CN108351718B - 指示接收装置、信息处理装置、信号处理方法及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种指示接收装置、信息处理装置、信号处理方法及存储介质。所述指示接收装置包括：电荷积蓄部，具有在接收指示的指示接收面的下层对置配置一对电极而形成的第1电容器、在下层对应于一对电极而配置且通过指示接收面被按压而一对电极间的电阻值发生变化的电阻体及与第1电容器连接的第2电容器；测定部，测定与第2电容器的电荷量相当的物理量；及输出部，根据通过测定部测定出的物理量，选择性输出表示指示体与指示接收面接触的接触状态的接触状态信号、表示指示体未与指示接收面接触的非接触状态的非接触状态信号及表示指示体按压所述指示接收面的按压状态的按压状态信号。

Description

指示接收装置、信息处理装置、信号处理方法及存储介质

技术领域

本公开的技术涉及一种指示接收装置、信息处理装置、信号处理方法及存储介质。

背景技术

在日本特开2011-209785号公报中公开有具备检测传感器、信号供给电路及信号检测电路的指示体检测装置，日本特开2011-209785号公报中所记载的指示体检测装置判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

另外，本说明书中，接触状态是指指示体与指示接收面接触的状态，非接触状态是指指示体未与指示接收面接触的状态，按压状态是指指示体按压指示接收面的状态。并且，本说明书中，指示体例如是指指尖或触控笔等能够与指示接收面接触及按压的物体。并且，本说明书中，指示接收面例如是指在所谓的触摸面板上通过被接触或按压而接收用户的指示的面。

在日本特开2011-209785号公报中所记载的指示体检测装置中，检测传感器具备第1多个导体、第2多个导体及压敏材料。第1多个导体沿第1方向配置，第2多个导体沿相对于第1方向交叉的第2方向配置。压敏材料配置于第1多个导体与第2多个导体之间，具有既定的电阻特性。

并且，在日本特开2011-209785号公报中所记载的指示体检测装置中，信号供给电路向第1多个导体供给既定的信号，信号检测电路从第2多个导体进行信号的检测。

并且，在日本特开2011-209785号公报中所记载的指示体检测装置中，当指示体位于检测传感器的附近时，检测传感器向信号检测电路供给与第1多个导体与第2多个导体之间的静电电容的变化相应的信号。

并且，在日本特开2011-209785号公报中所记载的指示体检测装置中，当指示体与检测传感器接触时施加的压力小于既定的压力时，检测传感器向信号检测电路供给与第1多个导体与第2多个导体之间的静电电容的变化相应的信号。

另外，在日本特开2011-209785号公报中所记载的指示体检测装置中，当指示体对检测传感器施加超过既定的压力的压力时，检测传感器向信号检测电路供给与来自指示体的压力施加于压敏材料而引起的压敏材料的电阻特性的变化相应的信号。

即，日本特开2011-209785号公报中所记载的指示体检测装置通过使选择性使用所谓的静电电容方式及电阻膜方式来判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

发明内容

发明要解决的技术课题

然而，在日本特开2011-209785号公报中所记载的技术中，为了判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态，必须测定静电电容的变化量和电阻特性的变化量这2个物理量。即，在日本特开2011-209785号公报中所记载的技术中，必须选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量。

本发明的一个实施方式提供一种与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够简单地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态的指示接收装置、信息处理装置、信号处理方法及程序。

用于解决技术课题的手段

本发明的第1方式所涉及的指示接收装置包括：指示接收面，接收指示；电荷积蓄部，具有在指示接收面的下层对置配置一对电极而形成的第1电容器、在下层对应于一对电极而配置且通过指示接收面被按压而一对电极间的电阻值发生变化的电阻体及与第1电容器连接的第2电容器；测定部，测定与第2电容器的电荷量相当的物理量；及输出部，根据通过测定部测定出的物理量，选择性输出表示指示体与指示接收面接触的接触状态的接触状态信号、表示指示体未与指示接收面接触的非接触状态的非接触状态信号及表示指示体按压指示接收面的按压状态的按压状态信号。

因此，根据本发明的第1方式所涉及的指示接收装置，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够简单地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

根据本发明的第1方式所涉及的指示接收装置，本发明的第2方式所涉及的指示接收装置中，当通过测定部测定出预先设定的接触时物理量作为与接触状态的电荷量相当的物理量时，输出部输出接触状态信号，当通过测定部测定出预先设定的非接触时物理量作为与非接触状态的电荷量相当的物理量时，输出非接触状态信号，当通过测定部测定出预先设定的按压时物理量作为与按压状态的电荷量相当的物理量时，输出按压状态信号。

因此，根据本发明的第2方式所涉及的指示接收装置，与测定静电电容及电阻膜的电阻值双方的情况相比，能够迅速地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

根据本发明的第2方式所涉及的指示接收装置，本发明的第3方式所涉及的指示接收装置中，非接触时物理量大于接触时物理量，按压时物理量大于非接触时物理量。

因此，根据本发明的第3方式所涉及的指示接收装置，与非接触时物理量、接触时物理量及按压时物理量的相互之间没有差异的情况相比，能够高精度地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

根据本发明的第3方式所涉及的指示接收装置，本发明的第4方式所涉及的指示接收装置中，当通过测定部测定出超过接触时物理量且小于按压时物理量的物理量时，输出部根据通过测定部测定出的物理量的变化来选择性输出接触状态信号及非接触状态信号。

因此，根据本发明的第4方式所涉及的指示接收装置，即使非接触时物理量大于接触时物理量，按压时物理量大于非接触时物理量，也能够判别指示体相对于指示接收面的接触状态及非接触状态。

根据本发明的第4方式所涉及的指示接收装置，本发明的第5方式所涉及的指示接收装置中，当通过测定部测定出非接触时物理量且通过测定部测定出的物理量的变化表示预先设定的变化时，输出部输出非接触状态信号。

因此，根据本发明的第5方式所涉及的指示接收装置，即使非接触时物理量大于接触时物理量，按压时物理量大于非接触时物理量，也能够避免尽管实际为非接触状态但误判别为接触状态的情况。

根据本发明的第3方式至第5方式中任一方式所涉及的指示接收装置，本发明的第6方式所涉及的指示接收装置中，当前次输出接触状态信号且测定部测定出与非接触时物理量不同的、超过接触时物理量且小于按压时物理量的物理量时，输出部输出接触状态信号。

因此，根据本发明的第6方式所涉及的指示接收装置，能够避免尽管实际上并不是接触状态但误判别为接触状态的情况。

根据本发明的第3方式至第6方式中任一方式所涉及的指示接收装置，本发明的第7方式所涉及的指示接收装置中，按赋予给指示接收面的每个坐标而形成有第1电容器，当关于坐标中的着眼坐标而前次没有输出接触状态信号，通过测定部关于着眼坐标而测定出超过非接触时物理量且小于按压时物理量的物理量，关于与着眼坐标相邻的坐标而测定出超过接触时物理量且小于非接触时物理量的物理量、或超过非接触时物理量且小于按压时物理量的物理量时，输出部输出接触状态信号。

因此，根据本发明的第7方式所涉及的指示接收装置，能够避免尽管实际上并不是接触状态但误判别为接触状态的情况。

根据本发明的第3方式至第7方式中任一方式所涉及的指示接收装置，本发明的第8方式所涉及的指示接收装置中，按赋予给指示接收面的每个坐标而形成有第1电容器，当通过测定部关于坐标中的着眼坐标而测定出超过接触时物理量且非接触时物理量以下的物理量，关于与着眼坐标相邻的坐标而测定出非接触时物理量时，输出部输出非接触状态信号。

因此，根据本发明的第8方式所涉及的指示接收装置，能够避免尽管实际上并不是非接触状态但误判别为非接触状态的情况。

根据本发明的第1方式至第8方式中任一方式所涉及的指示接收装置，本发明的第9方式所涉及的指示接收装置中，物理量为第2电容器的放电时间。

因此，根据本发明的第9方式所涉及的指示接收装置，与测定静电电容及电阻膜的电阻值双方的情况相比，能够迅速地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

根据本发明的第1方式至第8方式中任一方式所涉及的指示接收装置，本发明的第10方式所涉及的指示接收装置中，物理量为第2电容器的电压。

因此，根据本发明的第10方式所涉及的指示接收装置，与测定静电电容及电阻膜的电阻值双方的情况相比，能够迅速地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

根据本发明的第1方式至第10方式中任一方式所涉及的指示接收装置，本发明的第11方式所涉及的指示接收装置中，一对电极为各自具有梳齿部的一对梳齿电极，第1电容器为通过一对梳齿电极的双方的梳齿部彼此不同地配置而形成的电容器，电阻体配置于如下位置，所述位置为通过指示接收面被按压而一对梳齿电极的双方的梳齿部间的电阻值能够发生变化的位置。

因此，根据本发明的第11方式所涉及的指示接收装置，与在上下方向上重叠配置一对电极并使电阻体介于电极之间的情况相比，能够减薄厚度。

根据本发明的第1方式至第11方式中任一方式所涉及的指示接收装置，本发明的第12方式所涉及的指示接收装置中，按赋予给指示接收面的每个坐标而形成有第1电容器。

因此，根据本发明的第12方式所涉及的指示接收装置，能够按赋予给指示接收面的每个坐标来判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

本发明的第13方式所涉及的信息处理装置包括：第1方式至第12方式中任一方式的指示接收装置；及执行部，执行与通过指示接收装置所包含的输出部输出的接触状态信号、非接触状态信号及按压状态信号各自相对应的处理。

