TW201211198A - Temporary fixing sheet for manufacturing process of electronic parts - Google Patents

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201211198 六、發明說明： f發明所屬之技術領域j 本發明係關於一種電子零件製造步驟用暫時固定片材， 其可精度良好地加工被黏附體，且可有效並容易地剝離。 【先前技術】 作為電子零件之加玉中使用之黏著帶，可自㈣系、聚 烯烴系、氯乙烯系、丙烯酸系、聚胺基甲酸酯系、橡膠系、 氟系等基材與丙烯酸系、胺基甲酸醋系、橡膠系、聚石夕氧 系等黏著劑積層而成之黏著帶中選擇任意者使用。此時， 進行處理以使某個時間點具有充分之黏著性，於其它時間 點實施加熱處理、冷卻處理、光照射等處理而使其不且有 於近年來之電子零件領域中，逐漸要求零件自身之小型 化及精密化’例如於作為陶究製電子零件之—之陶竟電容 器 '陶曼電阻及陶瓷電感器(一化丨相。。中，以「_3」 及」為代表之小型化 ώ .专舍 一 ^•化由逖超數百層之向積層化帶 來之高容量化逐漸顯著。 特別是於陶瓷電容器之劁、主 . 製k步驟中，為了貫現小型化及 精达、化而要求較高之加工精度。 若列舉陶究電容器之製造步驟之一例，則有： ⑴對生片之電極印刷步驟 (2) 積層步驟 (3) 壓製步驟 (4) 切割步驟 158025.doc 201211198 (5) 加熱剝離步驟 (6) 外部電極塗佈、乾燥步驟 等，但要求以下各種精度’即步驟（1)中電極印刷之精度等， 步驟⑺中電極位置之精度等’步驟(3)中由於加壓使得生片 發生I形而由電極位置產生偏移引起之電極位置之偏移防 ^精度等’步驟⑷中切割之精度等，步驟中哪怕—種精度 較差亦會導致製品不良，而使生產性降低。 特別是上述⑴〜⑷之步驟通常係於PET(Polyethy丨ene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二醋）膜上或黏著片材上進 行，特別是就切割步驟中之生片保持(固著)性之方面而言， 較多_用使用黏著片材之製造方法，作為用於此種用途 之黏著片材’提出有各種加熱剝離型黏著片材。 先前，上述⑷之切割㈣係藉由使用方走轉刀之切割 _㈣方法而進行，但隨著尺寸之小型化而逐漸使用產量 兩於切割(dicing)方法之鰂切方法 '然而，於一部分陶究片 材中，由鰂切方法產生之晶片再附著成為問題。其主要原 因在於，鋼切方法與切割（dicing)方法不同，其於切割後之 晶片間幾乎不存在間隙，因此特別是由於加熱剝離步驟中 之熱歷程而使陶以材自身軟化’具麵著性，從而發生 再附著。 針對此，近年來，為了防止加熱剝離步驟中之晶片再附 著’提出-種含有可側鏈結晶化之聚合物之暫時固定片 材’其可於約峨〜1GQtTf施之切割時牢固地保持陶曼 片材’其後不經過加熱處理步驟而冷卻至室溫，藉此降低 158025.doc 201211198 點著片材之勒著層之黏著性，從而剝離晶片（例如專利文獻 1及2)。若使用該片材，則可省略切割後之加熱處理步驟， 因此可減少由該步驟引起之晶片再附著。 進而，如專利文獻3中所記載般，已知有如 a ,乃/ir •使積 層有陶瓷生片之陶瓷積層體貼附於黏著片材上， 4i 所再吸附 保持而鰂切陶瓷積層體，其中上述黏著片材係於包含具有 多個氣泡之植物纖維之基材上塗佈黏著劑而成。 /、 [專利文獻1]曰本專利第3387497號公報 [專利文獻2]日本專利第3485412號公報 [專利文獻3]曰本專利特開2002-208537號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 根據上述利用加熱剝離帶之陶瓷電容器之製造方法，如 上所述，由於加熱剝離步驟而容易引起晶片之再附著。又， 有時由於加熱剝離步驟而對電子零件施加負荷，從而對製 。《產生不良影響。進而，由於必需加熱步驟，因而必需增 設設備。 曰 進而，隨著晶片之小型化’於防止晶片再附著之同時， 於（4)之切割步驟中要求更高之切割精度，上述含有可側鏈 結晶化之聚合物之暫時固定片#無法獲得季交高之切割精 度。 又，上述含有可側鏈結晶化之聚合物之暫時固定片材可 藉由冷卻使黏著力消失，但為了使黏著力消失必需導入大 量結晶性之材料，從而失去設計之自由度。又，為了於室 158025.doc 201211198 溫 下I】離，結晶性材料之結晶熔解溫度必需為室溫以上， 製作黏著帶時必需對材料進行加溫等，操作性浪 上之操作較難。 & 本發明係解決上述不足者，其目的在於在較廣之設計自 由度中#作性良好地提供一種暫時固定片#，其可於陶瓷 片材之切割步驟中牢固地保持陶以#，且獲得較高之切 口’’ X #後，藉由冷卻至特定溫度以下可有效並容易地 剝離晶片。