TW201030404A - Optical waveguide and member for forming optical waveguide - Google Patents

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201030404 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種光導波路及光導波路形成用元 【先前技術】 近年來，使用光載波來移送資料之光通訊已變得更 重要。此種光通訊巾，係使用_種光較路作為將光、: 從一地點導引至另一地點之機構。 戰波 該光導波路例如係具有長條狀之核心部、以及設置成 圍繞該核心部之覆蓋部，心、部細對光毅實質上透明 之材料構成，紐部_騎率健心部低之材料構成。 此種光導波路一般係配設於配線基板之表面上。又， 於該配線基板上’祕财發光元件或受光元件，從發光 凡件出射之光訊號係傳輸於光導波路並藉由受光元件接 收。 而，近年來，基於配線基板之薄型化或低成本化等觀 點，發光元件或受光元件係表面構裝型之元件逐漸增加。 表面構裝型之發光元件大多為發出相對於配線基板沿垂直 方向傳輸之光之型式的元件。因此’為了將光人射於沿配 線基板配設之光導波路，必須將從發光元件出射之光的光 路轉換90的角度。另一方面，由於表面構裝型之受光元 件亦大多為接收相對於配線基板沿垂直方向傳輸之光之蛰 式的元件，因此為了將從光導波路出射之光導引至受光元 件’則必須將從光導波路出射之光的光路再次轉換9〇。。 基於此種請求，以往已提出有一種在光導波路之中途 3/41 201030404 照射將孔開設成以斜向橫切核心，而具備以對光 :二面傾斜45。之孔的壁面為微小鏡者(例如，參照專利 社、、t即’專利讀_所記述之料波路，具備有以橫切 乂、、復蓋之-部分的方式經過雷射加I之孔，於該孔之 壁面所露H讀覆蓋的切斷關成為微小鏡。 近年來，基於光通訊品質提升之觀點，已逐漸要求進 一步提高此種微小鏡之面精度。 【先行技術文獻】 ❹ 【專利文獻】 專利文獻一：曰奇赞J 2〇Q产284248號公報 【發明内容】 — 本發明之目的在於提供一種光導波路及光導波路形成 _ 用元件，該光導波路係具備光學性能較高之鏡而可進行高 品質光通訊，而該光導波路形成用元件則用於形成此種光 導波路且具備可容易形成光學性能較高之鏡的鏡形成部。 又，在藉由雷射加工形成鏡之情況下，由於可將對鏡 @ 之加工面進行加工時之加工率設定成比較均勻，因此可進 一步提高鏡之面精度。 為了達成上述目的，本發明係一種光導波路，其具有： 長條狀之核心部；覆蓋部，係設置成鄰接於該核心部；以 及鏡’係由以斜向橫切該核心部之光軸之延長線的加工面 ： 所構成，其特徵在於：該鏡係設置於該核心部之延長線上， 又’该加工面係僅有構成該核心部之材料以外.的材料露..出。 根據本發明，藉具備由均勻且可高精度加工之材料所 4/41 201030404 露出之加工面來構成的鏡，因此可提供一種具備面精度及 〇學性能較高之鏡的光導波路。又，在構成覆蓋部之材料 - 於鏡之加王面的情況下，構成覆蓋部之材料通常在材 料選擇之自甴度較高，且大多為耐熱性較構成核心部之材 , 料高的材料(或化學結構）。因此，藉由使構成覆蓋部之材料 f出於鏡之加工面，即可提高鏡之对熱性。其結果，即可 提供種對_焊等熱處理具備充分耐熱性之光導波路。 又，本發明之光導波路中，較佳為該加工面僅露出有 〇 構成該覆蓋部中之至少一部分之材料。 為了達成上述目的，本發明係一種光導波路，其具有： 核心層，係包含長條狀之核心部、及設置成鄰接於該核心 .糊面之侧面覆蓋部；兩個覆蓋層，係積層為挾持該核心 • I;以及鏡’係由以斜向橫切該核心部之光軸之延長線的 加工面所構成’其特徵在於：該鏡係設置於該核心部之延 長線上，又，該加工面之中，對應該核心層之加工面係僅 露出有構成該侧面覆蓋部之材料。 _ X，本發明之光導波路中，較佳為該加工面係僅有構 成該側面覆蓋部之材料、以及構成該兩個覆蓋層之材料露 出0 又，本發明之光導波路中，較佳為構成該侧面覆蓋部 之材料，與構成該兩個覆蓋層之材料為相同。 ▲又，本發明之光導波路中，較佳為該鏡與鄰接於此之 «心部的間隔距離’在該核心部之光轴的延長線上為 5〜250 μ m。 又，本發明之光導波路中，較佳為該加工_藉由雷 射加工所形成。 5/41 201030404 心部ί、’ί判之光導波路巾，健為該料波路之該核 、以降获埽系聚合物為主材料所構成。 覆甚却〃皮 具有：長條狀之核心部； 力 置成鄰接於該核心部;以及鏡形成部，係被 心部之延長線上，且為僅以構成該核 材料以外之材料所構成的部位。 參 材料本發明，由於具備由均勻且可高精度加工之 出之加工面所構成的鏡，因此可提供-種光導波路 =:波:可容易形成具備有面精度及光學性能較高 ㈣2树明之光導祕形成衫件巾，健為該鏡形 2 €蓋部中之至少—部分讀料所構成的 鲁 為了達成上述目的，本發明係一 =係f用於形成光導波路，且具有:核心層 ^条狀之核心部、及設置成鄰接於該核心部側面之側面覆 =:兩個覆蓋層’係積層為挾持該核心層；以及鏡形成 二:=加工以形成鏡，該光導波路形成用元件之特徵在 :該，部係設置於該核心部之延長線上的部位，且 應該核心層的部分係僅以構成該側面覆蓋 成部係僅以構成該件中：圭為該鏡形 蓋層之材料所構成的部位。娘4、以及構成該兩個覆 6/41 201030404 又，本發明之光導波路形成用元件中，較佳為用以形 成該鏡之加工係一種除去該該鏡形成部之一部分的加工。 【實施方式】 以下，針對本發明之光導波路及光導波路形成用元 件’根據附加圖式所示之較佳實施形態詳細作說明。

