TW201107449A - Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device - Google Patents

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organic
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benzo
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Toshihiro Iwakuma
Yoriyuki Takashima
Mitsunori Ito
Toshinari Ogiwara
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Idemitsu Kosan Co
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Description

201107449 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機電致發光元件（以下有時簡稱 爲「有機EL元件」）及有機電致發光元件用材料。特別是 關於一種具備發紅色光之發光層的有機電致發光元件及有 機電致發光元件用材料。 【先前技術】 在陽極與陰極之間具備含發光層的有機薄膜層，藉由 被注入發光層之電洞與電子之再結合產生之激發子（ exciton )能量，得到發光之有機電致發光元件已爲人知（ 參照例如文獻1 : US2002/0 1 8244 1號公報、文獻2 : W02005/1 1 25 1 9號公報、文獻3 :特開2003-1 42267號公報 、文獻4 : W02007/04665 8號公報、文獻5 :特開2006-151966號公報、文獻6:特開2005-8588號公報、文獻7: 特開2005-19219號公報、文獻8 :特開2005-197262號公報 、文獻9 :特開2004-7 5 5 67號公報、文獻10 : US2008/ 0224603號公報、文獻11 :特開2004-281390號公報、文獻 12:特開 2006-045503 號公報、文獻 13: W02009/008215號 公報、文獻14: W02009/008205號公報、文獻15 : W02002 /20693號公報、文獻16:特開200 1 -250690號公報、文獻17 :特開2001-244075號公報、文獻18 :特開2001-257074號 公報、文獻19 :特開平1 0- 1 8 9248號公報参照）。 這種有機電致發光元件係發揮自發光型元件的優點’ -5- 201107449 可期待作爲在發光效率、畫質、消耗電力，進一步在薄型 之設計性方面優異的發光元件。 有機電致發光元件之更進一步的改善點，例如有發光 效率。 爲了提高內部量子效率，因此開發可得到來自3重態 激發子之發光的發光材料（燐光發光材料），最近則有顯 示燐光發光之有機電致發光元件的報告。 藉由使用這種燐光發光材料構成發光層（燐光發光層 )，可實現*75%以上，理論上接近100%之値之內部量子效 率，可得到高效率、低耗電力的有機電致發光元件。 另外，形成發光層時，已知有將發光材料作爲摻雜物 摻雜於主體（host)材料之摻雜法。 以摻雜法所形成之發光層係由被注入於主體材料之電 荷可有效地生成激發子。然後，將生成之激發子之激發子 能量移動至摻雜物，可由摻雜物得到高效率之發光。 爲了將分子間能量由主體材料移動至燐光發光性之燐 光摻雜物時’主體材料之三重態能量EgH必須大於燐光摻 雜物之三重態能量EgD。 三重態能量爲有效且大之材料，例如有CBP( 4，4，-bis(N-carbazolyl)biphenyl )爲代表性者（參照例如文獻1 (US2002/182441號公報））。 以此CBP作爲主體材料時’能量可往顯示所定之發光 波長（例如綠、紅）之燐光摻雜物移動，可得到高效率之 有機電致發光元件。 "6 - 201107449 另外，文獻2中揭示了將咔唑等含有含氮環之縮合環 衍生物作爲顯示紅色燐光之燐光發光層的主體材料使用的 技術。 另一方面，有各種顯示螢光發光之螢光摻雜物用的主 體材料（螢光主體）爲人所知，_也提案各種與螢光摻雜物 組合可形成發光效率、壽命優異之螢光發光層的主體材料 〇 但是螢光主體係激發1重態能量E g ( S )大於螢光摻雜 物，而三重態能量Eg ( T )未必較大，因此無法單純地作 爲燐光發光層之主體材料（燐光主體）使用。 例如，螢光主體有蒽衍生物廣爲人知。 但是蒽衍生物係三重態能量Eg ( T )較小爲1 .9eV的程 度。因此，無法確保對具有52〇nm至720nm之可見光區域 之發光波長之燐光摻雜物的能量移動。另外，無法將被激 發之三重態能量關閉於發光層內。 因此，蒽衍生物並不適合作爲燐光主體。 茈衍生物、芘衍生物及并四苯衍生物等也因相同理由 ，不適合作爲燐光主體。 也有使用芳香族烴化合物作爲燐光主體的例（文獻3 。文獻3中揭示將以苯骨架爲中心，有2個芳香族基作爲取 代基鍵結於間位之化合物作爲燐光主體使用。 文獻4〜9中揭示使用各種芳香族烴化合物的有機電致 發光元件。 文獻10中例示在2,7-萘環之左右取代位置上配置縮合 201107449 芳香族烴環的化合物。 文獻π中例示在2,7-萘環之左右取代位置配置含氮雜 環之菲繞啉環的化合物。 文獻I2中例示在2,7-萘環之左右取代位置具有以蒽環 爲必須骨架之芳香族取代基的化合物。 文獻13、14中記載具有連結4個芳香族烴環之構造的 化合物與使用此化合物的有機EL元件。此芳香族烴化合物 係一方之末端的芳香族烴環爲縮合多環芳香族環，該環所 連結之相鄰的芳香族烴環爲具有間位結合（meta linked )之2價苯環，剩餘之2個環爲縮合芳香族環。將此芳香族 烴化合物與紅色燐光錯合物一同用於發光層的元件，顯示 較高的效率與較長的裝置壽命。 本發明相關之丙稀合莽（fluoranthene、熒恵）化合 物及使用其知有機EL元件也揭示於文獻15〜19中。 但是文獻1所記載的有機EL元件，以CBP作爲主材料 使用時，藉由燐光發光可大幅提高發光效率，但是壽命非 常短，有不實用的問題。此乃是因爲CBP之分子構造上之 氧化安定性不高，因此因電洞造成之分子劣化快速的緣故 〇 文獻2所記載的有機EL元件，雖已改善發光效率及壽 命，但是實用性仍不佳。 文獻3所記載的芳香族烴化合物係相對於中心之苯骨 架，形成左右對稱有分子伸張的分子構造，因此有發光層 容易結晶化的問題點。因此使用文獻3所記載的芳香族烴 -8 - 201107449 化合物的有機EL元件，有時驅動電壓升高。 文獻4〜9所記載的有機EL元件中，並未揭示芳香族烴 化合物作爲燐光主體（host )的有效性。 文獻10〜14所記載的有機EL元件，有時驅動電壓較高 ，無法充分達到元件之長壽命化。 文獻15~1 9所記載的有機EL元件，未揭示丙烯合莽化 合物與燐光發光材料一同使用的構成。 【發明內容】 [發明槪要] 本發明之目的係提供可降低驅動電壓，高效率且長壽 命之燐光發光性的有機EL元件用材料及使用此材料的有機 EL元件。 本發明人等爲了達成上述目的，精心硏究的結果發現 藉由使用選自下述式（1)、式（2)、及式（3)中任一 之一般式表示之構造的有機EL元件用材料（以下有時簡稱 爲有機EL元件用材料），可得到可降低驅動電壓，高效率 且長壽命之燐光發光性的有機EL元件，遂完成本發明。 換言之，本發明之有機電致發光元件，其係在陰極與 陽極之間具備由1層或複數層所構成之有機薄膜層，該有 機薄膜層中之至少1層係含有下述式（1)、式（2)、及 式（3)中任一之一般式表示的有機電致發光元件用材料 與至少1種的燐光發光材料，前述有機電致發光元件用材 料可具有取代基。 -9 - 201107449
(1) (2) (3) (式中’ A係表示選自3-丙烯合蕗基（flu〇ran1henyl) 、5_ 苯并[c]乙院合菲基（phenanthrenyi) 、6苯并[c]乙院合 菲基、10-苯并[g]筷基（Chrysenyi )之基；Ar係表示三重 態肯fc里爲2.10eV以上之碳數1〇〜30的縮合芳香族環）。 上述文獻13、丨4係與本發明同樣，藉由一.般式記載具 有4個芳香族烴環相連之構造的芳香族烴化合物。但是文 獻13、14中未具體記載本發明之上述式（1)、式（2)、 及式（3)中任一之一般式表示的化合物。此外，參照文 獻13、14之實施例時，文獻13、14之有機EL元件中，驅動 電壓爲4.1〜4.7V，仍有改善的餘地。 本發明之有機EL元件材料係在上述文獻13、Μ所記載 之直列之4個環之各種結合樣式中，具有一般式（1 )〜式 (3)所示的特定結合樣式。換言之，本發明之有機EL元 件材料係具有中間之2價芳香族環爲2,6-萘骨架’末端之縮 合芳香族環爲特定芳香族環的構造。因此’具有本發明之 有機EL元件材料的機EL元件係上述文獻13、14中未記載 -10- 201107449 ，且有機EL元件之驅動電壓明顯降低。 本發明之有機EL元件材料係在末端具有適合分子構造 之共軛長度的伸長與介於位於間位（meta)之2價芳香族 烴環，參與低電壓化之縮合芳香族烴環，可實現提高有機 EL元件之發光效率，壽命優異，且降低元件之驅動電壓。 本發明之有機EL元件用材料，其特徵係以上述式（1 )、式（2)、及式（3)中任一之一般式表示，且可具有 取代基者。 依據本發明時，因具有前述式（1)、式（2)、及式 (3)中任一之一般式表示之有機EL元件用材料，因此可 降低驅動電壓，可提供高效率且長壽命之燐光發光性的有 機EL元件與實現該目的之有機EL元件用材料。 [發明之實施形態] 以下說明本發明之實施形態。 (有機EL元件之構成） 以下說明有機EL元件之元件構成。 有機EL元件之代表的元件構成，例如有 (1 )陽極/發光層/陰極 (2)陽極/電洞注入層/發光層/陰極 (3 )陽極/發光層/電子注入·輸送層/陰極 (4)陽極/電洞注入層/發光層/電子注入·輸送層/陰 -11 - 201107449 (5)陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (6 )陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極 (7)陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (8 )陽極/電洞注入·輸送層/發光層/電子注入•輸 送層/陰極 (9) 陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (10) 陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰 極 (1 1 )陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰 極 (12 )陽極/絕緣層/電洞注入·輸送層/發光層/絕緣 層/陰極 (13 )陽極/絕緣層/電洞注入·輸送層/發光層/電子 注入·輸送層/陰極 等的構造。 上述中，較佳爲使用（8)之構成，但是不限於這些 構成。 圖1係表示本發明之實施形態之有機EL元件之一例的 槪略構成。 有機EL元件1係具有透明的基板2、陽極3、陰極4、配 置於陽極3與陰極4之間的有機薄膜層10。 有機薄膜層10係具有含燐光主體及燐光摻雜物之燐光 發光層5，但是在燐光發光層5與陽極3之間可具備電洞注 入.輸送層6等，在燐光發光層5與陰極4之間可具備電子 -12- 201107449 注入·輸送層7等。 可在燐光發光層5之陽極3側設置電子障壁層，在燐光 發光層5之陰極4側設置電洞障壁層。 藉此將電子或電洞關閉於燐光發光層5內，提高燐光 發光層5之激發子的生成機率》 另外，在本說明書中，螢光主體及燐光主體之用語係 當與螢光摻雜物組合時稱爲螢光主體，而與燐光摻雜物組 合時稱爲憐光主體者*並非偈限於僅由分子構造單一意義 來區分成螢光主體或燐光主體。 換言之，本說明書中，螢光主體係指構成含有螢光摻 雜物之螢光發光層的材料，並不一定係指只能利用於螢光 材料之主體者。 同樣地，燐光主體係指構成含有燐光摻雜物之燐光發 光層之材料，並不一定係指只能利用於燐光發光材料之主 體者。 另外，在本說明書中，「電洞注入•輸送層」係指「電 洞注入層及電洞輸送層中至少1個j，「電子注入·輸送層j 係指「電子注入層及電子輸送層中至少1個」。 (透光性基板） 本發明之有機EL元件係製作於透光性之基板上。此透 光性基板係支持有機EL元件的基板，較佳爲400~700nm之 可見光區域之光線透過率爲5 0 %以上，且平滑的基板。 具體而言’例如有玻璃板、聚合物板等。 -13- 201107449 玻璃板例如有特別是鈉鈣玻璃、含有鋇•緦之玻璃、 鉛玻璃、鋁矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、石英 等。 此外，聚合物板例如有聚碳酸酯系樹脂、丙烯酸系樹 脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚硫醚系樹脂、聚颯系 樹脂等。 (陽極及陰極） 有機EL元件之陽極係擔任將電洞注入電洞注入層、電 洞輸送層或發光層的功能者，而以具有4.5eV以上之功函 數較具效果。 陽極材料之具體例有氧化銦錫合金（ITO )、氧化錫 (NESA )、氧化銦鋅氧化物、金、銀、鉑、銅等。 陽極係可藉由將此等電極物質以蒸鍍法或濺鍍法等方 法形成薄膜來製作。 如本實施形態，由陽極取出來自發光層之發光時，較 佳爲使陽極之可見光區域之光線透過率大於丨〇%者。另外 ，陽極之薄片電阻較佳爲數百Ω/□以下。陽極之膜厚係依 材料而定，但是通常選擇10nm〜Ιμηι，較佳爲10~200nm的 範圍。 陰極係爲了將電子注入電子注入層或、電子輸送層或 發光層’以功函數較小的材料爲佳。 陰極材料無特別限定，具體而言可使用銦、鋁、鎂、 鎂-銦合金、鎂-鋁合金、鋁-鋰合金、鋁-銃-鋰合金、鎂- -14- 201107449 銀合金等。 陰極也與陽極相同，可藉由蒸鑛法或濺鍍法等之方法 形成薄膜來製作。另外，也可採用由陰極側取出發光的形 態。 (發光層） 有機EL元件之發光層係兼具以下之機能者。 即，具有： (1 )注入機能；在施加電場時，可由陽極或電洞注 入層注入電洞，由陰極或電子注入層可注入電子的機能， (2 )輸送機能；以電場的力量使注入之電荷（電子 與電洞）移動的機能， (3 )發光機能；提供電子與電洞再結合之場所，以 此連結於發光的機能。 但是，電洞之注入容易度與電子之注入容易度可有差 異，另外，以電洞與電子之移動度表示之輸送能可爲大或 小。 形成此發光層之方法可使用例如蒸鍍法、旋轉塗佈法 、LB法等公知的方法。 發光層係以分子堆積膜爲佳。 在此處分子堆積膜係指由氣體狀態之材料化合物沉降 而形成之薄膜，或由溶液狀態或液體狀態之材料化合物經 固體化所形成的膜，通常此分子堆積膜係與藉由LB法所形 成之薄膜（分子累積膜），可藉由凝集構造、高次構造之 -15- 201107449 相異，或起因該等之機能上之相異來區分。 另外，如特開昭5 7-5 1 7 8 1號公報所揭示，將樹脂等之 黏著劑與材料化合物溶於溶劑，形成溶液後，將該溶液以 旋轉塗佈法等形成薄膜化也可形成發光層。 發光層之膜厚較佳爲5〜50nm，更佳爲7〜50nm，最佳 爲10〜50nm。未達5nm時，形成發光層有困難，色度之調 整困難，若超過50nm，驅動電壓有上昇的疑慮。 (有機EL元件用材料） 本發明之有機EL元件中之有機薄膜層之至少1層係含 有下述式（1)、式（2)、及式（3)中任一之一般式表 示的有機EL元件用材料與至少1種顯示燐光發光的燐光發 光材料。有機EL元件用材料可具有取代基。
