TW201201416A - Phosphor layer and light-emitting device - Google Patents

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201201416 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種螢光體層及發光裝置，詳細而言，本 發明係關於一種可較佳地用作白色發光裝置之發光裝置及 用於其之螢光體層。 【先前技術】 近年來’作為可發出高能量之光之發光裝置，已知有白 色發光裝置。於白色發光裝置中’設置有例如發出藍色光 之LED(Light-Emitting Diode，發光二極體）、及可將藍色 光轉換成黃色光且覆蓋LED之螢光體層，白色發光裝置係 藉由自LED發出之藍色光、及利用螢光體層對藍色光進行 轉換而成之黃色光的混色而發出高能量之白色光。 具體而言’提出有一種例如將使螢光體分散於樹脂中而 成型之樹脂片設置於藍色LED晶片之上側的白色發光裝置 (例如，參照曰本專利特開2〇〇3-46133號公報）。 【發明内容】 然而’藍色LED通常係藉由對晶圓進行切割而由1個晶 圓製造出複數個，但晶圓内，發光波長存在不均。因此， 於藉由上述晶圓之切割所製造之各藍色LEd間，會產生發 光波長之不均’因此，於自各藍色led發出之藍色光之 間’色度之不均增大。 因此，於藉由自各藍色LED發出之藍色光、及利用對應 於各藍色LED之螢光體層進行轉換而成之黃色光的混色所 得之各白色光之間，亦具有色度之不均增大之不良情形。 153904.doc 201201416 本發明之目的在於提供一種可降低色度之不均之螢光體 層、及具備其之發光裝置。 本發明之螢光體層之特徵在於：其包含分散有螢光體粒 子及光散射粒子之樹脂。 又，本發明之發光裝置之特徵在於包括：基板；設置於 上述基板上之發光二極體；以及螢光體層，其以覆蓋上述 發光二極體之方式設置於上述基板上，並包含分散有螢光 體粒子及光散射粒子之樹脂。 由於本發明之螢光體層包含分散有螢光體粒子及光散射 粒子之樹脂，因此於本發明之發光裝置中，即便於各發光 二極體間產生發光波長之不均，亦可藉由覆蓋各發光二極 體之螢光體層而降低色度之不均且將光轉換成所期望之顏 色的光。 因此，具備本發明之螢光體層之本發明的發光裝置可達 成於該等發光裝置間色度之不均已降低的發光。 【實施方式】 本發明之螢光體層包含分散有螢光體粒子及光散射粒子 之樹脂。*體而t，螢％體層係由使螢光體粒子及光散射 粒子分散於樹脂巾所得之含粒子之樹脂組成物而形成。 形成登光體粒子之榮光體例如可列I可將藍色光轉換成 黃色光之兴色螢光體等。作為此種螢光體，例如可列舉： 於複合金屬氧化物或金屬硫化物等中摻雜例如鈽（Ce)或銪 (Eu)等金屬原子所得之螢光體。

具體而言，作為螢光體，可列舉：例如Y3Al5〇i2:Ce(YAG 153904.doc 201201416 (紀·紹-石權石）:Ce)、（Y，Gd)3Al5〇i2:Ce、几3从〇12心、

Ca3Sc2Si3o丨2:Ce、Lu2CaMg2(Si，Ge)3〇i2:Ce等具有石榴石 型結晶構造之石權石型螢光體’例如⑼，Ba)2si〇4:Eu、

