TW201120176A - Method for adhesion of heat -activated adherable face element - Google Patents

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TW201120176A
TW201120176A TW99136634A TW99136634A TW201120176A TW 201120176 A TW201120176 A TW 201120176A TW 99136634 A TW99136634 A TW 99136634A TW 99136634 A TW99136634 A TW 99136634A TW 201120176 A TW201120176 A TW 201120176A
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planar
bonding
heat
planar element
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TW99136634A
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Klaus Keite-Telgenbuescher
Judith Gruenauer
Hans-Karl Engeldinger
Anja Staiger
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Tesa Se
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Description

201120176 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種熱活化式可黏合之平面元件之黏合方 法’此平面元件是與一非導電之黏合基板相黏合,該黏合 基板之導熱係數最多是5 W/mK。此黏合方法包括以下步 驟:製備一熱活化式可黏合之薄平面元件,其具有至少一 導電層和至少一熱活化式可黏合之黏合物質層,裁切成黏 合面的形式;使該黏合基板與該熱活化式可黏合之平面元 件之側面區段相接觸,以形成一種預複合物;以及在頻率 至少100赫且最多200仟赫之磁鐵-交變磁場中對該預複合 物進行感應式加熱達最多2 0秒的期間,以形成一種最終複 合物。又,本發明亦涉及一種具有至少一加壓柱塞元件之 iH- p?=t 裝置。 使用多個熱活化式可黏合之平面元件(可熱活化之平 面元件),以獲得接合部之高固定性之連接。特別是此種平 面元件適合用來在黏接部之厚度較小時達成一種和只含有 黏合物質系統之平面元件所可達成之同等級的固定性或更 高的固定性。此種高固定性的黏合區特別是在先前進行之 電子裝置的微型化中很重要,電子裝置大致上是指消費性 電子產品、維修用之電子產品或通信電子產品,例如,行 動電話、PDAs、Laptops及其它計算機、數位相機和顯示 裝置(例如,顯示器和數位讀取機)。 4 - 201120176 在特殊的範圍中,黏合區在可攜式消費性電子產品中 的可處理性和穩定性的要求已提高。這一方面是此種產品 的尺寸通常已變小,使可用於黏合之面積變小。另一方面, 此種裝置中之黏合區須特別穩定,此乃因可攜式產品須承 受強的機械負載(例如,撞擊或摔跌)且又須使用在廣大的 溫度範圍中。 因此,在此種產品中較佳是使用熱活化式可黏合之平 面元件,其具有熱活化式可黏合之黏合物質,即,在室溫 時未具備固有黏合性或只具有低的固有黏合性之黏合物 質,但在熱的作用下該黏合物質可對各別的黏合基板(接合 伙伴,黏合基底(ground))形成一種黏合時所需的黏合力。 此種熱活化式可黏合之黏合物質在室溫時通常以固定形式 存在,但在黏合時藉由溫度的作用而可逆地或不可逆地轉 移至高黏合力的狀態。可逆的熱活化式可黏合之黏合物質 例如是以熱塑性聚合物爲主之黏合物質,反之,不可逆的 熱活化式可黏合之黏合物質大致上是反應式黏合物質,其 中由於熱活化而發生化學反應(例如,沾濕反應),使該黏 合物質特別適合於永久式高固定性的黏合。 所有熱活化式可黏合之黏合物質系統在黏合時通常須 被加熱。黏合區中由黏合基板整面地向外揭開各黏合物質 系統,此種黏合區中特別重要的是將該黏合物質熔化或驅 動時所需之熱快速地傳送至黏合面。因此,若多個黏合基 板之一是熱的良導體,則可經由外部的熱源,例如,直接 201120176 的熱傳送器、紅外線加熱器或類似物,來對該黏合 熱。 在直接加熱或接觸式加熱之情況下,對該黏合 行快速且均勻的加熱時所需的短加熱時間當然只可 源和該黏合基板之間大的溫度梯度(gradient)來實 此’可加熱之黏合基板本身相對於溫度是不敏感的 度有時甚至會較使該黏合物質熔化或驅動時所需的 很多。 然而,當無任一黏合基板具有足夠的導熱性或 基板對較高的溫度具有敏感性時,則情況將不同, 多種塑料中即會發生此種情況,但在電子組件(例如 體組件或液晶模組)中亦會發生此種情況。爲了對由 很低的材料或熱敏感材料構成的黏合基板進行黏合 議:熱活化式可黏合之平面元件本身須設有一種加 固有機構’使黏合時所需的熱不需由外部導入而是 該平面元件本身之內部中產生。由先前技術中已知 同的機構’藉此可實現此種內部加熱,其大致上藉 發熱、電磁感應、或與微波輻射之交互作用來加熱 外部加熱裝置可與該平面元件之產生熱的區域 用’且因此可對該平面元件加熱,就黏合的進行和 熱裝置之實際技術上的構成而言,以上所提及的最 方法提供以下優點:該平面元件加熱時該平面元件 接與外部加熱裝置接觸,反之,可以無接觸方式來 基板加 物質進 對該熱 現。因 ,此溫 溫度高 各黏合 例如, ,半導 導熱性 ,茲建 熱用的 直接在 各種不 由電阻 〇 交互作 外部加 後二種 不須直 進行。 -6- 201120176 特別是藉由電磁感應之加熱已顯示很實用,此乃因可依據 感應原理來操作的加熱裝置在構成上可遠較微波發射器簡 單構成。 不同的效應可在磁鐵-交變磁場中達成加熱作用:安裝 在交變磁場中以進行加熱的物體(body)若具有可導電區, 則可藉由磁鐵-交變磁場而在該區中感應渦流。若該區具有 異於零的電阻,則所產生的渦流-傳導損耗會造成焦耳熱 (電流熱量)。因此,形成此種渦流時,可導電區當然須具 有最小範圍;可導電區越大,則由外部所施加之磁鐵-交變 磁場之頻率越小。 然而,安裝在交變磁場中以進行加熱的物體(body)若 具有強磁(ferromagnetic)區,則該區的基本磁鐵分別平行於 外部的磁鐵-交變磁場而對準。外部磁場變化時所產生的磁 滯損耗(磁性轉變時的損耗)同樣具有對該物體加熱的效 果。依據安裝在該磁鐵-交變磁場中的物體之材料,二種效 應都可對該物體造成加熱作用(大致上是在強磁性金屬(例 如,鐵、鎳和鈷中)或在強磁性合金(例如,紹-金屬和Alnico) 中),或此二種效應中只有一種會造成加熱作用(大致上是 只在非強磁性金屬(例如,鋁)中有渦流或只在導電性很小 的材料(例如,鐵氧化物粒子)中有磁滯發生)。 在製造技術上,自數十年來已知有以感應式加熱爲主 之裝置和方法,藉此可對聚合物系統加熱,例如可對接合 部進行黏合,以對依製程而形成的縫進行密封且使聚合物 201120176 硬化或回火。因此,該加熱裝置通常具有電感器以產生磁 鐵-交變磁場,其完全地或一部份地圍繞可加熱的物體且沿 著其整個周圍而均勻地對該物體加熱。於此,需要時當然 亦可實現一種不均勻的加熱。實際上,通常使用隧道形式 的感應線圈,此乃因在此種幾何配置中該感應線圈之磁鐵-交變磁場不只由一方向來發生作用,而且亦可由可加熱的 物體上的此側來發生作用。 熱活化式可黏合之平面元件若藉由感應式加熱而被熱 活化,則通常使用一種具有熱活化式可黏合之黏合物質(作 爲熱黏合物質)之平面元件,該黏合物質配置在一導電層之 側面上,該導電層大致上是一種平面結構,其具有由金屬 或金屬聚合物構成的箔、中斷的金屬箔、線網、平坦地擴 展之金屬板網、金屬纖維網或金屬纖維。不連續的平面結 構的優點是:熱黏合物質經由開口而穿透至各別的平面結 構中且因此可整體上使平面元件之內部牢固性獲得改良’ 這當然會使加熱效率下降,成本上升。 