(式中’ A係表示選自3-丙烯合蕗基、5-苯并[c]乙烷 合菲基、6-苯并[C]乙烷合菲基、1〇_苯并[g]筷基之基；
Ar係表示三重態能量爲2. 10eV以上之碳數10〜30的縮 -16- 201107449 合芳香族環）。 本發明之有機EL元件用材料具有取代基時，前述式（ 1 )、式（2)、及式（3)中之A、Ar、伸苯基環及伸萘基 環中至少1個具有取代基》 本發明之有機EL元件用材料可具有的取代基，只要可 具有本發明之效果的取代基時，則無特別限定，較佳爲例 如碳數1〜20之烷基、碳數1〜20之鹵烷基、碳數3〜18之環烷 基、碳數3〜20之甲矽烷基、氰基及鹵素原子等。 烷基例如有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、1-甲基丙基、1-丙基丁基等。 鹵烷基例如有2,2,2-三氟乙基等。 環烷基例如有環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環 辛基等。 甲矽烷基例如有三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基等 〇 鹵素原子例如有氟、氯、溴、碘等。 此等之取代基可被設定爲連結A、Ar、伸苯基環及伸 萘基環之芳香族烴環之2個。 本發明之有機EL元件用材料中，前述A或前述Ar可具 有取代基’具體而言，前述A或前述Ar可具有苯基或萘基 作爲取代基。 上述三重態能量爲2.1 OeV以上之碳數1〇〜30的縮合芳 香族環係指Ar-H時之碳數1 0〜3 0之縮合芳香族環的三重態 能量爲2 · 1 0 e V以上，此等之三重態能量準位可藉由後述之 -17- 201107449 三重態能量的測定方法測定。上述A r之三重態能量的上限 係只要可產生本發明之效果的範圍即可，較佳爲2.8eV以 下。 上述2.leV以上之碳數10〜3〇的縮合芳香族環，例如有 萘、菲繞啉、丙烯合荛基、伸三苯、筷、芘、苯并[c]菲繞 啉、二苯并[c，g]菲繞啉、苯并[g]筷、苯并[b]丙二稀合莽 等。
Ar之「碳數10〜30的縮合芳香族環」係表示形成縮合 芳香族環之碳數爲10~30者。 本發明之有機EL元件中之有機薄膜層之至少1層係發 光層，此發光層係含有上述式（1)、式（2)、及式（3 )中任一之一般式表示之有機EL元件用材料與顯示至少1 種燐光發光之燐光發光材料。 本發明之式（1)、式（2)、及（3)中之任一之一 般式表示之有機EL元件用材料係因三重態能量較大，因此 對於燐光摻雜物，可使能亮移動產生燐光發光之主體使用 〇 另外，作爲螢光主體頗爲人知之蒽衍生物係對於紅色 發光之燐光摻雜物，也不適合作爲主體，但是本發明之有 機EL元件用材料由於三重態能量大，因此可有效地使顯示 紅色發光之燐光摻雜物發光。 但是以往頗爲人知之燐光主體之CBP，即使對於比綠 色更短波長之燐光摻雜物，也具有主體的機能，但是本發 明之有機EL元件用材料僅能使顯示綠色發光之燐光摻雜物 -18- 201107449 發光。 本發明係因有機EL元件用材料之骨架以不含氮原子之 多環式縮合環所構成，因而可提高分子之安定性，延長元 件—命。 此時，骨架部分之核原子數過少時，分子安定性不夠 高。另一方面，構成本發明之化合物之多環式縮合環之縮 合的環數過多時，共軛過於延伸，HOMO-LUMO間隙變狹 窄，結果三重態能量也變小，未達有用的發光波長。基於 此點，本發明之有機EL元件用材料由於具有適度之核原子 數，故可適合作爲顯示有用之發光波長，並且安定性高之 燐光發光層之燐光主體使用。 本發明之有機EL元件用材料係因具有在末端具有助於 低電壓化之特定構造的縮合芳香族烴，因此可降低有機EL 元件的驅動電壓。 以往係選定在綠色至紅色之寬廣波長區域下，可廣泛 適用於燐光摻雜物之燐光摻雜物的主體材料，因此，以三 重態能量Eg ( T )較大之CBP等作爲主體。 但是CBP確實三重態能量Eg ( T )較大，然而卻有壽 命短的問題。 基於此點，本發明之有機EL元件用材料雖不適用於如 藍色程度之寬間隙之燐光摻雜物的主體，但是對於紅或綠 色之燐光摻雜物則具有主體的機能。如CBP，當三重態能 量Eg (T)較大時，與紅色燐光摻雜物之能量差過大，有 無法有效率地進行分子間能量移動的問題。但是依據本發 -19- 201107449 明之主體時，對於紅色或綠色燐光摻雜物，因被激發之能 量値適合，因此，可有效率地使能量由主體之激發子移動 至燐光摻雜物，可構成非常高效率的燐光發光層。此外， 即使燐光發光性摻雜物直接被激發的情形，本發明之有機 EL元件用材料相較於燐光發光性摻雜物之三重態能量，因 具有更大的三重態能量，因此可有效的將能量關閉於發光 層內。 如此，依據本發明時，可構成高效率且長壽命之燐光 發光層。 在此，構成有機EL元件之材料之三重態能量：Eg ( T )係基於燐光發光光譜所規定者爲例子，例如本發明係如 以下方式規定者爲例子。 即’將各材料以ΙΟμιηοΙ/L溶解於EPA溶劑（容積比表 示，二乙醚：異戊烷：乙醇=5 : 5 : 2 )，製成燐光測定用 試料。 然後將燐光測定用試料置入石英槽，冷卻至77K ,照 射激發光，測定所放射之燐光的波長。 對所得到之燐光光譜之短波長側之上升繪製切線，將 此切線與基線交點之波長値換算成能量之値作爲三重態能 量 Eg ( T )。 測定時可使用例如市售之SPEX公司FLUOROLOGII。 但是不依照如此之規定，只要是在不超脫本發明之目 的的範圍內，可以三重態能量形態定義的値即可。 本發明之上述式（1)、式（2) '及式（3)中任一 -20- 201107449 之一般式表示之有機EL元件用材料之三重態能量較佳爲 2.〇eV以上2.5eV以下》 —重態通重爲2.0eV以上時’能量可移動至在52〇nm# 上720nm以下發光之燐光發光材料。超過2.5eV時，與發光 層內之紅色慘雜物之三重態能量與主體材料之三重態能量 之差變大，結果有時驅動電壓會升高。 本發明之有機EL元件用材料之三重態能量更佳爲 2.16\^以上2.56'\/'以下’更佳爲2.26\/'以上2.56\^以下》 本發明之上述式（1)、式（2)、及式（3)中任一 之一般式表示之有機EL元件用材料中，A爲選自無取代之 3 -丙烯合蕗基、5_苯并[c]乙烷合菲基、6 -苯并[c]乙院合菲 基、10-苯并[g]筷基之基較佳。 本說明書之「無取代」係指氫原子取代者。本說明書 之化合物的氫原子包括輕氫、重氫。 本發明之有機EL元件用材料中，Ar爲分別獨立選自萘 基、丙烯合苐基、乙烷合菲基、苯并乙烷合菲基、苯并 [g]筷基之基較佳。 本發明之有機EL元件用材料中’ Ar爲選自2-萘基、3-丙烯合莽基、8-丙烯合蕗基、9-乙烷合菲基、5-苯并[c]乙 烷合菲基、6-苯并[c]乙烷合菲基、10-苯并[g]筷基之基較 佳。 如此，將本發明之有機EL元件用材料之A、Ar表示之 基分別限定爲具有特定構造之基’可使三重態能量成爲最 佳之大小，同時可降低驅動電壓。 -21 - 201107449 上述式（1)、式（2)、及式（3)中任一之一般式 表示之有機EL元件用材料，例如有以下所示之化合物以具 體例表示。
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(燐光發光材料） 本發明中使用的燐光發光材料係顯示燐光發光者，較 佳爲含有金屬錯合物者。該金屬錯合物較佳爲具有選自Ir 、Pt、Os' Au、Re及Ru之金屬原子與配位者。特別是 上述配位基具有鄰位金屬鍵結者較佳。 -26- 201107449 從燐光量子收率高’可更加提升發光元件之外部量子 效率的觀點，較佳爲含有選自銥（Ir )、餓（Os )及鉑（ Pt)之金屬的化合物，更佳爲銥錯合物、餓錯合物、鉑錯 合物等之金屬錯合物，其中較佳爲銥錯合物及鉑錯合物， 最佳爲鄰位金屬化銥錯合物。 金屬錯合物之具體例如下所示，其中較佳爲綠色〜紅 色發光之金屬錯合物。
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-30- 201107449 本發明中，上述發光層所含之上述燐光發光材料中之 至少1種係以發光波長之極大値爲5 20nm以上720nm以下較 佳，570nm以上720nm以下更佳。 將這種發光波長之燐光發光材料（燐光摻雜物）摻雜 於本發明所使用之特定主體材料中，構成發光層，可得到 高效率之有機EL元件。 本發明之有機EL元件可具有電洞輸送層（電洞注入層 )，該電洞輸送層（電洞注入層）較佳爲含有上述式（1 )、式（2)、及式（3 )中任一之一般式表示之有機EL元 件用材料。 本發明之有機EL元件用材料可具有電子輸送層（電子 注入層），該電子輸送層（電子注入層）較佳爲含有上述 式（1)、式（2)、及式（3)中任一之一般式表示之有 機EL元件用材料。 本發明之有機EL元件可具有電子輸送層或電洞障壁層 ，此等電子輸送層或電洞障壁層較佳爲含有上述式（1) 、式（2)、及式（3 )中任一之一般式表示之有機EL元件 用材料。 本發明之有機EL元件係在陰極與有機薄膜層之界面區 域具有還原性摻雜物爲佳。 依據這種構成時，可提高有機EL元件之發光亮度及長 壽命化9 還原性摻雜物例如選自鹼金屬、鹼金屬錯合物、鹼金 屬化合物、鹼土金屬、鹼土金屬錯合物、鹼土金屬化合物 -31 - 201107449 、稀土金屬、稀土金屬錯合物及稀土金屬化合物等之至少 —種。
鹼金屬例如有Na(功函數：2.36eV) 、K (功函數： 2.28eV) 、Rb(功函數：2.l6eV) 、Cs(功函數：l_95eV )等，特佳爲功函數爲2.9eV以下者。此等中，較佳爲κ、 Rb、Cs，更佳爲Rb或Cs，最佳爲Cs。 鹼土金屬例如有Ca(功函數：2.9eV) 、Sr(功函數 :2.0〜2.5eV ) 、Ba (功函數：2.52eV )等，特佳爲功函 數爲2.9eV以下者。 稀土金屬例如有Sc、Y、Ce、Tb、Yb等，特佳爲功函 數爲2.9eV以下者^ 以上金屬中’較佳之金屬係特別是還原能力高，以少 量添加於電子注入域，可提升有機EL元件中之發光亮度或 長壽命化。 鹼金屬化合物例如有Li20、Cs20、K20等之鹼氧化物 、LiF、NaF、CsF、KF等之鹼鹵化物等，較佳爲LiF、 Li20、NaF。 鹼土金屬化合物例如有BaO、SrO ' CaO及混合此等之 BaxSn.xO ( 0<χ<1 ) ' BaxCahO ( 0<χ<1 )等，較佳爲
BaO、SrO、CaO。 稀土金屬化合物例如有YbF3、ScF3、Sc03、Y203、 Ce2〇3、GdF】、TbF3等’較佳爲 YbF3、SCF3、TbFs。 鹼金屬錯合物、鹼土金屬錯合物、稀土金屬錯合物 只要是各自含有作爲金屬離子之鹼金屬離子、鹼土金屬 -32- 201107449 離子、稀土金屬離子之至少一種者時’即無特別限定。另 外，配位基較佳爲喹啉醇、苯并唾啉醇、吖啶醇、菲D定醇 、羥苯基噁唑、羥苯基噻唑、羥基二芳基噁二唑、經基二 芳基噻二唑、羥苯基吡啶、羥苯基苯并咪唑、羥基苯并三 唑、羥基氟硼烷、聯吡啶、菲繞啉、酞花青、卟啉、環戊 二烯、β-二酮類、甲亞胺類及彼等之衍生物等，但不限於 此等者。 還原性摻雜物之添加形態較佳爲於界面區域形成層狀 或島狀。形成方法較佳爲藉由電阻加熱蒸鍍法蒸鍍還原性 摻雜物，同時蒸鍍形成界面區域之發光材料或電子注入材 料之有機物，使還原摻雜物分散於有機物中的方法。分散 濃度係莫耳比表示，有機物：還原性摻雜物=1 00 : 1〜1 : 100，較佳爲5: 1〜1: 5。 將還原性摻雜物形成層狀時，使界面之有機層之發光 材料或電子注入材料形成層狀後，單獨藉由電阻加熱蒸鑛 法蒸鍍還原摻雜物，較佳爲以層之厚度〇.l~15nm形成。 將還原性摻雜物形成島狀時，使界面之有機層之發光 材料或電子注入材料形成島狀後，以單獨藉由電阻加熱蒸 鍍法蒸鍍還原摻雜物，較佳爲以島之厚度〇.〇5〜lnm形成。 本發明之有機EL元件中之主成分與還原性摻雜物之比 例係以莫耳比表示，主成分：還原性摻雜物=5 : 1〜1 : 5爲 佳，2 : 1〜1 : 2爲更佳。 本發明之有機EL元件係於發光層與陰極之間具有電子 輸送層或電子注入層，上述電子輸送層或電子注入層較佳 -33- 201107449 爲含有上述有機EL元件用材料，作爲主成分的形態含有時 更佳。此時’電子注入層也可爲作爲電子輸送層而發揮機 能的層。 另外，「主成分」係指電子注入層爲含有5 0質量％以上 之有機EL元件用材料。 電子注入層或電子輸送層係幫助電子注入至發光層的 層’且電子移動度大。電子注入層係爲了緩和能階之急劇 變化等，調整能階而設置。 電子輸送層或電子注入層所使用之電子輸送性材料較 佳爲使用在分子內含有1個以上之雜原子之芳香族雜環化 合物’特佳爲含氮環衍生物。另外，含氮環衍生物較佳爲 具有含氮6員環或5員環骨架之芳香族環，或具有含氮6員 環或5員環骨架之縮合芳香族環化合物。 此含氮環衍生物例如以下述式（A)所表示之含氮環 金屬螯合錯合物爲佳。