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述問題而進行銳意研究，結果發現，藉由利 用含有胺基甲酸酯聚合物成分與乙烯基系聚合物作為有效 成刀之材料’可使加溫時之黏著力與室溫冷卻時之剝離性 之平衡良好，且加溫時亦可賦予較高之彈性模數。 具體如下： •種電子零件製造步驟用暫時固定片材，其特徵在 於其係、包含支持基材及設置於至少其單面上之暫時固定 層之暫時固定片材，且該暫時固定層含有胺基甲酸酷聚合 物與乙烯基系聚合物。 2. 如1之電子零件製造步驟用暫時固定片材，其中該乙 烯基系聚合物含有鲮基。 3. 如1或2之電子零件製造步驟用暫時固定片材，其中該 胺基甲酸S旨聚合物之至少—部分為丙烯醢基末端胺基甲酸 _聚合物。 4.如1至3中任一項之電子零件製造步驟用暫時固定片 158025.doc 201211198 材，其中於40°C以上之特定溫度下表現黏著力且於該特 定溫度以下黏著力消失。 5·如1至4中任一項之電子零件製造步驟用暫時固定片 材’其中8(TC環境下之對PET膜之黏著力為〇 2 N/2〇職以 上，且於25。(：環境下測定之對PET膜之黏著力為〇j n/2〇 以下。 6.如1至5中任一項之電子零件製造步驟用暫時固定片 材，其中80。(：下之儲存彈性模數〇，為1〇5 pa以上。 至6中任項之電子零件製造步驟用暫時固定片 材’其為電子零件切割用。 8·如7之電子零件製造步驟用暫時固定片材其為積層 陶瓷片材鰂切用。 θ [發明之效果] 本發明之暫時固定片材可較佳地用作積層陶瓷電子零件 等電子零件之加工用暫時固定片#。例如於用於積層陶 瓷片材之尚溫裱境下之鰂切切割步驟中之情形時，由於上 述暫時固疋片材於高溫環境下具有較高之黏著性，因而可 、作業中之曰曰片剥離，又，由於暫時固定層於切割溫度 區域具有較局之儲存彈性模數，因而可以高精度進行切 〇J進而，由於並非為可加熱剝離之暫時固定片材，因而 僅藉由冷卻至室溫即可剝離晶片而無需經歷加熱處理步 驟，因此可防止加熱處理步驟中之晶片再附著。 又’暫時固定片材之暫時固定層中無需使用結晶性材 '’ 而片材製作時之操作性亦變得良好，生產性優異， 158025.doc 201211198 由於亦無需加熱步驟，因此可以簡便之方法獲得暫時固定 之效果。 因此，本發明係發揮可精度良好地加工電子零件，且有 效並容易地回收之效果者。 又，本發明之電子零件製造步制暫時固定片材可藉由 延伸而伸展，因此藉由在切割步驟後延伸，可於晶片間產 生間隙，亦可進一步減少晶片之再附著。 【實施方式】 視需要-面參照圖式，一面對本發明之暫時固定片材之 構成進行說明。 圖1中’ 1為支持基材，2為暫時固定層，3為剝離層。 再者，剝離層3為視需要而設置之層，並非本發明之暫時 固定片材所必須之層。 ;又’本發明之暫時固定片材亦可製成於支持基材i之兩面 设有暫時固定層之兩面型之暫時固定片材。此時，只要暫 時固疋層中任一層之特徵在於含有胺基甲酸醋聚合物及乙 烯基系聚合物作為有效成分即可，另一暫時固定層可由任 何黏著劑構成。再者’於本發明中，稱作「膜」之情形時， 包括片材之概念，稱作「片材」之情形時，包括膜之概令。 此處’所謂含有胺基甲酸醋聚合物與乙烯基系聚合物作為 有效成分’係指該等聚合物可進行共混，該等聚合物亦可 進行鍵結。 進而’為了保護暫時固定層與剝離層表面，亦可預先分 別積層剝離片材。 刀 158025.doc 201211198 (支持基材） 支持基材1係暫時固定層之支持母體，通常使用PET等塑 膠膜或片材，例如可使用紙、布、不織布、金屬落等、或 該等與塑膠之積層體、塑膠膜（或片材）彼此之積層體等適當 之薄層體。支持基材1之厚度通常為500 μιη以下，較佳為 5〜250 μπι左右，但並不限於該等範圍。 為了提南與鄰接之層（於該情形為暫時固定層2)之密接 性，亦可對支持基材1之表面實施慣用之表面處理，例如鉻 酸處理、臭氧曝露、火焰曝露、高壓電擊曝露、電離輻射 處理等。 (胺基甲酸酯聚合物） 暫時固疋層2中使用之胺基甲酸酯聚合物可藉由使多元 醇與二異氰酸酯反應而獲得。於多元醇之羥基與異氰酸酯 之反應中，可使用例如二月桂酸二丁基錫、辛烯酸錫、丨，^ 一氮雜雙％ (2，2,2)辛烧等在胺基曱酸酯反應中通常使用之 觸媒。 作為多元醇，可列舉使環氧乙烷、環氧丙烷、四氫呋喃 等加成聚合而獲得之聚醚多元醇，或包含上述二元醇與已 二酸、壬二酸、癸二酸等二元酸之縮聚物之聚酯多元醇， 丙稀酸多元醇，碳酸醋多元醇，環氧多元醇，己内醋多元 醇等。該等之中，可較佳地使用例如聚氧四亞甲基二醇 (PTMG)、聚氧丙二醇（PPG)等聚醚多㈣，非結晶性之聚 醋多元醇，非結晶性之聚碳酸醋多元醇等。