TW201042015A - Liquid crystal composition and LCD element - Google Patents

Description

201042015 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明主要關於適於主動矩陣（AM)元件等的一種 液晶組成物及含有其的AM元件等’特別關於一種正介電 異向性的液晶組成物及含有該組成物的扭轉向列（TN )、 光學補償彎曲（optically compensated bend，OCB)、共平 面切換（in-plane switching ’ IPS )或聚合物保持配向 (Polymer sustained alignment，PSA )模式的元件等。 【先前技術】 陣（AM)。 液晶顯示元件依液晶動作模式而分為相變（PC )、扭 轉向列、超扭轉向列（STN)、電控雙折射（ECB)、光學 補償彎曲、共平面切換、垂直配向（VA)、聚合物保持配 向模式等。依元件驅動方式分為被動矩陣（pM)與主動矩 PM分為靜態式（static)與多工式（腦脚丨⑷ 背光的透射型， 以及利用自然光與背光兩者的丰透射刑。

組成物的黏度與元件的響應 等，AM分為_電晶體（TFT )、金屬'絕緣體-金屬（mim ) 等。TFT分為非晶如及多晶㈣。後者依製程而分為高 溫型與低溫型。依光源而分為_自然細反射型、利用 201042015 時間有關。為使元件顯示動晝，響應時間短者為佳。因此 組成物以黏度小者為佳，低温下黏度小者更佳。 表1.組成物與AM元件的一般特性

對紫外線及熱穩定_壽命長 L———_1奇 Ο 〇 1)於液晶胞中注入組成物的時間可縮短 組成物的光學異向性（Δη)與元件的對比度，並 與元件的胞間隙⑷之乘積Unxd)以使對比度^ 的方式設計。適當的乘積值依動作模式的_而定 = 等模式的元件而言，適當值約0.45 μηι。此時， 的元件較佳制絲異向性大馳絲。組成物呈大= 異向性可使元件具減限麵、/Η肖耗電 對 因此’介«向性大者為佳。組祕具大電^可^件 :?:室溫下且於高溫下亦具大電阻4==== 的疋長時間❹後不僅於室溫下狀高溫下料 ^

^組^對紫外線及熱的穩定性與液晶顯示元 A 有關。虽該些穩定性高時，元件的# 可〒 晶投影機、液晶電視等所用的上;=特性對液 方AM元件使用具正介電異向.^':成物。另 一方面，VA模式AM元件使用具負風勿另

Ips模式AM嫩肖㈣貞物 201042015 模式AM元件使用具正或負介電異向性的組成物。具正介 電異向性的液晶組成物之例揭示於以下專利文獻中。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利公開2008-255201號公報 [專利文獻2]國際公開2008-102641號手冊 [專利文獻3]國際公開2007-79949號手冊 [專利文獻4]國際公開2006-38443號手冊 [專利文獻5]日本專利公開2006-89703號公報 [專利文獻6]日本專利公開2004-352992號公報 理，的AM元件有可使用溫度範圍廣、響應時間短、 對比度高、臨限電壓低、電壓保持率大、壽命長等的特性。 是短1毫秒也好的響應時間。因此，組成物的理想 =為向列相上限溫度高、向列相下限溫度低'黏度小、 性大、介電異向性大、電阻率大、對紫外線 性同、熱穩定性高等。 【發明内容】 液晶了個目的為於下述特性中充分滿足至少一者的 度:】:、光总里相上限溫度高、向列相下限溫度低、黏 穩定向，大、電阻率大、紫外線 性間有適當平衡_ r ί。、本舍明另—目的為在至少兩特 組成物的液晶顯示元件。二明明V的為含上述 性、大介雷里 _ x 目的為具大光學異向 /、β、肖紫外線穩枝等的組絲及具短響 201042015 應時間、大電壓保持率、高對比度、長壽命等的AM元件。 一種液晶組成物及含有該組成物的液晶顯示元件，上 述液晶組成物含有作為第一成分的選自式（1)所示化合物 族群的至少一種化合物、作為第二成分的選自式(2)所示化 合物族群的至少一種化合物及作為第三成分的選自式(3) 所示化合物族群的至少一種化合物，且具有向列相，

其中，R1、R2及R3獨立為碳數烷基、碳數烷 氧基、碳數2〜12烯基，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12 稀基；χ1、χ2、χ3、χ4、X5及X6獨立為氫或氟；γΐ及 ❹ Υ2獨立為氟、氯或三氟曱氧基。 [發明之效果] 本發明的優點為於向列相上限溫度高、向列相下限溫

週富平衡的液晶組成物。本發日月另 的液晶顯不元件。 本發明又一面向為具有大光學異向性、 本發明另一面向為含上述组成物 7 201042015 大介電異向性、高紫外線穩定性 應時間、大電壓保持率、高對比度、，及具有短響 【實施方式】 長奇命4的AM元件。 本说月書中術語的使用方法如 晶組成物或液晶顯示元件㈣_為有^本發=液 液晶顯示元件為液晶顯示面板 首且成物」或兀件」。 晶性化合物」是指具向列相、層列 不有液晶相但可用作組成物成相=合物或 1，4_環己基或Μ·伸苯基等 ，八U物，其例如具有 將光學活性化合物或可聚合化合棒狀。有時 物即便為液晶性化合物，此處亦歸類於=力成：。:亥，化合 自式⑴所示化合物族群的至少—種加物。有時將選 H合物⑴」是指式⑴所示的1㈣ 物。其他式所示的化合物亦同 =兩種以上化合 一併表示為化合_，有時將合物㈣與㈣ -併表示為化合物⑹。「=化， 個數亦為任意，但不包括“僅位置為任意且 溫度ί:將=限溫;簡稱「上限溫度」，向列相下限 接近向列相上限溫度時亦具大電阻率， ^夺^吏用後不僅於室溫下且於接近向列相上限溫度時 室、:下lit。電麼保持率大」指元件於初期階段不僅於 :下且於接近向列相上限溫度時亦具大電塵保持率，且 長時間使用後不僅於室溫下且於接近向列相上限溫度時亦 201042015 具大電壓保持率。說明光學異向性等特性時使用以實例所 述測定方法所得的值。第一成分為一種或兩種以上的化合 物。「第一成分的比例」指相對液晶組成物總重量的第—成 分的重量百分比（Wt°/o )。第二成分的比例等亦相同。混入 組成物的添加物的比例是指相對於液晶組成物總重量的重 量百分比（wt%)或重量百萬分比（ppm)。 成分化合物的化學式中符號R1用於多種化合物，其中 任兩種化合物中R1含意可相同或不同。例如，有化合物〇) Ο 的R1為乙基化合物(3)的R1為乙基，亦有化合物（1)的Ri 為乙基(3)的R1為丙基的情況。該規則亦應用於r2、x5等。 本發明為下述項目等。 1.一種液晶組成物，含有作第一成分的選自式(U所示 化合物族群的至少一種化合物、作第二成分的選自式(2) 所示化合物族群的至少一種化合物及作第三成分的選自式 (3)所示化合物族群的至少一種化合物，且具有向列相，

其中，R、R及反3獨立為碳數1〜12烧基、破數1〜12焼* 氧基、碳數2〜12烯基，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12 201042015 烯基；X1、X2、X3、χ4、χ5及χ6獨立為氫或氟；γ1及 Υ2獨立為氟、氣或三氟曱氧基。 2.如第1項所述之液晶組成物，其中第二成分為選 式(2-1)及(2-2)所示化合物族群的至少一種化合物，、

