KR20210062647A - 에폭시 본드의 내부 가열 방법 - Google Patents
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Abstract
본딩 장치(200)는 제 1 기판(202), 제 2 기판(204), 본딩 층(206), 및 가열 요소(300)를 포함한다. 본딩 층(206)은 제 1 및 제 2 기판들(202, 204) 사이에 배치된다. 본딩 층(206)은 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 함께 접합하도록 구성된다. 가열 요소(300)는 제 1 및 제 2 기판들(202, 204) 사이에 배치되고, 본딩 층(206)과 접촉한다. 가열 요소(300)는 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 함께 접합하거나 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 탈접합하기 위해 국부적 저항 가열을 발생시키도록 구성된다.
Description
본 출원은 2018년 10월 5일에 출원된 미국 가특허 출원 62/742,009호의 우선권을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 발명은 본딩 장치(bonding apparatus)들, 예를 들어 리소그래피 장치들 및 시스템들을 위한 본딩 장치의 내부 가열(internal heating)에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에 원하는 패턴을 적용하도록 구성되는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)의 패턴을 투영할 수 있다.
기판 상에 패턴을 투영하기 위해, 리소그래피 장치가 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이 방사선의 파장은 기판 상에 형성될 수 있는 피처(feature)들의 최소 크기를 결정한다. 4 내지 20 nm 범위 내, 예를 들어 6.7 nm 또는 13.5 nm의 파장을 갖는 극자외(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치가, 예를 들어 193 nm의 파장을 갖는 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 기판 상에 더 작은 피처들을 형성하기 위해 사용될 수 있다.
재료의 조각들을 함께 결합하는 것은 리소그래피 공정들을 포함한 대부분의 제조 공정들에 대해 보편적인 작업이다. 리소그래피 및 반도체 제조 공정들에서 구성요소들을 함께 부착하기 위한 에폭시 또는 접착 재료들의 사용은 당업계에 알려져 있다. 에폭시 또는 다른 접착제로 구성요소들을 접합(bond)하는 현재 방법들은 글래스 비드(glass beads), 와이어, 또는 가공된 피처로 본드 라인(bond line)을 세팅하고 본드를 형성하기 위해 대류(예를 들어, 히트 건) 또는 유도(induction)에 의해 에폭시를 가열하여야 한다. 이후 열이 적용되어 에폭시를 탈접합(debond)할 수 있고, 그 후 구성요소들은 분리될 수 있다.
하지만, 대류 및 유도 방법들은 접근성이 낮은 영역들에 위치된 구성요소들을 탈접합하기가 어렵다. 또한, 온도에 민감한 구성요소들(예를 들어, 자석) 또는 다른 인접한 접합 영역들이 대류 및 유도 가열 방법들에 의해 야기되는 큰 온도 구배의 영향을 받을 수 있다. 에폭시 또는 접착제 본딩의 장점들 및 다용성(versatility)으로 인해, 편리하고 효율적인 방식으로 근처에 위치되는 접합된 조각들 및/또는 민감한 구성요소들을 손상시키지 않으면서, 에폭시로 조각들을 접합하고 이후 조각들을 탈접합할 필요가 있다.
일부 실시예들에서, 본딩 장치는 제 1 기판, 제 2 기판, 본딩 층, 및 가열 요소를 포함한다. 일부 실시예들에서, 본딩 층은 제 1 및 제 2 기판들 사이에 배치된다. 일부 실시예들에서, 본딩 층은 제 1 및 제 2 기판들을 함께 접합하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 가열 요소는 제 1 및 제 2 기판들 사이에 배치된다. 일부 실시예들에서, 가열 요소는 본딩 층과 접촉한다. 일부 실시예들에서, 가열 요소는 제 1 및 제 2 기판들을 함께 접합하기 위해 국부적 저항 가열(localized resistive heating)을 발생시키도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 가열 요소는 제 1 및 제 2 기판들을 탈접합하기 위해 국부적 저항 가열을 발생시키도록 구성된다.
일부 실시예들에서, 가열 요소는 프레임 및 프레임과 통합된 저항 와이어(resistive wire)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 프레임은 실질적으로 균일한 두께를 가지며, 본딩 층의 사전설정된 본드 라인 두께를 세팅하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 프레임은 본딩 층과 실질적으로 동등한 강성도(stiffness), 압축 강도, 또는 열팽창 계수를 갖는다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어는 니크롬을 포함한다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어는 제 1 및 제 2 기판들 사이의 본드 영역의 대부분을 덮도록 구성되는 단일 예비형성 저항 와이어(single preformed resistive wire)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 단일 예비형성 저항 와이어는 구불구불한, 지그재그, 나선형, 또는 코일 패턴으로 배치된다. 일부 실시예들에서, 프레임은 본딩 층을 환기하도록 구성되는 홈을 포함한다.
일부 실시예들에서, 가열 요소는 본딩 층과 통합된 절연 저항 와이어(insulated resistive wire)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 본딩 층은 에폭시, 엘라스토머, 또는 서모플라스틱을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제 1 기판은 자기적이다. 일부 실시예들에서, 국부적 저항 가열은 제 1 기판으로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어진다. 일부 실시예들에서, 국부적 저항 가열은 제 2 기판으로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어진다. 일부 실시예들에서, 국부적 저항 가열은 제 1 및 제 2 기판들로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어진다.
