!〜204之擋板221〜224的外周之外側處 ，係被立起設置有柱狀之支持部24，各濺鍍部2(^-204之 防附著構件25,-254，係被固定在支持部24之前端處。 當支持部24爲導電性的情況時，支持部24係從各濺鍍 部2(h〜2 04之擋板22,〜224的外周而分離。導電性之支持 部24，係被與真空槽1 1作電性連接，但是，防附著構件 25 !〜2 54，由於係爲絕緣性，因此，就算是防附著構件25 i 〜254與擋板22i〜224作接觸，擋板22,〜224和真空槽11亦 係被作電性絕緣。 在各濺鍍部20,- 2 04之擋板22,〜224處，係被電性連 接有電源裝置35。電源裝置35，係構成爲能夠對於複數之 靶材2^-214的至少1個施加電壓。 在本實施例中，電源裝置35，係構成爲對於各濺鍍部 20i〜204之擋板22,〜224，而將電壓（於此係爲交流電壓 )在相鄰之2個靶材間而偏移半個週期地來作施加（所謂 的AC濺鍍方式）。若是在相鄰接之2個的靶材處被施加有 互爲逆極性之交流電壓，則當相鄰接之2個的靶材中之其 中一方成爲正電位時，另外一方係成爲負電位的狀態，在 相鄰之靶材間，係成爲產生有放電。交流電壓之頻率，當 -14- 201211291 成爲20kHz〜70kHz(20kHz以上70kHz以下）的情況時， 由於係能夠將相鄰之靶材間的放電安定地作維持，故爲理 想，更理想，係爲5 5kHz。 本發明之電源裝置35 ’係並不被限定於對各濺鍍部 2(^- 204之擋板22i〜 224施加交流電壓的構成，而亦可設 爲將脈衝狀之負電壓作複數次施加一般的構成。於此情況 ，係構成爲：在對於相鄰之2個的靶材中之其中一方的靶 材，而結束了負電壓之施加後，並且在下一次開始施加負 電壓之前，而對於另外一方之靶材施加負電壓。 或者是，亦可構成爲：將電源裝置35，電性連接於各 濺鍍部2(^〜204之擋板22i~ 224和後述之成膜對象物保持 部32處，並對於各靶材21 i〜214和成膜對象物31施加互爲 逆極性之交流電壓（所謂的RF濺鍍方式）。 或者是，本發明，由於係如同後述一般而對於身爲導 電性材料之靶材21!〜214進行濺鍍並在成膜對象物31表面 上形成導電性材料之薄膜，因此，係亦可構成爲：將身爲 直流電源之電源裝置35，電性連接於各濺鍍部20,〜204之 擋板22!〜224和成膜對象物保持部32處，並對於各靶材21, 〜214施加負電壓，且對於成膜對象物31施加正電壓（所 謂的DC濺鍍方式）^ 在RF濺鍍方式和DC濺鍍方式中，若是從電源裝置35 而對於各擋板22 !〜224和成膜對象物保持部32分別施加特 定的電壓，則係成爲在各靶材21!〜214和成膜對象物31之 間而產生放電。在RF濺鍍方式或DC濺鍍方式中，相較於 -15- 201211291 AC濺鍍方式，係有著就算是在靶材之數量爲單數的情況時 亦能夠實施的優點。 在各濺鍍部2(^-2 04之磁石裝置26,〜2 64的磁石固定 板2 7Cl〜27c4之背面側處，係被配置有身爲XY平臺之移動 裝置29，各磁石裝置26i〜264，係被安裝在移動裝置29處 。在移動裝置29處，係被連接有控制裝置36，並構成爲： 若是從控制裝置36而接收到控制訊號，則移動裝置29係使 各濺鍍部2(^-2 04之磁石裝置26!〜2 64在與該濺鍍部20,-2〇4之靶材21 !〜214的背面相平行之方向上移動。 各濺鍍部2(h〜204之構成，係爲相同，若是以符號20, 之濺鍍部爲代表來作說明，則控制裝置3 6，係構成爲使磁 石裝置26i，在外周磁石27ai之外周全體均進入至較靶材 2 1 !之濺鍍面2 3 !的外周而更內側處的位置、和外周磁石 2 7ai之外周的一部份超出濺鍍面23,的外周之外側處的位置 ，此兩者的位置間移動》 亦即是，磁石裝置26!，係構成爲：在外周磁石27〜之 外周全體均進入至較包圍濺鍍面23i的周圍之防附著構件 25!的內周而更內側處的位置、和外周磁石27a!之外周的一 部份較包圍濺鍍面23】之周圍的防附著構件25 ,之內周而更 外周側處的位置，此兩者的位置間移動。 如同後述一般，若是在濺鏟中而外周磁石27a|之外周 的一部份超出至濺鍍面23 !之外周的外側處，則藉由磁石 裝置2 6 !所形成之磁場而捕捉到的電漿，係會與防附著構 件2 5 i接觸’但是’在本發明之濺鍍成膜裝置1 〇中，由於 -16- 201211291 防附著構件25,係爲絕緣性之陶瓷，而電漿係被維持，因 此，濺鍍係被持續進行，而成爲將濺鍍面23!中之較先前 技術而更廣的面積作濺鍍。因此，靶材2 1 ,之使用效率係 提升，並成爲能夠延長靶材21!之壽命。 在濺鍍中，若是外周磁石27^之外周的一部份從濺鍍 面23!之外周而超出了較後述之超出量最小値更長的距離 ，則係成爲從濺鍍面23 !之外周的內側之點起直到外周位 置爲止而被連續性地作濺鍍。 於此，控制裝置36，係構成爲：當使磁石裝置26 ,反 覆進行上述一般之移動的期間中，使外周磁石27ai之表面 ，與靶材2川之濺鏟面23 !全體之各點的正背面之點各作至 少一次的對面，並且使外周磁石2 7&1之外周與濺鍍面231之 外周全週的各部份至少各作一次交叉。 因此，濺鍍面23 ,之外周的內側全體係被作濺鍍，相 較於僅有外周磁石27ai之外周的一部份會從濺鍍面23 外 周的一部份而超出的情況，係成爲能夠更加提升靶材2 1 , 之使用效率。 