其中，R3為碳數1〜12烷基、碳數1〜12烷氧基、碳數2〜12 烯基，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 3. 如第2項所述之液晶組成物，其中第二成分為選自 式(3-1)所示化合物族群的至少一種化合物。 4. 如第1〜3項中任一項所述液晶組成物，其第三成分 為選自式(3-1)及(3-2)所示化合物族群的至少一種化合物，

F

0—(3-2)

V 其中，R為石反數1〜12烧基、碳數1〜12烧氧基、石炭數2〜12 烯基，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 5. 如第4項所述之液晶組成物，其中第三成分為選自 式(3-1)所示化合物族群的至少一種化合物的混合物。 6. 如第1〜5項中任一項所述之液晶組成物，其中相對 201042015 於液晶組成物的總重量，第—成分的比例為3〜30 wt%，第 一成分的比例為5〜5〇 wt%，第三成分的比例為5〜5〇。 7. 如第1〜6項中任一項所述之液晶組成物，更含有作 為第四成分的選自式所示化合物族群的至少 一種化合物， (4-1)

F R4O~Z1K^Z2^~F (4-2) 〇 其中R為碳數1〜12烷基、碳數1〜12烷氧基、碳數2〜12 烯基或任意氫被氟取代的碳數2〜12烯基；環A1為1,4-環 己基或1,4-伸苯基；Z1及Z2獨立為單鍵、伸乙基或羰氧基。 8. 如第7項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自 式(4-1 -1)〜(4-1 -2)及(4-2-1)〜(4-2-5)所示化合物族群的至少 一種化合物，

(4-1-1) (4-1-2) (4-2-1) (4-2-2) (4-2-3) 11 201042015

(4-2-4) (4-2-5) 其中’ R4為碳數1〜12烧基、碳數1〜12烧氧基、碳數2〜12 烯基，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 9. 如第8項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自 式(4-1-1)所示化合物族群的至少一種化合物。 10. 如第8項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自 式(4-2-1)所示化合物族群的至少一種化合物。 11. 如第8項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自 式(4-2-2)所示化合物族群的至少一種化合物。 12. 如第8項所述之液晶組成物，其中第四成分為選自 式(4-2-3)所示化合物族群的至少一種化合物。 13. 如第7〜12項中任一項所述之液晶組成物，其中相 對於液晶組成物的總重量，第四成分的比例為3〜4〇 wt%。 14. 如第1〜13項中任一項所述液晶組成物，更含有作 弟五成分的選自式(5)所示化合物族群的至少一種化合物，

其中，R5及R6獨立為碳數丨〜12烷基、碳數1〜12烷氧基、 碳數2〜12烯基，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基； 環A2及環A3獨立為1，4_環己基、1，4-伸苯基、2-氟-1,4-伸本基、3-氟-l，4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z3獨立 12 201042015 =、伸乙基或親;.為卜…;“ z為早鍵或伸乙基。 寺’ 15.如第14項所述之液晶組成物，其中第五成分為選 自式(5-1)〜(5-10)所示化合物族群的至少一種化合物，

(5-10) 13 201042015 其中，R5及R6獨立為碳數1〜12烷基、碳數1〜12烷氧基、 碳數2〜12烯基，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 16. 如第15項所述之液晶組成物，其中第五成分為選 自式(5-1)所示化合物族群的至少一種化合物。 17. 如第15項所述之液晶組成物，其中第五成分為選 自式(5-5)所示化合物族群的至少一種化合物。 18. 如第15項所述之液晶組成物，其中第五成分為選 自式(5-7)所示化合物族群的至少一種化合物。

19. 如第15項所述之液晶組成物，其中第五成分為選 自式(5-1)所示化合物族群的至少一種化合物及選自式(5-5) 所示化合物族群的至少一種化合物的混合物。 20. 如第14〜19項任一項所述之液晶組成物，其中相對 於液晶組成物的總重量，第五成分的比例為1 〇〜70 wt°/〇。 21. 如第1〜20項中任一項所述之液晶組成物，更含有 作為第六成分的選自式(6-1)〜(6-3)所示化合物族群的至少 一種化合物， X7

(6-1) (6-2)

(6-3) 14 201042015 =’ R7為碳數卜12絲、碳數丨〜12燒氧基、碳數2〜ΐ2 一7 —儿，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基；環A4、 ^一 :環A6、環A7、環A8及環a9獨立為以環己基、 ，_一氧雜環己烷-2,5-二基、1，4-伸苯基、2_氟_1，4_伸苯基、 ^氟-1/-伸苯基、3,5_二氟苯基或2,5寺定基；z4、 =、z、z8及Z9獨立為單鍵、伸乙基、羰氧基或二氟亞曱 氧基；Z6為單鍵、伸乙基或羰氧基；χ7、χ8、χ11及 Ο 獨立為氫或氟；χ9與χ10同為氫或氟；γ3為氣或三氣 基；Υ4及Υ5獨立為氟、氣或三氟曱氧基。 乳 22.如第21項所述之液晶組成物，其中第六成分為 自式（6小1)〜(6·1·2)、（6-2_1)〜(6·2_8)及（6·3·1)〜(6·3-7)所厂 化合物族群的至少·一種化合物， 〇

(6-1-2) (6-2-1) (6-2-2) 15 201042015

(6-2-3) (6-2-4) (6-2-5) Ο (6-2-6) R7

(6-2-7) R7

(6-2-8)

CJ

F

(6-3-1)

R7 F

(6-3-2) 16 201042015

F (6-3-4)

F (6-3-5) F F R7

(6-3-6) F R7

(6-3-7)