第一圖係表示本發明之光導波路之實施形態(一部分係 透射表示）的立體圖，第二圖係從上方觀看第一圖之光導波 路時的俯視圖’第三圖則為第二圖所示之光導波路之 線截面圖。此外，本說明書申，係將第一圖、第三囷中之 上側稱為「上」而將下側稱為「下」。 —第一圖所示之光導波路1〇，係在第一圖從下側起將覆 盘層11、核心層13、以及覆蓋層12依此順序予以積層而 於无導波路10 入 鏡…形成㈣。此形成 =:覆蓋層11之-部分之：成: 及覆蓋層12之-部分的積層體所構成。 H、’針對核心層13及各覆蓋層11、12作詳述。 了 13，形成有長條狀之核心部14、以及以_ 層】卜14係卿其下方之覆蓋 娜成之復蓋部=此:卜及=侧方之侧面覆蓋部 僅對核心層13辭點卜’於第—圖至第三圖中， 而對側面_ 15 部m密= 7/41 201030404 _係透射表示覆蓋層12。 為了在核心部Η與覆蓋部i6之界面使其產生全反 須在界面存在有折射率差。核心部】4之折射率係較 覆蓋4 16之折射率高，其差雖無特別限制，不過以咖 二tΪ，而以〇.8%以上更佳。此外’折射率差之上限值 ==特別予以設定，不過較佳係設定為5 5%左右。折射 f右小於剛述下限值，則有時傳輸光之效果會降低，此 增^使超過前述上限值，亦無法期待光傳輸效果之進一步 f蓋折射率差，如如部14之卿率為a而 覆羞部16之折射率為B時，則可以次式表示。 折射率差(％)=|Α/β_ 1 |x 1 〇〇 直線：:之構成中，核心部14以俯視雖形成為 ί Τ過麵中亦可予以彎曲、分支等，其形狀係任 形)之=:部14其橫截面形狀係呈如正方糊 1 之寬度及高度雖無特別限制，不過分別以 〜200μ m左右較佳，以5〜1〇〇 ⑽左右進-步更佳。 左右更佳’而以10〜60 別可14及覆蓋部16之各構成材料，只要是分 產生上4折射率差之材_ 除了丙烯酸系樹脂、审耸本比你/ 利具體而吕’ 乙嫌、環驗Γ 触緖脂、聚魏醋、聚笨 聚酿胺、聚醯亞胺、聚笨并 如笨環丁稀系樹脂或嶋系樹脂等 環狀狀系料之各種翻旨材料料，亦可制如石英= 8/41 201030404 璃、硼矽玻璃之玻璃材料等。 ，實施形態中’在核心層13中，核心部14及側面覆 =U糸以同—基底材料(基本成分)所構成，核心部14與 =二部15之折射率差係利用各 構的差異而顯現。 為了藉由化學結構之差異而使折射率差顯現， 核心部 ❿ 雷丰:覆蓋部15之各構成材料，係以使用藉由紫外線、 ==線之照射(或進-步藉由加熱)導致折射 ^種折射率會變化之材料而言，可列舉例如藉由活性 此量線之照射或加熱，而切斷至少一部分之鍵結、或使至 少-部分之官能基脫離等化學結財變化之材料。 具體而言，作為聚魏(例如：聚甲基笨基獨、聚石夕 全虱聚矽氮烷)等之矽烷系樹脂、或構成伴隨前 材料之基底的樹脂’可列舉於分子之側鏈或 知/、g月fa基之以下(1)〜⑹等樹月旨。⑴將降获稀型單體 成聚合(共聚)所製得之降㈣鮮體之加成聚合物 1： n ，型單體紅料α·_類之加成共聚 、烯型單體與非餘二稀、及視需要與其他單體 之加成共聚物、(4)降获埽型單體之開環聚合物(共聚物）、及 視需要將錢合物(共聚物)添加氫之樹脂、⑺降㈣型單體 與乙烯或α烯烴類之開環共聚物、及視需要將該聚合物(共 聚物f加氫之樹脂、⑹降获婦型單體與非共輊二烯、或與 ?他:尸環共聚物、及視需要將該聚合物(共聚物)添加 曰降錄系樹脂、以及其他藉由將光硬化反應 'f早“X聚合所製得之㈣酸系樹脂、及環氧樹脂。 201030404 此外，此等之中，尤其以降莰烯系樹脂較佳。該等降 莰烯系聚合物，例如能以開環置換聚合(R〇MP : Ring Opening Metathesis Polymerization)、R0MP 與氩化反應之組 合、自由基或正離子之聚合、使用正離子性鈀聚合起始劑 之聚合、使用此以外之聚合起始劑(例如，鎳或其他過渡金 屬之聚合起始劑)之聚合等公知之所有聚合方法製得。 另一方面 復益增及12係分別構成位於核心部η 下部及上部之覆蓋部。藉由此種構成，核心、部14即具有其 外周受覆蓋部16圍繞之導光路的功能。 ”'、

覆蓋層η、12之平均厚度，係以核心層13之平均厚 度（核心部14之平均高度）之0丨〜15倍左右較佳，以 (U〜L25倍左右更佳，具體而言，覆蓋層u、12之平 度雖無特別限制，不過通常分別以丨_左右較件，以 5〜左右更佳，幻〇〜60_左右進一步更佳。藉此， 可防止光導波路1〇無謂之大型化(厚膜化)，並 為覆蓋層之功能。 ％ 设凤 入 ----------可使用

:::13之構成材料同樣之材料，不過尤其以降莰烯$ 签二？實罐中，可在核心層U之構成材料盘覆 蓋層1卜12之構成材料之間，考量兩者 =擇T不同之材料。因此，由於可在核心 層11、12之邊界使光確實地全反射，因此只要將㈣2 為可產生充分讀神麵可。n此， 度方向，即可磐充分之折辦差，都n 14漏出至覆蓋層11、12。其結果，即可抑制傳 10/41 201030404 14之光的衰減。 又，基於抑制光之衰減的觀點，以核 1卜12間之密接性較高較佳。因 ：二覆蓋層 材料，只要是滿足㈣輪核心層/=1二12之構成 核ΙΓΓίΓ咖高之條件者，_材^可與 且二有較低折射率之降获埽系聚合物而言二 =於末端包含環輯構之取代基之降糾之 = :此種降_聚合物尤其具有較低之折射率且= 又’降获埽系聚合物以含烧基降获烯之重複 佳。含烧基降获烯之重複單元的降获稀系聚合物，由於^ 軟性較高’因此藉由使用此種降㈣系聚合物，即可對^ 導波路10賦予較高之可撓性(flexibil吻。 具有烷基降莰烯之重複單元的烷基而言 丙基、丁基、戍基、己基、庚基、辛基、壬基以舉 不過尤其以己基較佳。此外，此等烷基係直鏈狀或分支狀 之任一種皆可。 藉由含己基降莰烯之重複單元，可防止降茨歸系聚合 物整體之折射率上升。又，具有己基降莰烯之重複單元的 降莰烯系聚合物’由於對前述波長區域(尤其是850nm附近 之波長區域)之光的透射率優異，故較佳。 此種本發明之光導波路10雖依核心部14之材料的光 學特性等若干不同而無特別限制，不過例如在使用 600〜I550nm左右之波長區域之光的數據通訊上可適當使

