KR20100024364A - 인쇄 배선판의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 폐액 처리가 용이하면서, 스미어의 제거 효과가 충분히 얻어지는 인쇄 배선판의 제조 방법을 제공한다.

수지층 (1a, 2)와 구리층(lb, 3)이 적층된 다층 적층판에 레이저광을 조사하여 비어 (BV)를 형성하는 인쇄 배선판의 제조 방법에 있어서, 레이저광을 조사한 후의 상기 다층 적층판을 비산화성 팽윤제에 침지시키는 팽윤 처리 공정과, 상기 팽윤 처리 공정 후의 상기 다층 적층판에 마이크로에칭제를 접촉시키는 마이크로에칭 처리 공정과, 상기 마이크로에칭 처리 공정 후의 상기 다층 적층판을 액 중에 침지시킨 상태에서 초음파를 인가하는 초음파 처리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄 배선판의 제조 방법이다.

인쇄 배선판의 제조 방법, 인쇄 배선판. 다층 적층판.

Description

인쇄 배선판의 제조 방법 {METHOD FOR PREPARING PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은 수지층과 구리층이 적층된 다층 적층판에 레이저광을 조사하여 비어를 형성하는 인쇄 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.

최근의 전자 기기의 소형화, 고밀도화, 고기능화에 의해 인쇄 배선판에서도 고밀도 회로 형성이 요구되고 있다. 이 요구를 만족시키기 위해, 다층 인쇄 배선판에 있어서는 층간 접속을 위해 유저공(有底孔)인 블라인드 비어(blind via)나 관통 구멍인 스루 홀 비어(through-hole via) 등의 비어가 형성된다. 그 때의 천공 수단으로서, 가공 효율이나 비용면에서 탄산 가스 레이저 등의 레이저 가공이 많이 도입되어 있다.

종래의 레이저 가공에 의한 비어 형성 방법에 대하여 컨포멀ㆍ마스크법을 예로 도면을 참조하면서 설명한다. 참조하는 도 3A 내지 C는 컨포멀ㆍ마스크법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.

우선, 도 3A에 나타내는 바와 같은 다층 적층판을 준비한다. 도 3A에서는, 유리 섬유 강화 에폭시 수지 함침 기판(유리 에폭시 기판)이나 아라미드 섬유 강화 에폭시 수지 함침 기판(아라미드에폭시 기판) 등의 수지를 포함하는 절연 기재 (1a)의 양면에 구리층 (1b)가 형성된 코어재 (1)과, 이 코어재 (1)의 양면에 적층된, 유리 강화 섬유를 포함하는 프리프레그나 그 밖의 수지 등으로 이루어지는 수지층 (2)와, 각각의 수지층 (2)에서의 코어재 (1)과는 반대측 면에 적층된 동박 (3)을 포함하는 다층 적층판을 이용하고 있다. 통상 코어재 (1)의 구리층 (1b)는 패터닝되어 구리 배선이 형성되어 있다.

또한, 표층측의 동박 (3)에서의 비어를 형성하는 부분 (3a)를 에칭에 의해서 제거한다(도 3B). 이어서, 비어를 형성하는 부분 (3a)의 바로 아래에 위치하는 수지층 (2)를 레이저로 천공하여(도 3C) 블라인드 비어 (BV)가 형성된다.

다른 한편, 최근에는 표층측의 동박 상에 레이저를 조사하여 동박과 수지층을 동시에 천공하여 비어를 형성하는 다이렉트 레이저법이 고려되고 있다. 이 다이렉트 레이저법은 동박의 에칭 공정이 불필요해지기 때문에, 에칭 불량에 의한 구리 잔여물의 문제가 없을 뿐 아니라, 구리층간 회로의 위치 맞춤 정밀도 등이 상기 컨포멀ㆍ마스크법보다 우수하다.

그러나, 컨포멀ㆍ마스크법 및 다이렉트 레이저법 중 어느 경우에도, 레이저 가공시에 비어 내부에 수지층 (2)의 잔사인 스미어 (S)(도 3C)가 발생한다. 이 스미어 (S)가 남은 채로 비어 내에 도금 처리를 실시하면, 층간의 도통이 얻어지지 않게 될 가능성이 있다.