其中，R7為碳數1~12烷基、碳數1〜12烷氧基、碟數2〜i2 烯基，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 23_如第22項所述之液晶組成物，其中第六成分為選 自式(6-1-2)所示化合物族群的至少一種化合物。 、 24. 如第22項所述之液晶組成物，其中第六成分為選 自式(6-2-1)及(6-2-2)所示化合物族群的至少一種化合物。' 25. 如第22項所述之液晶組成物，其中第六成分為選 自式(6-2-4)所示化合物族群的至少一種化合物。 、 17 201042015 26. 如第22項所述之液晶組成物，其中第六成分為選 自式(6-3-7)所示化合物族群的至少一種化合物。 27. 如第22項所述液晶組成物，其第六成分為選自式 (6-2-1)所示化合物族群的至少一種化合物及選自式(6_2_6) 及(6-2-7)所示化合物族群的至少一種化合物的混合物。 28. 如第22項所述液晶組成物，其第六成分為選自式 (6-2-2)所示化合物族群的至少一種化合物及選自式(6-3-1) 及(6-3-7)所示化合物族群的至少一種化合物的混合物。 29. 如第22項所述之液晶組成物，其中第六成分為選 自式（6-3-2)所示化合物族群的至少一種化合物及選自式 (6-3 -7)所示化合物族群的至少一種化合物的混合物。 3Q.如第21〜29項中任一項所述液晶組成物，其中相對 於液晶組成物的總重量，第六成分的比例為3〜50 wt%。 31. 如1〜30項中任一項所述液晶組成物，其向列相上 限溫度為70°C以上，波長589 nm下光學異向性（25°C) 0.065以上’頻率1 kHz時介電異向性（25°C)為2以上。 32. —種液晶顯示元件，含有如第1〜μ項中任一項所 述液晶組成物。 33. 如第32項所述液晶顯示元件，其動作模式為TN、 ECB、OCB、IPS或PSA模式，驅動方式為主動矩陣方式。 本發明亦包括：1)更含光學活性化合物的上述組成 物，2)更§抗氧化劑、紫外線吸收劑肖 合物、聚合㈣齡添加物的上述組成物；^含上^成 物的AM元件’ 4)含上述組成物且具TN、ECB、〇CB、 18 201042015 Λ. IPS或PSA模式的元件；5)含上述組成物的透射型元件； 6)上述組成物用作具向列相組成物的用途；7)對上述組 成物添加光學活性化合物而用作光學活性組成物的用途。 本發明的組成物的說明順序如下：一是組成物中成分 化合物的結構’二是成分化合物的王要特性及其為組成物 帶來的主要效果，三是組成物的成分組合、成分化合物的 較佳比例及其根據，四是成分化合物的較佳形態，五是成 ^ 分化合物的具體例，六是可混入組成物的添加物，七是成 分化合物的合成法，最後是組成物的用途。 第一說明組成物中成分化合物的結構。本發明的組成 物分為組成物A與B。組成物A可更含其他液晶性化合 物、添加物、雜質等。「其他液晶性化合物」是與化合物（1)、 (2)、（3)、（4)、（5)及(6)不同的液晶性化合物，是為進一步 調整特性而混入組成物。就對熱或紫外線的穩定性的觀點 而吕，其他液晶性化合物中氰基化合物以少為佳，比例為 0 wt%更佳。添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外 © 線吸收劑、色素、消泡劑、可聚合化合物、聚合起始劑等。 雜質為成分化合物的合成等步驟中混入的化合物等，其即 便為液晶性化合物，此處亦歸類於雜質。 組成物B實質上僅由選自化合物（1)、（2)、（3)、（ (5)及(6)者構成。「實質上」是指組成物可含添加物及雜 但=含與該些化合物不同的液晶性化合物。與組成物八相 比較，組成物B的成分數較少。就降低成本的觀點而言， 組成物B優於組成物A。就藉由混合其他液晶性化合才:而 19 201042015 可進第步=:_觀點而言，組成物八優於組成㈣。 低。符號L，、s為 $j·化合物的特性 化合物 黏度

(5) S-L S-L S-L S L i Ο A '

J6)_ S〜L S~Nl ~τ~^ 成分化合物混入組成物時，其為組成物特性帶來的主 要致果如下。化合物（1)提高上限溫度。化合物(2)增大介電 異向性。化合物(3)降低下限溫度且增大介電異向性。化合 物(4)減小黏度且增大介電異向性。化合物(5)減小黏度且降 低下限溫度。化合物(6)增大介電異向性且提高上限溫度。 第三說明組成物的成分組合、成分化合物的較佳比例 及其根據。組成物的成分組合為第一成分+第二成分+第 二成分、第一成分+第一成分+弟三成分+第四成分、第 一成分+第二成分+第三成分+第五成分、第一成分+第 二成分+第三成分+第四成分+第五成分、第一成分+第 二成分+第三成分+第六成分、第一成分+第二成分+第 二成分+第四成分+第六成分、第一成分+第二成分+第 二成分+第五成分+第六成分、及第一成分+第二成分+ 第三成分+第四成分+第五成分+第六成分，其中較佳者 20 201042015 為第一成分+第二成分+第三成分+第五成八。 =第：成分的較佳比例，為提高上限;度而為約3 :3° 20，t。黏度而為約3〇 Wt%以下。該比例更佳為 、、勺3〜20 wt/°，特佳為約3〜l〇wt%。 關於第二成分的較佳比例，為增大介電異向性 以上’為提高上限溫度而約5〇Wt%以下。 忒比例更佳為約5〜35 wt%，特佳為約5〜2〇 ^%。

第广成分的較佳比例’為增大介電異向性或減小 / ㈣以上，為增大光學異向性而約50 Wt%以 下。該比例更佳為約5〜35 wt%，特佳為約5〜25誠。 關於第四成分的較佳比例，為增大介電異向性或減小 黏度而約3 wty“XJl，為增大光學異向性而約仙讓以 下。該比例更佳為約5〜3〇 wt%，特佳為約5〜25心。 關於第五成分的較佳比例，為減小黏度或增大光學異 向性而為lG wt%以上’為提高上限溫度㈣7_%以下 該比例更佳為約1〇〜65 wt%，特佳為約2〇〜6〇加％。 關於第六成分的較佳比例，為增大介電異向性而約3 wt%以上’為減小黏度而約5G wt%以下。該比例更佳為約 5〜40 wt%，特佳為約10〜40 wt0/〇。 第四說明成分化合物的較佳形態。R1、R2、R3、R4、 R5、R6及R7獨立為碳數丨〜12烷基、碳數 1〜12烷氧基、 破數2〜12烯基’或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 為提高對紫外線或熱的穩定性等，較佳的Rl、R2、R3、R4 或R為叙數1〜12烷基。關於較佳的R5，為提高對紫外線 21 201042015 或熱的穩定性等而為碳數1〜12燒基，為降低下限溫度或 減小黏度而為碳數2〜12烯基。關於較佳的R6，為提高紫 外線或熱穩疋性等而為碳數1〜12烧基，為降低下限溫度 或減黏度而為碳數2〜12烯基，為增大介電異向性而為 任意氫被氟取代的碳數2〜12烯基或碳數丨〜12烷氧基。 較佳的烧基為曱基、乙基、丙基、丁基、戍基、己基、 庚基或辛基。為減小黏度’更佳的烷基為乙基、丙基、丁 基、戊基或庚基。 >較佳眺氧基為曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、 戊，基、己氧基或庚氧基。為減小黏度，更佳的烧氧基為 曱氣基或乙氧基。 較佳的烯基為乙稀基、！_丙烯基、2_丙稀基、卜丁婦 基^丁縣、3:丁烯基、i•戍稀基、2_戊稀基、3•戍稀基、 、1-己烯基、2-己烯基、3_己烯基、4_己烯基或5_ 己細基。為減小黏度’更佳者為乙稀基、1-丙烯基、3.丁 =或^基。該㈣基中___的較佳立體構型依 ^鍵位置而定。為減小黏度等，1-丙烯基、丁烯基、 =基、i•己稀基、3_戊烯基、3_己烯基等烯基較佳是反 i此松I，、2_戊烯基、2~己烯基等烯基較佳是順式。 '^二烯基中，直鏈烯基優於分支烯基。 任思風被乱取代的烯基的較佳例為2,2_二氣乙稀基、 及-氟_2:丙稀基、4,4.二氟_3_丁烯基、W二氣冰戊稀基 ，6-一氣-5_己細基。為減小黏度，更佳例 烯基及4,4-二氟-3-丁烯基。 22 Ο Ο 201042015 各環Α1獨jy或，j A1為減小黏戶而^ 己基或Μ.伸苯基。較佳的環 i4m 4，4·伸環己基，為增大光學異向性而為 :氣=笨;〜獨立為1，咖 舍m為2式Γ、3_鼠_1，4_伸苯基或2,5_二氟_1，4_伸苯基， A田3為減小^度^兩環A^相同或不同。較佳的環¥或 I 4 :為丨，4-^己基，為增大光學異向性而為 己A〜、"“獨卿環 伸^ ^氣雜環己统办二基、…伸苯基、2_氟-1，4- 基。&佳二!^伸t基]3,5-二氟]，4_伸苯基或2,5_σ密唆 1 4-产ρ其' 〜、、A、A6、A?、Α8或Α9為減小黏度而為 ，衣1 土2,為5增大光學異向性而為丨，4-伸笨基。 、Z&Z6獨立為單鍵、伸乙基或絲基，為減

