TW201200577A - Circuit connecting adhesion film and circuit connecting structure - Google Patents

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201200577 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於電路連接用黏著薄膜及電路連接構造 體之內容。 【先前技術】 以往，作爲將相對向之電路加熱、加壓，使加壓方向 之電極間以電氣地連接之電路連接材料，已知有各向異性 導電性黏著薄膜，例如，已之有在環氧系黏著劑或丙烯酸 系黏著劑中使導電粒子分散之各向異性導電性黏著薄膜。 該各向異性導電性黏著薄膜，主要廣泛地使用於爲了使搭 載有驅動液晶表示器（以下爲「LCD」）之半導體之TCP (Tape Carrier Package )或 COF ( Chip On Flex )與 LCD 面板間之電氣連接，或是TCP或COF與印刷配線板間之 電氣連接。 又，最近，將半導體以倒裝（face down )之直接安 裝至 L C D面板或印刷配線板之情形，亦非使用以往的打 線法，而採用對於薄型化或狹小間距連接爲有利之倒裝晶 片安裝（flip chip bonding)。即使在此倒裝晶片安裝， 各向異性導電性黏著薄膜仍以作爲電路連接材料而被使用 著（例如參考專利文獻1〜4)。 然而，隨著近年LCD模組之COF化或微距化，在使 用電路連接材料連接之際，在鄰近電路電極間會產生所謂 短路之問題發生。作爲此對策，已知有在黏著劑成分中使 -5- 201200577 絕緣粒子分散以防止短路之技術（例如參考專利文獻5〜9 )° 使絕緣粒子在黏著劑成分中分散時，會有電路連接材 料之黏著力之降低、在基板與電路連接部間之界面之剝離 問題之傾向。因此，已知有因爲基板要與絕緣性有機物或 由玻璃所成之配線構件、表面之至少一部份爲由氮化矽、 聚矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂之至少一種所成之配線構件等 進行黏著之關係，將聚矽氧粒子含有於電路連接材料中使 黏著力提升之方法（例如參考專利文獻10)，或基於爲 了降低黏著後之熱膨漲率差之內部應力，使橡膠粒子分散 於電路連接材料中之方法（例如參考專利文獻1 1 )。 更，作爲防止電路電極間之短路之手段，已知有將表 面以具有絕緣性被膜所被覆之導電粒子使分散於電路連接 材料中之方法（例如參考專利文獻1 2，1 3 )。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]特開昭59-120436號公報 [專利文獻2]特開昭60-191228號公報 [專利文獻3]特開平ι_251787號公報 [專利文獻4 ]特開平7 - 9 〇 2 3 7號公報 [專利文獻5]特開昭51_2〇941號公報 [專利文獻6]特開平3_292〇7號公報 [專利文獻7]特開平4-174980號公報 201200577 [專利文獻8 ]專利第3 0 4 8 1 9 7號公報 [專利文獻9]專利第34773 67號公報 [專利文獻10]國際公開第01/01 4484號公開書 [專利文獻11]特開200 1 -3 23 249號公報 [專利文獻12]專利第2794009號公報 [專利文獻13]特開200 1 -1 9592 1號公報 【發明內容】 [發明所欲解決的課題] 近年，就降低成本之觀點而言，作爲玻璃基板之電路 電極，已開始使用銦-鋅氧化物（IZO : Zinc doped Indium Oxide)電極取代銦-錫氧化物（ITO: Tin doped Indium Oxide )電極。對於銦-鋅氧化物電極，就減低連接電阻之 觀點而言，正檢討著使含有Ni或Ni合金、Ni氧化物等 之最外層所覆蓋的導電粒子分散於電路連接材料中。 然而，此等以往之電路連接材料構成，因爲在成爲基 板之玻璃的玻璃邊緣部所形成的有機膜之突起，使得流動 的導電粒子被攔阻、凝集，因而亦產生所謂短路之問題。 作爲此對策亦要求著，爲了使電極上之導電粒子捕捉效率 提升，藉由刪減多餘的導電粒子，以防止因導電粒子之凝 集之短路。 可是’在TFT-LCD，在前述薄膜電極之下方，一般 爲形成Mo或A1等金屬電路來作爲基底，作爲刪減成本 之目的之使驅動1C等零件數量之降低，薄膜電路之引線 201200577 方法亦變得非常複雜’特別是在使用銦-鋅氧化物 膜之面板，因爲電路電阻變高之故’會產生所謂 burnt )現象之電極燒焦，而成爲問題。 此時，目的以提供一種電路連接材料（電路 著薄膜），其係相較於以往之電路連接材料爲 銦-錫氧化物（ITO)電極或銦-鋅氧化物（IZO) 路電極之種類有選擇，在可降低電路電極間之連 同時，即使電路間距爲較4 0 μιη爲更微小之電路 生燒毀現象，以及使用此的電路連接構造體。 [解決課題之手段] 本發明爲提供一種介在於對向之電路基板間 將電路以電氣連接之電路連接用黏著薄膜；其特 電路連接用黏著薄膜爲至少具有黏著劑層Α及黏 ，前述黏著劑層A爲含有通過加熱或藉由光產 由基之硬化劑、自由基聚合性物質、薄膜形成性 以及最外層由維克氏硬度爲3 00Hv以上之金屬 電粒子之各向異性導電層；前述黏著劑層B爲含 熱或藉由光產生游離自由基之硬化劑、自由基聚 、及薄膜形成性高分子之絕緣層；前述黏著劑層 度爲該黏著劑層A中所含導電粒子之平均粒徑之 倍，且前述電路基板中，至少一方之電路間距爲 下。 又，本發明爲提供一種介在於對向之電路基 J ( IZO) 的燒毀（ 連接用黏 不會對於 電極等電 接電阻之 也不易產 ，係用以 徵爲前述 著劑層B 生游離自 高分子， 覆蓋之導 有通過加 合性物質 ^ A之厚 ：0.3-1.5 40 μιη 以 板間，係 -8- 201200577 用以將電路以電氣連接之電路連接用黏著薄膜：其特徵爲 前述電路連接用黏著薄膜爲至少具有黏著劑層A及黏著 劑層B，前述黏著劑層A爲含有通過加熱或藉由光產生游 離自由基之硬化劑、自由基聚合性物質、薄膜形成性高分 子' 以及最外層由含有自Ni ' Ni合金及Ni氧化物所成群 所選出之至少1種之金屬所覆蓋之導電粒子之各向異性導 電層：前述黏著劑層B爲含有通過加熱或藉由光產生游離 自由基之硬化劑、自由基聚合性物質、及薄膜形成性高分 子之絕緣層；前述黏著劑層A之厚度爲該黏著劑層A中 所含導電粒子之平均粒徑之0.3〜1.5倍，且前述電路基板 中，至少一方之電路間距爲40μιη以下。 只要藉由上述電路連接用黏著薄膜，不會有選擇電路 種類之情形，可降低電路間之連接電阻，可抑制電路間之 短路及燒毀現象。尙，所謂的電路間距，爲電路之寬度與 電路間隔之和。 