TW201130396A - Plasma processing device and cooling device therefor - Google Patents

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TW201130396A TW099119647A TW99119647A TW201130396A TW 201130396 A TW201130396 A TW 201130396A TW 099119647 A TW099119647 A TW 099119647A TW 99119647 A TW99119647 A TW 99119647A TW 201130396 A TW201130396 A TW 201130396A
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Kiyotaka Ishibashi
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Description

201130396 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 卢拽t明係關於對半導體晶圓、液晶用基板、有機EL元件等被 處理體進行電漿處理之電漿處理裝置。 【先前技術】 年來’大眾對使用於生活劇之處之半導體元件要求可高 速炎理、消耗電力更低等。為滿足該要求，半古 ，及微細化。隨著半導體元件之高密集化及微細化件 =體7〇件製造裝置以低損害之方式處理半導體基板上的微細構 子、、方式進行處理之錢處理裝置，可產生低電 ^皿度且㈣、度電t之微波電漿處理裝置受到注目。· Γ彳f電漿處理裝置中，—般可將微波
Ante=if^ 均一產生電衆之似離應—淑 哭肉m式天線。依此㈣八方式平面天線，可對處理容 給微波’故可在面内均—處理半導體基板。且可在天 ίτΐΤίϊ區域產生高密度電漿。且可產生低電子溫度電漿， 故可減少半導體基板之損害。 又电水 之平面天線連接傳遞微波之同軸波導管。由同舳咕逡 管縣之微波在天線内碟狀介電質板内部=向; 波長經壓縮之微波經由密接介電質板下部之槽孔板^ 内之電漿激伽縫呈電錄態。 电祕域理谷益 後平Ϊ天線ΐ處理時主要會因電浆受到加熱。若平面天 =内ΐ:波=r化之虞。微波在以氧 ί孔ϊ處遞，形成駐波，經由以銅等製作之槽孔板 槽孔對處理谷為内供給之。形成於熱膨脹率高之 置右位移，介電質板内之微波即會受到扭曲，對^理容器^供給 201130396 R耐到激發之電 之位移大特別疋處理裝置經大型化時，因熱膨脹率差造成 有-電到加熱之平面天線變形，於專利文獻1揭示 流路。媒流卻護套’於冷卻護套冷媒 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2007-335346號公報 【發明内容】 <發明所欲解決之課題> 到加卻裝置中’在冷媒流路中流動之冷媒逐漸受 牧雜…、，故冷媒^路入口側與出口側冷媒溫度不同，有自冷媒、、古 路壁面朝冷媒之熱通量(熱移動量)不均一之 轨、g旦^r 量)與冷媒流路壁面與冷媒之溫度差呈正比。;里 -根 路，可使冷媒流路前半之“ίί 分，ϊ二時’即使可均—冷卻平面天線特定部 刀亦難以也田、跨全周均一冷卻平面天線。且若疋丄 面積㈣會增大，亦難以於處理容器“壁内i 體基板進行處理之近年來二 往更為變化。因此要求吾人=金 在此本發明之目的在於提供一種電漿處理裝置及電裝處理褒 201130396 電質窗。 =決上述課題’本發明之一態樣係電裝處 被處理體進行電ί處理: =罝口，配置於該處理容器内，固持被處 处里， =窗，配觸树卿部，_該處理容 平面天線或介 部密閉；及 ，n %处埋容器内 器内放射微 波；微波天線’配置於該介電質窗上部，於該處理容 該電漿處理裝置之特徵在於： 卻該靖窗之冷媒流路， 動於其中，' 以不使其蝴化之方式令液相或氣相冷媒流 該側壁沿周向延伸之該冷媒流路至少 面積逐漸減小。 1刀目上游朝下游剖 本發明之另一態樣係一種電漿處理裝置，包人. 之處理容器，於内部對被處理itit彳4¾¾; 介電i窗配容器内’固持被處_; 部^電“ ’配置於销理容器_部，_將該處理容器内 波^波天線，配置於該介繼上部，於該處理容器内放射微 配細嫩紅部，__卩該微㈣ 該電漿處理裝置之特徵在於： 面 其中於該冷卻伽錢其錢化之方式切目編目冷媒流動於 積逐冷卻板之該冷媒流路至少—部分自上游朝下游剖 本發明之又一態樣係一種電漿處理裝置，包含·· 201130396 力於内部職處理體進行電漿處理； 機:’於該處理容器内激⑵’ “;處理=::=聚經加熱之構件； 動於=冷職路巾叫使其姆化之方式令液相或餘冷媒流 分自上游朝下游剖面積逐漸減小。 職處理體進處理裝置用冷卻裝置，組裝於 之構件，其特徵在於：、水地理裝置，以冷卻因電漿經加熱 冷媒使其相交化之方式令液相或氣相冷媒流動於其中之 〈發曰路至少—部分自上游朝下游剖面積逐漸減小。 示。^=^=可以~。)表 若減小冷媒面與冷媒之溫度差。 變大。若如本發明自上_下二、^即會增大，鋪遞係數h 藉由熱傳遞龜h之提升分彌^^^麟路勤積’即可 度差之降低分，冷媒Si叙溫度上昇造成之溫 此，可沿周向均一冷卻 向電γ窗移動量可大致一定。因 【實施方式】 示電明魏處理裝置—實施形態。圖1顯 膜或氧化釔(YA)薄膜所構成之保·;蔓t成有由氧化銘(麵㈣薄 於處理谷為100之頂棚部，隔著密封環⑽載置有介電質窗 201130396 105,該介電質窗105用以密封處理容器10〇内部並容許微波透 射。介電質窗105由石英或陶瓷(氧化鋁或氮化鋁等)所構成。介電 質窗105藉由處理容器1〇〇側壁上部之壓環2〇〇固定於處理容器 100。 於處理容器100之侧壁設有用以將處理氣體導入處理空間U 之氣體導入機構510。此實施形態中，藉由下段喷淋部515區隔處 理空間u為二個區域，由位於上方之氣體導入機構51〇導入氬氣、 氪氣等電装激發用氣體，由下段喷淋部515導入製程處理用氣體。 氣體導入機構510及下段喷淋部515連接氣體供給源505。又，亦 可不設置下段喷淋部515’任意由氣體導入機構51〇導入電漿激發 用氣體、製程處理用氣體及清洗用氣體。不設置下段喷淋部515 時，由下段喷淋部515區隔之處理容器1〇〇側壁上部(以下稱上板 140) —體形成於侧壁。且亦可呈蓮蓬頭狀構成氣體導入機構51〇， 將其設於處理容器100頂棚部。 於作為冷卻裝置之上板140設有用以冷卻介電質窗1〇5之冷 媒流路145。於冷媒流路145中作為冷媒有電絕緣性盥導埶性高之 氟類液體_。冷媒在冷媒流路145中流動之期間内，冷媒不進 行相變化，以液相直接在冷媒流路145中流動。以上板14〇冷卻 介電質窗105時，上板14〇溫度宜在9〇。〇以下（大致宜 7(TC〜80。〇，，介電質窗1〇5溫度宜在丨贼以下。關於冷媒流路 145之構造後述。 在由下段喷淋部515區隔之處理容器觸側壁下部設有用以 送入及送出被處理基板’未圖示之送出送人口。送出送入口藉由 閘閥開合。 於處理容器100之底部形成有用以使内部抽真 135。