Li i佳為單鍵。z3為單鍵、伸乙基或羰氧基，當m ί ίτ η/單鍵或伸乙基。另當m為2或3時，任兩 7可相同或不同。為減小黏度，較佳# Z3為單鍵。Z4、 獨立^鍵、伸乙基、魏基或二氟亞甲氧基。 乂 、 、z、z或Z9為減小黏度而為單鍵，為增大介 電異向性而為二氟亞甲氧基。 X1、X2、X3、χ4、χ5、Χ6、χ7、χ8、χ11 及 χ12獨立 為虱或氟。X9及Χι〇同為氫或氟。為增大 佳的X1〜X12為氟。 & Υ Υ Υ及Υ獨立為氟、氣或三氟甲氧基。為降 低下限溫度而較料氟。Υ3為氟或三氟f氧基。為降低下 限溫度，較佳的Y3為氟。 23 201042015 m為卜2或3。關於較佳的m，為提高上限溫度 3 ’為減小黏度而為1。 第五不出成分化合物的具體例。下述較佳化合物中R8 為具碳數1〜12直鏈的烷基，R9為具碳數1〜12直鏈的烷基 或，數2〜Π烯基，Ri〇為碳數卜12烧基、碳數2〜12稀基、 任意氫被氟取代的碳數2〜12烯基或碳數丨〜12烷氧基。為 提面上限溫度’ 1，4·環己基的立體構型是反式優於順式。 〇 杈佳的化合物（1)為（丨-1)。較佳的化合物(2)為(2-1-1) 及(2 2 1)更佳的為(2-1-1)。較佳的化合物(3)為(3_ι_ι)及 (3-2-1)，更佳的為（3_1_丨）。較佳的化合物（4_1)〜(4_2)為 (4_M-1)〜⑷2-5-1)，更佳的為（4-1-M)及（4_2小1)〜 (4_2_5_1)，特佳的為(4-1-1-1)、（4-2-1-1)及(4-2-2-1)。較佳 的化合物(5)為(5小1)〜(^04)，更佳的為0 M)、（5 31)、 (5_5_1)、d1)及(5]〇-1) ’ 特佳的為（5-1-1)、（5-5-1)及 ϋ (5 7 1)較佳的化合物(6_ι)〜(6_3)為〜(6_3_7_1)，更 佳的為(6-1-2-1)〜(6-2-3-1)、（6-2-6-1)、（6-2-7-1)、（6-3-1-1) 及（6-3-3-1)〜(6-3-7-1)，特佳的為（6-2-1-1)、（6_2_2_1)、 (6-3-1-1) 、 （6-3-3-1)及(6-3-7-1)。

(1-1) (2-2-1) 24 201042015

(3-1-1) (3-2-1) (4-1-1-1) (4-1-2-1) (4-2-1-1) (4-2-2-1) (4-2-3-1) (4-2-4-1) (4-2-5-1) (5-1-1) (5-2-1) (5-3-1) (5-4-1) (5-5-1) 25 201042015

(5-6-1) (5-7-1) (5-8-1) (5-9-1) (5-10-1) (6-1-1-1) (6-1-2-1) (6-2-1-1) (6-2-2-1) (6-2-3-1) (6-2-4-1) (6-2-5-1)

26 201042015

(6-2-6-1) (6-2-7-1) (6-2-8-1) (6-3-1-1) (6-3-2-1) (6-3-3-1) (6-3-4-1) (6-3-5-1) (6-3-6-1) (6-3-7-1) 第六說明可混入組成物的添加物。此種添加物為光學 27 201042015 γ生化δ物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、 可來合化合物、聚合起始劑等。為誘發液晶的螺旋結構而 形成扭轉角’將光學活性化合物混入組成物 。此種化合物 之例為化合物(7-1)〜(7_4)。光學活性化合物的較佳比例為$ Wt%以下’更佳比例為約0.0卜2wt%。

¢(0¾ 為防止因大氣中加熱導致的電阻率下降，或為了於長 夺間使用元件後不僅於室溫下且於接近向列相上限溫度時 亦維持大電壓保持率，而將抗氧化劑混入組成物。 抗氧化劑的較佳例為η是1〜9整數的化合物(8)等，較 佳是11為卜3、5、7或9者，更佳是^ !或7者。^ 1的化合物(8)揮發性大，故可有效防止因大氣中加熱導致 28 201042015 的電阻率下降。η為7的化合物(8)揮發性小，故可有效使 元件在長時間使用後不僅於室溫下且於接近向列相上限溫 度時亦維持大電壓保持率。關於抗氧化劑的較佳比例，為 f上述效果而約50 ppm以上，為不降低上限溫度或不提 高下限溫度而約60(^?111以下，更佳約1〇〇〜3〇〇卯111。 紫外線吸收劑的較佳例為二苯曱酮衍生物、苯曱酸酯 衍生物、三唑衍生物等。具立體阻障的胺等光穩定劑亦較 佳。關於吸收劑或穩定劑的較佳比例，為得上述效果而約 50 ppm以上，為不降低上限溫度或不提高下限溫度而為約 ⑺咖卩脾以下’更佳為約觸〜觸㈧卩脾。 Ο

為^於賓主（GH)模式的元件而將偶氮系色素、蒽醌 ”色素等一色性色素混入組成物，其較佳比例約〇力1〜川 二％。為_泡而將二曱基料、甲絲基料等消泡劑 f入組成物’其較佳比例為得上述效果而約1 ppm以上， 為防止顯科良而約1 _ PPm以下，更仙i〜谓ppm。 為適於聚合物婦配向模式元件而將可聚合化合物混 =成物’其較佳例為丙烯酸g|、甲基丙婦酸自旨、乙稀基 7、jl物Γ乙烯氧基化合物、丙職_、環氧化合物（環氧 二氣雜環丁燒）、乙烯基_等具可聚合基的化合物。特 =丙烯酸s旨或曱基丙騎g旨的衍生物。可聚合化合物 比例為得上述效果_⑽Wt%以上，為防顯示不 下’更佳約αι〜2_。可聚合化合物較 合。^ 口起始鮮適當起始劑存在下藉UV照射等而聚 ♦ σ的適當條件、起始劑的適當類型及量為本業所知 29 201042015 且記載於文獻。例如作為光聚合起始劑的lrgacure 651™、

Irgacure 184™ 或 Darocure 1173™ ( Ciba Japan 公司製）對 自由基聚合較適當。可聚合化合物較佳含有約O.id wt% 的光聚合起始劑，特佳含有約1〜3 wt%的光聚合起始劑。 第七說明成分化合物的合成法。該些化合物可藉已知 方法合成，例如，化合物（1-1)用曰本專利公開昭58_14〇〇45 號所述方法合成。化合物(2-1 -1 )、(2-2-1 )、(6-3 -4-1 )、（6-3 -5-1) 及(6-3-7-1)用曰本專利公開平1〇_251186號所述方法合 成。化合物(3-1-1)、（3-2-1)及(6-1-2-1)用日本專利公開平 10-204016號所述方法合成。抗氧化劑於市場上有售。式(8) 的η為1的化合物可自Sigma-Aldrich公司購入。n為7的 化合物(8)等藉美國專利3660505號說明書所述方法合成。 未記載合成法的化合物可藉〇rganic Syntheses (J〇hn Wiley & Sons, Inc) ^ Organic Reactions ( John Wiley & Sons, Inc )' Comprehensive Organic Synthesis ( Pergamon Press ) ' ，實驗化學講座（丸善）##中記載的方法合成。組成物 是由如此獲得的化合物藉周知方法來製備。例如，將成分 化合物混合，再加熱互溶的方法。 。最後說明組成物的料。本發明的組成物主要具有約 10 C以下的下限溫度、約7〇〇c以上的上限溫度及約 〇’〇7 0.2〇的光學異向性。含該組成物的元件有大電麼保持 率，、、且成物適於AM元件，特別適於透射型AM元件。 亦Γ藉由控制成分化合物的比例或混合其他液晶性化合物 而‘備光學異向性約0 08〜025的組成物，進而製備光學 30 201042015 異向性約（U〇〜G3G驗成物。該組成物可用作具向列相 組成物，且可添加光學活性化合物而用作光學活性組成物。