另外，若是以各濺鍍部20 !〜204中之1個的濺鍍部（例 如符號20!)和與其鄰接之其他的濺鍍部202之間的關係來 作說明，則控制裝置3 6，係使1個的濺鍍部20 !之磁石裝置 26!，亦在該磁石裝置26!之外周磁石27a|的外周全體爲較 該濺鍍部20!之靶材21,的濺鍍面23!之外周而更進入至內側 處的位置、和該外周磁石27&1的外周之一部份爲超出至該 濺鍍面23!之外周和與該靶材21 !相鄰接之其他的濺鍍部202 -17- 201211291 之靶材212的濺鍍面2 3 2之外周之間處的位置，此兩者之位 置間作移動。 亦即是，若是將1個的濺鍍部20,之靶材21!的濺鍍面 23i之外周、和與該濺鍍部20^相鄰接之其他的濺鍍部2 0 2之 靶材212的濺鍍面23 2之外周，其兩者間的區域，稱作外側 區域，則控制裝置36，係使該濺鍍部20,之磁石裝置26!， 亦在該磁石裝置26!之外周磁石27&!的外周全體爲較該濺鍍 部20!之靶材21!的濺鍍面23!之外周而更進入至內側處的位 置、和超出至外側區域處的位置，此兩者之位置間作移動 0 換言之，被設置在至少1個的靶材21,之濺鍍面23,的背 面側處之磁石裝置26,，係構成爲：在外周磁石27ai之外周 全體均爲進入至較包圍該靶材濺鍍面23i的周圍之防 附著構件25!的內周而更內側之位置、和外周磁石27&1之一 部份爲超出至較靶材2 1 !之防附著構件2 5 ,的內側而更外側 處和包圍與該靶材21!相鄰接之其他的靶材212之濺鍍面232 之周圍之防附著構件2 5 2的內周之間之位置，此兩者之位 置間作移動。 因此，在本發明中，當將各濺鍍部20 ,〜204之靶材21 , 〜214的濺鍍面23,〜234之大小，設爲與先前技術相同，並 且，將1個的濺鍍部（於此，係爲符號2(h )之靶材21!的濺 鍍面23,中之被作濺鍍的侵蝕區域之外周、和相鄰接之其 他的濺鍍部202之靶材212的濺鍍面2 3 2之侵蝕區域的外周， 其兩者間之寬幅設爲與先前技術之情況相同的情況時’由 -18- 201211291 於係能夠將相鄰之靶材2 1 !〜2 1.4的外周間之空隙設爲較先 前技術更廣，因此，係能夠相較於先前技術而將所使用之 靶材的量更加減少，而成爲降低成本。 在真空槽11之壁面處，係被設置有排氣口，在排氣口 處，係被連接有真空排氣裝置1 2。真空排氣裝置1 2，係構 成爲能夠將真空槽1 1內作真空排氣。 又，在真空槽11之壁面處，係被設置有導入口，在導 入口處，係被連接有氣體導入系13。氣體導入系13，係具 備有放出濺鍍氣體之濺鏟氣體源，並構成爲能夠將濺鍍氣 體從導入口來導入至真空槽U內。 對於使用此濺鍍成膜裝置1〇來在成膜對象物31之表面 上形成A1之薄膜的濺鍍成膜方法作說明。 首先，針對求取出身爲能夠使各濺鍍部2(h〜204之磁 石裝置26!〜264的外周磁石27ai〜27a4之外周的一部份從 該濺鍍部2(h〜204之靶材2h〜214的濺鍍面23!〜234之外 周而超出的量之最小値的超出量最小値和身爲最大値之超 出量最大値的測定工程作說明。 參考圖2、圖3，將安裝有各濺鍍部20!〜204之靶材21! 〜214的擋板22!〜224搬入真空槽1 1內，並配置在絕緣物i 4 上。於此，在各濺鍍部20,-204之靶材2h〜214處，係使 用A1。 將各濺鍍部20!〜2〇4之防附著構件25,〜254固定在支 持部24處，並使該濺鍍部2(^- 204之靶材21,-214的濺鍍 面23ι〜23<1露出於各灘鑛部2〇ι〜2〇4之防附著構件25ι〜 -19- 201211291 254的環之內側處。於此’在各濺鍍部20 !〜2〇4之防附著構 件25ι〜254處’係使用AI2O3。 並不將被載置有成膜對象物31之成膜對象物保持部32 搬入至真空槽11內’而藉由真空排氣裝置12來對真空槽11 內作真空排氣。之後’持續進行真空排氣，而將真空槽11 之真空氛圍作維持。 將濺鍍氣體從氣體導入系13來導入至真空槽11內。於 此，在濺鍍氣體中係使用Ar氣體。 將真空槽11預先設爲接地電位。若是從電源裝置35而 對於各濺鍍部201〜2〇4之擋板22,〜224施加20kHz〜70kHz 之交流電壓，則在相鄰之靶材2 1 !〜2 1 4之間係產生放電， 各濺鍍部2(h〜2 04之靶材21!〜214上的Ar氣體係被電離並 被電漿化。 電漿中之Ar離子，係被各濺鍍部2(^-204之磁石裝置 26,〜264所形成的磁場所捕捉。當從電源裝置35而對於各 濺鍍部20,- 204之擋板22,〜224施加有負電壓時，Ar離子 係與被施加有負電壓之擋板22,〜224上的靶材21,〜214之 濺鍍面23|〜234相碰撞，並將A1之粒子彈飛。 從各濺鍍部2(^-204之靶材21i〜214的濺鍍面23!〜 2 34所彈飛的A1粒子之一部份，係再度附著在各濺鍍部20 ! 〜204之靶材21^214的濺鍍面23,〜234上》 濺鍍中之各濺鍍部2〇i〜204之狀態，係爲相同，故以 符號2 0 ,之濺鍍部爲代表來作說明。圖5 ( a )，係爲對測 定工程處的濺鍍中之濺鍍部20 !的剖面作展示之模式圖。 -20- 201211291 —面在使外周磁石27ai之外周全體會位置於濺鍍面23! 