t*Q 用0 此處，本實施形態中，如前述般，鏡形成部155係設 11/41 201030404 定於覆蓋層11、核心層13及復蓋層 部附近。換言之，光導波路1〇之一 ^積層_-側端 係以鏡形成部155占有’藉由該鏡；，:第二圖所示’ 心部14。 卩55而遮斷了核 此外，於該鏡形成部155内則設有鏡 鏡17係叫厚度方向局 。 成v字狀之凹部170，而由該凹部i7〇 之方式形 部分所構成。該側面係呈平面狀且對核心=(加工面)的一 斜45。亦即，鏡17係形成為以斜 ^車由線Μ傾 之軸線Μ的延長線。 慢切核心部Μ 此外，從發光元件s觀看時之鏡形 長度，係設定—部17G之寬 ^的讀及 Π，鏡形成部155即整體地露出寬==此’於鏡 之目的。 ㈣而了確魏達成本發明 又，本實施形態中，凹部17〇之兩個側面中，由於僅 一側(鄰接於核心部14之側)具有鏡Π之功能，目此另一側 亦可省略。 此種光導波路H)中，如第三圖箭頭所示，可以鏡17 反射從設於光導波路10下方之發光元件s所照射之光，而 入射至核心部14中。亦即，所照射之光的光路即藉由鏡17 而被轉換90° 。 入射至核心部14中之光係在核心部14與覆蓋部16之 界面反覆全反射而傳輸至出射侧。接著，在未圖示之出射 端側接收光，再根據該光之明滅圖案即可進行光通訊。此 外，上述光路亦可將光傳輸至相反方向。 而，於第一圖所示之鏡17，鏡形成部155係露出，更 12/41 201030404 詳言之，從發光元件s侧起構成覆蓋層 覆蓋部15之材料的露出面m、 14 1 二之材料(覆蓋材料)露出，藉由該材料與外部 風)相鄰接，而於接觸界面產生折射率差。鏡17中竟根(: 折射率差即可將光予以反射。 據該 ❹ 光-二照射於鏡17之情況下，從半導體雷射或發 先-極體荨發光元件s照射之光的擴展方式，一般係呈^ 光軸為中心均等擴展的圓錐狀圖案。因此，最多之光 照射在位於鏡17之厚度方向之中央部的露出面173。因此，、 推測鏡Π之光學性能係—173之面精度大幅左右。 此處，針對習知之光導波路作說明。 第十-圖係表示習知之光導波路(一部分係透射表 的立體圖，第十二圖係從上方觀看第十一圖之光導波路時 的俯視圖，針三_為第十二圖所示之祕波路之χ·χ 線截面圖。此外，本說明書中，係將第十一圖、第十三圖 中之上側稱為「上」而將下側稱為r下」。 第十一圖所示之習知之光導波路9〇，除了核心層93之 構造不同以外，係與第一圖所示之光導波路1〇相同。 習知之光導波路90中，如第十一圖至第十三圖所示， 在核心層93中一般係以核心部94之橫截面全部與側面覆 蓋部95(覆蓋部96)橫截面之一部分露出的方式形成鏡97。 該鏡97對核心層93係以橫切核心部94全部與覆蓋部96 寬度方向之一部分的方式挖掘加工V字狀之凹部970，藉 13/41 201030404 此形成作為凹部970之兩個侧面中之一側。此外，第十— 圖至第十三圖中，僅對核心層93賦予點，其中對核心部％ 係賦予較密之點’而對側面覆蓋部95及鏡形成部155則喊 予較疏之點。又，第十一圖、第十二圖中係透射表示覆蓋 層12。 然而，習知之光導波路90中，有鏡97之面精度較低 之課題。針對該課題之原因，本發明人發現在進行凹部9% 之挖掘加工時，對核心部94作加工時之加工率與對覆蓋1 96作加工時之加工率係不同。若加工率不同，則即使嘗^式 欲形成橫切例如核心部94與覆蓋部％之一部分的平而: 該加工率之差亦影_加工結果，而無法形成丸 ^之形狀的鏡97。產生此種加工率之差的職之一，^ 化之構成材料舆覆蓋部96之構成材料間之 林若不作再加工則難以製得面精度及 ^目對於此，本發明中’如第一圖所示，鏡係 述二】::所構成之鏡形成部155内。因此，鏡17如前 =三中Τ之露出面171、173，成。 層b之材由於在露出面173係僅有構成側面覆蓋 17，而無需作再加4可】為目標之形狀的鏡 句性等)及光學齡/仔面精度(表面_度、面内均 先學度讀局之鏡17。其結果，即可製得鏡^ 34/41 201030404 之損失較少且f送效率較高之高品質光導波路ίο。 ^二匕外前述般’由於鏡17中位於厚度方向之中央邻 的露出面⑺輕顺μ量㈣而 1 = 以出面173之面精度(表面粗二 Ϊ 絲17㈣之絲雜大幅提升。 參 參 構成覆蓋層11之材料及構成覆蓋層二3 料亦露出。若將覆蓋層η及覆蓋層12之各構 = 化學結構設置成與侧面覆蓋部15相 ^ 出面173 ’在鏡17整面不會產生加工時之加工率 此可謀求鏡17之面精度及光學性能的進-步提:因 結二====和各化學 覆蓋部，因此物性比較類似。因 加工r:實::::鏡”之面精度及 之構成材料及各蓋㈣ 蓋材::般為材料選擇之自由度較高’且大多為耐:n 核心材料南之材料(或耐熱性較高之化學結構）。因此熱 材料露出之鏡17的耐熱性較以往高。其結果，例如 有光導波路10之基板實翻流科熱處理時，止^ 之影響導致在鏡17產生變形等之不良。 、、、 此外，即使在覆蓋材料與核心材料為同 學結構不同之情況下，由於覆蓋㈣之耐 纟 料高，因此基於此種觀點，根據本發明㈣料 15/41 201030404 性較高之鏡17。 又’如上述般露出於銳17之材料，若僅為覆蓋材料則 鏡17面内之各部當中熱膨脹特性亦會均勻（或接近之值）。 因此，即使長時間將光入射於光導波路10内而造成熱蓄積 於鏡17之情況下’由於各部之熱膨脹特性係均勻（或接近之 值）’因此可防止伴隨熱膨脹之鏡17的明顯變形。

