TW201010554A - Manufacturing method of printed wiring board - Google Patents

Description

201010554 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在由樹脂層與銅層積層而成 的多層積層板上照射雷射光來形成通孔的印刷配線 • 板之製造方法。 【先前技術】

一 近年來’由於電子機器的小型化、高密度化、 Γ7機fb化，所以在印刷配線板方面也要求形成高密 度的電路。在可滿足此種要求的多層印刷配線板 上為了形成層間接續，乃形成有底孔之盲通孔 / blmd via)、貫通孔之貫穿孔（thr〇ugh h〇ie 等之通孔在匕日寸’從加工效率與成本方面來看，多 半採取碳酸氣體雷射等之雷射加卫來做為開孔手 餘以保形光罩（comf〇nnal mask)法為例，一 邊參照圖式;：邊說”用的以雷射加工形成通孔之 Π驟：：：三圖A〜C是用以說明保形光罩法之 各步驟斷面圖。 第-：ί中準備如第三圖A所示的多層積層板。在 二圖A中’該多層積層板係—種使用包 含有㈣纖維強化環氧樹脂含浸基 美 板）、芳醯胺纖維強化璟，也“ 明衣氧基 樹脂含浸基板（芳酿胺環 “的絶緣基材1 a之兩面上形成有 3 201010554 銅層1 b的芯材1、與在此芯材1的兩面上積層含 有玻璃強化纖維的預浸潰物或其他的樹脂等所構成 的樹脂層2、與在個別之樹脂層2中的芯材丄之相 反側表面上積層有銅箔3的多層積層板。通常，芯 材1的銅層1 b係經圖案化而形成銅配線。 然後，藉由蝕刻來除去表層側的銅箔3中之形 成通孔的部分3 a (第三圖B )。接著’以雷射將在 形成通孔的部分3 a之正下方位置的樹脂層2予以 開孔（第三圖C)而形成盲通孔B v。 乃命，近年來也考 刀