之外周的內側處之移動範圍內，來使磁石裝置26t移動， 一面對於濺鍍面23,進行濺鍍。 若是繼續進行濺鍍，則濺鍍面2 3 i之中央部係被濺鍍 並被削成凹形狀。將濺鍍面23i中之被作濺鍍並被削去的 區域，稱作侵蝕區域。在濺鍍面2 3 !中之位於侵蝕區域外 側的並未被濺鍍之非侵蝕區域處，係堆積有作了再附著的 A1粒子。符號49，係代表堆積了的A1之薄膜^ 對於侵蝕區域作削去，直到能夠以視覺來辨認出侵蝕 區域之外周爲止。 接著，一面對於真空槽11內之真空排氣中的氣體組成 或壓力作監測，一面逐漸擴廣磁石裝置26!之移動範圍， 而將外周磁石27ai之外周的一部份所超出至濺鍍面23!的外 周之外側處的量逐漸增大。 隨著外周磁石27ai之外周的一部份所超出至職鑛面23! 的外周之外側處的超出量逐漸增大，防附著構件25,上之 磁場的水平成分係變大，防附著構件2 5 !係被濺鍍並被削 去，如此一來，真空槽11內之真空排氣中的氣體組成係會 改變。當根據真空槽1 1內之真空排氣中的氣體組成之改變 而確認到防附著構件25i被作了濺鍍時，對於外周磁石27ai 之外周的超出至濺鍍面23>的外周之超出量作測定。 在後述之生產工程中，若是假設防附著構件251被濺 鍍並被削去，則防附著構件25 i之粒子會附著在成膜對象 物31之表面上，被形成在成膜對象物31之表面上的薄膜係 -21 - 201211291 成爲被雜質所污染，因此，於此所測定出之超出量，係設 爲超出量最大値。 當防附著構件2 5 !之硬度大到不會被濺鍍的情況時， 若是外周磁石2731之外周的一部份超出至相鄰接之靶材212 的濺鍍面2 3 2之內側處’而相鄰接之靶材212的濺鍍面232被 削去，則真空槽1 1內之壓力係改變。當根據真空槽1 1內之 壓力的改變而確認到相鄰接之靶材212之濺鍍面2 3 2被作了 濺鍍時，對於外周磁石27ai之外周的從該濺鍍面23i之外周 所超出的量作測定。 在後述之生產工程中，若是假設1個的濺鍍部202之靶 材212的濺鍍面232，經由被相鄰接之濺鍍部20,的磁石裝置 26!之磁場所捕捉的電漿，而被作削去，則由於被形成在 成膜對象物31之表面上的薄膜之平面性係會降低，因此， 於此所測定出之超出量，係設爲超出量最大値。 接著，參考圖3，將對於各濺鍍部2(^-204之擋板22! 〜2 24的電壓之施加停止，並停止從氣體導入系13之Ar氣 體的導入，而結束濺鍍。 將各濺鍍部2(^〜204之防附著構件擋板25!〜2 54從支 持部24而卸下，並將各濺鍍部20,-204之靶材21!〜214和 擋板22!〜224—同地搬出至真空槽1 1之外側。 參考圖5 ( a )，對於侵蝕區域之外周作視覺辨認，並 將濺鍍面23 ,中之被作濺鍍而被削去的侵蝕區域之外周和 濺鍍面23!之外周間的間隔1^求取出來。從外周磁石27&1之 外周起而較此間隔L,更內側處，由於係被濺鍍並被削去， -22- 201211291 因此，於此所求取出之間隔，係設爲超出量最小値。 接下來，作爲生產工程，參考圖3，將各濺鍍部20 !〜 204之安裝有未使用的靶材21-214之擋板22!〜224搬入真 空槽11內，並配置在絕緣物14上。 將各濺鍍部2(h〜204之防附著構件25i〜2 5 4固定在支 援部24處，並使該濺鎪部20,- 204之靶材2h〜214的濺鍍 面23!〜234露出於各防附著構件的環之內側處。 藉由真空排氣裝置12，對真空槽11內作真空排氣。之 後，持續進行真空排氣，而將真空槽11之真空氛圍作維持 〇 將成膜對象物31載置在成膜對象物保持部32上，並搬 入至真空槽1 1內，而使其在與各濺鍍部20!〜204之靶材21 1 〜2 14的濺鍍面23!〜234相對面之位置處靜止。 與準備工程相同的，將濺鍍氣體從氣體導入系13而導 入至真空槽11內，並從電源裝置35來對於各濺鍍部20,〜 204之擋板22,〜224施加20kHz〜70kHz之交流電壓，而將 各濺鍍部20,-2()4之靶材21!〜214和成膜對象物31之間的 身爲濺鏟氣體之Ar氣體電漿化，並對於各濺鍍部〜204 之靶材2h〜214的濺鍍面23!〜2 3 4作濺鍍。 從各濺鍍部20,-2()4之靶材2h〜214的濺鍍面23,〜 234所彈飛的A1粒子之一部份，係附著在成膜對象物31之 表面上，在成膜對象物31之表面上係被形成有A1之薄膜。 濺鍍中之各濺鍍部2(h〜2〇4之狀態，係爲相同，故以 符號2(h之濺鍍部爲代表來作說明。 -23- 201211291 在濺鍍中，使濺鍍部20,之磁石裝置26,，在外周磁石 2 7a,之外周全體均成爲位於該濺鍍部20,之靶材21!的濺鍍 面2 3 ,的外周之內側處的位置、和外周磁石2 7 a ,之外周的一 部份從濺鍍面23i之外周而超出的位置，此兩者的位置間 反覆移動。 防附著構件25 ,，由於係藉由絕緣性之材質所形成， 因此，在使磁石裝置26,如同上述一般而進行移動的期間 中，就算是被磁石裝置2 6 ,之磁場所捕捉了的電漿與防附 著構件25 !作接觸，電漿亦不會消失，而能夠繼續進行濺 鏟。故而，係能夠對於靶材21,之濺鍍面23,中的較先前技 術而更爲廣泛的面積而進行濺鍍。 