그 때문에, 종래의 비어 형성 공정에 있어서, 레이저 가공 후에는 스미어를 제거하는 데스미어 공정이 필수가 되었다. 예를 들면, 종래의 데스미어 공정에서는, 레이저 가공 후의 다층 적층판을 팽윤 처리한 후, 과망간산칼륨 용액으로 처리 하고, 또한 과망간산칼륨을 환원시켜 제거하는 중화 처리를 행하여 스미어를 제거하고 있었다(예를 들면, 하기 특허 문헌 1 내지 3 참조). 또한, 하기 특허 문헌 4에서는, 스미어의 제거성을 높이기 위해서, 과망간산칼륨 용액에 의한 처리와 초음파 세정을 조합한 데스미어 공정이 제안되어 있다.

그러나, 상기 데스미어 공정에서 사용되는 과망간산칼륨은 환경 오염의 가능성이 높을 뿐 아니라, 강력한 산화제이기 때문에 폐액 처리가 곤란하였다.

이 때문에, 과망간산칼륨 용액 등의 산화성 수지 용해제를 사용하지 않는 방법으로서, 유기계 팽윤제를 사용하고, 또한 초음파 세정을 조합하여 스미어를 제거하는 데스미어 공정이 하기 특허 문헌 5에 제안되어 있다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 (평)6-314869호 공보

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 (평)5-167249호 공보

[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 제2007-129147호 공보

[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 제2007-158238호 공보

[특허 문헌 5] 일본 특허 공개 제2003-338679호 공보

특허 문헌 5에 기재된 데스미어 공정은 특허 문헌 1 내지 4에 기재된 데스미어 공정에 비해 폐액 처리는 용이하지만, 스미어의 제거 효과에 대해서는 불충분하였다. 그 때문에, 폐액 처리가 용이하면서, 스미어의 제거 효과가 충분히 얻어지는 방법이 요망되었다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서, 폐액 처리가 용이하면서, 스미어의 제거 효과가 충분히 얻어지는 인쇄 배선판의 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 인쇄 배선판의 제조 방법은, 수지층과 구리층이 적층된 다층 적층판에 레이저광을 조사하여 비어를 형성하는 인쇄 배선판의 제조 방법에 있어서,

레이저광을 조사한 후의 상기 다층 적층판을 비산화성 팽윤제에 침지시키는 팽윤 처리 공정과 상기 팽윤 처리 공정 후의 상기 다층 적층판에 마이크로에칭제를 접촉시키는 마이크로에칭 처리 공정과,

상기 마이크로에칭 처리 공정 후의 상기 다층 적층판을 액 중에 침지시킨 상태에서 초음파를 인가하는 초음파 처리 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 본 발명에서의 「구리」는 순구리로 이루어지는 것일 수도 있고, 구리 합금으로 이루어지는 것일 수도 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「구리」는 순구리 또는 구리 합금을 가르킨다.

본 발명의 인쇄 배선판의 제조 방법에서는, 과망간산칼륨 용액 등의 산화성 수지 용해제를 사용하지 않고 비산화성 팽윤제를 사용하기 때문에 폐액 처리가 용이해진다. 또한, 팽윤 처리 공정, 마이크로에칭 처리 공정 및 초음파 처리 공정을 이 순서대로 행함으로써, 비어 내부에 잔존하는 스미어를 확실하게 제거할 수 있다.

본 발명은 수지층과 구리층이 적층된 다층 적층판에 레이저광을 조사하여 비어를 형성하는 인쇄 배선판의 제조 방법에 적용된다. 레이저 가공법에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 컨포멀ㆍ마스크법이나 다이렉트 레이저법 등의 공지된 가공법을 사용할 수 있다. 또한, 형성되는 비어에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 블라인드 비어나 스루 홀 비어 등의 공지된 비어를 형성하는 경우에 적용할 수 있지만, 그 중에서도 블라인드 비어는 비어 바닥에 스미어가 잔존하기 쉽기 때문에, 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다.