…似 /成β π尽的：SI5J 上照射雷射，同時將銅簿和樹脂層予以開孔來則 通孔之直接雷射法。此種錄雷射法，纟於不需！ ，刻銅 >自之步驟，所以不僅不會有㈣刻不良而道 莖：殘留的問題，且在銅層間的電路位置契合精肩 面亦比上述的保形光罩法優異。 但疋，在保形光罩法及直接雷射法中的任一精 層2殘：：射加工時之通孔内部上，均會產生樹鹿 、、-t Q巧〉貝S (第三圖c )。當對於在就這樣残 生声：道的通孔内實施鍍敷處理時，就有可能潑 生層間不導通的情形。 後就:：要在有？的通孔形成步驟中，在雷射加J 如，在習用的、、亏：除去污潰之污潰去除步驟。你 的多層❹h 除步驟中，對於經雷射加工相 3 仃膨潤處理之後，再以過錳酸鉀这 201010554 液處理，更進—步地進行用以還原除去過猛酸钾之 中和處理’藉以除去污潰（例如，參照下述之 讀1〜3 )。又，在下述專敎獻4中，為了提言 θ /貝的去除性’乃提案__種由過鐘酸鉀溶液之产 理、與,音波洗淨組合而成的污潰去除步驟。处 但是，在上述之污潰去除步财使 鉀不但會造成環境汚㈣可能性高之外，而且^ 疋一種強氧化劑的緣故以致廢液處理困難。 、 從而，於下述的專利文獻5乃提案一 過猛酸鉀溶液等之氧化性樹脂溶解劑的方法= 種使用有機㈣潤劑，並更進—步地組 二 淨以除去污潰之污潰去除步驟。 3/ / 4 8 【專利文獻1】曰本特開平6 — 3 號公報 7 2 4 【專利文獻2】曰本特開平5〜1 號公報 【專利文獻3】曰本特開2 〇 〇 7 4 7號公報 8 【專利文獻4】曰本特開2 〇 〇 7 3 8號公報 6 【專利文獻5】曰本特開 7 9號公報 專利文獻5上所記载的污潰去除， 液處理比專利文獻1〜4上所4并 ’雖然廇 所5己载的污潰去除步 201010554 易仁對於污潰之除去效果卻不充分。因此，乃 期望種廢液處理容易、且可充分得到污潰之除去 效果的方法。 【發明内容】 本發明提供一種用以解決上述課題之印刷配線 板的製造方法，其係一種廢液處理容易、且可充分 得到污潰的除去效果之方法。 -本發明之印刷配線板的製造方法係在由樹脂層 和銅層積層而成的多層積層板上，照射雷射光而形 成通孔（via)者，其特徵在於此方法包括以下步驟： ^將經照射雷射光後的前述多層積層板浸潰於非 氧化性膨潤劑之膨潤處理步驟； 使前述膨潤處理步驟後之前述多層積層板接觸 微姓刻劑之微蝕刻處理步驟；以及 在使前述微蝕刻處理步驟後之前述多層積層板 浸漬於液中的狀態下，施加超音波之超音波處理步 驟。 另外’上述本發明中的「銅」可以是由純銅構 成之物，也可以是由銅合金構成之物。又，本說明 書中’「銅」係指純銅或銅合金。 在本發明之印刷配線板製造方法中，由於不是 使用過錳酸鉀溶液等之氧化性樹脂，而是使用非氧 化性膨潤劑的緣故，所以廢液處理就變得容易了。 201010554 又，因依料行義處理步驟、微㈣處理步驟及 ，音波處理㈣，所讀_實地除錢存於通孔 内部的污潰。 【實施方式】 而成= 種適用於在由樹脂層和銅層所積層 層板上照射雷射光來形成通孔之印刷 ==方法。就雷射加工法而論，沒有特別 二m其係可以使用保形光罩法或直接雷 射法專之么知的加工法。又， 是沒有特別的限定，例如，可以w的通孔也 書㈣莖八，】如了以適用於形成盲通孔、 貝穿孔專“口的通孔的情況，然而，其 容易殘存於通孔底部的緣故，、= 的效果就更能有效地被發揮。 月 以下，兹以本發明適用之藉由直接 情:為例當做本發明的-個例子，並二邊 u l疋供說明本發 — •線板之製造方法用的各步驟斷面圖。另：的： 上述之第三圖A〜c 研田圆另外，與 致的符號，並省略其説明構成要素則使用相同- 板(：先，準備和上述之第三圖八同様的多層積Μ 板（弟一圖A )。芦後，射从+ 增積層 對於表層側的銅箔3中形成 201010554 通孔的部分3 a上照射雷射以形成盲通孔B V (第 一圖B )。此時，在盲通孔b v的底部（通孔底）上 產生樹脂層2殘渣的污潰S。另外’在照射雷射之 前’為了使雷射光的反射變少，也可以實施黑化處 理或以在日本特開2 〇 〇 7— 1 2 9 1 9 3號公報 上所§己載的銅表面處理。 在第一圖B之步驟中使用的雷射，雖然是沒有 特別加以限定，然而從加工效率、成本面來看，則 適用二氧化碳氣體雷射。二氧化碳氣體雷射係使用 屬於紅外線波長區域的9 · 3 〜1〇 ·㊀以瓜 的波長。加工能量，雖然是可以依照表層側的銅箔 3之厚度等而適宜地選擇，然而，例如，也可以實 施8〜2 7 m J的1發（shot)照射來進行穿孔。 更佳為可以照射第2發屬於低加工能量之2〜5卬 J，藉以淨化（cleaning)通孔底的銅表面。本= 中’二氧化碳氣體雷射的加工能量（】）係將加工 上所需要的功率（w)除以頻率數（Η z ) 出來的。另外ϋ要進行2發照射。又， 要的話，也可進行3發以上之照射。 ν 风肉5漬S的士 性之目的，乃進行將多層積声^

w預增板改潰於非氧化,H 潤劑（圖中未顯示）之膨潤處理牛 _ /理步驟，以使得芦 S如第二圖A所示般地膨潤。做 4 做為非氧化性膨泪 201010554 基—2〜吡咯啶酮、丁基溶纖素 潤的溶氧化性、且能滲透樹脂而使得樹脂膨 ，液即可，沒有特別 將由Ν ~田A 〇 j如可以使用