該組成物可用於AM元件，亦可用於PM元件。該组 成物可用於 PC、TN、STN、ECB、〇CB、lps、从、psA f模式的AM元件及PM元件，特佳用於TN、〇CB或Ips 模式的AM元件。該些元件可為反射型、透射型或半透射 型，較佳是透射型元件，亦可用於非晶矽_TFT元件或多晶 〇 矽-TFT元件’且亦可用於將組成物製成微膠囊而製作的= 列曲線，列相（NCAP)型的元件，或於組成物中形成三 維網狀高分子的聚合物分散（PD)型的元件。 實例 為。甲彳貝組成物及其所含化合物，而將組成物及其化合 物作為測定目標物。測定目標物為組成物時，直接以之為 試樣來測定，並記載所得值。測定目標物為化合物時，即 將其（15 Wt%)混入母液晶（85 wt%)而製備測定用試樣， 並用外插法由測定值算出化合物的特性值：（外插值）= {(測定用試樣的測定值）一0.85χ (母液晶的測定值）} /0·15。當於該比例下層列相（或結晶）於25。〇析出時， 將化合物與母液晶的比例依序變為1〇 wt% : 9〇 wt% ' 5 wt% : 95 wt%、1 wt% : 99 wt%。藉由外插法求出化合物 的上限溫度、光學異向性、黏度及介電異向性的值。 母液晶的成分如下。各成分的比例為WtO/p

31 201042015

特性值的測定依下述方法，

測定裝置的加熱板上放置試樣，以l〇C/min 於具偏光顯微鏡的熔點 ‘ l°C/min迷率加熱，並 測定試樣的-部分由向列相變鱗向性液體時的溫声、。右 時將向列相上限溫度簡稱為「上限溫度」。 酿又 將具向列相的試樣放入 -30°C及-4〇。(：的冰箱中 向列相下限溫度（Tc，°c ): 玻璃瓶，於 〇°C、-1〇。(：、-20〇C、 保存ίο天後，觀察液晶相。例如，當試樣於_2〇。€下保持 向列相但於-30°C下變為結晶或層列相時，即將Tc記錄為 S20°C。有時將向列相下限溫度簡稱為「下限溫度」。 黏度（4_體黏度，^，20。〇下測定，mPa.s):測定使 用E型旋轉黏度計。 黏度（旋轉黏度’ W，25°C下測定，mPa.s):測定依 Μ·\脱i 專 k於 Molecular Crystals and Liquid Crystals，Vo\. 259, 37 (1995)所述方法。於扭轉角〇。且兩玻璃基板間隔（胞 間隙）5/mi的TN元件放入試樣，於16〜19·5 V範圍内以 〇·5 V段差階段性施加電壓。不施加〇 2秒後，以重複僅1 矩形波（矩形脈衝0.2秒）與不施加2秒的方式施加，測 定因此產生的暫態電流之峰值電流及峰值時間，由其及 M. lmai等論文40頁的算式⑻得旋轉黏度值。計算所需的 介電異向性值是用測定旋轉黏度的元件以下述方法求出。 32 201042015 光學異向性（折射率異向性，△«，25°C下測定）：是 長589 nm的光，以目鏡上裝有偏光板的阿貝（雜） 夫。進行。對主稜鏡表面朝一方向摩擦後，將試樣滴至 〜文鏡上。折射率~是於偏光方向與摩擦方向平行時測 二折射率"丄是於偏光方向與摩擦方向垂直時測定， 一向性的值是以算式广/2丄算出。

(胞^9 C下測定）：於兩玻璃基板間隔 、_㈣度的TN元件放人試樣。對元 弦波（1G V、1 kHz)，2秒後败液晶分子的長 / /丨電—數ε//。又對兀件施加正弦波（0.5 V、1 kHz)， 秒後測定液晶分子的短軸方向介電 的值是以算式„算出。 ”1、向丨生 2電壓（懸，25。0下測定，¥):測定使用 子公司製LCD510㈣亮度計，光源為 = t乙ΤΙ ί入試樣。施於該元件的電壓⑶HZ，矩形 波二自G V起以〇.〇2 ν之段差階段性増至1() ν。此時對 光，測定透過元件的光量。製作該光量 f鱗透光率腦、最小時透光率〇%的電壓_透 線。臨限電壓為透光率達到90%時的電壓。 取硫電壓保持率（VHR_1，25°C，％):測定用TN元件有 二醯亞胺配向膜，兩玻璃基板間隔（胞間隙）⑽。轉 放入試樣後㈣外線硬化_接_封，並施加脈衝電壓 (5 V、60微秒）而充電。用高速賴計於16 7毫秒期間 33 201042015 :==單位週㈣壓曲線與橫軸間的面積 A。祕保料為面積人相對未衰減時的面積B的百分比: ，電麼保持率（VHR_2，8〇〇C，％):測定用TN元件有 賴亞胺配向膜’兩玻璃基板間隔（胞間隙）5样。复於 放入試樣後讀外線硬化_接軸封，並施加脈 (5V、6G微秒）而充電。㈣速電壓計於μ毫秒= 測定衣減電壓’求出單位週_電壓轉與飾間的面積 A。電壓保持率為面積A相對未衰減時的面積B的百分比: 電壓保持率（概_3’2代’％):照紫外線後測定電 壓保持率，以評價紫外線穩定性。VHR-3大的組成物對紫 外線穩定性高。測定用TN it件有聚隨亞胺配向膜，胞門 隙5 。試樣注入元件後照光2〇分鐘，光源為超高壓^ 銀燈USH-500D ( Ushio電機製），元件與光源的間距為2〇 cm。測定VHR-3時是於16.7毫秒期間測定衰減的電壓。 VHR-3較佳是90%以上，更佳95%以上。 電壓保持率（VHR-4 ’ 25〇C，％):將注入試樣的ΤΝ 元件於80°C恆溫槽内加熱500小時後，測定電壓保持率， 以評價熱穩定性。VHR-4大的組成物的熱穩定性高。'測定 VHR-4時是於16.7毫秒期間測定衰減的電壓。 “疋 響應時間（τ，25°C下測定’ ms):測定使用大塚電子 公司製LCD5100型亮度計，光源為鹵素燈。低通濾波哭設 於5 kHz。於兩玻璃基板間隔（胞間隙）5.〇 杻轉角8〇 度的常白模式TN元件中放入試樣，並施加矩形波（6〇Hz、 5 V、0.5秒）。此時對元件自垂直方向照光，測定透過元件 34 201042015

