JP2008112955A - 半導体装置、金属接合材料、半田付け方法及び電子機器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で半田付けする際に好適な金属接合材料を提供する。
【解決手段】金属接合材料１１は、半田付け温度で溶融可能な接合金属１２と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属１３とが混合されて構成されている。接合金属１２は、シート状又はテープ状（リボン状）に形成され、位置決め金属１３は、複数の粒として形成されている。粒の形状は球体、立方体、多面体等、平面上に載置された際に載置状態に拘わらず高さがほぼ一定となる形状が好ましい。位置決め金属１３には、強磁性材が使用され、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも１つの金属が使用されている。接合金属１２には、半田やろう材を使用することができ、半田は鉛半田及び鉛フリー半田のいずれであってもよい。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、金属接合材料、半田付け方法及び電子機器の製造方法に係り、詳しくは製造時における誘導加熱での半田付けに特徴を有する半導体装置、その半田付けに好適な金属接合材料、半田付け方法及び電子機器の製造方法に関する。

従来から、金属部材とセラミックス部材や、基板と電子部品とを接合する方法として、高周波誘導加熱を用いる方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１には、複数の熱電素子と基板とを接合して熱電変換モジュールを製作する接合装置が提案されている。この接合装置は、図１２（ａ）に示すように、台５１と、基板５２に一端面を接し同基板５２を加圧する加圧治具（錘）５３と、同加圧治具５３の周りに設けられる高周波加熱コイル５４とを備える。そして、台５１上に順次カーボンシート５５、熱電素子５６、基板５２を配置するとともに、加圧治具５３により基板５２を加圧した状態で誘導加熱（高周波加熱）により加圧治具５３を加熱する。すると、加圧治具５３の熱が基板５２に伝わり、熱電素子５６が基板５２に接合される。また、接合対象間に半田やロウ材を配置しておけば半田付けやロウ付けが行える。

また、リフロー半田付け法によるチップ部品をプリント基板に実装する場合において、クリーム半田に、表面に半田濡れ性を有しリフロー半田付け時の熱によって溶融しないスペーサ球体（好ましくは樹脂コア半田ボール）を含ませて、チップ部品をプリント基板に実装する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。半田付け後のチップ部品と基板面との間隔を端子パッドの厚み分（例えば、２５μｍ）より大きくするため、スペーサ球は直径が、例えば２００μｍ程度に形成される。この実装方法を行うことにより、リフロー半田付け法によってチップ部品をプリント基板に実装する場合において、半田付け後の特にチップ部品と基板面との間に存在するフラックスを容易に除去することが可能になる。

また、セラミック基板に接合材を介して金属部材を接合した複合基板において、接合材の内部に該接合材よりも高融点の内蔵金属部材が内蔵された複合基板が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。この複合基板は、図１２（ｂ）に示すように、セラミック基板６１と金属部材６２とが接合材６３を介して接合され、接合材６３の内部にはセラミック基板６１及び金属部材６２にそれぞれ接触するように内蔵金属部材６４が設けられている。図１２（ｃ），（ｄ）に示すように、内蔵金属部材６４は金属線を略円形あるいは四角形に屈曲して形成されている。そして、複合基板を製造する際は、セラミック基板６１と金属部材６２で接合材６３と内蔵金属部材６４を挟持する状態にし、金属部材６２の上に重しをのせるなどして、接合面に垂直な方向に加圧しながら接合材６３の溶融温度以上の還元雰囲気で加熱処理して接合する。
実開平５−１３６６０号公報。 特開２００５−３５３９６２号公報 特開２００４−３５６３０９号公報

ところが、特許文献１に記載の方法のように錘（加圧治具）を加熱して、錘から接合対象に熱を伝える方法では、熱容量が相応にある錘を加熱するため、必要なエネルギーが多く、時間が掛かる。また、図１３に示すように、基板７１に形成された導体パターン７２上に半導体チップ（半導体素子）７３を半田付けする場合、半導体チップ７３あるいは錘と溶けた半田７４の表面張力とのバランスにより、溶けた半田７４上で半導体チップ７３が傾く虞がある。このような現象が生じると、大型の基板にベアチップ等の電子部品を半田付けで複数実装した後、ワイヤボンディングで配線を行って各電子部品間及び電子部品と配線との間を接続すると、ワイヤボンディングに支障を来す場合がある。

また、特許文献２には、半田ペーストにリフロー半田時の熱によって溶融しないスペーサ球を含ませることは開示されている。しかし、スペーサ球を含ませる目的は、半田付け後、チップ部品と基板面との間に存在するフラックスを容易に除去可能とすることであり、スペーサ球を半田の加熱に利用することに関しては何ら記載がない。

また、特許文献３の方法は、接合材６３として特に半田を対象にしたものではなく、特許文献１と同様に、内蔵金属部材６４の誘導加熱を利用して半田を溶融させることに関しては何ら記載されておらず、電子部品を誘導加熱で効率良く半田付けすることはできない。

本発明は前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、回路基板上の接合部に半導体素子が半田付けされた半導体装置を提供することと、回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で半田付けする際に好適な金属接合材料を提供することにある。また、別の目的は、回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で効率良く半田付けすることができる半田付け方法及び電子機器の製造方法を提供することにある。

前記の目的を達成するため請求項１に記載の発明は、半導体素子と回路基板とを備える半導体装置であって、前記回路基板上の接合部と前記半導体素子との間に接合金属層を備え、前記接合金属層は半田付け温度で溶融可能な接合金属と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属とを含む。この発明の半導体装置は、半導体素子を回路基板上の接合部（パッド）に接合している接合金属層が半田付け温度で溶融可能な接合金属のみから構成されるのではなく、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属を含んでいる。そのため、半導体装置の製造工程において、回路基板上の接合部に半導体素子を接合する際、誘導加熱で効率良く半田付けすることができる。また、溶融状態の接合金属上で半導体素子が後工程に支障を来す状態となるまで傾いて接合されることが回避される。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記位置決め金属は、環状に形成されている。この発明の半導体装置は、半導体装置の製造工程において、位置決め金属が粒状の場合に比較して、誘導加熱が効率良く行われる。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記位置決め金属は、温度計測部を備えている。半導体装置の製造工程において、位置決め金属を誘導加熱で加熱して接合金属を溶融させる場合、加熱時の温度により接合金属層におけるボイドの発生状態が異なる。この発明の半導体装置は、位置決め金属が温度計測部を備えているため、半導体装置の製造工程において、位置決め金属の温度を測定することにより、最適の温度条件で接合金属を溶融させることができる。