N 或複數二t甲醯胺、一醇類、甲乙，、丙嗣等之單獨 成且：而成的有機溶劑’溶解於驗性 述驗性溶液係可以使用氯氧化納水溶 水錢、氫氧化鉀水溶 =早獨將氣氧化納水溶液當做非： 的有機溶劑溶看，較宜是將上述列舉 外，非轰^Γ & 成之物。另

左卜右非乳化性膨潤劑的。H，例如，是在8〜H = = =驟中的處理溫度較宜⑴ υ ^ 更且是4〇0c〜, 為3 5 °C以f* & t 5 0 C。若處理温度 面^ # ，則膨潤效果就會變高。另一方 ，，右處理溫度為7(rc以下的話，則：：= 疋有利的。在前述膨潤處 膨潤效果的觀點來看，較宜是=處理時間，從 更宜是B秒〜60秒另 步驟後、以下説明的 ：膨满J理 洗步驟。 艾驟之則，設置水 刻劑步驟後，進行使多層積層板與㈣ W (圖中未顯示）接觸之微㈣處理步驟。藉此， 201010554 如第一圖B所示’僅對通孔底的銅表面進行些許蝕 刻（微链刻）’使得殘留在通孔底部的污潰S成為游 離的狀態。做為微蝕刻劑者，只要是能夠微蝕刻銅 表面即可，並沒有特別的限定，然而當使用將過氧 化氫及硫酸溶解於水等之溶劑而成的微蝕刻劑時， 由於可以均一地微餘刻通孔底，所以較理想。使多 層積層板與微蝕刻劑接觸的方法，可以採用浸潰或 喷灑之方法，然而若實施將微蝕刻劑喷灑在多層積 層板之元成有通孔的面（第二圖B的情況是表層側 的 2v 〇 之方法，由於不用過度地蝕刻通孔底， 就能夠使得污潰S充分地游離，因而較理想。 在微姓刻處理步驟中的通孔底之敍刻量，就抑 制通孔底之過度蝕刻並使污潰S成為游離的狀態而 論’較宜是1〜7心’更宜是2〜5/zm。就將 通孔底的蝕刻量控制在上述合適的範圍而論，例 如’在採用噴灑處理的情況下，可以將微蝕刻劑的 /皿度。又疋在2 ◦ c〜3 5 °C，喷灑壓力設為◦ . 〇 5 M P a〜0 · 3 M p a ’處理時間設定成1 〇秒 1 2 0心以進行喷灑處理。另外，上述的蝕刻量， 則可以藉由觀察處理前後的通孔之斷面而求得。 在直接雷射法的情況下，於雷射加工時，在通 孔開口部周邊的之表面上會有因銅飛散而形 成的犬起物的情況，或者在通孔開口部周緣上會殘 201010554 存有所形成的銅之毛邊的情況。者 _ 田不進行除去此箱 銅之飛散物或毛邊而實施次一 匕種 π± ^ 步驟的銅鍍敷處理 時，就有可能產生金屬異常析出 丄Λ 吓出寻之不良現象。在 此h況下，當使用含有過氧化_ 虱及硫酸之微蝕刻劑 (以下，單純地稱為「微蝕刻 . , j劑」）來當做微蝕刻劑 時’則可以進行通孔底之微姓刿 械蚀刻處理、並同時地去 除銅之飛散物和毛邊。以下，$ 5 兄明適合於銅之飛散