上述之鏡17中，在如第三圖箭頭所示般從設於光導波 路10下方之發光元件S將光照射於上方的情況下，'照射光 係依序透射過覆蓋層11及側面覆蓋部15之後，在鏡” 17反 射。反射後，其反射光即通過侧面覆蓋部15(鏡形成部155) 與核心部14之界面145再入射於核心部μ。 而’在鏡17反射之後，若到界面145為止之距 ， 則光漏出至各覆蓋層1卜12之機率便會提高，另—方面若 過短’則核心部14對前述鏡Π造成影響之機率便會提高， 而有前述鏡17之加工均勻性及耐熱性會降低之虞。曰问

基於此種觀點，核心部14之轴線Μ上之鏡17盥界面 Μ5之間隔距離，係以5〜25〇_左右較佳，以1()〜綱 左右更佳。 而〜㈣Γ 有反_。以該反身 而§叮列舉例如AU、Ag、A1等之金屬膜、或較細 部155之折射率為低折射率之材料之膜等。 - 金屬膜之製造方法而言，可列舉例空 蒸鍍法、CVD等化學級法、以及魏法等，、又專， 第三圖所示之凹部17°，雖形成物 通覆蓋層12、核心層13及覆蓋層几，不過至知= 核心層13即可，而覆蓋層u則不—定要貫通。/、要多 16/41 201030404 此外，於鏡17，前述雖為僅構成覆蓋部w 蓋材料)露出，不過此要件似要麵17 (覆 有效徑的區域(實質上參與光通訊之區域)滿足 核足上料叙触，在本發明發

其次’針對光導波路10之製造方法之—例作 光導波路1G鋪由分別製作覆蓋層u、核心声^、 以及覆蓋層12，再將此等予以積層所製造。 θ 此種製造方法中，必須製作成使彼此折射率不同之部 上及光學上接觸。具體而言，側面覆蓋部15或各 f蓋層11、12必須形成為對核心部14不介 地密接。 只 核心層13之具體製造方法而言，只要是可於同一層(核 心層13)内形成核心部14與側面覆蓋部15之方法則盔特別 限制’該方法可列舉例如光聽(phG_eaehing)法^微影 响)法、直接曝光法、奈米壓模一 法及單體擴散(monomer diffusion)法等。 此處’針對包含單贿散法之光導波路10之製造方法 作為代表作說明。 第四圖至第十圖係分別示意表示第一圖所示之光導波 路10之製造方法之步驟例的截面圖。此外，第四圖至第八 圖係分別表示與光導波路之核心、部之軸線正交之寬度方向 的橫截面’第十®難示沿與光導波路之核^部之轴線平 行之方向的縱截面。 [1]首先’於支承基板161上，形成層11〇(參照第四圓）。 層110係藉由塗佈核心層形成用材料(清漆)1〇〇再使其 17/41 201030404 硬化（固化)之方法而形成。 具體而言’層110係藉由將核心層形成用材料100塗 佈於支承基板161上，以形成液狀被膜之後，再將該支承 基板161置放於通風之水平桌台，以使液狀被膜表面不均 勻之部分水平化且使溶媒蒸發(脫溶媒)所形成。 以塗佈法形成層110時，例如可列舉刮刀法、旋轉塗 佈法、浸潰法、桌塗法、喷霧法、散佈法、簾塗法、模塗 法等方法，不過並非限於此等。 於支承基板161 ’例如係使用矽基板、二氧化矽基板、 玻璃基板、石英基板及聚對苯二曱酸乙二酯(PET)薄膜等。 核心層形成用材料1〇〇係一種含有以聚合物115、添加 劑120(至少包含單體及觸媒)構成之顯影性材料，並藉由活 性放射線之照射及加熱，而在聚合物115中產生單^之反 應的材料。 、接著’在所製得之層11〇巾，聚合物(基質)出皆分配 成實質上-樣且為隨機’添加劑12G則於聚合物U5 散成實質上-樣且為隨機。藉此，添加劑12()即實質上一 樣且任意地分散於層110中。 =種層11G之平均厚度’可依據所欲形成之核3 的厚度予以適當設定，並盔特別 右較佳，以5刚f 制，不過以1〜細_左 石較隹以5〜100左右更佳 更佳。 以10〜60//in左右進一步 且與此透二，無色物 ::反應或交聯反應)’且在單趙聚合 18/41 201030404 此處’「具有相溶性」係指單體至少混合，而在核心層 形成用材料100 +或層110中不會與聚合物115引起相分 離。 此種聚合物915而言，例如可舉前述核心層13之 材料。 此外，在使用降莰烯系聚合物作為聚合物115之情況 下，由於該聚合物具有較高之疏水性，因此可製得不易因 吸水而產生尺寸變化等之核心層13。 又，降莰稀系聚合物而言，係具有單獨之重複單元者 (h〇m〇P〇lymer ••均聚物）、具有兩種以上之降莰烯系重複單 元者(copolymer :共聚物)之任一者皆可。 其中’以共聚物之-例而言，可適當使用具有可以下 述式(1)表示之重複單元的化合物。 【化1】

19/41 201030404 單體、輔觸媒(第一物質）、以及觸媒前驅物（第二物質）者。 降获稀系單體係一種藉由受後述活性放射線照射，在 活性放射線之照射區域產生反應而形成反應物，並藉由該 反應物之存在’而可在層110使折射率差產生在照射區域 與活性放射線之未照射區域的化合物。 該反應物而言，可列舉降莰烯系單體在聚合物（基 質）115中聚合形成之聚合物、將聚合物115彼此加以交聯 之交聯結構、以及聚合於聚合物115並從聚合物n5分支 之分支結構（分支聚合物(branch polymer)或側鏈(pendant ^ group :側基))中之至少一種。 此處，在層110，在希望照射區域之折射率變高的情況 下，係組合使用具有較低折射率之聚合物115、與對該聚合 物115具有較高折射率之降莰烯系單體，在希望照射區域 . 之折射率變低的情況下，則組合使用具有較高折射率之聚 - 合物115、與對該聚合物115具有較低折射率之降莰晞系單 體。 ' 此外，折射率「較高」或「較低」並非意指折射率之 絕對值，而係意指某種材料彼此相對之關係。 ® 接著’因降莰烯系單體之反應(反應物之生成）而在層 110導致騎區域之折射轉低時，該部分即絲側面覆蓋 部15,照㈣域之折射率上升時，該部分則成為核心部14。 觸媒前驅物(第二物質）’係一種可使前述單體之反應 (聚合反應、交聯反應等)開始的物質，且為一種藉由後述活 性放射線之照㈣活性化之細媒(第—物質)之作用，改變 活性化溫度的物質。 該觸媒前錄(p_talyst)t^言，κ要是领活性放射 20/41 201030404 線之照射而使活性化溫度改變(上升或下降)者，使用何種化 合物皆可，不過尤其以伴隨活性放射線之照射而使活性化 溫度下降者較佳。藉此，以較低溫之加熱處理即可形成核 心層13(光導波路10)，而可防止不要之熱施加於其他層致 · 使光導波路10之特性(光傳輸性能)降低。 此種觸媒前驅物而言，可適當使用含可以下述式(Ia)及 (lb)表示之化合物之至少一方(為主)者。 (E(R)3)2Pd(Q)2 . . . (Ia) ❹ [(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]r · · · (lb) [式la、lb中，分別E(R)3係表示第十五族之中性電子 予體配位子，E3係表示選自週期表第十五族之元素，玉係 • 表示含氫原子(或其同位素之一)或烴基之部位，Q則表示選 自羧酸酯、硫代羧酸酯、以及二硫代羧酸酯之陰離子配位 子。又，式lb中，LB係表示路易斯鹼，WCA係表示弱配 位陰離子，a係表示1〜3之整數，b係表示〇〜2之整數，& 與b之合計係1〜3，p&r則表示取鈀陽離子與弱配位陰離 〇 子之電荷平衡之數。] 依照式la之典型觸媒前驅物而言，可列舉