R2〜R7係各自獨立爲氫原子、鹵素原子.氧基、胺基 -34- 201107449 '碳數1〜40之烴基、烷氧基、芳氧基、烷氧基羰基或雜環 基，此等可被取代。 _素原子例如有氟、氯、溴、碘等。可被取代之胺基 之例’可列舉烷基胺基、芳基胺基、芳烷基胺基。 碳數1〜40之烴基例如有取代或未取代之烷基、烯基、 環烷基、芳基、芳烷基等。 烷基例如有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第 二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、 正辛基、正壬基、正癸基、正十一基、正十二基、正十三 基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八 基、新戊基、1-甲基戊基、2 -甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基戊基、1-庚基辛基、3 -甲基戊基、羥甲基、1-羥乙基 、2-羥乙基、2-羥基異丁基、1，2-二羥乙基、1，3-二羥基異 丙基、2,3-二羥基第三丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、 1-氯乙基、2-氯乙基、2·氯異丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二 氯異丙基、2，3 -二氯第三丁基、1,2,3 -三氯丙基、溴甲基、 1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1，3-二 溴異丙基、2,3-二溴第三丁基、1，2,3-三溴丙基、碘甲基、 1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1，2-二碘乙基、l，3-二 碘異丙基、2,3-二碘第三丁基、1，2,3 -三碘丙基、胺基甲基 、1-胺基乙基、2-胺基乙基、2-胺基異丁基、ι，2-二胺基 乙基、1,3-二胺基異丙基、2,3_二胺基第三丁基、ι，2,3-三 胺基丙基、氰甲基、1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰異丁基、 1，2 -二氰乙基、1,3 -二氰異丙基、2，3 -二氰第三丁基、 -35- 201107449 1,2,3 -三氰丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2 -硝基乙基、 1.2- 二硝基乙基、2,3-二硝基第三丁基、1，2,3-三硝基丙基 等。 此等中，較佳爲甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基 、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基' 正己基、正庚 基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一基、正十二基、正 十三基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正 十八基、新戊基、1·甲基戊基、1-戊基己基、或1-丁基戊 基、1-庚基辛基。 烯基例如有乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、 3-丁烯基、1,3· 丁二烯基、1·甲基乙烯基、苯乙烯基、2,2-二苯乙烯基、1，2-二苯乙烯基、1-甲基烯丙基、1,1-二甲 基烯丙基、2-甲基烯丙基、1-苯基烯丙基、2.苯基烯丙基 、3-苯基烯丙基、3，3-二苯烯丙基、1，2-二甲基烯丙基、1-苯基-1-丁烯基、3_苯基-1-丁烯基等，較佳爲苯乙烯基、 2.2- 二苯基乙烯基、1,2-二苯基乙烯基等。 環烷基例如有環戊基、環己基、環辛基、3，5 -四甲基 環己基等，較佳爲環己基、環辛基及3,5_四甲基環己基。 烷氧基係以-OY表示之基。Y之具體例，例如與上述 烷基所說明相同者，較佳例也相同。 非縮合芳基例如有苯基、聯苯-2-基、聯苯-3·基、聯 苯-4-基、p -聯二苯-4·基、p -聯三苯-3-基、p..聯三苯-2-基 、m -聯三苯-4 -基、m -聯三苯-3 -基、m -聯三苯-2 ·基、〇 -甲 苯基、m-甲苯基、p-甲苯基、p-第三丁基苯基、p_ (2-苯 -36- 201107449 基丙基）苯基、4’-甲基聯苯基、4”-第三丁基-p-聯三苯-4_ 基、〇-異丙苯基、m-異丙苯基、p-異丙苯基、2,3-二甲苯 基、3,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、三甲苯基及m-聯四苯 基等。 這些當中，較佳爲苯基、聯苯_2_基、聯苯-3-基、聯 苯-4-基、m-聯三苯_4·基、m-聯三苯_3_基、m-聯三苯-2-基、P-甲苯基、3,4-二甲苯基' m-聯四苯-2-基。 縮合芳基例如有1-萘基、2-萘基。 雜環基係單環或縮合環，較佳爲核碳數1〜20，更佳爲 核碳數1〜12，更佳爲核碳數2~ 10之雜環基，含有氮原子、 氧原子、硫原子、硒原子之至少一個雜原子的芳香族雜環 基。此雜環基之例，例如由吡咯烷、哌啶、哌嗪、嗎啉、 噻吩、硒吩、呋喃、吡咯、咪唑、吡唑、吡啶、吡嗪、噠 嗪、嘧啶、三唑、三嗪 '吲哚、吲唑、嘌呤、噻唑啉、噻 唑、噻二唑' 噁唑啉、噁唑、噁二唑、喹啉、異喹啉、酞 嗪、萘啶、唾喔啉、喹唑啉、噌啉、喋啶、吖啶、菲繞啉 、吩嗪、四唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并三 唑、四氮茚、咔唑、吖庚因等所衍生之基，較佳爲由呋喃 、噻吩、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、三嗪、喹啉、酞嗪、 萘啶 '喹喔啉、喹唑啉，更佳爲呋喃、噻吩、吡啶及喹啉 所衍生之基’更佳爲喹啉基。 芳烷基例如有苄基、1-苯基乙基、2_苯基乙基、1-苯 基異丙基、2-苯基異丙基、苯基第三丁基、α-萘甲基、卜 α-萘乙基、2-α-萘乙基、丨—α-萘異丙基、2-α-萘異丙基、β- -37- 201107449 萘甲基、l-β-萘乙基、2-β-萘乙基、l-β-萘異丙基、2-β-萘 異丙基、Ρ-甲基苄基、m-甲基苄基、〇-甲基苄基、ρ-氯苄 基、m-氯苄基、〇-氯苄基、p-溴苄基、m-溴苄基、〇-溴苄 基、P-碘苄基、m-碘苄基、〇-碘苄基、ρ-羥基苄基、m-羥 基苄基、〇-羥基苄基、P-胺基苄基、m-胺基苄基、〇-胺基 苄基、P-硝基苄基、m-硝基苄基、〇-硝基苄基、ρ-氰苄基 、m-氰苄基、〇-氰苄基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯-2-苯 基異丙基等。 這些當中，較佳爲节基、P -氰节基、m -氰节基、〇 -氰 苄基、卜苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基 異丙基。 芳氧基係以-0Y’表示，就Y’之例有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲 基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2-丁省基、9-丁省基、 基、2 -在基、4-JE基、2 -聯苯基、3 -聯苯基、4 -聯苯 基、ρ -聯三苯-4-基、ρ -聯三苯-3-基、ρ -聯三苯-2-基、m-聯三苯-4 -基、m -聯三苯-3-基、m -聯三苯-2-基、〇 -甲苯基 、m -甲苯基、ρ -甲苯基、ρ-第三丁基苯基、p-(2-苯基丙 基）苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽 基、4’_甲基聯苯基、4”-第三丁基-ρ-聯三苯-4-基等。 芳氧基中，雜環芳氧基係以-0Z’表示，Z’之例有2-吡 咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶 基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚 基、7-吲哚基、1-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、 -38- 201107449 5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哄 喃基、2 -苯并呋喃基、3 -苯并呋喃基 苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并 喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋 基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃 啉基、4 -唾啉基、5 -喹啉基、6 -喹啉 琳基、1-異嗤琳基、3 -異嗤琳基、4_ 基、6 -異喹啉基、7 -異喹啉基、8 -異 、5 -喹喔啉基、6 -喹喔啉基、1 -咔哩 唑基、4-昨唑基、1-菲啶基、2-菲陡 啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶 啶基、1 -吖啶基、2 -吖啶基、3 -吖陡 啶基、1,7-菲繞啉-2-基、1，7-菲繞啉 基、1,7-菲繞啉-5-基、1,7-菲繞啉-6-、1，7-菲繞啉-9-基、1，7-菲繞啉-10-、1，8-菲繞琳-3-基、1，8-菲繞琳-4-基 1.8- 菲繞啉-6-基、1，8-菲繞啉-7-基 1，8 -菲繞啉-1 0 -基、1,9 -菲繞啉-2 -基 1，9-菲繞啉-4-基、1，9-菲繞啉-5-基 1，9-菲繞啉-7-基、1,9-菲繞啉-8-基、 1，1 〇 -菲繞啉-2 -基、1，1 0 -菲繞啉-3 - _ 、1,10-菲繞啉-5·基、2,9-菲繞啉-1-、2,9-菲繞琳-4-基、2,9-非繞琳-5-基 2.9- 菲繞啉-7-基、2,9-菲繞啉-8-基、 基、2 -呋喃基、3 -呋 :、4 -苯并呋喃基、5-呋喃基、1 -異苯并呋 喃基、5 -異苯并呋喃 基、2 -喹啉基、3 -喹 基、7-喹啉基、8-喹 •異喹啉基、5-異唾啉 喹啉基、2 -喹喔啉基 基、2-咔唑基、3 -咔 基、3-菲啶基、4-菲 基、9-菲啶基、10-菲 基、4 -吖啶基、9 -吖 -3 -基、1，7 -菲繞啉-4 --基、1,7-菲繞琳-8-基 基、1，8-菲繞啉-2-基 、1，8-菲繞琳-5-基、 、1，8-菲繞啉-9-基、 、1，9-菲繞啉-3-基、 、1,9-菲繞啉-6-基、 | 1,9-菲繞啉-10-基、 g、1,10-菲繞啉-4-基 基、2,9-菲繞啉-3-基 、2,9-菲繞啉-6-基' • 2,9-菲繞啉-10-基、 -39- 201107449 2.8- 菲繞啉-1-基、2,8-菲繞啉-3-基、2,8-菲繞啉-4-基、 2.8- 菲繞啉-5-基、2,8-菲繞啉-6-基、2,8·菲繞啉基、 2.8- 菲繞啉-9-基、2,8-菲繞啉-10-基、2,7-菲繞啉-1-基、 2,7 -菲繞啉-3-基、2,7-菲繞啉-4 -基、2,7·菲繞啉-5 -基、 2.7- 菲繞啉-6-基、2,7-菲繞啉-8-基、2,7·菲繞啉-9-基、 2.7- 菲繞啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、〗-吩噻嗪基、2_ 吩噻嗪基、3 -吩噻嗪基、4 -吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2_吩 噁嗪基' 3 -吩噁嗪基、4 -吩噁嗪基、2_噁唑基、4·噁唑基 、5-噁唑基、2 -噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咱基、2-噻 吩基、3 -噻吩基、2 -甲基吡咯-1-基、2 -甲基吡咯_3_基、2_ 甲基吡咯-4 -基、2 -甲基吡咯-5 -基、3 -甲基吡咯-:1 -基、3 _ 甲基吡咯-2-基、3 -甲基吡咯-4 -基、3·甲基吡咯·5_基、2_ 第三丁基吡咯-4-基、3- ( 2-苯基芮基）吡咯-1 -基、2-甲 基-1 -吲哚基、4 -甲基-1 -吲哚基、2 -甲基-3 -吲哚基、4 -甲 基-3-吲哚基、2-第三丁基1-吲哚基、4_第三丁基卜吲哚基 、2-第三丁基3-吲哚基、4-第三丁基3-吲哚基等。 烷氧基羰基係以-COOY，表示’ γ’之例有與上述烷基 相同者。 烷基胺基及芳烷基胺基係以-NC^Q2表示。就Q1及Q2之 具體例係各自獨立與在上述烷基，上述芳烷基所說明相同 者，較佳例也相同。Q1及Q2其中之一可爲氫原子。 芳基胺基係以-NA^Ar2表示，Ar1及Ar2之具體例係各 自獨立與在上述非縮合芳基及縮合芳基所說明之基相同。 Ar1及Ar2其中之一可爲氫原子。 -40 - 201107449 Μ係鋁（A1 )、鎵（G a )或銦（I η ) 上述式（A)之L係以下述式（A’） ’較佳爲In〇 或（A”）表示之
_ _ (A··) 上述式中，R8〜R 12係各自獨立爲氫1 代之碳數1〜40之烴基’彼此鄰接之基可; 外，R13~R27係各自獨立爲氫原子或取f 1〜40之烴基，彼此鄰接之基可形成環狀丰 上述式（A’）及式（A”）之r8~ri 之碳數1~4〇之烴基’例如有與R2〜R7之具 层子或取代或未取 形成環狀構造。另 C或未取代之碳數 障造。 2及R13~R27所表示 體例相同者。 -41 - 201107449 另外，R8〜R12及R13〜R27之彼此鄰接之3 時之2價基，例如有四亞甲基、五亞甲基、 苯基甲烷-2,2’-二基、二苯基乙烷- 3,3’-二 烷-4,4’-二基等。 以上述式（A)表示之含氮環金屬螯爸 例如以下所示，但是不限於此等例示化合物 形成環狀構造 六亞甲基、二 基、二苯基丙 錯合物之具體 -42- 201107449
.-A1—〇 Ο (A，l) ch3
,CH3
0、
λ/* CHa
(Α-8)
-Ah-
,CH3 r CHa t-C4He ) t-C4H, (A-IO) (A-12)
(A*U)
-43- 201107449
CH3 (A-24) (A-26) (A-28)
-44- 201107449
(A-31)
(Α·32>