因此，根据本发明的第13方式所涉及的信息处理装置，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够简单地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

并且，根据本发明的第13方式所涉及的信息处理装置，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够以简单的结构来执行与指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态各自相对应的处理。

根据本发明的第13方式所涉及的信息处理装置，本发明的第14方式所涉及的信息处理装置中，当在预先设定的时间内通过输出部输出接触状态信号的前后未输出非接触状态信号而输出了按压状态信号时，执行部执行与重复接触状态和按压状态的间歇按压操作相对应的处理。

因此，根据本发明的第14方式所涉及的信息处理装置，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够以简单的结构来执行与间歇按压操作相对应的处理。

本发明的第15方式所涉及的信号处理方法包括以下步骤：测定与指示接收装置所包含的第2电容器的电荷量相当的物理量，所述指示接收装置包括：指示接收面，接收指示；及电荷积蓄部，具有在指示接收面的下层对置配置一对电极而形成的第1电容器、在下层对应于一对电极而配置且通过指示接收面被按压而一对电极间的电阻值发生变化的电阻体及与第1电容器连接的第2电容器；及根据测定出的物理量，选择性输出表示指示体与指示接收面接触的接触状态的接触状态信号、表示指示体未与指示接收面接触的非接触状态的非接触状态信号及表示指示体按压指示接收面的按压状态的按压状态信号。

根据本发明的第15方式所涉及的信号处理方法，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够简单地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

本发明的第16方式所涉及的程序用于使计算机执行包括以下步骤的处理：测定与指示接收装置所包含的第2电容器的电荷量相当的物理量，所述指示接收装置包括：指示接收面，接收指示；及电荷积蓄部，具有在指示接收面的下层对置配置一对电极而形成的第1电容器、在下层对应于一对电极而配置且通过指示接收面被按压而一对电极间的电阻值发生变化的电阻体及与第1电容器连接的第2电容器；及根据测定出的物理量，选择性输出表示指示体与指示接收面接触的接触状态的接触状态信号、表示指示体未与指示接收面接触的非接触状态的非接触状态信号及表示指示体按压指示接收面的按压状态的按压状态信号。

因此，根据本发明的第16方式所涉及的程序，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够简单地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

发明效果

根据本发明的一个实施方式，可得到如下效果，即，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够简单地判别指示体相对于指示接收面的接触状态、非接触状态及按压状态。

附图说明

图1是表示第1及第2实施方式所涉及的智能设备的概略结构的一例的分解立体图。

图2是表示第1及第2实施方式所涉及的智能设备的电气系统的主要部分结构的一例的概略结构图。

图3是指示体与第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板接触的状态的触摸面板中包括1组坐标的第1梳齿电极、第2梳齿电极及碳片的部分的概略俯视图及概略侧视图。

图4是指示体按压于第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的状态的触摸面板中包括1组坐标的第1梳齿电极、第2梳齿电极及碳片的部分的概略俯视图及概略侧视图。

图5是指示体以比图4所示的状态更强的按压力按压于触摸面板的状态的触摸面板中包括1组坐标的第1梳齿电极、第2梳齿电极及碳片的部分的概略俯视图及概略侧视图。

图6是表示第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的各坐标的电荷积蓄部、各导线的电荷积蓄部及LSI的主要部分结构的一例的概略结构图。

图7是表示指示体相对于第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的接触状态下的驱动信号、NMOS晶体管的漏极、A点、B点及倾斜端子各自的电位的转变方式的一例的时序图。

图8是表示指示体相对于第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的非接触状态下的驱动信号、NMOS晶体管的漏极、A点、B点及倾斜端子各自的电位的转变方式的一例的时序图。

图9是表示指示体相对于第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的按压状态下的驱动信号、NMOS晶体管的漏极、A点、B点及倾斜端子各自的电位的转变方式的一例的时序图。

图10是表示第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的各坐标的电荷积蓄部的A点的电位的变化方式的一例的时序图。

图11是表示第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的各坐标的电荷积蓄部的B点的电位的变化方式的一例的时序图。

图12是表示第1及第2实施方式所涉及的触摸面板的各坐标的电荷积蓄部所包含的各导线的电荷积蓄部的第2电容器的电压的绝对值的变化方式的一例的时序图。

图13是表示通过第1实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的控制电路来执行的测定处理的流程的一例的流程图。

图14是表示通过第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的控制电路来执行的判别处理的流程的一例的流程图。

图15是通过第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的控制电路执行判别处理时由控制电路使用的放电时间分布图的一例。

图16是表示通过第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的主控制部的CPU执行间歇按压操作判别程序来实现的间歇按压操作判别处理的流程的一例的流程图。

图17是表示通过第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的控制电路来执行的判别处理的流程的一例的流程图。

图18是表示通过第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的控制电路来执行的判别处理的流程的变形例的流程图。

图19A是包括作为第1及第2实施方式所涉及的第1电容器的变形例的第1电容器和作为本公开的技术所涉及的电阻体的一例的第1及第2电阻体的触摸面板在X方向上的概略剖视图。

图19B是包括作为第1及第2实施方式所涉及的第1电容器的变形例的第1电容器和作为本公开的技术所涉及的电阻体的一例的第1及第2电阻体的触摸面板在Y方向上的概略剖视图。

图20是包括作为第1及第2实施方式所涉及的第1电容器的变形例的第1电容器和作为本公开的技术所涉及的电阻体的一例的第1及第2电阻体的触摸面板的指示接收面被指示体按压的状态的触摸面板在X方向上的概略剖视图。

图21A是使用作为第1及第2实施方式所涉及的第1电容器的变形例的第1电容器和作为本公开的技术所涉及的电阻体的一例的可变电阻体时的触摸面板在X方向上的概略剖视图。

图21B是使用作为第1及第2实施方式所涉及的第1电容器的变形例的第1电容器和作为本公开的技术所涉及的电阻体的一例的可变电阻体时的触摸面板在Y方向上的概略剖视图。

图22是表示代替第1及第2实施方式所涉及的控制电路而使用的计算机及I/O的一例的框图。

图23是表示从存储介质将测定程序及判别程序安装于代替第1及第2实施方式所涉及的控制电路而使用的计算机中的方式的一例的概念图。

图24是表示从存储介质将间歇按压操作判别程序安装于第1及第2实施方式所涉及的主控制部的方式的一例的概念图。

图25是表示第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的主要部分结构(各坐标的电荷积蓄部、各导线的电荷积蓄部及LSI)的第1变形例的概略结构图。

图26是在图25所示的结构中通过控制电路执行判别处理时由控制电路使用的电压分布图的一例。

图27是表示第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的主要部分结构(各坐标的电荷积蓄部、各导线的电荷积蓄部及LSI)的第2变形例的概略结构图。

图28是表示第1及第2实施方式所涉及的智能设备所包含的触摸面板的主要部分结构(各坐标的电荷积蓄部、各导线的电荷积蓄部及LSI)的第3变形例的概略结构图。

具体实施方式

以下，根据附图对本公开的技术所涉及的实施方式的一例进行说明。另外，以下，为了方便说明，在图6～图12、图25、图27及图28中，“HiZ”是指高阻抗。

[第1实施方式]

作为一例，如图1所示，作为本公开的技术所涉及的信息处理装置的一例的智能设备10具备框体12、显示器14、主控制部30及作为本公开的技术所涉及的指示接收装置的一例的触摸面板42。

框体12形成为直方体状，框体12上形成有俯视长方形的开口部12A。另外，以下，为了方便说明，将开口部12A的宽度方向设为X方向，将开口部12A的长度方向设为Y方向，将相对于开口部12A垂直的方向设为Z方向而进行说明。

框体12中经由开口部12A容纳有主控制部30。并且，框体12中容纳有显示器14。作为显示器14的一例，可以举出LCD(LiquidCrystalDisplay：液晶显示器)，但并不限于此，例如也可以为有机电致发光显示器或等离子体显示器等其他显示器。

显示器14上重叠配置有触摸面板42。触摸面板42具有正面罩(front cover)18、电荷积蓄部46及LSI(LargeScaleIntegratedCircuit：大规模集成电路)48。

正面罩18具备边框20及板体22。边框20的形状及大小设计成与框体12的开口部12A的形状及大小相对应，边框20上形成有长方形的开口部20A。

作为本公开的技术所涉及的指示接收面的一例的板体22为具有透光性的板状部件。板体22具有平面状的指示接收面22A，板体22的表面成为指示接收面22A。板体22的形状及大小设计成与边框20的开口部20A的大小及形状相对应，板体22被嵌入边框20的开口部20A，并固定于边框20。并且，板体22设计成在正面罩18安装于框体12的状态下被指示体I按压，则以与按压力相应的挠曲量挠曲。

另外，以下，为了方便说明，将指示体I相对于指示接收面22A接触的位置称为“接触位置”。并且，将在指示接收面22A上移动接触位置的操作称为“移动操作”。

电荷积蓄部46具有传感器面板16及各导线的电荷积蓄部60。传感器面板16具有透光性，传感器面板16上重叠配置有正面罩18的板体22。

传感器面板16具有多个第1导线24、多个第2导线26及各坐标的电荷积蓄部66。第1导线24沿Y方向延伸，且沿着X方向隔开既定的间隔而配置。相对于此，第2导线26沿X方向延伸，且沿着Y方向隔开既定的间隔而配置。

