TW201013304A - EUV reticle substrates with high thermal conductivity - Google Patents

Description

201013304 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於微影裝置中之圖案化器件。 【先前技術】 微影術被廣泛地認為製造積體電路（ic)以及其他器件及/ 或結構時之關鍵製程。微影裝置為在微影術期間所使用之 將所要圖案施加至基板上（諸如施加至基板之目標部分上） 的機器。在藉由微影裝置來製造1C期間，圖案化器件（其 或者被稱作光罩或主光罩）產生待形成於1C中之個別層上 的電路圖案。可將此圖案轉印至基板（例如，矽晶圓）上之 目標部分（例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶 粒）上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻 射敏感材料（例如，抗姓劑）層上。一般而言，單一基板含 有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。製造1C之不同層 通常會需要藉由不同主光罩而將不同圖案成像於不同層 上。因此，必須在微影製程期間改變主光罩。 現有極紫外線（EUV)微影裝置併有具有由超低膨脹 (ULE)玻璃形成之基板的反射主光罩，ULE玻璃為在一寬 操作溫度範圍内具有為大體上零之熱膨脹係數的玻璃-陶 瓷材料。選擇ULE玻璃以作為基板係基於ULE玻璃之熱膨 脹係數及針對為EUV微影應用所必要之精細表面要求（亦 即，展現極低粗糙度、大體上無缺陷且大體上平坦之表 面）而拋光ULE玻璃之表面的能力。 一般而言，用於EUV微影裝置之現有反射主光罩展現大 142313.doc 201013304 約70%之反射率。因此，取決於待印刷之圖案，現有反射 主光罩可吸收入射EUV輻射光束之在大約3〇%與ι〇〇%之間 的能量。該吸收可導致主光罩之顯著加熱，儘管ULE玻璃 基板之熱膨脹係數相對較低，但此顯著加熱亦可使主光罩 表面失真，且將誤差引入於經投影影像中。 ’ 另外’即使最佳地冷卻該反射主光罩之背側，EUV輻射 * 之吸收亦可導致在具有ULE玻璃基板之主光罩之厚度内的 過大熱梯度。該等過大熱梯度可由ULE玻璃基板之相對較 φ 低熱傳導性引起，此促成ULE玻璃基板内之相對較高熱阻 且因此促成主光罩内之相對較高熱阻。將減少主光罩之熱 阻的對現有主光罩設計之一修改係薄化ULE玻璃基板且因 • 此薄化主光罩。然而，此修改可在使經圖案化表面保持平 1 坦方面產生極端且潛在不可克服之困難。此外，該主光罩 將偏離EUV反射主光罩之所接受業界厚度（例如，大約635 毫米±0.10毫米）。 【發明内容】 ^ 因此，需要一種用於EUV微影應用中之反射主光罩，其 大體上減少或消除歸因於EUV輻射之吸收的圖案失真，同 " 時維持符合業界標準之主光罩厚度，藉此大體上避免習知 - 系統之缺點。 在一實施例中，一種主光罩包括光學層，光學層具有第 一表面及第二表面。主光罩亦包括基板，基板具有大體上 大於光學層之熱傳導性的熱傳導性。傳導層安置於光學層 與基板之間。傳導層接合至⑴基板之表面及（ii)光學層之 142313.doc 201013304 第表面中的一或多者。舉例而言光學層可為具有大體 上零熱膨脹係數之材料，基板可為具有大體上零熱膨脹係 數之材料’且傳導層可為鋁。 在另實施例中’一種微影裴置包括：照明系統，照明 系統經組態以產生輻射光束；主光罩，主光罩經組態以圖 案化輻射光束’及技影系統，投影系統經組態以將經圖案 化光束投影至基板之目標部分上。主光罩包括光學層，光 學層具有第—表面及第二表面。主光罩亦包括基板，基板 具有大體上大於光學層之熱傳導性的熱傳導性。傳導層安 置於光學層與基板之間，且傳導層接合至⑴基板之表面及 (11)光學層之第一表面中的一或多者。舉例而言，光學層 可為具有大體上零熱膨脹係數之材料，基板可為具有大體 上零熱膨脹係數之材料，且傳導層可為銘。 在另一實施例中，提供一種用於製造主光罩之方法，其 將傳導材料層安置至光學層之第一表面上。接著，將傳導 材料層接合至⑴中間層之第一表面或（ii)具有大體上大於 光學層之熱傳導性的熱傳導性之基板之表面中的一者。 在另一實施例中，提供一種用於製造用於極紫外線微影 (EUVL)系統中之主光罩的方法。將厚基板接合至薄膜多 層塗層以提供具有第一熱傳導性之EUVL主光罩，第一熱 傳導性相對地高於以單一材料層而形成之反射微影主光罩 之第二熱傳導性。 以下參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外實施例、 特徵及優點’以及本發明之各種實施例之結構及操作。 142313.doc 201013304 【實施方式】 併入於本文中且形成本說明書之—部分的隨附圖式說明 本發明之一或多個實施例，且連同描述進一步用以解釋本 發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。 I. 概述

本發明係針對包括具有高熱傳導性之基板的主光罩，且 尤其係針對用於具有冑熱傳導性之Euv反射纟光罩的基 板。本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。 所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之㈣不限於所揭 示實施例。本發明係由此處附加之申請專利範圍界定。 所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例 實施例」#等之參考指示所描述實施例可能包括一特定特 徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特 徵、結構或特性。此外，該等短語未必指代同—實施例。 另外，當結合-實施例來描述—特定特徵、結構或特性 時’應理解’無論是否明確地進行描述，結合其他實施例 來實現該特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識 一：發明之實施例可以硬體、勒體、軟體或其任何組合, :::::發明之實施例亦可被實施為儲存於機器怖 之“’其可由—❹個處判讀取及執行 讀媒體可包括用賤存或傳輸⑼由機器⑼如 乡 式之資訊的任何機構。舉例而言機_ 匕括：唯讀記憶體(ROM”隨機存取記㈣ 142313.doc 201013304 (RAM);磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器 件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號（例如，載 波、紅外線信號、數位信號，等等）；及其他者。另外， 韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動 作。然而’應瞭解，該等描述僅僅係出於方便起見，且該 等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌 體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。 在各種實施例中’適合用於EUV微影裝置中之反射主光 罩包括光學層，光學層在主光罩於EUV微影裝置中被曝光 至之溫度範圍内具有為大體上零之熱膨脹係數。光學層包 括：第一表面’傳導層安置於第一表面上；及第二表面， 第二表面可經拋光成大體上平坦且大體上無缺陷。舉例而 言，光學層可由超低膨脹（ULE)鈦-矽酸鹽玻璃形成，且傳 導層可為鋁。 在一實施例中，傳導層直接接合至基板之第一表面，基 板在一操作溫度範圍内具有為大體上零之熱膨脹係數且具 有大體上南於光學層之熱傳導性的熱傳導性。在該實施例 中，基板可由菫青石（Cordierite)形成，菫青石具有&ULE 玻璃之熱傳導性大大約三倍的熱傳導性。經接合基板及光 學層形成適合用於EUV微影應用中之主光罩。 