TW201202414A - Detergent composition for removing polyimide - Google Patents

Description

201202414 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用以昤本辱# 物，更呈蝴祕，心亞胺之清洗劑組成 物更，、粗地關於一種能夠在半導濟租 器裝置的製造步驟中有效地從美板二置或者液晶顯示 洗劑組成物。以“錢上除絲㈣胺膜的清 【先前技術】 由方、與中性清洗劑相比，驗性清洗劑呈有除去 二=、無機物質，粒子和類似物的優異能力:、已經被 用於1子部件、金屬部件、㈣部件和類似部件的 之心二是广鹼性清洗劑容易腐蝕諸如鋁和類似物 主人有色金屬（n〇nferrous metal)，所以實際上不能被用來 清洗含紹的電子部件。 比如’目前，電子部件，制是，液晶板的聚酿亞胺 ^已經是水平配向的《亞胺臈了。但是，由於對具 有寬視角的液晶板的需求已增加，垂直配向的聚酿亞胺膜 f越來越多地被❹。在玻璃基板被水平配向的聚酿亞胺 膜主布的清况下，如果水平配向的聚醯亞胺膜具有半可塑 性（通過在80。(：除去溶劑獲得的半硬化膜），在其被完全塑 化（塑化溫度：、約180。〇之前，能夠通過使用N-甲基吡 ^统鋼作為㈣從賴基板上將差的水平配向聚醒亞胺膜 刀離而不扃钱链溥膜(佈線）。但是，在玻璃基板被垂直配 =的♦醯亞胺膜塗布的情況下，即使垂直配向的聚醯亞胺 膜（具有半可塑性）具有半可塑性，也不能通過使用溶劑 f其從破璃基板上分離，因此這種聚醯亞胺配向膜的分離 疋使用驗性清洗劑進行的（參見JP-H06-306661)。 3/14 201202414 但是’當使用鹼性清洗劑時，由於玻璃基板的鋁薄膜 C佈線）會被腐蝕，通過使用蠟保護鋁薄膜、清洗，然後 用煙類溶劑除去堪，或者通過完全分離和融化紹薄膜和聚 酿亞胺配向膜使玻璃基板恢復原狀’由此導致原材料的浪 費和生產效率的下降。 同時’ KR-A-2005-0094409公開了包括強驗，氧化劑和 極性溶劑的清洗劑組成物，其能夠有效地除去光致抗蝕劑 殘餘物而不損壞ILD材料。但是，這種清洗劑組成物是有 問題的，其在室溫下不能除去聚醯亞胺，不能充分阻止鋁 $膜（佈線）被腐蝕，和當這種清洗劑組成物被長期使用 時，過碳酸鹽、過硫酸鹽或類似物會沉澱。 【發明内容】 Μ 听坑工延杈及的問題想出了本發明，本 :的目的是提供-齡去_亞胺的清洗·成物，盆 使在室溫下’也能夠輕易地除去聚酸亞胺，其能夠有效 線被腐餘，和即使當該清洗劑組成物 V月使用Β守，其也不引起沉澱的問題。 本發明的一個方面提供一 ^組成物，其係基於上述組成物 0.1〜Uhvt%的由下列分子S i表示的氫氧 的乙二;7〜30wt%的丙三醇；和剩餘的水, |_N-(R)4] OH —分子式 1 其中R是碳原子為1至5的烷基。 本發明的另-個方面提供了一 的陣列基板的方法，包括使㈣/夜日曰顯不 ㈣成物清洗基板的 4/ 14 201202414 【實施方式】 由結合圖式的以下的詳細說明將更清楚地理解本發明 的以上和其他的目的、特徵和優點，其中. r去顯示了使用本發明的實施例1的清洗劑組成物 除去聚醯亞胺的結果的照片。 具體實施方式 細地2文中’根據圖式對本發明的較佳實施方式進行詳 本發明提供了 一種用以除麥窄妒 物，其係基於組成物的總量而言；^ 的由下列分子式丨表示賴氧化，U) αι〜10wt% 二醇醚化合物.⑹7 : (B) 50〜90wt%的乙 m匕口物，（c ) 7〜3〇wt〇/0的丙：醇 [N-⑻4]'0H. ·…分子式】^，和（D)剩餘的水； 其中碳原子為〗至5的院基。 胺之明根據本發明的用以除去聚酿亞 (A)氫氧化季銨 示二i:中使用的風氧化季銨可以是由下列分子式1表 [n-(rw+.〇h_ -…分子式】 其中R是韻子為〗至 在分子式]t，产其可 凡土 環燒基，較佳為直鏈燒可以是直鏈燒基、支鏈規基或者 由以上分子式】表 〆 包括氫氧化四甲錢、节^風乳化季錄的具體實施例可以 化四丁銨、和類似物。:這:實：中氫氧化四丙銨、氫氧 、二貝％例中，氫氧化四甲銨（在 5/14 201202414 下文中，稱之為“ΤΜΑΗ”）是較佳的。 ^本發明的清洗劑組成物中’氫氧化季銨可以單獨， At兩種或以上結合使用。 ，本發㈣清洗·成物巾’基於組成物總量， 化季錄的量較佳為G1〜1GW%，更佳為卜2心。當 C的量少於〇.lwt%時’聚醯亞胺的脫落速度i 被腐餘外，當它的量超過1Gwt%時，不可能防止佈線材料 (B)乙二醇醚化合物 本發明中使用的乙二醇醚可以是由下列分 的化合物： 不 R'〇-(CH2CH20)nH -……分子式 2