이하, 본 발명의 일례로서, 다이렉트 레이저법에 의해 블라인드 비어를 형성하는 경우에 본 발명을 적용한 예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 참조하는 도 1A, B 및 도 2A 내지 C는 본 발명의 일례인 인쇄 배선판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다. 또한, 상술한 도 3A 내지 C와 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 그에 대한 설명은 생략한다.

우선, 상술한 도 3A와 동일한 다층 적층판을 준비한다(도 1A). 또한, 표층측의 동박 (3)에 있어서의 비어를 형성하는 부분 (3a) 상에 레이저를 조사하여 블 라인드 비어 (BV)를 형성한다(도 1B). 이 때, 블라인드 비어 (BV)의 바닥부(비어 바닥)에 수지층 (2)의 잔사인 스미어 (S)가 발생한다. 또한, 레이저를 조사하기 전에, 레이저광의 반사를 적게 하기 위해서, 흑화 처리나 일본 특허 공개 제2007-129193호 공보에 기재된 구리 표면 처리를 실시할 수도 있다.

도 1B의 공정에서 사용되는 레이저는 특별히 한정되지 않지만, 가공 효율이나 비용면에서 탄산 가스 레이저가 적합하다. 탄산 가스 레이저는 적외선 파장 영역인 9.3 μm 내지 10.6 μm의 파장을 사용한다. 가공 에너지는 표층측의 동박 (3)의 두께 등에 의해서 적절하게 선택할 수 있지만, 예를 들면 8 내지 27 mJ에서 1 쇼트 조사하여 천공할 수 있다. 더욱 바람직하게는 낮은 가공 에너지인 2 내지 5 mJ로써 2 쇼트째 조사함으로써, 비어 바닥의 구리 표면을 클리닝할 수 있다. 여기서, 탄산 가스 레이저의 가공 에너지(J)는 가공에 필요한 출력(W)을 주파수(Hz)로 나누어 산출된다. 또한, 반드시 2 쇼트 조사할 필요는 없다. 또한, 필요하다면, 3 쇼트 이상 조사할 수도 있다.

도 1B의 공정 후, 스미어 (S)의 제거성을 높이기 위해서, 다층 적층판을 비산화성 팽윤제(도시하지 않음)에 침지시키는 팽윤 처리 공정을 행하고, 도 2A에 나타낸 바와 같이 스미어 (S)를 팽윤시킨다. 비산화성 팽윤제로서는, 비산화성이면서, 수지에 대하여 침투하여 수지를 팽윤시키는 용액이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, N-메틸-2-피롤리돈, 부틸셀로솔브, N, N-디메틸포름아미드, 글리콜류, 메틸에틸케톤, 아세톤 등의 단독 또는 복수개 조합한 유기 용제를 알칼리성 용액에 용해시킨 것을 사용할 수 있다. 상기 알칼리성 용액으로서는, 수산화나트륨 수용 액, 수산화칼슘 수용액, 수산화칼륨 수용액 등을 사용할 수 있다. 또한, 수산화나트륨 수용액을 단독으로 비산화성 팽윤제로서 사용할 수도 있다. 팽윤 효과의 관점에서는, 상기 열거한 유기 용제를 수산화나트륨 수용액에 용해시킨 것이 바람직하다. 또한, 비산화성 팽윤제의 pH는, 예를 들면 8 내지 14 정도이다.

상기 팽윤 처리 공정에서의 처리 온도는 35 ℃ 내지 70 ℃인 것이 바람직하고, 40 ℃ 내지 50 ℃인 것이 보다 바람직하다. 처리 온도가 35 ℃ 이상이면 팽윤 효과가 높아진다. 한편, 처리 온도가 70 ℃ 이하이면 비용면에서 유리하다. 상기 팽윤 처리 공정에서의 처리 시간은 팽윤 효과의 관점에서 10 초 내지 300 초인 것이 바람직하고, 15 초 내지 60 초인 것이 보다 바람직하다. 또한, 팽윤 처리 공정 후, 다음에 설명하는 마이크로에칭 처리 공정 전에 수세 공정을 설치하는 것이 바람직하다.