Ca3Si04Cl2:Eu、SrnSifK.p,,、τ .。 3 1Us Eu Li2SrSi04：Eu ^ Ca3Si207:Eu 等矽S夂孤螢光體’例如CaA1〗2〇】9:Mn、SrAi2〇，Eu等鋁酸 鹽螢光體，例如 ZnS:Cu、A1、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、 施山仙等硫化物螢光體，例如CaSi2〇2N2:Eu、 SrSkO^.’Eu、BaShO^Eu、Ca-a-SiAlON 等氮氧化物螢 光體’例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu#氮化物螢光體，例 如K2SiF6:Mn、Κ2™6:Μη等氟化物系營光體等。較佳可列 舉石榴石型螢光體’更佳可列舉Y3Al5Ou:Ce。 螢光體粒子之形狀並未特別限定，例如可列舉：大致球 形狀、大致平板形狀、及大致針形狀等。 又，螢光體粒子之平均粒徑（最大長度之平均）例如為 0’1 30 μιη，較佳為〇 2〜2〇 μιη。螢光體粒子之平均粒徑係 藉由粒度分佈測定裝置而測定。 螢光體粒子可單獨使用或併用。 營光體粒子之含有比例相對於含粒子之樹脂組成物，例 如為5,質量。/。，較佳為7〜15質量％。又，螢光體粒子相 對於树脂1 〇〇質量份之含有比例例如為5〜3〇質量份，較佳 為7〜20質量份。 作為光散射粒子，可列舉：例如二氧化矽（氧化矽）粒 子鋁氧（氧化鋁）粒子、二氧化鈦（氧化鈦）粒子等無機粒 子，例如丙烯酸樹脂粒子、聚苯乙烯樹脂粒子、矽樹脂粒 153904.doc 201201416 子等有機粒子等。 自光散射作用之觀點而言，較佳可列舉無機粒子。 又，自光散射作用之觀點而言，光散射粒子 例如為1.10〜請，較佳為13G〜17G 射率" 據JIS K 7142之記載而測定。 、率係根 又，作為光散射粒子之形狀，例如可列舉：大 狀、大致旋轉橢圓形狀(例如大致長球形狀、大致扁球妒 狀等）、大致平板形狀、大致針（棒）形狀等。較佳 ^ 致球形狀。 举大 光散射粒子於其製造時，直接被合成為上述形狀。或 者，光散射粒子於其製造時，亦可藉由暫且合成為大粒子 後將其粉碎而獲得。 光散射粒子之平均粒徑（最大長度之平均）例如為1〜20 μηι，較佳為2〜1〇 μιη。當光散射粒子之平均粒徑不在上述 範圍時’有時會阻礙由螢光體粒子所進行之光轉換。光散 射粒子之平均粒徑係藉由粒度分佈測定裝置而測定。 光散射粒子可單獨使用、或者併用兩種以上。 光散射粒子之含有比例相對於含粒子之樹脂組成物，例 如為5〜20質量％，較佳為7〜15質量％。又，光散射粒子相 對於樹脂100質量份之含有比例例如為5〜3〇質量份，較佳 為7〜20質量份。 當光散射粒子之含有比例未達上述範圍時，有時會無法 充分降低由各發光二極體丨丨（下述）之發光波長之不均所引 起的色度之不均。另一方面，當光散射粒子之含有比例超 153904.doc 201201416 出上述範圍時，有時螢光體層之機械強度會降低。 又，光散射粒子相對於榮光體粒子之含有比例（光散射 粒子之質量份/螢光體粒子之質量份）例如為0.7〜1.3，較佳 為0.75〜1.0，更佳為超過〇75且未達ι·〇。 換言之，螢光體粒子相對於光散射粒子之含有比例（螢 光體粒子之質量份/光散射粒子之質量份）例如為0.8〜1.5， 較佳為1.0〜1.3，更佳為超過10且未達13。當光散射粒子 相對於螢光體粒子之含有比例超出上述範圍時，光散射粒 子有時會阻礙由螢光體粒子所進行之光轉換。另一方面， 當光散射粒子相對於螢光體粒子之含有比例未達上述範圍 時，有時會無法充分降低由各發光二極體n之發光波長之 不均所引起的色度之不均。 樹脂係使螢光體粒子及光散射粒子分散之基質1 列舉.％氧樹脂、矽樹脂、丙烯酸樹脂等透明樹脂等。 自耐久性之觀點而言，較佳可列舉環氧樹脂、碎樹脂。 作為環氧樹脂，可列舉：例如雙紛型環氧樹脂(例如， =環氧樹脂，F型環氧樹脂、氮化雙 酴盤清漆型環氧樹脂(例如， ： 氧樹脂等)等芳香族系環氧樹脂，例如三環氧丙：異 酸酯（二縮水甘油基異氰 土 、氰尿 氮環氧樹脂，例如脂肪族類二:旨内脂等含 脂等脂環^環氧樹脂，m %型環氧樹 醇二—水甘油水甘油"、聚乙二 氧樹脂等。 ！裒氣樹脂’例如三，系環 153904.doc 201201416 環氧樹脂之環氧當量例如為100〜1200 g/eqiv.。環氧當 量係根據JISK7236(2001年）而測定。 又’環氧樹脂於25°C之黏度例如為800〜6000 mpa,s。 該等環氧樹脂可單獨使用、或者併用兩種以上。 再者，環氧樹脂可藉由調配硬化劑而製備成環氧樹脂組 成物。 硬化劑係可藉由加熱而使環氧樹脂硬化之潛在性硬化劑 (環氧樹脂硬化劑），例如可列舉：咪唑化

Atn _ 胺化合 :等S夂酐化合物、醯胺化合物、醯肼化合物、咪唑啉化八 作為咪唑化合物，例如可列舉：2-苯基咪唑、2_ °坐、2 -乙基_4_甲基。米唾等。 米 作為胺化合物，例如可列舉：乙二胺、丙二胺、_ 胺、三乙四胺等多胺，或者兮望a人此 一乙三 -^ 者该荨之胺加合物等，例如間# 一胺、二胺基二m二胺基二苯絲等。 間本 一作為酸酐化合物，例如可列舉：鄰苯二甲酸 一酸酐、四氫鄰苯二甲酸 員丁歸 ^ 駸酐、六虱鄰苯二甲酸酐、 八虱鄰苯二甲酸酐、曱其Mila 甲基· 橋其T r基耐地酸酐、均苯四f酸軒、+ 烯基丁二酸酐、二氯丁二 叶十二 ®文酐、二苯甲酮四甲酴 酸酐等。 酐、氣茵 等 I53904.doc 作為醯胺化合物，例如可 & 。 幻舉.一吼基二醯胺、聚 作為醯肼化合物，例如 歹丨舉己二酸二酿肼箅。 作為咪唑琳化合物， 例如可列舉：甲基咪唑啉、孓乙 醯胺 201201416 基_4_甲基咪唑啉、乙基咪唑啉、異丙基咪唑啉、2,‘二甲 基味唾琳、笨基味。坐琳、十一烧基咪。坐琳、十七统基:唆 淋、2-苯基-4-甲基咪唑琳等。 該等硬化劑可單獨使用、或者併用兩種以上。 硬化劑之調配比例雖然亦取決於硬化劑與環氧樹脂之當 _ 量比，但相對於環氧樹脂100質量份，為例如丨〜肋質θ 份。 ® 環氧樹知組成物係藉由以上述調配比例調配上述環氧樹 脂及硬化劑並加以攪拌混合而製備。 矽樹脂之分子内主要具有包含矽氧烷鍵（_Si_〇su)之主 鏈、及於主鏈之矽原子（Si)上鍵結有烷基（例如曱基等）或 烷氧基（例如甲氧基）等有機基之側鏈。 具體而5，作為石夕樹脂，例如可列舉：脫水縮合型石夕樹 脂、加成反應型矽樹脂、過氧化物硬化型矽樹脂、濕氣硬 化i夕树月曰硬化型石夕樹脂等。較佳可列舉加成反應型石夕 樹脂等。 石夕樹脂於25它之動黏度例如為1〇〜30 mm2/s 0 樹脂可單獨使用、或者併用兩種以上。 . 樹脂之調配比例於含粒子之樹脂組成物中為上述螢光體 • 粒子及光散射粒子之殘部’具體而言，例如為60〜90質量 % ’較佳為70〜86質量％。 含粒子之樹脂組成物係藉由將螢光體粒子及光散射粒子 以上述比例調配於樹脂中並加以攪拌混合而製備。 圖1表不具備本發明之螢光體層之一實施形態之螢光體 153904.doc 201201416 層轉印片的平面圓，圖2表示用以製造螢光體層轉印片之 步驟圖，圖3表示用以製造本發明之發光裝置之一實施形 態之步驟圖。再者，於圖丨中，為方便起見，將紙面上下 方向作為前後方向，將紙面左右方向作為左右方向。 其次，參照圖1〜圖3，對包含上述含粒子之樹脂組成物 之螢光體層及具備其之發光裝置進行說明。 於圖1及圖2(e)中，該螢光體層轉印片丨係形成為大致平 板矩形狀，其具備：脫模基材2、形成於脫模基材2上之螢 光體層3、及形成於螢光體層3上之接著劑層4。 脫模基材2係形成為於俯視下與螢光體層轉印片1之外形 形狀相對應，具體而言，形成為大致平板矩形片形狀。 具體而言，作為形成脫模基材2之材料，可列舉：例如 聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等樹脂材料，例 如鐵、鋁、不鏽鋼等金屬材料等。