，並對容器施加直流電壓10 ν，測定1〇 電阻率是以此算式算出：（電阻率^^{(電 〇壓）=器的電容）}/{(直流電流）χ(真空的介電常數）}。 乳相層析分析：測定使用島津製作所製GC-14B氣相 層析儀’載氣為氦氣（2mL/min)，試樣氣化室設於·%， (火焰離子）_器設於·。c。分離成分化合物使用 AgllentTechn〇l〇giesInc•製毛細管柱 DB1 (長 3〇m、内徑 0.32 mm、膜厚〇·25 μιη，固定液相為二甲基聚石夕氧烧，無 極，），其於200〇C下保持2分後，以5〇c/min升至28〇〇c、。' 將試樣配成0.1 wt%丙酮溶液後，將注入試樣氣化室。 記錄器為島津製作所製C-R5A型Chr〇mat0pac或同等品。 〇 所得層析圖中示出對應成分化合物的滯留時間及峰面積。 稀釋試樣的溶劑可用氯仿、己烷等。成分化合物亦可 用以下毛細管柱分離：Agilent Technologies Inc.製HP-1 (長 30 m、内徑 〇,32 mm、膜厚 0.25 pm)、Restek 公司製的 Rtx-1 (長 30 m、内從 0.32 mm、膜厚 0.25 μιη)、SGE International Pty. Ltd 製 BP-1 (長 3〇 m、内徑 〇 32 mm、膜厚 0.25 μιη)。 為防止化合物峰的重疊’亦可使用島津製作所製毛細管柱 CBP1-M50-025 (長 50 m、内徑 0.25 mm、膜厚 0.25 μιη)。 35 201042015 組成物所含液晶性化合物的比例可用以下方法算出。 液晶性化合物可用氣相層析圖來檢測，其中峰的面積比相 當於液晶性化合物的比例（莫耳數）。使用上述毛細管柱 時，可將各液晶性化合物的修正係數視為丨。因此，液晶 性化合物的比例（wt%)可由峰的面積比例算出。 的 以下藉實例詳細說明本發明，但本發明不受其限制。 比較例及實例的化合物是依下表3定義以符號表示。 表3中，1,4-環己基的立體構型為反式。實例中符號 後括弧内的編號對應化合物的編號。㈠表示其他液晶性化 合物。液晶性化合物的比例（百分比）是相對於液^組成 物總重量的重量百分比（wt%)，且液晶組成物 : 最後列出組成物的特性值。 ’、 表3使用符號的化合物表述法 1) 左末端基R-CnH2n+r CnH2n+l〇-CmH2m+1 〇CnH2n' ch2:ch- CnH2n+]-CH=CH- CH2=CH-CnH2n- CmH2m+1-CH=CH-CnH2n- CH2=CH-C2H4-CH=CH-C2H4- cf2=ch- CF2=CH-(CH2)2- 2) 右末端基-R’ ~~~~~ -CnH2n+l -OCnH2n+l -F -Cl -OCF3 -OCF2CFHCF3 -ch=ch2 -CH=CH-CnH2n+1 R-CAQ-Z,-......-Zn-(AnVR' 記號 n-

H nO- mOn- V-

nV- Vn- mVn- V2V2- VFF- VFF2-_記號_ -n -On -F -CL -OCF3 -OCF2CFHCF3 -V -Vn

B B(F) B(2F) 36 201042015 Ο -CnH2n-CH=CH2 -nV -ch=cf2 -VFF 3)結合基-Zn- 記號 -c2h4- 2 -coo- E -CH=CH- V -C=C- T -cf2o- X /=Ν 人t B(2F,5F)

Py G 5)表述例 例 1 3-BB(F)B(F，F)XB(F,F)-F 例 2 3-HH-V C3H7_〇~0~C^~CF2〇—C^F F F 例 3 3-PyBB-F 例 4 3-BB(F,F)XB(F)-OCF3 _^〇^0^cf2o-^-ocf3 ~F 〔比較例1〕 自曰本專利公開2008-255201號揭示的組成物中選實 例6，根據在其含有化合物(2-1-1)、（2-2-1)及(3-1-1)，且 TNI最高。該組成物的成分及特性如下： 2-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 2% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 6% 3-BB(F,F)XB(F)-OCF3 (2-2-1) 8% 3-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 5% 3-HH-Ol (5-1-1) 5% 3-HH-V (5-1-1) 30% 3-HH-VFF (5-1-1) 5% V-HHB-1 (5-5-1) 10% 3-HHB-l (5-5-1) 4% 3-HHB-Ol (5-5-1) 3% 3-HBB-l (5-6-1) 4% Ο 37 201042015 _ - — - - A--- 1V2-B(F)BB-1 (5) 4% lV2-B(F)BB-3 (5) 4% 3- HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 5% 4- HBBH-101 (-) 5% NI=85.7°C ' Tc<-20°C ' Δη=0.101 > Δε=4.2 ' Vth=2.04 V、VHR-1=99.0%、VHR-2=98.2%、VHR-3=98.1%。 〔比較例2〕 自國際公開2008-102641號揭示的組成物中選擇實例 9，根據在其含有化合物（1-1)、（3-2-1)及(3)，且TNI最高。 該組成物的成分及特性如下： 3-HHEBH-3 (1-1) 3% 3-HHXB(F)-OCF3 (3-2-1) 3% 3-HHXB(F)-F (3) 3% 1V2-BB-CL (4-1-2) 3% 3-HH-Y (5-1-1) 45% 3-HH-V1 (5-1-1) 8% V2-B(F)BB-1 (5) 7% V2-B(F)BB-2 (5) 4% V2-B(F)BB-3 (5) 7% 3- BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (6-3-7-1) 3% 4- BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (6-3-7-1) 6% 5- BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (6-3-7-1) 5% 1V2-BB-F (-) 3% NI=81.3°C、Tc<-20oC、Δη=0.122、Αε=2.8、Vth=2.45 38 201042015 V、VHR-1=99.1%、VHR-2=98.1%、VHR-3=98.1 %。 〔比較例3〕 自國際公開2007-79949號揭示的組成物中選擇實例 M4，根據在其含有化合物(i-丨)及(^-^且Tni最高。製備 該組成物並以上述方法測定。該組成物的成分及特性如下：

3-HHEBH-3 (l-l) 4% 2-BB(F，F)XB(F，F)-F (2-1-1) 5% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 4% 1-HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 8% 2-HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 10% 3-HHB(F,F)-F (6-2-1~1) 10% 5-HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 5% 3-HHB-CF3 (-) 3% 5-HHB-CF3 (-) 6% 3-HHB(F)-OCF3 (-) 12% 5-HHB(F)-OCF3 (-) 12% 2-HHEB(F)-OCF3 (-) 12% 3-HH10H-3 (-) 3% 4-HH10H-3 (-) 4% 3-HH10H-5 (-) 2% NI=86.6°C、Αη=0·070、Αε=8.9。 〔比較例4〕 自國際公開2006-38443號揭示的組成物中選擇實例 15，根據在其含有化合物(1-1)及(2-1-1)且ΤΝι最高。製備 39 201042015 該組成物並以上述方法測定。該組成物的成分及特性如下: 3-HHEBH-3 (1-1) 2% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 10% 3-HB-CL (4-1-1-1) 13% 3-HH-V (5-1-1) 20% 3-HHB-1 (5-5-1) 3% 2-BB(F)B-5 (5-7-1) 6% 3-BB(F)B-4 (5-7-1) 6% 3-BB(F)B-5 (5-7-1) 7% 5-HBB(F)B-2 (5-10-1) 3% 5-HBB(F)B-3 (5-10-1) 2% 3-HHEB(F,F)-F (6-2-5-1) 2% 2-HBB-F (6-2-7-1) 6% 3-HBB-F (6-2-7-1) 6% 5-HBB-F (6-2-7-1) 6% 3-HB(F)B(F,F)-F (6-2) 4% 3-HH2B(F,F)-F (6-2) 2% 3-H2GB(F,F)-F (6-2) 2% NI=85.50C、Tc<-30oC、Δη=0·132、Αε=4·1、Vth=2.19 V、η=17.2 mPa s、VHR-1=99.7%、VHR-2=92.2%。 〔比較例5〕 自曰本專利公開2004-352992號揭示的組成物中選實 例M2，根據在其含有化合物(3-1-1)。製備該組成物並以上 述方法測定。該組成物的成分及特性如下： 40 201042015