請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記位置決め金属は、複数の粒として形成されている。位置決め金属の使用重量が同じ場合、位置決め金属を線材に加工して使用する場合に比較して、位置決め金属と接合金属との接触面積が大きくなる。

請求項５に記載の発明は、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発明において、前記位置決め金属として、強磁性材が使用されている。この発明では、半導体装置の製造工程において、位置決め金属が高周波誘導加熱で効率良く加熱される。

請求項６に記載の発明は、半田付け温度で溶融可能な接合金属と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属とが混合されている。ここで、「混合されている」とは、接合金属と位置決め金属とが合金を形成せずに位置決め金属が接合金属に埋設された状態や、接合金属の粒がフラックスで練られたペースト中に位置決め金属の粒等が存在している状態を意味する。

この発明の金属接合材料を半田付けの半田として使用する場合、回路基板に設けられた接合部（パッド）上に金属接合材料を介して電子部品を配置し、高周波誘導加熱を行う。すると、位置決め金属が誘導加熱で発熱してその熱で接合金属が溶融する。接合金属が溶融しても位置決め金属は溶融しないため、溶融状態の半田上で電子部品が後工程に支障を来す状態となるまで傾いて半田付けされることが回避される。したがって、この発明の金属接合材料は、回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で半田付けする際に好適である。

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記位置決め金属として、強磁性材が使用されている。この発明では、位置決め金属が高周波誘導加熱で効率良く加熱される。

請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記強磁性材として、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）及びコバルト（Ｃｏ）の少なくとも１つの金属が使用されている。この発明では、効率良く加熱される位置決め金属を入手し易い。また、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｏの熱伝導率は、一般の鉛半田の主成分である錫（Ｓｎ）及び鉛（Ｐｂ）の熱伝導率より大幅に大きいため、半田付けが完了した後、半田層の熱抵抗が低くなる。

請求項９に記載の発明は、請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の発明において、前記位置決め金属は、複数の粒として形成されている。ここで、「粒」とは、球体、立方体等、平面上に載置された際に載置状態に拘わらず高さがほぼ一定のものを意味する。この発明では、位置決め金属の使用重量が同じ場合、位置決め金属を線材に加工して使用する場合に比較して、位置決め金属と接合金属との接触面積が大きくなる。

請求項１０に記載の発明は、請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の発明において、前記位置決め金属は、環状に形成されている。この発明では、接合金属の使用重量が同じ場合、位置決め金属を直線状の線材に加工して使用する場合に比較して、位置決め金属を接合金属中の適正な位置に配置し易い。「適正な位置」とは、半田付けに使用された際、誘導加熱された位置決め金属の熱を接合金属に伝え易く、半田付けされる電子部品の傾きを抑制し易い位置を意味する。

請求項１１に記載の発明は、請求項９又は請求項１０に記載の発明において、前記接合金属は、シート状又はテープ状に形成され、前記位置決め金属は、一層で半田付け後の半田層の厚さを規定する高さに形成されている。ここで、「一層で」とは、粒状や環状の位置決め金属が接合金属の厚さ方向に複数存在しないことを意味する。この発明では、位置決め金属が接合金属の厚さ方向に複数存在する場合に比較して金属接合材料の製造が容易になる。

請求項１２に記載の発明は、回路基板上に設けられた接合部に電子部品を半田付けする半田付け方法である。そして、前記接合部上に請求項６〜請求項１１のいずれか一項に記載の金属接合材料を介して電子部品を配置するとともに、前記金属接合材料を磁束が通過するように高周波誘導加熱を行って前記金属接合材料の接合金属を溶融させて前記接合部と前記電子部品との半田付けを行う。この発明では、加圧治具を誘導加熱で加熱して、その熱を半田に伝達して半田付けを行う半田付け方法に比較して、半田が効率良く加熱溶融し、かつ溶融状態の半田上で電子部品が後工程に支障を来す状態となるまで傾いて半田付けされることが回避される。したがって、回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で効率良く半田付けすることができる。

請求項１３に記載の発明は、回路基板上に設けられた接合部に半導体素子を半田付けする半田付け方法である。そして、前記回路基板上に環状でかつ誘導加熱可能な位置決め金属を配置し、前記位置決め金属の内側に半田付け温度で溶融可能な接合金属を、溶融した際に一部が前記位置決め金属の外側に流れ出す状態に配置し、前記接合金属の上に半導体素子を載置した状態で、高周波誘導加熱を行って前記接合金属を溶融させて前記接合部と前記半導体素子との半田付けを行う。この発明では、接合金属は、環状の位置決め金属の内側において溶融され、溶融した状態で一部が位置決め金属の外側に流れ出し、半導体素子と接合部とを接合する。したがって、シート状の半田を接合部と半導体素子との間に配置して、半田が周囲から溶融される場合に比較して、接合金属層にボイド部が発生し難い。また、位置決め金属が粒状の場合に比較して、誘導加熱が効率良く行われる。

請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の発明において、前記位置決め金属には温度計測部が設けられ、前記位置決め金属の温度計測を行って予め設定された温度変化となるように前記高周波誘導加熱を行う。電子部品としての半導体素子の半田付けを行う場合、位置決め金属を誘導加熱で加熱して接合金属（半田）を溶融させる場合、加熱時の温度により接合金属層におけるボイドの発生状態が異なる。この発明では、位置決め金属が温度計測部を備えているため、電子部品の半田付けにおいて、位置決め金属の温度を測定することにより、最適の温度条件で接合金属を溶融させることができる。