일부 실시예들에서, 제 1 기판 및 제 2 기판을 접합 또는 탈접합하는 가열 장치는 프레임 및 저항 와이어를 포함한다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어는 프레임과 통합된다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어는 제 1 및 제 2 기판들 사이의 본딩 층에서 국부적 저항 가열을 발생시키도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 국부적 저항 가열은 제 1 및 제 2 기판들로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어진다.
일부 실시예들에서, 프레임은 실질적으로 균일한 두께를 가지며, 본딩 층의 사전설정된 본드 라인 두께를 세팅하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 프레임은 본딩 층과 실질적으로 동등한 강성도, 압축 강도, 또는 열팽창 계수를 갖는다. 일부 실시예들에서, 프레임은 본딩 층을 환기하도록 구성되는 홈을 포함한다. 일부 실시예들에서, 프레임은 플라스틱, 서모플라스틱, 세라믹, 또는 금속을 포함한다.
일부 실시예들에서, 제 1 기판 및 제 2 기판을 접합 또는 탈접합하는 방법은 본딩 장치를 형성하는 제 1 및 제 2 기판들을 접합하는 단계, 본딩 장치에서 국부적 저항 가열을 발생시키는 본딩 장치를 통해 전류를 통과시키는 단계, 및 제 1 및 제 2 기판들을 분리하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 본딩 장치는 제 1 및 제 2 기판들 사이에 배치된 본딩 층 및 제 1 및 제 2 기판들 사이에 배치된 가열 요소를 포함한다. 일부 실시예들에서, 가열 요소는 본딩 층과 접촉한다. 일부 실시예들에서, 상기 방법은 본딩 층에서 국부적 저항 가열을 발생시키는 가열 요소를 통해 전류를 통과시키는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 국부적 저항 가열은 제 1 및 제 2 기판들로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어진다.
일부 실시예들에서, 상기 방법은 국부적 저항 가열을 발생시키고 본딩 층의 본드 경화를 촉진하는 가열 요소를 통해 전류를 통과시키는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 상기 방법은 제 1 및 제 2 기판들을 분리하기 위해 15 N 미만의 힘, 10 Nm 미만의 토크, 또는 중력을 적용하는 단계를 포함한다.
첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동뿐만 아니라, 본 발명의 또 다른 특징들 및 장점들이 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 특정한 실시예들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다. 본 명세서에서, 이러한 실시예들은 단지 예시적인 목적으로만 제시된다. 당업자라면, 본 명세서에 포함되는 교시에 기초하여 추가적인 실시예들을 명백히 알 것이다.
본 명세서에 통합되며 명세서의 일부분을 형성하는 첨부된 도면들은 본 발명을 예시하며, 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명하고 당업자가 본 발명을 수행하고 사용할 수 있게 하는 역할을 한다. 이제 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 도면;
도 2는 예시적인 실시예에 따른 접합 구성에서의 본딩 장치의 개략적인 사시도;
도 3은 도 2의 본딩 장치의 단면도;
도 4a 내지 도 4d는 예시적인 실시예들에 따른 가열 요소의 개략적인 평면도;
도 5는 예시적인 실시예에 따른 탈접합 구성에서의 본딩 장치의 개략적인 사시도; 및
도 6은 도 5의 본딩 장치의 단면도이다.
동일한 참조 기호들이 대응하는 요소들을 전부 식별하는 도면들에 관련하여 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 본 발명의 특징들 및 장점들을 더 이해하게 될 것이다. 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일하고, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다. 또한, 일반적으로, 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)는 참조 번호가 처음 나타나는 도면을 식별한다. 달리 명시되지 않는 한, 본 명세서 전체에 걸쳐 제공된 도면들은 축척 도면으로 해석되어서는 안 된다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 도면;
도 2는 예시적인 실시예에 따른 접합 구성에서의 본딩 장치의 개략적인 사시도;
도 3은 도 2의 본딩 장치의 단면도;
도 4a 내지 도 4d는 예시적인 실시예들에 따른 가열 요소의 개략적인 평면도;
도 5는 예시적인 실시예에 따른 탈접합 구성에서의 본딩 장치의 개략적인 사시도; 및
도 6은 도 5의 본딩 장치의 단면도이다.
동일한 참조 기호들이 대응하는 요소들을 전부 식별하는 도면들에 관련하여 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 본 발명의 특징들 및 장점들을 더 이해하게 될 것이다. 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일하고, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다. 또한, 일반적으로, 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)는 참조 번호가 처음 나타나는 도면을 식별한다. 달리 명시되지 않는 한, 본 명세서 전체에 걸쳐 제공된 도면들은 축척 도면으로 해석되어서는 안 된다.
본 명세서는 본 발명의 특징들을 구체화하는 1 이상의 실시예를 개시한다. 개시된 실시예(들)는 단지 본 발명을 예시한다. 개시된 실시예(들)에 본 발명의 범위가 제한되지는 않는다. 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
본 명세서에서, "하나의 실시예", "일 실시예", "예시적인 실시예" 등으로 설명된 실시예(들) 및 이러한 언급들은, 설명된 실시예(들)가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있지만, 모든 실시예가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 반드시 포함하는 것은 아닐 수 있음을 나타낸다. 또한, 이러한 어구들이 반드시 동일한 실시예를 칭하는 것은 아니다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성이 일 실시예와 관련하여 설명되는 경우, 다른 실시예들과 관련하여 이러한 특징, 구조 또는 특성을 초래하는 것은 명확하게 설명되든지 그렇지 않든지 당업자의 지식 내에 있음을 이해한다.