物和毛邊之去除的微蝕刻劑。 在進行喷灌微蝕刻處理步驟的情況下，於存在 有銅之飛散物和毛邊的銅箔3之表面，由於是直接 碰觸到來自喷灌II的㈣刻劑的緣故，所以時常處 於更換微似劑的狀態，亦即時常處於被供給有新 鮮的微蝕刻劑的狀態。 另一方面，在通孔内部由於是非常狹小的部分 之緣故，所以微蝕刻劑之更換少，因而可預料是近 乎於以微钱刻劑進行浸潰處理的狀態。 從而，為了防止過度地蝕刻位於通孔底内層的 銅層1 b，則可以使用浸潰之蝕刻速度慢的微蝕刻 劑。 满足上述要件的微蝕刻劑，較宜是噴灑處理之 蝕刻速度為浸潰處理之蝕刻速度的3〜5倍之微蝕 刻劑’更宜是3 · 5〜4倍的微蝕刻劑。藉由像這 樣的微蝕刻劑，就可以抑制過度地蝕刻通孔底並可 11 201010554 使π潰S成為游離狀態，且提高銅的飛散物和毛邊 的去除性。 喷灑處理中的蝕刻速度係將壓力設定在喷灑處 理之通常設定的喷灑壓力（〇 · 〇 5〜〇 · 3Mp a 、之範圍到適切的壓力，將微蝕刻劑維持在2 〇 5 C範圍之中的適切温度的狀態下，測定在指 定時間（壯，1分鐘）τ進行㈣時之速度。另 :方面’浸潰處理中的钱刻速度係浸潰於和比較喷 灑處理相同温度之微姓刻财，測定和比較處理相 = 下進订兹刻時之速度。然後’比較喷灑處理 =刻速度與浸潰處理的_速度。另外，钱刻速 二：：以將在微蝕刻一般的電解銅箱時之蝕刻前後 的銅重量之減少量除以蝕刻時間而求得。 ❹ 為了使得錢處理中的_速 中的蝕刻逮度之3〜5仵，柄广成“處理 中摻混界面活性劑等種二’可以在微姓刻劑 可以摻混脂肪族或脂環式胺、醇、；人：：甲 基醋化合物、非離子性界面活性㈣仏口物、甲 上述的脂肪族胺較宜是碳原子 脂肪族胺，盆且鲈為丨伽 1 丄2的 胺r / 舉例來說，例如是三t丁美 月女、乙二胺、2-乙基己基胺等。 丁基 上述的脂環式胺之且體 環己胺、二環己胺等。例舉例來說’例如是 201010554

上述的醇之具體例，舉例來說，例如是乙 丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、三丙二醇等 類0 上述的四唑化合物之具體例，舉例來說，例如 是1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5~笨基_工 四唑、5 -Μ基-1 Η-四唑、1-曱基Η~ -四唑等。 η 上述的曱基酯化合物之具體例，舉例來說，例 如是醋酸乙酯、醋酸異丙酯、醋酸丁酯等。 尹 上述的非離子性界面活性劑之具體例，舉例來 說，例如是丙二甘油基醚、聚乙二醇、乙二醇單甲 基醚、乙二醇單丁基醚、二乙二醇單乙基醚等。 上述所列舉的添加劑係可以適宜地選擇使用一 種類或二種類以上。例如，在加速噴灑處理中的蝕 刻速度方面，可以摻混從脂肪族胺、脂環式胺、醇、 甲基酯化合物、及非離子性界面活性劑中選取的一 種類或二種類以上。另一方面，在減緩浸潰處理中 的蝕刻速度方面，則可以摻混四唑化合物。尤其， 將四唑化合物和脂環式胺一起併用時，由於能有效 地抑制過度蝕刻通孔底、且能更進一步地提高銅之 飛散物和毛邊的去除性，而且能夠更均一地微蝕刻 通孔底，所以較理想。此等添加劑之使用量，雖然 沒有特別的限定，然而相對於微蝕刻劑之總量計， 13 201010554 較宜是0·001〜2重量％，更宜是在〇·〇工 〜0 · 5重量％之範圍。 就成為銅之飛散物和毛邊的去除性比較高的微 蝕刻劑而淪，較宜是使得微蝕刻劑中的過氧化氫之 濃度成為1〜15重量％，更宜是成為2〜丄〇重 量％，更理想是2〜5重量％。 又，就成為銅之飛散物和毛邊的去除性比較高 的微蝕刻劑而論，較宜是使得微蝕刻劑中之硫酸濃 度成為3〜25重量％，更宜是成為5〜2◦重量 %，更理想是6〜1 〇重量％。 在微蝕刻處理步驟後，將多層積層板浸潰於液 (圖中未顯示）中的狀態下，進行施加超音波之超 音波處理步驟，藉以將從通孔底呈游離狀態的污潰 S予以除纟（第二圖〇。在此種超音波處理步驟中 使用的液體，例如，只要是酸溶性液、鹼性溶液、 水等液體的話，就可以適當地使用，然而在使用水❹ 的情況下’由於安全性高而且管理容易，所以特別 施加超音波的條件’例如，在使用水（温度工 〇〜7 (TC)的情況下較宜是以2 8❿〜‘ “