圖5(b)，係爲對生產工程處的濺鍍中之濺鍍部20, 的剖面作展示之模式圖》 若是使外周磁石27&1之外周的一部份從濺鍍面23,之外 周全週的各部分而作了較藉由測定工程所求取出之超出量 最小値L!更長的距離之超出，則係能夠將濺鍍面2 3 !之較 外周而更內側處的全體作濺鑛並將其削去。 進而’若是將外周磁石27ai之外周的從濺鍍面23!之外 周所超出的距離’限制在較藉由測定工程所求取出之超出 量最大値而更短之距離，則係能夠對於防附著構件2 5 !被 作濺鍍並被削去的情況作防止。 參考圖2、圖3，一面使各濺鍍部2〇1〜2〇4之磁石裝置 26,〜264如同上述一般地移動，—面持續進行特定時間之 濺鏟’而在成膜對象物31之表面上形成特定之厚度的A1之 -24- 201211291 薄膜，之後，將對於各濺鍍部20,-2()4之擋板22,〜224的 電壓之施加停止，並停止從氣體導入系31之Ar氣體的導入 ，而結束濺鍍。 將成膜對象物31與成膜對象物保持部3 2—同地搬出至 真空槽11之外側，並運送至後續工程。接著，將未成膜之 成膜對象物31載置在成膜對象物保持部32上，並搬入至真 空槽11內，而反覆進行由上述之生產工程所致的濺鍍成膜 〇 或者是，將成膜對象物3 1從成膜對象物保持部3 2而卸 下，並搬出至真空槽11之外側，而運送至後續工程。接著 ，將未成膜之成膜對象物31搬入至真空槽11內，並載置在 成膜對象物保持部32上，而反覆進行由上述之生產工程所 致的濺鍍成膜。 〈本發明之濺鍍成膜裝置的第2例〉 對於本發明之濺鑛成膜裝置的第2例之構造作說明。 圖6，係對於濺鍍成膜裝置210之內部構成作展示，圖 7，係爲其之C-C線切斷剖面圖，圖8，係爲其之D-D線切 斷剖面圖。 濺鍍成膜裝置210，係具備有：真空槽211、和複數之 濺鍍部220^ 2204。 各濺鍍部220,〜2204之構造，係爲相同，故以符號 220!之濺鍍部爲代表來作說明。 濺鑛部220,，係具備有：具備露出於真空槽211內並 -25- 201211291 被作濺鍍之濺鍍面22 3 i的金屬材料之靶材22 h、和擋板 222!、和被配置在靶材221i2濺鏟面223,的背面側處，並 且構成爲能夠對於靶材22 1 i而相對性地作移動之磁石裝置 226ι · 靶材221 i和擋板222!，係均爲筒形狀，於此，靶材 221i之長邊方向的長度，係較擋板222!之長邊方向的長度 更短，靶材22h之內周的直徑，係設爲與擋板222!之外周 的直徑相同，或是較其更長。擋板222!，係被插入至靶材 22卜之內側，擋板222 i之外周側面和靶材221!之內周側面 ，係相互密著，擋板222!和靶材221 被作電性連接。擋 板2 22,之其中一端和另外一端，係分別從靶材221，之其中 一端和另外一端而露出。 以下，將靶材221 i和被插入至了靶材221 i之內側的狀 態下之擋板222!，統稱爲靶材部229，。 參考圖7，在真空槽2 1 1之頂板側的壁面處，係被氣密 地插通有旋轉筒2421。旋轉筒242!之外周的直徑，係被設 爲較擋板222!之內周的直徑更短，旋轉筒242!之中心軸線 ，係被朝向與鉛直方向平行之方向。 靶材部2 2 8 !，係使靶材部2 2 8 i之中心軸線與旋轉筒 242,之中心軸線相一致，而配置在旋轉筒242i之下方。旋 轉筒242!之下端部，係被插入至擋板222!之內側，旋轉筒 242,之內側和擋板222!之內側，係相互通連。 擋板222,之上端部，係隔著絕緣物24 3 !而被固定在旋 轉筒2421之下端部處，擋板222i係被與旋轉筒242,作電性 -26- 201211291 絕緣。又，靶材部22幻係從真空槽211之壁面而分離，並 被與真空槽2 1 1作電性絕緣。 在旋轉筒2 42 ,之上端部處，係被安裝有移動裝置229i ，在移動裝置229!處，係被連接有控制裝置23 6。移動裝 置22幻，係構成爲：若是從控制裝置23 6而接收到控制訊 號，則使旋轉筒242!與靶材部229!—同地而在旋轉筒242! 之中心軸線的周圍作旋轉。 當將成膜對象物231配置在與靶材部228,之靶材22 1,的 外周側面相對面之位置處時，若是經由移動裝置229,來使 旋轉筒242!旋轉，則靶材221,之外周側面中的新的面係開 始與成膜對象物231相對面，在旋轉筒242,進行1週旋轉的 期間中，靶材221 ,之外周側面的全體係成爲與成膜對象物 23 1相對面。 在旋轉軸242!之內側和擋板222!之內側處，係涵蓋旋 轉軸242!和擋板222!之雙方地而被插通有移動軸24M，移 動軸241i，係將其之軸線方向朝向與鉛直方向相平行之方 向。 磁石裝置226,，係被安裝在移動軸241,中之擋板222, 的內側之部分處。 磁石裝置226!，係具備有以在濺鍍面223!處產生磁場 的朝向而被作設置之中心磁石227b,、和在中心磁石227b, 之周圍而被以連續性之形狀來作設置之外周磁石22 7ai、 以及磁石固定板227Cl。磁石固定板227c!，係爲細長，磁 石固定板227Cl之長邊方向，係被朝向與鉛直方向相平行 -27- 201211291 之方向。 中心磁石227bi ’係在磁石固定板227(^上，被配置爲 與磁石固定板227c!之長邊方向相平行的直線狀，外周磁 石227ai ’係配置爲在磁石固定板227Cl上，從中心磁石 227b!