본 명세서에서, "밑에", "아래에", "더 아래에", "위에", "상에", "더 위에" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어들은 설명의 용이함을 위해 도면들에 나타낸 바와 같은 또 다른 요소(들) 또는 특징(들)에 대한 하나의 요소 또는 특징의 관계를 설명하는 데 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어들은 도면들에 도시된 방위(orientation)에 추가하여 사용 또는 작동 시 디바이스의 상이한 방위들을 포함하도록 의도된다. 장치는 달리 방위지정(90 도 또는 다른 방위들로 회전)될 수 있으며, 본 명세서에서 사용되는 공간적으로 상대적인 설명어들은 마찬가지로 이에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "약"이라는 용어는 특정 기술에 기초하여 달라질 수 있는 주어진 양(quantity)의 값을 나타낸다. 특정 기술에 기초하여, "약"이라는 용어는 예를 들어 값의 10 내지 30 %(예를 들어, 값의 ±10 %, ±20 %, 또는 ±30 %) 내에서 변하는 주어진 양의 값을 나타낼 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "실질적으로"라는 용어는 특정 기술에 기초하여 달라질 수 있는 주어진 양의 값을 나타낸다. 특정 기술에 기초하여, "실질적으로"라는 용어는 예를 들어 값의 0 내지 10 %(예를 들어, 값의 ±1 %, ±2 %, 또는 ±10 %) 내에서 변하는 주어진 양의 값을 나타낼 수 있다.
본 발명의 실시예들은 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 여하한의 그 조합으로 구현될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 기계-판독가능한 매체 상에 저장된 명령어들로서 구현될 수 있으며, 이는 1 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있다. 기계-판독가능한 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨팅 디바이스)에 의해 판독가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하는 여하한의 메카니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-판독가능한 매체는 ROM(read only memory); RAM(random access memory); 자기 디스크 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기, 광학, 음향 또는 다른 형태의 전파 신호(propagated signal)(예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등), 및 그 밖의 것들을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴(routine), 및/또는 명령어들은 본 명세서에서 소정 동작을 수행하는 것으로서 설명될 수 있다. 하지만, 이러한 설명들은 단지 편의를 위한 것이며, 이러한 동작은 사실상 컴퓨팅 디바이스, 프로세서, 제어기, 또는 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 다른 디바이스로부터 일어나고, 그렇게 하여 액추에이터들 또는 다른 디바이스들이 물질계와 상호작용하게 할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
하지만, 이러한 실시예들을 더 상세히 설명하기에 앞서, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
예시적인 리소그래피 시스템
도 1은 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함하는 리소그래피 시스템을 나타낸다. 방사선 소스(SO)는 EUV 방사선 빔(B)을 생성하고 리소그래피 장치(LA)에 EUV 방사선 빔(B)을 공급하도록 구성된다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성되는 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS), 및 기판(W)을 지지하도록 구성되는 기판 테이블(WT)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은 EUV 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)에 입사되기 전에 EUV 방사선 빔(B)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된다. 또한, 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 거울 디바이스(facetted field mirror device: 10) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(facetted pupil mirror device: 11)를 포함할 수 있다. 패싯 필드 거울 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(11)는 함께 원하는 단면 형상 및 원하는 세기 분포를 갖는 EUV 방사선 빔(B)을 제공한다. 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 거울 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(11)에 추가하여, 또는 그 대신에 다른 거울들 또는 디바이스들을 포함할 수 있다.
이에 따라 컨디셔닝된 후, EUV 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)와 상호작용한다. 이 상호작용의 결과로서, 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')이 생성된다. 투영 시스템(PS)은 기판(W) 상으로 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 투영하도록 구성된다. 그 목적을 위해, 투영 시스템(PS)은 기판 테이블(WT)에 의해 유지되는 기판(W) 상으로 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 투영하도록 구성되는 복수의 거울들(13, 14)을 포함할 수 있다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 축소 인자를 적용할 수 있고, 이에 따라 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피처들보다 작은 피처들을 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들어, 4 또는 8의 축소 인자가 적용될 수 있다. 투영 시스템(PS)은 도 1에서 2 개의 거울들(13, 14)만을 갖는 것으로 도시되어 있지만, 투영 시스템(PS)은 상이한 수의 거울들(예를 들어, 6 또는 8 개의 거울들)을 포함할 수 있다.
기판(W)은 앞서 형성된 패턴들을 포함할 수 있다. 이 경우, 리소그래피 장치(LA)는 기판(W) 상에 앞서 형성된 패턴과 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 의해 형성된 이미지를 정렬시킨다.
상대적인 진공, 즉 대기압보다 훨씬 낮은 압력에서의 소량의 가스(예를 들어, 수소)가 방사선 소스(SO), 조명 시스템(IL), 및/또는 투영 시스템(PS) 내에 제공될 수 있다.
방사선 소스(SO)는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스, 방전 생성 플라즈마(DPP) 소스, 자유 전자 레이저(FEL), 또는 EUV 방사선을 생성할 수 있는 여하한의 다른 방사선 소스일 수 있다.