-45- 201107449 在本發明中，電子注入層或電子輸送層較佳爲含有含 氮雜環衍生物。 電子注入層或電子輸送層係幫助電子注入發光層的層 ，且電子移動度大。電子注入層係爲了緩和能階之急劇變 化等，調整能階而設置的。就電子注入層或電子輸送層所 使用之材料較佳爲8-羥喹啉或其衍生物之金屬錯合物、嚼 二唑衍生物、含氮雜環衍生物。上述8 -羥嗤啉或其衍生物 之金屬錯合物之具體例可使用含有經基喹啉（一般爲8·喳 啉醇或8_羥基喹啉）之螯合物之金屬螯合物之經基喹啉化 合物，例如二（8 -唾啉醇）鋁。d惡二哩衍生物例如有下述 者。
N一N
Ar17-^ ^~Ar18
N—N
N—N A「19 人>-A「〇Ar2i 〇 N〜N Ar22—ji—a「23. N—N Ar24-^ J^-Ar25 上述式中，Ar 1 7、A , 8、A 1 9 r ' Ar21、Ar22 及 Ar25 係各 自表不具有或不具
A 21 22 取代基之方基，Ar17與Ar18、Ar19與
Ar21、Ar22 與 係彼此可相同或相異。A"。、Ar„及 -46- 201107449 係各自表示具有或: 兵胥取代基之伸芳基，Ar23與Ar24係 彼此可相同或相異》 另外，伸方基例如有伸苯基、伸萘基、伸聯苯基、伸 蒽基、伸茈基、伸芘基等。此等之取代基例如有碳數1〜1 0 之烷基、碳數卜1〇之烷氧基或氰基等。此電子傳達化合物 較佳爲使用薄膜形成性良好者。此等電子傳達性化合物之 具體例有下述者。
-47- 201107449 合物所 氮化合 環，或 含氮雜環衍生物例如由具有以下構造之有機化 構成之含氮雜環衍生物，並且不爲金屬錯合物之含 物。例如含有式（A)所表示之骨架之5員環或6貢 式（B)所表示之構造者。 夕N\…㈧
%\ Z2 ...(B) 歲‘·，’ 上述式（B)中，X係表示碳原子或氮原子。 各自獨立表示可形成含氮雜環之原子群。 • · · (0 較佳爲具有由5員環或6員環所構成之含氮芳香 之有機化合物。這種具有複數氮原子之含氮芳香多 係具有組合上述式（A)與式（B)或式（A)與支 之骨架的含氮芳香多環有機化合物。 含氮有機化合物之含氮基係例如選自以下表示 及冗2係
多環族 環族時 ；(C) 之含氮 -48- 201107449 雜環基。
上述各式中，R係碳數6〜40之芳基、碳數3〜40之雜環 芳基、碳數1〜20之烷基或碳數1〜20之烷氧基，η爲0〜5之整 -49- 201107449 數，η爲2以上之整數時，複數之R彼此可相同或相異。 較佳之具體的化合物例如有以下述式所表示之含氮雜 環衍生物。 HAr——L1——Ar1—Ar2 上述式中，HAr係可具有取代基之碳數3〜40之含氮雜 環，L1係單鍵、可具有取代基之碳數6〜40之伸芳基或可具 有取代基之碳數3〜40之雜伸芳基，Ar1係可具有取代基之 碳數6〜40之2價芳香族烴基，Ar2係可具有取代基之碳數 6〜4 0之芳基或可具有取代基之碳數3〜40之雜芳基。 HAr係例如選自下述之群。 -50- 201107449
L1係例如選自下述之群。
-51 - 201107449
Ar2係例如選自下述之群。
Ar1係例如選自下述之芳基蒽基。
上述式中，R1〜R14係各自獨立爲氫原子、鹵素原子、 碳數1〜20之烷基、碳數1〜20之烷氧基、碳數6〜4 0之芳氧基 、可具有取代基之碳數6〜40之芳基或碳數3〜40之雜芳基， Ar3係可具有取代基之碳數6〜40之芳基或碳數3〜4.0之雜芳 基。 -52- 201107449 另外，以上述式所表示之Ar1中，R1〜R8係均爲氫原子 之含氮雜環衍生物。 此外，下述之化合物（參照特開平9-3448號公報）也 適合使用。
上述式中，R^R4係各自獨立表示氫原子、取代或未 取代之脂肪族基、取代或未取代之脂肪族環基、取代或未 取代之碳環芳香族環基、取代或未取代之雜環基，Χι、χ. 係各自獨立表示氧原子、硫原子或二氰基亞甲基。 又’下述化合物（參照特開2000- 1 73 7 74號公報）也 適合使用。
上述式中，R1、R2、R3及R4係彼此相同或相異之基’ 爲以下述式所表示之芳基。 -53- 201107449 R7
R5
上述式中，R5、R6、R7、R8及R9係彼此相同或 基，爲氫原子，或該等之至少1個爲飽和或不飽和 、烷基、胺基或烷基胺基。 也可爲含有該含氮雜環基或含氮雜環衍生物之 化合物。 又，電子輸送層較佳爲含有以下述式（201) )所表示之含氮雜環衍生物之至少其中1個者。 相異之 烷氧基 高分子 〜（203 〕1 )
ΑΓ -54 201107449
Ar3
…（2 Ο 3) 上述式（201 )〜（203 )中，R係氫原子、可具有取代 基之碳數6~6 0之芳基、可具有取代基之吡啶基、可具有取 代基之喹啉基、可具有取代基之碳數1〜20之烷基或可具有 取代基之碳數1~20之烷氧基，n係〇〜4之整數，R1係可具有 取代基之碳數6〜60之芳基、可具有取代基之吡啶基、可具 有取代基之唾啉基、可具有取代基之碳數1~20之烷基或碳 數1〜2 0之烷氧基，R2及R3係各自獨立爲氫原子、可具有取 代基之碳數6〜60之芳基、可具有取代基之吡啶基、可具有 取代基之喹啉基、可具有取代基之碳數1〜20之烷基或可具 有取代基之碳數卜20之烷氧基，L係可具有取代基之碳數 6〜6〇之伸芳基、可具有取代基之伸吡啶基、可具有取代基 之伸喹啉基或可具有取代基之伸弗基，Ar1係可具有取代 基之碳數6〜60之伸芳基、可具有取代基之伸吡啶基或可具 有取代基之伸喹啉基，Ar2係可具有取代基之碳數6〜60之 芳基、可具有取代基之吡啶基、可具有取代基之喹啉基、 可具有取代基之碳數1~20之烷基或可具有取代基之碳數 1〜20之烷氧基。
Ar3係可具有取代基之碳數6〜60之芳基、可具有取代 • 55- 201107449 基之吡啶基、可具有取代基之喹啉基、可具有取代基之碳 數1~2 0之烷基、可具有取代基之碳數1〜20之烷氧基、或 以-Ai^-Ar2所表示之基（Ar1及Ar2係分別與上述相同）。 另外，在上述式（201)〜（203)中，R係氫原子、可 具有取代基之碳數6~60之芳基、可具有取代基之吡啶基、 可具有取代基之喹啉基、可具有取代基之碳數1〜20之烷基 或可具有取代基之碳數卜2 0之烷氧基。 上述碳數6〜60之芳基較佳爲碳數6~40之芳基，更佳爲 碳數6〜20之芳基，具體而言，例如有苯基、萘基、蒽基、 菲基、丁省基、筷基、芘基、聯苯基、聯三苯基、甲苯基 、第三丁基苯基、（2-苯基丙基）苯基 '丙烯合蒹基、蕗 基、螺雙荞所構成之一價基、全氟苯基、全氟萘基、全氟 蒽基、全氟聯苯基、9-苯基蒽所構成之一價基、9-(1’-萘 )蒽所構成之1價基、9- ( 2’-萘）蒽所構成之一價基、6-苯基疾所構成之一價基、9-[4-(二苯基胺基）苯基]蒽所 構成之一價基等，較佳爲苯基、萘基、聯苯基、聯三苯基 、9- ( 10 -苯基）蒽基、9-[10- ( 1’-萘）]蒽基、9-[10-( 2’-萘）]蒽基等。 碳數1〜20之院基較佳爲碳數1~6之院基’具體而S ’ 除了甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等之外，還有 三氟甲基等鹵烷基，碳數爲3以上者也可爲直鏈狀、具有 環狀或分枝者。 碳數1〜2 0之烷氧基較佳爲碳數1~.6之烷氧基’具體而 言，例如有甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、 -56- 201107449 己氧基等，碳數爲3以上者也可爲直鏈狀、具有環狀或分 枝者。 R所表示之各基之取代基例如有鹵素原子、可具有取 代基之碳數1〜20之烷基、可具有取代基之碳數1〜20之烷氧 基、可具有取代基之碳數6〜40之芳氧基、可具有取代基之 碳數6〜40之芳基或可具有取代基之碳數3~40之雜芳基等。 鹵素原子例如有氟、氯、溴、碘等。 碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基、碳數6~40之芳 基例如有與上述相同者。 碳數6〜40之芳氧基例如有苯氧基、聯苯氧基等。 碳數3〜4 0之雜芳基例如有吡咯基、呋喃基、噻吩基、 噻咯基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、咪唑 基、嘧啶基、咔唑基、硒吩基、噁二唑基、三唑基等。 η係0〜4之整數，較佳爲〇〜2。 上述式（201 )中，R1係可具有取代基之碳數6〜60之 芳基、可具有取代基之吡啶基、可具有取代基之嗤啉基、 可具有取代基之碳數1〜20之烷基或碳數1〜2〇之烷氧基。 此等各基之具體例，較佳之碳數及取代基係與上述R 所說明者相同。 上述式（2 02 )及（203)中，R2及R3係各自獨立爲氫 原子、可具有取代基之碳數6~60之芳基、可具有取代基之 吡啶基、可具有取代基之喹啉基、可具有取代基之碳數 1〜2 0之烷基或可具有取代基之碳數1〜20之烷氧基。
此等各基之具體例，較佳之碳數及取代基係與上述R -57- 201107449 所說明者相同。 上述式（201)〜（2〇3)中，L係可具有取代基之碳數 6〜60之伸芳基、可具有取代基之伸吡啶基、可具有取代基 之伸喹啉基或可具有取代基之伸荛基。 碳數6〜60之伸芳基較佳爲碳數6~40之伸芳基，更佳爲 碳數6~20之伸芳基，具體而言，例如有上述R所說明之由 芳基除去1個氫原子所形成之2價基。L所表示之各基之取 代基係與上述R所說明者相同。 另外，L較佳爲選自下述所成群之基。
上述式（201)中’ Ar1係可具有取代基之碳數6〜60之 伸芳基、可具有取代基之伸吡啶基或可具有取代基之伸喹 啉基。Ar1及Ar3所表示之各基之取代基係分別與上述尺所 說明者相同。 又’ Ar1較佳爲選自以下述式（i〇1) 〜（u〇)所表示 之縮合環基中任一之基。 "58 - 201107449
VjL_ —1^0 (101) (102)
(104) (105)
(106) (107)
v (108)
上述式（101)〜（110)中，各自之縮合環可鍵結鹵 素原子、可具有取代基之碳數1〜20之烷基、可具有取代基 之碳數1〜2 0之烷氧基、可具有取代基之碳數6〜40之芳氧基 、可具有取代基之碳數6~40之芳基或可具有取代基之碳數 3〜40之雜芳基所構成之結合基，而該結合基爲複數時，該 結合基彼此可相同或相異。此等各基之具體例係與上述相 同者。 上述式（110)中，L’係單鍵、或選自下述所成群之 基。 -59- 201107449
Ar1所表示之上述式（103)較佳爲以下述式（111)〜 (125)所表示之縮合環基。
(115) (116)
(121) (122) -60- 201107449
(123) (124) (125) 上述式（111) ~(125)中’各自之縮合環可鍵結鹵 原子、可具有取代基之碳數卜2 0之烷基、可具有取代基之 碳數卜20之烷氧基、可具有取代基之碳數6〜40之芳氧基、 可具有取代基之碳數6~4〇之芳基或可具有取代基之碳數 3~40之雜芳基所構成之結合基，該結合基爲複數時，該結 合基彼此可相同或相異。此等各基之具體例係與上述相同 者。 上述式（201)中，Ar2係可具有取代基之碳數6~60之 芳基、可具有取代基之吡啶基、可具有取代基之喹啉基、 可具有取代基之碳數1〜20之烷基或可具有取代基之碳數 1~20之烷氧基。 此等各基之具體例、較佳之碳數及取代基係與上述R 所說明者相同。 上述式（2〇2)及（203)中，Ar3係可具有取代基之 碳數6〜60之芳基、可具有取代基之吡啶基、可具有取代基 之喹啉基、可具有取代基之碳數1〜20之烷基、可具有取代 基之碳數1〜20之烷氧基 '或以- Ar'Ar2所表示之基（Ar1及 -61 - 201107449
Ar2係分別與上述相同）。 此等各基之具體例、較佳之碳數及取代基係與上述R 所說明者相同。
Ar3較佳爲選自以下述式（126 )〜（135 )所表示之縮 合環基中任一基。
(131) (132)
(133) (134) (135) 上述式（126)〜（135)中，各自之縮合環可鍵結鹵 素原子、可具有取代基之碳數1〜20之烷基、可具有取代基 之碳數1〜2 0之烷氧基、可具有取代基之碳數6〜40之芳氧基 -62- 201107449 、可具有取代基之碳數6〜40之芳基或可具有取代基之碳數 3〜4〇之雜芳基所構成之結合基，該結合基爲複數時，該結 合基彼此可相同或相異。此等各基之具體例係與上述相同 者。 上述式（135)中，L’係與上述相同。 上述式（126)〜（135)中，R，係氫原子、可具有取 代基之碳數1〜20之烷基、可具有取代基之碳數6~40之芳基 或可具有取代基之碳數3 ~4〇之雜芳基。此等各基之具體例 係與上述相同者。
Ar3所表示之通式（128 )較佳爲以下述式（136 )〜（ 158)所表示之縮合環基。
(136) (137) (138) (139) (140)
(141) (142) Π43) (144) (145) -63- 201107449
(154) (155)
上述式（136)〜（158)中，各自之縮合環可鍵結鹵 素原子、可具有取代基之碳數1~20之烷基、可具有取代基 之碳數1〜2 0之烷氧基、可具有取代基之碳數6〜40之芳氧基 、可具有取代基之碳數6〜40之芳基或可具有取代基之碳數 3〜40之雜芳基所構成之結合基’該結合基爲複數時’該結 合基彼此可相同或相異。此等各基之具體例係與上述相同 者。R ’係與上述相同。 另外，Ar2及Ar3較佳爲各自獨立選自下述所成群之基 -64- 201107449
本發明之上述式（201)〜（203)所表示之含氮雜環 衍生物之具體例如下述所示，而本發明不限於此等例示化 合物者。 下述表中，HAr係表示上述式（201)〜（ 203 )之下述 構造。
R2 -65- HAr HAr—Ar1—Αγ2 L Ατ1 Αγ2 0 Οχ 0
XX XX
XX
XX XX Ok
XX XX
ΧΧ5 οφο οφο c^o οφο οφο οφο οφο οφο οφο ^Χ)
-66 - 201107449 HAr—b~Ar^Ar2 Ar1 XX οφο Αί2 XD XX οφο χο XX χο XX 李 ΌΟ οφο Χ30 XX οφο XD Ok οφο ΧΌ Ok 0^0 ΌΟ XX 〇6〇 ΧΟ HAr
201107449 HAr—1^—Ar^—Ar2 HAr L Ar1
Ar2
XO ΌΟ X)0
XjO -68- 201107449
-69 - 201107449
-70- 201107449
-71 - 201107449
-72- 201107449 8-1 2 3 4 5 6 7 β 9 10 11 12
-73- 13
HAr—t hAt ^
% XX 3¾ XX Xk XL XX
XK 〇φ〇 xx αφο ^〇 XI. C^O X) XX GC^O X?