排氣埠連接未圖示之排氣裝置。 讲虱羊 於處理容S 1GG内設有载置係被處理基板之晶 115。載置台115連接可施加偏壓之高頻電源12% 吸附力吸附晶圓W。 圓W之載置台 ’俾可使用靜電 於介電質窗105上部配置有對處理空間u供給微波，作為激 201130396 發電漿之微波天線之碟狀平面天線9〇5。平面天線9〇5由下列者 構成： 吓 槽孔板905b ’具有正交之二種類槽孔；及 介電質板905a，設在反射微波之導體面21〇a與槽孔板9〇北 之間。 如此之=面天線 905 稱為 RLSA(Radial Line Slot Antenna)。平 面天線905藉由天線固定部固定於處理容器1〇〇。藉由微波源3乃 產生之微波在矩形波導管305中以ΤΕ模式傳播，經過同軸轉換器 31〇在同軸波導管340内以ΤΕΜ模式傳播。同轴波導管34〇連& 平面天線90S之中心。自平面天線9〇5中心導入之微波在介 板905a内波長經壓縮並同時沿半徑方向傳播，自於槽孔板9〇5b 經鏨空之槽孔朝處理空間u内放出。以由冷媒供給源4Q5供給 冷媒冷卻同軸波導管340之内導體。 於導體面210a上方設有用以冷卻平面天線9〇5，作為冷卻裝 置之冷部板210。冷卻板210亦可與導體面21〇a 一體形成。於導 ，面21〇a上方形成有用以冷卻平面天線905之冷媒流路915。電 軋、、、邑緣性與導熱性咼之氟系液體作為冷媒在冷媒流路915中流 動。冷媒在冷媒流路915中流動之期間内，冷媒不進行相變化^ H目直接在冷媒流路奶中流動。以冷卻板⑽冷卻平面天線 905時，冷卻板210之溫度宜在丨⑺它〜丨加它之範圍内， =之溫度宜在HC。。之範圍内。關於冷卻板Μ。冷媒流路 之構成後述。 」2顯示上板140。上板140呈環狀形成，於其内周側上部形 巧载置介電質窗105之承載部副。於上板_内部形成有沿周 =延伸之冷職路145。冷媒流路145呈旋繞醜—圈以上之螺旋 巧成。冷媒流路145整體具有-個入口與出口。以俯視圖觀察 時入口方位角與出口方位角大致一致。如圖Μ雜取χγ =時，人π方位角以〇度表示，出σ方位角以遍度表示。冷 ，'机路145之剖面形狀呈矩形形成。冷媒流路145之通道長可變 而冷媒流路145之寬度不變化。另—方面，冷媒流路145之高 10 201130396 度自上游朝下游逐漸減少。又，冷媒流路145自入口之長度以通 道長s表示，此時方位角以Θ表示。 圖3(a)顯示冷媒流路145繞三圈時高度變化之一例。此例中， 冷媒流路145之高度(溝槽高度）自入口朝出口呈線形減少。冷媒流 路145之寬度不變化而為一定。因此，冷媒流路145之剖面積自 入口朝出口逐漸減少。 ° 圖3(b)顯示冷媒流路145呈螺旋狀繞三圈時高度變化之一 例。此例中，各一圈冷媒流路145之高度自方位角〇度大致朝36〇 度逐漸減少。又，於一圈冷媒流路145與另一圈冷媒流路145之 連接部分(例如第一圈冷媒流路145與第二圈冷媒流路145之連接 部分)冷媒流路145之高度提高至原來的高度。亦即，若方位角相 同’位於上段之第一圈冷媒流路145之高度、位於中段之第二圈 冷媒流路145之高度及位於下段之第三圈冷媒流路145之高度即 相同。 冷媒流路145亦可不呈螺旋狀形成而代之以藉由沿上下方向 排列複數圓環狀的一圈冷媒流路H5形成。此時，設有各一圈冷 媒流路145之入口及出口。各一圈冷媒流路145自入口朝出口 ^ 度保持一定而高度逐漸減少。方位角若相同，位於上段之第一圈 冷媒流路145之高度、位於中段之第二圈冷媒流路145之高度及 位於下段之第三圈冷媒流路145之高度即相同。 