传感器面板16上以矩阵状配置有各坐标的电荷积蓄部66。即，传感器面板16上赋予有二维坐标(以下，简称为“坐标”)，按每个坐标配置有各坐标的电荷积蓄部66。

作为一例，如图2所示，各坐标的电荷积蓄部66具备第1电容器50及俯视矩形状的碳片52。

第1电容器50为在板体22的下层，作为本公开的技术所涉及的一对电极的第1梳齿电极54及第2梳齿电极56在XY平面内对置配置而形成的电容器。另外，第1梳齿电极54及第2梳齿电极56为本公开的技术所涉及的一对梳齿电极的一例。

第1梳齿电极54具有梳齿部54A，第2梳齿电极56具有梳齿部56A。梳齿部56A配置于梳齿部54A之间。即，第1电容器50为通过梳齿部54A和梳齿部56A在XY平面内彼此不同地配置而形成的电容器。

作为一例，如图3～图5所示，作为本公开的技术所涉及的电阻体的一例的碳片52在板体22的下层对应于第1梳齿电极54及第2梳齿电极56而配置。在图3～图5所示的例子中，碳片52在板体22的下层以相对于第1梳齿电极54及第2梳齿电极56沿Z方向经由间隔物58相邻的方式配置。并且，碳片52位于如下位置，所述位置为通过指示接收面22A被按压而第1梳齿电极54及第2梳齿电极56双方的梳齿部间即梳齿部54A与梳齿部54B之间的电阻值能够发生变化的位置。因此，在碳片52中，通过指示接收面22A被按压而第1梳齿电极54与第2梳齿电极56之间的电阻值发生变化。

作为一例，如图3～图5所示，碳片52通过指示接收面22A被按压而与梳齿部54A、54B接触。作为一例，如图4及图5所示，梳齿部54A、54B相对于碳片52的接触面积S随着按压力变大而增大，随此，第1梳齿电极54与第2梳齿电极56之间的碳片52所产生的电阻值下降。

另外，在本第1实施方式中，采用了碳片52，但本公开的技术并不限定于此。例如，也可以为分散有金属粉等导电粒子的橡胶片，只要是通过指示接收面22A被按压而第1梳齿电极54与第2梳齿电极56之间的电阻值发生变化的电阻体即可。

作为一例，如图2所示，第1梳齿电极54形成于第1导线24，第2梳齿电极56形成于第2导线26。第1导线24及第2导线26与LSI48连接，LSI48以既定的周期对多个第1导线24各自输出驱动信号D。驱动信号D例如从X方向的一端侧至另一端侧依次隔开既定的时间间隔而输出至多个第1导线24。

在传感器面板16与LSI48之间，按每个第2导线26设置有各导线的电荷积蓄部60。各导线的电荷积蓄部60包括第2电容器62及电阻64，第2电容器62具有彼此对置配置的第1电极62A和第2电极62B。

第1电极62A与第2导线26连接，由此，经由第2导线26与第2梳齿电极56连接。即，第2电容器62经由第2导线26与同一个第2导线26上的第1电容器50串联连接。

第2电极62B与电阻64的一端连接。电阻64的另一端与相邻的各导线的电荷积蓄部60的电阻64的另一端连接，第2电极62B和电阻64的连接点与LSI48连接。并且，多个各导线的电荷积蓄部60中位于Y方向的一端的各导线的电荷积蓄部60即各导线的电荷积蓄部60A的电阻64的另一端与LSI48连接。

第2电容器62为作为所谓的采样电容器发挥功能的电容器，将第1电容器50的静电电容设为Cx，将第2电容器62的静电电容设为Cs时，“Cs＞＞Cx”的关系成立。

主控制部30具备作为本公开的技术所涉及的执行部的一例的CPU(CentralProcessingUnit：中央处理装置)32、一次存储部34及二次存储部36。CPU32控制整个智能设备10。一次存储部34为用作执行各种程序时的工作区等的易失性存储器。作为一次存储部34的一例，可以举出RAM(RandomAccessMemor y(随机存取存储器))。二次存储部36为预先存储控制智能设备10的作动的控制程序或各种参数等的非易失性存储器。作为二次存储部36的一例，可以举出EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory(电可擦可编程只读存储器))或闪存器。CPU32、一次存储部34及二次存储部36经由汇流线38相互连接。

智能设备10具备输入输出接口(I/O)40。I/O40将CPU32和各种输入输出设备电连接并管理CPU32与各种输入输出设备之间的各种信息的收发。

在I/O40连接有显示器14及触摸面板42作为输入输出设备，CPU32进行显示器14的控制，并且在与触摸面板42之间进行各种信息的授受。

二次存储部36存储间歇按压操作判别程序44。CPU32从二次存储部36读出间歇按压操作判别程序44并展开在一次存储部34中。而且，CPU32通过执行展开在一次存储部34中的间歇按压操作判别程序44来作为本公开的技术所涉及的执行部进行动作。

即，CPU32通过作为本公开的技术所涉及的执行部进行动作来执行与通过后述的控制电路70(参考图6)输出的后述的接触状态信号、后述的非接触状态信号及后述的按压状态信号各自相对应的处理。

在此，作为与接触状态信号、非接触状态信号及按压状态信号各自相对应的处理，例如可以举出判别点击操作、轻击操作、双击操作、长按操作、拖动操作、张开(pinch open)操作及闭合(pinch close)操作的处理。

点击操作是指使指示体I对指示接收面22A点击1次的操作。轻击操作是指移动操作的移动距离为既定的距离(例如，2毫米)以上且开始移动操作之后在小于第1设定时间(例如，300毫秒)内通过使指示体I离开指示接收面22A而结束移动操作的操作。双击操作是指使指示体I对指示接收面22A历经小于第1设定时间的非接触状态而点击2次的操作。拖动操作是指将接触位置继续移动第1设定时间以上的操作。

长按操作是指使指示体I相对于指示接收面22A在不从接触位置移动的状态下使其继续接触第2设定时间(例如，1秒)以上的操作。张开操作一般也被称为扩大操作，是指扩大指示接收面22A上的2个接触位置的位置间隔的操作。闭合操作一般也被称作缩小操作，是指缩小指示接收面22A上的2个接触位置的位置间隔的操作。

并且，CPU32通过作为本公开的技术所涉及的执行部进行动作而在预先设定的时间内通过控制电路70输出接触状态信号的前后未输出非接触状态信号而输出了按压状态信号时，执行与间歇按压操作相对应的处理。在此，间歇按压操作是指重复接触状态和按压状态的操作。另外，重复接触状态和按压状态的操作具体是指在使指示体I相对于指示接收面22A接触的状态下，用指示体I间歇地按压指示接收面22A的操作。

作为一例，如图6所示，LSI48具有控制电路70、第1输出缓冲器72、第2输出缓冲器74、比较器76及N沟道型MOS(Metal-Oxide-Semiconductor(金属氧化物半导体))场效应晶体管N1、N2。另外，以下，为了方便说明，将N沟道型MOS场效应晶体管称为“NMOS晶体管”。并且，在图6所示的例子中，为了方便说明，用将碳片52作为假想的电阻R而功能性地表现的等效电路表示各坐标的电荷积蓄部66。

在本第1实施方式中，控制电路70及比较器76测定第2电容器62的放电时间。另外，控制电路70及比较器76为本公开的技术所涉及的测定部的一例。并且，第2电容器62的放电时间为与第2电容器62的电荷量相当的物理量的一例。

并且，作为本公开的技术所涉及的输出部的一例的控制电路70根据测定出的放电时间，选择性输出表示接触状态的接触状态信号、表示非接触状态的非接触状态信号及表示按压状态的按压状态信号。

并且，控制电路70具备易失性存储器70A，存储后述的放电时间信息。并且，控制电路70与I/O40连接。因此，控制电路70按每个坐标将接触状态信号、非接触状态信号及按压状态信号经由I/O40输出至主控制部30。另外，控制电路70具备非易失性存储器70B，非易失性存储器70B存储后述的放电时间分布图90(参考图15)。

第1输出缓冲器72的输入端子与控制电路70连接，第1输出缓冲器72的输出端子经由第1导线24与第1梳齿电极54连接。第1输出缓冲器72在控制电路70的控制下向第1梳齿电极54输出驱动信号D。另外，驱动信号D为由隔开既定的间隔而包含既定个数的脉冲的脉冲列形成的信号，在控制电路70的控制下切换成电源电位VDD和接地电位GND。

第2输出缓冲器74的输入端子与控制电路70连接，作为第2输出缓冲器74的输出端子的倾斜端子74A与各导线的电荷积蓄部60A所包含的电阻64的另一端连接。第2输出缓冲器74在控制电路70的控制下将倾斜端子74A的电位选择性切换成高阻抗和电源电位VDD。

NMOS晶体管N1的栅极与控制电路70连接，NMOS晶体管N1的源极被设为接地电位GND。NMOS晶体管N1的漏极与第1电极62A连接。若第1脉冲列P1从控制电路70输入至栅极，则NMOS晶体管N1根据输入的第1脉冲列切换接通/断开。NMOS晶体管N1的漏极的电位与此相应地切换成接地电位GND和高阻抗。

NMOS晶体管N2的栅极与控制电路70连接，NMOS晶体管N2的源极被设为接地电位GND，NMOS晶体管N2的漏极与第2电极62B连接。若第2脉冲列P2从控制电路70输入至栅极，则NMOS晶体管N2根据输入的第2脉冲列切换接通/断开。NMOS晶体管N2的漏极的电位与此相应地切换成接地电位G ND和高阻抗。

