DE102012209513A1 - Verbinder, Verfahren zum Verbinden zweier Körper und elektronische Anordnung - Google Patents

Verbinder, Verfahren zum Verbinden zweier Körper und elektronische Anordnung Download PDF

Info

Publication number
DE102012209513A1
DE102012209513A1 DE102012209513A DE102012209513A DE102012209513A1 DE 102012209513 A1 DE102012209513 A1 DE 102012209513A1 DE 102012209513 A DE102012209513 A DE 102012209513A DE 102012209513 A DE102012209513 A DE 102012209513A DE 102012209513 A1 DE102012209513 A1 DE 102012209513A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
connector
heating
binding material
electronic component
bodies
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102012209513A
Other languages
English (en)
Inventor
Reinhard Streitel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102012209513A priority Critical patent/DE102012209513A1/de
Priority to PCT/EP2013/061572 priority patent/WO2013182591A2/de
Publication of DE102012209513A1 publication Critical patent/DE102012209513A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/02Homopolymers or copolymers of acids; Metal or ammonium salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736Metallic materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/49513Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • C08K2003/0806Silver
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • C08K2003/0812Aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • C08K2003/085Copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/292Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H01L2224/29291The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29324Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29357Cobalt [Co] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936Iron [Fe] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29439Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29444Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053Bonding environment
    • H01L2224/83091Under pressure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/8321Applying energy for connecting using a reflow oven
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/8322Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/83222Induction heating, i.e. eddy currents
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • H01L2224/83815Reflow soldering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862Heat curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/87Arrangements for heating or cooling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verbinder (12) zum Verbinden zweier Körper bereitgestellt. Der Verbinder (12) weist ein Bindematerial (16) und ein Heizmaterial auf. Das Heizmaterial weist ein ferromagnetisches Material auf und ist zum Erwärmen des Bindematerials (16) in dem Bindematerial (16) eingebettet.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Verbinder zum Verbinden zweier Körper. Der Verbinder weist ein Bindematerial auf. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Verbinden zweier Körper, beispielsweise mit Hilfe des Verbinders. Ferner betrifft die Erfindung eine elektronische Anordnung, bei der ein elektronisches Bauelement mit einem anderen elektronischen Bauelement und/oder mit einem Bauelementträger mit Hilfe des Verbinders verbunden ist.
  • Es ist bekannt, zwei Körper mit Hilfe stoffschlüssiger Verbindungen fest miteinander zu verbinden. Bei einer stoffschlüssigen Verbindung kann ein erster Körper mit einem zweiten Körper mittels atomarer und/oder molekularer Kräfte, wie beispielsweise chemischer Bindungskräfte und/oder aufgrund elektrostatischer Wechselwirkungen, wie beispielsweise ionischer, kovalenter oder van der Waals Bindungskräfte etc., verbunden werden. Stoffschlüssige Verbindungen können beispielsweise nicht lösbare Verbindungen sein, beispielsweise nicht lösbar ohne Zerstörung und/oder bleibender Beeinflussung der Körper.
  • Zum Herstellen stoffschlüssiger Verbindungen sind beispielsweise Klebstoffe oder Schmelzverbinder, wie beispielsweise Schmelzklebstoff oder Lot, bekannt. Entsprechende stoffschlüssige Verbindungen werden auch als Klebeverbindungen bzw. Lötverbindungen bezeichnet.
  • Beispielsweise sind Klebstoffe bekannt, die in flüssigem, beispielsweise zähflüssigem, Zustand auf die Körper aufgebracht werden und dann gehärtet werden. Der gehärtete Klebstoff ist mit beiden Körpern stoffschlüssig verbunden und verbindet so die beiden Körper miteinander. Beispielsweise sind Klebstoffe auf Silikon-, Epoxy-, Acrylat- oder Hybrid-Basis sowie in Form von Ein-, Zwei-, oder Mehr-Komponenten-Klebstoffen bekannt.
  • Bei Schmelzverbindern wird der entsprechende Verbinder zwischen die zu verbindenden Körper gebracht und dann erwärmt bis er schmilzt oder der Schmelzverbinder wird erst erwärmt bis er schmilzt und in geschmolzenem Zustand zwischen die zu verbindenden Körper gebracht. Anschließend wird der Verbinder abgekühlt und verfestigt, wobei er eine stoffschlüssige Verbindung mit beiden Körpern eingeht und dadurch beide Körper miteinander verbindet.
  • Schmelzverbinder umfassen beispielsweise Schmelzklebstoffe, die häufig auch als Heißklebestoffe, Heißkleber oder Heißleim bezeichnet werden. Beispielsweise wird durch Temperaturerhöhung ein Schmelzen des Schmelzklebstoffs erreicht, was eine Verringerung der Viskosität zur Folge hat, und durch die geringere Viskosität ist eine ausreichende Benetzung der Klebefläche gewährleistet und die Adhäsion zwischen Klebstoff und Klebefläche nimmt zu. Die Schmelzklebstoffe können beispielsweise in warmem und/oder flüssigem Zustand auf zu verklebende Klebeflächen aufgetragen werden. Beim Abkühlen stellen die Schmelzklebstoffe dann die stoffschlüssige Verbindung her. Außerdem entsteht beim Abkühlen der Schmelze eine Kohäsion zwischen Klebstoff und Klebefläche. Diese auch als Hotmelt bekannte Gruppe von Klebstoffen kann auf verschiedenen bekannten chemischen Rohstoffen basieren.
  • Schmelzverbinder umfassen auch Lot. Als Lot bezeichnet man eine Metall-Legierung, die je nach Einsatzzweck Metalle in einem bestimmten Mischungsverhältnis aufweist, beispielsweise Blei, Zinn, Zink, Silber, Gold und Kupfer. Sie dienen dazu, andere Metalle und Legierungen, wie Kupfer, Bronze, Messing, Tombak, Neusilber, Silber, Gold, Hartblei, Zink, Aluminium aber auch Eisen zu verlöten, indem sie sich als Schmelze oberflächlich mit diesen verbinden und/oder legieren und nach Abkühlung erstarren. Diese Legierbarkeit des Lotes mit den metallischen Werkstücken, Materialien, elektronischen Bauelementen, Drähten, Schmuckstücken oder sonstigen Komponenten ist die Voraussetzung für eine dauerhafte, feste stoffschlüssige Lötverbindung. Der Schmelzpunkt des jeweiligen Lotes sollte generell niedriger liegen als der der zu verbindenden Bauelemente.
  • Zum Verkleben von elektronischen Bauelementen, beispielsweise aneinander oder an Bauelementträgern, ist es bekannt, Klebstoffe zu verwenden, die in den Klebstoff eingebettete Partikel aufweisen. Die Partikel dienen dazu, die elektrische und/oder thermische Leitfähigkeit des Klebstoffs zu erhöhen, was dazu beitragen kann, das bzw. die elektronischen Bauelemente elektrisch zu kontaktieren bzw. zu kühlen. Daher werden Partikel verwendet, die Materialien mit einer hohen elektrischen und/oder thermischen Leitfähigkeit aufweisen, beispielsweise Silberpartikel.