請求項１５に記載の発明の電子機器の製造方法では、請求項１２〜請求項１４のいずれか一項に記載の半田付け方法を半田付け工程に使用する。この発明では、回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で効率良く半田付けすることができる。

請求項１〜請求項５に記載の発明によれば、半導体装置の製造工程において、回路基板上の接合部に半導体素子を接合する際、誘導加熱で効率良く半田付けすることができる。また、溶融状態の接合金属上で半導体素子が後工程に支障を来す状態となるまで傾いて接合されることが回避される。請求項６〜請求項１１に記載の発明によれば、回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で半田付けする際に好適な金属接合材料を提供することができる。また、請求項１２〜請求項１５に記載の発明によれば、回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で効率良く半田付けすることができる。

（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図１〜図４にしたがって説明する。
図１に示すように、金属接合材料１１は、半田付け温度で溶融可能な接合金属１２と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属１３とが混合されて構成されている。接合金属１２は、シート状又はテープ状（リボン状）に形成され、位置決め金属１３は、複数の粒として形成されている。粒の形状は球体、立方体、多面体等、平面上に載置された際に載置状態に拘わらず高さがほぼ一定となる形状が好ましい。図では、位置決め金属１３は球体として表している。

位置決め金属１３は、一層で半田付け後の半田層の厚さを規定する高さ、具体的には半田付けを行う際に溶融状態の半田上で電子部品が後工程に支障を来す状態となるまで傾いて半田付けされることが回避される高さ（粒径）に形成されている。粒径は、半田付けに必要な半田層の厚さにもよるが、例えば、半田層の厚さが１００μｍ程度の場合、５０〜１００μｍが好ましく、粒径が接合金属１２の厚さとほぼ同じに形成され、各位置決め金属１３が接合金属１２に完全に埋設された状態に形成されているのがより好ましい。粒が立方体の場合には、粒径は平行な二面の距離を意味する。金属接合材料１１に占める位置決め金属１３の割合は、５〜６０％が望ましい。

位置決め金属１３は、誘導加熱可能な金属であればよく、この実施形態では強磁性材が位置決め金属１３に使用されている。強磁性材として、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）及びコバルト（Ｃｏ）の少なくとも１つの金属が使用されている。即ち、位置決め金属１３として、Ｎｉで形成されたもののみ、Ｆｅで形成されたもののみ、あるいはＣｏで形成されたもののみが接合金属１２に混合されていてもよい。また、Ｎｉで形成されたものとＦｅで形成されたもの、Ｆｅで形成されたものとＣｏで形成されたもの、あるいはＣｏで形成されたものとＦｅで形成されたものの２種類が混合されていても、Ｎｉで形成されたもの、Ｆｅで形成されたもの及びＣｏで形成されたものの３種類が混合されていてもよい。

接合金属１２は、半田付け温度で溶融可能な金属であればよく、例えば、半田やろう材を使用することができる。半田は鉛半田及び鉛フリー半田のいずれであってもよい。
金属接合材料１１は、粒状の位置決め金属１３を準備し、シート半田やリボン半田を製造する際に粒状の位置決め金属１３を半田材料に混合することで製造される。

次に電子機器の部品となる半導体モジュールの製造方法の一工程である半導体素子の半田付けに、前記の金属接合材料１１を使用して行う半田付け方法について説明する。
図２（ａ），（ｂ）に示すように、半導体装置としての半導体モジュール２０は、回路基板２１と、回路基板２１上に半田付けにより接合された電子部品としての複数の半導体素子２２とを備えている。回路基板２１は、表面に金属回路２３を有する絶縁体としてのセラミック基板２４が金属製のヒートシンク２５と金属板２６を介して一体化された冷却回路基板（ヒートシンク付き基板）である。ヒートシンク２５は冷却媒体が流れる冷媒流路２５ａを備えている。金属板２６は、セラミック基板２４とヒートシンク２５とを接合する接合層として機能し、例えば、アルミニウムや銅等で形成されている。

金属回路２３は、例えば、アルミニウムや銅等で形成されている。セラミック基板２４は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等により形成されている。半導体素子２２は、金属回路２３に接合（半田付け）されている。即ち、金属回路２３は半導体素子２２を回路基板２１上に接合するための接合部を構成する。図２（ａ）における符号「Ｈ」は、半田層を示している。半導体素子２２としては、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor ）やダイオードが用いられている。

図３に示すように、半導体モジュール２０の製造に使用する半田付け装置ＨＫは、密閉可能な容器（チャンバ）２７を備え、当該容器２７は開口部２８ａを有する箱型の本体２８と、当該本体２８の開口部２８ａを開放及び閉鎖する蓋体２９とから構成されている。本体２８には、半導体モジュール２０を位置決めして支持する支持台３０が設置されている。また、本体２８には、蓋体２９の装着部位にパッキン３１が配設されている。

蓋体２９は、本体２８の開口部２８ａを閉鎖可能な大きさで形成されており、本体２８に蓋体２９を装着することにより容器２７内には密閉空間Ｓが形成されるようになっている。また、蓋体２９において、密閉空間Ｓと対向する部位は、磁力線（磁束）を通す電気的絶縁材で形成されている。この実施形態では、電気的絶縁材としてガラスが用いられており、蓋体２９にはガラス板３２が組み付けられている。