在一額外實施例中，可將第二傳導層安置至基板之第一 表面上。另外，可接著將第一傳導材料層接合至中間層之 第一表面，且可將第二傳導層接合至中間層之第二表面。 舉例而言，基板可由蓳青石形成（如以上所描述），中間層 142313.doc 201013304 可由微晶玻璃（Zerodur)(無孔無機玻璃陶瓷材料）形成，且 第二傳導層可為鋁。在該實施例中，經接合光學層、中間 層及基板形成適合用於EUV微影應用中之主光罩。 此等反射主光罩（如以下在其各種實施例中所描述）大體 上減少或消除由EUV輻射之吸收引起的圖案失真，同時維 • 持符合業界標準之主光罩厚度。因而，此等反射主光罩大 - 體上避免現有EUV主光罩技術之缺點。 然而，在更詳細地描述該等實施例之前，有指導性的係 φ 呈現可實施本發明之實施例的實例環境。 Π.實例微影環境 A·實例反射微影系統及透射微影系統 圖1A及圖1B分別示意性地描繪微影裝置ι〇〇及微影裝置 100’。微影裝置100及微影裝置1 00’各自包括：照明系統 (照明器）IL ’其經組態以調節輻射光束B(例如，duV或 EUV輻射）；支撐結構（例如，光罩台）MT ,其經組態以支 撐圖案化器件（例如，光罩、主光罩或動態圖案化器 參 件）MA，且連接至經組態以精確地定位圖案化器件河八之 第一定位器PM ;及基板台（例如，晶圓台）WT，其經組態 " 以固持基板（例如，塗覆抗姓劑之晶圓）W ,且連接至經組 - 態以精確地定位基板W之第二定位器PW。微影裝置1 00及 100'亦具有投影系統PS，其經組態以將由圖案化器件μα 賦予至輪射光束Β之圖案投影至基板w之目標部分（例如， 包含一或多個晶粒）C上。在微影裝置1〇〇中，圖案化器件 ΜΑ及投影系統PS係反射的，且在微影裝置丨〇〇,中，圖案 142313.doc 201013304 化器件ΜΑ及投影系統pS係透射的。 照明系統IL可包括用於引導、成形或控制輕射B之各種 類型的光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或 其他類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置 1〇〇及100,之設計及其他條件（諸如圖案化器件1^八是否固持 於真空環境中）的方式來固持圖案化器件ma。支撐結構 MT可使用機械、真空、靜電或其他夹持技術來固持圖案 化器件MA。支撐結構Μτ可為（例如）框架或台，其可根據 需要而為固定或可移動的。支推結構⑽可確保圖案化器 件（例如）相對於投影系統”而處於所要位置。 術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解釋為指代可用以 在轄射光束B之橫截面中向輻射光束3賦予圖案以便在基 板W之目標部分c中形成圖案的任何器件。被賦予至輕射 光束B之圖案可對應於目標部分C中所形成之器件（諸如積 體電路）中的特定功能層。 圖案化器件MA可為透射的（如在圖⑺之微影裝置1〇〇，幻 或為反射的(如在圖1A之微影裝置中）。圖案化器件Ma 之實例包括主光罩、光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式 化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如一 兀、交變相移及衰減相移之光罩類$，以及各種混合光罩 類型。可程式化鏡面陣列之-實例使用小鏡面之矩陣配 置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方 向上反射入射輕射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩 142313.doc 201013304 陣所反射之輻射光束B中。 術語「投影系統」PS可涵蓋任何類型之投影系統，包括 折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其 任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸 沒液體之使用或真空之使用的其他因素。真空環境可用於 EUV或電子束輻射，因為其他氣體可能吸收過多輻射或電 * 子。因此，可藉助於真空壁及真空泵而將真空環境提供至 整個光束路徑。 • 微影裝置1〇0及/或微影裝置100·可為具有兩個（雙平台） 或兩個以上基板台（及/或兩個或兩個以上光罩台）WT的類 型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外基板台 WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多 個其他基板台WT用於曝光。 參看圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源s〇接收輻射光 束。舉例而s，當輻射源s〇為準分子雷射時，輻射源S〇 與微影裝置100、1〇〇,可為單獨實體。在該等情況下，不認 癱 為輻射源so形成微影裝置100或1〇〇,之一部分且輻射光 束B藉助於包含（例如）適當引導鏡面及/或光束放大器之光 束傳送系統BD(圖1B)而自輻射源s〇傳遞至照明器ΙΣ^在 - 其他情況下，例如，當輻射源SO為汞燈時，輻射源SO可 為微影裝置100、100,之整體部分。輻射源s〇及照明器比 連同光束傳送系統B D (在需要時）可被稱作輻射系統。 照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整 器AD(圖1B)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分 142313.doc 201013304 布的至少外部控向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱 作aouter&〇inner)。此外，照明器江可包含各種其他組件（圖 1B)，諸如積光器IN及聚光器c〇。照明器比可用以調節輻 射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。 參看圖1A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構（例如， 光罩台）MT上之圖案化器件（例如，光罩}]^入上，且係藉由 圖案化器件MA而圖案化。在微影裝置1〇〇中，輻射光束b 係自圖案化器件（例如，光罩）MA反射。在自圖案化器件 (例如，光罩）MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統 PS，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板w之目標部分匸 上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量 測器件、線性編碼器或電容性感測器），基板台WT可精確 地移動例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標 部分c。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器ιρι可 用以相對於輻射光束B之路徑而精確地定位圖案化器件（例 如，光罩）MA。可使用光罩對準標記Ml、M2及基板對準 標記PI、P2來對準圖案化器件（例如，光罩）ma及基板w。 參看圖1B，輻射光束8入射於被固持於支撐結構（例如， 光罩〇 MT)上之圖案化器件（例如，光罩MA)上’且係藉由 圖案化ϋ件而圖案化。在橫穿光罩隐後，輻射光束B傳遞 ，過投影系統PS ’投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標 邛刀C上。藉助於第二定位器pw及位置感測器ιρ(例如， 干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器），基板台资 °精確地移動’例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不 142313.doc 201013304 同目標部分C。