팽윤 처리 공정 후, 다층 적층판에 마이크로에칭제(도시하지 않음)를 접촉시키는 마이크로에칭 처리 공정을 행한다. 이에 따라, 도 2B에 나타낸 바와 같이, 비어 바닥의 구리 표면을 약간 에칭(마이크로에칭)하여 비어 바닥에 남은 스미어 (S)를 부상(浮上)시킨 상태로 한다. 마이크로에칭제로서는, 구리 표면을 마이크로에칭할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 과산화수소 및 황산을 물 등의 용매에 용해시킨 마이크로에칭제를 사용하면, 비어 바닥을 균일하게 마이크로에칭할 수 있기 때문에 바람직하다. 다층 적층판에 마이크로에칭제를 접촉시키는 방법으로서는, 침지나 분무에 의한 방법을 채용할 수 있지만, 마이크로에칭제를 다층 적층판의 비어가 형성된 면(도 2B의 경우에는 표층측의 동박 (3))에 분무하는 방법에 따 르면, 비어 바닥을 과잉으로 에칭하지 않고, 스미어 (S)를 충분히 부상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.

마이크로에칭 처리 공정에서의 비어 바닥의 에칭량으로서, 비어 바닥의 지나친 에칭을 억제할 뿐 아니라 스미어 (S)를 부상시킨 상태로 하기 위해서는, 1 내지 7 μm가 바람직하고, 2 내지 5 μm가 보다 바람직하다. 비어 바닥의 에칭량을 상기 바람직한 범위로 제어하기 위해서는, 예를 들면 분무 처리를 채용하는 경우, 마이크로에칭제의 온도를 20 ℃ 내지 35 ℃로 하고, 분무압을 0.05 MPa 내지 0.3 MPa로 하며, 처리 시간을 10 초 내지 120 초로 설정하여 분무 처리할 수 있다. 또한, 상기 에칭량은 처리 전후의 비어를 단면 관찰하여 구할 수 있다.

다이렉트 레이저법의 경우, 레이저 가공시에 비어 개구부 주변의 동박 (3)의 표면에 구리가 비산되어 형성된 돌기물이나, 비어 개구부의 가장자리에 형성된 구리의 돌출 부분이 잔존하는 경우가 있다. 이 구리의 비산물이나 돌출 부분을 제거하지 않고 후속 공정에서 구리 도금 처리를 실시하면, 도금 금속의 이상 석출 등의 불량이 생길 가능성이 있다. 이 경우, 마이크로에칭제로서, 과산화수소 및 황산을 포함하는 마이크로에칭제(이하, 단순히 「마이크로에칭제」라 함)를 사용하면, 비어 바닥의 마이크로에칭 처리와, 구리의 비산물이나 돌출 부분의 제거를 동시에 행할 수 있다. 이하, 구리의 비산물이나 돌출 부분의 제거에 적합한 마이크로에칭제에 대하여 설명한다.

분무에 의해 마이크로에칭 처리 공정을 행하는 경우, 구리의 비산물이나 돌출 부분이 존재하는 동박 (3)의 표면에서는, 분무로부터 직접 마이크로에칭제가 닿 기 때문에, 항상 마이크로에칭제가 교체되고 있는 상태, 즉 신선한 마이크로에칭제가 항상 공급되고 있는 상태에 있다.

한편, 비어 내부에 있어서는, 매우 협소한 부분이기 때문에 마이크로에칭제의 교체가 적고, 마이크로에칭제에 의한 침지 처리에 가까운 상태가 되어 있다고 생각된다.

따라서, 비어 바닥에 위치하는 내층의 구리층 (1b)의 지나친 에칭을 방지하기 위해서는, 침지에 의한 에칭 속도가 느린 마이크로에칭제를 사용할 수 있다.