XX οψί B -74- 201107449
-75- 201107449 HAr—L~Ar^—Ar2 L Ar1 HAr
4
5
XX XX XX XX
6
Ar2xoXjO ΌΟ XO XO ΌΟ -76-
201107449
-78- 201107449
-79 201107449
-80- 201107449
8 201107449
-82- 201107449 以上具體例中，特別是以（1-1 ) 、（1-5) ’ 、(2-1 ) 、( 3-1 ) 、( 4-2 ) 、( 4-6) 、( 7-2 7 ) 、（ 7-8 ) 、（ 7-9 ) 、（ 9-1 ) 、（ 9-7)爲佳 電子注入層或電子輸送層之膜厚並未特別限 爲 1 ~ 1 00nm。 電子注入層之構成成分較佳爲除了含氮環衍 使用絕緣體或半導體之無機化合物。電子注入層 或半導體所構成時，可有效防止電流之洩漏，提 入性。 此種絕緣體較佳爲使用選自鹼金屬硫族化物 屬硫族化物、鹼金屬之鹵化物及鹼土金屬之鹵化 中至少一種金屬化合物。電子注入層爲此等之鹼 化物等所構成時，可進一步提升電子注入性，故 體而言，較佳之鹼金屬硫族化物例如Li20、K20 Na2Se及Na20，較佳之鹼土金屬硫族化物例如CaC SrO、BeO、BaS及CaSe。另外，較佳之鹼金屬之 如 LiF、NaF、KF、LiCl、KC1 及 NaCl 等。較佳之 之鹵化物例如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2等 ，或氟化物以外之鹵化物。 半導體例如有含Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、 Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn之至少一個元素 、氮化物或氧氮化物等之一種單獨或二種以上之 外，構成電子注入層之無機化合物較佳爲微結晶 之絕緣性薄膜。電子注入層爲此等之絕緣性薄膜 (1-7 ) 定，較佳 生物外， 以絕緣體 高電子注 、驗土金 物所成群 金屬硫族 較佳。具 、Na2S、 >、B aO、 鹵化物例 驗土金屬 之氟化物 In、Li、 之氧化物 組合。另 或非晶質 所構成時 -83- 201107449 ，由於形成更均質之薄膜，因此可減少暗點等之畫素缺陷 。此種無機化合物例如有鹼金屬硫族化物、鹼土金屬硫族 化物、鹼金屬之鹵化物及鹼土金屬之鹵化物等。 使用此種絕緣體或半導體時，該層之較佳厚度係 O.lnm〜15nm。本發明之電子注入層較佳爲含有上述還原性 摻雜物。 電洞注入層或電洞輸送層（也包括電洞注入輸送層） 適合使用芳香族胺化合物，例如以下述（I )所表示之芳 香族胺衍生物。
ω 上述（I )中，Ar^Ar4係表示取代或未取代之核碳數 6〜50之芳基或取代或未取代之核原子數5〜50之雜芳基。 取代或未取代之核碳數6〜50之芳基例如有苯基、1-萘 基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基 、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2-丁省基、9-丁 省基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基· 3-聯苯基、 4-聯苯基、P-聯三苯基、P-聯三苯-3-基' p-聯三苯-2-基、m-聯三苯-4-基、m-聯三苯-3-基、m-聯三苯-2-基、〇-甲苯基、m-甲苯基、p-甲苯基、P-第三丁基苯基、p-(2-苯基丙基）苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲 201107449 基-1-蒽基、4’-甲基聯苯基、4”-第三丁基-p-聯三苯-4-基 、丙烯合莽基、弗基等。 取代或未取代之核原子數5〜50之雜芳基例如1-吡咯基 、2 -吡咯基、3 -吡咯基、吡嗪基、2 -吡啶基、3 -吡啶基、 4 -吡啶基、1 -吲哚基、2 -吲哚基、3 -吲哚基、4 -吲哚基、 5 -吲哚基、6 -吲哚基、7 -吲哚基、1 -異吲哚基、2 -異吲哚 基、3 -異吲哚基、4 -異吲哚基、5 -異吲哚基、6 -異吲哚基 、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、3 -呋喃基、2 -苯并呋喃基、3 -苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃 基、7 -苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3 -異苯并呋喃基、 4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3 -喹啉基、4 -喹啉基、5 -喹啉基 、6 -喹啉基、7 -喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3 -異喹 啉基、4 -異喹啉基、5 -異唾啉基、6 -異喹啉基、7-異喹啉 基、8 -異喹啉基、2- 喔啉基、5- 喔啉基、6- 喔啉基、 1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4 -咔唑基、9-咔唑基、 1- 菲Π定基、2 -菲D定基、3 -菲D定基、4 -非D定基、6 -菲D定基、 7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、卜吖啶基、 2 -吖啶基、3 -吖啶基、4 -吖啶基、9 -吖啶基、1 , 7 -菲繞啉- 2- 基、1，7-菲繞啉-3-基、1，7-菲繞啉-4-基、1,7-菲繞啉-5-基、1,7-菲繞啉-6-基、1，7-菲繞啉-8-基、1，7-菲繞啉-9-基 、1,7-菲繞啉-10-基、1,8-菲繞啉-2-基、1,8-菲繞啉-3-基 、1,8-菲繞啉-4-基、1，8-菲繞啉-5-基、1，8-菲繞啉-6-基、 1，8-菲繞啉-7-基' 1,8-菲繞啉-9-基、1，8-菲繞啉-10-基、 -85- 201107449 1.9- 菲繞啉-2-基、1，9-菲繞啉-3-基、1,9-菲繞啉-4-基、 1，9-菲繞啉-5-基、1,9-菲繞啉-6-基、1，9-菲繞啉-7-基、 1，9-菲繞啉-8-基、1,9-菲繞啉-10-基、1，10-菲繞啉-2-基、 1，1 〇 -菲繞啉-3 -基、1，1 0 -菲繞啉-4 -基、：1 ,1 0 -菲繞啉-5 -基 、2,9-菲繞啉-1-基、2,9-菲繞啉-3-基、2,9-菲繞啉-4-基、 2.9- 菲繞啉-5-基、2,9-菲繞啉-6-基、2,9·菲繞啉-7-基、 2.9- 菲繞啉-8-基' 2,9-菲繞啉-10-基、2,8-菲繞啉-1-基、 2.8- 菲繞啉-3-基、2,8-菲繞啉-4-基、2,8-菲繞啉-5-基、 2.8- 菲繞啉-6-基、2,8-菲繞啉-7-基、2,8-菲繞啉-9-基、 2.8- 菲繞啉-10-基、2,7-菲繞啉-1-基、2,7-菲繞啉-3-基、 2.7- 菲繞啉-4-基、2,7-菲繞啉-5-基、2,7-菲繞啉-6-基、 2.7- 菲繞啉-8-基、2,7-菲繞啉-9-基、2,7-菲繞啉-10-基、 1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻 嗪基、4 -吩噻嗪基、1 0 -吩噻嗪基、1 -吩噁嗪基、2 -吩噁嗪 基，3 -吩噁嗪基、4 _吩噁嗪基、1 0 -吩噁嗪基、2 -噁唑基、 4 -噁唑基、5 -噁唑基、2 -噁二唑基、5 -噁二唑基、3 -呋咱 基、2 -噻吩基、3 -噻吩基、2 -甲基吡咯-1-基、2 -甲基吡咯-3 -基、2 -甲基吡咯-4 -基、2 -甲基吡咯-5 -基、3 -甲基吡咯· 1 -基、3 -甲基吡咯-2 -基、3 -甲基吡咯-4 -基、3 -甲基吡咯-5-基、2-第三丁基吡咯-4-基、3- ( 2-苯基丙基）吡咯-1-基 、2 -甲基-1 -吲哚基、4 -甲基-1 -吲哚基、2 ·甲基-3 -吲哚基 、4-甲基-3-吲哚基、2-第三丁基1-吲哚基、4-第三丁基1-吲哚基、2-第三丁基3-吲哚基、4-第三丁基3-吲哚基等。 較佳爲苯基、萘基、聯苯基、蒽基、菲基、芘基、筷基、 -86- 201107449 丙燃合葬基、莽基等。 L係連結基。具體而言係將取代或未取代之核碳數6-50之伸芳基、取代或未取代之核原子數5〜50之雜伸芳基、 或2個以上之伸芳基或雜伸芳基以單鍵、醚鍵、硫醚鍵、 碳數1〜20之伸烷基、碳數2〜20之伸烯基、胺基鍵結所得到 的2價基。核碳數6〜50之伸芳基例如1，4-伸苯基、1，2-伸苯 基、1，3-伸苯基、1，4-伸萘基、2,6-伸萘基、1,5-伸萘基、 9,10-伸蒽基、9，10-伸菲基、3,6-伸菲基、1,6-伸芘基、 2，7 -伸IE基、6，1 2 -伸薛基、4，4 ’ -伸聯苯基、3,3 ’ -伸聯苯基 ' 2,2’-伸聯苯基、2,7-伸莽基等。核原子數5〜50之伸芳基 例如2,5-硫代伸苯基、2,5-伸噻咯基、2,5-伸噁二唑基等。 較佳爲1,4-伸本基、1，2_伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸萘基 、9，1〇-伸蒽基、6，12-伸筷基、4,4’-伸聯苯基、3,3，-伸聯 苯基、2,2’-伸聯苯基、2,7-伸莽基。 L爲2個以上之伸芳基或雜伸芳基所構成之連結基時， 相鄰之伸芳基或雜伸芳基可介於2價基彼此結合形成新的 環。形成環之2價基之例有四伸甲基、五伸甲基' 六伸甲 基、二苯基甲烷-2,2’·二基、二苯基乙烷_3,3，·二基、二苯 基丙烷-4，4，-二基等。
Ar1〜A〆及L之取代基例如有取代或未取代之核碳數 6〜5〇之芳基、取代或未取代之核原子數5〜5〇之雜芳基、取 代或未取代之碳數1〜50之烷基、取代或未取代之碳數3〜5〇 之環烷基、取代或未取代之碳數^“之烷氧基、取代或未 取代之碳數7〜50之芳烷基、取代或未取代之核碳數6〜5〇之 -87- 201107449 芳氧基、取代或未取代之核原子數5〜50之雜芳氧基、取代 或未取代之核碳數6〜50之芳硫基、取代或未取代之核原子 數5〜50之雜芳硫基、取代或未取代之碳數2〜.50之烷氧基羰 基、取代或未取代之核碳數6〜5 0之芳基或取代或未取代之 核原子數5〜50之雜芳基所取代之胺基、鹵基、氰基、硝基 、羥基等。 取代或未取代之核碳數6〜50之芳基之例有苯基、1-萘 基、2·萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、卜菲基、2-菲基 、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2_ 丁省基、9-丁 省基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基、3-聯苯基、 4 -聯苯基、p -聯三苯-4 -基、p -聯三苯-3 -基、P —聯三苯-2 · 基、m -聯三苯-4-基、m -聯三苯-3-基、m_聯三苯_2_基、〇-甲苯基' m-甲苯基、p-甲苯基、P-第三丁基苯基、P- (2_ 苯基丙基）苯基、3-甲基-2-萘基、4_甲基_1_萘基、4-甲 基-1-蒽基、4，-甲基聯苯基、4，’-第三丁基_p_聯三苯-4_基 '丙烯合莽基、蒹基等。 取代或未取代之核原子數5 ~5〇之雜芳基之例有丨_耻略 基、2 -吡咯基、3 -吡咯基、吡嗪基、2 -吡啶基、3 —吡啶基 、4 -吡啶基、1 _吲哚基、2 -吲哚基、3 _吲哚基、4 —吲哚基 、5 -吲哚基、6 -吲哚基、7 -吲哚基、1 —異吲哚基、2 -異吲 哚基、3 -異吲哚基、4 -異吲哚基、5 -異吲哚基、6 -異吲哚 基、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、3 -呋喃基、2 _苯并呋喃基、 3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯幷呋喃基、6-苯并呋 喃基、7_苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3_異本并咲喃基 -88- 201107449 、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、 7 -異苯并呋喃基、喹琳基、3 -唾啉基、4 -喹啉基、5 -喹啉 基、6-喹啉基、7-喹啉基、8 -喹啉基、1-異喹啉基、3-異 喹啉基、4 -異喹啉基、5 -異唾啉基、6 -異喹啉基、7 -異喹 啉基、8 -異喹啉基、2- 喔啉基、5- 喔啉基、6- 喔啉基 、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基 、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基 、7 -菲卩定基、8 -非卩定基、9 -菲D定基、1 0 -菲卩定基、1 -卩丫 D定基 、2 -吖啶基、3 -吖啶基、4 -吖啶基、9 -吖啶基、1 , 7 -菲繞 啉-2-基、1，7-菲繞啉-3-基、1，7-菲繞啉-4-基、1，7-菲繞 啉-5-基、1,7-菲繞啉-6-基、1，7-菲繞啉-8-基、1,7-菲繞 啉-9-基、1，7-菲繞啉-10-基、1,8-菲繞啉-2-基、1,8-菲繞 啉-3-基、1,8-菲繞啉-4-基' 1，8-菲繞啉-5-基、1,8-菲繞 啉-6 -基、1，8-菲繞啉-7-基、1,8-菲繞啉-9-基、1，8-菲繞 啉-10-基、1,9-菲繞啉-2-基、1,9-菲繞啉-3-基、1,9-菲繞 啉-4-基、1,9-菲繞啉-5-基、1，9-菲繞啉-6-基、1,9-菲繞 琳-7-基、1，9-菲繞啉-8-基、1,9-菲繞啉-10-基、1，10-菲繞 啉-2-基、1,10-菲繞啉-3-基、1，10-菲繞啉-4-基、1，10-菲 繞啉-5-基、2,9-菲繞啉-1-基、2,9-菲繞啉-3-基、2,9-菲繞 啉-4-基、2,9-菲繞啉-5-基、2,9-菲繞啉-6-基、2,9-菲繞 啉-7-基、2,9-菲繞啉-8-基、2,9 -菲繞啉-10 -基、2,8 -菲繞 琳-1-基、2,8-非繞琳-3 -基、2,8-菲繞琳-4 -基、2,8-菲繞 啉-5-基、2,8-菲繞啉-6-基、2,8-菲繞啉-7-基、2,8-菲繞 啉-9-基、2,8-菲繞啉-10-基、2,7-菲繞啉-1-基、2,7-菲繞 -89- 201107449 啉-3-基、2,7-菲繞啉-4-基、2,7-菲繞啉-5-基、2,7-菲繞 啉-6-基、2,7-菲繞啉-8-基、2,7-菲繞啉-9-基、2,7-菲繞 啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪 基、3 -吩噻嗪基、4 -吩噻嗪基、]0 -吩噻嗪基、1-吩噁嗪基 、2 -吩噁嗪基、3 -吩噁嗪基、4 -吩噁嗪基、1 0 -吩噁嗪基、 2 -噁唑基、4 -噁唑基、5 -噁唑基、2 -噁二唑基、5 -噁二唑 基、3 -呋咱基、2 -噻吩基、3 -噻吩基、2 -甲基吡咯-1 -基、 2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、 3 -甲基吡咯-1 -基、3 -甲基吡咯-2 -基、3 -甲基吡咯-4 -基、 3 -甲基吡咯-5-基、2 -第三丁基吡咯-4-基、3- (2 -苯基丙基 )吡咯-1 -基、2 -甲基-1 -吲哚基、4 -甲基-1 -吲哚基、2 -甲 基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-第三丁基1-吲哚基、4-第三丁基1-吲哚基、2-第三丁基3-吲哚基、4-第三丁基3-吲哚基等。 取代或未取代之碳數1~50之烷基之例有甲基、乙基、 丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、 正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、1-羥乙基、 2-羥乙基' 2-羥異丁基、1,2-二羥乙基、1，3-二羥異丙基、 2,3·二羥基第三丁基、1,2,3-三羥丙基、氯甲基、1-氯乙基 、2-氯乙基、2-氯異丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯異丙基 、2,3-二氯第三丁基、1，2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基 、2-溴乙基、2-溴異丁基、1 ,2-二溴乙基、1，；3-二溴異丙基 、2,3-二溴第三丁基、1，2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基 、2-碘乙基、2-碘異丁基、1，2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基 -90- 201107449 、2,3-二碘第三丁基、1，2,3-三碘丙基、胺基甲基'1-胺基 乙基、2-胺基乙基、2-胺基異丁基、1，2-二胺基乙基、1，3-二胺基異丙基、2,3-二胺基第三丁基、1，2,3-三胺基丙基、 氰甲基、1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰異丁基、1，2-二氰乙 基、1,3-二氰異丙基、2,3-二氰第三丁基' 1，2,3-三氰丙基 、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、 1，2-二硝基乙基、丨，3_二硝基異丙基、2,3-二硝基第三丁基 、1,2,3-三硝基丙基等。 