在此，燒毀現象與電路連接用黏著薄膜之相關關係， 吾人已知可藉由電路連接用黏著薄膜之四端點法測定電阻 値及I-V特性而得到。特別是在銦-鋅氧化物（ιζο )電路 ，只要電路連接用黏著薄膜，在藉由使用40μιη間距之 FPC之四端點法之電阻値爲2Ω以下，且在使用ΐΟΟμπ!間 距之FPC之I-V特性評價中’在較300mA附近爲大的電 流區域中只要能保持歐姆特性，即可抑制燒毀現象。 上述電路間距爲40μιη以下之電路基板，較佳爲撓性 基板。 -9- 201200577 與上述電路間距爲40μιη以下之電路基板不同之 之電路基板，較佳爲在電路表面上形成有由銦-鋅氧 (ΙΖΟ )或銦-錫氧化物（ΙΤΟ )所成之薄膜。此情形 可使電路彼此顯著良好地以電氣連接。 上述導電粒子之平均粒徑較佳爲1.5〜5.0μπι。此 時，可更容易抑制鄰接電路間之短路。 又，本發明爲提供一電路連接構造體，其係將具 路間距爲40μπι以下之第一電路之第一電路基板與具 二電路之第二電路基板，配置成使前述第一電路與前 二電路相對向，使申請專利範圍第1〜5項中任一項之 連接用黏著薄膜介在於已對向配置之前述第一電路與 第二電路之間，藉由進行加熱加壓，使已對向配置之 第一電路與前述第二電路以電氣連接而成。 [發明的效果] 藉由本發明，與以往的電路連接材料相比，不會 擇銦-錫氧化物（ΙΤΟ)電極或銦-鋅氧化物（ΙΖΟ)電 電路電極種類之情形，在可降低電路電極間之連接電 同時，電路間距爲40μιη以下之高精細電路之間之連 可能的，且可抑制燒毀現象。 [實施發明的最佳型態] 以下，視所需一邊參考圖面，一邊對於本發明之 的實施型態予以詳細說明。 另一 化物 時， 情形 有電 有第 述第 電路 前述 前述 有選 極等 阻之 接爲 合適 -10- 201200577 <電路連接用黏著薄膜> 首先，參考圖1，對於本實施型態之電路連接 薄膜1進行說明。圖1爲表示有關本發明之一實施 電路連接用黏著薄膜之模擬剖面圖。電路連接用黏 1爲由具有含有黏著劑成分（絕緣性物質）3a及導 5之各向異性導電層U ’與在各向異性導電層Π 成含有黏著劑成分3b之絕緣層12。 (黏著劑成分） 黏著劑成分3a、3b爲含有（a)通過加熱或藉 生游離自由基之硬化劑（以下視情況會稱爲「（ a 自由基發生劑」）、（b)自由基聚合性物質及（c 形成性高分子。 (a)游離自由基發生劑，爲以作爲目的之連 、連接時間、可操作期（P〇t life )等予以適當地 如過氧化化合物（有機過氧化物）、偶氮化合物或 劑般，可使用通過加熱及藉由光照射之至少一方之 產生活性自由基之化合物》 有機過氧化物，就同時具有高反應性與優異之 期之觀點而言，半衰期1 〇小時之溫度爲40 °C以上 較佳爲半衰期1分鐘之溫度爲180 °C以下者；半ΐ 小時之溫度爲60°C以上，且，半衰期1分鐘之溫虔 °C以下者更佳。又，有機過氧化物，爲了防止電路 電路電極之腐蝕，較佳爲氯離子或有機酸之含 用黏著 型態之 著薄膜 電粒子 上所形 由光產 )游離 )薄膜 接溫度 cee 进疋、 光開始 處理所 可操作 ，且， _期10 :爲 1 70 構件之 有量爲 -11 - 201200577 5000ppm以下，進—步，以加熱分解後所產生之有 少者爲更佳。 作爲有機過氧化物，例如可由二醯基過氧化物 二碳酸酯、過氧酯、過氧縮酮、二烷基過氧化物、 化物等中予以選定。此等之中，就抑制電路構件之 子之腐蝕之觀點而言，較佳爲由過氧酯、二烷基過 、氫過氧化物中所選定者；就得到高反應性之觀點 更佳爲選定過氧酯。 作爲二醯基過氧化物，可舉例如異丁基過氧 2,4-二環苯甲醯基過氧化物、3,5,5_三甲基己醯基 物、辛醯基過氧化物、十二醯基過氧化物、硬脂醯 化物、琥珀酸過氧化物、苯甲醯基過氧甲基苯、苯 過氧化物。 作爲過氧二碳酸酯，可舉例如二-η-丙基過氧 酯、二異丙基過氧二碳酸酯、雙（4-t-丁基環己基 二碳酸酯、二-2-乙氧基甲氧基過氧二碳酸酯、二 基己基過氧基）二碳酸酯、二甲氧基丁基過氧二碳 二（3-甲基-3-甲氧基丁基過氧基）二碳酸酯。 作爲過氧酯，可舉例如異丙苯基過氧基新癸 1,1 ,3,3-四甲基丁基過氧基新癸酸酯、1-環己基-1_ 基過氧基新癸酸酯、t-己基過氧基新癸酸酯、t-丁 基特戊酸甲酯、1，1，3,3-四甲基丁基過氧基-2-乙基 、2,5-二甲基-2,5-雙（2-乙基己醯基過氧基）己烷 己基-1-甲基乙基過氧基-2-乙基已酸酯、t-己基過！ 機酸爲 、過氧 氫過氧 連接端 氧化物 而言， 化物、 過氧化 基過氧 甲醯基 二碳酸 )過氧 (2-乙 酸酯、 酸酯、 甲基乙 基過氧 已酸酯 、1-環 氧基-2 - -12- 201200577 乙基已酸酯、t-丁基過氧基-2-乙基已酸酯、t-丁基過氧基 異丁酯、1，1-雙（t-丁基過氧基）環己烷、t·己基過氧基 異丙基單碳酸酯、t-丁基過氧基-3，5,5-三甲基已酸酯、卜 丁基過氧基十二酸酯、2,5·二甲基-2,5-雙（m-甲苯甲醯基 過氧基）己烷、t-丁基過氧基異丙基單碳酸酯、t-丁基過 氧基-2-乙基己基單碳酸酯、t-己基過氧基苯甲酸酯、t-丁 基過氧基乙酸酯。 作爲過氧縮酮，舉例如1，1-雙（1-己基過氧基）· 3,5,5-三甲基環己烷、1,1-雙（t-己基過氧基）環己烷、 1，1-雙（卜丁基過氧基）-3,5,5-三甲基環己烷、1，1-(1-丁 基過氧基）環十二烷、2,2-雙（t-丁基過氧基）癸烷。 作爲二烷基過氧化物’可舉例如α,α’-雙（t -丁基過 氧基）二異丙基苯、二異丙苯基過氧化物、2,5 -二甲基- 2,5 -二（t -丁基過氧基）己院、t -丁基異丙苯基過氧化物 〇 作爲氫過氧化物，可舉例如二異丙基苯氫過氧化物、 異丙苯氣過氧化物。 作爲偶氮化合物，可舉例如2，2，-偶氮雙-2，4 -二甲基 戊腈、1，1’-偶氮雙（1-乙醯氧基-1_苯乙烷）、2,2，_偶氮 雙異丁腈、2,2’-偶氮雙（2-甲基丁腈）、二甲基_2,2，-偶 氮雙異丁腈、4,4’-偶氮雙（4-氰基纈草萜烯酸）及ij，-偶氮雙（1-環己烷腈）。 作爲光開始劑’例如苯偶姻乙醚、異丙基苯偶姻醚等 苯偶姻醚、苄基、羥基環己基苯基酮等苄基縮酮、二苯基 -13- 201200577 酮、苯乙酮等酮類及其衍生物、硫雜蒽酮（thioxanthone )類，以及合適地使用聯咪唑類。 使用光開始劑時，因應所使用之光源波長或所希望的 硬化特性等，選擇最合適的光開始劑。又，視所需亦可使 用任意之比率將胺類 '硫磺化合物、磷化合物等增感劑與 光開始劑倂用。 作爲增感劑，較佳爲脂肪族胺、芳香族胺、具有含氮 環狀構造之哌啶等環狀胺、0 -甲苯硫脲、二乙基二硫代磷 酸鈉、芳香族亞磺酸之可溶性鹽、N，N’-二甲基-P-胺苯甲 腈、N，N’-二乙基-P-胺苯甲腈、N，N’-二（泠-氰基乙基）-P-胺苯甲腈、N，N’-二（/3 -氯乙基）-P-胺苯甲腈、三-n-丁基膦等。