TW201435033A - 電子元件加工用黏著板片及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

〔課題〕提供即使與有機溶劑接觸，亦可防止起因於基材的低耐溶劑性之黏著力的下降，且晶片的拾取適性優良的電子元件加工用黏著板片。〔解決手段〕關於本發明之電子元件加工用黏著板片，其係由基材薄膜，設於基材薄膜之一方的面之黏著劑層，及可剝離地設於基材薄膜的另一方的面之基材保護薄膜所構成，在於基材薄膜之剛軟度為105mm以上，基材保護薄膜係選自由聚酯系薄膜或聚烯烴薄膜拾取之1種單獨或2種以上的組合。

Description

電子元件加工用黏著板片及半導體裝置之製造方法
本發明係關於可良好地用於將半導體晶圓以每個電路個片化，製作半導體晶片時，用於固定半導體晶圓之切割板片、或將個片化的晶片轉印，之後用於拾取之拾取板片之電子元件加工用黏著板片，特別是關於對有機溶劑的耐性優良的電子元件加工用黏著板片。此外，本發明係關於使用該電子元件加工用黏著板片之半導體裝置之製造方法。特別是本發明之電子元件加工用黏著板片，可良好地使用於包含將表面具有突起狀電極之半導體晶圓或晶片，例如將具有所謂貫通電極(TSV/Through Silicon Via)之半導體晶圓或晶片固定，與有機溶劑接觸之步驟之半導體裝置之製造方法。
半導體晶圓係於正面形成電路之後，對晶圓背面側進行研削加工，調整晶圓厚度的背面研削步驟及將晶圓固定在切割板片，個片化成既定晶片尺寸的切割步驟。個片化成晶片尺寸的半導體晶片，由切割板片拾取，移送至下一步驟。
對應電子電路的大容量化、高機能化，進行將複數半導體晶片立體層積之層積電路之開發。在於如此之層積電路，先前一般係以打線接合進行半導體晶片的導電連接，但由於近幾年的小型化．高機能化的必要性，而開發不做打線接 合，於半導體晶片設置由電路形成面貫通背面的電極(TSV)，直接將晶片間導電連接的方法作為有效的手法。附有貫通電極之晶片之製造方法，例如，於半導體晶圓的既定位置，藉由電漿等設置貫通孔，於該貫通孔灌入銅等的導體之後，施以蝕刻等於半導體晶圓的表面設置電路及貫通電極的方法等。
由於如此之極薄的晶圓或TSV晶圓非常容易破裂，有在背面研削步驟，或之後的加工步驟和破損之情形。因此，該等步驟中，晶圓係經由接著劑保持在玻璃等的硬質支持體上。該接著劑，有使用丙烯酸系、環氧系、無機系等的泛用接著劑之情形。此外，晶圓在加工步驟中有暴露於高溫時，晶圓與硬質支持體，係以耐熱性較高的接著劑，例如，聚醯亞胺系接著劑接合。
晶圓的背面研削及加工結束之後，晶圓將由硬質支持體轉貼至被稱為切割板片之黏著板片上，將切割板片的外周部以環形框固定之後，將晶圓以每個電路切斷而晶片化，之後將晶片由切割板片拾取。將晶圓轉貼至切割板片時，於固定晶圓之硬質支持體之晶圓側的面黏貼於切割板片上，將硬質支持體由晶圓剝離，將晶圓轉貼於切割板片。剝離硬質支持體時，係藉由加熱使接著劑軟化使硬質支持體滑動之熱滑動，或藉由雷射光的照射將接著劑分解而進行硬質支持體之剝離。但，於剝離支持體後的晶圓面，有殘黏接著劑或其分解物之情形。
此外，亦有將晶圓保持在硬質支持體上，將此個片化作成晶片之後，主印於稱為拾取板片之黏著板片上，進行 晶片拾取之提案。由於難以直接將晶片由硬質支持體拾取，藉由將晶片轉印於軟質的拾取板片，可使晶片的拾取變容易。但是，於轉印於拾取板片的晶片，亦與上述同樣地有接著劑或其分解物殘黏之情形。
為清洗去除殘黏之接著劑殘渣，有將固定於切割板片或拾取板片(以下，總稱為黏著板片)上的晶圓或晶片(以下，總稱為被著體)，藉由有機溶劑清洗之情形。該清洗，係例如將黏著板片與被著體的層積物浸漬於有機溶劑，或以較被著體稍大的框架圍繞配置於黏著板片上，於該框內投入有機溶劑清洗被著體。再者，被著體為晶片時，使用較晶片群的外徑尺寸稍大的框架。
此外，將晶圓等的被著體由硬質支持體剝離時，於上述方法之外，亦有進行將被著體與硬質支持體浸漬於有機溶劑。
在將被著體與硬質支持體浸漬於有機溶劑時，不僅是被著體，黏著板片亦會與有機溶劑接觸。此時，黏著板片的基材因有機溶劑而膨潤或溶解，而有於基材發生皺紋之情形。伴隨基材發生皺紋，而黏著劑層亦有變形之情形。起因於黏著劑層的變形，於被著體或環形框與黏著劑層的界面發生空隙，而有機溶劑浸入該空隙，使在於與被著體或環形框界面的黏著劑層膨潤或溶解，而失去對被著體或環形框之黏著力，結果，被著體或環形框有由黏著板片脫落之情形。此外，由於基材發生皺紋，有使之後的加工步驟變得困難之情形。此外，即使是消除基材沒有耐溶劑性的問題之情形，根據基材的性質亦有晶片的拾取適應性差之情形。
於專利文獻1(日本特開2007-73798號公報)，記載有不使有機溶劑與黏著板片接觸，而將被著體與支持體剝離，且清洗去除接著劑殘渣的方法。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-73798號公報
但，於專利文獻1，需要不使有機溶劑與黏著板片接觸的設備的同時，清洗去除接著劑殘渣的步驟煩瑣。
本發明係為解決如上所述之伴隨先前技術之問題者。即，本發明，係以提供即使與有機溶劑接觸，亦可防止起因於基材的低耐溶劑性之黏著力的下降，且晶片的拾取適性優良的電子元件加工用黏著板片為目標。
以解決如此之課題為目標之本發明的要點表示如下。
[1]一種電子元件加工用黏著板片，其係由基材薄膜，設於基材薄膜之一方的面之黏著劑層，及可剝離地設於基材薄膜的另一方的面之基材保護薄膜所構成，在於基材薄膜之剛軟度為105mm以上，基材保護薄膜，係選自由聚酯系薄膜或聚烯烴薄膜拾取之1種單獨或2種以上的組合。
[2]根據[1]之電子元件加工用黏著板片，其中聚酯系薄膜，係選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜、及聚萘二甲酸丁二醇酯薄膜所組成之群。
[3]根據[1]之電子元件加工用黏著板片，其中聚烯烴薄膜，係選自由聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚苯乙烯薄膜、及環烯烴薄膜所組成的群。
[4]根據[1]~[3]中任一項之電子元件加工用黏著板片，其中基材保護薄膜之厚度為未滿300μm。
[5]根據[1]~[4]中任一項之電子元件加工用黏著板片，其係使用在將半導體晶圓或晶片保持於電子元件加工用黏著板片上的狀態，使該黏著板片與晶圓或與晶片的層積物與有機溶劑接觸的步驟。
[6]根據[5]之電子元件加工用黏著板片，其中(i)在浸漬於SP值為9(cal/cm3)1/2以上之80℃有機溶劑1分鐘之後，基材保護薄膜之楊氏模數的變化率為8%以下，或(ii)在浸漬於SP值為未滿9(cal/cm3)1/2之25℃有機溶劑24小時之後之基材保護薄膜之楊氏模數的變化率為8%以下。
[7]一種半導體裝置之製造方法，其包含將半導體晶圓保持在上述[1]~[6]中任一項之電子元件加工用黏著板片上的狀態，使該黏著板片與晶圓之層積物與有機溶劑接觸之步驟。
[8]根據[7]之半導體裝置之製造方法，其中有機溶劑之SP值為7~12(cal/cm3)1/2，接觸步驟係接著劑，或接著劑 及支持體之去除步驟。
[9]根據[7]或[8]之半導體裝置之製造方法，半導體晶圓係設有突起狀電極之晶圓。
[10]一種半導體裝置之製造方法，其包含將半導體晶片保持於上述[1]~[6]中任一項之電子元件加工用黏著板片上的狀態，使該黏著板片及與晶片的層積物與有機溶劑接觸之步驟。
[11]根據[10]之半導體裝置之製造方法，其中有機溶劑的SP值為7~12(cal/cm3)1/2，接觸步驟係接著劑，或接著劑及支持體之去除步驟。