目前爲止已知方法之缺點在於,不只各別的物體之待 加熱區會感受到磁鐵-交變磁場,而且該物體之廣大區域亦 持續地感受到磁鐵-交變磁場;這特別是在一種配置中可被 辨認出,該配置中待加熱的物體完全安裝在隧道形式的感 應線圏中,且因此亦完全會感受到該磁鐵-交變磁場。於 是,此種傳統的方法用來進行感應式加熱時只可用來對一 種黏合基板進行黏合,該種黏合基板中須將不期望地受到 201120176 該磁鐵-交變磁場之區域之熱損傷或電性損傷排除°這當然 會造成以下的結果:通常不能使用目前已知的方法來對電 子裝置中的組件單元進行黏合,此乃因許多電子組件(例 如,半導體組件或顯示器模組)只依情況而具有熱阻且因此 在加熱時會受損,且這些組件單元本身通常亦含有導電 區,使感應式加熱亦會發生在該些組件單元之內部。 【先前技術】 最近幾年來,感應式加熱在黏合時重新成爲注意焦 點。其原因在於,現在須尋找例如,MagSilicaTM (Evonik AG) 的可用奈米微粒系統,,其可在待加熱的物體之材料中作 用,且因此可對該物體的整個體積進行加熱,而不會使該 物體之機械穩定性明顯地受損。因此,例如對Lohmann公 司之行動式電子裝置中的黏合而言,可獲得一種稱爲 Duplocoll RCDTM之產品,其含有可感應式加熱之奈米微 粒。 然而,由於奈米系統之小尺寸,不可能有效地以中頻 範圔的頻率來對磁鐵-交變磁場中的產品加熱。反之,新式 系統中需要高頻範圍之頻率。然而,此種頻率中會有特別 容易使電子組件在磁鐵-交變磁場中受損的問題。以高頻範 圍中的頻率來產生磁鐵-交變磁場時另外需要高的設備費 用而使經濟上較不利。此外,使用奈米微粒塡料就生態觀 點是有問題的,此乃因在稍後的再循環時該塡料幾乎不能 由周圍的材料分離出來。 -9 - 201120176 基本上用於感應式加熱之不同加熱裝置已周知:其另 外可依據頻率來區別,以各別的加熱裝置所產生的磁鐵-交 變磁場具有多種頻率。因此,可使用此種磁場來進行感應 式加熱,此磁場的頻率是在100赫至200赫之範圍中(所謂 中頻;MF),或亦可在300仟赫至100MHz之範圍中(所謂 高頻;HF)。又,加熱裝置的特殊情況亦已爲人所知,其磁 場具有微波範圍之頻率,例如,微波-標準頻率2.45GHz。 產生該交變磁場所需之技術上的耗費隨著所使用的交 變磁場之頻率而提高,加熱裝置的成本因此亦提高。在以 市場價格大約5000.歐元來獲得中頻設備時,高頻設備至少 須考慮到25000歐元。又,對加熱裝置之安全需求亦隨著 頻率而提高,使得在高頻設備中除了高的購買成本以外通 常亦需要高的成本以安裝此種設備。 就與此有關的高成本和在黏合各電子組件時受損的高 危險性以及惡化的可再循環性而言,奈米微粒系統不是特 別適合在感應式加熱以進行謹慎的黏合時用來作爲熱活化 式可黏合之平面元件之組件。爲了達成此一目的,較佳是 使用具有中頻範圍之頻率之磁鐵-交變磁場。 然而,在以具有中頻範圍的頻率之磁鐵-交變磁場來操 作之加熱裝置中,已顯示不易實現一種謹慎的黏合。爲了 獲得工業上的製程所需之高的處理速率,熱活化式可黏合 之平面元件的加熱期間需很短。爲了達成所需之黏合溫 i 度,須選擇很高的加熱速率。
-10- S 201120176 然而,熱活化式可黏合之平面元件若黏合在一導熱率 很地(即,導熱率最多是5 W/mK)的黏合基板上,則感應式 地在平面元件中所產生的熱不能足夠快速地由該黏合基板 中排出。反之,此熱首先在黏合面中停留一段時間,這樣 會在該處造成熱阻塞。由於此一原因,該平面元件和該黏 合基板(大致上是電子組件)會發生局部過熱且因此受損。 當該黏合基板除了低導熱率以外同樣具有小的熱容量時, 過熱的危險性仍會更大,此乃因不能達成暫時的熱儲存作 用所致。 又,例如黏合基板中,在黏合面上可具有聚合物。聚 合物因聲音之較小自由路徑長度而具有較金屬還小的導熱 率,且另因聚合物中自由度的數目較小而只具有小的熱容 量。於是,聚合物的耐熱性通常較其它基板材料(例如,金 屬或玻璃)還小。 於此,當該黏合基板以及該平面元件之其它組件(例 如,載體或其它功能層)是由導熱率較低和熱容量較小的材 料構成時,當然會有問題,此乃因熱的排出或熱的儲存不 能一次經由該平面元件來完成。 因此,通常不存在有可使用的黏合方法來經由熱活化 式可黏合之平面元件,以高的工作速率,將多個黏合基板 謹慎地連接,其中各平面元件將承受一種中頻範圍之頻率 的磁鐵-交變磁場。反之,當一黏合基板具有聚合物之黏合 面時,特別是當該黏合面與電子組件有關時,在感應式加 熱下,將可觀査到該平面元件或該黏合基板之熱損傷。 201120176 【發明內容】 本發明的目的是使用一種可在黏合基板上實現小面積 的黏合之方法’其可避免先前技術之缺點,該黏合基板不 能導通電流且具低導熱係數。此方法另外亦適合用來以高 的工作速率,將電子裝置之組件單元黏合,特別是用來對 由聚合物構成之黏合基板進行黏合》 上述目的藉由上述方式的方法來達成,其中該預複合 物同時藉由垂直於該熱活化式可黏合之平面元件之一側面 區段的感應式加熱,施加至少1 MPa(特別是至少3 MPa) 之壓力,使該黏合物質整面都可與該黏合基板接觸。方向 指示“垂直於該熱活化式可黏合之平面元件之一側面區段 是指:在一種平面黏合時,該平面元件以平面形式存在(且 因此其二個側面亦爲平面),一種壓力(至少亦)垂直於該平 面元件之主要範圍而發生作用,反之,就三維之彎曲形之 黏合而言,壓力是在垂直於該平面元件之主要範圍的方向 中,且因此至少是在垂直於該平面元件之側面之一部份區 域中發生作用。 令人驚異的是,以此方法亦可在短時間內藉由中頻範 圍中的感應式加熱來可靠地對很小的黏合面(其通常是在 行動式電子裝置中)進行加熱及黏合,而不會使電子元件或 其它金屬組件或聚合物受損。反之,當與感應式加熱同時 對即將形成的黏接施加高壓力時,感應式加熱進行時所發 生的損傷可大大地下降。以此方式,可使用一特別簡單的 -12- 201120176 方法,其適用於多個黏合基板,藉此方法甚至可將組件單 元與電子組件(例如,半導體組件或顯示器模組)高固定地 相連接。 於此,亦可將感應式加熱限制於黏接的面上,這在該 磁鐵-交變磁場集中於黏接部之直接的相鄰處時(大致上是 藉由電感器整合在加壓工具中來達成)可藉由使用適當的 裁切形式之熱活化式可黏合之平面元件,獲得進一步的改 良。 在一有利的佈置形式中進行本方法,製備一平面元件 以作爲該熱活化式可黏合之平面元件,其具有另一熱活化 式可黏合之黏合物質層,且該預複合物在感應式加熱之前 須與另一黏合基板相接觸。此時該預複合物之熱活化式可 黏合之平面元件之另一熱活化式可黏合之黏合物質層須與 另一黏合基板相接觸。以此方式,多個相同或不同的黏合 基板可在唯一的感應式加熱步驟中互相連接’且加熱期間 整體上可同時縮短。 在感應式加熱時有利的方式是使加熱速率至少爲2.5 °C /s且最多爲2 0 0 °C /s ’特別是至少爲10 °C /s且最多爲 1 0 0°C /s。由於這樣所選取的最小加熱速率,則可使熱活化 式可黏合的黏合物質之黏合時所需之時間更短,且因此使 黏合時的工作速率更高。藉由將加熱速率限制在較小的加 熱速率,可另外使該黏合物質或基板之熱損害之危險性下 降,且可防止該黏合物質之不可控制的熔化以及該黏合基 板之不期望的熔化° -13- 5 201120176 本方法特別適當的情況因此是:製備一平面元件以作 爲該熱活化式可黏合之平面元件,其中使用一種層厚度小 於7 5微米,特別是小於3 0微米或甚至小於1 5微米,之層 作爲至少一導電層。於是’在技術上能以特別簡易的方式, 使該平面元件之加熱速率的向上昇高受到限制。 又,有利的是:製備一平面元件以作爲該熱活化式可 黏合之平面元件,該平面元件之形式依據敞開的黏合面幾 何形式來調整。具有此種幾何形式的多個平面元件能以目 前已知的感應式加熱方法或以大的耗費而依形式均勻地黏 合,使本發明的原理之範圍可更廣泛地使用在此種系統上。 可製備一種平面元件以作爲該熱活化式可黏合之平面 元件,其中該平面元件所具有的最小條片寬度小於5毫 米,特別是小於3毫米或甚至小於2毫米。當只有很小的 面積可用來黏合各黏合基板時,只有使用本發明的方法才 可使黏接時可使用的面積增大,且因此整體上,提高黏合 的固定性,而不會使條片寬度較小的區域受到熱損傷。