取代或未取代之碳數3〜50之環烷基之例有環丙基、環 丁基、環戊基、環己基、4·甲基環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1 -降冰片基、2 -降冰片基等。 取代或未取代之碳數1~50之烷氧基係以-OY所表示之 基。Y之例有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二 丁基、異丁基 '第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正 辛基 '羥甲基、1-羥乙基、2-羥乙基、2-羥異丁基、1，2-二羥乙基、1,3-二羥異丙基、2,3-二羥第三丁基、1,2,3-三 羥丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、 12 -二氯乙基、1，3 -二氯異丙基、2,3 -二氯第三丁基、 1，2,3-三氯丙基、溴甲基、丨_溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁 基、1，2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴第三丁基、 1，2,3-三溴丙基、碘甲基、丨_碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁 基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2,3-二碘第三丁基、 1，2,3-三碘丙基、胺基甲基、卜胺基乙基、2-胺基乙基、2-胺基異丁基、1,2·二胺基乙基、1,3-二胺基異丙基、2,3-二 -91 - 201107449 胺基第三丁基、1，2,3·三胺基丙基、氰甲基、1-氰乙基' 2-氰乙基、2-氰異丁基、1，2-二氰乙基、1，3-二氰異丙基、 2,3-二氰第三丁基、1，2,3-三氰丙基、硝基甲基、1-硝基乙 基、2-硝基乙基、2·硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1,3 -二 硝基異丙基、2,3-二硝基第三丁基、1，2,3-三硝基丙基等。 取代或未取代之碳數7〜50之芳烷基之例有苄基、1-苯 基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯 基第三丁基、α-萘基甲基、卜α-萘基乙基、2-α-萘基乙基 、l-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、Ρ-萘基甲基、l-β-萘 基乙基、2-β-萘基乙基、l-β-萘基異丙基、2-β-萘基異丙 基、1-吡咯基甲基、2- ( 1-吡咯基）乙基、Ρ-甲基苄基、 m -甲基节基、〇 -甲基节基、ρ-氯节基、m-氯节基、〇 -氯节 基、ρ-溴节基、m-溴节基、〇-溴爷基、P-挑节基、m-碘r节 基、〇-碘苄基、P-羥基苄基、m-羥基苄基、〇-羥基苄基、 P-胺基苄基、m-胺基苄基、0-胺基苄基、P-硝基苄基、m-硝基苄基、〇-硝基苄基、P-氰基苄基、m-氰蕋苄基、〇-氰 基苄基、1-羥基-2-苯基異丙基、1·氯-2-苯基異丙基等。 取代或未取代之核碳數6~5〇之芳氧基係表示爲-OY’ ’ 就Y’之例有苯基、1·萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-丁 省基、2 -丁省基、9 -丁省基、1-芘基、2 -芘基、4 -芘基、 2-聯苯基、3-聯苯基、4·聯苯基、P-聯三苯-4-基、ρ-聯三 苯-3-基、ρ -聯三苯-2-基、m -聯三苯-4-基、m -聯三苯-3-基 、m -聯三苯-2-基、〇 -甲苯基、m -甲苯基、ρ -甲苯基、ρ -第 -92 - 201107449 三丁基苯基、p-(2-苯基丙基）苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯苯基、4”-第三丁 基-P-聯三苯-4-基等。 取代或未取代之核原子數5〜50之雜芳氧基係以-OZ’表 示，Z’之例有2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、 3 -吡啶基、4 -吡啶基、2 -吲哚基、3 -吲哚基、4 -吲哚基、 5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、3-異吲哚 基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基 、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、 4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋 喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃 基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基 、2-唾啉基、3-喹啉基、4 -喹啉基、5 -喹啉基、6-喹啉基 、7 -喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異唾啉基、4-異 喹啉基、5 -異唾啉基、6 -異喹啉基、7 -異喹啉基、8 -異喹 琳基、2 - 喔琳基、5 - 喔琳基、6 - 喔琳基、1 -昨哩基、 2- 咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2 -菲啶基、 3- 菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、 9 -菲卩疋基、1 0 -菲卩疋基、1 -卩f Π疋基、2 -卩丫卩定基、3 -卩丫卩定基、 4- 吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲繞啉-2-基、1，7-菲繞啉-3-基 、1,7-菲繞啉-4-基、1,7-菲繞啉-5-基、1,7-菲繞啉-6-基、 1,7-菲繞啉_8_基、1,7-菲繞啉-9-基、1，7-菲繞啉-10-基、 1，8-菲繞啉-2-基、1,8_菲繞啉-3-基、1,8-菲繞啉-4-基、 1，8-菲繞啉-5-基、1,8-菲繞啉-6-基、1，8-菲繞啉-7-基、 -93- 201107449 1，8-菲繞啉-9-基、1,8-菲繞啉-10-基、1,9-菲繞啉-2-基、 1，9-菲繞啉-3-基、1，9-菲繞啉-4-基、1,9-菲繞啉-5-基、 1，9-菲繞啉-6-基、1,9-菲繞啉-7-基、1,9-菲繞啉-8-基、 1，9-菲繞啉-10-基、1，10-菲繞啉-2-基、1，10-菲繞啉-3-基 、1,10-菲繞啉-4-基、1,10-菲繞啉-5-基、2,9-菲繞啉-1-基 、2,9-菲繞啉-3-基、2,9-菲繞啉-4-基、2,9-菲繞啉-5-基、 2.9- 菲繞啉-6-基、2,9-菲繞啉-7-基、2,9-菲繞啉-8-基、 2.9- 菲繞啉-10-基、2,8-菲繞啉-1-基、2,8-菲繞啉-3-基、 2.8- 菲繞啉-4-基、2,8-菲繞啉-5-基、2,8-菲繞啉-6-基、 2.8- 菲繞啉-7-基、2,8-菲繞啉-9-基、2,8-菲繞啉-10-基、 2.7- 菲繞啉-1-基、2,7-菲繞啉-3-基' 2,7-菲繞啉-4-基、 2.7- 菲繞啉-5-基、2,7-菲繞啉-6-基、2,7-菲繞啉-8-基、 2.7- 菲繞啉-9-基、2,7-菲繞啉-10-基、卜吩嗪基、2-吩嗪基 、1-吩噻嗪基、2 -吩噻嗪基、3 -吩噻嗪基、4 -吩噻嗪基、 1 -吩噁嗪基、2 -吩噁嗪基、3 -吩噁嗪基、4 -吩噁嗪基、2 -噁唑基、4 -噁唑基、5 -噁唑基、2 -噁二唑基、5 -噁二唑基 、3-呋咱基、2 -噻吩基、3 -噻吩基、2 -甲基吡略-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2 -甲基吡咯-4-基、2 -甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1 -基、3 -甲基吡咯-2 -基、3 -甲基吡咯-4 -基、3 -甲基吡咯-5-基、2-第三丁基吡咯-4-基、3- ( 2-苯基丙基） 吡咯-1 -基、2 -甲基-1 -吲哚基、4 -甲基-1 -吲哚基、2 -甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-第三丁基-1-吲哚基、4-第 三丁基-1-吲哚基、2-第三丁基-3-吲哚基、4-第三丁基-3-吲哚基等。 -94- 201107449 取代或未取代之核碳數6〜50之芳硫基係以-SY”表示， Y”之例有苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽 基、1-菲基、2 -菲基、3 -菲基、4 -菲基、9 -菲基、ι_ 丁省 基、2-丁省基' 9_丁省基、丨_芘基' 2-芘基、4_芘基、2_ 聯苯基、3-聯苯基、4_聯苯基、p_聯三苯-4-基、p_聯三苯_ 3_基、p_聯三苯-2-基、m-聯三苯-4-基、m-聯三苯_3_基、 心聯三苯_2-基、〇-甲苯基、m-甲苯基、P-甲苯基、p_第三 丁基本基、卜（2_苯基丙基）苯基、3_甲基-2_萘基、4_甲 基_1_萘基、4-甲基-1-蒽基、4，-甲基聯苯基' 4'第三丁 基-P-聯 卯〜本_4-基等。 〜 取代或未取代之核原子數5〜50之雜芳硫基係以-SZ”表 示，就Z，，5 > 之例有2 -啦略基、3 -耻略基 ' 卩比曝基、2 - Π比陡基 、3 _卩比陡甚 叱鸯、4-吡啶基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基 、5 - H引晚& %基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、3_里吲 哚基、4 & 八 異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚 基、2 -呋喃 阐基、3 -呋喃基、2_苯并呋喃基、3 -苯并呋喃基 并夫喃基、5_苯并呋喃基、6_苯并咲喃基' 7_苯并 呋喃基、1-起# 異本并咲喃基、3 -異苯并呋喃基、4_異苯并咲 喃基、5思# 、苯并呋喃基、6 -異苯并呋喃基、7 -異苯并呋喃 咐基' 3 -唾啉基、4_唾淋基、5_喹琳基、6_喹啉 基、2 -喹啉基、8-喹啉基、卜異喹啉基、3_異喹啉基、4_ 缚嗤咐基、 唼啉基、） 錾、 •異喹啉基、6 -異喹琳基、7 -異喹琳基、8 -異 喔啉基、5-喔啉基、6-喔啉基、1-咔唑基 、2 -味η坐甚 运、3-咔唑基、4-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基 -95- 201107449 、3 -菲啶基、4 -菲啶基、6 -菲啶基、7 -菲啶基、8 -菲啶基 、9 -菲啶基、1 0 -菲啶基、1 -吖啶基、2 -吖啶基、3 -吖啶基 、4 -吖啶基、9 ·吖啶基、1 , 7 -菲繞啉-2 -基、1，7 -菲繞啉-3 -基、1,7-菲繞啉-4-基、1,7-菲繞啉-5-基、1,7-菲繞啉-6-基 、1，7-菲繞啉-8-基、1，7-菲繞啉-9-基、1,7-菲繞啉-10-基 、1,8-菲繞啉-2-基、1,8-菲繞啉-3-基、1，8-菲繞啉-4-基、 1，8-菲繞啉-5-基、1,8-菲繞啉-6-基、1,8-菲繞啉-7-基、 1.8- 菲繞啉-9-基、1，8-菲繞啉-10-基、1,9-菲繞啉-2-基、 1，9-菲繞啉-3-基、1，9-菲繞啉-4-基、1，9-菲繞啉-5-基' 1，9-菲繞啉-6-基、1，9-菲繞啉-7-基、1，9-菲繞啉-8-基、 1，9-菲繞啉-10-基、1，10-菲繞啉-2-基、1，10-菲繞啉-3-基 、1,10-菲繞啉-4-基、1,10 -菲繞啉-5-基、2,9-菲繞咐-1-基 、2,9-菲繞啉-3-基' 2,9-菲繞啉-4-基、2,9-菲繞啉-5-基、 2.9- 菲繞啉-6-基、2,9-菲繞啉-7-基、2,9-菲繞啉-8-基、 2.9- 菲繞啉-10-基、2,8 -菲繞啉-1-基、2,8-菲繞啉-3-基、 2,8-菲繞啉-4-基、2,8-菲繞啉-5-基、2,8-菲繞啉-6-基、 2,8 -菲繞啉-7 -基、2,8 -菲繞啉-9 -基、2，8 -菲繞啉-1 0 -基、 2.7- 菲繞啉-1-基、2,7-菲繞啉-3-基、2,7-菲繞啉-4-基、 2.7- 菲繞啉-5-基、2,7-菲繞啉-6-基、2,7-菲繞啉-8-基、 2.7- 菲繞啉-9-基、2,7-菲繞啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基 、1-吩噻嗪基、2 -吩噻嗪基、3 -吩噻嗪基、4 -吩噻嗪基、 1 -吩噁嗪基、2 -吩噁嗪基、3 -吩噁嗪基、4 -吩噁嗪基、2 -噁唑基、4 -噁唑基、5 -噁唑基、2 -噁二唑基、5 -噁二唑基 、3 -呋咱基、2 -噻吩基、3 -噻吩基、2 -甲基吡咯-1 -基、2 - -96 - 201107449 甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5·基、3-甲基吡咯-1-基、3 -甲基吡咯-2 -基、3 -甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-第三丁基吡咯-4-基、3- ( 2-苯基丙基） 吡咯-1 -基、2 -甲基-1 -吲哚基、4 -甲基-1 -吲哚基、2 -甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-第三丁基1-吲哚基、4-第 三丁基-1-吲哚基、2-第三丁基-3-吲哚基、4-第三丁基-3-吲哚基等。 取代或未取代之碳數2〜50之烷氧基羰基係以-COOZ表 示，Ζ之例有甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二 丁基、異丁基、.第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正 辛基 '羥甲基、1-羥乙基、2-羥乙基、2-羥異丁基、1，2-二羥乙基、1，3-二羥異丙基、2,3-二羥-第三丁基、1，2,3-三羥丙基、氯甲基、1-氯乙基、2 -氯乙基、2 -氯異丁基、 1，2 -二氯乙基、1，3 -二氯異丙基、2,3 -二氯第三丁基、 1，2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁 基、1，2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴第三丁基、 1，2,3-三溴丙基、碘甲基、1 -碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁 基、1，2-二碘乙基' 1，3-二碘異丙基、2,3-二碘第三丁基、 1，2,3-三碗丙基、胺基甲基、1-胺基乙基、2 -胺基乙基.、2-胺基異丁基、1，2-二胺基乙基、1，3-二胺基異丙基、2,3-二 胺基第三丁基、1，2,3-三胺基丙基、氰甲基、丨-氰乙基、 2 -氰乙基、2 -氰異丁基、1，2 -二氰乙基、1,3-二氰異丙基、 2,3- 一氯弟二丁基、1，2,3 -二氯丙基、硝基甲基、丨_硝基乙 基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1，3_二 -97- 201107449 硝基異丙基、2,3-二硝基第三丁基、1，2,3-三硝基丙基等。 上述取代或未取代之核碳數6-50之芳基或取代或未取 代之核原子數5〜5〇之雜芳基所取代之胺基係以..NPQ表示， P、Q之例有苯基、1-萘基、2 -萘基' 1-蒽基、2_蒽基' 9-恵基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1_ 丁 省基、2_丁省基、9-丁省基、1-芘基、2-芘基、4 -芘基、 2-聯苯基、聯苯基、4_聯苯基、p_聯三苯_4..