[12]根據[10]或[11]之半導體裝置之製造方法，半導體晶圓係設有突起狀電極之晶圓。
關於本發明之電子元件加工用黏著板片，對各種有機溶劑顯示優良的耐性。因此，由硬質支持體剝離被著體(晶圓或晶片等)時，或在於之後的清洗步驟，即使電子元件加工用黏著板片與有機溶劑接觸，亦可抑制在於基材發生皺紋及黏著劑層的變形。結果，可將被著體和環形框良好地以黏著劑層保持。因此，在於剝離步驟或清洗步驟，可防止被著體或環形框由電子元件加工用黏著板片脫落。然後，在於之後的步驟，亦可良好地進行切割步驟或拾取步驟，可貢獻於提升半導體裝置的生產效率。此外，晶片的拾取適性優良，可減低在於晶片的拾取步驟無法拾取或晶片破損的可能性。
以下具體說明關於本發明之電子元件加工用黏著板片。關於本發明之電子元件加工用黏著板片(以下亦僅稱為「黏著板片」。)，係由黏著劑層、基材薄膜及基材保護薄膜所構成，以此順序層積。
(黏著劑層)
在於本發明之黏著劑層，係層積於基材薄膜之一方的面，可以先前習知之各種黏著劑形成。如此之黏著劑，不應有任何限定，惟可使用例如，橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、聚乙烯基醚等的黏著劑。此外，亦可使用，能量線硬化型或加熱發泡型、水膨潤型的黏著劑。能量線硬化(紫外線硬化、電子線硬化)型黏著劑，特別是使用紫外線硬化型黏著劑為佳。
藉由上述黏著劑形成之黏著劑層之中，亦有因與有機溶劑接觸而溶解、膨潤者。惟，在於本發明之電子元件加工用黏著板片，藉由在基材薄膜層積對有機溶劑具有耐性的基材保護薄膜，可抑制基材薄膜因有機溶劑之膨潤或溶解，可防止基材薄膜發生皺紋。因此，可防止起因於基材薄膜發生皺紋而使黏著劑層變形，並無會在被著體與黏著劑層的界面發生空隙，有機溶劑幾乎不會浸入被著體與黏著劑層的界面。結果，可抑制在於被著體與黏著劑層界面之黏著劑層之膨潤或溶解，由於可對被著體維持充分的黏著力，故可防止被著體由黏著板片脫落。因此，形成在於本發明之黏著劑層之黏著劑，可使用先前習知之各種黏著劑。
黏著劑層的厚度，以5~100μm為佳，進一步以8~50μm為佳，以10~30μm特別佳。黏著劑層的厚度超過100μm，則於形成黏著劑層需要非常長的時間(具體而言，將於溶劑中混合黏著劑之黏著劑組合物塗佈乾燥之時間)需要，經濟上較浪費。
(基材薄膜)
基材薄膜之剛軟度係105mm以上，以110mm以上為佳。基材薄膜之剛軟度未滿105mm，則被著體(特別是TSV晶圓及TSV晶片)的拾取性會降低。藉由使基材薄膜之剛軟度在於上述範圍，可使被著體之拾取性優良。剛軟度的上限，以150mm為佳，以130mm更佳。再者，基材薄膜之剛軟度，係將基材薄膜向的長邊方向(製膜時所製造之長邊薄膜之輸送方向)對準試驗片的縱方向所測定者。
基材薄膜，只要滿足上述物性，並無特別限定，可使用例如，低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等的聚乙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚氨酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、乙烯醋酸乙烯酯共聚物薄膜、離聚物樹脂薄膜、乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯．(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜及其加氫物或變性物等所組成之薄膜。此外，亦可使用該等之架橋薄膜。上述基材薄膜可以1種單獨，亦可為進一步將該等組合2種以上之層積薄膜。
該等之中，基材薄膜，具體而言，以乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯醋酸乙烯酯共聚物薄膜為佳。
基材薄膜的厚度，以20~200μm為佳，以25~150μm更佳，以50~130μm的範圍特別佳。基材薄膜的厚度較小時，根據材料有難以製膜之情形。
此外，基材薄膜之破裂伸度，以300%以上為佳，以400~500%更佳。藉由使基材薄膜的破裂伸度在於上述範圍，於後述之半導體裝置之製程所進行的擴展時，基材薄膜不容易破斷，容易使被著體相互離間。基材薄膜之破斷伸度，係使用萬能拉張試驗機(ORIENTEC公司製TENSILON RTA-T-2M)，遵照JIS K7161：1994，於23℃、相對濕度50%之環境下，以拉張速度200mm/分測定。
此外，於基材薄膜的上面，即設置黏著劑層之側之基材薄膜表面，為提升黏著劑層的密著性，亦可施以電暈處理，或設置底漆層。此外，亦可於其相反面(與設置黏著劑層之側相反的基材薄膜表面)塗層各種塗膜。
(基材保護薄膜)
基材保護薄膜，係可剝離地層積於與形成黏著劑層之基材薄膜表面(一方的面)相反之面(別的面)。再者，基材保護薄膜，可經由後述之接著劑層與基材薄膜層積，亦可藉由加熱層壓等不經由接著劑層層積。
基材保護薄膜，係選自由聚酯系薄膜或聚烯烴薄膜之1種單獨或2種以上的組合。如上所述之基材保護薄膜，對右旋檸烯、1-十二烯薄荷烷等的低極性溶劑及N-甲基吡咯烷酮等的高極性溶劑的任一均具有耐性，與低極性溶劑或高極性溶劑接觸，亦不會溶解、膨潤或變形。因此，可抑制起因於基 材保護薄膜之變形之基材薄膜或黏著劑層的變形，可防止晶圓或晶片等的被著體或環形框的脫落。
聚酯系薄膜，具體而言，以選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜及聚萘二甲酸丁二醇酯薄膜所組成之群為佳。
此外，聚烯烴薄膜，具體而言，以選自由聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚苯乙烯薄膜、及環烯烴薄膜所組成之群為佳。
(i)基材保護薄膜在浸漬於SP值為9(cal/cm3)1/2以上之80℃有機溶劑1分鐘之後之楊氏模數之變化率為8%以下，或(ii)基材保護薄膜在浸漬於SP值為未滿9(cal/cm3)1/2之25℃有機溶劑24小時之後之楊氏模數的變化率為8%以下為佳。在於(i)、(ii)之任一特性，在浸漬於有機溶劑後之基材保護薄膜之楊氏模數之變化率，以8%以下為佳，以6%以下更佳，進一步以0.1~3.5%為佳。浸漬於有機溶劑之後之基材保護薄膜之楊氏模數之變化率，係由浸漬於有機溶劑前之基材保護薄膜之楊氏模數A，及浸漬於有機溶劑之後之基材保護薄膜之楊氏模數B，根據下式算出。再者，基材保護薄膜之楊氏模數，係使用萬能拉張試驗機(ORIENTEC公司製的TENSILON RTA-T-2M)，遵照JIS K7161：1994，於23℃、相對濕度50%的環境下，以拉張速度200mm/分測定。
楊氏模數的變化率(%)=(A-B)/A×100
此外，SP值為9(cal/cm3)1/2以上之有機溶劑及SP值為9(cal/cm3)1/2以下之有機溶劑，與於後述之半導體裝置之製造 方法所例示者相同。
藉由使基材保護薄膜浸漬於SP值為9(cal/cm3)1/2以上之80℃有機溶劑1分鐘之後之楊氏模數之變化率在於上述範圍，可提升對高極性溶劑之耐性。此外，藉由使基材保護薄膜浸漬於SP值為9(cal/cm3)1/2以下之25℃有機溶劑24小時之後之楊氏模數之變化率在於上述範圍，可提升對低極性溶劑之耐性。藉由提升基材保護薄膜對有機溶劑的耐性，即使與有機溶劑接觸，亦成為不容易溶解、膨潤或變形者。結果，可抑制起因於基材保護薄膜之變形之基材薄膜或黏著劑層之變形，或有機溶劑進入晶圓或晶片等的被著體或環形框與黏著劑層之界面，可防止被著體與環形框由黏著板片脫落。關於(i)、(ii)之特性，基材保護薄膜可為具有該等之任意一個，或亦可全都具有。基材保護薄膜，全部具有該等特性時，可對低極性溶劑及高極性溶劑之任一均提升耐性。