此 種小的橫向結構不能使用在-或只能以大的耗費才可使用 在目前已知的藉由感應式加熱來進行的黏合方法中。 又,有利的是:使用一種具有三維空間中成彎曲形的 黏合面之黏合基板作爲上述的黏合基板。於是’能以特別 簡易的方式來實現三維構造之黏合面輪廓(Pro file) ’此乃 因這樣可在該熱活化式可黏合之黏合物質層之整個面積範 圍中,對該黏合物質層進行均勻的加熱。此種彎曲形的黏 -1 4- 201120176 合面通常是在行動式電子裝置中於多種顯示晶圓或外殼進 行黏合時產生。 作爲本發明的下一步驟,上述壓力亦可在該感應式加 熱結束之後於一種殘餘壓力期間被保持著,此時在該殘餘 壓力期間之至少一部份期間,重新對最終預複合物進行感 應式加熱。這樣所提供的優點在於,該黏接由於該殘餘壓 力而進一步凝固,且可在凝固的形式中受到一種再硬化, 這樣會由於黏合物質中所達成之內聚力上升而整體上提高 該黏合之固定性。 此外,該熱活化式可黏合之平面元件之各別同時被感 應式加熱之區域相對於該區域中之黏合面之比小於2: 1, 特別是小於1 .5 : 1或甚至小於1 .2 : 1。藉由此種方法,該 黏合基板在感應式加熱期間受到熱損傷的危險性可更下 降,此乃因只有該區域(其上亦將進行黏合作用)會局部性 地被加熱。因此,所產生的熱量下降,使得只有少量的熱 量須被排出。 爲了實現本發明的槪念,可藉由具有至少一加壓柱塞 元件之裝置來進行感應式加熱及施加壓力,該加壓柱塞元 件具有一感應式加熱媒體。藉由使用此種裝置,其可藉由 唯一的工具來進行本方法之二個主要外觀,則可加速本方 法之進行且週期數可提高,此乃因不須對該加壓裝置和感 應裝置(電感器)進行互相調整,且該加壓裝置和電感器之 其它各別的定位現在可在唯一的步驟中進行。該裝置較佳 -15- 5 201120176 是安裝在固定位置’以確保在本發明所使用的高壓力下所 需的操作安全性。 如上所述’當用來黏合電子裝置的組件單元時,本發 明的方法提供特殊的優點,此乃因此種黏合可不需以高的 週期數來形成’使電子組件受到熱損傷的高危險性不存在。 依據本發明的另一態樣,另一目的是設定一裝置,其 特別是用來進行本發明的方法,且特別是可對熱活化式可 黏合之平面元件進行感應式加熱,以將該平面元件黏合至 熱容量較小的黏合基板上,而不會造成熱損傷或電性損 傷。目前已知的裝置只能對黏合區進行感應式加熱,在加 熱過程中該黏合基板只稍微藉由一固持裝置來固定而未對 該黏合基板發出一種大的壓力。壓力發出時,該黏合基板 須與可黏合的物體之表面直接相接觸。在另一側上該電感 器位於目前已知的裝置中且與該平面元件相距一距離’這 樣可在以先前技術來進行的感應式加熱中使能量載入時的 • ·- » 空間解析度下降。 上述問題藉由上述形式的裝置來解決’其中至少一加 壓柱塞元件具有至少一感應式加熱媒體且該裝置針對至少 300牛頓(N),特別是至少600牛頓之壓力來調整。藉由將 電感器直接整合在該加壓柱塞兀件中’可使電感器和該平 面元件之間的距離最小化’以克服上述的缺點。 在一有利的佈置形式中,至少一加壓柱塞兀件至少以 區域方式而具有一在三維空間中成彎曲形的加壓面。以此 -16- 201120176 方式,除了平面的黏合區以外,亦可獲得其它的黏合區, 其具有三維方式形成的黏合面,因此另外可獲得複雜的黏 合用的幾何形式。 當一裝置具有另一加壓柱塞元件時特別適當,該柱塞 元件具有至少一強磁性、鐵磁性、順磁性或抗磁性之軛 (yoke)區段,較佳是鐵磁性之軛區段,或具有一感應式加 熱媒體。此種軛區段使磁場變形且因此使磁場的侵入深度 增大,具有複雜的黏合區幾何形式之特殊的黏合面,於是 可均勻地被加熱,且因此可在整個黏合面上提供均勻之吸 附力和內聚力。該磁鐵-交變磁場之局部性增強亦可藉由使 用另一感應式加熱媒體來達成。 爲了說明本發明,以下將作一般描述,以說明本發明 之一部份態樣之各別組件之代表性例子,其依據各別所期 望的特性而可幾乎任意地互相結合。 本發明基本上涉及一種熱活化式可黏合之平面元件與 一特定形式之黏合基板之黏合方法。本發明中特別是所有 具有平面形式之區間之一般構成物都適合作爲平面元件, 其可達成一種平面式黏合且能以不同方式(特別是可撓式) 來構成,例如可構成爲黏合箔、黏合帶 '黏合標記或模沖 製件。 此種平面元件分別具有二個側面,即,一個前側和一 個後側。此槪念”前側”和”後側”是指該平面元件之平行於 其主延伸區(平面延伸區’主延伸面)之二個表面且只用來 -17- 201120176 區別二個配置在該平面元件之對立側上的面,不是藉由選 取的槪念來確定該二個表面之絕對空間配置;因此,當該 後側形成該平面元件之空間上位於前方之側面時,前側是 指該平面元件之空間上位於後方的側面。 該熱活化式可黏合之平面元件應黏合至黏合基板上。 於是,該平面元件在二個側面之至少一側面(較佳是在二個 側面)上具有一熱活化式可黏合之黏合物質。熱活化式可黏 合之黏合物質都是在高溫時進行熱黏合,且在冷卻之後提 供機械上可負載的連接。通常該黏合物質以黏合物質層的 形式存在。 功能一致之系統之平面形式的配置特別稱爲層,其在 空間方向中的尺寸(厚度或高度)較另二個定義主延伸區用 的空間方向中的尺寸(長度和寬度)小很多。此種層可緊密 地或中斷地形成,且由唯一的材料或不同的材料構成,特 別是當該些材料對該層之一致性的功能有貢獻時。一層可 具有一種在整個平面區間都保持固定的厚度或不同的厚 度。又’一層當然亦可具有一個以上的功能。 目前待黏合之平面元件含有至少二個不同的層,即, 至少一導電層和至少一熱活化式可黏合之黏合物質層。每 —由至少一種材料構成的層都可視爲導電層,該材料在溫 度23°C時具有至少1 ms/m之導電率(電子及/或電洞),因 此在該導電層中可產生電流。該材料特別是金屬、半金屬 以及其它金屬材料且亦可能是半導體,其中電阻較小。因 -18- 201120176 此’導電層的電阻一方面須足夠高,以便在電流流至該層 時可對該層加熱,另一方面該電阻須足夠低,使電流主要 都流經該層。於特殊情況下,由具有低磁阻(且因此具有高 的導磁性或導磁率)之材料構成的層亦可視爲導電層,例 如,鐵磁體(ferrite) ’其在低頻的交流電流時通常具有高的 電阻,使得通常只在傾向於高的磁鐵-交變磁場頻率時才可 達成一種加熱。 基本上,該至少一導電層可任意地適當形成,例如, 可形成爲薄的、整面-緊密的層或中斷層,其層厚度小於75 微米,特別是小於3 0微米或甚至小於1 5微米。最後一種 層厚度能以較簡易的方式使該加熱速率向上昇高受到限 制。 該導電層可由所有適當的一般材料構成,這些材料大 致上是銘、銅、金、鎳、鉬-金屬、Alnico、永久(Perm)合 金、鐵磁體和類似物。該導電層較佳是亦可另外具有磁性, 特別是強磁性或順磁性。同時對這些材料而言,亦期望其 中除了渦流的感應以外,亦可藉由磁滯損耗來加熱,且可 選擇加熱速率整體上較大,因此須注意:即使像鎳或磁性 鋼之類的可良好地導電的磁性材料所具有的加熱速率亦小 於可很良好地導電但不是磁性的材料(例如,銅、鋁、碳-奈米管或石墨)的加熱速率。因此,可藉由使用導電良好的 磁性材料,容易控制加熱的進行,且可使離開黏接部之處 的加熱效應下降。 201120176 然而’另一方面當該導電層具有抗磁性(即,導磁率小 於1且磁化率小於〇)時亦是有利的。此種材料例如包括 銅、銀' 鉛和錫以及全部的超導材料。在硏究此種系統時 已顯示:由於隨著這些材料而減小的表皮效應,可達成較 導電率類似之順磁性或強磁性材料還高的加熱速率。因 此’另一方法亦有利’其中藉由使用抗磁性層作爲厚度小 於15微米之薄層,可達成—種大於1〇〇 °c/s之加熱速率。 除了至少一導電層以外’該平面元件當然亦可具有其它導 電層;其可與該至少一導電層相同或不同。 整體而言,熱活化式可黏合之平面元件可任意地適當 形成。因此,該平面元件除了二個先前所述之層以外,亦 可具有其它層,例如,永久載體或臨時載體。又,該平面 兀件可只在二個側面之一側面上具有黏合性或在二個側面 上都具有黏合性’即,大致上是形成爲單側可黏合-或雙側 可黏合的黏合帶。在後者之情況下,該平面元件具有至少 另一黏合物質層,其可與至少一熱活化式可黏合之黏合物 質相同或不同。因此,該另一黏合物質層例如可含有一種 熱活化式可黏合之黏合物質或甚至含有一種固持式黏合物 質。 