基、p_聯三 苯-3 —基、P-聯三苯-2-基、m-聯三苯-4·基、m-聯三苯-3-基 m本-2 -基、〇·甲苯基、m -甲苯基、p -甲苯基、p -第 二丁基苯基、p_(2_苯基丙基）苯基、3_甲基-2_萘基、4_ 甲基-1-萘基' 4·甲基-丨·蒽基、4’_甲基聯苯基、4，’_第三丁 基-P-聯三苯基、2_吡咯基、3_吡咯基、吡嗪基、2_吡啶 基、3 -卩比啶基、4 _吡啶基、2吲哚基、3 _吲哚基、4吲哄 基、5-卩引噪基、6_吲哚基、7吲哚基、】·異吲哚基、3_異 口引晚基' 4·異吲哚基、5-異吲哚基' 6-異吲哚基、7-異吲 哄基、2'咲喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3 -苯并呋喃 基、4_苯并呋喃基、％苯并呋喃基、6_苯并呋喃基、7-苯 并咲喃基、1_異苯并呋喃基、3_異苯并呋喃基、4_異苯并 咲喃基、5-異苯并呋喃基、6_異苯并呋喃基、7_異苯并呋 喃基、2 -喹啉基、3 -喹咐基、4 -喹啉基、5 -喹啉基、6 -喹 咐基、7-喹啉基、8_喹啉基、〗-異喹啉基、3_異喹啉基、 4-異唾琳基、5-異喹啉基、6-異嗤啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2_喔啉基、5_喔啉基、喔啉基、1-咔唑 基、2-味嗤基、3_咔唑基、4_咔唑基、〗_菲啶基、2_菲啶 -98- 201107449 基、3-非卩疋基、4-非旋基、6 -菲卩定基、7 -菲卩疋基、8 -菲Π定 基、9 -菲D定基、1 0 -菲D定基、1 -卩丫 D定基、2 - Β 丫 D定基、3 - D丫 D定 基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲繞啉-2-基、1,7-菲繞啉-3-基、1,7-菲繞啉-4-基、1，7-菲繞啉-5-基、1，7-菲繞啉-6-基、1，7_菲繞啉-8-基、1,7-菲繞啉-9-基、1,7-菲繞啉-10-基、1,8-菲繞啉-2-基、1，8-菲繞啉-3-基、1，8·菲繞啉-4-基 、1，8-菲繞咐-5-基、1,8-菲繞琳-6-基、1,8-菲繞琳-7-基、 1.8- 菲繞琳-9-基、1,8-非繞琳-10-基、1,9-非繞咐-2-基、 1，9-菲繞啉-3-基、1，9-菲繞啉-4-基、1，9-菲繞啉-5-基、 1.9- 菲繞啉-6-基、1，9-菲繞啉-7-基、1,9-菲繞啉-8-基、 1，9-菲繞啉-10-基、1，10-菲繞啉-2-基、1,10-菲繞啉-3-基 、1,10-菲繞啉-4-基、1，10-菲繞啉-5-基、2,9-菲繞啉-1-基 、2,9-菲繞啉-3-基、2,9-菲繞啉-4-基、2,9-菲繞啉-5-基、 2.9- 菲繞啉-6-基、2,9-菲繞啉-7-基、2,9-菲繞啉-8-基、 2.9- 菲繞啉-10-基、2,8-菲繞啉-1-基、2,8-菲繞啉-3-基、 2.8- 菲繞啉-4-基、2,8-菲繞啉-5-基、2,8-菲繞啉-6-基、 2.8- 菲繞啉-7-基、2,8-菲繞啉-9-基、2,8-菲繞啉-10-基、 2.7- 菲繞啉-1-基、2,7-菲繞啉-3-基、2,7-菲繞啉-4-基、 2.7- 菲繞啉-5-基、2,7-菲繞啉-6-基、2,7-菲繞啉-8-基、 2.7- 菲繞啉-9-基、2,7-菲繞啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基 、1-吩噻嗪基、2 -吩噻嗪基、3 -吩噻嗪基、4 -吩噻嗪基、 1 -吩噁嗪基、2 -吩噁嗪基、3 -吩噁嗪基、4 -吩噁嗪基、2 -噁唑基、4 -噁唑基、5 -噁唑基、2 -噁二唑基、5 -噁二唑基 、3-呋咱基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2- -99- 201107449 甲基吡咯-3 -基、2 -甲基吡咯-4 -基、2 -甲基吡咯-5 -基、3 -甲基吡咯-卜基、3 -甲基吡咯-2 -基、3 -甲基吡咯-4 -基、3 -甲基吡咯-5-基、2-第三丁基吡咯-4-基、3- (2·苯基丙基） 吡咯-1 -基、2 -甲基-1 -吲哚基' 4 -甲基-1 -吲哚基、2 -甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-第三丁基1-吲哚基、4-第 三丁基卜吲哚基、2-第三丁基3-吲哚基、4-第三丁基3-吲 哚基等。 上述（I )之化合物之具體例係如下所示，但是不受 此等所限定。 -100- 201107449
又，下述（Π)之芳香族胺也可適合使用於形成電洞 注入層或電洞輸送層。 -101 - (II) (II)201107449
上述（π )中，Ar1〜Ar3之定義係與上述（I)之
Ar1〜Ar4之定義相同。以下記載（II)之化合物之具體例， 但是不限於此。
-102- 201107449
又’本發明不限於上述說明者，在不超脫本發明之要 件之範圍之變更係被包含於本發明內。 例如，以下之變更也爲本發明較佳之變形例。 本發明中，上述發光層較佳爲含有電荷注入補助劑。 使用能隙較廣之主體材料形成發光層時，主體材料之 游離電位（Ip)與電洞注入•輸送層等之Ip之差變大，電 洞注入發光層困難，爲了得到充分之亮度之驅動電壓可能 上昇。 這種情形下，藉著使發光層含有電洞注入•輸送性之 -103- 201107449 電荷注入補助劑，使電洞容易注入發光層，可降低驅動電 壓。 電荷注入補助劑可利用例如一般的電洞注入·輸送材 料等。 具體例而言’例如有三唑衍生物（參照美國專利 3，1 1 2，1 9 7號說明書等）、噁二唑衍生物（參照美國專利 3,1 8 9,447號說明書等）、咪唑衍生物（參照特公昭Μ-ΐ 6 0 9 6 號公 報等） 、聚芳院衍生物（參照美國專利 3.6 1 5,402號說明書、說明書第3,82〇,989號、說明書第 3,542,544號、特公昭45 -5 5 5號、同公報5 1 - 1 098 3號 '特開 昭51-93224號、同公報55-17105號、同公報56-4148號、同 公報55-108667號、同公報55-156953號、同公報56-36656 號公報等）、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物（參照美國 專利第3,180,729號說明書、說明書第4，278，7 46號、特開 昭5 5 -88064號公報、同公報55 -8 8065號、同公報49- 1 05537 號、同公報55-51086號' 同公報56-80051號、同公報56-88141號、同公報57-45545號、同公報54-112637號、同公 報5 5 -74546號等）、苯二胺衍生物（參照美國專利第 3.6 1 5,404號說明書、特公昭51-10105號公報、同公報46-3712號、同公報47-25336號、特開昭54-53435號公報、同 公報54-110536號、同公報54-119925號等）、芳基胺衍生 物（參照美國專利第3,5 67,45 0號說明書 '說明書第 3,180,703號、說明書第3,240,597號、說明書第3,658,520 號、說明書第4，232,103號、說明書第4,175，961號、說明 -104- 201107449 書第4,012,376號、特公昭49-35702號公報、同公報39-27577號、特開昭55- 1 44250號公報、同公報5 6- 1 1 9 1 3 2號、 同公報56-22437號、西德專利第1，1 1〇,5 18號說明書等）、 胺基取代查耳酮衍生物（參照美國專利第3,526,5〇1號說明 書等）、噁唑衍生物（美國專利第3,257,203號說明書等所 揭示者）、苯乙烯基蒽衍生物（參照特開昭56-46234號公 報等）、莽酮衍生物（參照特開昭54- 1 1 0837號公報等） 、腙衍生物（參照美國專利第3,7 1 7,462號說明書、特開昭 54-59 1 43號公報、同公報5 5 -52063號、同公報5 5 -5 2064號 、同公報5 5 -46760號、同公報5 5- 8 5495號、同公報57-1 1 3 5 0號、同公報5 7- 1 48 749號、特開平2-311591號公報等 )、芪衍生物（特開昭61-210363號公報、同公報第61-228451號、同公報61-14642號、同公報61-72255號、同公 報62-47646號、同公報62-36674號、同公報62- 1 0652號、 同公報62-30255號、同公報60-93455號、同公報60-94462 號、同公報60-174749號' 同公報60-175052號等）、矽胺 烷衍生物（美國專利第4,9 50,9 50號說明書）、聚矽烷系（ 特開平2-204996號公報）、苯胺系共聚物（特開平2-282263號公報）、特開平卜2 1 1 399號公報所揭示之導電性 高分子寡聚物（特別是噻吩寡聚物）等。 電洞注入性之材料例如有上述者’較佳爲卟啉化合物 (特開昭63 -295 695號公報等所揭示者）、芳香族三級胺 化合物及苯乙烯基胺化合物（參照美國專利第4，127,412號 說明書、特開昭5 3 - 2 7 0 3 3號公報、同公報5 4 - 5 8 4 4 5號、同 -105- 201107449 公報54- 1 49634號、同公報54-64299號、同公報5 5 -79450號 、同公報5 5- 1 442 5 0號、同公報5 6- 1 1 9 1 3 2號、同公報61-295558號、同公報61-98353號、同公報63-295695號等）’ 特佳爲芳香族三級胺化合物。 另外，美國專利第5,061,569號所記載之分子內具有2 個縮合芳香族環’例如4,4’-雙（N- ( 1-萘基）-N-苯基胺 基）聯苯（以下簡稱N P D )，特開平4 - 3 0 8 6 8 8號公報所記 載之三苯胺單元連結成3個星芒型之4，4，，4，’-三（N-( 3-甲 基苯基）-N-苯基胺基）三苯胺（以下簡稱MTDATA)等 〇 另外，專利公報第3 6 1 4405號、3 5 7 1 977號或美國專利 4,7 8 0,5 3 6所記載之六氮雜三亞苯衍生物等，也可適合作爲 電洞注入性之材料使用。 另外，p型Si、p型SiC等無機化合物也可作爲電洞注 入材料使用。 本發明之有機電致發光元件之各層之形成方法並未特 別限定。可使用以往周知之真空蒸鍍法、旋轉塗佈法等之 形成方法。本發明之有機EL元件所使用之含有上述式（1 )所表示之化合物的有機薄膜層係可藉由真空蒸鍍法、分 子射線蒸鍍法（MB E法）或溶解於溶劑之溶液之浸塗法、 旋轉塗佈法、鑄膜法、棒塗法、輥塗佈法等之塗佈法之周 知方法形成。 本發明之有機EL元件之各有機層之膜厚並未特別限制 ’ 一般而言，若膜厚過薄，則容易產生針孔等缺陷，相反 -106- 201107449 地’若過厚’則必要施加高電壓，效率變差，因此通常爲 數nm至Ιμηι之範圍爲佳。 【實施方式】 [實施例] 以下舉實施例及比較例詳細說明本發明，但是本發明 不受此等實施例記載內容所限制者。 合成實施例1 (化合物（Α1)之合成）
氬氣氛下，添加溴化物1-2 7.33g(18mmol)、硼酸I-1 6.70g ( 1 8mmol )、四（三苯膦）鈀（0) 420mg ( 0.36mmol )、甲苯8 0m 1、二甲氧基乙烷8 0 m 1、2 Μ碳酸鈉 水溶液26ml，在8 5 °C下攪拌1 2小時》將反應混合物放冷至 室溫、添加水，除去水相、使有機相濃縮後、添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化得到化合物（A1 ) 6.48g (收 率 5 5 % )。 -107- 201107449 FD質量分析結果，對於分子量654’ m/e = 654。 合成實施例2(化合物（A3)之合成）
在氬氣氛下，添加溴化物1-2 7.33g(18mmol)、硼酸 1- 3 5.3 7 g ( 1 8mmol )、四（三苯膦）鈀（0) 42 Omg ( 0.36mmol)、甲苯80ml、二甲氧基乙烷80ml、2M碳酸鈉 水溶液26ml，在85°C下攪拌12小時。將反應混合物放冷至 室溫、添加水，除去水相、使有機相濃縮後，添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化得到化合物（A3 ) 6.27g (收 率 6 0 % )。 FD質量分析結果，對於分子量5 8 0，m/e= 5 80。 合成實施例3 (化合物（A7 )之合成） -108- 201107449
在氬氣氛下，添加溴化物I·4 7.33g( 18mmol)、硼酸 1-3 5.37g ( 18mmol)、四（三苯膦）紀（0) 420mg( 0.36mmol )、甲苯8 0m 1、二甲氧基乙烷8 0m 1、2 Μ碳酸鈉 水溶液26ml，在85 °C下攪拌14小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後，添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，以甲苯再結晶化3次，得到化合物（A7 ) 5.02g ( 收率4 8 % )。 FD質量分析結果，對於分子量5 8 0，m/e = 5 8 0。 合成實施例4 (化合物（A9 )之合成）
-109- 201107449 在氬氣氛下，添加溴化物卜5 5.36g( 15mmol)、硼酸 1-1 5.58g ( 15mmol)、四（三苯隣）IE ( 〇) 350mg ( 0.30mmol )、甲苯60ml、二甲氧基乙烷50ml、2M碳酸鈉 水溶液2 2 m 1，在8 5 °C下攪拌1 〇小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使將有機相濃縮後’添加硝基 苯，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層 析渣純化，使用甲苯再結晶化2次’得到化合物（A9 ) 3 · 7 2 g (收率 4 1 % )。 FD質量分析結果，對於分子量604 ’ m/e = 604。 合成實施例5(化合物（All)之合成）
在氬氣氛下，添加溴化物1-5 5.36g(15mmol)、硼酸 1-3 4.47g ( 1 5mmol )、四（三苯膦）鈀（0) 350mg( 0.30mmol) '甲苯6〇mi、二甲氧基乙烷5 0ml、2M碳酸鈉 水溶液2 2 m 1，在8 5 °C下攪拌1 2小時。將反應混合物放冷至 -110- 201107449 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後，添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化2次得到化合物（A1 1 ) 4.70g (收率5 9 % )。 FD質量分析結果，對於分子量5 3 0，m/e = 53 0。 合成實施例6(化合物（A18)之合成）
在氬氣氛下，添加溴化物1-5 6.43g ( 18mmol )、硼酸 1-6 7.17g ( 18mmol )、四（三苯膦）鈀（0) 42 Omg ( 0.36mmol )、甲苯8 Oml、二甲氧基乙烷80ml、2M碳酸鈉 水溶液2 6ml，在8 5 °C下攪拌1 1小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後，添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化2次，得到化合物（A 1 8 ) 4.31g (收率 38%)。 FD質量分析結果，對於分子量63 0 ’ m/e = 63 0。 -111 - 201107449 合成實施例7 (化合物（A20)之合成）
在氬氣氛下，添加溴化物1-5 6.43 g ( 1 8mmol )、硼酸 1-7 8.07g ( 1 8mmol )、四（三苯膦）鈀（0 ) 420mg ( 〇.36mmol)、甲苯80ml、二甲氧基乙烷80ml、2M碳酸鈉 水溶液26ml，在85 °C下攪拌12小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後，添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化2次得到化合物（A20 ) 4.29g (收率35%)。 FD質量分析結果，對於分子量680，m/e = 680。 合成實施例8(化合物（A30)之合成） -112- 201107449
在氬氣氛下，添加溴化物1-8 6.90g(18mmol)、硼酸 1-1 6.70g ( 1 8mmol ) '四（三苯膦）鈀（0) 42 0mg( 0.36mmol )、甲苯80ml、二甲氧基乙烷80ml、2M碳酸鈉 水溶液26ml，在85°C下攪拌12小時。將反應混合物放冷至 室溫’添加水’除去水相，使有機相濃縮後，添加硝基苯 ’將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化’使用甲苯再結晶化3次，得到化合物（A3 0 ) 3 . 1 8 g (收率 2 8 % )。 FD質量分析結果，對於分子量630，m/e = 630。 合成實施例9 (化合物（A32)之合成）