其中R是碳原子為1至5的烷基，並且n是〗至 的整數。 T ^在分子式2中，烷基可以是直鏈烷基，支鏈烷基或者 環烧基，較佳為直鏈烷基。 、由以上分子式2表示的乙二醇醚化合物的具體實施 可以包括乙二醇單㈣、乙二醇單乙_、二乙二醇單甲喊、 —乙一 g予單乙醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇單甲峻 類似物。在這些實施例中，二乙二醇單㈣（在下文中， 稱之為“MDG”）是較佳的。 在本發明的清洗劑組成物中，乙二醇醚化合物可以m 獨或者兩種或以上結合使用。 早 •在本發明的清洗劑組成物中，基於組成物的總重，包 3的乙二醇醚的量較佳為50〜90wt°/〇，和更佳為 6〇〜8〇Wt%。當乙二醇醚化合物的量少於50wt%時，佈線材 6/14 201202414 料的腐钱變快。另外，卷… 的量就變得不足。^的I超過9〇wt。/。時’其他組分 (C) 丙三醇 人的^本^月的^先劑、％成物中，基於組成物的總重，包 要：二呈：夕方、7wt%時，佈線材料的腐蝕變快。另外，如 果匕的置超過30wt〇/〇時，队上 ,^、 除去聚醒亞胺膜的能力變低。 (D) 水 本:明中使用的水可以是具有比電阻為 18MQ/cm ^ 別。水’例如用於半導體步驟的水，但是沒有特 生二忐：水作為剩餘部分包含在清洗劑組成物中而使 量為〜，因此水的量 組分的量進行調整。 =明的清洗劑組成物還可以進一步包含添加劑，諸 如界^活性劑或者類似物，其在相關領域中被普遍使用。 本發明的清洗劑組成物較佳為不包含防触劑，諸如哎 /醇或者力員似物。當清洗劑組成物中包含諸如 。比。各、 轉、或者類似_P域劑時，發生沖洗能力惡化，佈線 的吸附和類_題，衫導致雜㈣步财的其他問題。 本毛明的清洗創組成物較佳為不包含含氟化合物。當 =d、，且成物中包含含氟化合物時，由於其容易被電離， 基板可能被氟離子腐蝕。 另外’本發明提供—種製造用於液晶顯示器的陣列基 反、^去’包括使用這種清洗劑組成物清洗基板的步驟。 作為使用本發明的清洗劑組成物除去聚酸亞胺膜的方 Π常制浸潰法’但是也使用其他方法，比如喷霧法。 7/14 201202414 f使用本發_清洗_·之後，隨後的清洗步驟僅使 用水就可妓分實施，《要使_域之㈣有機溶劑。 根據本發明_以除去聚邮胺之清洗劑組成物能夠 被有效地使以X從半導體產品或者許產品，和特別是液 晶板上除去聚酿亞胺。 在下文中，根據下述實施例更詳細地說明本發明。但 ^ ’下述實關是絲_本發_，且本發明的範财 受其限制。下述實施例可以在本發明的範圍内由本領 術人員更改和修改。 、— 實施例1至6和比較實施例1至6:用以除去聚醯亞胺 之清洗劑組成物的製備 實施例]至6和比較實施例1至6的用以除去聚醯亞 胺之清洗劑組成物是通過以相應的組成比混合下表1中給 出的組分來製備的。 8/14 201202414 【表Π 氫氧化季銨 乙二醇_化合物 丙三醇 水 種類 wt% 種類 wt% wt% 實施例1 ΤΜΑΗ 1 MDG 75 15 剩餘 實施例2 ΤΜΑΗ 1 MDG 70 10 剩餘 實施例3 ΤΜΑΗ 2 MDG 74 16 剩餘 實施例4 ΤΕΑΗ 2 BDG 65 15 剩餘 實施例5 ΤΕΑΗ 2 MTG 60 20 剩餘 實施例6 ΤΕΑΗ 2 BDG 65 15 剩餘 比較實施例1 ΤΜΑΗ 2 - 15 剩餘 比較實施例2 ΤΜΑΗ 2 MDG 75 - 剩餘 比較實施例3 ΤΕΑΗ 2 BDG 55 35 剩餘 比較實施例4 - BDG 70 20 剩餘 比較實施例5 ΤΜΑΗ 12 BDG 30 10 剩餘 比較實施例6 ΤΜΑΗ 2 BDG 30 10 剩餘 ΤΜΑΗ :氫氧化四曱敍 ΤΕΑΗ :氫氧化四乙銨 MDG :二乙二醇單曱醚 BDG :二乙二醇單丁醚 MTG ··三乙二醇單曱醚 試驗實施例：清洗劑組成物特性的評估 1)除去聚醯亞胺能力的評估 為了評估除去聚醯亞胺的能力，提供一個尺寸為 9/14 201202414 1.5cmx6cm的塗布有聚醯亞胺的玻璃基板。在室溫下將玻 璃基板浸泡在實施例1至6和比較實施例1至6的清洗劑 組成物中1分鐘或3分鐘，以從其中除去聚醯亞胺。接著， 用超高純水清洗玻璃基板並用氮氣乾燥，其評估結果係顯 示於下述表2中。 <評估基準> 〇··聚醯亞胺被完全除去， △:約有50%的聚醯亞胺被除去，和 X.聚酿亞胺沒有被除去。 此外，使用實施例1的清洗劑組成物除去聚酿亞胺的 結果顯示在圖1中。 2)鋁蝕刻速度的測量 首先，將塗布了鋁層的具有2500人厚度的玻璃基板浸 泡在實施例1至6和比較實施例！至6中的清洗劑組成物 中。10分鐘。在這種情況下，4一種清洗劑組成物的溫度為 25°C。在浸泡之前和之後測量鋁層的厚度，然後通過觀察 紹層厚度的&化計异铭層的飯刻速度。其結果顯示於下述 表2中。 10/14 201202414 【表2】 #刻速度 除去聚醯亞胺能力 (A/min) 處理1分鐘 ^***'—.— 處理3分鐘 實施例1 1.3 〇 實施例2 1.1 〇 〇 實施例3 0.9 〇 ---— 〇 實施例4 1.3 ----- 〇 實施例5 1.5 〇 ---- 〇 實施例6 1.4 〇 〇 比較實施例1 1.2 X ---- 〇 比較實施例2 9.2 1 —' 一— Δ ---- 〇 比較實施例3 2.2 X -Δ 比較實施例4 0.5 ----- X —^_ X 比較實施例5 - —' — 36.6 ---—_ 〇 — 〇 比較實施例6 5.3 X Λ 由上表2的試驗結果可以確定，與比較實施例丨至6 貫施例1至6的清洗劑組成物在室溫下除去聚酿亞 胺能力是顯著的，及實_ 1至6的清洗劑喊物對 的耐腐錄與比較實施例1至6相tb，是顯著^ 、 如上所述，根據本發明的用以除去聚醯亞胺之 組成物，塗在基板上，比如，平板顯示器基板上的聚酿^ ^膜’或者在高溫下凝固化的聚驗亞胺膜能夠在短時 1地被除去’阻止形成在基板上的㈣線或㉝合 白、祕的效果是崎的，和較當這種清洗㈣成物被長 11/14 201202414 時間使用時，也不發生沉澱問題，因此聚醯亞胺膜或者殘 留在基板上的有機物質能夠被容易地且有效地除去。 儘管為了說明的目的而公開了本發明的較佳 =:==r進::的申請專利範圍所 替換是可能的。 仃種修飾、添加、和 【圖式簡單說明】 圖1是顯示使用本發明的實施例 去聚醯亞胺的結果的照片。 洗劑組成物除 【主要元件符號說明】 12/14