예시적인 본딩 장치들
에폭시 접착제는 구조용 접착제의 한 타입이며, 금속, 유리, 세라믹, 자석, 플라스틱, 및 다른 재료들을 접합하는 데 사용될 수 있다. 열로 경화되는 에폭시는 실온에서 경화되는 것들보다 더 내열성 및 내화학성(chemical-resistant)일 것이다. 재료 조각들을 함께 결합하는 것은 리소그래피 공정들을 포함한 제조 공정들에 의해 사용되는 작업이다. 리소그래피 및 반도체 제조 공정들에서 구성요소들을 함께 부착하기 위한 에폭시의 사용은 특정 접합 구성요소들을 수리하거나 교체하는 데 사용될 수 있다. 에폭시 또는 다른 접착제로 구성요소들을 접합하는 현재 방법들은 글래스 비드, 와이어, 또는 가공된 피처로 본드 라인을 세팅하는 단계, 및 본드를 형성하기 위해 대류(예를 들어, 히트 건) 또는 유도에 의해 에폭시를 가열하는 단계를 필요로 한다. 이후 열이 적용되어 에폭시를 탈접합할 수 있고, 그 후 구성요소들은 적용되는 힘 또는 토크로 분리될 수 있다.
하지만, 대류 및 유도 방법들은 접근성이 낮은 영역들에 위치된 구성요소들을 접합 또는 탈접합하기가 어렵다. 예를 들어 일부 적용예들에 대한 선택적 탈접합이 조사(investigation)중인 선택된 구성요소에 물리적으로 접근하기 위해 다른 접합 구성요소들을 제거하거나 탈접합하는 추가 단계를 필요로 한다. 또한, 온도에 민감한 구성요소들(예를 들어, 자석) 또는 다른 인접한 접합 영역들이 대류 및 유도 가열 방법들에 의해 야기되는 큰 비-국부적 온도 구배의 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 40 ℃를 초과하는 온도가 소정 자석들에 영구적인 손상(예를 들어, 자기장의 완전한 손실)을 야기하고, 다른 자석들의 전체 자기 강도를 약화시킬 수 있다. 또한, 열이 적용되어 에폭시를 탈접합한 후에도, 접합 구성요소들에 적용되는, 예를 들어 15 N 또는 10 Nm를 초과하는 큰 힘 또는 토크가 구성요소들에 손상을 야기할 수 있다.
저항 가열 또는 줄(Joule) 가열은 전류가 도체(예를 들어, 저항 와이어)를 통과하여 열을 생성하는 열전도의 한 타입이다. 생성되는 열은 도체의 전기 저항 및 적용된 전류의 제곱에 비례한다. 저항 와이어는 다양한 본드 표면들 및 본드 영역들에 대해 다양한 형상들 및 크기들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 저항 와이어는 소정 전기 저항 및 온도 구배를 얻기 위해 평면 코일(planar coils)로 감길 수 있다. 니크롬(NiCr)은 니켈, 크롬, 및 때로는 철 합금으로 구성되는 저항 열선 합금의 한 타입이다. NiCr은 내부식성이고, 고온에서 안정적이며, 저렴한 비용으로 제조될 수 있다.
단일 조각의 저항 와이어, 예를 들어 NiCr이 본드 영역 및 본드 표면의 전체 커버리지에 대해 에폭시에 배치될 수 있다. 본드 영역에서의 저항 와이어의 저항 가열을 통해 국부적인 접합 및 탈접합이 수행될 수 있다. 저항 가열 및 탈접합은 대안적인 대류 또는 유도 가열 온도(예를 들어, 80 ℃)에 비해 낮은 온도(예를 들어, 30 ℃)에서 접착된 구성요소 표면들에 열을 전달한다. 국부적 저항 가열은 온도에 민감한 구성요소들, 예를 들어 자석(예를 들어, NIB, 희토 등) 또는 다른 인접한 접합 구성요소들의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 국부적 저항 가열은 더 빠르고 제어된 본딩을 위해 본드 경화를 촉진할 수 있다. 접합 구성요소들의 수리 또는 교체는 현재 대류 및 유도 방법들에 비해 국부화되고, 신뢰성 있으며, 편리하고, 더 빠를 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 예시적인 본딩 장치(200)의 개략적인 도면을 나타낸다. 본딩 장치(200)는 제 1 기판(202), 제 2 기판(204), 본딩 층(206), 및 가열 요소(300)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 본딩 장치(200)는 리소그래피 장치(LA)에서 구현될 수 있다. 예를 들어, 본딩 장치(200)는 리소그래피 장치(LA)에서 지지 구조체(MT)를 위한 모터를 접합하는 데 사용될 수 있다.
제 1 기판(202)은 여하한의 형상 또는 크기 및 여하한의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제 1 기판(202)은 리소그래피 장치(LA) 내의 지지 구조체(MT)를 위한 자석일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 기판(202)은 금속, 절연체, 세라믹, 자기 재료, 유리, 광학, 또는 에폭시 또는 접착제에 의해 접합될 수 있는 여하한의 다른 적절한 재료일 수 있다. 제 2 기판(204)은 여하한의 형상 또는 크기 및 여하한의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제 2 기판(204)은 리소그래피 장치(LA) 내의 조명 시스템(IL)을 위한 유리 광학기일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 기판(204)은 금속, 절연체, 세라믹, 자기 재료, 유리, 광학, 또는 에폭시 또는 접착제에 의해 접합될 수 있는 여하한의 다른 적절한 재료일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 기판(202)은 금속일 수 있는 한편, 제 2 기판(204)은 세라믹(예를 들어, 유리, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 2 기판(204)은 금속일 수 있는 한편, 제 1 기판(202)은 세라믹(예를 들어, 유리, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)은 동일한 재료, 예를 들어 금속 또는 유리일 수 있다.