113- 201107449 在氬氣氛下，添加溴化物1-8 5.75g ( 15mmol )、硼酸 1-3 4.47g ( 1 5mmol )、四（三苯膦）鈀（（））3 5 0 m g ( 0.30mmol )、甲苯60ml、二甲氧基乙烷6〇ml' 2M碳酸鈉 水溶液2 2 m 1，在8 5 t：下攪拌1 3小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後’添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化3次，得到化合物（A32 ) 3 · 2 6 g (收率 3 9 % )。 FD質量分析結果，對於分子量5 5 6，m/e=5 56。 合成實施例1〇(化合物（A37)之合成）
在氬氣氛下，添加溴化物1-9 6.5 0g ( 1 5mmol )、硼酸 1-6 5.97g ( 1 5mmol )、四（三苯膦）把（0) 350mg( 0.30mmol )、甲苯60ml、二甲氧基乙烷60ml、2M碳酸鈉 水溶液22ml，在85°C下攪拌12小時。將反應混合物放冷至 -114- 201107449 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後，添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化2次，得到化合物（A 3 7 ) 4.7 7 g (收率 4 5 % )。 FD質量分析結果，對於分子量706，m/e = 706。 合成實施例Π (化合物（A42)之合成）
在氬氣氛下，添加溴化物1-10 6.50g( 15mmol)、硼 酸 1-1 5.58g(15mmol) '四（三苯膦）钯（0) 350mg( 0.30minol )、甲苯60ml、二甲氧基乙烷60ml、2M碳酸鈉 水溶液22ml，在85°C下攪拌12小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後，添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化2次，得到化合物（A42 ) 4.4 9 g (收率 4 4 % )。 FD質量分析結果，對於分子量680，m/e = 680。 -115- 201107449 合成實施例12(化合物（A50)之合成）
在氬氣氛下，添加溴化物1-11 5.75g(15mmol)、硼 酸 1-1 5.58g ( 1 5mmol )、四（三苯膦）鈀（0 ) 3 5 0 m g ( 0.30mmol )、甲苯60ml、二甲氧基乙烷60ml、2M碳酸鈉 水溶液22ml，在85°C下攪拌13小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相’使有機相濃縮後’添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化砂膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化2次’得到化合物（A 5 0 ) 4 _ 9 2 g (收率 5 2 % )。 FD質量分析結果’對於分子量630’ m/e=630。 合成實施例13 (化合物（A52 )之合成） -116- 201107449
在氬氣氛下’添加溴化物u1 5.75g(15mmo1)、硼 酸 1-3 4.47g(15mmol)、四（三苯膦）IG (〇) 350mg( 0.30mmol )、甲苯60ml、二甲氧基乙烷60ml、2M碳酸鈉 水溶液22ml’在85 °C下攪拌I2小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後’添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化2次，得到化合物（AU ) 3 · 0 1 g (收率 3 6 % )。 FD質量分析結果，對於分子量5 5 6，m/e = 5 56。 合成實施例14(化合物（A59)之合成）
-117- 201107449 在氬氣氛下，添加溴化物I-l 1 5.75g ( 15ramol )、硼 酸 1-6 5.97g(15mmol)、四（三苯膦）鈀（〇) 350mg( 0.3 0mmol )、甲苯60ml、二甲氧基乙烷60ml、2M碳酸鈉 水溶液2 2 m 1，在8 5 °C下攪拌1 2小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後’添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化3次，得到化合物（A5 9 ) 4.5 3 g (收率 4 6 % )。 FD質量分析結果，對於分子量6 5 6 ’ m/e = 656。 合成實施例15(化合物（A62)之合成）
在氬氣氛下，添加溴化物1-12 6.50g( 15mmol )、硼 酸 1-3 4.47g(15mmol)、四（三苯膦）郵（0) 350mg( 0.30mmol )、甲苯60ml、二甲氧基乙烷60ml、2M碳酸鈉 水溶液22ml，在85°C下攪拌12小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後，添加硝基苯 -118- 201107449 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化砂膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化2次，得到化合物（A62 ) 4.8 7 g (收率 5 4 % )。 FD質量分析結果，對於分子量556’ m/e=5 56。 合成實施例1 6 (化合物（A69 )之合成）
在氬氣氛下’添加溴化物I-B 6.74g ( 15mmol )、硼 酸 1-3 4.47g(15mmol)、四（三苯膦）鈀（〇) 350mg( 0.30mmol )、甲苯70ml、二甲氧基乙烷70ml、2M碳酸鈉 水溶液2 3 m 1，在8 5 °C下攪拌1 4小時。將反應混合物放冷至 室溫，添加水，除去水相，使有機相濃縮後’添加硝基苯 ，將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化，得到化合物（A69 ) 4.80g ( 收率5 1 % )。 FD質量分析結果，對於分子量622，m/e = 622。 合成實施例17(化合物（A7S>)之合成） -119- 201107449
在氬氣氛下’添加溴化物M4 8.33g(15mmol)、硼 酸 1-1 5.58g ( 15mm〇l )、四（三苯膦）鈀（〇 ) 3 5 〇 m g ( 0.30mmol )、甲苯9〇ml、二甲氧基乙烷9〇nil、2M碳酸鈉 水溶液22ml ’在85 °C下攪拌15小時。將反應混合物放冷至 室溫’添加水’除去水相，使有機相濃縮後，添加硝基苯 ’將殘渣加熱溶解過濾。然後藉由二氧化矽膠體管柱層析 渣純化，使用甲苯再結晶化，得到化合物（A79 ) 5. 1 5g ( 收率4 3 % )。 FD質量分析結果，對於分子量803，m/e=803。 (實施例1 ) (有機EL元件之製作） 將2 5 m m X 7 5 m m X 0.7 m m厚之附有IT 0透明電極之玻璃基 板（旭硝子製）在異丙醇中進行5分鐘超音波洗淨後，進 行UV臭氧洗淨30分鐘。將洗淨後之附有透明電極線之玻 璃基板安裝於真空蒸鍍裝置之基板架上，首先，於形成透 明電極線之側的面上，形成膜厚50nm之HT1膜以覆蓋前述 -120- 201107449 透明電極。該HT1膜係作爲電洞注入·輸送層之功能。該 電洞注入•輸送層之成膜後，接著於此膜上，將膜厚40nm 之上述化合物（A1 )及作爲燐光發光性之摻雜物之 Ir(piq)3成爲10質量％的狀態，藉由電阻加熱形成共同蒸鍍 膜。該膜係作爲發光層（燐光發光層）之功能。該發光層 成膜後，接著以膜厚40nm形成ET1膜。該膜係作爲電子輸 送層之功能。其後，將LiF當作電子注入性電極（陰極） ，以成膜速度〇.lnm/min形成膜厚〇.5nm。使於此LiF層上 蒸鍍金屬A1，使金屬陰極形成膜厚15 0nm，形成有機EL元 件。 [實施例2〜17、比較例1〜4] 除了使用下述表1所表示之化合物代替實施例1之化合 物（A 1 )外’與實施例1同樣製作有機電致發光元件。 [有機EL元件之發光性能評價] 使上述實施例1〜17、比較例1〜4製作之有機EL元件藉 由直流電流驅動發光，測定電流密度l〇mA/cm2時之電壓、 發光效率及亮度減半壽命（初期亮度3 000cd/m2)。 S式料之燐光光譜係如下述測定。將各材料以1 〇μιη〇ι/ι 溶解於EP A溶劑（容積比二乙醚：異戊烷：乙醇=5 : 5 : 2 )中’作爲燐光測定用試料。然後將燐光測定用試料置入 石英槽’冷卻至77K ，照射激發光（SPEX公司 FLUOROLOGII )。 -121 - 201107449 對燐光光譜之短波長側之上升，繪製切線，求此切線 與橫軸之交點的波長（發光端）。將此波長換算成能量値 ’測定有機E L元件之三重態能量Eg ( T )。試料全部使用 昇華純化等之純化物。 此等之評價結果如表1所示。 -122- 201107449
CBP ET1
-123- 201107449 [表η 化合物 化合物之 Eg(T) (eV) 電壓 (V) 發光效率 (cd/A) 亮度減 午焉口卩 (小時） 實施例1 A⑴ 2.24 3.5 12.3 13000 實施例2 A⑶ 2.26 3.6 12.6 13900 實施例3 A⑺ 2.27 3.6 13.0 12800 實施例4 A⑼ 2.22 3.5 12.0 13300 實施例5 A(ll) 2.27 3.4 12.6 14000 實施例6 A(18) 2.32 3.5 12.5 12800 實施例7 A(20) 2.20 3.6 12.3 12500 實施例8 A(30) 2.34 3.4 13.2 12700 實施例9 A(32) 2.45 3.5 13.1 13300 實施例1C A(37) 2.40 3.5 12.8 12500 實施例11 A(42) 2.32 3.5 12.4 13000 實施例12 A(50) 2.36 3.4 14.0 13700 實施例12 A(52) 2.44 3.4 12.6 13500 實施例14 A(59) 2.42 3.5 12.7 14100 實施例U A(62) 2.37 3.5 12.5 14700 實施例1 e A(69) 2.26 3.6 11.4 11900 實施例17 A(79) 2.33 3.4 12.0 12800 比較例1 CBP 2.81 5.7 6.3 1200 比較例2 BAlq 2.28 5.3 7.0 2300 比較例3 P() 2.47 4.3 12.3 12500 比較例4 Q() 2.38 4.4 10.0 10500 由表1可知，關於發光效率，使用本發明之有機EL元 件用材料構成之實施例1〜1 7之有機EL元件係顯示驅動電壓 低、外部量子效率高，壽命特別長者。 而比較例1〜2係電壓較高，發光效率低，壽命短。比 -124- 201107449 較例3〜4係發光效率大致同等，但是驅動電壓實質上比實 施例 1~1 7高 0.7-1.0V。 本發明之材料之特徵係作爲有機EL元件之主體材料使 用時，三重態能量與燐光發光摻雜物之三重態能量適當， 可提昇發光效率；及材料之分子骨架未含有含氮環、氮原 子等，因此有機EL元件用材料對電洞、電子具有高耐性， 藉此，相較以往所知之組合，發光元件更長壽命化。此外 ’選擇特定部分構造與分子之特定結合樣式，可明顯降低 驅動電壓，顯著改善消耗電力。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之實施形態之有機電致發光元件之 一例的槪略構成圖。 【主要元件符號說明】 1 :有機EL元件 2 :基板 3 :陽極 4 :陰極 5 :燐光發光層 6 :電洞注入·輸送層 7 :電子注入·輸送層 1 〇 :有機薄膜層 -125-

Claims (1)

  1. 201107449 七、申請專利範圍： 1 · 一種有機電致發光元件，其係在陰極與陽極之間 具備由1層或複數層所構成之有機薄膜層，該有機薄膜層 中之至少1層係含有下述式（1)、式（2)、及式（3)中 任一之一般式表示的有機電致發光元件用材料與至少1種 的燐光發光材料’前述有機電致發光元件用材料可具有取 代基，
    (” (2) (3) (式中’ A係表示選自3_丙烯合莽蕋、5„苯并[c]乙烷 合菲基、6-苯并[c]乙烷合菲基、丨〇_苯并[g】筷基之基； Ar係表示三重態能量爲21〇eV以上之碳數i〇〜3〇的縮 合芳香族環）。 2 ·如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中 前述A或前述Ar可具有苯基或萘基作爲取代基。 3 .如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中 前述A爲選自無取代之3_丙烯合莽基、5_苯并乙烷合菲 基、6-苯并[c]乙烷合菲基、ι〇_苯并[g]筷基之基。 -126- 201107449 4. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其巾 前述Ar爲分別獨立選自萘基、丙烯合蕗基、乙烷合菲基、 苯并乙烷合菲基、苯并[g]筷基之基。 5. 如申請專利範圍第4項之有機電致發光元件，其ψ 前述Ar爲選自2_萘基、3-丙烯合苐基、8-丙烯合蒔基、9_ 乙烷合菲基、5_苯并[c]乙烷合菲基、6-苯并[c]乙烷合菲基 、10-苯并[g]筷基之基。 6. 如申請專利範圍第5項之有機電致發光元件，其係 前述式（1)之一般式表示之有機電致發光元件用材料， .前述Ar爲2-萘基。 7. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中 前述式（1)、式（2) '及式（3)中任一之—般式表示 之有機電致發光元件用材料的三重態能量爲2.0eV以上 2.5eV以下。 8 ·如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中 前述有機薄膜層中之至少1層係發光層，該發光層中之至 少1層係含有前述式（1)、式（2)、及式（3)中任一之 一般式表示之有機電致發光元件用材料與至少1種的燐光 發光材料。 9. 如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中 前述燐光發光材料含有金屬錯合物，該金屬錯合物爲具有 選自Ir、Pt、Os、Au、Re及Ru之金屬原子與配位基。 10. 如申請專利範圍第9項之有機電致發光元件，其 中前述配位基具有形成錯合物之金屬原子與鄰位金屬結合 -127- 201107449 11 ·如申請專利範圍第8~1 0項中任一項之有機電致發 光元;件’其中前述發光層所含有之燐光發光材料中之至少 1種係發光波長之極大値爲520nm以上720nm以下。 1 2.如申請專利範圍第1〜10項中任一.項之有機電致發 光元件’其中前述有機薄膜層爲在前述陰極與前述發光層 之間具有電子輸送層，該電子輸送層含有前述有機電致發 光元件用材料。 13. 如申請專利範圍第1〜10項中任—項之有機電致發 光元件’其中前述有機薄膜層係在前述陰極與前述發光層 之間具有電子輸送層或電子注入層， 前述電子輸送層或前述電子注入層係含有具有含氮6 員環或5員環骨架之芳香族環或具有含氮6員環或5員環骨 架之縮合芳香族環化合物。 14. 如申請專利範圍第1〜10項中任—項之有機電致發 光元件，其中在前述陰極與前述有機薄膜層之界面區域添 加還原性摻雜物。 1 5 · —種有機電致發光元件用材料，其特徵係以下述 式（1)、式（2)、及式（3)中任一之一般式表示，可 具有取代基， -128- 201107449
    (式中’ Μ系表不選自3 -丙烧合茜基、5 -苯并[C]乙院 合菲基、6-苯并[c]乙烷合菲基、ι〇_苯并[g]筷基之基；Ar 係表示三重態能量爲2.1 OeV以上之碳數1〇〜30的縮合芳香 族環）。 1 6 ·如申5靑專利範圍第1 5項之有機電致發光元件用材 料，其中前述A或前述Ar可具有苯基或萘基作爲取代基。 17.如申請專利範圍第15項之有機電致發光元件用材 料’其中前述A爲選自無取代之3-丙烯合苐基、5-苯并[c] 乙烷合菲基' 6-苯并[c]乙烷合菲基、10_苯并[g]筷基之基 1 8 ·如申請專利範圍第丨5~丨7項中任—項之有機電致 發光元件用材料，其中前述Ar爲分別獨立選自萘基、丙烯 合莽基、乙烷合菲基、苯并乙烷合菲基、苯并[g]筷基之基 19.如申請專利範圍第18項之有機電致發光元件用材 料’其中前述Ar爲選自2-萘基、3_丙烯合苐基、8-丙烯合 -129- 201107449 莽基、9-乙烷合菲基、5·苯并[c]乙烷合菲基、6-苯并[c]乙 烷合菲基、10-苯并[g]筷基之基。 20.如申請專利範圍第1 9項之有機電致發光元件用 材料，其係前述式（1)之一般式表示之有機電致發光元 件用材料，前述Ar爲2-萘基。 -130
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