201203063 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，例如係有關於被使用在觸控面板中之 檢測裝置。更詳細而言，係有關於一種：能夠將與 於藉由手指或者是靜電筆等之指示體而被進行了指 輸入之面（指示操作輸入時指示體所能夠作接觸之 下稱爲指示輸入面）而相交叉的方向上之指示體的 0 對應的與前述指示輸入面所相距之離隔位置以及對 指示輸入面之推壓力檢測出來者。 【先前技術】 於先前技術中，作爲在觸控面板等之中所使用 者之手指或者是專用之筆等的指示體之檢測方式， 係提案有靜電耦合方式（靜電電容方式）、電阻膜 電磁感應方法等之各種的感測方式。 〇 在靜電耦合方式之指示體檢測裝置中，係如圖 示一般，將複數個的上部電極Ex和複數個的下部電 在指示輸入面之例如X軸方向（橫方向）以及Y軸 縱方向）上作並排，而使該些相互正交並且僅空出 之空隙地來作配列。藉由此，在上部電極Ex與下部 之間的重疊部分處，係形成有特定之靜電容量Co。 在此圖59之靜電耦合方式的指示體檢測裝置中 者之手指等的指示體，若是與指示輸入面相近接或 接觸’則在其與該部分之上部電極Ex之間，係被形 指示體 在相對 示操作 面，以 移動相 於前述 的使用 例如， 方式、 59中所 極E y， 方向（ 有些微 電極Ey ，使用 者是相 成有靜 -5- 201203063 電容量Cf’其結果，該部分之上部電極Ex與下部電極Ey之 間的電荷之移動量係變化。在靜電耦合方式之指示體檢測 裝置中，係藉由將此電荷之移動量的變化檢測出來，而特 定出在指示輸入面內的藉由指示體所指示了的位置。 此種之靜電耦合方式的指示體檢測裝置，從先前技術 起，便在例如專利文獻1〜3等之中有所記載。在專利文獻 1中，係記載著將使用有正交展頻碼的代碼分割多重化方 式適用在多使用者觸控系統中之技術。在專利文獻2中， 係記載著使用有擬似隨機訊號之座標輸入裝置。又，在專 利文獻3中，係記載著在靜電電容型座標裝置中所被使用 的靜電筆。 又，有關於使用有電阻膜方式之指示體檢測、特別是 同時地檢測出複數之指示體輸入的技術，例如係在專利文 獻4中有所揭示。參考圖6 0，針對在此專利文獻4中所掲示 之使用有電阻膜方式的指示體檢測技術作說明。 亦即是，在專利文獻4之指示體檢測裝置中，係將與 圖5 9之例相同的被形成有複數個的上部電極Ex之電極薄片 1001、和第1電阻體層1002、和第2電阻體層1003、以及與 圖59之例相同的被形成有複數個的下部電極Ey之電極薄片 1 0 04，在與X軸以及y軸相正交之z軸方向上作層積並作配 列。 於此情況’如同在圖6 0 ( B )之圖6 0 ( A )的剖面圖中 所示一般，在被形成於電極薄片1001處之上部電極Ex上， 係被形成有第1電阻體層1002，上部電極Ex與第1電阻體層 -6 - 201203063 1 002係被作電性連接。又，在被形成於電極薄片1004處之 下部電極Ey上，係被形成有第2電阻體層1 003，下部電極 Ey與第2電阻體層1〇03，係被作電性連接。而，在第i電阻 體層1 002與第2電阻體層1 003之間，係成爲形成有些許之 空隙A G。 此例之指示體檢測裝置，若是藉由手指等之指示體， 而使得指示輸入面（於圖中之例中，係爲電極薄片1001) 在Z軸方向上被作推壓，則電極薄片1 00 1，係如同圖60 ( C )之剖面圖中所示一般，該推壓部分係作彈性位移，第1 電阻體層1 002與第2電阻體層1 003係成爲相互接觸。而， 若是從指示體而來之對於指示輸入面的推壓力變得越大， 則第1電阻體層1 0 02與第2電阻體層1 003之間的接觸面積係 變得越大。 如此一來，在該推壓部分之上部電極Ex與下部電極Ey 之間，係成爲中介存在有與第1電阻體層1002和第2電阻體 Q 層1 〇〇3之兩者間的接觸面積相對應之可變電阻。於此情況 ，此可變電阻，若是第1電阻體層1 002與第2電阻體層1003 之間的接觸面積變得越大，則會變得越小。另外，當如圖 60(B)中所示一般而並未被指示體所推壓時，由於第1電 阻體層1 002與第2電阻體層1 0 03之間係略成爲非接觸狀態 ，因此，可變電阻係成爲略無限大。 故而，在圖60 ( B )之狀態下，就算是從上部電極Ex 與下部電極Ey之其中一方的電極來施加電壓，該訊號電流 亦並不會傳導至另外一方之電極處。而，若是第1電阻體 -7- 201203063 層1〇〇2與第2電阻體層1003相接觸，則從其中一方之電極 而來的訊號電流，係經由可變電阻而開始流動至另外一方 之電極處。而後，若是隨著推壓力之變大，而使得第1電 阻體層1002與第2電阻體層1 003之間的接觸面積變大，則 從其中一方之電極所流動至另外一方之電極處的訊號電流 ，係因應於該接觸面積而變大。 由以上，可以得知，在電阻膜方式之指示體檢測裝置 中，係藉由將上部電極Ex與下部電極Ey之間的電阻値之變 化檢測出來，而特定出藉由指示體所作了指示的位置，並 且，藉由其之電阻値，而將推壓力檢測出來。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本特開2 0 0 3 - 2 2 1 5 8號公報 〔專利文獻2〕日本特開平9 - 2 2 2 9 4 7號公報 〔專利文獻3〕日本特開平10-161795號公報 〔專利文獻4〕美國申請公開2009/0256817 A1 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 在上述之靜電耦合方式的指示體檢測裝置中，雖然能 夠檢測出指示體接近指示輸入面一事、或者是作接觸之位 置、亦或是與指示輸入面所相距之指示體的離隔位置，但 是，係有著無法將對於輸入面之推壓檢測出來的問題。 另一方面，在使用有電阻膜方式之指示體檢測裝置的 -8 - 201203063 情況中，指示體之對於指示輸入面的接觸（觸碰）位 檢測感度（初期指壓感度）係爲低，並且，亦有著完 法將與指示輸入面所相距之指示體的離隔位置檢測出 問題。 本發明’係有鑑於上述之點，而以提供一種：能 到指示體之從指示輸入面所離隔或者是與指示輸入面 了接觸的位置，並且能夠得到與在指示體對於指示輸 〇 作推壓的狀態下的推壓力相對應的檢測輸出之指示體 裝置一事，作爲目的。 而，本發明，係亦將進而成爲能夠藉由較爲簡單 成來實現上述之指示體檢測裝置一事，作爲目的。 〔用以解決課題之手段〕 爲了解決上述課題，本發明，係提供一種指示體 裝置，其特徵爲，具備有：檢測感測器，其係具有被 Q 在第1方向上的第1之複數導體、和被配置在與前述負 向相交叉之第2方向上的第2之複數導體、和被配置在 第1之複數導體與前述第2之複數導體間，並具備有特 電阻特性的感壓材；和訊號供給電路，係用以將特定 號供給至前述第1之複數導體處；和訊號檢測電路， 以從前述第2之複數導體而進行訊號檢測’前述檢測 器，當指示體爲位置在前述檢測感測器之近旁的情況 以及當指示體與前述檢測感測器作接觸時所施加的壓 較特定之壓力更小的情況時’係將與前述第1之複數 置之 全無 來的 夠得 所作 入面 檢測 的構 檢測 配置 I 1方 前述 定之 之訊 係用 感測 時、 力爲 導體 -9 - 201203063 與前述第2之複數導體之間的靜電容量之變化相對應的訊 號，供給至前述訊號檢測電路處’當前述指示體對於前述 檢測感測器而施加了超過前述特定之壓力的壓力的情況時 ,係將與由於從前述指示體而來之前述壓力的對於前述感 壓材之施加所導致的前述第1之複數導體與前述第2之複數 導體之間的電阻特性之變化相對應的訊號’供給至前述訊 號檢測電路處，藉由此，而成爲能夠將由前述指示體所致 之指示位置以及壓力檢測出來。 若依據上述構成之本發明之指示體檢測裝置，則訊號 檢測電路，係將與第1之複數導體和第2之複數導體之間的 靜電容量之變化相對應的訊號檢測出來，並能夠根據該檢 測輸出來將由指示體所致之對於檢測感測器的例如接觸以 及該位置檢測出來。 又，訊號檢測電路，係將與第1之複數導體和第2之複 數導體之間的電阻特性之變化相對應的訊號檢測出來，並 能夠根據該檢測輸出來將由指示體所致之對於檢測感測器 而施加有壓力的指示位置檢測出來，並且亦能夠將該壓力 檢測出來。 亦即是，若依據本發明之指示體檢測裝置，則藉由所 謂的「以訊號檢測電路，來將與第1之複數導體以及第2之 複數導體之間的靜電容量之變化相對應的訊號、和與第1 之複數導體以及第2之複數導體之間的電阻特性之變化相 對應的訊號檢測出來」之較爲簡單的構成，係能夠將由指 示體所致之指示位置以及壓力檢測出來。 -10- 201203063 〔發明之效果〕 若依據本發明，則能夠藉由較爲簡單的構成，而得到 一種：指示體之對於指示輸入面的接觸位置之檢測感度爲 高，並且能夠得到在指示體對於指示輸入面作推壓的狀態 下之推壓力相對應了的檢測輸出之指示體檢測裝置。 q 【實施方式】 以下，針對本發明所致之指示體檢測裝置的實施形態 ，參考圖面而依下述順序作說明。 1、 第1實施形態：基本構成例 2、 第2實施形態：並不進行檢測模式的切換之例 3、 第3實施形態：將2個的檢測模式作並行實行之例 4、 第4實施形態：作爲展頻碼而使用哈德瑪得碼的情況時 之改良構成例 0 5、第5實施形態：將檢測不均作了除去之例 6、 第6實施形態：放大電路之自動增益控制 7、 第7實施形態··在大型感測部的情況時之例 8、 第8實施形態··使用被作了調變後之展頻碼的構成例 9、 第9實施形態··展頻碼之其他供給方法 10、 第10實施形態：受訊導體之選擇方法 1 1、第1 1實施形態：感測部之其他構成例 〔第1實施形態：基本構成例〕 -11 - 201203063 此實施形態之指示體檢測裝置，係並非只有檢測出指 示體之與指示輸入面之間的接觸以及由指示體所致之指示 輸入面的推壓，而是亦將在指示輸入面上之空間中的指示 體之位置、指示體之在指示輸入面處的接觸位置以及推壓 位置（指示體座標位置）檢測出來。於此例中，所謂在指 示輸入面上之空間中的指示體之位置，係指並未與指示輸 入面相接觸而位在與指示輸入面相離隔了的空間位置處之 指示體的位置’在此例中，係根據從指示體所相對於指示 輸入面而拉下垂線時的指示輸入面之座標位置、和指示體 之與指示輸入面所相距之離隔距離，而特定出來。 另外，在本說明書中，係將指示體存在於與指示輸入 面相離隔了的空間位置處的狀態，稱爲懸浮狀態。而，在 本說明書中，係將從指示體所對於指示輸入面而拉下了垂 線的方向，設爲Z軸方向，在指示輸入面上之座標位置， 係爲藉由相互正交之X軸方向以及Y軸方向之位置所訂定 出來者。 又，作爲指示體，在以下之說明中，主要係針對使用 使用者之手指的情況來作說明，但是，亦可將前述之靜電 筆等作爲指示體來使用。 又，在以下所說明之實施形態，係爲能夠將同時地存 在於指示輸入面處之複數的指示體（例如複數根的手指） 檢測出來之例。 進而，以下所說明之實施形態，係具備有以能夠將在 指示輸入面上之指示體的位置檢測以高速來進行的方式而 -12- 201203063 作了費心設計的構成。 〈第1實施形態之指示體檢測裝置的全體構成例：圖1 > 圖1，係爲對於此第1實施形態之指示體檢測裝置1之 全體構成例作展示的區塊圖。此實施形態之指示體檢測裝 置1，係藉由身爲檢測感測器之例的感測部1 〇〇、和送訊部 200、和受訊部300、和對於送訊部200以及受訊部3 00的動 Q 作作控制之控制電路40所構成。以下，針對各部之構成作 說明。 控制電路40，係爲用以對於此實施形態之指示體檢測 裝置1的各部進行控制之電路，例如係搭載有微電腦所構 成者。此控制電路4〇，係如圖1中所示一般，被與送訊部 2 00之後述的送訊訊號供給電路21、和送訊導體選擇電路 2 2、以及時脈產生電路2 3作連接，並且，亦和受訊部3 0 0 之後述的受訊導體選擇電路3 1、和放大電路3 2、以及位置 {) 檢測電路34作連接。 而，控制電路4 0，係如同後述一般，根據從時脈產生 電路23所輸出之時脈訊號CLK ’來適當地產生以及輸出開 始訊號ST、送訊載入訊號Sticiad以及受訊載入訊號Sfioad ’ 並對於上述各部之動作時序作控制。 〈感測部1 〇 〇之說明〉 〔感測部100之構成例：圖1-圖2〕 參考圖1以及圖2，針對感測部1 00作說明。另外，圖2 -13- 201203063 (A )，係爲圖1之感測部1 〇 0處的X軸方向剖面圖’圖2 ( B )，係爲圖1之感測部1 〇 〇處的Y軸方向剖面圖。 感測部1 00，係具備有：被與送訊部200作連接之複數 個的第1電極、和被與受訊部3 00作連接之複數個的第2電 極，並且，係具備有後述之感壓材。在以下之說明中’第 1電極，係稱爲送訊導體’由複數之第1電極所成之一群， 係稱爲送訊導體群11。在此實施形態中’送訊導體群Η， 例如係由64個的送訊導體1 〜1 1Υ64所成。又’在此實 施形態中，第2電極’係稱爲受訊導體’由複數之第2電極 所成之一群，係稱爲受訊導體群1 2。受訊導體群1 2，例如 係由128個的受訊導體12Xi〜12X128所成。 另外，在此說明書之送訊導體的說明中，當並不需要 對於送訊導體群1 1中之64根的送訊導體1 1 Yi〜1 1 Y64係身 爲何者一事作區別時，係總稱爲送訊導體1 1 Υ。同樣的， 在受訊導體的說明中，當並不需要對於受訊導體群12中之 128根的受訊導體12Χ!〜12XUS係身爲何者一事作區別時 ，係總稱爲受訊導體12Χ。 送訊導體11Υ，係爲在指示輸.入面i〇〇s之橫方向（X 軸方向）上作延伸的直線狀（板狀）之導體。於此例中， 送訊導體1 1 Υ ’係在圖2中所示之下側基板1 6上，如圖1中 所示一般，在感測部100之縱方向（Υ軸方向）上，隔出有 等間隔地而被作了 6 4根的配列，藉由此，而形成送訊導體 群1 1。 又，受訊導體l2x’係爲在指示輸入面100S之縱方向 -14- 201203063 (γ軸方向）上作延伸的直線狀（板狀）之導 中，受訊導體1 2X，係在圖2中所示之上側基板 ，如圖1中所示一般，在感測部1 〇〇之橫方向（ 上，隔出有等間隔地而被作了 1 2 8根的配列， 形成受訊導體群1 2。 上側基板1 7之上側面，係被設爲藉由手指 筆等之指示體而被進行有指示操作輸入之指示 Ο 。 下側基板1 6與上側基板1 7之間，係於Z軸 開有特定之距離。而，送訊導體1 1 γ與受訊導 係在Z軸方向上空出有特定之距離的間隔地而 並且，送訊導體11Y與受訊導體12X，係以使 互正交的方式而被作配置。 由於係如同上述一般地而構成，因此，複 導體11Y之各個、和複數根的受訊導體12X之 Q 例中，係在於Z軸方向上而空出有特定距離之 下，而相互在正交的方向上作交叉。在本說明 送訊導體1 1Y與受訊導體12X之間的交點，稱 crosspoint)。在指示輸入面i〇〇S處之交叉點 ，係成爲由指示體所致之指示輸入的檢測座標ί 又，雖係對於將被形成爲直線狀之送訊導 訊導體1 2Χ以相正交之方式來作了配置的情況 作了說明，但是，送訊導體1 1 Υ以及受訊導體 ，係因應於實施形態而被適當作設定。又，亦 體。於此例 1 7之下側處 X軸方向） 藉由此，而 或者是靜電 輸入面1 00S 方向上而隔 體12Χ ，亦 相互對向， 延伸方向相 數根的送訊 各個，於此 間隔的狀態 書中，係將 爲交叉點（ 的座標位置 置。 :體1 1Y與受 而作例示並 12X之形狀 可設爲使送 -15- 201203063 訊導體1 1 Y與受訊導體丨2 X以正交以外之角度、例如使送 訊導體11Y與受訊導體12X作傾斜交叉的構成。又’亦可 將送訊導體1 1Y以及受訊導體12X之至少其中一方藉由形 成爲曲線狀或者是同心圓狀的導體來構成之。例如，係可 將複數之送訊導體11Y形成爲直徑互爲相異之圓形狀，並 將此作同心圓狀配置，同時，將複數之受訊導體1 2X藉由 從前述同心圓之中心起而以輻射狀來作了延伸的直線形狀 之複數導體來形成之，並將該複數之直線形狀的導體在周 方向上以等角間隔來作配置。 又’在電性特性上，若是將受訊導體1 2 X之寬幅設爲 較送訊導體1 1 Y之寬幅更細，則爲理想。此係因爲，藉由 使浮游電容減少，能夠將混入至受訊導體1 2 X中之雜訊降 低之故。 而，送訊導體1 1Y以及受訊導體12X之各別的配置間 隔（節距），例如，係以均使其成爲3.2mm的方式來作形 成。另外，送訊導體11Y以及受訊導體12X之根數以及節 距，係並不被限定於此，而係因應於感測部1 00之尺寸或 是所需要之檢測精確度等來適宜作設定。 下側基板1 6以及上側基板1 7，例如係使用由透明之合 成樹脂等所成的薄片狀（薄膜狀）之基板。上側基板1 7， 係藉由當被指示體所作了推壓時而能夠在推壓方向上作彈 性位移的材料所構成。下側基板1 6，由於係並不需要作彈 性位移，因此，係亦可藉由玻璃基板或者是銅箔圖案基板 來構成。 -16- 201203063 送訊導體1 1 Y以及受訊導體1 2 X，例如，係 案或者是由ITO( Indium Tin Oxide:氧化銦錫） 透明電極膜或者是銅箔等所形成者。送訊導體群 訊導體群12之電極圖案，例如，係可如同下述一 成。首先，將藉由上述之材料等所形成了的電極 藉由濺鍍法、蒸鍍法、塗布法等而分別形成在基 基板1 7上。接著，對於所形成了的電極膜進行餓 0 別形成特定之電極圖案的送訊導體群11以及受訊 。另外，當將送訊導體1 1 γ以及受訊導體12X藉 形成的情況時，除了銅箔蝕刻以外，例如亦可使 表機，來將包含有銅粒子之墨水噴附至玻璃板等 成特定之電極圖案。 而，感壓材，係設爲由第1電阻體與第2電阻 構成。亦即是，如圖2中所示一般，在下側基板 訊導體11Y之上，係被層積形成有第1電阻體（以 Q 送訊電阻體）1 3 Y。又，在上側基板1 7之下側的 12X之上，係被層積形成有第2電阻體（以下，稱 阻體）14X。送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X， 示輸入面100S相正交的方向上，相互分離有些許 地而被作設置。 於此例中，在送訊電阻體13Y與受訊電阻體 於隔著空隙1 5而相對向之面的各個面處，係如ϋ 一般，被形成有極微小的凹凸。如後述一般’在 體13Y與受訊電阻體14X相接觸了的狀態下之送
藉由銀圖 膜所成之 1 1以及受 般地而形 膜，例如 板1 6以及 刻，並分 導體群12 由銅箱來 用噴墨印 之上並形 體所成之 16上之送 下，稱爲 受訊導體 爲受訊電 係在與指 之空隙1 5 1 4 X 處， 1 2中所示 送訊電阻 t導體11Y -17- 201203063 與受訊導體l2x之間的電阻値，係成爲與送訊電阻體〗3Υ 以及受訊電阻體1 4x之該被形成有凹凸的兩對向面間之接 觸面積相對應的値。 另外，雖係省略圖示，但是，在感測部〗0 0之周緣部 的下側基板1 6與上側基板1 7之間，係被設置有用以維持空 隙1 5之間隔物構件。亦即是，下側基板1 6與上側基板1 7 ’ 係隔著此間隔物構件而被作接合。 送訊電阻體13Υ以及受訊電阻體14Χ’係爲了將由指 示體所致之推壓位置（Χ-Υ座標位置）的檢測感度以及推 壓力之檢測感度提升，而與送訊導體11Υ以及受訊導體 12Χ之各個相對應地來作爲由相分離了的複數個所成之送 訊電阻體以及受訊電阻體而形成之。 亦即是，送訊電阻體1 3 Υ，係如圖2 ( Β )中所示一般 ，將送訊導體11Υ之各個作覆蓋’並且’相鄰接之送訊電 阻體13Υ彼此，係以藉由空隙15Υ而被作分離並成爲電性 獨立之狀態的方式而被形成。藉由以將送訊導體1 1 Υ作覆 蓋的方式來設置送訊電阻體13Υ，送訊導體11Υ與送訊電 阻體1 3 Υ之各個，係被作電性連接。 同樣的，受訊電阻體1 4Χ，係如圖2 ( A )中所示一般 ，將受訊導體1 2 X之各個作覆蓋’並且’相鄰接之受訊電 阻體1 4 X彼此，係以藉由空隙1 5 X而被作分離並成爲電性 獨立之狀態的方式而被形成。藉由以將受訊導體1 2X作覆 蓋的方式來設置受訊電阻體1 4X，受訊導體1 2X與受訊電 阻體1 4X之各個，係被作電性連接。 -18- 201203063 另外，送訊電阻體13Υ以及受訊電阻體14X，係亦可 如圖60中所示一般’設爲設置在基板16以及基板17之一面 的全體處。但是’若是將送訊電阻體13Υ以及受訊電阻體 14Χ之雙方均設置在基板16以及基板17之一面的全體處， 則由於在指示體的檢測時之解析度係會降低，因此’係以 將送訊電阻體13Υ與受訊電阻體MX之其中一方如同上述 之例一般地而設爲相互分離了的複數之電阻體的構成爲理 ❹ 想。 送訊電阻體1 3 Y以及受訊電阻體1 4X，例如，係藉由 ITO( Indium Tin Oxide:氧化銦錫）或者是ΑΤΟ (銻摻雜 氧化錫）等之透明電阻膜所構成。另外，當指示體檢測裝 置1係被使用在不需要配置於顯示畫面之前面的用途中的 情況時，則當然的，構成送訊電阻體1 3 Υ以及受訊電阻體 1 4Χ之材料，係並不被限定於透明之電阻膜材料。 本發明之指示體檢測裝置，係爲能夠與液晶面板等之 〇 顯示裝置作一體性構成者，但是，於該情況，感測部100 ，係爲被重疊在液晶面板上而作設置者。 〔在感測部1 00處之指示體檢測的原理說明：圖3〜圖1 0〕 在此實施形態中，係從送訊部200而對於感測部100之 送訊導體1 1Υ的各個’來供給後述之送訊訊號。此送訊訊 號’係作爲電壓訊號而被供給至送訊導體1 1Υ處。此送訊 訊號（電壓訊號）’係被供給至送訊導體11Υ與受訊導體 12Χ之間的靜電谷星Co處。在該靜電容量c〇處，係流動有 -19" 201203063 因應於指示體之有無而作變化的電流，此電流，係流動至 受訊導體12X處。 又，如後述一般，當藉由指示體而對於指示輸入面 100S施加有推壓力’而送訊電阻體13Y與受訊電阻體MX 爲相接觸的狀態時，因應於前述推壓力，送訊電阻體13Y 與受訊電阻體14Χ之間的接觸面積係改變。而，藉由被供 給至送訊導體1 1 Υ處之送訊訊號（電壓訊號），與送訊電 阻體13Υ以及受訊電阻體14Χ之間的接觸面積相對應了的 電流，係流動至受訊導體12Χ處。 流動至受訊導體1 2 X處之電流，係作爲受訊訊號而被 供給至受訊部3 0 0處。受訊部3 0 0，係爲構成訊號檢測電路 者，並將作爲電流訊號所受訊了的受訊訊號變換爲電壓訊 號，而如同後述一般地得到指示體檢測結果。另外，在以 下所說明之原理說明中，爲了簡單化，係想定將相同之送 訊訊號依序地使送訊時序作偏移地來供給至64根的送訊導 體UYi〜11Υ64處的情況。 〈指示體之從與指示輸入面相分離的狀態起直到接觸爲止 的檢測：靜電稱合方式、圖3〜圖5〉 於此情況，當在身爲感測部1 00之上側基板1 7之表面 的指示輸入面100S上並不存在有手指等之指示體時，藉由 被供給至送訊導體1 1 Υ處之送訊訊號（電壓訊號）’在受 訊導體1 2Χ與送訊導體1 1 Υ之間的交叉點處的靜電容量Co 中，係流動有電流。該電流，係流動至受訊導體1 2X處， -20- 201203063 並作爲受訊訊號（電流訊號）而被供給至受訊部3 00處。 此事，由於在指示輸入面100S之全部的交叉點處均係成爲 相同，因此，當在指示輸入面100S上並不存在有手指等之 指示體時，係如圖4(A)中所示一般，從受訊導體12X!〜 12X128之全部而將相同準位（相同電流値）之受訊訊號供 給至受訊部300處。 另外，圖4(A)，係爲對於在與任意之1根的送訊導 體11Y相交叉之128根的受訊導體12X,〜 12X128之間的128 個的交叉點處所流動之電流、亦即是對於從各受訊導體 12X!〜12X128所得到之受訊訊號作展示者。當在指示輸入 面100S上並不存在有手指等之指示體時，在其他之全部的 送訊導體11Y與128根的受訊導體12X!〜 12X128之間的交叉 點處’亦同樣的，係如圖4(A)中所示一般，從受訊導體 1 2X所供給至受訊部3 00處之受訊訊號，係成爲相同準位。 另一方面’如圖3中所示一般，若是在指示輸入面 D 10〇S上’作爲指示體18之例的手指，係被放置在與指示輸 入面100S相離隔了的近接位置處、或者是被放置在與指示 輸入面1 0 0 S作接觸的位置處’而進行指示輸入，則在該指 示輸入位置處’藉由指示體18與受訊導體12X之間的耦合 ’係產生靜電容量Cfa、Cfb。如此〜來，在與由指示體18 所致之指示輸入位置相對應的交叉點處，藉由送訊訊號（ 電壓訊號）而流動致敬電容量Co中之電流的一部份，係成 爲通過靜電容量Cfa、Cfb並消失。 亦即是’當指示體1 8存在於感測部1 〇 〇之指示輸入面 -21 - 201203063 100S上的情況時，如圖3中所示一般， 之指示輸入位置的送訊導體11Y，係成 體1 2 X相耦合，而亦經由指示體丨8來與 的狀態。在此狀態下，如同圖3中以箭 於送訊訊號而從被與送訊導體11Y作： 1 3 Y所發出之電力線，係並非僅是通遇 在受訊導體12X處收斂，其之一部分係 收斂。因此’因應於送訊訊號而流動3 電流的一部份，係透過指示體1 8而分流 ’如圖4(B)中所示一般，在由指示體 位置處的受訊導體1 2X中所流動之電流 有指示體1 8時的値ref (將此作爲基準値 藉由將此較基準値ref而更爲減少白t ，而將從相對於指示輸入面100S而離隔 觸位置爲止的由指示體1 8所致之指示輸 輸入位置檢測出來。而後，藉由將產生 化之交叉點的位置檢測出來，而將從 100S而離隔了的位置起直到接觸位置爲 致之指不輸入位置檢測出來。針對由指 輸入位置的檢測，係於後詳述。 如同上述一般，當指示體18爲存在 1 0 0 S之間相離隔了的懸浮狀態起直到與 接觸的狀態爲止之間的位置處的情況時 ，係藉由靜電耦合方式來進行指示體之 由該指示體1 8所致 爲並非僅與受訊導 接地作了靜電耦合 頭所示一般，因應 連接的送訊電阻體 S受訊電阻體14X並 亦會在指示體18處 i受訊導體12X處之 至接地處。其結果 丨1 8所致之指示輸入 ，係較當並不存在 )而更爲減少。 丨電流變化檢測出來 了的位置起直到接 入面100S上的指示 了此減少的電流變 相對於指示輸入面 止的由指示體1 8所 示體1 8所致之指示 於從與指示輸入面 指示輸入面100S作 ，於本實施形態中 檢測。 -22- 201203063 在此靜電耦合狀態方式中，從受訊導體1 2X所得到的 作爲電流訊號之受訊訊號，係在受訊部300處而被變換爲 電壓訊號。圖5，係爲對於在靜電耦合方式中之電流-電壓 變換電路（以下，稱爲1/ V變換電路）之基本構成例作展 示之圖。 亦即是’在靜電耦合方式中，對於從受訊導體12Χ而 來之受訊訊號（電流訊號）所設置的V變換電路，係如 (1 圖5中所示—般，在演算放大器51之輸入輸出端之間連接 檢測用電容器52，而構成之。另外，實際上，在檢測用電 容器52處’係被並聯地連接有直流偏壓用之電阻53。 〈由指示體所致之對於指示輸入面的推壓力之檢測：電阻 膜方式、圖6〜圖8〉 在上述之指示體從與指示輸入面相離隔了的狀態起直 到接觸爲止之在指示輸入面處並未被施加有推壓力的狀態 CJ 下，送訊電阻體13與受訊電阻體14，係爲隔著空隙15而相 離隔的狀態，而並不會有電流通過此些之送訊電阻體1 3與 受訊電阻體1 4來作流動的情形。故而，當在指示輸入面 100S處並未被施加有由指示體18所致之推壓力的狀態時， 如圖7(A)中所示一般，電流係並不會通過送訊電阻體13 與受訊電阻體1 4而流動，在受訊導體1 2Χ處所流動之電流 ，係成爲一定（=基準値ref)。 如圖6中所示一般，若是藉由指示體1 8，而從相對於 指示輸入面1 〇〇S而作接觸的狀態起更進而施加推壓力’則 -23- 201203063 被施加了該推壓力之上側基板17的部位係作位移’該部位 之受訊電阻體14X與送訊電阻體13Y之兩對向面’係成爲 相接觸之狀態。 如此一來，藉由被供給至送訊導體HY處之送訊訊號 (電壓訊號），在被施加了推壓力之位置的受訊導體12X 處，係成爲透過藉由相接觸了的受訊電阻體14x與送訊電 阻體1 3 Y所形成了的可變電阻v R之電阻値’而流動有電流 。亦即是，在被施加有推壓力之位置處’係從送訊導體 1 1 Y而對於受訊導體1 2X來流動與被施加了該推壓力之部 位的受訊電阻體1 4X與送訊電阻體1 3 Y之間的接觸部分之 可變電阻VR的電阻値相對應了的電流（參考圖7 ( B )) 〇 受訊電阻體14X與送訊電阻體13Y之間的接觸部分之 可變電阻VR的電阻値，係隨著其接觸面積變得越大而成爲 越小，在可變電阻VR處所流動之電流，係隨著接觸面積越 大而變得越大。