又，作爲增感劑，可舉例如乙基苯基酮、苯乙 酮、氧葱酮、4·甲基苯乙酮、二苯基酮、芴、聯三伸苯、 聯苯、硫雜蒽酮、蔥肽、4,4’-雙（二甲基胺基）二苯基酮 、4,4’-雙（二乙基胺基）二苯基酮、菲、萘、4-苯基苯乙 酮、4-苯基二苯基酮、1-碘萘、2_碘萘、乙烷合萘、2-萘 甲腈、1-萘甲腈、蔚（chrysene )、苄基、1,2-苯并二氫 苊、芘、1，2-苯并蔥、吖啶、蒽、茈、稠四苯、2-甲氧 基萘等非色素系增感劑：噻嚀、亞甲藍、光黃素、核黃素 、光色素、香豆素、補骨脂素、8-甲氧基補骨脂素、6-甲 基香豆素、5 -甲氧基補骨脂素、5·羥基補骨脂素、 Coumarylpyrone、吖陡燈、吖D定黃素、原黃素、螢光黃、 曙紅Y、曙紅B、赤藻辛、孟加拉玫紅等色素系增感劑。 此等（a)游離自由基發生劑可單獨1種或混合2種 -14- 201200577 & ±丨吏用’亦可混合分解促進劑、抑制劑等使用 (a)游離自由基發生劑之含有量，相對於 劑成分較佳爲〇.〇5〜10質量％、更佳爲0_1〜5質邏 自由基聚合性物質爲具有以自由基進 物質，可舉例如丙烯酸酯（含有對應之 酸醋’以下相同）、順丁烯二亞醯胺化合物。 作爲丙烯酸酯，可舉例如胺酯丙烯酸酯（ acrylate)、甲基丙烯酸酯、丙烯酸乙酯、丙烯 、丙稀酸異丁酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇 酯、三乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯 羥甲基甲烷四丙烯酸酯、2 -羥基-1，3 -二丙烯醯 、2,2-雙〔4-(丙烯醯氧基甲氧基）苯基〕丙燒 〔4-(丙烯醯氧基聚乙氧基）苯基〕丙烷、丙烯 烯酯、丙烯酸三環癸酯、雙（丙烯醯氧基乙基） 酸酯、ε-己內酯改性參（丙烯醯氧基乙基）三 酯、參（丙烯醯氧基乙基）三聚異氰酸酯。 作爲順丁嫌一亞醢胺化合物，較佳爲分子中 2個以上順丁烯二亞醯胺基者，可舉例如1 _甲基 丁烯二亞醯胺苯、N，N’-m -伸苯基雙順丁烯二 N，N’-P-伸苯基雙順丁烯二亞醯胺、N，N，-m-甲伸 丁烯二亞醯胺、N，N’-4，4-伸聯苯基雙順丁烯二 N，N’-4,4- ( 3,3’-二甲基-伸聯苯基）雙順丁烯二 N，N’-4,4- ( 3,3’-二甲基二苯基甲烷）雙順丁烯 、N，N’-4,4- ( 3,3’-二乙基二苯基甲烷）雙順丁 整體黏著 t %。 行聚合之 甲基丙烯 urethane 酸異丙酯 二丙烯酸 酸酯、四 氧基丙烷 、2,2-雙 酸二環戊 三聚異氰 聚異氰酸 含有至少 -2,4·雙順 亞醯胺、 苯基雙順 亞醯胺、 亞醯胺、 二亞醯胺 烯二亞醯 -15- 201200577 胺、N，N’-4,4-二苯基甲烷雙順丁烯二亞醯胺、n，N’-4,4-二苯基丙烷雙順丁烯二亞醯胺、N，N’-4，4-二苯基醚雙順丁 烯二亞醯胺、N，N’_3,3’-二苯基颯雙順丁烯二亞醯胺、 2.2- 雙〔4- ( 4-順丁烯二亞醯胺苯氧基）苯基〕丙烷、 2.2- 雙〔3-s-丁基-4,8- (4-順丁烯二亞醯胺苯氧基）苯基 〕丙烷、1，1-雙〔4-(4-順丁烯二亞醯胺苯氧基）苯基〕 癸烷、4,4’-環亞己基-雙〔1-(4-順丁烯二亞醯胺苯氧基 )-2-環己基〕苯、2,2-雙〔4- ( 4-順丁烯二亞醯胺苯氧基 )苯基〕六氟丙院。此等可單獨1種或倂用2種以上使用 ，亦可與烯丙基苯酚、烯丙基苯基醚、安息香酸烯丙酯等 烯丙基化合物倂用使用。 (b)作爲自由基聚合性物質，就黏著性之提升觀點 而言，較佳爲丙烯酸酯，更佳爲胺酯丙烯酸酯或胺酯甲基 丙烯酸酯。（b)自由基聚合性物質可單獨1種或倂用2 種以上使用。 黏著劑成分3 a、3 b，較佳爲至少含有在2 5 °C之黏度 爲100000~1000000mPa· s之自由基聚合性物質，更佳爲 含有 1 00 00 0〜5 0000 OmP a .s之自由基聚合性物質。自由 基聚合性物質之黏度測定，可使用市售E型黏度計測定。 (b)自由基聚合性物質之含有量，相對於黏著劑成 分100質量份，較佳爲20〜70質量份、更佳爲30〜65質量 份。 (b)自由基聚合性物質，除了上述自由基聚合性物 質以外，爲使耐熱性提升，較佳爲進一步含有與上述有機 -16- 201200577 過氧化物進行交聯，並以單獨時以表示1 〇(TC以上之Tg 之自由基聚合性物質。作爲如此的自由基聚合性物質，可 使用具有二環戊烯基、三環癸基及/或三吖哄環者。此等 之中又以具有三環癸基或三吖哄環之自由基聚合性物質合 適使用。 又’視所需’亦可適當使用氫醌、甲基醚氫醌類等聚 合禁止劑。 更’ （b)自由基聚合性物質，除了上述自由基聚合 性物質以外’較佳爲進一步含有具有磷酸酯構造之自由基 聚合性物質。具有磷酸酯構造之自由基聚合性物質，爲作 爲無水磷酸與2-羥基（甲基）丙烯酸酯之反應物所得到 。具體可舉例2 -甲基丙烯醯基氧乙基酸磷酸酯、2 -丙烯醯 氧乙基磷酸酯等。此等可單獨1種或組合2種以上使用。 具有磷酸酯構造之自由基聚合性物質之含有量，就提 升與金屬等無機物表面之黏著強度之觀點而言，相對於黏 著劑成分100質量份，較佳爲0.1〜10質量份、更佳爲 0.5〜5質量份。 (c)作爲薄膜形成性高分子，可使用聚苯乙烯、聚 乙烯、聚乙烯丁醛、聚乙烯甲醛、聚醯亞胺、聚醯胺、聚 酯、聚氯乙烯、聚苯醚、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、酹樹 脂、二甲苯樹脂、環氧樹脂、聚異氰酸酯樹脂、苯氧基樹 脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯胺甲酸乙酯樹脂等。 此等之中又以提升黏著性之觀點而言，較佳爲具有羥 基等官能基之樹脂。又，亦可使用以自由基聚合性官能基 -17- 201200577 將上述薄膜形成性高分子改性者。薄膜形成性 量平均分子量，較佳爲10000以上。又，由於 子量若爲1 000000以上時，混合性會有降低之 爲未滿1000000。 (C )薄膜形成性高分子之含有量，相對 分100質a份，較佳爲30〜80質量份、更佳爲 份。 黏著劑成分3 a、3 b，亦可含有例如（d ) 脂與（e )該硬化劑。 作爲（d )熱硬化性樹脂，較佳爲環氧樹 脂可單獨使用1分子內具有2個以上環氧丙基 化合物等，或是混合該2種以上。作爲環氧樹 由環氧氯丙烷與雙酚A、雙酚F及/或雙酚AD 雙酚型環氧樹脂、由環氧氯丙烷與酚酚醛或甲 生之環氧酚醛樹脂或具有含有萘環骨架之萘系 縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油醚型環氧樹 環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等。環氧樹脂可單 合2種以上使用。