도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 본딩 층(206)은 제 1 기판(202)과 제 2 기판(204) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 본딩 층(206)은 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 함께 접합하도록 구성될 수 있다. 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 본딩 장치(200)는 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)이 본딩 층(206)에 의해 함께 접합되도록 접합 구성(20)에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 본딩 층(206)은 제 1 및 제 2 기판들(202, 204) 사이에서 가열 요소(300) 주위에 연장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 본딩 층(206)은 에폭시, 엘라스토머, 또는 서모플라스틱이다. 예를 들어, 본딩 층(206)은 열경화성 에폭시일 수 있다.
가열 요소(300)는 제 1 및 제 2 기판들(202, 204) 사이에 배치될 수 있다. 가열 요소(300)는 본딩 층(206)과 접촉한다. 일부 실시예들에서, 가열 요소(300)는 본딩 층(206)과 통합될 수 있다. 예를 들어, 가열 요소(300)는 본딩 층(206)에 내장될 수 있다. 가열 요소(300)는 전류가 가열 요소(300)를 통과할 때 국부적 저항 가열을 발생시킨다. 일부 실시예들에서, 가열 요소(300)는 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 함께 접합하기 위해 국부적 저항 가열을 발생시키도록 구성된다. 예를 들어, 가열 요소(300)에 의해 발생되는 국부적 저항 가열은 본딩 층(206)의 본드 경화를 촉진한다. 일부 실시예들에서, 가열 요소(300)는 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 탈접합하기 위해 국부적 저항 가열을 발생시키도록 구성된다. 예를 들어, 가열 요소(300)에 의해 발생되는 국부적 저항 가열은 본딩 층(206)이 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)로부터 점착력있게(cohesively) 탈접합되고 제 1 및 제 2 기판들로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어진다.
도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 가열 요소(300)는 저항 와이어(308)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어(308)는 NiCr을 포함할 수 있다. 예를 들어, 저항 와이어(308)는 질량 기준으로 90 % 니켈 및 10 % 크롬일 수 있고, 125 미크론의 와이어 두께를 갖는다. 일부 실시예들에서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 가열 요소(300)는 제 1 리드(lead: 302) 및 제 2 리드(304)를 포함할 수 있고, 이들은 각각 저항 와이어(308)에 전기적으로 연결된다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어(308)는 절연 저항 와이어(310)일 수 있다. 예를 들어, 절연 저항 와이어(310)는 8 미크론 두께의 폴리이미드 절연 층을 갖는 NiCr일 수 있다. 일부 실시예들에서, 가열 요소(300)는 본딩 층(206)과 통합된 절연 저항 와이어(310)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4d에 나타낸 바와 같이, 가열 요소(300)는 제 1 및 제 2 리드들(302, 304)을 갖는 절연 저항 와이어(310)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 절연 저항 와이어(310)는 본딩 층(206)에 내장될 수 있다.
일부 실시예들에서, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 가열 요소(300)는 프레임(306)을 포함할 수 있고, 저항 와이어(308)가 프레임(306)과 통합된다. 예를 들어, 저항 와이어(308)는 프레임(306)에 내장될 수 있다. 프레임(306)은 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 접합 또는 탈접합하는 것을 돕기 위해 여하한의 적절한 형상 또는 크기 및 여하한의 재료일 수 있다. 일부 실시예들에서, 프레임(306)은 얇은 사변형 또는 직육면체일 수 있다. 일부 실시예들에서, 프레임(306)은 얇은 디스크 또는 원통형일 수 있다. 일부 실시예들에서, 프레임(306)은 절연체, 예를 들어 플라스틱일 수 있다. 일부 실시예들에서, 프레임(306)은 금속, 예를 들어 티타늄일 수 있다. 일부 실시예들에서, 프레임(306)은 본딩 층(206)의 사전설정된 본드 라인 두께를 세팅하거나 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 프레임(306)은 실질적으로 균일한 본딩 층(206) 두께, 예를 들어 제 1 및 제 2 기판들(202, 204) 사이에서 0.5 mm를 형성하기 위해 실질적으로 균일한 두께(높이)를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 프레임(306)은 본딩 층(206)을 환기하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 프레임(306)은 가열 요소(300)와 제 1 및 제 2 기판들(202, 204) 사이에서 본딩 층(206)을 환기하고 고르게 흐르도록 돕기 위해, 각각 프레임(306)의 1 이상의 표면을 따라 연장되는 제 1 홈(312) 및 제 2 홈(314)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프레임(306)은 본딩 층(206)과 실질적으로 동등한 강성도, 압축 강도, 또는 열팽창 계수를 가질 수 있다. 예를 들어, 프레임(306)의 강성도는 본딩 층(206)과 실질적으로 매칭하도록 조정되어, 프레임(306) 및 본딩 층(206)이 둘 다 접합 또는 탈접합 동안 거의 또는 실질적으로 동일한 양을 압축하거나 구부리도록 할 수 있다.