상기 요건을 만족시키는 마이크로에칭제로서는, 분무 처리에서의 에칭 속도가 침지 처리에서의 에칭 속도의 3 내지 5배인 마이크로에칭제가 바람직하고, 3.5 내지 4배인 마이크로에칭제가 보다 바람직하다. 이러한 마이크로에칭제에 따르면, 비어 바닥의 지나친 에칭을 억제한 후에 스미어 (S)를 부상시킨 상태로 만들 수 있으면서, 구리의 비산물이나 돌출 부분의 제거성이 높아진다.

분무 처리에 있어서의 에칭 속도는 분무 처리에서 통상 설정되는 분무압(0.05 내지 0.3 MPa)의 범위에서 적절한 압력을 설정하고, 마이크로에칭제를 20 내지 35 ℃의 범위 중에서 적절한 온도로 유지한 상태에서, 소정 시간(예를 들면 1 분) 에칭하였을 때의 속도를 측정한다. 한편, 침지 처리에서의 에칭 속도는, 비교하는 분무 처리와 동일한 온도의 마이크로에칭제에 침지하여, 비교하는 분무 처리와 동일한 시간 에칭하였을 때의 속도를 측정한다. 또한, 분무 처리에서의 에칭 속도와 침지 처리에서의 에칭 속도를 비교한다. 또한, 에칭 속도는, 일반적인 전해 동박을 마이크로에칭하였을 때의, 에칭 전후의 구리 중량 감소량을 에칭 시간으 로 나누어 구할 수 있다.

분무 처리에서의 에칭 속도를 침지 처리에서의 에칭 속도의 3 내지 5배로 하기 위해서는, 예를 들면, 마이크로에칭제에 계면활성제 등의 각종 첨가제를 배합할 수 있다. 구체적으로는 지방족 또는 지환식 아민, 알코올, 테트라졸 화합물, 메틸에스테르 화합물, 비이온성 계면활성제 등을 배합할 수 있다.

상기 지방족 아민으로서는, 탄소수가 1 내지 12인 지방족 아민이 바람직하고, 구체적인 예로서는 트리-n-부틸아민, 에틸렌디아민, 2-에틸헥실아민 등을 들 수 있다.

상기 지환식 아민의 구체적인 예로서는, 시클로헥실아민, 디시클로헥실아민 등을 들 수 있다.

상기 알코올의 구체적인 예로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등의 글리콜류를 들 수 있다.

상기 테트라졸 화합물의 구체적인 예로서는, 1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5-머캅토-1H-테트라졸, 1-메틸-5-에틸-1H-테트라졸 등을 들 수 있다.

상기 메틸에스테르 화합물의 구체적인 예로서는, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산부틸 등을 들 수 있다.

상기 비이온성 계면활성제의 구체적인 예로서는, 프로필렌디글리세릴에테르, 폴리에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등을 들 수 있다.

상기 열거한 첨가제는 1종류 또는 2종류 이상을 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 분무 처리에서의 에칭 속도를 빠르게 하기 위해서는, 지방족 아민, 지환식 아민, 알코올, 메틸에스테르 화합물 및 비이온성 계면활성제로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상을 배합할 수 있다. 한편, 침지 처리에서의 에칭 속도를 느리게 하기 위해서는, 테트라졸 화합물을 배합할 수 있다. 특히 테트라졸 화합물과 지환식 아민을 병용하면, 비어 바닥의 지나친 에칭을 효과적으로 억제하면서, 구리의 비산물이나 돌출 부분의 제거성이 보다 높아질 뿐 아니라, 비어 바닥을 보다 균일하게 마이크로에칭할 수 있기 때문에 바람직하다. 이들 첨가제의 사용량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 마이크로에칭제 전량에 대하여 0.001 내지 2 중량％인 것이 바람직하고, 0.01 내지 0.5 중량％의 범위인 것이 보다 바람직하다.