Hz施加1 G秒〜3 〇 〇秒鐘，更宜是以2 8化〜 4 5 kHz施加2 0秒〜3 〇 〇秒鐘。若頻率數是： 上述範圍内的話’則就可以不損害基板地增加=潰 14 201010554 s的去除性。又，若施加時間是在上述範圍内的話， 則不但可以確實地去除污潰s，而且可以增加生産 效率。 經上述超音波處理後的多層積層板，雖然省略 步驟的圖示’然而’例如，可以藉由對通孔内壁鍍 銅，更進-步地將上下的銅箱3予以圖案化以心 銅配線而做成多層印刷配線板。 【實施例】 以下，雖然為使得本發明變得容易理解而列舉 實施例和比較例，並更進一步地説明本發明，然而 本發明非僅限於此等實施例而已。 使用松下電工製R—1766來做為在絶緣基 材之兩面上形成有銅層的芯材，於此種芯材的兩面 上積層厚度為6 0 // m的預浸潰物（松下電工製 R 1 6 6 1 E D )’更進一步地在與各個預浸物的芯 材之相反侧上積層厚度為i 2 /zm的銅箔（三井金 屬鑛業製3EC—I I I)，而製作成如第一圖a 所示之多層積層板。但是，由於是試驗基板的緣故， 所以對於外層及内層中之任一銅層均不進行圖案化 (不形成配線）但進行如以下所示之處理。 首先，以硫酸/過氧化氫系之雷射加工前處理 劑（Μ E C股份有限公司製 Μ E C V bon 201010554 )對上述5式驗基板之表層侧的銅落進行蚀刻處 理’使得表層側的銅箱之厚度成為9 . 。藉 由實％此種雷射加工前處理，使得雷射加工能夠以 低能量進行。 ，接著’使用二氧化碳氣體雷射機（曰立通孔機 械製，LC 2G2 1 2/2C)’於下述的加工條 ，下形成通孔’以使得雷射照射側（表面侧）的直 徑成為1 0 0㈣、底面侧的直徑成為δ 〇㈣〜 〇 //m。另外，於下述記載的條件中「〆」之 ，後係刀別表不於進行2發照射雷射照射情況下的 第1發和第2發之條件。 (雷射加工條件） 發數：2發 頻率數：1 0 0 〇 H z 加工能量：l· 7 . 7 5mJ/3 · 6 〇mJ m 脈衝幅：3 6 〇 " s 接著，依照表1及表2所示的條件，以膨潤處 里步驟、微蝕刻處理步驟及超音波處理步驟的順 序，處理經雷射加工後之試驗基板。膨潤處理步驟 的任者均藉由浸潰進行處理；微钱刻處理步驟的 ，者均藉由噴灑進行處理。但是，在比較例4的 U餘幻處理步驟中，則是使用電路形成用之敍刻劑 16 201010554 來代替微蝕刻劑，並藉由噴灑進行處理。又，在膨 潤處理步驟與微蝕刻處理步驟之間係設有水洗步 驟。另外，超音波處理步驟中則是使用井内盛榮堂 製之 ULTRAS〇NIC CLEANER vs_1〇〇IU 來當做超音波 洗淨斋，於將試驗基板浸潰於溫度2 5它之離子交 換水中的狀態下，依照表丄及表2所示的條件施加 超音波。 • 接著，為使得污潰的確認變為容易，所以對於 經處理後之試驗基板的通孔底進行白金蒸鑛。然 後，藉由場效發射式掃描電子顯微鏡F E — s e % (曰本電子股份有限公司製J S Μ — 7 〇 〇 〇 F )、以3 5 0 ◦倍的倍率來觀察通孔底之切斷面， 測定殘留於通孔底的污潰之長度L(參照第三圖。） 的最大値。此時，各實施例及各比較例中，均分 對於五個通孔敎上狀最域，並算&此等之 ’大値的平均値。對於所得到的前述平均俊，依 述基準评價污潰的去除性。 (污潰去除性之評價基準） 前述的平均値為小於2私m : ◎ 前述的平均値為以上但小於工5 . ^ M" III · 岫述的平均値為1 5 # m以上但小於3 〇以 17 201010554