較佳可列舉樹脂材料。 又’為提高自螢光體層3及接著劑層4之脫模性，視需要 對脫模基材2之表面（上表面）進行矽處理、長鏈炫基處理、 氟處理等脫模處理》 脫模基材2之厚度例如為1〇〜1〇〇〇 μιη，較佳為5〇〇 μπι。 螢光體層3係形成於脫模基材2之上表面，且具備複數_ 彼此隔開間隔而排列配置之螢光體部5。 各螢光體部5係於與螢光體層轉印片1之厚度方 之 方向，即，於脫模基材2之面方向，具體而言，於前後方 向及左右方向上彼此隔開間隔而配置。螢光體部5係、& _ 153904.doc •10- 201201416 如於别後方向上4行、左右方向上3行之圖案而排列配置β 再者’各螢光體部5係配置成與藉由下述外罩丨5所間隔開 之各區域相對應。 又’螢光體部5係於俯視下形成為大致圓形狀。 螢光體層3包含上述含粒子之樹脂組成物。 榮光體層3之厚度例如為20-500 μηι，較佳為50~300 μηι。 接著劑層4係以與螢光體層轉印片1之外形形狀相對應之 方式而形成’具體而言’係以使脫模基材2之周緣部露出 之方式而形成。即，接著劑層4係以覆蓋螢光體層3之表 面、及自螢光體層3露出之脫模基材2之表面（除周緣部以 外）之方式而形成為大致平板片狀。具體而言，接著劑層4 係與各螢光體部5之表面（上表面及周側面）、及各螢光體部 5間之脫模基材2之表面（上表面）接觸。 作為接著劑層4，其係由例如環氧接著劑組成物、矽接 著劑組成物、胺基曱酸酯接著劑組成物、及丙烯酸接著劑 組成物等接著劑組成物形成。作為接著劑組成物，較佳可 列舉環氧接著劑組成物、矽接著劑組成物，更佳可列舉環 氧接著劑組成物。 環氧接著劑組成物含有例如上述環氧樹脂及硬化劑，作 為此種環氧樹脂及硬化劑’可列舉與上述樹脂中所例示之 環氧樹脂及硬化劑相同者。 接著劑層4之厚度Τ1，即自螢光體層3之上表面至螢光體 層轉印片1之上表面為止之高度例如為！〜〖〇〇〇 μηι。 153904.doc 201201416 而且，於製造該螢光體層轉印片1時，首先，如圖2(a)所 示，準備脫模基材2。 繼而’如圖2(b)所示’將含粒子之樹脂組成物8塗佈於 脫模基材2上。再者，為了調整黏度，視需要亦可於含粒 子之樹脂體組成物8中以適當之比例調配例如曱苯等溶 劑。 於塗佈含粒子之樹脂體組成物8時，例如可使用印刷法 等。於印刷法中，例如將形成為螢光體部5之反轉圖案之 網版6載置於脫模基材2上，繼而，藉由刮板7並經由網版6 而印刷含粒子之樹脂體組成物8。於該印刷法中，各螢光 體部5之上表面藉由與網版6之上端面成為同一平面而平 坦，故可均勻且簡便地塗佈含粒子之樹脂體組成物8。 八後視而要，藉由加熱而去除溶劑後，將網版ό自脫 模基材2上提起，藉此’如圖2⑷所示形成具備複數個榮光 體部5之螢光體層3。 繼而士口圖2(d)所示，將接著劑組成物9以覆蓋螢光體 層3之方式塗佈於脫模基材2上。再者，為了調整黏度，視 需要亦可於接著劑組成物9中以適當之比例調配例如卡必 醇乙酸S旨等溶劑。 於塗佈接著劑組成物9時，例如可使用印刷法、塗敷法 等較佳為使用印刷法。於印刷法中，例如將框構件21載 置於脫模基材2之周緣部’繼而，藉由到板7而印刷接著劑 成 於°亥印刷法中，接著劑層4之上表面藉由與框構 件21之上端面成為同-平面而平坦，故可均勾且簡便地塗 153904.doc -12· 201201416 佈接著劑組成物9。 其後’視需要’藉由加熱而去除溶劑後，將框構件2 i自 脫模基材2上提起，藉此，如圖2(e)所示形成接著劑層4。 由此’可獲得螢光體層轉印片1。 ·· 其次，參照圖3 ,對使用該螢光體層轉印片丨而製造發光 ‘· 裝置18之方法進行說明。 