基材保護薄膜之厚度，以未滿300μm為佳，基材保護薄膜係聚酯系薄膜或層積薄膜，則其厚度以20~200μm為佳，以25~110μm更佳，以50~90μm的範圍特別佳。此外，基材保護薄膜為聚丙烯之單層薄膜時候，以30~200μm為佳，以50~150μm之範圍更佳。
(接著劑層)
接著劑層，可用於層積基材薄膜與基材保護薄膜，對有機溶劑具有耐性為佳。有機溶劑，可舉右旋檸烯、1-十二烯、薄荷烷、異十二烷、均三甲苯等的低極性溶劑，或醋酸乙酯、丙酮、丁酮、N-甲基吡咯烷酮等的高極性溶劑。
接著劑層，可藉由先前習知之各種接著劑形成。如此之接著劑，不應有任何限定，可使用例如，橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、聚乙烯基醚等的接著劑。此外，接著劑，使用具有能量線硬化性之能量線硬化型接著劑為佳。
對低極性溶劑具有耐性的接著劑層，接著劑層對於右旋檸烯的膨潤度以125%以下為佳，以110%以下更佳，進一步以95~105%為佳。藉由使接著劑層的膨潤度在於上述範圍，即使與低極性溶劑接觸，亦不會溶解，膨潤，可維持基材保護薄膜與基材薄膜之層積構造。
對低極性溶劑具有耐性，由能量線硬化型接著劑形成之接著劑層，包含能量線硬化性聚合物(A)為佳。能量線硬化性聚合物(A)，係於主鏈或側鏈，鍵結於能量線聚合性基之聚合物，其本身具有接著性及能量線照射(例如紫外線照射、電子線照射)硬化的性質。能量線硬化性聚合物(A)，由於係高分子量體，即使接著劑層與低極性溶劑接觸，亦不容易溶出低極性溶劑中。因此，不容易因為調合而發生降低接著劑層對低極性溶劑之耐性。
能量線硬化性聚合物(A)，含有(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生的構造單位，50~95質量%為佳，以60~90質量%更佳。此外，於(甲基)丙烯酸烷基酯100質量部中，烷基的碳數為1~4之(甲基)丙烯酸烷基酯，通常為80質量部以上，以90質量部以上為佳，佔95~100質量部更佳。此外，(甲基)丙烯酸烷基酯，其100質量部中，烷基之碳數為1或2之(甲基)丙烯酸烷基酯，佔10質量部以上為佳，佔15~40質量部更佳。藉此，使接著 劑層的極性成為很高者，可提升對低極性溶劑的耐性，且可賦與接著劑層充分的黏著力。再者，在於本說明書，(甲基)丙烯酸，係以包含丙烯酸及甲基丙烯酸二者的意思使用。
(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉例如丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸辛酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸異辛酯、丙烯酸壬酯、甲基丙烯酸壬酯、丙烯酸癸酯、甲基丙烯酸癸酯、丙烯酸十一酯、甲基丙烯酸十一酯、丙烯酸十二酯、甲基丙烯酸十二酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸月桂酯等。接著劑層對於右旋檸烯之膨潤度，可藉由使用烷基之碳數為1~4之(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生的構造單位或烷基之碳數為1或2之(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生的構造單位，藉由其含有比例調整。
此外，能量線硬化性聚合物(A)，通常含有由(甲基)丙烯酸烷基酯以外的聚合性單體(其他的聚合性單體)所衍生的構造單位，5~40質量%，以10~30質量%為佳。
如此之其他的聚合性單體，為於後述之聚合物(含有官能基之聚合物)鍵結能量線聚合性基，可舉預先於聚合物中導入之含有官能基之單體。含有官能基之單體，係於分子內具有，聚合性雙鍵鍵結，及羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等的官能基之單體，使用含有羥基之不飽和化合物、含有羧基之不飽和化合物為佳。
如此之含有官能基之單體之進一步具體例，可舉 丙烯酸2-羥基甲酯、甲基丙烯酸2-羥基甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸2-羥基丁酯、甲基丙烯酸2-羥基丁酯等的含有羥基之(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、依康酸等的含有羧基之化合物。上述含有官能基之單體，可以1種單獨或組合2種以上使用。
於含有官能基之聚合物，由上述含有官能基之單體所衍生的構造單位(以下，有僅記載為「含有官能基之單體單位」之情形。)，通常以5~40質量%的比例包含，以10~30質量%為佳。藉由對含有官能基的聚合物導入能量線聚合性基，可得能量線硬化性聚合物(A)。此時，含有官能基之單體單位之官能基，與具有與該官能基反應之取代基之含有聚合性之化合物反應，而導入能量線聚合性基。該反應時，含有官能基之單體單位之官能基的一部分，與含有聚合性基之化合物反應，被取代。於所得能量線硬化性聚合物(A)，為作為與後述之架橋劑之反應點，使未反應之含有官能基之單體單位少量殘留為佳。即，能量線硬化性聚合物(A)之含有官能基之單體單位，係上述含有官能基之單體所衍生的構造單位100莫耳．通常為50~100莫耳，以60~95莫耳為佳，以70~90以莫耳特別佳的比例被取代。上述含有羥基之(甲基)丙烯酸酯及/或含有羧基之化合物本身與含有聚合性基之化合物反應之分子構造，一般有提升能量線硬化性聚合物之極性的傾向。因此，藉由由含有官能基之聚合物中的含有官能基之單體所衍生的構造單位的質量比例在於上述範圍，亦有提升接著劑層對低極性溶劑之 耐性的效果。
能量線硬化性聚合物(A)，於該等單體之外，亦可含有(甲基)丙烯酸烷基酯及含有官能基之單體以外的(甲基)丙烯酸酯、蟻酸乙烯酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯等作為單體。(甲基)丙烯酸烷基酯及含有官能基之單體以外的(甲基)丙烯酸酯，由使接著劑層的極性較高者的觀點，亦可使用(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯，(甲基)丙烯酸壬基苯氧基聚乙二醇、丙烯酸四氫呋喃糠酯、聚醚與丙烯酸之酯之雙丙烯酸酯。
對高極性溶劑具有耐性，由能量線硬化型接著劑形成之接著劑層，包含能量線硬化性聚合物(B)為佳。能量線硬化性聚合物(B)，係對主鏈或側鏈，鍵結能量線聚合性基而成，其本身具有接著性及藉由能量線照射而硬化的性質。
能量線硬化性聚合物(B)，係將由(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生的構造單位，以50~90質量%含有，以65~90質量%為佳，以75~90質量%更佳。此外，(甲基)丙烯酸烷基酯100質量部中，烷基之碳數為8~12之(甲基)丙烯酸烷基酯，通常佔95質量部以上，以96質量部以上為佳，以97質量部以上更佳。