該等多元醇類 可單獨使用或併用。 158025.doc •10· 201211198 ，為二異氰酸s旨，可列舉芳香族、脂肪族、脂環族之二 異氰^ s日等。作為芳香族、脂肪族、脂環族之二異氰酸醋， 可列舉.f苯二異氰酸自旨、二苯基曱院二異氰酸醋、六亞 甲基二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、氫化苯二亞甲 基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二 異氰曰、1,5-萘二異氰酸酯、1，3-苯二異氰酸酯、1，4-苯 一異氰酸酯、丁烷二異氰酸酯、2,2,4_三曱基六亞甲基 二異氰酸酯、2,4,4-三甲基六亞曱基二異氰酸酯、環己烷 1，4-一異氰酸酯、二環己基甲燒_4,4-二異氰酸酯、I，％雙（異 氰酸酯基曱基）環己烷、甲基環己烷二異氰酸酯、間四曱基 苯一亞甲基二異氰酸酯等。該等二異氰酸酯可單獨使用或 併用。就胺基甲酸酯之反應性、與丙烯酸之相容性等觀點 而言’可適當選擇聚異氰酸酯之種類、組合等。 用以形成胺基甲酸酯聚合物之上述多元醇成分與上述二 異氰酸醋成分之使用量並無特別限定，例如多元醇成分之 使用量相對於二異氰酸酯成分’較佳為NCO/OH(當量比）為 1-0以上’進而較佳為2.0以下。若NCO/OH為1.0以上，則胺 基甲酸酯分子鏈之末端官能基變為羥基，可防止暫時固定 層之強度降低。又，若NCO/OH為2.0以下，則可確保適度 之伸長率及強度。 本發明中之胺基甲酸酯聚合物成分之分子量可根據所使 用之多元醇或二異氰酸酯之種類、NCO/OH比來適當決定。 其分子量並無特別限定，較佳為數量平均分子量（Mw)為 5000以上、進而較佳為10000以上。 158025.doc 201211198 較理想為於上述胺基甲酸酯聚合物中添加與本發明中之 乙烯基系聚合物不同之含羥基之丙烯酸系單體。藉由添加 含羥基之丙烯酸系單體，可於胺基曱酸酯聚合物之分子内 導入丙烯醯基，而可賦予與丙烯酸系單體之共聚性。作為 含羥基之丙烯酸系單體，可使用（甲基）丙烯酸羥基乙酯、（曱 基）丙烯酸羥基丙酯、（甲基）丙烯酸羥基己酯等。含羥基之 丙烯酸系單體之使用量相對於胺基曱酸酯聚合物100重量 份，較理想為0.1〜10重量份，進而理想為〇1〜5重量份。 (乙稀基系聚合物） 本發明之暫時固定層中使用之乙烯基系聚合物可藉由共 混上述胺基曱酸酯聚合物與下述乙烯基系聚合物而獲得， 又，亦可藉由製備胺基甲酸酯聚合物與乙烯基系單體之混 合物’繼而使乙烯基系聚合物聚合而獲得。 其中’就可使用之單體之種類或片材化之加工性等方面 而吕’較佳為僅於乙浠基系單體中或於其2種以上之混合物 中’使多元醇與異氰酸酯反應而形成胺基甲酸酯聚合物， 將所得之包含胺基曱酸酯聚合物與乙烯基系單體之混合物 塗佈於基材上，照射放射線使其硬化而形成。又，作為乙 婦基系單體，較佳為（甲基）丙烯酸系單體。 進而如上所述’亦可製成如下樹脂：藉由使用含羥基之 丙烯酸系單體而於胺基甲酸酯聚合物中導入丙烯醯基之 後’使乙烯基系單體聚合’藉此使該丙烯醯基與乙烯基聚 合而成’且使該胺基甲酸酯聚合物與該乙烯基系聚合物鍵 結而成。 158025.doc 201211198 本發明中之乙烯基系聚合物係使乙烯基系單體聚合而成 之聚合物，作為該乙烯基系單體，如上所述，可較佳地使 用（曱基）丙烯酸系單體，作為該（曱基）丙烯酸系單體，例如 可列舉：（曱基）丙烯酸乙醋、（甲基）丙烯酸正丙醋、（甲基） 丙烯酸異丙酯、（曱基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸第二丁 酯、（曱基）丙烯酸第三丁酯、（甲基）丙烯酸正辛酯、（甲基） 丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（曱基）丙烯酸異 壬酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸正十八烷基 酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、 衣康酸、順丁烯二酸、巴豆酸等含羧基之單體；（曱基）丙烯 酸2-羥基乙酯、（曱基）丙烯酸2_羥基丙酯、（曱基）丙烯酸4_ 羥基丁酯、（曱基）丙烯酸6-羥基己酯、（曱基）丙烯酸8_羥基 辛酯、（甲基）丙烯酸10-羥基癸酯、（曱基）丙烯酸12_羥基月 桂醋、丙烯酸（4-羥基曱基環己基）_甲酯等含羥基之單體； (甲基）丙烯酸環己酯、丙烯酸異冰片酯等具有脂環式結構之 單體；順丁烯二酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；2_丙烯醯胺_2_ 曱基丙磺酸、丙烯酸磺丙酯等含續酸基之單體；2_羥乙基 丙烯醯基磷酸酯等含磷酸之單體等。