另外，第2脉冲列P2成为第1脉冲列P1反转而得到的脉冲列。因此，NM OS晶体管N1的漏极的电位及NMOS晶体管N2的漏极的电位以互补性的关系被切换。即，当NMOS晶体管N1的漏极的电位为接地电位GND时，NMOS晶体管N2的漏极的电位成为高阻抗，当NMOS晶体管N1的漏极的电位为高阻抗时，NMOS晶体管N2的漏极的电位成为接地电位GND。

比较器76的非反转输入端子与电阻64的一端连接，比较器76的反转输入端子被设为接地电位GND，比较器76的输出端子与控制电路70连接。比较器76的输出端子选择性输出低电平信号和高电平信号。即，当输入至非反转输入端子的信号的信号电平为接地电位GND以下时，比较器76输出低电平信号，若输入至非反转输入端子的信号的信号电平超过接地电位GND，则输出高电平信号。

接着，对第1实施方式所涉及的智能设备10的本公开的技术所涉及部分的作用进行说明。

首先，将电荷积蓄部46中积蓄电荷的情况(被充电的情况)及从电荷积蓄部46放出电荷的情况(被放电的情况)的电荷积蓄部46及LSI48的基本动作分成步骤1～步骤4(参考图7～图9)进行说明。

另外，以下，为了方便说明，作为一例，如图6所示，将NMOS晶体管N1的漏极和第1电极62A的连接点设为A点，将比较器76的非输入端子和电阻64的一端的连接点设为B点而进行说明。并且，以下，当进行步骤1～步骤4时，将倾斜端子74A的电位为高阻抗作为前提而进行说明。

在步骤1中，若在从第1输出缓冲器72输出的驱动信号D为电源电位VD D的状态下NMOS晶体管N1被断开、NMOS晶体管N2被接通，则第1电容器50及第2电容器62被充电。即，作为一例，如图7～图9所示，若在驱动信号D为电源电位VDD的状态下NMOS晶体管N1的漏极的电位成为高阻抗、NM OS晶体管N2的漏极的电位成为接地电位GND，则A点的电位上升。

接着，在步骤2中，若在NMOS晶体管N2被断开、NMOS晶体管N1被接通的状态下驱动信号D从电源电位VDD转变为接地电位GND，则在第2电容器62中残留电荷，B点成为负电位。即，作为一例，如图7～图9所示，若在N MOS晶体管N2的漏极的电位成为高阻抗、NMOS晶体管N1的漏极的电位成为接地电位GND的状态下驱动信号D转变为接地电位GND，则B点成为负电位。

接着，在步骤3中，若在驱动信号D为接地电位GND的状态下NMOS晶体管N1被断开、NMOS晶体管N2被接通，则第2电容器62的电荷得到维持。即，若在驱动信号D为接地电位GND的状态下NMOS晶体管N1的漏极的电位转变为高阻抗、NMOS晶体管N2的漏极的电位转变为接地电位GND，则A点的电位成为与步骤1时的电位相当的电位。

接着，在步骤4中，若NMOS晶体管N1的断开状态及NMOS晶体管N2的接通状态得到维持、驱动信号D从接地电位GND转变为电源电位VDD，则第1电容器50及第2电容器62被充电。即，作为一例，如图7～图9所示，若在驱动信号D为电源电位VDD的状态下NMOS晶体管N1的漏极的高阻抗得到维持、NMOS晶体管N2的漏极的接地电位GND也得到维持，则A点的电位进一步上升。

通过重复上述步骤1～步骤4的动作，根据第1电容器50的静电电容，作为一例，如图10所示，A点的电位上升，作为一例，如图11所示，B点的电位下降。由此，作为一例，如图12所示，第2电容器62的电压的绝对值上升。

另外，在按压状态下的第2电容器62的电压的绝对值的上升速度根据指示体I相对于指示接收面22A的按压面积而不同。例如，图5所示的例子的接触面积S大于图4所示的例子的接触面积S，因此在图5所示的例子中，与图4所示的例子时相比，第1梳齿电极54与第2梳齿电极56之间的电阻值变小，第2电容器62的电压的绝对值的上升速度也变高。

就接触面积S变大而言，作为一例，如图6所示，等同于插入至第1输出缓冲器72的输出端子与A点之间的电阻R的电阻值变小。因此，电荷经由电阻R积蓄在第2电容器62中，因此随着电阻R的电阻值变小，第2电容器62的电压的绝对值的上升速度变高。

在重复既定次数上述步骤1～步骤4的动作的时点，若使倾斜端子74A的电位从高阻抗转变为电源电位VDD，则第2电容器62开始放电。若第2电容器62开始放电，则作为一例，如图10所示，A点的电位下降。并且，作为一例，如图11所示，B点的电位上升。而且，作为一例，如图12所示，第2电容器62的电压的绝对值下降。作为一例，如图12所示，从第2电容器62的电压的绝对值下降之后达到“0”为止的时间在按压状态、非接触状态及接触状态下不同。

因此，在控制电路70中，利用从第2电容器62的电压的绝对值下降之后达到“0”为止的时间在按压状态、非接触状态及接触状态下不同，为了判别按压状态、非接触状态及接触状态而执行测定处理及判别处理。

接着，参考图13对通过控制电路70执行的测定处理进行说明。另外，以下，为了方便说明，将倾斜端子74A的电位为高阻抗作为前提而对开始执行本测定处理的情况进行说明。并且，以下，为了方便说明，将并行进行上述步骤1～步骤4的动作作为前提而对本测定处理进行说明。并且，以下，为了方便说明，对以1个各坐标的电荷积蓄部66为对象而执行本测定处理的情况进行说明。

在图13所示的测定处理中，首先，在步骤100中，控制电路70判定测定时期是否已到。在此，测定时期是指测定第2电容器62的放电时间的时期。另外，测定时期例如为前后输出的驱动信号D之间的时期，以固定的周期到来。

在步骤100中，当测定时期已到时，判定被肯定而转移到步骤102。在步骤100中，当测定时期未到时，判定被否定而转移到步骤116。

在步骤102中，控制电路70使倾斜端子74A的电位从高阻抗转变为电源电位VDD，然后转移到步骤104。

在步骤104中，控制电路70通过使计时器(省略图示)作动而开始第2电容器62的放电时间的测定，然后转移到步骤106。

在步骤106中，控制电路70判定是否从比较器76已输出高电平信号。在步骤106中，从比较器76未输出高电平信号时，判定被否定而再次进行步骤106的判定。在步骤106中，从比较器76已输出高电平信号时，判定被肯定而转移到步骤108。

在步骤108中，控制电路70通过停止计时器而结束第2电容器62的放电时间的测定，然后转移到步骤110。

在步骤110中，控制电路70将放电时间信息存储于易失性存储器70A，然后转移到步骤112。在此，放电时间信息是指表示从在步骤104的处理中开始第2电容器62的放电时间的测定至在步骤108的处理中结束第2电容器62的放电时间的测定为止的时间、即通过计时器测定出的时间的信息。

另外，理所当然，第2电容器62的放电时间根据积蓄在第2电容器62的电荷量而不同。例如，图8所示的B点的电位的绝对值大于图7所示的B点的电位的绝对值，因此图8所示的例子时的第2电容器62的放电时间长于图7所示的例子时的第2电容器62的放电时间。并且，例如，图9所示的B点的电位的绝对值大于图8所示的B点的电位的绝对值，因此图9所示的例子时的第2电容器62的放电时间长于图8所示的例子时的第2电容器62的放电时间。

在步骤112中，控制电路70判定作为倾斜端子74A的电位的变更时期而预先设定的变更时期是否已到。在此，变更时期例如是指作为能够放出满充电状态的第2电容器62的所有电荷的时期的、根据触摸面板42的实机试验或基于触摸面板42的设计标准等的计算机模拟等的结果导出的时期。

在步骤112中，当作为倾斜端子74A的电位的变更时期而预先设定的变更时期未到时，判定被否定而再次进行步骤112的判定。在步骤112中，当作为倾斜端子74A的电位的变更时期而预先设定的变更时期已到时，判定被肯定而转移到步骤114。

在步骤114中，控制电路70使倾斜端子74A的电位从电源电位VDD转变为高阻抗，然后转移到步骤116。

在步骤116中，控制电路70判定是否满足结束本测定处理的条件。结束本测定处理的条件例如是指智能设备10的电源开关被断开的条件、或在LSI48或主控制部30等中发生了作为无法忽视的障碍而预先设定的障碍的条件等。

在步骤116中，当未满足结束本测定处理的条件时，判定被否定而转移到步骤100。在步骤116中，当满足结束本测定处理的条件时，判定被肯定而结束本测定处理。

接着，参考图14对通过控制电路70以特定的时间间隔(例如，100毫秒钟隔)执行的判别处理进行说明。另外，以下，为了方便说明，将放电时间信息已存储于易失性存储器70A作为前提而进行说明。并且，以下，为了方便说明，对控制电路70叛别指示体I相对于传感器面板16中与1个着眼坐标相对应的位置的接触状态、非接触状态及按压状态的情况进行说明。

在图14所示的判别处理中，首先，在步骤120中，控制电路70从易失性存储器70A获取与着眼坐标有关且与各坐标的电荷积蓄部66相对应的放电时间信息，然后转移到步骤122。

在步骤122中，控制电路70基于放电时间分布图90(参考图15)来判定由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间是否为接触时放电时间以下。在此，接触时放电时间为本公开的技术所涉及的“预先设定的接触时物理量”的一例。在本第1实施方式中，接触时放电时间是指作为与接触状态下的第2电容器62的电荷量相当的放电时间而预先设定的时间。