環氧樹脂爲防止電移，較佳 質離子（Na+、C1·等）、水解性氯等已減低至 下之筒純度品。 .(e )硬化劑’就得到更長之可操作期之 較佳爲潛在性硬化劑。熱硬化性樹脂若爲環氧 作爲潛在性硬化劑可舉例如咪唑系、醯肼系 胺錯合體、鏑鹽、胺醯亞胺、聚胺之鹽、二氰 高分子之重 重量平均分 傾向，較佳 於黏著劑成 35〜70質量 熱硬化性樹 脂。環氧樹 之各種環氧 脂，可舉例 等所衍生之 酚酚醛所衍 環氧樹脂、 脂、聯苯型 獨_ 1種或混 爲了使用雜 3 OOppm 以 觀點而言， 樹脂時，在 •三氟化硼-二胺等。此 -18- 201200577 等可單獨1種或混合2種以上使用。潛在性硬化劑，亦可 混合分解促進劑、抑制劑等。上述潛在性硬化劑，爲了延 長可使用時間’較佳爲以聚胺甲酸乙酯系、聚酯系高分子 物質等被覆來進行維膠囊化。 尙，本說明書之重量平均分子量爲藉由凝膠滲透層析 法（GPC )分析’以下述條件進行測定，爲藉由使用標準 聚苯乙烯之檢量線進行換算所求得者。 (GPC條件） 使用機器：日立L-6 000型（（股）日立製作所製、 商品名） 檢出器：L-3 3 00RI ((股）日立製作所製、商品名） 柱：GEL-ΡΑΚ GL-R420 + GEL-ΡΑΚ GL-R430 + GEL-PAK GL-R440 (共3管）（日立化成工業（股）製、商品 名） 溶離液：四氫呋喃 測定溫度：40°C 流量：1.75ml/min 又，黏著劑成分3a及3b之上述成分種類及調合量等 ，可分別相同或相異。另，上述成分種類及調合量，較佳 爲將黏著劑成分3b之流動性調整成較黏著劑成分3a之流 動性爲大者。 (導電粒子） -19- 201200577 本實施型態之電路連接用黏著薄膜1，在作爲導電粒 子5，最外層由維克氏硬度爲3 00Hv以上之金屬’較佳爲 使用含有自Ni、Ni合金及Ni氧化物所成群所選出之至少 1種金屬覆蓋者。 作爲如此般的導電粒子5，可使用例如圖2 ( a )〜（c )所示之導電粒子5a〜5c。 首先，對於導電粒子5 a之構成以圖2 ( a )詳細說明 。圖2爲表示有關本發明之一實施型態之電路連接用黏著 薄膜中所含導電粒子之模擬剖面圖。 如圖2 ( a )所示，導電粒子5a爲具有核心21、與在 核心2 1之表面上所形成之金屬層（最外層）22。核心2 1 爲具有中核部21a、與在中核部21a之表面上所形成之突 起部21b。金屬層22爲表面上具有複數個突起部14。金 屬層22爲覆蓋核心21，在與突起部21b對應之位置突出 ，其突出之部分成爲突起部14。 核心2 1較佳爲由有機高分子化合物所成。此情形時 ’核心21除了相較於由金屬所成的核心成本爲低外，因 爲對於熱膨漲率或壓著接合時尺寸變化之彈性變形範圍爲 廣，合適作爲電路連接用途使用。 作爲構成核心21之中核部21a之有機高分子化合物 ，可舉例如丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、苯並胍胺（ Benzoguanamine )樹脂、聚矽氧樹脂、聚丁二烯樹脂或此 等之共聚合體，亦可使用與此等交聯者。作爲構成核心 21之突起部21b之有機高分子化合物，與構成中核部21a -20- 201200577 之有機高分子化合物可爲相同或相異者。 核心21之中核部21a之平均粒徑，較佳爲1.5〜5.0 μηι 、更佳爲2.0〜4.5μπι、又更佳爲2.5〜4·0μπΐ。平均粒徑若 未滿Ιμιη時，會產生粒子之二次凝集，與鄰接電路之絕 緣性會有不足之傾向。另一方面，平均粒徑若超過5μιη 時，會有起因爲其大小之與鄰接電路之絕緣性不足之傾向 〇 核心21，可藉由在中核部21a之表面上使吸著複數 個具有較中核部21a爲更小直徑之突起部21b來予以形成 。作爲使突起部21b吸著於中核部21a之表面之方法，可 舉例將中核部21a及突起部21b之雙方或單一方之粒子以 矽烷、鋁、鈦等各種偶合劑及黏著劑之稀釋溶液進行表面 處理後，混合兩者使附著之方法。尙，突起部2 1 b之平均 粒徑較佳爲50~500nm。 金屬層22爲含有Ni、Pd、Rh等維克氏硬度3 00Hv 以上之金屬，較佳爲含有自Ni、Ni合金及Ni氧化物所成 群所選出之至少1種之金屬。作爲Ni，可舉例如自純Ni 、Ni合金及Ni氧化物所成群所選出之至少1種，此等之 中又以純Ni、純Pd較佳。作爲Ni合金，可舉例如Ni-B 、Ni-W、Ni-B、Ni-W-Co、Ni-Fe 及 Ni-Cr。作爲 Ni 氧化 物，可舉例如NiO等。金屬層22可由單一之金屬層所構 成，亦可由複數個金屬層所構成。尙，維克氏硬度可例如 使用 JPANA HIGH TECH 公司製「Maicroharadness Tester MHT-4 (商品名）」，以負荷荷重20kgf、負荷速度 -21 - 201200577 20kgf/秒、保持時間5秒之條件進行測定。 金屬層22，相對於核心21，此等金屬可藉由使用無 電解鍍敷法予以形成。無電解鍍敷法可大致區分爲分批方 式與連續滴下方式，不論使用何種方式均可形成金屬層 22 〇 金屬層22之厚度（鍍敷厚度），較佳爲50〜170nm、 更佳爲50〜15 Onm。將金屬層22之厚度以成爲如此之範圍 ，可使電路電極32、42間之連接電阻更進一步地降低。 金屬層22之厚度若未滿50nm時，會有鍍敷之損傷等產 生之傾向；若超過1 70nm時，導電粒子間會產生凝結， 在鄰接電路電極間會有產生短路之傾向。 尙，導電粒子5a爲部分的核心2 1會有露出之情形。 此情形時，就連接信賴性之觀點而言，相對於核心2 1之 表面積，金屬層22之被覆率較佳爲70%以上，更佳爲 80%以上，又更佳爲90%以上。 導電粒子5a之突起部14之高度（H)，較佳爲 50〜500nm、更佳爲75~300nm。突起部14之高度（H)若 未滿50nm時，於高溫高濕處理後連接電阻會有變高之傾 向；若超過500nm時，由於導電粒子與電路電極之接觸 面積變小關係，連接電阻會有變高之傾向。 鄰接之突靼部14間之距離（S)，較佳爲lOOOnm以 下’更佳爲5 00nm以下。又，鄰接之突起部14間之距離 (S)，爲了不使在後述之導電粒子5a與電路電極32、 42之間之黏著劑成分3a、3b之硬化體4a、4b進入，而 -22- 201200577 使導電粒子5a與電路電極32、42足夠地接觸，較佳爲至 少爲50nm以上者。尙，突起部14之高度（H)及鄰接之 突起部1 4間之距離（S ) ’可藉由電子顯微鏡進行測定。 尙，如圖2(b)所示，導電粒子5亦可爲核心21爲 僅由中核部2 1 a所構成之導電粒子5 b。換言之，即亦可 不需要設置如圖2 ( a )所示核心2 1之突起部2 1 b。如圖 2(b)所示導電粒子5b，爲將中核部21a之表面金屬鏟 敷，可藉由在中核部21a之表面上形成具有突起部14之 金屬層2 2所得。 