基本上可將全部之一般熱活化式可黏合之黏合物質層 用作該至少一熱活化式可黏合之黏合物質。熱活化式可黏 合之黏合物質基本上可劃分成二種:熱塑性熱活化式可黏 合之黏合物質(熔化式黏合材料)以及反應性熱活化式.可黏 -20- 201120176 合之黏合物質(反應式黏合材料)。此種劃分亦可含有列入 於上述二種之黏合物質’即’反應性熱塑性熱活化式可黏 合之黏合物質(反應性熔化式黏合材料)。 熱塑性黏合物質以聚合物爲主,其在加熱時可逆地變 軟且在冷卻時又硬化。與此相對,反應性熱活化式可黏合 之黏合物質含有反應性成份。後者之組成亦稱爲’’反應樹 脂” ’其中藉由力α熱而導入一種沾濕過程,其在沾濕反應結 束之後’可在壓力下確保一種持久之穩定連接。此種熱塑 性黏合物質較佳是亦含有彈性成份,例如,合成之腈-彈性 橡膠(Nitrilkautschuk)。此種彈性成份由於高的流動黏性而 對熱活化式可黏合之黏合物質提供一種在壓力下特別高的 尺寸穩定性。 以下’將以純舉例的方式來描述熱活化式可黏合之黏 合物質之一些典型系統,其在與本發明結合時已顯示特別 有利。 因此,一種熱塑性熱活化式可黏合之黏合物質含有熱 塑性基本(basis)聚合物,其在小的加壓下具有良好的流動 性,以便在短的加壓時間內,相對於一持久的黏合之可固 持性而言爲相關的最後黏合力進行調整,且因此亦可快速 地黏合至原始基底或其它重要(critical)基底。可使用先前 技術中已知之全部的熱塑性黏合物質作爲熱塑性熱活化式 可黏合之黏合物質。 -2 1- 201120176 在EP 1 475 424 A1中描述例示性的組成。因此,熱塑 性黏合物質可含有一種或多種以下所述的成份或甚至由這 些成份構成:聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯-共聚物、乙烯-乙 基丙烯酸酯-共聚物、聚醯胺、聚脂 '聚胺酯或丁二烯 (butadiene)-苯乙稀(styrol)-塊共聚物。較佳是使用EP 1 475 424 A1之段落[0027]中所提及的熱塑性黏合物質。其它熱 塑性黏合物質已描述在EP 1 95 60 63 A2中,其特別適用 於特殊應用領域,例如,用來黏合由玻璃構成的黏合基板。 較佳是使用熔化黏性是由流體力學的添加劑來設定的熱塑 性黏合物質,例如,藉由火成的矽酸、炭黑、碳-奈米管及 /或其它聚合物的添加以成爲混合成份。 反之,反應性熱活化式可黏合之黏合物質有利地具有 彈性基本聚合物和改質樹脂,其中該改質樹脂包括黏合樹 脂及/或反應樹脂。由於使用彈性基本聚合物,故可獲得尺 寸穩定性優異的黏合層。可對應於各別的具體應用情況而 使用先前技術中已爲人所知的全部熱活化式可黏合之黏合 物質作爲反應性熱活化式可黏合之黏合物質。 這例如亦包括以腈-彈性橡膠(kautschuk)或其衍生物 (例如’腈-丁二烯彈性橡膠)或基本聚合物之混合物(閃礦類) 爲主之反應性熱活化式可黏合之箔,其另外含有反應性樹 脂(例如,酚樹脂);此種產品在商場上可以tesa 840 1之名 稱而購得。腈-彈性橡膠由於高的流動黏性而可對熱活化式 可黏合.之箔賦予顯著的尺寸穩定性,這樣可於進行沾濕反 應之後,在塑料表面上實現高的黏合力。 -22- 201120176 當然,亦可使用其它反應性熱活化式可黏合之黏合物 質,此種黏合物質例如含有質量成份50至95 Wt.%之可黏 合之聚合物以及質量成份5至50 Wt. %之環氧樹脂或多種 環氧樹脂之混合物。可黏合之聚合物可有利地含有4 0至 94 Wt.%之丙烯酸化合物及/或一般式爲CHeC^I^KCOOR2) 之甲基丙烯酸化合物(R1是剩餘量,其由包含Η和CH3之 基(group)中選取,且R2是剩餘量,其由包含Η和線性-或 分支之具有1至30個碳原子之烷鏈之基中選取)、5至30 Wt. %之第一可共聚合之乙烯單體,其具有至少一酸基,特 別是碳酸基及/或磺酸基及/或磷酸基、1至1〇 wt.%之第二 可共聚合之乙烯單體,其具有至少一環氧基或一種酸酐功 能、以及〇至20 Wt.%之第三可共聚合之乙烯單體,其具 有至少一功能基,此功能基與第一可共聚合之乙烯單體之 功能基以及第二可共聚合之乙烯單體之功能基都不同。此 種黏合物質能以快速的活化來達成黏合,可在短時間內達 成最後的黏合力,使整體上可確保一種在非極性之基底上 的良好黏接。 另一可使用之反應性熱活化式可黏合之黏合物質提供 特殊的優點,此種黏合物質含有40至98 Wt.%之含有丙烯 酸之塊聚合物、2至5 0 W t. %之樹脂成份、以及0至1 0 W t. % 之硬化劑成份。樹脂成份含有一種或多種樹脂,其由含有 使黏合力提高(促成黏合)的環氧樹脂、清漆樹脂和酚樹脂 之基中選取。硬化劑成份用來使由樹脂成份構成的樹脂被 -23- 201120176 沾濕。此種方式由於聚合物內之強烈的實際沾濕現象而提 供了特殊的優點:可獲得總厚度大的黏合層而不會使黏合 區之整體上的可負載性受影響。於是,各黏合層特別適合 用來補償基底中的不平坦性。又,此種黏合物質具有良好 的抗老化性以及小的氣體消毒特性,這在電子領域中的許 多黏合區中是特別期望者。 如上所述,除了特別有利的黏合物質以外,基本上亦 可對應於黏合時各別所需求之輪廓來選取且使用所有其它 熱活化式可黏合之黏合物質。 本發明的第一態樣涉及將上述平面元件黏合於至少一 導熱率小的黏合基板上的方法,該黏合基板所具有的導熱 係數最高是5 W/mK ;這表示:接合部之至少一表面須具有 此種小的導熱率。於是,該黏合基板之表面可大面積地或 只有一部份面積具有陶瓷材料、聚合物材料或玻璃。在消 費電子領域中,例如一般都使用聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯 -苯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯、以及聚對苯二甲酸乙二酯、 聚萘二甲酸乙二酯、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚丁烯對苯二 甲酸酯或以這些塑料爲主的混合物。此外,通常亦使用非 導電的薄表面層,其大致上是以氧化矽或氧化鋁爲主。若 不同的黏合基板互相黏合,則各黏合基板的表面之材料可 相同地、類似地或不同地形成。 當然,該黏合基板整體上可任意地適當形成,且例如 可具有至少以區域方式成爲均勻之平坦表面,其上應黏合 -24- 201120176 著該平面元件之黏合物質層。然而,該平面元件之表面亦 可規則地或不規則地以曲形的形式形成,使該黏合基板具 有一黏合面,其在三維空間中以三維方式成曲形。 爲了進行上述方法,首先應製備上述熱活化式可黏合 之平面元件。該平面元件之形式可依據該黏合面的形式來 調整,使該平面元件大致上以切片或沖製件之形式存在。 這表示:該平面元件之形式大致上或正確地對應於待連接 之構件之連接面之形式,且因此亦對應於黏接部之側向 (lateral)形式。典型地,在此種平面元件中對形式穩定性和 黏合固定性的需求特別高。由於該平面元件設定成可用在 黏合面之幾何形式中,因此,須確保:只在黏合時所需之 面區域中進行加熱。因此,熱損傷的危險性可有效地下降。 該平面元件之造型可藉由此行的專家所常用的造型用之隔 離方法來達成,其大致上是依據撞擊(沖製)、刀切、剪切、 雷射切割或水射束切割的原理來達成隔離作用。 平面元件的形式特別是依據敞開的黏合面幾何形式來 調整,使該平面元件和至少一黏合基板之間的黏接部形成 爲非封閉的面,其包括:多個面’這些面以凹口來中斷的 方式而存在著;以及其它由線形之元件組成的面’其因此 大致上具有梳形結構或指狀結構。特別是此種梳形結構或 指狀結構此處特別適合’其中各別的元件(特別是中央的肋 狀元件以及分叉的肋狀元件)所具有之長度對寬度之比(縱 橫比)大於2。 a -25- 201120176 此外,該平面兀件之黏合區之最小的條片寬度(亦爲該 平面元件本身之最小的條片寬度)可小於3毫米或甚至小於 2毫米。具有此薄的最小條片寬度之平面元件不能輕易地 以目前爲止已知的感應式加熱之黏合方法來黏合。於已加 熱的面上,該熱活化式可黏合之平面元件是與至少一黏合 基板或所有的黏合基板相接觸’當此種已加熱的面很小 (即,小於5 cm2)時,特別有利的是使用本發明的方法。