於§亥方法中，首先，如圖3(a)所示，準備基板丨〇、及複 數個設置於其上之發光二極體11。 基板10具備：基底基板13、形成於基底基板13之上表面 之導體圖案14、以及自基底基板13之上表面朝上方立設之 外罩15。 基底基板13於俯視下形成為大致矩形平板狀，且係由例 如聚酿亞胺樹脂等公知之絕緣樹脂形成。 導體圖案14將複數個發光二極體丨丨之端子、與用以對各 發光二極體11供給電力之電源之端子（未圖示）加以電性連 接。導體圖案14係由例如銅、鐵等導體材料形成。 外罩15係配置成於俯視下逐一包圍每個發光二極體丨i， 且形成為寬度朝上方逐漸變窄之剖面大致梯形狀。藉此， ' 外罩15將收容有各發光二極體11之各區域逐一間隔開。 . 又，外罩15因排列配置有複數個發光二極體11，故於俯視 下形成為大致格子形狀。 再者，藉由外罩15所間隔開之區域形成為於俯視下較螢 光體部5稍小之大致圓形狀。 作為發光二極體11 ’例如可列舉主要發出藍色光之藍色 153904.doc -13- 201201416 發光二極體（藍色LED)等。 發光二極體11係於基底基板13上設置有複數個。各發光 二極體11係設置於藉由外罩15所間隔開之各區域内，並經 由線16而與導體圆案14電性連接（打線接合）^再者發光 一極體11係藉由對晶圓進行切割而獲得。 再者，於基底基板13上，於藉由外罩15所間隔開之各區 域中填充有达'封層12，藉此將各發光二極體丨丨密封。密封 層12係由例如矽樹脂等公知之密封樹脂形成，其上表面與 外罩15之上表面於厚度方向上形成為同一平面。 繼而，於該方法中，如圖3(b)所示，使用上述螢光體層 轉印片1 ’將螢光體層3轉印至基板10上。 具體而言，使螢光體層轉印片丨之接著劑層4之表面（圖 3(b)中之下表面（背面），圖2(e)中之上表面）抵接於基板ι〇 之外罩15之表面（上表面）及密封層12之表面（上表面）。 於該轉印中，各螢光體部5係以與間隔各發光二極體u 之各區域相對應之方式，即，以成為各螢光體部5與各發 光二極體11一對一對應之方式，經由接著劑層4而覆蓋各 發光一極體1 1之上側。 藉此’螢光體層3經由接著劑層4而貼合於外罩15及密封 層12之上表面。 又’螢光體層3係以覆蓋發光二極體丨丨之方式而設置。 具體而言，以使各螢光體部5於俯視下包含藉由與發光二 極體11對應之外罩15所間隔開之各區域的方式設置榮光體 層3°更具體而言’以成為各螢光體部5與上述各區域一對 153904.doc 201201416 一對應之方式，而使各螢光體部5覆蓋各發光二極體丨丨之 上側。 繼而，如圖3(b)之虛線所示，將脫模基材2自螢光體層3 之表面（上表面）及從各螢光體部5間露出之接著劑層4之表 面（上表面）上剝離。 其後’如圖3(c)所示’藉由加熱而使接著劑層*硬化。加 熱溫度例如為100〜150。(：。 藉此’將螢光體層3經由接著劑層4而接著於外罩15及密 封層12之上表面。 再者，接著劑層4藉由上述硬化而主要於厚度方向上收 縮。硬化後之接著劑層4之厚度（自螢光體層3之下表面至 外罩15及密封層12之上表面為止之高度）T2例如為丨〜丨❹⑻ μιη 〇 其後，如圖3(d)所示，將複數個透鏡1 7設置於各螢光體 部5上。透鏡17形成為大致半球形狀（大致圓頂形狀），並以 覆蓋將各發光二極體11密封之密封層12之上侧的方式，經 由公知之接著劑層（未圖示）而設置。透鏡17係由例如石夕樹 脂等透明樹脂形成。 而且，由於上述螢光體層3包含分散有螢光體粒子及光 散射粒子之樹脂，故於發光裝置1 8中，即便於各發光二極 體11間產生藍色光之發光波長之不均，亦可藉由覆蓋各發 光二極體11之螢光體層3而使色度之不均降低，且將藍色 光轉換成黃色光。 