また、本体２８には、容器２７内に還元性ガス（この実施形態では水素）を供給するための還元ガス供給部３３が接続されている。還元ガス供給部３３は、配管３３ａと、当該配管３３ａの開閉バルブ３３ｂと、水素タンク３３ｃとを備えている。また、本体２８には、容器２７内に不活性ガス（この実施形態では窒素）を供給するための不活性ガス供給部３４が接続されている。不活性ガス供給部３４は、配管３４ａと、当該配管３４ａの開閉バルブ３４ｂと、窒素タンク３４ｃとを備えている。また、本体２８には、容器２７内に充満したガスを外部に排出するためのガス排出部３５が接続されている。ガス排出部３５は、配管３５ａと、当該配管３５ａの開閉バルブ３５ｂと、真空ポンプ３５ｃとを備えている。半田付け装置ＨＫは、還元ガス供給部３３、不活性ガス供給部３４及びガス排出部３５を備えることにより、密閉空間Ｓ内の圧力を調整可能な構成とされており、密閉空間Ｓ内の圧力は、圧力調整によって加圧されたり、減圧されたりする。

また、本体２８には、半田付け後の容器２７内に熱媒体（冷却用ガス）を供給するための供給手段としての熱媒供給部（図示せず）が接続されている。
半田付け装置ＨＫの上部（蓋体２９の上部）には、高周波加熱コイル３６が設置されている。この実施形態の高周波加熱コイル３６は、１枚のセラミック基板２４を覆う大きさに形成されている。高周波加熱コイル３６は、渦巻き状（角形渦巻き状）に形成されており、平面的に展開されている。また、高周波加熱コイル３６は、蓋体２９（ガラス板３２の装着部位）に対向するように配置されている。高周波加熱コイル３６は、半田付け装置ＨＫが備える高周波発生装置３７に電気的に接続されているとともに、容器２７内に設置された温度センサ（図示せず）の計測結果に基づき、高周波発生装置３７の出力が制御されるようになっている。また、高周波加熱コイル３６には、コイル内部に冷却水を通すための冷却路３８が形成されているとともに、半田付け装置ＨＫが備える冷却水タンク３９に接続されている。

次に、前記半田付け装置ＨＫを用いて半導体モジュール２０の製造方法の一工程である半田付け工程において、回路基板２１に対する半導体素子２２の半田付けを行う方法について説明する。なお、この実施形態の半田付け装置ＨＫを用いて半田付けを行うのに先立って、金属回路２３を有するセラミック基板２４をヒートシンク２５と一体化した回路基板２１を予め作製しておく。

半田付けを行う際には、最初に、本体２８から蓋体２９を外し、開口部２８ａを開放する。そして、図３に示すように本体２８の支持台３０上に回路基板２１を置き、位置決めする。次に、回路基板２１のセラミック基板２４上に治具４０を置き、治具４０の各孔４０ａ内において、金属回路２３上に金属接合材料１１を介して半導体素子２２を配置する。

次に蓋体２９を本体２８に取り付け、開口部２８ａを閉鎖して、容器２７内に密閉空間Ｓを形成する。この状態では、高周波加熱コイル３６は、蓋体２９に組み付けられたガラス板３２を挟んで半導体素子２２及び治具４０と対向する状態に配置される。

次に、ガス排出部３５を操作して容器２７内を真空引きするとともに、不活性ガス供給部３４を操作して容器２７内に窒素を供給し、密閉空間Ｓ内を不活性ガスで充満させる。この真空引きと窒素の供給を数回繰り返した後、還元ガス供給部３３を操作して容器２７内に水素を供給し、密閉空間Ｓ内を還元ガス雰囲気とする。

次に、高周波発生装置３７を作動させ、高周波加熱コイル３６に高周波電流を流す。すると、高周波加熱コイル３６には、対応する半導体素子２２及び金属接合材料１１等を通る高周波の磁束が発生する。図４に示すように磁束Ｆは金属接合材料１１を構成する位置決め金属１３も通過する。位置決め金属１３には磁束Ｆの通過によって渦電流が発生する。即ち、高周波加熱コイル３６の磁束Ｆ内に置かれた位置決め金属１３は、電磁誘導作用によって発熱し、その熱が接合金属１２を加熱する。そして、回路基板２１の各接合部上に載置された金属接合材料１１の接合金属１２が、その溶融温度以上の温度に加熱されることにより溶融する。

接合金属１２が溶融すると、溶融した接合金属１２の表面張力と半導体素子２２の重心とのバランスによっては、半導体素子２２が傾こうとする場合がある。しかし、金属接合材料１１には接合金属１２の溶融温度では溶融しない位置決め金属１３が存在するため、半導体素子２２が傾くのを抑制し、仮に傾いても、傾きが小さな状態で半田付けされる。その結果、例えば、後工程においてワイヤボンディングで配線を行って回路基板２１上の各半導体素子２２（電子部品）間及び半導体素子２２と配線との間を接続する際に、ワイヤボンディングに支障を来すことが回避される。

接合金属１２が完全に溶融した後、高周波発生装置３７を停止させる。なお、容器２７内に設置した温度センサ（図示せず）の検出結果に基づき、高周波加熱コイル３６に流れる高周波電流の大きさが制御される。また、容器２７内（密閉空間Ｓ）の圧力は、半田付け作業の進行状況に合わせて加圧及び減圧され、雰囲気調整が行われる。

そして、接合金属１２が完全に溶融した後、冷却用の熱媒供給部を操作して容器２７内に冷却用ガスを供給する。冷却用ガスは、ヒートシンク２５の冷媒流路２５ａの入口又は出口に向かって吹き込まれるとともに、容器２７内に供給された冷却用ガスは、冷媒流路２５ａ及びヒートシンク２５の周囲を流れて、半田付け対象物（半導体モジュール２０）を冷却する。この結果、溶融した接合金属１２（半田）は、溶融温度未満に冷却されることによって凝固し、金属回路２３と半導体素子２２とを接合する。この状態において、半田付けが終了し、半導体モジュール２０が完成する。そして、蓋体２９を本体２８から取り外し、容器２７内から半導体モジュール２０を取り出す。