之周緣部而相分離地來以環狀而包圍中心磁石227bi 〇 亦即是，外周磁石22 7ai，係被設爲環狀，外周磁石 2 2 7 a ,之環的中心軸線，係以與靶材2 2 1 !之內周側面垂直交 叉的方式而被配向’中心磁石2 2 7b,，係被配置在外周磁 石22731之環的內側處。 外周磁石227&1之與磁石固定板227cjg對向的部分、 和中心磁石2271^之與磁石固定板227Cl相對向的部分，係 分別被配置有互爲相異之極性的磁極。亦即是，外周磁石 227a!和中心磁石227b! ’係分別在擋板222,之內周側面處 ，使互爲相異之極性的磁極相對向。 在靶材221,之外周側面上，於靶材221!之內周側面中 的隔著擋板222!而與磁石裝置226ι之磁極相對向的部分之 背面側處，係形成有磁場。亦即是，中心磁石2 2 7 b 1和外 周磁石227ai ’係以相對於濺鍍面223|而使互爲相異之極性 的磁極作朝向的方式來作配置。 移動軸241,之上端部，係被與移動裝置22^作連接。 移動裝置229!，係構成爲：若是從控制裝置236而接收到 控制訊號，則能夠使移動軸241,與磁石裝置226, —同地而 與移動軸241】之軸線方向（亦即是靶材221,之長邊方向） -28 - 201211291 相平行的作往返移動。 若是經由移動裝置229 !而使磁石裝置226 !移動，則磁 石裝置226 1的在靶材221 i之外周側面上所形成的磁場，係 成爲在與靶材22H之長邊方向相平行的方向上作往返移動 〇 若是對於濺鍍成膜裝置2 1 0之全體的構造作說明，則 各濺鍍部220^2204之靶材部228 ^2284，係在真空槽211 之內側而相互分離地被並排成一列的作配置，各濺鍍部 220 ^ 2204之靶材221!〜2214的其中一端，係分別被對齊 在相同之高度處，各靶材221 !〜221 4之另外一端，亦係被 分別對齊在相同之高度處。 當將成膜對象物231配置在與各靶材221!〜2214之外周 側面相對面的位置處時，係以使各靶材221 221 4之外周 側面和成膜對象物23 1的表面之間的間隔成爲相等的方式 來作了對齊，被配置在各靶材221 i〜221 4之內側處的磁石 裝置之磁極，係分別被朝向與成膜對象物231之 表面相對面的方向。 在各濺鍍部220^ 2204之擋板222i〜 2224處，係被電 性連接有電源裝置2 3 5。電源裝置23 5，係構成爲能夠對於 複數之靶材22U〜2214的至少1個施加電壓。 在本實施例中，電源裝置235，係構成爲對於各濺鍍 部2 20,〜2204之擋板222i〜2224，而將電壓（於此係爲交 流電壓）在相鄰之2個靶材間而偏移半個週期地來作施加 。若是在相鄰接之2個的靶材處被施加有互爲逆極性之交 -29- 201211291 流電壓，則當相鄰接之2個的靶材中之其中一方成爲正電 位時，另外一方係成爲負電位的狀態，在相鄰之靶材間， 係成爲產生有放電。交流電壓之頻率，當成爲20kHz〜 70kHz的情況時，由於係能夠將相鄰之靶材間的放電安定 地作維持，故爲理想，更理想，係爲55kHz。 本發明之電源裝置235，係並不被限定於對各濺鍍部 220,- 2204之擋板222,~ 2224施加交流電壓的構成，而亦 可設爲將脈衝狀之負電壓作複數次施加一般的構成。於此 情況，係構成爲：在對於相鄰之2個的靶材中之其中一方 的靶材，而結束了負電壓之施加後，並且在下一次開始施 加負電壓之前，而對於另外一方之靶材施加負電壓。 在真空槽211之壁面處，係被設置有排氣口，在排氣 口處，係被連接有真空排氣裝置212。真空排氣裝置212, 係構成爲能夠將真空槽2 1 1內作真空排氣。 又，在真空槽211之壁面處，係被設置有導入口，在 導入口處，係被連接有氣體導入系213。氣體導入系213, 係具備有放出濺鍍氣體之濺鍍氣體源，並構成爲能夠將濺 鍍氣體從導入口來導入至真空槽211內。 在經由真空排氣裝置2 1 2來將真空槽2 1 1內作了真空排 氣後，從氣體導入系213來將濺鏟氣體導入至真空槽211內 ，並從電源裝置235來對於各濺銨部220,- 22 04的擋板222, 〜2224施加交流電壓，而在相鄰之靶材間使放電產生，則 濺鍍氣體係被電漿化。電漿中之離子，係被磁石裝置226, 〜22 64所形成之磁場所捕捉，當各靶材22川〜2214被置於 -30- 201211291 負電位時，係與該靶材221 !〜221 4之表面相碰撞，並成爲 將該靶材221 ,〜221 4的粒子彈飛》 各濺鍍部22(h〜2204之構造，係爲相同，若是以符號 220:之濺鍍部來作說明，則濺鍍部220!，係在靶材22卜之 表面中的包含濺鏟面22 3!之面成爲不連續的靶材22U端部 處，具備有以將濺鍍面223 !之周圍作包圍的方式所設置的 第1、第2防附著構件225 a!、225 b!。 第1、第2防附著構件225ai、225b,，係均爲被設爲了 圓筒形狀之絕緣性的陶瓷，若是將擋板222 ,之從靶材22 1 , 之其中一端和另外一端所分別露出的端部，稱作第1、第2 端部，則第1、第2防附著構件22i;ai、225b!之長邊方向的 長度，係被設爲較第1、第2端部之長邊方向的長度更長， 第1、第2防附著構件225ai、2251m之內周的直徑，係被設 爲與第1、第2端部之外周的直徑相同、或者是較其更長。 