如同前述一般，送訊電阻體13 Y與受訊電 阻體1 4X相接觸之面，係被形成有極細微的凹凸，若是由 指示體18所致之對於指示輸入面l〇〇S的推壓力變得越大， 則前述凹凸間之空隙係消失，受訊電阻體1 4X與送訊電阻 體1 3 Y之間的接觸面積係變大。 故而，若是藉由指示體1 8而對於指示輸入面1 0 0 S施加 有推壓力，則在該被施加了推壓力之部位處，電流係開始 通過前述可變電阻V R而從送訊導體1 1 γ來流動至受訊導體 1 2 X處’該電流量’係因應於推壓力而變大。亦即是，當 -24- 201203063 並未被施加有推壓力時，由於送訊電阻體13與受訊電阻體 1 4係並未接觸，因此，電流係不會通過可變電阻VR而流動 ，從受訊導體12X所得到之電流係成爲基準値ref，但是， 若是被施加有推壓力，而送訊電阻體13與受訊電阻體14係 成爲相接觸的狀態，則電流係通過前述可變電阻VR而流動 ，從受訊導體12X所得到之電流，係朝向較基準値ref而更 爲增加的方向來作變化。 0 藉由將此一較基準値ref而更增加之方向的電流變化檢 測出來，而將經由指示體18所施加在指示輸入面100 S上之 推壓力檢測出來。而後，藉由將產生了此較基準値ref而更 增加之方向的電流變化之交叉點的位置檢測出來，而將對 於指示輸入面100S而藉由指示體18所施加了推壓力之指示 輸入位置檢測出來。 如同上述一般，針對由指示體1 8所致之對於指示輸入 面100S的伴隨有推壓力之指示輸入，係藉由電阻膜方式而 〇 進行指示體之檢測。 在此電阻膜方式中而從受訊導體12 X所得到之電流， 亦係與靜電耦合狀態方式的情況相同地，在受訊部3 00處 而被變換爲電壓。但是，在電阻膜方式的情況時，電流檢 測用之元件，係並非爲電容器，而是被設爲電阻，此點， 係與靜電耦合方式的情況爲相異。 圖8，係爲對於在電阻膜方式中之1/ V變換電路的基 本構成例作展示之圖。在電阻膜方式中，對於從受訊導體 1 2X所供給至受訊部3 00處之受訊訊號（電流訊號）而設置 -25- 201203063 的1/ V變換電路’係如圖8中所示一般，在演算放大器51 之輸入輸出端之間連接檢測用電阻5 4，而構成之。 如同以上所說明一般，在此實施形態中，在感測部 1 0 〇處，係能夠進行靜電耦合方式之指示體檢測（亦包含 懸浮檢測）、和電阻膜方式之指示體檢測（亦包含推壓檢 測）。 控制電路40 ’係根據被供給至受訊部3 00處之受訊訊 號（電流訊號）的變化，而判斷出要將藉由受訊部3 0 0所 實行之指示體檢測處理以靜電耦合方式或者是電阻膜方式 的何者來實行之。具體而言，控制電路4 0，係根據從受訊 導體1 2 X所供給至受訊部3 0 0處之受訊訊號，當在較基準値 r e f而更減少的方向上產生了電流變化時，控制爲藉由受訊 部3 0 0來以靜電鍋合方式而進行指示體檢測，當在較基準 値ref而增加的方向上產生了電流變化時，則係控制爲藉由 受訊部3 00來以電阻膜方式而進行指示體檢測。另外，亦 可並非使用控制電路40，而是在受訊部300處，設置對於 要以何者之指示體檢測方式來實行指示體之檢測一事作決 定的判定手段’並對於將在受訊部3 00處之指示體檢測方 式設爲何種方式一事作控制。 另外，在本說明書之以下的說明中，係將由靜電耦合 方式所進行之指示體檢測模式，稱作電容觸碰檢測模式， 並將由電阻膜方式所進行之指示體檢測模式，稱爲電阻觸 碰檢測模式。 -26 - 201203063 〈在此實施形態中所使用之1/ V變換電路的構成例〉 在此實施形態中，1/ V變換電路，係有必要設爲能夠 進行上述之靜電耦合方式與電阻膜方式的雙方之指示體檢 測方式的構成。針對能夠進行靜電耦合方式與電阻膜方式 之雙方的指示體檢測方式之1/ V變換電路的構成例，於以 下作說明。 〔第1構成例：圖9〕 於圖9中，對於在此實施形態中所使用之I / V變換電 路的第1構成例作展示。在此ι/ν變換電路之第1構成例中 ，係藉由開關電路5 5來對於靜電耦合方式與電阻膜方式作 切換。 亦即是，在此第1構成例中，於演算放大器5 1之輸入 輸出端之間，係被設置有：可藉由從外部而來之切換控制 訊號SW1來對於端子C與端子R作切換之開關電路55、和靜 Q 電耦合方式用檢測用電容器52、以及電阻膜方式用檢測用 電阻54。 而，在此開關電路55之端子C側和演算放大器51之輸 出端之間，係被連接有靜電耦合方式用檢測用電容器52。 另外，在檢測用電容器52處，係被連接有直流偏壓電阻53 。又，在此開關電路5 5之端子R側和演算放大器5 1之輸出 端之間，係被連接有電阻膜方式用檢測用電阻5 4。 在此第1構成例中，指示體檢測裝置1，係具備有電容 觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測模式之2個的指示體檢測模 -27- 201203063 式。而’切換控制訊號swi ’係在控制電路4〇或者是受訊 部300處，根據前述之應以靜電耦合方式或者是電阻膜方 式的何者之指示體檢測方式來實行指示體檢測處理一事之 判定手段的判定結果’而被作產生，並供給至開關電路5 5 處。亦即是，控制電路40或者是受訊部30〇，係根據從感 測部1 〇〇所輸入之電流訊號而產生切換控制訊號SW 1。 而’在電容觸碰檢測模式中，開關電路5 5，係藉由此 切換控制訊號SW 1，而被切換至端子C側，在演算放大器 5 1之輸入輸出端之間，係連接檢測用電容器5 2。 又’在電阻觸碰檢測模式中，開關電路5 5，係藉由切 換控制訊號S W 1，而被切換至端子R側，在演算放大器5 ! 之輸入輸出端之間，係連接檢測用電阻54。 另外’在圖9之例中’開關電路55，雖係被設置在演 算放大器5 1之輸入端側處，但是，當然，係亦可設置在演 算放大器5 1之輸出端側處。 〔第2構成例：圖1〇〕 此第2構成例，係爲能夠共用在電容觸碰檢測模式和 電阻觸碰檢測摸式之2個的模式中之I / V變換電路的其中 一例。亦即是，係爲使與電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢 測模式相對應之切換成爲不必要的例子。 於圖1 0中，對於在此實施形態中所使用之V變換電 路的第2構成例作展示。在此1/ V變換電路之第2構成例中 ’係設爲在演算放大器5 1之輸入輸出端之間，將靜電耦合 -28- 201203063 方式檢測用電容器52和電阻膜方式檢測用電阻54作了並聯 連接之構成。 於此情況，如圖5中所示一般’在檢測用電容器5 2處 ，係被連接有直流偏壓用電阻53。故而。若是電阻膜方式 之檢測用電阻54與檢測用電容器52之直流偏壓用電阻53係 爲相等之電阻値，則如同第1構成例一般之模式切換開關 電路5 5係成爲不必要。又，於此情況’當檢測用電阻5 4之 電阻値R，在將檢測用電容器52之靜電容量設爲C時，係滿 足
R 与 1 / j 6l) C 的情況時，1/ V變換電路，係可設爲此第2構成例。 在此第2構成例中，電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢 測模式之切換，基本上係成爲不必要。另外，當設爲檢測 〇 出是以何者之檢測模式而進行了指示體檢測一事，並將該 模式檢測結果作輸出的情況時，係與第1構成例相同的， 設爲藉由控制電路40或者是受訊部3〇0來判定出是以何種 的檢測方式來進行指示體檢測，並將該判定結果作輸出。 〈用以檢測出指示體之指示輸入位置（交叉點位置）的構 成部分之說明〉 在此實施形態中，於靜電耦合方式之指示體檢測的情 況、和電阻膜方式之指示體檢側的情況中，關於指示體之 -29- 201203063 指不輸入位置的檢測之處理方法，係進行有完全相同之檢 測處理動作。 若是在送訊導體11Y之各個和受訊導體12X之各個的 全部之交叉點處，而實行靜電耦合方式之指示體檢測與電 阻膜方式之指示體檢測，則係能夠進行有關於是在何者的 交叉點處而被進行了由指示體所致之指示輸入一事的位置 檢測。 於此情況，係設爲將1個（1種）送訊訊號依序供給至 全部的交叉點之送訊導體處，並且，在受訊部300處，針 對從送訊訊號被供給至送訊導體處了的交叉點處之受訊導 體而來的受訊訊號，而進行指示體檢測，藉由此，而能夠 進行由指示體所致之指示輸入位置的檢測。但是，若是設 爲此種構成，則由於係成爲對於多數之交叉點的每一者而 實行指示體檢測，因此，直到得到對於指示輸入面1 00S之 全部的交叉點之指示體檢測的結果爲止，係會耗費長時間 ，在實用性上係並不理想。 另一方面，可以考慮到下述之構成：亦即是，準備與 送訊導體11Y之根數相等的複數個之送訊訊號，並且，在 受訊部300處，對於受訊導體1 2X之各個而設置1/V變換電 路，來進行指示體檢測。於此情況，係對於全部的送訊導 體1 1Y ’而同時性地供給可藉由受訊部3 00來作辨別之互爲 相異的送訊訊號，並且，在受訊部3 00處，將從全部的受 訊導體而來之受訊訊號，藉由各個的1/ V變換電路而同時 地變換爲電壓訊號，來進行指示體檢測。在受訊部3 00處 -30- 201203063 ，藉由將從複數之Ι/V變換電路而來的受訊訊號同時作處 理，由於係能夠得到關於指示輸入面1 00S之全部的交叉點 之指示體檢測結果，因此，係能夠非常高速地得到處理結 果。 但是，在設爲此種構成的情況中，硬體構成係成爲膨 大，並使成本提高，又，亦會有指示體檢測裝置變得大型 化的問題。 D 在此實施形態中，有鑑於此問題點，係以在對於不會 使硬體規模變得膨大一事作了考慮的同時，亦能夠高速地 得到指示體檢測結果的方式，來構成送訊部2 0 0以及受訊 部 3 0 0。 亦即是，在此實施形態中，送訊導體群1 1之複數根的 送訊導體11Y，係被分割爲分別由相同數量之複數根的送 訊導體1 1 Y所成之複數個的群組，並對於各群組，而分配 有互爲相異之送訊訊號。在以下之說明中，係將由複數根 Q 的送訊導體ΠΥ所成之群組，稱爲送訊區塊。作爲相異之 送訊訊號，如同後述一般，在此實施形態中，係使用碼互 爲相異之展頻碼。 在此實施形態中，係對於從在複數個的送訊區塊之各 個中所包含之複數根的送訊導體11Y而選擇了的1根之送訊 導體11Y，而將前述相異之送訊訊號同步地同時作供給。 而，在各送訊區塊中，係反覆進行下述動作：亦即是，對 於所選擇之1根的送訊導體作切換，並對於切換後的送訊 導體11Y之各個’而將於每一送訊區塊中而互爲相異之送 201203063 訊訊號同步地同時作供給之動作。若是結束了對於送訊區 塊內之全部的送訊導體1 1 γ之送訊訊號的供給，則係回到 對於在該送訊區塊內而最初所選擇了的送訊導體1 1 γ作選 擇之狀態’並反覆進行以上之處理。 藉由此，在受訊導體12X之各個處，從複數個的送訊 區塊而來的與相異之送訊訊號（電壓訊號）相對應了的電 流，係成爲以被作了多重化的狀態來流動。而後，如後述 一般’受訊部3 00，係構成爲能夠將從此受訊導體12X之各 個而來的電流訊號之各個，與送訊訊號之送訊時序同步地 而檢測出來。 亦即是，在此實施形態中，作爲送訊訊號，由於係使 用碼互爲相異之展頻碼，因此，在受訊部300處，係設爲 將關連於該互爲相異之展頻碼的各個之相關値，同時並列 性地檢測出來。而後，根據該檢測出了的相關値，來檢測 出在受訊導體1 2X處所流動之電流的變化，藉由此，而得 到有關於是否藉由指示體而在指示輸入面1 00S之任一者的 交叉點處被進行的指示輸入一事之檢測輸出。 控制電路40，係爲了實現如同上述一般之送訊部2〇〇 以及受訊部3 00處的動作，而與對於各送訊區塊內之複數 根的送訊導體1 1 Y之前述的切換時序同步地，來對於在受 訊部3 00處之對於受訊導體12X的切換時序作控制。 藉由如同上述一般地來構成，若是將送訊區塊之數量 設爲N ( N爲2以上之整數），則係成爲能夠以相較於對所 有的交叉點而依序作探索的情況時的N倍之速度（處理時 -32- 201203063 間爲1 / N )，來進行指示體檢測處理。 〔送訊部2 0 〇之構成例：圖1 1 -圖1 3〕 爲了滿足上述之功能，此實施形態之送訊部200 ’係 具備有送訊訊號供給電路2 1、和送訊導體選擇電路22、以 及時脈產生電路23，而構成之。 在此實施形態中，如圖1 1中所示一般，64根的送訊導 體1 1 Yi〜1 1 Y64 ’例如係被分割爲各由4根所成之16個的送 訊區塊TB!〜TB16。故而，送訊訊號供給電路21 ’係需要 產生1 6個的相異之送訊訊號，在此例中，作爲送訊訊號， 係使用有1 6個的相異之展頻碼。 另外，作爲相異之展頻碼，亦可使用將1個的展頻碼 而各作了一碼片或者是複數碼片之量的相位偏移者。 特別是，在此例中，係配合於送訊區塊之數量，而考 慮如圖1 2中所示一般之1 6行X 1 6列的哈德瑪得行列，並將 〇 構成此哈德瑪得行列之各行（各列亦爲相同）的1 6碼片之 哈德瑪得碼，作爲16個的展頻碼來使用。此16個 的哈德瑪得碼，係爲相互具備有正交關係之碼列。 此例之送訊訊號供給電路2 1，係如圖1 1中所示一般， 爲由16個的展頻碼產生電路2101、2102.....2116所成。 展頻碼產生電路2101、2102.....2116，係分別產生由相 互正父之哈德瑪得碼所成的展頻碼c 1、C 2、…' C 1 6。 在展頻碼產生電路2101、2102.....2116處，係分別 從時脈產生電路23而被輸入有時脈訊號CLK。另外，從時 -33- 201203063 脈產生電路23所輸出之時脈訊號CLK，係亦作爲時 而被輸入至控制電路40中。 各展頻碼產生電路2101、2012、…、2116，係 制電路40之控制，而與從時脈產生電路23所供給而 脈訊號CLK同步地來在每一碼片處輸出展頻碼G、 、C16。於此例中，各展頻碼產生電路2101、2102 2116，係藉由分別在時脈訊號CLK之每一週期處， 展頻碼之1碼片的資料，來在時脈訊號C LK之1 6週 分別產生由16碼片PN!、PN2.....PN16所成之展頻 C2.....c16。亦即是，此展頻碼產生電路2101、 …、21 16，係在時脈訊號CLK之每I6週期中，而將 片PNi' PN2.....PN16所成之展頻碼C，、C2、… 別週期性地反覆產生。 另外，在以下之說明中，爲了方便，係將身爲 號CLK之16週期之量的16碼片PN,、PN2.....PN16 展頻碼Ci、C2.....C, 6之一個週期。 展頻碼產生電路2101、2102.....2116，係將 的展頻碼Ci、C2.....C16供給至送訊導體選擇電 〇 另外，此送訊訊號供給電路2 1，係亦可設爲下 成：亦即是，在由ROM等所成之非揮發性記憶體中 展頻碼C i ' C2.....C i 6之資料預先作保持，並藉 該非揮發性記憶體之讀出位址作控制，而將複數個 碼Cl、C2、…、Ci6作輸出。 脈訊號 根據控 來之時 C 2、… 而產生 期中， 碼C 1、 2102 ' 由1 6碼 、C 1 6 分 時脈訊 '稱爲 產生了 路22處 述之構 ，而將 由對於 的展頻 -34- 201203063 送訊導體選擇電路22，係如圖1 1中所示一般，爲由與 16個的送訊區塊TBi〜 TB16之各個相互對應之16個的開關 電路2201〜2216所成。開關電路2201〜2216之各個，係爲 1輸入4輸出之開關電路。在此些之開關電路2201〜2216的 各個處，係被輸入有從相對應之展頻碼產生電路2101〜 2116之各個而來的展頻碼C!、C2.....C16。而，開關電 路220 1〜22 16之各個，係將構成所對應之送訊區塊TBi〜 0 TB162 4根的送訊導體11Y中之1根的送訊導體，選擇性地 與前段之展頻碼產生電路2101〜2116作連接，並供給展頻 碼。 開關電路2201，係爲與送訊區塊TBjg對應者，並作 爲將被輸入至該開關電路2201中之展頻碼山作供給之送訊 導體，而對於送訊區塊TBi24根的送訊導體11Y,、11Y2、 1 1 Υ3、1 1 Υ4—次一根地依序作切換。又，開關電路2202， 係爲與送訊區塊ΤΒ2相對應者，並作爲將被輸入至該開關 〇 電路2202中之展頻碼C2作供給之送訊導體，而對於送訊區 塊TB2之4根的送訊導體11Y5、11Y6、11Y7、11Y8—次一根 地依序作切換。關於其他之開關電路2203〜2216之各個， 亦爲相同，並作爲將被輸入至其之各個處的展頻碼作供給 之送訊導體，而將相對應的送訊區塊ΤΒ3〜 ΤΒ162各個中 的4根的送訊導體一次一根地依序作切換。 在此些之開關電路2201〜2216處，係從控制電路40而 被供給有切換控制訊號SW2。控制電路40，係根據時脈訊 號CLK而產生此切換控制訊號SW2。控制電路40，係作爲 -35- 201203063 將「身爲展頻碼之1週期」的「時脈訊號c LK之1 6週期」 作爲1個週期之脈衝訊號，而產生切換控制訊號SW2。 開關電路2 2 Ο 1〜2 2 1 6，係藉由此切換控制訊號S W 2， 而在時脈訊號CLK之每16週期中，對於供給展頻碼之送訊 導體11Y作切換。亦即是，開關電路2201〜2216，係藉由 切換控制訊號SW2’而在結束了對於各個的選擇中之送訊 導體11Y所進行的由16碼片所成之展頻碼的1週期之量的供 給後，切換至下一個的送訊導體1 1 Y。 於圖13中，展示此時之開關電路2201〜2216的切換動 作例。在此圖I3之例中，藉由開關電路220 1〜2216，最初 ，1 6根的送訊導體1 1 Y4、1 1 Y8..... 1 1 Υ6〇、1 1 Υ64係被作 選擇。而後，在藉由此開關電路220 1〜22 16所選擇了的送 訊導體1 1 Υ4 ' 1 1 Υ8.....1 1 Y6G、1 1 Υ64處，係被供給有展 頻碼C!、C2.....c15、C16之各個。 於此狀態下，若是經過了時脈訊號CLK之16週期，則 展頻碼C!、C2.....C15、C16之各個的1個週期，係被供給 至了 16根的送訊導體 1 1 Y4、1 1 Y8.....1 1 Υ6〇、1 1 Υ64處。 而，於此時間點處，藉由切換控制訊號SW2，開關電路 22〇1〜22 16之各個，係將作選擇的送訊導體1 1Υ，於此例 中係切換至索引號碼變小之相鄰的送訊導體處。 而後，當在各送訊區塊ΤΒ!〜ΤΒ16內之最小索引標號 的送訊導體11 Υι、1 1 Υ5..... 11 Y57以及11 Y61係藉由開關 電路2 2 0 1〜2 2 1 6而被作了選擇，並進行了展頻碼C ,〜C ! 6 之供給後，係再度藉由開關電路22〇1〜22 16而對於各送訊 -36- 201203063 區塊內之最大索引標號的送訊導體1 1 Υ4、1 1 Υ8..... 1 1Υ6〇以及1 1 Υ64作選擇。藉由在各送訊區塊內對於上述切 換動作作反覆進行，係對於全部的送訊導體11 γ而供給展 頻碼C!〜c16。 如同上述一般，在送訊部200處，於複數個的送訊區 塊中，藉由同步地進行送訊導體11Y之切換，在每一送訊 區塊處而互爲相異之複數個的展頻碼，係同時地被供給至 ζ') 複數根之送訊導體Π Υ處。故而，將送訊訊號供給至感測 部1 00之全部送訊導體處的時間，由於係可相較於將送訊 訊號一次一根地供給至送訊導體處的情況時而縮短爲1 / Ν (Ν爲送訊區塊數）的時間，因此，係能夠將對於感測部 1 00之全部的送訊導體作供給的時間縮短。 而，相較於對於全部的送訊導體11Υ而準備有互爲相 異之送訊訊號的情況，將送訊訊號供給至感測部1 〇〇之全 部送訊導體處的時間雖係會變慢，但是，被作爲送訊訊號 〇 之複數的展頻碼，由於係可設爲1/Ν(Ν爲送訊區塊數） ，因此，係能夠使電路規模成爲較爲小規模。 另外，開關電路220 1〜22 16之切換動作的處理程序， 係並不被限定於上述之例。例如，在各送訊區塊內的送訊 導體11Υ之切換，雖係設爲在展頻碼之每一週期而進行， 但是，亦可設爲在展頻碼之每複數週期而進行。又，展頻 碼，係亦可設爲以將1碼片在時脈訊號CLK的每「送訊區 塊內之送訊導體之數量個」之週期處來產生，並將在各送 訊區塊內之送訊導體11Υ的切換，設爲在時脈訊號CLK之 -37- 201203063 每一週期處來進行。 〔受訊部3 0 0之構成例：圖1 4 -圖2 2〕 受訊部300，係藉由將從受訊導體之各個所得到的 受訊訊號（電流）作放大並進行檢測出前述之電流變化的 訊號處理，來進行指示體之檢測。 於此，若是對於從各受訊導體1 2X所得到了的受訊訊 號而依序進行上述之訊號處理，則直到其之結束爲止’會 耗費長時間。因此，係可考慮到：在各受訊導體1 2X處設 置進行上述之訊號處理的專用之處理電路’並針對全部的 受訊訊號而同時地進行訊號處理，以實現高速化。但是’ 如此一來，會造成電路規模或者是成本的問題’而並不現 實。 因此，在此實施形態中，於受訊部300處’係藉由構 成爲在複數之受訊導體12X處而將處理電路作共用’來將 電路規模設爲小規模。亦即是，係將受訊導體群1 2之複數 根的受訊導體1 2X，分割爲分別由相同數量的複數根之受 訊導體1 2X所成之複數個的群組，並設爲對於各個的群組 ，而設置放大器以及1/ V變換電路等。在以下之說明中’ 係將由複數根的受訊導體1 2 X所成之群組，稱爲檢測區塊 〇 於此例中，構成受訊導體群12的複數之受訊導體12X| 〜1 2X, 28 ’係如圖1 4中所示一般，被分割爲各由8根所成 之16個的檢測區塊DB,〜DB16。而後，從被包含在16個的 -38- 201203063 檢測區塊DBi-DBu之各個中的8根之受訊導體12X，來依 序切換選擇1根的受訊導體12X，並實行受訊部3 00之處理 。藉由設爲此種構成，相較於對於從全部的受訊導體1 2X 而來之受訊訊號而一次一根地依序進行處理的情況，係成 爲能夠以1 /檢測區塊數的處理時間來進行對於全部的受 訊導體12X之處理，而處理速度係成爲高速。 受訊部300，係如圖1中所示一般，具備有：受訊導體 Q 選擇電路3 1、和放大電路32、和A/ D ( Analog to Digital )變換電路3 3、和位置檢測電路3 4，而構成之。位置檢測 電路34，係爲構成根據從A/D變換電路33而來之輸出而 得到指示體檢測輸出的檢測手段者。在此實施形態中，由 於在送訊訊號中，係使用有碼互爲相異之複數個的展頻碼 ，因此，位置檢測電路3 4，係由用以將此碼互爲相異之複 數個的展頻碼檢測出來之演算處理電路3 5、和將指示體檢 測輸出作輸出之輸出電路3 6，而構成之。 〇 針對演算處理電路3 5，係於後詳述。輸出電路3 6，係 根據藉由演算處理電路3 5所檢測出了的相關値輸出，而得 到與指示體之指示輸入位置以及懸浮狀態或者是推壓力相 對應了的輸出，並作爲指示體檢測裝置1之輸出訊號而作 送出。 〔受訊導體選擇電路31之構成例：圖14、圖15〕 於此實施形態中，如同前述一般，構成受訊導體群1 2 的複數之受訊導體12又1〜12又128，係被分割爲各由8根所 -39 - 201203063 成之1 6個的檢測區塊D B i ~ D B ! 6。 而，受訊導體選擇電路31，係如圖l4中所示一般’爲 由與16個的送訊區塊DB!〜DBi 6相互對應之16個的開關電 路3101〜3116所成。開關電路3101〜3116之各個，係爲8 輸入1輸出之開關電路。在此些之開關電路3101〜3116的 各個處，係被輸入有從相對應之檢測區塊D B 1〜D B 16的各 個之8根的受訊導體1 2 X而來之受訊訊號。而’開關電路 3101〜31 16之各個，係對於所對應之檢測區塊DB!〜DB16 的各個之8根的受訊導體1 2X中之1根作選擇’並與後段之 放大電路32的1/ V變換電路3 2 0 1〜32 16作連接，而供給受 訊訊號。 具體而言，開關電路3 1 0 1，係爲與檢測區塊DB ,相對 應者，並對於該檢測區塊^^,之8根的受訊導體12X,、12X2 .....1 2 X 8 —次一根地依序作切換。又，開關電路3 1 0 2， 係爲與檢測區塊DB2相對應者，並對於該檢測區塊DB22 8 根的受訊導體1 2 X 9、1 2 X i Q.....1 2 X i 6 —次一根地依序作 切換。關於其他之開關電路3103〜3116之各個，亦爲相同 ，並對於相對應的檢測區塊D B 3〜D B ! 6之各個中的8根的受 訊導體一次一根地依序作切換。 在此些之開關電路3101〜3116處，係從控制電路40而 被供給有切換控制訊號SW3。控制電路40，係根據時脈訊 號CLIC而產生此切換控制訊號SW3。控制電路40，係作爲 將「時脈訊號CLK之16x4週期」（展頻碼之4週期）作爲1 個週期之脈衝訊號’而產生切換控制訊號S W 3。 -40- 201203063 開關電路3 1 0 1〜3 1 1 6，係藉由此切換控制訊號S W 3， 而在時脈訊號CLK之每16x4週期中，對於所選擇之受訊導 體12X作切換。亦即是，開關電路3101〜3116之各個，係 在每對於全部之送訊導體11Y而供給完了 16種的展頻碼時 ’將所對應之檢測區塊DBt〜 DB16的受訊導體，切換至下 一個的受訊導體12X。 而後，從開關電路3101〜3116之各個而來的輸出訊號 Q Si〜S16，係被供給至放大電路32處。 於圖1 5中，展示此時之開關電路3 1 0 1〜3 1 1 6的切換動 作例。於此圖1 5之例中，開關電路3 1 0 1、3 1 0 2.....3116 ，最初，係對於16根的受訊導體12Xi、12X9.....12X12i 作選擇，並將在該些之受訊導體12Xi、12X9.....12X,2i 處所得到的受訊訊號，作爲輸出訊號S,、S2.....S16而輸 出至放大電路32處。 於此狀態下，若是經過了時脈訊號CLK之16x4週期， 則展頻碼Cl、C2、…、C15、Ci6之各個的1個週期’係被供 給至了全部的送訊導體11Y處。而，於此時間點處，藉由 切換控制訊號SW3，開關電路3101〜3 1 16之各個，係將作 選擇的受訊導體12X，切換爲對於索引號碼變大之相鄰的 受訊導體作選擇之狀態。 而後，當在各檢測區塊DB!〜DB16內之最大索引標號 的受訊導體12X8、12X16.....12X12。以及12X128係藉由開 關電路3101〜3116而被作了選擇’並進行了展頻碼Ci〜 C i 6之供給後，係再度藉由開關電路3 1 〇 1〜3 1 1 6而對於各 -41 - 201203063 檢測區塊內之最小索引標號的受訊導體12Xl、12Χ9..... 12Χ121作選擇。藉由在各檢測區塊內反覆進行上述切換動 作，能夠得到從全部的受訊導體1 2 X而來之受訊訊號。 如同上述一般’從受訊導體選擇電路31之開關電路 3101〜3116的各個所得到之從fe測區塊DB〗〜DBi6內的各 一根之受訊導體1 2 X而來之受訊訊號（電流訊號）’係作 爲輸出訊號S!、S2.....S16’而被輸出至放大電路32處。 另外，較理想，並未在開關電路3101〜3116處而被作 選擇的受訊導體12X，係被與任意之基準電位或者是接地 作連接。如此這般，藉由將在開關電路3 1 0 1〜3 1 1 6中而並 未被選擇之受訊導體12X與任意之基準電位或者是接地相 連接，由於係能夠避免並未被作選擇之受訊導體12X的雜 訊，因此，係能夠將雜訊耐性提升。又，亦能夠將送訊訊 號之繞入降低。進而，受訊導體12X之切換動作的處理程 序，係並不被限定於上述之例。針對其之變形例，係於後 詳述。 〔放大電路32之構成例：圖14〕 放大電路3 2，係由與檢測區塊D B ,〜D B , 6之各個相對 應之I 6個的1/ V變換電路3 20 1、3 202 ..... 32 1 6所成。 在此實施形態中，作爲I / V變換電路3 2 0 1〜3 2 1 6之各 個，係將使用有在如圖9中所示之電容觸碰檢測模式和電 阻觸碰檢測模式中而將檢測用電容器5 2與檢測用電阻5 4藉 由開關電路5 5來作切換之構成者，作爲例子來作說明。另 -42 - 201203063 外，在圖I4中，雖係僅針對1/ V變換電路3 20 1，而對於其 之內部電路作了展示，但是，其他的1/V變換電路3 202〜 3216之各個的內部電路，亦係與ι/ν變換電路32〇1之內部 電路完全相同，故省略其圖示。 從受訊導體選擇電路31而來之輸出訊號Si、S2、…、 s 1 6 ’係分別被供給至放大電路3 2之相對應之檢測區塊用 的I/V變換電路3201、3202..... 3216之各個處。 f) 各1/ v變換電路32〇1〜3216，係從構成受訊導體選擇 電路31之開關電路3101〜3116的各個，而將各檢測區塊 DBi〜DBi6的輸出訊號（電流訊號）Si、S2、···、Si6變換 爲電壓訊號，並作放大而作輸出。