半導体モジュール２０を構成する半導体素子２２と金属回路２３とを接合する半田層Ｈに位置決め金属１３としてＮｉ、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも１つの金属が使用されている。Ｎｉの熱伝導率は約９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、Ｆｅの熱伝導率は約８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、Ｃｏの熱伝導率は約１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるのに対して、一般的な半田の材料である錫（Ｓｎ）の熱伝導率は約６４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、鉛（Ｐｂ）の熱伝導率は約３５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。したがって、接合金属１２として一般的な鉛半田を使用した場合、位置決め金属１３にＮｉ、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも１つの金属を使用すると、半導体モジュール２０の半田層Ｈ（接合層）の熱伝導率が向上し、半田層Ｈの熱抵抗を下げることができる。

この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）金属接合材料１１は、半田付け温度で溶融可能な接合金属１２と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属１３とが混合されている。したがって、この金属接合材料１１を半田付けの半田として使用するとともに、高周波誘導加熱で金属接合材料１１の加熱を行うと、接合金属１２が効率良く加熱される。また、接合金属１２が溶融しても位置決め金属１３は溶融しないため、溶融状態の半田上で電子部品が後工程に支障を来す状態となるまで傾いて半田付けされることが回避される。即ち、金属接合材料１１は、回路基板２１上に半導体素子２２等の電子部品を誘導加熱で半田付けする際に好適である。

（２）位置決め金属１３として、強磁性材が使用されているため、高周波誘導加熱で位置決め金属１３が効率良く加熱される。
（３）位置決め金属１３として、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）及びコバルト（Ｃｏ）の少なくとも１つの金属が使用されている。したがって、高周波誘導加熱で効率良く加熱される位置決め金属１３を入手し易い。また、接合金属１２として一般的な鉛半田である錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）の合金を使用した場合、位置決め金属１３の材質であるＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏの熱伝導率は、それらの熱伝導率より大幅に大きいため、半田付けが完了した半導体モジュール２０の半田層Ｈの熱抵抗を下げることができる。

（４）位置決め金属１３は、複数の粒（球体、立方体等）として形成されている。したがって、位置決め金属１３の使用重量が同じ場合、位置決め金属１３を線材に加工して使用する場合に比較して、位置決め金属１３と接合金属１２との接触面積が大きくなる。

（５）接合金属１２は、シート状又はテープ状に形成され、位置決め金属１３は、一層で半田付け後の半田層Ｈの厚さを規定する高さに形成されている。したがって、位置決め金属１３が接合金属１２の厚さ方向に複数存在する場合に比較して、金属接合材料１１の製造が容易になる。

（６）接合金属１２をシート状又はテープ状に形成し、位置決め金属１３を立方体に形成するとともにその高さを接合金属１２の厚さとほぼ等しくすると、半田付け完了時に、位置決め金属１３は対向する面が金属回路２３及び半導体素子２２に接触した状態になる。仮に接触した状態にならなくても、位置決め金属１３と金属回路２３及び半導体素子２２との間に存在する接合金属１２の層が薄くなる。したがって、半導体素子２２の熱が金属回路２３に伝達され易くなる。

（７）回路基板２１に設けられた金属回路２３（接合部）上に、前記構成の金属接合材料１１を介して半導体素子２２（電子部品）を配置するとともに、金属接合材料１１を磁束が通過するように高周波誘導加熱を行って金属接合材料１１の接合金属１２を溶融させて金属回路２３と半導体素子２２との半田付けを行う。したがって、加圧治具を誘導加熱で加熱して、その熱を半田に伝達して半田付けを行う半田付け方法に比較して、半田が効率良く加熱溶融し、かつ溶融状態の半田上で半導体素子２２が後工程に支障を来す状態となるまで傾いて半田付けされることが回避される。即ち、回路基板２１上に半導体素子２２等の電子部品を誘導加熱で効率良く半田付けすることができる。

（８）電子機器の部品となる半導体モジュール２０の製造方法の一工程である半導体素子の半田付けに前記構成の金属接合材料１１を使用するとともに、前記の方法で半田付けを行っている。したがって、電子機器の製造方法において、回路基板２１上に半導体素子２２等の電子部品を誘導加熱で効率良く半田付けすることができる。

（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した第２の実施形態を図５を参照しながら説明する。なお、第２の実施形態は、半田付けを行う際に、半導体素子２２の上に錘を載置する点が異なりその他の構成は第１の実施形態と基本的に同様であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。

図５に示すように、半田付け装置ＨＫの容器２７の本体２８は、錘４１を半導体素子２２上に載置した状態において蓋体２９が錘４１と干渉しないように、壁２８ｂの高さが前記第１の実施形態の場合より高く形成されている。錘４１は、誘導加熱され難い材質で形成されている。例えば、錘４１の材質としては、絶縁材やアルミニウム等の非磁性材が使用される。

この実施形態では、半田付けを行う場合、先ず第１の実施形態と同様に、本体２８から蓋体２９を外して開口部２８ａを開放し、本体２８の支持台３０に回路基板２１を置いて位置決めする。次に、回路基板２１のセラミック基板２４上に治具４０を置き、治具４０の各孔４０ａ内に金属接合材料１１と半導体素子２２を配置し、さらに半導体素子２２の上に錘４１を載置する。その後、蓋体２９を本体２８に取り付け、開口部２８ａを閉鎖した後、第１の実施形態と同様にして高周波加熱コイル３６に高周波電流を流して誘導加熱を行う。

高周波加熱コイル３６に高周波電流を流すと、高周波加熱コイル３６から発生する磁束は錘４１を通過した後、半導体素子２２及び金属接合材料１１等を通る。錘４１は絶縁材や非磁性材で形成されているため、磁束は錘４１でエネルギーを殆ど消費せずに錘４１を通過する。そして、第１の実施形態と同様に金属接合材料１１中の位置決め金属１３を誘導加熱する。

したがって、この実施形態によれば、第１の実施形態における（１）〜（８）と同様の効果の他に次の効果を得ることができる。
（９）接合金属１２の溶融時に、錘４１が半導体素子２２を金属回路２３側に押圧するため、半導体素子２２が溶融状態の接合金属１２から浮き上がるのが抑制され、半導体素子２２がより傾き難くなる。

