JP5212139B2 - 光導波路の製造方法および光電気混載基板の製造方法 - Google Patents
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(1) 長尺状のコア部と、該コア部を囲むように設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路を製造する光導波路の製造方法であって、
第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられた第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有する成形体を押出成形した後、前記成形体をその自重で前記基材上に広がらせることにより、前記成形体を扁平状にする成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。
第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられた第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有し、直線状部分と折り返し部分とが交互に繰り返し連結されたつづら折り状の成形体を押出成形する成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程と、
前記露光工程の前または後に設けられ、前記つづら折り状の成形体または前記光導波路のうち、前記折り返し部分を切り落して、複数の前記直線状部分を得る切断工程と、を有することを特徴とする光導波路の製造方法。
横断面の外周の形状がほぼ真円である第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられ横断面の外周の形状がほぼ真円である第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有する成形体を押出成形する成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。
第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられた第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、基材に対して前記ノズルを相対的に移動させつつ、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、前記基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有する成形体を押出成形する際に、前記基材に対する前記ノズルの相対的な移動速度を途中で変化させることにより、横断面積を部分的に変化させてなる前記成形体を得る成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。
第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられた第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、基材に対して前記ノズルを相対的に移動させつつ、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、前記基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有する成形体を押出成形する際に、前記ノズルから吐出する前記第1の材料の吐出圧力と前記第2の材料の吐出圧力とを途中で変化させることにより、横断面積を部分的に変化させてなる前記成形体を得る成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。
(8) 前記第1の吐出口の横断面積は、前記第2の吐出口の横断面積の0.2〜3倍である上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
前記光導波路と前記光素子とが光学的に接続されるように、前記光導波路を加工してミラーを形成する工程とを有することを特徴とする光電気混載基板の製造方法。
まず、本発明の光導波路の製造方法について説明する。
図5に示す内層1には、長尺状の3つのコア部11と、これらのコア部11の側面に隣接して設けられた側面クラッド部12とが形成されている。したがって、各コア部11は、その側方に位置する側面クラッド部12と、下方および上方に位置する外層2とからなるクラッド部16で囲まれている。
屈折率差(%)=|A/B−1|×100
以上のような光導波路10は、本発明の光導波路の製造方法により製造される。
[1]成形工程
まず、光導波路10を形成するための材料を押出成形法により供給する押出成形装置5を用意する。
基材6には、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等が用いられる。
また、上記式中、m:nは、質量比で4:6〜7:3程度であるのが好ましく、4:6〜6:4程度であるのがより好ましい。
[(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]r ・・・(Ib)
[式Ia、Ib中、それぞれ、E(R)3は、第15族の中性電子ドナー配位子を表し、Eは、周期律表の第15族から選択される元素を表し、Rは、水素原子(またはその同位体の1つ)または炭化水素基を含む部位を表し、Qは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。また、式Ib中、LBは、ルイス塩基を表し、WCAは、弱配位アニオンを表し、aは、1〜3の整数を表し、bは、0〜2の整数を表し、aとbとの合計は、1〜3であり、pおよびrは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。]
以上のような内層形成用材料1’を用いて内層1が形成される。
[2−1] 次に、開口(窓)1351が形成されたマスク(マスキング)135を用意し、このマスク135を介して、成形体3に対して活性放射線(活性エネルギー光線)130を照射する(図3(c)参照)。
これにより、内層1の照射領域125内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して(活性状態となって)、モノマーの反応(重合反応や架橋反応)が生じる。
これにより、未照射領域140および/または照射領域125に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる(活性状態とする)ことにより、各領域125、140に残存するモノマーを反応させる。
これにより、得られる内層1に生じる内部応力の低減や、コア部11および側面クラッド部12の更なる安定化を図ることができる。
前記工程を経て得られた、つづら折り状のパターンをなす光導波路10’は、直線状部分と折り返し部分17とが交互に繰り返し連結されたものである。
次に、本発明の光電気混載基板の製造方法について説明する。
図7、8は、本発明の光電気混載基板の製造方法を説明するための斜視図である。なお、以下の説明では、図7、8中の上側を「上」、下側を「下」という。