類似地’第一定位器pm及另一位置感測器 (其未在圖1B中被明確地描繪）可用以（例如）在自光罩庫之 機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束]3之路徑而精 確地定位光罩MA。 一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之一部分的長 • 衝程模組（粗略定位）及短衝程模組（精細定位）來實現光罩 • 台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部 分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。 φ 在步進器（與掃描器相對）之情況下，光罩台MT可僅連接至 短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記 MI、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板w。 儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可 位於目標部分之間的空間中（被稱為切割道對準標記）^類 似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩 對準標記可位於該等晶粒之間。 微影裝置100及1〇〇’可用於以下模式中之至少一者中： ® L在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案 一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構（例如，光罩 -台）MT及基板台WT保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝 -光）。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可 曝光不同目標部分C。 2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束b之圖案投影 至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構（例如，光罩 台）MT及基板台|丁（亦即，單次動態曝光）。可藉由投影系 142313.doc •13· 201013304 統ps之放大率（或縮小率）及影像反轉特性來判定基板台 WT相對於支樓結構（例如，光罩台）Μτ之速度及方向。 在另模式中，在將被賦予至輻射光束b之圖案投影 至目標部分C上時，使支撑結構（例如，光罩台）MT保持大 體上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或㈣ 基板台WT。可使用脈衝式輻射源s〇，且在基板台WT之每 -移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而 更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用 可程式化圖案化器件（諸如本文所提及之類型的可程式化 鏡面陣列）之無光罩微影術。 亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全 不同的使用模式。 儘g在本文中可特定地參考微影裝置在1C製造中之使 用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用， 諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖 案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。 熟習此項技術者應瞭解’在該等替代應用之情境中，可認 為本文對術語「晶圓」4「晶粒」之任何使时別與更通 用之術基板」4「目標部分」同義。可在曝光之前或 之後在（例如）軌道（通常將抗蝕劑層施加至基板且顯 影經曝 光抗敍齊]之工具）、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文 所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其 他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，（例如） 以便形成多層1C，使得本文所使用之術語基板亦可指代已 142313.doc 201013304 經含有多個經處理層之基板。 在另一實施例中，微影裝置100包括極紫外線（EUV)源， EUV源經組態以產生用於euv微影術之EUV輻射光束。一 般而言’ EUV源經組態於輻射系統（見下文）中，且對應照 明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。 • B.實例EUV微影裝置 • 圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例的例示性EUV 微影裝置200。在圖2中，EUV微影裝置200包括輻射系統 Ο 42、照明光學器件單元44及投影系統PS。輻射系統42包括 輻射源SO，其中輻射光束可由放電電漿形成。在一實施例 中’ EUV輻射可由氣體或蒸汽產生，例如，由Xe氣體、Li 蒸Ά或Sn蒸汽產生，其中形成極熱電漿以發射在電磁光譜 之EUV範圍内的輻射。可藉由（例如）放電而產生至少部分 地離子化之電漿來形成極熱電漿。為了輻射之有效產生， 可能需要為（例如）1〇 Pa之分壓的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其 他適當氣體或蒸气。由輕射源s〇所發射之轄射係經由定位 _ 力源腔室47中之開口中或後的氣體障壁或污染物捕捉器的 而自源腔室47傳遞至集光器腔室48中。在一實施例中，氣 • 體障壁49可包括通道結構。 ' 集光器腔室48包括可由掠入射集光器形成之輻射集光器 5〇(其亦可被稱作集光器鏡面或集光器）。輻射集光器⑼具 有上游輻射集光器側5〇a及下游輻射集光器侧5此，且由集 光器50所傳遞之輻射可經反射離開光拇光講遽光器η以在 集光器腔室48中之孔徑處聚焦於虛擬源點叫。熟習此項 142313.doc -15- 201013304 技術者已知輻射集光器50。 自集光器腔室48’輻射光束56係在照明光學器件單元44 中經由法線入射反射器53及54而反射至定位於主光罩台或 光罩台MT上之主光罩或光罩（未圖示）上。形成經圖案化光 束57 ’其係在投影系統Ps中經由反射元件58及59而成像至 被支撐於晶圓平台或基板台WT上之基板（未圖示）上。在各 種實施例中，照明光學器件單元44及投影系統PS可包括比 圖2所描螬'之元件多（或少）的元件。舉例而言，取決於微影 裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器51。另外，在 一實施例中’照明光學器件單元44及投影系統PS可包括比 圖2所描繪之鏡面多的鏡面。舉例而言，除了反射元件58 及59以外，投影系統ps亦可併有一至四個反射元件。在圖 2中’參考數字1 80指示兩個反射器之間的空間，例如，反 射器142與143之間的空間。 在一實施例中’代替掠入射鏡面或除了掠入射鏡面以 外’集光器鏡面50亦可包括法線入射集光器。另外，儘管 關於具有反射器142、143及146之巢套式集光器而進行描 述’但在本文中進一步將集光器鏡面50用作集光器之實 例。 另外’代替光栅51，如圖2示意性地所描繪，亦可應用 透射光學濾光器。熟習此項技術者已知對於EUV為透射之 光學濾光器以及對於UV輻射為較不透射或甚至大體上吸 收UV輻射之光學濾光器。