在此Ι/ν變換電路3 201 〜3216處而被變換爲電壓訊號的輸出訊號Sl、S2.....S16 ，係被輸入至A/D變換電路33中。 此實施形態之指示體檢測裝置1，係具備有電容觸碰 檢測模式和電阻觸碰檢測模式，控制電路4 0，係進行其之 〇 模式管理以及模式切換控制。 控制電路40 ’係如同後述一般，根據從受訊部3 00而 來之資訊’而判斷出指示體是以電容觸碰檢測模式和電阻 觸碰檢測模式之何者的檢測模式來進行檢測，並因應於該 判定結果，而產生模式切換控制訊號SW 1。而後，控制電 路4 0 ’係將所產生了的模式切換控制訊號S w 1，供給至各I / V變換電路32〇1〜321 6之開關電路55處，並進行模式切 換。 -43- 201203063 〔A / D變換電路33之構成例·圖16〕 A / D變換電路3 3，係具備有與檢測區塊數相同數量 、亦即是16個的A/D變換器3301〜3316。在I/V變換電 路3201〜3216處而被變換爲電壓訊號的輸出訊號Si、S2、 …、S16，係被輸入至各A/D變換器3301、3302..... 3316處，並藉由時脈訊號CLK之時序而被作取樣。而後， A/D變換器3301、3302 ..... 3316之各個，係將取樣値 之各個，變換爲η位元（η爲2以上之整數）、例如8位元之 數位樣本資料，並作輸出。 從A/D變換電路33所輸出之輸出訊號S:、S2..... S 1 6的數位樣本資料，係被供給至位置檢測電路3 4之演算 處理電路3 5處。故而，此數位樣本資料，係成爲與分別被 供給至感測部1 00之送訊導體1 1 Y處的展頻碼之各碼片相對 應了的訊號。但是，在得到輸出訊號S,、S2.....S16之各 個的各受訊導體12X處’由於係多重流動有藉由使16種之 展頻碼同步地來同時供給至16根之送訊導體ιιγ處一事所 得到的電流’因此，與展頻碼之各碼片相對應的輸出訊號 S 1、S 2.....S 16之數位樣本資料’係成爲將1 6種的展頻碼 之各碼片的値作了合成（加算）者。 另外，A/ D變換電路3 3，係並非僅存在有由丨6個的A / D變換器3 3 0 1〜3 3 1 6所成的情況，就算是丨個或者是]6以 外之複數個的A/ D變換器，亦可作實施。 〔位置檢測電路3 4之構成例：圖1 6〕 -44 - 201203063 位置檢測電路3 4，係爲構成根據從a / D變換電路3 3 所供給而來之數位樣本資料而進行指示體檢測的檢測手段 者。此位置檢測電路34，由於在送訊訊號中，係使用有碼 互爲相異之複數個的展頻碼，因此，係由用以將此碼互爲 相異之複數個的展頻碼檢測出來之演算處理電路3 5、和將 指示體檢測輸出作輸出之輸出電路36，而構成之。 針對演算處理電路35，係於後詳述。輸出電路36，係 () 根據藉由演算處理電路35之相關値算出電路3 50 1〜35 16所 檢測出了的相關値，而得到與指示體之指示輸入位置以及 懸浮狀態或者是推壓力相對應了的輸出，並作爲指示體檢 測裝置1之輸出訊號而作送出。 演算處理電路3 5，係由與檢測區塊數相同之數量、亦 即是16個的相關値算出電路3 501、3 502 ..... 3 5 1 6所成， 輸出訊號S ,、S2.....S 16的數位樣本資料，係被供給至相 關値算出電路35 0 1、3 502 ..... 35 1 6之各個處。 〇 其之詳細內容雖係於後再述，但是，相關値算出電路 3 50 1、3502 ..... 3 5 1 6，係分別具備有用以將與展頻碼之 1週期相對應的輸出訊號S ,、S2.....S , 6之數位樣本資料 作保持的橫移暫存器。而，輸出訊號S,、S2.....S16之數 位樣本資料，係與時脈訊號CLK同步地，而在相關値算出 電路3501、3502..... 3516之各個的橫移暫存器中。各被 保持有展頻碼之1週期。 而後，相關値算出電路3 5 0 1、3 5 02 ..... 3 5 1 6，係對 於被保持在此橫移暫存器中之輸出訊號S!、S2.....S16的 -45- 201203063 數位樣本資料、和相關値演算用碼，進行相關演算，並將 兩者之相關値輸出。 而後，藉由相關値算出電路3 50 1、3 5 02 ..... 3 5 1 6之 各個所算出的相關値，係被供給至輸出電路36處。 此輸出電路36，係由記憶電路36M和位置算出電路361 所成。輸出電路36，係將藉由相關値算出電路3501、3502 .....3 5 1 6之各個所算出的相關値，寫入至記憶電路3 6 Μ 中並暫時作保持。而後，被記憶在記憶電路3 6Μ中之相關 値’係被供給至位置算出電路361處。位置算出電路361， 係根據記憶電路3 6 Μ之相關値資料來產生特定之輸出形式 的輸出資料並作輸出。針對在輸出電路36處之處理以及輸 出資料，係於後再述。 〈位置算出電路3 6 1之例〉 位置算出電路3 6 1，係將被記憶在記憶電路3 6 μ中之全 部的相關値與基準値ref作比較，並將得到了與此基準値 ref相異之相關値的交叉點檢測出來。 亦即是’位置算出電路3 6 1，若是檢測出得到了與基 準値ref相異之相關値的交叉點，則係根據該相關値所被作 記憶之記憶電路3 6M的位址位置，來檢測出所對應之交叉 點的座標位置。如此這般，位置算出電路3 6 1，由於係能 夠藉由¥彳於各相關値與基準値ref作比較，來針對各交叉點 而獨立地進行指示體檢測，因此，就算是在對於指示輸入 面1 0 0 S而同時地被進行有由複數之指示體所致之指示輸入 -46- 201203063 的情況時，亦能夠將該複數之指示體同時地檢測出來。例 如，當藉由10根的手指而同時地對於指示輸入面100S作了 觸碰的情況時，位置算出電路361係能夠將該10根的手指 之全部的輸入指示位置檢測出來。 又’在例如使手指整根放平並以橫跨複數之交叉點的 方式而與指示輸入面作了接觸的情況等時，於該些之複數 的交叉點處，係得到代表檢測出指示體的相關値。故而， () 位置算出電路3 6 1 ’係能夠得到與手指之指示輸入狀態相 對應了的指示體檢測結果。 另外，當得到了與基準値ref相異之相關値的交叉點係 存在有複數’且此些係爲相互鄰接的情況時，作爲指示體 檢測輸出’若是設爲亦將該複數之交叉點所佔據的面積計 算出來，則爲理想。 又’位置算出電路361，係藉由在被記憶於記憶電路 3 6M處的相關値中是否存在有超過基準値ref之相關値—事 C) ’來判定被記憶在此記憶電路3 6M中之相關値是由電容觸 碰檢測模式所致的指示體之檢測結果或者是由電阻觸碰檢 測f吴式.所致的指不體之檢測結果，並將該判定結果，例如 作爲旗標而輸出。故而’若是被輸出了的旗標係代表電容 觸碰檢測模式’則代表指示體係身爲從指示輸入面i 005而 作了離隔的狀態或者是正作接觸的狀態。又，若是被輸出 了的旗標係代表電阻觸碰檢測模式，則代表指示體係身爲 正對於指示輸入面1 ο 〇 s而作推壓的狀態。 而’位置算出電路361 ’當被記憶在記憶電路36M中之 -47- 201203063 相關値係爲基準値ref以下的情況時、亦即是當判定被記憶 在記憶電路3 6 Μ中之相關値係爲由電容觸碰檢測模式所致 的指示體之檢測結果時，於此實施形態中，係亦進行懸浮 狀態之檢測。又，位置算出電路3 6 1，當被記憶在記憶電 路3 6Μ中之相關値係爲較基準値ref而更大的情況時、亦即 是當判定被記憶在記憶電路3 6M中之相關値係爲由電阻觸 碰檢測模式所致的指示體之檢測結果時，係亦進行由指示 體所致之推壓力的檢測。 〔送訊導體以及受訊導體之切換時序之例的說明：圖17〕 接著，參考圖17，對於送訊導體I1Y之切換時序以及 受訊導體12X之切換時序作說明。 如同前述一般，各由16碼片所成之16種的展頻碼（^〜 C16，係藉由時脈訊號CLK(參考圖17(B))之16週期而 同步地被產生。送訊導體選擇電路22之開關電路2201〜 2216，係藉由從控制電路40而來之切換控制訊號SW2(參 考圖17(C))，而在此時脈訊號CLK之每16週期處被作 切換。 1 6個的展頻碼C ,〜c i 6，係藉由此開關電路2 2 0 1〜 22 1 6之切換，而同步並同時地被供給至1 6個的送訊區塊 TB1〜TB16之各個的各1根之送訊導體處。而，16個的展頻 碼<^〜C16，係在時脈訊號CLK的16x4週期中，而被供給至 16個的送訊區塊TB,〜TB16之各個內的4根之送訊導體11 Y 的全部處。亦即是，1 6種的展頻碼C ,〜C ! 6，係在時脈訊 -48- 201203063 號CLK的16x4週期中，而對於感測部100之全部的送訊導 體11Y而被作供給。 亦即是，1 6個的展頻碼C !〜C ! 6 ’係在從1 6個的檢測 區塊DB1〜 DB16之各個的各1根之受訊導體而得到輸出訊號 的時脈訊號CLK之16x4週期的期間中’而被供給至送訊導 體11Y的全部處。而，在16個的檢測區塊DB1〜DB“之各 個處而被選擇的各1根之受訊導體，係在時脈訊號CLK之 0 每16x4週期處而被作切換，藉由此，展頻碼，係 被供給至感測部1 〇〇之全部的送訊導體11 γ處。而’上述之 動作係被反覆進行。 另一方面，在受訊導體選擇電路31處’開關電路3101 〜3 1 16之各個，係藉由從控制電路40而來之切換控制訊號 SW3(參考圖17(A))，而在時脈訊號CLK之每16x4週 期處被作切換。如圖17(A)中所示一般’藉由此開關電 路3 101〜31 16之切換，於時脈訊號CLK之16x4週期的期間 〇 中，係從16個的檢測區塊DBi〜 DB16之各個的各1根之受訊 導體，而得到受訊訊號。 在此展頻碼C16被同步地同時作供給之時脈訊號 CLK的16週期、亦即是展頻碼的1週期的期間中’從藉由 受訊導體選擇電路31所選擇了的各受訊導體而來之16個的 輸出訊號31〜316，係分別藉由各A/D變換器3301〜3316 ，而以時脈訊號C LK之時序來被作取樣’該取樣値’係被 變換爲數位樣本資料。而後’此數位樣本資料’係被並列 地寫入至相關値算出電路3 5〇1〜3516之各橫移暫存器中（ -49- 201203063 參考圖1 7 ( D ))。 若依據如同上述一般之送訊導體11Y以及受訊導體 l2x的選擇切換控制，則係能夠將受訊導體12X之選擇切 換控制次數減少，而能夠將會有被重疊在從受訊導體1 2X 而來之輸出訊號處的可能性之切換時之雜訊減少。 〔相關値算出電路3501〜3516之構成例：圖18 -圖19〕 接下來，針對相關値算出電路3 5 0 1〜3 5 1 6之構成例作 說明。16個的相關値算出電路3 50 1〜3516，由於係具備有 相同之構成，因此，於此，係針對進行輸出訊號S t之相關 値演算處理的相關値算出電路3 5 0 1的情況，參考圖1 8來對 於其之構成例作說明。 相關値算出電路3 5 0 1，係爲用以根據控制電路4 0之控 制’來將從A/ D變換器3 3 0 1所輸出之輸出訊號S ,的數位樣 本資料、和1 6個的展頻碼C !〜C ! 6，其兩者間之相關値計 算出來的電路。此相關値算出電路3 5 〇丨，係如圖1中所示 —般，被與A/D變換電路33和控制電路40以及輸出電路 3 6作連接。 而’此相關値算出電路3 5 0 1，係具備有：構成訊號延 遲用之緩衝電路的橫移暫存器35a、和與展頻碼( k = 1 、2..... 1 6 )之數量相同數量（1 6個）的相關器3 5b i、 35b2、3 5b3.....35b16、和將相關値演算用碼Ck’（ k = 1 、2..... 16 )供給至此些之相關器35bl〜3513,6的各個處 之相關値演算用碼產生電路35ci、35c2、35C3.....35c15 -50 - 201203063 、3 5c16、以及相關値記億電路35d。 橫移暫存器35a，係爲用以將從A/D變換電路3301所 輸出之數位樣本資料暫時性地作保持，並將此被作了保持 的資料同時地供給至各相關器351m〜35b 16處之電路。 此橫移暫存器35a，係由與展頻碼Ck之碼長度（碼片 數）相同數量（16個）的D-正反器電路35a!、35a2、35a3 .....35a15、35&16所構成。此D -正反器電路35ai6、35a15 f) 、3 5a14.....3 5a3、35a2、35ai，係爲構成橫移暫存器35a 之各段的資料閂鎖電路者，並依此順序而被從A / D變換 電路3 3側作串聯連接而構成之。另外，D -正反器電路3 5 a i 6 、35a15、35ai4.....35a〗、35a2、35ai 的各個，於圖 18 中 爲了方便’係僅對於1個的D -正反器電路作展示，但是， 實際上’係爲由與從A/D變換器3301而來之數位樣本資 料的位元數相同數量個所成。 而’此D -正反器電路35a16〜35ai之各個的輸出端子， i) 係被與相鄰接之下一段的D -正反器電路（例如，若是D -正 反器電路35a16，則係爲D -正反器電路35a15)、以及相關 器351^-351),6作連接。亦即是，從D_正反器電路35ai〜 35a16而來之輸出訊號’係被輸入至全部的相關器35bl〜 35b16 中。 構成橫移暫存器35a之各段的D-正反器電路35ai〜 3 5 a! 6之各個的輸出，係如同前述一般，爲與展頻碼之各碼 片的資料相對應之輸出訊號s 1的數位樣本資料。以下，將 由此16個的D-正反器電路35ai〜35a16而來之16碼片的輸出 -51 - 201203063 訊號，分別稱爲輸出訊號PS:、PS2、PS3.....PS,5 ' PS,6 o 相關器351),- 35b16之各個，係爲將輸出訊號s,與展頻 碼c k之相關値計算出來的電路。亦即是，各相關器3 5 b ,〜 35b16，係爲將從構成橫移暫存器35a之各D -正反器電路 35&1〜35a16之各個所輸出的輸出訊號S,之數位樣本資料 PS^PSw，和從相關値演算用碼產生電路35Cl〜35c16之 各個所輸入之相關値演算用碼cr〜C16’的各碼片之各個作 乘算，而計算出輸出訊號81與展頻碼Ck之相關値。 各相關値演算用碼產生電路35Cl〜35c16，係爲用以將 相關器35b】〜35b , 6之各個所用以進行相關演算之相關値演 算用碼Cr〜C16’之各個，供給至各相關器351η〜351>16處 之電路。各相關値演算用碼產生電路3 5 c ,〜3 5 c , 6，係分別 被與相關器3 5 b !〜3 5 b ! 6中之相對應的相關器作連接。 相關値演算用碼C Γ〜C i 6 ’，係爲與身爲送訊訊號之展 頻碼C !〜C ! 6相對應的碼，當使用有特殊之碼列、例如使 用有哈德瑪得碼的情況時，係亦可利用從送訊訊號供給電 路2 1而來之展頻碼C !〜C , 6。於此情況，相關値演算用碼 產生電路35Cl〜 35c16，係被設爲接收從送訊訊號供給電路 21之展頻碼產生電路2101〜2116的各個而來之展頻碼C!〜 C16的暫存器之構成。而，從展頻碼產生電路2101〜2116 的各個所輸出之展頻碼<^〜（：16，係在時脈訊號CLK之時序 處’而作爲相關値演算用碼C ! ’〜C , 6 ’來被寫入至該暫存器 之構成的相關値演算用碼產生電路3 5 c ,〜3 5 c , 6中。 -52- 201203063 另外，與展頻碼產生電路2101〜2116之各個相同的， 相關値演算用碼產生電路35Cl〜35c16，係亦可設爲藉由 ROM等所構成，並產生與展頻碼C,〜C16相對應之相關値 演算用碼cr〜c16’。 以下，將相關値演算用碼（^’〜C16’之各個的16碼片之 資料，稱爲產生碼 PN,’、PN2’、PN3’.....PN15，、PN16’ ο 0 相關器35^〜35b16之各個，係在橫移暫存器35a處， 於展頻碼之1週期份的數位樣本資料PS1〜PSI6被作了寫入 的時序（參考後述之受訊載入訊號Sr1()ad )，而開始相關 演算。 而後，相關器35M，係將從D-正反器電路35ai〜35a16 之各個而來的輸出訊號PS!〜PS16、和相關値演算用碼C" 之PN!’〜PN16’，在相同之碼片而彼此作乘算並作合算， 而算出相關値。同樣的，相關器3 5 b2，係將從D -正反器 〇 35a!〜35a16之各個而來的輸出訊號PS1〜PS16、和相關値 演算用碼C2’之PN!’〜PN16’，在相同之碼片而彼此作乘算 並作合算，而算出相關値。之後，相同的，1 6個的相關器 3515^35^^係將輸出訊號Sii數位樣本資料PSpPS^ 、和相關値演算用碼CV〜C16’之產生碼PN,’〜PN16’，在 相同之碼片而彼此作乘算並作合算，而算出相關値。而， 相關器351μ〜 35bI6，係將算出了的相關値輸出至相關値記 憶電路3 5 d處。 而後，若是在相關器35bi〜35bi6之各個處，而進行被 -53- 201203063 保持在橫移暫存器3 5 a中之輸出訊號S !的數位樣本資料和 相關値演算用碼C ! ’〜C 16 ’之間的相關演算，則當在得到輸 出訊號S!之受訊導體上並不存在有指示體18的情況時，係 得到一定之値的相關値，又，當在得到輸出訊號S !之受訊 導體上存在有指示體的情況時，則係成爲得到與此一定之 値的相關値相異之値的相關値。 相關値記憶電路35d，係爲用以將藉由在相關器351^ 〜3 5b ! 6中之相關演算所得到的相關値作暫時性記憶之記憶 部。此相關値記憶電路35d，係由與相關器351m〜35b16相 同數量之複數的暫存器351〜351 6所構成。 如圖1 1中所示一般，由於送訊區塊TB,〜TB16之各個 ，係藉由各4根之送訊導體1 1Y所構成，而送訊區塊TB,〜 TB16之各1根的送訊導體11Y，係藉由開關電路2201〜2216 而被作切換，因此，64根的送訊導體群11，係藉由同步而 同時地被供給有展頻碼之Ιό根的送訊導體11Y之4 組所構成。 而後，如同在圖1 7中所說明一般’該4組之送訊導體 11Y，係藉由開關電路2201〜2216’而在展頻碼之每一週 期中而被作切換。故而。在展頻碼之4個週期中’對於4組 的送訊導體1 1Y之全部，係進行有展頻碼Ci〜Ci6之供給。 因此，若是針對從1個的受訊導體12X而來之受訊訊號 而進行相關演算，則係得到關於分別由1 6根的送訊導體 1 1 Y所成且位置互爲相異之4組的送訊導體1 1 Y之4個的相 關値。而，與此相對應，構成相關値記憶電路3 5 d之16個 -54- 201203063 的暫存器35(1,〜3 5th 6之各個，係具備有4個的區域。在此4 個的區域中’係被記憶有針對位置互爲相異之4組的各i 6 根之送訊導體1 1 Y所得到的相關値。 輸出電路3 6之位置算出電路3 6 1，係根據被記憶在記 憶電路3 6M中之相關値，來進行指示體之位置檢測或者是 推壓力之檢測、懸浮狀態之檢測等，並產生輸出資料而作 輸出。 () 接下來，參考圖1 9之時序表，對在相關値算出電路 3 5 0 1〜3 5 1 6之各個處的資料處理作說明。 於此’圖1 9 ( A )，係爲從時脈產生電路23而所產生 的時脈訊號CLK之訊號波形。此時脈訊號CLK，其之1週期 ，係相當於展頻碼Ck之1碼片長度。 圖19(B)，係爲對於感測部100之全交叉點的探索之 開始時序作展示的開始訊號S T。控制電路4 0，係將此開始 訊號ST，在與直到針對感測部1 〇〇之全交叉點的指示體檢 〇 測結束爲止的區間相當之週期中，與時脈訊號CLK同步地 而反覆產生之。亦即是，在針對全交叉點之探索中所需要 的時間，由於係相當於將「對於1個的送訊導體11 γ而供給 展頻碼所需要的時間（時脈訊號CLK之1 6週期）」和「構 成各送訊區塊TBi〜TBi6之送訊導體的數量」以及「構成 各檢測區塊DB!〜DB16之受訊導體的數量」作乘算後的値 ，因此’控制電路4〇，係成爲在時脈訊號CLK之每16x4x8 週期處而反覆地產生開始訊號ST。 圖1 9 ( C ) ’係爲從控制電路40而供給至送訊導體選 -55- 201203063 擇電路22以及受訊導體選擇電路31處之送訊載入訊號 St1(jad的訊號波形。此送訊載入訊號St1()ad ’係爲將週期設 定爲展頻碼Ck之碼長度（展頻碼Ck之1週期=時脈訊號 C LK之1 6週期）的脈衝訊號。控制電路4 0，係將最初之送 訊載入訊號St1(3ad，相較於開始訊號ST而更延遲了時脈訊 號CLK之1個週期地來產生，之後，在展頻碼Ck之每一週 期處而反覆地產生。 圖1 9 ( D )，係爲從控制電路40而供給至相關値算出 電路35處之受訊載入訊號Sruad的訊號波形。此受訊載入 訊號Sr1(3ad，係爲將週期設定爲展頻碼Ck2碼長度（展頻 碼Ck之1週期=時脈訊號CLK之16週期）的脈衝訊號。控 制電路4 0，係成爲將此受訊載入訊號S r i。a d相較於送訊載 入訊號Stlc)ad而更延遲了時脈訊號CLK之1個週期地來作輸 出。 圖1 9 ( E )，係爲從送訊訊號供給電路2 1而對於送訊 導體1 1Y所送訊的展頻碼ck之送訊輸出的時序表。 圖19 ( F)，係爲在相關値算出電路3501〜3516之各 個的橫移暫存器35a中所被設定的Ιό碼片之輸出訊號（PSl 、pS2.....PS16)的時序表。又，圖19(G)，係爲與被 設定在橫移暫存器3 5 a中之輸出訊號作乘算並作合算的相 關値演算用碼Ck’之產生碼（PN!，、Pn2，.....PNh，）。 進而’圖19(G)，係爲相關値算出電路3501〜3516之各 個的相關値輸出之時序表。 從時脈產生電路2 3所輸出之時脈訊號c l K (參考圖1 9 -56- 201203063 (A ))若是被作輸入，則控制電路40係與此時脈訊號 CLK同步地而產生開始訊號ST (參考圖19 ( B ))，並供 給至位置檢測電路34之輸出電路36處。 而後，控制電路40，係在較開始訊號ST而更延遲了時 脈訊號CLK之1個週期的時序處，而產生送訊載入訊號 StlQad (參考圖19 ( C))，並與此送訊載入訊號StlQad之產 生時序同步地而產生展頻碼之每一週期的切換控制訊號 SW2，並供給至送訊導體選擇電路22處。又，控制電路40 ，係與此送訊載入訊號St1()ad之產生時序同步地，而產生 以開始訊號ST之產生時序作爲基準的展頻碼之每4週期的 切換控制訊號SW3，並供給至受訊導體選擇電路31處。 而後，控制電路40，係在送訊載入訊號StIc)ad產生之1 時脈週期後，產生受訊載入訊號Sr1()ad (參考圖19 ( D)) ，並供給至位置檢測電路34之演算處理電路35的相關値算 出電路3501〜3516之各個處。 相關値算出電路3 5 0 1〜3 5 1 6，係根據受訊載入訊號 Sr1()ad之時序，而實行前述之相關演算，並將相關値輸出 至輸出電路36處。 輸出電路3 6之記憶電路3 6 Μ，係將從各相關値算出電 路3 5 0 1〜3 5 1 6所輸出之相關値，根據從控制電路4 〇而來之 時脈訊號clk以及受訊載入訊號Sn〇ad的時序’來記憶在記 憶電路3 6M之預先所訂定了的位址處。所謂預先所訂定了 的位址，係爲對於各交叉點之每一者而訂定了的記憶電路 3 6 Μ上之位址。 -57- 201203063 送訊導體選擇電路22，係當送訊載入訊號5^。^爲 HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之上揚時序（圖19中之時 間點to )處，而開始對於1 6根的送訊導體1 1 Y之1 6種的展 頻碼C ,〜C ! 6的供給。而後，送訊導體選擇電路2 2，係經 由切換控制訊號SW2而使得開關電路220 1〜22 16被作切換 ，藉由此，而對於供給展頻碼C !〜C , 6之1 6根的送訊導體 1 1Y作切換。於此，由切換控制訊號SW2所致的開關電路 220 1〜2216之切換時間點，係爲當送訊載入訊號StlQad爲 HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之上揚時序處（例如，圖 1 9中之時間點t2以及時間點t4 )。 在藉由送訊導體選擇電路22而被選擇了的各送訊導體 11Y處，係於時脈訊號CLK之上揚時序處，而被供給有展 頻碼h〜C16之第η碼片的碼。亦即是，在時間點“處，各 展頻碼（^〜（：16之第1碼片的碼，係被供給至送訊導體11Υ 處。之後，係以在時脈訊號CLK之每一時脈處而供給第2 碼片、第3碼片、…的方式，來將展頻碼（^〜（：16之第η碼 片的碼供給至送訊導體11Υ處（參考圖19(E))。 而後，在下一個的送訊載入訊號Stlc)ad之HIGH準位的 時序處、並且在時脈訊號C LK之第1 7次的上揚時序處，由 於對於被選擇了的16根的送訊導體11Y之展頻碼的 供給係結束，因此，送訊導體選擇電路2 2，係於此時序處 ’而將所選擇之送訊導體11Y切換爲下一個的切換導體 π Y。之後，同樣的，送訊導體選擇電路22，係在送訊載 入訊號StUad之上揚時序處，而對於送訊導體1 1 γ作切換。 -58- 201203063 而後，送訊導體選擇電路22，若是被輸入有送訊載入 訊號Stl()ad之第4次的脈衝，則係回到最初階段，並反覆進 行上述之切換動作。 另一方面，受訊導體選擇電路31，係當最初之送訊載 入訊號3^。3£1爲HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之上揚時 序處，而對於最初所進行受訊之16根的受訊導體12X作選 擇（圖14之狀態）。之後，受訊導體選擇電路31，係在每 (1 產生4次之送訊載入訊號811。3(1的脈衝時，而經由切換控制 訊號SW3來對於開關電路3101〜31 16作切換，藉由此，而 對於所選擇之16根的受訊導體12X作切換。 而，受訊導體選擇電路31，係當送訊載入訊號St1()ad 之第33次的脈衝爲高準位，並且在時脈訊號CLK之上揚的 時序處，而回到最初之選擇切換狀態（圖4之狀態），並 反覆進行上述切換動作。 另外，爲了對於由於受訊導體選擇電路31之開關電路 (J 3101〜3116進行切換一事而產生之過渡現象所導致的雜訊 產生作防止，係亦可將切換控制訊號SW3之切換週期設爲 時脈訊號CLK之16x4 + ni週期（m :自然數），並設置1個 時脈的餘裕期間。 通過受訊導體選擇電路31而從16根的受訊導體12X所 得到之受訊訊號，係藉由放大電路3 2而使訊號準位被作放 大，並在A/D變換電路33之A/D變換器3 3 0 1〜3316的各 個處，於時脈訊號CLK之上揚的時序處，而被變換爲數位 樣本資料並被作輸出。 -59- 201203063 而，從A/D變換器3301〜3316之各個所輸出的數位 樣本資料，係被輸入至相對應之相關値算出電路3 5 Ο 1〜 3 5 1 6的各個中。此數位樣本資料，係如同前述—般，從相 關値算出電路3501〜3516之各個的橫移暫存器35a之初段 的D -正反器電路35a10起而依序被輸入（參考圖19(F)) 〇 而後，當受訊載入訊號s r!。a d之脈衝爲Η IG Η準位，並 且在時脈訊號CLK之上揚時序處（於圖19中，係爲時刻t3 )，輸出訊號PS!〜PS16(參考圖18)，係被設定至相關 値算出電路3501〜3516之各個的橫移暫存器35a處。故而 ’在此時序處，於相關器35b !〜35b 16處，係成爲被供給有 輸出訊號PS!〜 PS162狀態。 另一方面，在相關値算出電路3501〜3516之各個處， 係同樣的，從當受訊載入訊號Srl()ad2脈衝爲HIGH準位， 並且在時脈訊號CLK之上揚時序處（於圖1 9中，係爲時刻 “）起，而從相關値演算用碼產生電路35Cl〜35cl6來將16 種類之相關値演算用碼匕’〜C16’的各產生碼PN,’〜PN16’ (參考圖19(G))供給至相關器35b,〜35b16處。 相關器351^ 〜35bi6之各個，係當此受訊載入訊號 Sn〇ad爲HIGH準位，並且在時脈訊號CLK之脈衝的上揚時 序處，而開始此相關値演算用碼c Γ〜c , 6 ’之各產生碼PN J ’ 〜PN16’與被設定在橫移暫存器35a中之輸出訊號PS!〜PS16 間的相關演算。 而後，相關値算出電路3501〜3516之各個的相關器 -60- 201203063 SSbi、3 5b16，係將各個的演算結果之相關値，暫時記憶在 相關値記億電路35d之暫存器351-35^6中（參考圖19 ( Η ))。 之後，被暫時記憶在相關値記憶電路3 5 d之暫存器 3 5 d i〜3 5 d i 6中的相關値，係被記憶在輸出電路3 6之記憶電 路36M中。 0 〔相關器351»^ 35b16之構成例：圖20〕 接下來，參考圖20，針對相關器35b! 〜35b16之構成例 作詳細說明。