對於用於形成突起部14之鍍敷方法進行說明。突起 部14爲在金屬鏟敷之際，將鍍敷條件在中途予以變更， 可藉由使金屬層22之厚度部分地予以變化來形成。例如 ，突起部14爲在鍍敷反應之途中追加較最初所使用的鎪 敷液爲濃度更高的鍍敷液，可藉由使鍍敷液之濃度成爲不 均一來予以形成。 又，如圖2 ( c )所示，導電粒子5亦可爲具有核心 21與在中核部21a之表面上所形成之金屬層（最外層） 22之導電粒子5c。導電粒子5c在未具有突起部14這方 面與導電粒子5a爲相異。 又，導電粒子5亦可爲以含有Ni等之金屬層22將非 導電性之玻璃、陶瓷、塑膠等絕緣粒子被覆者。當金屬層 22爲含有Ni之核心21爲塑膠之情形時、或導電粒子5 爲熱熔融金屬粒子時，因加熱加壓具有變形性，因此連接 時導電粒子5與電極之接觸面積會增加，連接信賴性會提 -23- 201200577 升，故宜。 導電粒子5之含有量，相對於各向異性導電層之黏著 劑成分100體積份，較佳爲O.l~3〇體積份，依用途所需 予以適當調整。又，導電粒子5之含有量，就更進一步充 分地抑制因導電粒子5所造成鄰接電路彼此間之短路等觀 點而言，相對於各向異性導電層之黏著劑成分100體積份 ，更佳爲0.1〜10體積份。 就更進一步確實地使電路電極3 2、42間導通之觀點 而言，導電粒子 5之1 0%壓縮彈性率（K値）較佳爲 100〜1 000kgf/mm2。此處所謂的10%壓縮彈性率（K値） ，指爲使導電粒子5產生1 0%壓縮變形之際之彈性率，例 如可使用股份有限公司Fischer Instruments製H-100微小 硬度計進行測定。 導電粒子5之平均粒徑，就藉由較連接之電路電極之 高度爲更低而進一步更易於抑制鄰接電極間之短路之觀點 而言，較佳爲1 .5〜5·0μηι、更佳爲2.0〜4.5μιη、又更佳爲 2.5~4.0μπι。尙，所謂的導電粒子5a、5b之「平均粒徑」 ，爲不考慮突起部14之高度（H)，意味著以核心21與 金屬層22之未形成突起部14之部分作爲考量所算出之粒 徑。 導電粒子5之平均粒徑，可如以下般予以測定。以示 差掃描型電子顯微鏡（SEM :例如HITACHI製、S800 ) ，由放大3000倍之導電粒子之粒子像任意選擇50個粒子 。使用已經放大之粒子像，對於所選擇的複數粒子分別測 -24- 201200577 定最大直徑與最小直徑。其中，將分別粒子的最大直徑及 最小直徑之積之平方根，作爲該粒子之粒徑。對於任意選 擇的導電粒子50個，如上述般進行各粒徑之測定，將粒 徑之總和除以測定粒子之個數，將此値作爲平均粒徑。 更，本實施型態之電路連接用黏著薄膜1(各向異性 導電層11及絕緣層12)亦可含有橡膠微粒子、塡充材、 軟化劑、促進劑、老化防止劑、著色劑、難燃化劑、搖變 減黏劑、偶合劑、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、異氰酸酯類等 〇 作爲橡膠微粒子，粒子之平均粒徑爲所調合之導電粒 子5之平均粒徑2倍以下，且較佳爲在室溫（25 °C )之儲 藏彈性率爲導電粒子5及黏著劑成分3a、3b之在室溫之 儲藏彈性率的1 /2以下者。特別是，當橡膠微粒子之材質 爲聚矽氧、丙烯酸乳液、SBR、NBR、聚丁二烯橡膠時， 適宜爲單獨1種或混合2種以上使用。3維網交聯之此等 橡膠微粒子，耐溶劑性優異，在黏著劑成分3a、3b中容 易分散。 若爲含有塡充材時，因連接信賴性等提升，故宜。塡 充材之最大直徑，較佳爲未滿導電粒子5a之平均粒徑。 塡充材之含有量，相對於整體電路連接用黏著薄膜，較佳 爲5〜60體積％之範圍。含有量若超過60體積％時，信賴 性提升之效果會有飽和之傾向。 作爲偶合劑’以含有由乙烯基、丙烯酸基、胺基、環 氧基及異氰酸基所成群所選出1種以上之基之化合物，就 -25- 201200577 黏著性之提升方面而言爲宜。 本實施型態之電路連接用黏著薄膜1，爲在連接時黏 著劑爲熔融流動，在連接於相對向之電路電極後，硬化以 保持連接者，黏著劑之流動性爲重要因子。以厚度0.7mm 、15mmxl5mm之玻璃板將厚度35μιη、5mmx5mm之電路 連接用黏著薄膜1挾持，若爲使用170°C、2MPa、10秒 之條件進行加熱加壓時，利用初期面積（A )與加熱加壓 後面積（B )所表示之流動性（B ) / ( A )之値，較佳爲 1.3〜3.0、更佳爲1.5〜2.5。（ B) / ( A)若未滿1.3時，流 動性不佳，會有無法得到良好連接之傾向；若超過3.0時 ，容易產生氣泡，會有信賴性變差之傾向。 本實施型態之電路連接用黏著薄膜1，硬化後在40°C 之彈性率較佳爲100〜3000MPa、更佳爲500〜2000MPa。 本實施型態之電路連接用薄膜1之各向異性導電層 11之厚度，爲導電粒子5之平均粒徑之0.3〜1.5倍，較佳 爲 0.7 ~ 1. 3 倍。 又，電路連接用薄膜1之厚度（各向異性導電層11 及絕緣層12之總厚度），較佳爲 6~20μπι、更佳爲 8〜1 8 μιη、又更佳爲8〜1 4 μιη。即，將各向異性導電層1 1之 厚度作爲ΤΑ ( μηΐ)時，絕緣層12之厚度較佳爲（6-Τα) ~ ( 20-Τα ) μΐΉ、更佳爲（8·ΤΑ ) ~ ( 18-ΤΑ ) μιη、又更 佳爲（8-Τα )〜（14-ΤΑ ) μιη。絕緣層12之厚度在上述 範圍時，可進一步使高精細電路間以信賴性良好地連接， 且可進一步抑制燒毀現象。 -26- 201200577 電路連接用薄膜1’例如可藉由使用層合機將 性導電層Π與絕緣層1 2層合予以製作。 又，各向異性導電層1 1及絕緣層1 2，例如， 溶解或分散有構成各別層之各成分之混合液，可藉 塗佈裝置將該混合液塗佈、使乾燥予以製作。 各向異性導電層1 1及絕緣層1 2之厚度，可藉 塗佈裝置之狹縫塗佈，使適當的變動。又，即使狹 爲寬之情況，只要藉由降低塗佈混合液之固形分濃 可將層之厚度變小。 各向異性導電層Μ亦可藉由將含有黏著劑成夭 導電粒子5之混合液塗佈予以製作，亦可將含有黏 分3a之混合液進行塗佈，在形成由黏著劑成分3a 層後，藉由將導電粒子散布、埋入於該層之表面等 製作。作爲後者之方法，例如可使用如特開平1 0-號公報所記載之方法。 <電路連接構造體> 圖3爲表示發明之一實施型態相關之電路連接 之模擬剖面圖。本實施型態之電路連接構造體100 備有相互對向之電路構件（第1電路構件）30及 件（第2電路構件）40，以及介在於電路構件30 構件40間，將此等連接之電路連接構件1 〇。 電路構件30爲具備有電路基板（第1電路基 ，與在電路基板31之主面31a上所形成之電路電 各向異 準備已 由使用 由控制 縫塗佈 度，即 卜3a及 著劑成 所成之 而予以 302926 構造體 ，爲具 電路構 及電路 板）31 極（第 -27- 201200577 1電路電極）32。