Pd(OAc)2(P(i-Pr)3)2 、 Pd(OAc)2(P(Cy)3)2 、

Pd(02CCMe3)2(P(Cy)3)2 、 Pd(OAc)2(P(Cp)3)2 、

Pd(〇2CCF3)2(P(Cy)3)2、Pd(〇2CC6H5)3(P(Cy)3)2，不過並非限 制於此等。此處，Cp係表示環戊基(CyCl〇pentyI)，Cy則表 示環己基。 又，以式lb所表示之觸媒前驅物而言，較佳為p及r 分別係選自1及2之整數的化合物厂 依照此種式lb之典型觸媒前驅物而言，可舉 21/41 201030404

Pd(OAc)2(P(Cy)3)2。此處，Cy係表示環已基，Ac則表示乙 醯基。 此等觸媒前驅物，可使單體產生有效反應(在降茨稀系 單體之情況下，藉由加成聚合反應有效產生聚合反應或交 ， 聯反應等）。 辅觸媒(第一物質），係一種可藉由活性放射線之照射而 活性化，以使前述觸媒前驅物(procatalyst)之活性化溫度(使 單體產生反應之溫度）改變之物質。 該輔觸媒(cocatalyst)而言，只要是藉由活性放射線之照 射使其分子結構改變(反應或分解）而活性化之化合物，不論 何種皆可使用’不過可適當使用含(為主)藉由特定波長之活 性放射線之照射而分解’以產生質子或其他陽離子之正離 子、及可取代成觸媒則驅物之脫離基之弱配位負離子(WCa) 之化合物(光起始劑)者。 弱配位負離子而言，例如可列舉四(五氟苯基)石朋酸離子 (FABA-)、以及六氟銻酸離子(sbF6·)等。 該輔觸媒(光酸產生劑或光鹼產生劑）而言，例如可列舉 四（五氟本基)侧酸鹽或六氟録酸鹽以外，還可例舉四（五氟 苯基)鎵酸鹽、鋁酸鹽類、銻酸鹽類、其他硼酸鹽類、鎵酸 鹽類、碳硼烷類及齒化碳硼烷類等。 又，於核〜層形成用材料(清漆)丨⑻中，視需要亦可添 加增感劑。 再者，於核心層形成用材料1〇〇中，亦可添加抗氧化 劑。藉此’可防止不希望之自由基的產生或聚合物115的 自然氧化。其結果’即可謀求所製狀核'讀13(光導波路 1〇)之特性的提升。 22/41 201030404 使用以上所述之核心層形成用材料1〇〇即可形成層 此時，層110具有第一折射率。該第一折射率係 ，分散(分佈)於層110中之聚合物出及單體之作用所^ 〇〇 以上添加劑120之說明中，雖以單體為降莰烯系

單體之情況為例作了說明，不過此以外之單體只要是具^ 可聚合之部位的化合物即可，而可例舉丙烤酸(甲基= 煤、 系單體、環氧轉體、以及苯乙料單料，可將此等^ 之一種或兩種以上予以組合使用。 、此外，添加齊]120中之觸媒，可根據單體之種類，而 適當選擇，例如在丙触系單體或環氧系單體之情況下， 可省略觸媒前驅物（第二物質)之添加。 、[2]其次，準備形成有開口（窗）1351之遮罩135，透過該 遮罩135對層110照射活性放射線(活性能量光線)m(參照 第五圖）。 / 以下，以使用具有折射率較聚合物】15低者作為單體， 核心層形成用材料觸係隨著活性放射線1SG之照射而使 照射區域125之折射率降低者的情況為—例作說明。 亦即’此處所示之例中’活性放射線13〇之照射區域 125係成為核心層13中之側面覆蓋部μ。 因此，此處所示之例中，係於遮罩135形成與待形成 之側面覆蓋部15之圖案等效的開口（窗》351。該開口 1351 係用以形成所照射之潍放射線⑽透射的透射部。 遮罩I35係預先形成(另外形成)者(例如板狀者）、或例 藉由氣相成膜法或塗佈法形成於層11〇上者皆可。 23/41 201030404 所使用之活性放射線130,只要是可對輔觸媒使其產生 光化學反應(變化)者即可，例如除了可見光、紫外光、紅外 光及雷射光以外，亦可使用電子線或X線等。 透過遮罩135，將活性放射線130照射於層110後，存 . 在於活性放射線130所照射之照射區域125内的輔觸媒(第 一物質：cocatalyst)，即因活性放射線13〇之作用而反應(結 合)或分解，使正離子（質子或其他陽離子）、及弱配位負離 子(WCA)游離(產生）。 接著，該等正離子或弱配位負離子便使存在於照射區 域125内之觸媒前驅物（第二物質：pr〇cataiyst)的分子結構 ® 產生變化(分解）’而使其改變成活性潛伏狀態(潛伏性活性 狀態）。 此外，在使用雷射光等指向性較高之光作為活性放射 線130時’亦可省略遮罩135之使用。 [3]其次，對層110實施加熱處理(第一加熱處理）。 藉此，在照射區域125内處於活性潛伏狀態之觸媒前 驅物即活性化(成為活性狀態），而產生單體之反應（聚合反 應或交聯反應）。 © 接著，單體之反應進行時，照射區域125内之單體濃 度即逐漸降低。藉此，在照射區域125與未照射區域14〇 之間於單體辰度便產生差異，為了消除此現象單體即從 未照射區域140擴散(單體擴散)而聚集至照射區域125。 其結果’照射區域125中，單體或其反應物(聚合物、 交聯結構或分支結構)㈣加，導致源自單體之結構對該區 域之折射率造成大幅影響，而往較第一折射率低的第二折 射率降低。此外，以單體之聚合物而言，主要係產生加成 24/41 201030404 聚合物(共聚物）。 以此方式，於照射區域125與未照射區域14〇之