因此，「光柵光譜純度濾光器」 之使用在本文中進一步被可互換地指示為「光譜純度渡光 1423I3.doc •16· 201013304 器」’其包括光柵或透射渡光器。儘管圖2中未描繪，但可 包括作為額外光學元件之EUV透射光學濾光器（例如，經 組態於集光器鏡面50之上游），或照明單元44及/或投影系 統PS中之光學EUV透射濾光器。 相對於光學元件之術語「上游」及「下游」指示一或多 • 個光學元件分別在一或多個額外光學元件之「光學上游」 * 及「光學下游」之位置。遵循輻射光束橫穿通過微影裝置 200之光路’比第二光學元件更接近於源s〇之第一光學元 φ 件經組態於第二光學元件之上游；第二光學元件經組態於 第一光學元件之下游。舉例而言，集光器鏡面5〇經組態於 光譜濾光器5 1之上游，而光學元件53經組態於光譜濾光器 51之下游。 圖2所描繪之所有光學元件（及此實施例之示意性圖式中 未展示的額外光學元件）均可易受由源§〇所產生之污染物 (例如，Sn)之沈積的損壞。對於輻射集光器5〇及（在存在 時）光譜純度滤、光器5 1可為該情況。因此，可使用清潔器 ® 件以清潔此等光學元件十之一或多者，以及可將清潔方法 應用於彼等光學70件，而且應用於法線入射反射器53及54 以及反射兀件58及59或其他光學元件（例如，額外鏡面、 - 光柵，等等）。 輻射集光器50可為掠入射集光器，且在該實施例中，集 光器50係沿著光轴〇而對準。源s〇或其影像亦可沿著光軸 〇而定位。輻射集光器50可包含反射器142、143及146(亦 被稱作「殼體」（shell)或Wolter型反射器（包括若干w〇her 142313.doc 17 201013304 型反射器））。反射器142、U3及146可為巢套式且圍繞光轴 〇而旋轉對稱。在圖2中，内部反射器係由參考數字142指 示，中間反射器係由參考數字143指示，且外部反射器係 由參考數字146指示。輻射集光器50封閉某一容積，亦 即，外部反射器146内之容積。通常，外部反射器146内之 容積係圓周閉合的，但可存在小開口。 反射器142、143及146分別可包括至少一部分表示一反 射層或許多反射層之表面。因此，反射器142、143及 146(或具有三個以上反射器或殼體之輻射集光器之實施例 中的額外反射器）經至少部分地設計以用於反射及收集來 自源SO之EUV輻射，且反射器142、143及146之至少一部 分可能未經設計成反射及收集EUV輻射。舉例而言，反射 器之背側之至少一部分可能未經設計成反射及收集EuV輻 射。在此等反射層之表面上’可此外存在用於保護之頂蓋 層或作為提供於反射層之表面之至少一部分上的光學濟光 器。 輕射集光器50可置放於源s〇或源SO之影像附近。每一 反射器142、143及146可包含至少兩個鄰近反射表面，較 遠離於源SO之反射表面與較接近於源8〇之反射表面相比 經置放成與光轴Ο成小角度。以此方式，掠入射集光器5〇 經組態以產生沿著光軸〇而傳播之（E)UV輻射光束。至少 兩個反射器可經大體上同軸地置放且圍繞光袖〇而大體上 旋轉對稱地延伸。應瞭解，輕射集光器5〇可具有在外部反 射益146之外部表面上之另外特徵或圍繞外部反射器⑽之 142313.doc •18- 201013304 另外特徵，例如’保護固持器、加熱器，等等。 在本文所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元 件」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者 或其組合，包含折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組 件。 . 另外，本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有 • 類型之電磁輻射，包含紫外線（uv)輻射（例如，具有為365 奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長入）、 ® 極紫外線（EUV或軟Χ射線）輻射（例如，具有在為5奈米至20 奈米之範圍内的波長，例如，13.5奈米），或在小於5奈米 下工作之硬X射線；以及粒子束（諸如離子束或電子束）。 通常，認為具有在約780奈米至3〇〇〇奈米（或更大）之間的波 長之輻射係IR輻射^ UV指代具有大約1〇〇奈米至4〇〇奈米 之波長的輻射。在微影術内，其通常亦適用於可由汞放電 燈所產生之波長：G線436奈米；仏線4〇5奈米；及/或^線 365不米真空UV或VUV(亦即，由空氣所吸收之uv)指代 β 具有大約⑽奈米至2GG奈米之波長的輻射iUV(DUV)通 常指代具有在自126奈米至428奈米之範圍内之波長的輻 射，且在一實施例中，準分子雷射可產生用於微影裝置内 之DUV輻射。應瞭解，具有在（例如）5奈米至2〇奈米之範 圍内之波長的輻射係關於具有至少一部分係在5奈米至2〇 奈米之範圍内之某一波長帶的輻射。 III·用於具有高熱傳導性之Euv主光罩的例示性基板 圖3示意性地描繪由單一基板材料層形成之現有Ευν反 142313.doc •19- 201013304 射主光罩300的實例。在圖3中，主光罩300包括基板302， 一或多個高反射材料層已安置至基板302上以形成反射層 304。圖案（未圖示）可經由經圖案化抗蝕劑層之化學蝕刻或 (另外或或者）經由對於熟習此項技術者為顯而易見之任何 其他技術而形成至層304之反射表面304a上。 通常，現有EUV反射主光罩之基板（諸如基板3〇2)係由光 學級玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷材料及以在一寬溫度範圍（例 如’包括基板於EUV微影裝置中被曝光至之溫度範圍）内 之相對較低熱膨脹係數及高彈性模數為特徵的其他材料建 構。舉例而言，基板302可由超低膨脹（ULE)欽-石夕酸鹽玻 璃（諸如由 Corning, Incorporated, of Corning, New York製 造之ULE鈦-矽酸鹽玻璃）形成。 然而，由此等材料建構之基板亦展現在基板於EUV微影 裝置中被曝光至之溫度範圍内的相對較低熱傳導性值。舉 例而言，ULE玻璃之平均熱傳導性在25。(：下為大约1.3 1 W/(m-°C )，而鋁之平均熱傳導性在25°C下為大約250 W/(m-°C )。該等熱傳導性值可導致在基板之厚度内的相對 _ 較大熱阻（亦即，基板之厚度與其熱傳導性的商數），藉此 抑制熱遍及基板之均一分布及熱自基板至EUV微影裝置之 周圍部分（包括（但不限於）支撐主光罩之一或多個器件）之 傳導。 如以上所描述，現有EUV主光罩可吸收入射EUV輻射光 束之在大約30%與100%之間的能量。藉由主光罩而對EUV 輻射之該吸收可導致基板之局域化加熱，其歸因於基板之 142313.doc • 20· 201013304 機械性質而通常不能夠遍及基板而擴散或經傳導遠離於基 板。在該等情況下，此加熱可使基板局域地變形且因此使 對應反射層之經圖案化表面（例如’圖3中之反射層308之 表面308a)局域地變形。另外，圖案表面之熱驅動失真可 使被賦予至入射輻射光束上之圖案失真，且將誤差引入至 藉由EUV微影裝置而投影至基板上之影像中。 - 一般而言，現有EUV微影裝置不能夠補償藉由圖案化表 面之熱失真而引入至經圖案化影像中之多於一小分數的誤 φ 差。因而，經圖案化影像及圖案化表面兩者之熱失真為限 制現有EUV微影裝置中之成像效能的因素。另外，隨著將 更多能量傳送至反射主光罩以滿足EUV微影裝置中之容積 製造之增加的產出率需求，將很可能加劇歸因於主光罩加 熱之圖案失真的問題。 在一實施例中，可藉由增加反射主光罩中之基板的熱傳 導性來減輕歸因於輻射吸收之局域化主光罩加熱的效應。 藉由增加基板之熱傳導性且藉此降低基板之熱阻（在恆定 鲁厚度下），歸因於經吸收輻射之局域化加熱可遍及基板而 更均一地分布，且可更有效地經傳導遠離於基板而進入周 圍支撐器件，包括（但不限於）主光罩夾盤或光罩台。因 - 此主光罩基板之熱傳導性的增加可大體上減少或消除圖 案化表面之任何誘發性失真且因此大體上減少或消除經圖 案化影像中之任何誘發性誤差。 