又，可使用1種或2種 以上如下單體：（曱基）丙烯醯胺、N_羥甲基丙烯醯胺等N_ 取代（曱基）丙烯醯胺等醯胺系單體；N-(甲基）丙烯醯氧基亞 甲基丁二酿亞胺、N-(曱基）丙稀酿基-6-氧基六亞甲基丁二 醯亞胺、N-(甲基）丙烯醯基_8_氧基八亞甲基丁二醯亞胺等 丁一酿亞胺系單體；乙酸乙稀酯、N-乙稀基π比洛烧酮、N-乙烯基羧酸醯胺類、N-乙烯基己内醯胺等乙烯基系單體； 158025.doc -13- 201211198 丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯系單體，·（曱基）丙烯酸 縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸四氫糠酯、聚乙二醇（甲基）丙烯 酸酯 '聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯、氟（甲基）丙烯酸酯、聚矽 氧基）丙烯酸酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯等丙烯酸酯系單 體，（甲基）丙.烯酸甲醋、（甲基）丙婦酸十八烧基醋等單體。 該等（甲基）丙烯酸系單體係考慮與胺基甲酸酯之相容性、放 射線等光硬化時之聚合性、所得高分子量體之特性而適當 決定種類、組合及使用量等。特別是’若使用（曱基）丙烯酸 等具有極性基之單體，則加溫時與冷卻剝離時之黏著力之 平衡良好。 作為（甲基）丙烯酸之添加量，較佳為於將胺基甲酸酯聚 合物與乙烯基系聚合物之總量設為1〇〇重量份時，為5重量 份以上且未達80重量份，進而較佳為1〇重量份以上且未達 7〇重量份。藉由設為5重量份以上，可容易獲得加溫時與冷 卻剝離時之黏著力之平衡，χ，若未達⑽重量份，則具備 柔軟性，且加溫時之黏著力得到提高。 於本發明中，亦可於不損及特性之範圍内添加其他多官 能單體。作為多官能單體’可列舉己二醇二丙歸酸醋、三 羥曱基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯等。 (暫時固定層） 本發明中之暫時固定層含有胺基曱酸酯聚合物與乙烯基 系聚合物作為有效成分。胺基曱酸酯聚合物與乙烯基系聚 口物之比率並無特別限定’相對於胺基曱酸酯聚合物與乙 晞基系聚合物之合計量，胺基曱酸醋聚合物所占之重量較 158025.doc .14· 201211198 佳為10/。以上且未達9〇%，進而較佳為2,以上且未達 80/。。右胺基甲酸酯聚合物之比例為10%以上，則高溫時之 彈性模數不會降低，可獲得充分之加工精度。又，若為90% 以下，則片材製作時之操作性及生產性良好。 本發明之暫時固定片材可以如下方式獲得：僅於藉由聚 合而構成乙烯基系聚合物之乙烯基系單體中或於其2種以 上之混合物中，使多元醇與異氰酸酯反應而形成胺基曱酸 酯聚合物，將包含胺基甲酸酯聚合物與該乙烯基系單體之 混&物塗佈於支持基材上，根據光聚合起始劑之種類等而 照射α射線、β射線、γ射線、中子射線、電子束等電離性放 射線或紫外線等放射線、可見光等，藉此使其硬化。 又’於使用上述含羥基之丙烯酸系單體之情形時，本發 明之暫時固定片材可以如下方式獲得：僅於藉由聚合而構 成乙烯基系聚合物之乙烯基系單體中或於其2種以上之混 合物中’使多元醇與異氰酸酯反應而形成胺基甲酸酯聚合 物後’添加含羥基之丙烯酸系單體使其與胺基甲酸酯聚合 物反應’將所得之混合物塗佈於支持基材上，根據光聚合 起始劑之種類等而照射α射線、β射線、γ射線、中子射線、 電子束等電離性放射線或紫外線等放射線及可見光等，藉 此使其硬化。 具體而言，使多元醇溶解於乙烯基系單體中後，添加二 異氰酸酯等使其與多元醇反應，進行黏度調整，將其塗覆 於支持基材等上後，使用低壓水銀燈等使其硬化，藉此亦 可獲得暫時固定片材。於該方法中，可於胺基曱酸酯合成 158025.doc •15· 201211198 中-次性添加乙烯基系單體’亦可分數次添加。又，亦可 將二異氰酸S旨溶解於乙縣系單體中後使其與多元醇反 應。根據該方&，亦可不限定分子量而生成高分子量之聚 胺基甲酸醋，因此可將最終獲得之胺基甲酸醋之分子量設 计成任意大小。 此時，為了避免由氧引起之聚合抑制，可於塗佈於支持 基材上之胺基曱酸酯聚合物與乙烯基系單體之混合物上進 一步載置經剝離處理之基材而輯氧，亦可於填充有惰性 氣體之容器内放入剝離襯墊而降低氧濃度。 又’為了調整塗覆之黏度，亦可添加少量之溶劑。作為 溶劑’可自通常使用之溶劑中適當選擇，例如可列舉乙酸 乙酯、甲苯、氣仿、二甲基甲醯胺等。 