:么生折射率差(第二折射率〈第三折射率)，而形成核:部 14(未照射區域14〇)與側面覆蓋部叫照射區域⑵勝照第 六圖）。 其次，對層11〇實施第二加熱處理。 藉此，使殘存於未照射區域14〇及/或照射區域125之 觸媒前驅物，直接或隨著輔觸媒之活性化而活性化(形成為 活性狀態），藉此使殘存於各區域125、140之單體反應。 以此方式，藉由使殘存於各區域之單體反應， 即可謀求所製得之核心部14及侧面覆蓋部15的穩定化。 [5]其次，對層11〇實施第三加熱處理。 藉此，可謀求產生於所製得之核心層13之内部應力的 降低、或核心部14及侧面覆蓋部15的進一步穩定化。 經過以上之步驟，即可製得包含核心部14及侧面覆蓋 部15的核心層13。 此外’例如在實施第·一加熱處理或第三加熱處理前之 狀態下，於核心部14與侧面覆蓋部15之間獲得充分之折 射率差等情況時，亦可省略本步驟[5]或前述步驟[4]。 [6]其次，於支承基板162上，形成覆蓋層11(12)(參照 第七圖）。 覆蓋層11(12)之形成方法而言，係塗佈含覆蓋材之清 25/41 201030404 漆(覆蓋層形成用材料)再使其硬化(固化)之方法、塗佈具有 硬化性之單體組成物再使其硬化（固化)之方法等任何方法 皆可。 以塗佈法形成覆蓋層11(12)時，例如可列舉旋轉塗佈 法、浸潰法'桌塗法、喷霧法、散佈法、簾塗法、模塗法 等方法。 於支承基板162，可使用與支承基板161同樣者。 以上述方式，即可於支承基板162上形成覆蓋層 11(12)。 17]其次，從支承基板161剝離核心層13，再以形成有 覆蓋層11之支承基板162與形成有覆蓋層12之支承基板 162來挾持該核心層13(參照第八圖）。 接著，從形成有覆蓋層12之支承基板162的上面側 壓，以壓接覆蓋層11、12與核心層13。 藉此，覆蓋層U、12與核⑼13即接合而—體化， 导料波路縣Μ件1G，(树日狀料波路形成 =元件的：二所 HI九圖中之上侧稱為「上」而將下侧稱為「下^ 覆蓋層11所7^光導波路形相元件1G，，係從下側起將 復蓋層11、核心層13及显 Γ训起將 其中於核心層13中形成有H12依此順序予以積層者， 14之側面及一側之；以及以圍繞該核心部 印，該側㈣蓋部15之H鄰接之側面覆蓋部…亦 〜側之端部，藉此核心部14。/係配置成僅遮蔽核心部14 4另一侧之端面雖露出，不過一 26/41 201030404 側之端面係呈以侧面覆蓋部15覆蓋之狀態。此外，該側面 覆蓋部15之一部分、位於其下方之覆蓋層^之一部分、 ； “及位於其上方之覆蓋層12之—部分的積層體即構成前述 鏡形成部155。 藉由對該鏡職部155實施加U卩可形成鏡17，而 製得前述光導波路10。換言之，光導波路形成用元件】〇, 係一種使用於用以形成光導波路！㈣元件，其在核心部以 鲁 之延長線上具有供用以形成鏡Π之加工的鏡形成部I%。 此外，前述壓接作業係以在加熱下進行較佳。加熱溫 度可根據覆蓋層1卜12或核^層13之構成材料等適當決 定，不過通常較佳為80〜20(rc左右，更佳為12〇〜18代左 右。 接著’從覆蓋層U、12分別剝離除去支承基板162。 [8]其次’對覆蓋層n、核心層13及覆蓋層12之積層 體(光導波路形成用元件Π)，），從覆蓋層12側形成一部分於 厚度方向貫通光導波路形成用元件1G，之V字狀凹部 Π〇(參照第十圖）。若沿第十圖之虛線照射雷射光L，即可 在如以斜向橫诚々部14般之__(加工面)切取光導 波路形成用元件10,，再除去其内側，藉此即可形成凹部 170 〇該凹部170之兩個侧面中，一侧(第十圖之右方)便成 為鏡17。 此外’凹部170之形成位置係設定為成為核心層13中 ，鏡形成部155的_。又，第十圖之虛線絲示對核心 部14之軸線M之延長線傾斜45。之面。 凹部170之形成方法而言，可列舉例如雷射加工法、 切削法、研削法等方法。其中，適合使用雷射加工法。雷 27/41 201030404 射加工法t，由於係使用指向性較高之雷射光作加工，因 ，可=較高尺寸精度進行正確之加m其他加工法 在切斷面會有產生毛邊等之虞，而以t射加工法，則可依 雷射之種類或波長將被加工物加以熔㈣作加卫。藉此， 來防止毛邊之產生，且可藉由以炼融物覆蓋切斷面而將鏡 17之面平滑化。其結果，即可形纽射角―定且可抑制漫 反射之高品質鏡】7。

以雷射加頌使狀雷射光而言，例如可列舉使用c〇2 氣體作為雷射媒質之C〇2雷射、錢YAG結晶(朗呂/石權 石）作為f射媒質之YAGf*射、ι雷射的雷射）、以及ArF 準分子雷射等。 此外，在使用例如雷射光來形成凹部17〇之情況下， 雖依鏡形成部155之構成材料或雷射加工之條件而若干不 同，不過卻可製得表面粗輪度（中心線平均粗趟度Ra)為〇·2〇 /zm以下之平滑性較高的鏡17。 以上，雖已針對單體擴散法之光導波路1〇之製造方法