包括於用於EUV微影裝置之反射主光罩中的—適當基板 材料為堇青石，其為可自許多供應商（包括（但不限 U2313.doc •21- 201013304 於）Hitachi Metals America Ltd. of Tarrytown，New York)構 得之陶瓷材料。堇青石在由EUV主光罩所經歷之操作溫度 範圍内具有為大體上零之熱膨脹係數的同時亦具有比現有 主光罩基板材料之熱傳導性大大約三倍的熱傳導性。舉例 而言，在ULE玻璃在25°C下具有大約1.31 W/(m-t)之熱傳 導性的同時，蓳青石在25°C下之熱傳導性為大約3.〇 w/(m_ °C)。 然而，固體堇青石之微結構致使材料不適合用作現有反 射主光罩中之基板。固體蓳青石併有微觀空隙，微觀空隙 在拋光後便在經拋光蓳青石表面中形成孔及其他缺陷。此 等表面缺陷之存在致使經拋光莖青石表面不適合用於施加 反射材料以形成主光罩之反射層（例如，圖3中之主光罩 300之反射層308)。 在一實施例中，致使蓳青石不適合用作現有反射主光罩 中之基板的微結構缺陷可藉由將相對較薄光學材料層黏合 至蓳青石基板之表面而進行補救。在該實施例中，且如圖 4Α及圖4Β所描繪，薄光學層可經處理（例如，拋光）以產生 無表現經拋光菫青石表面之特性之彼等缺陷且適合於施加 反射材料的大體上平坦表面。在該實施例中，光學層足夠 薄以提供小熱阻，同時提供供以執行表面拋光、膜施加及 圖案化之習知玻璃表面。 圖4Α為根據本發明之一實施例的適合用於微影裝置中之 例不性反射主光罩400的分解示意圖。與用於euv微影裝 置（諸如圖3所描緣之EUV微影裝置）之現有反射主光罩技術 142313.doc -22· 201013304 對比，主光罩400包括基板402、光學層404，及安置於基 板402與光學層404之間的傳導層406。在該實施例中，主 光罩400之複合本性大體上減少或消除主光罩表面之失 真，及在經圖案化影像中歸因於輻射之吸收的表現現有 EUV反射主光罩之特性之誤差的引入。 在圖4A中，光學層404具有第一表面404a及第二表面 404b，且基板402具有第一表面402a及第二表面402b。在 該實施例中，傳導層406安置於光學層404之第一表面404a g 與基板402之第一表面402a之間。另外，在一實施例中， 傳導層406可安置至光學層404之第一表面404a上。 在一實施例中，傳導層406可為金屬層，包括（但不限 於）鋁、非金屬傳導材料（諸如石墨）或其任何組合。另外， 在一實施例中，可經由對於熟習此項技術者為顯而易見且 適合於材料之許多沈積技術中的任一者而將傳導層406沈 積至光學層404之第一表面404a上。舉例而言，可使用濺 鍍沈積或喷霧沈積而將傳導層406沈積於光學層404之第一 Ο 表面404a上。在額外實施例中，可使用適合於傳導層406 及光學層404之任何額外或替代技術來預製造傳導層406且 將傳導層406接合至光學層404之第一表面404a。 圖4B示意性地描繪圖4A所描繪之例示性主光罩400的額 外特徵。在圖4B中，主光罩400已藉由將安置至表面404a 上之傳導層406接合至基板402之第一表面402a以形成主光 罩400而形成。在一實施例中，可使用對於熟習此項技術 者為顯而易見之任何數目之技術（包括（但不限於）陽極接 142313.doc -23- 201013304 合）而將傳導層406接合至第一表面402a。 在一實施例中，主光罩400之第二表面402b(及基板402) 可在EUV微影裝置内由主光罩夾盤、光罩台或任何其他器 件支撐。在該實施例中，主光罩夾盤、光罩台或其他器件 可擔當用於主光罩400之散熱片，藉此促進熱自主光罩400 至EUV微影裝置之各種組件之轉移。 在一實施例中，且如圖4B所描繪，光學層404可接合或 以另外方式附著至基板402，使得光學層404之第一層404a 大體上平行於基板402之第一表面402a。另外，光學層404 之第二表面404b亦大體上平行於第一表面404a，且類似 地，基板402之第二表面402b大體上平行於第一表面 402a。然而，本發明不限於以該等組態而接合或以另外方 式附著之基板及光學層。在一額外實施例中，基板402及 光學層404之各別第一表面及第二表面可在不脫離本發明 之精神或範疇的情況下分別以包括（但不限於）相對於彼此 以任何角度而配置的任何組態而定向。 在一實施例中，且如以上所描述，光學層404可由在由 主光罩400所經歷之溫度範圍内具有為大體上零之熱膨脹 係數的材料形成。舉例而言，光學層404可由超低膨脹 (ULE)鈦石夕酸鹽玻璃（其係由Corning, Incorporated, of Corning, New York製造）形成。在該實施例中，可選擇光 學層404之厚度以維持相對較低熱阻，同時提供具有足夠 完整性之表面以支援拋光及反射膜之施加。舉例而言，光 學層404之厚度可在大約0.1毫米至大約0·5毫米之範圍内， 142313.doc -24- 201013304 但低至大約0.025毫米之厚度可為可能的。 另外，且如以上所描述，基板402可由堇青石形成，堇 青石在該溫度範圍内具有大體上零熱膨脹係數，且其亦具 有比光學層之熱傳導性大大約三倍的熱傳導性（例如，堇 青石在25°C下具有大約3.0 W/(m-°C)之熱傳導性，且ULE 玻璃在25°C下具有大約1.31 3.0 W/(m-°C )之熱傳導性）。在 一實施例中，基板402之厚度可在大約5.25毫米至大約6.25 毫米之範圍内。 g 如以上所描述，主光罩400在併入至EUV微影裝置中時 可吸收在大約30°/◦與100%之間的入射EUV輻射光束。然 而，在圖4A及圖4B之實施例中，可由EUV輻射之吸收引 起的光學層404之局域化加熱歸因於光學層404之低熱阻而 經快速地擴散或傳導通過光學層404且通過傳導層406而進 入基板402。另外，因為基板402之熱傳導性大體上高於現 有EUV主光罩之基板之熱傳導性，所以歸因於EUV輻射之 吸收的局域化加熱遍及基板而均一地擴散，且經快速地耗 Ο 散通過基板而進入主光罩夾盤、光罩台或在EUV微影裝置 内支撐主光罩400之其他結構。因此，且與圖3所描繪之現 有EUV主光罩對比，主光罩400大體上減少或消除主光罩 表面之任何失真，且因此大體上減少或消除歸因於來自經 吸收EUV輻射之局域化加熱的任何誘發性圖案誤差。 在圖4A及圖4B之實施例中，將傳導層406安置於光學層 404之第一表面404a上，且隨後將傳導層406接合至基板 402之第一表面402a。然而，在額外實施例中，中間材料 142313.doc -25· 201013304 層可進一步使光學層404絕緣於基板402。舉例而言，由菫 青石形成之基板可能不足夠電傳導以陽極接合至傳導層 406。在該實施例中’可將中間層定位於基板4〇2與光學層 404之間以促進該陽極接合。 圖5 A為根據本發明之一額外實施例的用於euv微影系統 中之例示性反射主光罩500的分解示意圖。與圖4之實施例 對比’主光罩500包括使基板502分離於光學層5〇4之中間 層530。在該實施例中，中間層53〇促進光學層5〇4與基板 502之間的接合。 類似於圖4A及圖4B之實施例，光學層504具有第一表面 504a及第二表面5〇4b。在一實施例中，第二表面5〇仆可經 由對於熟習此項技術者為顯而易見之許多技術中的任一者 (包括（但不限於）使用各種研磨化合物進行拋光）而經處理 成大體上平坦且無缺陷。 將傳導層506安置於光學層504之第一表面5〇乜與中間層 530之第一中間表面53〇a之間。在圖5A之實施例中，將傳 導層506安置至第一表面5’上。然而，本發明不限於該 等組態，且在額外實施例中，可在不脫離本發明之精神或 範疇的情況下將傳導層506安置至中間層53〇之第一中間表 面530a上。 在該等實施例中，傳導層506可為金屬層，包括（但不限 於)^、非金屬傳導材料（諸如石墨）或其任何組合。另外， 在一實施财，可經由對於„此項技術者為顯而易見且 適合於材料之許多沈積技術中的任―者而將傳導層5〇6沈 I42313.doc 201013304 積至光學層504之第一表面50钻上（或或者，沈積至中間層 530之第一中間表面530a±)。舉例而言，可使用任何濺鑛 沈積、喷霧沈積或物理氣相沈積技術而將傳導層5〇6沈積 於第一表面504a或第一中間表面530a上。 