（１０）錘４１が絶縁材又は非磁性材で形成されているため、高周波加熱コイル３６に高周波電流を流した際に発生した磁束Ｆは、錘４１をエネルギーロスが殆ど無い状態で通過する。したがって、錘４１を使用しても位置決め金属１３の誘導加熱に悪影響を及ぼさない。

（１１）金属接合材料１１の状態で位置決め金属１３の高さが接合金属１２の厚さとほぼ同じ場合、位置決め金属１３が半導体素子２２及び金属回路２３に接触する状態で半田付けされる。したがって、位置決め金属１３と半導体素子２２及び金属回路２３との間に接合金属１２が存在する状態で半田付けされた場合に比較して熱抵抗が低くなる。

（第３の実施形態）
次に、本発明を具体化した第３の実施形態を図６，７を参照しながら説明する。なお、この実施形態は、半田付けを行う際に、半田付け温度で溶融可能な接合金属と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属とが混合された金属接合材料を使用しない点が、前記第１及び第２の実施形態と大きく異なっている。具体的には、位置決め金属と接合金属とは別体に形成され、誘導加熱で位置決め金属が加熱されてその熱で溶融された接合金属が位置決め金属を覆う状態で回路基板上に設けられた接合部に電子部品としての半導体素子を半田付けする。半田付け時に使用される半導体素子、回路基板及び半田付け装置は前記実施形態と基本的に同様であるため、同様の部分は同じ符号を用いて説明し、その詳細な説明や一部の図示を省略する。

半田付けを行う場合、半田付け装置ＨＫの支持台３０に回路基板２１を置いて位置決めする。次に、図６（ａ）に示すように、回路基板２１の金属回路２３上に環状でかつ誘導加熱可能な位置決め金属４５を配置する。この実施形態では位置決め金属４５は強磁性体で円環状に形成されている。強磁性体としてＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのいずれか１つの金属が使用されている。位置決め金属４５の内側に半田付け温度で溶融可能な接合金属としての半田４６を配置する。半田４６は、溶融した際に一部が位置決め金属４５の外側に流れ出す状態に配置される。具体的には、半田４６は円柱状で、高さ（厚さ）が位置決め金属４５より高く（厚く）、かつ溶融した状態で半導体素子２２の底面全体に接合可能な量となる大きさに形成されている。そして、半田４６の上に半導体素子２２を載置する。

次に、半田付け装置ＨＫの蓋体２９を本体２８に取り付け、開口部２８ａを閉鎖する。この状態では、図６（ｂ）に示すように、半田４６の上に載置された半導体素子２２の上方に高周波加熱コイル３６が配置される。そして、前記各実施形態と同様にして容器２７内が還元ガス雰囲気にされた後、高周波加熱コイル３６に高周波電流を流して位置決め金属４５の誘導加熱を行う。すると、位置決め金属４５を通る高周波の磁束が発生し、位置決め金属４５には磁束の通過によって渦電流が発生して発熱する。その熱が半田４６に伝わり、半田４６が加熱されて溶融温度以上の温度になることにより溶融する。

半田４６は、環状の位置決め金属４５の内側において溶融され、溶融した際に一部が位置決め金属４５の外側に流れ出し、半導体素子２２と金属回路２３とを接合する。位置決め金属４５は半導体素子２２の外形より小さな円環状であるが、溶融状態の半田４６がその表面張力で半導体素子２２の底面の形状に倣った状態に広がり、半導体素子２２と金属回路２３とを接合する。そして、図６（ｃ）に示すように、半導体素子２２が接合金属層としての半田層Ｈにより金属回路２３に接合された半導体モジュール（半導体装置）２０が製造される。位置決め金属４５の発熱により、半田４６は、位置決め金属４５に近い外周側から溶融するが、外形が半導体素子２２の外形よりずっと小さいため、半導体素子２２の外形と同等以上の面積のシート状の半田が周囲から溶融される場合に比較して、雰囲気ガスのトラップが抑制され、接合完了後の半田層（接合金属層）Ｈにボイド部が発生し難い。

したがって、この実施形態によれば、第１の実施形態における（２），（３）と同様の効果の他に次の効果を得ることができる。
（１２）半導体装置は、半導体素子２２を金属回路２３に接合している半田層（接合金属層）Ｈが半田付け温度で溶融可能な半田４６（接合金属）のみから構成されるのではなく、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な環状の位置決め金属４５を含んでいる。そのため、半導体装置の製造工程において、回路基板２１上の導体（金属回路２３）に半導体素子２２を接合する際、誘導加熱で効率良く半田付けすることができる。また、溶融状態の半田４６上で半導体素子２２が後工程に支障を来す状態となるまで傾いて接合されることが回避される。また、位置決め金属４５が粒状の場合に比較して、誘導加熱が効率良く行われる。

（１３）回路基板２１上に設けられた金属回路２３（接合部）に半導体素子２２を半田付けする半田付け方法において、回路基板２１上に環状でかつ誘導加熱可能な位置決め金属４５を配置し、位置決め金属４５の内側に半田付け温度で溶融可能な半田４６（接合金属）を、溶融した際に一部が位置決め金属４５の外側に流れ出す状態に配置する。そして、半田４６の上に半導体素子２２を載置し、高周波誘導加熱を行って半田４６を溶融させて金属回路２３と半導体素子２２との半田付けを行う。したがって、半導体素子２２と同じ外形のシート状の半田を金属回路２３と半導体素子２２との間に配置して、半田が周囲から溶融される場合に比較して、半田層（接合金属層）Ｈにボイド部が発生し難い。その結果、設計値どおりの電気抵抗及び熱伝導率を有する半田層Ｈが得られ、半田付け工程での歩留まりが向上する。

（１４）別々に製造された位置決め金属４５と半田４６とを金属回路２３上に別々に配置して使用するため、前記実施形態の金属接合材料１１のように接合金属１２と位置決め金属１３とを一体化する必要がない。