作了說明，不過如前述般，在光導波路1〇之製造方法亦可 使用其他方法。 其中，光褪色法中，例如係使用一種含有聚合物之核 心層形成用材料，該聚合物則具有藉由活性放射線之照射 而活性化種_(物質）、錢主鏈與從該线分支且因活 性化後之脫離劑之作用而使分子結構之至少一部分可從主 鏈脫離之脫離性基(脫離性侧基）。該核心層形成用材料係在 成膜成層狀之後，藉由於該層之一部分照射紫外線等活性 放射線造成脫離性基脫離(切斷)，而使該區域之折射率產生 變化(上升或下降例如，若為隨著脫離性基之脫離導致折 28/41 201030404 射率下降者，貞彳雜放料 15，而其以外之區域便成為核心 =域=㈣蓋部 =，再，方式將覆蓋v:;:= 形成對應核心部14之形狀的光二在上利用微影技術 =部進行·：= =充覆=成㈣㈣懷=== 二:覆==部形成用材料以覆蓋此等(核心部14 J面覆盍邛15)，即可製得覆蓋層12。 路）。以上述方式，即可製得光導波路1Q(本翻之光導波 核心部及"^3^^即可在同一製造步驟同時形成 成為式所形成之核心部14及_覆蓋部15，即 :，更會相等，相較於以彼此不同之材：構= 層間導波路w之變形或 此外，上述中，雖已針對對覆蓋層u、核心層13及 之=2之積賴(光導波路形朗元件价)形成凹部⑺ 29/41 201030404 左右者同等之個片，將凹部170形成於包含鏡形成部155 之側之個片後，再將各個片彼此予以接著。 此時’藉由以同一材料構成包含鏡形成部155之侧之 個片整體’即可製得由同一材料露出之露出面所構成的鏡 17。此種鏡π在表面粗糙度及面内均勻性等面精度上特別 優異。此外，此種個片可藉由例如擠壓成形法等來製造。

又’與將光導波路形成用元件10，預先以界面145分割 成左右者同等之個片中，未包含鏡形成部155之側之個片， 可藉由例如將構成核心部丨4之材料與構成覆蓋部16之材 料同時予以擠壓成形來製造。 以上，雖已根據圖式之實施形態說明了本發明之光专 ，路及光導波路形細元件，不過本發明並非限制於4 等，各部之構成可替換成能發揮同樣功能之任意構成，』 亦可附加任意之構成。

例如’鏡17之鏡角度(核心部14之軸線μ與鏡17 ^ 面所構成之角度）’在前述實施形態中雖設定為45。，不g 並無特別_，亦可為其他角度(例如3G〜6G。左右）。 u ^ #鏡丨7之形狀亦可為彎曲成使反射光聚光於核心杳 又，前述實施形態中，雖將發光元件S設置成使昭 光皆對核心部14之軸線M正交，不過該設置方 ^ 射光之行進方向是朝向鏡”，則= 再者’鏡17亦可位於光導波路1〇之途中。 13、實施形態中，雖已針對以覆蓋層11、核心1 盍層12之積層體所構成之光導波路1〇作了言 30/41 201030404 明，不過本發明之光導波路亦可為非該種積層構造，而係 以長條狀之核心部、以及設置成被覆該核心部之侧面之覆 蓋部所構成之構造。此時，覆蓋部可以單一之覆蓋材料構 成，亦可以兩種以上之覆蓋材料的組合來構成， 在覆蓋部係以兩種以上之覆蓋材料構成的情況下，於 鏡Π雖兩種以上之覆蓋材料露出亦可，不過以僅一種露出 較佳。 而，此種本發明之光導波路可使用於例如光通訊用之 光配線。 又，該光配線亦可藉由與既有之電配線一起混載於基 板上，而構成所謂的「光電混載基板此種光電混載基板 中，例如係將以光配線(光導波路之核心部)傳送之光訊號， 在光元件中轉換成電訊號再傳達至電配線。藉此，在光 1酉己 線之部分即可進行較以往之電配線更高速且大容量的資訊 傳送因此，藉由將此光電混載基板應用於連接例如cpu 或LSI等運算裝置與ram等記憶裝置之間的匯流排等，即 可提高系統整體之性能並抑制電磁雜訊之產生。 此外，此種光電混載基板亦可搭載於例如行動電話、 遊戲機、個人電腦、電視、家用伺服器等高速傳送大容量 之資料的電子機器類。 【實施例】 其次’針對本發明之具體實施例作說明。 1.光導波路之製作 (實施例） 首先’準備第九圖及第十圖所示之光導波路形成用元 件。該光導波路形成用元件係將以降莰烯系聚合物構成之 31/41 201030404 核心層及覆蓋層予以積層而成者。 接著’㈣料波_成収狀_成部，如第十 不’相對於核心部14之延長線以既 光’以實施挖掘加工。藉此，形成鏡而製得2圖= g部之㈣(輕材料)與構«顏之材料 光導::之=、’雖以同樣方法製作了合計三十二個 之Μ過各樣品中其鏡之角度各自不同。鏡 之角度係在各樣品間調整成大致均等地分佈於4 間。 (比較例一） 干之in導波路之構造設置成第十—圖至第十三圖所 不之構以以外，係以與實施例同樣 =:工波路之鏡，構成核心部之材料=、 構成^覆盍部之材料、以及構成覆蓋層之材料係露出。 ❿ 光導波路例一中，雖以同樣方法製作了合計十二個 過各樣品中其鏡之角度各自不同。鏡 又，、在各樣品間調整成大致均等地分佈於40〜50。之 間。 (比較例二） ^使用與比較例—不同之聚合物以外，係以與比較 式製作了光導波路。於所製得之光導波路之 兄霜t核心部之材料、構成侧面覆蓋部之材料、以及構 成覆蓋層之材料係露出。 此外’比較例二中，雖以同樣方法製作了合計三十個 32/41 201030404 光導波路之樣品，不過各樣品中其鏡之角度各自不同。鏡 之角度係在各樣品間調整成大致均等地分佈於4〇〜5〇。之 間。 2.光導波路之評估 針對在實施例及各比較例所製得之樣品（光導波路)藉 由以下測量條件測量了各自之鏡的插入損失。 <測量條件>

鲁 •光源 ：VCSELlOO/z卿（鏡側無油） •光源之波長 ：830nm

•光源之輸出 ：0.6mW

•入射光強度P〇 :l.〇V 此外，鏡之插入損失係令朝鏡之入射光強度為，令 從鏡之出射光強度為P時，藉由以下之式來計算。 (插入損失)=-l〇*l〇g(p/p〇) 卜接著，針對各樣品以鏡之角度(單位：度)為橫軸，以所 算出之插入損失(單位：dB)為縱軸作成散佈圖。將所得之散 佈圖的圖形表示於第十四圖。又，各樣品中，將插入損失 之最小值以及插入損失低於之鏡的角度範圍(概算） 表不於表一。 【表一】 33/41 201030404 表 製作條件 評估結果 露出於鏡之材料 實施例 比較例一 僅覆蓋材料 核心材料與 覆蓋材料

插入損失之 最小值 〇· 88 dB -— 1.39 dB 插入損失低於 1. 5dB之鏡之 角度範圍 43-46° 43 〜44c 比較例. 核心材料與 覆蓋材料