第1、第2防附著構件225a,、2251^，係使第1、第2防 附著構件225a!、225b】的中心軸線與擋板222,之中心軸線 相一致，並藉由第1、第2防附著構件225a,、225b,之內周 側面來將擋板222i之第1、第2端部的外周側面作包圍，而 作配置。 於此，第1、第2防附著構件225a,、225b,，係分別被 配置在較靶材221 ,之其中一端和另外一端之間而更外側處 ，靶材221 !之外周側面的全體係露出於第1、第2防附著構 件225a!、225bi之間，並成爲被作濺鍍之灘鍍面。符號 223!，係代表濺鍍面。 201211291 較理想，在第1、第2防附著構件22 5 a !、22 5 b!和靶材 22 h之其中一端或者是另外一端之間的空隙處，係以不會 使後述之電漿侵入的方式，而盡可能地將第1、第2防附著 構件225a|、225b!和靶材221,之其中一端或者是另外一端 之間的空隙設爲狹窄。 控制裝置236，係構成爲：對於移動裝置229>送出控 制訊號，並使磁石裝置226t，在外周磁石227ai之外周全體 均進入至較靶材22卜之濺鍍面223!的其中一端和另外一端 之間而更內側處的位置、和外周磁石22 7ai之外周的一部 份從濺鍍面223 !的兩端中之至少其中一端而超出至外側處 的位置，此兩者的位置間移動。 亦即是，磁石裝置226!，係構成爲：在外周磁石227a, 之外周全體均進入至較包圍濺鍍面223,的周圍之第1、第2 防附著構件22 5a ,、2251^的內周而更內側處的位置、和外 周磁石22731之外周的一部份較包圍濺鍍面223,之周圍的第 1、第2防附著構件225ai、225bi之內周而更外周側處的位 置，此兩者的位置間移動。於此，所謂「第1、第2防附著 構件225ai、2251^之內周」，係指第1、第2防附著構件 225ai、2251^的濺鍍面223,側之邊緣。 若是在濺鍍中而外周磁石227a,之外周的一部份從濺 鍍面22 3 !之兩端中的至少其中一方而超出至外側處，則藉 由磁石裝置226!所形成之磁場而捕捉到的電漿，係會與第 1、第2防附著構件225ai、22 5 b!接觸，但是，第1、第2防 附著構件225a!、225bi係爲絕緣性之陶瓷，就算是與第1、 -32- 201211291 第2防附著構件225ai、2251m接觸，電漿亦不會消失，而成 爲將濺鍍面22 3 !中之較先前技術而更廣的面積作濺鍍。因 此，相較於先前技術，靶材22 之使用效率係提升，並成 爲能夠延長靶材22 1 !之壽命。 進而，在濺鍍中，若是外周磁石22 7a|之外周的一部 份從濺鍍面223i之其中一端和另外一端的雙方而分別超出 了較後述之超出量最小値更長的距離，則係成爲從濺鍍面 223 ,之外周的其中一端起直到另外一端爲止而被連續性地 作濺鑛，此時，若是同時地藉由移動裝置229,而使靶材 22 1 ,在其之中心軸線的周圍作旋轉，則係成爲使濺鍍面 223t之全面被作濺鍍。 本發明，係並不被限定於將第1、第2防附著構件 225 ai、225 b !配置在較靶材221 !之其中一端和另外一端之 間而更外側處的情況，而亦包含有將第1、第2防附著構件 225a,、225b,中之其中一方或雙方較靶材22h之其中一端 和另外一端之間而更超出至內側地來作配置的情況。於此 情況，靶材22 1 !之外周側面中的露出於第1、第2防附著構 件225ai、2251^之間的部分，係成爲被作濺鍍之濺鍍面 223,- 於此，第1、第2防附著構件225 ai、225b!係分別被固 定在擋板222!上，並構成爲：若是經由移動裝置229!來使 擋板222,旋轉，則第1 '第2防附著構件225a!、2251^亦係 一同旋轉。在本發明中’係亦包含有下述一般之構成：亦 即是，第1、第2防附著構件225a|、225 b!之其中一方或者 -33- 201211291 是雙方並未分別被固定在擋板222!上，而是被固定在例如 真空槽211處，就算是使擋板2 22 ,在其之中心軸線的周圍 作旋轉’第1、第2防附著構件225a!、225b,之其中一方或 者是雙方亦並不會旋轉。 對於使用此濺鍍成膜裝置210來在成膜對象物231之表 面上形成A1之薄膜的濺鍍成膜方法作說明。 首先，針對求取出身爲能夠使各濺鍍部220,〜2204之 磁石裝置226!〜2264的外周磁石227a,〜 227a4之外周的一 部份較該濺鍍部220,- 2204之靶材221,〜2214的濺鍍面 223 !〜223 4之其中一端和另外一端之間而更超出至外側的 量之最小値的超出量最小値和身爲最大値之超出量最大値 的測定工程作說明。 於此，在各濺鍍部22(^- 2204之靶材221,〜2214處， 係使用A1，第1、第2防附著構件225a,〜225a4、2251^〜 225 b4，係使用 Al2〇3。 參考圖7、圖8，並不將成膜對象物231搬入至真空槽 211內地，來藉由真空排氣裝置212而對真空槽211內作真 空排氣。之後，持續進行真空排氣，而將真空槽2 1 1之真 空氛圍作維持。將濺鍍氣體從氣體導入系213來導入至真 空槽211內。於此，在濺鍍氣體中係使用Ar氣體。 將真空槽211預先設爲接地電位。