於本發明中’放射料之種類及照射所❹之燈之種類 等可適當選擇，可使用螢光化學燈、黑光燈、㉟菌燈等低 壓燈，或金屬鹵化物燈、高壓水銀燈等高壓燈等。 紫外線等之照射#可根據所要求之暫時固定層之特性而 任意設定。通常，紫外線之照射量為5〇〜5〇〇〇 mj/cm2,較 佳為100〜4000 mJ/cm2 ,進而較佳為1〇〇〜3〇〇〇 mj/cm2。若紫 外線之照射量為50〜5000 mj/cm2之範圍，則不會劣化而可 獲得充分之聚合率。 於以胺基甲酸酯聚合物及乙烯基系單體作為主成分之混 合物中包含光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，可列舉： 安息香甲醚、安息香異丙醚、2,2_二甲氧基_丨，2_二苯基乙烷 -1-酮等安息香醚；苯甲醚甲醚等經取代之安息香醚· 22_ 158025.doc 201211198 -乙乳基本乙綱、2,2-二甲氧基_2•笨基苯乙酮、i抓環 己基-苯基酮等經取代之苯乙_;2.甲基⑽基苯_等@ 取代之α-酉同醇；2_萘續酿氣等芳香族續醯氯；】_苯基Η 丙二酮-2·(鄰L氧基絲）.Μ等光活性肖；2从三甲基苯 甲醯基-二苯基_氧化膦、雙（2,4,6_三曱基苯甲醯基 > 苯純 化膦等醯基氧化膦等。 土 本發明中之暫時固定層之厚度可根據目的等而適當選 擇，通常為5〜500 μηι，較佳為1〇〜5〇 μηι左右。 本發明之暫時固定片材較佳為8(rc環境下之對ρΕτ膜之 黏著力為0.2 N/20 mm以上’且於25它環境下測定之對ρΕτ 膜之黏著力為（Μ N/20 mm以下。近年來，為了提高切.割精 度，而較多地於約80。(；左右之溫度下進行鰂切切割步驟， 若該溫度下之黏著 移地保持陶瓷片材 力為Ο,2 N/20 mm以上，則切割時可無偏 ’ ：¾較佳為0.4 N/20 mm以上，則可更加 確實地保持料片材。又，其後冷卻至室溫時，若將對托丁 膜之黏著力設為未達0.1 N/20 mm、更佳為設為〇 〇5 N/2〇 mm 以下，則可將切割獲得之晶片容易地自暫時固定片材剝離。 於本發明中，所謂於4(TC以上之特定溫度下表現黏著 力，係指於40°C以上之某溫度下首次表現黏著力，若未達 該某溫度，則不表現黏著力，且係指於未達至少4〇。匸之溫 度下始終不顯示黏著力。 本發明中之暫時固定層於8 〇。〇下之儲存彈性模數g1較佳 為l〇5Pa以上。若儲存彈性模數G，為i〇5Pa以下，則於切割 步驟等中無法獲得較高之加工精度。 158025.doc 17 201211198 (剝離層） 作為本發明中之韌離 組成之層，亦可設為斑Η ^ 定層相同 與上述暫時固定層不同組成且具有再 剝離性之層。 月' 黏剥離性之層’可為包含公知之再剝離性 2劑 如藉由加熱、紫外㈣能量射線之昭 射等降低黏著力而發揮_性之層，或者㈣㈣著力並 非很強，因此藉由賦予今 ' 剝離之層。 -黏考力以上之剝離力即可容易地 (暫時固定片材之用途） 本發明之暫時固定H U -r m仏^ 片材可用作各種被黏附體之暫時固定 用或保管用、搬運用黏著片奸 考月材其用途並無特別限制，特 別適合用作電子零件加工時之暫時固定材料等。 使林發明之暫時固定片材，可較佳地進㈣如積㈣ 瓷電谷β或積層陶瓷變阻器等晶片狀電子零件之製造。 以下’參照圖式對本發明之暫時固^片材及使用該暫時 固定片材之積層陶^材之切割方法進行說明。 圖1表示本發明之暫時固定片材。其係於支持基材i之一 面。又置暫時固疋層2,於另—面設置剥離層3而成者。雖未 圖示，但亦可預先於暫時固定層與剝離層之表面積層剝離 片材。圖1之1〜3與圖2$1 * _ 2之1〜3相同。4表示基座，5表示積層 陶究片材。6表示積層陶以材5之切㈣之鰂切刀。將本 發明之暫時固定片材之暫時固定用黏著層貼合於基座上， 並將熱膨脹性黏著層3貼合於積層陶竞片材5上，藉此牢固 158025.doc 201211198 地固定作為被加工體之積層陶瓷片材5。 為了提高切割精度，積層陶竟片材5之切割步驟係於高溫 環境（例如60〜100。〇下進行。於本發明之暫時固定片材 中’暫時固定層2及剝離層3之兩層於常溫及高溫環境下之 凝聚力及接著力優異，因而於整個切割步驟中可牢固地固 定積層陶竟片材5。特別是，暫時固定層2於切割時之溫度 下亦不會產生子起或變形，因而可防止伴隨切割時之鋼切 刀6之切入而引起積層陶究片材5之位置偏移，而可高精度 且準確地切割成零件單元之晶片素體。 切割結束後，可將被加工體（切割後之積層陶瓷片材5)自 暫時固定層2卸下。 藉由適當之方法回收切割後之積層陶瓷片材5後，可利用 剝離等方式將本發明之暫時固定片材之剝離層3與基座4剝 離。 又，亦可不使用剝離f，於言亥情形日夺亦可藉由吸附等方 法將支持基材1固定於基座上。 [實施例] 以下，列舉貫施例對本發明進行更加詳細之說明，但本 發明並不受該等實施例任何限制。 (實施例1) 於具備冷凝管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中投入作 為（甲基）丙烯酸系單體之丙烯酸異冰片酯（ΙΒΧΑ)5 0重量 份、作為多元醇之數量平均分子量為650之聚（四亞甲基）二 醇（PTMG，三菱化學股份有限公司製造）72 8重量份，一面 158025.doc •19· 201211198 撥拌一面滴加氫化苯二亞甲基二異氰酸酯（HXDI，Mitsui