貫際形成冷媒流路145時，上板140可對應冷媒流路145旋 ^圈，沿上下方向分割為複數。經分割之上板140分別形成構成 1媒流路145之溝槽。冷媒流路145之溝槽藉由使用端銑刀等工 ^之yc車床加工。以工具對冷媒流路145之溝槽進行切削加工 j，可僅以數值控制控制工具切削深度，故相較於變化溝槽寬度 溝槽深度(高度)較為容易。如圖3⑻所示，冷媒流路145之^ ^相卩對於通道長呈線形，通道長若為s，冷媒流路145之高度若為 A^即^1*以d=a.s(a:常數)表示。若作為工具切削深度對NC車床輪 一次式，即可使冷媒流路145之高度呈線形變化。 圖4顯示形成於上板14〇之冷媒流路145之另一例。此例中， 11 201130396 於上板140形成有一圈％狀冷媒流路145。冷媒流路145入口配置 於方位角〇度，冷媒流路145出口配置於方位角36〇度。如圖5 所示’冷媒流路145高度以通道長s之3次數學式表示，俾自入 口至出口逐漸降低。冷媒流路145之寬度一定。如此冷媒流路145 之高度d可自入口至出口逐漸降低，亦可以通道長s之2次或3 次數學式表示。 圖6顯示形成於冷卻板210之冷媒流路915。於圓盤狀冷卻板 210形成有旋渦狀冷媒流路915。旋渦狀冷媒流路915可形成一圈 以上。冷媒流路915入口及出口方位角一致。漩渦狀冷媒流路915 可於外周側形成入口，於内周侧形成出口，冷媒流路915亦可於 内周側形成入口，於外周側形成出口。冷媒流路915之剖面形狀 呈矩形形成。冷媒流路915之高度自入口朝出口逐漸降低。另一 方面’冷媒流路915之寬度不變化。冷媒流路915之高度以通道 長s之n次數學式表示。又，漩渦狀冷媒流路915之—圈中高度 可自上游朝下游逐漸降低，於一圈與另一圈冷媒流路915之連& 處高度亦可復原。 藉由自上游朝下游逐漸減少冷媒流路145、915之剖面積，可 沿冷媒流路145、915使熱通量(熱移動量)一定。「逐漸減少冷媒流 路剖面積」與「可使熱通量(熱移動量)一定」之因果關係如下。 _自冷媒流路壁.面傳至冷媒之熱通量(熱移動量)Q以下列式表 7fC 〇 [數學式1] Q=hA(Tw-T0)
惟Q:熱通量，w h:熱傳遞係數，W7m2K A:傳熱面積，m2 Tw:壁面表面溫度，κ T。:冷媒溫度，K 冷媒溫度因熱交換而自上游朝下游逐漸上昇，故為使熱通量 及壁面溫度沿冷媒流路一定，需使熱傳遞係數自上游朝下游上 12 201130396
昇。熱傳遞係數h玎以下列數學式2表示。 [數學式2] h=Nuk/L 惟Nu:納塞數
k:流體導熱係數，W/m2K L:流路長度 h需增加納塞 流體導熱係數k及流路長度L一定，故為 數Nu。 曰加 納塞數Nu可以下列數學式3表示。 [數學式3]
Nu-〇.664Re1/2Pr1/3
Re=UL/v
Pr:普蘭度數 U·流速 ’ ηχ/s v:動黏性係數，m2/s 媒係數V 一定’故可藉㈣加流速U增加納塞數Nu。冷 縣自上游朝下游逐漸減少，流速即逐漸增加。因此， 依數學式3增加，熱傳遞係數h依數學式2增加。冷媒 二Ϊ；縣自上_下游逐漸減少，數學式1之傳熱面積A雖 # ^但熱傳遞係數h之增加率可大於傳熱面積a之減少率。 果’數學式1之熱通量Q可保持一定。 圖7顯示在習知例與本發明例中比較每單位長度之熱通量 密度）之計算結果。習知例及本發明例皆以冷媒流路^ = · η^η ’冷媒流路入口側高度:9mm，上板溫度-冷媒溫度，。c， …通量2kW之計算條件進行比較。 表1已整合計算結果之主要規格。 