若是從電源裝置235 而如同上述一般地對於各濺鎪部22(^-2204之擋板222i〜 2224施加20kHz〜70kHz之交流電壓，則在相鄰之靶材221 , 〜2214之間係產生放電，各濺鍍部220 ^ 2204之靶材22卜 -34- 201211291 〜22 1 4上的Ar氣體係被電離並被電漿化。 電漿中之Ar離子，係被各濺鍍部2201〜2204之磁石裝 置226,〜2264所形成的磁場所捕捉。當各濺鍍部220,〜 2204之靶材22h〜2214成爲負電位時，Ar離子係與該靶材 221!〜2214之濺鍍面223 !〜2234相碰撞，並將A1之粒子彈 飛。 從各濺鍍部2201〜22 04之靶材2211〜2214的濺鍍面 223 !〜2234所彈飛的A1粒子之一部份，係再度附著在各濺 鍍部220,-22 04之靶材22 ^-2214的濺鍍面223,〜2234上 濺鍍中之各濺鍍部220,〜2204之狀態，係爲相同，故 以符號22(h之濺鍍部爲代表來作說明。 在濺鍍中，並不使靶材22 U旋轉而使其維持爲靜止， 並使磁石裝置226,在外周磁石22 7a,之外周全體會位置在較 濺鍍面223 !之其中一端和另外一端之間而更內側處的移動 範圍內作移動。 若是繼續進行濺鍍，則濺鑛面223 ,之其中一端和另外 一端之間的中央部係被濺鍍並被削成凹形狀。將濺鍍面 223 i中之被作濺鍍並被削去的區域，稱作侵蝕區域。在濺 鍍面223!中之位於侵蝕區域外側的並未被濺鍍之非侵蝕區 域處，係堆積有作了再附著的A1粒子。 對於侵蝕區域作削去，直到能夠以視覺來辨認出侵蝕 區域之兩端爲止。 接著，一面對於真空槽211內之真空排氣中的氣體組 -35- 201211291 成作監測，一面逐漸擴廣磁石裝置226,之移動範圍，而將 外周磁石227ai之外周的一部份所從濺鍍面223!之兩端中的 至少其中一方而超出的量逐漸增大。 隨著外周磁石227a!之外周的一部份所從濺鍍面223!的 兩端中之至少其中一方所超出至外側的量逐漸增大，第1 、第2防附著構件22 5 a】、22 5 b!中之至少其中一方的外周側 面上之磁場的水平成分係變大，第1、第2防附著構件 22 5 ai、225 b!中之至少其中一方係被濺鍍並被削去，如此 —來，真空槽2]1內之真空排氣中的氣體組成係會改變。 當根據真空槽211內之真空排氣中的氣體組成之改變而確 認到第1、第2防附著構件225a|、22 5 b】被作了濺鍍時，對 於外周磁石227ai之外周的從濺鍍面2231之兩端所超出的量 作測定。 在後述之生產工程中，若是假設第1、第2防附著構件 225ai、225b,中之至少其中一方被濺鑛並被削去，則第1、 第2防附著構件22 5a|、225 b!之粒子會附著在成膜對象物 23 1之表面上，被形成在成膜對象物23 1之表面上的薄膜係 成爲被雜質所污染，因此，於此所測定出之超出量，係設 爲超出量最大値。 接著，將對於各濺鍍部220 ^ 2204之擋板222,〜2224 的電壓之施加停止，並停止從氣體導入系213之Ar氣體的 導入，而結束濺鍍。 將各濺鍍部22(h〜2204之靶材部228i〜2284搬出至真 空槽2 1 1之外側。 -36- 201211291 對於被搬出至真空槽211之外側的靶材部228t〜2284之 靶材221!〜2214的侵蝕區域之兩端的至少其中一方作視覺 辨識，並求取出濺鑛面223!〜2234中之被作了濺鑛並被削 去之侵蝕區域的端部和濺鍍面223,〜2234的端部之間的間 隔。從外周磁石227a!〜227a4之外周起而較此處所求出之 間隔更內側處，由於係被濺鍍並被削去，因此，於此所求 取出之間隔，係設爲超出量最小値。 接著，作爲生產工程，將未使用之靶材部228 !〜2284 搬入至真空槽21 1內，而安裝在各別之旋轉軸242,〜2424處 〇 藉由真空排氣裝置212，對真空槽211內作真空排氣。 之後，持續進行真空排氣，而將真空槽211之真空氛圍作 維持。 將成膜對象物231載置在成膜對象物保持部232上，並 搬入至真空槽21 1內，而使其在與各靶材221,〜221 4之濺鍍 面22 3 !〜22 3 4相對面的位置處靜止。 與準備工程相同的，將濺鍍氣體從氣體導入系213而 導入至各濺鍍部2201〜22 04之靶材22h〜2214和成膜對象 物132之間的空間中，並從電源裝置23 5來對於各濺鍍部 220!〜2204之擋板222,〜2224施加20kHz〜70kHz之交流電 壓，而將各濺鍍部220 ^ 2204之靶材22h〜2214和成膜對 象物231之間的身爲濺鍍氣體之Ar氣體電漿化，並對於各 濺鍍部220!〜2204之靶材22h〜2214的濺鍍面223i〜2234 作濺鍍。 -37- 201211291 從各濺鍍部22(h〜22〇4之靶材221,〜2214的濺鍍面 223i〜2234所彈飛的A1粒子之一部份，係附著在成膜對象 物231之表面上，在成膜對象物之表面上係被形成有A1之 薄膜。 濺鍍中之各濺鍍部220 !〜2204之狀態，係爲相同，故 以符號220!之濺鍍部爲代表來作說明。 在濺鍍中，使濺鍍部220!之磁石裝置226,，在外周磁 石227ai之外周全體均成爲位於較該濺鍍部220!之靶材22h 的濺鍍面223i之其中一端和另外一端之間而更內側處的位 置、和外周磁石22731之外周的一部份從濺鍍面223:之兩端 中的至少其中一方而超出至外側處的位置，此兩者的位置 間反覆移動。 