電路構件40爲具備有電路基板（第2 電路基板）41’與在電路基板41之主面41a上所形成之 電路電極（第2電路電極）42。 電路基板3 1、4 1之材質並無特別的限制，但通常爲 有機絕緣性物質、玻璃或矽。 作爲電路電極32、42之材質，可舉例Au、Ag、Sn、 Pt族之金屬、銦-錫氧化物（ITO )、銦-鋅氧化物（IZO )、八1、（：1*。電路電極32、42之至少一方，以成爲顯著 良好的電氣連接之觀點而言，較佳爲含有銦-錫氧化物（ ITO)及銦-鋅氧化物（IZO)之至少一方。又，電路電極 32、42可爲整體爲上述材質所構成，或亦可爲僅最外層 爲上述材質所構成。 上述電路構件30、40之至少一方，較佳爲撓性基板 之電路間距爲40μπι以下。又，電路間距之下限並無特別 限定，例如可爲大約20μηι。 電路電極32、42之表面較佳爲平坦者。尙，本說明 書之所謂的「平坦的電路電極表面」，指爲電路電極之表 面凹凸爲20nm以下。 導電粒子5若爲具有突起部，當電路電極32、42之 厚度未滿50nm時，在電路構件30及電路構件40間將電 路連接用黏著薄膜1進行加壓之際’位於導電粒子表面側 之突起部可能會貫穿電路電極32、42 ’而與電路基板31 、41會有接觸之情形。因此，藉由使電路電極32、42之 厚度以50nm以上，電路電極32、42與導電粒子5之接 -28- 201200577 觸面積會增加，使連接電阻更爲降低。又，電路電極32 、42之厚度，就製造成本等方面而言，較佳爲lOOOnm以 下、更佳爲500nm以下。 又，在電路構件30，亦可進一步在電路電極32及電 路基板31之間設置絕緣層，或在電路構件40，亦可進一 步在電路電極42及電路基板41之間設置絕緣層。絕緣層 之材質，只要是以絕緣材料所構成者即可，並無特別限制 ，但通常爲有機絕緣性物質、二氧化矽或氮化矽。 作爲第1電路構件30及第2電路構件40之具體例， 可舉例如半導體晶片、電阻體晶片、電容器晶片等晶片零 件、印刷基板等基板。此等電路構件30、40通常爲設置 有多數（依情況亦可爲單數）的電路電極（連接端子）32 、42 ° 電路連接構件10，爲藉由將上述電路連接用黏著薄 膜1進行硬化處理所得到者，含有將上述黏著劑成分3 a 、3b硬化所成的硬化體4a、4b與，上述導電粒子5。 在電路連接構造體1 0 0，對向之電路電極32與電路 電極42爲介由導電粒子5而被電氣連接。即，導電粒子 5爲藉由直接接觸於電路電極32、42之雙方而被電氣連 接。 導電粒子5若爲具有複數個突起部時，以該一部份崁 入電路電極32或電路電極42者爲佳。此情形時，導電粒 子之突起部與電路電極32、42之接觸面積更爲增加，可 更減低連接電阻。 -29- 201200577 (電路連接構造體之製造方法） 本實施型態之電路連接用黏著薄膜1，在作爲1C晶 片與基板之黏著、電氣電路相互之黏著用之黏著劑亦爲有 用者。將具有第1電路電極（連接端子）之第1電路構件 與具有第2電路電極（連接端子）之第2電路構件，使第 1電路電極及第2電路電極以對向之狀態配置，使本實施 型態之電路連接用黏著薄膜1介在於第1電路電極與第2 電路電極之間，並藉由進行加熱加壓，使第1電路電極及 第2電路電極電氣地連接，可構成電路連接構造體1〇〇。 本實施型態所使用的電路電極之連接方法，爲將具有 以熱或光之硬化性之電路連接用黏著薄膜1形成於表面爲 含有由金、銀、錫及纟自屬所選出之金屬之一方的電極電路 上後，與不同之另一方的電路電極進行對位，藉由加熱、 加壓，可將電路電極彼此連接起來。 作爲本實施型態之電路連接構造體100，可舉例如半 導體晶片、電阻體晶片、電容器晶片等晶片零件、印刷基 板等基板等。此等電路連接構造體100通常爲設置有多數 (依情況亦可爲單數）的電路電極（連接端子），使電路 連接構造體100之至少1組與此等電路連接構造體100中 所設置的連接端子之至少一部份對向配置，並使黏著劑介 在於已對向配置之電路電極間，進行加熱、加壓後將已對 向配置之電路電極彼此以電氣地連接’製作成電路板。藉 由將電路連接構造體1 〇 〇之至少1組以進行加熱、加壓’ -30- 201200577 可使已對向配置之電路電極彼此介由電路連接用黏著薄膜 之導電粒子電氣地連接。 接著，使用圖4，對於本實施型態之電路連接構造體 70之製造方法具體地說明。圖4爲模擬地表示本發明之 一實施型態相關之電路連接構造體之製造方法之工程剖面 圖。圖4 ( a )爲表示在連接電路構件彼此之前之狀態； 圖4(b)爲表示在連接電路構件彼此之際之狀態；圖4( c)爲表示在連接電路構件彼此之後之電路連接構造體。 首先，如圖4(a)所示，準備在主面上爲具有電路 電極72及液晶表示部74之LCD面板73。接著，將電路 連接用黏著薄膜61黏著、載置於電路電極72上。其中， 將設置有C OF等之電路電極76之電路基板75，使電路電 極72與電路電極76以電路連接用黏著薄膜61介在於其 中相互地對向對位。尙，電路電極72及電路電極76爲例 如具有複數個電極排列之構造。 其次，如圖4 ( b )所示，一邊將LCD面板73與電路 基板75進行對位，一邊使電路電極72與電路電極76以 電路連接用黏著薄膜61介在於其中相互地對向，將電路 基板75載置於電路連接用黏著薄膜61上。藉此，電路電 極72與電路電極76因電路連接用黏著薄膜61中之導電 粒子5而被連接。 接著，由與電路電極76所配置之面爲相反側之面（ 圖4(b)中箭頭A方向）將電路基板75加壓，同時將電 路連接用黏著薄膜61加熱。藉此，電路連接用黏著薄膜 -31 - 201200577 6 1會硬化，得到電路連接構件60。經由以上，如圖4 ( c )所示，可得到介由電路連接構件60使LCD面板Ή與 電路基板75堅固地連接的電路連接構造體70。尙，硬化 處理方法可依所使用黏著劑成分，採用加熱及光照射之一 方或雙方。 以上，雖已針對本發明之最佳實施型態進行說明，惟 ，本發明並不限定於上述實施型態者。 【實施方式】 [實施例] 以下，藉由實施例更詳細說明本發明，但本發明並不 限定於此等實施例。 (實施例1 ) 〔胺酯丙烯酸酯之合成〕 將重a平均分子量800之聚己內酯二醇400質量份、 2-羥基丙基丙烯酸酯131質量份、作爲觸媒之二丁基錫二 月桂酸酯0.5質量份、作爲聚合禁止劑之氫醌單甲基醚 1.0質量份，一邊攪拌一邊加熱至50 °C進行混合。接著， 將異佛酮二異氛酸基222質量份滴下，更進一步邊攪拌邊 升溫至80°C，進行胺甲酸乙酯化反應。碑認異氰酸基之 反應率爲99%以上後，將反應溫度降低得到胺酯丙烯酸酯 -32- 201200577 〔聚酯胺甲酸乙酯樹脂之調製〕 使用作爲二羧酸之對苯二甲酸、作爲二醇之丙二醇、 作爲異氰酸基之4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯，將對苯二 甲酸/丙二醇/4，4’-二苯基甲烷二異氰酸酯之莫耳比以 1.0/1.3/0.25及1.0/2.0/0.25之2種類，調製聚酯胺甲酸乙 酯樹脂A、B。 