相關器35b i〜35b 16，係爲具備有完全相同之 構成者，圖20，係爲對於身爲其中之一的相關器351m之情 況來對於構成例作展示者。 相關器35b!，係如圖20中所示一般，由16個的乘算器 3 5f, ' 3 5f2.....35f16，和加算器35g所構成。在此實施形 態中，將乘算器35η~ 3Η16設爲了 16個的原因，係爲了求 〇 取出16碼片之展頻碼Ck的相關之故。故而，乘算器之數量 ，係因應於展頻碼ck之碼片數而成爲相異之設置數。 在各個的乘算器356〜35ί16處，係被供給有從橫移暫 存器35a之各段而來的輸出訊號、和相關値演算 用碼Ck’之各產生碼ΡΝΓ〜ΡΝ16，。此乘算器35^〜35;^6之 各個’係將相同之碼片位置彼此的訊號作乘算，並得到乘 算訊號。在乘算器356〜35ί·16處所算出之乘算訊號，係被 供給至加算器3 5 g處。加算器3 5 g，係將從乘算器3 5 L〜 3 5 f! 6所供給而來之乘算訊號作加算，並得到相關値。此相 -61 - 201203063 關値，係被記憶在相關値記億電路3 5 d之暫存器3 5 d !(參 考圖1 8 )中。另外，依存於所使用之碼’亦可在乘算器 35 f,〜35 f16處，使用加算器或者是減算器。 〔由控制電路40所致之檢測模式控制、和在輸出電路36處 之位置檢測處理〕 如同前述一般，在記憶電路3 6M處，係被暫時記憶有 感測部1 〇〇之全交叉點的相關値，但是，控制電路40，係 根據在此記憶電路3 6 Μ中而被暫時作記憶的相關値，來決 定要將檢測模式設爲電容觸碰檢測模式或者是電阻觸碰檢 測模式。而後’因應於所決定了的檢測模式，控制電路4 0 ，係對於I/V變換電路3201〜3216之切換開關電路55作切 換。 〈由控制電路4 0所進行之檢測模式切換：圖2 1〜圖2 4〉 對於指示體18以「從並不存在於感測部1〇〇之指示輸 入面100S處的狀態而成爲離隔存在於指示輸入面100S處的 狀態」—「與指示輸入面100S作接觸之狀態」—「對於指 示輸入面1 〇 0 S作推壓之狀態」的順序而對於指示輸入面 1 00S來使關係有所變化的情形作考慮。因此，在此實施形 態中，控制電路4〇 ’於初期狀態下，係藉由切換控制訊號 SW1 ’來將I/V變換電路3201〜3216之切換開關電路55切 換至檢測用電容器5 2側，並設爲電容觸碰檢測模式。 如圖2 1 ( A )中所示一般，當指示體並不存在於感測 -62- 201203063 部1 〇〇之指示輸入面1 00S上時，送訊導體1 1 Y由於係僅與受 訊導體12Χ作靜電耦合，因此，若是對於送訊導體1 1Υ供 給送訊訊號，則在各交叉點之受訊導體1 2Χ處，係流動相 同之電流訊號。 故而，如同圖21 (Β)中所示一般，從演算處理電路 35之相關値算出電路3 50 1〜35 16的各個，係均得到一定之 相關値（基準値ref)。另外，圖2 1 ( Β )，係爲對於相關 0 値算出電路3501〜3516之其中一個的相關値輸出作展示者 〇 之後，例如如圖22 ( A )中所示一般，當指示體1 8例 如與被供給有展頻碼C3之送訊導體11Y9和受訊導體12X124 之間的交叉點作了接觸時，如同前述一般，透過指示體1 8 與受訊導體12X124之間的靜電容量，送訊訊號係作分流， 從受訊導體1 2X124所得到之電流訊號係減少。 因此，從指示體18所正在作接觸之受訊導體12X124而 〇 來的電流訊號之訊號準位，係在被供給至送訊導體11Y9之 展頻碼c3處而減少。亦即是，如圖22(B)中所示一般， 與送訊導體11Y9和受訊導體12X124之間的交叉點相對應之 相關値，係朝向較圖2 1中所示之指示體1 8並不存在於指示 輸入面100S上時的相關値（基準値）ref而更加減少的方向 作變化。 另一方面’在圖22(A)中所示之被供給有展頻碼c3 的送訊導體11Υ9與受訊導體12X124之間的交叉點處，若是 藉由指示體18而被施加有推壓力，則在該交叉點處，送訊 -63- 201203063 電阻體1 3 Y與受訊電阻體1 4X係作接觸，並開始流動有與 其之接觸面積相對應的電流。其結果，從受訊導體12X124 所得到的輸出訊號S16之電流訊號係增加。 因此，如圖2 2 ( C )中所示一般，從指示體I 8所正在 作接觸之受訊導體KXi24而來的電流訊號之訊號準位，係 在被供給至送訊導體11Y9之展頻碼C3處而增加。亦即是， 與送訊導體11 Y9和受訊導體12X124之間的交叉點相對應之 相關値，係朝向較前述基準値ref而更增加的方向作變化。 故而，位置算出電路361，係對於輸出電路36之記憶 電路36M的全交叉點之相關値作參考，當存在有較基準値 ref而更爲減少的相關値之交叉點的情況時，控制電路40係 維持爲電容觸碰檢測模式。 而後，位置算出電路3 6 1係對於輸出電路3 6之記憶電 路3 6 Μ的全交叉點之相關値作參考，若是檢測出較基準値 ref而更爲增加之相關値，則控制電路4 0，係藉由切換控制 訊號SW1，而將I/V變換電路3201〜3216之切換開關電路 5 5切換至檢測用電阻5 4側，並切換爲電阻觸碰檢測模式。 故而，控制電路4 0，係能夠藉由在被記憶於記憶電路 3 6 Μ處之全部的相關値中是否存在有基準値re f以上者一事 ，來對於檢測模式作切換。 但是，基準値ref，係會有由於起因於指示體檢測裝置 1之每一者的個體差異或者是環境因素（溫度等）所導致 的偏差而有所變化的情況。 因此’在此實施形態中，係預先記憶有當指示體1 8並 -64 - 201203063 不存在於感測部1 〇〇之指示輸入面1 oos處時而藉由相關値 算出電路3 50 1〜35 16所得到的相關値（=ref )。以下，將 此相關値稱爲OFFSET値。 而，在將相關値記憶在記憶電路3 6M處時，係從藉由 各個的相關値算出電路3 50 1〜35 16所算出了的相關値來將 此OFFSET値（=ref )作減算，並將所得到的値作爲各交 叉點之相關値來作記憶。 0 若是設爲此種構成，則藉由電容觸碰檢測模式所得到 之相關値，當指示體1 8並不存在於感測部1 00之指示輸入 面100S處時，係全部成爲0。而，當指示體IS係存在於感 測部1 〇〇之指示輸入面1 00S上，並且係身爲懸浮狀態或者 是正在作接觸的情況時，該交叉點之相關値係成爲負的値 。又，若是藉由存在於感測部100之指示輸入面100S上的 指示體18而對於指示輸入面100S施加有推壓力，則從構成 該被施加有推壓力之交叉點的受訊導體12X所得到的相關 I》 値，係成爲正的値。 而後，位置算出電路3 6 1，係對於被記憶在記憶電路 3 6M中之相關値作參考，並檢測出在被記憶於此記憶電路 3 6M處之相關値中，是否存在有展現正的値之相關値或者 是展現負的値之相關値。控制電路4〇，當在電容觸碰檢測 模式中，位置算出電路3 6 1檢測出了展現正的値之相關値 時，係將檢測模式切換至電阻觸碰檢測模式。又，控制電 路40，當在電阻觸碰檢測模式中，位置算出電路3 6 1並無 法檢測出展現正的値之相關値時，係將檢測模式切換至電 -65- 201203063 容觸碰檢測模式。 於此，當位置算出電路3 6 1檢測出了展現正的値之相 關値時而檢測模式係成爲電阻觸碰檢測模式的情況時，以 及當位置算出電路36 1檢測出了展現負的値之相關値時而 檢測模式係成爲電容觸碰檢測模式的情況時，控制電路40 係維持爲該檢測模式。 另外，當將在電阻觸碰檢測模式中所算出了的相關値 寫入至記憶電路36M中時，前述之相當於基準値ref的値之 減算’係並非一定需要進行。此係因爲，在電阻觸碰檢測 模式中所得到之相關値，相較於在電容觸碰檢測模式中所 得到之相關値，係爲非常大。因此，在電阻觸碰檢測模式 中所算出之相關値，就算是並不進行減算處理，亦能夠將 與被施加有推壓力之交叉點相對應的相關値檢測出來之故 〇 關於被記憶在記憶電路3 6M中之相關値是否成爲正的 値一事，係只要將臨限値設爲〇，並將相關値與臨限値作 比較即可’但是，爲了更加確實地作判定，與相關値作比 較之臨限値，係以設爲較0而更些許大之値爲理想。此係 爲了成爲不會與雜訊量等起反應之故。 圖23以及圖24 ’係爲對於此實施形態之指示體檢測裝 置1中的包含有檢測模式切換處理之全體的處理動作之流 程作展示的流程圖。 由此圖2 3以及圖2 4所成之流程圖的處理，係藉由從控 制電路40而來之開始訊號ST而開始。而，在每次產生開始 -66- 201203063 訊號ST時，係實行針對指示輸入面100S之全交叉點的1次 之處理動作。 首先，若是在控制電路40輸出了開始訊號ST之後’於 時脈訊號CLK之1個週期後所產生了的送訊載入訊號Stuad 被供給至送訊訊號供給電路21處，則送訊訊號供給電路21 ，係產生與送訊載入訊號StUad以及時脈訊號CLK作了同步 的16種的展頻碼，並且，開始供給至送訊導體選 f) 擇電路22處（步驟S1 01 )。 接著，控制電路4〇，係作爲檢測模式而選擇電容觸碰 檢測模式，並藉由切換控制訊號SW 1，來將1/ V變換電路 320 1〜32 16之切換開關電路55切換至檢測用電容器52側（ 步驟S102)。 接著，控制電路40，係藉由根據時脈訊號CLK所產生 了的切換控制訊號SW3，來對於受訊導體選擇電路3 1之開 關電路3101〜3116作切換控制，並從檢測區塊DBi-DB^ 〇 之各個中而選擇1根的受訊導體12X (步驟S103 )。 又，控制電路40 ’係藉由與送訊載入訊號Stlcad同步 地產生了的切換控制訊號SW2，來對於送訊導體選擇電路 22之開關電路2201〜2216作切換控制，並從送訊區塊TBj 〜TB16i各個中而選擇1根的送訊導體11Y (步驟S104)。 藉由上述步驟，1 6種的展頻碼C !〜C , 6，係同時地被 同步供給至藉由送訊導體選擇電路22所選擇了的16根之送 訊導體11Y處（步驟S105)。如此一來，從藉由受訊導體 選擇電路3 1所選擇了的1 6根之受訊導體1 2X，係作爲受訊 -67- 201203063 訊號而得到輸出訊號S i〜s, 6。此輸出訊號s!〜s, 6，係通 過放大電路32以及A/ D變換電路33而被供給至演算處理 電路35之相關値算出電路3501〜3516的各個處（步驟S106 )0 接著，相關値算出電路3 5 0 1〜3 5 1 6，係分別將數位樣 本資料與相關値演算用碼C】’〜C16’作相關演算，並將其結 果所得到了的相關値，通過相關値記憶電路3 5 d來寫入至 輸出電路30之記憶電路36M中（步驟S107)。 控制電路40，係判定是否對於與所選擇了的受訊導體 12—同構成交叉點之送訊導體11Y的全部而進行了展頻碼 之供給（步驟S 1 08 )。在步驟S 1 08中，當判定展頻碼之供 給尙未結束時，係回到步驟S 1 04，並反覆進行此步驟S 1 04 以後之處理。送訊區塊，由於係藉由4根的送訊導體1 2 Y所 構成，因此，被選擇的複數之送訊導體的組，係爲4組。 故而，在步驟S 1 0 8中，係判定是否反覆進行了 4次的步驟 S104〜步驟S107之處理。 而，在步驟s 1 08中，當判定已結束了對於與藉由受訊 導體選擇電路所選擇了的受訊導體12X —同構成交叉點 之送訊導體1 1 Y的全部之展頻碼的供給時，係判定是否從 受訊導體12X之全部而得到了輸出訊號（步驟S109 )。在 此步驟S 1 09中，當判定尙未從受訊導體1 2X之全部而得到 輸出訊號時，係回到步驟S 1 03，並反覆進行此步驟S 1 03以 後之處理。檢測區塊，由於係藉由8根的受訊導體1 2X所構 成，因此，被選擇的複數之受訊導體的組，係爲8組。故 -68- 201203063 而’在步驟S 1 09中，係判定是否反覆進行了 8次的步驟 S103〜步驟Si〇8之處理。 當在步驟S 1 09中，而判定係對於送訊導體1 1 Y之全部 而進行了送訊訊號之供給，並且從受訊導體1 2 X之全部而 得到了輸出訊號時，係對於被記憶在記憶電路3 6M中之相 關値作參考，並判定是否存在有基準値ref以上之相關値（ 圖24之步驟si 1 1 )。 〇 在步驟S 1 1 1中，當判定出在被記憶於記憶電路3 6 Μ處 的相關値中並不存在有基準値ref以上之相關値時，控制電 路40 ’係判定此時之檢測模式是否爲電容觸碰檢測模式（ 步驟S 1 1 2 )。而，在此步驟S 1 1 2中，當判定出此時之檢測 模式係爲電容觸碰檢測模式時，控制電路40，係對於輸出 電路3 6作控制，並進行指示體之位置檢測處理，而將該檢 測結果輸出（步驟S 1 1 3 )。又，當在步驟S 1 1 2中，而判定 此時之檢測模式係並非爲電容觸碰檢測模式時，則係回到 〇 步驟S 1 02，控制電路40，係將切換控制訊號sw 1供給至1/ V變換電路3 20 1〜321 6之各個的開關電路55處，並將各開 關電路5 5切換至檢測用電容器5 2側，而切換爲電容觸碰檢 測模式。之後，控制電路40，係反覆進行此步驟S 1 03以後 之處理。 又’在步驟S 1 1 1中，當判定出在被記憶於記憶電路 3 6 Μ處的相關値中係存在有基準値r e f以上之相關値時，控 制電路40 ’係判定此時之檢測模式是否爲電阻觸碰檢測模 式（步驟S 1 1 4 )。在此步驟S 1 1 4中，當判定出此時之檢測 -69 - 201203063 模式係爲電阻觸碰檢測模式時，控制電路4 0，係對於輸出 電路3 6作控制，並進行指示體之位置檢測處理，而將該檢 測結果輸出（步驟S113)。又’當在步驟S114·中，而判定 此時之檢測模式係並非爲電阻觸碰檢測模式時，則控制電 路4 0，係將切換控制訊號S W 1供給至I / V變換電路3 2 〇 1〜 3 2 1 6之各個的開關電路5 5處’並將各開關電路5 5切換至檢 測用電阻5 4側’而切換爲電阻觸碰檢測模式（步驟s丨i 5 ) 。之後，控制電路4〇，係使處理回到步驟S 1 03，並反覆進 行此步驟S103以後之處理。 〈懸浮檢測：圖25〜圖27 > 參考圖2 5〜圖2 7 ’對懸浮狀態之檢測手法作說明。懸 浮之檢測，係可如同下述一般地來進行。如圖2 5 ( A )中 所7K —般，在電容觸碰檢測模式中，當指示體1 8正與感測 部1〇〇之指示輸入面l〇〇S作接觸時，如圖25(B)中所示一 般，接觸中心位置之交叉點的相關値，係成爲最大的相關 値P K，並且’位在該接觸中心位置之交叉點的周圍之較爲 狹窄的面積範圍中之交叉點，係呈現負極性之相關値。 另一方面，如圖26(A)中所示一般，在電容觸碰檢 測模式中，當指示體1 8爲從感測部i 〇 〇之指示輸入面1 0 0 S 而離隔時，如圖26(B)中所示—般，指示體18之正下方 位置的交叉點之相關値’係成爲最大的相關値P K，並且， 位在該指示體18之正下方位置之交叉點的周圍之較爲寬廣 的面積範圍中之交叉點，係呈現負極性之相關値。 -70- 201203063 亦即是’圖25 ( B )以及圖26 ( B )，係成爲對於將在 指示輸入面100S上之指示體18的接觸中心位置或者是正下 方位置的交叉點作爲中心之週邊交叉點的相關値之準位變 化作展示的曲線（以下，稱爲相關値之準位曲線）400。 成爲如同圖25以及圖26所示一般的原因，係可如同下 述一般地來作說明。首先，如圖25(A)中所示一般，當 指示體18正在與感測部100之指示輸入面100S作接觸的狀 (') 態下’如同前述一般，與被供給至送訊導體11Y處之送訊 訊號（電壓訊號）相對應的電力線之中的較爲多數係收斂 於指示體1 8 (例如手指）處。藉由此，在指示體1 8並不存 在於受訊導體1 2X上時而於該受訊導體1 2X中所流動的電 流中，收斂於該指示體1 8之電力線的量之電流，會透過指 示體18而分流至接地。又，由於指示體18與受訊導體12X 係作接觸，因此，作靜電耦合之受訊導體1 2 X的範圍係爲 狹窄。其結果，如圖25 ( B )中所示一般，相關値之準位 〇 曲線400，其之作準位變化的寬幅（面積）係爲狹窄，並 成爲得到有較大之峰値Ρ κ的曲線。 相對於此，如圖2 6 ( A )中所不一般’在指不體1 8從 感測部1 〇〇之指示輸入面1 〇〇s而離隔的狀態（懸浮狀態） 下，相較於指示體1 8作了接觸的情況，指示體1 8與受訊導 體1 2 X作靜電耦合之範圍係變廣，並且，與指示體1 8間之 耦合度係變低，朝向該受訊導體1 2 x而流動之電流中的通 過指示體1 8而分流至接地的電流亦會變少。而’指示體18 與受訊導體作靜電耦合之範圍’若是指示體18與指示輸入 -71 - 201203063 面loos之間的離隔距離變得越大，則會變得越 ，在指示體18並不存在於受訊導體12X上時而 導體12X所流動的電流中，通過指示體18而分 電流，若是指示體1 8與指示輸入面1 0 0 S之間的 大，則會變得越少。 故而，如圖26 ( B )中所示一般，當指示 懸浮狀態時，相關値之準位曲線400，其之作 寬幅（面積），係因應於指示體1 8與指示輸入 的離隔距離而變廣，峰値PK，係因應於指示體 入面1 0 0 S之間的離隔距離而變小。 由上述，可以得知，係可求取出相關値 400的斜率Θ和相關値之準位曲線的峰値PK之 根據此比來得到懸浮狀態之檢測輸出。於此情 相關値之準位曲線400的斜率Θ和相關値之準 値PK之間的比，和特定之臨限値作比較’能夠 體18是否正與指示輸入面100S作接觸。而’當 身爲懸浮狀態時’係可根據該比之値，來辨識 與指示輸入面i〇〇s之間的離隔距離。 接下來，針對將相關値之準位曲線400的 關値之準位曲線的峰値PK之間的比求取出來的 例作說明。 指示體18，若是在如同圖26(A) —般之 面1 0 0 S而離隔了的狀態下，對於在某一時刻所 値之準位値作映射’則例如係成爲如同圖2 7中 廣，其結果 朝向該受訊 流至接地的 離隔距離越 體1 8係身爲 準位變化的 面1 0 0 S之間 1 8與指示輸 之準位曲線 間的比，並 況，藉由將 位曲線的峰 辨識出指示 辨識出其係 出指示體1 8 斜率0和相 演算之具體 從指示輸入 得到的相關 所示一般之 -72- 201203063 分布。另外，在此圖27中，係展示藉由3x3之交叉點所得 到了的相關値準位値，該相關値準位値，係被作了正規化 ’並且，爲了方便，係設爲正的値。 在此圖27所示之例中，在中央之交叉點處，係得到相 關値準位之最大値「100」，在位置於其之左右上下的交 叉點處，係得到相關値準位値「5 0」。又，在中央之交叉 點的斜左上、斜右上、斜左下、斜右下的交叉點處，係得 ζ) 到相關値準位値「20」。故而，此相關値之準位曲線的峰 値ΡΚ，係爲「100」。 在相關値之準位曲線400處的斜率，係可藉由對於峰 値ΡΚ、和與得到該峰値ΡΚ之交叉點相鄰接的其他交叉點 處之相關値準位値，來求取出兩者之間的差，而得到之。 例如，於此圖27之例的情況中，相關値之準位曲線400之 峰値ΡΚ，由於係爲中央格之「100」，因此，邊緣之斜率 ，係成爲 100-50 = 50。 〇 故而，圖2 7之例的相關値之準位曲線400的斜率與峰 値間的比，係成爲（相關値之準位曲線的斜率）/(峰値 ΡΚ) = 50/ 100=0.5。於此，若是將身爲懸浮狀態或者是 接觸狀態一事之判定的臨限値，設爲例如〇·7，則在圖27 所示之例中，位置算出電路3 6 1 ’係判定出指示體1 8係身 爲懸浮狀態。又，當相關値之準位曲線400的斜率與峰値 ΡΚ間的比，例如爲0.9的情況時，位置算出電路361 ’係判 定指示體18爲與感測部1〇〇之指示輸入面成爲接觸狀態。 在上述之例中，係對於爲了進行指示體1 8之懸浮狀態 -73- 201203063 與接觸狀態的判定而設置了1個的臨限値之情況來作了例 示說明，但是，本發明，係並不被限定於此。例如，針對 指示體1 8，除了用以進行懸浮狀態與接觸狀態之判定的臨 限値以外，亦可更進而設定1個或者是複數個的用以判定 懸浮狀態之程度（感測部1 00之指示輸入面1 00S與指示體 之間的離隔距離）的臨限値。當然的，於此情況下之臨限 値，係成爲較用以進行懸浮狀態與接觸狀態之辨識的臨限 値而更小之値。 另外，在上述之說明中，雖係針對根據相關値之準位 曲線（相關値準位値之映射資料）來直接進行懸浮狀態之 判定的情況而作了例示說明，但是，本發明係並不被限定 於此。亦可對於相關値之準位曲線進行非線性處理，並根 據非線性處理後之特性來對於懸浮狀態作判定。 例如，針對對於相關値之準位曲線，作爲非線性處理 而進行了對數變換之情況，來作例示說明。當並不進行非 線性處理的情況時，藉由指示體1 8之與感測部1 00的指示 輸入面作接觸所得到的相關値之準位，於指示體1 8與指示 輸入面100S相接觸之部分處，係成爲極端的大，而於指示 體18從指示輸入面100S而作了離隔之處，係成爲極端的小 。故而’在想要亦包含有指示體18爲從指示輸入面100S而 僅些許地作了離隔之狀態地來進行辨識處理的情況時，亦 由於相關値準位係在上述之2個的情況中而極端的相異， 因此正確的進行辨識-事係爲困難。 於此’若是對於相關値之準位曲線，而進行特定之訊 -74- 201203063 號變換處理、例如進行對數變換，則能夠使相關値爲小之 準位的部分變得顯著，並對於相關値準位爲大的部分作抑 制。亦即是，在對數變換後之相關値的準位曲線中，峰値 部之形狀係寬闊化，其之最大値係被作抑制。於此情況’ 在指示體1 8之接觸狀態與非接觸狀態間的邊界附近之相關 値的準位値的變化，係成爲連續性，就算是當指示體1 8從 指示輸入面1 00S而僅些許地浮起的狀態時，亦能夠容易地 0 辨識出懸浮狀態，而能夠使辨識特性提升。 〈推壓力（指壓）的檢測〉 當位置算出電路361對於被記憶在記憶電路36M中之相 關値作參考後，其結果爲判定出係存在有相關値爲基準値 ref以上之交叉點時，該交叉點，係爲從指示體1 8來透過指 示輸入面100S而被施加有推壓力之部分。 而，如前述一般，在此實施形態之感測部1 00處，因 〇 應於推壓力，送訊電阻體13Y與受訊電阻體14X之間的接 觸面積係改變。亦即是，若是推壓力變得越大，則送訊電 阻體13Y與受訊電阻體14X之間的接觸面積係變得越大， 而在送訊電阻體1 3 Y與受訊電阻體1 4X之間所形成的可變 電阻之電阻値係變得越小。當然，若是推壓力成爲了某種 程度以上，則接觸面積係不會再改變，並成爲存在有極限 〇 而，從受訊導體1 2X所得到之電流訊號的電流値，係 因應於在送訊電阻體1 3 Y與受訊電阻體1 4X之間所形成的 -75- 201203063 可變電阻之電阻値而改變，若是推壓力變得越大，則從受 訊導體1 2X所得到之電流訊號的電流値係變得越大。 故而’從被施加有推壓力之交叉點的受訊導體1 2 X所 得到之輸出訊號的數位樣本資料，係與直到到達極限爲止 的推壓力成正比’並成爲大的數位値。故而，關於該數位 樣本資料之相關値，亦係成爲與推壓力相對應之正的値。 如同上述一般，位置算出電路3 6 1，若是從被記憶在 記憶電路36M處的相關値中而檢測出了値爲基準値ref以上 的相關値，則係從其之位址位置，來判定出所對應之交叉 點的座標位置，並且，將與該相關値之大小相對應的推壓 力之檢測輸出作輸出。 另外，在上述實施形態中，係設爲當將相關値寫入至 記憶電路30M中時，從各個的相關値而將OFF SET値作減算 。但是，本發明係並不被限定於此。例如，亦可設爲在記 憶電路36M中，將藉由相關値算出電路3501〜3516之各個 所算出了的相關値分別預先作記憶，並在藉由位置算出電 路36〗而進行位置檢測時，再從各個的相關値而將OFFSET 値作減算。於該情況，位置算出電路3 6 1，係成爲進行前 述之步驟S111的判定處理，並將該判定結果通知至控制電 路40處。而後，位置算出電路3 6 1，係成爲因應於控制電 路40之控制指示來將指示體檢測結果之輸出資料作輸出。 另外，位置算出電路3 6 1之處理，係亦可設爲藉由在 控制電路40處所具備之微電腦來作爲軟體處理而實行之。 如同上述一般，在此實施形態中，輸出電路3 6，係具 -76- 201203063 備有位置算出電路3 6 1，並將被寫入至記憶電路3 6M中之相 關値，如同上述一般地而進行處理，以得到指示體之檢測 結果。亦即是，係將與藉由指示體1 8所作了指示輸入的交 叉點相對應之座標、被作了指示輸入之面積、懸浮狀態、 推壓力、與檢測模式相對應之旗標、關於多數之指示體的 指示體檢測結果等，藉由位置算出電路361來產生之，並 作爲輸出資料來輸出。 f) 但是，此位置算出電路3 6 1之處理動作，係亦可設爲 在此實施形態之指示體檢測裝置1所被作連接的裝置（例 如個人電腦等）處而實行之。於此情況，輸出電路3 6，係 並不具備有位置算出電路361，並成爲將記憶電路36M之記 憶內容變換爲例如位元映像資料（bitmap data )等，再作 爲輸出資料而輸出之。或者是，輸出電路36，係亦可設爲 將記憶電路3 6M之記憶內容直接作爲輸出資料而輸出之。 在上述之第1實施形態中，係設爲使控制電路40因應 Ο 於被記憶在記憶電路3 6M中之相關値來對於電容觸碰檢測 模式與電阻觸碰檢測模式作切換，但是，本發明係並不被 限定於此。不用說，亦可設爲例如藉由手動來對於電容觸 碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式作切換。 亦即是，亦可設爲：對於控制電路40而連接例如滑動 開關，並藉由該滑動開關，來以手動來對於電容觸碰檢測 模式與電阻觸碰檢測模式作指定並作切換。此時，亦可設 爲能夠藉由滑動開關來選擇「自動模式切換」。於此情況 ，使用者，係能夠選擇如同上述之實施形態一般的自動模 -77- 201203063 式切換，並且，亦能夠因應於需要，而以僅對於電容觸碰 檢測模式與電阻觸碰檢測模式之其中一者作選擇的方式來 進行切換。 又，在上述實施形態中，雖係設爲：沿著送訊導體 1 1Y來形成送訊電阻體13Y ,並沿著受訊導體12X來形成受 訊電阻體MX，但是，亦可將送訊電阻體13Y以及受訊電 阻體14X之各個，設爲形成在與送訊導體11Y或者是受訊 導體12X相同的方向上。又，亦可將送訊電阻體13Y以及 受訊電阻體14X，在與送訊導體11Y和受訊導體12X之間的 奕叉點相對應之區域的每一者處，以設置爲島狀的方式來 作形成。進而，送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X，係 亦可如同前述一般，以涵蓋下側基板1 6以及上側基板1 7之 —面的全體的方式來形成之。 又，亦可設爲：將送訊電阻體I3Y或者是受訊電阻體 !4X之其中一方，沿著送訊導體1 1 Y或者是受訊導體12X來 形成，並將另外一方，以涵蓋下側基板1 6或者是上側基板 17之一面全體的方式來形成之。又，亦可設爲：將送訊電 阻體13Y或者是受訊電阻體MX之其中一方，在與送訊導 體11 γ和受訊導體1 2 X之間的交叉點相對應之區域的每一 者處而設置爲島狀，並將另外一方，以涵蓋下側基板1 6或 者是上側基板1 7之一面全體的方式、亦或是以沿著送訊導 體1 1 Y或者是受訊導體12X的方式，來形成之。 在上述之第1實施形態的指示體檢測裝置中，控制電 路4〇，係設爲對於將檢測模式設爲電容觸碰檢測模式或者 -78- 201203063 是設爲電阻觸碰檢測模式一事作判定，並對放大電路32之 1/ V變換電路320 1〜32 16的各個之開關電路55作切換。 但是，如同使用圖10而作了說明一般，若是電阻膜方 式之檢測用電阻S4與檢測用電容器52之直流偏壓用電阻53 係爲略相等之電感値，則在放大電路3 2之1/ V變換電路中 ，模式切換開關電路55係成爲不必要。 另外，在此第1實施形態中，雖係針對藉由將被記憶 ζ% 在記億電路3 6Μ中之相關値和基準値ref作比較一事，來將 檢測模式切換爲電容觸碰檢測模式與電阻觸碰檢測模式之 其中一者的情況，來作了例示說明，但是，本發明係並不 被限定於此。例如，亦可設爲在各1/ V變換電路之每一者 處，來將檢測模式切換爲電阻觸碰檢測模式或者是電容觸 碰檢測模式之其中一者。若是設爲此種構成，則就算是在 有複數之指示體存在於指示輸入面100S上，且一個的指示 體係身爲懸浮狀態或者是接觸狀態，而另一個的指示體係 Q 正對於指示輸入面而施加有推壓力的情況時，亦能夠適當 地將該指示體檢測出來。 〔第2實施形態：並不進行檢測模式的切換之例，圖28〜 圖29〕 在上述之第1實施形態的指示體檢測裝置中，控制電 路40，係設爲對於將檢測模式設爲電容觸碰檢測模式或者 是設爲電阻觸碰檢測模式一事作判定，並對放大電路32之 1/ V變換電路3 2 0 1〜32 16的各個之開關電路55作切換。 -79- 201203063 但是，例如，若是指示體1S被拿到感測部1 00之指示 輸入面100 S上並與指示輸入面100S作接觸且進而位移至對 於指示輸入面1 00S作推壓之狀態之速度爲快的情況時’若 是在I/V變換電路3201〜3216之每一者處而使控制電路4〇 對於模式作切換，則會有無法與該位移速度作對應之虞。 因此，第2實施形態之指示體檢測裝置，係在上述之 第1實施形態的構成中，於放大電路3 2處使用圖1 0之構成 的1/ V變換電路，並使得使用有開關電路之模式切換成爲 不必要。在以下所說明之第2實施形態中，除了放大電路 3 2以外之構成，係與第1實施形態爲相同，在與第1實施形 態相同之部分處，係附加相同之號碼，並省略其詳細說明 。關於後述之其他實施形態，亦爲相同。 圖2 8，係爲用以對於在此第2實施型態之情況中的放 大電路3 2之構成例作說明之圖。 如同此圖2 8中所示一般，在此第2實施形態之指示體 檢測裝置中’放大電路3 2，係由與檢測區塊D B !〜D B , 6之 各個相對應之16個的I/V變換電路3201’、3202’..... 3216’所成。此I/V變換電路3201，〜3216,之各個，係如圖 10中所示一般’爲由在演算放大器51之輸入輸出端之間， 將靜電耦合方式檢測用電容器52和電阻膜方式檢測用電阻 54作了並聯連接之構成的I/V變換電路所成者。 1/ V變換電路32〇1，〜32 16,，係並不存在有與檢測模 式相對應之切換開關電路5 5。故而，在此第2實施形態中 ，控制電路40 ’係並不需要產生在第！實施形態的情況時 -80- 201203063 之對於I / V變換電路3 2 01〜3 2 1 6的切換控制訊號s W 1。因 此，控制電路40，係成爲不需要進行如同第1實施形態一 般之「對於藉由相關値算出電路3 5 0 1〜3 5 1 6所算出了的相 關値作參考，並判定出應將檢測模式設爲電容觸碰檢測模 式或者是設爲電阻觸碰檢測模式」之判定處理。而，其他 之構成，係設爲與第1實施形態相同之構成。 接著，參考圖29之流程圖，對於此第2實施形態之指 f) 示體檢測裝置中的全體之處理動作的流程之例子作說明。 此圖29之流程圖，係藉由從控制電路40而來之開始訊 號ST而開始。而，在每次產生開始訊號ST時，係實行針對 指示輸入面100S之全交叉點的1次之處理動作。 首先，若是在控制電路40輸出了開始訊號ST之後，於 時脈訊號CLK之1個週期後所產生了的送訊載入訊號st1()ad 被供給至送訊訊號供給電路2 1處，則送訊訊號供給電路2 1 ，係產生與送訊載入訊號Stlc)ad以及時脈訊號CLK作了同步 〇 的16種的展頻碼（^〜（：16，並且，開始對於送訊導體選擇 電路22之供給（步驟S201 )。 接著，控制電路40，係藉由根據送訊載入訊號Stl()ad 所產生了的切換控制訊號S W 3，來對於受訊導體選擇電路 3 1之開關電路3 1 Ο 1〜3 1 1 6作切換控制，並從檢測區塊DB i 〜DBie之各個中而選擇1根的受訊導體12X(步驟S202)。 又’控制電路4〇 ’係藉由根據送訊載入訊號stlc)adm 產生了的切換控制訊號SW2，來對於送訊導體選擇電路22 之開關電路2201〜22 16作切換控制，並從送訊區塊TB!〜 -81 - 201203063 TB16i各個中而選擇1根的送訊導體1 1 Y (步驟S203 )。 藉由上述步驟，1 6種的展頻碼C i〜C ! 6，係同時地被 同步供給至藉由送訊導體選擇電路22所選擇了的1 6根之送 訊導體11Y處（步驟S204 )。而後，受訊導體選擇電路31 ，係將從藉由此受訊導體選擇電路3 1所選擇了的1 6根之受 訊導體1 2 X而來的受訊訊號，作爲輸出訊號S ,〜S ! 6而得到 之。此輸出訊號S1〜sl6，係通過放大電路32以及A/D變 換電路3 3而被供給至演算處理電路3 5之相關値算出電路 3501〜3516的各個處（步驟S205)。 接著，在相關値算出電路3501〜3516之各個處，係分 別進行有數位樣本資料與相關値演算用碼C Γ〜C , 6 ’之間的 相關演算，並將其結果所得到了的相關値，通過相關値記 憶電路35d來寫入至輸出電路36之記憶電路36M中（步驟 S206 ) 〇 控制電路40，係判定是否對於與所選擇了的受訊導體 12X—同構成交叉點之送訊導體11Y的全部而進行了展頻 碼Ck之供給（步驟S207 )。在步驟S2〇7中，當判定展頻碼 之供給C k尙未結束時，係回到步驟S 2 0 3，並反覆進行此步 驟S203以後之處理。被作選擇之複數的送訊導體之組，由 於係爲4組，因此，在步驟S207中，係判定是否反覆進行 了 4次的步驟S203〜步驟S206之處理。 而，在步驟S207中，當判定已結束了對於與所選擇了 的受訊導體1 2X —同構成交叉點之送訊導體丨1 γ的全部之 展頻碼的供給時’係判定是否從受訊導體1 2X之全部而得 -82 - 201203063 到了輸出訊號（步驟S208 )。當在步驟S2〇8中，而判定係 對於送訊導體1 1 Y之全部而進行了送訊訊號之供給，並且 並未從受訊導體1 2X之全部而得到了輸出訊號時，係回到 步驟S202，並反覆進行此步驟S202以後之處理。被作選擇 之複數的受訊導體之組，由於係爲8組，因此，在步驟 S 2 0 8中，係判定是否反覆進行了 8次的步驟S 2 0 2〜步驟 S207之處理。 0 當在步驟S208中，而判定係對於送訊導體1 1 Y之全部 而進行了送訊訊號之供給，並且從受訊導體12X之全部而 得到了輸出訊號時，控制電路40，係對於輸出電路36作控 制，並進行指示體之位置檢測處理，而將該檢測結果輸出 (步驟S2〇9)。之後，控制電路4〇，係使處理回到步驟 S 2 02，並反覆進行此歩驟S2〇2以後之處理。 在此第2實施形態中’控制電路40，由於係並不需要 對於檢測模式作管理以及切換控制，因此，電路構成係成 Q 爲簡單。但是，如同前述一般，位置算出電路3 6 1，係能 夠藉由被記憶在記憶電路3 6 Μ中之相關値是否較基準値Γ e f 而更大一事，來判定係爲藉由靜電耦合方式和電阻膜方式 之何者的檢測方式所檢測出來的指示體，並將該判定結果 反映在指示體檢測結果之輸出資料中，此事，係與第1實 施形態相同。 又’在第1實施形態中之指示體檢測裝置，由於係對 於檢測模式作切換控制’因此，係有著難以將指示體1 8之 與指示輸入面1 〇 〇 S間的接觸狀態或者是懸浮狀態以及由指 -83- 201203063 示體1 8所致的指示輸入面1 〇 〇 s之推壓狀態同時性地檢測出 來的情況。 相對於此，在第2實施形態中之指示體檢測裝置，針 對指示輸入面100S上之指示體18，不論是靜電耦合方式或 者是電阻膜方式之何者的檢測方式，均能夠同時地檢測出 來。因此，第2實施形態之指示體檢測裝置，就算是在指 示輸入面100S上之某一交叉點處而被進行有由指示體18之 接觸所致的指示輸入，並且在其他的交叉點處而被進行有 由指示體1 8所致之推壓輸入，亦能夠容易地將此同時地檢 測出來。 〔第3實施形態〕 此第3實施形態，亦爲用以對於當在I / V變換電路 3201〜3216之每一者處而使控制電路40對於模式作切換時 會產生的無法與指示體1 8之位移速度作對應的問題作解決 者。在此第3實施形態中，係設爲將電容觸碰檢測模式和 電阻觸碰檢測模式並行地來進行。 〈第1構成例·圖30-圖32〉 在此第3實施形態之第1構成例中，係藉由將電容觸碰 檢測模式之指示體檢測處理和電阻觸碰檢測模式之指示體 檢測處理以時間分割來進行，而成爲將兩個檢測模式並行 地來進行。在此第3實施形態之第1構成例中’與第1實施 形態相同的，放大電路3 2之I / V變換電路3 2 Ο 1〜3 2 1 6 ’係 -84- 201203063 設爲圖9中所示之構成。而後，控制電路40，係具備有藉 由切換控制訊號SW1來對於I/V變換電路3201〜3216之各 個的開關電路55作切換之構成。 位置檢測電路34，係如圖30中所示一般，藉由演算處 理電路35和輸出電路360而構成之。而，在演算處理電路 35和輸出電路360之間，係設置有模式切換電路37。又， 在此第3實施形態中，係將輸出電路360之構成設爲與第1 () 實施形態之位置檢測電路34相異之構成。另外，其他之構 成，係與第1實施形態相同。 如圖30中所示一般，此例之輸出電路360，除了具備 有記憶電路36M以及位置算出電路361之外，更進而具備有 :與記憶電路36M同樣的而成爲具有與感測部100處之全部 的交叉點相對應之記憶位址的構成之電容觸碰檢測模式用 記憶體3 62以及電阻觸碰檢測模式用記憶體3 63、和合成處 理電路3 6 4。 〇 而，電容觸碰檢測模式用記憶體3 62以及電阻觸碰檢 測模式用記憶體3 63之輸出端，係被與合成處理電路364之 2個的輸入端作連接，又，合成處理電路3 64之輸出端，係 被與記憶電路36M之輸入端作連接。 模式切換電路37，係由與檢測區塊DB1〜DB16之各個 相對應之1 6個的開關電路3 7 0 1〜3 7 1 6所成。此些之開關電 路3701〜3716之各個的輸入端，係被與演算處理電路35之 16個的相關値算出電路3501〜3516之各個的輸出端作連接 -85- 201203063 開關電路3 7〇 1〜3 7 1 6之各個，係具備有C側端（輸出 端）與R側端（輸出端）。而，開關電路3 70 1〜3 7 1 6之各 個的C側端，係被與電容觸碰檢測模式用記憶體之輸入端 相連接。開關電路3701〜37 16之各個的R側端，係被與電 阻觸碰檢測模式用記憶體3 63之輸入端相連接。而，開關 電路3 70 1〜37 16之各個，係藉由從控制電路40而來之切換 控制訊號SW1，而與I/V變換電路3201〜3216之各個的開 關電路5 5處之切換同步地，來分別在電容觸碰檢測模式時 被切換至C側輸出端，並在電阻觸碰檢測模式時被切換至R 側輸出端。 在此第3實施形態之第1構成例中，由於係將電容觸碰 檢測模式與電阻觸碰檢測模式以時間分割來作切換，因此 ，切換控制訊號SW1，係作爲將此2個的檢測模式作切換 之控制訊號而被作使用。控制電路40，於此例中，若是在 電容觸碰檢測模式中而成爲了結束對於感測部1 〇〇的全部 交叉點之指示體檢測的時間點，則係將檢測模式變更爲電 阻觸碰檢測模式。而，控制電路40，係將切換控制訊號 SW1，供給至1/ V變換電路3201〜321 6之開關電路55以及 開關電路3701〜3716處，並將該開關電路55以及開關電路 3 7 0 1〜3 7 1 6之各個切換至R側端。 又，控制電路40，若是在電阻觸碰檢測模式中而成爲 了結束對於感測部1 〇 〇的全部交叉點之指示體檢測的時間 點，則係將檢測模式變更爲電容觸碰檢測模式。而，控制 電路4 0，係將切換控制訊號S W供給至I / V變換電路 -86 - 201203063 3 20 1〜3216之開關電路55以及開關電路3 70 1〜3716處’並 將該開關電路55以及開關電路3 70 1〜3 71 6之各個切換至C 側端。之後，控制電路40，係以在每一次的電容觸碰檢測 模式或者是電阻觸碰檢測模式之其中一方的檢測模式中而 成爲了結束對於感測部1 〇〇的全部交叉點之指示體檢測的 時間點處，而切換爲另外一方之檢測模式的方式，來進行 控制。 () 而，如同上述一般，由於開關電路3701〜3716係被切 換至C側端，因此，在電容觸碰檢測模式時，藉由相關値 算出電路3 5 0 1〜3 5 1 6之各個所算出了的相關値，係被寫入 至電容觸碰檢測模式用記憶體3 62中。 又，如同上述一般，由於開關電路3 70 1〜37 16係被切 換至R側端，因此，在電阻觸碰檢測模式時，藉由相關値 算出電路3 50 1〜35 16之各個所算出了的相關値，係被寫入 至電阻觸碰檢測模式用記憶體3 63中。 〇 而，合成處理電路3 64，係在每一次之電容觸碰檢測 模式與電阻觸碰檢測模式之兩個檢測模式的組合結束時， 亦即是，在開始訊號ST之每2個週期處，而將電容觸碰檢 測模式用記憶體3 62之記憶內容與電阻觸碰檢測模式用記 憶體3 63之記憶內容作合成。 合成處理電路364之合成處理，例如，係如同下述一 般地而進行。亦即是，合成處理電路364，係對於電容觸 碰檢測模式用記憶體3 62之記憶內容作參考，並尋找出成 爲較基準値ref而更小之相關値。而後，合成處理電路3 64 -87- 201203063 ’當檢測出較基準値ref而更小之相關値時，係將該相關値 ，寫入至記憶電路3 6 Μ中之與電容觸碰檢測模式用記憶體 3 62中之該相關値被寫入的位址相同之位址處。 又，合成處理電路364，係對於電阻觸碰檢測模式用 記憶體3 6 3之記憶內容作參考，並尋找出成爲基準値r e f以 上之相關値。而後，合成處理電路3 64，當檢測出基準値 ref以上之相關値時，係將該相關値，寫入至記憶電路3 6M 中之與電容觸碰檢測模式用記憶體3 62中之該相關値被寫 入的位址相同之位址處。 而，合成處理電路3 6 4，在記憶電路3 6 Μ之其他的位址 處，係設爲寫入代表「無指示體」的意思之相關値（=基 準値ref )。另外，當在進行對於電容觸碰檢測模式用記億 體3 62以及電阻觸碰檢測模式用記憶體3 6 3之相關値的寫入 時而從各個的相關値來將OFFSET値作減算的情況時，係 成爲基準値ref = 0，此事，係與前述之實施形態相同。 控制電路40，若是結束了對於記憶電路3 6M之全部交 叉點的相關値之寫入，則係將電容觸碰檢測模式用記憶體 3 62以及電阻觸碰檢測模式用記憶體3 63之記憶內容預先作 清除，以備於下一個的相關値之記憶。 而，在此第3實施形態之第1構成例中，位置算出電路 361，係設爲：在記憶電路36M之全部交叉點的記憶內容被 作了抹寫的時間點、亦即是在開始訊號S T之每2個週期處 ，針對記憶電路36M之記憶內容，而進行與前述第1實施形 態的情況時完全相同之處理，而產生輸出資料並作輸出。 -88- 201203063 參考圖3 1以及其之後續的圖3 2之流程圖，對於此第3 實施形態之第1構成例中的全體之處理動作的流程之例作 說明。 控制電路40，係從第1個的開始訊號ST之產生時間點 起’而開始由此圖3 1以及圖3 2所成之流程圖的處理。而後 ’控制電路4〇 ’係一面在每一次之產生第2個的開始訊號 S T時而對於檢測模式作切換，一面實行針對指示輸入面 ζ") 1 00S之全交叉點的1次之處理動作。並且，控制電路40， 係以在每2個的開始訊號ST處而藉由輸出電路36來進行位 置檢測處理並且將指不體檢測之輸出資料作輸出的方式來 作控制 首先，若是在控制電路40輸出了開始訊號ST之後，於 時脈訊號CLK之1個週期後所產生了的送訊載入訊號StUad 被供給至送訊訊號供給電路2 1處，則送訊訊號供給電路2 1 ，係產生與送訊載入訊號St1()ad以及時脈訊號CLK作了同步 〇 的16種的展頻碼山〜（：16，並且，開始對於送訊導體選擇 電路22之供給（步驟S301)。 接著，控制電路40，係作爲檢測模式而選擇電容觸碰 檢測模式，並藉由切換控制訊號SW 1，來將1/ V變換電路 320 1〜32 16之切換開關電路55切換至檢測用電容器52側， 並且，將開關電路3 7 0 1〜3 7 1 6切換至C側端（步驟S 3 0 2 ) 〇 接著，控制電路40，係藉由根據送訊載入訊號St1()ad 所產生了的切換控制訊號SW3，來對於受訊導體選擇電路 -89 - 201203063 3 1之開關電路3 1 Ο 1〜3 1 1 6作切換控制，並從檢測區塊D B ! 〜DB162各個中而選擇1根的受訊導體12X(步驟S303)。 又，控制電路4〇，係藉由根據送訊載入訊號stlt)adm 產生了的切換控制訊號SW2，來對於送訊導體選擇電路22 之開關電路220 1〜221 6作切換控制，並從送訊區塊TBi〜 TB162各個中而選擇1根的送訊導體11Y (步驟S304)。 藉由上述步驟，1 6種的展頻碼C ,〜C ! 6，係同時地被 同步供給至藉由送訊導體選擇電路22所選擇了的16根之送 訊導體11Y處（步驟S305)。而後，受訊導體選擇電路31 ，係將從藉由此受訊導體選擇電路3 1所選擇了的1 6根之受 訊導體12X而來的受訊訊號，作爲輸出訊號Si〜S16而得到 之。此輸出訊號S ,〜S i 6，係通過放大電路3 2以及A/ D變 換電路33而被供給至演算處理電路35之相關値算出電路 3 5 0 1〜3516的各個處（步驟S306 )。 接著，在相關値算出電路3501〜3 51 6之各個處，係進 行有數位樣本資料與相關値演算用碼C ,，〜C ! 6 ’之間的相關 演算’並將其結果所得到了的相關値，通過相關値記憶電 路35d來寫入至輸出電路36之電容觸碰檢測模式用記憶體 362中（步驟 S307)。 控制電路40，係判定是否對於與所選擇了的受訊導體 12X—同構成交叉點之送訊導體11Y的全部而進行了展頻 碼之供給（步驟S 3 0 8 )。在步驟S 3 0 8中，當判定展頻碼之 供給尙未結束時，係回到步驟S 3 04，並反覆進行此步驟 S 3 04以後之處理。送訊區塊，由於係藉由4根的送訊導體 -90- 201203063 1 2 Y所構成，因此，被選擇的複數之送訊導體的組，係爲4 組。故而，在步驟S 3 0 8中，係判定是否反覆進行了 4次的 步驟S304〜步驟S307之處理。 而，在步驟S3 08中，當判定已結束了對於與所選擇了 的受訊導體12Χ—同構成交叉點之送訊導體11Υ的全部之 展頻碼的供給時，係判定是否從受訊導體1 2Χ之全部而得 到了輸出訊號（步驟S309)。在此步驟S309中，當判定尙 ζ) 未從受訊導體1 2Χ之全部而得到輸出訊號時，係回到步驟 S3 03，並反覆進行此步驟S3 03以後之處理。檢測區塊，由 於係藉由8根的受訊導體12Χ所構成，因此，被選擇的複數 之受訊導體的組，係爲8組。故而，在步驟S3 09中，係判 定是否反覆進行了 8次的步驟S303〜步驟S308之處理。 當在步驟S 3 09中，而判定係對於送訊導體11 γ之全部 而進行了送訊訊號之供給，並且從受訊導體12Χ之全部而 得到了輸出訊號時’控制電路40，係產生下一個的開始訊 (J 號ST，並將檢測模式切換爲電阻觸碰檢測模式。亦即是， 控制電路40，係藉由切換控制訊號SW1，來將1/ V變換電 路3 20 1〜32 16之切換開關電路55切換至檢測用電阻54側， 並且’將開關電路37〇1〜3716切換至R側端（圖32的步驟 S3 1 1 ) ° 接著，控制電路40 ’係藉由根據送訊載入訊號Sti(>ad 所產生了的切換控制訊號SW3，來對於受訊導體選擇電路 3 1之開關電路3 1 0 1〜3 1 1 6作切換控制，並從檢測區塊〇 B 1 〜DBie之各個中而選擇1根的受訊導體12X (步驟S312)。 -91 - 201203063 又，控制電路40，係藉由根據送訊載入訊號St1()a(1所 產生了的切換控制訊號SW2，來對於送訊導體選擇電路22 之開關電路220 1〜22 16作切換控制’並從送訊區塊TB!〜 TB16i各個中而選擇1根的送訊導體11Y (步驟S313)。 藉由上述步驟，16種的展頻碼<^〜（：16，係同時地被 同步供給至藉由送訊導體選擇電路22所選擇了的16根之送 訊導體11Y處（步驟S314)。而後，受訊導體選擇電路31 ，係將從藉由此受訊導體選擇電路3 1所選擇了的1 6根之受 訊導體12X而來的受訊訊號，作爲輸出訊號Si〜S16而得到 之。此輸出訊號S,〜SI6，係通過放大電路32以及A/D變 換電路3 3而被供給至演算處理電路3 5之相關値算出電路 3501〜3516的各個處（步驟S315)。 接著，在相關値算出電路3 50 1〜35 16之各個處，係進 行有數位樣本資料與相關値演算用碼C,’〜C16’之間的相關 演算，並將其結果所得到了的相關値，通過相關値記憶電 路3 5 d來寫入至輸出電路3 6之電阻觸碰檢測模式用記憶體 363 中（步驟 S3 16 )。 控制電路40，係判定是否對於與所選擇了的受訊導體 12X—同構成交叉點之送訊導體11Y的全部而進行了展頻 碼之供給（步驟S 3 1 7 )。在步驟S 3 1 7中，當判定展頻碼之 供給尙未結束時，係回到步驟S3 1 3，並反覆進行此步驟 S 3 1 3以後之處理。被選擇的複數之送訊導體的組，由於係 爲4組，因此，在步驟S317中，係判定是否反覆進行了 4次 的步驟S 3 1 3〜步驟S 3 1 6之處理。 -92- 201203063 而，在步驟S3 17中，當判定已結束了對於與所選擇了 的受訊導體12X—同構成交叉點之送訊導體11Y的全部之 展頻碼的供給時，係判定是否對於送訊導體1 1 Υ之全部而 進行了送訊訊號之供給並且從受訊導體1 2Χ之全部而得到 了輸出訊號（步驟S318)。在步驟S318中’當判定尙未對 於送訊導體11Y之全部而進行了送訊訊號之供給並且從受 訊導體12X之全部而得到了輸出訊號時，係回到步驟S3 12 0 ’並反覆進行此步驟S 3 1 2以後之處理。被選擇的複數之受 訊導體的組，由於係爲8組’因此’在步驟s 3 1 8中’係判 定是否反覆進行了 8次的步驟S312〜步驟S317之處理。 當在步驟S 3 1 8中，而判定係對於送訊導體1 1 Y之全部 而進行了送訊訊號之供給，並且從受訊導體12X之全部而 得到了輸出訊號時，輸出電路36之合成處理電路364，係 如同前述一般，對於電容觸碰檢測模式用記憶體3 62與電 阻觸碰檢測模式用記憶體3 63之記憶內容作參考，並且作 C) 合成，而將該合成結果寫入至記憶電路36M中。而後，位 置算出電路3 6 1，係針對記憶電路3 6M之記憶內容，而進行 如同前述一般之位置檢測處理以及指示體檢測結果的輸出 資料之產生處理，並將所產生了的輸出資料作輸出（步驟 S3 1 9 )。 控制電路4 〇，在步驟S 3 1 9之後，係回到步驟S 3 0 2，並 再度開始由電容觸碰檢測模式所致之指示體檢測。之後， 控制電路40，係反覆進行上述之步驟S302以後之處理。 如此這般’在此第3實施形態之第1構成例中，係以開 -93- 201203063 始訊號ST之2週期的單位’來得到指示體檢測結果之輸出 資料。 另外，在以上之第3實施形態的第1構成例中，係設爲 使用有電容觸碰檢測模式用記憶體3 62、電阻觸碰檢測模 式用記憶體3 6 3以及記億電路3 6 Μ之3個的記憶體。但是’ 若是在記憶電路36Μ中’使用可進行覆寫（overwrite)之 記憶體，並且設爲下述一般之構成’則亦能夠將電容觸碰 檢測模式用記憶體3 62和電阻觸碰檢測模式用記憶體3 63省 略，並設爲僅使用有1個的記憶體（亦即是記憶電路3 6 Μ ) 之構成。 亦即是，位置檢測電路34，係在開始訊號ST之2週期 單位的前半，而進行在電容觸碰檢測模式和電阻觸碰檢測 模式之其中一方的檢測模式下之指示體檢測的相關値之算 出，並將所算出了的相關値寫入至記憶電路36Μ中。 之後，位置檢測電路3 4，係在開始訊號S Τ之2週期單 位的後半，進行在另外一方之檢測模式下的指示體檢測之 相關値的算出。又，位置檢測電路3 4，係在進行所算出了 的相關値之對於記憶電路3 6Μ的寫入時，將所算出了的相 關値與基準値ref作比較參考，並根據該比較參考結果，來 決定是否實行對於記憶電路36M之寫入。 亦即是，當想要新寫入之在另外一方的檢測模式下所 算出了的相關値，係爲與基準値ref相同之値時，則係並不 將該相關値寫入至記憶電路3 6 Μ中之相對應的位址處。又 ’當想要新寫入之在另外一方的檢測模式下所算出了的相 -94- 201203063 關値，係爲與基準値ref相異之値時，則係對於已被寫入至 記憶電路3 6M之相對應的位址處的相關値作參考，當該相 關値係與基準値r e f相等的情況時，則係藉由將想要新寫入 之相關値作覆寫（overwrite )，來實行寫入。倘若，當該 對應位址之相關値，係成爲代表指示體的存在之與基準値 ref相異之値時，則係將該已完成寫入的相關値保留，而並 不進行想要新寫入之相關値的寫入。 如同上述一般’藉由對於2個的檢測模式之算出結果 的對於記憶電路3 6M之寫入作控制，被設置在輸出電路3 6 處之全交叉點之量的記憶體，係成爲僅需要記憶電路3 6M 之1個即可。 另外，在上述之構成例1中，雖係設爲將電容觸碰檢 測模式和電阻觸碰檢測模式在每一開始訊號ST處而作切換 ，但是，檢測模式之切換時序，係並不被限定於此。例如 ，亦可將時脈訊號c LK之1個週期的區間，2分割爲電容觸 〇 碰檢測模式用與電阻觸碰檢測模式用，並設爲在時脈訊號 CLK之每1/2週期處，而將電容觸碰檢測模式與電阻觸碰 檢測模式交互地作切換。另外，於此情況，受訊部3 00之 電路，係構成爲以上述之實施形態的2倍之時脈速率來動 作。 又，亦可將同步且同時地將1 6種之展頻碼供給至複數 之送訊導體處的期間，設爲展頻碼之2個週期，並在其之 前半的1個週期、和後半的1個週期處，而將電容觸碰檢測 模式和電阻觸碰檢測模式交互地作切換。 -95- 201203063 〈第2構成例：圖33 > 第3貫施形態之第2構成例’係將電容觸碰檢測模式之 指示體檢測處理、和電阻觸碰檢測模式之指示體檢測處理 ，並非以時間分割來實行，而是恆常地並行作實行。 圖3 3 ’係爲對於此第3實施形態之第2構成例的情況時 之指示體檢測裝置的受訊部3 00之構成例作展示者。另外 ’其他之構成’係與第1實施形態相同。 如此圖3 3中所示一般，在此第2構成例中，於受訊部 3 〇 〇處’係作爲電容觸碰檢測模式用，而設置有放大電路 32C、和A/D變換電路33C、和演算處理電路35C，又，係 作爲電阻觸碰檢測模式用，而設置有放大電路32R、和A/ D變換電路33R、和演算處理電路35R。又，在位置檢測電 路3 4處，係與第1構成例相同的而設置有輸出電路3 6 〇。 在此第2構成例中之受訊導體選擇電路3 1 ’，係將在前 述第1實施形態中使用圖1 4所作了說明的1 6個的開關電路 ，具備有電容觸碰檢測模式用和電阻觸碰檢測模式用的2 組。亦即是，在受訊導體選擇電路3 1 ’中，開關電路3 1 Ο 1 C 〜3 1 1 6 C，係爲電容觸碰檢測模式用，又’開關電路3 1 0 1 R 〜3 1 1 6R，係爲電阻觸碰檢測模式用。 而，開關電路3 1 0 1 C〜3 1 1 6 C，係如同前述一般，將從 相對應之檢測區塊DB,〜〇816的受訊導體中所選擇的1根之 受訊導體而來的輸出訊號（電流訊號）SlC〜Si 6C作輸出。 又，開關電路3 1 0 1 R〜3 1 1 6R，亦同樣的’將從相對應之檢 -96- 201203063 測區塊DBi-DB^的受訊導體中所選擇的1根之受訊導體而 來的輸出訊號（電流訊號）SiR-SieR作輸出。但是，在開 關電路3101C〜3116C和開關電路3101R〜3116R處，係以不 會同時地對於相同之受訊導體作選擇的方式，而藉由從控 制電路4 0而來之切換控制訊號而被作切換。 亦即是，例如’若是以對於檢測區塊DB i之1根的受訊 導體作選擇之開關電路3 1 0 1 C和開關電路3 1 0 1 R的情況作爲 0 例子’則當開關電路3101C對於受訊導體12X!作選擇時， 開關電路3 1 0 1 R，係對於偏移了 1根的位置處之受訊導體 12X2作選擇，接著，當開關電路31〇iC對於受訊導體12Χ2 作選擇時，開關電路3101R，係對於偏移了 1根的位置處之 受訊導體12X3作選擇，…，以此方式，而對於開關電路 3101C與開關電路3101R作切換。 放大電路32C以及放大電路32R之各個，係與前述之第 1實施形態的放大電路32相同的，具備有將受訊導體選擇 〇 電路31’之輸出訊號（電流訊號）S!c〜S16C以及SiR〜 S16R之各個作放大並且變換爲電壓訊號之16個的I/V變換 電路（省略圖示）。於此情況，放大電路32C之16個的1/ V變換電路之各個，係設爲圖5中所示之靜電耦合方式用的 構成。又，放大電路32R之16個的I/V變換電路之各個， 係設爲圖8中所示之電阻膜方式用的構成。 而後，受訊導體選擇電路31’之輸出訊號SiC〜Si 6C， 係被輸入至放大電路32C之16個的I/V變換電路中，又， 輸出訊號SiR〜SI6R，係被輸入至放大電路3 2R中。 -97- 201203063 A/D變換電路33C以及33R之各個，係與前述之第1以 及第2實施形態中之A/D變換電路33相同的’具備有將放 大電路32C以及32R之16個的I/V變換電路之輸出訊號變換 爲與時脈訊號CLK同步的數位樣本資料之16個的A/ D變換 器。 