  • 1 zeigt beispielsweise eine elektronische Anordnung 10 mit einem elektronischem Bauelement 18 und einem Bauelementträger 14. Das elektronische Bauelement 18 ist über einen Verbinder 12 mit dem Bauelementträger 14 gekoppelt. Der Verbinder 12 weist beispielsweise einen Klebstoff, einen Schmelzklebstoff oder ein Lot auf. Um das elektronische Bauelement 18 mit dem Bauelementträger 14 fest zu verbinden, wird der Verbinder 12 erwärmt. Der Verbinder 12 wird beispielsweise erwärmt, um das Bindematerial 16 zu härten oder um das Bindematerial 16 zu schmelzen, wobei das geschmolzene Bindematerial 16 anschließend abgekühlt und verfestigt werden kann. Das Erwärmen der elektronischen Anordnung 10 kann abhängig von dem verwendeten Bindematerial 16 beispielsweise in einem Konvektionsofen oder einem Reflow-Ofen erfolgen.
  • 2 zeigt die elektronische Anordnung 10 gemäß 1, wobei beispielsweise Temperaturbereiche 20, 22, 24, 26 eingezeichnet sind, wie sie in einem Konvektionsofen entstehen können. In dem Konvektionsofen können beispielsweise Temperaturen bis zu 100°, beispielsweise bis zu 150°, beispielsweise bis zu 200° erzeugt werden. Der Verbinder 12 weist beispielsweise einen Klebstoff auf, der in dem Konvektionsofen gehärtet werden kann. In einem ersten Temperaturbereich 20 ist die Durchschnittstemperatur kleiner als in einem zweiten Temperaturbereich 22. In dem zweiten Temperaturbereich 22 ist die Durchschnittstemperatur kleiner als in einem dritten Temperaturbereich 24. In dem dritten Temperaturbereich 24 ist die Durchschnittstemperatur kleiner als in einem vierten Temperaturbereich 26. Der erste Temperaturbereich 20 liegt innerhalb des zweiten Temperaturbereichs 22. Der zweite Temperaturbereich 22 liegt innerhalb des dritten Temperaturbereichs 24. Der dritte Temperaturbereich 24 liegt innerhalb des vierten Temperaturbereichs 26. Die Temperatur nimmt somit von innen nach außen zu und von außen nach innen ab. Da sich der Verbinder 12 zwischen dem elektronischen Bauelement 18 und dem Bauelementträger 14 befindet, müssen das elektronische Bauelement 18 und der Bauelementträger 14 auf eine Temperatur erhitzt werden, die über der zum Aushärten des Verbinders 12 nötigen Temperatur liegt. Einerseits stellt dies hohe Anforderungen an die verwendeten elektronischen Bauelemente 18 bezüglich ihrer thermischen Belastbarkeit, andererseits wird ein großer Teil der Wärmeenergie dazu verwendet, das elektronische Bauelement 18 und den Bauelementträger 14 zu erwärmen, was zum Härten des Klebstoffs eigentlich nicht nötig wäre und daher nicht besonders energie-effizient ist.
  • 3 zeigt die elektronische Anordnung 10 gemäß 1, wobei beispielsweise die Temperaturbereiche 20, 22, 24, 26 eingezeichnet sind, wie sie in einem Reflow-Ofen entstehen können. In dem Reflow-Ofen können beispielsweise Temperaturen bis zu 200°, beispielsweise bis zu 250°, beispielsweise bis zu 300° erzeugt werden. Der Verbinder 12 weist beispielsweise einen Schmelzverbinder, beispielsweise Lot, auf, der in dem Reflow-Ofen geschmolzen und anschließend abgekühlt und dadurch verfestigt werden kann. In dem ersten Temperaturbereich 20 ist die Durchschnittstemperatur kleiner als in dem zweiten Temperaturbereich 22. In dem zweiten Temperaturbereich 22 ist die Durchschnittstemperatur kleiner als in dem dritten Temperaturbereich 24. In dem dritten Temperaturbereich 24 ist die Durchschnittstemperatur kleiner als in dem vierten Temperaturbereich 26. Der erste Temperaturbereich 20 liegt in 2 über dem zweiten Temperaturbereich 22. Der zweite Temperaturbereich 22 liegt in 2 über dem dritten Temperaturbereich 24. Der dritte Temperaturbereich 24 liegt in 2 über dem vierten Temperaturbereich 26. Die Temperatur nimmt in 2 somit von oben nach unten zu und von unten nach oben ab. Da sich der Verbinder 12 zwischen dem elektronischen Bauelement 18 und dem Bauelementträger 14 befindet, muss zumindest der Bauelementträger 14 auf eine Temperatur erhitzt werden, die über der Schmelztemperatur des Schmelzverbinders liegt. Einerseits stellt dies hohe Anforderungen an den verwendeten Bauelementträger bezüglich seiner thermischen Belastbarkeit oder an die thermischen Belastbarkeit anderer Elemente, die auf dem Bauelementträger angeordnet sind, andererseits wird ein großer Teil der Wärmeenergie dazu verwendet, den Bauelementträger 14 zu erwärmen, was zum Schmelzen des Schmelzverbinders eigentlich nicht nötig wäre und daher nicht besonders energie-effizient ist.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verbinder bereitgestellt, der auf einfache und effektive Weise ein Verbinden zweier Körper ermöglicht. Ferner wird in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Verbinder bereitgestellt, der ein für die zu verbindenden Körper schonendes und/oder energie-effizientes Verbinden ermöglicht.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Verbinden zweier Körper bereitgestellt, das ein für die zu verbindenden Körper schonendes und/oder energie-effizientes Verbinden ermöglicht.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine elektronische Anordnung bereitgestellt, bei der ein elektronisches Bauelement mit einem anderen elektronischen Bauelement und/oder einem Bauelementträger auf einfache, energie-effiziente und/oder schonende Art und Weise verbunden ist.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verbinder zum Verbinden zweier Körper bereitgestellt. Der Verbinder weist ein Bindematerial und ein Heizmaterial auf. Das Heizmaterial weist ein ferromagnetisches Material auf und ist zum Erwärmen des Bindematerials in dem Bindematerial eingebettet.