m : △ 前述的平均値為3 0 //m以上：X

18 201010554 表1

污潰去除性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 〇 〇 辕 喊 | 写另 资E -M G£ -M -Μ •Μ •M •M Gs： 餘 U 溫度 25°C 時間 48秒 噴灑壓力 〇. IMPa 通孔底蝕刻量4# m •M ΕΓ -M •Μ •M ϋΕ -4 •M tr 侧 〇〇 m l〇 二 d ° ° 傘 一 C3 Ο 也 叫 叫 -Μ Gs： *Μ te -Μ ♦1 OO ΙΛ >—i . O ·—i . —〇 M S ♦1 «Η ΙΛ 侧 c<i in ς〇 CO V·_/· s_^ 爷 ^ I ^ ^ 镏 usi 1 rO tf 镩ίΐ瓚S蛘鏺 •Μ -Μ Μ •M ®H S' 侧 φι{ LO 侧 cvj m CD CO S_x '—> 钕碱练 ^ ¥鮏祝 ^ ^ M屮 焯2墩《:耱 *Ή ^ 侧 φι| ΙΛ 侧 〇i LO CO CO 紱 减 ^ *ί 膨潤處理步驟 漤 P幻 LO C.) 呀 c > tts! »s t· -Μ -Μ G? C£ -M •Μ •Μ S Φ4 Iftlil η〇η \_χ· CO .〇 ®H 〇〇 # CO -<^1 Φ! od CO ^ 03 (Ν1 你 csi ^ ®W 〇〇 CO ^ 03 CSJ 命 CO ®Η cz>· co 雄 CO <N1 ^ N — LO 寸1W s' - ^ s | 的 寸φ»1 C〇 °° °^ <NJ ^ CO ®H 〇5·命 CO — Λ 呀 ®W s - - s | Η f M ¥r τ a镇茶錁 硪U紱与祝 ¢- t0辦一十 ‘ ι|卜一鲁 f ^ 7 «潷 ®— 丄4錯 锺 ®- 1羼郏 Μ ^扠 ‘ “ + ^ ^ ^ 二乙二醇單乙醚乙酸酯 氫氧化鈉 1離子交換水 饍 fr- ^ + ¥ l S續綦郏 'Μ 妙 ¥ β 丄tO辦W + ^ Λ h ^ ^ 遛 磁 t0 S 〇 時 _ 令 S*鮏缭茶缂 »1 Μ钱S伙 t0 tO 地 irf Η-'1、| 卜“# 茶戰 E 14^·^ T S*镇簽炼 硇|丨钱¥ β tO ΐ^( i Λ h ^ ^ Μ G? T—^ C<1 ¥ CO 诗1； 寸 Φ 4¾) Κ» LO •1： CO •ί 卜 省 ㈣ oo 03 革 省 ^κ