使上述聚酯胺甲酸乙酯樹脂以成爲20質量％溶解於 甲基乙基酮中。使用上述聚酯胺甲酸乙酯樹脂之甲基乙基 酮溶液，在單面爲已表面處理過（聚矽氧處理）之厚度 80μπι之PET薄膜上使用塗佈裝置進行塗布。更，以70 °C 、10分鐘之熱風乾燥，製作厚度爲35μηι之薄膜。使用廣 域動態黏彈性測定裝置（Rheometric Scientific公司製、 商品名：RSAII )以拉伸荷重5g、頻率10Hz測定彈性率 之溫度依賴性。由測定結果得知，所製得的聚酯胺甲酸乙 酯樹脂之玻璃轉移溫度爲1 0 5 °C。 將作爲自由基聚合性物質之上述胺酯丙烯酸酯25質 量份、三聚異氰酸酯型丙烯酸酯（製品名：M-325、東亞 合成公司製）20質量份、2-甲基丙烯醯基氧乙基酸磷酸 酯（製品名：P-2M、共榮公司化學公司製）1質量份、 及作爲游離自由基發生劑之苯甲醯基過氧化物（製品名： NYPER BMT-K40、日本油脂製）4質量份，混合至作爲薄 膜形成性高分子之上述聚酯胺甲酸乙酯樹脂A之20%甲 基乙基酮溶液5 5質量份中，攪拌後製成黏著樹脂。 更，將核心爲聚苯乙烯之最外層爲以Ni所覆蓋者， -33- 201200577 且最外層之表面爲具有突起之導電粒子（平均粒徑：4μιη ’以下亦有稱爲「Ni被覆粒子」），以相對於黏著樹脂 以成爲3體積％進行調合、分散。接著，在單面爲已表面 處理過（聚矽氧處理）之厚度爲50μιη之PET薄膜，使用 塗佈裝置將混合液塗佈於未施予表面處理之側，以7(TC 、10分鐘之熱風乾燥，得到厚度爲4 μπι之各向異性導電 黏著劑層Α (寬15cm、長70m)。 將作爲自由基聚合性物質之上述胺酯丙烯酸酯25質 量份、三聚異氰酸酯型丙烯酸酯（製品名：M-3 25、東亞 合成公司製）20質量份、2-甲基丙烯醯基氧乙基酸磷酸 酯（製品名：P-2M、共榮公司化學公司製）1質量份、及 作爲游離自由基發生劑之苯甲醯基過氧化物（製品名： NYPER BMT-K40、日本油脂製）4質量份，混合至作爲薄 膜形成性高分子之上述聚酯胺甲酸乙酯樹脂B之20%甲基 乙基酮溶液55質量份中，搅拌後製成黏著樹脂。接著， 在單面爲已表面處理過（聚矽氧處理）之厚度爲50μηι之 PET薄膜，使用塗佈裝置將前述黏著樹脂塗佈於未施予表 面處理之側，以70°C、1 〇分鐘之熱風乾燥，得到厚度爲 10 μιη之黏著劑層B (寬15cm、長70m)。 將所得到的黏著劑層A、B以黏著劑爲面對面的方向 予以疊合，使用層合機（Dupont公司製RISTON、機型 :HRL、輥壓力僅爲彈簧力α重、輥溫度40°c 、速度50cm/ 分鐘）進行層合後，將各向異性導電黏著劑層A側之PET 剝離，得到厚度1 4 μπι之各向異性導電黏著劑（寬1 5 c m、 -34- 201200577 長60m)。將所得到的各向異性導電黏著劑裁切成1 .5mm 之寬度，並在內徑40mm、外徑48mm之塑膠製捲筒之側 面（厚度1.7mm)，以黏著薄膜面爲內側地捲起50m，得 到膠帶狀電路連接用黏著薄膜。 (實施例2〜4) 除了使導電粒子之K値及粒子徑如表1〜2所示般予 以變化外，與實施例1進行同樣之操作，製作電路連接用 黏著薄膜。 (實施例5〜6 ) 除了使各黏著劑層A、B之厚度如表2所示般予以變 化外，與實施例4進行同樣之操作，製作電路連接用黏著 薄膜。 (比較例1〜3 ) 除了使導電粒子之K値、最外層之金屬、及粒子徑 如表3所示般予以變化外，與實施例1進行同樣操作，製 作電路連接用黏著薄膜。 (比較例4) 除了使各黏著劑層A之厚度如表4所示般予以變化 ，並使黏著劑以單層構成外，與實施例1進行同樣之操作 ，製作電路連接用黏著薄膜。 -35- 201200577 (比較例5 ) 除了使各黏著劑層A、B之厚度如表4所示般予以變 化外，與W施例1進行同樣之操作，製作電路連接用黏著 薄膜。 -36- 201200577 11«1 苡施例3 黏著劑展B I 〇 in ΙΟ ΙΛ C\i 1 1 〇 各自與性導笛黏著劑層A ΙΟ m σ IT) CM 〇 乏 寸 寸 苡施例2 黏著劑層B ο in m m CM S T— 1 1 \ 〇 T- 各自異性禺爾鈷著劑層A u> ιχ> Ο in csj S r— 〇 CM 乏 C0 C0 苡施例1 黏著剤展B ο in in ift CM r·* 寸 1 1 1 〇 各自異性羿窀黏茗TO屑A ΙΟ ΙΟ ο in C\J s 对 300 寸 寸 1 聚酷胺Φ酸乙酯A 聚酯胺甲酸乙酷B 胺酯丙W6酸酯 M-325 P-2M NYPHR-BMT-K S 父一 8¾ 驻一 羿m粒子ίδ外層 金阔 玛粗粒子徑Um) 黏矜度丨扛τη| -37- 201200577 昼 寊施例6 黏著劑 〇 in OJ Τ-» 1 1 1 00 各自異性職黏著劑®Α ΙΟ in Ο LO CM s 〇 •乏 寸 <〇 过施例5 黏著倒SB 〇 in ir> LO CM s 1 1 1 CM 各自異性導ts黏著剧層a m to ο in CNJ s T— 〇 CSI 乏 寸 CM Θ施例4 黏著劑層B ο in ιο in eg s V— 1 1 1 Ο 各自異性導電黏著劑層A in ο in CM s 寸 200 聚酯胺甲酸乙酯A 1 聚酯胺甲酸乙酯β | 胺酯丙烯酸酯 I M-325 I P-2M I NYPER-BMT-K 導電粒子10%κ値 [kgf/mm2 ] 導道粒子©外層 金屬 I 導m粒子徑【“ml 黏著劑厚度[//ml -38- 201200577 i 比較例3 1 黏著劑層B 〇 g s 寸 1 1 1 〇 < 幽 m 蜱 挪 BK 孤 ΙΛ LO Ο m CM s τ— 寸 300 □ < C0 CO 比較例2 黏著劑層B 1〇 m ο in CsJ s 寸 I 1 1 Ο 幽 W 槲 ilwrfl jpr 挪 晡 孤 〇 in in in CVJ s 寸 200 比較例1 蘅 W 〇 ιο in CM s 寸 1 1 1 ο <11 匾 m 錤 6tf 撖 ΰΠ in in ο in CM g T- 300 寸 聚酯胺甲酸乙酯A 聚醋胺甲酸乙酯Β 魈 M 跋 魈 狴 M-325 P-2M 2 PQ ώ Μ PL, 導電粒子10%K値 [kgf/mm2] 導電粒子最外層 金屬 導電粒子徑[#m] 黏著劑厚度["m] -39- 201200577