  • Das Bindematerial ist beispielsweise so ausgebildet, dass es bei Erwärmung aushärtet und eine stoffschlüssige Verbindung mit einem Körper eingeht, mit dem es in direktem körperlichen Kontakt ist. Alternativ dazu kann das Bindematerial so ausgebildet sein, dass es bei Erwärmung in einen flüssigen Zustand übergeht und bei Abkühlung in einen festen Zustand übergeht und beim Übergang in den festen Zustand eine stoffschlüssige Verbindung mit einem Körper eingeht, mit dem es in direktem körperlichen Kontakt ist. Das Heizmaterial kann mit Hilfe eines magnetischen Wechselfeldes induktiv erwärmt oder erhitzt werden. Das ferromagnetische Material trägt dazu bei, dass das induktive Erwärmen besonders energie-effizient ist. Die Energie-Effizienz kann weiter erhöht werden, wenn das ferromagnetische Material ein relativ schlechter elektrischer Leiter ist. Das ferromagnetische Material des Heizmaterials weist beispielsweise Nickel, Eisen oder Kobalt auf. Das Bindematerial kann mit Hilfe des erwärmten Heizmaterials derart erwärmt oder erhitzt werden, dass es aushärtet oder flüssig wird. Ist das Bindematerial in flüssigem Zustand zwischen den beiden Körpern eingebracht, so kann es durch Aushärten oder Abkühlen und einem damit verbundenen Verfestigen des Bindematerials stoffschlüssige Verbindungen mit beiden zu verbindenden Körpern eingehen und so die beiden Körper fest miteinander verbinden. Aufgrund der induktiven Erwärmung des Heizmaterials des Verbinders entsteht die Wärme bzw. Hitze im Wesentlichen in dem Verbinder selbst und die beiden Körper werden nur geringfügig erwärmt. Dadurch ist das Aushärten bzw. Schmelzen des Bindematerials sehr energie-effizient und die Körper werden geschont. Beispielsweise kann der Verbinder dazu verwendet werden, einen temperaturempfindlichen Körper an einem anderen Körper zu befestigen. Beispielsweise kann der Verbinder dazu verwendet werden, temperaturempfindliche elektronische Bauelemente an anderen Bauelementen und/oder Bauelementträgern festzulegen. Alternativ oder zusätzlich kann der Verbinder dazu verwendet werden, elektronische Bauelemente an temperaturempfindlichen Bauelementträgern und/oder an Bauelementträgern mit temperaturempfindlichen Bauelementen zu befestigen.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das Heizmaterial Heizpartikel auf, die in das Bindematerial eingebettet sind. Beispielsweise weisen die Heizpartikel das ferromagnetische Material auf. Das Ausbilden des Heizmaterials als Heizpartikel kann zu einem besonders energie-effizienten Erwärmen des Bindematerials beitragen. Beispielsweise können die Heizpartikel gleichmäßig in dem Bindematerial verteilt sein. Ferner können die Heizpartikel insgesamt eine große Oberfläche aufweisen, was zu einer guten Wärmeübertragung von den Heizpartikeln auf das Bindematerial beitragen kann. Ferner kann die von den Heizpartikeln in alle Raumrichtungen abgestrahlte Wärmeenergie zum Erwärmen des Bindematerials 16 genutzt werden.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen sind die Heizpartikel beschichtet. Die Beschichtung kann dazu beitragen, eine ungewollte, beispielsweise chemische, Wechselwirkung zwischen den Heizpartikeln und dem Bindematerial zu verhindern. Beispielsweise kann die Beschichtung dazu beitragen, eine Korrosion der Heizpartikel aufgrund der Wechselwirkung mit dem Bindematerial zu verringern und/oder zu verhindern.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das Bindematerial einen Klebstoff, beispielsweise einen chemisch härtenden Klebstoff, beispielsweise einen Polyadditionsklebstoff, beispielsweise Epoxidharz, auf.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das Bindematerial einen Schmelzverbinder auf. Beispielsweise weist das Bindematerial Lot, einen Schmelzkleber, Heißkleber, Heißklebstoff oder Heißleim auf.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen ist das Bindematerial nicht magnetisch.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen ist das Bindematerial transparent. Dies ermöglicht beispielsweise, den Verbinder für optoelektronische Bauelemente verwenden zu können. Beispielsweise kann der Verbinder bei einem elektromagnetische Strahlung emittierenden oder absorbierenden Bauelement verwendet werden, um eine feste Verbindung, beispielsweise mit einer Verkapselung, einem Substrat oder einer Abdeckung, im Bereich einer emittierenden bzw. absorbierenden Fläche des entsprechenden Bauelements herzustellen.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Verbinden zweier Körper bereitgestellt, bei dem ein erster Körper über einen Verbinder, beispielsweise den vorstehend erläuterten Verbinder, mit einem zweiten Körper gekoppelt wird. Ein magnetisches Wechselfeld wird im Bereich des Verbinders erzeugt. Das Heizmaterial des Verbinders wird mit Hilfe des magnetischen Wechselfeldes erwärmt. Das Bindematerial wird verfestigt, wobei die beiden Körper über das verfestigte Bindematerial des Verbinders miteinander verbunden werden.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen werden als Körper ein erstes elektronisches Bauelement und ein zweites elektronisches Bauelement und/oder ein Bauelementträger miteinander verbunden. Das elektronische Bauelement ist beispielsweise ein Halbleiter-Bauelement und/oder ein optoelektronisches Bauelement.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird eine elektronische Anordnung mit einem ersten elektronischen Bauelement und mit einem zweiten elektronischen Bauelement bereitgestellt. Die beiden elektronischen Bauelement sind mit einem Verbinder, stoffschlüssig verbunden und sind über den Verbinder miteinander verbunden sind. Der Verbinder weist ein Bindematerial, das stoffschlüssig mit den beiden elektronischen Bauelementen verbunden ist, und ein Heizmaterial auf, das ein ferromagnetisches Material aufweist und das in dem Bindematerial eingebettet ist.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird eine elektronische Anordnung mit einem ersten elektronischen Bauelement und mit einem Bauelementträger bereitgestellt. Die beiden elektronischen Bauelemente sind mit einem Verbinder stoffschlüssig verbunden und sind über den Verbinder miteinander verbunden. Der Verbinder weist ein Bindematerial, das stoffschlüssig mit dem elektronischen Bauelement und dem Bauelementträger verbunden ist, und ein Heizmaterial auf, das ein ferromagnetisches Material aufweist und das in dem Bindematerial eingebettet ist.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine elektronische Anordnung gemäß dem Stand der Technik;
  • 2 die elektronische Anordnung gemäß 1 mit beispielhaften Temperaturbereichen;
  • 3 die elektronische Anordnung gemäß 1 mit beispielhaften Temperaturbereichen;
  • 4 ein Ausführungsbeispiel einer elektronischen Anordnung;
  • 5 eine Detailansicht eines Ausführungsbeispiels einer elektronischen Anordnung gemäß 4;
  • 6 eine Detailansicht eines Ausführungsbeispiels einer elektronischen Anordnung gemäß 4;
  • 7 die elektronische Anordnung gemäß 4 und ein magnetisches Wechselfeld;
  • 8 die elektronische Anordnung gemäß 4 mit beispielhaften Temperaturbereichen;
  • 9 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Verbinden zweier Körper.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
  • Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
  • Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert und/oder welches die Steuerung, Regelung oder Verstärkung eines elektrischen Stromes betrifft, beispielsweise mittels Verwendens von Halbleiterbauelementen. Ein elektronisches Bauelement kann ein Bauelement aus der Gruppe der Bauelemente aufweisen: beispielsweise eine Diode, ein Transistor, ein Thermogenerator, eine integrierte Schaltungen, ein Thyristor.
  • Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem optoelektronischen Bauelement eine Ausführung eines elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren.
  • Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
  • 1 zeigt, wie eingangs näher erläutert, beispielsweise eine bekannte elektronische Anordnung 10 mit einem elektronischem Bauelement 18 und einem Bauelementträger 14. Das elektronische Bauelement 18 ist über einen Verbinder 12 mit dem Bauelementträger 14 gekoppelt. Der Verbinder 12 weist beispielsweise einen Klebstoff, einen Schmelzklebstoff oder ein Lot auf.
  • 2 zeigt, wie eingangs näher erläutert, die elektronische Anordnung 10 gemäß 1, wobei beispielsweise Temperaturbereiche 20, 22, 24, 26 eingezeichnet sind, wie sie in einem Konvektionsofen entstehen können. Der Verbinder 12 weist beispielsweise einen Klebstoff auf, der in dem Konvektionsofen gehärtet werden kann. Die Temperatur nimmt von innen nach außen zu und von außen nach innen ab.
  • 3 zeigt, wie eingangs näher erläutert, die elektronische Anordnung 10 gemäß 1, wobei beispielsweise die Temperaturbereiche 20, 22, 24, 26 eingezeichnet sind, wie sie in einem Reflow-Ofen entstehen können. Der Verbinder 12 weist beispielsweise einen Schmelzverbinder, beispielsweise Lot, auf, der in dem Reflow-Ofen geschmolzen und anschließend abgekühlt und dadurch verfestigt werden kann. Die Temperatur nimmt in 2 somit von oben nach unten zu und von unten nach oben ab.
  • 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer elektronischen Anordnung 10 mit einem elektronischem Bauelement 18 und einem Bauelementträger 14. Das elektronische Bauelement 18 ist über einen Verbinder 12 mit dem Bauelementträger 14 gekoppelt. Der Verbinder 12 weist ein Bindematerial 16, beispielsweise einen Klebstoff oder einen Schmelzverbinder, beispielsweise einen Schmelzklebstoff oder ein Lot, und ein Heizmaterial auf. Das Heizmaterial weist beispielsweise Heizpartikel 30 auf. Beispielsweise weist das Bindematerial 16 einen Klebstoff auf Epoxy-, Silikon-, Acrylat- oder Hybrid-Basis und/oder einen Ein-, Zwei- oder Mehr-Komponenten-Klebstoff auf. Die Heizpartikel 30 weisen ferromagnetisches Material auf oder sind aus diesem gebildet. Die Heizpartikel 30 weisen beispielsweise Eisen, Kobalt oder Nickel auf oder sind daraus gebildet. Ein Gewichtsanteil der Heizpartikel 30 bezogen auf das Gesamtgewicht des Verbinders 12 kann beispielsweise zwischen 1% und 80%, beispielsweise zwischen 2% und 40%, beispielsweise zwischen 3% und 20% sein.
  • Der Bauelementträger 14 weist beispielsweise eine Leiterplatte, beispielsweise eine flexible Leiterplatte oder eine FR4-Leiterplatte, einen Leadframe oder einen Abschnitt eines Leadframes, ein Keramiksubstrat oder ein Halbleitersubstrat, beispielsweise einen Silizium-Chip, auf. Ferner kann der Bauelementträger 14 einen in einen Formwerkstoff eingebetteten Leadframe aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann unter einem Leadframe beispielsweise eine Metallstruktur verstanden werden, die eine oder mehrere Metallabschnitte aufweist, beispielsweise die Metallstücke mittels eines Metallrahmens zusammenhält. In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Leadframe beispielsweise aus einer flächigen Metallplatte gebildet werden, beispielsweise mittels eines chemischen Verfahrens wie beispielsweise Ätzen, oder mittels eines mechanischen Verfahrens wie beispielsweise Stanzen. In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Leadframe beispielsweise einen Metallrahmen aufweisen, der eine Vielzahl von später Elektroden-bildende Metallabschnitte aufweist, die mittels Metallstegen miteinander und mit dem Metallrahmen verbunden sein können. In verschiedenen Ausführungsformen kann ein Leadframe jedoch auch verstanden werden als die aus einem oben beschriebenen Metallrahmen gebildeten Metallabschnitt, welche Elektroden bilden, wobei die Metallabschnitte nicht mehr mittels des Metalls miteinander körperlich verbunden sind, d.h. beispielsweise nachdem die Metallstege schon entfernt worden sind. Somit bilden die Metallabschnitte anschaulich in verschiedenen Ausführungsformen den Leadframe selbst oder stellen vereinzelte Abschnitte des Leadframes dar.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Bauelementträger 14 beispielsweise eine Kapton-Folie (PI), eine Metallfolie oder eine PET-Folie aufweisen oder daraus bestehen. Beispielsweise kann der Bauelementträger 14 eine Stahlfolie, eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES), PEEK, PTFE und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Bauelementträger 14 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen.
  • Der Verbinder 12 und/oder das Bindematerial 16 können beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein. Unter dem Begriff „transluzent“ bzw. „transluzente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise, falls das elektronische Bauelement 18 ein Licht emittierendes Bauelement ist, für das von dem Licht emittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht“ in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann. Unter dem Begriff „transparent“ oder „transparente Schicht“ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Somit ist „transparent“ in verschiedenen Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent“ anzusehen.
  • Beispielsweise können der Verbinder 12 und/oder das Bindematerial 16 transparent oder transluzent ausgebildet sein, falls das elektronische Bauelement 18 als Bottom-Emitter oder als Top- und Bottom-Emitter ausgebildet ist. Als Bottom-Emitter kann beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement verstanden werden, das Licht in Richtung hin zu dem das Licht emittierende Bauelement tragenden Bauelementträger 18 emittiert. Als Top- und Bottom-Emitter kann beispielsweise ein Licht emittierendes Bauelement verstanden werden, das Licht in Richtung hin zu dem das Licht emittierende Bauelement tragenden Bauelementträger 18 und in Richtung weg von dem Bauelementträger 18 emittiert. Falls der Verbinder 12 transparent bzw. transluzent ausgebildet sein soll, so kann, falls das Heizmaterial nicht transparent bzw. transluzent ist, beispielsweise der Gewichtsanteil des Heizmaterials gering gehalten werden. Beispielsweise kann dann der Gewichtsanteil des Heizmaterials bezogen auf das Gesamtgewicht des Verbinders 12 beispielsweise zwischen 1% und 20%, beispielsweise zwischen 2% und 10%, beispielsweise zwischen 3% und 5% sein.
  • 5 zeigt eine Detailansicht eines Ausführungsbeispiels der elektronischen Anordnung 10 gemäß 4. Die Heizpartikel 30 sind beispielsweise jeweils einstückig gebildet und/oder weisen jeweils nur ein Material oder nur eine Materialkombination auf und/oder sind nicht beschichtet.