作为一例，如图15所示，接触时放电时间根据放电时间分布图90被单值地特定。放电时间分布图90为表示指示体I相对于指示接收面22A的位置与第2电容器62的放电时间之间的关系的分布图。并且，放电时间分布图90为根据触摸面板42的实机试验或基于触摸面板42的设计标准等的计算机模拟等的结果导出的分布图。

作为一例，如图15所示，放电时间分布图90除了接触时放电时间以外，还规定有作为本公开的技术所涉及的非接触时物理量的一例的非接触时放电时间及作为本公开的技术所涉及的按压时物理量的一例的按压时放电时间。而且，非接触时放电时间及按压时放电时间与接触时放电时间相同，也根据放电时间分布图90被单值地特定。另外，非接触时放电时间是指作为与非接触状态下的第2电容器62的电荷量相当的放电时间而预先设定的时间。并且，按压时放电时间是指作为与按压状态下的第2电容器62的电荷量相当的放电时间而预先设定的时间。

在图15所示的例子中，横轴为指示体I的位置，纵轴为第2电容器62的放电时间。在横轴上，“0mm(毫米)”的位置是指与指示接收面22A的基准位置相当的位置。指示接收面22A的基准位置是指指示体I相对于指示接收面22A为非接触状态时的指示接收面22A的位置。

在横轴上，小于0mm的位置即负侧的位置为以指示接收面22A的基准位置为边界而与传感器面板16分开的位置。因此，指示体I随着从0mm向负侧分开而远离传感器面板16。在横轴上，超过0mm的位置即正侧的位置为以指示接收面22A的基准位置为边界而接近传感器面板16的位置。因此，指示体I随着从0mm向正侧分开而靠近传感器面板16。

在放电时间分布图90中，非接触时放电时间长于接触时放电时间，按压时放电时间长于非接触时放电时间。并且，在放电时间分布图90中，与超过0mm的区域(正侧的区域)中的放电时间的变化量相比，小于0mm的区域(负侧的区域)中的放电时间的变化量更缓和。

在步骤122中，当由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间超过接触时放电时间时，判定被否定而转移到步骤126。在步骤122中，当由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间为接触时放电时间以下时，判定被肯定而转移到步骤124。另外，在此，由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间为接触时放电时间以下的情况例如是指图7所示的放电时间的情况。

在步骤124中，控制电路70经由I/O40将接触状态信号输出至主控制部30，然后结束本判别处理。

在步骤126中，控制电路70基于放电时间分布图90来判定由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间是否为按压时放电时间以上。

在步骤126中，当由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间小于按压时放电时间时，判定被否定而转移到步骤130。在步骤126中，当由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间为按压时放电时间以上时，判定被肯定而转移到步骤128。另外，在此，由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间为按压时放电时间以上的情况例如是指图9所示的放电时间的情况。

在步骤128中，控制电路70经由I/O40将按压状态信号输出至主控制部30，然后结束本判别处理。

在步骤130中，控制电路70基于放电时间分布图90来判定由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间是否为非接触时放电时间以下。

在步骤130中，当由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间超过非接触时放电时间时，判定被否定而转移到步骤136。在步骤130中，当由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间为非接触时放电时间以下时，判定被肯定而转移到步骤132。另外，在此，由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间为非接触时放电时间以下的情况例如是指图8所示的放电时间的情况。

在步骤132中，控制电路70基于放电时间分布图90来判定周边放电时间是否为非接触时放电时间。在此，周边放电时间是指对应于与着眼坐标相邻的1个坐标的各坐标的电荷积蓄部66所包含的第2电容器62的放电时间。另外，本步骤132中所使用的周边放电时间为由通过控制电路70从易失性存储器70A获取的放电时间信息表示的放电时间，所述放电时间信息为对应于与和着眼坐标相邻的1个坐标有关的各坐标的电荷积蓄部66的放电时间信息。

在步骤132中，当由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间为非接触时放电时间时，判定被肯定而转移到步骤134。在步骤132中，当由步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间并不是非接触时放电时间时，判定被否定而转移到步骤136。

在步骤134中，控制电路70经由I/O40将非接触状态信号输出至主控制部30，然后结束本判别处理。

在步骤136中，控制电路70对于着眼坐标来判定在执行前次的判别处理时是否已输出接触状态信号。

在步骤136中，当关于着眼坐标而在执行前次的判别处理时输出了接触状态信号时，判定被肯定而转移到步骤124。在步骤136中，当关于着眼坐标而在执行前次的判别处理时未输出接触状态信号时，判定被否定而转移到步骤138。

在步骤138中，控制电路70判定周边放电时间是否在第1既定范围内(参考图15)或第2既定范围(参考图15)内。在此，第1既定范围是指在放电时间分布图90中超过非接触时放电时间且小于按压时放电时间的范围。并且，第2既定范围是指在放电时间分布图90中超过接触时放电时间且小于非接触时放电时间的范围。

在步骤138中，当周边放电时间在第1既定范围内或第2既定范围内时，判定被肯定而转移到步骤124。在步骤138中，当周边放电时间不在第1既定范围内或第2既定范围内时(在第1既定范围外且第2既定范围外时)，判定被否定而转移到步骤140。

在步骤140中，控制电路70执行错误处理，然后结束本判别处理。在此，错误处理是指未输出接触状态信号、按压状态信号及非接触状态信号中的任何一个信号的处理。

另外，在本第1实施方式中，在步骤140中控制电路70执行错误处理，但本公开的技术并不限定于此。例如，也可以适用控制电路70输出接触状态信号、按压状态信号及非接触状态信号中特定的信号的处理来代替步骤140的处理。

接着，参考图16对间歇按压操作判别处理进行说明，所述间歇按压操作判别处理是通过按压状态信号从控制电路70输入至CPU32时由CPU32执行间歇按压操作判别程序44而实现。另外，以下，为了方便说明，无需将接触状态信号、非接触状态信号及按压状态信号区分说明时，称为“状态信号”。

在图16所示的间歇按压操作判别处理中，首先，在步骤150中，CPU32判定从输入按压状态信号之后是否在预先设定的时间内。在此，所谓预先设定的时间，例如作为完成1次双击操作的时间的一半的时间，是指根据触摸面板42的实机试验或基于触摸面板42的设计标准等的计算机模拟等的结果导出的时间。另外，上述双击操作所需的时间的一半的时间例如是指从双击操作中的第1次点击至第2次点击为止所需的时间的一半，在本第1实施方式中例如是指上述第1设定时间的一半。

在步骤150中，当从输入按压状态信号之后不在预先设定的时间内时，判定被否定而结束本间歇按压操作判别处理。在步骤150中，当从输入按压状态信号之后在预先设定的时间内时，判定被肯定而转移到步骤154。

在步骤152中，CPU32判定是否从控制电路70已输入状态信号。在步骤152中，当从控制电路70未输入状态信号时，判定被否定而转移到步骤150。在步骤152中，当从控制电路70已输入状态信号时，判定被肯定而转移到步骤154。

在步骤154中，CPU32判定通过执行步骤152的处理而判定为“已输入”的状态信号是否为接触状态信号。在步骤154中，当通过执行步骤152的处理而判定为“已输入”的状态信号并不是接触状态信号时，判定被否定而结束本间歇按压操作判别处理。在步骤154中，当通过执行步骤152的处理而判定为“已输入”的状态信号为接触状态信号时，判定被肯定而转移到步骤156。

在步骤156中，CPU32判定从通过执行步骤152的处理而判定为“已输入”之后是否在预先设定的时间内。在步骤156中，当从通过执行步骤152的处理而判定为“已输入”之后不在预先设定的时间内时，判定被否定而结束本间歇按压操作判别处理。在步骤156中，当从通过执行步骤152的处理而判定为“已输入”之后在预先设定的时间内时，判定被肯定而转移到步骤158。

在步骤158中，CPU32判定是否从控制电路70已输入状态信号。在步骤158中，当从控制电路70未输入状态信号时，判定被否定而结束本间歇按压操作判别处理。在步骤158中，当从控制电路70已输入状态信号时，判定被肯定而转移到步骤160。

在步骤160中，判定通过执行步骤158的处理而判定为“已输入”的状态信号是否为按压状态信号。在步骤160中，当通过执行步骤158的处理而判定为“已输入”的状态信号并不是按压状态信号时，判定被否定而结束本间歇按压操作判别处理。在步骤160中，当通过执行步骤158的处理而判定为“已输入”的状态信号为按压状态信号时，判定被肯定而转移到步骤162。

在步骤162中，CPU32执行作为与间歇按压操作相对应的处理而预先设定的处理即间歇按压操作处理，然后，结束本间歇按压操作判别处理。另外，在此，作为间歇按压操作处理的一例，可以举出对已安装于智能设备10的特定的应用程序的特定的处理、或将进行了间歇按压操作的位置的坐标以时序存储于二次存储部36的处理等。

如以上说明，在触摸面板42中，通过控制电路70测定第2电容器62的放电时间。而且，根据测定出的放电时间，控制电路70选择性输出接触状态信号、非接触状态信号及按压状态信号。因此，根据触摸面板42，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够简单地判别指示体I相对于指示接收面22A的接触状态、非接触状态及按压状态。

并且，在触摸面板42中，当通过控制电路70测定出与接触时放电时间相当的放电时间时(步骤122：是)，输出接触状态信号。并且，当通过控制电路70测定出与非接触时放电时间相当的放电时间时(步骤132：是)，输出非接触状态信号。另外，当通过控制电路70测定出与按压时放电时间相当的放电时间时(步骤126：是)，输出按压状态信号。因此，根据触摸面板42，与测定静电电容及电阻膜的电阻值双方的情况相比，能够迅速地判别指示体I相对于指示接收面22A的接触状态、非接触状态及按压状态。

并且，在触摸面板42中，基于规定为非接触时放电时间长于接触时放电时间且按压时放电时间长于非接触时放电时间的放电时间分布图90，选择性输出接触状态信号、非接触状态信号及按压状态信号。因此，根据触摸面板42，与未使用放电时间分布图90的情况相比，能够基于测定出的放电时间高精度地判别指示体I相对于指示接收面22A的接触状态、非接触状态及按压状态。

并且，在触摸面板42中，当前次输出接触状态信号、且测定出并不是非接触时放电时间且长于接触时放电时间且短于按压时放电时间的放电时间时(步骤136：是)，输出接触状态信号。因此，根据触摸面板42，能够避免尽管实际上并不是接触状态但误判别为接触状态的情况。

并且，在触摸面板42中，当作为与着眼坐标有关的第2电容器62的放电时间而测定出的放电时间长于非接触时放电时间且短于按压时放电时间时，执行步骤138的处理。而且，当周边放电时间在第1既定范围内时及在第2既定范围内时(步骤138：是)，输出接触状态信号。因此，根据触摸面板42，能够避免尽管实际上并不是接触状态但误判别为接触状态的情况。

并且，在触摸面板42中，当作为与着眼坐标有关的第2电容器62的放电时间而测定出的放电时间长于接触时放电时间且非接触时放电时间以下时，执行步骤132的处理。而且，当周边放电时间为非接触时放电时间时(步骤132：是)，输出非接触状态信号。因此，根据触摸面板42，能够避免尽管实际上并不是非接触状态但误判别为非接触状态的情况。

并且，在触摸面板42中，测定第2电容器62的放电时间，并将测定出的放电时间与放电时间分布图90进行比较。因此，根据触摸面板42，与测定静电电容及电阻值双方的情况相比，能够迅速地判别指示体I相对于指示接收面22A的接触状态、非接触状态及按压状态。

并且，在触摸面板42中，采用通过作为一对梳齿电极的第1梳齿电极54及第2梳齿电极56的双方的梳齿部54A及梳齿部56A彼此不同地配置而形成的第1电容器50。而且，碳片52配置于如下位置，所述位置为通过指示接收面22A被按压而梳齿部54A、56A间的电阻值能够发生变化的位置。因此，根据触摸面板42，与一对电极在上下方向上重叠配置且电阻体介于电极之间的情况相比，能够减薄厚度。

并且，在智能设备10中，通过CPU32执行与由控制电路70输出的接触状态信号、非接触状态信号及按压状态信号各自相对应的处理(例如，识别点击操作或拖动操作等的处理)。

因此，根据智能设备10，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够以简单的结构来执行与指示体I相对于指示接收面22 A的接触状态、非接触状态及按压状态各自相对应的处理。

并且，在智能设备10中，当在预先设定的时间内通过控制电路70输出接触状态信号的前后未输出非接触状态信号而输出了按压状态信号时，通过CPU32执行与间歇按压操作相对应的处理。

因此，根据智能设备10，与选择性使用静电电容方式及电阻膜方式来测定物理量的情况相比，能够以简单的结构来执行与指示体I相对于指示接收面22 A的间歇按压操作相对应的处理。

另外，在上述第1实施方式中，作为周边放电时间的一例，举出了对应于与着眼坐标相邻的1个坐标的各坐标的电荷积蓄部66所包含的第2电容器62的放电时间，但本公开的技术并不限定于此。例如，也可以采用对应于与着眼坐标相邻的多个坐标各自的各坐标的电荷积蓄部66所包含的各第2电容器62的放电时间的平均值或中值等作为周边放电时间。

[第2实施方式]

在上述第1实施方式中，对在与着眼坐标相对应的位置上利用周边放电时间来提高判定是否为接触状态的精度的情况进行了说明，但在本第2实施方式中，对不利用周边放电时间而提高判定是否为接触状态的精度的情况进行说明。另外，在本第2实施方式中，对于与上述第1实施方式中说明的构成要素相同的构成要素标注相同的符号而省略其说明，仅对与上述第1实施方式不同的部分进行说明。

继而，作为一例，如图15所示，放电时间分布图90以“0mm”为边界大致区分为负侧分布图90A和正侧分布图90B。负侧分布图90A为放电时间分布图90中的指示体I的位置属于负侧区域的部分，正侧分布图90B为放电时间分布图90中的指示体I的位置属于正侧区域的部分。

负侧分布图90A中的接触时放电时间以上的范围90A1中的放电时间的变化与正侧分布图90B中的接触时放电时间以上且按压时放电时间以下的范围90B1中的放电时间的变化不同。

因此，在本第2实施方式中，基于负侧分布图90A的范围90A1中的放电时间的变化与正侧分布图90B的范围90B1中的放电时间的变化的差异，通过控制电路70来判别接触状态和非接触状态。

在本第2实施方式中，当控制电路70测定出超过接触时放电时间且小于按压时放电时间的放电时间时，根据测定出的放电时间来选择性输出接触状态信号及非接触状态信号。

并且，在本第2实施方式中，当控制电路70测定出与非接触时放电时间相当的放电时间且测定出的放电时间的变化表示作为本公开的技术所涉及的预先设定的变化的一例的后述的非接触时变化时，输出非接触状态信号。

与上述第1实施方式所涉及的智能设备10相比，本第2实施方式所涉及的智能设备200(参考图1及图2)的不同点在于，控制电路70执行图17所示的判别处理来代替执行图14所示的判别处理。

因此，以下，作为本第2实施方式所涉及的智能设备200的本公开的技术所涉及部分的作用，参考图17对通过控制电路70以特定的时间间隔执行的判别处理进行说明。另外，对于与图14所示的流程图相同的步骤标注相同的步骤序号而省略其说明。

与图14所示的判别处理相比，图17所示的判别处理的不同点在于，具有步骤300来代替步骤132，且具有步骤302来代替步骤138。

在步骤300中，控制电路70判定与着眼坐标有关的各坐标的电荷积蓄部66所包含的第2电容器62的放电时间的变化是否为非接触时变化。放电时间的变化例如根据由通过前次的判别处理的执行而在步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间与由通过本次的判别处理的执行而在步骤120中获取的放电时间信息表示的放电时间的差的绝对值被单值地特定。

在此，非接触时变化是指非接触状态时以特定的时间间隔的第2电容器62的放电时间的变化。另外，非接触时变化根据作为非接触状态时以特定的时间间隔的第2电容器62的放电时间的差的绝对值而预先导出的值α被单值地特定。在此，预先导出的值α是指基于在范围90A1中的指示体I的位置与放电时间之间的关系，根据触摸面板42的实机试验或基于触摸面板42的设计标准等的计算机模拟等的结果导出的值。

在步骤300中，当与着眼坐标有关的各坐标的电荷积蓄部66所包含的第2电容器62的放电时间的变化并不是非接触时变化时，判定被否定而转移到步骤136。在步骤300中，当与着眼坐标有关的各坐标的电荷积蓄部66所包含的第2电容器62的放电时间的变化为非接触时变化时，判定被肯定而转移到步骤134。

在步骤302中，控制电路70判定与着眼坐标有关的各坐标的电荷积蓄部66所包含的第2电容器62的放电时间的变化是否为接触时变化。

接触时变化是指接触状态时以特定的时间间隔的第2电容器62的放电时间的变化。接触时变化根据作为接触状态时以特定的时间间隔的第2电容器62的放电时间的差的绝对值而预先导出的值β被单值地特定。在此，预先导出的值β是指基于在范围90B1中的指示体I的位置与放电时间之间的关系，根据触摸面板42的实机试验或基于触摸面板42的设计标准等的计算机模拟等的结果导出的值。

在步骤302中，当与着眼坐标有关的各坐标的电荷积蓄部66所包含的第2电容器62的放电时间的变化并不是接触时变化时，判定被否定而转移到步骤140。在步骤302中，当与着眼坐标有关的各坐标的电荷积蓄部66所包含的第2电容器62的放电时间的变化为接触时变化时，判定被肯定而转移到步骤124。

如以上说明，本第2实施方式所涉及的在触摸面板42中，当测定出超过接触时放电时间且小于按压时放电时间的放电时间时，根据测定出的放电时间的变化选择性输出接触状态信号及非接触状态信号。因此，根据本第2实施方式所涉及的根据触摸面板42，如放电时间分布图90所示，即使在非接触时放电时间长于接触时放电时间且按压时放电时间长于非接触时放电时间的情况下，也能够判别接触状态及非接触状态。

并且，本第2实施方式所涉及的在触摸面板42中，当通过控制电路70测定出与非接触时放电时间相当的放电时间且测定出的放电时间的变化表示非接触时变化时(步骤300：是)，输出非接触状态信号。因此，根据触摸面板42，即使在非接触时放电时间长于接触时放电时间且按压时放电时间长于非接触时放电时间的情况下，也能够避免尽管实际上为非接触状态但误判别为接触状态的情况。

另外，在上述第2实施方式中，对在步骤300中判定被肯定时转移到步骤134的情况进行了说明，但本公开的技术并不限定于此。例如，也可以如图18所示，在步骤300中判定被肯定时执行上述第1实施方式所涉及的判别处理所包含的步骤132的处理。在图18所示的例子中，在步骤132中判定被否定时转移到步骤136，在步骤132中判定被肯定时转移到步骤134。