• 14 dB 43~46c 整體知，在實施例所製得之樣品一 插入較例所製得之樣品中，可確認整體 插入扣失較大。尤其，在實施例得之樣品， ==::即使構成材料崎 的最得之樣品之插入損失 之光導波路，可視為傳=高此，顺 再者，可知在實施例所激 鏡的角度範圍係充分寬廣 低於L5dB之 成可獲得良好傳送效率‘係=角=中’欲形 許範圍比較寬廣。因此’可知實施例 34/41 201030404 鏡之角度，因此可容易製作高品質之光導波路。 、本發明之光導波路係—種具有絲狀之核心部 、設置 • ㈣接於該核心部之覆蓋部、以及由以斜向橫切該核心部 t絲之延長線之加工_構成之賴光導波路，該鏡係 ^又置於該核〜部之延長線上’於該加工關僅有構成該核 心，之材料以外的材料露出。因此，由於該鏡係以均勾且 可尚精度加工之材料露出的加工面所構成，因此面精度及 鮮性能較高，而可提供—種傳送效率較高之高品質光導 波路。又’在構成覆蓋部之材料露出於鏡之加工面的情況 下丄構成覆蓋部之材料一般係材料選擇之自由度較高，且 大多為耐熱性較構成核心部之材料高的材料（或化學結 構）。因此，藉由使構成覆蓋部之材料露出於鏡之加工面， 即可提高鏡之耐熱性。其結果，即可提供一種對回流烊等 熱處理具備充分財熱性之光導波路。又，本發明之光導波 路形成用元件係可容易形成上述之光導波路。因此，本發 鲁 明之光導波路及光導波路形成用元件具有產業上之可利用 性。 【圓式簡單說明】 第一圖係表示本發明之光導波路之實施形態 透射表示)的立體圖。 第二圖係從上方觀看第一圖之光導波路時的俯視圖。 第一圖係第二圖所示之光導波路之a_a線截面圖。 第四圖係示意表示第一圖所示之光導波路之製造方 之步驟例的截面圖。 第五圏係示意表示第一圖所示之光導波路之製造方法 35/41 201030404 之步驟例的截面圖。 第六圖係示意表示第一圖所示之光導波路之製造方法 之步驟例的載面圖。 第七圖係示意表示第一圖所示之光導波路之製造方法 之步驟例的截面圖。 第八圖係示意表示第一圖所示之光導波路之製造方法 之步驟例的截面圖。 第九圖係以另一角度來觀看第八圖所示之光導波路形 成用元件的立體圖（一部分係透射表示）。 第十圖係示意表示第一圖所示之光導波路之製造方法 之步驟例的截面圖。 第十一圖係表示習知之光導波路(一部分係透射表示） 的立體圖。 第十二圖係從上方觀看第十一圖之光導波路時的俯視 圖。 第十三圖係第十二圖所示之光導波路之X-X線截面 囷。 第十四圖係針對在實施例及各比較例所製得之樣品， =鏡之角度為橫軸、以所算出之插人損失為縱轴時;佈 【主要元件符號說明】 (習知技術） 覆蓋層 覆蓋層 9〇 光導波路 36/41 201030404 93 核心層 94 核心部 95 覆蓋部 96 覆蓋部 97 鏡 970 凹部 (本發明） 10 光導波路 ❿ 10， 光導波路形成用元件 11 覆蓋層 12 覆蓋層 13 核心層 14 核心部 15 側面覆蓋部 16 覆蓋部 17 鏡 . 100 核心層形成用材料 110 層 115 聚合物 120 添加劑 125 照射區域 130 活性放射線 140 未照射區域 135 遮罩 145 界面 155 鏡形成部 37/41 201030404 161 支承基板 162 支承基板 170 凹部 171 露出面 172 露出面 173 露出面 1351 開口（窗） L 射光 Μ 軸線 發光元件

Claims (1)

1. 201030404 七、申請專利範圍： 1、一種光導波路，其具有： 長條狀之核心部； 覆蓋部’係設置成鄰接於該核心部；以及 鏡，係由以斜向橫_核抑之祕之縣線的加工 面所構成，其特徵在於： 該鏡係設置於該核心部之延長線上，又 該加工面僅露出有構成該核心部之材料料的材料。 ❹ 2、如申請專利範圍第1項所述之光導波路，其中於 s亥加工面係僅露出有構成該覆蓋部中之至少一分之 料。 。 3、 一種光導波路，其具有： 如層，係包含紐H叫、及設置成鄰接於該 核心部側面之侧面覆蓋部； 兩個覆蓋層’係積層為挾持該核心層；以及 鏡’係由以斜向橫切該核心部《光軸之延長線的加工 _ 面所構成’其特徵在於： 該鏡係設置於該核心部之延長線上，又 §加面之中，對應該核心層之加工面處，係僅露出 有構成該侧面覆蓋部之材料。 4、 如申請專利朗第3項所述之祕波路，其中該 係僅有構成該側面覆蓋部之材料、以及構成該兩個 覆盍層之材料露出。 ㈣f,、*申請專利朗第3項所述之光導波路，其中構 w面覆蓋部之材料係與構成該兩減蓋層之材料相 39/41 201030404 6、 如申請專利範圍第第5項所述之光導波路，其中 §玄銳與鄰接於此之該核心部的間隔距離，在該核心部之光 軸的延長線上為5〜250/zm。 7、 如申請專利範圍第6項所述之光導波路，其中該 加工面係藉由雷射加工所形成。 8、 如申請專利範圍第7項所述之光導波路，其中該 光導波路之該核心部係以降莰烯系聚合物為主材料所構 成0 .不里尤导汲路形成用元件 波路，並具有 長條狀之核心部； 覆蓋部’係設置成鄰接於該核心部；以及 崔兄形成部’其被加工以形成鏡，又 該鏡形成料設置於_心部找紐上，且為僅^ 成遠核心部之材料以外之材料所構成的部位。 元件1 第9項所述之光導波路形成用 分之材料所構成的部位。錢錢蓋#之至少-旬 導二?光導波路形成用元件，其係使用於形成, 核心之it:狀之核心部、及設置成鄰接於· 兩個覆蓋層，係積層為挾持該核 鏡形成部’其被加工以形成鏡，又 該鏡形成部係設置於該核心 該鏡形成部之對應該核心層 L長線上的部位，且 口丨刀係僅以構成該側面覆 40/41 201030404 部之材料所構成。 專_®第1 1項所述之光導波路形成 用元其巾5彡絲成部是僅以構成義㈣蓋部之材 料、以及構成該兩個覆蓋層之材料所構成的部位。 元件二==:::r述之光導波路形成用 一部分的加工。 工係一種除去該鏡形成部之

   參 41/41