Os 201010554 實施例10 I 同上 1 1 1 同上 同上 髁w应δ嵙 屮：i抻瘅 ^ Λ 关 ^ 2, p 狨 〇〇 σ> U，‘ JND w' ^ H' ^ C- 屮l· HV 4 11 12.8 0. U5 丨 殘餘量 殘餘量 同上 -r-> ? 1 l°iJL 〇 201010554 2 表 污潰去除性 ◎ ◎ ◎ < X X X X 超音波處理步驟 條件 頻率 45kHz 時間 2分鐘 頻率 28kHz 時間 30秒 頻率 28kHz 時間 2分鐘 頻率 28Wlz 時間 10秒 頻率 45kHz 時間 10秒 41 頻率 45kHz 1 時間 30秒 M -Μ 微蝕刻處理步驟 條件 溫度 25t 時間 48秒 噴灑壓力 0. IMPa 通孔底敍刻量4μπι 同上 •M -M •M Η 溫度 25°C 時間 48秒 喷灑壓力 0. IMPa 通孔底敍刻量4μπι 溫度 25°C 時間 48秒 噴灑壓力 〇. IMPa 通孔底蝕刻量2μιπ 濃度（重量》 11 12.8 0.05 0.05 殘餘量 同上 同上 同上 同上 同上 11 12.8 0.05 0.05 殘餘量 3 6 殘餘量 成分 S' 姻 φή in 侧 CM’ ιο CO CO 炒 碱4 洚 键 ffif f τύ屮 瘅5·窀Ξ聆錯 •M -M G£ •M -M ®W 5 LO 侧 Cs3 ΙΛ C£5 CO N' -^r 键 “ f tO屮 谆g嗯Ξ齡鶬 塚权 $韶屮 膨潤處理步驟 條件 溫度45艺 時間30秒 -M 同上 同上 同上 •M 同上 41 溫度45°C 時間30秒 濃度（重量W 28.3 3,1 2.5 23.4 殘餘量 •M 同上 同上 同上 同上 同上 28.3 3.1 2.5 23.4 殘餘量 成分 Ε ^ » ί ^ ^ 硪Μ钕与扮 ®- 〇辦“屮 i Μ卜减鶬 同上 -M 同上 ; 同上 1_ 同上 •M Ψ 皆 f ^ ^ 7 » ««邀 砌Μ紱与祝 ®- tO地成Η-i '1 h ^ ^ 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 實施例15 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 - 201010554 如表1及表2所示，實施例1〜1 5中之任何 者的污潰除去性均比比較例丄〜4之污潰除去性 增加。 以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，非因 =侷限本發明之專利保護範圍’故舉凡運用本發明 、句及圖式内谷所為之等效技術變化，均包含於 本發明之權利保護範圍内，合予陳明。

【圖式簡單說明】 第一圖A 製造方法之一 第二圖A 製造方法之一 第三圖A 斷面圖。 、B係供說明本發明之印刷配線板的 例用的各步驟斷面圖。 係供說明本發明之印刷配線板的 例用的各步驟斷面圖。 〜C係供說明保形光罩法用的各步驟

【主要元件符號說明】 1 芯材 1 a絶緣基材 1 b銅層 2 樹脂層 3 銅箔 3 a形成通孔的部分 盲通孔 S 污潰 22

Claims (1)

1. 201010554 七、申請專利範圍： *」接藤種：刷？線板之製造方法’其係在由樹脂層 和=積層而成的多層積層板上’照射雷射光通 孔的=配線板之製造方法，其特徵在於：此方法包括 將、屋照射雷射光後的前述多層積 化性膨潤劑之膨潤處理㈣； 、非氧 使前述膨潤處理步驟德$ & 夕 蚀刻劑之微射m理H 多層㈣板接觸微 ❹ -於蝕刻處理步驟後之前述多層積層板浸 /貝於j中的狀態下’施加超音波之超音波處理步驟。 “Γί，專利範圍μ項戶斤述之印刷酉己線板之製 =^法，，、中該微蝕刻劑係包括過氧化氫及硫酸之微蝕 刻劑。 1Jΐ Ϊ二專利知1圍第2項所述之印刷配線板之製 ί 吐，，、中该微蝕刻劑係進一步含有四唑化合物及脂 壞式胺。 、止請專利範圍第1項戶斤述之印刷酉己線板之製 公ί ί 該微餘刻處理步驟係將微钱刻劑喷灑於該 夕曰積a板之已形成通孔的面上之步驟。 ·*·、、i ί ΐ明專利範圍第1項所述之印刷配線板之製 = 、中该非氧化性膨潤劑係含有有機溶劑之鹼性 浴液、或氫氧化鈉水溶液。 口申請專利範圍第1 W項中任一項所述之印 ^展藉^製造方法’ Λ中該超音波處理步驟係在將該 夕層積層板浸潰於水中的狀態下，施加超音波之步驟。 23