  • 6 zeigt eine Detailansicht eines Ausführungsbeispiels der elektronischen Anordnung 10 gemäß 4. Die Heizpartikel 30 weisen ferromagnetisches Material auf oder sind aus diesem gebildet. Die Heizpartikel 30 weisen beispielsweise Eisen, Kobalt oder Nickel auf oder sind daraus gebildet. Die Heizpartikel 30 sind beschichtet, was in 6 mit Hilfe der fetten Umrandung der Heizpartikel 30 angedeutet ist. Die Beschichtung weist ein Material auf, das eine Wechselwirkung, beispielsweise eine chemische Wechselwirkung, zwischen dem Bindematerial 16 und den Heizpartikeln 30 verringert oder verhindert. Beispielsweise schützt die Beschichtung die Heizpartikel 30 vor Korrosion. Die Beschichtung kann ein Material aufweisen, das ferromagnetisch oder das nicht ferromagnetisch ist. Beispielsweise weist die Beschichtung Silber oder Gold auf oder ist daraus gebildet.
  • 7 zeigt die elektronische Anordnung 10 gemäß 4 und eine Ausführungsbeispiel eines magnetischen Wechselfeldes B. Das magnetische Wechselfeld B ist beispielsweise hochfrequent und/oder dient dazu, das Heizmaterial, beispielsweise die Heizpartikel 30 induktiv zu erwärmen. Beispielsweise weist das magnetische Wechselfeld B eine Frequenz auf zwischen 10 kHz und 10 MHz, beispielsweise zwischen 20 und 100kHz, beispielsweise zwischen 30 kHz und 50 kHz.
  • Ferromagnetische Materialien lassen sich besonders effektiv induktiv erwärmen. Bringt man ein ferromagnetisches Material, beispielsweise die in dem Bindematerial 16 eingebetteten Heizpartikel 30, in das magnetische Wechselfeld B, so wird in dem ferromagnetischen Material nach dem Transformatorprinzip ein Strom induziert. Dieser vorwiegend in der Oberfläche fließende Wirbelstrom ist kurzgeschlossen und wird aufgrund des Ohm’schen Widerstands des ferromagnetischen Materials direkt in Wärme umgewandelt. Das bedeutet, dass bei Verwendung eines relativ schlechten elektrischen Leiters mit einem relativ hohen Ohm’schen Widerstand bei vorgegebenem Energieeintrag mittels des magnetischen Wechselfeldes relativ viel Wärme erzeugt wird. Somit ist das Verwenden eines relativ schlecht elektrisch leitenden Heizmaterials besonders energie-effizient bei der induktiven Erwärmung des Heizmaterials. Als relativ schlecht elektrisch leitend kann beispielsweise ein Material bezeichnet werden, das eine Leitfähigkeit kleiner 20 × 106 A/(Vm) hat, wie beispielsweise Kobalt oder Nickel. Die Verwendung des ferromagnetischen Materials erhöht weiter die Effizienz der induktiven Erwärmung, da bei dem Anlegen des magnetischen Wechselfelde mit jedem Feldwechsel Ummagnetisierungsverluste auftreten, die zu einer zusätzlichen Erwärmung des ferromagnetischen Materials führen. Die Ummagnetisierungsverluste treten aufgrund bekannter physikalischer Phänomene auf, wie beispielsweise einem Umklappen der Elektronen-Spin, der Veränderung der Weiss-Bezirke und/oder einer Verschiebung der Blochwände. Ferner kann ein Bindematerial 16 mit einer beispielsweise geringen thermischen Leitfähigkeit zum Erwärmen des Verbinders 12 beitragen, da die von den Heizpartikeln 30 erzeugte Wärme schlecht von dem Bindematerial 16 abgeleitet werden kann und weitgehend im Bindematerial verbleibt und diesen erwärmt.
  • Das hochfrequente magnetische Wechselfeld B wird von einem nicht dargestellten Induktor erzeugt, welcher abhängig von der zu erwärmenden Zone, beispielsweise der Position, Dicke und/oder Form des Verbinders 12, angepasst ist, wodurch die elektronische Anordnung 10 partiell erwärmt werden kann, beispielsweise kann im Wesentlichen der Verbinder 12 erwärmt werden. Der Induktor besteht beispielsweise aus einem wassergekühlten Kupferrohr und ist an einen Schwingkreis eines Induktionsgenerators angeschlossen. Auf diese Weise lässt sich im Bereich des Verbinders 12 eine hohe Stromdichte erzeugen, welche an dem ohmschen Widerstand des Heizmaterials eine Spannung verursacht. Strom und Spannung werden an diesem Widerstand in Wärme umgewandelt. Die Tiefe der erwärmten Schicht wird von der Generatorfrequenz bestimmt, wobei hohe Frequenzen zu einer oberflächennahen Erwärmung und tiefe Frequenzen zu einer homogenen Erwärmung beitragen können. Durch die richtige Wahl von Frequenz und Leistung lassen sich im Wesentlichen die Heizpartikel 30 erwärmen. Ferner kann die Frequenz an die Größe und Leitfähigkeit der verwendeten Heizpartikel angepasst werden, um den Heizvorgang zu optimieren.
  • Zur Induktionserwärmung können beispielsweise Frequenzbereiche genutzt werden, welche sich durch die verfahrenstechnische Anwendung und die verwendete Gerätetechnik unterscheiden. Beispielsweise können Hochfrequenzanlagen und/oder Induktionsöfen mit Frequenzen von beispielsweise 10 kHz bis 10 MHz, beispielsweise von 20 bis 100kHz, beispielsweise zwischen 30 kHz und 50 kHz verwendet werden. Das induktive Erwärmen des Heizmaterials bietet im Vergleich zu anderen Verfahren, beispielsweise der mit Bezug zu 2 erläuterten Erwärmung in einem Konvektionsofen oder der mit Bezug zu 3 erläuterten Erwärmung in einem Reflow-Ofen, einen sehr hohen Wirkungsgrad, da die Wärme sehr schnell und im Wesentlichen in dem zu erwärmende Verbinder 12 erzeugt werden kann.
  • 8 zeigt beispielhaft die Temperaturbereiche 20, 22, 24, 26, wie sie beispielsweise bei der elektronischen Anordnung 10 bei induktiver Erwärmung des Heizmaterials des Verbinders 12 auftreten können. Der vierte Temperaturbereich 26, der die höchste Durchschnittstemperatur aufweist liegt innen und im Wesentlichen in dem Verbinder 12. Die Temperatur nimmt nach außen, also in 8 nach oben und nach unten, hin ab, so dass der erste Temperaturbereich 20, der die geringste Durchschnittstemperatur aufweist, an der Oberseite des elektronischen Bauelements 18 und an der Unterseite des Bauelementträgers 14 ausgebildet ist.
  • Die Erwärmung des elektronischen Bauelements 18 und/oder des Bauelementträgers 14 kann beispielsweise eine Folge der Erwärmung des Verbinders 12 sein und/oder aufgrund der thermischen Kopplung des elektronischen Bauelements 18 und/oder des Bauelementträgers 14 mit dem Verbinder 12 entstehen. Alternativ oder zusätzlich kann die Erwärmung des elektronischen Bauelements 18 und/oder des Bauelementträgers 14 beispielsweise aufgrund von Induktionsströmen in dem elektronischen Bauelement 18 bzw. dem Bauelementträger 14 entstehen, was jedoch durch geeignete Wahl des magnetischen Wechselfeldes B gering gehalten werden kann. Ferner kann die Erwärmung des elektronischen Bauelements 18 und/oder des Bauelementträgers 14 beispielsweise aufgrund von Ummagnetisierungsverlusten in dem elektronischen Bauelement 18 bzw. dem Bauelementträger 14 gering gehalten werden durch Verwendung von nicht ferromagnetischen Materialien für das elektronische Bauelement 18 bzw. den Bauelementträger 14. Die Temperaturbereiche 20, 22, 24, 26 können mit Hilfe des magnetischen Wechselfeldes so eingestellt werden, dass die auftretenden Temperaturgradienten verglichen mit den anderen genannten Verfahren relativ gering sind.