在額外實施例中，傳導層506可為經預製造傳導材料 • 層。在該等實施例中，經預製造傳導層506可接合至光學 . 層504之第一表面5〇4a或中間層530之第一中間表面53〇&， 此對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於材料。 參 與圖4A及圖4B之實施例進一步對比，將第二傳導層516 t置於中間層530與基板502之間。在圖5A之實施例中，將 第二傳導層516安置至基板5〇2之第一表面5〇2a上。然而， 本發明不限於該組態’且在一額外實施例中，可在不脫離 本發明之精神或範疇的情況下將傳導層516安置至中間層 530之第二中間表面530b上。 在該等實施例中’且類似於以上所描述之實施例，傳導 層516可為金屬層，包括（但不限於）鋁、非金屬傳導材料 ❹ （諸如石墨）或其任何組合。另外’在一實施例中，可經由 對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於材料之許多沈積 技術中的任一者而將傳導層516沈積至基板502之第一表面 • 502a上（或或者，沈積至中間層530之第二中間表面53〇b 上）。舉例而言，可使用任何藏鑛沈積、喷霧沈積或物理 氣相沈積技術而將傳導層516沈積於第一表面502a或第二 中間表面530b上。 圖5B示意性地描繪圖5A所描繪之主光罩500的額外特 142313.doc •27· 201013304 徵。在圖5B中，已藉由首先將如安置至光學層5〇4之第一 表面504a上的傳導層5〇6接合至中間層53〇之第一中間表面 530a且藉由接著將如安置於基板5〇2之第一表面5〇2a上的 傳導層516接合至中間層53〇之第二中間表面53〇1?而形成主 光罩500 °在一實施例中’可將傳導層5〇6及5 13分別陽極 接合至第一中間表面530a&第二中間表面53〇b。然而，本 發明不限於陽極接合’且在額外實施例中，可使用對於熟 習此項技術者為顯而易見且適合於中間層530以及傳導層 506及516之許多技術中的任一者而將傳導層506及516中之 一或多者分別接合或以另外方式附著至對應第一中間表面 530a及第一中間表面530b。 在一實施例中’基板502之第二表面502b(及因此，主光 罩500)可由主光罩夾盤、光罩台或經組態以在euv微影裝 置内支撐主光罩500之任何其他器件支撐。在該實施例 中’主光罩爽盤、光罩台或其他器件可擔當用於主光罩 500之散熱片’藉此促進熱自主光罩5〇〇至Euv微影裝置之 各種組件之轉移。 在圖5A及圖5B之實施例中，光學層504之第一表面5〇4a 及第二表面504b、基板502之第一表面502a及第二表面 502b與中間層530之第一中間表面53〇&及第二中間表面 53 Ob全部分別大體上相互平行。然而’本發明不限於以該 等組態而接合或以另外方式附著之基板及光學層。在一額 外實施例中’光學層504之第一表面504a及第二表面 50仆、基板502之第一表面502a及第二表面5〇2b與中間層 142313.doc -28 · 201013304 530之第一中間表面53〇a及第二中間表面53此中的—或多 者可在不脫離本發明之精神或範疇的情況下相對於任何其 他表面以任何角度而安置，此對於熟習此項技術者將為顯 而易見且將適合於主光罩5〇〇。 在一實施例中，且如以上參看圖4A及圖4B所描述，光 . 學層504可由在由主光罩5〇〇所經歷之溫度範圍内具有為大 . 體上零之熱膨脹係數的材料（包括（但不限於）超低膨脹 (ULE)鈦矽酸鹽玻璃）形成。在該實施例中，可選擇光學層 # 504之厚度以維持相對較低熱阻且提供具有足夠完整性之 表面以支援拋光。舉例而言，光學層5〇4之厚度可在大約 〇_1毫米至大約0.5毫米之範圍内，但低至大約〇 〇25毫米之 厚度可為可能的。 另外，且如以上所描述，基板502可由堇青石形成，菫 青石在該操作溫度範圍内具有大體上零熱膨脹係數，且其 亦具有比光學層之熱傳導性大大約三倍的熱傳導性（例 如，莖青石在25。(：下具有大約3.0 W/(m-〇C )之熱傳導性， ® iULE玻璃在下具有大約1.31 3.0 W/(m-°C )之熱傳導 性）。在一實施例中，基板5〇2之厚度可在大約5 25毫米至 ' 大約6.25毫米之範圍内。 另外’在圖5A及圖5B之實施例中，中間層530可由玻璃 材料、陶瓷材料或具有為大體上零之熱膨脹係數的玻璃_ 陶瓷材料形成。舉例而言’中間層530可由微晶玻璃形 成’微晶玻璃為由 Schott North America, Inc. of Elmsford，

New York製造之無孔無機玻璃-陶瓷材料。另外，在一實 142313.doc •29· 201013304 施例中’中間層530之厚度可大體上小於基板502之厚度， 且經選擇成使得中間層之熱阻大體上等於或小於光學層 504之熱阻。舉例而言，由微晶玻璃形成之中間層之厚度 可在大約0 1毫米至大約〇.5毫米之範圍内，但低至大約 0.025毫米之厚度可為可能的。 然而’本發明不限於由微晶玻璃形成之中間層，且在額 外實施例中’中間層530可由具有適當機械性質（例如，在 一操作溫度範圍内之大餿上零熱膨脹係數）且能夠促進與 光學層504及基板502之陽極接合之許多材料中的任一者形 成。 如以上所描述，主光罩500在併入至EUV微影裝置中時 可吸收在大約30°/。與100%之間的入射EUV輻射光束。然 而，且類似於圖4A及圖4B之實施例，可由EUV輻射之吸 收引起的光學層504之任何局域化加熱歸因於光學層之低 熱阻而經快速地擴散（例如，傳導）通過光學層、通過傳導 層5〇6而進入中間層53〇，且隨後通過第二傳導層516且進 入基板502。另外，因為基板5〇2之熱傳導性大體上高於現 有EUV主光罩之基板中之熱傳導性，所以歸因於Euv輻射 之吸收的基板之局域化加熱遍及基板而擴散，且經耗散通 過主光罩夾盤、光罩台或在EUV微影裝置内支撐主光罩 500之其他結構。因此，且與圖3所描繪之現有euv主光罩 對比，主光罩500亦大體上減少或消除主光罩表面之任何 失真，且因此大體上減少或消除歸因於來自經吸收euv輻 射之局域化加熱的任何誘發性圖案誤差。 142313.doc -30· 201013304 圖6不意性地描繪根據本發明之一實施例的在額外處理 及圖案化之後的例示性主光罩6〇〇(諸如圖4A至圖4b及圖 5A至圖5B所描繪之主光罩）之一部分。在圖6中主光罩 600之光學層604具有安置有傳導塗層6〇6之第一表面 604a，及第二表面604b。在圖6之實施例中使用對於熟 • 習此項技術者為顯而易見之許多技術中的任一者來處理第 . 一表面6〇朴，以產生大體上無任何缺陷之大體上平坦表 面。在該實施例中，可將對於EUV輻射為高度反射之材料 參 層608施加至經拋光表面604b，且可在反射層内形成圖 案。舉例而言，可將抗蝕劑層施加至層608，可將彼抗蝕 劑層曝光至適當波長之輻射，且可使用對於熟習此項技術 者為顯而易見之任何技術來蝕刻經曝光抗蝕劑層以在層 608上形成圖案。 在一實施例中，主光罩之製造商可將高度反射層6〇8施 加至光學層604之表面604b。然而，在額外實施例中，主 光罩600之最終使用者可在將主光罩6〇〇傳送至使用者之後 ❹ 將尚度反射層608施加至光學層004之第二表面6〇4b。另 外，在一實施例中，如以上所描述，主光罩之最終使用者 ' 亦可在傳送之後圖案化高度反射層608。 圖7為根據本發明之一實施例的用於製造適合用於Ευν 祕t/裝置中之主光罩（諸如圖4 A及圖48之主光罩4〇〇)之例 不性方法700的流程圖。在步驟7〇2中，將包括（但不限於） 鋁之傳導材料層安置至超低膨脹（ULE)鈦-矽酸鹽玻璃層之 第—表面上。在該實施例中，選擇111^玻璃層之厚度，使 142313.doc -31· 201013304 得ULE玻璃層之熱阻在一溫度範圍内相對較低。 在一實施例中，可使用對於熟習此項技術者為顯而易見 且適合於材料之許多沈積技術中的任一者而將傳導層安置 至ULE玻璃層之第一表面上。舉例而言，步驟7〇2可使用 任何減鑛沈積、喷霧沈積或物理氣相沈積技術而將傳導層 沈積至ULE玻璃層之第一表面上。 隨後，在步驟704中將安置於ULE玻璃層上之傳導層接 合至蓳青石基板之第一表面以形成主光罩。