일부 실시예들에서, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 저항 와이어(308)는 프레임(306)의 대칭면(plane of symmetry)을 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 나타낸 바와 같이, 대칭면은 프레임(306)의 높이 중심선을 따라 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어(308)는 베어(bare)(절연되지 않음)이고, 프레임(306)과 통합될 수 있다. 예를 들어, 저항 와이어(308)는 베어 NiCr일 수 있고, 프레임(306)은 절연 고온 서모플라스틱일 수 있다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어(308)는 절연 저항 와이어(310)일 수 있다. 예를 들어, 도 4d에 나타낸 바와 같이, 저항 와이어(308)는 베어(절연되지 않음)이고, 절연체에 감싸여 절연 저항 와이어(310)를 형성할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 예시적인 가열 요소(300)의 개략적인 도면을 나타낸다. 일부 실시예들에서, 도 4a 내지 도 4c에 나타낸 바와 같이, 가열 요소(300)는 프레임(306) 및 프레임(306)과 통합된 저항 와이어(308)를 포함할 수 있으며, 제 1 및 제 2 리드들(302, 304)이 저항 와이어(308)에 전기적으로 연결되고 프레임(306) 외부로 연장되어 있다. 예를 들어, 저항 와이어(308)는 프레임(306)에 내장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어(308)는 단일 예비형성 저항 와이어일 수 있다. 예를 들어, 도 4a 내지 도 4d에 나타낸 바와 같이, 저항 와이어(308)는 커버리지를 최대화하거나, 제 1 및 제 2 기판들(202, 204) 사이의 프레임(306)의 단면적 또는 본드 영역의 대부분을 덮도록 형상화될 수 있다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어(308)는 구불구불한 패턴으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 4a에 나타낸 바와 같이, 저항 와이어(308)는 각각의 단부에 제 1 및 제 2 리드들(302, 304)을 갖는 구불구불한 형상이다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어(308)는 나선형 패턴으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 저항 와이어(308)는 각각의 단부에 제 1 및 제 2 리드들(302, 304)을 갖는 정사각형 나선과 같은 형상이다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어(308)는 코일 패턴으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 4c에 나타낸 바와 같이, 저항 와이어(308)는 각각의 단부에 제 1 및 제 2 리드들(302, 304)을 갖는 원형 코일과 같은 형상이다. 일부 실시예들에서, 저항 와이어(308)는 지그재그 패턴으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 4d에 나타낸 바와 같이, 절연 저항 와이어(310)는 각각의 단부에 제 1 및 제 2 리드들(302, 304)을 갖는 지그재그 형상이다. 일부 실시예들에서, 프레임(306)은 생략될 수 있으며, 절연 저항 와이어(310)는 가열 요소(300)이고 본딩 층(206)과 통합될 수 있다. 예를 들어, 도 4d에 나타낸 바와 같이, 가열 요소(300)는 절연 저항 와이어(310)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 절연 저항 와이어(310)는 본딩 층(206)에 내장될 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 예시적인 본딩 장치(200)의 개략적인 도면을 나타낸다. 도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 본딩 장치(200)는 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)이 본딩 층(206)으로부터 떨어져 탈접합되도록 탈접합 구성(30)에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 가열 요소(300)는 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 탈접합하기 위해 국부적 저항 가열을 발생시키도록 구성된다. 예를 들어, 가열 요소(300)에 의해 발생되는 국부적 저항 가열은 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어진다. 특히, NiCr 저항 와이어(308), 자기적 제 1 기판(202), 및 240 초 동안 가열 요소(300)에 적용되는 25 V의 안정된 전압에 대해, 본딩 층(206)은 33.7 ℃의 최대 자기적 제 1 기판(202) 표면 온도로 점착력있게 약해졌고, 자기적 제 1 기판(202)은 적용된 10 Nm 토크로 제거되었다.
본딩 장치를 작동하는 방법들은 본 명세서에 개시된 작동 방식들에 따라 달성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 본딩 장치(200)는 접합 구성(20)으로 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이는 예를 들어 제 1 및 제 2 기판들(202, 204) 사이에 본딩 층(206) 및 가열 요소(300)를 적용함으로써 달성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 접합 구성(20)은 국부적 저항 가열을 발생시키고 본딩 층(206)의 본드 경화를 촉진하는 가열 요소(300)를 통해 전류를 통과시킴으로써 달성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 본딩 장치(200)는 탈접합 구성(30)으로 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이는 예를 들어 낮은 온도 구배로, 예를 들어 가열 요소(300) 근처의 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)의 표면 온도가 40 ℃ 미만으로 유지되도록 국부적 저항 가열을 발생시키는 가열 요소(300)를 통해 전류를 통과시키고, 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 분리함으로써 달성될 수 있다. 예를 들어, 15 N 미만의 힘, 10 Nm 미만의 토크, 또는 중력을 적용하여 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 분리한다.
일부 실시예들에서, 접합 구성(20)(도 2 및 도 3 참조)에서, 사용자가 낮은 온도 구배로, 예를 들어 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)에 대해 40 ℃ 미만의 표면 온도로 국부적 저항 가열을 발생시키는 가열 요소(300)를 통해 시간 주기, 예를 들어 240 초 동안 전류, 예를 들어 (V = 25 V 및 R = 6.094 kΩ에 대한) 4.1 mA를 통과시킬 수 있다. 그 후, 사용자는 15 N 미만의 힘, 10 Nm 미만의 토크, 또는 중력을 적용하여 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)을 분리하고, 탈접합 구성(30)(도 5 및 도 6 참조)을 달성할 수 있다. 예를 들어, 탈접합 후, 제 1 및 제 2 기판들(202, 204)은 자체 중량 및 중력만으로부터 분리될 수 있다(즉, 적용되는 힘 또는 토크가 필요하지 않음).
본 실시예들은 다음 항목들을 이용하여 더 설명될 수 있다:
1. 본딩 장치로서:
제 1 기판;
제 2 기판;
제 1 및 제 2 기판들 사이에 배치되는 본딩 층 -본딩 층은 제 1 및 제 2 기판들을 함께 접합하도록 구성됨- ; 및
제 1 및 제 2 기판들 사이에 배치되는 가열 요소 -가열 요소는 본딩 층과 접촉하고, 제 1 및 제 2 기판들을 함께 접합하거나 제 1 및 제 2 기판들을 탈접합하기 위해 국부적 저항 가열을 발생시키도록 구성됨- 를 포함하는 본딩 장치.