  • Die für das Aushärten oder Verflüssigen des Bindematerials 16 nötige Wärme wird somit im Wesentlichen in dem Verbinder 12 selbst erzeugt, also genau dort, wo sie benötigt wird. Die Wärme muss daher nicht über Wärmeleitung und/oder Konvektion hin zu dem Verbinder 12 geleitet werden, beispielsweise über den Bauelementträger 14, das elektronische Bauelement 18 und/oder ein nicht dargestelltes Gehäuse. Außerdem kann ausgehend von den Heizpartikeln 30 die in alle Raumrichtungen abgestrahlte Wärme zum Erwärmen des Bindematerials effektiv genutzt werden.
  • 9 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Verbinden zweier Körper. Beispielsweise dient das Verfahren dazu, das elektronische Bauelement 18 mit Hilfe des Verbinders 12 mit dem Bauelementträger 14 zu verbinden. Alternativ dazu kann das Verfahren dazu genutzt werden, das elektronische Bauelement 18 mit Hilfe des Verbinders 12 mit einem weiteren nicht dargestellten elektronischen Bauelement zu verbinden. Das Verfahren kann beispielsweise zum Stack-Bonding verschiedener Chips aufeinander verwendet werden, beispielsweise zum Befestigen einer LED an einem Silizium-Chip. Ferner können elektronische Bauelemente 18 und/oder Bauelementträger 14 verbunden werden, die temperaturempfindliche Elemente aufweisen. Beispielsweise kann das elektronische Bauelement 18 mit einem Keramik-Submount verbunden werden, das ein temperaturempfindliches Castingmaterial und/oder temperaturempfindliche Linsen aufweist.
  • In einem Schritt S2 werden die beiden Körper, beispielsweise das elektronische Bauelement 18 und der Bauelementträger 14, mittelbar über den Verbinder 12 miteinander verbunden. Beispielsweise kann der Verbinder 12 auf den Bauelementträger 14 aufgebracht werden und das elektronische Bauelement 18 kann auf dem Verbinder 12 angeordnet werden.
  • In einem Schritt S4 wird das magnetische Wechselfeld B an die beiden Körper und den Verbinder 12, beispielsweise an die elektronische Anordnung 10, angelegt. Beispielsweise wird das magnetische Wechselfeld B derart erzeugt und angelegt, dass eine magnetische Flussdichte im Bereich des Verbinders 12 maximal ist.
  • In einem Schritt S6 wird das Heizmaterial des Verbinders 12 mit Hilfe des magnetischen Wechselfeldes B erwärmt.
  • Falls als Bindematerial 16 ein Schmelzverbinder, beispielsweise Lot, verwendet wird, so wird das Heizmaterial derart erwärmt, dass es das Bindematerial 16 derart erwärmt, dass dieses in einem Schritt S8 schmilzt und sich verflüssigt, also in einen flüssigen Zustand übergeht. In einem Schritt S10 kann dann das verflüssigte Bindematerial 16 verfestigt werden, beispielsweise indem die beiden Körper und/oder der Verbinder 12 abgekühlt werden. Der verfestigte Verbinder 12, insbesondere das verfestigte Bindematerial 16 ist dann stoffschlüssig mit beiden Körpern verbunden, welche dann mittelbar über den Verbinder 12 miteinander verbunden sind. Ferner kann bei Verwendung des Schmelzverbinders der Schmelzverbinder in festem Zustand an eine Seite eines Spaltes zwischen den beiden Körpern gebracht werden und dann erwärmt und verflüssigt werden. Der flüssige Schmelzverbinder tritt dann aufgrund der Erdanziehungskraft und/oder aufgrund von Kriecheffekten und/oder Benetzungseffekten zwischen die beiden Körper und kann dann abgekühlt und verfestigt werden.
  • Falls als Bindematerial 16 ein Klebstoff verwendet wird, der zum Eingehen einer stoffschlüssigen Verbindung gehärtet werden soll, so wird das Heizmaterial derart erwärmt, dass es das Bindematerial 16 derart erwärmt, dass das Bindematerial 16 in einem Schritt S10 aushärtet. Auf den Schritt S8 kann dann verzichtet werden.
  • Das Verfestigen des Bindematerials 16 stellt beispielsweise einen Übergang des Bindematerials 16 von formbar zu formstabil dar. Dieser Übergang kann ein Ändern der Viskosität aufweisen, beispielweise ein Erhöhen der Viskosität von einem ersten Viskositätswert auf einen zweiten Viskositätswert. Der zweite Viskositätswert kann um ein Vielfaches größer sein als der erste Viskositätswert sein, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 Pas bis ungefähr 106 Pas. Das Bindematerial 16 kann bei der ersten Viskosität flüssig und/oder formbar sein und bei der zweiten Viskosität formstabil sein. Das Verfestigen des Bindematerials kann einen Prozess aufweisen, bei dem niedermolekulare Bestandteile aus dem Bindematerial 16 entfernt werden, beispielsweise Lösemittelmoleküle oder niedermolekulare, unvernetzte Bestandteile des Bindematerials 16, beispielsweise ein Trocknen, Härten oder chemisches Vernetzen des Bindematerials 16. Das Bindematerial 16 kann im formbaren Zustand eine höhere Konzentration niedermolekularer Stoffe am gesamten Stoff oder Stoffgemisch aufweisen als im formstabilen Zustand.
  • Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können für das Bindematerial 16 alternative oder zusätzliche Materialien als die vorstehend genannten verwendet werden. Beispielsweise können für das Heizmaterial alternative oder zusätzliche ferromagnetische Materialien als die vorstehend genannten verwendet werden. Beispielsweise können für die Beschichtung alternative oder zusätzliche Materialien als die vorstehend genannten verwendet werden. Beispielsweise kann das elektronische Bauelement 18 mit Hilfe des Verbinders 12 mit einem weiteren nicht dargestellten elektronischen Bauelement verbunden werden. Beispielsweise kann der Bauelementträger 14 mit Hilfe des Verbinders 12 mit einem weiteren nicht dargestellten Bauelementträger verbunden werden.