I 比較例5 1 黏著劑層B 〇 to LO LO CSI t— τί- 1 1 1 <〇 各自異性導電黏著劑層A ιο in Ο in CSJ s 300 乏 00 比較例4 黏著劑層B ο LO LO l〇 CM s T"™ 1 1 1 1 各自異性導電黏著劑層A ιο ιο o l〇 CSI 8 y— 寸 300 寸 聚酯胺甲酸乙酯A 聚酯胺甲酸乙醋B | 胺酯丙烯酸酯 | M-325 | P-2M NYPER-BMT-K 導電粒子10%K値 [kgf/ram2] 導電粒子最外層 金靨 | 導電粒子徑km] | 黏著劑厚度[μ m] -40- 201200577 (電路之連接） 將實施例、比較例所得到的電路連接用黏著薄膜（寬 1.5mm、長3cm)之黏著劑面，以70°C、IMPa之2秒鐘 進行加熱加壓’轉印至厚度〇 . 7 m m之C r /銦-鋅氧化物（ IZO )塗佈玻璃基板上，將PET薄膜剝離。其次’將具有 間距40μηι、厚度8μιη之錫鍍敷銅電路500條之撓性電路 板（FPC )置於已轉印之黏著劑上，以24°C、〇.5MPa之1 秒鐘加壓使暫時固定。將藉由電路連接薄膜使此FPC暫 時固定之玻璃基板置放於正式壓著裝置上’以厚度〗5 0叩 之鐵氟龍（登記商標）薄片作爲緩衝材，自FPC側’使 用加熱工具以18〇°C、3 MPa之6秒鐘加熱加壓’連接寬 爲橫跨1 .5mm，得到連接體。 (連接電阻之測定） 對於上述連接體，使用digital multimeter (裝置名 :TR68 4 5、advantest公司製）以四端點法測定分別電極 之電阻値，求得1 〇條電極之平均値。所得到的結果如表 5、6所示。 (I-V特性之評價） 對於上述連接體，使用四端點法，一邊使電流値以 50mA/l 0秒之間隔增加，一邊記錄電壓之變化，測定超出 歐姆特性時之電流値。該結果如表5、6所示。 -41 - 201200577 (導電粒子捕捉率之評價） 對於上述連接體’使用Olympus (股）製BH3-MJL 液晶面板檢査用顯微鏡’自玻璃基板側藉由Nomarski微 分干渉觀察，將每1電極之壓痕數以測定20個電極之平 均値所算出。另一方面，黏著劑中每單位面積之導電粒子 個數，使用Olympus (股）製BH3-MJL液晶面板檢査用 顯微鏡予以計測。由所得到的結果，使用下式算出導電粒 子捕捉率。所得到之値如表5、6所示。 導電粒子捕捉率=(電極上導電粒子數〔個〕）X 1 00/ {( 黏著劑中每單位面積之導電粒子數〔個/mm2〕）X (每1 條電極1之連接面積〔mm2) } } [^5] 责施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 連接電阻【Ω] 1.8 0.5 0.9 0.5 1.6 1.9 最大電流値[mAl 300 500 500 400 300 300 導電粒子捕捉率[%] 50 44 49 47 55 42 祖現象 <frrf 無 無 無 無 m Jttf. m 燒毀現象 無 無 無 無 無 無 [表6] 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 連接電阻[Ω] 3.3 3.2 3.4 2.1 2.5 最大電流値[mA] 190 220 170 230 250 導電粒子捕捉率[%1 49 48 46 18 25 短路現象 無發生 Μ生 無發生 發生 無發生 燒毀現象 發生 發生 發生 無發生 無發生 【圖式簡單說明】 [圖U表示有關本發明之一實施型態之電路連接用黏 -42- .201200577 著薄膜之模擬剖面圖。 [圖2]表示有關本發明之一實施型態關之電路連接用 黏著薄膜中所含導電粒子之模擬剖面圖。 [圖3]表示有關本發明之一實施型態之電路連接構造 體之模擬剖面圖。 [圖4]將有關本發明之—實施型態之電路連接構造體 之製造方法以模擬方式所表示之工程剖面圖。 【主要元件符號說明】 1’ 61:電路連接用黏著薄膜 10 ’ 60 :電路連接構件 3 a，3 b :黏著劑成分 4 a，4 b :硬化體 5’ 5a，5b’ 5c:導電粒子 1 1 :各向異性導電層 1 2 :絕緣層 14 :突起部 2 1 :核心 2 1 a :中核部 2 1 b :突起部 22 :金屬層（最外層） 3 0，4 0 :電路構件 31’ 41，75:電路基板 32 ’ 42，72 ’ 76 :電路電極 -43- 201200577 70，100:電路連接構造體 7 2 :電路電極 7 3 :面板 7 4 :液晶表示部 -44 -

Claims (1)

1. 201200577 七、申請專利範圍： 1. 一種電路連接用黏著薄膜，其係介於對向之電路基 板間，用以將電路以電氣連接者；其特徵爲前述電路連接 用黏著薄膜爲至少具有黏著劑層A及黏著劑層B， 前述黏著劑層A爲含有通過加熱或藉由光產生游離自 由基之硬化劑、自由基聚合性物質、薄膜形成性高分子、 及最外層由維克氏硬度爲300Hv以上之金屬覆蓋之導電粒 子之各向異性導電層， 前述黏著劑層B爲含有通過加熱或藉由光產生游離自 由基之硬化劑、自由基聚合性物質、及薄膜形成性高分子 之絕緣層， 前述黏著劑層A之厚度爲該黏著劑層A中所含導電 粒子之平均粒徑之0.3~ 1.5倍，且前述電路基板中，至少 一方之電路間距爲40 μιη以下。 2. —種電路連接用黏著薄膜，其係介在於對向之電路 基板間’用以將電路以電氣連接者；其特徵爲前述電路連 接用黏著薄膜爲至少具有黏著劑層Α及黏著劑層Β， 前述黏著劑層A爲含有通過加熱或藉由光產生游離自 由基之硬化劑、自由基聚合性物質、薄膜形成性高分子、 以及最外層由含有自Ni、Ni合金及Ni氧化物所成群所選 出之至少1種之金屬覆蓋之導電粒子之各向異性導電層， 前述黏著劑層B爲含有通過加熱或藉由光產生游離自 由基之硬化劑、自由基聚合性物質、及薄膜形成性高分子 之絕緣層， -45- 201200577 前述黏著劑層A之厚度爲該黏著劑層A中所 粒子之平均粒徑之0.3~1.5倍，且前述電路基板中 —方之電路間距爲40μιη以下。 3. 如申請專利範圍第1或2項之電路連接用黏 ，其中，前述電路間距爲40μηι以下之電路基板爲 板。 4. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電路連 著薄膜，其中，在與前述電路間距爲40μιη以下之 板不同之另一電路基板之電路表面上形成有由銦-物或銦-錫氧化物構成之薄膜。 5 .如申請專利範圍第1〜4項中任一項之電路連 著薄膜，其中，導電粒子之平均粒徑爲1 .5〜5.0μιη。 6.—種電路連接構造體，其特徵係將具有電路 40μιη以下之第一電路之第一電路基板與具有第二 第二電路基板，配置成使前述第一電路與前述第二 對向，使申請專利範圍第1〜5項中任一項之電路連 著薄膜介在於已對向配置之前述第一電路與前述第 之間，藉由進行加熱加壓，使已對向配置之前述第 與前述第二電路以電氣連接而成。 含導電 ，至少 著薄膜 撓性基 接用黏 電路基 鋅氧化 接用黏 間距爲 電路之 電路相 接用黏 二電路 一電路 -46-