(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉於上述能量線硬化性聚合物(A)之(甲基)丙烯酸烷基酯所例示者。烷基之碳數為8~12之(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生的構造單位之含量過少，則有降低接著劑層對高極性溶劑之耐性之情形，另一方面，過多則雖可提升對高極性有機溶劑的耐性，但有無法得到充分的接著力之情形。在於(甲基)丙烯酸烷基酯，其100質量部中，(甲基)丙烯酸異辛酯或(甲基)丙烯酸月桂酯佔超過50質量部為佳。使 用(甲基)丙烯酸異辛酯時，相較於相同碳數之基(甲基)丙烯酸2-乙基己酯，由於長的碳化氫鏈以高密度存在於接著劑層，故容易提升對高極性溶劑之耐性。此外，(甲基)丙烯酸月桂酯，由於碳數在適度的數量，容易提升對高極性溶劑之耐性。(甲基)丙烯酸烷基酯之100質量部中，使(甲基)丙烯酸異辛酯或(甲基)丙烯酸月桂酯為65質量部以上為佳，以80質量部以上為佳。
此外，上述以外的(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯等。該等(甲基)丙烯酸烷基酯之含量過多，則雖可增加黏著力，但有降低接著劑層對高極性溶劑之耐性之情形。
此外，能量線硬化性聚合物(B)，通常含有由(甲基)丙烯酸烷基酯以外之聚合性單體(其他的聚合性單體)所衍生的構造單位，15~50質量%，以15~35質量%為佳，以15~25質量%更佳。
如此之其他的聚合性單體，為與後述之聚合物(含有官能基之聚合物)鍵結能量線聚合性基，可舉預先於聚合物中導入之含有官能基之單體。含有官能基之單體，係於分子內具有，聚合性雙鍵鍵結，及羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等的官能基之單體，使用含有羥基之不飽和化合物、含有羧基之不飽和化合物為佳。
如此之含有官能基之單體之進一步具體例，可舉於上述能量線硬化性聚合物(A)之含有官能基之單體所例示 者。含有官能基之單體，可以1種單獨或組合2種以上使用。
於含有官能基之聚合物，由上述含有官能基之單體所衍生的構造單位，通常以15~50質量%的比例包含，以15~35重量%為佳，以15~25重量%更佳。藉由對含有官能基的聚合物導入能量線聚合性基，可得能量線硬化性聚合物(B)。此時，含有官能基之單體單位的官能基，與具有與該官能基反應之取代基之含有聚合性基之化合物反應，而導入能量線聚合性基。含有官能基之單體單位之官能基的一部分，與含有聚合性基之化合物反應，被取代。於所得能量線硬化性聚合物(B)，為作為與後述之架橋劑之反應點，使未反應之含有官能基之單體單位少量殘留為佳。即，能量線硬化性聚合物(B)之含有官能基之單體單位，係上述含有官能基之單體所衍生的構造單位100莫耳．通常為50~100莫耳，以60~95莫耳為佳，以70~90以莫耳特別佳的比例被取代。
能量線硬化性聚合物(B)，於(甲基)丙烯酸烷基酯與含有官能基之單體之外，亦可含有蟻酸乙烯酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯、乙酸乙烯酯、二烷基(甲基)丙烯醯胺等作為構造單位。
在於能量線硬化性聚合物(A)或(B)，聚合物的主鏈或側鏈鍵結之能量線聚合性基，例如係包含能量線聚合性碳-碳雙鍵鍵結之基，具體可例示(甲基)丙烯醯基等。能量線聚合性基，亦可經由亞烷基、亞烷氧基、聚亞烷氧基鍵結於聚合物。
能量線硬化性聚合物(A)或(B)之重量平均分子量，以100,000以上為佳，以100,000~1,500,000為佳，以 150,000-1,000,000特別佳。此外，能量線硬化性聚合物(A)或(B)之玻璃轉移溫度，通常為-70~30℃左右。
如此之能量線硬化性聚合物(A)或(B)之具體例，可由以下所說明之能量線硬化性聚合物之製法進一步明瞭。
能量線硬化性聚合物，係含有官能基之聚合物(a1)，與具有與該官能基反應之取代基之含有聚合性基之化合物(a2)反應而得。
以下，詳述關於能量線硬化性聚合物之製法，惟可良好地使用於本發明之能量線硬化性聚合物，並非限定於下述製法所得者。
含有官能基之聚合物(a1)，係藉由將如上所述之(甲基)丙烯酸烷基酯單體與含有官能基之單體、及按照必要共聚合之其他單體，共聚合而得。此時，關於能量線硬化性聚合物(A)或(B)之必須或較佳的態樣，調整滿足上述既定組成之單體的調合量為佳。
關於聚合物(a1)之製造方法，並無特別限定，可例如於溶劑、鏈移動劑、聚合起始劑等的存在下溶液聚合的方法，或於由乳化劑、鏈移動劑、聚合起始劑、分散劑等的存在下以水系乳膠聚合之方法製造。
藉由使含有上述官能基之聚合物(a1)，與具有與該官能基反應之取代基之含有聚合性基之化合物(a2)反應，得到鍵結聚合性基之能量線硬化性聚合物。
於含有聚合性基之化合物(a2)，含有與聚合物(a1)中的官能基反應之取代基。該取代基，根據上述官能基的種類 有各式各樣。例如，官能基為羥基或羧基時，取代基以異氰酸酯基、環氧基等為佳，官能基為羧基時，取代基以異氰酸酯基、環氧基等為佳，官能基為胺基或取代胺基時，取代基以異氰酸酯基等為佳，官能基為環氧基時，取代基以羧基為佳。如此之取代基，於含有聚合性基之化合物(a2)每1分子包含一個。
此外，於含有聚合性基之化合物(a2)，於每1分子含有1~5個能量線聚合性碳-碳雙鍵鍵結，以1~2個為佳。如此之含有聚合性基之化合物(a2)之具體例，可舉甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、縮水甘油(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸等。此外，二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物，與羥基乙基(甲基)丙烯酸酯之反應所得之丙烯醯基異氰酸酯化合物；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、與多元醇化合物、羥基乙基(甲基)丙烯酸酯之反應所得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物等。
此外，含有聚合性基之化合物(a2)，可使用如下式(1)之含有聚合性基之聚亞烷基氧基化合物。使用該含有聚合性基之聚亞烷基氧基化合物時，可提升接著劑層對低極性溶劑之耐性，另一方面會使接著劑層對高極性溶劑之耐性成較差。
式中，R1係氫或甲基，以甲基為佳，R2~R5係分別 獨立地為氫或碳數1~4之烷基，以氫為佳，此外，n係2以上的整數，以2~4為佳。複數存在的R2~R5可相互相同亦可不同。即，由於n為2以上，以上述(1)式表示之含有聚合性基之聚亞烷基氧基，含有2個以上的R2。此時，存在2個以上的R2，可相互相同亦可不同。關於R3~R5亦相同。NCO係表示異氰酸酯基。
含有聚合性基之化合物(a2)，係於上述聚合物(a1)之含有官能基之單體100莫耳，通常以50~100莫耳的比例使用，以60~95莫耳為佳，以70~90特別佳。由於藉由將聚合物中的官能基的一部分以未反應的狀態留下，而有顯現接著力之情形，故藉由調整含有聚合性基之化合物(a2)之導入量，可控制接著劑層之接著力。
聚合物(a1)與含有聚合性基之化合物(a2)之反應，通常，於室溫程度的溫度，於常壓進行24小時左右。該反應，係例如於醋酸乙酯等的溶液中，使用二丁基錫月桂酸酯等的觸媒進行為佳。
結果，存在於聚合物(a1)中的側鏈之官能基，與含有聚合性基之化合物(a2)中的取代基反應，將聚合性基導入聚合物(a1)中的側鏈，得到能量線硬化性聚合物。