在 此種金絲編織品之黏合基板中亦可藉由本方法來防止該黏 合物質之不可控制的熔化。 爲了達成連接,該黏合基板須與該熱活化式可黏合之 平面元件之側面區段相接觸,使二個側面之一之一部份或 整面可與該黏合基板之表面之一區域相接觸,這樣就可在 特定的最後連接之前,形成一種預複合物,即,暫時形成 的複合物。 該預複合物承受中頻之磁鐵-交變磁場時的期間最長 爲20秒,該中頻是至少1〇〇赫且最多是200仟赫之頻率, 該預複合物因此在該磁鐵-交變磁場中受到感應式加熱。此 種頻率之磁鐵-交變磁場提供足夠適當之侵入深度,由於此 原因,較佳是使用頻率1仟赫至40仟赫(特別是小於1 5仟 赫)之磁鐵-交變磁場,這樣整體上可使磁場之有效侵入深 度提高而不需較高的設備費用。由於感應式加熱,則至少 一熱活化式可黏合之黏合物質受到驅動,其與至少一黏合 基板接觸,這樣可形成一種最終複合物(即,一由平面元件 -26- 201120176 構成之藉由黏合而獲得的複合物以及至少一黏合基板,其 直接與該平面元件之一側面相連接)。此處,2 0秒之最短期 間是需要的,以確保足夠高的加熱速率,且因此亦使運行 速率變高。 爲了實現本發明的槪念,在感應式加熱期間必須對該 預複合物施加至少1 MPa之壓力,較佳甚至是至少3 MPa ° 此壓力又反映了一種力或力成份,其垂直於該熱活化式可 黏合之平面元件之側面區段而作用在該平面元件上。此種 垂直作用力是指垂直於一面而作用在該平面元件上的每一 力,此面是在該平面元件之外部邊界內形成。因此,相對 於一由該平面元件之外部邊緣所形成的假想作用面而言, 雖然力在整體上是垂直地作用,但在一平面元件(其黏合面 以三維方式形成在三維空間中)中,局部地位於實際黏合面 之各別區域內部中的此方向(由此方向而將力作用在該平 面元件上)亦可與垂直方向不同。爲了完整性,只須指出: 作用力另外亦可具有多個成份,其不垂直於該作用面而發 生作用’只要另外亦存在垂直作用的成份即可。 在進行本方法時,另外設定其它有利的效果:低分子 量的化合物(例如,水或氣體(例如,空氣))在室溫時,於熱 活化式可黏合之黏合物質層之聚合物母材中以可被吸附的 形式存在’當該黏合物質加熱至驅動溫度時,低分子量的 化合物通常會發生解吸附(desorption)。已解吸附的低分子 量的化合物因此以氣泡形式分佈在黏合物質層中,使該黏 -27- 201120176 合物質不期望地泛起泡沬。當至少一熱活化式可黏合之黏 合物質層含有一反應性黏合物質時,低分子量的化合物在 此種情況下的放出是有問題的,此時將以聚合(P〇iy)凝結反 應的形式來進行熱感應之沾濕反應。於是,低分子量的化 合物由黏合物質之聚合物網狀物分解出來而成爲沾濕反應 之副產物,低分子量的化合物在各別所選取的驅動溫度中 以氣體(例如,水蒸氣)形式存在。 此處放出之氣體形式或流體形式之流體之量可以很 大:因此,以共聚醯胺爲主之熱活化式可黏合之黏合物質 大致上含有數個%質量成份之水,其吸附在巨觀(macro)分 子網狀物上且在加熱時有一部份將漏出。於是,在該黏合 物質中將起泡或形成氣泡,這樣整體上又使該黏合物質之 吸附力和內聚力下降;因此須適當地防止。 熱活化式可黏合之黏合物質中須注意:在壓力大於0.2 MPa時可藉由解吸附或化學反應中所產生之氣體形式的流 體(例如’水蒸氣)來防止氣泡的形成,其中在高的沾濕溫 度時須使壓力大於0.5MPa。本發明中只要所使用的壓力較 此値大很多,則黏合物質層中形成氣泡的現象可受到抑 制。然而’亦須指出:對低黏性的黏合物質(例如,流體式 黏合材料)或對低溫時一些可熔化之熱塑性黏合物質而 言’壓力大於〇_2 MPa時該黏合物質會由黏接部中流出, 且因此對本發明的方法之各別的應用而言可能較不適當。 -28- 201120176 基本上可在感應式加熱中任意地選取加熱速率,其中 至少2.5°C /s且最多200°C /s(特別是至少l〇°C /s且最多100 °C /s)之加熱速率當然已顯示是有利的。藉由限制該加熱速 率的向上增高,可使該黏合物質及/或該黏合基板之熱損傷 之隨著加熱速率而提高的危險性以及該黏合物質之不可控 制的熔化之危險性下降。限制該加熱速率向上增高,這例 如能以簡易的方式藉由使用一導電層來達成,該導電層由 不易導引電流之金屬構成,即,藉由使用鋁來取代銅、或 甚至使用鎳來取代鋁。 限制該加熱速率向上增高時所用的另一簡易的方式在 於:使用一種平面形式而擴展的金屬構成物以作爲導電 層,其在平面範圍中不連續地中斷,因此,其例如可以是 金屬板網、線編織物、花斑線、小帶編織物、花斑小帶以 及有孔或有縫隙之金屬箔。 本發明中可同時對該平面元件之整個黏合面進行感應 式加熱以進行黏合,這特別是在具有緊密式幾何形狀之小 黏合面(大致上是小面積-圓形之黏合面)是重要的。然而, 亦可同時只對該平面元件之整個黏合面的一部份進行感應 式加熱以進行黏合,這特別是在具有開放式幾何形狀之大 黏合面是重要的。 若同時只對該平面元件之整個黏合面的一部份進行加 熱,則大致上可達成黏合,此時該預複合物之位置相對於 電感器和加壓裝置之位置會改變;就小的預複合物而言, -29- 201120176 該預複合物較佳是連續地 置構成之位置固定地安裝 大的預複合物而言,由電 連續地或不連續地在固定 由於上述的相對移動 加熱輪廓(profile),可對 的幾何形狀及將來的使用 現在,若須進行感應 熱,特別有利的即係在該 加熱之黏合面佔有該平面 以下的情況:除了對黏合 中只有很少的對黏合無助 有利的是,熱活化式可黏 被感應式加熱之區域(即, 區域,其在黏合時對黏合 益)的面積、以及此種區太 加熱之對黏合有助益的H 於2 : 1,特別是小於1 .5 該平面元件之分別被同時 域所佔有的面積最多是! 同,較佳是小於一半或甚 積的五分之一。 或不連續地在由電感器和加壓裝 而成的配置之旁經過,然而,就 感器和加壓裝置構成之配置亦可 的預複合物之旁經過。 ,可獲得一種時間上和空間上的 應於待製成之最終複合物之各別 目的來選取該加熱輪廓的參數。 式加熱,使整個平面元件同時加 感應式加熱時的每一時間點,已 元件之加熱區之大部份。這是指 有助益的區域以外,該平面元件 益的區域分別被加熱時。因此, 合之黏合物質之在一時間點分別 該平面元件之分別被同時加熱的 有助益以及在黏合時對黏合無助 或(即,該平面元件之分別被同時 Z域)中之黏合面積之間的比値小 :1或甚至小於1 .2 : 1。於是’在 加熱之區域中對黏合無助益的區 !對黏合有助益的區域之面積相 至只有對黏合有助益的區域之面 -30- 201120176 熱活化式可黏合之平面元件若只具有唯一的熱活化式 可黏合之黏合物質層,則該平面元件可配置在該黏合基板 之表面上,使其可將該黏合基板以橋接的方式來與另一黏 合基板相連接。反之,該熱活化式可黏合之平面元件除了 至少一熱活化式可黏合之黏合物質層以外若具有另一熱活 化式可黏合之黏合物質層,則該預複合物在感應式加熱之 前可與另一黏合基板接觸,此時該預複合物之該熱活化式 可黏合之平面元件之該另一熱活化式可黏合之黏合物質層 須與該另一黏合基板接觸。 預複合物中該另一熱活化式可黏合之黏合物質層和該 另一黏合基板之間的連接可以是鬆的(loose)且不是持久 的,該另一黏合基板在最後的感應式加熱中與該至少一熱 活化式可黏合之黏合物質層一起受到熱活化。或是,該連 接亦可持續地固定著,這在該至少一熱活化式可黏合之黏 合物質層是與該另一熱活化式可黏合之黏合物質層不相同 時是可實現的,且該至少一熱活化式可黏合之黏合物質層 之驅動溫度因此大於該另一熱活化式可黏合之黏合物質層 之驅動溫度。爲了製造該預複合物,可首先使該另一熱活 化式可黏合之黏合物質層與該另一黏合基板接觸且這樣所 形成的由該平面元件和該另一黏合基板所構成之鬆的預複 合物藉由一加熱裝置來加熱,該加熱裝置不是以感應方式 來操作而是以傳統的爐、熱輻射器或接觸式加熱來操作。 因此,該預複合物加熱至一種溫度,在此溫度時該另一熱 -3 1- 201120176 活化式可黏合之黏合物質層已受到熱活化’但該至少一熱 活化式可黏合之黏合物質層未受到熱活化。 又,其它步驟可在本發明方法之步驟前或後進行或在 本發明方法之二個步驟之間進行。