於此例中，放大電路32C之16個的I/V變換電路之輸 出端，係分別被與A/D變換電路33C之16個的A/D變換器 之各個的輸入端相連接。又，放大電路32R之16個的I/V 變換電路之輸出端，係被與A/ D變換電路33R之16個的A / D變換器之各個的輸入端相連接。 演算處理電路3 5 C以及3 5 R之各個，係與前述之第1以 及第2實施形態中的演算處理電路3 5相同的，在輸入側處 ，具備有1 6個的相關値算出電路，該些相關値算出電路， 係分別具備有與展頻碼之1 6碼片相對應的1 6段之橫移暫存 器。 於此例中，A/D變換電路33C之I6個的A/D變換器之 各個的輸出端，係被與演算處理電路3 5 C之1 6個的相關値 算出電路之各個的輸入端相連接。又，A/D變換電路33R 之16個的A/D變換器之各個的輸出端，係被與演算處理 電路35R之1 6個的相關値算出電路之各個的輸入端相連接 〇 而後’演算處理電路35C之16個的相關値算出電路之 各個的輸出，係被供給至電容觸碰檢測模式用記憶體3 6 2 處’又’演算處理電路個的相關値算出電路之各 -98 - 201203063 個的輸出，係被供給至電阻觸碰檢測模式用記憶體3 6 3處 〇 由於係如同上述一般地而構成，因此，受訊導體選擇 電路31’之輸出訊號S!C〜S16C的各個，係在放大電路32C 之16個的I/V變換電路之各個處而被作放大，並被變換爲 電壓訊號。從此放大電路32C之16個的I/V變換電路之各 個而來的輸出訊號，係在A/D變換電路33C所具備之16個 f) 的A/ D變換器之各個處，被變換爲數位樣本資料。 而後，從此A/ D變換電路33C而來之數位樣本資料的 各個，係被傳輸至演算處理電路35C之16個的相關値算出 電路之各個所具備的橫移暫存器處並被作保持。 而，在演算處理電路35C之16個的相關値算出電路中 ，係如同前述一般，在各個的橫移暫存器處所被作保持之 數位樣本資料、和1 6個的相關値演算用碼，係被作相關演 算，所算出了的相關値，係被寫入至輸出電路360之電容 〇 觸碰檢測模式用記憶體362中。 如此這般，在電容觸碰檢測模式用記憶體3 62中，作 爲由靜電耦合方式所致之指示體的檢測結果，感測部1 〇〇 之全交叉點的相關値，係在開始訊號ST之1週期的期間中 而被作寫入。 與此並行地，在電阻觸碰檢測模式用記憶體3 63中， 亦同樣的，作爲由電阻膜方式所致之指示體的檢測結果， 感測部1 00之全交叉點的相關値，係在開始訊號ST之1週期 的期間中而被作寫入。 -99- 201203063 亦即是，受訊導體選擇電路31之輸出訊號SiR〜S16R 的各個，係在放大電路32R之16個的I/V變換電路之各個 處而被作放大，並被變換爲電壓訊號。從此放大電路3 2 R 而來的輸出訊號，係在A/D變換電路33R所具備之16個的 A/D變換器處，被變換爲數位樣本資料。 而後，從此A/ D變換電路3 3 R而來之數位樣本資料， 係分別被傳輸至演算處理電路35R之16個的相關値算出電 路所分別具備的橫移暫存器處並被作保持。 而，在演算處理電路35R之16個的相關値算出電路中 ，係如同前述一般，對於在各個的橫移暫存器處所被作保 持之數位樣本資料、和1 6個的相關値演算用碼，而進行相 關演算，所算出了的相關値，係被寫入至輸出電路360之 電阻觸碰檢測模式用記憶體3 6 3中。 如此這般，若是在電容觸碰檢測模式用記憶體3 62以 及電阻觸碰檢測模式用記憶體3 6 3中，被寫入了與感測部 100之全交叉點相對應的相關値，則合成處理電路3 64，係 與前述之第3實施形態的第1構成例的情況相同地，而針對 被記憶在電容觸碰檢測模式用記憶體3 6 2以及電阻觸碰檢 測模式用記憶體363中之相關値進行合成處理。而後，合 成處理電路3 64，係與前述之第3實施形態之第1構成例的 情況相同地，將合成處理後之相關値寫入至記憶電路3 6M 中。 如此這般，在記憶電路3 6 Μ中，係於開始訊號s T之每 1週期處，而被寫入有在電容觸碰檢測模式用記憶體3 62以 -100 - 201203063 及電阻觸碰檢測模式用記憶體3 63中所被記憶之相關値的 合成處理結果之相關値。 位置算出電路361，係因應於從控制電路40而來之控 制訊號，而在開始訊號ST之每1週期處，根據被記億在記 憶電路3 6M中之相關値，來產生位置檢測處理以及指示體 檢測之輸出資料並作輸出。 另外，在以上之第3實施形態的第2構成例中，亦係與 0 第1構成例相同的，可設爲下述一般之構成：亦即是，在 記憶電路3 6 Μ處，使用可作覆寫（〇 v e r w r i t e )之記憶體， 並且，藉由對於以電容觸碰檢測模式所算出之相關値和以 電阻觸碰檢測模式所算出之相關値如同下述一般地進行合 成處理，而成爲能夠將電容觸碰檢測模式用記億體362和 電阻觸碰檢測模式用記憶體3 63作省略，並僅使用1個的與 全交叉點相對應之記憶體（亦即是記憶電路3 6M )之構成 〇 〇 亦即是，合成處理電路3 64，係在對於從演算處理電 路3 5C而來之相關値的輸出與從演算處理電路35R而來之相 關値的輸出作了合成處理後，再寫入至記憶電路3 6M中。 於此情況，合成處理電路364，係針對同一之交叉點 ’而對於從演算處理電路3 5 C而來之以電容觸碰檢測模式 所算出了的相關値、和從演算處理電路3 5 R而來之以電阻 觸碰檢測模式所算出了的相關値，此兩者間作比較參考， 並根據該比較參考結果，來決定作寫入之相關値。 亦即是，在同一之交叉點處，當以電容觸碰檢測模式 -101 - 201203063 所算出了的相關値和以電阻觸碰檢測模式所算出了的相關 値均係成爲與基準値ref相等之値時，則係作爲該交叉點之 相關値，而將基準値ref寫入至記憶電路36M中。 又，在同一之交叉點處，當像是以電容觸碰檢測模式 所算出了的相關値係爲基準値ref以下之値、或者是以電阻 觸碰檢測模式所算出了的相關値係成爲較基準値ref而更大 之値一般之2個的相關値之其中一方係成爲相較於基準値 ref而在與各別的檢測模式相對應之方向上有所差異之値的 情況時，則係將該相關値作爲該交叉點之相關値來寫入至 記憶電路36M中。 若依據此第3實施形態之第2構成例，則指示體檢測結 果，係與第1實施形態相同的，在開始訊號S T之每1週期處 而得到之。而且，係能夠進行在指示輸入面1 0 0 S上之複數 的相異之交叉點處的指示體之檢測，並能夠將身爲接觸或 是懸浮狀態的指示體和正對於交叉點作推壓之指示體同時 地檢測出來。 〔第4實施形態：作爲展頻碼而使用哈德瑪得碼的情況時 之改良構成例〕 此第4實施形態’係爲第1實施形態之指示體檢測裝置 的改良例。 在第1實施形態之指示體檢測裝置中，係將從送訊部 2 00而來之送訊訊號供給至送訊導體〗i γ處，並從和此送訊 導體1 1 Y作空間性交叉之受訊導體丨2 X來得到與送訊訊號 -102 - 201203063 (電壓訊號）相對應之受訊訊號（電流訊號）。而後，根 據指示體並不存在於指示輸入面10 0S上時之受訊訊號的電 流値和身爲懸浮狀態或者是接觸狀態等之指示體存在於指 示輸入面100S上時之受訊訊號的電流値係互爲相異一事， 來藉由檢測出該受訊訊號之電流變化而進行指示輸入面 100S上之指示體的檢測。
於此情況，在電容觸碰檢測模式中而從受訊導體1 2X Q 所得到的受訊訊號，由於係爲低準位，因此，在放大電路 32之I/V變換電路處，係需要採用充分大的增益（GAIN )，此事，係爲重要。 另外，在上述之實施形態中，係將複數之送訊訊號同 時地供給至複數之送訊導體處，並在受訊部3 00處而將與 該複數之送訊訊號相對應的受訊訊號成分作分離並檢測出 來，藉由此，而構成爲能夠進行高速之指示體檢測。 而，在上述實施形態中，作爲複數之送訊訊號，係設 〇 爲使用展頻碼，特別是，作爲展頻碼’係使用相互作正交 且相互之分離度爲高的哈德瑪得碼。例如’在上述實施形 態中，係如同於圖34(A)中亦有所展示一般’產生16行X 1 6列的哈德瑪得行列，並將此哈德瑪得行列之各行的哈德 瑪得碼，作爲1 6個的展頻碼C !〜C i 6來使用。 而且，在上述實施形態中，係設爲將16個的展頻碼Ci 〜C16同步且同時地供給至16根的送訊導體1 1Y處。亦即是 ，在圖34(A)中，16個的展頻碼C!〜C16，係將各碼片 PN! ' PN2.....PN, 6之各個同步且同時地供給至16根的送 -103- 201203063 訊導體處。 故而，從與此16根的送訊導體1 1Y相交叉之1根的受訊 導體1 2X，係作爲受訊訊號，而得到有與將1 6個的展頻碼 山〜（：16之各碼片ΡΝι、PN2.....PN16之各個的資料作了 加算者相當之訊號。亦即是，係成爲在身爲送訊訊號之展 頻碼C! ~ C16的每1碼片處，而從受訊導體12X之各個來得 到有與將圖3 4 ( A )之哈德瑪得行列的列方向之相同碼片 位置的資料作了加算者相等之電流訊號。 此圖34 ( A )之例中的由1 6個的哈德瑪得碼所成之展 頻碼<^〜€16，最上方之行的展頻碼（^之16個的碼片，係 全部成爲「1」，但是，其他的展頻碼C2〜C16之16個的碼 片，係由8個的「1」與8個的「-1」所成。 而，圖3 4 ( A )之哈德瑪得行列，係爲對稱行列，行 方向之碼列和列方向之碼列，係爲相同。故而，列方向之 碼列，亦係爲哈德瑪得碼，如同由圖3 4 ( A )而可得知一 般，在1 6種的展頻碼C !〜C , 6之最初的碼片P N ,的時序處， 從1根的受訊導體12X，係成爲得到有與將16個的「1」作 了加算者相當之電流訊號。又，在16個的展頻碼（^〜（：16 之第2個以後的碼片PN2〜PN162各個的時序處，從1根的 受訊導體1 2X，係得到有將8個的「1」與8個的「- 1」作了 加算之〇準位的電流訊號。 放大電路3 2之1/ V變換電路的放大增益，係有必要設 定爲在全部的碼片之時序處均不會飽和’並且能夠得到與 應檢測出之電流訊號的準位相對應之輸出訊號。因此，作 -104- 201203063 爲展頻碼（^〜0：16，當使用有圖34 (A)之16碼片的哈德瑪 得碼的情況時，放大電路32之1/V變換電路的放大增益， 係有必要設定爲就算是針對最初之碼片PN!的時序處之與 將1 6個的「1」作了加算者相當之電流訊號亦不會成爲飽 和一般的較小之放大率。但是，若是設定爲此種較小的放 大率，則作爲放大電路32之I/V變換電路的放大增益，在 用以檢測出於靜電耦合方式中的低準位之電流變化一事上 ，係有著並不充分之虞。 因此，在此第4實施形態中，係對於在圖34 ( A )中所 示的16行X 16列之哈德瑪得行列中的16個的展頻碼C!〜C16 ，而並不使用全部成爲「1」之最初的1碼片PK，並將由 1 5碼片所成之1 6個的送訊訊號供給電路MCi〜MC16 (參考 圖34(B))，作爲從送訊訊號供給電路21所產生之展頻 碼來作使用。 亦即是，此16個的展頻碼MCi〜MCi6’係如同由圖34 (B)而可得知一般，爲將圖34(A)之16碼片的展頻碼C, 〜C16之第2個以後的碼片PN2〜？>^16作爲其之15碼片PN!~ 卩>115者。故而，在此16個的展頻碼MCi〜；\1(：16之15碼片 PNi-PN^之各碼片的時序處，係成爲將8個的「1」與8個 的「-1」供給至8根的送訊導體1 1 Y處之狀態。因此，在與 該8根的送訊導體相交叉之1根的受訊導體12X處，係成爲 得到將8個的「1」和8個的「-1」作了加算之〇準位的電流 訊號，而不會有如同1 6碼片的情況時一般之在前端之碼片 的時序處而成爲大準位之電流訊號的事態。 -105- 201203063 故而，在此第4實施形態之指示體檢測裝置 爲能夠將放大電路32 1/ V變換電路的放大增益 大。 另外，作爲從送訊訊號供給電路2 1所產生之 頻碼，當如同此例一般而使用在16x1 6之哈德瑪 而並不使用與全部成爲「1」的列相對應之前端 展頻碼MCi〜MC16的情況時，係得知會發生如同 的問題。以下，爲了簡單化，以4x4的哈德瑪得 來對於此問題作說明。另外，此問題，係發生在 方式之指示體檢測中。 圖3 5以及圖3 6，係對於下述一般之情況作展 是，將把4 X 4之哈德瑪得行列的各行之哈德瑪得 均作爲碼片來使用的展頻碼山〜（：4，同步且同時 4根的送訊導體1 1 Yi〜1 1 丫4處，並獲得了從1根的 12X所得到之受訊訊號（電流訊號）與展頻碼匕 個間的相關値。 圖35，係對於指示體並不存在於指示輸入面 情況作展示，圖3 6，係對於指示體1 8在送訊導體 訊導體1 2 X,之間的交叉點處而例如作了接觸的情 。另外，在圖3 5以及圖3 6中，係與前述之例相配 用以得到受訊訊號與展頻碼C 1〜C 4之各個間的相 關値演算用碼，記載爲展頻碼（：1’〜C4，。 而，於以下之說明中，當在指示體18並不存 輸入面1 0 0 S上的狀態下而將展頻碼c i〜C 4施加於 中，係成 設定爲更 1 6個的展 得行列中 的碼片之 下述一般 行列爲例 靜電親合 示，亦即 碼的全部 地供給至 受訊導體 〜C4之各 1 0 0 S上的 1 1 Y2與受 況作展示 合，而將 關値之相 在於指示 各送訊導 -106- 201203063 體11Y處時’係設爲從與4根的送訊導體11Υι〜11Υ4之各個 相交叉的受訊導體1 2 X!而得到了與被供給至4根的送訊導 體ιιυ!〜 11Υ4處之送訊訊號相對應了的Di〜D4之訊號準位 〇 而’在圖3 5以及圖3 6中’從受訊導體丨2X ,所得到了的 受訊訊號，係通過具備有由演算放大器51與檢測用電容器 52所成之1/ V變換電路的放大電路32，而被供給至a/D () 變換電路3 3處。而後’從受訊導體1 2 X!所得到了的受訊訊 號，係在A/D變換電路33處而被變換爲數位樣本資料， 並被設爲與展頻碼<^〜（：4之4碼片相對應的輸出訊號pSl、 PS2、PS3、PS4，而被保持在相關値算出電路之橫移暫存 器35a中。 而後，與被保持在此橫移暫存器35a中之展頻碼的4碼 片相對應之輸出訊號PS!〜PS4、和相關値演算用碼C,’〜 C4 ’，係被供給至相關器3 5b處’並被進行相關演算。 〇 首先，如圖35中所示一般’針對指示體18並不存在於 指示輸入面100S上的狀態下之輸出訊號PS!、PS2、PS3、 PS4之値和相關値作說明。 如同前述一般，展頻碼Cl〜c4之最初的碼片’由於係 均爲「1」，因此，輸出訊號PSii値’係成爲如同在圖35 之左下所示一般之大的値。故而’如同於前亦有所敘述一 般，作爲展頻碼Cl〜c4，當使用有4碼片的哈德瑪得碼的 情況時，放大電路3 2之1/ V變換電路的放大增益’係有必 要設定爲就算是針對上述的最初之碼片PSl的時序處之與 -107- 201203063 將4個的「1」作了加算者相當之大的値的電流訊號亦不會 成爲飽和一般的較小之放大率。因此，若是如此這般地設 定爲較小的放大率，則作爲放大電路3 2之I / V變換電路的 放大增益，在用以檢測出於靜電耦合方式中的低準位之電 流變化一事上，係有著並不充分之虞。另外，與第2碼片 後相對應之輸出訊號PS2、PS3、PS4之値，係成爲0。 而，被保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號PS,〜PS4 和相關値演算用碼C!’〜C4’之各個間的4個的相關値，由於 輸出訊號PS,係爲並非爲0之値，因此，係如同在圖35之右 下所示一般，全部成爲特定之値。於此情況，若是假設送 訊導體1 1 Y,〜1 1 Y4與受訊導體12乂，之間的交叉點之靜電耦 合容量係全部爲相等，則由於係成爲01=02=〇3=〇4，因 此，如同前述一般，當指示體18並不存在於指示輸入面 1 0 0 S上的狀態時之相關値，係成爲全部爲相等之値（前述 之基準値ref)。 接下來，如圖3 6中所示一般，針對指示體1 8與送訊導 體1 1Y2和受訊導體12X,之間的交叉點而例如作了接觸的狀 態下之輸出訊號P S ,、p s 2、P S 3、P S 4之値和相關値作說明 〇 於此情況，由於指示體18係與送訊導體1 1丫2和受訊導 體之間的交叉點作接觸，因此，訊號準位！)2係減少。 故而，輸出訊號PS,、ps2、PS3、PS4之各個的値，係如同 在圖3 6之左下所示一般，成爲反映有該訊號準位D2之減少 量者。 -108- 201203063 而，被保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號PSi〜PS4 和相關値演算用碼’〜C4’之各個間的4個的相關値，係成 爲如同在圖3 6之右下所示一般之値。亦即是，僅有關於與 展頻碼C2相對應之相關値演算用碼C2 ’的相關値，係成爲 相較於基準値ref而更小了訊號準位D2之減少量，其他之3 個的相關値，係成爲基準値ref。 於此情況，在數位樣本資料PSi、PS3、PS4之各個處 0 所出現的對於訊號準位D2之減少量作了反映的成分，由於 係在與相關値演算用碼C i ’、C 3 ’、C4’之間的相關値之演算 時而被相互抵消，因此’在相關値中係並不會出現，相關 値係成爲基準値ref。又，關於與展頻碼C2相對應之相關値 演算用碼C 2 ’的相關値，係成爲相較於基準値re f而更小了 正確地反映了訊號準位D 2之減少量的量。 故而，如同前述一般，若是從算出了的相關値而將身 爲「當指示體18並不存在於指示輸入面100S上的狀態下之 Q 相關値」的基準値ref作減算’則僅有關於與展頻碼c2相對 應之相關値演算用碼C2’的相關値’會成爲與訊號準位D2 之減少量正確地作了對應之負的値。 接著，爲了對於當將4 X 4之哈德瑪得行列的各行之哈 德瑪得碼的最初之1碼片作了使用的情況時之必須使放大 電路3 2之1/ V變換電路的放大增益變小的問題作解決，係 只要如同前述一般而使用前述之並不利用最初的1碼片之 展頻碼MCi〜MC4即可。 參考圖3 7以及圖3 8，針對將並不使用4 X 4之哈德瑪得 -109- 201203063 行列的各行之哈德瑪得碼之最初的1碼片的展頻碼M c t〜 MC4同步且同時地供給至4根的送訊導體〗丨γ]〜丨ιγ4處， 並獲得了從1根的受訊導體丨2 X】所得到之受訊訊號與展頻 碼MC ,〜MC4之各個間的相關値的情況作說明。另外，在 圖3 7以及圖3 8中，係與前述之例相配合，而將用以得到受 訊訊號與展頻碼MC i〜MC4之各個間的相關値之相關値演 算用碼’記載爲展頻碼MCT〜MC4，。 亦即是’圖37以及圖38，係爲分別與圖35以及圖36之 各個而相對應之圖’圖3 7 ’係對於指示體丨8並不存在於指 示輸入面1 0 0 S上的情況作展示，圖3 8，係對於指示體丨8在 送訊導體1 1 Y2與受訊導體i 2 X i之間的交叉點處而例如作了 接觸的情況作展示。 在此圖3 7以及圖3 8中，從受訊導體1 2 X ,所得到了的受 訊訊號’係通過放大電路32而被供給至A/ D變換電路33 處，並被設爲與展頻碼MC,〜MC4之3碼片相對應的輸出訊 號PS2、PS;、PS* ’而被保持在相關値算出電路之橫移暫 存器35a中。 而後，被保持在此橫移暫存器35a中之輸出訊號PS2〜 P S 4、和相關値演算用碼M C Γ〜M C 4 ’，係被供給至相關器 3 5 b處，並被進行相關演算。 首先，如圖37中所示一般，針對指示體18並不存在於 指示輸入面100S上的狀態下之輸出訊號pS2、PS3、PS4之 値和相關値作說明。 如同前述一般’與展頻碼MCi'MC*之各碼片相對應 -110 - 201203063 之輸出訊號PS2、PS3、PS4之値，係成爲0。而’被保持在 橫移暫存器35a中之輸出訊號PS2〜ps4和相關値演算用碼 MCT〜MC4’之各個間的4個的相關値，亦係如同在圖37之 右下所示一般，而全部成爲〇。亦即是，於此情況，相關 値之基準値re f係成爲0，而相關値亦成爲〇。 接下來，如圖38中所示一般，針對指示體18與送訊導 體1 1 Υ2和受訊導體1 2X!之間的交叉點而例如作了接觸的狀 f) 態下之輸出訊號PS2、PS3、PS4之値和相關値作說明。 於此情況，由於指示體1 8係與送訊導體1 1Y2和受訊導 體1 2X!之間的交叉點作接觸，因此，訊號準位02係減少。 故而，輸出訊號PS2、PS3、PS4之各個的値，係如同在圖 38之左下所示一般，成爲反映有該訊號準位D2之減少量者 ，而並不會成爲〇。 而，被保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號PS2〜PS4 和相關値演算用碼C!’〜C4’之各個間的4個的相關値，係成 Ο 爲如同在圖38之右下所示一般之値。亦即是，關於與展頻 碼C 2相對應之相關値演算用碼C 2 ’的相關値，係成爲相較 於〇而更變小了訊號準位〇2之減少量，並且，其他之3個的 相關値，係成爲相較於〇而更偏移了訊號準位D 2之減少量 (稱爲OFFSET )者。 於此情況，4個的相關値之平均準位，係成爲〇。而， 4個的相關値，係成爲因應於指示體之接觸狀態或者是懸 浮之狀態而以0作爲平均値來作上下變動者。 因此，當將關於與指示體1 8所作接觸之原本的交叉點 -111 - 201203063 相對應的展頻碼之相關値，作爲基準準位ref二0而檢測出 來的情況時，會產生下述之問題：亦即是，藉由靜電耦合 方式所檢測出的在指示體所存在之交叉點處所所得到之負 極性的相關値，係成爲減少了前述OFF SET之量，而有著 無法正確地進行指示體的檢測之虞。 爲了解決此問題，若是藉由圖3 8之例來作說明，則只 要將在輸出訊號PS2、PS3、PS4與相關値演算用碼cr、C3’ 、C4’之間的相關値中所出現的OFFSET量，從所算出的相 關値而檢去並作校正即可。此係因爲，如此一來，由於係 能夠將在指示體位置檢測中所使用的相關値ref ’在將 OFFSET量作了排除的狀態下而設爲0，因此，係能夠將負 的相關値正確地檢測出來之故。 在輸出訊號PS2、PS3、PS4與相關値演算用碼Ci’、c3’ 、c4’之間的相關値中所出現的前述OFFSET量，若是在圖 3 8之例中，則係爲由於指示體18與送訊導體11Y2和受訊導 體1 2Χ ,之間的交叉點作接觸而減少了訊號準位D2所產生者 。而，此OFF SET量，係能夠根據關於通過了並未藉由指 示體18而被作接觸或者是指示輸入的其他之送訊導體llYi 、1 1 Y 3、1 1 Y4的展頻碼之相關値，而正確地檢測出來。 但是，於此，應注意到，檢測出OFF SET量之送訊導 體11Y，在指示輸入面l〇〇S處，當藉由指示體18而被進行 了接觸等之指示輸入時，係爲並未藉由該指示體18而被進 行有接觸等之指示輸入的位置處之送訊導體1 1 Y。故而， 爲了滿足此條件，係需要恆常將檢測出OFFSET量的送訊 -112 - 201203063 導體11Y設爲並未藉由指示體18而被進行有接觸等之指示 輸入的狀態。 作爲用以達成上述條件之其中一個方法，係只要將碼 互爲相異之複數個的展頻碼中之任意1個的展頻碼，設爲 從以不會檢測出由指示體1 8所進行之接觸等的指示輸入的 方式而被施加有遮罩處理等之送訊導體1 1 Y處來獲取即可 〇 f) 然而，要對於送訊導體1 1 Y而施加此種遮罩處理一事 ，係爲困難。又，就算是能夠施加遮罩處理，感測部1 00 之構造亦會成爲複雜，而有著使成本變高之虞。 因此，在此第4實施形態中，係設爲將碼互爲相異之 複數個的展頻碼中之任意的1個的展頻碼，並不供給至送 訊導體11Y處地而直接供給至受訊導體12X之輸出訊號處 。此係因爲，若是設爲此種構成，則該展頻碼，係能夠並 不透過藉由指示體18而被進行了接觸等之指示輸入的交叉 〇 點地來施加於受訊導體12X之輸出訊號處，並能夠作爲該 展頻碼之相關値來將OFFSET量檢測出來之故。而，藉由 以所檢測出的OFF SET量來對於在相關値算出電路處所算 出了的相關値作校正，係成爲能夠恆常地正確進行指示體 之檢測。， 在圖3 9以及圖4 0中，針對在前述之第1實施形態的指 示體檢測裝置中而適用了此第4實施形態之情況的重要部 分之構成作展示。此第4實施形態之構成，係爲將1 6種的 展頻碼Ci~ Cie中之展頻碼（^作爲用以檢測出OFFSET量的 -113- 201203063 展頻碼來使用的情況之例。另外，在與第1實施 的構成部分處’係附加相同的參考符號，並省略 說明。 圖3 9 ’係爲用以對於在此第4實施型態之情 到感測部1 〇 〇 ’、送訊部2 0 〇 ’以及受訊部3 0 0 ’之放 爲止的部分之構成例作展示之圖。又，圖40，係 於在此第4實施型態之情況中的位置檢測電路3 4 ’ 作展示之圖。其他之部分，係設爲與第1實施形 構成。 如圖3 9中所示一般，此第4實施形態之感測 係並不具備有在第1實施形態之感測部1 0 0處的 TB,24根的送訊導體llYpllY#。故而，第4實 感測部1〇〇’，其送訊導體數係成爲60根。另外， 導體群12，亦包含檢測區塊構成，^ 施形態中，係與第1實施形態相同。 而，於此第4實施形態中，由於係並不存在 塊TB!，因此，送訊導體選擇電路22’係並不具f 施形態的情況時之送訊導體選擇電路22中的開關 〇 而，如圖3 9中所示一般，從送訊訊號供給電 頻碼產生電路21 02〜2116而來的15種之展頻碼C 各個，係通過送訊導體選擇電路22’而同步地被 至送訊區塊TB2〜TB16之各個的各1根之送訊導體 在此第4實施形態中，從送訊訊號供給電路 形態相同 其之詳钿 況中的_； 大電路3 2 爲用以對 之構成例 態相同之 部 1 0 0，， 送訊區塊 施形態之 關於受訊 £此第4實 有送訊區 I有第1實 電路220 1 路2 1之展 :2〜C】6的 同時供給 1 1 Y 處。 21之展頻 -114- 201203063 碼產生電路2101而來的展頻碼Ci，係分別透過電容 、3 802 ..... 3 8 1 6，而被加入至從受訊導體選擇電 來之輸出訊號Si 〜S16的各個之中，並被供給至放大 之I/V變換電路3201、3202 ..... 3216之各個處。 於此情況，電容器3 80 1、3802 .....38 16的容 如係被選定爲在送訊導體1 1Y與受訊導體12X之間 點處之靜電容量C〇。亦即是，展頻碼（^，係通過與 0 體1 8並不存在之狀態下的交叉點相同之靜電容量C〇 供給至放大電路之1/ V變換電路3201、3202 ..... 各個處。 故而，被輸入至放大電路32之I/V變換電路 3202 ..... 3216之各個處的輸出訊號Si 〜S16，係成 1 6個的展頻碼C ,〜C , 6之全部作了多重後之訊號相 訊號。 此輸出訊號S !〜S ! 6之各個，係與第1實施形態 〇 相同地，在放大電路32之I/V變換電路3201、3202 3216之各個處而被變換爲電壓訊號，並被作放大， 在A/D變換電路33之A/D變換器3301〜3316處而 爲數位樣本資料。 而，從A/ D變換器3 3 0 1〜33 1 6之各個所輸出 樣本資料，係如圖40中所示一般，被供給至位置檢 34之演算處理電路35的相對應之相關値算出電路 3 5 1 6處。此相關値算出電路3 5 0 1〜3 5 1 6，係分別爲 與圖1 8中所示之第！實施形態的情況而完全相同之 器 3 80 1 路3 1而 電路32 量，例 的交叉 在指不 ，而被 3216 之 320 1、 爲與將 對應的 之情況 之後， 被變換 的數位 測電路 3 5 0 1 〜 具備有 構成者 -115- 201203063 ，被作了輸入的數位樣本資料，係分別在橫移暫存器3 5 a 中，作爲輸出訊號PS,〜PS , 6而被作保持。 如同前述一般，各相關値算出電路35〇1〜3516，係進 行分別被保持在橫移暫存器35a中之輸出訊號？31〜？316和 1 6個的展頻碼C ,〜C i 6間之相關演算，並將算出了的相關 値供給至輸出電路3 6 ’處。如同後述一般’在被保持於橫 移暫存器35a中之輸出訊號PSi〜？316和16個的展頻碼（^〜 C ! 6間之1 6個的相關値中，關於展頻碼C ,之相關値，係成 爲代表OFFSET値者。 在此第4實施形態中，如圖4 0中所示一般，輸出電路 3 6’，係具備有記憶電路36M，、和位置算出電路361、和 OFFSET除去電路365，而構成之。 記憶電路36M’，係爲將感測部1〇〇’之送訊導體數X受 訊導體數=60 X 1 2 8個的交叉點之相關値作記憶的記憶電路 。位置算出電路3 6 1，係爲具備有與第1實施形態相同之構 成者’在此第4實施形態中，係根據被記憶在此記憶電路 3 6M ’中之相關値，來將指示體之檢測結果作爲輸出資料而 產生之。 