此外，使用含有聚合性基之聚亞烷基氧基化合物時，可得聚合性基經由聚亞烷基氧基鍵結之能量線硬化性聚合物。藉由對能量線硬化性聚合物聚亞烷基羥基導入，可提升能量線硬化性聚合物之能量線硬化之破斷伸度。
接著劑層，亦可具有將能量線硬化性聚合物架橋 之架橋構造。藉由將能量線硬化性聚合物作成架橋構造，可提升對高極性溶劑或低極性溶劑之耐性。此外，可控制基材保護薄膜與基材薄膜之間的接著力。在於能量線硬化性聚合物(B)之情形，接著劑層不含有架橋構造時，以能量線照射硬化前的接著劑層在於電子元件加工用黏著板片之接著劑層之接著力變得過高，而於照射能量線之後，有無法充分降低在於電子元件加工用黏著板片之接著劑層之接著力之情形之虞。接著劑層含有架橋構造時，能量線硬化性聚合物之架橋密度，係藉由將架橋劑的使用量調整於後述的範圍，控制於適度的範圍，不會使在於電子元件加工用黏著板片的接著劑層之接著力過度地降低，有維持對有機溶劑之接著劑層之耐性的傾向。
架橋劑，可舉有機多價異氰酸酯化合物、有機多價環氧化合物、有機多價亞胺化合物等，以有機多價異氰酸酯化合物為佳。
有機多價異氰酸酯化合物，可舉芳香族多價異氰酸酯化合物、脂肪族多價異氰酸酯化合物、脂環族多價異氰酸酯化合物及該等有機多價異氰酸酯化合物之三聚物、以及使該等有機多價異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應而得之末端異氰酸酯氨酯高分子等。
有機多價異氰酸酯化合物之進一步具體之例，可舉2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、1,3-二異氰酸二甲苯酯、1,4-二異氰酸二甲苯酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷 -4,4'-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4'-二異氰酸酯、三羥甲基丙烷加成二異氰酸甲苯酯及賴氨酸異氰酸酯。
有機多價環氧化合物之具體例，1,3-雙(N,N'-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、N,N,N',N'-四縮水甘油基-m-二甲苯二胺、乙二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、三羥甲基丙烷二縮水甘油醚、二縮水甘油基苯胺、二縮水甘油基胺等。
有機多價亞胺化合物之具體例，可舉N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、及N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧醯胺)三乙烯三聚氰胺等。
對能量線硬化性聚合物(A)之架橋劑之使用量，可按照上述烷基之碳數為1~4之(甲基)丙烯酸烷基酯，或烷基之碳數為1或2之(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生的構造單位之含量適宜設定，一般，對能量線硬化性聚合物(A)100質量部，以0.01~10質量部的比例使用為佳，以0.1~5質量部更佳，以0.5~3質量部特別佳。架橋劑之使用量過大，則有使接著劑層過度硬化，無法得到充分的接著力，架橋不充分，則有降低接著劑層之耐溶劑性之情形。
此外，對能量線硬化性聚合物(B)之架橋劑之使用量，可按照上述烷基之碳數為8~12之(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生的構造單位之含量適宜設定。在於接著劑層，對能量線硬化性聚合物(B)100質量部不含架橋劑，或對能量線硬化性聚合物(B)100質量部含有0.8質量部以下為佳，以0.005~0.3質量部 更佳，以0.01~0.3質量部特別佳。藉由將架橋劑的使用量調整於如此之範圍內，可得將架橋密度控制於適當的範圍的效果。
接著劑層，係使用調合能量線硬化性聚合物及按照必要之光聚合起始劑之接著劑組合物形成。再者，於上述接著劑組合物，為改良各種物性，亦可按照必要，含有其他的成分(例如上述架橋劑)。能量線硬化性聚合物，於光聚合起始劑的存在下受到能量線的照射，則會硬化，而降低接著力。能量線，具體可使用，紫外線、電子線等。
光聚合起始劑，安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、二茂鈦化合物、噻吨酮化合物、過氧化物化合物等的光起始劑、胺或醌等的光增感劑等，具體可例示α-羥基環己基苯酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、苄基二苯基硫醚、硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、聯苄、聯乙醯、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯偶醯二苯基氧化膦等。能量線使用紫外線時，可藉由調合光聚合起始劑，減少照射時間，照射量。
光聚合起始劑之含量，對能量線硬化性聚合物100質量部，以0.1~10質量部為佳，以1~5質量部更佳。藉由使光聚合起始劑之含量在於如此之範圍內，可得有效地進行能量線硬化性聚合物之硬化的效果，且可避免在能量線硬化性聚合物之硬化之後，殘存光聚合起始劑，而成為異常的原因。
此外，亦可取代光聚合起始劑，於能量線硬化性聚合物之主鏈或側鏈導入自由基產生基。具體而言，將具有聚合性雙鍵鍵結，及含有藉由能量線的激發而產生可使聚合反應 開始之自由基之基(自由基產生基)有的自由基產生基之單體，與上述丙烯酸烷基酯等一起共聚合，可於能量線硬化性聚合物中導入自由基產生基。如此之含有自由基產生基之單體之詳細情形，例如，記載於日本特開2010-215769號公報。
再者，於接著劑層，亦可在不過度地損及對有機溶劑之耐性的範圍，添加上述以外的聚合物、能量線聚合性化合物、染料、顏料、惡化防止劑、帶電防止劑、難燃劑、矽酮化合物、鏈轉移劑等。
由上述成分所構成之接著劑層之厚度，並無特別限定，以3~50μm為佳，以5~20μm更佳。由於藉由使接著劑層的厚度，在於上述範圍，可使基材薄膜與基材保護薄膜之密著性變高，而基材薄膜與基材保護薄膜之間被密封，故即使以有機溶劑(低極性溶劑或高極性溶劑)清洗時，亦不會使有機溶劑浸入基材薄膜與基材保護薄膜之間，可抑制基材薄膜因有機溶劑之膨潤或溶解，可防止基材薄膜發生皺紋。因此，可防止起因於基材薄膜發生皺紋之黏著劑層之變形，不會發生於被著體及環形框與黏著劑層之界面發生空隙，有機溶劑幾乎不會浸入被著體及環形框與黏著劑層之界面。結果，可抑制在於被著體及環形框與黏著劑層之界面之黏著劑層之膨潤或溶解，可對被著體及環形框維持充分的接著力，可防止被著體及環形框由黏著板片脫落。
(電子元件加工用黏著板片之製造方法)
本發明之電子元件加工用黏著板片之製造方法，並無特別限定。
例如，將基材薄膜和基材保護薄膜經由接著劑層層積之方法，可舉如下方法。
第1方法，係將上述接著劑，按照必要以適當的溶劑稀釋作成接著劑組合物，於剝離板片上塗佈．乾燥成既定膜厚，而形成接著劑層。然後，將接著劑層轉印在基材薄膜或基材保護薄膜的表面上。之後，將沒有形成接著劑之基材保護薄膜或基材薄膜層積於上述接著劑層之方法。
第2方法，係於基材薄膜或基材保護薄膜的表面直接塗佈接著劑組合物，乾燥形成接著劑層。之後，將沒有形成接著劑之基材保護薄膜或基材薄膜層積於上述接著劑層之方法。