201130396 [表1] 習知（深度一定） 傾斜型 1次式 2次式 3次# 流量（L/m) 10.9 8.0 9.0 8.9 壓降（MPa) 0.024 0.053 0.061 0.060 最小Re 3.1e+4 2.6e 十 4 2.5e+4 2.5e 十 4 熱通量均一性 (Max-Min )/average( % ) 36.2 4.6 0.7 0.1 如表1所示，若如習知例使冷媒流路剖面積一定，於冷媒流 路入口與出口熱通線密度即相差近40%。相對於此，藉由減少冷 媒流路高度，可降低熱通線密度之差異至4.6%(1次式）、〇.7〇/0(2 次式）、0·1%(3次式）。 * 其次計算熱通線密度之差異因流量變化受到如何影響(熱通線 雄、度差異之流量相依性）。使用熱通線密度差異最少之3次式計算 條件。亦即’以冷媒流路寬度:8mm，冷媒流路入口側高度:9mm(依
3次式高度朝下游減少），上板溫度-冷媒溫度=2〇。〇，熱通量2kW 之條件進行计异。圖8顯示計算結果，表2中記載有計算結杲之 主要規格。 [表2] 總熱通量(kW) 熱通量均一‘1± (Max-Min)/average(%) _2L/min_ 6L/min 10L/min 2 6 10 0.004 0.030 0.074 5.6β4-3 1.7e+4 2.8e+4 _046_ 1.38 --------- 2.22 1.3 -------- 1.1 ------- 0.5 流量(L/m) 壓降(MPa) 最小Re 在約2%|έ_ 通線密度差異大致上不取決於冷媒流量。 表3顯不計算熱通線密度差異因冷媒流路構造受到如何影響 (熱通線密度差異之冷媒流路構造相依性)之結果。
14 201130396 [表3] 構造 出口深度 (mm) 熱通量 (kW) 流量 (L/min) 最小Re 壓降 (MPa) 熱通量均一性 fMay-A/ii·»»、/… 習知 9x8xltum 9 2 10.9 3.1e+4 .0.024 36? 9x8x2tum(reverse) 2 6.2 l-7e+4 0.018 7 4 9x3x2tum(reverse) 2 4.4 1.8e+4 0.122 24 4 傾斜型 9x8x1 turn 3.7 1 4.3 1.2e+4 0.017 1.7 2 8.9 2.5e+4 0.060 0.1 3 13.9 3,9e+4 0.131 18 12x8xltum 5.0 2 10.1 2,le+4 0.038 0.1
J_八AI·似 11 丨___I I---- 一遑。丁4 I U.U^O Q I 即使如習知例以翻折之方式形成二圈冷媒流路，亦可相較於 為一圈時自36.2%降低熱通線密度差異至7.4%、24.4%。然而，翻 折冷媒流路需空間，降低熱通線密度差異亦有其極限。如本發明 例(傾斜型），即使不翻折冷媒流路亦可藉由變化高度使其降低^不 滿 2%。 ^ * 圖9至圖11顯示嘗試使冷媒流路高度為通道長之3次式時之 最佳化之結果。如圖9所示’冷媒流路高度中入口為Unun，依3 次式朝出口減少。溝槽寬度為8mm。如圖1〇所示，冷媒流量 10.lL/min，熱通量2kW時，熱通線密度差異(熱通均一性)可在 ±0.06%以下。如圖11所示，冷媒流量在2L/min以下時熱通均一 性雖稍差，但藉由使其在5L/min以上，可極度減小熱通均一性。 圖12顯不於上板140設置第一及第二冷媒流路145a、14北 所構成之二通道冷媒流路145之例。第一及第二冷媒流路145a、 145b沿上板140上下方向排列。各冷媒流路145a、M5b之入口及 出口配置於方位角0度及360度。圖13顯示方位角與第一及第二 冷媒流路145a、145b高度之關係。