OFF SET除去電路3 65 ’係具備有用以接收從相關値算 出電路3 5 0 1〜3 5 1 6之各個的相關値記憶電路3 5 d而來之輸 出並進行OFFSET之除去的減算電路501〜516。 而’ OFFSET除去電路365之各減算電路501〜516，係 分別被與記憶電路3 6 Μ ’作連接，並將在各減算電路5 〇〗〜 5 I6處而將OFFSET値作了除去之相關値之各個，傳輸至記 -116 - 201203063 憶電路36M’處。記憶電路36M’，係將此被傳輸而來之相 關値作記憶。 又，OFF SET除去電路365，係被與控制電路40作連接 。OFFSET除去電路3 65之各減算電路501〜516的構成，由 於係全部爲相同，因此，在圖41中，作爲減算電路501之 情況而展示其之構成例。 減算電路5〇1，係由15個的減算器50a2〜50a16所構成 〇 。I5個的減算器50a2〜50a16之其中一方的輸入端，係分別 被與相關値算出電路3 50 1之相關値記億電路35d的相對應 之暫存器35d2〜35d16之輸出端的各個相連接。 又，各減算器50a2〜50a16之另外一方的輸入端，係分 別被與相關値算出電路3 5 0 1之相關値記憶電路35d的暫存 器3 5 d i之輸出端相連接。 而後，各減算器50a2〜50a16，係對於從暫存器35d2〜 3 5d! 6而來之相關値，而減算掉從暫存器356而來之相關値 ❹ （OFFSET値）。 與第1實施形態相同的，受訊導體選擇電路3 1，係在 對於16個的檢測區塊DB之各個的1根之受訊導體12X作了 選擇的狀態下，將15個的展頻碼C2〜C16，在每一週期中 ，而供給至各15根之送訊導體1 1Y的4組處。而後，在於16 個的檢測區塊DB】〜DB162各個處而各被選擇有1根之受訊 導體12X的狀態下，在展頻碼之每4週期處，15種之展頻碼 C2〜C , 6，係被供給至全部的送訊導體1 1 Y處。 故而，從受訊導體選擇電路31而來之16個的輸出訊號 -117- 201203063 之各個’係成爲將15個的展頻碼c2〜c16之各碼片 的成分作了加算一般之訊號。而，展頻碼Ci，係通過電容 器3 80 1〜38 16之各個，而被加算至從此受訊導體選擇電路 31而來之16個的輸出訊號Sl〜Sl6之各個處，藉由此，被輸 入至放大電路32之各I/V變換電路3201、3202 ..... 3216 處之輸出訊號S!〜S16的各個，係成爲將16個的展頻碼山〜 C! 6之全部作了加算一般之訊號。 在前述展頻碼之4週期的最初之1週期處，15個的展頻 碼C2〜C16，係分別被供給至1 5根的送訊導體丨！ γ8、：i丨γ12 .....Η Υ 60處。而後，對於從受訊導體選擇電路3 1而來 之I6個的輸出訊號S,〜S16之各個，展頻碼匚,，係通過電容 器3 8 0 1〜38 16之各個而被作加算。 此輸出訊號之各個，係如同前述一般地透過放 大電路32而被供給至A/ D變換電路33處，並分別被變換 爲數位樣本資料，而被保持在相關値算出電路3501〜3516 之各個的橫移暫存器35d中。而後，在相關値算出電路 3501〜3516之各個處，輸出訊號Si〜S16之各個的數位樣本 資料和展頻碼C 1〜C ! 6之各個間的相關値，係被計算出來 〇 於此情況，如同前述一般，展頻碼C】，由於係並未被 供給至感測部1〇〇’之送訊導體11Y處，因此，關於該展頻 碼C ,之相關値，係成爲針對被受訊導體選擇電路3 1所選擇 了的受訊導體1 2X和1 5根的送訊導體1 1 Ys ' 1 1 Y ! 2..... 11Υ6〇之間的交叉點之各個的OFFSET値。 -118- 201203063 此OFFSET値，係從相關値算出電路3501〜3516之各 相關値記憶電路3 5 d的暫存器3 5 d !而獲得。亦即是，在相 關値記憶電路35d之暫存器35(^中，係被保持有OFFSET値 。而，從此暫存器Wd!而來之OFFSET値，係被供給至 OFFSET除去電路3 65處，並在各減算電路501〜516處而被 供給至減算器50a2〜50a16之各個中。 而後，在OFFSET除去電路3 65之減算電路501〜516的 0 各個處，於各個的減算器5 0 a2〜5 0 a ! 6處，係對於從暫存器 35d2〜 35d16而來之相關値，而減算掉從暫存器35(1,而來之 OFFSET値並作除去。而，從減算電路501〜516之各個而 來的將OFF SET値作了除去的相關値，係被供給至記憶電 路3 6 Μ ’處並被作記憶。 針對藉由受訊導體選擇電路31而被作了選擇的受訊導 體1 2 X和其他的1 5根之送訊導體之組，亦係進行有與上述 相同之處理動作。而後，若是結束了針對1 5根的送訊導體 〇 之4組的處理動作，則藉由受訊導體選擇電路31而被作選 擇之受訊導體12Χ，係在檢測區塊DB,〜DB16之各個處， 被切換爲另外之1根的受訊導體，並反覆進行上述之動作 〇 如同上述一般，在此第4實施形態中，由於係使用有 並不對於在碼互爲相異之複數個的哈德瑪得碼中而全部成 爲「1」之最初的一碼片作利用的展頻碼，因此，係能夠 將放大電路32之放大增益增大。 並且’在此第4實施形態中，就算是使用有並不對於 -119- 201203063 在碼互爲相異之複數個的哈德瑪得碼中而全部成爲「i」 之最初的一碼片作利用的展頻碼，亦能夠對於此種情況下 之問題點作解決’並成爲能夠與使用有哈德瑪得碼之全部 的碼片之丨、h況日a相冋的來將指不體正確地檢測出來。 〈校正用訊號之合成方法的其他例〉 另外’在上述之例中，係針對將從受訊導體1 2X而來 之輸出訊號與相關値之OFFSET的校正用訊號，在輸入至A /D變換電路33中之前便作合成（亦即是，在類比訊號之 階段來作合成）的情況而作了例示說明。如此這般，當將 校正用訊號與從受訊導體12X而來之輸出訊號在類比訊號 的階段來作合成的情況時，由於係僅藉由設置電容器3 8 0 1 〜3 8 1 6便能夠實現，因此，在能夠將電路構成簡潔化一事 上，係爲優良。 然而，此電容器3801〜3816，係有必要設定爲與在送 訊導體11Y和受訊導體12X之間的交叉點處所形成之電容 器同等程度的電容値。在此送訊導體11Y與受訊導體12X 間之交叉點處所形成的電容器之容量，由於係成爲例如約 0.5 p F左右之非常小的容量，因此，要安裝在實際的電路 基板上一事，係爲非常困難。又，在上述之例中’由於係 將校正用訊號與從受訊導體1 2X而來之輸出訊號在類比訊 號的階段處而作合成，因此，亦有著容易產生誤差的問題 因此，在此校正用訊號之合成方法的其他例中’係設 -120 - 201203063 爲將校正用訊號與A/D變換電路33之輸出訊號（亦即是 被變換成數位訊號後之受訊訊號）作合成。 圖42，係爲對於設爲將作爲用以得到OFF SET値之校 正用訊號的展頻碼加算至A/ D變換電路33之輸出訊號處 的情況之構成例作展示之圖。此圖42之例，亦係在用以得 到OFF SET値之校正用訊號中，使用展頻碼Cr 於此例中，係在A/ D變換電路3 3之輸出側處設置加 (') 算電路39。此加算電路39，係具備有將其中一方之輸入端 與A/D變換電路33之A/D變換器3301〜3316的各個之輸 出端作了連接的加算器3 901〜3916。 而，從送訊訊號供給電路21之展頻碼產生電路2101而 來的展頻碼，係經由電容器38而被供給至1/ V變換電路 3 22 0處。於此情況，電容器38的容量，係被選定爲在送訊 導體11Y與受訊導體12X之間的交叉點處之靜電容量C〇。 又，I/V變換電路3 220，係與放大電路32之各I/V變換電 G 路3201〜3216成爲相同之構成。亦即是，展頻碼<^，係通 過與在指示體18並不存在之狀態下的交叉點相同之靜電容 量Co，而被供給至I/V變換電路3220處。 而後，與A/D變換電路33之A/D變換器3301〜3316 之各個相同的，1/V變換電路3220之輸出訊號，係藉由A / D變換器3320而被變換爲與時脈訊號CLK作了同步的數 位樣本資料。之後，從A/ D變換器3 320而來的數位樣本 資料，係被供給至加算電路39之加算器3901〜3916的各個 處。 -121 - 201203063 加算電路3 9之加算器3 9 0 1〜3 9 1 6的各個，係將從a / D變換器3301〜3316而來之數位樣本資料與從a/D變換器 3 3 2 0而來之數位樣本資料作加算。而後，加算電路3 9之加 算器3 9 0 1〜3 9 1 6的各個之加算輸出’係被供給至位置檢測 電路34處。其他之構成’係與上述之第4實施形態的構成 相同。 如同上述一般’在此校正用訊號之合成方法的其他例 中’校正訊號與從受訊導體12X而來之輸出訊號，係以數 位訊號而被作合成。故而，係能夠在爲了供給校正用訊號 所設置之電容器38中，例如使用8PF之電容器，並在a/ D 變換器3 320中，將4位元之資料作位數減少，藉由此，係 能夠以相較於藉由類比訊號來作合成之情況而更高的精確 度來進行訊號合成。 另外’在上述之第4實施形態中，雖係針對作爲校正 用訊號而使用1個展頻碼的例子而作了說明，但是，本發 明，係並不被限定於使用1個展頻碼的情況。例如，係亦 可設爲將2個以上的展頻碼作爲校正用訊號來作供給。 以上，係針對將第4實施形態適用在第1實施形態中的 情況而作了說明，但是，當然的，亦可將第4實施形態， 適用在第2實施形態或者是第3實施形態中。 〔第5實施形態：檢測不均之除去··圖43〜圖47〕 此第5實施形態，係爲在上述之第1〜第4實施形態中 的送訊部2 0 0、2 0 0 ’以及受訊部3 0 0、3 0 0 ’之部分的變形例 -122- 201203063 如同前述一般，作爲指示體1 8，係不僅可以使用使用 者之手指，而亦可使用筆等。而，在此實施形態之指示體 檢測裝置中，係成爲亦能夠藉由電阻膜方式來進行由指示 體1 8所致之推壓力的檢測。 另外，若藉由筆等之指示體1 8，則係如同圖43 ( A ) 、（B)中所示一般，而成爲亦能夠對於在2根的受訊導體 1 2Xm、1 2Xm + !之間的點進行指示輸入。但是，當如此這 般而對於2根的受訊導體12Xm、12Xm + 1之間的點而進行了 指示輸入的情況時，因應於該指示輸入點之位於2根的受 訊導體1 2Xm、1 2 Xm + 1之間的位置，從2根的受訊導體1 2Xm 、1 2Xm + i之輸出訊號所算出的指示體之檢測輸出（相關値 )係會有所改變。 亦即是’當筆之指示體1 8的指示輸入點，係如同圖43 (A)—般，爲接近於2根的受訊導體i2Xm、12Xm+i中之 〇 受訊導體12Xm側的情況時，如圖43 (c)中所示一般，從 受訊導體1 2 xm之輸出訊號所得到的指示體檢測輸出（相關 値）Irn係爲大，而從受訊導體1 2Xm + ,之輸出訊號所得到的 指不體檢測輸出（相關値）I m +1係變小。相對於此，當筆 之指7K體1 8的指不輸入點，係如同圖4 3 ( B ) —般，爲接 近於2根的受訊導體l2Xm、12Xm+ 1中之受訊導體12Xm + !側 的情況時，如圖43 ( D )中所示一般，從受訊導體12^之 輸出訊號所得到的指示體檢測輸出（相關値）Im係爲小， 而從受訊導體1 2 X m + i之輸出訊號所得到的指示體檢測輸出 -123- 201203063 (相關値）Im+ i係變大。 因此，例如，當使筆的指示體1 8以一面對於指示輸入 面1 00S作推壓一面描繪直線的方式來在沿著受訊導體之延 伸方向的方向上來作了移動的情況時，如圖44中所示一般 ，因應於該指示體之檢測輸出而被檢測出來的線60，係有 著會成爲在粗細上產生有不均或者是成爲有所晃動之線的 問題。 圖43、圖44之說明，雖然係爲藉由指示體18而對於2 根的受訊導體之間的點位置作了指示輸入的情況，但是， 就算是在藉由指示體1 8而對於2根的送訊導體之間的點位 置作了指示輸入的情況時，亦會產生相同的問題。此第5 實施形態，係爲對於以上之問題作了解決的例子。 〈第1例〉 圖45，係爲用以對於此第5實施型態之第1例的重要部 分之基本槪念作說明之圖。在此第5實施形態之第1例中， 展頻碼Ck，係被同時地供給至2根的送訊導體1 1 Yn、1 1 γη + 1處。又，從2根的受訊導體12Xm、12Xm + !所得到的受訊訊 號（電流訊號），係設爲分別通過1/ V變換電路61、62而 被供給至放大器6 3處，並藉由此放大器6 3而被作加算。 若是設爲此種構成’則關於從放大器6 3所得到之訊號 Smix的指示體檢測輸出（相關値），係成爲與將指示體檢 測輸出（相關値）Im和指示體檢測輸出（相關値）Im 4 i作 了加算者等價之指示體檢測輸出（相關値）。亦即是，當 -124- 201203063 筆之指示體18的指示輸入點，係如同圖43 (A)—般’爲 接近於2根的受訊導體12Xm、12Xm+l中之受訊導體12Xm側 的情況時，係得到如圖43 ( E )中所示一般的指示體檢測 輸出（相關値）Imix。又，當筆之指示體1 8的指示輸入點 ，係如同圖43 ( B)—般，爲接近於2根的受訊導體12Xm、 1 2 Xm + 1中之受訊導體1 2 Xm + !側的情況時’係得到如圖4 3 (F )中所不一般的指不體檢測輸出（相關値）Imix。 Q 故而，當使筆的指示體1 8以一面對於指示輸入面1 〇 〇 s 作推壓一面描繪直線的方式來作了移動的情況時’因應於 該指示體檢測輸出而被檢測出來的線，係成爲不會在粗細 上產生有不均或者是成爲有所晃動之線。 另外，在此第5實施形態之受訊部3 00中，受訊導體選 擇電路31’之開關電路3101’〜3116’之各個’係如圖46中所 示一般，成爲分別對於各2根的受訊導體作選擇一般之開 關電路的構成。而後’開關電路3101’〜3116'之各個，係 Q 對於各2根的受訊導體’一次偏移1根地來作選擇。亦即是 ，開關電路3101’〜3116'之各個，在2根的受訊導體12Xm 、：12Xm + :之後，係選擇2根的受訊導體12Xm + !、12Xm + 2， 接著，係選擇2根的受訊導體12Xm + 2、12Xm + 3，如此這般 地，而一次偏移1根地來作切換。 於此第5實施形態之情況’如同在圖46中以點線所包 圍而作展示一般’針對在構成檢測區塊之受訊導體中的下 標（suffix )爲最大之受訊導體’係以進行其與相鄰之檢 測區塊中而下標爲最小的前端之受訊導體之間之加算的方 -125- 201203063 式，來構成開關電路3101 ’〜3 1 16’之各個。 又，雖係省略圖示，但是，針對送訊部200之送訊導 體選擇電路22’，亦係將各個之將展頻碼<^作供給之2根的 送訊導體，一次一根地來作切換。亦即是’在2根的送訊 導體1 1 Yn、1 1 Yn + !之後，係選擇2根的送訊導體1 1Υη + 1、 11Υη+2，接著，係選擇2根的送訊導體11Υη+2、11Υη+3, 如此這般地，而一次偏移1根地來作切換。又’與上述之 檢測區塊之情況相同的，在送訊區塊處’相鄰接者之送訊 導體，係在2個的區塊處而共用地作使用。 〈第2例〉 圖47，係爲用以對於此第5實施型態之第2例的重要部 分之基本槪念作說明之圖。在此第5實施形態之第2例中， 展頻碼Ck，係被同時地供給至3根的送訊導體1 1Υη-ι、1 1 Υη 、1 1 Yn + 1處。又，將從3根的受訊導體1 ZXm-i、1 2Xm、 12Xm+ ,所得到的受訊訊號’分別通過1/V變換電路64、65 、66而被供給至差動放大器67處’並設爲藉由此差動放大 器67而作合成。於此第2例之情況’中央之受訊導體1 2Xm 係爲注目受訊導體，從該注目受訊導體而來之受訊訊號’ 係被供給至差動放大器67之非反轉輸入端子處。而’從中 央之受訊導體12Xm之兩鄰的受訊導體UXn、12Xm+1所得 到的受訊訊號，係被供給至差動放大器6 7之反轉輸入端子 處。 在此第2例中，係可作爲差動放大器6 7之輸出訊號， -126- 201203063 而得到相對於從受訊導體所得之受訊訊號來將耐雜訊性作 了提升的輸出訊號。而，係將被供給至差動放大器67之非 反轉輸入端子處的從中央之受訊導體^又^而來之受訊訊號 ，設爲從兩鄰的受訊導體12X1,、12Xm+ i所得到的受訊訊 號之2倍，而特別能夠將耐雜訊性提升。 另外，在此第2例之情況中，亦同樣的，受訊部之受 訊導體選擇電路，係設爲將各3根的受訊導體一次偏移1根 ο 地來作選擇。又，在送訊部之送訊導體選擇電路處，亦係 設爲將3根的送訊導體一次偏移1根地來作選擇。而，在檢 測區塊或者是送訊區塊之相鄰接的導體彼此間，係將受訊 導體或送訊導體相重疊（overlap )地作使用一事，係與第 1例爲相同。 另外，此第5實施形態，係能夠適用在上述之所有的 實施形態中。 〇 〔第6實施形態：放大電路之自動增益控制〕 另外，第1實施形態之指示體檢測裝置1，爲了能夠安 定地進行相關演算，被變換爲電性訊號之受訊訊號，係將 其之訊號準位在放大器中而放大至特定之訊號準位，之後 ’再在A/D變換電路33中而被變換爲數位樣本訊號並被 輸入至相關値算出電路34中。 當雜訊爲較受訊訊號更大的情況時，若是將混合存在 有雜訊之受訊訊號的訊號準位均一地作放大，則會產生下 述一般之問題：亦即是，雜訊亦會被放大，而A/D變換 -127- 201203063 器會被箝制（cliP ) ’並成爲無法將受訊訊號適當地檢測 出來。 然而，若是不將受訊訊號之訊號準位作放大，則例如 ，當對於身爲懸浮狀態之指示體作檢測時，受訊訊號之變 化準位係變得極小，而產生無法將指示體1 8檢測出來之問 題。第6實施形態’係爲對於此問題而作了解決者，並在 放大電路3 2之部分處具備有特徵。 以下，參考圖4 8以及圖4 9 ’對於此第6實施形態作說 明。圖4 8，係爲在此第6實施形態中之受訊部3 3 0的槪略區 塊構成圖，圖4 9 ’係爲構成後述之增益値設定電路的絕對 値檢波電路之電路構成圖。 若是將在此第6實施形態中所展示之受訊部3 3 0與第1 實施形態中之受訊部300作比較，則其之相異點，係在於 :代替放大電路3 2 ’而使用了具備有自動增益控制功能之 放大電路5 1 0。其他之構成，係爲與第1實施形態相同之構 成’針對相同之構成’係附加相同之號碼，並省略其說明 。另外’在圖4 8之放大電路5 1 0中，爲了簡單化，係對於 關於輸出訊號S!〜S16中之1個的輸出訊號之內部電路作了 展示。實際上’係爲針對輸出訊號S1〜S16之各個而設置有 圖4 8之放大電路5 1 0的內部電路。 如圖4 8中所示一般’此例之放大電路5丨〇，係具備有I / V變換電路5 1 1、和增益調整電路5 1 2、和增益値設定電 路5〗3。I/V變換電路511’係爲具備有與上述之ι/ν變換 電路3 2 0 1〜3 2 1 6相同之構成者，於此例中，此I / v變換電 -128- 201203063 路511之輸出端’係被與增益調整電路512之輸入端作連接 〇 增益調整電路512，係爲用以將被輸入了的訊號之訊 號準位適宜地放大或者是減少爲特定之訊號準位的電路。 此增益調整電路512’係根據從增益値設定電路513而來之 控制訊號’而進行其之輸出訊號準位的控制。此時，在增 益値設定電路5 1 3所處理之能量成分的訊號強度中，由於 0 係並不僅是應檢測出之訊號（展頻碼）成分，而亦包含有 雜訊等’因此，增益調整電路512，係成爲根據訊號全體 的能量成分之訊號強度來設定增益値。 此增益調整電路512之輸出訊號，係被供給至A/D變 換電路3 3處並被變換爲數位樣本資料。從此a/ D變換電 路3 3而來之數位樣本資料，係被供給至位置檢測電路3 4處 ，並且’在此例中’係亦被供給至增益値設定電路5丨3處 〇 Ο 增益値設定電路513,係根據從A/D變換電路33而來 之數位樣本資料而產生用以控制增益調整電路5 1 2之控制 訊號，並將該控制訊號供給至增益調整電路512之控制訊 號輸入端處。此增益値設定電路5 1 3，係具備有絕對値檢 波電路514、和自動增益控制電路515。 絕對値檢波電路5 1 4，係將從A / D變換電路3 3而來之 數位樣本資料的能量成分之訊號強度檢測出來。另外，在 從A/D變換電路33所輸出之數位樣本資料中，由於並不 僅是應檢測出之訊號（展頻碼）成分，而亦包含有雜訊等 -129- 201203063 之不必要的訊號成分，因此，在絕對値檢波電路5 1 4處’ 係檢測出包含有雜訊等之不必要的訊號成分之檢測訊號全 體的能量成分之訊號強度。 自動增益控制電路5 1 5，係根據在絕對値檢波電路5 1 4 中所檢測出之訊號強度，來產生對於增益調整電路512之 增益作控制的控制訊號，並供給至增益調整電路5 1 2處。 絕對値檢波電路5 1 4，例如係具備有如同圖49中所示 一般之構成例。亦即是，在圖48之例子中，絕對値檢波電 路514，係具備有自乘乘算器5141、和被連接於此自乘乘 算器5141之輸出端子處的積分器51 42。 自乘乘算器5141，係對於A/D變換電路33之輸出訊 號作自乘演算，並將演算後之自乘演算輸出訊號輸出至積 分器5142處。積分器5142，係將從自乘乘算器5141而來之 自乘演算輸出訊號作時間性積分，並將該積分輸出訊號作 爲絕對値檢波輸出而得之。而後，積分器5 1 4 2，係將該積 分輸出訊號供給至自動增益控制電路5 1 5處。 在此第6實施形態中，如同上述一般，係將並不僅是 應檢測出之訊號（展頻碼）成分而亦包含有雜訊等之訊號 的能量成分之訊號強度檢測出來，並根據該訊號強度，來 對於增益調整電路5 1 2之增益値作控制，並以將其之輸出 準位設爲特定之準位的方式，來進行自動增益控制。故而 ，就算是當被輸入至增益調整電路5 i 2處的訊號中被重疊 有雜訊等的情況時’亦能夠對於該輸入訊號而適當地進行 自動增益控制。 -130 - 201203063 另外，作爲藉由絕對値檢波電路5 1 4來得到 波輸出之手法，只要是能夠將包含有應檢測之訊 及雜訊的訊號之準位檢測出來，則係可使用任意 例如，除了上述之手法以外，亦可使用將絕對値 5 1 4之輸入訊號之準位的絕對値作積分之手法等 絕對値檢波處理中，係亦可使用A / D變換後之 處理以及A/ D變換前之類比訊號處理之任一者。 另外，此第6實施形態，係能夠適用在上述 實施形態中。 〔第7實施形態：感測部之其他構成例：圖50〜圖 作爲第7實施形態，針對感測部之其他構成 〈感測部之變形例1〉 ❹ 上述之實施形態的感測部1 00之感壓材，係多 示一般，爲在與指示輸入面100S相正交之方向上 電阻體13Y與受訊電阻體14X空出特定之空隙15 設之構成，在隔著空隙1 5而相對向之送訊電阻儀 受訊電阻體14X之面上，係如圖2中所示一般，被 細微之凹凸。 然而，作爲感測部100之感壓材的構成，係 定於在送訊電阻體13Y以及受訊電阻體14X處而 有極細微之凹凸的面設爲相互對向之面的情況。 絕對値檢 號成分以 之方法。 檢波電路 。又，在 數位訊號 之所有的 54〕 例作說明 口圖2中所 ，將送訊 而作了配 丨13Y以及 形成有極 並非被限 將被形成 -131 - 201203063 此感測部之變形例1 ’係爲此種情況之其中一例。於 圖50中，展示此變形例1之感測部5 00的重要部分。圖50 ( A )，係爲此感測部5 0 0之X軸方向剖面圖’圖5 〇 ( B ) ’ 係相同的而爲Y軸方向剖面圖。另外’在與前述之實施形 態相同的部分處’係附加相同之參考符號’並省略其說明 。在後述之感測部的其他變形例中’亦爲相同。 在圖5 0之例中，於送訊電阻體1 3 Y以及受訊電阻體 1 4 X處，隔著空隙1 5而相互對向之面’係被設爲鏡面狀’ 但是，與送訊導體HY相接觸之送訊電阻體13Y的面、以 及與受訊導體12Χ相接觸之受訊電阻體14Χ的面，係如圖 5 0(A) 、 （Β)中所示一般，被形成有極細微之凹凸。 在此圖5 0 ( A ) 、（ B )中所示之例中’亦同樣的，當 藉由手指等之指示體18而將指示輸入面l〇〇S作了壓下時’ 送訊電阻體1 3 Y與受訊電阻體1 4 X之間的對向面係作接觸 ，並且，送訊導體ΠΥ與送訊電阻體13Y之間的接觸面積 、受訊導體12Χ與受訊電阻體MX之間的接觸面積’係因 應於由指示體18所致之推壓力而變化。故而’在送訊電阻 體13Y與受訊電阻體14X相接觸了的狀態下之送訊導體11Y 與受訊導體1 2X之間的電阻値，係成爲與由指示體1 8所致 之對於指示輸入靣1 〇〇S的推壓力相對應者’而能夠得到與 上述之實施形態相同的作用效果。 又，作爲感測部500之構成，亦可如同圖5〇 ( C )、( D )中所示一般，於送訊電阻體13Y以及受訊電阻體MX處 ，將被形成有極細微之凹凸的面設爲相互對向之面，並且 -132 - 201203063 ’亦設爲與送訊導體11Y相接觸之送訊電阻體13Y的面以 及與受訊導體12Χ相接觸之受訊電阻體14χ的面。 在此圖50(C) 、（D)所示之例中，亦係與圖5〇(α