於基材薄膜的表面設置黏著劑層的方法，可舉如下方法。
第1方法，係將上述黏著劑，按照必要以適當的溶劑稀釋作成接著劑組合物，於剝離板片上塗佈．乾燥成既定膜厚，而形成接著劑層。然後，將黏著劑層轉印於基材薄膜表面之方法。
第2方法，係於基材薄膜的表面直接塗佈黏著劑組合物，乾燥形成黏著劑層之方法。
直接在基材薄膜表面設置接著劑層，或對設於其他板片表面之接著劑層，層積基材薄膜時，基材薄膜可為設有黏著劑層的狀態，亦可為設置黏著劑層之前的狀態。
此外，於黏著劑層，亦可於其使用前層積用於保護黏著劑層之剝離板片。剝離板片，並無特別限定，例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯等的樹脂所組成之薄膜或該等的發泡薄膜、玻璃紙、塗層紙、層壓紙等的紙，以矽酮 系、氟系、含有長鏈烷基之羧酸酯等的剝離劑，剝離處理者。
在對黏著劑層照射能量線之前，去除基材保護薄膜之電子元件加工用黏著板片，對以鏡面矽晶圓作為被著體之黏著力，以500mN/25mm以上為佳，以1000~30000mN/25mm更佳，以2000~30000mN/25mm特別佳。藉由使照射能量線之前的黏著力，在於如此之範圍，可使黏著劑層與被著體表面的界面成為密著性很高者，可提高電子元件加工用黏著板片對有機溶劑之耐性。在於能量線照射前之黏著力，可藉由(甲基)丙烯酸烷基酯之種類及調合比，或架橋劑的使用量調整。
此外，在對黏著劑層之能量線照射之後，去除基材保護薄膜之電子元件加工用黏著板片之黏著力，以10~500mN/25mm為佳，以10~300mN/25mm更佳。藉由使黏著劑層之黏著力在於上述範圍，切割性及拾取性優良。在於能量線照射後之黏著力，可藉由能量線硬化型黏著劑對能量線硬化性聚合物之導入之能量線聚合性基之量所控制。
(半導體裝置之製造方法)
關於本發明之電子元件加工用黏著板片，可良好地使用於將晶圓各片化時用於保持晶圓及生成之晶片之切割板片，或轉印個片化之晶片群，之後用於拾取晶片之拾取板片。晶片由切割板片或拾取板片剝離後，按照常法，組入電路電路板等，而得到半導體裝置。
特別是，本發明之黏著板片，可良好地使用在包含保持於板片上之被著體(晶圓、晶片)與有機溶劑接觸之步驟之半導體裝置之製程。該接觸步驟，只要是被著體以保持在黏 著板片上狀態，使黏著板片與被著體之層積物與有機溶劑接觸之步驟，並無特別限定，可舉例如，殘黏於被著體上的接著劑之清洗步驟(接著劑之去除步驟)，或由藉由接著劑固定之支持體剝離被著體(接著劑及支持體之去除步驟)。
極薄晶圓，或TSV晶圓，由於非常容易破裂，而有在背面研削步驟、或之後的加工步驟或移送步驟破損之情形。因此，於該等步驟中，晶圓係經由接著劑(例如，以丙烯酸系、聚醯亞胺系的接著劑所構成之接著劑)保持在玻璃等硬質支持體上。
可將本發明之黏著板片，使用於作為轉貼結束既定步驟的晶圓之切割板片。使用本發明的黏著板片作為切割板片時，例如，將切割板片的外周部以環形框固定之後，將晶圓以每個電路切斷而晶片化，之後由切割板片剝離去除基材保護薄膜，由剩餘的基材薄膜與黏著劑層之層積體拾取晶片。將晶圓由硬質支持體轉貼至切割板片時，例如，切割板片、被著體(晶圓)、及硬質支持體之層積物，浸漬於有機溶劑、或圍饒被著體配置較被著體稍大的框架，藉由對框架內投入有機溶劑，使有機溶劑與接著劑接觸，使之溶解或膨潤而由硬質支持體剝離。此時，由於切割板片(黏著板片)及晶圓之層積物會與有機溶劑接觸，故可良好地使用本發明的黏著板片。此外，作為其他方法，將固定晶圓之硬質支持體之晶圓側之面黏貼於切割板片上，將硬質支持體由晶圓剝離，將晶圓轉貼於切割板片。剝離硬質支持體時，有藉由加熱使接著劑軟化使硬質支持體滑移之熱滑移，或藉由照射雷射光使接著劑分解而進行硬質支持體 之剝離之情形。此時，將被著體由支持體剝離時，黏著板片及晶圓的層積物並不會與有機溶劑接觸。但，剝離硬質支持體後的晶圓面，有殘著接著劑或其分解物之情形。
本發明之黏著板片，在包含以有機溶劑清洗殘著如上所述之接著劑之晶圓之步驟之半導體裝置之製造過程，亦可良好地使用。晶圓，係以保持在本發明之黏著板片的狀態，藉由有機溶劑清洗。在此清洗，亦藉由與上述硬質支持體之剝離相同的方法等，使有機溶劑接觸與黏著板片及晶圓之層積物接觸而進行清洗。再者，此時，在於黏著板片的外周部亦有黏貼環形框之情形。
此外，本發明之黏著板片，亦可使用於作為將晶圓保持於硬質支持體上，於背面研削或加工步驟之後，將晶圓個片化成晶片之後，將此轉印進行拾取之拾取板片。由於不容易直接由硬質支持體拾取晶片，故藉由晶片轉印在軟質的拾取板片上，可使晶片的拾取變得容易。在此製程，亦與使用上述切割板片的製程同樣地，在剝離硬質支持體時，亦有包含拾取板片(黏著板片)及被著體(晶片)與有機溶劑接觸之步驟。此外，於轉印到拾取板片上的晶片，亦與上述同樣地由殘著接著劑及其分解物之情形，而有進行清洗步驟之情形。在於包含該等步驟之製造方法之拾取板片，可良好地使用本發明之黏著板片。
用於清洗之有機溶劑，根據用於固定晶圓之硬質支持體上之接著劑的組成等而有各式各樣，作為低極性有機溶劑，使用SP值為9(cal/cm3)1/2以下的有機溶劑，以6(cal/cm3)1/2 以上9(cal/cm3)1/2以下為佳，進一步以7(cal/cm3)1/2以上9(cal/cm3)1/2以下為佳，特別使用右旋檸烯(SP值：8.2(cal/cm3)1/2)或1-十二烯(SP值：7.9(cal/cm3)1/2)為佳。此外，作為高極性有機溶劑，使用SP值為9(cal/cm3)1/2的以上有機溶劑，以9~12(cal/cm3)1/2為佳，進一步以10~12(cal/cm3)1/2為佳，特別是使用N-甲基吡咯烷酮(NMP)(SP值：11(cal/cm3)1/2為佳。
再者，於本說明書之SP值(溶解度參數值)，係關於有機物質之相溶性之特性值，關於其詳細情形，例如記載於溶劑手冊(松田種光，1962，產業圖書株式會社)。
如此之本發明之黏著板片及方法，可良好地使用在設有接著劑特別容易殘著之突起狀電極之晶圓或晶片。突起狀電極，可舉圓柱型電極、球狀電極等。此外，可良好地使用在近幾年使用增加特別多的具有貫通電極之晶圓晶片。
切割黏貼於黏著板片之晶圓時，或將晶片由黏著板片拾取時，按照必要將關於本發明之黏著板片之基材保護薄膜剝離為佳。藉由將基材保護薄膜剝離，而起因於剛軟度高且柔軟性高的基材薄膜的特質，可容易地進行晶片的拾取。之後，將黏著板片擴展，使各半導體晶片的間隔離間之後，藉由真空夾頭等的泛用手段進行各半導體晶片的拾取。此外，亦可對黏著劑層照射能量線，使黏著力下降之後，進行擴展、拾取。
[實施例]
以下，將本發明以實施例說明，惟本發明不應限定於該等實施例。在於以下的實施例及比較例，「基材薄膜的 剛軟度」、「基材保護薄膜的楊氏模數的變化率」、及「RF脫落，晶圓脫落，皺紋，浸入量，拾取適正」係如下評估
<基材薄膜的剛軟度>
遵照JIS L1086；2007所記載的45°懸臂法，將基材薄膜的長邊方向對準試驗片的縱向測定。
<基材保護薄膜的楊氏模數的變化率>
浸漬在有機溶劑後的基材保護薄膜的楊氏模數的變化率，係由有機溶劑浸漬前的基材保護薄膜的楊氏模數A，與有機溶劑浸漬後的基材保護薄膜的楊氏模數B，以下述式算出。
基材保護薄膜的楊氏模數，係使用萬能拉張試驗機(ORIENTEC公司製TENSILON RTA-T-2M)，遵照JIS K7161：1994，在於23℃、濕度50%的環境下以拉張速度200mm/分測定。再者，關於沒有基材保護薄膜的比較例1~6，係測定基材薄膜的楊氏模數，算出其變化率。此外，有機溶劑的種類及浸漬條件，如第1表所示。
楊氏模數的變化率(%)=(A-B)/A×100