구리의 비산물이나 돌출 부분의 제거성이 보다 높은 마이크로에칭제로 만들기 위해서는, 마이크로에칭제 중의 과산화수소의 농도를 1 내지 15 중량％로 하는 것이 바람직하고, 2 내지 10 중량％로 하는 것이 보다 바람직하고, 2 내지 5 중량％로 하는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 구리의 비산물이나 돌출 부분의 제거성이 보다 높은 마이크로에칭제로 하기 위해서는, 마이크로에칭제 중의 황산 농도를 3 내지 25 중량％로 하는 것이 바람직하고, 5 내지 20 중량％로 하는 것이 보다 바람직하고, 6 내지 10 중량％로 하는 것이 더욱 바람직하다.

마이크로에칭 처리 공정 후, 다층 적층판을 액(도시하지 않음) 내에 침지시 킨 상태에서 초음파를 인가하는 초음파 처리 공정을 행함으로써, 비어 바닥에서 부상된 상태가 된 스미어 (S)를 제거한다(도 2C). 이 초음파 처리 공정에서 사용되는 액체로서는, 예를 들면, 산성 용액, 알칼리성 용액, 물 등의 액체이면 적절하게 사용할 수 있지만, 물을 사용하는 경우에는, 안전성이 높을 뿐 아니라 관리가 용이하기 때문에 특히 바람직하다.

초음파의 인가 조건은, 예를 들면 물(온도 10 내지 70 ℃)을 사용하는 경우에는, 28 kHz 내지 45 kHz에서 10 초 내지 300 초간 인가하는 것이 바람직하고, 28 kHz 내지 45 kHz에서 20 초 내지 300 초간 인가하는 것이 보다 바람직하다. 주파수가 상기 범위 내이면, 기판에 손상을 주지 않고 스미어 (S)의 제거성을 향상시킬 수 있다. 또한, 인가 시간이 상기 범위 내이면, 스미어 (S)를 확실하게 제거할 수 있을 뿐 아니라 생산 효율을 향상시킬 수 있다.

상기 초음파 처리 후의 다층 적층판은 공정의 도시는 생략하지만, 예를 들면 비어 내벽을 구리 도금하고, 또한 상하의 동박 (3)을 패터닝하여 구리 배선을 형성함으로써 다층 인쇄 배선판으로 만들 수 있다.

<실시예>

이하, 본 발명의 이해를 쉽게 하기 위해서 실시예나 비교예를 들어 본 발명을 더욱 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예로만 한정되는 것은 아니다.

절연 기재의 양면에 구리층이 형성된 코어재로서 마츠시타 덴꼬 제조 R-1766을 이용하여, 이 코어재의 양면에 두께 60 μm의 프리프레그(마츠시타 덴꼬 제조 R1661ED)를 적층하고, 또한 각각의 프리프레그에서의 코어재와는 반대측에 두께 12 μm의 동박(미쯔이 긴조꾸 고교 제조 3EC-III)을 적층하여, 도 1A에 나타내는 다층 적층판을 제조하였다. 단, 시험 기판이기 때문에, 외층 및 내층 중 어느 구리층에 대해서도 패턴화하지 않고(배선을 형성하지 않음), 이하에 나타내는 처리를 행하였다.

우선, 상기 시험 기판의 표층측 동박을 황산/과산화수소계 레이저 가공 전처리제(맥크 가부시끼가이샤 제조 맥크 V 본드)로 에칭 처리를 행하여 표층측의 동박 두께를 9.6 μm로 하였다. 이 레이저 가공 전처리를 함으로써 레이저 가공을 저에너지로 행할 수 있다.

이어서, 탄산 가스 레이저기(히타치 비어 메카닉스 제조 LC-2G212/2C)를 사용하여, 레이저 조사측(표면측)의 직경이 100 μm, 저면측의 직경이 80 μm 내지 100 μm가 되도록 하기 가공 조건에서 비어를 형성하였다. 또한, 하기 조건의 기재에서 『/』의 전후는 레이저 조사를 2 쇼트 조사로 행한 경우의 1회째와 2회째의 조건을 각각 나타내었다.