因此，該發光裝置18、或者與各發光二極體丨丨對應地進 153904.doc 201201416 行切割而成之複數個發光裝置1 8間，可達成色度不均程度 已降低之白色光的發光。 又，藉由上述螢光體層轉印片1 ’可利用將螢光體層3轉 印至基板10上之簡易的方法將螢光體層3經由接著劑層4而 簡便地接著於基板10。因此，能夠以簡便之方法、優異之 製造成本獲得發光裝置18。 再者’於上述圖2及圖3之說明中，於製造發光裝置18 時’首先’於脫模基材2上形成螢光體層3，形成螢光體層 轉印片1之後，使用該螢光體層轉印片1，將螢光體層3轉 印至基板1 0上，但亦可例如於基板i 〇上直接形成螢光體層 3(未圖示）。 即’例如利用網版印刷等塗佈方法，參照圖3(a)所示， 於岔封層12及外罩1 5之上表面直接塗佈含粒子之樹脂組成 物8其後’視需要错由加熱而去除溶劑。 根據該方法，無需準備及形成脫模基材2及形成接著劑 層4 ’因而可簡便地形成螢光體層3。 又’於上述說明中，於基板1〇上設置有密封層12，但亦 可例如不设置密封層丨2，而將收容有發光二極體1 1之區域 形成為中空形狀（未圖示）。 又’於上述說明中，於發光裝置18中設置有透鏡17，但 亦可例如不設置透鏡17而構成發光裝置18(未圖示）。 又，於上述說明中，將發光二極體11經由線16而與導體 圖案14電性連接（打線接合），但亦可例如於發光二極體11 之下表面形成端子，藉由焊錫等而不使用線16來將該端子 153904.doc -16 - 201201416 與導體圖案14之端子加以電性連接（倒裝晶片接合）（未圖 示）。 進而’於上述說明中，將螢光體層3於發光二極體丨丨之 上側隔開間隔地設置，但亦可設置成例如將其直接覆蓋於 發光二極體11之表面（上表面及側面）。 實施例 以下表示實施例及比較例來更具體地說明本發明，但本 發明並不限定於任何實施例及比較例。 實施例1 (螢光體層轉印片之製作） 準備包含聚對笨二甲酸乙二醇酯之厚度為50 μιη之脫模 基材（參照圖2 (a))。 又，調配環氧樹脂（雙酚A型環氧樹脂，環氧當量為650 g/eqiv. ’黏度（25 C )為2000 mPa.s)50質量份、及硬化劑（酸 針化合物）30質量份，而製成環氧樹脂組成物。於該環氧 樹脂組成物80質量份中，調配包含Y3A15〇i2:Ce之螢光體粒 子（球形狀，平均粒徑為17 μηι)17質量份、及二氧化矽粒 子（光散射粒子，球形狀，折射率（n) : ^45，平均粒徑為 4_ό μιη)10質量份，並進行攪拌混合，藉以製成含粒子之樹 脂組成物。 其次’藉由上述印刷法將所製備之含粒子之樹脂組成物 塗佈於脫模基材上（參照圖2(b))。於印刷法中，首先，將 上述圖案之網版載置於脫模基材上，繼而，藉由刮板並經 由網版而印刷含粒子之樹脂組成物。其後，將網版自脫模 153904.doc 17 201201416 基材上提起，藉此形成具備排列配置有複數個螢光體部之 厚度為300 之螢光體層（參照圖2(c))。 另外，調配環氧樹脂（雙酚A型環氧樹脂，環氧當量為 600 g/eqiv·，點度（25它）為2000 mPa.s)50質量份、及硬化 劑（酸酐化合物）3〇質量份，並進行均勻攪拌，藉此製成環 氧接著劑組成物。 其次，將框構件載置於脫模基材之周緣部，繼而，藉由 到板而印刷所製備之環氧接著劑組成物（參照圖2⑷卜其 後將框構件自脫模基材上提起，藉此形成厚度印）為 μηι之接著劑層（參照圖2(e))。 由此，製成螢光體層轉印片（參照圖j)。 (發光裝置之製造） 準備具備基底基板、導體圖案、及外罩之基板，以及複 數個藍色發光二極體（參照圖3(a))。再者，將各藍色發光 二極體經由線而與導體圖案進行打線接合後，藉由密封層 進行密封。 繼而，使用上述所製造之螢光體層轉印片，將發光體層 轉印至基板上（參照圖3(b))。 