-併設定第一及第二冷媒流路 145a、145b高度，俾方位角至180度止逐漸減少，方位角自18〇 ^至360度逐漸增加。如此設定第一及第二冷媒流路M5a、丨桃 南度之理由如下。如比較例之圖14所示，溝槽深度—定時，方位 角po度處熱通量最低，以180度為基準大致呈左右對稱。故為 改：方位角180度處之熱通係數，使溝槽深度變淺以提高流速。 且以大致左右對稱之溝槽深度分布可獲得充分之均熱性。 圖14顯不冷媒流路145a、145b高度一定時之比較例。冷媒 15 201130396 流路高度9mm，冷媒流路寬度6mm，冷媒流量9L/min，熱通量 2kW時，熱通均一性為±〗.3%。相對於此，藉由調整冷媒流路】必过、 145b之高度，如圖15及圖16所示，冷媒流量在21如化以上時， 熱通均一性可在:t〇.l%以下，冷媒流量在1L/min以下埶 一性可在±0.6%以下。 …、 又，本發明不限於上述實施形態，在不變更本發明要旨之範 圍内可進^各種變更。例如亦可形成本發明之冷媒流路於下段喷 淋部，使氬氣等氣體在冷媒流路中流動，以冷卻下段喷淋部。 亦可藉由電鍍等使導電膜一體形成於介電質板之上表面及下 表面，作為反射彳政波之導體板使用上表面側之導電膜，作為使微 波透射之槽孔板使用下表面側之導電膜。 本說明書根據2009年6月19日申請之日本特願 2009-146838。包含所有其内容於此。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明一實施形態電襞處理裝置之整體構成圖。 示形成於上板之冷媒流路咖巾_俯視圖，圖中 (b)係剖面圖）。 ,、翻圖lit冷媒μ方位角與溝槽高度之關係之曲線圖（圖中 ⑻，不冷媒&路為三圈之情形，圖中(b)顯示冷媒流路為情 形）。 ®，㈣媒輪—侧巾⑻係俯視 式）圖5係顯示冷媒流路方位角與溝槽高度之關係之曲線圖(3次 之曲=細示f知例與本發师1巾比較熱通線密度之計算結果 線圖 圖8係顯示熱猶密度差異之流量相依性之曲 201130396 圖9 _科媒齡冑度為财長之3 :欠 尚度之關係之曲線圖。 彳角溝槽 圖1 〇係顯示冷舰路高度為通道長之3:欠式 長度熱通絲分布之_之曲賴。 興早位 圖11係顯不冷媒流路高度為通道長之3次柄流量盘均一性 之關係之曲線圖。 〃 圖12係顯示於上板设置一通道冷媒流路之例圖（圖中(a)係俯 視圖，圖中(b)係剖面圖）。 圖13係顯示方位角與第一及第二冷媒流路溝槽高度之關係之 曲線圖。 圖14係顯不冷媒流路溝槽南度一定時方位角與單位長度熱通 係數分布之關係之曲線圖（比較例）。 圖15係顯不隻化冷媒流路溝槽南度時方位角與單位長度熱通 係數分布之關係之曲線圖(本發明例）。 圖16係顯示變化冷媒流路溝槽高度時流量與均一,〖生之關係之 曲線圖。 【主要元件符號說明】 a…常數 A…傳熱面積 D...冷媒流路南度 h...熱傳遞係數 k...流體導熱係數 L…流路長度 Nu...納塞數 Pr...普蘭度數 Q...熱移動量 s...通道長
To…冷媒溫度 Tw...壁面表面溫度 17 201130396 u…流速 u. ..處理空間 W.·.晶圓(被處理基板） Θ...方位角 v. ..動黏性係數 100.. .處理容器 105.. .介電質窗 110.. .密封環 115.. .載置台 125b...高頻電源 135.. .排氣埠 140.. .側壁(處理容器側壁、冷卻裝置、上板) 145.. .冷媒流路 145a...第一冷媒流路 145b...第二冷媒流路 160.. .承載部 200.. .壓環 210.. .冷卻板(冷卻裝置） 210a...導體面 305.. .矩形波導管 310…同軸轉換器 335.. .微波源 340.. .同軸波導管 405.. .冷媒供給源 505.. .氣體供給源 510…氣體導入機構 515…下段喷淋部 905.. .平面天線(微波天線、電漿激發機構） 905a…介電質板 905b...槽孔板 18 201130396 910.. .上部蓋 915.. .冷媒流路