Chemicals Polyurethanes股份有限公司製造）27.2重量份，使 其於65°C下反應10小時，獲得胺基曱酸酯聚合物-丙烯酸系 單體之混合物。其後，滴加丙烯酸2_羥基乙酯（HEA)6.5重 量伤’進而使其反應3小時後’添加丙稀酸（aa)50重量份與 作為光聚合起始劑之2,2-二曱氧基-1,2-二苯基乙烷-1酮 (IRGACURE 65 1 ’ Ciba Japan股份有限公司製造）〇.3重量 份。再者’聚異氱酸酯成分與多元醇成分之使用量係 NCO/OH(當量比）=1.25。 將胺基甲酸酯聚合物與丙烯酸系單體混合物以硬化後之 厚度成為100 μπι之方式塗佈於厚38 μηι之經剝離處理之PET 上。於其上重疊被覆經剝離處理之PET膜後，使用黑光燈對 該被覆之PET膜面照射紫外線（照度5 mW/cm2，光量1 〇〇〇 mJ/cm2)使其硬化，於PET膜上形成胺基曱酸酯-丙烯酸系複 合膜。 (實施例2) 於具備冷凝管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中投入作 為（曱基）丙烯酸系單體之丙烯酸異冰片酯（IBXA)80重量 份、丙烯酸丁酯（BA)20重量份，及作為多元醇之數量平均 分子量為650之聚（四亞曱基）二醇（PTMG，三菱化學股份有 限公司製造）72.8重量份，一面檀拌一面滴加HXDI 27.2重量 份，使其於65°C下反應10小時，獲得胺基曱酸酯聚合物-丙 稀酸系單體之混合物。其後，滴加丙烯酸2-經基乙酯 (HEΑ)6·5重量份’進而使其反應3小時後’添加丙稀酸 158025.doc -20- 201211198 (AA)30重量份與作為光聚合起始劑iIRGACljRE 651 0.3 重量份。再者’聚異氰酸酯成分與多元醇成分之使用量 NCO/OH(當量比)=1.25 〇 將胺基甲酸酯聚合物與丙烯酸系單體混合物以硬化後之 厚度成為100 μιη之方式塗佈於厚38 μπΐ2經剝離處理之PET 上。於其上重疊被覆經剝離處理之PET膜後，使用黑光燈對 s亥被覆之PET膜面照射紫外線（照度5 mW/cm2，光量1000 mJ/cm2)使其硬化，於PET膜上形成胺基曱酸酯丙烯酸系複 合膜。 (實施例3) 於具備冷凝管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中投入作 為（曱基）丙烯酸系單體之丙烯酸異冰片酯（ΙΒχΑ)1〇〇重量 伤、作為多元醇之數量平均分子量為65〇之聚（四亞甲基）二 醇（PTMG ’二菱化學股份有限公司製造）72 8重量份，一面 攪拌一面滴加HXDI 27.2重量份，使其於651下反應1〇小 時，獲得胺基甲酸S旨聚合物_丙稀酸系單體之混合物。其 後，滴加丙烯酸2-經基乙醋⑽Α)65重量份，進而使其反 應3小時後’添加作為光聚合起始劑^irga⑶re 3 重S份。再者，聚異氰酸酯成分與多元醇成分之使用量 NCO/OH(當量比）=1.25。 將胺基甲酸酯聚合物與丙烯酸系單體之混合物以硬化後 之厚度成為_叫之方式塗佈於_ _之經剝離處理之 PET上。於其上重疊被覆經剝離處理之ρΕτ膜後，使用黑光 燈對該被覆之PET膜面照射紫外線（照度5 mW/em2，光量 158025.doc 201211198 1000 mJ/cm2)使其硬化，於PET膜上形成胺基甲酸酯-丙烯酸 系複合膜。 (比較例1) 將丙烯酸系共聚物（丙烯酸2-乙基己酯：丙烯酸乙酯：丙 稀酸2 -經基乙酯=70重量份：30重量份：.5重量份）1〇〇重量 伤、異氮酸S旨系交聯劑（Nippon Polyurethane股份有限公司 製造：商品名「Coronate L」）3重量份溶解於甲苯中，並以 乾燥後之厚度成為10 μιη之方式塗佈於厚1〇〇 μιη之聚酯膜 上。 (比較例2) 將丙烯酸系共聚物（丙烯酸2-乙基己酯：丙烯酸乙酯：丙 烯酸2-羥基乙酯=70重量份：30重量份：5重量份）100重量 份、異氰酸S旨系交聯劑（Nippon Polyurethane股份有限公司 製造：商品名「Coronate L」）2重量份溶解於曱苯中，並以 乾燥後之厚度成為15 μιη之方式塗佈於厚100 μιη之聚酯膜 上，形成有機彈性層1。