例如,上述壓力亦可在 該感應式加熱結束後於一種殘餘壓力期間保持著,這大致 上是熱活化式沾濕反應進行的期間或爲了固定各接合部而 使該黏合物質冷卻的期間’以便可藉由物理上或化學上的 效應來使黏接更加固定。在該殘餘壓力期間,已形成的最 終複合物未被加熱(以便在殘餘壓力時可使用另一加壓裝 置,其本身未具有電感器,這樣會由於使用另一加壓裝置 而使循環時間減少),其藉由一外部冷卻單元來冷卻或在該 殘餘壓力期間之至少一部份期間被重新加熱,這例如是在 另一感應式加熱之區域中進行。於是,可維持著黏接中之 溫度,其中再加熱可以較小的加熱速率來進行,或在較第 一次加熱時還小的溫度中進行。 由磁場所導入的功率可以不同的方式接受影響,此時 基本上可使用所有適當的方法。因此,例如可對流經產生 器線圈之電流之強度適當地進行調整。又,實際上已顯示 有利的是:以規則地中斷的方式(間歇式)來驅動該磁鐵-交 變磁場且因此可影響該交變磁場之有效的作用時間。於 是,該磁鐵-交變磁場被”脈波化”,即,週期性地接通和關 閉。典型上在感應式加熱時該磁鐵-交變磁場之脈波期間小 於1秒,特別是小於0. 1秒,且二個脈波之間的脈波期間 -32- 201120176 小於1秒,特別是小於ο. 1秒。藉由脈波式之間歇式驅動, 可達成一特別均勻的加熱且可使局部性的過熱現象減輕或 甚至完全避免。 本發明的方法較佳是用來黏合電子裝置之模組單元, 此電子裝置大致上包括電子消費產品、維護用之電子產品 或通信電子產品(例如,行動電話、P D A s、L a p t 〇 p S及其它 計算機、數位相機和顯示裝置,例如,顯示器、數位讀取 機或有機發光二極體顯示器(0 LEDs)以及太陽電池模組,例 如’電化學顏料-太陽電池、有機太陽電池或薄膜電池)之 領域。目前已知使用在電子裝置中的所有的組件及其集合 體都可作爲模組單元,作爲模組單元,其例如包括電子組 件(分離式或積體組件)、殻體部、電子模組、天線、顯示 器陣列、保護晶圓、無裝備及/或有裝備之電路板和類似物。 本方法可在使用一通常用來進行感應式加熱之電感器 和一加壓裝置下進行。所有適合用來發出壓力之裝置都可 用作加壓裝置,例如’可使用非連續操作之加壓機,其例 如包括氣動或液動加壓機、離心加壓機、曲柄加壓機、曲 柄槓桿加壓機、心軸加壓機或類似物,或亦可使用連續操 作之加壓機,其例如包括加壓滾筒。此種裝置可設置成各 別的單元或亦可與電感器相連接。較佳是使用一種包含至 少一加壓柱塞元件(其作爲第一加壓工具)的裝置,該加壓 柱塞元件另外具有一感應式加熱媒體。於是,電感器陣列 可很靠近即將形成的黏合位置而運作,且因此在空間上亦 限制於該黏合位置的面上。 -33- 201120176 所有適當的一般配置都適合用作感應式加熱媒體(電 感器),這大致上包括可由交流電流流過的線圈、導體回路 (loop)或導體,其由於所流過的電流而產生適當強度之磁鐵 -交變磁場。因此,加熱時所需之磁場強度可藉由適當的繞 組數之線圏配置和線圈長度來設定,將該線圈配置作爲點 (dot)電感器,適當的電流流過該線圈配置,其不需強磁性 鐵心即可形成或亦可具有鐵心,其例如由鐵或壓製的鐵磁 粉構成。該預複合物直接承受這樣所產生之磁場。或是, 當然亦可將上述之線圈配置作爲主繞組而配置在磁場變壓 器之主側上,該變壓器之二次側上則由二次繞組提供一適 當的高電流。於是,配置在該預複合物之直接鄰近處之激 發器線圈由於高電流而使繞組數較少,該磁鐵-交變磁場之 場強度未變小。 以下’將描述上述組合式的裝置之一般實施形式,其 包括至少一加壓柱塞元件和至少一整合在該加壓柱塞元件 中的感應式加熱媒體。已知”可發出一確定的壓力至—面 上”的全部模組都可作爲本發明之加壓柱塞元件。此加壓柱 塞元件可連續地(大致上是作爲滾筒)或不連續地(大致上是 作爲加壓衝桿)發出壓力,所發出的壓力隨著時間而保持固 定或亦可遵循一固定的時間曲線。上述裝置可針對至少3〇〇 頓(Ν)(特別是至少600頓)之壓力來調整。 爲了發出適當的壓力’至少一加壓柱塞元件需要—種 逆軸承以作爲第二加壓工具;該逆軸承可以被動形式來形 -34- 201120176 成(大致上作爲固定軸承)或亦可主動地在壓力的形成上一 起發生作用(大致上作爲另一加壓柱塞元件)。該至少一加 壓柱塞元件之表面因此可對應於即將達成的黏合形式而構 成’且因此例如具有平坦的加壓面或亦可具有一至少以區 域方式而在三維空間中成曲形的加壓面,因此,至少在該 加壓面之一部份區域或多個部份區域中具有曲形面。曲形 的加壓面應與該預複合物之各別區域之形式互補地形成。 有利的方式是使該逆軸承(大致上是該固定軸承或另 一加壓柱塞元件)具有一較佳是鐵磁性之軛(yoke)區段,且 除此以外另具有一感應式加熱媒體。此外,具有使磁場的 侵入深度提高之效應’且因此可提供一種均勻的加熱,以 便在三維空間中亦可在曲形面的整個黏合面上均勻地形成 黏合區。 上述軛區段例如可由鐵磁體形式的材料來形成,其整 合在另一加壓柱塞元件中且使磁場局部化而集中在具體的 黏合區上,磁場之侵入深度因此提高。可配置該軛,使磁 場只集中在需要特別大的侵入深度之區域中,此時軛區段 之形式是依據即將達成之黏合面之形式來調整。藉由使用 此種(較佳是鐵磁性的)軛區段,則一方面可使加熱用磁場 之橫向範圍受到限制,另一方面亦可設定可連接之黏合基 板之磁場之足夠的侵入深度,以達成技術上可行之加熱速 率。於是,特別是亦能以高的均勻性及因此所造成的高的 固定性來形成具有幾何形式的黏合區,其以有角度的小面 -35- 201120176 積來形成。此種角度的徑度小於5毫米之有角度的黏合結 構能以傳統之感應式加熱方法不均勻地產生而無過熱現 象,且因此未受損,使目前已知之黏合區通常都具有圓形 或至少明顯地圓形化的幾何形式。 局部作用之磁鐵-交變磁場在黏接部中的強化另外亦 可藉由另一加壓柱塞元件中之另一感應式加熱媒體來達 成。於此,重要的是以該至少一感應式加熱媒體之磁鐵-交 變磁場之相位來調整該另一感應式加熱媒體之磁鐵-交變 磁場之相位或甚至使此二個相位同步,使磁場不在相反側 減小而變弱,反之,使該磁場變強。 本發明的其它優點和應用可能性可由硏究結果得知, 這將依據以下的附圖來詳述。 【實施方式】 試樣硏究是在圖1所示的配置中進行。此處,依據本 發明的方法在使用不同的熱活化式可黏合之平面元件20 下,以寬度20毫米、長度1()()毫米和厚度3毫米之聚碳酸 酯板1 〇(聚碳酸酯條)作爲黏合基板而互相黏合,其中各黏 合基板在黏接部中重疊10毫米且因此形成一種邊長1〇 mm x2 0 mm之矩形的黏合面。作爲比較用的硏究時,此二個聚 碳酸酯板10之一可由相同面積之鋁板(厚度1.5毫米)來取 代。 作爲熱活化式可黏合之黏合物質層,只要未另外說明 都可使用一種熱活化式可黏合之黏合帶,其具有以腈-彈性 -36- 201120176 橡膠和酚樹脂爲主之黏合物質,該黏合帶可在名稱tesa HAF 84Χχ下以不同的厚度來使用(不同的厚度是由於依據 場地所有者所示的部份“ XX”之具體標示而得的產品名稱 所造成)。此處,可使用層厚度30微米之黏合物質層(tesa HAF 8405)和層厚度60微米之黏合物質層(tesaHAF 8410)。 可使用一種成份及層厚度都已確定之金屬箔,作爲該 導電層的模型結構。此金屬箔上分別在每一側上於溫度100 °(:時積層著一黏合物質層,以便在該金屬箔的二個側面上 形成一種二側熱活化式可黏合之平面元件,其具有相同成 份的黏合物質層。在此種積層用的溫度時,該黏合物質內 仍不會開始發生化學沾濕反應而是只會使該黏合物質層黏 合至金屬箔上。針對層厚度在10微米至50微米的範圍來 對由鋁、銅、鎳、鐵和鋼(St 1.4310)構成的箔進行硏究。 藉助於公司IFF GmbH,Ism an ing之型號EW5F之改質 後之感應設備來進行上述黏合方法。此處,一種只由水來 冷卻之流有電流的導體所構成之感應場變壓器用作電感 器,以局部性地提供交變磁場,該導體用作變壓器之二次 線圈,且在共軸變壓器中用來與主線圈中所產生的磁場交 互作用。電感器線圈埋置於由聚醚醚酮(PEEK)所構成的母 材中,且這樣所形成的配置是用作加壓裝置之下加壓柱塞 元件40,該配置另外具有一上加壓柱塞元件30。該預複合 物在該下加壓柱塞元件4〇和該上加壓柱塞元件3 0之間垂 直於熱活化式可黏合之平面元件之側面而被施加一種壓 力,此壓力是2 MPa。 -37- 201120176 藉助於改質的感應設備’在30 %至70 %之範圍的脈波 寬度中產生10仟赫至30仟赫之頻率範圍的磁鐵-父變磁場 以作爲硏究用。脈波寬度是指磁鐵_交變磁場之脈波期間 (脈波寬度)對該磁鐵-交變磁場之總週期(其是脈波期間和 二個連續之脈波之間的中止期間之和)之百分比。熱活化式 可黏合之平面元件受到脈波式交變磁場作用時的時間 (即,感應式加熱的期間)是在3秒至9秒之範圔中。又’ 所有硏究是以殘餘壓力時間爲10秒來進行,此時間內在脈 波寬度20% (對應於脈波期間對中止期間之比爲1 : 4的情. 況)時在與黏合物質之熱活化下相同之頻率之磁鐵-交變磁 場中進行感應式再加熱。 爲了對本發明的方法的基本適用性進行硏究,首先使 用一種以合成的彈性橡膠和環氧樹脂爲主之可黏合的黏合 帶(tesa HAF 8 8 63 ;厚度50微米)作爲熱活化式可黏合之黏 合物質層。腈-彈性橡膠-酚樹脂-黏合帶使用在其餘的實驗 中以作爲接近實際之模型-黏合物質層,在以彈性橡膠-酧 樹脂-黏合帶來黏合時在聚合凝結反應中產生一種副產 品,其在小的壓力時使黏合物質層泛起泡沫,這在以合成 的彈性橡膠和環氧樹脂爲主之黏合物質層中則非如此。因 而’此系統特別適合用來硏究可能發生的熱分解過程與各 別的方法之間的關係的資訊,黏合物質層之顯著的起泡現 象不影響此硏究。 -38- 201120176 此處’在溫度loot時在36微米厚的鋁箔之每一側面 上分別積層著上述的黏合物質層。在此種積層用的小的溫 度時,黏合物質層仍不會開始發生化學沾濕反應而是只會 使該黏合物質層黏合至金屬箔上,因此可獲得一種用於二 側熱活化式可黏合之平面元件之預複合物。 然後,藉助於改質的感應設備來進行感應式加熱,此 時施加一種頻率是20仟赫且脈波寬度是70 %之磁鐵-交變 磁場達9秒的期間。爲了硏究壓力對可能發生之熱分解的 影響,在硏究系列中相同的試樣須施加不同之壓力且以視 覺來評定所達成的黏合區。所使用的壓力之大小是0.2 M Pa, 〇_5 MPa,0.8 MPa,1 MPa,2 MPa 和 3.5 MPa。 所施加的壓力小於1 MPa時,在感應式加熱的過程中 黑暗區形式之黏合物質層會規則地發生彩色化。此種黑色-彩色化特別是在各別受到硏究之檢測區段之邊緣上會被觀 看到,且是由於該黏合物質層之熱分解所造成。反之,在 壓力是1 MPa或更大時,無法辨識出上述變黑現象。因此, 在感應式加熱期間藉由使用本發明的方法顯然亦可防止該 黏合物質層之熱損傷的發生或至少使熱損傷大大地下降。 在其它硏究中,對不同之熱活化式可黏合之平面元件 和不同之方法參數而測得上述方式所獲得之複合物之黏合 固定性以作爲已達成的黏合區之品質之特徵値。此處,依 據DIN 53283在231於檢測速率1 mm/分鐘時在動態之拉 切硏究中分別定量地測定黏合固定率(以N/cin2來表示)。 201120176 此種硏究包含之硏究系列之結果的代表性的選擇範例另顯 示在圖2、圖3和圖4中。 每一各別的圖解都顯示一外形(contour)示意圖,其中 以外形線條來顯示各別已確定之黏合固定率(以N/cm2來表 示)相對於感應式加熱(橫軸)期間(以秒來表示)和其它値 (以百分比所示之脈波寬度或導電層之層厚度(以微米來表 示);縱軸)之關係;各別之動態黏合力之値因此顯示在所 屬之外形線(等能量線)上。可辨認的是:所有的外形示意 圖中黏合固定率通常是隨著感應式加熱之期間和增大的脈 波寬度或增大的層厚度而增加。 圖2中顯示以不同的金屬箔作爲導電層時一系列的測 量結果;由左至右之行顯示由鋁構成的層、由鎳構成的層 和由鋼St 1.4310構成的層,且由上至下的列顯示該些導電 層之不同的厚度爲50微米、43微米和36微米的情況。在 金屬箔之二個側面之每一側面上分別積層著一種二側可黏 合的黏合帶(tesa HAF 84 10)以作爲熱活化式可黏合之黏合 物質層,其厚度爲60微米。所顯示的是在黏合期間(在脈 波寬度是20%時持續地進行再處理)以及磁鐵-交變磁場之 作用期間所達成的黏合固定率與間歇式作用之磁鐵-交變 磁場之脈波期間的關係。 此種硏究中已顯示:在使用由磁性金屬(鎳或St 1.4310) 構成的導電層時,所達成的黏合固定率較使用相同的層厚 度之非磁性的鋁箔時小很多。因此,在磁性金屬中所吸收 -40- 201120176 的磁鐵-交變磁場之加熱功率較非磁性金屬中者還小。此種 發現令人驚異,此乃因原來是期望:在使用磁性金屬時渦 流加熱和藉由磁化轉變時的損耗所造成的加熱可相組合而 發生,且因此應具有較高的加熱速率。然而,這在實驗時 未能證實。 圖3中顯示以薄的銅箔作爲導電層時一系列的測量結 果;由左至右之示意圖顯示銅箔的層厚度爲10微米、17.5 微米和2 5微米時所獲得的情況。在銅箔之二個側面之每一 側面上分別積層著一種二側可黏合的黏合帶(tesa HAF 8405)以作爲熱活化式可黏合之黏合物質層,其厚度爲30 微米,使得測量系列中該積層中熱活化式可黏合之黏合物 質層的厚度保持固定。可觀看到:隨著導電層之層厚度的 增大,則可達成較高的固定性,這可解釋成該磁鐵-交變磁 場之由該導電層所吸收的加熱功率增大。 圖4中顯示以銅箔作爲導電層時的平面元件之外形示 意圖,其中間歇式作用之磁鐵-交變磁場之脈波期間(脈波 寬度)在所有的測量資料時都是70%。因此,圖4所示的資 料對應於圖3所示之資料之各別示意圖之上部邊緣之組 合。由於黏合固定性明顯地與該導電層的厚度有關,則可 辨認出:在短的加熱時間中以薄的熱活化式可黏合之平面 元件可實現很高的黏合固定率,其可高再生地藉由本方法 的參數來調整。 -41- 201120176 在比較用的測量中,未設有導電層而使用一種厚度爲 60微米之熱活化式可黏合之黏合物質層(tesaHAF 8410)作 爲熱活化式可黏合之平面元件。藉助於此種平面元件,則 上述之聚碳酸脂板可與相同面積之鋁板(其厚度是1.5毫米) 相黏合。需要以一個聚碳酸脂板來更換一個鋁板,以確保 該黏合基板有足夠大的導熱性,因此在比較用的硏究中驅 動該黏合物質所需的熱可由外部經由熱壓力機而導入至該 預複合物中(接觸式加熱法)。爲了進行驅動,該預複合物 在壓力2 MPa時加熱達5秒或1 〇秒。這樣所獲得的複合物 之黏合固定率在加熱達5秒時確定可達610 N/cm2且在加 熱達10秒時確定可達640N/cm2。 在與圖2、圖3和圖4所示的結果相比較時,比較用 的硏究明顯地指出:藉由使用本發明的方法可製成多個黏 合區,其黏合固定率是與傳統的接觸式加熱法所製成者相 同》此結果令人驚異,此乃因在所使用的平面元件中藉由 配置在該平面元件內部中之金屬箔而存在著較該比較例中 更多的界面,其中在各界面上通常可看到該複合物之特別 大之黑化區,這大致上是由於界面上之金屬箔之黏合物質 層之剝離物之黏合物質所構成之熱分解產物之聚集所造 成,界面形成爲複合物黑化面。 因此,該例子顯示出:以本發明的方法可製成黏合區, 其至少與傳統方法所獲得之黏接區有相同價値,使彳辱電|胃 器和黏接區之間3毫米的距離可被跨接而無問題且因此可 實現小於1 〇秒的黏合時間。 -42- 201120176 本發明方法之目的是在黏合時特別可防止電子組件之 熱損傷。爲了檢測本發明的方法基本上是否適用於此一目 的,須於另一硏究中在電子組件之直接相鄰處進行一種黏 合。於是,圖5所示之一般構造中,依據本發明的方法在 使用一種下(lower)加壓柱塞元件30和上加壓柱塞元件 4〇(其具有已整合之電感器)時將二個聚碳酸酯板10(聚碳 酸酯條)藉由熱活化式可黏合之平面元件20而互相黏合, 其中在二個聚碳酸酯板10之一上固定著一種天線配置已 改質的RFID-標記60(公司Rako),其具有壓印之天線和與 該天線連接之RFID-晶片,使黏合面之邊緣和RFID-晶片之 間的距離是5毫米。此處須注意:RFID-標記60之金屬成 份不是直接位於下加壓柱塞元件之配置有感應式加熱媒體 之區域的上方。該黏合面在脈波寬度是7 0%時受到感應式 加熱達1 〇秒鐘且這樣所獲得的複合物同樣受到上述的再 處理。 在黏合之後,針對RFID-標記(特別是RFID-晶片)之功 能來進行硏究。於此,觀察出RFID-標記之功能不受影響。 反之,若藉由接觸式加熱法而獲得黏合區,貝RFID-晶片 不再可被讀出。 