并且，在上述第2实施方式中，对在步骤302中判定被肯定时转移到步骤124的情况进行了说明，但本公开的技术并不限定于此。例如，也可以如图18所示，在步骤302中判定被肯定时执行上述第1实施方式所涉及的判别处理所包含的步骤138的处理。在图18所示的例子中，在步骤138中判定被否定时转移到步骤140，在步骤138中判定被肯定时转移到步骤124。

在上述各实施方式中，例示出由第1梳齿电极54及第2梳齿电极56形成的第1电容器50和碳片52按每个坐标各配置有1组的情况，但本公开的技术并不限定于此。例如，也可以如图19A及图19B所示，适用多个第1导线400来代替多个第1导线24及多个第1梳齿电极54，且适用多个第2导线402来代替多个第2导线26及多个第2梳齿电极56。而且，在该情况下，适用第1电阻体404及第2电阻体406来代替碳片52。

在图19A及图19B所示的例子中，采用第1电容器50A来代替第1电容器50，且按每个坐标形成有第1电容器50A。第1电容器50A通过第1导线400和第2导线402在Z方向上对置配置而形成。

第1导线400沿Y方向延伸，且沿着X方向隔开既定的间隔而配置。相对于此，第2导线402沿X方向延伸，且沿着Y方向隔开既定的间隔而配置。

第1导线400被第1电阻体404包覆，第2导线402被第2电阻体406包覆。对于相邻的第1导线400的第1电阻体404各自并不接触。并且，对于相邻的第2导线402的第2电阻体406各自并不接触。

当指示体I相对于指示接收面22A为接触状态时及指示体I相对于指示接收面22A为非接触状态时，第1电阻体404不与第2电阻体406接触。但是，作为一例，如图20所示，当指示体I相对于指示接收面22A为按压状态时，第1电阻体404与第2电阻体406接触，由此，第1导线400与第2导线402之间的电阻值发生变化。

另外，在图19A、图19B及图20所示的例子中，第1导线400及第2导线402为本公开的技术所涉及的一对电极的一例，第1电阻体404及第2电阻体406为本公开的技术所涉及的电阻体的一例。

并且，在图19A、图19B及图20所示的例子中，示出了第1电阻体404及第2电阻体406，但本公开的技术并不限定于此。例如，也可以如图21A及图21B所示，适用可变电阻体408来代替第1电阻体404及第2电阻体406。可变电阻体408为分散有导电粒子的可变电阻橡胶，形成为立方体状。可变电阻体408在未施加荷重时，维持分散有导电粒子的状态，但若施加荷重，则导电粒子会接触，与未施加荷重的情况相比，电阻值变小。

可变电阻体408配置于第1导线400与第2导线402的交叉点部分。因此，当指示体I相对于指示接收面22A为按压状态时，与按压位置相对应的可变电阻体408被压扁，因此导电粒子接触而可变电阻体408的电阻值变小。

并且，在上述各实施方式中，对通过控制电路70执行测定处理及判别处理的情况进行了说明，但本公开的技术并不限定于此。例如，也可以如图21所示，使用计算机450及I/O460代替控制电路70来执行测定处理及判别处理。

作为一例，如图22所示，计算机450具备CPU452、一次存储部454及二次存储部456，CPU452、一次存储部454及二次存储部456与汇流线458连接。汇流线458上连接有I/O460。I/O460上连接有第1输出缓冲器72的输入端子、第2输出缓冲器74的输入端子、比较器76的输出端子、NMOS晶体管N1的栅极及NMOS晶体管N2的栅极。

二次存储部456存储有测定程序462、判别程序464及放电时间分布图90。测定程序462及判别程序464为本公开的技术所涉及的程序的一例。

CPU452从二次存储部456读出测定程序462及判别程序464并展开在一次存储部454中。而且，CPU452通过执行展开在一次存储部454中的测定程序462及判别程序464来作为本公开的技术所涉及的测定部及输出部进行动作，执行上述各实施方式中说明的测定处理及判别处理。

并且，在图22所示的例子中，例示出从二次存储部456读出测定程序462及判别程序464的情况，但无需一定要从最初开始存储于二次存储部456。例如，也可以如图23所示，使测定程序462及判别程序464预先存储于SSD(SolidSt ateDrive：固体硬盘)或USB(UniversalSerialBus：通用串行总线)存储器等任意的移动式存储介质470。在该情况下，将存储于存储介质470的测定程序462及判别程序464安装于计算机450，通过CPU452执行安装的测定程序462及判别程序464。

并且，在上述各实施方式中，例示出从二次存储部36读出间歇按压操作判别程序44的情况，但无需一定要从最初开始存储于二次存储部36。例如，也可以如图24所示，将间歇按压操作判别程序44预先存储于存储介质472。在该情况下，将存储于存储介质472的间歇按压操作判别程序44安装于主控制部30，通过CPU32执行安装的间歇按压操作判别程序44。

并且，也可以将上述各种程序存储于经由通信网(省略图示)与智能设备10连接的其他计算机或服务器装置等存储部，根据智能设备10的要求下载程序。

并且，上述各实施方式中说明的测定处理、判别处理、间歇按压操作判别处理仅仅为一例。因此，当然可以在不脱离宗旨的范围内删除不需要的步骤、或者追加新的步骤、或者调换处理顺序。

并且，测定处理及判别处理可以仅通过FPGA(Field-Programmablegatearra y：现场可编程门阵列)等硬件构成来实现，也可以通过利用计算机的软件构成与硬件构成的组合来实现。并且，间歇按压操作判别处理可以仅通过FPGA或ASIC(ApplicationSpecificIntegratedCircuit：专用集成电路)等硬件构成来实现。并且，间歇按压操作判别处理也可以通过利用计算机的软件构成与硬件构成的组合来实现。

并且，在上述各实施方式中，例示出通过控制电路70测定第2电容器62的放电时间的情况，但本公开的技术并不限定于此，也可以通过控制电路70测定第2电容器62的电压。

在该情况下，例如，图25所示，适用LSI476来代替图6所示的LSI48，且适用各导线的电荷积蓄部60B来代替图6所示的各导线的电荷积蓄部60A。

与LSI48相比，LSI476的不同点在于不具有比较器76。并且，与各导线的电荷积蓄部60A相比，各导线的电荷积蓄部60B的不同点在于具有电压计480。

电压计480的一端与第2电容器62的第1电极62A连接，电压计480的另一端与第2电容器62的第2电极62B连接。并且，电压计480与控制电路70连接，测定第2电容器62的电压并向控制电路70输出测定结果。控制电路70的非易失性存储器70B中存储有接触时电压信息、按压时电压信息及非接触时电压信息。接触时电压信息为表示作为接触状态下的第2电容器62的电压的绝对值而预先设定的接触时电压的绝对值的信息。按压时电压信息为表示作为按压状态下的第2电容器62的电压的绝对值而预先设定的按压时电压的绝对值的信息。非接触时电压信息为表示作为非接触状态下的第2电容器62的电压的绝对值而预先设定的非接触时电压的绝对值的信息。

控制电路70比较通过电压计480测定出的电压的绝对值(本公开的技术所涉及的物理量的一例)和由接触时电压信息表示的电压的绝对值(本公开的技术所涉及的预先设定的接触时物理量的一例)来代替比较放电时间和接触时放电时间。并且，控制电路70比较通过电压计480测定出的电压的绝对值和由按压时电压信息表示的电压的绝对值(本公开的技术所涉及的预先设定的按压时物理量的一例)来代替比较放电时间和按压时放电时间。另外，控制电路70比较通过电压计480测定出的电压的绝对值和由非接触时电压信息表示的电压的绝对值(本公开的技术所涉及的预先设定的非接触时物理量的一例)来代替比较放电时间和非接触时放电时间。

并且，当测定第2电容器62的电压值时，作为一例，如图26所示，适用电压分布图482来代替放电时间分布图90，电压分布图482供于与通过电压计480测定出的电压的绝对值的比较。

作为一例，如图26所示，与放电时间分布图90相比，电压分布图482的不同点在于具有按压时电压绝对值来代替按压时放电时间。按压时电压绝对值是指由按压时电压信息表示的电压的绝对值。并且，与放电时间分布图90相比，电压分布图482的不同点在于具有非接触时电压绝对值来代替非接触时放电时间。非接触时电压绝对值是指由非接触时电压信息表示的电压的绝对值。另外，与放电时间分布图90相比，电压分布图482的不同点在于具有接触时电压绝对值来代替接触时放电时间。接触时电压绝对值是指由接触时电压信息表示的电压的绝对值。

如此，通过电压计480测定第2电容器62的电压，通过控制电路70将测定出的电压与电压分布图482进行比较，因此可得到与上述各实施方式相同的效果。并且，根据适用图25所示的LSI476及各导线的电荷积蓄部60B的触摸面板42，与测定静电电容及电阻值双方的情况相比，能够迅速地判别指示体I相对于指示接收面22A的接触状态、非接触状态及按压状态。

并且，在图25所示的例子中，根据通过电压计480测定出的电压与电压分布图482的比较结果来输出状态信号，但本公开的技术并不限定于此。例如，也可以根据基于比较器76的输出结果的比较结果与基于电压计480的测定结果的比较结果的逻辑积来输出状态信号。

在该情况下，作为一例，如图27所示，比较器76及电压计480双方与控制电路70连接，控制电路70计算基于比较器76的输出结果的比较结果与基于电压计480的测定结果的比较结果的逻辑积。而且，例如，当逻辑积为“0”时控制电路70不输出状态信号，当逻辑积为“1”时输出状态信号。