在一實施例 中’步驟704將莖青石基板之第一表面陽極接合至傳導 層。然而，在額外實施例中，可在不脫離本發明之精神或 範疇的情況下使用對於熟習此項技術者為顯而易見且適合 於菫青石基板及傳導層之任何數目之技術而將菫青石基板 之第一表面接合或以另外方式附著至傳導層。 接著，在步驟706中處理ULE玻璃層之第二表面以形成 大體上無缺陷之大體上平坦表面。在一實施例中，可在步 驟706中拋光ULE玻璃層之第二表面以得到大體上平坦且 大體上無缺陷之表面。然而，在一額外或替代實施例中， 可在步驟706中在不脫離本發明之精神或範疇的情況下使 用對於熟習此項技術者為顯而易見之任何技術來處理第二 表面。 圖8為根據本發明之一實施例的用於製造適合用於 微影裝置中之主光罩（諸如圖5 A及圖5B之主光罩500)之例 不性方法800的流程圖。在步驟8〇2中，將包括（但不限於） 鋁之傳導材料層安置至⑴超低膨脹（ULE)鈦-矽酸鹽玻璃層 I423l3.doc -32· 201013304 之第一表面及（ϋ)堇青石基板之第一表面上。在一實施例 中’選擇ULE玻璃（或另一光學層）之厚度，使得ULE玻璃 (或另一光學層）之熱阻在一可適用溫度範圍内相對較低。 在一實施例中，可使用對於熟習此項技術者為顯而易見 且適合於材料之許多沈積技術中的任一者而將傳導層安置 至ULE玻璃層之第一表面及堇青石基板之第―表面上。舉 • 例而。步驟802可使用任何濺鍍沈積、喷霧沈積或物理 氣相沈積技術而將傳導層沈積至ULE玻璃層之第一表面及 ❹"石 基板之第一表面上。 隨後，在步驟804中將安置於蓳青石基板上之傳導層接 合至中間微晶玻璃層（例如，圖5A及圖5b之層53〇)之第一 表面。另外，在步驟8〇6中，接著將安置於ULE玻璃層上 之傳導層接合至微晶玻璃層之第二表面，藉此形成主光 罩。 在一實施例中，可在步驟8〇4及8〇6中將傳導層中之一或 乡者陽極接合至微晶玻璃層之各別表面1而，在額外實 施例中，可在步驟_及8〇6中在不脫離本發明之精神或範 嘴的情況下使用對於熟習此項技術者為顯而易見且適合於 莖青石基板及微晶玻璃層之任何數目之技術而將傳導層接 - 纟或以另外方式附著至微晶破璃層之各別表面。 接著，在步驟_中處SULE玻璃層之第二表面以形成 大體上無缺陷之大體上平坦表面。在一實施例中，可在步 驟_中拋光则玻璃層之第：表面以得到大體上平挺且 大體上無缺陷之表面。然而，在一額外或替代實施例中， 142313.doc -33. 201013304 可在步驟808令在不脫離本發明之精神或範疇的情況下使 用對於熟習此項技術者為顯而易見之任何其他技術來處理 第二表面。 在一額外實施例（未圖示）中，可將對於EUV輻射為高度 反射之材料層施加至藉由圖7及圖8之例示性方法所產生之 主光罩之經抛光表面。另外’對於熟習此項技術者將顯而 易見，可使用適合於反射材料及Euv微影製程之許多技術 中的任一者而將圖案形成於經施加反射層上。舉例而言， 可將抗蝕劑層施加至經拋光表面，可將彼抗蝕劑層曝光至 適當波長之輻射，且可蝕刻經曝光抗蝕劑層以在經拋光表 面上形成圖t。另外，在額外實施例巾，可在傳送至最終 使用者之前由主光罩之製造商執行該等額外施加及圖案化 步驟。或者，可使用圖7及圖8之方法來製造主光罩，且最 終使用者可施加及圖案化反射塗層。 如以上參看圖5A及圖5B所描述，本發明不限於由微晶 玻璃形成之中間層。在額外實施例中，中間層可由具有適 當機械性質（例如，在一操作溫度範圍内之大體上零熱膨 脹係數）且能夠促進與ULE玻璃層及蓳青石基板之陽極接合 之許多材料中的任一者形成。 在以上所描述之實施例中，在由超低膨脹（111^)鈦-矽酸 鹽玻璃形成之光學層方面描述反射主光罩。然而，本發明 之光學層不限於該等材料。在額外實施例中，本文所描述 之反射主光罩可包括由任何材料形成之光學層該材料⑴ 在一操作溫度範圍内具有為表現，微影裝置之特性的大 I42313.doc 201013304 體上零之熱膨脹係數，及（π)能夠經處理以得到大體上無 缺陷且順從於施加一或多個反射材料層之大體上平坦表 面。 另外，在以上所描述之實施例中，在莖青石陶瓷材料方 面描述主光罩基板。然而，本發明之主光罩基板不限於該 等材料。在額外實施例中，本文所描述之主光罩可包括由 任订材料形成之基板，該材料具有⑴在一操作溫度範圍内 具有為表現EUV微影裝置之特性的大體上零之熱膨脹係 ® 數、（11)在彼溫度範圍内具有相對較高之彈性模數，及（iii) 在彼溫度範圍内具有大體上高於光學層之熱傳導性的熱傳 導性。 本發明之反射主光罩（如本文經由其各種實施例所描述） 大體上減少或消除主光罩表面之任何失真，且因此大體上 減少或消除歸因於來自經吸收EUV輻射之局域化加熱的任 何誘發性圖案誤差。光學層之任何局域化加熱歸因於光學 層之低熱阻而經快速地擴散通過光學層且進入基板。另 外因為基板之熱傳導性大體上高於現有EUV主光罩之基 板中之熱傳導性’所以歸因於Euv輻射之吸收的在基板處 ~接收之任何局域化熱流通量均遍及基板而擴I，且經耗 政通過基板且進入主光罩夾盤、光罩台或在euv微影裝置 内支推主光罩之其他結構。因此，且與圖]所描繪之現有 EUV主光罩對比，本發明之主朵 <王九罩大體上減少或消除歸因 於經吸收EUV輻射的圖荦仆矣；+ 固系化表面之熱失真，同時維持符合 業界標準之主光罩厚度。 142313.doc -35· 201013304 結論 儘管以上已描述本發明之各種實施例，但應理解，其已 僅藉由實例而非限制進行呈現。對於熟習相關技術者將顯 而易見，在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，可在該 等實施例中進行形式及細節上之各種改變。因此，本發明 之寬度（breadth)及範疇不應由上述例示性實施例中之任一 者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界 應瞭解，[實施方式]章節而非[發明内容]及[中文發明摘 要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明内容]及[中文 發明摘要]章節可闡述如由發明人所預期的本發明之一或 多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式 來限制本發明及附加申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 圖1A及圖1B分別描繪反射微影裝置及透射微影裝置； 圖2描繪實例EUV微影裝置； 圖3示意性地描繪用於EUV微影裝置中之現有反射主光 罩； 圖4A及圖4B示意性地描繪根據本發明之一實施例的適 合用於EUV微影裝置中之例示性反射主光罩的特徵； 圖5 A及圖5B示意性地描繪根據本發明之一額外實施例 的適合用於EUV微影裝置中之例示性反射主光罩的特徵； 圖6描繪圖4A、圖4B、圖5A及圖5B之例示性反射主光罩 的額外特徵；及 142313.doc • 36- 201013304 圖7及圖8描缘根據本發明眘 贫月之實施例的用於製造適合用於 EUV微影裝置中之反射主光罩的例示性方法。 上文已參看隨附圖式來描述本發明之—或多個實施例。 在該等圖式中’相似參考數字可指示相同或功能類似之元 件。 【主要元件符號說明】