第1、第2防附著構件22 5 ai、225 b!，由於係藉由絕緣 性之陶瓷所形成，因此，就算是被磁石裝置226,之磁場所 捕捉到的電漿和第1、第2防附著構件22 5 ai、22 5 b,相接觸 ，電漿亦不會消失，而濺鍍係被繼續。故而，係能夠對於 靶材221,之濺鍍面223!中的較先前技術而更爲廣泛的面積 而進行濺鍍。 使靶材22 1 ,在靶材22 1 !之中心軸線的周圍作旋轉。若 是使外周磁石2 27&1之外周的一部份從濺鑛面223,之其中一 端和另外一端的雙方而作了較藉由測定工程所求取出之超 出量最小値更長的距離之超出，則係能夠將濺鍍面2 23 i之 較其中一端和另外一端之間而更內側處的全體作濺鍍並將 其削去。 -38- 201211291 進而，若是將外周磁石227a,之外周的從濺鍍面223!之 其中一端和另外一端所超出至外側的距離，限制在較藉由 測定工程所求取出之超出量最大値而更短之距離，則係能 夠對於第1、第2防附著構件225a,、2251^被作濺鍍並被削 去的情況作防止。 參考圖7、圖8，持續進行特定時間之濺鍍，而在成膜 對象物23 1之表面上形成特定之厚度的A1之薄膜，之後， 將對於各濺鍍部22(^〜22 04之擋板222,〜2224的電壓之施 加停止，並停止從氣體導入系213之Ar氣體的導入，而結 束濺鍍》 將被載置於成膜對象物保持部23 2上之成膜對象物231 .搬出至真空槽211之外側，並運送至後續工程。接著，將 未成膜之成膜對象物231載置在成膜對象物保持部232上， 並搬入至真空槽211內，而反覆進行由上述之生產工程所 致的濺鍍成膜。 在上述說明中，雖係針對第]例之濺鍍裝置1 〇和第2例 之濺鍍成膜裝置2 1 0爲分別具備有複數個的濺鍍部之情況 而作了說明，但是，本發明係亦包含僅具備有1個濺鍍部 的情況。於此情況，只要將電源裝.置電性連接於擋板和成 膜對象物保持部處，並對於靶材和成膜對象物施加互爲相 異極性之交流電位，而在靶材和成膜對象物之間使放電產 生，並使靶材和成膜對象物之間的濺鍍氣體電漿化即可。 在上述說明中，參考圖2、圖7，第1例之濺鍍成膜裝 置10和第2例之濺鍍成膜裝置210之雙方，係均爲使各濺鑛 -39- 201211291 部之靶材和成膜對象物分別以立起了的狀 是，本發明，只要是使各濺鍍部之靶材和 對面，則並不被限定於上述之配置，亦可 材的上方配置成膜對象物，並使該些相互 各濺鍍部之靶材的下方配置成膜對象物， 面。若是在各濺鍍部之靶材的下方配置成 於粒子會落下至成膜對象物上而使薄膜之 ，較理想，係在各濺鍍部之靶材的上方配 或者是如同上述之實施例一般，將各濺鑛 對象物分別以立起了的狀態來相對面。 在上述說明中，雖係針對第1例之濺 第2例之濺鍍成膜裝置210的雙方均爲使用 A1之薄膜的情況而作了說明，但是，本發 不被限定於A1 ’例如身爲面板用TFT配線 Ni、Mo、Cu、Ti、W系合金、Cu系合金、 合金等之金屬材料，或者是ITO、IGZO、 T C Ο 材料（t r a n s p a r e n t C ο n d u c t i v e Oxide 化物）.，ASO材料（Amorphous Semicond 晶質半導體氧化物），亦係包含在本發明 另外’在圖1中，雖係將磁石裝置26r 展示爲細長形狀，但是，本發明之磁石裝 面形狀，係並不被限定於細長形狀。 【圖式簡單說明] 態來相對面，但 成膜對象物相互 在各濺鑛部之靶 對面，且亦可在 並使該些相互對 膜對象物，則由 品質降低，因此 置成膜對象物， 部之靶材和成膜 鍍成膜裝置10和 A1之靶材來成膜 明之靶材，係並 用途材料之C 〇、 Ti系合金、A1系 IZO、AZO 等之 ，透明導電性氧 uctor Oxide，非 中。 〜264之平面形狀 置26^〜2 64的平 -40- 201211291 〔圖1〕本發明之濺鍍成膜裝置的第1例之內部構成圖 〇 〔圖2〕本發明之濺鍍成膜裝置的第1例之A-A線切斷 剖面圖。 〔圖3〕本發明之濺鍍成膜裝置的第1例之B-B線切斷 剖面圖。 〔圖4〕用以對於本發明之濺鍍成膜裝置的第1例之其 他構造作說明的A - A線切斷剖面圖。 〔圖5〕 ( a) 、（ b ):對濺鍍中之濺鍍部的剖面作 展示之模式圖。 〔圖6〕本發明之濺鍍成膜裝置的第2例之內部構成圖 〇 〔圖7〕本發明之濺鍍成膜裝置的第2例之C-C線切斷 剖面圖。 〔圖8〕本發明之濺鍍成膜裝置的第2例之D-D線切斷 剖面圖。 〔圖9〕先前技術之濺鑛成膜裝置的內部構成圖。 【主要元件符號說明】 10、210:濺鍍成膜裝置. 1 1、21 1 :真空槽 12、 212:真空排氣裝置 13、 213:氣體導入系 2(^-20^ 2201〜2204:濺鍍部 -41 - 201211291 2h〜214、22h〜22 14:靶材 25i〜2 54 :防附著構件 225 ai〜 22 5 a4 :第1防附著構件 22 5 b!〜22 5 b4 :第2防附著構件 261〜264、226!〜22 64:磁石裝置 27ai、227ai :外周磁石 27b,、22 7b,:中心磁石 29、229 :移動裝置 31、231 :成膜對象物 35、235:電源裝置 -42-