  • Ferner kann das Verfahren zum Verbinden zweier Körper auch dazu verwendet werden, eine elektrische Kontaktierung herzustellen. Beispielsweise kann der Verbinder 12 dazu verwendet werden, einen nicht dargestellten elektrischen Kontakt des elektronischen Bauelements 18 mit einem nicht dargestellten Kontakt des Bauelementträgers 14 elektrisch zu verbinden. In diesem Zusammenhang umfasst der elektrische Kontakt des elektronischen Bauelements 18 beispielsweise einen mit dem elektronischen Bauelement 18 kontaktierten Bonddraht, der Kontakt des Bauelementträgers 14 weist beispielsweise ein Kupferpad und/oder das Bindematerial 16 weist das Lot auf. In anderen Worten kann der Verbinder 12 zum elektrischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements 18 verwendet werden. Ferner kann bei dem Verfahren optional beim Aushärten des Bindematerials 16 ein äußerer Druck ausgeübt werden, beispielsweise kann ein mechanischer Druck auf die zu verbindenden Körper ausgeübt werden und/oder die Körper können unter einer Atmosphäre mit einem gegenüber Normaldruck erhöhtem Druck, beispielsweise in einer Druckkammer, miteinander verbunden werden.
  • Ferner kann das Heizmaterial so gewählt werden, dass es einen hohen thermischen Wärmeleitkoeffizienten aufweist. Der Verbinder 12 kann dann zusätzlich zum Abführen von Wärme aus dem elektronischen Bauelement 18 genutzt werden. Alternativ oder zusätzlich kann dem Verbinder 12 ein weiteres Material zugefügt werden, das im Wesentlichen die Wärmeleitfähigkeit des Verbinders 12 verbessern soll. Das weitere Material kann dann beispielsweise nicht ferromagnetisch sein. Beispielsweise können zusätzlich zu den Heizpartikeln 30 Silberpartikel, beispielsweise Silberflakes, dem Verbinder 12 hinzugefügt, beispielsweise in das Bindematerial 16 eingebettet, werden.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Heizmaterial so gewählt werden, dass es eine gute elektrische Leitfähigkeit aufweist. Der Verbinder 12 kann dann zusätzlich zum elektrischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements 18 genutzt werden. Alternativ oder zusätzlich kann dem Verbinder 12 ein weiteres Material zugefügt werden, das im Wesentlichen die elektrische Leitfähigkeit des Verbinders 12 verbessern soll. Das weitere Material kann dann beispielsweise nicht ferromagnetisch sein. Beispielsweise können zusätzlich zu den Heizpartikeln 30 Silberpartikel, Kupferpartikel und/oder Aluminiumpartikel dem Verbinder 12 hinzugefügt, beispielsweise in das Bindematerial 16 eingebettet, werden.
  • Somit können die thermischen und/oder elektrischen Eigenschaften des Verbinders 12 über Hinzufügen geeigneter Füllstoffe eingestellt werden.

Claims (14)

  1. Verbinder (12) zum Verbinden zweier Körper, aufweisend ein Bindematerial (16) und ein Heizmaterial, das ein ferromagnetisches Material aufweist und das zum Erwärmen des Bindematerials (16) in dem Bindematerial (16) eingebettet ist.
  2. Verbinder (12) nach Anspruch 1, bei dem das Heizmaterial Heizpartikel (30) aufweist, die in das Bindematerial (16) eingebettet sind.
  3. Verbinder (12) nach Anspruch 2, bei dem die Heizpartikel (30) beschichtet sind.
  4. Verbinder (12) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Bindematerial (16) einen chemisch härtenden Klebstoff aufweist.
  5. Verbinder (12) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Bindematerial (16) einen Schmelzverbinder aufweist.
  6. Verbinder (12) nach Anspruch 5, bei dem das Bindematerial (16) ein Lot aufweist.
  7. Verbinder (12) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Bindematerial (16) kein ferromagnetisches Material aufweist.
  8. Verbinder (12) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Bindematerial (16) transparent ist.
  9. Verfahren zum Verbinden zweier Körper, bei dem – ein erster Körper über einen Verbinder (12) nach einem der vorstehenden Ansprüche mit einem zweiten Körper gekoppelt wird, – ein magnetisches Wechselfeld (B) im Bereich des Verbinders (12) erzeugt wird, – das Heizmaterial des Verbinders (16) mit Hilfe des magnetischen Wechselfeldes (B) so erwärmt wird, dass das Bindematerial (16) des Verbinders (16) erwärmt wird, – das Bindematerial (16) verfestigt wird, wobei die beiden Körper über das verfestigte Bindematerial (16) des Verbinders (16) miteinander verbunden werden.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das Bindematerial (16) einen chemisch härtenden Klebstoff aufweist und bei dem das Heizmaterial des Verbinders (16) mit Hilfe des magnetischen Wechselfeldes (B) so erwärmt wird, dass das Bindematerial (16) aushärtet und so verfestigt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das Bindematerial (16) ein Lot aufweist und bei dem das Heizmaterial des Verbinders (16) mit Hilfe des magnetischen Wechselfeldes (B) so erwärmt wird, dass das Bindematerial (16) verflüssigt wird, und bei dem das verflüssigte Bindematerial (16) abgekühlt und so verfestigt wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem als Körper ein erstes elektronisches Bauelement (18) und ein zweites elektronisches Bauelement und/oder ein Bauelementträger (14) miteinander verbunden werden.
  13. Elektronische Anordnung (10) mit einem ersten elektronischen Bauelement (18) und mit einem zweiten elektronischen Bauelement, die beide mit einem Verbinder (12) stoffschlüssig verbunden sind und die über den Verbinder (12) miteinander verbunden sind, wobei der Verbinder (12) ein Bindematerial (16), das stoffschlüssig mit den beiden elektronischen Bauelementen (18) verbunden ist, und ein Heizmaterial aufweist, das ein ferromagnetisches Material aufweist und das in dem Bindematerial (16) eingebettet ist.
  14. Elektronische Anordnung (10) mit einem ersten elektronischen Bauelement (18) und mit einem Bauelementträger (14), die beide mit einem Verbinder (12) stoffschlüssig verbunden sind und die über den Verbinder (12) miteinander verbunden sind, wobei der Verbinder (12) ein Bindematerial (16), das stoffschlüssig mit dem elektronischen Bauelement (18) und dem Bauelementträger (14) verbunden ist, und ein Heizmaterial aufweist, das ein ferromagnetisches Material aufweist und das in dem Bindematerial (16) eingebettet ist.