2-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 11% 3-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 12% 5-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 8% 3-HHBH-3 (5) 2% 1-HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 5% 2-HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 8% 3-HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 8% 5-HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 5% 5-HHB-CF3 (-) 6% 5-HHB(F)-OCF3 (-) 10% 3-HH10H-3 (-) 2% 4-HH10H-3 (-) 3% 3-GHXB(F,F)-F (-) 20% NI=85.0oC、Δη=0.06卜 Δε=12·2。 〔實例1〕 3-ΗΗΕΒΗ-3 (1-1) 3% 3-ΗΗΕΒΗ-4 (i-i) 3% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 6% 3-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 9% 2-HHB(F)-F (4-2-1-1) 8% 3-HH-V (5-1-1) 16% V2-BB-1 (5-3-1) 4% 2-BB(F)B-3 (5-7-1) 10% 5-HBB(F)B-2 (5-10-1) 5% 41 201042015

5-HBB(F)B-3 (5-10-1) 5% 5-HEB(F,F)-F (6-1-1-1) 12% 3-HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 10% 3-HBB(F,F)-F (6-2-2-1) 9% NI=92.3°C'Tc<-30°C 'Δη=0.112 、Αε二5.3、Vth=1.83 V :13.6 mPa.s、VHR-1=98.7%、VHR-2=98.3%。 實例2〕 3-HHEBH-3 (1-1) 3% 3-BB(F,F)XB(F，F)-F (2-1-1) 14% 3-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 15% 3-HB-CL (4-1-1-1) 10% 3-HH-V1 (5-1-1) 8% 5-HH-V (5-1-1) 13% V-HHB-1 (5-5-1) 9% 1-BB(F)B-2V (5-7-1) 5% 2-BB(F)B-2V (5-7-1) 5% 3-HHB-CL (6-2-6-1) 6% 5-HHB-CL (6-2-6-1) 6% 2-HBB-F (6-2-7-1) 3% 3-HBB-F (6-2-7-1) 3% NI=93.6°C'Tc<-30°C 、An=0.113 'Δε=5.1ΎΛ=1.87 V η=15.7 mPa.s、VHR-1=98.7%、VHR-2=98.3% 、 VHR-3=98.0%。 〔實例3〕 42 201042015

3-HHEBH-3 (1-1) 3% 3-HHEBH-5 (1-1) 3% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 11% 3-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 23% 5-HB-CL (4-1-1-1) 5% 3-HH-4 (5-1-1) 6% 3-HH-V (5-1-1) 14% 2-BB(F)B-3 (5-7-1) 9% 2-BB(F)B-5 (5-7-1) 9% 2-HHB(F,F)-F (6-2-1-1) 9% 2-HHBB(F,F)-F (6-3-1-1) 4% 3-HHBB(F,F)-F (6-3-1-1) 4% NI=99.40C、TcS-30oC、Δη=0.115、Δε=7.6、Vth=l.78 V、

η=15.1 mPa.s、VHR-卜98.7%、VHR-2: 〔實例4〕 =98.3%。 3-HHEBH-3 (1-1) 5% 3-HHEBH-4 (1-1) 5% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 9% 3-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 11% 5-HB-CL (4-1-1-1) 5% 3-HHB(F)-F (4-2-1-1) 6% 2-HBB(F)-F (4-2-2-1) 4% 3-HH-V1 (5-1-1) 7% 5-HH-V (5-1-1) 16% 43 201042015 V2-BB-1 (5-3-1) 4% 3-HBB-2 (5-6-1) 3% 2-BB(F)B-3 (5-7-1) 7% 2-BB(F)B-5 (5-7-1) 6% 5-HBB(F,F)-F (6-2-2-1) 7% 3-HHB-CL (6-2-6-1) 5% NI-102.8°C > Tc<-40°C ' Δη=0.114 ' Δε=4.2 > Vth=2.18 、η=16.0 mPa s、VHR-1=98.7%、 實例5〕 VHR-2=98.3〇/〇。 3-HHEBH-3 (l-l) 4% 3-HHEBH-4 (1-1) 3% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 10% 3-BBXB(F,F)-F (2) 4% 3-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 10% 5-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 3% 2-H2HB(F)-F (4-2-3-1) 7% 3-HH-V (5-1-1) 23% 3-HB-02 (5-2-1) 7% 3-HHB-l (5-5-1) 3% 3-HHB-Ol (5-5-1) 3% 5-HBB-2 (5-6-1) 4% 2-BB(F)B-3 (5-7-1) 9% 2-BB(F)B-5 (5-7-1) 6% 5-HBB(F)B-2 (5-10-1) 4% 44 201042015 NI=101.8°C ' Tc<-30°C > Δη=0.114 ' Δε=4.0 ' Vth=2.20 V、η=13·0 mPa-s。 〔實例6〕

3-HHEBH-3 (1-1) 4% 3-HHEBH-4 (1-1) 3% 3-BB(F,F)XB(F)-OCF3 (2-2-1) 5% 3-HHXB(F)-OCF3 (3-2-1) 5% 3-HB-CL (4-1-1-1) 15% 3-HHB(F)-F (4-2-1-1) 10% 3-HH-Ol (5-1-1) 4% 3-HH-V (5-1-1) 16% 3-HH-VFF (5-1-1) 8% 3-BB(F)B-2V (5-7-1) 8% 3-PyBB-F (6-2-8-1) 4% 4-PyBB-F (6-2-8-1) 4% 5-PyBB-F (6-2-8-1) 4% 3-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (6-3-7-1) 3% 4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F (6-3-7-1) 7% NI=92.5°C ' Tc<-30°C ' Δη=0.120 ' Δε-5.7 ' Vth-1.89 V、η=14·1 mPa s。 〔實例7〕 3-HHEBH-3 (1-1) 3% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 15% 3-HHXB(F)-F (3) 5% 45 201042015 2-HHB(F)-F (4-2-1-1) 6% 1V2-BB-CL (4-1-2) 5% 3-HH-V (5-1-1) 22% 4-HH-V (5-1-1) 6% 3-HHEH-5 (5-4-1) 3% 2-BB(F)B-3 (5-7-1) 8% 2-BB(F)B-2V (5-7-1) 5% 5-HBBH-3 (5-8-1) 3% 5-HBB(F)B-2 (5-10-1) 5% 5-HXB(F,F)-F (6-1-2-1) 5% 3-HHEB(F,F)-F (6-2-5-1) 5% 3-HBBH-lOl ㈠ 4% NI=96.5°C'Tc<-30°C 、Αη=0·115 ;、As=4.3、Vth=2.07 V、 15.4 mPa s 0 實例8〕 3-HHEBH-3 (1-1) 4% 3-HHEBH-4 (1-1) 4% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F (2-1-1) 9% 3-HHXB(F,F)-F (3-1-1) 13% 5-HB-CL (4-1-1-1) 5% 3-HHB(F)-F (4-2-1-1) 6% 2-HBB(F)-F (4-2-2-1) 4% 4-HH-V1 (5-1-1) 7% 5-HH-V (5-1-1) 16% 46 201042015 1V2-BB-1 (5-3-1) 4% 3-HBB-2 (5-6-1) 3% 2-BB(F)B-3 (5-7-1) 7% 2-BB(F)B-5 (5-7-1) 6% 5-HBB(F,F)-F (6-2-2-1) 7% 3-HHB-CL (6-2-6-1) 5% NI=100.3°C' Tc<-40°C ' Δη=0.115 ' Δε=4.4 ' Vth-2.12 V、η=16.0 mPa-s。 實例1〜8的組成物與比較例1〜5的組成物相比，具有 較高的向列相上限溫度、較小的黏度。因此，本發明的液 晶組成物具有較專利文獻1〜6所揭示者更優良的特性。 【圖式簡單說明】 【主要元件符號說明】 無