Claims (1)

  1. 201130396 七、申請專利範圍·· 1·電聚處理裝置，包含： 於内部對被處理體進行電漿處理. 介電質窗’配置於該處理容琴^皮處理體； 部密閉；及 —之頂棚+而將該處理容器内 微波微波天線’配置於該介電質窗之上部，向該處理容器内放射 該電漿處理裝置之特徵在於： 於該處理容n㈣設有用以冷卻該介 流^不發生相變化之方式，令液相或氣相W媒‘=媒 積自㈣冷媒流路中之至少-部分，其剖面 2. —種電漿處理裝置，包含： =之Si;卢於内部對被處理體進行爾 窗容器内’用以固持被處理體； 部密閉； ·。亥处理谷裔之頂棚部’而將該處理容器内 微波微波天線酉己置於该介電質窗之上部，向該處理容器内放射 及 之冷;配置於_波天線上部’包含用以冷卻該微波天線 該電漿處理裝置之特徵在於： 板中以不1生相k化之方式，令液相或氣相之冷媒流動於該冷卻 繞行於該冷卻板而設置之該冷媒 自上游朝下游逐漸減小。 f㈣主夕4刀，其剖面積 3. 如中細删第…項之電漿處理裝置，其中，該冷媒流路 20 201130396 之剖面形狀呈矩形， 逐漸^媒流路自上游朝下游該冷媒流路寬度保持一定而高度 電漿處理裝置，其中，該冷媒流路之高 ^。1冷媒*路的通道長之n次數學式表示之，其中，η係自然 5·=請專利範圍第3或4項之賴處 係王=圈數—媒 降低於至少一圈冷媒流路中，冷媒流路的高度自上游朝&逐漸 專利範圍第5項之電滎處理裝置，其中，兮a禅、m走 '，堯圈=圈以上之螺旋狀形成於該處理容器侧壁Γ、抓 且在中’冷媒流路高度自上游朝下游逐漸降低’ 的高度回復至另一圈冷媒流路之連接部分，冷媒流路 利範圍第3或4項之電漿處理裝置， 上下方向排列複數之形成為;』-圈 漸降ί該"'圈城的冷媒流路巾，冷媒流路高度自上游朝下游逐 ΐ4項之電漿處理裝置，其中，該冷媒流路 在周向延伸之第—及第二冷媒流路， 對向， 人―、媒/瓜路中流動之冷媒的流動方向彼此 低，ίίΐ媒ίΐίί:高冷媒流路高度自上游朝下游逐漸降 低，其後ί媒'冷媒流路高度自上游朝下游逐漸降 係於處理裝置’其中，該冷媒流路 成具有域隱―_上之旋渦狀， 21 201130396 在至少一圈的冷媒流路中，A 降低。 7果机路咼度自上游朝下游遂漸 10. 如申請專利範圍第；！至9項中任一 冷媒係氟類液體。 、 項之電襞處理裝置，其中該 11. 一種電聚處理裝置，包含： 可密閉之處理容器，於内邱 載置台，配置_處理里體進行電漿處理； 冷媒机路，用以冷卻受該電漿加熱之構件. 該電漿處理裝置之特徵在於： 苒件， 媒流路$使Ά生相㉙化之方式令液相或氣相冷媒流動於該冷 12 路至少一部分，其剖面積自上游朝下游逐漸減小。 ‘年電水處理裝置用冷卻裝置，組裝於對被處理體進行電漿處 J之電及處理農置，以冷卻受電漿力0熱之構件，其特徵在於： 包含以不使發生相變化之方式令液相或氣相冷媒流動於其 中之冷媒流路， 該冷媒流路的至少一部分’其剖面積自上游朝下游逐漸減 八、圖式： r 22
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