2. 1 항에 있어서, 가열 요소는 프레임 및 프레임과 통합된 저항 와이어를 포함하는 본딩 장치.
3. 2 항에 있어서, 프레임은 실질적으로 균일한 두께를 가지며, 본딩 층의 사전설정된 본드 라인 두께를 세팅하도록 구성되는 본딩 장치.
4. 2 항에 있어서, 프레임은 본딩 층과 실질적으로 동등한 강성도, 압축 강도, 또는 열팽창 계수를 갖는 본딩 장치.
5. 2 항에 있어서, 저항 와이어는 니크롬을 포함하는 본딩 장치.
6. 2 항에 있어서, 저항 와이어는 제 1 및 제 2 기판들 사이의 본드 영역의 대부분을 덮도록 구성되는 단일 예비형성 저항 와이어를 포함하는 본딩 장치.
7. 6 항에 있어서, 단일 예비형성 저항 와이어는 구불구불한, 지그재그, 나선형, 또는 코일 패턴으로 배치되는 본딩 장치.
8. 2 항에 있어서, 프레임은 본딩 층을 환기하도록 구성되는 홈을 포함하는 본딩 장치.
9. 1 항에 있어서, 가열 요소는 본딩 층과 통합된 절연 저항 와이어를 포함하는 본딩 장치.
10. 1 항에 있어서, 본딩 층은 에폭시, 엘라스토머, 또는 서모플라스틱을 포함하는 본딩 장치.
11. 1 항에 있어서, 제 1 기판은 자기적인 본딩 장치.
12. 11 항에 있어서, 국부적 저항 가열은 제 1 기판으로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어지는 본딩 장치.
13. 제 1 기판 및 제 2 기판을 접합 또는 탈접합하는 가열 장치로서:
프레임; 및
프레임과 통합된 저항 와이어를 포함하고,
저항 와이어는 제 1 및 제 2 기판들 사이의 본딩 층에서 국부적 저항 가열을 발생시키도록 구성되며,
국부적 저항 가열은 제 1 및 제 2 기판들로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어지는 가열 장치.
14. 13 항에 있어서, 프레임은 실질적으로 균일한 두께를 가지며, 본딩 층의 사전설정된 본드 라인 두께를 세팅하도록 구성되는 가열 장치.
15. 13 항에 있어서, 프레임은 본딩 층과 실질적으로 동등한 강성도, 압축 강도, 또는 열팽창 계수를 갖는 가열 장치.
16. 13 항에 있어서, 프레임은 본딩 층을 환기하도록 구성되는 홈을 포함하는 가열 장치.
17. 13 항에 있어서, 프레임은 플라스틱, 서모플라스틱, 세라믹, 또는 금속을 포함하는 가열 장치.
18. 제 1 기판 및 제 2 기판을 접합 또는 탈접합하는 방법으로서:
본딩 장치를 형성하는 제 1 및 제 2 기판들을 접합하는 단계 -본딩 장치는:
제 1 및 제 2 기판들 사이에 배치된 본딩 층; 및
제 1 및 제 2 기판들 사이에 배치된 가열 요소를 포함하고, 가열 요소는 본딩 층과 접촉함- ;
본딩 층에서 국부적 저항 가열을 발생시키는 가열 요소를 통해 전류를 통과시키는 단계 -국부적 저항 가열은 제 1 및 제 2 기판들로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어짐- ; 및
제 1 및 제 2 기판들을 분리하는 단계를 포함하는 방법.
19. 18 항에 있어서, 국부적 저항 가열을 발생시키고 본딩 층의 본드 경화를 촉진하는 가열 요소를 통해 전류를 통과시키는 단계를 더 포함하는 방법.
20. 18 항에 있어서, 제 1 및 제 2 기판들을 분리하기 위해 15 N 미만의 힘, 10 Nm 미만의 토크, 또는 중력을 적용하는 단계를 더 포함하는 방법.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 다른 적용예들을 가질 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 가능한 다른 적용예들은 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.
본 명세서에서는, 리소그래피 장치와 관련하여 본 발명의 특정 실시예들이 언급되지만, 본 발명의 실시예들은 다른 장치에서 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예들은 마스크 검사 장치, 메트롤로지 장치, 또는 웨이퍼(또는 다른 기판) 또는 마스크(또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 대상물을 측정하거나 처리하는 여하한의 장치의 일부를 형성할 수 있다. 이 장치는 일반적으로 리소그래피 툴이라고 칭해질 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건들 또는 주위(비-진공) 조건들을 이용할 수 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않으며, 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있음을 이해할 것이다.
본 명세서에서, 어구 또는 전문 용어는 예시에 의한 설명을 위한 것이며 제한하려는 것이 아니므로, 본 명세서의 전문 용어 또는 어구가 당업자에 의해 본 명세서의 교시를 고려하여 해석되어야 한다는 것을 이해하여야 한다.
앞선 예시들은 본 발명의 실시예들의 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 본 분야에서 통상적으로 접하고 당업자에게 명백할 다양한 조건들 및 파라미터들의 다른 적절한 변형예들 및 응용예들이 본 발명의 기술사상 및 범위 내에 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
초록(Abstract) 및 요약(Summary) 부분들이 아닌 상세한 설명(Detailed Description) 부분이 청구항을 해석하는 데 사용되도록 의도된다는 것을 이해하여야 한다. 요약 및 초록 부분들은 발명자(들)에 의해 고려된 바와 같은 본 발명의 모든 예시적인 실시예들이 아닌 1 이상을 설명할 수 있으며, 이에 따라 어떠한 방식으로도 본 발명 및 첨부된 청구항을 제한하도록 의도되지 않는다.
이상, 본 발명은 특정 기능들 및 그 관계들의 구현을 예시하는 기능적 빌딩 블록들의 도움으로 설명되었다. 이러한 기능적 빌딩 블록들의 경계들은 설명의 편의를 위해 본 명세서에서 임의로 정의되었다. 특정 기능들 및 그 관계들이 적절하게 수행되는 한, 대안적인 경계들이 정의될 수 있다.
특정 실시예들의 앞선 설명은, 당업계의 지식을 적용함으로써, 다양한 적용들에 대해 본 발명의 일반적인 개념을 벗어나지 않고 지나친 실험 없이 이러한 특정 실시예들을 쉽게 변형하고, 및/또는 응용할 수 있도록 본 발명의 일반적인 성질을 전부 드러낼 것이다. 그러므로, 이러한 응용예 및 변형예들은 본 명세서에 나타낸 교시 및 안내에 기초하여, 개시된 실시예들의 균등물의 의미 및 범위 내에 있도록 의도된다.
본 발명의 범위와 폭은 상술된 예시적인 실시예들 중 어느 것에 의해서도 제한되지 않아야 하며, 다음의 청구항 및 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.
Claims (20)
- 본딩 장치(bonding apparatus)로서,
제 1 기판;
제 2 기판;
상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 본딩 층(bonding layer) -상기 본딩 층은 상기 제 1 및 제 2 기판들을 함께 접합(bond)하도록 구성됨- ; 및
상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 가열 요소 -상기 가열 요소는 상기 본딩 층과 접촉하고, 상기 제 1 및 제 2 기판들을 함께 접합하거나 상기 제 1 및 제 2 기판들을 탈접합(debond)하기 위해 국부적 저항 가열(localized resistive heating)을 발생시키도록 구성됨-
를 포함하는 본딩 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 가열 요소는 프레임 및 상기 프레임과 통합된 저항 와이어(resistive wire)를 포함하는 본딩 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 프레임은 실질적으로 균일한 두께를 가지며, 상기 본딩 층의 사전설정된 본드 라인 두께(predetermined bond line thickness)를 세팅하도록 구성되는 본딩 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 프레임은 상기 본딩 층과 실질적으로 동등한 강성도(stiffness), 압축 강도, 또는 열팽창 계수를 갖는 본딩 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 저항 와이어는 니크롬을 포함하는 본딩 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 저항 와이어는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 본드 영역의 대부분을 덮도록 구성되는 단일 예비형성 저항 와이어(single preformed resistive wire)를 포함하는 본딩 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 단일 예비형성 저항 와이어는 구불구불한, 지그재그, 나선형, 또는 코일 패턴으로 배치되는 본딩 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 프레임은 상기 본딩 층을 환기하도록 구성되는 홈을 포함하는 본딩 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 가열 요소는 상기 본딩 층과 통합된 절연 저항 와이어(insulated resistive wire)를 포함하는 본딩 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 본딩 층은 에폭시, 엘라스토머, 또는 서모플라스틱을 포함하는 본딩 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기판은 자기적(magnetic)인 본딩 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 국부적 저항 가열은 상기 제 1 기판으로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어지는 본딩 장치. - 제 1 기판 및 제 2 기판을 접합 또는 탈접합하는 가열 장치로서,
프레임; 및
상기 프레임과 통합된 저항 와이어
를 포함하고,
상기 저항 와이어는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 본딩 층에서 국부적 저항 가열을 발생시키도록 구성되며,
상기 국부적 저항 가열은 상기 제 1 및 제 2 기판들로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어지는 가열 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 프레임은 실질적으로 균일한 두께를 가지며, 상기 본딩 층의 사전설정된 본드 라인 두께를 세팅하도록 구성되는 가열 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 프레임은 상기 본딩 층과 실질적으로 동등한 강성도, 압축 강도, 또는 열팽창 계수를 갖는 가열 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 프레임은 상기 본딩 층을 환기하도록 구성되는 홈을 포함하는 가열 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 프레임은 플라스틱, 서모플라스틱, 세라믹, 또는 금속을 포함하는 가열 장치. - 제 1 기판 및 제 2 기판을 접합 또는 탈접합하는 방법으로서,
본딩 장치를 형성하는 상기 제 1 및 제 2 기판들을 접합하는 단계 -상기 본딩 장치는:
상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치된 본딩 층; 및
상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치된 가열 요소를 포함하고, 상기 가열 요소는 상기 본딩 층과 접촉함- ;
상기 본딩 층에서 국부적 저항 가열을 발생시키는 상기 가열 요소를 통해 전류를 통과시키는 단계 -상기 국부적 저항 가열은 상기 제 1 및 제 2 기판들로 전달되는 여하한의 열이 40 ℃ 미만이도록 이루어짐- ; 및
상기 제 1 및 제 2 기판들을 분리하는 단계
를 포함하는 방법. - 제 18 항에 있어서,
국부적 저항 가열을 발생시키고 상기 본딩 층의 본드 경화(bond curing)를 촉진하는 상기 가열 요소를 통해 전류를 통과시키는 단계를 더 포함하는 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 기판들을 분리하기 위해 15 N 미만의 힘, 10 Nm 미만의 토크, 또는 중력을 적용하는 단계를 더 포함하는 방법.
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