并且，作为一例，也可以如图28所示，适用各导线的电荷积蓄部60C来代替图25所示的各导线的电荷积蓄部60B。与各导线的电荷积蓄部60B相比，各导线的电荷积蓄部60C的不同点在于具有电流计492。

电流计492与控制电路70连接。在该情况下，控制电路70的非易失性存储器70B中存储有与接触时电压信息相对应的接触时电流信息、与按压时电压信息相对应的按压时电流信息及与非接触时电压信息相对应的非接触时电流信息。接触时电流信息为表示作为在接触状态下流过第2电极62B与B点之间的电流的绝对值而预先设定的接触时电流的绝对值的信息。按压时电流信息为表示作为在按压状态下流过第2电极62B与B点之间的电流的绝对值而预先设定的按压时电流的绝对值的信息。非接触时电流信息为表示作为在非接触状态下流过第2电极62B与B点之间的电流的绝对值而预先设定的按压时电流的绝对值的信息。并且，控制电路70的非易失性存储器70B中还存储有与电压分布图482相对应的电流分布图(省略图示)。

控制电路70根据基于比较器76的输出结果的比较结果、基于电压计480的测定结果的比较结果及基于电流计492的测定结果的比较结果的逻辑积来输出状态信号。即，控制电路70计算基于比较器76的输出结果的比较结果、基于电压计480的测定结果的比较结果及基于电流计492的测定结果的比较结果的逻辑积。而且，例如，当逻辑积为“0”时控制电路70不输出状态信号，当逻辑积为“1”时输出状态信号。

另外，在图28所示的例子中，示出同时使用电压计480、电流计492及比较器76的情况，但本公开的技术并不限定于此。例如，在电压计480、电流计492及比较器76中，即使不使用电压计480，本公开的技术也成立。并且，在电压计480、电流计492及比较器76中，即使不使用电压计480及比较器76，本公开的技术也成立。

并且，在上述各实施方式中，对针对所有的坐标分别设置有各坐标的电荷积蓄部66的情况进行了说明，但本公开的技术并不限定于此，也可以仅对1个坐标设置有各坐标的电荷积蓄部66。例如，在触摸面板42中，可以仅对作为进行间歇按压操作的1个坐标而预先设定的坐标设置有各坐标的电荷积蓄部66。

另外，在2015年10月19日申请的日本专利申请2015-205807号的所有公开内容通过参考而并入本说明书中。

本说明书中所记载的所有文献、专利申请及技术标准以与各文献、专利申请及技术标准通过参考而被具体且分别地并入的情况相同的程度，通过参考而被并入本说明书中。

Claims (13)

1.一种指示接收装置，其包括，

指示接收面，接收指示；

电荷积蓄部，具有在所述指示接收面的下层对置配置一对电极而形成的第1电容器、在所述下层对应于所述一对电极而配置且通过所述指示接收面被按压而所述一对电极间的电阻值发生变化的电阻体、及与所述第1电容器连接的第2电容器；

测定部，测定与所述第2电容器的电荷量相当的物理量；及

输出部，根据通过所述测定部测定出的所述物理量，选择性输出表示指示体与所述指示接收面接触的接触状态的接触状态信号、表示所述指示体未与所述指示接收面接触的非接触状态的非接触状态信号及表示所述指示体按压所述指示接收面的按压状态的按压状态信号，

所述输出部，当通过所述测定部测定出预先设定的接触时物理量作为与所述接触状态的所述电荷量相当的物理量时，输出所述接触状态信号，当通过所述测定部测定出预先设定的非接触时物理量作为与所述非接触状态的所述电荷量相当的物理量时，输出所述非接触状态信号，当通过所述测定部测定出预先设定的按压时物理量作为与所述按压状态的所述电荷量相当的物理量时，输出所述按压状态信号，

所述非接触时物理量大于所述接触时物理量，所述按压时物理量大于所述非接触时物理量，

当通过所述测定部测定出超过所述接触时物理量且小于所述按压时物理量的所述物理量时，所述输出部根据通过所述测定部测定出的所述物理量的变化来选择性输出所述接触状态信号及所述非接触状态信号。

2.根据权利要求1所述的指示接收装置，其中，

当通过所述测定部测定出所述非接触时物理量且通过所述测定部测定出的所述物理量的变化表示预先设定的变化时，所述输出部输出所述非接触状态信号。

3.根据权利要求1或2所述的指示接收装置，其中，

当前次输出所述接触状态信号且通过所述测定部测定出与所述非接触时物理量不同的、超过所述接触时物理量且小于所述按压时物理量的所述物理量时，所述输出部输出所述接触状态信号。

4.根据权利要求1或2所述的指示接收装置，其中，

按赋予给所述指示接收面的每个坐标而形成有所述第1电容器，

当关于所述坐标中的着眼坐标而前次没有输出所述接触状态信号，通过所述测定部关于所述着眼坐标而测定出超过所述非接触时物理量且小于所述按压时物理量的所述物理量，关于与所述着眼坐标相邻的坐标而测定出超过所述接触时物理量且小于所述非接触时物理量的所述物理量、或超过所述非接触时物理量且小于所述按压时物理量的所述物理量时，所述输出部输出所述接触状态信号。

5.根据权利要求1或2所述的指示接收装置，其中，

按赋予给所述指示接收面的每个坐标而形成有所述第1电容器，

当通过所述测定部关于所述坐标中的着眼坐标而测定出超过所述接触时物理量且所述非接触时物理量以下的所述物理量，关于与所述着眼坐标相邻的坐标而测定出所述非接触时物理量时，所述输出部输出所述非接触状态信号。

6.根据权利要求1或2所述的指示接收装置，其中，

所述物理量为所述第2电容器的放电时间。

7.根据权利要求1或2所述的指示接收装置，其中，

所述物理量为所述第2电容器的电压。

8.根据权利要求1或2所述的指示接收装置，其中，

所述一对电极为各自具有梳齿部的一对梳齿电极，

所述第1电容器为通过所述一对梳齿电极的双方的所述梳齿部彼此不同地配置而形成的电容器，

所述电阻体配置于如下位置，所述位置为通过所述指示接收面被按压而所述一对梳齿电极的双方的所述梳齿部间的电阻值能够发生变化的位置。

9.根据权利要求1或2所述的指示接收装置，其中，

按赋予给所述指示接收面的每个坐标而形成有所述第1电容器。

10.一种信号处理装置，其包括：

权利要求1至9中任一项所述的指示接收装置；及

执行部，执行与通过所述指示接收装置所包含的所述输出部输出的所述接触状态信号、所述非接触状态信号及所述按压状态信号各自相对应的处理。

11.根据权利要求10所述的信号处理装置，其中，

当在预先设定的时间内通过所述输出部输出所述接触状态信号的前后未输出所述非接触状态信号而输出了所述按压状态信号时，所述执行部执行与重复所述接触状态和所述按压状态的间歇按压操作相对应的处理。

12.一种信号处理方法，其包括以下步骤：

测定与指示接收装置所包含的第2电容器的电荷量相当的物理量，所述指示接收装置包括：指示接收面，接收指示；及电荷积蓄部，具有在所述指示接收面的下层对置配置一对电极而形成的第1电容器、在所述下层对应于所述一对电极而配置且通过所述指示接收面被按压而所述一对电极间的电阻值发生变化的电阻体及与所述第1电容器连接的所述第2电容器；

当测定出预先设定的接触时物理量作为与指示体与所述指示接收面接触的接触状态的所述电荷量相当的物理量时，输出表示所述接触状态的接触状态信号，

当测定出预先设定的非接触时物理量作为与所述指示体未与所述指示接收面接触的非接触状态的所述电荷量相当的物理量时，输出表示所述非接触状态的非接触状态信号，

当测定出预先设定的按压时物理量作为与所述指示体按压所述指示接收面的按压状态的所述电荷量相当的物理量时，输出表示所述按压状态的按压状态信号，

所述非接触时物理量大于所述接触时物理量，所述按压时物理量大于所述非接触时物理量，

当测定出超过所述接触时物理量且小于所述按压时物理量的所述物理量时，根据测定出的所述物理量的变化来选择性输出所述接触状态信号及所述非接触状态信号。

13.一种存储介质，其存储有程序，该程序用于使计算机执行包括以下步骤的处理：

测定与指示接收装置所包含的第2电容器的电荷量相当的物理量，所述指示接收装置包括：指示接收面，接收指示；及电荷积蓄部，具有在所述指示接收面的下层对置配置一对电极而形成的第1电容器、在所述下层对应于所述一对电极而配置且通过所述指示接收面被按压而所述一对电极间的电阻值发生变化的电阻体及与所述第1电容器连接的所述第2电容器；

当测定出预先设定的接触时物理量作为与指示体与所述指示接收面接触的接触状态的所述电荷量相当的物理量时，输出表示所述接触状态的接触状态信号，

当测定出预先设定的非接触时物理量作为与所述指示体未与所述指示接收面接触的非接触状态的所述电荷量相当的物理量时，输出表示所述非接触状态的非接触状态信号，

当测定出预先设定的按压时物理量作为与所述指示体按压所述指示接收面的按压状态的所述电荷量相当的物理量时，输出表示所述按压状态的按压状态信号，

所述非接触时物理量大于所述接触时物理量，所述按压时物理量大于所述非接触时物理量，

当测定出超过所述接触时物理量且小于所述按压时物理量的所述物理量时，根据测定出的所述物理量的变化来选择性输出所述接触状态信号及所述非接触状态信号。

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