<RF脫落，晶圓脫落，皺紋，浸入量、拾取適性>
於實施例及比較例所製作的黏著板片的黏著劑層上，貼附單面鏡面研磨(#2000)之矽晶圓(直徑8英寸，厚度50μm)之鏡片(23℃，貼附壓0.3MPa，貼附速度5mm/秒)。於黏著板片的外周部，以相同條件貼附環形框(RF)。將RF、矽晶圓及黏著板片的層積體，以第1表所記載的條件，浸漬於第1表所記載的有機溶劑。再者，N-甲基吡咯烷酮的SP值為11.2(cal/cm3)1/2，右旋檸烯的SP值為8.2(cal/cm3)1/2及1-十二 烯的SP值為7.9(cal/cm3)1/2。
結束浸漬之後，確認RF及晶圓有無脫落。關於RF的脫落，於表中，「○」係表示沒有脫落，「×」係表示有脫落。關於晶圓的脫落，於表中，「○」係表示完全沒有發生剝落，「△」係表示黏著板片之貼附晶圓之區域的50%以下的面積發生剝落塌，「×」係表示黏著板片之貼附晶圓之區域的50%以上的面積發生剝落。
此外，以目視確認黏著板片之基材薄膜有無發生「皺紋」。
此外，以目視觀察有機溶劑對晶圓與黏著劑層的界面的的浸入，測定浸入晶圓與黏著劑層之間的有機溶劑的浸入距離。發生黏著板片由晶圓剝落時，即，在於晶圓的脫落的評估為「△」或「×」時，作為無法測定。
之後，關於除了發生黏著板片由晶圓剝落之黏著板片，即，在於晶圓的脫落的評估為「△」或「×」之黏著板片以外的黏著板片，使用使用DISCO株式會社DFD651作為切割裝置，以刀片輸送速度50mm/秒、刀片旋轉數30000rpm，對基材薄膜的切入深度20μm的條件進行切割，得到10mm×10mm的晶片群。接著，對黏著板片，使用紫外線照射裝置(LINTEC公司製，RAD-2000m/12)，於氮氣氛下照射紫外線(照度230mW/cm2，光量190mJ/cm2)，使黏著板片之黏著劑層及接著劑層之任一均降低黏著性之後，黏著板片具有基材保護薄膜時，去除基材保護薄膜。對於該等晶片，以頂舉量1000μm，頂舉速度1mm/秒的條件，以附屬於拾取裝置之4針 進行頂舉，藉由夾頭進行拾取。可拾取時為「A」，晶片破裂時為「B」。再者，在於晶圓的脫落評估為「△」或「×」時，由於無法進行切割，故沒有進行本評估，於第1表記載為「無法測定」。
(實施例1)
[黏著劑組合物(1)之製作]
將丙烯酸2-乙基己基酯/丙烯酸2-羥基乙酯=80/20(質量比)反應而得之丙烯酸聚合物，及該丙烯酸聚合物每100g當量21.4g(對丙烯酸聚合物之丙烯酸2-羥基乙酯單位100莫耳為80莫耳當量)之甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應而得之能量線硬化性聚合物(重量平均分子量：60萬)100質量部、光聚合起始劑(α-羥基環己基苯酮(Ciba．Speciality．Chemicals株式會社製之Irgacure184))3質量部、及架橋劑(TDI-TMP甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷三丙烯酸酯之加成物)1質量部，於溶劑中混合，得到黏著劑組合物(1)。再者，重量平均分子量，係使用市售的分子量測定機(主機產品名「HLC-8220GPC」，TOSO(株式會社)製；管柱產品名「TSKGel SuperHZM-M」，TOSO(株式會社)製；沖提溶劑四氫呋喃)所得之值(以下，相同。)。此外即使質量部數是被稀釋溶劑的樣子，也全部固體分換算的值(以下，相同。)。
[接著劑組合物(1)之製作]
將丙烯酸月桂酯/丙烯酸2-羥基乙酯=80/20(質量比)反應所得之丙烯酸聚合物、與該丙烯酸聚合物100g為21.4g當量(丙烯酸聚合物的之丙烯酸2-羥基乙酯單位100莫耳為80莫耳當 量)之甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應所得之能量線硬化性聚合物(重量平均分子量：60萬)100質量部、及光聚合起始劑(α-羥基環己基苯酮(Ciba．Speciality．Chemicals株式會社製之Irgacure184))3質量部、及架橋劑(TDI-TMP甲苯二異氰酸酯語與三羥甲基丙烷三丙烯酸酯之加成物)0.1質量部，於溶劑中混合，得到接著劑組合物(1)。
[黏著板片之製作]
對剝離薄膜(LINTEC公司製SP-PET3811)，塗佈．乾燥上述黏著劑組合物(1)，使乾燥之後的厚度為10μm(乾燥條件：100℃，1分鐘)，得到形成於剝離薄膜上之黏著劑層。接著，將黏著劑層與基材薄膜(乙烯．醋酸乙烯共聚物薄膜，120μm後，剛軟度：125mm)貼合，得到黏著劑層與基材薄膜之層積體A。
此外，於剝離薄膜(LINTEC公司製SP-PET3811)，塗佈．乾燥上述接著劑組合物(1)，使乾燥之後的厚度為10μm(乾燥條件：100℃，1分鐘)，得到形成於剝離薄膜上之黏著劑層。將黏著劑層與基材薄膜(聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，50μm厚，剛軟度：101mm)貼合，得到黏著劑層與基材薄膜之層積體B。
去除層積體B之接著劑層上之剝離薄膜，於上述層積體A之基材薄膜側貼合層積體B之接著劑層，得到黏著板片。之後，去除黏著劑層上之剝離薄膜進行各評估。將結果示於第1表。
(實施例2)
將基材以乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物薄膜(80μm後，剛軟度：110mm)取代以外，以與實施例1同樣地得到黏著板片1。 將結果示於第1表。
(實施例3)
使用下述接著劑組合物(2)作為黏著劑組合物。此外，基材薄膜以乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物薄膜(80μm厚，剛軟度：110mm)，基材保護薄膜以聚丙烯薄膜(140μm)取代。上述以外以與實施例1同樣地得到黏著板片1。將結果示於第1表。
[黏著劑組合物(2)之製作]
將丙烯酸2-乙基己基酯/丙烯酸2-羥基乙酯=80/20(質量比)反應所得之丙烯酸聚合物，與該丙烯酸聚合物100g為21.4g當量(對丙烯酸聚合物之丙烯酸2-羥基乙酯單位100莫耳為80莫耳當量)之甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應所得之能量線硬化性聚合物(重量平均分子量：60萬)100質量部、及光聚合起始劑(α-羥基環己基苯酮(Ciba．Speciality．Chemicals株式會社製之Irgacure184))3質量部，及架橋劑(TDI-TMP甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷三丙烯酸酯之加成物)0.3質量部，於溶劑中混合，得到接著劑組合物(2)。
(實施例4)
[黏著劑組合物(3)之製作]
將丙烯酸2-乙基己基酯/醋酸乙烯/丙烯酸2-羥基乙酯=40/40/20(質量比)反應所得之丙烯酸聚合物，與該丙烯酸聚合物100g為21.4g(對丙烯酸聚合物之丙烯酸2-羥基乙酯單位100莫耳為80莫耳當量)之甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應所得之能量線硬化性聚合物(重量平均分子量：60萬)100質量部、光聚合起始劑(α-羥基環己基苯酮(Ciba．Speciality．Chemicals 株式會社製之Irgacure184))3質量部，及架橋劑(TDI-TMP甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷三丙烯酸酯之加成物)1質量部，於溶劑中混合，得到接著劑組合物(3)。