又，將丙烯酸系共聚物（丙烯酸2-乙基己酯：丙烯酸乙酯：丙烯酸2-羥基乙酯=70重量份：30 重量份：5重量份）100重量份、異氰酸酯系交聯劑（Nippon Polyurethane股份有限公司製造：商品名「Coronate L」）1.5 重量份、萜烯酚樹脂（SUMITOMO BAKELITE股份有限公司 製造：商品名「Sumilite Resin PR- 12603N」）10重量份、熱 膨脹性微小球（松本油脂製藥公司製造：商品名 「Micro sphere F 5 0D」）30重量份均勻地混合、溶解於甲苯 中，製作塗覆液，以乾燥後之厚度成為40 μιη之方式塗佈於 158025.doc •22· 201211198 分隔件上’形成熱剝離性黏著層丄。其後，貼合上述有機彈 性層與熱剝離性黏著劑層，獲得熱剝離型黏著片材。 (比較例3) 將丙烯酸鯨蠟@旨85重量份、丙浠酸甲醋1〇重量份、丙烯 酸5重量份、2,2-二甲氧基]，2_二苯基乙烷小耻蹭量份投 入4 口燒航中’於氮氣環境下曝露於紫外線下使其進行部分 光聚合，藉此獲得部分聚合物（單體聚（__『synjp))。 於該部分聚合物1 0 〇重量份中添加作為交聯劑之己二醇二 丙稀酸酯G.i重量份後，將該等均句混合，而製備光聚合性 組合物。 於單面涇聚矽氧剝離處理之厚3 8 pm之聚對苯二曱酸乙 二醋膜之剝離處理面上，以厚度成為100㈣之方式塗佈上 述光聚合性組合物’進而於其上被覆厚38μη1之單面經剝離 處理之聚對苯一甲酸乙二酯膜，形成塗佈層。使用黑光燈 (15 W/Cm) ’以1〇〇〇 mJ/cm2對該片材照射光照度5 (利用峰值靈敏度最大波長35〇 nmiT〇pc〇N UVR_T1進行 測定）之紫外線，獲得目標之黏著片材。 (評價） 對於實施例卜3及比較例卜2、3中獲得之膜，藉由以下 所示之方法評價黏著力、儲存彈性模數、片材保持性、晶 片剝離性、再附著率、晶片直角度。將結果示於表2及表3 中〇 80°C黏著力之測定方法 將實施例及比較例中製作之膜切割成寬1G議、長14〇麵 158025.doc •23- 201211198 之帶狀’依據JISZ 0237,於80°C加熱板上將其贴合於厚25 4111之|>£1'膜（寬2〇111111)上後，設置於80。(：之附有板台之變角 度剝離試驗機中’放置3分鐘後，測定以剝離速度3〇〇 mm/min、拉伸角度180°剝下時之荷重。 25°C黏著力之測定方法 與80 C黏者力測定同樣地貼合pET膜，於80°C加熱板上 放置10分鐘後，冷卻至25 C，設置於變角度剝離試驗機令， 測定於25°C下，以剝離速度300 mm/min、拉伸角度18〇。剝 下時之荷重。 儲存彈性模數G·之測定方法 儲存彈性模數（G，）係使用「ARES」（TA lnstruments股份 有限公司製造）進行測定。再者，測定係於_6〇〇c〜2〇〇£>c之 溫度區域，在升溫速度5°C/min、頻率！ Hz之條件下進行測 定。 片材保持性之測定方法 於實施例及比較例中獲得之黏著片材上貼合積層陶瓷片 材（* 1)，於80 C環境下放置5分鐘後，鰂切加工（*2)成 0402(0.4 mmx〇.2 mm)尺寸之晶片狀。以目視評價此時之陶 瓷片材之保持性。具體而言，將可使切割時之陶瓷片材或 切割後之晶片不剝離或不偏移地加工之情形評價為「〇」， 將切割後之晶片中僅有個別晶片發生剝離或偏移之情形評 價為「Δ」，將其它情形評價為「χ」。 <*1積層陶瓷片材之製作方法> 將鈦酸鋇（堺化學工業（Sakai Chemical Industry)股份有限 158025.doc -24- 201211198 A司製造·商品名「ΒΤ-03/高純度約鈦礦」）1〇〇重量份、聚 乙烯醇縮丁醛（電氣化學工業股份有限公司製造：商品名 (PVB))l〇〇重量份（丙二醇單乙烯醚溶解物，1〇% base)、鄰 苯二甲酸雙（J_PLUS股份有限公司製造：商品名（〇〇?^6重 置伤、一甘油油酸醋（Riken Vitamin股份有限公司製造：商 品名（Rikemal 0-71-D(E))2重量份、及曱苯80重量份攪拌、 製備陶竞片材製作用塗覆液。繼而，於單面塗佈有 聚矽氧脫模劑之分隔件上，以乾燥後之厚度成為約5〇pm2 方式塗佈上述塗覆液，於80t：x5分鐘之乾燥處理後，自分 隔件剝離而獲得陶瓷月材。積層1〇片該陶瓷片材於3〇〇 kg/cm2之壓力下進行壓製，獲得積層陶瓷片材。 <#2鰂切條件> 切割裝置製造商·· UHT股份有限公司，切割溫度：8〇<t， 切割深度（距離台面之殘餘量）：約75 μηι 切割刀：厚度/100 μΓη、尖端部角度/15〇 晶片剝離性 〈實施例1~3、比較例1、3之片材> 進行上述鰂切切割加工後，使貼合有經切割之陶究片材 之暫時固定片材於溫度饥、濕度65%之條件下冷卻後， 將切割後之晶片自暫時固定片材_，藉此評價晶片剝離 性。