（第４の実施形態）
次に、本発明を具体化した第４の実施形態を図７を参照しながら説明する。なお、この実施形態は、位置決め金属が温度計測部を備えている点が、前記第３の実施形態と異なっている。そして、半田付けを行う際には、位置決め金属の温度計測を行って予め設定された温度変化となるように高周波誘導加熱を行う。その他の構成は第３の実施形態と基本的に同様であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。

図７（ａ）に示すように、位置決め金属４５には温度計測部４７が設けられている。温度計測部４７は環状の位置決め金属４５と一体に形成されるとともに、図７（ｂ）に示すように、半導体素子２２の半田付けが完了した状態において、温度計測部４７の一部が半導体素子２２の外形部より外側に突出する長さに形成されている。

半田付けを行う際には、第３の実施形態と同様に、図７（ａ）に示すように、位置決め金属４５を回路基板２１の金属回路２３上に配置し、位置決め金属４５の内側に半田４６を配置する。そして、半田４６の上に半導体素子２２を載置した状態で、位置決め金属４５の高周波誘導加熱を行う。

温度計測部４７には図示しない温度センサが接続され、温度センサの検出信号が図示しない制御装置に出力され。制御装置は、予め試験により設定された温度変化となるように高周波加熱コイル３６に流れる高周波電流量を制御して高周波誘導加熱を行う。半導体素子２２の半田付けを行う場合、位置決め金属４５を誘導加熱で加熱して半田４６（接合金属）を溶融させる場合、加熱時の温度により半田層（接合金属層）Ｈにおけるボイドの発生状態が異なる。この実施形態では、予め試験によりボイドが発生し難いことが確認された誘導加熱条件により、半田付けを行う際の適切な（最適な）温度変化状態となるように誘導加熱が行われる。

したがって、この実施形態によれば、第３の実施形態と同様の効果の他に次の効果を得ることができる。
（１５）位置決め金属４５は、温度計測部４７を備えている。したがって、半田付けの際に温度計測部４７の温度を検出することにより、半田付け部の温度を検出することができる。

（１６）半田付けの際、位置決め金属４５の温度計測を行って予め設定された温度変化となるように位置決め金属４５の高周波誘導加熱を行う。したがって、最適の温度条件で接合金属を溶融させることができ、ボイドの発生がより少ない状態で半田付けを行うことができる。その結果、半田付け工程での歩留まりがより向上する。

実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 回路基板２１はヒートシンク２５を備えたヒートシンク付き基板に限らない。例えば、図８（ａ）に示すように、セラミック基板２４の片面に金属回路２３（導体パターン）が形成され、他方の面に金属回路２３と同等の線膨張係数の層４２が形成された構成としたり、図８（ｂ）に示すように、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂製の樹脂基板４３の片面に金属回路２３が形成された構成としたりしてもよい。樹脂基板４３の場合、ガラス繊維等で強化されたものが好ましい。また、基板は必ずしも絶縁材で形成される必要はなく、図８（ｃ）に示すように、アルミニウムや銅などの金属基板４４の上にエポキシ樹脂等で形成された絶縁層４４ａを設け、絶縁層４４ａ上に金属回路２３を形成した構成としてもよい。

○ 接合金属１２と位置決め金属１３とが一体に形成された金属接合材料１１における位置決め金属１３の形状は粒状に限らず、例えば、図９（ａ），（ｃ）に示すような円環状（リング状）や図９（ｂ）に示すような四角環状等の多角環状（枠状）を含む環状に形成したり、あるいは波板状や格子状等に形成したりしてもよい。これらの場合、粒状の位置決め金属１３に比べて、位置決め金属１３を接合金属１２中の所望の位置に混合（配置）し易い。

○ 位置決め金属１３を環状に形成する場合、その大きさは、金属接合材料１１を接合部に載置する大きさに切断した場合、図９（ａ），（ｂ）に示すように、位置決め金属１３が１個のみ接合金属１２に埋設可能な大きさに限らず、図９（ｃ）に示すように、複数個埋設可能な大きさであってもよい。

○ 接合金属１２と位置決め金属１３とが一体に形成された金属接合材料１１において、位置決め金属１３に一部が接合金属１２から突出する状態で温度計測部４７を設ける。例えば、図９（ａ），（ｂ）に示す位置決め金属１３に温度計測部４７を設けたり、図９（ｃ）に示すように複数の位置決め金属１３を有する場合に、一つの位置決め金属１３に温度計測部４７を設けたりする。そして、半田付けの際に温度計測部４７の温度を検出するとともに、予め設定された温度変化となるように高周波誘導加熱を行うようにしてもよい。

○ 第３及び第４の実施形態で使用される環状の位置決め金属４５において、「環状」とは、必ずしも完全に閉じた状態の環状に限らない。例えば、図１０（ａ）に示すように、スリット４８を有し、一部で切れたほぼ環状の位置決め金属４５としてもよい。具体的には、位置決め金属４５の内側に半田４６を配置するとともに、位置決め金属４５を誘導加熱で発熱させた場合、その熱で溶融した半田４６がスリット４８から位置決め金属４５の外側に流れ出さずに、位置決め金属４５の上側を乗り越えて外側に流れ出す形状であれば、スリット４８により一部が切断された環状であってもよい。

○ 環状とは１個の環状部を有する形状に限らない。例えば、図１０（ｂ）に示すように、複数（図では３個）の環状部４５ａが連続する形状であってもよい。
○ 第３及び第４の実施形態で使用される位置決め金属４５は、円環状に限らず、三角環状、四角環状等の多角環状であってもよい。また、多角形（例えば四角形）の環状部４５ａが連続する形状、例えば、図１１（ｂ）に示すように、四角環状の環状部４５ａが連続する形状としてもよい。