(레이저 가공 조건)

쇼트수: 2 쇼트

주파수: 1000 Hz

가공 에너지: 17.75 mJ/3.60 mJ

펄스폭: 36 μs/10 μs

이어서, 표 1 및 표 2에 나타내는 조건에 의해, 레이저 가공 후의 시험 기판을 팽윤 처리 공정, 마이크로에칭 처리 공정 및 초음파 처리 공정의 순서로 처리하 였다. 팽윤 처리 공정은 모두 침지에 의해 처리하고, 마이크로에칭 처리 공정은 모두 분무에 의해 처리하였다. 즉, 비교예 4의 마이크로에칭 처리 공정에서는, 마이크로에칭제 대신에 회로 형성용 에칭제를 이용하여 분무에 의해 처리하였다. 또한, 팽윤 처리 공정과 마이크로에칭 처리 공정 사이에는 수세 공정을 설치하였다. 또한, 초음파 처리 공정에서는, 초음파 세정기로서, 이노우찌 세이에이도 제조의 ULTMSONIC CLEANER VS-100III을 사용하고, 시험 기판을 온도 25 ℃의 이온 교환수 중에 침지시킨 상태에서, 표 1 및 표 2에 나타내는 조건에 의해 초음파를 인가하였다.

이어서, 스미어의 확인을 쉽게 하기 위해서, 처리 후의 시험 기판의 비어 바닥에 대하여 백금 증착을 행하였다. 또한, 비어 바닥의 절단면을 FE-SEM(니혼 덴시 가부시끼가이샤 제조 JSM-7000F)에 의해 3500배의 배율로 관찰하고, 비어 바닥에 남은 스미어의 길이 (L)(도 3C 참조)의 최대값을 측정하였다. 이 때, 각 실시예 및 각 비교예에 있어서, 모두 5개 비어에 대하여 상기 최대값을 측정하고, 이들 최대값의 평균값을 산출하였다. 얻어진 상기 평균값에 대하여, 스미어 제거성을 하기 기준에 의해 평가하였다.

(스미어 제거성의 평가 기준)

상기 평균값이 2 μm 미만: ◎

상기 평균값이 2 μm 이상 15 μm 미만: ○

상기 평균값이 15 μm 이상 30 μm 미만: △

상기 평균값이 30 μm 이상: ×

표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 15는 모두 비교예 1 내지 4에 비해 스미어 제거성이 향상되었다.

도 1A, 1B는 본 발명의 인쇄 배선판의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 공정별 단면도이다.

도 2A 내지 2C는 본 발명의 인쇄 배선판의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 공정별 단면도이다.

도 3A 내지 3C는 컨포멀ㆍ마스크법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 코어재

1a 절연 기재

1b 구리층

2 수지층

3 동박

BV 블라인드 비어

Claims (6)

1. 수지층과 구리층이 적층된 다층 적층판에 레이저광을 조사하여 비어를 형성하는 인쇄 배선판의 제조 방법에 있어서,

   레이저광을 조사한 후의 상기 다층 적층판을 비산화성 팽윤제에 침지시키는 팽윤 처리 공정,

   상기 팽윤 처리 공정 후의 상기 다층 적층판에 마이크로에칭제를 접촉시키는 마이크로에칭 처리 공정, 및

   상기 마이크로에칭 처리 공정 후의 상기 다층 적층판을 액 중에 침지시킨 상태에서 초음파를 인가하는 초음파 처리 공정

   을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄 배선판의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 마이크로에칭제가 과산화수소 및 황산을 포함하는 마이크로에칭제인 인쇄 배선판의 제조 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 마이크로에칭제가 테트라졸 화합물 및 지환식 아민을 더 포함하는 것인 인쇄 배선판의 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 마이크로에칭 처리 공정이 상기 마이크로에칭제를 상기 다층 적층판의 비어가 형성된 면에 분무하는 공정인 인쇄 배선판의 제조 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 비산화성 팽윤제가 유기 용제를 포함하는 알칼리성 용액 또는 수산화나트륨 수용액인 인쇄 배선판의 제조 방법.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 초음파 처리 공정이 상기 다층 적층판을 수 중에 침지시킨 상태에서 초음파를 인가하는 공정인 인쇄 배선판의 제조 방법.

Images