具體而言，將可容易地自暫時固定片材剝離而 晶片之破損或變形之情形評價為「〇」，將其它情形評價為 X I 〇 <比較例2之片材> Ϊ 58025.doc -25· 201211198 於進行上述铡切切割加工後，利用乾燥機實施130°C Χίο 分鐘之加熱處理，然後將切割之晶片自熱剝離型黏著片材 剝離，藉此評價晶片剝離性。評價基準與上述相同。 晶片再附著率 根據與相鄰2個以上之晶片融著之晶片數相對於所切割 之晶片總數之比例，算出晶片再附著率。 晶片直角度 抽取各片材上鰂切切割之晶片各10個，使用顯微鏡一面 觀察一面測定晶片切割面與底面之角度。 [表1] 實施例1〜3之樹脂層之製造所需之成分 實施例1 實施例2 實施例3 丙烯酸系成分 ΙΒΑΧΑ 50 80 100 ΑΑ 50 30 ΒΑ 20 胺基曱酸酯成分 PTMG 72.8 72.8 72.8 HXDI 27.2 27.2 27.2 胺基曱酸酯末端反應劑 ΗΕΑ 6.5 6.5 6.5 光起始劑 Irg651 0.3 0.3 0.3 胺基甲酸酯(％) 50 43.5 50 丙烯酸(％) 50 56.5 50 [表2] 實施例1〜3及比較例1〜3之暫時固定片材之黏著力及儲存彈性模數 80°C黏著力 (N/20 mm) 25°C黏著力 (N/20 mm) 儲存彈性模數 80°C 實施例1 0.6 0.02 6·4χ105 實施例2 1.1 0.05 4.9χ105 實施例3 0.28 0.08 7.2χ105 比較例1 0.03 3.0 3.6χ105 比較例2 1.5 5.0 1.7χ105 比較例3 0.9 0.03 1·5χ104 •26- 158025.doc 201211198 [表3] 實施例1〜3及比較例1〜3之暫時固定片材之各測定結果 片材保持性 晶片剝離性 r§i Η •由.R/4姑办 晶片直角度 90.2 〇Π 7 實施例1 〇 ό ua η ττ πτ ^ι* Φ 〇 πιο/ 實施例2 〇 〇~~ΙΊ 0.05% 實施例3 Δ 〇 0 05% ^U. j 90.3 90.5 比較例1 X X 比較例2 〇 〇 1 2% 比較例3 〇 ' 〇~~~ 0.04% 91.2 本發明之電子零件製造步驟用暫時固定片材(實施例】、 2)於8(TC下之陶瓷片材之切割步驟中，可藉由充分之黏著 力而牢固地保持陶竞片#，且可獲得較高之切割精度，其 後二藉由冷卻至特定溫度以下可如饥黏著力所示般降低 黏著力’而可有效且容易地剝離晶片。又，可於較廣之設 計自由度中操作性良好地製作。 又實施例3之暫時固定片材基本上與實施例置及2之暫時 疋片材相同 <旦由於8〇 c下之黏著力小於實施例1及2之 暫時固U材，因而於利用鋼切加卫進行晶片之切割時， 一部分晶片有些許之剝離或偏移。 相對於此’比較例1之片材於鋼切切割時片材發生偏移’ 並且切割後晶片未自片材剝離。又，比較例2之片材由於經 過加熱處理步驟而使大量晶片發生再附著，又，關於比較 例之片材，鰂切切割後之晶片之加工精度（晶片直角度）與 實施例1、2相比，結果較差。 【圖式簡單說明】 圖1係部分表示本發明之暫時固定片材之-例之概略剖 158025.doc -27- 201211198 面圖；及 圖2係使用本發明之暫時固定片材來鰂切積層陶瓷片材 之步驟之圖。 【主要元件符號說明】 1 支持基材 2 暫時固定層 3 剝離層 4 基座 5 積層陶瓷片材 6 鋇彳切刀 158025.doc -28 -

Claims (1)

1. 201211198 七、申請專利範園： 1. -種電子零件製造步驟用暫時固^片材，其特徵在於， 其係包含支持基材及設置於至少其單面上之暫時固定層 之暫時固定片材’且該暫時固定層含有胺基甲酸醋聚合 物與乙烯基系聚合物。 士月求項1之電子零件製造步驟用暫時固定片#，其中該 乙稀基系聚合物含有綾基。 3. 4. 驟用暫時固定片材，其 部分為丙烯醯基末端胺 如請求項1或2之電子零件製造步 中該胺基f酸酯聚合物之至少一 基甲酸酯聚合物。 女:月求項3之電子零件製造步驟用暫時固定片材，其於 40C以上之特定溫度下表現黏著力，於該特定溫度以下 黏著力消失。 5·如明求項丨或2之電子零件製造步驟用暫時固定片材，其 中80〇c環境下之對PET膜之黏著力為〇2職咖以上，、 且於25°C環境下測定之對pET膜之黏著力為〇」獅麵 以下。 6·如咕求項1或2之電子零件製造步驟用暫時固定片材，其 令80。〇下之儲存彈性模數Gi為i〇5 pa以上。 ' 7. 如明求項1或2之電子零件製造步驟用暫時固定片材，其 為電子零件切割用。 8. 如3月求項7之電子零件製造步驟用暫時固定片#，其為精 層陶瓷片材鰂切用。 I58025.doc