まず、配線基板101を用意し、その下面に2つの光素子103を互いに離間して搭載する(図7(a)参照)。
1’ 内層形成用材料
2 外層
2’ 外層形成用材料
3 成形体
5 押出成形装置
50 ノズル
50a 内筒
50b 外筒
51 第1の吐出口
52 第2の吐出口
6 基材
7 ミラー
10 光導波路
10’ つづら折り状のパターンをなす光導波路
11 コア部
12 側面クラッド部
16 クラッド部
17 折り返し部分
100 光電気混載基板
101 配線基板
102 スルーホール
103 光素子
125 照射領域
130 活性放射線
135 マスク
140 未照射領域
1351 開口
Claims (12)
- 長尺状のコア部と、該コア部を囲むように設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路を製造する光導波路の製造方法であって、
第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられた第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有する成形体を押出成形した後、前記成形体をその自重で前記基材上に広がらせることにより、前記成形体を扁平状にする成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 長尺状のコア部と、該コア部を囲むように設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路を製造する光導波路の製造方法であって、
第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられた第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有し、直線状部分と折り返し部分とが交互に繰り返し連結されたつづら折り状の成形体を押出成形する成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程と、
前記露光工程の前または後に設けられ、前記つづら折り状の成形体または前記光導波路のうち、前記折り返し部分を切り落して、複数の前記直線状部分を得る切断工程と、を有することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 前記露光工程において、前記つづら折り状の成形体のうち、複数の前記直線状部分に対して活性放射線を一括して照射する請求項2に記載の光導波路の製造方法。
- 長尺状のコア部と、該コア部を囲むように設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路を製造する光導波路の製造方法であって、
横断面の外周の形状がほぼ真円である第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられ横断面の外周の形状がほぼ真円である第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有する成形体を押出成形する成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 長尺状のコア部と、該コア部を囲むように設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路を製造する光導波路の製造方法であって、
第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられた第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、基材に対して前記ノズルを相対的に移動させつつ、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、前記基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有する成形体を押出成形する際に、前記基材に対する前記ノズルの相対的な移動速度を途中で変化させることにより、横断面積を部分的に変化させてなる前記成形体を得る成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 長尺状のコア部と、該コア部を囲むように設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路を製造する光導波路の製造方法であって、
第1の吐出口と、該第1の吐出口を囲むように設けられた第2の吐出口とを有する二重管構造のノズルを用い、基材に対して前記ノズルを相対的に移動させつつ、前記第1の吐出口から第1の材料を押し出すとともに、前記第2の吐出口から前記第1の材料と異なる第2の材料を押し出すことにより、前記基材上に、前記第1の材料で構成された長尺状の内層と、該内層を囲むように設けられ、前記第2の材料で構成された筒状の外層とを有する成形体を押出成形する際に、前記ノズルから吐出する前記第1の材料の吐出圧力と前記第2の材料の吐出圧力とを途中で変化させることにより、横断面積を部分的に変化させてなる前記成形体を得る成形工程と、
該成形体中の前記内層に対して活性放射線を部分的に照射することにより、照射領域の屈折率を部分的に変化させ、前記内層中に前記コア部と前記クラッド部の一部とを形成し、前記光導波路を得る露光工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 前記第1の材料は、活性放射線の照射により屈折率が変化し得る材料であり、かつ、前記第2の材料は、前記第1の材料の前記変化後の屈折率のうち、最も高い値よりも屈折率の小さい材料である請求項1ないし6のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
- 前記第1の吐出口の横断面積は、前記第2の吐出口の横断面積の0.2〜3倍である請求項1ないし7のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
- 前記第1の材料の粘度および前記第2の材料の粘度は、それぞれ20℃において、5〜1000Pa・sである請求項1ないし8のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
- 前記露光工程において、前記コア部を複数有する光導波路を得る請求項1ないし9のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
- 前記露光工程の後に、前記光導波路を前記基材から剥離する剥離工程を有する請求項1ないし10のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
- 前記基材として光素子を搭載した配線基板を用意し、該配線基板上に、請求項1ないし10のいずれかに記載の光導波路の製造方法により、前記光素子の搭載位置に合わせて前記光導波路を形成する工程と、
前記光導波路と前記光素子とが光学的に接続されるように、前記光導波路を加工してミラーを形成する工程とを有することを特徴とする光電気混載基板の製造方法。
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