於另一硏究中,在壓力下對RFID-標記進行感應式加 熱,但電感器和加壓裝置形成爲各別的單元。在另一硏究 中,大部份的RFID-晶片在黏合之後仍可被讀出’然而’ 不可再被讀出之RFID -晶片之部份較使用一種幾乎不受 -43- 201120176 R FID -晶片影響的情況下之整合式裝置中者大很多。在黏合 時使RFID -晶片受損的危險性小很多是由於在使用整合式 裝置時磁場在空間中有較大之集中度所造成。 上述的硏究突顯出本發明的方法事實上適合用來實現 所期望之謹慎的黏合。 最後,在另一硏究系列中+,對鐵磁性軛區段之效率進 行硏究,該軛區段配置在加壓-熱-裝置之二個柱塞元件之 一之中;硏究用的配置顯示在圖6中。 在一上聚碳酸酯板1 〇和一下聚碳酸酯板11之間在鋁 層之二個側面上黏合著一種熱活化式可黏合之平面元件 20,其具有一由鋁構成的導電層(層厚度50微米)和層厚度 分別是60微米之二個熱活化式可黏合之黏合物質層(tesa HAF 8410)。與先前的硏究不同,此處該下聚碳酸酯板11 在黏合時與該下加壓柱塞元件40直接相接觸,該下聚碳酸 酯板11之厚度會改變,且該下加壓柱塞元件40亦包含感 應式加熱媒體(電感器);使用的板之厚度是3毫米、6毫米 和9毫米。又,一種由鐵構成的軛50接合至該上加壓柱塞 元件30中以作爲軛區段,其長度是30毫米、寬度是5毫 米且高度是5毫米。此軛直接配置在黏接部上方,其中該 黏接部之縱軸對應於該軛之縱軸而對準。 又,於上述條件下壓力爲2 MPa中進行感應式加熱達 10秒之期間且進行再處理。依據DIN 5 3 2 8 3在23 °C於檢測 速率1 mm/分鐘時在動態之拉切硏究中硏究這樣所獲得之 -44- 201120176 複合物之黏合固定率(以N/cin2來表示)。在相同條件下產 生多個黏合區以在硏究時作比較,但在此硏究中所使用的 上加壓柱塞元件30未具有軛。 就一種厚度是3毫米、6毫米和9毫米之黏合基板而 言,使用一種軛50而決定了 490 N/cm2,480 N/cm2或260 N/cm2之黏合固定率。於此,當該上加壓柱塞元件30未具 有轭時,決定了 510N/cm2,240N/cm2或50N/cm2之黏合 固定率。於是,可辨認出:當未使用一軛時,該下黏合基 板之厚度對所達成之黏合固定率之影響非常大;反之,使 用一軛時,只觀察出微不足道的效應。這顯示出軛在加壓 工具之上部中的有利影響,此乃因亦可均勻地對厚壁之構 件或三維彎曲之構件進行黏合,其中黏接部和電感器之間 的距離可很大或不同。 因此,上述例示性硏究突顯出本發明的方法和裝置之 突出之適用性,以便以特殊方式在電子裝置中產生可負載 的黏合區。 【圖式簡單說明】 圖1顯示用來進行本發明之方法之構造的縱切面,其 用來硏究本發明的原理。 圖2是已達成之黏合固定性之外形圖相對於間歇式作 用之磁鐵-交變磁場之脈波期間和作用期間之圖解,其中針 對多個熱活化式可黏合之平面元件來求得各別的圖解’各 平面元件之導電層的材料和層厚度不相同。 -45- 201120176 圖3是已達成之黏合固定性之外形圖相對於間歇式作 用之磁鐵-交變磁場之脈波期間和作用期間之圖解,其中針 對具有特別薄之導電層之多個熱活化式可黏合之平面元件 來求得各別的圖解,各導電層的層厚度不相同。 圖4是已達成之黏合固定性之外形圖相對於熱活化式 可黏合之平面元件用之導電層之厚度和磁鐵-交變磁場之 作用期間之圖解。 圖5顯示用來進行本發明之方法之第二種構造的縱切 面,其用在對本發明的原理之其它硏究中。 圖6顯示用來進行本發明之方法之第三種構造的縱切 面,其針對本發明的原理之規定的合適性而用在其它實驗 中〇 【主要元件符號說明】 1〇 上聚碳酸酯板 11 下聚碳酸酯板 20 熱活化式可黏合之平面元件 30 上加壓柱塞元件 4 0 下加壓柱塞元件 50 軛 -46-

Claims (1)

  1. 201120176 七、申請專利範圍: 1. 一種熱活化式可黏合之平面元件和一黏合基板之黏合方 法’該黏合基板具有最多5 W/mK之導熱係數,本方法包 括以下各步驟: 製備一熱活化式可黏合之平面元件,其具有至少一 導電層和至少一熱活化式可黏合之黏合物質層,其形式 依據黏合面之形式來裁切, 使該黏合基板與該熱活化式可黏合之平面元件之側 面區段相接觸且因此形成一預複合物, 該預複合物在至少100仟赫且最多200仟赫之頻率 之磁鐵-交變磁場中進行感應式加熱達最多20秒的期間 且因此形成一最終複合物, 本方法之特徵爲: 該預複合物藉由垂直於該熱活化式可黏合之平面元 件之一側面區段的感應式加熱,同時施加至少1 MPa,特 別是至少3 Μ P a,之壓力。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中製備一具有另一熱 活化式可黏合之黏合物質層之平面元件,以作爲該熱活 化式可黏合之平面元件,且該預複合物在該感應式加熱 之前受到導引而與另一黏合基板相接觸,此時該預複合 物之該熱活化式可黏合之平面元件之該另一熱活化式可 黏合之黏合物質層受到導引而與該另一黏合基板相接 觸。 -47- 201120176 3. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其中製備一平面元 件以作爲該熱活化式可黏合之平面元件,該平面元件使 用一種層厚度小於7 5微米,特別是小於3 0微米或甚至 小於1 5微米之層,以作爲該至少一導電層。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法,其中製備 一平面元件以作爲該熱活化式可黏合之平面元件,該平 面元件之形式是依據一敞開之黏合面幾何形式來調整。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之方法,其中製備 一平面元件以作爲該熱活化式可黏合之平面元件,該平 面元件所具有的最小條片寬度小於5毫米,特別是小於3 毫米或甚至小於2毫米。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之方法,其中使用 一在三維空間中具有曲形的黏合面之黏合基板以作爲該 黏合基板。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之方法,其中在該 感應式加熱結束之後的殘餘壓力期間維持該壓力,其中 該最終複合物在該殘餘壓力期間之至少一部份期間重新 受到感應式加熱。 8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之方法,其中在該 感應式加熱時的加熱速率是至少2.5 °C/s且最多200。〇 /s ,特別是至少1〇 °C /s且最多l〇〇°C /s。 -48- 201120176 9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之方法,其中該熱 活化式可黏合之平面元件之各別地同時受到感應式加熱 之區域之面積相對於該區域中之黏合面之面積之比小於 2 : 1,特別是小於1 .5 : 1或甚至小於1 · 2 : 1。 10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之方法,其中該感 應式加熱和該壓力之施加是藉由一種具有至少一加壓柱 塞元件之裝置來進行,該加壓柱塞元件具有一感應式加 熱媒體。 η·如申請專利範圍第1至1〇項中任一項之方法,其是用 來黏合電子裝置之組件單元。 12. —種具有至少一加壓柱塞元件之裝置,其特徵爲:該至 少一加壓柱塞元件具有一感應式加熱媒體,且該裝置是 依據至少3 00頓(N),特別是至少600頓(N) ’之壓力來調 整。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之裝置’其中該至少一加壓柱 塞元件至少依區域方式而具有一在三維空間中成曲形之 加壓面。 14.如申請專利範圍第12或13項之裝置,其中該裝置具有 另一加壓柱塞元件,其具有至少一強磁性、鐵磁性、順 磁性或抗磁性之軛區段或具有另一感應式加熱媒體。 -49-
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