DE102012209513A 2012-06-06 2012-06-06 Verbinder, Verfahren zum Verbinden zweier Körper und elektronische Anordnung Withdrawn DE102012209513A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012209513A DE102012209513A1 (de) 2012-06-06 2012-06-06 Verbinder, Verfahren zum Verbinden zweier Körper und elektronische Anordnung
PCT/EP2013/061572 WO2013182591A2 (de) 2012-06-06 2013-06-05 Verbinder, verfahren zum verbinden zweier körper und elektronische anordnung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012209513A DE102012209513A1 (de) 2012-06-06 2012-06-06 Verbinder, Verfahren zum Verbinden zweier Körper und elektronische Anordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102012209513A1 true DE102012209513A1 (de) 2013-12-12

Family

ID=48613596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102012209513A Withdrawn DE102012209513A1 (de) 2012-06-06 2012-06-06 Verbinder, Verfahren zum Verbinden zweier Körper und elektronische Anordnung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102012209513A1 (de)
WO (1) WO2013182591A2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015004003B3 (de) * 2014-04-01 2015-09-03 Volkmar Stark Verfahren zur Erhaltung der magnetischen Feldstärke von permanentmagnetischen Dipolen und Vorrichtung zur Erhaltung der magnetischen Feldstärke von permanentmagnetischen Dipolen sowie Antrieb und Getriebe
WO2021239443A1 (de) * 2020-05-29 2021-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement
DE102021118151A1 (de) 2021-07-14 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9508680B1 (en) 2015-06-17 2016-11-29 Globalfoundries Inc. Induction heating for underfill removal and chip rework
US10720371B2 (en) * 2016-04-01 2020-07-21 Intel Corporation Extended temperature operation for electronic systems using induction heating
EP3547352B1 (de) * 2018-03-27 2020-09-30 Infineon Technologies AG Verfahren zum verbinden zweier verbindungselemente

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002012409A1 (de) * 2000-08-03 2002-02-14 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Verfahren zur beschleunigten klebstoffaushärtung
DE102008041262A1 (de) * 2007-10-26 2009-04-30 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung einer optischen Anordnung mittels eines selektiv erwärmbaren Klebers sowie entsprechend hergestellte Anordnung
DE102009046256A1 (de) * 2009-10-30 2011-05-12 Tesa Se Verfahren zum Verkleben von hitzeaktiviert verklebbaren Flächenelementen
DE102009046263A1 (de) * 2009-10-30 2011-05-12 Tesa Se Verfahren zum Verkleben von hitzeaktiviert verklebbaren dünnen Flächenelementen

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1237970A (en) * 1982-08-11 1988-06-14 Charles R. Morgan Heat activatable adhesive or sealant compositions containing encapsulants and process therefor
US6854986B2 (en) * 2002-05-02 2005-02-15 Paricon Technologies Corporation Very high bandwidth electrical interconnect
US6733613B2 (en) * 2002-07-25 2004-05-11 S. Kumar Khanna Method for curing an anisotropic conductive compound
JP2004288946A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Casio Comput Co Ltd 電子部品の実装方法
JP4114074B2 (ja) * 2003-10-10 2008-07-09 信越化学工業株式会社 導電性粉体及びその製造方法
US7315081B2 (en) * 2003-10-24 2008-01-01 International Rectifier Corporation Semiconductor device package utilizing proud interconnect material
US20050274454A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Extrand Charles W Magneto-active adhesive systems
JP2008112955A (ja) * 2006-10-06 2008-05-15 Toyota Industries Corp 半導体装置、金属接合材料、半田付け方法及び電子機器の製造方法
US20120249375A1 (en) * 2008-05-23 2012-10-04 Nokia Corporation Magnetically controlled polymer nanocomposite material and methods for applying and curing same, and nanomagnetic composite for RF applications
US7906376B2 (en) * 2008-06-30 2011-03-15 Intel Corporation Magnetic particle-based composite materials for semiconductor packages
US20110210283A1 (en) * 2010-02-24 2011-09-01 Ainissa G. Ramirez Low melting temperature alloys with magnetic dispersions

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002012409A1 (de) * 2000-08-03 2002-02-14 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Verfahren zur beschleunigten klebstoffaushärtung
DE102008041262A1 (de) * 2007-10-26 2009-04-30 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung einer optischen Anordnung mittels eines selektiv erwärmbaren Klebers sowie entsprechend hergestellte Anordnung
DE102009046256A1 (de) * 2009-10-30 2011-05-12 Tesa Se Verfahren zum Verkleben von hitzeaktiviert verklebbaren Flächenelementen
DE102009046263A1 (de) * 2009-10-30 2011-05-12 Tesa Se Verfahren zum Verkleben von hitzeaktiviert verklebbaren dünnen Flächenelementen

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015004003B3 (de) * 2014-04-01 2015-09-03 Volkmar Stark Verfahren zur Erhaltung der magnetischen Feldstärke von permanentmagnetischen Dipolen und Vorrichtung zur Erhaltung der magnetischen Feldstärke von permanentmagnetischen Dipolen sowie Antrieb und Getriebe
WO2021239443A1 (de) * 2020-05-29 2021-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement
DE102021118151A1 (de) 2021-07-14 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013182591A3 (de) 2014-03-27
WO2013182591A2 (de) 2013-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012209513A1 (de) Verbinder, Verfahren zum Verbinden zweier Körper und elektronische Anordnung
DE102009046256A1 (de) Verfahren zum Verkleben von hitzeaktiviert verklebbaren Flächenelementen
DE102015213495A1 (de) Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE102014206608A1 (de) Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube
EP2440025B1 (de) Abdeckeinrichtung für ein organisches Substrat, Substrat mit einer Abdeckeinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Abdeckeinrichtung
DE102010024523B4 (de) Mehrschichtiges Folienelement
DE102010050342A1 (de) Laminat mit integriertem elektronischen Bauteil
WO2014095066A1 (de) Verfahren zur montage eines diodenlasermoduls
DE102014210654A1 (de) Verfahren zum Aufbringen eines SMD-Halbleiterlichtquellenbauteilsauf eine Leiterplatte
WO2016150913A1 (de) Optoelektronische baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe
EP0897654A1 (de) Verfahren zur herstellung elektrisch leitender verbindungen zwischen zwei oder mehr leiterstrukturen
DE102012207772A1 (de) Varistorpaste, elektronische bauelementevorrichtung, verfahren zum herstellen einer elektronischen bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen eines geometrisch flexiblen varistors
DE202015006897U1 (de) Halbleitermodul und Leistungsanordnung
EP2493994B1 (de) Verfahren zum verkleben von hitzeaktiviert verklebbaren dünnen flächenelementen
EP3864709B1 (de) Verfahren zum herstellen einer lichtemittierenden vorrichtung
WO2021105028A1 (de) Leistungsmodul mit gehäusten leistungshalbleitern zur steuerbaren elektrischen leistungsversorgung eines verbrauchers sowie verfahren zur herstellung
WO2017130754A1 (ja) 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
DE102009033650A1 (de) Verfahren und Verbindung eines elektronischen Bauteils mit einer Leiterplatte
EP2548931B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Klebverbindung mit einem hitzeaktivierbaren Kleber mittels Induktionserwärmung
DE102012010560B4 (de) Transponder, Verfahren zur Herstellung eines Transponders und Vorrichtungzum Herstellen des Transponders
DE102018201585A1 (de) Elektronische vorrichtung
EP3503694B1 (de) Verfahren zum herstellen einer wärmeleitenden verbindung zwischen einem leistungsbauteil und einer metallischen schicht eines schaltungsträgers
EP2130419A1 (de) Verfahren zum bestücken eines kontaktierungselementes mit einem elektrischen bauelement sowie ein kontaktierungselement mit einem elektrischen bauelement
WO2024056458A1 (de) Verfahren zum montieren eines leistungsmoduls mit einem kühlkörper
KR102514158B1 (ko) 전자 부품, 접속체, 접속체의 제조 방법 및 전자 부품의 접속 방법

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R082 Change of representative

Representative=s name: WILHELM & BECK, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: WILHELM & BECK, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee