TW201110407A - Method for manufacturing light emitting apparatus, light emitting apparatus and mounting base thereof - Google Patents

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TW201110407A TW099119128A TW99119128A TW201110407A TW 201110407 A TW201110407 A TW 201110407A TW 099119128 A TW099119128 A TW 099119128A TW 99119128 A TW99119128 A TW 99119128A TW 201110407 A TW201110407 A TW 201110407A
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Takaaki Sakai
Shinichi Katano
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Stanley Electric Co Ltd
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Description

201110407 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關搭載發光二極體（LED )之發光裝置之 製造方法，特別是有關將複數之發光二極體搭載成線狀之 發光裝置之製造方法。 【先前技術】 爲了提升搭載發光二極體之基板的放熱效果，在專利 文獻1中揭示有將薄板金屬作爲基板而使用者。薄板金屬 基板係經由衝壓加工所設置之縫隙而分離成二個電極範圍 ，一方的電極範圍係加工成反射器之硏鉢狀的凹部形狀。 對於凹部的中心係晶片接合發光二極體。另一方的電極範 圍係與發光二極體之上面電極，經由接合線加以連接。對 於在製造時，於設置縫隙之基板背面，貼上耐熱性的薄膜 ，進行發光二極體之晶片接合及導線接合之後，經由環氧 樹脂而封閉上面全體。由此，縫隙亦經由環氧樹脂而加以 塡充。之後，經由晶片切割基板之時而分離成各個之發光 二極體。經由絕緣性的耐熱性薄膜及環氧樹脂，連結縫隙 之故，對於經由晶片切割而分離時’亦可維持二個電極範 圍之連結者。 另一方面，在專利文獻2中，揭示有未進行晶片切割 之半導體裝置之製造方法。即’預先於配線基板，將孔狀 的溝設置於縱橫，於以孔狀的溝所區隔的範圍，搭載各半 [S ]. 導體基板，於上面設置封閉用樹脂層。經由沿著孔折斷配 ~ -5- 201110407 線基板及封閉用樹脂層之時，分割配線基板之方法。 以往技術文獻 [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2000_5 8924號公報 [專利文獻2]日本特開2006-108341號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 如記載於專利文獻1，將薄板金屬作爲基板而使用之 發光裝置係必須經由晶片切割刀而切斷，分割成各個發光 裝置。經由晶片切割而切斷基板時，有產生切削屑，附著 於發光二極體之發光面的問題。 另一方面，將設置孔狀的溝，經由折斷而分割配線基 板之專利文獻2的技術適用於發光元件時，折斷時之基板 的應力乃加上發光二極體或接合線，有著產生無法點燈等 之不良情況之虞。另外，對於基板爲金屬之情況，即使設 置孔狀的溝，經由金屬的延展性而亦不易折斷。 本發明之目的乃提供即使使用金屬製之基板的情況， 亦可經由折斷而分割基板之發光裝置的製造方法。 [爲解決課題之手段] 爲了達成上述目的，在本發明中，提供如以下之發光 裝置之製造方法。
-6 - 201110407 即，一種發光裝置之製造方法，其特徵乃具有：準備 包含將複數之發光裝置基板作爲一體化之連結部與開口部 之1以上的連結部縫隙乃形成於特定方向之金屬板的工程 ， 和配列複數之發光元件而搭載於金屬板之工程， 和於對應於金屬板之發光元件搭載位置的位置，設置 開口，將形成第1之反射器分割溝於重疊於金屬板之連結 部縫隙的位置的樹脂製之板狀反射器，重疊搭載於金屬板 而固定之工程， 將重疊所固定之金屬板與板狀反射器，沿著金屬板之 連結部縫隙及板狀反射器之第1之反射器分割溝加以折斷 之工程者。 如此，經由重疊固定金屬板與樹脂製之板狀反射器， 進行折斷之時，可容易折斷金屬板者。 可做成對於上述金屬板，係形成垂直交叉於前述連結 部縫隙之基板分割溝，對於板狀反射器，係於重疊於基板 分割溝之位置形成第2之反射器分割溝的構成者。由此， 可沿著基板分割溝及第2之反射器分割溝加以折斷者。 前述第1之反射器分割溝及/或第2之反射器分割溝 係從各由兩面加以形成之V溝所構成者爲佳。 對於前述金屬板，係爲了將折斷後的金屬板電性地分 成2個範圍，與前述連結部縫隙另外更形成絕緣用縫隙， 可在搭載工程之前，或搭載工程之後，於固定工程之前塡 [S1 充絕緣性樹脂於絕緣用縫隙之工程者。 201110407 更可進行經由接合線而連接在搭載工 元件之上面電極，和夾持絕緣用縫隙而設 對向側之範圍的結合墊片之工程者。 前述的連結部係經由將金屬板上的發 合線之範圍，假設性地延長於垂直在連結 向之方向之時，配置於從金屬板上所定義 之位置者爲佳。爲了避開在折斷時加上應 接合線情況。 對於上述連結部係至少從單側設置窄 ，而第1之反射器分割溝係剖面可形成;I 口與第1之反射器分割溝乃呈重疊地固定 屬板者爲佳。 在前述之折斷工程中，可從基板分割 任意地選擇加以折斷。 另外，如根據本發明之其他形態，提 裝置。即，一種發光裝置，其特徵乃具有 緣性樹脂之絕緣用縫隙的金屬製的基板， 發光元件，和配置於基板上，於對應於發 置的位置具備開口之樹脂製的反射器，於 縫隙垂直交叉的側面具備突起部，對於突 成有傾斜面者。 前述發光元件係可做成搭載於經由絕 分離之基板的第一範圍與第二範圍之任一 方的電極係於未搭載基板的第一範圍與第 程所搭載之發光 置於與發光元件 光元件與配置接 部縫隙之長度方 之帶狀範圍離開 力於發光元件或 V字型的缺口 5 V字型者，缺 板狀反射器與金 溝與連結部縫隙 供如以下之發光 :具有塡充有絕 和搭載於基板之 光元件之搭載位 與基板的絕緣用 起部之端部係形 緣用縫隙而電性 ，發光元件之一 二範圍的發光元 -8 - 201110407 件之一方，藉由接合線加以電性連接，於各基板的第一範 圍與第二範圍形成突起部之構成。 如根據本發明之又其他形態，提供如以下之發光裝置 搭載用基板。即，一種發光裝置搭載用基板，其特徵乃具 有將複數之發光裝置用金屬製基板作爲一體化之連結部與 開口部所成之1以上之連結部縫隙，對於連結部係至少從 單側設置有缺口者。 【實施方式】 對於本發明之實施形態，使用圖面加以說明。 (第1實施形態） 在第1實施形態中，對於線狀的發光裝置之製造方法 加以說明。 其線狀的發光裝置係將圖1剖面圖，如圖2 ( f)斜 視圖所示，由具備金屬製之基板1 0，和一列地排列於基 板10之長度方向所搭載之4個發光二極體元件12，和呈 重疊於基板1 〇地加以搭載之樹脂製之板狀反射器20所構 成。對於板狀反射器20係具備4個硏鉢狀之開口 21，於 開口 21的中央，呈各配置有發光二極體元件12地搭載於 基板10上。 [S1 如於圖3顯示基板10之上面圖地，對於金屬製之基 板10,係各設置有垂直交叉於基板10之長度方向之4條 絕緣用縫隙1 1於4個發光二極體元件1 2附近。對於絕緣 -9 - 201110407 用縫隙1 1係塡充絕緣性樹脂。對於夾持絕緣用縫隙1 1， 與發光二極體元件12鄰接之位置，於基板10的上方係配 置有導線接合墊片24，從發光二極體元件12跨過絕緣用 縫隙11’於導線接合墊片24配置有接合線13。 另外’本實施形態之線狀發光裝置係呈可各一個分割 配置成線狀之4個發光裝置地，對於絕緣用縫隙11與發 光二極體元件12之間，各於基板10的兩面配置分割用V 溝14,於反射器20兩面配置分割用V溝22。分割用V 溝14，22之方向係平行於絕緣用縫隙丨丨。分割用v溝 14係設置於與分割用V溝22重疊之位置。 接著’對於本實施形態之線狀發光裝置之製造方法， 使用圖2，圖4，圖5加以說明。 準備於分割後成爲基板10之金屬板30。金屬板30 乃金屬製之板狀構件，熱傳導率及反射率高，容易加工之 材料所成者爲佳。例如，於Cu的板材施以Ni電鍍層，於 其上方施以Ag電鍍層或Au電鍍層者，或A1的板材乃適 合使用。基板10的厚度乃從加工性或放熱性的觀點加以 決定。例如，設定爲程度。然而，在以下的 說明中，將分割前的基板稱作金屬板30，將分割金屬板 30後之基板稱作金屬製基板10。 對於金屬板30係在分割後的金屬製基板1〇，晶片接 合墊片25，和導線接合墊片24乃如圖3，呈夾持形成絕 緣用縫隙1 1之部分加以配置地，預先加以形成》 首先，在本實施形態之製造方法中，如圖2(a)及 -10- i . 201110407 圖4所示，於一片的金屬板3 Ο，施以衝壓加工或蝕刻加 工，設置複數之連結部縫隙31與垂直交叉於此之複數之 絕緣用縫隙1 1與複數之分割用V溝1 4。連結部縫隙31 係形成爲由開口部與連結部3 2所構成之細寬度線狀之故 ，金屬板3 0係經由形成於連結部縫隙3 1之連結部3 2， 分割後所得到之發光裝置之金屬製基板1 〇乃成爲線狀以 及加以一體連結之構成。對於連結部3 2係如圖4，從兩 面設置有V字型缺口 33。複數之絕緣用縫隙11係形成於 與連結部縫隙31垂直交叉的方向。 分割用V溝1 4係與複數之絕緣用縫隙1 1隔開特定 的間隔平行地加以形成。分割用V溝14係如圖1，形成 於金屬板30之兩面。從容易分割的觀點，金屬製基板10 之殘存厚度呈成爲〇.l5mm以下地，設計分割用ν溝14 之深度者爲佳。但對於在分割工程後之發光裝置內，使未 折斷之V溝14殘存，藉由該V溝14而得到電性連接之 情況，呈未在該 V溝產生斷線地，將殘存厚度做成 0.10mm以上者爲佳。 連結部32之V字型的缺口 33及分割用▽溝14係除 了衝壓加工或蝕刻加工之外，經由從金屬板3 0之兩面由 晶片切割刀刻上刻痕而形成亦可。 另外，V字型的缺口及分割用V溝1 4係未必形成於 兩面亦可，只於背面或上面形成亦可。 接著，在圖2(b)及圖4的工程中，於絕緣用縫隙 1 1，經由分注器注入各絕緣性黏接劑。_作爲絕緣性黏接劑 -11 - 201110407 係耐熱性或信賴性，更且爲了有效率地將來自晶片的光輸 出至外部而反射率高，且爲了效率佳地將從晶片產生的熱 進fr放熱而熱傳導性局的構成爲佳。例如，可適當使用分 散氧化銘粒子於聚矽氧樹脂的黏接劑，或陶瓷系之無機黏 接劑者。 接著’在圖2(c)的工程中，於金屬板30之晶片接 合墊片25 ’經由導電性樹脂黏接劑，晶片接合發光二極 體元件1 2 °作爲導電性樹脂黏接劑，例如可使用分散有 Ag粒子之環氧系樹脂黏接劑（Ag電糊）或聚矽氧系樹脂 黏接劑者。之後’從發光二極體元件12之上面電極，於 跨過絕緣用縫隙1 1配置於相反側之導線接合墊片24，連 接接合線1 3。 另一方面，在圖2(d)及圖5的工程中，於另外製 造之樹脂製的反射器20之兩面，設置V溝41。設置V溝 41之位置係與金屬板30之連結部縫隙31 —致之位置， 理想爲與V溝33 —致之位置。另外，對於反射器20係 於與金屬板30之分割用V溝14 一致之位置，設置分割 用V溝22。V溝41、22係例如經由晶片切割而設置。然 而，反射器20係在黏接於金屬板30時加上壓力之故，分 割反射器之刻痕係V字型爲佳。另外，從兩面設置V溝 41、22之部分之反射器20的殘存厚度乃O.lSmm以下爲 佳。然而，作爲構成反射器20之樹脂’係PPA (聚鄰苯 二甲醯胺樹脂），PA (聚醯胺樹脂），PPS (聚苯硫醚樹 脂），LCP (液晶聚合物樹脂）均爲了提升反射率而經由
-12- 201110407 顏料做成白色者爲最佳。對於樹脂反射器20之開口 21的 內壁，係爲了提升反射率而可設置反射層。 於金屬板30的表面塗佈黏接劑（例如聚矽氧系黏接 劑）’黏接反射器20。由此，形成基板1〇之連結部縫隙 31與反射器20之V溝41的位置乃一致之層積體。另外 ’金屬板30之分割用V溝14與反射器20之分割用V溝 20之位置亦爲一致。 之後，在圖2(e)的工程中，於反射器20之開口 21 內，塡充分散螢光體之透明樹脂而使其硬化。螢光體係使 用將發光二極體元件12的光作爲激發光而發射特定波長 之螢光的構成。 最後，如圖2 ( f)，沿著金屬板30之連結部縫隙3 1 及反射器20之V溝41，以手進行分割。此時，如圖2(f )的箭頭51所示，金屬板30之連結部32的背面側之缺 口 3 3呈擴張地將反射器側做成內側彎曲時，樹脂製之反 射器20之兩面的V溝41之中心乃成爲支點，可擴張金 屬板30之連結部32的背面側之缺口 33之故，可傳達大 的力於連接部32者。經由其大的力而折斷金屬板30之連 結部3 2時，樹脂製之反射器2 0之V溝41亦折入而折斷 。由此，容易分割金屬板3 0，可得到線狀的基板1 〇及反 射器20者。 如此，將延展性小的樹脂製之板狀反射器20貼上於 金屬板30，經由同時折斷反射器20與金屬板30之時， 金屬板3 0即使爲有延展性的金屬，亦可容易分割而得到 -13- 201110407 線狀的基板10。另外亦可取代以手分割，而以衝壓機分 割者》 另外，在分割金屬板30時，呈不會加上應力於發光 二極體元件12或導線13地，連結部縫隙31之連結部32 係如圖3所示，配置於未重疊於導線接合墊片與配置發光 二極體元件12及接合線13之範圔35的位置者爲佳。即 ，連結部32係將配置有金屬板30 (金屬製基板10)上之 發光二極體元件12與接合線13的範圍，經由假設性地延 長於垂直在連結部縫隙31之長度方向的方向之時，配置 於未重疊於金屬板30(金屬製基板10)上所定義之帶狀 範圍35的位置爲佳。在本實施形態中，於金屬板30之分 割用V溝14的位置，配置連結部3 2。 另外，經由於連結部32設置V字型之缺口 33之時 ’可減少在分割時，加上於金屬板30的力，更且一樣地 得到分散應力之效果之故，不易加上應力於發光二極體元 件或導線。 連結部32係於分割後，如圖2 ( f)，於線狀的發光 裝置之側面’殘存有突起狀之故，使用於液晶背光光源等 之發光二極體光源之情況，經由作爲配線，端子等之安裝 部而利用連結部32之時，可容易進行安裝，容易進行供 電。另外’經由焊接安裝線狀之發光裝置的基板10於其 他的基板等之情況，經由焊料圓角形成或接合面積的增加 ，接合強度則上升。 如此’在第1實施形態之製造方法中，即使爲使用金 14 - 201110407 屬製之基板ίο的發光裝置，由未進行晶片切割而分割金 屬板30及反射器者亦可製造之故，可容易製造如圖1及 圖2(f)所示之線狀的發光裝置。於發光二極體元件12 之表面未附著有晶片切割之切削屑，而可提升製造產率者 〇 圖1及圖2(f)所示之線狀的發光裝置係鄰接之發 光二極體元件12乃成爲串聯連接之線狀發光裝置。 另一方面，如圖6所示，對於本實施形態之金屬板 3 0與反射器2 0係於垂直交叉於連結部縫隙3 1之方向， 設置有分割用V溝1 4、22之故，亦可在分割用V溝1 4、 22之位置更進行分割者。另一方面，對於連結部縫隙3 1 及V溝41之方向係未分割金屬板30與反射器20，而只 於分割用V溝1 4、22之方向進行分割者亦可，對於此情 況，係得到並聯連接之線狀發光裝置。 進行分割的位置係可自由地選擇之故，如圖6(b) ，在連結部縫隙3 1之位置分割金屬板30與反射器20之 後，經由在分割用V溝14之位置更進行分割之時，可製 造只搭載1個發光二極體元件12之發光裝置。另外，如 圖6 ( c )，經由分割成2x2地配列發光二極體元件1 2之 形狀之時，可製造並聯與串聯之混合配列的發光裝置。如 圖6(d)，爲串聯連接2個發光二極體元件12之構成， 但可製造並聯連接成階梯狀之發光裝置者。 然而，在本實施形態中，對於爲了提升分割時之分割 方向選擇之自由度，對於金屬板30與反射器20係於垂直 -15- 201110407 交叉之2方向，設置連結部縫隙31或分割用V溝14，22 或V溝41的例加以說明過，但對於決定製造預先特定方 向之線狀的發光裝置之情況，只於線狀的方向，設置連結 部縫隙31或分割用V溝14，22或V溝41即可。 如以上，本實施形態之發光二極體發光裝置之製造方 法係將簡單的縫隙或V溝形成於金屬板30與反射器20, 以分注器工法，可簡單地流入絕緣性樹脂者。並且，並非 由晶片切割工程，而以手等可分割金屬板30與反射器20 者。隨之，可廉價且容易製造線狀等之所期望的配列之發 光二極體發光裝置，並且可得到信賴性與泛用性高的效果 (第2實施形態） 接著，對於本發明之第2實施形態加以說明。 在第1實施形態中，在圖2 ( b )之工程，以分注器 工法，注入絕緣性黏接材於絕緣用縫隙1 1，在圖2 ( d ) 之工程，於金屬板30的表面塗佈黏接劑，黏接反射器20 之步驟，但在第2實施形態中，將圖2(b)之工程與圖2 (d )之工程做成一個工程。 具體而言，如圖7(b)所示，於分注工程之前，進 行發光二極體元件12之晶片接合及導線13之接合工程。 之後，在分注工程中，以分注器注入絕緣用縫隙1 1之絕 緣性黏接劑時，增加注入量，做成從絕緣用縫隙1 1黏接 劑溢出於金屬板30之上面。由此，如圖8所示，可形成
•16- 201110407 被覆發光二極體元件12周圍之金屬板30表面之黏接劑層 15者。隨之，無需於金屬板30表面另外塗佈黏接劑，而 可搭載反射器20，與金屬板30黏接，簡化製造工程。 在分注工程中，於接合線1 3未接觸分注器地進行注 入作業。例如，從金屬板3 0之背面側注入絕緣性黏接劑 等。 其他工程（圖7 ( a ) ， ( e) ，（ f))係因與第1實 施形態之圖2 ( a ) ， ( e) ， （ f)之工程同樣之故，省略 說明。 (第3實施形態） 在第1實施形態中，使用黏接劑樹脂而晶片接合發光 二極體元件1 2 ’但晶片接合之方法係不限於黏接劑。在 第3實施形態中’對於經由共晶接合而進行晶片..接合之情 況加以說明。 對於晶片接合使用共晶焊料（例如AuSn合金）之情 況，爲了熔融焊料而必須加熱至1 8 0度以上，於對於絕緣 用縫隙1 1注入絕緣性黏接劑之後，進行晶片接合時，有 經由加熱而產生劣化（例如，樹脂變色，剝離等）之虞。 因此，在第3實施形態中，於分注工程之前，進行發光二 極體元件12之晶片接合。首先，在圖9(b)的工程中， 使用共晶焊料而進行晶片接合之後，在圖9 ( c )的工程 ’注入絕緣性黏接劑於絕緣用縫隙n。之後，接合導線 •17- 201110407 經由如此之工程，對於發光二極體元件12之晶片接 合係可使用焊料者。 然而’在桌3實施形態中’圖9(a) 、( d ) ，( e )，（〇的工程係因與圖2(a) 、（d) ，（e) ，（f) 的工程相同之故，省略說明。 上述之本發明的發光二極體發光裝置係經由作爲取代 螢光燈而使用之故，可使用於照明裝置。另外，亦可作爲 汽車大燈，後車燈，室內照明，方向燈等之車載用光源， 或影印機的讀取用光源而使用者。 【圖式簡單說明】 圖1乃第1實施形態之線狀發光裝置之剖面圖。 圖2(a)〜（f)乃顯示第1實施形態之線狀發光裝 置之製造工程的斜視圖。 圖3乃從圖1之線狀發光裝置拆除反射器之構成的上 面圖。 圖4乃圖2(a)之基板10的擴大斜視圖。 圖5乃圖2 ( d )之反射器20的擴大斜視圖。 圖6(a)乃顯示將圖2(e)之基板10與反射器20 之層積體，分割於2方向之說明圖，（b)乃只具備一個 發光二極體元件之發光裝置的斜視圖，（c)乃將發光二 極體元件具備2x2之發光裝置的斜視圖，（d)乃顯示階 梯狀地並聯連接串連2個之發光裝置的發光裝置斜視圖。 圖7(a)〜（f)乃顯示第2實施形態之線狀發光裝
-18- 201110407 置之製造工程的斜視圖。 圖8乃在圖7之工程所製造之線狀發光裝置之剖面圖 〇 圖9 ( a )〜（f)乃顯示第3實施形態之線狀發光裝 置之製造工程的斜視圖。 【主要元件符號說明】 1〇 :金屬製基板 1 1 :縫隙 12:發光二極體元件 1 3 :接合線 14 : V 溝 1 5 :接著劑層 20 :反射器 21 :開口 22 : V 溝 24 :結合墊片 3 1 :縫隙 3 2 :連結部 33 : V字型之缺口 3 5 :範圍 41 : V 溝 51 :顯示彎曲方向的箭頭 [S 1 -19-

Claims (1)

  1. 201110407 七、申請專利範圍： 1.—種發光裝置之製造方法，其特徵乃具有：準備 包含將複數之發光裝置基板作爲一體化之連結部與開口部 之1以上的連結部縫隙乃形成於特定方向之金屬板的工程 » 和配列複數之發光元件而搭載於前述金屬板之工程； 和於對應於前述金屬板之發光元件搭載位置的位置， 設置開□，將形成第1之反射器分割溝於重疊於前述金屬 板之前述連結部縫隙的位置的樹脂製之板狀反射器，重疊 搭載於前述金屬板而固定之工程； 和將重疊所固定之前述金屬板與前述板狀反射器，沿 著前述金屬板之前述連結部縫隙及前述板狀反射器之前述 第1之反射器分割溝加以折斷之工程者。 2- 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置之製造方法 ，其中，具有對於前述金屬板，係形成有垂直交叉於前述 連結部縫隙之基板分割溝， 對於前述板狀反射器，係具有於重疊於前述基板分割 溝之位置形成有第2之反射器分割溝，沿著前述基板分割 溝及前述第2之反射器分割溝加以折斷之工程者》 3- 如申請專利範圍第2項記載之發光裝置之製造方法 ，其中，前述第1之反射器分割溝及/或前述第2之反射器 分割溝係從前述兩面各加以形成之V溝者》 4.如申請專利範圍第1項記載之發光裝置之製造方法 ，其中，具有對於前述金屬板，係形成有爲了將該金屬板 -20- 201110407 電性地分爲2個範圍之絕緣用縫隙，在前述搭載工程之前 ’或前述搭載工程之後，於·前述固定工程之前塡充絕緣性 樹脂於前述絕緣用縫隙之工程者。 5. 如申請專利範圍第4項記載之發光裝置之製造方法 ，其中’具有經由接合線而連接在前述搭載工程所搭載之 發光元件之上面電極，和夾持前述絕緣用縫隙而設置於與 前述發光元件對向側之前述範圍的結合墊片之工程者。 6. 如申請專利範圍第5項記載之發光裝置之製造方法 ，其中，前述連結部係經由將前述金屬板上的前述發光元 件與配置前述接合線之範圍，假設性地延長於垂直在前述 連結部縫隙之長度方向之方向之時，配置於從前述金屬板 上所定義之帶狀範圍離開之位置者。 7 ·如申請專利範圍第1項記載之發光裝置之製造方法 ，其中，對於前述連結部係至少從單側設置有V字型的缺 口，而前述第1之反射器分割溝係剖面形成爲V字型，前 述缺口與前述第1之反射器分割溝乃呈重疊地固定前述板 狀反射器與前述金屬板者。 8. 如申請專利範圍第2項記載之發光裝置之製造方法 ，其中，在前述折斷工程中，從前述基板分割溝與前述連 結部縫隙任意地選擇加以折斷者。 9. 一種發光裝置，其特徵乃具有：具有塡充有絕緣 性樹脂之絕緣用縫隙的金屬製的基板： 和搭載於前述基板之發光元件； 和配置於前述基板上，於對應於前述發光元件之搭載 -21 - 201110407 位置的位置具備開口之樹脂製的反射器； 於與前述基板的前述絕緣用縫隙垂直交叉的側面具備 突起部，對於前述突起部之端部係形成有傾斜面者。 10. 如申請專利範圍第9項記載之發光裝置，其中， 前述發光元件係搭載於經由前述絕緣用縫隙而電性分離之 前述基板的第一範圍與第二範圍之任一， 前述發光元件之一方的電極係於未搭載前述基板的第 一範圍與第二範圍的前述發光元件之一方，藉由接合線加 以電性連接， 於各前述基板的前述第一範圍與第二範圍形成前述突 起部者。 11. 一種發光裝置搭載用基板，其特徵乃具有將複數 之發光裝置用金屬製基板作爲一體化之連結部與開口部所 成之1以上之連結部縫隙，對於前述連結部係至少從單側 設置有缺口者。 -22-
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