)、（Β)中所示之例相同的，在送訊電阻體丨3丫與受訊電 阻體14Χ相接觸了的狀態下之送訊導體11γ與受訊導體12χ 之間的電阻値’係成爲與由指示體1 8所致之對於指示輸入 面100S的推壓力相對應者。故而，在此圖50(c) 、 ( D Q )所示之例中’亦能夠得到與上述之實施形態相同之作用 效果。 另外，在圖5 0中，雖係設爲：沿著送訊導體u γ來形 成送訊電阻體13Υ ’並沿著受訊導體12χ來形成受訊電阻 體MX，但是，亦可將送訊電阻體13Υ以及受訊電阻體14Χ 之各個，設爲形成在與送訊導體11Y或者是受訊導體12X 相同的方向上。又，亦可將送訊電阻體13Y以及受訊電阻 體MX，在與送訊導體11 Y和受訊導體12X之間的交叉點相 〇 對應之區域的每一者處，以設置爲島狀的方式來作形成。 進而，送訊電阻體13Υ以及受訊電阻體14Χ，係亦可如同 前述一般，設爲涵蓋下側基板1 6以及上側基板1 7之一面全 體地來形成之。 又，亦可設爲：將送訊電阻體13Υ或者是受訊電阻體 14Χ之其中一方，沿著送訊導體11Υ或者是受訊導體12Χ來 形成，並將另外—方，以涵蓋下側基板1 6或者是上側基板 17之一面全體的方式來形成.之。又’亦可設爲：將送訊電 阻體13Υ或者是受訊電阻體14Χ之其中一方’在與送訊導 -133- 201203063 體1 1 Y和受訊導體1 2X之間的交叉點相對應之區域 者處而設置爲島狀，並將另外一方’以涵蓋下側基 者是上側基板1 7之一面全體的方式、亦或是以沿著 體1 1Υ或者是受訊導體12Χ的方式’來形成之。 〈感測部之變形例2〉 在以上之實施形態的感測部中’感壓材’係設 訊電阻體13Υ與受訊電阻體所成者’但是’亦 由1個的電阻體所成者來構成之。圖5〗（Α) 、 (Β 爲對於將感壓材藉由1個的電阻體來構成的第1例作 。圖5 1 ( A )，係爲此變形例2之感測部6 0 0之X軸 面圖，圖51 (B)，係相同的而爲Y軸方向剖面圖。 亦即是，如圖51(A) 、（B)中所示一般’在 板1 6上之送訊導體1 1 γ和上側基板1 7之下側的受 1 2 X之間的空間中’將矩形狀之電阻體1 9 ’對於各 之各個而分別作設置。作爲此電阻體1 9 ’係使用與 例的送訊電阻體1 3 Y或者是受訊電阻體1 4 X相同之物 在此圖5 1 ( A ) 、（ B )之例中’係在下側基板 送訊導體1 1 Y之上，而配設電阻體1 9。於此例中’ 1 9，係如同圖示一般’以使被形成有極細微之凹凸 側成爲送訊導體1 1 Y側並使未被形成有極細微之凹 之側成爲受訊導體12 X側的方式，而被作配設。而 情況’電阻體1 9與受訊導體1 2 X之間’係被設爲存 許之空隙的狀態。 的每一 板1 6或 送訊導 爲由送 可作爲 )，係 展示者 方向剖 下側基 訊導體 交叉點 上述之 0 1 6上之 電阻體 的面之 凸的面 ，於此 在有些 -134- 201203063 另外，雖係省略圖示，但是，在感測部600之周緣部 的下側基板16與上側基板17之間，係被設置有用以成爲能 夠維持在產生有圖示一般之空隙的狀態下來將電阻體1 9作 配設之間隔物構件。亦即是，下側基板1 6與上側基板1 7， 係隔著此間隔物構件而被作接合。 在此圖5 1 ( A) 、（ B )中所示之例中，當藉由指示體 18而將指示輸入面100 S作了推壓時，電阻體19與受訊導體 ζ) 12Χ係作接觸’並且’送訊導體1 1Υ與電阻體19之間的接 觸面積，係因應於由指示體1 8所致之推壓力而變化。故而 ’在電阻體1 9與受訊導體1 2Χ相接觸了的狀態下之送訊導 體1 1 Υ與受訊導體1 2Χ之間的電阻値，係成爲與由指示體 18所致之對於指示輸入面l〇〇s的推壓力相對應者，而能夠 得到與上述之實施形態相同的作用效果。 另外’電阻體1 9，係亦可如圖5 1 ( C )中所示一般， 將與受訊導體1 2Χ相對向之面側，亦設爲被形成有細微之 Q 凹凸的面。 另外’電阻體1 9，係亦可如圖5 1 ( D )中所示一般， 將與受訊導體1 2Χ相對向之面側，設爲被形成有細微之凹 凸的面’並且’將與送訊導體UY作接觸之面側，設爲並 未被形成有極細微之凹凸的面。於此情況，電阻體丨9，係 可對於下側基板16以及此下側基板16上之送訊導體ΗΥ來 作層積而構成之。 另外’在圖5 1中’電阻體1 9，雖係設爲與各交叉點位 置相對應地而相互被分離了的矩形狀者，但是，於此例之 -135- 201203063 情況中，亦可設爲在複數之送訊導體以及受訊導體處而成 爲共通地來設置在基板16以及基板17之一面的全體上。又 ，電阻體1 9，係亦可設爲沿著送訊導體1 1 Y或者是受訊導 體12X之其中一者而形成之。 〈感測部之變形例3〉 上述之感測部的感壓材之例，係設爲得到與電阻體與 電阻體之間的接觸面積或者是電阻體與導電體之間的接觸 面積相對應了的電阻値。作爲被使用在感測部中之具備有 特定之電阻特性的感壓材，係並不被限定於此。此感測部 之變形例3，係爲作爲此種感壓材之其中一例而使用了可 變電阻彈性體（例如可變電阻橡膠）的情況之例。 在此例中所使用之可變電阻彈性體，例如係如同在專 利文獻5 (日本特開平6- 1 92485號公報）中所記載一般， 爲由在內部而將例如碳黑或者是金屬粉等之導電粒子以微 小之間隔來均等地作了分散的多孔質橡膠所成的可變電阻 橡膠。於圖52中，展示此可變電阻橡膠之電阻與荷重間的 關係。當並未在此可變電阻橡膠處施加荷重時，由於導電 粒子彼此係以微小的間隔而作分散，因此，如此圖52中所 示一般，其之電阻値係成爲非常大。 而’若是在可變電阻橡膠處施加有荷重，則可變電阻 橡膠係作彈性偏移，導電粒子係成爲鍊狀或者是塊狀，而 該些係成爲部分性地相互接觸，可變電阻橡膠，係成爲具 備有導電性者。並且，可變電阻橡膠，係如同圖5 2中所示 -136 - 201203063 一般，具備有下述之特性：亦即是，若是荷重變得越大， 則由於導電粒子變成鍊狀或者是塊狀之比例係變多，因此 ，其之電阻値係變小。 圖53(A) 、（B)，係爲對於此變形例3之感測部7〇〇 的其中一例作展示者，並爲將感壓材藉由1個的電阻體來 構成的第2例作展示者。圖53 ( A )，係爲此感測部7〇〇之 X軸方向剖面圖，圖53 ( B )，係相同的而爲Y軸方向剖面 f) 圖。 在此感測部700處，係將由可變電阻橡膠所成之感壓 電阻構件，作爲感壓材來使用。而，代替送訊電阻體1 3 Y 以及受訊電阻體MX ’在與送訊導體11Y和受訊導體12X之 間的交叉點之部分處，設置矩形狀之由可變電阻橡膠所成 的感壓電阻構件1 3 0。 於此情況，在並未對於指示輸入面1 00S而施加有由指 示體1 8所致之推壓荷重的狀態下’對於感壓電阻構件1 3 0 Q ，感壓電阻構件130係構成爲位置在送訊導體1 1Y和受訊導 體12X之間的交叉點處。 在被設爲上述一般之構成的此感測部700中’若是藉 由手指等之指示體18而對於指示輸入面100 S施加了推壓荷 重，則該被施加了推壓荷重之交叉點位置處的感壓電阻構 件1 3〇係作彈性偏移，該感壓電阻構件1 30之電阻値係變小 〇 故而，於此感測部7〇〇處’在並未對於指示輸入面 100S而施加有由指示體18所致之推壓荷重的狀態下’由於 -137- 201203063 感壓電阻構件1 3 0之電阻係爲非常大，因此，係 透過感壓電阻構件1 3 0而流動有電流。亦即是， 於感測部7 0 0之指示輸入面1 0 0 S而施加有由指示 之推壓荷重的狀態下，感壓電阻構件1 3 0，係作 送訊導體11 γ和受訊導體1 2Χ之間作絕緣的絕緣 用。 而後，若是藉由指示體1 8而對於指示輸入面 了推壓荷重，則因應於該壓下荷重，由於感壓 1 3 0之電阻値係變小，因此，與壓下荷重相對應 ，係透過感壓電阻構件130而在送訊導體11Υ與 1 2 X之間流動。 藉由對於此電流作監視，與上述之實施形態 在此變形例3中，亦成爲能夠藉由電阻膜方式來 體檢測。 另外，在圖5 3中，感壓電阻構件1 3 0，雖係 交叉點位置相對應地而相互被分離了的矩形狀者 於此例之情況中，亦可設爲在複數之送訊導體1 訊導體12Χ處而成爲共通地來設置在基板16以及 一面的全體上。又，感壓電阻構件130，係亦可 送訊導體11Υ或者是受訊導體12Χ之其中一者而形 〈感測部之變形例4〉 上述之例的感測部，係全部爲在下側基板Π 板1 7之2枚的基板間而具備有送訊導體、受訊導 幾乎不會 在並未對 體1 8所致 爲用以將 材而起作 1 〇 〇 s施加 電阻構件 了的電流 受訊導體 相同的， 進行指示 設爲與各 ，但是， 1 Υ以及受 基板17之 設爲沿著 成之。 與上側基 體、感壓 -138- 201203063 材之構成的情況。但是’亦可設爲在1枚的基板上而形成 送訊導體、受訊導體、感壓材之構成。此感測部之變形例 4，係爲僅使用1枚之基板的構成之感測部的例子。 根據圖54，針對此變形例4之感測部800的其中一例作 說明。於此，圖5 4 ( A )，係爲此感測部8 0 0之1個的交叉 點部分處之X軸方向剖面圖’圖5 4 ( B ) ’係爲此變形例4 之感測部的立體圖。另外，於此圖54中’係將對於被形成 0 在基板160之其中一方的面上之送訊導體、受訊導體以及 感壓材作覆蓋並作保護的保護層以及保護薄片之記載作省 略。 此感測部800，係如同圖54 ( A )中所示一般，由基板 160、和複數之送訊導體HY以及複數之受訊導體12X、和 感壓電阻構件1 3 1、以及金屬層1 1 0所成。 此感測部800，係具備有在基板160之其中一方的面上 而使送訊導體1 1 Y與受訊導體1 2X實質性地作交叉之構造 Q 。於此例中，受訊導體12X，係與上述之實施形態相同的 ，爲藉由在γ軸方向上延伸之線狀的導體所構成。但是， 送訊導體1 1Y，係並未成爲在X軸方向上而連續之線狀的 導體，而是成爲將如同在受訊導體12X之部分處而被作了 切斷一般之送訊導體片11 Ybt藉由金屬層11〇來作了連接一 般之構造。亦即是，送訊導體11 Y之各個，係被設爲將在 X軸方向上而並排爲直線狀之送訊導體片1 1 Ybt藉由金屬層 1 1 0來作連接並成爲1根的送訊導體之構成。 而，金屬層110以及送訊導體片11 Ybt，係在基板160 -139- 201203063 上藉由印刷圖案等而被形成。又，受訊導體12X，係去除 與金屬層110相重疊之部分地而對於基板160來作設置。而 ，在受訊導體12X與金屬層1 10之間的交叉部分處，係被設 置有與變形例3之感測部7 0 0相同之由感壓電阻構件1 3 1所 成的感壓材。 在此變形例4之感測部800中，基板160、送訊導體1 1Y 、受訊導體1 2Χ，係可藉由與上述第1實施形態相同的材料 而形成之。亦即是，與第1實施形態相同的，基板1 60，除 了具備有透過性之週知的玻璃基板以外，係亦可使用由合 成樹脂所形成的薄片狀（薄膜狀）基材。送訊導體1 1 Υ以 及受訊導體1 2Χ，例如，係藉由由ΙΤΟ膜所成之透明電極膜 而形成之。 又，金屬層110，係可藉由具有高導電率之金屬材料 、例如藉由Mo (鉬）等來形成之。金屬層110與送訊導體 片之間的接觸面積，由於係爲微小’因此，爲了將此些之 電阻縮小，係以在金屬層110中使用具有高導電率之金屬 材料爲理想。 於此變形例4之感測部800處’亦同樣的，在並未對於 感測部之指示體輸入面而施加有由指示體所致之推壓荷重 的狀態下，由於感壓電阻構件1 3 1之電阻係爲非常大，因 此’係幾乎不會透過感壓電阻構件1 3 0而流動有電流。亦 即是，在並未對於感測部8 0 0之指示輸入面1 〇 0 s而施加有 由指示體1 8所致之推壓荷重的狀態下，感壓電阻構件1 3 1 ，係作爲用以將送訊導體1 1 Y和受訊導體1 2 X之間作絕緣 -140 - 201203063 的絕緣材而起作用。 而後，若是藉由指示體18而對於指示輸入面100S施加 了推壓荷重’則在被施加有該壓下荷重之交叉點處，因應 於該推壓荷重’感壓電阻構件1 3 0之電阻値係變小。因此 ’與壓下荷重相對應了的電流，係以送訊導體11Y之送訊 導體片UYbt—金屬層110—感壓電阻構件131—受訊導體 12X的方式而流動。 ζ) 故而’在此變形例4之感測部8 0 0中，亦能夠得到與上 述之變形例3的感測部7 0 0相同之作用效果。 在此變形例4之感測部8 〇 〇中，例如由玻璃基板所成之 基板，係只要有1枚即可，而能夠將感測部之厚度更進一 步地變薄。又，在此感測部8 0 0中，由於係能夠將送訊導 體1 1Υ以及受訊導體12Χ實質性地藉由1層來構成，因此’ 係能夠提供更爲低價之感測部。 另外，在圖54之例中，雖係將送訊導體1 1Υ設爲由導 〇 體片與金屬層所成者，但是，係亦可將送訊導體11Υ設爲 線狀之導體，並將受訊導體1 2Χ設爲由導體片與金屬層所 成者。 另外，在圖54中，感壓電阻構件131，雖係與各交叉 點位置相對應地而設爲相互分離了的矩形狀者，但是，感 壓電阻構件1 3 1 ’係亦可設爲沿著送訊導體U Υ或者是受訊 導體12Χ的其中一者來形成之。 〈感測部之變形例5〉 -141 - 201203063 在採用了交叉點靜電耦合方式的指示體檢測裝置中， 通常，當從對於指示體作操作之面側（亦即是上方）來對 於感測部作了觀察的情況時，複數之受訊導體與送訊導體 係相交叉，並有著存在有導體圖案之區域與不存在有導體 圖案之區域。各導體，雖係藉由ITO膜等之透明電極膜而 被形成，但是，存在有導體圖案之區域的光透過率，相較 於不存在有導體圖案之區域，係會降低。其結果，在感測 部上，係會產生光透過率之不均。依存於使用者，亦會有 對於此光透過率之不均有所在意的情況。在此變形例5中 ，係對於用以消除此種在感測部上之光透過率的不均之構 成作說明。 於圖55中，展示此變形例5之感測部900的槪略構成。 於此感測部900中，在不存在有送訊導體911以及受訊導體 9 1 2的區域中，係設置例如由與導體相同之材料所成的第1 透明電極膜9 1 3以及第2透明電極膜9 1 4。除此之外的構成 ，由於係成爲與上述之感測部相同的構成，因此，係省略 其說明。 於圖5 6 ( A )中，對於感測部9 0 0之送訊導體9 1 1以及 第1透明電極膜913的構成作展示。於此變形例5中’係在 與送訊導體911相同之面上，而於相互被配置在近旁之2個 的送訊導體9 1 1之間來配置矩形狀的第1透明電極膜9 1 3。 此第1透明電極膜913，係爲了不會與送訊導體911相接觸 ，而具備有相較於送訊導體9 1 1間之尺寸而若干小的尺寸 ，其與送訊導體9 1 1之間，係隔著若干的空隙而相互離隔 -142 - 201203063 。另一方面，第1透明電極膜913之送訊導體911的延伸方 向之尺寸，係被設定爲較於被相互配置在近旁之受訊導體 912之間的尺寸上而加算上了 1根的受訊導體912之導體寬 幅後的尺寸而更若干小。而，第1透明電極膜9 1 3 ’係在相 互位置在近旁之2根的受訊導體9 1 2之間，具備有一直延伸 至了各個的受訊導體912之導體寬幅的略1/2的位置處爲 止的位置關係地，而被作配置。 ζ) 又，於圖56(B)中，對於感測部9 00之受訊導體912 以及第2透明電極膜914的構成作展示。第2透明電極膜914 ，係被配置在與受訊導體912所被配置之面相同的面上， 關於其之尺寸，係可適用與對於第1透明電極膜913之尺寸 作規定的情況時相同之途徑來決定之。亦即是，第2透明 電極膜9 14，係爲了不會與受訊導體9 12相接觸，而具備有 相較於受訊導體912間之尺寸而若干小的尺寸，其與受訊 導體9 1 2之間，係隔著若干的空隙而相互離隔。另一方面 Q ，關於第2透明電極膜914之在受訊導體912的長度方向上 之尺寸，係被設定爲將相互在近旁而被作配置之送訊導體 9 1 1作部分性的覆蓋。 關於第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914的尺寸 以及配置，例如當從對於指示體作操作之面側（上方側） 來觀察感測部900時，係成爲使送訊導體911、受訊導體 912、第1透明電極膜913、第2透明電極膜914的重疊關係 ，在維持電性絕緣的同時，亦能夠盡可能地成爲均質的方 式來作設定並作配置’而成爲能夠對於感測部90 0全體來 -143- 201203063 將透過率之不均作抑制並保持均質的光學特性。 若是將感測部900之被形成在基板的各面上之導體以 及透明電極膜分別如同圖5 6 ( A )以及（B ) —般地來作配 置，則當從上方來對於感測部900作觀察時，如圖55中所 示一般’在存在有導體圖案之區域處，亦係被形成有由與 導體相同之材料所成的第1透明電極膜913以及第2透明電 極膜9 1 4。其結果，在感測部9 〇〇上之透過率的不均係被作 抑制。 另外，用以對於透過率之不均作抑制的第1透明電極 膜9 1 3以及第2透明電極膜9 1 4的形狀，係並不被限定於矩 形。只要在從上方而對於感測部900作觀察時，由送訊導 體911以及受訊導體912所成之導體圖案與第1透明電極膜 9 1 3以及第2透明電極膜9 1 4之間的重疊關係成爲光學性均 質即可，第1透明電極膜913以及第2透明電極膜914之形狀 ’係關連於由送訊導體911與受訊導體912所成之導體圖案 的形狀而被適宜作決定。例如，在此變形例5之感測部9〇〇 中’雖係對於將矩形狀之複數的透明電極膜沿著送訊導體 9 1 1或是受訊導體9 1 2所延伸之方向而以特定間隔來作配置 的情況而作了例示說明，但是，亦可將該複數之透明電極 膜作爲1枚的電極膜而形成之。 又’當將第1透明電極膜91 3以及第2透明電極膜914配 置在送訊導體9 1 1間以及受訊導體9 1 2間時，在送訊導體 9 1 1與第1透明電極膜之間、以及在受訊導體9 1 2與第2透明 電極膜之間，係會產生容量耦合’相鄰接之送訊導體9 1 1 -144- 201203063 間以及相鄰接之受訊導體9 1 2間，係會產生通過該容量耦 合而相互架橋的問題。爲了將此問題減輕，若是在第1透 明電極膜91 3處，形成與X軸方向相平行之複數個的細縫’ 並設爲在相鄰接之送訊導體9 1 1之間而等價性地將複數個 的電容器作串聯連接而存在，則爲理想。又，若是在第2 透明電極膜9 1 4處，形成與Y軸方向相平行之複數個的細縫 ，並設爲在相鄰接之受訊導體912之間而等價性地將複數 0 個的電容器作串聯連接而存在，則爲理想。又，亦可在第 1透明電極膜91 3以及第2透明電極膜914處，形成與X軸方 向相平行之複數的細縫和與Y軸方向相平行之複數的細縫 ，並將第1透明電極膜9 1 3以及第2透明電極膜9 1 4分割爲矩 陣狀。 又，此變形例5之構成，係亦可對於上述之實施型態 的感測部以及感測部之變形例1〜6作適用。進而，例如， 亦可另外準備在特定區域處而被形成有光透過率不均防止 Q 用之透明電極膜的基板’並將該基板追加設置於感測部處 。又，如同上述一般，亦可採用薄膜狀之基材。 〈感測部之變形例6 > 上述之第1實施形態的感測部100之感壓材，係如圖2 中所示一般，設爲在與指示輸入面100S相正交之方向上’ 將送訊電阻體13Y與受訊電阻體HX空出有特定之空隙15 地來作配設之構成。此感測部之變形例6，被設置有空隙 15之感壓材的構成，係與前述之例相異。參考圖57以及圖 -145- 57 201203063 5 8，針對此變形例6之感測部1 〇〇〇的構成例作說明。圖 (A )，係爲此變形例ό之感測部1 〇 〇 〇之X軸方向剖面圖 圖5 7 ( Β )，係爲感測部1 〇 〇 〇之Υ軸方向剖面圖。 1 Y 而 縫 體 此 體 縫 的 三几 δ又 示 述 而 力 體 叉 在此變形例6中，於空隙1 5處之被配設有送訊導體1 的下側基板1 6之上，係被配設有凝膠狀之電阻體1 0 0 1 ° ，在此凝膠狀之電阻體10 01之上’係被配設有格子狀細 構件1 0 0 2。於此情況，格子狀細縫構件1 0 0 2與受訊導 1 2 X，係被設爲在ζ方向上而相離隔了特定之距離的狀態 格子狀細縫構件1 002 ’係如同圖5 8之立體圖中所示 般，具備著在Ζ方向上而具有高度h之矩形狀細縫1003。 矩形狀細縫1〇〇3，係對應於送訊導體HY以及受訊導 1 2 X之配列間隔地而被形成。而後’以使此矩形狀細 1 003之中心位置成爲送訊導體11Y與受訊導體12X之間 交叉點之正下方的方式’來將格子狀細縫構件1 〇 〇 2作配 〇 在此變形例6之感測部1 000中’將指示體1 8之與指 輸入面1 00S作接觸的位置檢測出來之處理動作，係與前 之例相同。 在此變形例6之感測部1 000中，若是藉由指示體1 s 對於指示輸入面1 〇〇s施加有推壓力，則被施加有該推壓 之指示輸入面1 00S的部分係撓折，藉由此，在該部位處 上側基板1 7係將格子狀細縫構件1 002朝向凝膠狀之電阻 1001側作推壓偏移。 如此一來，在與被施加有推壓力之部分相對應的交 -146- 201203063 點處，凝膠狀之電阻體1 00 1係以從矩形狀細縫構件1 003而 隆起的方式來作變化，並成爲與該交叉點之受訊導體12X 作接觸。而，凝膠狀之電阻體1001與受訊導體12X之間的 接觸面積，係成爲與藉由指示體18而對於指示輸入面100S 所施加了的推壓力相對應者。 故而，在此變形例6之感測部1〇〇〇中，亦能夠與第1實 施形態的感測部1 〇〇同樣的而進行指示體之檢測（亦包含 ζ) 推壓力之檢測）。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第1實施 形態之全體構成例作展示的區塊圖。 〔圖2〕用以對於第1實施型態之指示體檢測裝置的感 測部之構成作說明的圖。 〔圖3〕用以對於第1實施型態之指示體檢測裝置的感 〇 測部之構成作說明的圖。 〔圖4〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中 的由靜電耦合方式所進行之指示體檢測的動作原理作說明 而使用的圖。 〔圖5〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中 的爲了進行由靜電耦合方式所致之指示體檢測的重要部分 電路作說明而使用的圖。 〔圖6〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中 的由電阻膜方式所進行之指示體檢測的動作原理作說明而 -147- 201203063 使用的圖。 〔圖7〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中 的由電阻膜方式所進行之指示體檢測的動作原理作說明而 使用的圖。 〔圖8〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中 的爲了進行由電阻膜方式所致之指示體檢測的重要部分電 路作說明的圖。 〔圖9〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置中 的爲了進行由靜電耦合方式以及電阻膜方式之雙方所致之 指示體檢測的重要部分電路作說明的圖。 〔圖1 0〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的爲了進行由靜電耦合方式以及電阻膜方式之雙方所致 之指示體檢測的重要部分電路之其他例作說明的圖。 〔圖1 1〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的送訊部作說明之圖。 〔圖1 2〕用以對於作爲在第1實施型態之指示體檢測 裝置中所使用的送訊訊號之例的展頻碼作說明之圖。 〔圖1 3〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的送訊部之動作作說明之圖。 〔圖1 4〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的受訊部之一部份作說明之圖。 〔圖1 5〕用以對於圖1 4之受訊部的一部份之動作作說 明之圖。 〔圖1 6〕用以對於在第丨實施型態之指示體檢測裝置 -148- 201203063 中的受訊部之剩餘的部份作說明之圖。 〔圖1 7〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的送訊部以及受訊部之動作作說明的時序表之圖。 〔圖1 8〕對於圖1 6之受訊部的一部份之詳細構成例作 展市之區塊圖。 〔圖1 9〕用以對於圖1 8之受訊部的一部份之詳細構成 例的動作作說明之時序表之圖。 () 〔圖20〕對於圖I8之受訊部的一部份之詳細構成例作 展示之區塊圖。 〔圖21〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的指示體檢測動作作說明所使用之圖。 〔圖22〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的指示體檢測動作作說明所使用之圖。 〔圖23〕對於用以對第1實施型態之指示體檢測裝置 的動作例作說明之流程圖的一部份作展示之圖。 Q 〔圖2 4〕對於用以對第1實施型態之指示體檢測裝置 的動作例作說明之流程圖的一部份作展示之圖。 〔圖2 5〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的藉由靜電耦合方式所進行之指示體的懸浮狀態之檢測 動作原理作說明而使用之圖。 〔圖26〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 中的藉由靜電耦合方式所進行之指示體的懸浮狀態之檢測 動作原理作說明而使用之圖。 〔圖27〕用以對於在第1實施型態之指示體檢測裝置 -149- 201203063 中的藉由靜電耦合方式所進行之指示體的懸浮狀態之檢測 動作原理作說明而使用之圖。 〔圖2 8〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第2實 施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。 〔圖29〕對於用以對第2實施型態之指示體檢測裝置 的動作例作說明之流程圖作展示之圖。 〔圖3 0〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第3實 施开< 態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。 〔圖3 1〕對於用以對第3實施型態之指示體檢測裝置 的動作例作說明之流程圖的一部份作展示之圖。 〔圖3 2〕對於用以對第3實施型態之指示體檢測裝置 的動作例作說明之流程圖的一部份作展示之圖。 〔圖3 3〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第3實 施形態之其他例子的重要部分之構成例作展示的區塊圖。 〔圖34〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的 第4實施型態作說明所使用之圖。 〔圖3 5〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的 第4實施型態作說明所使用之圖。 〔圖3 6〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的 第4實施型態作說明所使用之圖。 〔圖3 7〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的 第4實施型態作說明所使用之圖。 〔圖3 8〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的 第4實施型態作說明所使用之圖。 -150 - 201203063 〔圖39〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第4實 施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。 〔圖4 0〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第4實 施形態之其他的重要部分之構成例作展示的區塊圖。 〔圖4 1〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第*實 施形態之其他的重要部分之構成例作展示的區塊圖。 〔圖42〕對於本發明所致之指不體檢測裝置的第*實 () 施形態之重要部分的其他構成例作展示之區塊圖。 〔圖43〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的 第5實施型態作說明所使用之圖。 〔圖4 4〕用以對於由本發明所致之指示體檢測裝置的 第5實施型態作說明所使用之圖。 〔圖45〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第5實 施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。 〔圖46〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第5實 〇 施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。 〔圖47〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第5實 施形態之重要部分的其他構成例作展示之區塊圖。 〔圖以〕對於本發明所致之指示體檢測裝置的第6實 施形態之重要部分的構成例作展示的區塊圖。 〔圖49〕對於圖48之重要部分的構成例之—部份的詳 細構成例作展示之區塊圖。 〔圖5〇〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置 的貫施形態中之感測部的變形例1作說明的圖。 -151 - 201203063 〔圖5 1〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置 的實施形態中之感測部的變形例2作說明的圖。 〔圖5 2〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置 的實施形態中之感測部的變形例3作說明所使用的圖。 〔圖5 3〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置 的實施形態中之感測部的變形例3作說明的圖。 〔圖5 4〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置 的實施形態中之感測部的變形例4作說明的圖。 〔圖5 5〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置 的實施形態中之感測部的變形例5作說明的圖。 〔圖5 6〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置 的實施形態中之感測部的變形例5作說明的圖。 〔圖5 7〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置 的實施形態中之感測部的變形例6作說明的圖。 〔圖5 8〕用以對於在由本發明所致之指示體檢測裝置 的實施形態中之感測部的變形例6作說明的圖。 〔圖59〕用以對於靜電耦合方式之指示體檢測裝置的 感測部作說明之圖。 〔圖6 0〕用以對於電阻膜方式之指示體檢測裝置的感 測部作說明之圖。 【主要元件符號說明】 1 :指示體檢測裝置 1 1 :送訊導體群 -152 - 201203063 1 1Y :送訊導體 1 2 ’·受訊導體群 12X :受訊導體 1 3 Y :送訊電阻體 1 4 X :受訊電阻體 2 0 〇 :送訊部 2 1 :送訊訊號供給電路 22:送訊導體選擇電路 2 3 :時脈產生電路 3 00 :受訊部 3 1 :受訊導體選擇電路 3 2 :放大電路 33 : A/ D變換電路 34 ‘·位置檢測電路 3 5 :演算處理電路 3 6 :位置檢測電路 40 :控制電路 -153-