即，使螢光體層轉印片之接著劑層之表面抵接於基板之 外罩之上表面及密封層之上表面，#此將營光體層之各螢 光體部經由接著劑層而以覆蓋各藍色發光二極體之方式貼 合於外罩及密封層之上表面。 繼而，剝離脫模基材（參照圖3(b)之虛線）。 其後藉由150 c之加熱而使接著劑層硬化（參照圖 153904.doc •18· 201201416 3(c))。硬化後之接著劑層之厚度（T2)為40 μιη。 其後，經由接著劑層（矽系）而設置圓頂形狀之透鏡。藉 此，製成發光裝置。 比較例1 於製備含粒子之樹脂組成物時，不調配二氧化石夕粒子 (光散射粒子）’且為使色調一致而使螢光體層之厚度為5〇〇 μπι，除此以外，與實施例1相同，藉由形成螢光體層而製 作螢光體層轉印片，繼而製造發光裝置。 (評價） (色度之測定） 於圖4所示之每一不同之波長下，使用分光放射計（瞬間 多重測光系統：MCPD-7000，大塚電子公司製造）測定實 施例1及比較例1之螢光體層轉印片之色度，並製作xy色度 圖。將其示於圖4。 由圖4可知，於實施例！之螢光體層轉印片中，xy色度圖 中之X軸之數值範圍為0.013(=0 297_〇 284)，與X轴之數值 範圍為0·020(=0·298-0·278)之比較例1之螢光體層轉印片相 比非常小。即，可知實施例1與比較例1相比，X軸之不均 更小。 又，於實施例1之螢光體層轉印片中，xy色度圖中之丫軸 之數值範圍為0.082(=0.337-0.255),與y軸之數值範圍為 0.095(=0.335-0.240)之比較例i之螢光體層轉印片相比更 小。即，可知實施例1與比較例丨相比，y軸之不均更小。 由此可知，與比較例i相比，實施例丨中，基於不同波長 153904.doc •19· 201201416 之色度之不均得以降低。 再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提 供，但其料例示而並非限定性解釋。本領域技術人員顯 然可知之本發明之變形例亦包含於下述φ請專利之範圍 内。 【圖式簡單說明】 圖1係表示具備本發明之螢光體層之一實施形態之螢光 體層轉印片的平面圖。 圖2係用以製造螢光體層轉印片之步驟圖，（約表示準備 脫模基材之步驟，（b)表示將含粒子之樹脂組成物塗佈於脫 模基材上之步驟’（c)表示形成螢光體層之步驟，（d)表示 將接著劑組成物塗佈於脫模基材上之步驟，（e)表示形成接 著劑層之步驟。 圖3係用以製造本發明之發光裝置之一實施形態的步驟 圖’（a)表示準備基板及發光二極體之步驟，（1))表示藉由 螢光體層轉印片而將螢光體層轉印至基板上之步驟，（c)表 示使接著劑層硬化之步驟，（d)表示將透鏡設置於螢光體部 上之步驟。 圖4表示作為實施例1及比較例1之螢光體層轉印片之色 度測定之結果的xy色度圖。 【主要元件符號說明】 1 螢光體層轉印片 2 脫模基材 3 螢光體層 153904.doc • 20- 201201416 4 接著劑層 5 螢光體部 6 網版 7 刮板 8 樹脂體組成物 9 接著劑組成物 10 基板 11 發光二極體 12 密封層 13 基底基板 14 導體圖案 15 外罩 16 線 17 透鏡 18 發光裝置 21 框構件 ΤΙ、T2 厚度 153904.doc •21-

Claims (1)

1. 201201416 七、申請專利範圍： ι_ 一種螢光體層，其特徵在於：其包含分散有螢光體粒子 及光散射粒子之樹脂。 2· —種發光裝置’其特徵在於包括： 基板； 設置於上述基板上之發光二極體；以及 螢光體層，其以覆蓋上述發光二極體之方式設置於上 述基板上，並包含分散有螢光體粒子及光散射粒子之樹 脂0 153904