○ 環状の位置決め金属４５を使用するとともに、その内側に半田４６（接合金属）を配置して半導体素子２２の半田付けを行う場合、図１１（ａ）に示すように、四角環状部の内側に向かって延びる突起４５ｂを備えた形状として、突起４５ｂで区画された各領域に対応する形状の半田４６を配置してもよい。突起４５ｂの数は４個に限らず、３個以下でも５個以上でもよい。円環状の位置決め金属４５に、内側に向かって延びる突起４５ｂを設けてもよい。

○ 温度計測部４７を有する位置決め金属４５においても、位置決め金属４５の形状を単純な円環状に限らず、前記実施形態のような環状としてもよい。
○ 環状の位置決め金属４５を用いて半田付けを行う場合、位置決め金属４５の数は１個に限らず、複数個使用してもよい。第４の実施形態のように温度計測部４７を有する位置決め金属４５を使用する場合、温度計測部４７を有する位置決め金属４５と温度計測部４７を有しない位置決め金属４５とを混合して使用してもよい。

○ 位置決め金属１３の材料となる強磁性材は、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏのような単体の金属に限らず、合金でもよい。強磁性材の合金として、例えば、パーマロイ等の鉄ニッケル合金が挙げられる。

○ 金属接合材料１１は、接合金属１２及び位置決め金属１３のみから成る構成に限らず、クリーム半田のようにフラックスを含んでもよい。
○ 回路基板２１上に設けられた接合部（金属回路２３）に接合される電子部品は、接合部と対向する面全体が接合されるものに限らず、チップ抵抗やチップコンデンサ等のように電子部品の両端に端子を有し、各端子が異なる接合部に接合されるものであってもよい。

○ 錘４１を、積層鋼板で形成し、鋼板の積層面が磁束に沿う状態で使用してもよい。また、錘４１を銅、銀などの良導体で形成してもよい。これらの場合、金属接合材料１１を誘導加熱する際に磁束が４１を通っても、錘４１の発熱が少なくなる。

○ 高周波加熱コイル３６を、容器２７（密閉空間Ｓ）内に配置してもよい。
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）請求項１２に記載の発明において、前記電子部品の上に絶縁材又は非磁性材で形成された錘を載置して、前記電子部品を加圧した状態で半田付けを行う半田付け方法。

第１の実施形態の金属接合材料の模式斜視図。 （ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線拡大断面図、（ｂ）は半導体モジュールの平面図。 半田付け装置の概略部分縦断面図。 図３の部分拡大図。 第２の実施形態の半田付け方法に用いる半田付け装置の概略部分縦断面図。 （ａ）〜（ｃ）は第３の実施形態における半田付け方法の手順を示す模式斜視図。 （ａ）及び（ｂ）は第４の実施形態における半田付け方法の手順を示す模式斜視図。 （ａ）〜（ｃ）は別の実施形態における基板の模式断面図。 （ａ）〜（ｃ）は別の実施形態における金属接合材料の模式斜視図。 （ａ），（ｂ）は別の実施形態における位置決め金属の模式斜視図。 （ａ），（ｂ）は別の実施形態における位置決め金属の模式平面図。 （ａ）は従来技術の断面図、（ｂ）は別の従来技術の断面図、（ｃ），（ｄ）は内蔵金属部材の斜視図。 半田付け時に半導体チップが傾いた状態を示す模式断面図。

符号の説明

Ｆ…磁束、Ｈ…半田層、１１…金属接合材料、１２…接合金属、１３，４５…位置決め金属、２１…回路基板、２２…電子部品としての半導体素子、２３…接合部を構成する金属回路、４６…接合金属としての半田、４７…温度計測部。

Claims (15)

1. 半導体素子と回路基板とを備える半導体装置であって、
   前記回路基板上の接合部と前記半導体素子との間に接合金属層を備え、
   前記接合金属層は半田付け温度で溶融可能な接合金属と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属とを含むことを特徴とする半導体装置。
2. 前記位置決め金属は、環状に形成されている請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記位置決め金属は、温度計測部を備えている請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記位置決め金属は、複数の粒として形成されている請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記位置決め金属として、強磁性材が使用されている請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 半田付け温度で溶融可能な接合金属と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属とが混合されていることを特徴とする金属接合材料。
7. 前記位置決め金属として、強磁性材が使用されている請求項６記載の金属接合材料。
8. 前記強磁性材として、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）及びコバルト（Ｃｏ）の少なくとも１つの金属が使用されている請求項７に記載の金属接合材料。
9. 前記位置決め金属は、複数の粒として形成されている請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の金属接合材料。
10. 前記位置決め金属は、環状に形成されている請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の金属接合材料。
11. 前記接合金属は、シート状又はテープ状に形成され、前記位置決め金属は、一層で半田付け後の半田層の厚さを規定する高さに形成されている請求項９又は請求項１０に記載の金属接合材料。
12. 回路基板上に設けられた接合部に電子部品を半田付けする半田付け方法であって、
    前記接合部上に請求項６〜請求項１１のいずれか一項に記載の金属接合材料を介して電子部品を配置するとともに、前記金属接合材料を磁束が通過するように高周波誘導加熱を行って前記金属接合材料の接合金属を溶融させて前記接合部と前記電子部品との半田付けを行う半田付け方法。
13. 回路基板上に設けられた接合部に半導体素子を半田付けする半田付け方法であって、
    前記回路基板上に環状でかつ誘導加熱可能な位置決め金属を配置し、前記位置決め金属の内側に半田付け温度で溶融可能な接合金属を、溶融した際に一部が前記位置決め金属の外側に流れ出す状態に配置し、前記接合金属の上に半導体素子を載置した状態で高周波誘導加熱を行って前記接合金属を溶融させて前記接合部と前記半導体素子との半田付けを行う半田付け方法。
14. 前記位置決め金属には温度計測部が設けられ、前記位置決め金属の温度計測を行って予め設定された温度変化となるように前記高周波誘導加熱を行う請求項１３に記載の半田付け方法。
15. 請求項１２〜請求項１４のいずれか一項に記載の半田付け方法を半田付け工程に使用する電子機器の製造方法。

Images