Claims (1)

1. 201202414 七 1. 申請專利範圍： 去亞胺之清洗劑組成物’其係基於上述組 成物的總1而言，包含： 0.1〜10wt%的氫氧化季銨’上述氫氧化季錢由下列分子式丄 表示； 50〜90wt%的乙二醇醚化合物； 7〜30wt%的丙三醇；和 剩餘的水； [n-(r)4]+.〇h-――分子式 1 其中R是碳原子為1至5中的烷基。 -如申。月專利範圍第1項之用以除去聚醯亞胺之清洗劑組成 物，其中上述氫氧化季銨係選自由氫氧化四曱銨、氮氧化 四乙鉍、氫氧化四丙銨、和氩氧化四丁銨所組成之群組中 的至少一種。 3. 如申請專利範圍第i項之用以除去聚酿亞胺之清洗劑組成 物，其中上述乙二醇醚化合物係由下列分子式2表示： R-0-(CH2CH20)nH .......分子式 2 其中R是碳原子為1至5的現基，並且η是i至5中的紋 數。 i 4. 如申請專利範圍第3項之用以除去聚醯亞胺之清洗劑組成 物，其中上述的由上述分子式2表示的乙二醇醚化合物係 選自由乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、二乙二醇單甲醚^ 二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、和三乙二醇單甲_所 組成的群組。 5. 如申請專利範圍第1項之用以除去聚醯亞胺之清洗劑紐成 物’其中上述组成物不包含防飯劑。 13/14 201202414 6. 如申請專利範圍第]項之用以除去聚醯亞胺之清洗劑組成 物，其中上述組成物不包含含敦化合物。 7. 一種製造用於液晶顯示器的陣列基板之方法，其包含： 使用如申請專利範圍第1至6項中任一項之上述清洗劑組 成物清洗基板的步驟。 14/14