[接著劑組合物(2)之製作]
將丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=65/15/20(質量比)反應所得之丙烯酸聚合物，與該丙烯酸聚合物100g為21.4g(對丙烯酸聚合物之丙烯酸2-羥基乙酯單位100莫耳為80莫耳)之甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)反應所得之能量線硬化性聚合物(重量平均分子量：60萬)100質量部、光聚合起始劑(α-羥基環己基苯酮(Ciba．Speciality．Chemicals株式會社製之Irgacure184))3質量部，及架橋劑(TDI-TMP甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷三丙烯酸酯之加成物)2個質量部，於溶劑中混合，得到接著劑組合物(2)。
[黏著板片之製作]
對剝離薄膜(LINTEC公司製SP-PET3811)，塗佈．乾燥上述黏著劑組合物(3)，使乾燥之後的厚度為(乾燥條件：100℃，1分鐘)，得到形成於剝離薄膜上之黏著劑層。接著，將黏著劑層與基材薄膜(乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物薄膜，80μm厚，剛軟度：110mm)貼合，得到黏著劑層與基材薄膜之層積體A。
此外，於剝離薄膜(LINTEC公司製SP-PET3811)，塗佈．乾燥上述接著劑組合物(2)為了乾燥之後的濃度成為10μm塗佈乾燥(乾燥條件：100℃，1分鐘)得到形成於剝離薄膜上之黏著劑層。接著，將接著劑層與基材保護薄膜(聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，50μm厚)貼合，得到黏著劑層與基材薄膜之層積體 B。
去除層積體B之接著劑層上之剝離薄膜，於上述層積體A之基材薄膜側貼合層積體B之接著劑層，得到黏著板片。之後，去除黏著劑層上剝離薄膜進行各評估。將結果示於第1表
(實施例5)
使用下述黏著劑組合物(4)作為黏著劑組合物以外，以與實施例1同樣地得到黏著板片了4。將結果示於第1表。
[黏著劑組合物(4)之製作]
將丙烯酸丁酯/丙烯酸2-羥基乙酯=80/20(質量比)反應所得之丙烯酸聚合物、與該丙烯酸聚合物100g為21.4g當量(對丙烯酸聚合物的丙烯酸2-羥基乙酯單位100莫耳為80莫耳當量)甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(MOI)讓反應獲得的能量線硬化性聚合物(重量平均分子量：60萬)100質量部、光聚合起始劑(α-羥基環己基苯酮(Ciba．Speciality．Chemicals株式會社製之Irgacure184))3質量部，及架橋劑(TDI-TMP甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷三丙烯酸酯之加成物)0.4質量部，於溶劑中混合，得到接著劑組合物(4)。
(實施例6)
將基材保護薄膜以聚丙烯薄膜(140μm厚)取代以外以與實施例1同樣地得到黏著板片了5。將結果示於第1表。
(比較例1)
取代電子元件加工用黏著板片，將在於實施例1，僅由黏著劑層與基材薄膜之層積體A所組成之板片用於各評估。將結果示於第1表。
(比較例2)
將基材薄膜，以乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物薄膜(120μm厚)取代以外，以與比較例1同樣地得到黏著板片1。將結果示於第1表。
(比較例3)
取代電子元件加工用黏著板片，將在於實施例4，僅由黏著劑層與基材薄膜之層積體A所組成之板片用於各評估。將結果示於第1表。
(比較例4)
取代電子元件加工用黏著板片，將在於實施例5，僅由黏著劑層與基材薄膜之層積體A所組成之板片用於各評估。將結果示於第1表。
(比較例5)
取代電子元件加工用黏著板片，將在於實施例1，僅由接著劑層與基材保護薄膜之層積體B所組成之板片用於各評估。將結果示於第1表。
(比較例6)
取代電子元件加工用黏著板片，將在於實施例4，僅由接著劑層與基材保護薄膜之層積體B所組成之板片用於各評估。將結果示於第1表。

Claims (12)

  1. 一種電子元件加工用黏著板片，由基材薄膜，設於基材薄膜之一方的面之黏著劑層，及可剝離地設於基材薄膜的另一方的面之基材保護薄膜所構成，在於基材薄膜之剛軟度為105mm以上，基材保護薄膜，係選自由聚酯系薄膜或聚烯烴薄膜拾取之1種單獨或2種以上的組合。
  2. 根據申請專利範圍第1項之電子元件加工用黏著板片，其中聚酯系薄膜，係選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜、及聚萘二甲酸丁二醇酯薄膜所組成之群。
  3. 根據申請專利範圍第1項之電子元件加工用黏著板片，其中聚烯烴薄膜，係選自由聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚苯乙烯薄膜、及環烯烴薄膜所組成的群。
  4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之電子元件加工用黏著板片，其中基材保護薄膜之厚度為未滿300μm。
  5. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項之電子元件加工用黏著板片，其係使用在將半導體晶圓或晶片保持於電子元件加工用黏著板片上的狀態，使該黏著板片與晶圓或與晶片的層積物與有機溶劑接觸的步驟。
  6. 根據申請專利範圍第5項之電子元件加工用黏著板片，其中(i)在浸漬於SP值為9(cal/cm3)1/2以上之80℃有機溶劑1分鐘之後，基材保護薄膜之楊氏模數的變化率為8%以下， 或(ii)在浸漬於SP值為未滿9(cal/cm3)1/2之25℃有機溶劑24小時之後之基材保護薄膜之楊氏模數的變化率為8%以下。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，包含將半導體晶圓保持在申請專利範圍第1至6項中任一項之電子元件加工用黏著板片上的狀態，使該黏著板片與晶圓之層積物與有機溶劑接觸之步驟。
  8. 根據申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其中有機溶劑之SP值為7~12(cal/cm3)1/2，接觸步驟係接著劑，或接著劑及支持體之去除步驟。
  9. 根據申請專利範圍第7或8項之半導體裝置之製造方法，半導體晶圓係設有突起狀電極之晶圓。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，包含將半導體晶片保持於申請專利範圍第1至6項中任一項之電子元件加工用黏著板片上的狀態，使該黏著板片及與晶片的層積物與有機溶劑接觸之步驟。
  11. 根據申請專利範圍第10項之半導體裝置之製造方法，其中有機溶劑的SP值為7~12(cal/cm3)1/2，接觸步驟係接著劑，或接著劑及支持體之去除步驟。
  12. 根據申請專利範圍第10或11項之半導體裝置之製造方法，半導體晶圓係設有突起狀電極之晶圓。
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