47

Claims (1)

1. 201042015 七、申請專利範圍： 不 1-種液晶組成物，含有作第—成分的選 化合物族群的至少—種化合物、作第二成 J )斤· 所示化合物族群的至少-種化合物及作第三成分 ^選= ⑶所示化合減群的至少—種化合物，且具杨列相式 — 一

   ? (1)

   R3 (2)

   (3) 其中，R1、R2及R3獨立為碳數卜；^烷基、碳數卜以烷 氧基、碳數2〜12的稀基，或任意的氩被氟取代的碳數^ 烯基；X1、X2、χ3、χ4、χ5及χ6獨立為氣或氣；γ Υ2獨立為氟、氯或三氟曱氧基。

   —2.如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中該 第二成分為選自式(2-1)及(2-2)所示化合物族群的至少」 種化合物，

   48 201042015 其中，R3為碳數1〜12烷基、碳數1〜12烷氧基、碳數2〜12 烯基’或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 3.如申睛專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中兮 第三成分為選自式(3_1}及(3_2)所示化合物族群^小二 種化合物，

   (3-1) Ο G (3-2) 其中，R3為碳數卜；^烷基、碳數烷氧基、碳數2〜12 烯基’或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 4·如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中相 對於该液晶組成物的總重量，該第一成分的比例為3〜3〇 Wt%，該第二成分的比例為5〜5〇 wt%，且該第三成分的比 例為5〜50 wt%。 5.如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，更含有 作第四成分的選自式(4_ι)及(4_2)所示化合物族群的至少 種化合物

   (4-1) (4-2) 其中，R4為碳數1〜12烷基、碳數1〜12烷氧基、碳數2〜] 烯基或任意氫被氟取代的碳數2〜12烯基；環A1為1，4_3 49 201042015 己土或1，4-伸苯基；Ζι& Z2獨立為單鍵、伸乙基或幾氧基。 、6.如申4專利範圍第5項所述之液晶組成物，其中第 =成分為選自式(4·1_1)〜㈣·2)及式(4·2_1Η4_2_5)所示化 δ物族群的至少一種化合物， R4

   R4

   (4-1-2) R4

   R4

   (4-2-1) (4-2-2)

   R4

   R4

   R4

   (4-2-3) (4-2-4) (4-2-5)

   其中，R4為碳數1〜12烷基、碳數丨〜12烷氧基、碳數2〜12 稀基’或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 7.如申請專利範圍第5項所述之液晶組成物，其中相 對於液晶組成物的總重量，第四成分的比例為3〜40 wt%。 8·如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，更含作 第五成分的選自式(5)所示化合物族群的至少一種化合物，

   (5) 50 201042015 其中’ R5及R6獨立為碳數烷基、碳數1〜12烷氧基、 碳數2〜12稀基’或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基； 環A2及環a3獨立為Μ·環己基、丨,4_伸苯基、2_氣—a 伸^基、3-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基；z3獨立 ^單鍵、伸乙基或羰氧基；m為卜2或3 ;當m為3時， z3為單鍵或伸乙基。

   9·如申請專利範圍第8項所述之液晶組成物，1中嗲 第五成分為選自式(5-1)〜(5-10)所示化合物族 ^二 種化合物， ^

   51 201042015 其中，R5及R6獨立為碳數烷基、碳數丨〜12烷氧基、 石反數2〜12烯基，或任意的氫被氟取代的礙數2〜ι2烯基。 10. 如申請專利範圍第8項所述之液晶組成物，其中相 對於液晶組成物的總重量，第五成分的比例為1〇〜7〇 wt%。 11. 如申請專利範圍第丨項所述之液晶組成物，更含有 作為苐/、成分的選自式(6_1)〜(6-3)所示化合物族群的至少 一種化合物， X7 R?-(^y~z4

   Y3 R7-^y~z5-^y~ze

   (6-1) (6-2)

   (6-3) ^中R7為碳數1〜12烷基、碳數1〜12烷氧基、碳數2〜12 埽$基，或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基；環a4、環 ^、環八吹環^〜環…及環…獨立為丨^環己基、^ ^氧雜環己烧-2,5-二基、1,4_伸苯基、2_氟_1，4_伸苯基、’3_ 氟-1，4-伸苯基、3,5_二氟_〗,4_伸苯基或 以及“立為單鍵、伸乙基，氧基或二氟亞甲丄 2為單鍵、伸乙基或幾氧基；^、又8、妒及乂12獨立為 氫或氟，·Χ9與妙同為氫或氟；γ3為氣或三氣甲氧基；γ4 及Υ獨立為氟、氯或三氟甲氧基。 以如申請專利範圍第u項所述之液晶組成物，其中 52 201042015 該第六成分為選自式(6-1-1)〜(6-1-2)、式(6-2-1)〜(6-2-8)及 式(6-3-1)〜(6-3-7)所示化合物族群的至少一種化合物，

   R7

   (6-1-1) (6-1-2) (6-2-1) (6-2-2) (6-2-3) (6-2-4) (6-2-5) (6-2-6) (6-2-7) (6-2-8) 53 201042015 R7

   (6-3-1)

   F (6-3-2) (6-3-3)

   (6-3-4) (6-3-5) (6-3-6) (6-3-7) 其中’ R7為碳數1〜12烷基、破數1〜12烧氧基、碳數2〜12 烯基’或任意的氫被氟取代的碳數2〜12烯基。 如甲請專利範圍第 w丨〜〜日日姐风物， 相對液晶組成物的總重f，第六成分的比例^ 3~5〇加 14.如申請專利範圍第1項所述之液晶組 === =以上’波長589 nm下的先學心 (和為以上’且頻率lkHz時的她

   54 201042015 15. 如申請專利範圍第5項 ，上限溫度為70°C以上’波長589 η:下學卜 (25。〇為0.065以上， =異向挺 ⑵。〇為2以上。料1kHz日讀介電異_ 16. 如申請專利範圍第8項所述之液晶組 相上限溫度為取以上’波長589 nm下的光學$列 Ο Ο (25。〇為2以上。料1 kHz㈣介電異向性 17. 如申請專姆圍第u項所狀液晶 列相上限溫度為70〇c以上 職其向 (脚）為嶋以上，而且光學異向性 (没〇為2以上。 辭lkHz日讀介電異向性 項：有如申請專利範圍第- 動作利範圍第18項所述之液晶顯示元件，其 ΤΝ、ECB、0CB、IPS 或 PSA 模式，且驅動 乃式為主動矩陣方式。 55 201042015 四、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：無。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明：無。 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式：

   ◎ 3