42 輻射系統 44 照明光學器件單元/照明單元 47 源腔室 48 集光器腔室 49 氣體障壁/污染物捕捉器 50 輻射集光器/集光器鏡面/掠入射集光器 50a 上游輻射集光器側 50b 下游輻射集光器側 51 光柵光譜濾光器/光栅/光譜純度濾光器 52 虛擬源點 53 法線入射反射器/光學元件 54 法線入射反射器 56 輻射光束 57 經圖案化光束 58 反射元件 59 反射元件 100 微影裝置 142 反射器/内部反射器 142313.doc -37- 201013304 143 146 180 200 300 302 304 304a 400 402 402a 402b 404 404a 404b 406 500 502 502a 502b 504 504a 504b 506 反射器/中間反射器 反射器/外部反射器 兩個反射器之間的空間 EUV微影裝置 EUV反射主光罩 基板 反射層 反射表面 反射主光罩 基板 基板402之第一表面 基板402之第二表面 光學層 光學層404之第一表面 光學層404之第二表面 傳導層 反射主光罩 基板 基板502之第一表面 基板502之第二表面 光學層 光學層504之第一表面 光學層504之第二表面 傳導層 142313.doc -38- 201013304 516 第二傳導層 530 中間層 530a 中間層530之第一中間表面 530b 中間層530之第二中間表面 600 主光罩 - 604 光學層 604a 光學層604之第一表面 604b 光學層604之第二表面 606 傳導塗層 608 材料層/高度反射層 • AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束傳送系統 C 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 - IL 照明系統/照明器 - IN 積光器 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化器件/光罩 MT 支撐結構/光罩台 142313.doc -39- 201013304

ο PI Ρ2 PM PS PW SO W WT 光抽 基板對準標記 基板對準標記 第一定位器 投影系統 第二定位器 輻射源 基板 基板台 142313.doc

Claims (1)

1. 201013304 七、申請專利範圍： 1. 一種主光罩，其包含： 一光學層，該光學層具有一第一表面及一第二表面； 一基板，其中該基板之一熱傳導性大體上大於該光學 層之一熱傳導性；及 一傳導層，該傳導層安置於該光學層與該基板之間， 該傳導層接合至⑴該基板之—表面及⑴）該光學層之該第 一表面中的一或多者。 2. Φ 如請求項1之主光罩，其中： 該光學層包含具有-大體上零熱膨張係數之一材料；且 該基板包含具有一大體上零熱膨脹係數之一材料。 3. 如請求項1之主光罩，其中： 該光學層包含超低膨脹（ULE)玻璃； 該基板包含菫青石；且 該傳導層包含Is。 4. 如請求項丨之主光罩，其中該傳導層安置於該光學層之 該第一表面上。 5. 如請求項4之主光罩，其中該傳導層接合至該基板之該 表面。 6·如請求項5之主光罩，其中該傳導層係陽極接合至該基 板之該表面。 7.如請求項4之主光罩，其進一步包含： 一第二傳導層，該第二傳導層安置於該基板之該表面 上；及 142313.doc 201013304 中間層，該中間層安置於該傳導層與該第二傳導層 之間， 其中： 該傳導層接合至該中間層之一第—表面；且 该第二傳導層接合至該中間層之-第二表面。 8·如請求項7之主光罩，其中： 該傳導層係陽極接合至該中間層之該第一表面；且 違第二傳導層係陽極接合至該中間層之該第二表面。 9·如请求項7之主光罩’其中該中間層包含具有一大體上 零熱膨脹係數之一材料。 10_如請求項7之主光罩，其中： 該中間層包含微晶玻璃；且 該第二傳導層包含I呂。 11·如請求項!之主光罩，其中該光學層之第二表面大體上 平坦且大體上無缺陷。 12. 如請求項丨丨之主光罩，其進一步包含安置於該光學層之 該第一表面上的一反射層。 13. 如請求項1之主光罩，其中該基板之一厚度大於該光學 層之一厚度。 14. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，該照明系統經組態以產生一輻射光束； 一主光罩，該主光罩經組態以圖案化該輻射光束；及 一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化光束 投影至一基板之一目標部分上， 142313.doc -2- 201013304 其中該主光罩包含： 一光學層，該光學層具有一第一表面及—第二表 面； 一基板，其中該基板之一熱傳導性大體上大於該光 學層之一熱傳導性；及 一傳導層’該傳導層安置於該光學層與該基板之 間，該傳導層接合至⑴該基板之一表面及該光學 層之該第一表面中的一或多者。

   15. 如請求項14之微影裝置，其中： 該光學層包含具有一大體上零熱膨脹係數之一材料；且 該基板包含具有一大體上零熱膨脹係數之一材料。 16. 如請求項14之微影裝置，其中： 5亥光學層包含超低膨脹（ULE)玻璃； 該基板包含菫青石；且 該傳導層包含鋁。

   17·如請求項14之微影裝置， 之5亥第一表面上。 其中s亥傳導層安置至該光學層 18.如凊求項17之微影裝置，其中該傳導層接合至該 該表面。 19·如晴求項18之微影裝置，其中該傳導層係陽極接合至該 基板之§亥表面。 2〇.如請求項17之微影裝置，其進一步包含： y第二傳導層，該第二傳導層安置於該基板之該表面 142313.doc 201013304 一中間層 之間， 其中： ，該中間層安置 於該傳導層與該第二傳導層 該傳導層接合至該中間層之一— _ ^ 乐—表面；且 ?ΖΓ » /土 2發》 .. 2122. 23. 24. 25. 26. 27. 該第二傳導層接合至該中間層之 如請求項20之微影裝置，其中：=導層係陽極接合至該中間層之該第—表面·且 =二傳導層係陽極接合至該中間層之該第二表面。=項2〇之微影裝置’其中該中間層包含具有一大體 上零熱膨脹係數之一材料。 如請求項20之微影裝置，其中：該中間層包含微晶玻璃；且該第二傳導層包含鋁。 如凊求項14之微影裝置’其中該光學層之第二表面大體 上平坦且大體上無缺陷。 請长項24之微影裝置’其進—步包含安置至該光學層 之該第二表面上的一反射層。 如請求項14之微影裝置’其中該基板之一厚度大於該光 學層之一厚度。 第 面 ❹ 一種用於製造一主光罩之方法，其包含： 將一傳導材料層安置至一光學層之一第一表面上；及 將該傳導材料層接合至⑴一中間層之一第一表面或 (11)一基板之一表面中的一者’該基板具有大體上大於該 光學層之一熱傳導性的一熱傳導性。 142313.doc -4- 201013304 28·如請求項27之方法，其中該安置步驟包含： 將-銘層安置至該光學層之該第一表面上。 29.如請求項27之方法，其中該接合步驟包含： 將該傳導材料層陽極接合至⑴該#間層之該表面或 (ii)該基板之該表面中的一者。 .30·如請求項27之方法，其中該接合步驟包含： 將該傳導材料層接合至該中間層之該第-表面； 將一第二傳導材料層安置至該基板之該表面上；及 φ 將該第一傳導材料層接合至該中間層之一第二表面。 31. 如請求項30之方法，其中將該第二傳導材料層安置至該 基板之該表面上包含將一鋁層安置於該基板之該表面 上。 32. 如請求項27之方法，其中該接合步驟包含將該傳導材料 層接合至該基板之該表面。 33. 如請求項27之方法，其進一步包含： 將該光學層之一第二表面處理成大體上平坦且大體上 Φ 無缺陷。 34. 如請求項27之方法，其進一步包含： 將一反射塗層施加至該經處理之第二表面；及 在該反射塗層上形成一圖案。 35. —種用於製造用於一極紫外線微影（EUVL)系統中之主光 罩的方法，其包含： 將一厚基板接合至一薄膜多層塗層以用於提供具有— 第一熱傳導性之一 EUVL主光罩，該第一熱傳導性相對 I42313.doc 201013304 * 地局於以一單一材料層而形成之一反射微影主光罩之一 第二熱傳導性。 36. 如清求項35之方法，其中將一厚基板接合至一薄膜多層 塗層進一步包含： 使用一金屬層而將該厚基板與該薄膜多層塗層進行陽 極接合。 37. 如清求項36之方法，其中將該厚基板與該薄膜多層塗層 進行陽極接合進一步包含： 使用鋁以將該厚基板與該薄膜多層塗層之一或多個層 進行陽極接合。 38·如請求項35之方法，其中將一厚基板接合至一薄膜多層 塗層進一步包含： 形成一個三件式夾層，其中微晶玻璃係用作一中間附 著層，其中微晶玻璃接合至一塗覆鋁之莖青石基板，該 菫青石基板又接合至一塗覆鋁之超低膨脹（ULE)玻璃 板。 39.如印求項35之方法，其中將一厚基板接合至一薄膜多層 塗層進一步包含： 在一微晶玻璃層上陽極接合一超低膨脹（ULE)玻璃 板；及 將該微晶玻璃層陽極接合至為該厚基板之菫青石。 142313.doc -6 -